2023-700647

特許第７１９４１９８号発明「光源装置および照明装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１９４１９８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１０〕について訂正することを認める。 特許第７１９４１９８号の請求項１～１０に係る特許を取り消す。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１９４１９８号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１０に係る特許についての出願は、２０１９年（令和１年）１１月２２日（パリ条約による優先権主張 ２０１８年（平成３０年）１１月２６日（以下「優先日」という。）、日本国）を国際出願日とする特許出願であって、令和４年１２月１３日にその特許権の設定登録がされ、同年１２月２１日に特許掲載公報が発行された。 本件特許の請求項１～１０に係る特許についての特許異議の申立ての経緯は以下のとおりである。 令和５年 ６月１９日 特許異議申立人 中石 幸明（以下「申立人 Ａ」という。）により特許異議の申立て 同年 ６月２０日 特許異議申立人 武部 みさ子（以下「申立 人Ｂ」という。）により特許異議の申立て 同年 ８月 ９日 申立人Ｂにより手続補正書（方式） 同年 ９月２５日付け 取消理由通知 同年１１月２７日 特許権者より訂正請求・意見書 同年１２月２７日 申立人Ａより意見書 令和６年 ２月２２日付け 取消理由通知（決定の予告） 同年 ４月２６日 特許権者より訂正請求・意見書 同年 ６月１０日 申立人Ｂより意見書 同年 ６月１２日 申立人Ａより意見書 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和６年４月２６日の訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）による訂正の内容は以下の訂正事項１のとおりである（下線部は、訂正箇所を示し、当審で付与した。）。 なお、令和５年１１月２７日の訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げされたものとみなす。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、 該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材と、 指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備えた光源装置であって、 前記第１面および前記第２面とサファイアのｃ軸とのなす角は、８０°よりも大きく、 前記第２面に入射する前記第１励起光は、前記第２面に対して斜めに入射し、 前記ｃ軸と前記第２面に入射する前記第１励起光の光軸とのなす角は、２０°以上であり、 前記ｃ軸と、前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する励起光の光軸とのなす角が０°以上２０°未満である他の励起光源を有していない光源装置。」 と記載されているのを、 「対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、 該サファイア板の前記第１面に対向して位置する（但し、発光ダイオード素子を挟んで前記第１面に対向して位置する場合を除く）波長変換材と、 指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備えた光源装置であって、 前記第１面および前記第２面とサファイアのｃ軸とのなす角は、８０°よりも大きく９０°以下（但し、８９°を超え９０°以下の範囲を除く）であり、 前記第２面に入射する前記第１励起光は、前記第２面に対して斜めに入射し、 前記ｃ軸と前記第２面に入射する前記第１励起光の光軸とのなす角は、２０°以上であり、 前記ｃ軸と、前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する励起光の光軸とのなす角が０°以上２０°未満である他の励起光源を有していない光源装置。」 に訂正する（請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２～１０も同様に訂正する。）。 （２）一群の請求項についての説明 訂正前の請求項１～１０について、請求項２～１０は、訂正の請求の対象である請求項１を直接又は間接的に引用する関係にあるから、本件訂正は、一群の請求項１～１０について請求されている。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正の目的について 訂正事項１は、「該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材」を、「該サファイア板の前記第１面に対向して位置する（但し、発光ダイオード素子を挟んで前記第１面に対向して位置する場合を除く）波長変換材」と限定することによって、訂正前の請求項１の記載を減縮しようとするものである。 また、訂正事項１は、「前記第１面および前記第２面とサファイアのｃ軸とのなす角は、８０°よりも大きく」を「前記第１面および前記第２面とサファイアのｃ軸とのなす角は、８０°よりも大きく９０°以下（但し、８９°を超え９０°以下の範囲を除く）であり」と限定することによって、訂正前の請求項１の記載を減縮しようとするものである。 したがって、当該訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （２）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「特許明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてした訂正であること 上記訂正事項１において、「該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材」を、「該サファイア板の前記第１面に対向して位置する（但し、発光ダイオード素子を挟んで前記第１面に対向して位置する場合を除く）波長変換材」と訂正したのは、いわゆる除くクレームに訂正するものである。 