2023-010276

特願２０２０－５２１８５２「遅延線コーディングを有する多重化表面弾性波センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年１月１０日国際公開、ＷＯ２０１９／０１０３５６、令和２年８月３１日国内公表、特表２０２０－５２６７７６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１．手続の経緯 本願は、２０１８年（平成３０年）７月６日（優先権主張外国庁受理 ２０１７年（平成２９年）７月７日）を国際出願日とする特許出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。 令和４年 ６月 ３日付け：拒絶理由通知 同年 １２月 ６日 ：意見書の提出 同日 ：手続補正書の提出 （以下、この手続補正書による手続補正を「査定前補正」という。） 令和５年 ２月１４日付け：拒絶査定 同年 ６月２１日 ：手続補正書の提出 （以下、この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。） 同日 ：審判請求書の提出 同年 １２月２２日 ：上申書の提出 （以下単に「上申書」という。） 第２ 本件補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 本件補正を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１）本件補正前請求項１ 本件補正前にされた査定前補正により補正された特許請求の範囲の請求項１（以下「本件補正前請求項１」という。）の記載は、以下のとおりである（改行位置は文意を損ねない範囲で適宜変更した、各構成単位冒頭の「ｐＡ」などは当審で付した分説番号であり、後記において、前記各構成単位について前記分説番号を用い「構成ｐＡ」などということがある。以下、他の発明についても同様。）。 「【請求項１】 ｐＡ 表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスであって、 ｐＢ 圧電基板と、 ｐＣ 前記圧電基板に取り付けられ、前記圧電基板の表面に配置された複数のＳＡＷセンサとを備え、 ｐＤ 前記複数のＳＡＷセンサは、 ｐＤ１ 第１の表面弾性波を伝搬させるように構成された第１の遅延線を備える第１のＳＡＷセンサであって、 ｐＤ２ 前記第１のＳＡＷセンサが、前記圧電基板に位置決めされたトランスデューサと、前記トランスデューサに対向して前記圧電基板に位置決めされた反射物とを備え、 ｐＤ３ 前記トランスデューサは、第１の遅延線に沿って第１の表面弾性波を伝送し、 ｐＤ４ 前記トランスデューサは、前記第１の表面弾性波が前記反射物で反射して前記第１の遅延線に沿って２回伝搬した後の前記第１の表面弾性波を受信する、第１のＳＡＷセンサ、及び ｐＥ１ 第２の表面弾性波を伝搬させるように構成された第２の遅延線を備える第２のＳＡＷセンサであって、 ｐＥ２ 前記第１の遅延線の長さは前記第２の遅延線の長さよりも長い、前記第２のＳＡＷセンサ を含む、 ｐＦ 前記ＳＡＷデバイス。」 （２）本件補正後請求項１ 本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載（以下「本件補正後請求項１」という。）は以下のとおり（下線部は補正箇所を示す。）。 「【請求項１】 Ａ 表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスであって、 Ｂ 圧電基板と、 Ｃ 前記圧電基板に取り付けられ、前記圧電基板の表面に配置された複数のＳＡＷセンサとを備え、 Ｄ 前記複数のＳＡＷセンサは、 Ｄ１ 第１の表面弾性波を伝搬させるように構成された第１の遅延線を備える第１のＳＡＷセンサであって、 Ｄ２ 前記第１のＳＡＷセンサが、前記圧電基板に位置決めされたトランスデューサと、 前記トランスデューサに対向して前記圧電基板に位置決めされた反射物とを備え、 Ｄ３ 前記トランスデューサは、第１の遅延線に沿って第１の表面弾性波を伝送し、 Ｄ４ 前記トランスデューサは、前記第１の表面弾性波が前記反射物で反射して前記第１の遅延線に沿って２回伝搬した後の前記第１の表面弾性波を受信し、 Ｄ５ 前記第１の遅延線は、前記第１の表面弾性波の伝搬を制限する導波層、及び Ｄ６ 前記複数のＳＡＷセンサのそれぞれの前記第１の遅延線の表面に取付けられた感応性層を備える、第１のＳＡＷセンサ、及び Ｅ１ 第２の表面弾性波を伝搬させるように構成された第２の遅延線を備える第２のＳＡＷセンサであって、 Ｅ２ 前記第１の遅延線の長さは前記第２の遅延線の長さよりも長い、前記第２のＳＡＷセンサを含む、 Ｆ 前記ＳＡＷデバイス。」 ２ 本件補正の適否について ２－１ 本件補正の目的について 本件補正の前後において、本件補正前の構成ｐＡ～ｐＤ４・ｐＥ１～ｐＦはそれぞれ、本件補正後の構成Ａ～Ｄ４・Ｅ１～Ｆに概ね対応し、本件補正により構成Ｄ５・Ｄ６が新たに加入されたものである。 