2023-700672

特許第７１９６３８９号発明「半導体用レジスト下層膜形成組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法及びパターニング基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１９６３８９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１１〕について訂正することを認める。 特許第７１９６３８９号の請求項１～１１に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１９６３８９号の請求項１～１１に係る特許についての出願は、平成２９年８月９日（先の出願に基づく優先権主張 平成２８年８月１０日、平成２９年７月１９日）に出願され、令和４年１２月１９日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２７日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、令和５年６月２７日に特許異議申立人 麻生陽一郎（以下「申立人」という。）により、特許異議の申立て（対象となる請求項：全請求項）がされ、当合議体は、同年９月２９日付けで取消理由を通知し、特許権者は、その指定期間内である同年１１月２８日に意見書の提出とともに訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）を行い、申立人は、これに対し、令和６年１月５日に意見書を提出した。 第２ 本件訂正請求について １ 本件訂正請求の内容 本件訂正請求による訂正事項は、以下のとおりであり、一群の請求項〔１～１１〕に対して請求されたものである。 （１）訂正事項１－１ 特許請求の範囲の請求項１に、 「多層レジストプロセスに用いられ、パターンを有する基板上に積層されるレジスト下層膜を形成するための半導体用レジスト下層膜形成組成物であって、」 と記載されているのを、 「多層レジストプロセスに用いられ、パターンを有する基板上に積層され、上記パターンを埋め込むために用いられるレジスト下層膜を形成するための半導体用レジスト下層膜形成組成物であって、」（下線は訂正箇所を示す。） と変更する。請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２～１１についても同様に訂正する。 （２）訂正事項１－２ 特許請求の範囲の請求項１に、 「上記芳香環を有する化合物の含有量が、上記溶媒以外の成分の総和に対して８０質量％以上であることを特徴とする半導体用レジスト下層膜形成組成物。」 と記載されているのを、 「上記芳香環を有する化合物の含有量が、上記溶媒以外の成分の総和に対して８０質量％以上であり、 上記芳香環を有する化合物が、ノボラック樹脂（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）、レゾール樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせであり、 上記芳香環含有化合物が構成単位を１つ有する化合物であることを特徴とする半導体用レジスト下層膜形成組成物。」（下線は訂正箇所を示す。） と変更する。請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２～１１についても同様に訂正する。 （３）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項７に、 「上記芳香環を有する化合物が、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物。」 と記載されているのを、 「上記芳香環を有する化合物が、ノボラック樹脂（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）、レゾール樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせであり、 上記芳香環含有化合物がフルオレンビスフェノール骨格を有する化合物、スピロインデン骨格を有する化合物、トルクセン骨格を有する化合物、トリフェニルベンゼン骨格を有する化合物、又はこれらの組み合わせである請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物。」（下線は訂正箇所を示す。） と変更する。請求項７の記載を直接又は間接的に引用する請求項８～１１についても同様に訂正する。 ２ 訂正の適否 （１）訂正事項１－１ ア 訂正の目的の適否 訂正事項１－１による訂正は、訂正前の発明特定事項である「半導体用レジスト下層膜形成組成物」について、「多層レジストプロセスに用いられ、パターンを有する基板上に積層され、上記パターンを埋め込むために用いられるレジスト下層膜を形成するため」のものであるとする用途をさらに限定することにより、「半導体用レジスト下層膜形成組成物」の範囲を、限定が付された用途に適する物性等を有するものに減縮するものといえる。したがって、訂正事項１－１による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 本件特許の明細書の段落【０００２】に、背景技術として「近年、半導体配線構造においては、高集積化を目的として複数種のトレンチパターン（配線溝）、特に互いに異なるアスペクト比を有するトレンチパターンを有する基板にパターンを形成する場合が増えてきている。この場合、半導体用レジスト下層膜形成組成物には、これらのトレンチを十分に埋め込んだものであると共に、溶媒耐性に優れ、かつ高い平坦性を有するレジスト下層膜を形成できることが要求される。」と記載されるとともに、段落【０００６】に、発明が解決しようとする課題として「本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、平坦性、埋め込み性及び溶媒耐性に優れると共に、エッチング後の欠陥抑制性にも優れるレジスト下層膜を形成できる半導体用レジスト下層膜形成組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法及びパターニング基板の製造方法を提供することにある。」と記載されている。