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特許第７３２０５５４号発明「エッチング方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３２０５５４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～８〕について訂正することを認める。 特許第７３２０５５４号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３２０５５４号の請求項１～８に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和３年４月２７日に出願され、令和５年７月２６日にその特許権の設定登録がされ、同年８月３日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年１０月 ２日 ：特許異議申立人山下裕介（以下「申立人」という。）による特許異議の申立て 令和 ６年 ４月２６日付け：取消理由通知書 同年 ６月１９日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年 ７月２４日付け：訂正拒絶理由通知書 同年 ８月 ９日 ：特許権者による手続補正書、意見書の提出 同年 ９月３０日 ：申立人による意見書の提出 第２ 本件訂正について １ 訂正拒絶理由の概要 当審が令和６年７月２４日付けで特許権者に通知した訂正拒絶理由の概要は、以下のとおりである。 令和６年６月１９日提出の訂正請求書による訂正のうち、訂正事項４による訂正は、訂正前の請求項１及び６を引用する請求項７を、訂正後の請求項１及び６を引用する請求項７とするとともに、訂正後の請求項９とするものであり、１の請求項を２の請求項に増項させるものであるから、訂正事項４による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書に掲げるいずれの事項を目的とするものでもない。 また、令和６年６月１９日提出の訂正請求書による訂正のうち、訂正事項５による訂正は、訂正前の請求項２及び６を引用する請求項７を、訂正後の請求項２及び６を引用する請求項７とするとともに、訂正後の請求項１０とするものであり、１の請求項を２の請求項に増項させるものであるから、訂正事項５による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書に掲げるいずれの事項を目的とするものでもない。 ２ 令和６年８月９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）について （１）補正の内容 本件補正は、令和６年６月１９日提出の訂正請求書の「７ 請求の理由」に記載された訂正事項４及び５を削除する補正である。 （２）補正の適否 本件補正は、上記（１）のとおり、訂正事項を削除するものであるから、本件訂正請求書の要旨を変更しないものである。 よって、本件補正を認める。 ３ 本件訂正の適否 （１）訂正の趣旨 上記２のとおり、本件補正は認められたから、本件補正により補正された令和６年６月１９日提出の訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」といい、本件訂正請求書による訂正の請求を「本件訂正請求」という。また、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）による請求の趣旨は、特許第７３２０５５４号の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した、訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項１～８について訂正することを求める、というものである。 （２）訂正の内容 本件訂正請求において特許権者が求める訂正の内容は、以下のとおりである。（下線は、訂正箇所を示すため当審にて付した。） ア 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「被処理体をエッチングするエッチング方法であって、前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターン形成された前記被処理体を工ッチングするエッチング工程と、前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程と、を有し、前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙαｚを形成可能なガスを含み、複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入する、ことを特徴とするエッチング方法。」と記載されているのを、「被処理体をエッチングするエッチング方法であって、前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程と、を有し、前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ、前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙＦｚを形成可能なガスを含み、複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、前記デポ工程の前に、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入する、ことを特徴とするエッチング方法。」に訂正する。（請求項１の記載を引用する請求項４、６～８も同様に訂正する。） イ 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に「被処理体をエッチングするエッチング方法であって、前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターン形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程と、を有し、複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入し、前記レジスト保護膜形成工程は、前記エッチング工程による前記被処理体のエッチングが所定の状態となるまでおこなわない、ことを特徴とするエッチング方法。」と記載されているのを、「被処理体をエッチングするエッチング方法であって、前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程と、を有し、前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ、複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、前記デポ工程の前に、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入し、前記レジスト保護膜形成工程は、前記エッチング工程による前記被処理体のエッチングが所定の状態となるまでおこなわない、ことを特徴とするエッチング方法。」に訂正する。（請求項２の記載を引用する請求項３～８も同様に訂正する。） ウ 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に「前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙαｚを形成可能なガスを含む、ことを特徴とする請求項２に記載のエッチング方法。」と記載されているのを、「前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙＦｚを形成可能なガスを含む、ことを特徴とする請求項２に記載のエッチング方法。」に訂正する。（請求項３の記載を引用する請求項４、６～８も同様に訂正する。） エ 一群の請求項について 本件訂正前の請求項１～８について、請求項４、６～８は、それぞれ請求項１を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。また、同じく、請求項３～８は、それぞれ請求項２を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項２によって記載が訂正される請求項２に連動して訂正されるものである。 したがって、訂正前の請求項１～８に対応する訂正後の請求項〔１～８〕は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 （３）訂正の適否 ア 訂正事項１～３の、訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について、検討する。 （ア）訂正事項１について ａ 訂正の目的の適否について 訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に記載された、「レジストパターン形成された」を「レジストパターンが形成された」として、形成される対象を明瞭にし、次に、「エッチング工程」について、「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」ることを限定し、次に、「ＳｉｘＯｙαｚ」を「ＳｉｘＯｙＦｚ」として、「α」に該当する元素を明確にし、さらに、「前記レジスト保護膜形成工程」について、「前記デポ工程の前に」挿入されることを限定するものである。 したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。 ｂ 新規事項の有無について 本件訂正後の請求項１の「レジストパターンが形成され」ることは、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面（以下、「本件明細書等」という。）の段落００１３に記載され、「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」ることは、本件明細書等の段落００１９、段落００３１～段落００３３、段落００４１に記載され、処理ガスに「ＳｉｘＯｙＦｚ」を形成可能なガスを含むことは、本件明細書等の段落００１５に形成され、「レジスト保護膜形成工程」を「デポ工程の前に」挿入することは、本件明細書等の段落０１１８に記載されている。 したがって、訂正事項１は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 ｃ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 訂正事項１は、上記ａのとおり、特許請求の範囲を減縮すると共に、明瞭でない記載を明瞭にするものであるから、特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。 （イ） 訂正事項２について ａ 訂正の目的の適否について 訂正事項２は、本件訂正前の請求項２に記載された、「レジストパターン形成された」を「レジストパターンが形成された」として、形成される対象を明瞭にし、また、「エッチング工程」について、「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」ることを限定し、さらに、「前記レジスト保護膜形成工程」について、「前記デポ工程の前に」挿入されることを限定するものである。 したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。 ｂ 新規事項の有無について 本件訂正後の請求項２の「レジストパターンが形成され」ることは、本件明細書等の段落００１３に記載され、「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」ることは、本件明細書等の段落００１９、段落００３１～段落００３３、段落００４１に記載され、「レジスト保護膜形成工程」を「デポ工程の前に」挿入することは、本件明細書等の段落０１１８に記載されている。 したがって、訂正事項２は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 ｃ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 訂正事項２は、上記ａのとおり、特許請求の範囲を減縮すると共に、明瞭でない記載を明瞭にするものであるから、特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。 （ウ）訂正事項３について ａ 訂正の目的の適否について 訂正事項３は、本件訂正前の請求項３に記載された「ＳｉｘＯｙαｚ」を「ＳｉｘＯｙＦｚ」として、「α」に該当する元素を明確にするものである。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。 ｂ 新規事項の有無について 本件訂正後の請求項３の、処理ガスに「ＳｉｘＯｙＦｚ」を形成可能なガスを含むことは、本件明細書等の段落００１５に形成されている。 したがって、訂正事項３は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 ｃ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 訂正事項３は、上記ａのとおり、明瞭でない記載を明瞭にするものであるから、特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。 イ 独立特許要件について、検討する。 （ア）本件においては、本件訂正前の請求項１～６について特許異議の申立てがされているので、本件訂正前の請求項１～６に対応する、本件訂正後の請求項１～６に係る発明について、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （イ）一方、本件訂正前の請求項７及び８に対応する、本件訂正後の請求項７及び８に係る発明については、下記第４及び第５と同様の理由により、新規性及び進歩性の規定に違反するものではなく、かつ、サポート要件及び明確性要件を満たし、他の拒絶理由も存在しないため、独立特許要件を満たす。 （４）訂正の適否についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同法同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定、並びに同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～８〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり本件訂正請求は認められるから、本件特許の請求項１～８に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明８」という。）は、それぞれ、訂正特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「 【請求項１】 被処理体をエッチングするエッチング方法であって、 前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、 レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、 前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程と、を有し、 前記エッチング工程には、 前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、 前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、 前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ、 前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙＦｚを形成可能なガスを含み、 複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、前記デポ工程の前に、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入する、 ことを特徴とするエッチング方法。 【請求項２】 被処理体をエッチングするエッチング方法であって、 前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、 レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、 前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程と、を有し、 前記エッチング工程には、 前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、 前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、 前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ、 複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、前記デポ工程の前に、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入し、 前記レジスト保護膜形成工程は、前記エッチング工程による前記被処理体のエッチングが所定の状態となるまでおこなわない、 ことを特徴とするエッチング方法。 【請求項３】 前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙＦｚを形成可能なガスを含む、 ことを特徴とする請求項２に記載のエッチング方法。 【請求項４】 前記レジスト保護膜形成工程が、プラズマ成膜工程である、ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか記載のエッチング方法。 【請求項５】 前記レジスト保護膜形成工程を、前記エッチング工程による前記被処理体が所定のアスペクト比となった後におこなう、 ことを特徴とする請求項２記載のエッチング方法。 【請求項６】 前記被処理体がシリコンから構成される、 ことを特徴とする請求項１から５のいずれか記載のエッチング方法。 