2024-004025

第２ 本件発明の認定

本件出願の請求項１～６に係る発明は、令和７年６月１０日提出の手続補正書により補正（以下「本件補正」という。）がされた特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、次のとおりのものである。

「 【請求項１】

レーザ光源と空間光位相変調器と対物レンズと移動機構とプリズムミラーとを備えるレーザ加工装置を用いて対象物を加工するレーザ加工方法であって、

前記レーザ光源によって、レーザ光を出射する工程と、

前記プリズムミラーによって、前記レーザ光を反射して前記空間光位相変調器に向けて照射する工程と、

続きを表示（全13行）

前記空間光位相変調器によって、対象物の加工面上において複数のレーザスポットが形成されるように前記レーザ光の位相を変調する工程と、

前記プリズムミラーによって、位相が変調された前記レーザ光を反射して前記対物レンズに照射する工程と、

前記対物レンズによって、位相が変調された前記レーザ光を前記加工面上に集光する工程と、

前記移動機構によって、前記複数のレーザスポットが前記加工面上においてトレパニング軌道を描くように、前記対物レンズと前記対象物とを相対移動させる工程と、を含み、

前記相対移動させる工程は、前記トレパニング軌道の直径をＤｔとし、前記レーザスポットの直径をＤＩとしたときに、０．９＜Ｄｔ／ＤＩ＜１００を満たすように前記対物レンズと前記対象物とを相対移動させ、

前記レーザ光源は、波長が７８０［ｎｍ］又は８００［ｎｍ］であり、パルス幅が２５０［ｆｓ］以下であり、

前記複数のレーザスポットは、千鳥配置で配置されており、

前記空間光位相変調器は、反射型の空間光位相変調器であり、

前記相対移動させる工程は、前記レーザスポットの中心点が５Ｈｚのスピードで前記トレパニング軌道の直径の円周上を移動するように、前記対物レンズと前記対象物とを相対移動させる、レーザ加工方法。」

第３ 当審拒絶理由通知

本件補正前の（すなわち、令和６年３月６日提出の手続補正書により補正がされた）特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正前発明」という。）に対し、当審拒絶理由通知にて示した拒絶の理由は、概略、次のとおりである。

（進歩性）補正前発明は、本件出願前（原出願前）に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術的事項、例えば引用文献２～４に記載された周知の技術的事項１、例えば引用文献３～４に記載された周知の技術的事項２、及び、例えば引用文献５～６に記載された周知の技術的事項３に基づいて、本件出願前（原出願前）にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

［引用文献］

第４ 各引用文献等に記載された発明又は技術的事項の認定

上記第３の当審拒絶理由通知にて引用した引用文献１～６、及び、本件補正により補正前発明を本件発明にする補正がされたために、新たに周知例として示す次の周知例文献Ａ～Ｃには、それぞれ、以下の事項が記載され、また、当該事項から、以下の発明又は技術的事項が記載されているといえる。

［新たに周知例として示す文献］

１ 引用文献１

（１）引用文献１に記載された事項

引用文献１には、次の事項が記載されている（下線は、当審にて付した。以下同じ。）。

ア 発明の詳細な説明

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、対象物の内部の複数の集光位置にレーザ光を集光照射する装置および方法に関するものである。

【背景技術】

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【０００２】

レーザ光源から出力されたレーザ光を集光光学系により集光して加工対象物に照射することにより該加工対象物を加工することができる。単にレンズを用いてレーザ光を集光するだけであれば、レーザ光の１つの集光位置を走査することで、加工対象物を所望の形状に加工することができる。しかし、この場合には加工に要する時間が長い。

【０００３】

加工時間の短縮化を図るための最も簡便な手法は、複数の集光位置にレーザ光を同時に集光照射して多点同時加工を行うことである。例えば、複数のレーザ光源を用いて、各レーザ光源から出力されたレーザ光をレンズにより集光すれば、多点同時加工を行うことができる。しかし、この場合には、複数のレーザ光源を用いることから、コストが高く、設置領域や光学系が複雑なものとなる。

【０００４】

このような問題を解消することを意図した発明が特許文献１に開示されている。この特許文献１に開示された発明では、位相変調型の空間光変調器にホログラムを呈示させて、１つのレーザ光源から出力されたレーザ光を空間光変調器により位相変調し、その位相変調されたレーザ光を集光光学系により複数の集光位置に同時に集光照射する。空間光変調器に呈示されるホログラムは、集光光学系により複数の集光位置にレーザ光が集光されるような位相変調分布を有する。

【０００５】

なお、特許文献１に開示されているような対象物の内部の複数の集光位置にレーザ光を集光照射する技術は、例えば、ガラスなどの内部にレーザ光を照射し当該照射部の屈折率変化を起こして光集積回路を形成したり、ガラスなどの内部にレーザ光を照射し当該照射部にクラックを形成して切断したり、シリコンウェハなどの内部にレーザ光を照射して当該照射部に改質層を形成し切断したり、といった加工に用いられるだけでなく、レーザ顕微鏡や多光子吸収顕微鏡などにおいてレーザ光の集光位置を対象物内部で走査して撮像するといった用途にも用いられる。

【特許文献１】特開２００６－６８７６２号公報」

「【発明を実施するための最良の形態】

【００１３】

以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

【００１４】

続きを表示（全19行）

図１は、本実施形態に係るレーザ光照射装置１の構成図である。この図に示されるレーザ光照射装置１は、対象物９の内部の複数の集光位置にレーザ光を集光照射する装置であって、レーザ光源１０、プリズム２０、空間光変調器３０、駆動部３１、制御部３２、レンズ４１、レンズ４２、ミラー５０および対物レンズ（集光光学系）６０を備える。

【００１５】

レーザ光源１０は、対象物９の内部の複数の集光位置に集光照射されるべきレーザ光を出力するものであり、好適にはフェムト秒レーザ光源やＮｄ:ＹＡＧレーザ光源などのパルスレーザ光源である。

【００１６】

空間光変調器３０は、位相変調型のものであって、レーザ光源１０から出力されプリズム２０の第１反射面２１で反射されたレーザ光を入力し、２次元配列された複数の画素それぞれにおいてレーザ光の位相を変調するホログラムを呈示して、その位相変調後のレーザ光を出力する。この空間光変調器３０において呈示される位相ホログラムは、数値計算により求められたホログラム（ＣＧＨ: Computer Generated Hologram）であるのが好ましい。

【００１７】

この空間光変調器３０は、反射型のものであってもよいし、透過型のものであってもよい。反射型の空間光変調器２０（当審注：「空間光変調器２０」の符号は「空間光変調器３０」の誤記であると認める。）としては、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）型、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）型および光アドレス型の何れであってもよい。また、透過型の空間光変調器２０としてはＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等であってもよい。図１では、空間光変調器３０として反射型のものが示されている。透過型の場合にはプリズム２０は必要ない。

【００１８】

駆動部３１は、空間光変調器３０の２次元配列された複数の画素それぞれにおける位相変調量を設定するものであり、その画素毎の位相変調量設定のための信号を空間光変調器３０に与える。駆動部３１は、空間光変調器３０の２次元配列された複数の画素それぞれにおける位相変調量を設定することで、空間光変調器３０にホログラムを呈示させる。

【００１９】

レンズ４１およびレンズ４２は、４ｆ光学系を構成していて、空間光変調器３０と対物レンズ６０とが互いに結像関係となるように配置されている。すなわち、レンズ４１およびレンズ４２からなる４ｆ光学系は、空間光変調器３０から出力されプリズム２０の第２反射面２２で反射されたレーザ光を入力して、空間光変調器３０におけるレーザ光の像を対物レンズ６０に結像させる。

【００２０】

ミラー５０は、レンズ４１およびレンズ４２からなる４ｆ光学系から出力されたレーザ光を入力して、このレーザ光を対物レンズ６０へ反射させる。集光光学系としての対物レンズ６０は、ミラー５０で反射されたレーザ光を入力して、このレーザ光を対象物９の内部の複数の集光位置に集光する。