また、発明の効果として、段落【００１２】に、「本発明の半導体用レジスト下層膜形成組成物によれば、平坦性、埋め込み性及び溶媒耐性に優れると共に、エッチング後の欠陥抑制性にも優れるレジスト下層膜を形成することができる。」と記載されている。 これらの記載に基づけば、本件特許の明細書には、「半導体用レジスト下層膜形成組成物」がトレンチパターンを埋め込むために用いられることが記載されていたといえる。 したがって、訂正事項１－１による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものといえる。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１－１による訂正は、前記アに記載したとおり、「半導体用レジスト下層膜形成組成物」の範囲を、限定が付された用途に適する物性等を有するものに減縮するものである。そうすると、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。 （２）訂正事項１－２ ア 訂正の目的の適否 訂正事項１－２による訂正は、訂正前の発明特定事項である「芳香環を有する化合物」について、その範囲を、「ノボラック樹脂（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）、レゾール樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせ」に限定するとともに、「分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物」について、「構成単位を１つ有する化合物」であるとする要件を付したことにより、「芳香環を有する化合物」の範囲を減縮するものといえる。したがって、訂正事項１－２による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 本件特許の明細書の段落【００４５】には、溶媒以外の芳香環を有する化合物について、「樹脂としては、例えばノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂等が挙げられる。」と記載されている。また、段落【００４２】には「［Ｂ］化合物としては、例えば主鎖に芳香環を有する樹脂、主鎖に芳香環を有さず側鎖に芳香環を有する樹脂などの樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物等が挙げられる。」と記載され、段落【００４３】には「ここで、「樹脂」とは、構造単位を２つ以上有する化合物をいう。「芳香環含有化合物」とは、構造単位を１つ有する化合物をいう。」と記載されている。 また、「（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）」とは、段落【００４５】に記載される「ノボラック樹脂」のうち、先の取消理由通知における甲２発明で用いる樹脂を除外するものである。 これらの記載に基づけば、訂正事項１－２による訂正は、本件特許の明細書に記載された選択肢の一部に基づくものと理解できる。 したがって、訂正事項１－２による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものといえる。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項１－２による訂正は、前記アに記載したとおり、訂正前の発明特定事項である「芳香環を有する化合物」の範囲を減縮するものである。そうすると、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。 （３）訂正事項２ ア 訂正の目的の適否 訂正事項２による訂正は、訂正前の発明特定事項である「芳香環を有する化合物」について、その選択肢とされていた「ノボラック樹脂」の範囲から、「（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むもの」を除き、選択肢とされていた「スチレン樹脂」を除き、選択肢とされていた「分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物」を、「フルオレンビスフェノール骨格を有する化合物、スピロインデン骨格を有する化合物、トルクセン骨格を有する化合物、トリフェニルベンゼン骨格を有する化合物、又はこれらの組み合わせ」に限定することにより、「芳香環を有する化合物」の範囲を減縮するものといえる。したがって、訂正事項２による訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。 イ 新規事項の有無 訂正事項２による訂正のうち、「（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）」とは、段落【００４５】に記載される「ノボラック樹脂」のうち、先の取消理由通知における甲２発明で用いる樹脂を除外するものである。 また、本件特許の明細書の段落【００６９】に「上記芳香環含有化合物としては、例えばフルオレンビスフェノール骨格を有する化合物、スピロインデン骨格を有する化合物、トルクセン骨格を有する化合物、トリフェニルベンゼン骨格を有する化合物等が挙げられる。」との記載がある。 これらの記載に基づけば、訂正事項２による訂正は、本件特許の明細書に記載された選択肢の一部に基づくものと理解できる。 したがって、訂正事項２による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものといえる。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項２による訂正は、前記アに記載したとおり、訂正前の発明特定事項である「芳香環を有する化合物」の範囲を減縮するものである。そうすると、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでないことは明らかである。 ３ 小括 以上のとおり、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６号の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１１〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～１１に係る発明（以下、請求項に付された番号にしたがい、「本件特許発明１」等という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 多層レジストプロセスに用いられ、パターンを有する基板上に積層され、上記パターンを埋め込むために用いられるレジスト下層膜を形成するための半導体用レジスト下層膜形成組成物であって、 溶媒と、 上記溶媒以外の芳香環を有する化合物（但し、ポリシロキサンを除く。）