【請求項７】 前記エッチング工程が、 前記レジストパターンに応じて、第１ガスを導入してシリコンの前記被処理体にデポ層を形成するデポ工程と、 前記レジストパターンに応じて、第２ガスを導入してシリコンの前記被処理体にドライエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、 第３ガスを導入してアッシング処理するアッシング工程と、を有し、 前記デポ工程において、前記第１ガスがフルオロカーボンを含み、 前記ドライエッチング工程において、前記第２ガスがフッ化硫黄およびフッ化シリコンを含み、 前記アッシング工程を、前記ドライエッチング工程の後におこなうとともに、 前記アッシング工程において、前記第３ガスが酸素ガスを含み、前記アッシング工程が、シリコンの前記被処理体表面に対して凹部パターンを形成する方向への異方性を有する異方性プラズマ処理により処理され、 前記異方性プラズマ処理が、シリコンの前記被処理体に対向配置される電極に対してシリコンの前記被処理体表面の中央部と周縁部とで周波数の異なる交流電圧を印加して誘導結合プラズマを発生させて処理する、 ことを特徴とする請求項６記載のエッチング方法。 【請求項８】 その内部の減圧が可能で、前記内部でシリコンの前記被処理体に対してプラズマ処理されるように構成されるチャンバと、 前記チャンバ内に配され、前記被処理体を載置する平板状の第一電極と、 前記第一電極に対して、第一の周波数λ１のバイアス電圧が印加されるように構成された第一の電源と、 前記チャンバ外に配置され、前記チャンバの上蓋を挟んで、前記第一電極と対向し、かつ、中央部に配置された螺旋状の第二電極、及び、前記第二電極より外周部に配置された螺旋状の第三電極と、 前記第二電極に対して、第二の周波数λ２の交流電圧を印加する第二の高周波電源と、 前記第三電極に対して、第三の周波数λ３の交流電圧を印加する第三の高周波電源と、 前記チャンバ内にフッ素を含有するプロセスガスを導入するガス導入手段と、を備え、 前記チャンバ内において、前記チャンバの上蓋側、かつ、前記第一電極と対向する位置に、スパッタリング用の固体ソースを有するプラズマ処理装置によって、前記異方性プラズマ処理をおこなう際に、 前記第二の周波数λ２と前記第三の周波数λ３が、λ２＞λ３の関係にある場合は、 前記ガス導入手段が前記上蓋の中央部に配置されている、ことを特徴とする請求項７記載のエッチング方法。」 第４ 令和６年４月２６日付け取消理由通知書に記載した取消理由（以下、「取消理由」という。）について １ 取消理由の概要 取消理由１（新規性）請求項１～３及び５に係る発明は、申立人が提出した甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～３及び５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 取消理由２（進歩性）請求項１～６に係る発明は、申立人が提出した甲第１号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 取消理由３（サポート要件）本件特許は、請求項１及び３に記載された「ＳｉｘＯｙαｚ」の範囲が不明であり、「α」が「Ｆ」以外の元素である場合に、発明の詳細な説明に記載された課題を解決できることを当業者が理解できるとはいえないから、請求項１及び３に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえず、本件発明１及び３は、発明の詳細な説明に記載したものとはいえない。請求項４及び６の記載は、請求項１又は３の記載を引用するところ、本件発明４及び６についても同様である。したがって、本件特許は、特許請求の範囲が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 取消理由４（明確性要件）本件特許は、請求項１及び３に記載された「ＳｉｘＯｙαｚ」が不明であり、「ＳｉｘＯｙαｚを形成可能なガス」がいかなるガスか不明であるため、本件発明１及び３は明確ではない。請求項４及び６の記載は、請求項１又は３の記載を引用するところ、本件発明４及び６についても同様である。したがって、本件特許は、特許請求の範囲が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ＜申立人が提出した甲号証＞ 甲第１号証：特開２００８－０６０５６６号公報（以下、「甲１」という。） 甲第２号証：特表２０１２－５０７１４５号公報（以下、「甲２」という。） 甲第３号証：プラズマＣＶＤの化学反応工学、白藤立、高温学会誌第３７巻第６号（２０１１年１１月）（以下、「甲３」という。） 甲第４号証：プラズマＣＶＤ窒化膜の組成制御技術、成田政隆、横山拓也、市川幸美、富士時報Ｖｏｌ．７８ Ｎｏ．４ ２００５（以下、「甲４」という。） ２ 取消理由１及び２についての当審の判断 （１）甲１について ア 甲１には以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。） 「【００１６】 本発明のエッチング処理は、様々な実施形態により実現し得る。理解を容易にするため、図１は、本発明の一部の実施形態において使用し得る高レベルフローチャートである。マスクは、エッチング対象の層上に提供される（ステップ１０４）。図２Ａは、基板上の窒化シリコン障壁層２１０の上にある、エッチング対象の誘電層２０８上に形成されたマスク２０４を示す。基板は、処理チャンバ内に配置される（ステップ１０６）。 ・・・（中略）・・・ 【００２２】 保護シリコン含有層２１２は、図２Ｂに示したように、マスク２０４上に形成される（ステップ１０８）。保護シリコン含有層は、ＳｉＦ4を含むシリコン前駆ガスを使用して形成するのが好適である。理論に縛られることなく、ＳｉＦ4は、シリコン含有保護層として堆積させるシリコンと、シリコン層のプロファイルの何らかの成形をもたらすフッ素との両方を提供し、エッチング対象の特徴部の底部におけるエッチング停止を防止する。エッチングされる誘電体特徴部の底部よりも、マスキング材料及び特徴部側壁において優先的に多くの堆積量が形成されるように、堆積が非対称となるのが好適である。図２Ｂで確認できるように、マスク２０４の上部には、特徴部底部の誘電体表面よりも厚い保護シリコン層２１２が形成されている。好ましくは、図２Ｂに示したように、フッ素は、特徴部底部のシリコンを除去する。好適な実施形態において、堆積は、マスクの側壁に保護薄層を更に堆積させる化学蒸着（ＣＶＤ）処理を使用して、エッチチャンバ内で原位置（in-situ）において実行される。好ましくは、堆積では、何らかのイオンエネルギを使用して、こうした堆積の選択性を可能にする。堆積の完了時には、堆積ガスの流れを停止させてよい。 ・・・（中略）・・・ 【００２４】 シリコン含有保護層のＣＶＤ堆積に使用し得る堆積化学物質の例は、限定するわけではないが、ＳｉＨ４、Ｓｉ（ＣＨ３）４、ＳｉＨ（ＣＨ３）３、ＳｉＨ２（ＣＨ３）２、ＳｉＨ３（ＣＨ３）、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４、ＳｉＦ４、及び他のＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４等の有機シリコン化合物である。こうした化学物質は、４：１以下のハロゲン対シリコン比を有することが好適である。ＳｉＦ４は、不燃性であり、容易に入手可能であるか、半導体製造工場に存在するため、最も好適な前駆物質である。ＳｉＦ４から堆積用にシリコンを遊離させるために、水素（Ｈ２）等のフッ素スカベンジャを堆積プラズマに追加する。ＳｉＦ４の堆積のため、適切な量の水素Ｈ２が必要となる。ＳｉＦ４流量に対するＨ２の比は、０．５～５の範囲であり、好適な範囲は１．５～２．５である。ＣＨ４及び／又はＣＦ４等の炭素含有前駆物質を更に追加し、膜組成を変更することが可能である。マスク及びボーイング予防のため、堆積は、マスク及び特徴部の側壁上で共形となる必要がある。同時に、エッチング停止を防止するために、堆積は、特徴部底部において抑制又は阻害する必要がある。加えて、堆積は、ウェーハ表面全体で均一にする必要がある。 【００２５】 堆積させた保護層は、マスク上でアモルファスシリコン含有層（又は多形シリコン）となる。シリコン保護層は、何らかのＦ、Ｃ、及びＨ成分の存在により修飾される。Ｆの存在は、異なる材料表面での選択的活性をもたらし、一部の表面において堆積が優先的に発生し、他の表面では発生しないようになる。例えば、堆積は、エッチング誘電体特徴部の底部よりも、マスク表面と、エッチング特徴部の側壁とにおいて優先される。マスク表面での優先的堆積は、マスク保護をもたらし、エッチング選択性を高める。エッチング特徴部の側壁での優先堆積は、横方向のエッチングを抑制するため、エッチング特徴部のボーイングを最小化する。 【００２６】 シリコン含有保護層の堆積は、様々な材料の様々なエッチング用途のために、堆積ガスの異なる組み合わせを含み得る、エッチング処理における独立したステップであり、可能な多段階ガス切り替え手順を使用して、マスキング特徴部を含むエッチング特徴部の周囲に、シリコン含有保護被覆が堆積により提供される。このステップを達成するために、コントローラ３３５は、第一の制御バルブ３３７により、堆積ガスソース３１２からのＳｉＦ４含有堆積ガスが処理チャンバ３００へ入るのを可能にすると同時に、第二の制御バルブ３３９により、エッチャントガスソース３１４からのエッチングガスが処理チャンバに入るのを防止する。コントローラ３３５は、更に、第一及び第二のＲＦソース３４４、３４８により供給される電力と、排気ポンプ３２０とを制御する。コントローラは、ウェーハ領域の圧力と、裏面Ｈｅ冷却圧力と、基板上のバイアスと、様々な温度とを制御するのにも使用し得る。 