【００２１】

制御部３２は、例えばコンピュータで構成され、駆動部３１の動作を制御することで、駆動部３１から空間光変調器３０へホログラムを書き込ませる。このとき、制御部３２は、空間光変調器３０から出力されたレーザ光を集光光学系６０により対象物９の内部の複数の集光位置に集光させるホログラムを空間光変調器３０に呈示させる。」

「【００４５】

なお、ガラスやシリコンウェハなどの対象物９を切断する場合に、その対象物９の内部にレーザ光を集光して改質層を形成すると、その改質層は、更に深い位置にレーザ光を集光して改質層を形成する際に影響を及ぼす。したがって、深い位置から順に改質層を形成するのが好適である。複数の集光位置にレーザ光を集光照射する場合においても同様である。よって、複数の集光位置にレーザ光を集光照射する場合には、集光位置を互いに近づけることにより、あたかも奥行き方向に伸びた１本の線として加工することが望ましい。

【００４６】

レーザ光源１０としてフェムト秒レーザ光源を用いる場合には、凸レンズで構成される４光学系（当審注：「４光学系」との記載は、段落【００１９】～【００２０】に記載の「４ｆ光学系」の誤記であると認める。）を用いることができない。この場合には、空間光変調器３０と対物レンズ６０とは互いに結像関係にはなく、合成焦点距離ｆresultは下記（１０）式で表される。ここで、Δは、空間光変調器３０と対物レンズ６０との間の光路長である。Ｍは、凹凸レンズで構成される縮小光学系を用いた場合の倍率である。実際の集光位置は下記（１１）式で表される。これら（１）式および（１１）式から補正用ホログラムが作成され、上記（８）式または（９）式に従って、空間光変調器３０に呈示されるべきホログラムφresultが作成される。」

「【００５９】

そして、上記（１３）式に基づいて補正用ホログラムが作成され、さらに、上記（８）式または（９）式に従ってホログラムφresultが作成され、このホログラムφresultが空間光変調器３０に呈示される。対象物９が対物レンズ６０の方向に距離ｄだけ移動され、レーザ光源１０からのレーザ光出力が開始されて、対象物９内部の所定の集光位置にレーザ光が集光照射される。所要の照射時間が終了するとレーザ光源１０からのレーザ光出力が停止される。他の集光位置がある場合には、対象物９の内部における集光位置（表面からの距離（ｄ＋Δ））の設定から、同様の処理が繰り返し行われる。尚、集光点の移動は対象物と対物レンズの相対位置を変化させれば良いので、対物レンズを移動させても良いし、対象物と対物レンズの双方を移動させても良い。」

イ 図面

「【図１】

［図：0001428652000001.jpg］

」

（２）引用文献１の記載からわかること

上記（１）の引用文献１の記載から、引用文献１には次の事項が記載されているといえる。

ア 引用文献１の段落【００１４】の記載、及び、図１の図示内容から、引用文献１には、レーザ光源１０と空間光変調器３０と対物レンズ６０とプリズム２０とを備えるレーザ光照射装置１が記載される。また、段落【００５９】の「集光点の移動は対象物と対物レンズの相対位置を変化させれば良いので、対物レンズを移動させても良いし、対象物と対物レンズの双方を移動させても良い。」との記載から、レーザ光照射装置１は、対象物９と対物レンズ６０との相対位置を変化させる機構を備えるといえる。さらに、段落【０００２】～【０００５】、【００１４】の記載から、当該レーザ光照射装置１は、対象物９にレーザ光を照射して対象物９を加工するためのものといえるから、引用文献１には、レーザ光照射装置１、及び、レーザ光照射装置１を用いて対象物９を加工するレーザ加工方法に係る技術的事項が、それぞれ記載されているといえる。

イ 引用文献１の段落【００１５】の記載から、上記アのレーザ加工方法は、レーザ光源１０によって、レーザ光を出力する工程を含むことがわかる。また、レーザ光源１０として、フェムト秒レーザ光源などのパルスレーザ光源が好適な例として示されている。

ウ 引用文献１の段落【００１６】の記載、及び図１の図示内容から、上記アのレーザ加工方法は、プリズム２０の第１反射面２１によって、レーザ光を反射して、空間光変調器３０に向けて照射する工程を含むことがわかる。

エ 引用文献１の段落【００１６】～【００１８】、【００２１】の記載から、上記アのレーザ加工方法は、空間光変調器３０によって、対象物９の内部において複数の集光位置が形成されるようにレーザ光の位相を変調する工程を含むことがわかる。また、段落【００１７】の記載から、図１に示される空間光変調器３０は、反射型の空間光変調器であることがわかる。

オ 引用文献１の段落【００１９】～【００２０】、【００４６】の記載、及び図１の図示内容から、上記アのレーザ加工方法は、プリズム２０の第２反射面２２によって、空間光変調器３０により位相が変調されたレーザ光を反射して、ミラー５０を経て、対物レンズ６０に照射する工程を含むことがわかる。

カ 引用文献１の段落【００２０】の記載、及び図１の図示内容から、上記アのレーザ加工方法は、対物レンズ６０によって、位相が変調されたレーザ光を対象物９の内部の複数の集光位置に集光する工程を含むことがわかる。

また、段落【００５９】の記載から、上記アのレーザ加工方法は、上記アの対象物９と対物レンズ６０との相対位置を変化させる機構によって、複数の集光位置が移動するように、対物レンズ６０と対象物９との相対位置を変化させる工程を含むといえる。

キ 引用文献１の段落【００４５】の記載から、上記アのレーザ加工方法による複数の集光位置は、集光位置を互いに近づけることにより、あたかも奥行き方向に伸びた１本の線として配置されることがわかる。

（３）引用発明１

上記（１）及び（２）から、引用文献１に記載された事項を本件出願の請求項１の記載（上記第２）に合わせて整理すると、引用文献１には、レーザ加工方法に関する次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているといえる。

「レーザ光源１０と、空間光変調器３０と、対物レンズ６０と、対象物９と対物レンズ６０との相対位置を変化させる機構と、プリズム２０とを備えるレーザ光照射装置１を用いて対象物９を加工するレーザ加工方法であって、

前記レーザ光源１０によって、レーザ光を出力する工程と、

前記プリズム２０によって、前記レーザ光を反射して前記空間光変調器３０に向けて照射する工程と、

前記空間光変調器３０によって、対象物９の内部において複数の集光位置が形成されるように前記レーザ光の位相を変調する工程と、

前記プリズム２０によって、位相が変調された前記レーザ光を反射して前記対物レンズ６０に照射する工程と、

前記対物レンズ６０によって、位相が変調された前記レーザ光を前記対象物９の内部に集光する工程と、

対象物９と対物レンズ６０との相対位置を変化させる前記機構によって、前記複数の集光位置が移動するように、前記対物レンズ６０と前記対象物９との相対位置を変化させる工程と、を含み、

前記レーザ光源１０は、フェムト秒レーザ光源であり、

前記複数の集光位置は、奥行き方向に伸びた１本の線として配置されており、

前記空間光変調器３０は、反射型の空間光変調器である、レーザ加工方法。」

２ 引用文献２

（１）引用文献２に記載された事項

引用文献２には、次の事項が記載されている。

ア 発明の詳細な説明

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、レーザー加工装置及びレーザー加工方法に係り、特に、レーザービームを照射し、被加工物に穴径や深度の異なる複数の穴を一括で形成するレーザー加工装置及びレーザー加工方法に関する。」

「【００３３】

＜実施例１＞

本実施形態のレーザー加工装置１０は、図１に示すように、レーザー装置と、集光手段としてのマイクロレンズアレイ３０（マイクロレンズ３１の集合体）と、被加工物Ｗの配置手段であるワーク調整手段４０等を備えて構成されている。そして、ワーク調整手段４０上に配置されたマイクロレンズアレイ３０と、被加工物ＷからユニットＵが構成される。