と を含有し、 上記溶媒が、 標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒、及び 標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒 を含み、 上記第１溶媒が、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類又はこれらの組み合わせであり、 上記第２溶媒が、エステル類、アルコール類、カーボネート類又はこれらの組み合わせであり、 上記溶媒中の上記第１溶媒の含有率が２０質量％以上９５質量％以下であり、上記第２溶媒の含有率が５質量％以上６０質量％未満であり、 上記芳香環を有する化合物の含有量が、上記溶媒以外の成分の総和に対して８０質量％以上であり、 上記芳香環を有する化合物が、ノボラック樹脂（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）、レゾール樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせであり、 上記芳香環含有化合物が構成単位を１つ有する化合物であることを特徴とする半導体用レジスト下層膜形成組成物。 【請求項２】 上記第１溶媒の標準沸点が１５５℃以下であり、上記第２溶媒の標準沸点が１７０℃以上である請求項１に記載の半導体用レジスト下層膜形成用組成物。 【請求項３】 上記第２溶媒の標準沸点が２００℃以上である請求項１又は請求項２に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物。 【請求項４】 上記エステル類が、カルボン酸エステル類である請求項１、請求項２又は請求項３に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物。 【請求項５】 上記アルコール類が、多価アルコール類、多価アルコール部分エーテル類又はこれらの組み合わせである請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物。 【請求項６】 上記第２溶媒の相対蒸発速度の値が、酢酸ブチルの値を１００としたとき０．０１以上１０以下である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物。 【請求項７】 上記芳香環を有する化合物が、ノボラック樹脂（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）、レゾール樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせであり、 上記芳香環含有化合物がフルオレンビスフェノール骨格を有する化合物、スピロインデン骨格を有する化合物、トルクセン骨格を有する化合物、トリフェニルベンゼン骨格を有する化合物、又はこれらの組み合わせである請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物。 【請求項８】 上記芳香環が、芳香族炭素環である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物。 【請求項９】 請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物から形成されるレジスト下層膜。 【請求項１０】 パターンを有する基板上に請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体用レジスト下層膜形成組成物を塗工する工程と、 上記塗工工程により得られる塗膜を加熱する工程と を備えるレジスト下層膜の形成方法。 【請求項１１】 請求項１０に記載のレジスト下層膜の形成方法と、 上記レジスト下層膜の形成方法により得られるレジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程と を備えるパターニング基板の製造方法。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 理由１（新規性） 本件特許の請求項１～４、７～１０に係る発明は、先の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明であるか又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。 理由２（進歩性） 本件特許の請求項１～１１に係る発明は、先の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、先の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 甲第１号証：特開２００９－９８６５１号公報 甲第２号証：特開２０１４－１８９６１６号公報 （以下では各甲号証をそれぞれ「甲１」及び「甲２」という。また、甲１及び甲２は、それぞれ、主引用例である。） ２ 当合議体の判断 （１）甲１を主引用例とする取消理由 ア 甲１発明 甲１の段落【０２００】～【０２０３】、【０２０９】、【０２１６】の記載に基づけば、甲１には、実施例２に係る発明として、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「下記の組成（モル比）のポリマーである４ｇの樹脂３と、下記の組成（モル比）のポリマーである６ｇの樹脂４をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７０ｇとプロピレンカーボネート３０ｇの混合溶液に撹拌しながら加え、光酸発生剤として０．３ｇのトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートを加え攪拌した溶液に、メガファックＦ－４７０を０．０１ｇ加え撹拌し、溶液をポアサイズ０．０５μｍのポリエチレン製フィルターを通し濾過を行って得た組成物。 （樹脂３） 【化３２】 ［図：0001411318000001.jpg］ （樹脂４） 【化３３】 ［図：0001411318000002.jpg］ 」 イ 本件特許発明１と甲１発明との対比 本件特許発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）半導体用レジスト下層膜形成組成物 甲１発明の「組成物」と本件特許発明１の「レジスト下層膜を形成するための半導体用レジスト下層膜形成組成物」とは、「組成物」である点で共通する。 （イ）溶媒 甲１発明の「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７０ｇとプロピレンカーボネート３０ｇの混合溶液」は、樹脂３と樹脂４を加え、さらに光酸発生剤を加えた溶液を構成するものであるから、本件特許発明の「溶媒」に相当する。 また、甲１発明の「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」は、本件特許の段落【００１７】の記載によれば、本件特許でいうところの標準沸点の値が「１４６℃」である。そうすると、甲１発明の「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」は、本件特許発明１の「標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒」に相当し、「上記第１溶媒が、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類又はこれらの組み合わせであり」とする要件を満たしている。そして、甲１発明の「混合溶液」は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを「７０ｇ」とプロピレンカーボネートを「３０ｇ」の混合溶液であるから、混合溶媒中のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートは７０質量％（＝７０ｇ÷（７０ｇ＋３０ｇ）×１００）となる。したがって、甲１発明は、本件特許発明１の「上記溶媒中の上記第１溶媒の含有率が２０質量％以上９５質量％以下であり」とする要件を満たしている。 さらに、甲１発明の「プロピレンカーボネート」は、本件特許の段落【００２７】の記載によれば、本件特許でいうところの標準沸点の値が「２４２℃」である。そうすると、甲１発明の「プロピレンカーボネート」は、本件特許発明１の「標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒」に相当し、「上記第２溶媒が、エステル類、アルコール類、カーボネート類又はこれらの組み合わせであり」とする要件を満たしている。そして、甲１発明の「混合溶液」は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを「７０ｇ」とプロピレンカーボネートを「３０ｇ」の混合溶液であるから、混合溶媒中のプロピレンカーボネートは３０質量％（＝３０ｇ÷（７０ｇ＋３０ｇ）×１００）となる。したがって、甲１発明は、本件特許発明１の「上記第２溶媒の含有率が５質量％以上６０質量％未満であり」とする要件を満たしている。 （ウ）芳香環を有する化合物 甲１発明の「樹脂３」及び「樹脂４」は、その組成からみて、「芳香環」を有しているといえる。また、甲１発明の「樹脂３」及び「樹脂４」は、溶媒ではなく、ポリシロキサンには該当しない。そうすると、甲１発明の「樹脂３」及び「樹脂４」は、本件特許発明１の「上記溶媒以外の芳香環を有する化合物（但し、ポリシロキサンを除く。）」に相当する。 甲１発明は、その製法からみて、「樹脂３」、「樹脂４」及び「混合溶媒」以外の成分として「光酸発生剤として０．３ｇのトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート」及び「メガファックＦ－４７０を０．０１ｇ」を含むものである。そうすると、甲１発明における「樹脂３」及び「樹脂４」の含有量は、９７質量％（＝（４ｇ＋６ｇ）÷（４ｇ＋６ｇ＋０．３ｇ＋０．０１ｇ）×１００）である。したがって、甲１発明は、本件特許発明１の「上記芳香環を有する化合物の含有量が、上記溶媒以外の成分の総和に対して８０質量％以上」とする要件を満たしている。 （エ）一致点及び相違点 以上より、本件特許発明１と甲１発明とは、 「 組成物であって、 溶媒と、 上記溶媒以外の芳香環を有する化合物（但し、ポリシロキサンを除く。）と を含有し、 上記溶媒が、 標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒、及び 標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒 を含み、 上記第１溶媒が、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類又はこれらの組み合わせであり、 上記第２溶媒が、エステル類、アルコール類、カーボネート類又はこれらの組み合わせであり、 上記溶媒中の上記第１溶媒の含有率が２０質量％以上９５質量％以下であり、上記第２溶媒の含有率が５質量％以上６０質量％未満であり、 上記芳香環を有する化合物の含有量が、上記溶媒以外の成分の総和に対して８０質量％以上であることを特徴とする半導体用レジスト下層膜形成組成物。」 である点で一致し、以下の点で相違又は一応相違する。 ［相違点１］組成物が、本件特許発明１では、「多層レジストプロセスに用いられ、パターンを有する基板上に積層され、上記パターンを埋め込むために用いられるレジスト下層膜を形成するため」のものであって、「半導体用レジスト下層膜形成組成物」であるのに対し、甲１発明では、そのような用途に用いられるものであるか明らかでない点。 ［相違点２］芳香環を有する化合物が、本件特許発明１では、「ノボラック樹脂（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）、レゾール樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせ」であるとともに「上記芳香環含有化合物が構成単位を１つ有する化合物」であるのに対し、甲１発明では、樹脂３及び樹脂４が、本件特許発明１において特定されるものでない点。 ウ 本件特許発明１と甲１発明との相違点についての判断 事案に鑑みて、上記［相違点２］について検討する。 