【００２７】 次に、マスク２０４を介して誘電層２０８がエッチングされ、図２Ｃに示したように、特徴部２１６が形成される。エッチングの用途は、一部として、誘電セルエッチング、誘電コンタクトエッチング（高アスペクト比コンタクト（ＨＡＲＣ）又はダマシン）、導体トレンチエッチング（浅型又は深型）、自己整合コンタクトエッチング、ゲートマスク開口エッチング、コンタクトエッチング、誘電体経由エッチング、二重ダマシンビアエッチング、二重ダマシントレンチエッチング、導体ゲートエッチング、導体深トレンチエッチング、導体浅トレンチ分離エッチング、及びハードマスク開口を含む。好ましくは、エッチングでは高イオンエネルギを使用して、指向性エッチングを提供する。エッチングは、図示したように、保護シリコン含有層２１２の一部を除去してもよい。一部の表面では、保護層の全てを除去してもよい。本例では、マスク２０４において側壁を形成する保護層が除去されている。保護シリコン含有層の他の部分では、部分的にのみ除去してよい。本例では、マスク２０４の上面において、保護シリコン含有層２１２の一部のみが除去されている。別の実施形態では、保護層の別の部分を部分的にエッチングで除去するか、或いは完全にエッチングで除去してよい。このステップを達成するために、コントローラ３３５は、第一の制御バルブ３３７により、堆積ガスソース３１２からの処理チャンバ３００への堆積ガスの流動を停止させると同時に、第二のバルブ３３９により、エッチャントガスソース３１４から処理チャンバへのエッチャントガスの流入を可能にする。コントローラ３３５は、第一及び第二のＲＦソース３４４、３４８により供給する電力を変更し、排気ポンプ３２０の設定を変更して、エッチングを調整し得る。コントローラは、更に、エッチング処理を調整するために、ウェーハ領域の圧力と、裏面圧力と、様々な温度とを変更するのに使用し得る。 【００２８】 特徴部が少なくとも部分的にエッチングされた後、更にエッチングするかを判断する（ステップ１１６）。これは、設定されたレシピにより、或いは測定を行うことにより、実行し得る。更なるエッチングが望ましい場合、処理サイクルは、ステップ１０８に戻り、図２Ｄに示したように、追加シリコン保護層２１８をマスクに堆積させる。本例では、古い保護層の残留部分が、新たな保護シリコン層２１８の一部となる。このステップでも、コントローラ３３５は、第一の制御バルブ３３７を開いて堆積ガスを提供し、第二の制御バルブ３３９を閉じて、エッチングガスの流入を停止する。コントローラ３３５は、堆積を調整するために他のパラメータも変更し得る。 【００２９】 特徴部は、その後、マスクを介して更にエッチングされ（ステップ１１２）、図２Ｅに示したように、更に深い特徴部２１６を提供する。このステップでも、コントローラ３３５は、第一の制御バルブ３３７を閉じて堆積ガスを停止し、第二の制御バルブ３３９を開いて、エッチングガスの流入を可能にする。コントローラ３３５は、エッチングを調整するために他のパラメータも変更し得る。 【００３０】 好ましくは、この堆積及びエッチングステップを交互に提供するサイクル又はループは、一回より多く繰り返される。好ましくは、このサイクルは、三回より多く繰り返される。好ましくは、このサイクルは、少なくとも五回繰り返される。このサイクルは、数十回繰り返してもよい。このサイクルは、１００回繰り返すことが望ましい場合がある 【００３１】 別の実施形態では、マスクにシリコン保護層を堆積させるステップ１０８の前に、エッチングステップを追加してもよい。 【００３２】 好ましくは、エッチングと保護層の堆積とは、同じチャンバで実行されるが、異なるチャンバで実行されてもよい。堆積とエッチングとを同じチャンバで行うことで、堆積とエッチングとを迅速に循環し得る。 【００３３】 好ましくは、マスクは有機材料であり、有機材料は、フォトレジスト、ポリマ、又はアモルファスカーボンとして定義される。無機材料もマスクとして使用できる。誘電体エッチング用の無機材料マスクの例は、ポリシリコンマスク及び酸化金属マスクを含む。有機材料マスク用の材料の例は、限定するわけではないが、深紫外線フォトレジスト、１９３ｎｍフォトレジスト、１５７ｎｍフォトレジスト、ＥＵＶフォトレジスト、電子ビームフォトレジスト、及びＸ線フォトレジスト等の新世代フォトレジストと、アモルファスカーボン等の他の非リソグラフィマスクとを含む。旧世代フォトレジストポリマ材料は、必要な高エッチング耐性、即ち、エッチングガス混合物に対する化学的不活性を提供するために、Ｃ－Ｃ二重結合、更にはＣ－Ｃ三重結合等の不飽和Ｃ－Ｃ結合を含むように設計される。こうした結合は強く、切断に高い活性エネルギを必要とするため、比較的低いイオンエネルギにおいて、旧世代フォトレジストは、エッチングガス混合物に対して著しく低いエッチング速度を示す可能性がある。リソグラフィ露光波長において、こうした不飽和結合は吸収を行うため、１９３ｎｍ及び１５７ｎｍを含む新世代フォトレジストは、こうした不飽和結合を含まず、フォトレジストエッチング耐性の大きな低減をもたらす。エッチング段階中にシリコン含有保護被覆をフォトレジスト上に提供することで、高いイオン衝撃エネルギにおいても、フォトレジストのエッチング耐性は大きく改善される。本発明がマスクのエッチング耐性を改善し得る高イオン衝撃エネルギは、５０～２，０００ｅＶとなり得る。更に好ましくは、イオン衝撃エネルギは、２００～１，５００ｅＶとなり得る。最も好ましくは、イオン衝撃エネルギは、５００～１，０００ｅＶとなり得る。 ・・・（中略）・・・ 【００３６】 保護シリコン含有層６１８は、図６Ｃに示したように堆積させる（ステップ５１２）。好適な実施形態において、保護シリコン層６１８は、ＳｉＦ４を含む堆積ガスを提供することで形成される。プラズマは、堆積ガスから形成される。プラズマは、保護シリコン含有層６１８を堆積させる。以前の実施形態で説明したように、プラズマパラメータは、シリコンがマスクの上面に選択的に堆積し、マスク上面に最も厚い層が形成されるように調整し得る。プラズマは、より薄い層が特徴部の側壁に形成されるように、より低い選択性で特徴部の側壁に堆積させる。プラズマは、特徴部の底部に最も低い選択性で堆積させる。上記のように、ＳｉＦ４と適切なプラズマパラメータとの使用により、図示したように、特徴部６１６の底部にシリコンが堆積しない状態にできると考えられる。特徴部のエッチングは、その後、図６Ｄに示したように完了させる（ステップ５１６）。マスクは、剥離させる（ステップ５２０）。 ・・・（中略）・・・ 【００４０】 ・・・（中略）・・・エッチング対象層は、誘電層（酸化シリコン等）、導電層（金属及びシリコン又は他の種類の半導体等）、又はハードマスク層（窒化シリコン及び酸窒化シリコン）にしてよい。導体層をエッチングするために、エッチングステップにおいて、塩素、フッ素、又は臭素等のハロゲンを使用してよい。」 「 ［図：0001420298000001.jpg］ 」 「 ［図：0001420298000002.jpg］ ［図：0001420298000003.jpg］ 」 「 ［図：0001420298000004.jpg］ 」 「 ［図：0001420298000005.jpg］ 」 イ 上記アより、甲１について、以下のことがいえる。 （ア）段落００１６には、「本発明のエッチング処理」と記載され、さらに、「実施形態において」「マスクは、エッチング対象の層上に提供される（ステップ１０４）。図２Ａは、基板上の窒化シリコン障壁層２１０の上にある、エッチング対象の誘電層２０８上に形成されたマスク２０４を示す。」と記載され、図２Ａから、マスク２０４がパターンを有することが見て取れる。 よって、エッチング処理において、ステップ１０４で、パターンを有するマスク２０４が、基板上の窒化シリコン障壁層２１０の上にあるエッチング対象の誘電層２０８上に提供される。 （イ）段落００１６には、「基板は、処理チャンバ内に配置される（ステップ１０６）。」と記載されている。 よって、ステップ１０６で、基板が、処理チャンバ内に配置される。 （ウ）段落００２２には、「保護シリコン含有層２１２は、図２Ｂに示したように、マスク２０４上に形成される（ステップ１０８）。」と記載され、図２Ｂから、保護シリコン含有層２１２が、マスク２０４の上部及び側壁に形成されることが見て取れる。 よって、ステップ１０８で、保護シリコン含有層２１２が、マスク２０４の上部及び側壁に形成される。 （エ）段落００２４には、「シリコン含有保護層のＣＶＤ堆積に使用し得る堆積化学物質の例は」「Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４等の有機シリコン化合物である。」と記載され、段落００２５には、「シリコン保護層は、何らかのＦ、Ｃ、及びＨ成分の存在により修飾される。」と記載されている。 そして、「シリコン含有保護層」が上記（ウ）の「保護シリコン含有層２１２」であることは明らかであるから、保護シリコン含有層２１２のＣＶＤ堆積に使用し得る堆積化学物質の例はＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４であり、保護シリコン含有層２１２は、何らかのＦ、Ｃ、及びＨ成分の存在により修飾されるといえる。 （オ）段落００２７には、「次に、マスク２０４を介して誘電層２０８がエッチングされ、図２Ｃに示したように、特徴部２１６が形成される。」及び「マスク２０４の上面において、保護シリコン含有層２１２の一部のみが除去されている。」と記載されている。また、図１には、「マスクを介して特徴部をエッチング１１２」と記載されている。 