そして、該本件補正により、本件補正前請求項１の構成ｐＤ１に備わる発明を特定するために必要な事項（以下「発明特定事項」という。）である「第１のＳＡＷセンサ」について、それが「前記第１の遅延線は、前記第１の表面弾性波の伝搬を制限する導波層」「を備える」ものであること（構成Ｄ５）、及び「前記複数のＳＡＷセンサのそれぞれの前記第１の遅延線の表面に取付けられた感応性層を備える」ものであること（構成Ｄ６）、が限定された。 そうすると、本件補正は、前記補正前請求項１の発明特定事項を限定する補正を含むものと認められる。 また、本件補正は、本件補正前請求項１に備わる発明特定事項についてさらに限定を加えるものであるから、本件補正前請求項１に記載された発明と本件補正後請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、該本件補正後請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、該本件補正発明が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について下記２－２においてさらにに検討する。 ２－２ 独立特許要件について ２－２－１ 進歩性の欠如について （１）本件補正発明について 分説を含め上記２－１（２）に記載したとおりである。 （２）引用文献に記載された事項 （２－１）引用文献２に記載された事項 ア 引用文献２の記載事項 本件出願の拒絶査定において、新規性・進歩性欠如に係る理由１・２の主引用例（引用文献２）として引用された文献であって優先日前に公知となった引用文献２（特開２０１５－５９８７８号公報）には次の記載がある（主たる引用箇所に当審にて下線を示した。）。 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、弾性表面波センサに関する。 ・・・ 【課題を解決するための手段】 【００１５】 （１）本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、本発明の一態様は、測定対象における目標の変化量が外乱による変化量に対して小さな場合において、差動検出を行うために、第１弾性表面波素子と、第２弾性表面波素子とを有し、前記第２弾性表面波素子の伝搬距離を前記第１弾性表面波素子の伝搬距離に対して、外乱と測定対象の変化量の比率に応じて設定する、ことを特徴とする弾性表面波センサである。 ・・・。 （５）また、本発明の一態様は、上記の弾性表面波センサにおいて１つの入出力電極と、反射器により構成される、ことを特徴とする。 ・・・ 【発明を実施するための形態】 【００１８】 （第１の実施形態） 以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳しく説明する。 図１は、本実施形態に係るＳＡＷセンサ１（弾性表面波センサ）の概略的な上面図である。また、図２は、ＳＡＷセンサ１の概略的な断面図である。なお、図１において、図５と同一の部分には同一の符号を付している。また、図２は、図１に示すＳＡＷセンサ１＿１（第１弾性表面波素子）をＳＡＷの伝搬方向に沿って切断した場合の断面図を示している。図１に示すように、ＳＡＷセンサ１は、同じ圧電素子基板１０上に形成されるＳＡＷセンサ１＿１、及びＳＡＷセンサ１＿２（第２弾性表面波素子）を有している。また、図１、及び図２を参照して、ＳＡＷセンサ１＿１は、送信電極１１－１ａ、送信電極１１－１ｂ、受信電極１１－２ａ、受信電極１１－２ｂ、反応領域薄膜１２（チャネル領域Ａ）、多孔性基材１３、封止構造１４＿１、及び封止構造１４＿２を含んで構成される。また、ＳＡＷセンサ１＿２は、送信電極１１－３ａ、送信電極１１－３ｂ、受信電極１１－４ａ、受信電極１１－４ｂ、反応領域薄膜（チャネル領域Ｒ）、多孔性基材１３、封止構造１４＿３（図１、２において不図示）、及び封止構造１４＿４（図１、２において不図示）を含んで構成される。圧電素子基板は、ＳＡＷを伝播する基板であり、例えば、水晶基板である。 【００１９】 送信電極１１－１ａ、及び送信電極１１－１ｂは、送信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。また、送信電極１１－３ａ、及び送信電極１１－３ｂは、送信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。以下、送信電極１１－１ａ、及び送信電極１１－１ｂを総称してＩＤＴ１１－１と呼び、送信電極１１－３ａ、及び送信電極１１－３ｂを総称してＩＤＴ１１－３と呼ぶものとする。また、受信電極１１－２ａ、及び受信電極１１－２ｂは、受信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。