甲１の段落【０００９】には、課題を解決するための手段について、「基板とフォトレジスト膜（１）の間に設けられる組成物膜（２）を形成する樹脂組成物であって、該組成物膜（２）の露光波長に対する消衰係数が０．１５以下であり、該樹脂組成物がアルカリ水性現像液に可溶な樹脂を含有することを特徴とするイオン注入工程用の樹脂組成物。」と記載されている。また、発明を実施するための最良の形態として、段落【００２１】に、「本発明のイオン注入工程用の樹脂組成物は、基板とフォトレジスト膜（１）の間に設けられる組成物膜（２）を形成する樹脂組成物であって、該組成物膜（２）の露光波長に対する消衰係数が０．１５以下であり、該樹脂組成物はアルカリ水性現像液に可溶な樹脂（「（Ａ）成分の樹脂」と称する場合がある）を含有する。」と記載され、さらに、段落【００２２】には、（Ａ）成分の樹脂について、「アルカリ可溶性、または、好ましくは水可溶性であり、露光波長の消衰係数が０．１５以下であれば特に制限されないが、下記の特徴を有する樹脂が好ましい。」と記載されている。しかし、甲１に例示される様々な樹脂は、いずれも、上記［相違点２］に係る本件特許発明１の樹脂又は化合物に該当しない。また、上記［相違点２］に係る本件特許発明１の樹脂又は化合物であって、露光波長に対する消衰係数が０．１５以下であり、アルカリ水性現像液に可溶であるとの要件を満たすものが、本件特許が優先権主張する先の出願前において当業者に知られていたということもできない。 そうすると、甲１発明の「樹脂３」及び「樹脂４」の代わりに、上記［相違点２］に係る本件特許発明１の樹脂又は化合物を採用する動機付けがないから、当業者であっても、上記［相違点２］に係る本件特許発明１の樹脂又は化合物を採用することは容易になし得たとはいえない。 申立人は、令和６年１月５日付けの意見書において、「すなわち、ここでは、『芳香環を有する化合物』が樹脂ではなく、『構造単位を１つ有する化合物である』から甲１とは違うと主張しており、上記定義に矛盾するものであり、何を言っているのか不明である。」（第４頁第５～７行）と主張している。 しかし、本件特許発明１は、「芳香環を有する化合物」が、「ノボラック樹脂（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）、レゾール樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせ」であると特定するとともに、「分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物」を「構成単位を１つ有する化合物である」と定義するものと理解できるものであり、何ら不明確な点はない。そして、甲１発明の「樹脂３」及び「樹脂４」が、本件特許発明１の「芳香環を有する化合物」に該当しないことも明らかである。したがって、申立人の上記主張は採用できない。 また、申立人は、令和６年１月５日付けの意見書において、「本件特許において、芳香環を有する化合物を限定したり、除くクレームとしてみても、そこに技術的意義は全くなく、訂正の前後で発明の技術思想としては全く同じものであるに過ぎない。…したがって、この訂正は甲第１号証、甲第２号証の発明との違いにはなり得ない。」（第４頁最終行～第５頁第５行）、「今回の訂正は、そもそも本件発明は甲第１号証および甲第２号証と同じ発明であり、技術思想が同じであるところに、単に甲第１号証および甲第２号証に例示された化合物を除いただけで、訂正前後で本発明の技術思想は甲第１号証及び甲第２号証と同じである。したがって、審査基準通り、本件訂正後の発明は、進歩性が認められないので取り消されるべきものである。」（第５頁第１６～２０行）と主張している。 しかし、本件特許発明１と甲１発明とを対比すると、前記イに記載したとおり、［相違点２］において相違する。申立人の当該主張は、独自の見解を述べるものであり、採用することができない。 さらに、申立人は、令和６年１月５日付けの意見書において、「すなわち、当該技術分野において、芳香環を有する化合物が、『構造単位を１つ有する化合物』であることは特徴とはなり得ない。」（第６頁下から４行～下から３行）と主張している。 しかし、すでに検討したとおり、甲１発明は、課題を解決するための手段として、「露光波長に対する消衰係数が０．１５以下であり、該樹脂組成物がアルカリ水性現像液に可溶な樹脂」を要するものである。申立人が指摘する甲５の請求項１に記載された化合物は、甲１発明の課題解決手段となり得るものではない。そうすると、すでに述べたとおり、甲１発明において、甲５に記載された化合物を採用する動機付けがあるとはいえない。したがって、申立人の当該主張を採用することはできない。 以上のとおりであるから、本件特許発明１は、当業者が、甲１発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 エ 本件特許発明２～１１と甲１発明との対比・判断 本件特許発明２～１１は、本件特許発明１に、限定を付加した発明に該当する。そうすると、本件特許発明２～１１は、本件特許発明１と同じ理由により、いずれも、当業者が、甲１発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （２）甲２を主引用例とする取消理由ア 甲２発明 甲２の段落【０１０６】～【０１０８】、【０１１６】の記載に基づけば、甲２には、実施例２に係る発明として、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「下記に示した重合性化合物を、それぞれ、下記に示した第一の溶剤および第二の溶剤で希釈して、重合性化合物の固形分が０．１質量％となるように調製し、これを０．１μｍのＰＴＦＥフィルターでろ過して得た、下層膜の形成に用いる組成物。 重合性化合物 Ａ２：新中村化学工業社製ＮＫオリゴＥＡ－７１２０／ＰＧＭＡｃ （クレゾールノボラック型エポキシアクリレート）０．１ 質量％ 第一の溶剤 Ｓ６：乳酸ブチル、沸点１８５℃ ９．９９質量％ 第二の溶剤 Ｓ２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、 沸点１４６℃ ８９．９１質量％」 イ 本件特許発明１と甲２発明との対比 本件特許発明１と甲２発明とを対比する。 （ア）半導体用レジスト下層膜形成組成物 甲２発明の「組成物」と本件特許発明１の「レジスト下層膜を形成するための半導体用レジスト下層膜形成組成物」とは、「組成物」である点で共通する。 （イ）溶媒 甲２発明の「第一の溶剤および第二の溶剤」は、重合性化合物を希釈するものである。そうすると、甲２発明の「第一の溶剤および第二の溶剤」は、本件特許発明１の「溶媒」に相当する。 また、甲２発明の「第二の溶剤」である「Ｓ２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」の沸点は、「１４６℃」である。そして、甲２の段落【００５１】の記載に基づけば、当該沸点は、「１気圧における沸点」であるといえる。そうすると、甲２発明の「第二の溶剤」である「Ｓ２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」は、本件特許発明１の「標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒」に相当し、本件特許発明１の「上記第１溶媒が、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類又はこれらの組み合わせであり、」とする要件を満たしている。そして、甲２発明は、「８９．９１質量％」の第二の溶剤及び「９．９９質量％」の第一の溶剤からなるものであるから、全溶媒中の第二の溶剤の含有率は、９０％（＝８９．９１質量％÷（８９．９１質量％＋９．９９質量％））となる。したがって、甲２発明は、本件特許発明１の「上記溶媒中の上記第１溶媒の含有率が２０質量％以上９５質量％以下であり」とする要件を満たしている。 さらに、甲２発明の「第一の溶剤」である「Ｓ６：乳酸ブチル」の沸点は、「１８５℃」である。そして、甲２の段落【００４９】の記載に基づけば、当該沸点も、「１気圧における沸点」であるといえる。そうすると、甲２発明の「第一の溶剤」である「Ｓ６：乳酸ブチル」は、本件特許発明１の「標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒」に相当する。また、「乳酸ブチル」は、その化学構造から、「エステル」結合を有する化合物であるから、本件特許発明１の「上記第２溶媒が、エステル類、アルコール類、カーボネート類又はこれらの組み合わせであり」とする要件を満たしている。そして、甲２発明は、「９．９９質量％」の第一の溶剤及び「８９．９１質量％」の第二の溶剤からなるものであるから、全溶媒中の第一の溶剤の含有率は、１０％（＝９．９９質量％÷（８９．９１質量％＋９．９９質量％））となる。したがって、甲２発明は、本件特許発明１の「上記第２溶媒の含有率が５質量％以上６０質量％未満であり」とする要件を満たしている。 （ウ）芳香環を有する化合物 甲２発明の「Ａ２：ＮＫオリゴＥＡ－７１２０」は、「クレゾールノボラック型エポキシアクリレート」であり、その名称から見て、芳香環を有するオリゴマーであるといえる。また、甲２発明の「Ａ２：ＮＫオリゴＥＡ－７１２０」は、溶媒ではなく、ポリシロキサンでもない。そうすると、甲２発明の「Ａ２：ＮＫオリゴＥＡ－７１２０」は、本件特許発明１の「上記溶媒以外の芳香環を有する化合物（但し、ポリシロキサンを除く。）」に相当する。 また、甲２発明は、「Ａ２：ＮＫオリゴＥＡ－７１２０」及び「第一の溶剤および第二の溶剤」以外の添加剤を含んでいない。そうすると、甲２発明は、本件特許発明１の「上記芳香環を有する化合物の含有量が、上記溶媒以外の成分の総和に対して８０質量％以上であり」とする要件を満たしている。 （エ）一致点及び相違点 以上より、本件特許発明１と甲２発明とは、 「 組成物であって、 溶媒と、 上記溶媒以外の芳香環を有する化合物（但し、ポリシロキサンを除く。）と を含有し、 上記溶媒が、 標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒、及び 標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒 を含み、 上記第１溶媒が、アルキレングリコールモノアルキルエーテル類、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類又はこれらの組み合わせであり、 上記第２溶媒が、エステル類、アルコール類、カーボネート類又はこれらの組み合わせであり、 上記溶媒中の上記第１溶媒の含有率が２０質量％以上９５質量％以下であり、上記第２溶媒の含有率が５質量％以上６０質量％未満であり、 上記芳香環を有する化合物の含有量が、上記溶媒以外の成分の総和に対して８０質量％以上であることを特徴とする半導体用レジスト下層膜形成組成物。」 である点で一致し、以下の点で相違又は一応相違する。 ［相違点３］組成物が、本件特許発明１では、「多層レジストプロセスに用いられ、パターンを有する基板上に積層され、上記パターンを埋め込むために用いられるレジスト下層膜を形成するため」のものであって、「半導体用レジスト下層膜形成組成物」であるのに対し、甲２発明では、そのような用途に用いられるものであるか明らかでない点。 ［相違点４］半導体用レジスト下層膜形成組成物が、本件特許発明１では、「パターンを有する基板上に積層され、上記パターンを埋め込むために用いられる」ものであるのに対して、甲２発明では、パターンを有する基板上に積層され、上記パターンを埋め込むために用いられるものであるか明らかでない点。 ［相違点５］芳香環を有する化合物が、本件特許発明１では、「ノボラック樹脂（但し、（メタ）アクリロイル基及びエポキシ基の少なくとも一方を含むものを除く）、レゾール樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂、フラーレン樹脂、分子量が３００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせ」であるとともに「上記芳香環含有化合物が構成単位を１つ有する化合物」であるのに対し、甲２発明では、「Ａ２：ＮＫオリゴＥＡ－７１２０」は、「クレゾールノボラック型エポキシアクリレート」であり、本件特許発明１において特定されるものでない点。 ウ 本件特許発明１と甲２発明との相違点についての判断 事案に鑑みて、上記［相違点５］について検討する。 甲２の段落【０００９】には、発明が解決しようとする課題について、「基板とインプリント層の密着性に優れ、かつ、膜厚の面内均一性に優れ、かつ、欠陥密度の小さい下層膜を提供できる組成物を提供することを目的とする。」と記載されている。