【００３４】

本例のレーザー加工装置１０は、レーザー装置として、レーザー光源１１、アッテネータ１２、スリット１３、部分反射ミラー１４、エネルギーモニタ１５、シャッター（メカニカルシャッター）１６、ビームエキスパンダ１７、ミラー１８、ビームプロファイラ２０などを備えている。」

「【００７０】

図９乃至図１１は、実施例１の変形例を示す説明図であり、図９はマイクロレンズと被加工領域との関係を示す説明図、図１０はワーク調整手段の説明図、図１１は狭ピッチ加工の例を示す説明図である。

図１０に示すワーク調整手段４０は、被加工物Ｗとマイクロレンズアレイ３０およびその保持機構（ワーク調整手段など）の相対位置を変更可能なステージを備える。すなわち、図１０に示すように、ＸＹ方向に移動可能なステージ４１の下に、さらにＸＹＺ方向に移動可能なステージ４３を備えている。

ステージ４１は２軸のリニアステージなどで構成し、ステージ４３は３軸のリニアステージなどで構成する。ステージ４１、ＸＹＺステージ４３をモーションコントローラにより制御を行い、動作パラメータの設定などは、ＰＣによって行なう。ＸＹＺステージ４３のコントローラは円弧補間機能をもつことが望ましい。モーションコントローラは、例えばＤｅｌｔａ Ｔａｕ Ｓｙｓｔｅｍｓ社製ＵＭＡＣＪ－Ｔｕｒｂｏなど、公知のコントローラを用いることができる。

図１０に示すワーク調整手段４０によれば、被加工領域加工後に前記相対位置を変更し、新たな被加工領域を加工することにより、多数の加工部分を任意の間隔で加工することが可能となる。

これにより、広範囲な被加工領域の加工や、被加工部分の狭い間隔の加工が可能となる。」

「【００７３】

図１０に示すワーク調整手段４０により、被加工物Ｗとマイクロレンズアレイ３０およびその保持機構を任意の相対移動をさせながら加工を行うことにより、多数の被加工部分を任意の形状に加工することが可能となる。

【００７４】

図１２乃至図１６は、被加工物とマイクロレンズアレイとの相対移動加工を示すもので、図１２は線状加工の例の説明図、図１３及び図１４は円形加工の例の説明図、図１５はザグリ加工の例の説明図、図１６はテーパ加工の例の説明図である。

【００７５】

図１２に示すように、被加工物Ｗとマイクロレンズアレイ３０およびその保持機構（ワーク調整手段など）を一次元的に相対移動させながら加工を行うことにより、多数の線状の被加工部分の形成が可能である。

また、図１３は、被加工物Ｗとマイクロレンズアレイ３０およびその保持機構を相対的に円形に移動させながら加工を行う例（トレパニング加工）であり、図１４は、そのときのビーム焦点と加工穴の図を示している。つまり、図１４で示すように、被加工物Ｗとマイクロレンズアレイ３０およびその保持機構（ワーク調整手段４０）を相対移動させながら、ビーム焦点を円形（白抜き矢印のように）に移動させるものである。

このようにトレパニング加工を行うことにより、マイクロレンズの焦点径より大きい任意の加工幅を持つ円形加工が可能となり、焦点径が異なるマイクロレンズに交換をすることなしに、加工幅の異なるパターンの加工が可能となる。」

「【００８５】

上記構成のように、レンズ径Ｄ、焦点径ｗを等しくして位相段差ｄの数Ｎをそれぞれ８及び４とし、エポキシ樹脂に対し、多点の一括加工を行った場合、下記の結果が得られた。なお、詳細な実験条件は以下に示す通りである。

【００８６】

レーザーの種類：不安定共振器型ＫｒＦエキシマレーザー

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レーザー波長λ：２４８ｎｍ

焦点径ｗ：φ３５μｍ

トレパニング径：φ５０μｍ－φ３５μｍ－φ２０μｍ

照射パルス数：１０００パルス－１０００パルス－１０００パルス

焦点エネルギー密度（理想値）：４００ｍＪ／ｃｍ２

材料：エポキシ樹脂

下地電極：外部電極 銅、内部電極 アルミ」

イ 図面

「【図１】

［図：0001428652000002.jpg］

」

「【図１０】

［図：0001428652000003.jpg］

」

「【図１３】

［図：0001428652000004.jpg］

【図１４】

［図：0001428652000005.jpg］

」

（２）引用文献２記載の技術的事項

上記（１）から、引用文献２には、次の技術的事項（以下「引用文献２記載の技術的事項」という。）が記載されているといえる。

「レーザ加工装置１０を用いて被加工物Ｗを加工するレーザ加工方法において、被加工物Ｗの加工面上に複数の穴を一括で加工するにあたり、複数のビーム焦点が加工面上において円形に移動するように、ワーク調整手段４０によって、マイクロレンズアレイ３０と被加工物Ｗとを相対移動させながらトレパニング加工を行うこと、及び、

トレパニング加工のトレパニング径がφ５０μｍ、φ３５μｍ又はφ２０μｍであり、ビーム焦点の焦点径ｗがφ３５μｍであって、トレパニング径がφ５０μｍ又はφ３５μｍの場合、トレパニング径／焦点径ｗの比が、５０／３５又は３５／３５であるように、マイクロレンズアレイ３０と対象物Ｗとを相対移動させること。」

３ 引用文献３

（１）引用文献３に記載された事項

引用文献３には、次の事項が記載されている。

ア 発明の詳細な説明

「【０００１】

【発明の属する技術分野】

本発明は、レーザーを用いて各種材料に対して孔を形成するレーザー加工技術に係わり、特に、フェムト秒レーザーを用いた超短パルスレーザーによる材料加工方法、この超短パルスレーザーによる材料加工方法を用いたプリント配線板の製造方法、及びこのプリント配線板の製造方法で製造されたプリント配線板に関する。

【０００２】

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【従来の技術】

近年、電子回路の伝送信号の高周波化、部品の小型化の進展により、電子部品は、その大部分が表面実装され、高密度化が進んできた。一方、大規模集積回路は、大型化、多機能化が進められ、ＩＣパッケージの入出力端子が膨大になり、大規模集積回路とこの大規模集積回路を実装する基板との間にインターポーザーを設けるようになってきた。

【０００３】

これらの高密度の大規模集積回路が搭載されるプリント配線板においても電子回路が複数層に亘って形成されている。またインターポーザーにおいても両面に電子回路が形成されている。複数層に亘って形成されている電子回路相互間の配線を効率的に行うためには、複数層に亘って電子回路が形成されている回路基板に対して各電子回路を連通する多数の孔を形成し、この孔内に電子回路相互を接続する導体を配線する必要がある。この導体が配線された孔をビアホール（Ｖｉａ Ｈｏｌｅ）と称する。

【０００４】

これらのビアホールの加工には、従来、高調波のＹＡＧレーザーや炭酸ガスレーザーが利用されてきた。

【０００５】

図９に、ビアホールを有するプリント配線板の従来の製造方法を示す。

【０００６】

先ず、ガラスエポキシやポリイミドなど有機材料あるいは複合材料からなる０．０５ｍｍから数ｍｍ前後の厚さの基材１の両面に１０μｍ程度の厚さの電子回路が形成された銅箔２ａ、２ｂが形成された回路基板３を作成する（図９（ａ））。

【０００７】

この回路基板３の一方の銅箔２ａの表面からＹＡＧまたは炭酸ガスのレーザービーム４を加工すべき孔５の中心位置にパルス照射する。または、レーザービーム４を、加工すべき孔５の径よりも小さなビームスポットでレーザートレパニング手法を用いて円形にパルス照射する。そして、下層の銅箔２ｂ表面まで直径４０μｍから２００μｍ程度の円柱状の孔５を形成する（図９（ｂ））。」