また、「前記第１面および前記第２面とサファイアのｃ軸とのなす角は、８０°よりも大きく」とあるのを「前記第１面および前記第２面とサファイアのｃ軸とのなす角は、８０°よりも大きく９０°以下（但し、８９°を超え９０°以下の範囲を除く）であり」と訂正したのは、段落【００１４】の記載を根拠に、上限を９０°に限定した上で、「８９°を超え９０°以下の範囲を除く」と、いわゆる除くクレームに訂正するものである。 したがって、当該訂正事項１は、特許明細書等に記載した範囲内においてした訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （３）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記（１）の理由から明らかなように、上記訂正事項１は、発明特定事項を減縮するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項１による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ３ 訂正請求についてのむすび 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とし、かつ、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 したがって、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１０〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 上記「第２」で述べたとおり、本件訂正は認められるので、本件訂正請求により訂正された請求項１～１０に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明１０」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、 該サファイア板の前記第１面に対向して位置する（但し、発光ダイオード素子を挟んで前記第１面に対向して位置する場合を除く）波長変換材と、 指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備えた光源装置であって、 前記第１面および前記第２面とサファイアのｃ軸とのなす角は、８０°よりも大きく９０°以下（但し、８９°を超え９０°以下の範囲を除く）であり、 前記第２面に入射する前記第１励起光は、前記第２面に対して斜めに入射し、 前記ｃ軸と前記第２面に入射する前記第１励起光の光軸とのなす角は、２０°以上であり、 前記ｃ軸と、前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する励起光の光軸とのなす角が０°以上２０°未満である他の励起光源を有していない光源装置。 【請求項２】 前記ｃ軸と前記第２面に入射する前記第１励起光の光軸とのなす角は、４０°以上である請求項１に記載の光源装置。 【請求項３】 前記第２面に対する前記第１励起光の入射角は、７５°以下である請求項１または請求項２に記載の光源装置。 【請求項４】 前記第２面に対する前記第１励起光の入射角は、５５°以下である請求項３に記載の光源装置。 【請求項５】 指向性を有する第２励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第２励起光源をさらに備え、前記第１励起光と前記第２励起光とは、少なくとも一部が前記波長変換材で重なる請求項１～４のいずれかに記載の光源装置。 【請求項６】 前記ｃ軸と前記第２面に入射する前記第１励起光の光軸とのなす角と、前記ｃ軸と前記第２面に入射する前記第２励起光の光軸とのなす角は、異なっている請求項５に記載の光源装置。 【請求項７】 前記第２面に垂直な方向から見たとき、 前記第２面に入射する前記第１励起光の光軸と 前記第２面に入射する前記第２励起光の光軸とのなす角度が８０°以上１００°以下である請求項５または６に記載の光源装置。 【請求項８】 前記サファイア板と前記波長変換材との間に、前記励起光を透過し、前記波長変換材から出射する波長変換光を反射する、ダイクロイック膜を備える、請求項１～７のいずれかに記載の光源装置。 【請求項９】 前記サファイア板の前記第２面に、前記励起光の反射率を低減させる、反射防止膜を備える、請求項１～８のいずれかに記載の光源装置。 【請求項１０】 請求項１～９のいずれかに記載の光源装置と、導光部材とを備えた照明装置。」 第４ 取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 訂正前の請求項１～１０に係る特許に対して、当審が令和６年２月２２日付けの取消理由通知（決定の予告）で特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 （進歩性）本件特許の請求項１～１０に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、その発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 記 ・請求項 １～７ ・引用文献 １、２、６、７ ・請求項 ８ ・引用文献 １、２、４、６～８ ・請求項 ９、１０ ・引用文献 １、２、４～８ 引用文献等一覧 １．特開２０１３－１６５６５号公報（申立人Ａの提出した甲第５号証） ２．特開２００５－６４４９２号公報（申立人Ａの提出した甲第８号証）（周知技術を示す文献） ３．特開２００５－２３５９６０号公報（申立人Ａの提出した甲第９号証）（決定の予告では不使用） ４．国際公開第２０１７／０４３１２２号（申立人Ａの提出した甲第３号証）（周知技術を示す文献） ５．特開２０１５－２１６３８３号公報（申立人Ａの提出した甲第１１号証）（周知技術を示す文献） ６．特開２００６－３５１６４１号公報（申立人Ａの提出した甲第１３号証）（周知技術を示す文献） ７．特開２０１１－２１３５１２号公報（申立人Ａの提出した甲第１４号証）（周知技術を示す文献） ８．