そして、甲２の段落【００１７】には、重合性化合物について、「本発明で用いる重合性化合物の種類は本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではなく、広く公知の化合物を採用できる。」と記載され、段落【００４６】には、「重合性化合物の分子量は、通常１０００以上であり、低分子化合物でもポリマーでもよいが、ポリマーが好ましい。より好ましくは、重合性化合物の分子量は、３０００以上であり、さらに好ましくは７５００以上である。重合性化合物の分子量の上限は、好ましくは２０００００以下であり、より好ましくは１０００００以下であり、さらに好ましくは５００００以下である。このような分子量とすることにより、重合性化合物の揮発を抑制することができる。」と記載されている。 これらの記載に基づけば、甲２には、上記［相違点５］に係る本件特許発明１の樹脂又は化合物について記載されていないものの、甲２発明の重合性化合物「Ａ２」は、広く公知の重合性化合物に置き換えることができると考えられる。 しかし、本件特許発明１は、「溶媒以外の芳香環を有する化合物」を要件としており、特定の溶媒とともに、溶媒以外の芳香環を有する化合物を用いることにより、平坦性、トレンチパターンを有する基板への埋め込み性及び溶媒耐性に優れるという効果を奏するものと理解できる。一方、甲２に記載された「重合性化合物」や、他の広く公知の重合性化合物は、必ずしも芳香環を有する化合物ではない。また、甲２には、トレンチパターンを有する基板へ下層膜を埋め込むことについての記載はなく、そのような使用方法を想定したものということもできない。そうすると、広く公知の重合性化合物の中から、上記［相違点５］に係る本件特許発明１の樹脂又は化合物を採用する動機付けがあるとはいえず、また、そのような要件を具備する樹脂又は化合物を特定の溶媒と組み合わせることにより、平坦性、トレンチパターンを有する基板への埋め込み性及び溶媒耐性に優れた組成物を得られるという効果は、甲２の記載から当業者が認識できたものともいえない。 そうすると、甲２発明の「Ａ２：新中村化学工業社製ＮＫオリゴＥＡ－７１２０」の代わりに、上記［相違点５］に係る本件特許発明１の樹脂又は化合物を採用することは、当業者であっても容易になし得たとはいえない。 申立人は、令和６年１月５日付けの意見書において、前記（１）ウに記載したとおり、様々な主張をしている。しかしながら、上記のとおり、本件特許発明１と甲２発明とは、上記［相違点４］及び［相違点５］において相違しており、同じ発明とはいえないものである。そうすると、甲２発明を引用発明とした場合においても、甲１発明を引用発明とした場合と同じことが言える。したがって、申立人の主張は、いずれも採用することができない。 以上のとおりであるから、本件特許発明１は、当業者が、甲２発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 エ 本件特許発明２～１１と甲２発明との対比・判断 本件特許発明２～１１は、本件特許発明１に、限定を付加した発明に該当する。そうすると、本件特許発明２～１１は、本件特許発明１と同じ理由により、いずれも、当業者が、甲２発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。 （３）まとめ 以上のとおり、取消理由通知に記載した取消理由は、全て解消した。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の概要 申立人は、特許異議申立書の３（４）ウ（ウ）、（エ）、（オ）、及び、（カ）において、訂正前の特許請求の範囲の請求項１～１１について、以下の甲第３号証～甲第６号証をそれぞれ主引用発明として、当業者が容易に発明できたものであるから、進歩性が無く特許法第２９条第２項の規定により取り消されるべきものと主張している。 また、申立人は、特許異議申立書の３（４）エにおいて、訂正前の特許請求の範囲の請求項１～１１について、特許法第３６条第６項第２号の要件を具備していないと主張してる。 甲第１号証：特開２００９－９８６５１号公報 甲第２号証：特開２０１４－１８９６１６号公報 甲第３号証：特開２００５－２９２５２８号公報 甲第４号証：特開２０１３－２２８７０２号公報 甲第５号証：特開２０１６－６０８８６号公報 甲第６号証：国際公開第２０１４／００７０７９号 ２ 当合議体の判断 （１）甲第３号証を主引用発明とする進歩性 本件特許発明１は、溶媒として、「標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒」及び「標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒」を含むことを要件としている。 一方、甲第３号証に記載された発明は、（Ａ）有機ポリマーと（Ｂ）有機溶媒とを含有するレジスト下層膜形成組成物であって、（Ｂ）有機溶媒が沸点１６０℃以上であるというものである。（Ａ）有機ポリマーについて、段落【００１６】に「得られる被膜が前記所定の重量減少率（３００℃）および重量減少率（４２０℃）を有する限り特に限定されるものでない…」と記載され、段落【００１７】に、「芳香族成分の含有率が、好ましくは２０重量％以下、特に好ましくは１５重量％以下であることが望ましい。この場合、（Ａ）有機ポリマー中の芳香族成分の含有率が２０重量％を越えると、重量減少率（４２０℃）が小さくなり、十分な熱分解性が得られないおそれがある。」と記載されている。また、（Ｂ）有機溶媒について、甲第３号証には、段落【００２１】に、「（Ａ）有機ポリマーおよび後述する添加剤を溶解し、適度の揮発性を有する限り、特に限定されるものではない…」と記載されており、段落【００２５】に「本発明においては、（Ｂ）有機溶媒と相溶する沸点１６０℃未満の有機溶媒の１種以上を併用することができる。」と記載され、段落【００２６】に「（Ｂ）有機溶媒の使用量は、得られる組成物の２０重量％以上、好ましくは２０～９９．９重量％、特に好ましくは３０～９９重量％である。この場合、（Ｂ）有機溶媒の使用量を２０重量％以上とすることにより、レジスト下層膜形成組成物を基板に塗布して乾燥する過程で、（Ａ）有機ポリマーが十分な流動性を維持でき、下地基板のギャップを均質に充填して平坦化することができる。」と記載されている。 しかし、甲第３号証には、（Ａ）有機ポリマーとして、芳香族成分を含有したことによる効果についての記載がなく、芳香族成分を含有する実験例もない。また、（Ｂ）有機溶媒についても、沸点の異なる溶媒を併用することの作用効果についての記載がなく、沸点の異なる溶媒を併用した実験例もない。