「【００４９】

以下、本発明の具体的実施形態を図面を用いて説明する。

図１は本発明の一実施形態に係わる超短パルスレーザーによる材料加工方法を用いたプリント配線板の製造方法を示す製造工程図である。図９に示したＹＡＧレーザー又は炭酸ガスレーザーを用いた従来のプリント配線板の製造方法を示す製造工程図と同一部分には同一符号を付して、重複する部分の詳細説明は省略する。

【００５０】

続きを表示（全17行）

先ず、ガラスエポキシやポリイミドなど有機材料あるいは複合材料からなる０．０５ｍｍから数ｍｍ前後の厚さの基材１の両面に１０μｍ程度の厚さの電子回路が形成された銅箔２ａ、２ｂが形成された回路基板３を作成する（図１（ａ））。

【００５１】

次に、発振波長７８０ｎｍ、ピークパワー８００ｍＷ、パルスエネルギー８００μＪ／パルス、パルス幅１５０フェムト秒、パルス繰り返し周波数１ｋＨｚ、ビームスポット１２の径１０μｍの特性値を有するフェムト秒レーザー１１を、回路基板３の一方の銅箔２ａの表面から加工すべき孔５（仕上り孔径４０μｍ）の領域に照射する（図１（ｂ）（ｃ）（ｄ））。

【００５２】

加工深さが回路基板３の一方の銅箔２ａの厚みに達していないレーザー加工の初期段階では、銅箔２ａの銅が非熱アブレーション加工される。レーザーエネルギー照射された銅は、短時間、且つ、高エネルギー密度の照射により、熱による銅の溶融を伴うことなく、銅は分子状になって周囲の雰囲気中に飛散する。結果として、加工された孔５の周囲にドロスと呼ばれる銅の溶融によるクレーター状の盛り上がりは発生しない。

【００５３】

次に孔５の加工描画動作を図２、図３、図４を用いて説明する。

【００５４】

図２、図３に示すように、加工すべき孔５の径４０μｍよりも小さなフェムト秒レーザー１１の１０μｍのビームスポット１２で孔５の円形領域の一部をパルス照射した後、フェムト秒レーザー１１のビームスポット１２の照射位置を孔５の円形領域内を順次移動させて孔５を形成する。さらに、図４に示すように、レーザー照射位置の移動に伴い、連続してレーザーパルス照射せず、各照射位置に一旦停止して、１乃至数回レーザーパルス照射した後、レーザーパルス照射しない状態で次の照射位置に移動することを繰り返して加工を行う。

【００５５】

こうすることで、孔５の加工表面と孔５の底での加工円寸法比が１に近い立ち上がりの良い孔５が形成される。

【００５６】

図３に示すパルス照射間の移動量は孔５の加工領域域全体の照射エネルギー量（レーザーフルエンス）が平均になるように設定されている。照射エネルギー量（レーザーフルエンス）は、加工面の銅箔２と基材１をアブレーション飛散させ、下層の銅箔２ｂの表面に達したところまで加工できるエネルギー量に設定されている。」

イ 図面

「【図１】

［図：0001428652000006.jpg］

【図２】

［図：0001428652000007.jpg］

【図３】

［図：0001428652000008.jpg］

【図４】

［図：0001428652000009.jpg］

」

「【図９】

［図：0001428652000010.jpg］

」

（２）引用文献３記載の技術的事項

上記（１）から、引用文献３には、次の技術的事項（以下「引用文献３記載の技術的事項」という。）が記載されているといえる。

「フェムト秒レーザー１１を用いた超短パルスレーザーによる材料加工方法において、回路基板３の一方の銅箔２ａの表面に多数の孔５をレーザー加工するために、ビームスポット１２が銅箔２ａの表面においてレーザートレパニング手法を用いて円形にパルス照射すること、及び、発振波長が７８０ｎｍであり、パルス幅が１５０フェムト秒であるフェムト秒レーザー１１を採用すること。」

４ 引用文献４

（１）引用文献４に記載された事項

引用文献４には、次の事項が記載されている。

ア 発明の詳細な説明

「【００３８】

さて、図１、図２、図４、図５に示すように、回路基板３には、基板裏面側から表面側にかけて径が大きくなるテーパ状の光通路穴１４が複数個（図では４個のＬＤに対して４個の光通路穴１４と、４個のＰＤに対して４個の光通路穴１４との合計８個）形成される。」

「【００５４】

次に、光モジュール１の製造方法を説明する。ここでは、光通路穴１４以外は慣用の方法で製造できるため、光通路穴１４の形成方法についてのみ説明する。

【００５５】

図６に示すように、回路基板３の表面に、フェムト秒レーザあるいはＵＶ（紫外線）－ＹＡＧレーザＬを照射すると共に、螺旋状に走査しながら回路基板３を掘り進み（すなわち、トレパニングにより）、光通路穴１４を形成する。」

「【００５７】

ここで、フェムト秒レーザは、チタンサファイアに種光（緑レーザ）を当て、チタンサファイアの再生増幅により発射するものである。波長λ＝７８０～８００ｎｍ、パルス幅は５０ｆｓ以上、出力は１～２Ｗ、周波数１ｋＨｚ（連続チャージ時間）である。フェムト秒レーザは、パルス幅が１５０ｆｓ以下だとレーザ光が熱エネルギーに変換する前に加工が完了してしまう。これをアブレーションという。つまり、フェムト秒レーザを用いると、熱だれが発生しない、光通路穴１４の周囲が盛り上がらないという利点がある。」

イ 図面

「【図１】

［図：0001428652000011.jpg］

」

「【図６】

［図：0001428652000012.jpg］

」

（２）引用文献４記載の技術的事項

上記（１）から、引用文献４には、次の技術的事項（以下「引用文献４記載の技術的事項」という。）が記載されているといえる。

「フェムト秒レーザを用いて回路基板３を加工するレーザ加工方法において、回路基板３の表面に複数個の光通路穴１４を形成するために、フェムト秒レーザＬをトレパニングにより螺旋状に走査しながら掘り進むこと、及び、波長λ＝７８０～８００ｎｍ、パルス幅は５０ｆｓ以上１５０ｆｓ以下であるフェムト秒レーザを採用すること。」

５ 引用文献５

（１）引用文献５に記載された事項

引用文献５には、次の事項が記載されている。

ア 発明の詳細な説明

「【００３５】

（薄銅箔貫通フィルドビアホール２４ａ）

次に、その剥離用積層基板１０の外面を樹脂絶縁層２１で覆う。次に、図１（ａ）の平面図と図１（ｂ）の側断面図のように、易剥離金属箔付きシート１３の外周部分の上に、複数の互いに隣接した薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを形成する。図１（ａ）の平面図では、剥離用積層基板１０上の樹脂絶縁層２１に、易剥離金属箔付きシート１３に達する複数の薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを千鳥足状に配置して形成する。薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを千鳥足状に配置することで、１つの薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを、少なくとも４つの薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａで隣接させることができる。

【００３６】

図１（ｃ）の様に、薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａは、剥離用積層基板１０にレーザ穴あけ加工装置で、易剥離金属箔付きシート１３に達する穴をあけて薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを形成し、その穴底に露出している易剥離金属箔付きシート１３の薄銅箔層１３ｂをクイックエッチングで除去しキャリア銅箔層１３ａを露出させる。」

「【００６３】

（工程３：薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａの形成工程）

次に、図２（ｃ）のように、剥離用積層基板１０の端の位置の樹脂絶縁層２１に、易剥離金属箔付きシート１３の端部の薄銅箔層１３ｂに達する薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを、穴あけ加工用レーザー光線によって形成する。この薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａは外側の穴径を８０μｍ程度で穴底の穴径を５０μｍ程度に加工し、外側の穴径が穴底の径より大きい、円錐台を逆さにした形状に形成する。」

「【００７４】

図１（ａ）の平面図のように剥離用積層基板１０の端部の薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを易剥離金属箔付きシート１３の端部に千鳥足状に配置することが望ましい。そうすることで薄銅箔貫通フィルドビアホール２４ａの密度が高くなるので、易剥離金属箔付きシート１３の端部の固定効果が大きくなり、剥離用積層基板１０に対する以降の製造工程のストレスによる易剥離金属箔付きシート１３の薄銅箔層１３ｂとキャリア銅箔層１３ａの境界面の剥離の防止効果を大きくでき、その界面の剥離による製造不良を防止できる。」