よって、ステップ１１２で、マスク２０４を介して誘電層２０８がエッチングされて特徴部２１６が形成され、その際、マスク２０４の上面において、保護シリコン含有層２１２の一部のみが除去されるといえる。 （カ）段落００２８には、「更にエッチングするかを判断する（ステップ１１６）。」、「更なるエッチングが望ましい場合、処理サイクルは、ステップ１０８に戻り、図２Ｄに示したように、追加シリコン保護層２１８をマスクに堆積させる。」と記載され、図２Ｄから、追加シリコン保護層２１８がマスク２０４の上部及び側壁並びに特徴部側壁に堆積されることが見て取れる。 そして、「シリコン保護層」は、ステップ１０８に戻って堆積されるから、上記（ウ）の「保護シリコン含有層」であることは明らかである。 よって、ステップ１１６で、更にエッチングするかを判断し、更なるエッチングが望ましい場合、処理サイクルは、ステップ１０８に戻り、追加の保護シリコン含有層２１８をマスク２０４の上部及び側壁並びに特徴部側壁に堆積させる。 （キ）段落００２９には、「特徴部は、その後、マスクを介して更にエッチングされ」「更に深い特徴部２１６を提供する。」と記載されている。 よって、特徴部は、その後、マスク２０４を介して更にエッチングされて更に深い特徴部２１６が提供される。 （ク）段落００３０には、「好ましくは、この堆積及びエッチングステップを交互に提供するサイクル又はループは、一回より多く繰り返される。」と記載され、段落００３１には、「マスクにシリコン保護層を堆積させるステップ１０８の前に、エッチングステップを追加してもよい。」と記載されている。 よって、好ましくは、この堆積及びエッチングステップを交互に提供するサイクル又はループは、一回より多く繰り返され、マスクにシリコン保護層を堆積させるステップ１０８の前に、エッチングステップを追加してもよい。 （ケ）段落００３３には、「マスクは有機材料であり、有機材料は、フォトレジスト」「として定義される。」及び「エッチング段階中にシリコン含有保護被覆をフォトレジスト上に提供することで」「フォトレジストのエッチング耐性は大きく改善される。」と記載されている。 よって、マスクはフォトレジストであり、エッチング段階中に、保護シリコン含有層をマスク上に提供することで、フォトレジストのエッチング耐性が大きく改善される。 （コ）甲１発明 上記（ア）～（ケ）より、甲１には、図１、２に示される実施の形態について、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 ＜甲１発明＞ 「エッチング処理において、ステップ１０４で、パターンを有するマスク２０４が、基板上の窒化シリコン障壁層２１０の上にあるエッチング対象の誘電層２０８上に提供され、 ステップ１０６で、基板が、処理チャンバ内に配置され、 ステップ１０８で、保護シリコン含有層２１２が、マスク２０４の上部及び側壁に形成され、 保護シリコン含有層２１２のＣＶＤ堆積に使用し得る堆積化学物質の例はＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４であり、保護シリコン含有層２１２は、何らかのＦ、Ｃ、及びＨ成分の存在により修飾され、 ステップ１１２で、マスク２０４を介して誘電層２０８がエッチングされて特徴部２１６が形成され、その際、マスク２０４の上面において、保護シリコン含有層２１２の一部のみが除去され、 ステップ１１６で、更にエッチングするかを判断し、更なるエッチングが望ましい場合、処理サイクルは、ステップ１０８に戻り、追加の保護シリコン含有層２１８をマスク２０４の上部及び側壁並びに特徴部側壁に堆積させ、 特徴部は、その後、マスク２０４を介して更にエッチングされて更に深い特徴部２１６が提供され、 好ましくは、この堆積及びエッチングステップを交互に提供するサイクル又はループは、一回より多く繰り返され、マスク２０４に保護シリコン含有層２１２を堆積させるステップ１０８の前に、エッチングステップを追加してもよく、 マスク２０４はフォトレジストであり、エッチング段階中に、保護シリコン含有層２１２をマスク２０４上に提供することで、フォトレジストのエッチング耐性が大きく改善される、 エッチング処理。」 （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明の「誘電層２０８」は、「エッチング処理」において「エッチング対象」となるものであるから、「被処理体をエッチングするエッチング方法」である本件発明１における「被処理体」に相当する。 （イ）甲１発明の「マスク２０４」は、「パターンを有」し、「フォトレジストとして定義される有機材料」であるから、本件発明１の「樹脂からなるパターンを有するレジスト層」に相当する。また、甲１発明の「ステップ１０４で、パターンを有するマスク２０４が、基板上の窒化シリコン障壁層２１０の上にあるエッチング対象の誘電層２０８上に提供され」ることは、本件発明１の「前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程」に相当する。 （ウ）甲１発明の「ステップ１１２で、マスク２０４を介して誘電層２０８がエッチングされて特徴部２１６が形成され」ることは、本件発明１の「レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程」に相当する。 （エ）甲１発明において、「マスク２０４はフォトレジストであり、エッチング段階中に、保護シリコン含有層２１２をマスク２０４上に提供することで、フォトレジストのエッチング耐性が大きく改善される」から、甲１発明の「保護シリコン含有層２１２」は、本件発明１の「レジスト保護膜」に相当する。そして、甲１発明の「ステップ１０８で、保護シリコン含有層２１２が、マスク２０４の上部及び側壁に形成され」ること及び「ステップ１０８に戻り、追加の保護シリコン含有層２１８をマスク２０４の上部及び側壁並びに特徴部側壁に堆積させ」ることは、いずれも、本件発明１の「前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程」に相当する。 （オ）甲１発明の「更なるエッチングが望ましい場合、処理サイクルは、ステップ１０８に戻り、追加の保護シリコン含有層２１８をマスク２０４の上部及び側壁並びに特徴部側壁に堆積させ、特徴部は、その後、マスク２０４を介して更にエッチングされて更に深い特徴部２１６が提供され、好ましくは、この堆積及びエッチングステップを交互に提供するサイクル又はループは、一回より多く繰り返され」ることは、本件発明１の「複数回繰り返す前記エッチング工程に対して」「所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入する」ことに相当する。 （カ）甲１発明の「エッチング処理」は、「マスク２０４を介して誘電層２０８がエッチングされて特徴部２１６が形成され」、「マスク２０４を介して更にエッチングされて更に深い特徴部２１６が提供され」ることを含むものであるから、本件発明１の「エッチング方法」に相当する。 （キ）上記（ア）～（カ）によれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「被処理体をエッチングするエッチング方法であって、 前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、 レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、 前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程と、を有し、 複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入する、 エッチング方法。」 ＜相違点１＞ 本件発明１において「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」るのに対し、甲１発明は、「ステップ１１２」にはそのような構成が含まれない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１において「前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙＦｚを形成可能なガスを含」むのに対し、甲１発明は、「ステップ１０８」においてそのような構成を有さない点。 ＜相違点３＞ 「レジスト保護膜形成工程を挿入する」ことを、本件発明１では「前記デポ工程」の前に行うのに対し、甲１発明において「追加の保護シリコン含有層２１８」を「堆積させ」ることは、そのようなものではない点。 イ 相違点についての判断 相違点１について検討する。 （ア）相違点１に係る本件発明１の構成は、「前記エッチング工程」には、「デポ層を形成するデポ工程」が含まれるものであるところ、甲１発明は、「ステップ１１２」の「エッチング」の前に、本件発明１の「レジスト層」及び「レジスト保護膜」に相当する「マスク２０４」及び「保護シリコン含有層」以外の層を形成するものではないから、相違点１は、実質的なものである。 （イ）また、甲１～甲４のいずれにも、相違点１に係る本件発明１の構成に関連する記載はなく、甲２～甲４に記載された事項を甲１発明に適用しても、相違点１に係る本件発明１の構成とすることはできない。 （ウ）ａ 申立人は、令和６年９月３０日提出の意見書において、請求項１及び２に記載された「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」ることは、意見書に添付して提出した甲第５号証（特許第４５７８８９３号公報、以下「甲５」という。）及び甲第６号証（再表２０１７／２１７１３２号公報、以下「甲６」という。）に記載されているように周知技術であり、甲１発明において当該周知技術を適用することは、当業者が容易になし得たことである旨主張している。 ｂ 上記主張について検討する。甲５には、段落０００５に「エッチング溝の側壁部を保護するために堆積させる保護膜」と記載され、段落００１８に「エッチング側面の保護膜破壊を防止して、高精度なエッチング形状を得ることができる。」と記載されているから、「保護膜」は溝の側壁部を保護するものである。 また、甲６には、段落００１１に「半導体基板の第１面の側から行う異方性エッチングで前記半導体基板に貫通孔を形成する第１工程」及び「前記貫通孔の開口縁部を含む前記第１面に炭素含有薄膜をプラズマ成膜する第３工程」と記載され、段落００３７には、「半導体基板１０の裏面１０ｂに形成された絶縁膜３０Ａを保護する炭素含有薄膜５０を成膜する（図４（ｅ））。」と記載されているから、「炭素含有薄膜５０」は、貫通孔の開口縁部を含む面に形成された絶縁膜を保護するものである。 一方、甲１発明は、「パターンを有するマスク２０４が、基板上の窒化シリコン障壁層２１０の上にあるエッチング対象の誘電層２０８上に提供され」、「マスク２０４を介して誘電層２０８がエッチングされて特徴部２１６が形成され」、「保護シリコン含有層２１２が、マスク２０４の上部及び側壁に形成され」、「追加の保護シリコン含有層２１８をマスク２０４の上部及び側壁並びに特徴部側壁に堆積させ」るものであるから、「保護シリコン含有層」は、基板上のマスクの上部及び側壁と、特徴部側壁に堆積されるものである。 そうすると、甲５及び甲６に記載された、溝の側壁部、又は貫通孔の開口縁部を含む面に形成された絶縁膜を形成する技術が周知であったとしても、甲１発明において、特徴部側壁及び基板上のマスクには上記「保護シリコン含有層」が堆積されるから、甲１発明において「保護シリコン含有層」に加えて、さらに、甲５及び甲６に記載された「保護膜」ないし「炭素含有薄膜層５０」を形成する動機は当業者にはない。 よって、甲５及び甲６の記載を参酌しても、甲１発明を、上記相違点１に係る本件発明１の構成を備えたものとすることはできないから、ａの主張を採用することはできない。 ウ 小括 したがって、相違点２及び３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明ではなく、また、甲１発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明２について ア 対比 本件発明２と甲１発明とを対比すると、上記（２）ア（ア）～（カ）と同様のことがいえるから、両者は以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「被処理体をエッチングするエッチング方法であって、 前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、 レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、 前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程と、を有し、 複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入する、 ことを特徴とするエッチング方法。」 ＜相違点４＞ 本件発明２において「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」るのに対し、甲１発明は、「ステップ１１２」には、そのような構成が含まれない点。 ＜相違点５＞ 「レジスト保護膜形成工程を挿入する」ことについて、本件発明２においては、「前記デポ工程」の前に行うのに対し、甲１発明において「追加の保護シリコン含有層２１８」を「堆積させ」ることは、そのようなものではない点。 ＜相違点６＞ 「前記レジスト保護膜形成工程」について、本件発明２においては、「前記エッチング工程による前記被処理体のエッチングが所定の状態となるまでおこなわない」のに対し、甲１発明は、「保護シリコン含有層２１２」の形成について、そのような特定はなされていない点。 イ 相違点についての検討 相違点４について検討する。 上記（２）イにおける検討と同様の理由により、相違点４に係る本件発明２の構成は実質的なものであり、また、甲１発明を、相違点４に係る本件発明２の構成を備えたものとすることは、当業者が容易になし得たことではない。 ウ 小括 したがって、相違点５及び６について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１発明ではなく、また、甲１発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明３～６について 請求項３～６の記載は、請求項１又は２の記載を引用し、本件発明３～６は、本件発明１又は２の構成をすべて備えるものであるから、少なくとも相違点１又は４の点で、甲１発明と相違するものである。 そうすると、上記（２）又は（３）と同様の理由により、本件発明３及び５は、甲１発明ではなく、また、本件発明３～６は、甲１発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）取消理由１及び２についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件発明１～３及び５は、特許法第２９条第１項第３号に該当するものではなく、請求項１～３及び５に係る特許は、同法同条同項の規定に違反してされたものであるとはいえず、また、請求項１～６に係る特許は、同法同条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえない。 したがって、取消理由１（新規性）及び取消理由２（進歩性）は解消した。 ３ 取消理由３及び４について 本件訂正前の請求項１及び３に記載された「ＳｉｘＯｙαｚ」は、「α」に該当する元素が特定されていなかったところ、本件訂正により「ＳｉｘＯｙＦｚ」に訂正され、発明の詳細な説明に記載した課題を解決できることを当業者が理解できるようになり、また、「ＳｉｘＯｙＦｚを形成可能なガス」は、形成される材料が具体的にＳｉｘＯｙＦｚに特定されるから、明確である。 よって、本件発明１、３、４及び６は、発明の詳細な説明に記載したものであり、明確であるから、本件の請求項１、３、４及び６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいない。 したがって、取消理由３（サポート要件）及び取消理由４（明確性要件）は解消した。 第５ 取消理由で採用しなかった申立理由について １ 申立理由の概要 取消理由で採用しなかった特許異議の申立て理由（以下、「申立理由」という。）は以下のとおりである。 申立理由１（新規性）請求項４及び６に係る発明は、申立人が提出した甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項４及び６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 申立理由２（進歩性）請求項１～６に係る発明は、申立人が提出した甲２に記載された発明と、甲３及び４に記載された周知技術とに基いて、本件特許出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 申立理由３（明確性要件）本件特許は、特許請求の範囲が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 申立理由１についての当審の判断 上記第４の２（４）において検討したとおり、請求項４及び６の記載は、請求項１又は２の記載を引用し、本件発明４及び６は、本件発明１又は２の構成をすべて備えるものであるから、少なくとも相違点１又は４の点で、甲１発明と相違するものである。 そうすると、上記第４の２（２）又は（３）と同様の理由により、本件発明４及び６は、甲１発明ではない。 ３ 申立理由２についての当審の判断 （１）甲２について ア 甲２には以下の記載がある。 「【請求項１】 シリコン層が中に置かれたエッチングチャンバを使用して、前記シリコン層の上に形成されたパターン化マスクを通して前記シリコン層をエッチングする方法であって、 前記シリコン層内に特徴をエッチングするためのフッ素（Ｆ）含有エッチングガス、及び、前記特徴の側壁上にシリコン含有蒸着層を形成するためのシリコン（Ｓｉ）含有化学気相蒸着ガスを提供することと、 前記エッチングガス及び前記化学気相蒸着ガスからプラズマを生成することと、 バイアス電圧を印加することと、 前記エッチングされている特徴の前記側壁上にシリコン含有パッシベーション層を蒸着させることであって、前記パッシベーション層中のシリコンは、主として前記化学気相蒸着ガスに由来する、ことと、 前記エッチングガス及び前記化学気相蒸着ガスを停止させることと、 を備える方法。」 「【請求項６】 請求項１～５のいずれか一項に記載の方法であって、 前記シリコン含有パッシベーション層を蒸着させることは、ｘ及びｙをともにゼロでないとして、ＳｉＯｘＨｙを含有するパッシベーション層を蒸着させることを含む、方法。」 