特表２０１６－５０８２９４号公報（申立人Ａの提出した甲第１５号証）（周知技術を示す文献） 第５ 当審による検討 １ 引用文献の記載事項、甲５発明 （１）引用文献１（甲５） ア 記載事項 ・「【技術分野】 【０００１】 本発明は、複数の発光素子を備えた発光装置に関する。」 ・「【００２６】 ［基体］ 基体１１としては、例えば、配線が設けられた実装用基板を用いることができる。また、キャビティが形成され、リードフレームと、これを一体的に保持する成形体と、を備えるパッケージでもよい。基体１１上には、発光ダイオード素子１２が設けられる。なお、発光ダイオード素子１２は、基体１１の上面に載置することにより基体１１上に直接的に設けることもできるし、基体１１の上面に載置されたサブマウントなどに載置することにより基体１１上に間接的に設けることもできる。 【００２７】 図１に示すように、基体１１は、貫通孔を有する基体であり、端面発光型素子１３の光は、基体１１の貫通孔を通って発光ダイオード素子１２の下面に入射する。この場合、基体１１としては、セラミック材、金属材、または樹脂材を用いることができる。なお、貫通孔の内壁には、光反射材を形成することができる。このようにすれば、端面発光型素子１３の光を、基体１１の吸収による光損失を抑え、発光ダイオード素子１２の下面に効率良く入射させることができる。」 ・「【００３０】 ［発光ダイオード素子］ （発光ダイオード素子の一例） 発光ダイオード素子１２としては、例えば、基板と、素子構造を構成する半導体層と、を備えたものを用いることができる。このほか、成長用基板が剥離された素子構造を構成する半導体層を発光ダイオード素子１２として用いることもできる。 【００３１】 ＜基板＞ 基板としては、透光性基板を用いることが好ましい。また、基板の厚みは、例えば、５０μｍ～２００μｍとする。なお、透光性基板は、半導体層を成長させるために用いる成長用基板であってもよいし、半導体層に貼り付けられた基板であってもよい。半導体層に基板を貼り付ける場合は、例えば、リフトオフなどにより半導体層から成長用基板を剥離する。その後、透光性の接着剤を介して、又は熱圧着や表面活性化接合などで直接的に、半導体層に基板を貼り付ければ、光を効率良く取り出しやすい。成長用基板は、例えば、サファイア基板やＧａＮ基板などを用いることができる。半導体層に貼り付けられる基板は、これらに加え、ガラス基板などを用いることができ、蛍光体を含有するものでもよい。」 ・「【００４２】 ［端面発光型素子］ （端面発光型素子と指向性） 端面発光型素子１３は、指向性のある光を端面から出射する発光素子であり、素子構造を構成する半導体層内に、光出射端面に略垂直な方向に延伸する光導波路を有する。具体的な端面発光型素子１３としては、例えば、半導体レーザ素子やスーパールミネッセンス・ダイオードなどの発光素子を用いることができる。これらを用いれば、端面発光型素子１３の光を発光ダイオード素子１２の下面に効率良く入射させることが可能となる。」 ・「【００４４】 ［発光ダイオード素子と端面発光型素子との間］ （光学部品） 発光ダイオード素子１２と端面発光型素子１３との間には、光学部品を設けることができる。このようにすれば、端面発光型素子１３から出射された光の向きを調整できるため、端面発光型素子１３の光利用効率を向上させることができる。光学部品としては、例えば、集光レンズ、フレイアレイレンズ、ロッドレンズなどを用いることができる。」 ・「【００５２】 ［蛍光体を含む波長変換部材］ 発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設けることができる。このようにすれば、発光ダイオード素子１２や端面発光型素子１３の光を波長変換することができるため、多波長化が容易になる。」 ・「【００５５】 ［複数の端面発光型素子の配置例］ 図４は、複数の端面発光型素子の配置例を示す図である。本発明の実施形態においては、複数の端面発光型素子を用いることもできる。この場合、複数の端面発光型素子１３は、垂直入射配置、すなわち、すべての端面発光型素子１３の光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸と略平行になるように配置することができるほか、図４に示すように、斜め入射配置、すなわち、各端面発光型素子１３の光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して斜めになるように、好ましくは該中心軸と交差するように配置することができる。 【００５６】 複数の端面発光型素子１３を上記した斜め入射配置で配置する場合は、各端面発光型素子１３を、それらの光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して、略回転対称つまり基体１１上面視において等配配置（例えば、２つの端面発光型素子１３を配置する場合は１８０°間隔で配置し、３つの端面発光型素子１３を配置する場合は１２０°間隔で配置）となるように配置することが好ましい。このようにすれば、発光ダイオード素子１２から取り出される端面発光型素子１３の光の配光の偏りを低減することができる。このとき、特に、複数の端面発光型素子１３を、それらの光軸が発光ダイオード素子１２内で交差するように、配置することが好ましい。また、端面発光型素子１３は、その光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して０°より大きく４５°より小さくなるように傾斜させて配置することで、発光ダイオード素子１２に光を効率良く入射でき、好ましい。 【００５７】 なお、斜め入射配置は、特に、発光波長が略同一の複数の端面発光型素子１３を配置する場合に、その波長の光の配光を広げるうえで有効である。」 ・「【００８７】 以上説明した本発明の実施例１～実施例３に係る発光装置は、複数の素子から出射する光の波長を適宜選択することにより、様々な用途に用いることができる。例えば、複数の素子から赤、緑、青の光を出射させる場合は、照明装置、液晶のバックライト、携帯ストロボ、ＣＩＳ式スキャナ、アミューズメント（パチンコ等の光装飾）、自発光ディスプレイ、投射型ディスプレイ（ピコプロジェクタ、プロジェクタ他）、網膜走査ディスプレイ等に用いることができる。」 ・図４には以下の内容が示されている。 「【図４】 ［図：0001422379000001.jpg］ 」 イ 甲５発明 引用文献１の図４及び関連する記載によれば、引用文献１には、発光ダイオード素子として、基板と半導体層を備えた（段落【００３０】）、以下の発明（以下「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。 「基体１１と、基体１１上に設けられる発光ダイオード素子１２と、光を基体１１の貫通孔を通って発光ダイオード素子１２の下面に入射する、複数の端面発光型素子１３とを備える発光装置であって、 発光ダイオード素子１２として、基板と半導体層とを備え、 前記基板は、半導体層を成長させるための成長用基板としてサファイア基板が用いられた透光性基板であり、 前記発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設け、 端面発光型素子１３は、指向性のある光を端面から出射する半導体レーザ素子等の発光素子であり、 各端面発光型素子１３の光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して０°より大きく４５°よりも小さくなるように傾斜させて配置するとともに、 ３つの端面発光型素子１３を配置する場合には、基体１１上面視において、１２０°間隔で配置した、 発光装置。」 また、段落【００５６】を参照すると、引用文献１には、さらに次の発明（以下「甲５発明２」という。）が記載されていると認められる。 「甲５発明において、複数の端面発光型素子１３を、それらの光軸が発光ダイオード素子１２内で交差するように、配置すること。」 また、段落【００５６】を参照すると、引用文献１には、さらに次の発明（以下「甲５発明３」という。）が記載されていると認められる。 「甲５発明２において、複数の端面発光型素子１３を、それらの光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して、略回転対称つまり基体１１上面視において、等配配置すること。」 また、段落【００４４】、【００８７】を参照すると、引用文献１には、さらに次の発明（以下「甲５発明４」という。）が記載されていると認められる。 「甲５発明において、発光ダイオード素子１２と端面発光型素子１３との間には、例えば、集光レンズ、フレイアレイレンズ、ロッドレンズなどの光学部品を設け、照明装置に用いること。」 （２）引用文献２（甲８） 引用文献２には、以下の事項が記載されている。 ・「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体発光素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子に関する物であり、特にその半導体発光素子が青色ＬＥＤ、紫外ＬＥＤ、白色ＬＥＤ等のＬＥＤ素子を含むＧａＮ系半導体結晶からなるものに関する。」 ・「【００２７】 前記主面は、サファイアのＣ面±２°以内、Ａ面±２°以内、Ｒ面±２°以内、Ｍ面±２°以内またはＭ面から３０°±２°以内のいずれかを満たすことが好ましい。」 ・「【００８０】 初めにＥＦＧ法によって面方位、軸方位の定まったサファイア素材を引き上げた。本実施例では特にサファイア基板１の主面１ａがＣ面となるようにしたが、主面１ａの面方位はＣ面だけでなく、Ａ面、Ｍ面、Ｒ面、Ｍ面から３０度回転した面などにも適応できる。また、これらの面から±２°以内でオフアングルしていても良い。なお、引き上げ方法は様々な方法を用いことが出来るが、特にＥＦＧ法で引き上げたサファイア基板は本発明に適している。」 （３）引用文献４（甲３） 引用文献４には、次の事項が記載されている。 ・「［００５２］ （発光部２） 図６は、発光部２の構成を示す断面図である。図６に示すように、発光部２は、蛍光体層２ａと、透光層２ｃとを備える。発光部２は、１ｍｍΦであり、かつ厚さが０．１２ｍｍの薄片形状を有する。 ・・・ ［００５９］ 本実施形態においては、レーザ光は、透光層２ｃを経由して、透光層２ｃと蛍光体層２ａとの接合面から蛍光体層２ａに入射する。また、蛍光体層２ａで発生した蛍光は、主平面２ｂから出射される。また、蛍光体層２ａと透光層２ｃとの間に、励起光（レーザ光）を透過し、かつ蛍光を反射するダイクロイックミラーが設けられることが好ましい。」 ・「［００８０］ （発光部４） 図１０の（ｂ）は、発光装置３０が備える発光部４の構成を示す断面図である。図１０の（ｂ）に示すように、発光部４は、蛍光体層２ａと、透光層２ｃとを備える。 ［００８１］ 透光層２ｃの、レーザ光源１１と対向する面、および透光層２ｃと蛍光体層２ａとの接合面には、それぞれ励起光ＡＲ（Ａｎｔｉ－Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）コート４ａ・４ｂが施されている。励起光ＡＲコート４ａ・４ｂは、レーザ光源１１から出射されるレーザ光の波長領域において、低い反射率を示すコート層である。このため、レーザ光源１１から出射されたレーザ光は、これらの面でほとんど反射されることなく、蛍光体層２ａへ入射する。」 ・図６には、次の図が示されている。 「［図６］ ［図：0001422379000002.jpg］ 」 ・図１０（ｂ）には、次の図が示されている。 「［図１０］ ［図：0001422379000003.jpg］ 」 （４）引用文献５（甲１１） 引用文献５には、次の事項が記載されている。 ・「【００５１】 蛍光体１１は、蛍光体粒子として媒体１０の内部に分散されている。蛍光体１１は、光入射面１０ｆ１に入射した励起光を受けて蛍光を放射する。蛍光体１１は、光入射面１０ｆ１に入射した青色光によって励起され、青色光を黄色光に変換して放射する。 ・・・ 【００５８】 光透過部材１５は、波長選択反射膜１３の外側（媒体１０と対向する面とは反対側）の面に接して配置されている。光透過部材１５は、励起光を透過する。また、光透過部材１５の熱伝導率は、波長選択反射膜１３の熱伝導率よりも大きくなっている。光透過部材１５の形成材料としては、例えばサファイアを用いることができる。 【００５９】 反射防止膜１６は、光透過部材１５の外側（波長選択反射膜１３と対向する面とは反対側）の面に設けられている。