イ 図面

「【図１】（ａ）

［図：0001428652000013.jpg］

」

（２）引用文献５記載の技術的事項

上記（１）から、引用文献５には、次の技術的事項（以下「引用文献５記載の技術的事項」という。）が記載されているといえる。

「レーザ穴あけ加工装置を用いて剥離用積層基板１０を穴あけ加工する方法において、穴あけ加工用レーザー光線によって剥離用積層基板１０の端の位置の樹脂絶縁層２１に複数の薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを形成するにあたり、複数の薄銅箔貫通ビアホール穴２２ａを千鳥足状に配置して形成すること。」

６ 引用文献６

（１）引用文献６に記載された事項

引用文献６には、次の事項が記載されている。

ア 発明の詳細な説明

「【００３４】

図３は、図１中に示したガラス基層１１の別の例を示す平面図である。図３において、図１中に示したものと同一のものには同一符号を付してある。図３に示すように、このガラス基層１１は、基層１１を貫通してビア孔１１ａが千鳥配置状に同径で複数設けられている。このような基層１１の構成によっても、図２に示した基層１１の場合と同様の効果が得られる。

【００３５】

なお、図２に示した格子点配置に比較して図３に示した千鳥配置は、ビア孔１１ａの配置密度を高められる利点がある。配置密度の違いを説明すると以下になる。図２に示した格子点配置では、ビア孔１１ａの縦方向、横方向の配置ピッチが一定のルールに従って設定される。直近の２×２（正方形の頂点を構成する配置）のビア孔１１ａで見たときにもこれが適用されている。

【００３６】

一方、図３に示す千鳥配置では、横方向の配置ピッチが図２に示した配置の場合と同じであるとき、直近の正三角形の頂点に配置されたビア孔１１ａについて見ると、その正三角形の高さが図２における縦方向の配置ピッチより小さい。これは上記の正方形とこの正三角形とを比べれば容易に理解できる。これにより、図３に示す千鳥配置では、複数配置されたビア孔１１ａの行の数を図２に示す格子点配置の場合より多くできる。具体的に比較すると、図２に示す格子点配置では行の数が１５であるところ、図３に示す千鳥配置では行の数が１７になっている。ビア孔１１ａの数でみると、図２では２２５、図３では２４７になっており配置密度が高められている。」

「【００４５】

次に、図１に示したインターポーザーを製造する手順について概略を図４ないし図６を参照して説明する。これらの図において、図１中に示したものと同一または同一相当のものには同一符号を付してある。まず、加工前のガラス基層１１（想定される厚さは例えば５０μｍ～１０００μｍ。典型的には例えば５００μｍ）を用意し、所定の個所にビア孔１１ａを例えばレーザ加工で形成する（図４（ａ）を参照）。ビア孔１１ａの径は例えば６０μｍである。レーザ加工に加えフッ酸で孔径の拡大化や孔内壁を平滑化する処理を行ってもよい。また、ガラス基層１１として光反応性ガラスを利用すると孔開けの加工がより簡単になる。」

イ 図面

「【図３】

［図：0001428652000014.jpg］

」

（２）引用文献６記載の技術的事項

上記（１）から、引用文献６には、次の技術的事項（以下「引用文献６記載の技術的事項」という。）が記載されているといえる。

「レーザ加工にてガラス基層１１を加工するレーザ加工方法において、ガラス基層１１の加工面上に複数のビア孔１１ａを形成するにあたり、当該複数のビア孔１１ａを千鳥配置状に設けること。」

７ 周知例文献Ａ

（１）周知例文献Ａに記載された事項

周知例文献Ａには、次の事項が記載されている。

ア 発明の詳細な説明

「【００２１】

ここで本実施形態における具体的な詳細に移る。図１は、図示のように配置されるレーザ１０５と、ビーム１０７と、第１のミラー１０８と、第２のミラー１１７と、第３のミラー１２１と、第４のミラー１２２と、シャッタ１１０と、減衰器１１５と、ビーム拡大器１２０と、回転式半波長板１２５と、走査ミラー１３０と、走査レンズ１４０と加工物１５５とを含むレーザ孔開け装置１００の概略図を示す。一実施形態において、レーザ１０５はピコ秒レーザ装置である。」

「【００５３】

さらに別の実施形態を示すと、図１０および図１１は２パストレパニング技術を用いてインクジェット式ノズルの出口孔を完成させる方法を示す。図１０は、図１１で説明する２パストレパニング技術を用いて作られ、レーザビーム経路１０１０とレーザビーム経路１０２０と外周線１０３０を有する出口孔１０００を示す。

【００５４】

図１１は、２パストレパニング技術を用いてインクジェット式ノズルの出口孔を完成させる方法１１００を示す。上記方法は次のステップを含む。

【００５５】

出口孔外周線より短い周囲長でトレパニングするステップ１１１０において、レーザビーム１０７は、レーザビーム経路１０１０より内側の材料を分離させるのに十分な材料がアブレーションされるまで、０．１秒／回転ないし１秒／回転の速度でレーザビーム経路１０１０で繰り返し旋回される。

【００５６】

出口孔外周線でトレパニングするステップ１１２０において、レーザビーム１０７は、レーザビーム経路１０２０内の材料を分離させるのに十分な材料がアブレーションされるまで０．１秒／回転ないし１秒／回転の速度で外周線１０３０で繰り返し旋回される。この結果、出口孔１０００は所定の加工物形状に合う半径を有する。」

「【００５９】

インクジェットヘッドのノズル板は、図１２および図１３でさらに詳説するように、本発明のレーザ孔開け装置を用いて形成されてもよい。」

「【００６１】

ここで図１３に移ると、インクジェットヘッド１２４１がさらに詳細に示されている。圧力生成器１３０４は、圧電性の装置、熱による装置および／または等価の装置であることが好ましい。本実施形態では、圧力生成器１３０４は、上部電極１３０１と圧電素子１３０２と下部電極１３０３とを備えた圧電性装置に相当している。ノズル板１３１４（加工物１５５の例）はノズル基板１３１２と撥水層１３１３を備えている。ノズル基板１３１２は、金属、樹脂および／または等価な材料でできている。撥水層は、フッ素樹脂またはシリコン樹脂でできている。本実施形態では、ノズル基板１３１２はステンレス鋼でできていて、５０μｍの厚みを有し、撥水層はフッ素樹脂でできていて、０．１μｍの厚みを有する。インクジェットのインクが、インク供給路１３０９と圧力室１３０５とインク通路１３１１とノズル１３１０に充填されている。圧力生成器１３０４が圧力室部品１３０６を押圧すると、インク液滴１３２０がノズル１３１０から吐出される。」

イ 図面

「【図１】

［図：0001428652000015.jpg］

」

「【図１０】

［図：0001428652000016.jpg］

【図１１】

［図：0001428652000017.jpg］

」

「【図１３】

［図：0001428652000018.jpg］

」

（２）周知例文献Ａ記載の技術的事項

上記（１）から、周知例文献Ａには、次の技術的事項（以下「周知例文献Ａ記載の技術的事項」という。）が記載されているといえる。

「レーザ孔開け装置１００によりノズル基板１３１２にノズル１３１０の出口孔を形成するために、レーザビーム１０７がトレパニングのためにレーザビーム経路１０１０とレーザビーム経路１０２０とで旋回する際に、レーザビーム１０７が０．１秒／回転ないし１秒／回転の速度で繰り返し旋回すること。」