「【請求項１８】 請求項１～６及び１４～１７のいずれか一項に記載の方法であって、 前記シリコン層をエッチングする方法は、交互する蒸着ステップとエッチングステップとを含むガス調整プロセスにおける蒸着ステップにおいて実施される、方法。」 「【００１９】 本発明の一実施形態にしたがうと、化学気相蒸着によって特徴の側壁上に材料を直接的に蒸着させることによって、シリコンエッチング用のパッシベーション層が形成される。このような蒸着は、特徴側壁の酸化又は表面反応を必要としないので、従来のパッシベーションよりも、時定数が大幅に小さく、そしてそれゆえにパッシベーション層が大幅に速く形成されると考えられる。本発明の一実施形態にしたがうと、化学気相蒸着を使用して、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、シリコン酸窒化物などのシリコン含有誘電体層が蒸着される。表面成長ではなく化学気相蒸着によるパッシベーション層の形成は、より耐性に優れたパッシベーション層を提供すると考えられる。また、化学気相蒸着プロセスは、パッシベーション層のプロファイルを制御にあたり、より柔軟であるとも考えられる。 【００２０】 理解を促すために、図１は、発明の一実施形態で使用されるプロセスのハイレベルなフローチャートであり、ここで、シリコン層は、その上に形成されたパターン化マスクを通してエッチングチャンバを使用してエッチングされる。シリコン層を中に置かれたエッチングチャンバ内へ、フッ素（Ｆ）含有ガスを含むエッチングガス（フッ素含有エッチングガス）と、シリコン（Ｓｉ）含有ガスを含む化学気相蒸着ガス（シリコン含有化学気相蒸着ガス）とが提供される（ステップ１０２）。・・・（中略）・・・ 【００２１】 シリコン含有化学気相蒸着ガス（シリコン含有ガス）は、特徴の側壁上にシリコン含有蒸着層を形成するために提供される。例えば、シリコン含有化学気相蒸着ガスは、シラン（例えばＳｉＨ４、より一般的にはＳｉｎＨ２ｎ＋２）、シリケート、又はシロキサン（Ｒを水素原子又は炭化水素基としてＲ２ＳｉＯ）の蒸気を含んでよい。好ましくは、化学気相蒸着ガスは、テトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）蒸気又はオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）蒸気を含む。化学気相蒸着ガスは、また、（１つ又は複数の）添加ガスを含んでもよい。例えば、化学蒸着ガスは、酸化物を蒸着させるためにシラン及び酸素を、又はシリコン窒化物及びシリコン酸窒化物を蒸着させるためにシラン若しくはシリケート若しくはシロキサン及びアンモニアを含んでよい。 【００２２】 化学気相蒸着ガスは、エッチングチャンバに導入される前に、フッ素含有エッチングガスと混合されてよい。或いは、エッチングガス及び化学気相蒸着ガスは、別々のガス入口からエッチングチャンバに導入されてよく、そのなかで、プラズマが生成される。 【００２３】 再び図１を参照すると、エッチングガス及び化学気相蒸着ガスからプラズマが生成される（ステップ１０４）。異方性エッチングを促進するために（すなわち、専ら水平面上のみをエッチングするために）、バイアス電圧が印加され（ステップ１０６）、プラズマを使用してシリコン層内に特徴がエッチングされる（ステップ１０８）。同時に、エッチングされている特徴の側壁上に、シリコン含有パッシベーション層（誘電体層）が蒸着される（ステップ１１０）。このようにして形成されたパッシベーション層は、ｘ及びｙをともにゼロでないとして、ＳｉＯｘＣｙを含んでいる。・・・（中略）・・・ 【００２４】 理解を促すために、図２は、特徴をエッチングされているシリコン層２００の断面の一例を概略的に示している。シリコン層２００は、シリコンウエハであってよい。シリコン材料は、結晶質シリコン、ポリシリコン、又は非晶質シリコンであってよい。シリコン材料は、ドープシリコン又は歪みシリコンであってもよい。シリコン層２００の上に、シリコン材料上の特徴２０４を定めたパターン化マスク２０２が提供される。マスク２０２は、フォトレジスト（ＰＲ）マスク又はハードマスク（酸化物）であってよい。マスク２０２は、前のステップでエッチングされたであろう導電層及び／又は誘電体層などのその他の層もマスクの下に含んでよい（不図示）。・・・（中略）・・・ 【００２５】 エッチングプロセス中は、特徴２０４の側壁２０６上及び底部２０８上においてパッシベーションが発生する。バイアス電圧が印加されるので（図１のステップ１０６）、荷電粒子（イオン）は、特徴の底部２０８には衝突するが、側壁２０６には全く又はほとんど衝突しない。底部に衝突するイオンは、化学反応を促してエッチングをもたらす。したがって、側壁上では、パッシベーション層２１０の蒸着が、エッチングガスからのエッチャント（Ｆ）ラジカルから側壁２０６を保護し続ける。その一方で、特徴の底部２０８では、パッシベーション層２１０は、蒸着されると同時にイオン支援エッチングによって除去されるので、露出されたシリコンは、ラジカルによってエッチングされる。パッシベーション層は、従来のシリコン材料の表面酸化よりも大幅に速く形成されるので、エッチングプロセスは、より効率的に実施することができると考えられる。」 「 ［図：0001420298000006.jpg］ 」 イ 上記アによれば、甲２には次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。 ＜甲２発明＞ 「シリコン層が中に置かれたエッチングチャンバを使用して、前記シリコン層の上に形成されたパターン化マスクを通して前記シリコン層をエッチングする方法であって、 前記シリコン層内に特徴をエッチングするためのフッ素（Ｆ）含有エッチングガス、及び、前記特徴の側壁上にシリコン含有蒸着層を形成するためのシリコン（Ｓｉ）含有化学気相蒸着ガスを提供することと、 前記エッチングガス及び前記化学気相蒸着ガスからプラズマを生成することと、 異方性エッチングを促進するために、バイアス電圧を印加することと、 プラズマを使用して前記シリコン層内に前記特徴をエッチングすることと、 同時に、前記エッチングされている特徴の前記側壁上にシリコン含有パッシベーション層を蒸着させることであって、前記パッシベーション層中のシリコンは、主として前記化学気相蒸着ガスに由来する、ことと、 前記エッチングガス及び前記化学気相蒸着ガスを停止させることと、 を備え、 前記シリコン含有パッシベーション層を蒸着させることは、ｘ及びｙをともにゼロでないとして、ＳｉＯｘＨｙを含有するパッシベーション層を蒸着させることを含み、 側壁上では、パッシベーション層の蒸着が、エッチングガスからのエッチャント（Ｆ）ラジカルから側壁を保護し続け、 前記シリコン層をエッチングする方法は、交互する蒸着ステップとエッチングステップとを含むガス調整プロセスにおける蒸着ステップにおいて実施され、 前記パターン化マスクは、フォトレジスト（ＰＲ）マスクである、 方法。」 （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲２発明とを対比する。 （ア）甲２発明は「前記シリコン層をエッチングする」ものであるから、甲２発明の「シリコン層」は、エッチングにより処理されるといえ、本件発明１の「被処理体」に相当する。そして、甲２発明の「前記シリコン層をエッチングする方法」は、本件発明１の「被処理体をエッチングするエッチング方法」に相当する。 （イ）甲２発明の「フォトレジスト（ＰＲ）マスク」である「パターン化マスク」が樹脂からなることは、技術常識から明らかである。そうすると、甲２発明の「パターン化マスクを通して前記シリコン層をエッチング」し、「マスクは、フォトレジスト（ＰＲ）マスクであってよ」く、「プラズマを使用して前記シリコン層内に前記特徴をエッチングする」ことは、本件発明１の「前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と」「を有」することに相当する。 （ウ）上記（ア）～（イ）によれば、本件発明１と甲２発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「被処理体をエッチングするエッチング方法であって、 前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、 レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、 を有するエッチング方法。」 ＜相違点７＞ 本件発明１は、「前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程」を有し、「前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙＦｚを形成可能なガスを含」むのに対し、甲２発明は、「フォトレジスト（ＰＲ）マスク」である「パターン化マスク」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点８＞ 本件発明１において「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」るのに対し、甲２発明は、「エッチングすること」について、特定はなされていない点。 ＜相違点９＞ 本件発明１において「複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、前記デポ工程の前に、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入する」のに対し、甲２発明は、そのような構成を有さない点。 