これにより、光透過部材１５に入射する励起光の反射を抑制することができる。」 ・図２には、次の図が示されている。 「【図２】 ［図：0001422379000004.jpg］ 」 （５）引用文献６（甲１３） 引用文献６には、次の事項が記載されている。 ・「【技術分野】 【０００１】 本発明は、発光ダイオード（以下ＬＥＤ）、半導体レーザー（以下ＬＤ）の製造に用いられるＩＩＩ族窒化物半導体基板、特に青色から紫外光発光デバイスの製造に用いられるＩＩＩ族窒化物半導体基板に関する。」 ・「【００２５】 具体的には、図２に示すＨＶＰＥ装置３０の反応管４０内の基板ホルダ４１に、単結晶基板２０をセットする。単結晶基板２０としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ等により構成された基板を用いることができる。通常はＡｌ２Ｏ３により構成されているサファイア基板が安価で品質がよく、また、良質の窒化物エピタキシャル層が経験的に得られることから選択される。面方位は（０００１）ｃ面，（１１－２０）ａ面、（１０－１０）ｍ面で、オフアングルは０°以上１０°以下である面が、品質面や後のデバイス作製で有利であるため選択される。好ましくは面方位として（０００１）ｃ面、オフアングルは０°以上１°以下が、デバイス作製に一般に使用されていることから好ましい。本実施形態においては、サファイア基板を用いた場合で説明するが、以下の内容に限定されるものではない。」 （６）引用文献７（甲１４） 引用文献７には、次の事項が記載されている。 ・「【０００１】 本発明は、窒化ガリウム系半導体基板の製造方法に関し、より詳細には窒化ガリウム系半導体基板のピットを埋める方法に関するものである。」 ・「【００３４】 （成長基板） 成長基板１０は、窒化ガリウム系半導体のエピタキシャル成長が可能なものであればよい。窒化ガリウム系半導体の割れやクラックを防止するためには、成長基板１０の大きさは直径２インチ以上４インチ以下が好ましく、厚さは０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましい。窒化ガリウム系半導体の成長基板１０の具体的な材料としては、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のほか、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃ）、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ダイヤモンドなどが挙げられる。このような窒化物半導体と異なる材料からなる異種基板においては、Ｃ面（０００１）を主面とするサファイア基板を使用することが好ましい。このほか、ＧａＮやＡｌＮ、ＡｌＧａＮ等の窒化物半導体基板を用いてもよい。また、成長基板１０は、窒化ガリウム系半導体の成長面となる主面がオフアングルしたものでもよい（例えば、サファイアＣ面で０．０１°以上３．０°以下）。 （７）引用文献８（甲１５） 引用文献８には、次の事項が記載されている。 ・「【００７１】 ｃ．図８の蛍光体層６４を形成するように、１つ以上の蛍光体がタイル６０の上にディスペンスされ得る（ステップ７８）。蛍光体層６４とタイル６０との間に、必要に応じて、例えばダイクロイックフィルタなどの光学機構層６２が置かれ得る。必要に応じて、調整ステップ８０を用いて、蛍光体の寄与を考慮に入れてＬＥＤの色点を補正することができる。例えば、タイル６０の上に赤色放出蛍光体層６４をインテグレーションすることによって、３０００Ｋの色温度を持つ暖白色ＬＥＤを製造し得る。」 ・「【００８１】 図１０は、例えばダイクロイックフィルタ層及び白色光を作り出すための赤色蛍光体層などの、光学機構層１０８及び蛍光体層１１０を示している。フィルタ層は、ＬＥＤによる赤色光の吸収を回避するよう、蛍光体層１１０からの赤色光を反射し得るが、より短波長の光が通過することを可能にする。」 ・図８には、次の図が示されている。 「【図８】 ［図：0001422379000005.jpg］ 」 ・図１０には、次の図が示されている。 「【図１０】 ［図：0001422379000006.jpg］ 」 ２ 本件発明１について （１）対比 ア 本件発明１と甲５発明とを対比すると、後者の「サファイア基板」は前者の「サファイア板」に相当し、以下同様に、「波長変換部材」は「波長変換材」に、「半導体レーザ素子」である「端面発光型素子１３」は「第１励起光源」又は「他の励起光源」に、「発光装置」は「光源装置」に、それぞれ相当する。 上記相当関係を踏まえると以下のことがいえる。 イ 後者の「サファイア基板」は基板であるから、前者の「対向する第１面と第２面とを有するサファイア板」に相当する。 ウ 後者は「発光ダイオード素子１２として、基板と半導体層とを備え、前記基板は、半導体層を成長させるための成長用基板としてサファイア基板が用いられた透光性基板であり、前記発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設け」るものであり、後者の「波長変換部材」は「サファイア基板」の第１面に対向して位置するといえるから、前者の「該サファイア板の前記第１面に対向して位置する（但し、発光ダイオード素子を挟んで前記第１面に対向して位置する場合を除く）波長変換材」とは「該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材」において共通する。 エ 後者における「端面発光型素子１３は、指向性のある光を端面から出射する半導体レーザ素子等の発光素子であ」って、「発光ダイオード素子１２として、基板と半導体層とを備え、前記基板は、半導体層を成長させるための成長用基板としてサファイア基板が用いられた透光性基板であり、前記発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設け」るから、上記イ、ウの相当関係を踏まえると、後者の「発光装置」は、前者の「指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備えた光源装置」に相当する。 