ここで、０．１秒／回転ないし１秒／回転は、１回転／秒ないし１０回転／秒であるから、「１Ｈｚないし１０Ｈｚ」のスピードに相当する。

８ 周知例文献Ｂ

（１）周知例文献Ｂに記載された事項

周知例文献Ｂには、次の事項が記載されている。

ア 発明の詳細な説明

「【００２８】

図１に示した態様においては、このように形成される積層体Ｌは通常、５０～１０００μｍ、好ましくは２００～８００μｍ、例えば３００～６００μｍの深さ（すなわち、層Ｌａの表面から層Ｌｂの表面まで積層体の諸層を横切る距離および穴の作製される長さ）を有している。

【００２９】

次に、穴またはウェルが、積層体Ｌに作製される。穴は、積層体を完全に貫通する。したがって、レセプタクルを形成するために、通常はさらなる基板を積層体に取り付ける必要がある。但し、図３を参照して後述する一部の態様においては、さらなる基板を別個に取り付けることを避けることができる。これに反し、ウェルは積層体を完全には貫通せず、積層体に凹みまたはウェルを作製するものであり、これは、別個の基板を追加することなくレセプタクルが積層体に直接形成されるようにするものである。どちらの場合にも、作用電極層の端が露出されるように穴またはウェルが作用電極層を完全に貫通することが望ましい。図１に示した態様においては、穴が積層体を貫通して作製されている。

【００３０】

穴またはウェルの作製には、レーザー穴あけ加工工程が含まれる。レーザー穴あけ加工工程によって積層体に穴またはウェルが作製されるように、レーザー穴あけ加工を単独で用いてもよい。または、レーザー穴あけ加工と別の技術、例えば機械技術を組み合わせて用いてもよい。例えば、中央プラグを取り囲む実質的に環状の穴またはウェルを作製すべく、積層体においてリングのレーザ穴あけ加工することによって（すなわち、トレパニング法によって）、穴またはウェルのエッジを形成するために、レーザー穴あけ加工を用いてもよい。中央プラグは別個に取り除くことができる。機械的打ち抜き工程を用いて中央プラグを取り除いてもよい。この態様においては、レーザー穴あけ加工工程を用いて穴またはウェルのエッジ、すなわちレセプタクルまたは部分レセプタクルの壁を形成する部分が形成される。この態様の好ましい様相においては、レーザー穴あけ加工工程では、積層体の一部のみ貫通される（すなわち、環状のウェルが形成される）のであって、積層体の残りの部分を切り通すには機械打ち抜きが用いられる。レーザー穴あけ加工工程では、通常、少なくとも上方の絶縁層Ｌｂおよび作用電極層を貫通して穴あけが行われる。」

「【００７６】

次に、２６６ｎｍの波長、２ｋＨｚのパルス繰り返し周波数（ｐｒｆ）、および４５０ｒｐｍのトレパニング速度で動作するＮｄ：ＹＶＯ４パルスレーザーを用いて、１ｍｍの直径を有する４つの穴をレーザー穴あけ加工によってフィルムに形成した。次に、粘着テープを用いてＰａｌｌ社のバーサポア多孔質膜の基層にフィルムを接着させて、４つのウェルを形成した。Ａｇ／ＡｇＣｌ擬似参照電極を用いた。」

イ 図面

「【図１】

［図：0001428652000019.jpg］

」

（２）周知例文献Ｂ記載の技術的事項

上記（１）から、周知例文献Ｂには、次の技術的事項（以下「周知例文献Ｂ記載の技術的事項」という。）が記載されているといえる。

「レーザー穴あけ加工により積層体Ｌに穴を作製するために、トレパニング法によって穴のエッジを形成する際に、レーザーが４５０ｒｐｍのトレパニング速度で動作すること。」

ここで、４５０ｒｐｍは、４５０／６０＝７．５ｒｐｓであるから、「７．５Ｈｚ」のスピードに相当する。

９ 周知例文献Ｃ

（１）周知例文献Ｃに記載された事項

周知例文献Ｃには、次の事項が記載されている。

ア 発明の詳細な説明

「【００９１】

例７

固体酸化物燃料電池デバイス（ＳＯＦＣデバイス）１５０のレーザマイクロ加工を示すために、１０セルおよび１セル双方のデバイス用の電解質シート１００に、エッジおよびビアがマイクロ加工された。双方のタイプの燃料電池デバイスは、電解質の両側に形成された電極を相互接続するために多重ビア列を必要とした。４つの異なるデバイス製造シナリオが下記に示され、記載される。

【００９２】

１．機械的に整形されたベア焼結電解質シートへのホール穿孔

機械的に切断され、焼結されたベア電解質シートが受け取られた（その電解質シートは、１０セルデバイス用として必要な１０ｃｍ寸法よりも大きい少なくとも１つの寸法を有していた）。ビアホールが穿孔されるにつれて、ビアホールに対するエッジの正確な位置合わせが必要とされた。このように、レーザトレパニング法を用いて、電解質シートに１１列のビアホールがレーザマイクロ加工される一方（このようなホールの例を図２３ａ，２３ｂに示す）、これらの配置が、形成時の機械的に切断された電解質シートのエッジに対して正確に参照された。トレパニングのために、レーザビームは静止した状態に保たれ、焼結電解質シート１００は、円形の経路に沿って移動された。ビアホール（円形）の形状は、図２３ａ，２３ｂに示すものと類似していた。切断速度は、レーザ光源の低い繰り返し率により制限された。図２３ａ，２３ｂから、ビアホールの品質が非常に良好なものであることが分かる。おそらくレーザアブレーション工程の間に発生する衝撃波により、ビアホール１０２の後側に、いくらかの環状クラック１１８が残った。約３５ｍＷのさらに高い平均パワーにより環状クラックを消去できる。０．５ｍｍ／ｓの切断速度により、３０μＪ／パルスのエネルギおよび１７Ｊ／ｃｍ２のフルエンスレベルを有する典型的には２つのパスにおいて、直径６０μｍのビアホール１０２がレーザ切断された。その後、燃料極、空気極、電流コレクタ、ビアコンダクタ、およびバスバー構造の形成ステップを含んで、１０セルデバイスの製造が完了した。

【００９３】

図２３ａ，２３ｂに示された特定のサンプルは、ｆｓレーザを用いてマイクロ加工されたが、７μＪ／パルスのパルスエネルギおよび４Ｊ／ｃｍ２のフルエンスレベルであった。一方、上述した実際の１０セルおよび１セルデバイス１５０は、同様のｆｓレーザを用いてレーザマイクロ加工されたビアホールを有していたが、３０μＪ／パルスのエネルギおよび１７Ｊ／ｃｍ２のフルエンスレベルであった。これらのさらに高いパルスエネルギおよびフルエンスレベルは、環状クラックの形成を低下させ、同様の円形の形状を有するスルーホールを形成するために、わずか２つのパスが必要とされるのみであった。ｆｓレーザフルエンスが４Ｊ／ｃｍ２であった場合は、微小クラックが観察されたが、フルエンスを４Ｊ／ｃｍ２より大きい状態にして与えられた、従来の可視近赤外線レーザマイクロ加工の例は、観察可能な微小クラックがなかった。」

イ 図面

「【図２３ａ】

［図：0001428652000020.jpg］

【図２３ｂ】

［図：0001428652000021.jpg］

」

（２）周知例文献Ｃ記載の技術的事項

上記（１）から、周知例文献Ｃには、次の技術的事項（以下「周知例文献Ｃ記載の技術的事項」という。）が記載されているといえる。

「レーザマイクロ加工により電解質シート１００にビアホールを形成するために、レーザトレパニング法を用いて、レーザビームは静止した状態で電解質シート１００を円形の経路に沿って移動させる際に、０．５ｍｍ／ｓの切断速度により直径６０μｍのビアホール１０２がレーザ切断されること。」

ここで、直径６０μｍのビアホール１０２の周長は、６０×π＝１８８μｍであるから、ビアホール１周の切断に要する時間は、０．１８８ｍｍ／０．５ｍｍ／ｓ＝０．３７６ｓである。したがって、その逆数である１秒あたりの周回数は、２．６６であるから、当該技術的事項の「０．５ｍｍ／ｓの切断速度」は、「２．６６Ｈｚ」のスピードに相当する。