イ 相違点についての判断 相違点７について検討する。 （ア）甲３及び甲４には、レジスト保護膜を形成することは記載されておらず、甲２発明に甲３及び甲４に記載された事項を適用しても、本件発明１の構成とすることはできない。 （イ）ａ 申立人は、令和５年１０月２日提出の特許異議申立書の第１０頁第１６行～第２４行、及び第１３頁第３行～第１１行において、甲３の第１及び図２、並びに甲４の図４及び図５には、プラズマＣＶＤにより成膜した際に、基板の上面にも膜が形成される構成が記載されており、甲３及び甲４の記載を考慮すれば、甲２発明において、マスク上面にパッシベーション層が形成されることは明らかである旨主張する。 ｂ 上記主張について検討する。 甲２発明は、「エッチングするためのフッ素（Ｆ）含有エッチングガス」及び「シリコン含有蒸着層を形成するためのシリコン（Ｓｉ）含有化学気相蒸着ガスを提供することと、前記エッチングガス及び前記化学気相蒸着ガスからプラズマを生成することと」を備えるものであり、エッチングするためのエッチングガス、及び、蒸着層を形成するための化学気相蒸着ガスを導入して、プラズマを生成するものであるといえる。 一方、甲３には、第２８２頁左欄第１４行～１５行に「ＰＶＤ法に比べてＣＶＤ法は段差被覆性に優れているといえる。」と記載され、甲４には、第３１３頁右欄第１３行～第１８行に「この方法で得られた結果は以下のとおりであった。 （１）ＳｉＨ４－ＮＨ３系：η＝０．０８の１種類の成膜前駆体でフィッティング （２）ＳｉＨ４－ＮＨ２系：η＝０．８と０．０５の２種類の前駆体を考慮することによりフィッティング」と記載され、図４に、カバレッジ法において、トレンチに堆積した窒化膜がウェーハ上面にも堆積されることが示されているものの、甲３及び甲４には、原料ガスにエッチングガスを含有させることは記載も示唆もされていない。 したがって、甲２発明において提供されるガスは、エッチングガスを含む点で、甲３及び甲４に記載されたガスとは異なるから、甲３に記載されたＣＶＤ法又は甲４に記載されたカバレッジ法において、基板の上面に膜が堆積されるからといって、甲２発明においても、パターン化マスク２０２上面にパッシベーション層２１０が形成されるとはいえない。 むしろ、甲２の段落００２３には「異方性エッチングを促進するために（すなわち、専ら水平面上のみをエッチングするために）、バイアス電圧が印加され（ステップ１０６）」と記載されているところ、甲２発明の「パターン化マスク」の上面は水平面であることは明らかであるから、甲２発明において、エッチングと同時に蒸着を行う際に、「パターン化マスク」の上面においては、異方性エッチングが促進され、パッシベーション層２１０が堆積されないことは明らかである。 したがって、甲３及び甲４の記載を考慮しても、甲２発明において、パターン化マスク上面にパッシベーション層が形成されないと認められるから、上記主張は採用できない。 ウ 小括 したがって、相違点８及び９について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明と、甲３及び甲４の記載とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明２について ア 対比 本件発明２と甲２発明とを対比すると、上記（２）ア（ア）～（ウ）と同様のことがいえるから、両者は以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「被処理体をエッチングするエッチング方法であって、 前記被処理体に樹脂からなるパターンを有するレジスト層を形成するレジストパターン形成工程と、 レジストパターンが形成された前記被処理体をエッチングするエッチング工程と、 保護膜を形成する保護膜形成工程と、 を有するエッチング方法。」 ＜相違点１０＞ 本件発明２は、「前記レジストパターンにレジスト保護膜を形成するレジスト保護膜形成工程」を有するのに対し、甲２発明は、「パッシベーション層」が「フォトレジスト（ＰＲ）マスク」である「パターン化マスク」を保護しない点。 ＜相違点１１＞ 本件発明２において「前記エッチング工程には、前記パターンの底部および前記レジスト層の表面を少なくとも覆うデポ層を形成するデポ工程と、前記デポ工程後に、前記被処理体に対して異方性プラズマエッチング処理をおこなうドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、残存する前記デポ層を除去するアッシング処理を行うアッシング工程と、が含まれ」るのに対し、甲２発明は、そのような構成を有さない点。 ＜相違点１２＞ 本件発明２において「複数回繰り返す前記エッチング工程に対して、前記デポ工程の前に、所定の頻度で前記レジスト保護膜形成工程を挿入する」のに対し、甲２発明は、そのような構成を有さない点。 ＜相違点１３＞ 本件発明２において「前記レジスト保護膜形成工程は、前記エッチング工程による前記被処理体のエッチングが所定の状態となるまでおこなわない」のに対し、甲２発明は、そのような構成を有さない点。 イ 相違点についての検討 相違点１０について検討する。 上記（２）イにおける検討と同様の理由により、甲２発明を、相違点１０に係る本件発明２の構成を備えるものとすることは、当業者が容易になし得たことではない。 ウ 小括 したがって、相違点１１～１３について検討するまでもなく、本件発明２は、甲２発明と甲３及び甲４の記載に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明３～６について 請求項３～６の記載は、請求項１又は２の記載を引用し、本件発明３～６は、本件発明１又は２の構成をすべて備えるものであるから、少なくとも相違点７又は１０の点で、甲２発明と相違するものである。 そうすると、上記（２）又は（３）と同様の理由により、本件発明３～６は、甲２発明と甲３及び甲４の記載とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）申立理由２についてのまとめ 以上のとおりであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえない。したがって、申立理由２（進歩性）は理由がない。 ４ 申立理由３（明確性要件）についての当審の判断 （１）申立人は、特許異議申立書の第１７頁第１５行～第２０行において、本件訂正前の請求項１及び３には「前記レジスト保護膜形成工程において、処理ガスには、ＳｉｘＯｙαｚを形成可能なガスを含み」と記載されているが、「処理ガス」が何の処理に用いられるどのようなガスなのか明確ではない旨主張する。 しかし、「処理ガス」は、「レジスト保護膜形成工程において」「ＳｉｘＯｙＦｚを形成可能なガス」であるから、レジスト保護膜の形成に用いられる、レジスト保護膜を形成する原料ガスであることは明らかである。よって、上記主張を採用することはできない。 （２）申立人は、特許異議申立書の第１７頁第２２行～第２４行において、「ＳｉｘＯｙαｚを形成可能」とは、どこにＳｉｘＯｙαｚを形成するのかが不明である旨主張する。 しかし、本件訂正により「ＳｉｘＯｙαｚ」は、「ＳｉｘＯｙＦｚ」となり、「レジスト保護膜形成工程において」形成されるから、「レジスト保護膜」であるといえる。そして、「レジスト保護膜」がレジスト表面に形成されることは明らかであるから、「ＳｉｘＯｙＦｚ」がレジスト表面に形成されることは明らかである。よって、上記主張を採用することはできない。 （３）申立人は、特許異議申立書の第１７頁下から２行～第１８頁３行において、本件訂正前の請求項２には「前記レジスト保護膜形成工程は、前記エッチング工程による前記被処理体のエッチングが所定の状態となるまでおこなわない」と記載されているが、「前記被処理体のエッチングが所定の状態となる」とは被処理体がどんな状態となるのかが明確ではない旨主張する。 しかし、「前記被処理体のエッチング」の状態は、被処理体のエッチングの程度であるから、「前記被処理体のエッチングが所定の状態となる」は、予め定めた程度まで被処理体がエッチングされることであることは明らかである。よって、上記主張を採用することはできない。 （４）申立人は、特許異議申立書の第１８頁第４行～第１２行において、本件訂正前の請求項５には「前記レジスト保護膜形成工程を、前記エッチング工程による前記被処理体が所定のアスペクト比となった後におこなう」と記載されているが、「前記被処理体が所定のアスペクト比となった」とは、被処理体がどのようになったことかが明確ではない旨主張する。 しかし、「被処理体」は、「エッチング工程」により「所定のアスペクト比」になるのであるから、「アスペクト比」がエッチングされた部分の縦横比であることは明らかである。よって、上記主張を採用することはできない。 （５）上記（１）～（４）によれば、本件発明１～６に不明なところはなく、明確であるから、請求項１～６に係る特許が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえない。したがって、申立理由３（明確性要件）は理由がない。 ５ 申立理由についてのまとめ 上記２～４のとおりであるから、申立理由１（新規性）、申立理由２（進歩性）及び申立理由３（明確性要件）は理由がない。 第６ まとめ 以上のとおりであるから、取消理由、並びに申立理由及びその証拠によっては、請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。