オ 後者の「各端面発光型素子１３の光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して０°より大きく４５°よりも小さくなるように傾斜させて配置する」ことは、発光ダイオード素子１２の中心軸はサファイア基板の第２面に垂直であるから、前者の「前記第２面に入射する前記第１励起光は、前記第２面に対して斜めに入射する」ことに相当する。 カ そうすると、両者は、 「対向する第１面と第２面とを有するサファイア板と、 該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材と、 指向性を有する第１励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第１励起光源とを備えた光源装置であって、 前記第２面に入射する前記第１励起光は、前記第２面に対して斜めに入射する、 光源装置。」 において一致し、以下の点において相違すると認められる。 ＜相違点１＞ 波長変換材について、本件発明１では「該サファイア板の前記第１面に対向して位置する（但し、発光ダイオード素子を挟んで前記第１面に対向して位置する場合を除く）波長変換材」であるのに対し、甲５発明では、「発光ダイオード素子１２として、基板と半導体層とを備え、前記基板は、半導体層を成長させるための成長用基板としてサファイア基板が用いられた透光性基板であり、前記発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設け」たものである点。 ＜相違点２＞ 本件発明１では、「前記第１面および前記第２面とサファイアのｃ軸とのなす角は、８０°よりも大きく９０°以下（但し、８９°を超え９０°以下の範囲を除く）であり、」「前記ｃ軸と前記第２面に入射する前記第１励起光の光軸とのなす角は、２０°以上であり、前記ｃ軸と、前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する励起光の光軸とのなす角が０°以上２０°未満である他の励起光源を有していない」のに対して、甲５発明では、「発光ダイオード素子１２として、基板と半導体層とを備え、前記基板は、半導体層を成長させるための成長用基板としてサファイア基板が用いられた透光性基板であり、前記発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設け、端面発光型素子１３は、指向性のある光を端面から出射する半導体レーザ素子等の発光素子であり、各端面発光型素子１３の光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して０°より大きく４５°よりも小さくなるように傾斜させて配置するとともに、３つの端面発光型素子１３を配置する場合には、基体１１上面視において、１２０°間隔で配置した」ものの、サファイア基板の第１面及び第２面や、端面発光型素子１３（半導体レーザ素子）の光軸２のそれぞれの、サファイア基板のｃ軸とのなす角について特定されていない点。 （２）相違点の判断 ア 相違点１の検討 甲５発明における「発光ダイオード素子１２として、基板と半導体層とを備え、前記基板は、半導体層を成長させるための成長用基板としてサファイア基板が用いられた透光性基板であり、前記発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設け」の構成が、相違点１に係る「該サファイア板の前記第１面に対向して位置する波長変換材」の構成に対応することは、上記（１）ウで説示したとおりである。 そして、相違点１に係る「（但し、発光ダイオード素子を挟んで前記第１面に対向して位置する場合を除く）」との特定について検討するに、甲５発明の「発光ダイオード素子１２として、基板と半導体層とを備え、前記基板は、半導体層を成長させるための成長用基板としてサファイア基板が用いられた透光性基板であり、前記発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設け」た構成における、発光ダイオード素子１２とサファイア基板の関係を確認すると、発光ダイオード素子１２はサファイア基板と半導体層を備えたものであって、サファイア基板は、発光ダイオード素子１２の一部である。そうすると、サファイア基板と発光ダイオード素子１２の上面に設けられた波長変換部材は、半導体層を挟んで対向するものではあるが、発光ダイオード素子１２を挟んで対向するものとはいえない。 してみれば、本件発明１は、「（但し、発光ダイオード素子を挟んで前記第１面に間接的に接触している場合を除く）」との特定を含むものの、上記のとおり、甲５発明は、サファイア基板と波長変換部材との間に発光ダイオード素子を挟むものではないから、この特定によっては、甲５発明の上記構成は除かれていない。 したがって、相違点１については、実質的な相違点ではない。 なお、甲５の段落【００３０】には、「このほか、成長用基板が剥離された素子構造を構成する半導体層を発光ダイオード素子１２として用いることもできる。」との記載もある。仮に、このような成長用基板が剥離された発光ダイオード素子１２を用いた場合は、甲５発明における上記構成を「発光ダイオード素子１２として、半導体層を備え、前記発光ダイオード素子１２の上面には、蛍光体を含む波長変換部材を設け」たものとしたサファイア基板を用いない発明、すなわち、上記１（１）イで認定した甲５発明とは異なる発明が認定されるだけにすぎず、サファイア基板を用いた甲５発明に基づく、上記判断を左右するものではない。 イ 相違点２の検討 甲５発明には、サファイア基板のｃ軸については、特定されていないが、半導体層を成長させるための成長用基板として、オフアングル（例えば、±２°以内、又は、０°以上１０°以下、又は、０．０１°以上３．０°以下）したＣ面を主面とするサファイア基板を用いることは、従来周知の事項である（必要があれば、引用文献２（甲８）の段落【０００１】、【００２７】、【００８０】の記載や引用文献６（甲１３）の段落【０００１】、【００２５】の記載や引用文献７（甲１４）の段落【０００１】、【００３４】を参照のこと。）。 そうすると、甲５発明のサファイア基板もまた、オフアングル（例えば、±２°以内、又は、０°以上１０°以下、又は、０．０１°以上３．