第５ 本件発明と引用発明１との対比

１ 相当関係

本件発明と引用発明１とを対比すると、両者の発明特定事項には次の相当関係があるといえる。

（１）引用発明１における「レーザ光源１０」は、その機能・作用からみて、本件発明における「レーザ光源」に相当し、以下同様に、「空間光変調器３０」は位相を変調するものであるから「空間光位相変調器」に、「対物レンズ６０」は「対物レンズ」に、「対象物９と対物レンズ６０との相対位置を変化させる機構」は「移動機構」に、「プリズム２０」は「プリズムミラー」に、「レーザ光照射装置１」は「レーザ加工装置」に、「対象物９」は「対象物」に、それぞれ相当する。

また、引用発明１における「レーザ光を出力する」ことは、その機能・作用からみて、本件発明における「レーザ光を出射する」ことに相当し、以下同様に、「複数の集光位置」は「レーザスポット」に相当し、「反射型の空間光変調器」は「反射型の空間光位相変調器」に相当する。

（２）引用発明１における「前記レーザ光源１０によって、レーザ光を出力する工程」は、その機能・作用からみて、本件発明における「前記レーザ光源によって、レーザ光を出射する工程」に相当する。

同様に、引用発明１における「前記プリズム２０によって、前記レーザ光を反射して前記空間光変調器３０に向けて照射する工程」は、本件発明における「前記プリズムミラーによって、前記レーザ光を反射して前記空間光位相変調器に向けて照射する工程」に相当する。

また、引用発明１における「前記プリズム２０によって、位相が変調された前記レーザ光を反射して前記対物レンズ６０に照射する工程」は、その機能・作用からみて、本件発明における「前記プリズムミラーによって、位相が変調された前記レーザ光を反射して前記対物レンズに照射する工程」に相当する。

（３）引用発明１における「前記空間光変調器３０によって、対象物９の内部において複数の集光位置が形成されるように前記レーザ光の位相を変調する工程」は、

「前記空間光位相変調器によって、対象物の加工位置において複数のレーザスポットが形成されるように前記レーザ光の位相を変調する工程」である限りにおいて、

本件発明の「前記空間光位相変調器によって、対象物の加工面上において複数のレーザスポットが形成されるように前記レーザ光の位相を変調する工程」と一致する。

同様に、引用発明１における「前記対物レンズ６０によって、位相が変調された前記レーザ光を前記対象物９の内部に集光する工程」は、

「前記対物レンズによって、位相が変調された前記レーザ光を前記加工位置に集光する工程」である限りにおいて、

本件発明の「前記対物レンズによって、位相が変調された前記レーザ光を前記加工面上に集光する工程」と一致する。

また、引用発明１における「対象物９と対物レンズ６０との相対位置を変化させる前記機構によって、前記複数の集光位置が移動するように、前記対物レンズ６０と前記対象物９との相対位置を変化させる工程」は、

「前記移動機構によって、前記複数のレーザスポットが移動するように、前記対物レンズと前記対象物とを相対移動させる工程」である限りにおいて、

本件発明の「前記移動機構によって、前記複数のレーザスポットが前記加工面上においてトレパニング軌道を描くように、前記対物レンズと前記対象物とを相対移動させる工程」と一致する。

（４）引用発明１における「前記レーザ光源１０は、フェムト秒レーザ光源」であることは、そのパルス幅からみて、

「前記レーザ光源は、フェムト秒レーザ光源」である限りにおいて、

本件発明における「前記レーザ光源は、波長が７８０［ｎｍ］又は８００［ｎｍ］であり、パルス幅が２０［ｆｓ］以下」であることに相当する。

また、引用発明における「前記複数の集光位置は、奥行き方向に伸びた１本の線として配置されて」いることは、

「前記複数のレーザスポットは、所定の位置関係で配置されて」いる限りにおいて、

本件発明における「前記複数のレーザスポットは、千鳥配置で配置されて」いることに相当する。

２ 一致点

上記１から、本件発明と引用発明１とは、次の一致点で一致する。

［一致点］

「レーザ光源と空間光位相変調器と対物レンズと移動機構とプリズムミラーとを備えるレーザ加工装置を用いて対象物を加工するレーザ加工方法であって、

前記レーザ光源によって、レーザ光を出射する工程と、

前記プリズムミラーによって、前記レーザ光を反射して前記空間光位相変調器に向けて照射する工程と、

前記空間光位相変調器によって、対象物の加工位置において複数のレーザスポットが形成されるように前記レーザ光の位相を変調する工程と、

前記プリズムミラーによって、位相が変調された前記レーザ光を反射して前記対物レンズに照射する工程と、

前記対物レンズによって、位相が変調された前記レーザ光を前記加工位置に集光する工程と、

前記移動機構によって、前記複数のレーザスポットが移動するように、前記対物レンズと前記対象物とを相対移動させる工程と、を含み、

前記レーザ光源は、フェムト秒レーザ光源であり、

前記複数のレーザスポットは、所定の位置関係で配置されており、

前記空間光位相変調器は、反射型の空間光位相変調器である、レーザ加工方法。」

３ 相違点

他方、本件発明と引用発明１とは、以下の相違点１～３で相違する。

（１）相違点１

複数のレーザスポットの形成に関し、

本件発明においては、対象物の「加工面上」にレーザ光を集光して形成されるものであって、対物レンズと対象物とを相対移動する工程は、複数のレーザスポットが加工面上においてトレパニング軌道を描くように、さらに、トレパニング軌道の直径をＤｔとし、レーザスポットの直径をＤＩとしたときに、０．９＜Ｄｔ／ＤＩ＜１００を満たすように、かつ、レーザスポットの中心点が５Ｈｚのスピードでトレパニング軌道の直径の円周上を移動するように、対物レンズと対象物とを相対移動させるのに対し、

引用発明１においては、対象物９の「内部」に複数の集光位置が形成されるものであって、対象物９と対物レンズ６０との相対位置を変化させる工程は、対象物９の加工面上にトレパニング軌道を描くように、対物レンズ６０と対象物９との相対位置を変化させるものでなく、そのため、トレパニング軌道の直径及びトレパニング軌道上を移動するスピードが設定されていない点。

（２）相違点２

レーザ光源に関し、

本件発明においては、レーザ光源は、波長が７８０［ｎｍ］又は８００［ｎｍ］であり、パルス幅が２５０［ｆｓ］以下であるのに対し、

引用発明１においては、レーザ光源１０は、フェムト秒レーザ光源であるものの、その波長及びパルス幅は不明である点。

（３）相違点３

複数のレーザスポットの配置に関し、

本件発明においては、千鳥配置で配置されるのに対し、

引用発明１においては、複数の集光位置は、奥行き方向に伸びた１本の線として配置される点。

第６ 相違点についての判断

上記相違点について検討する。

１ 相違点１について

（１）周知の技術的事項１

上記第４の２（２）、３（２）及び４（２）にて、引用文献２～４記載の技術的事項として示したように、次の事項は、本件出願前（原出願前）において周知であった（以下「周知の技術的事項１」という。）。

「レーザ加工装置を用いて対象物を加工するレーザ加工方法において、対象物の加工面上に複数の孔を加工するために、レーザスポットが加工面上においてトレパニング軌道を描くようにすること。」

（２）引用文献２記載の技術的事項に示されるトレパニング加工態様

また、上記第４の２（２）に示したレーザ加工方法に関する引用文献２記載の技術的事項には、次のトレパニング加工態様が示されているといえる。

「レーザ加工装置１０を用いて被加工物Ｗの加工面上に複数の穴を一括で加工するレーザ加工方法において、

複数のレーザスポット（ビーム焦点）が被加工物Ｗの加工面上においてトレパニング軌道を描く（円形に移動する）ように、かつ、トレパニング軌跡の直径（トレパニング径）をＤｔとし、レーザスポットの直径（焦点径ｗ）をＤＩとしたときに、Ｄｔ／ＤＩ＝５０／３５又は３５／３５となる（０．９＜Ｄｔ／ＤＩ＜１００を満たす）ように、マイクロレンズアレイ３０と対象物Ｗとを相対移動させること。」