そうすると、甲第３号証の記載からは、溶媒以外の芳香環を有する化合物と、標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒、及び、標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒とを組み合わせたことによる、本件特許発明１の効果を予測できたということができない。 したがって、甲第３号証に記載された発明を主引用発明とした場合において、当業者であっても、本件特許発明１を容易に発明できたとは言えない。本件特許発明２～１１についても同様である。 （２）甲第４号証を主引用発明とする進歩性 本件特許発明１は、「溶媒以外の芳香環を有する化合物（但し、ポリシロキサンを除く。）」を含むことを要件としている。 一方、甲第４号証の特許請求の範囲及び課題を解決するための手段として記載された段落【０００７】の記載に基づけば、甲第４号証に記載された発明は、「［Ａ］ポリシロキサン」を必須の要件とするものである。 そうすると、本件特許発明１と甲第４号証に記載された発明とを対比した場合、少なくとも、甲第４号証に記載された発明が、本件特許発明１における「溶媒以外の芳香環を有する化合物（但し、ポリシロキサンを除く。）」を含むとする要件を満たすものでない点で相違する。そして、甲第４号証に記載された発明において、「［Ａ］ポリシロキサン」は、必須の要件とされているのであるから、ポリシロキサンを除くことに阻害要因があることは明らかである。 したがって、甲第４号証に記載された発明を主引用発明とした場合において、当業者であっても、本件特許発明１を容易に発明できたとは言えない。本件特許発明２～１１についても同様である。 （３）甲第５号証を主引用発明とする進歩性 本件特許発明１は、溶媒として、「標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒」及び「標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒」を含むことを要件としている。 一方、甲第５号証に記載された発明は、「「［Ｂ］溶媒」」を含むものの、段落【００７４】に記載されるように、「［Ｂ］溶媒としては、［Ａ］化合物及び必要に応じて含有する任意成分を溶解又は分散することができれば特に限定されない。」とされている。また、沸点の異なる溶媒を併用することや、溶媒によって埋め込み性や平坦化を達成することを示唆する記載もない。そうすると、甲第５号証の記載からは、溶媒以外の芳香環を有する化合物と、標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒、及び、標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒とを組み合わせたことによる、本件特許発明１の効果を予測できたということができない。 したがって、甲第５号証に記載された発明を主引用発明とした場合において、当業者であっても、本件特許発明１を容易に発明できたとは言えない。本件特許発明２～１１についても同様である。 （４）甲第６号証を主引用発明とする進歩性 本件特許発明１は、溶媒として、「標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒」及び「標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒」を含むことを要件としている。 一方、甲第６号証には、有機溶剤を含む有機下層膜形成組成物に関する発明が記載されている。段落[0037]には化合物を溶解させる溶剤として、エチレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられており、段落[0038]には、さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の高沸点溶剤を混合して使用することができると記載されている。 しかし、甲第６号証には、標準沸点が１５６℃未満である溶剤と標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である溶剤とを含むことについて記載がなく、溶剤によって埋め込み性や平坦化を達成することを示唆する記載もない。そうすると、甲第６号証の記載からは、溶媒以外の芳香環を有する化合物と、標準沸点が１５６℃未満である第１溶媒、及び、標準沸点が１５６℃以上３００℃未満である第２溶媒とを組み合わせたことによる、本件特許発明１の効果を予測できたということができない。 したがって、甲第６号証に記載された発明を主引用発明とした場合において、当業者であっても、本件特許発明１を容易に発明できたとは言えない。本件特許発明２～１１についても同様である。 （５）明確性要件 申立人は、特許異議申立書において、「１５６℃という温度にどのような意味があるのか不明である。」、「本件発明の効果はあるのか疑問である。」、「本件請求項１は不明瞭であるから特許法第３６条第６項第２号の要件を具備しておらず、取り消されるべきものである。」（いずれも、第１１０頁）と主張している。 しかし、特許法第３６条第６項第２号は、特許を受けようとする発明が明確であることを、要件して定めたものである。本件特許発明１は、第１溶媒について「標準沸点が１５６℃未満」であると規定し、第２溶媒について「標準沸点が１５６℃以上３００℃未満」であると定めている。また、本件特許の段落【００１１】において、「標準沸点」とは、１気圧における沸点であることが定義されている。そうすると、その構成要件である第１溶媒及び第２溶媒の範囲について明確に記載されているといえる。また、他に本件特許発明１が明確でないという事情は見当たらない。 申立人は、１５６℃という温度の意味が不明であることや、効果があるのか疑問であることを主張するものの、特許法第３６条第６項第２号が規定する特許を受けようとする発明が明確であることとの関連がなく、また、主張の根拠も明らかにしていない。したがって、申立人の主張を採用することはできない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許発明１～１１に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許発明１～１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。