０°以下）したＣ面を主面としているか、仮にそうでなくとも、オフアングル（例えば、±２°以内、又は、０°以上１０°以下、又は０．０１°以上３．０°以下）したＣ面を主面とすることは当業者であれば自然に想起し得ることである。なお、ｃ軸はＣ面と垂直であるから、この場合には、第１面及び第２面とｃ軸とのなす角は、「８０°よりも大きく９０°以下（但し、８９°を超え９０°以下の範囲を除く）」の範囲を含むものである。 そして、甲５発明において、オフアングルしていないサファイア基板のＣ面が主面であれば、第１面及び第２面とサファイア基板を構成するサファイアのｃ軸とのなす角は、９０°（垂直）であり、ｃ軸と第１励起光の光軸とのなす角は、０°より大きく４５°より小さくなるが、オフアングルを考慮すると、この角はさらに最大で１０°の変位が生じることになるから、ｃ軸と第１励起光の光軸のなす角は０°より大きく５５°より小さくなるとともに、ｃ軸と第２面及び第１面を通じて波長変換材に出射する励起光の光軸とのなす角が、０°より大きく５５°より小さい他の励起光源のみを有していることになる。このとき、「０°より大きく５５°より小さい」ことは、「２０°以上」と少なくとも「２０°以上５５°より小さい」ことで重なるものであって、前記ｃ軸と前記光軸とのなす角を「２０°以上」とすることは、設計的事項にすぎない。 したがって、甲５発明において、相違点２に係る本件発明１の構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。 ウ 作用効果について 本件発明１の効果について検討しても、甲５発明及び上記周知の事項から予測されるものから格別のものがあるとはいえない。 （３）小括 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲５発明及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ３ 本件発明２について 本件発明２と甲５発明を対比すると、相違点１で相違するとともに、上記相違点２に関して、本件発明２は、「前記ｃ軸と前記第２面に入射する前記第１励起光の光軸とのなす角は、４０°以上である」ことをさらに限定している点で、甲５発明と相違（以下「相違点２’」という。）し、その余の点で一致する。 相違点１については、既に検討したとおりである。 相違点２’の、相違点２よりさらに限定した点について検討する。 甲５発明の発光ダイオード素子１２に備えた成長用基板としてのサファイア基板を、Ｃ面を主面とすることにより、前記ｃ軸と前記第１励起光の光軸とのなす角は「０°より大きく４５°より小さ」くなって、オフアングルを考慮すると、ｃ軸と第１励起光の光軸のなす角は０°より大きく５５°より小さくなることは、上記相違点２で説示したとおりである。そして、相違点２’に係る「４０°以上」とは、「４０°以上５５°未満」で重なるものであって、前記ｃ軸と前記第１励起光の光軸とのなす角を「４０°以上」とすることは、設計的事項にすぎない。 そうすると、本件発明２は、甲５発明及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ４ 本件発明３及び４について 本件発明４について、まず検討する。 本件発明４と甲５発明を対比すると、甲５発明における「各端面発光型素子１３の光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して０°より大きく４５°より小さ」いことは、発光ダイオード素子１２の基板であるサファイア基板の表面に対する入射角も０°より大きく４５°より小さいことになるから、本件発明４の「前記第２面に対する前記第１励起光の入射角は５５°以下である」ことに相当する。 してみれば、本件発明４と甲５発明は、相違点１、２で相違し、その余の点で一致する。 相違点１、２については、既に検討したとおりである。 そうすると、本件発明４は、甲５発明及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 そして、本件発明４は、本件発明３の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものであることを踏まえると、同様の理由で、本件発明３も、甲５発明及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ５ 本件発明５について 本件発明５と甲５発明２を対比する。 甲５発明２の「複数の端面発光型素子１３」のうちの１つが上記２（１）ア、エの相当関係における「第１励起光源」に相当し、それ以外の１つが、本件発明５の「指向性を有する第２励起光を前記第２面を通じて前記波長変換材に出射する第２励起光源」に相当する。 また、甲５発明２の「それらの光軸が発光ダイオード素子１２内で交差するように、配置する」構成は、本件発明５の「前記第１励起光と前記第２励起光とは、少なくとも一部が前記波長変換材で重なる」構成と、「前記第１励起光と前記第２励起光とは、少なくとも一部が重なる」構成で共通する。 そうすると、両者は、相違点１、２に加え、さらに次の点で相違し、その余の点で一致する。 ＜相違点３＞ 前記第１励起光と前記第２励起光とは、少なくとも一部が重なることについて、本件発明４は「少なくとも一部が前記波長変換材」で重なるのに対し、甲５発明２では「少なくとも一部が発光ダイオード素子１２」で重なる点。 相違点１、２については、既に検討したとおりである。 相違点３について検討すると、甲５発明２において２つの端面発光型素子１３からの励起光は、少なくとも一部が発光ダイオード素子１２の上面に設けた波長変換材において重なるものとすることは、当業者が適宜なし得る事項である。 そうすると、本件発明５は、甲５発明２及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ７ 本件発明６について 本件発明６と甲５発明２を対比すると、両者は、相違点１～３に加え、さらに次の点で相違し、その余の点で一致する。 ＜相違点４＞ 本件発明６は「前記ｃ軸と前記第１励起光の光軸とのなす角と、前記ｃ軸と前記第２励起光の光軸とのなす角は、異なっている」のに対し、甲５発明２は、そのような特定がない点。 相違点１～３については、既に検討したとおりである。 