（３）周知の技術的事項４

さらに、上記第４の７（２）、８（２）及び９（２）にて、周知例文献Ａ～Ｃ記載の技術的事項として示したように、次の事項は、本件出願前（原出願前）において周知であった（以下「周知の技術的事項４」という。）。

「レーザ加工により対象物の加工面上に孔を形成するために、レーザスポットが対象物の加工面上においてトレパニング軌道を描く際に、レーザスポットの中心点が１～１０Ｈｚのスピードでトレパニング軌道の直径の円周上を移動すること。」

（４）相違点１に係る本件発明の構成の容易想到性

ア 引用発明１は、対象物９の「内部」に複数の集光位置を形成するものではあるものの、引用文献１の段落【０００２】～【０００３】に背景技術として記載されるように、引用発明１によるレーザ加工方法は、対象物にレーザ光を照射して加工することを前提とするものであって、任意の集光位置を形成するレーザ加工にも適用し得ることは明らかである。してみると、引用発明１のレーザ加工方法において、上記（１）の周知の技術的事項１のように、レーザスポットがトレパニング軌道を描くことで対象物の加工面上に複数の孔を加工するように改変することは、当業者であれば適宜なし得たことである。

イ また、引用発明１と引用文献２記載の技術的事項は、いずれも複数のレーザスポットが形成されることで対象物を加工するレーザ加工方法である点で、技術分野が関連するとともに、機能・作用が共通し、さらに、引用発明１を対象物の加工面上に複数の孔を加工する用途とする場合に、所望の径の孔を加工したいとの課題が内在するといえる。

ウ 上記ア及びイを踏まえると、引用発明１のレーザ加工方法において、上記（２）の引用文献２記載の技術的事項に示されるトレパニング加工態様を適用し、複数のレーザスポットが対象物の加工面上においてトレパニング軌道を描くように、かつ、Ｄｔ／ＤＩ比がＤｔ／ＤＩ＝５０／３５又は３５／３５となるように、対物レンズと対象物とを相対移動させるようにすることは、当業者であれば容易になし得たことである。

エ また、上記（３）にて周知の技術的事項４として示したように、レーザスポットが対象物の加工面上においてトレパニング軌道を描くことで、対象物の加工面上に孔を形成するにあたり、レーザスポットの中心点が１～１０Ｈｚのスピードでトレパニング軌道の直径の円周上を移動することは、本件出願前（原出願前）において、周知であったといえることから、引用発明１に引用文献２記載の技術的事項を適用した場合においても、当該周知の技術的事項４と同程度のスピードでレーザスポットの中心点を移動させることの困難性は見出せない。そして、本件発明において当該スピードを５Ｈｚと限定されている点に関しても、本件明細書の段落【００３８】には、

「移動機構１４は、例えば、レーザスポットの中心点が５Ｈｚのスピードで直径Ｄｔの円周上を移動するように、対物レンズ１３を移動させてよい。」

と記載されるのみで、当該５Ｈｚのスピードに格別な作用・効果が存在するとはいえない。してみると、引用発明１に周知の技術的事項１及び引用文献２記載の技術的事項を適用した際に、周知の技術的事項４を踏まえて、レーザスポットの中心点を移動させるスピードを最適化させることにより、上記相違点１に係る本件発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。

（５）数値範囲について

なお、本件発明においては、

０．９＜Ｄｔ／ＤＩ＜１００

との数値範囲にて発明が特定されるところ、当該数値範囲は、

１．９ＤＩ＜Ｄｔ＋ＤＩ＜１０１ＤＩ

と式変形が可能であって、レーザスポットの直径ＤＩに対し、どの程度の直径（Ｄｔ＋ＤＩ）の孔を対象物の加工面上に加工したいかに応じて、当業者が適宜決定可能な設計的事項であるといえ、また、その数値範囲の上限値及び下限値における臨界的意義も認められない。

また、レーザスポットの中心点が５Ｈｚのスピードでトレパニング軌道の直径の円周上を移動することについては、上記（４）エのとおり、当該５Ｈｚとの数値に格別な作用・効果が存在するともいえない。

２ 相違点２について

（１）周知の技術的事項２

上記第４の３（２）及び４（２）にて、引用文献３～４記載の技術的事項として示したように、次の事項は、本件出願前（原出願前）において周知であった（以下「周知の技術的事項２」という。）。

「レーザ加工装置を用いて対象物を加工するレーザ加工方法において、対象物の加工面上に複数の孔を加工するために、波長が７８０［ｎｍ］～８００［ｎｍ］であり、パルス幅が２５０［ｆｓ］以下であるフェムト秒レーザを採用すること。」

（２）相違点２に係る本件発明の構成の容易想到性

上記１（４）アのとおり、引用発明１のレーザ加工方法において、対象物の加工面上に集光位置を形成し複数の孔を加工するように改変することに何ら困難性はなく、また、引用発明１のレーザ光源１０は、フェムト秒レーザ光源であることから、引用発明１におけるレーザ光源１０として、上記周知の技術的事項２に示される波長及びパルス幅を適用し、上記相違点２に係る本件発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。

（３）数値限定について

なお、本件発明においては、

波長が７８０［ｎｍ］又は８００［ｎｍ］であり、パルス幅が２５０［ｆｓ］以下であり、

との数値限定にて発明が特定されるところ、波長については、引用文献３～４に示される数値範囲からみて、７８０［ｎｍ］又は８００［ｎｍ］とすることに格別の創意は要せず、また、パルス幅についても、引用文献３～４に示される数値範囲と重複するものであって、２５０［ｆｓ］との上限値に臨界的意義も認められない。

３ 相違点３について

（１）周知の技術的事項３

上記第４の５（２）及び６（２）にて、引用文献５～６記載の技術的事項として示したように、次の事項は、本件出願前（原出願前）において周知であった（以下「周知の技術的事項３」という。）。

「レーザ加工装置を用いて対象物を加工するレーザ加工方法において、対象物の加工面上に複数の孔を加工するにあたり、当該複数の孔を千鳥配置で配置すること。」

（２）相違点３に係る本件発明の構成の容易想到性

上記１（４）アのとおり、引用発明１のレーザ加工方法において、対象物の加工面上に集光位置を形成し複数の孔を加工するように改変することに何ら困難性はなく、また、その複数の孔の位置をどのように配置するかは、当業者が適宜決定可能な設計的事項であるといえるところ、引用発明１に上記周知の技術的事項３を適用し、空間光変調器３０によって形成される複数の集光位置を、対象物９の加工面上に千鳥配置で配置することで、上記相違点３に係る本件発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。

第７ 請求人の意見書における主張について

２ 当審の判断

上記１の主張について検討する。

上記第６の１（３）及び（４）エにて説示したように、レーザスポットが対象物の加工面上においてトレパニング軌道を描くことで、対象物の加工面上に孔を形成するにあたり、レーザスポットの中心点が１～１０Ｈｚのスピードでトレパニング軌道の直径の円周上を移動することは、周知の技術的事項４として示したように、本件出願前（原出願前）において周知であったといえ、引用発明１に引用文献２記載の技術的事項を適用した場合においても、当該周知の技術的事項４と同程度のスピードでレーザスポットの中心点を移動させることに困難性は見出せない。

また、５Ｈｚとのスピードに格別な作用・効果が存在するともいえないから、引用発明１に引用文献２記載の技術的事項を適用した際に、周知の技術的事項４を踏まえれば、上記１（１）にて主張する本件発明の技術的事項についても、当業者であれば容易に想到し得たものである。

第８ むすび

以上のとおり、本件発明は、引用発明１、引用文献２記載の技術的事項、及び周知の技術的事項１～４に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。

したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は、拒絶をすべきものである。

よって、結論のとおり審決する。