相違点４について検討すると、甲５発明２において、２つの端面発光型素子１３からの励起光の光軸の発光ダイオード素子１２の中心軸に対する角度を０°より大きく４５°よりも小さい範囲から適宜選択して、発光ダイオード素子１２の下面に設けたサファイア基板の第２面に対する角度、ひいてはｃ軸に対する角度を異ならせることは、当業者が適宜なし得る事項であるし、２つの端面発光型素子１３の励起光の光軸とサファイア基板の第２面に対する角度が同じであっても、サファイア基板のオフアングル（相違点２の検討を参照）に伴って、ｃ軸に対する角度は異なるものとなる。 そうすると、本件発明６は、甲５発明２上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ８ 本件発明７について 本件発明７と甲５発明３を対比すると、両者は、相違点１～３に加え、さらに次の点で相違し、その余の点で一致する。 ＜相違点５＞ 本件発明７は、「前記第２面に垂直な方向から見たとき、前記第１励起光の光軸と前記第２励起光の光軸とのなす角度が８０°以上１００°以下である」のに対し、甲５発明３は、「複数の端面発光型素子１３を、それらの光軸が発光ダイオード素子１２の中心軸に対して、略回転対称つまり基体１１上面視において、等配配置する」点。 相違点１～３については、既に検討したとおりである。 相違点５について検討する。 甲５発明３において複数の端面発光型素子１３をいくつにするかは当業者が適宜定める事項にすぎず、引用文献１（甲５）の図４のように４つの端面発光型素子１３として、励起光の光軸のなす角を、基体１１上面視において９０°配置とすること、すなわち、８０°以上１００°以下とすることは適宜なし得る事項にすぎない。このとき、甲５発明３におけるサファイア基板の第２面と基体１１の上面とは平行であると解するのが普通であるから、基体１１上面視において８０°以上１００°以下とすることは適宜なし得る事項にすぎないのであれば、前記第２面に垂直な方向から見たときについても同様である。 そうすると、本件発明７は、甲５発明３及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ９ 本件発明８について 本件発明８と甲５発明を対比すると、両者は相違点１、２に加え、さらに次の点で相違し、その余の点で一致する。 ＜相違点６＞ 本件発明８は、「前記サファイア板と前記波長変換材との間に、前記励起光を透過し、前記波長変換材から出射する波長変換光を反射する、ダイクロイック膜を備える」のに対し、甲５発明は、そのような構成を有しない点。 相違点１、２については、既に検討したとおりである。 相違点６について検討する。 一般に、光源装置において、波長変換材から励起光の進む方向とは反対の側に出射される波長変換光を反射させるべく、波長変換材（蛍光体層）の裏（励起光の進む方向とは反対の側）に、ダイクロイック膜を設けることは、従来周知の技術である（必要があれば、引用文献４の段落[００５９]、引用文献８（甲１５）の段落【００７１】、【００８１】、図８、図１０を参照のこと）。ここで、ダイクロイック膜が、励起光を透過することは明らかである。 そして、甲５発明においても、蛍光体を含む波長変換部材から励起光の進む方向とは反対の側に射出される波長変換光を反射させるという課題は内在するから、上記周知の技術に鑑み、波長変換部材の裏、すなわち波長変換部材と半導体層との間に、ダイクロイック膜を挟むことで、本件発明８の「前記サファイア板と前記波長変換材との間に、前記励起光を透過し、前記波長変換材から出射する波長変換光を反射する、ダイクロイック膜を備える」構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 そうすると、本件発明８は、甲５発明、上記周知の事項及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 １０ 本件発明９について 本件発明９と甲５発明を対比すると、両者は、相違点１、２に加え、さらに次の点で相違し、その余の点で一致する。 ＜相違点７＞ 本件発明９は、「前記サファイア板の前記第２面に、前記励起光の反射率を低減させる、反射防止膜を備える」のに対し、甲５発明はそのような構成を有しない点。 相違点１、２については、既に検討したとおりである。 相違点７について検討すると、光源装置が、サファイア板の第２面に、励起光の反射率を低減させる、反射防止膜を備えることは、周知の技術である（必要があれば、引用文献４（甲３）の段落[００８１]、及び、引用文献５（甲１１）の段落【００５８】【００５９】を参照のこと）。 そうすると、本件発明９は、甲５発明、上記周知の事項及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 １１ 本件発明１０について 本件発明１０と甲５発明４を対比すると、後者の「光学部品」及び「照明装置」は、前者の「導光部材」及び「照明装置」に相当するから、両者は、相違点１、２で相違し、その余の点で一致する。 相違点１、２については、既に検討したとおりである。 そうすると、本件発明１０は、甲５発明及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第６ むすび 以上のとおり、本件発明１～４は、甲５発明及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、本件発明５、６は、甲５発明２及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、本件発明７は、甲５発明３及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、本件発明８、９は、甲５発明及び上記周知の事項及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、本件発明１０は、甲５発明４及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 そうすると、本件特許の請求項１～１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 よって、結論のとおり決定する。