また、受信電極１１－４ａ、及び受信電極１１－４ｂは、受信側電極部を構成する櫛歯状のパターンにより形成された金属電極である。以下、受信電極１１－２ａ、及び受信電極１１－２ｂを総称してＩＤＴ１１－２と呼び、受信電極１１－４ａ、及び受信電極１１－４ｂを総称してＩＤＴ１１－４と呼ぶものとする。ＩＤＴ１１－１、及びＩＤＴ１１－２（総称してＩＤＴ１１＿１と呼ぶ）、ＩＤＴ１１－３、及びＩＤＴ１１－４（総称してＩＤＴ１１＿２と呼ぶ）は、それぞれ圧電素子基板上に構成される電極である。ＩＤＴ１１＿１、ＩＤＴ１１＿２は、それぞれ対向した一対の電極である。ＩＤＴ１１＿１、ＩＤＴ１１＿２、ＩＤＴ１１－３、及びＩＤＴ１１－４は、それぞれ例えばアルミニウム薄膜によって構成される。 ・・・ 【００２２】 ＳＡＷセンサ１＿２においては、ＳＡＷセンサ１＿１と同様に、多孔性基材１３内を移送された溶液は、反応領域薄膜の特定の領域を濡らす。例えば、反応領域薄膜の全面を多孔性基材１３で覆う場合、反応領域薄膜の全領域となる。本実施形態では、反応領域薄膜の全領域を、図１に示すように、チャネル領域Ｒと呼ぶものとする。溶液中の抗原は、チャネル領域Ａと同じように、チャネル領域Ｒ上に担持された抗体と反応し、チャネル領域Ｒ上の特定領域に抗原抗体結合物を生成する。 すなわち、チャネル領域Ｒでは、チャネル領域Ａと同じように、その表面に抗原を含んだ液体試料を滴下することにより、チャネル領域Ｒ上に担持された抗体と、液体試料中の抗原との間で抗原抗体反応が起こる。その結果、チャネル領域Ｒ上には、チャネル領域Ｒ上に担持した抗体と抗原が結合した抗原抗体結合物が生成する。なお、チャネル領域Ｒは、金以外であっても抗体を担持できるものであればいかなるものでもよい。 【００２３】 また、本実施形態において、チャネル領域Ａ、及びチャネル領域ＲのＳＡＷの伝搬方向の長さは、チャネル領域Ａに比べてチャネル領域Ｒの方が短く設定されている。以下では、図１に示すように、チャネル領域ＡのＳＡＷの伝搬方向の長さを長さＬ１、チャネル領域ＲのＳＡＷの伝搬方向の長さを長さＬ２とする。なお、長さＬ２の長さＬ１に対する比率の設定の仕方については後述する。 ・・・ 【００２６】 ＩＤＴ１１－１、及びＩＤＴ１１－３のいずれか一方は、ＲＦスイッチ２２を介して正弦波交流信号が入力される。ＩＤＴ１１－１、及びＩＤＴ１１－３のいずれか一方は、入力された正弦波交流信号に対応するＳＡＷを圧電素子基板の表面に励起する。ＩＤＴ１１－２、及びＩＤＴ１１－４のいずれか一方は、圧電素子基板１０の表面を伝播してきたＳＡＷを電気信号に変換する。ＩＤＴ１１－２、及びＩＤＴ１１－４のいずれか一方は、受信した電気信号（検出信号と呼ぶ）を後述する位相・振幅検出回路２３に出力する。ＳＡＷセンサ１の測定者が、例えば、チャネル領域Ａ、チャネル領域Ｒの上の多孔性基材に溶液を滴下すると、それぞれの多孔性基材は、滴下された溶液を、毛細管現象により多孔性基材の内部及びチャネル領域Ａ、チャネル領域Ｒのそれぞれの表面に移送し、保持する。つまり、多孔性基材が、平面視において検出領域に重ならない部分を有していても、多孔性基材が溶液をチャネル領域Ａ、チャネル領域Ｒの表面に移送し、保持することで、チャネル領域Ａ、チャネル領域Ｒを、滴下された溶液により濡らすことができる。 【００２７】 ＳＡＷセンサ１を用いた溶液測定には、図６に示すセンサ回路２０が使用される。センサ回路２０は、ＳＡＷセンサ１、交流信号源２１、ＲＦスイッチ２２、位相・振幅検出回路２３、ＰＣ２４を含んで構成される。交流信号源２１は、例えば、２５０ＭＨｚの正弦波交流信号を発生する。この正弦波交流信号は、ＲＦスイッチ２２によりＳＡＷセンサ１のＩＤＴ１１－１、及びＩＤＴ１１－３のいずれか一方と、位相・振幅検出回路２３とに出力する。なお、ＳＡＷセンサ１から出力される信号に含まれる主とする信号以外の直達波や他のバルク波などを含むノイズ等の妨害信号が十分に小さい場合には、交流信号源２１からの正弦波交流信号は連続波でよい。しかしながら、直達波やバルク波などを含むノイズ等の妨害信号が大きい場合には、正弦波交流信号を周期的なバースト信号に変換して、ＳＡＷセンサ１に入力してもよい。このバースト信号の周期は、例えば、ＳＡＷが圧電素子基板１０の表面のＩＤＴ１１－１からＩＤＴ１１－２までの間を進行するのに要する時間より大きくなるようにする。バースト信号に変換するには、図示しない既知のバースト回路を交流信号源２１の直後に直列に挿入する。 ・・・ 【００２９】 ここで、ＳＡＷの位相変化と振幅の減衰量について説明する。ＳＡＷは、圧電素子基板１０の表面近傍に集中して伝播する音響波である。圧電素子基板１０は、その表面に物質が吸着すると、その表面の単位体積当たりの質量と粘性が変化する。その結果、ＳＡＷの伝播速度と振幅が変化する。従って、ＳＡＷの伝播時間が変化し、振幅の減衰量が変化する。本実施形態では、位相の変化量と振幅の減衰量の変化量を利用して溶液中に含まれる抗原を測定する。具体的には、ＳＡＷセンサ１の測定者は、従来と相違して、図１に示すチャネル領域Ａ、及びチャネル領域Ｒのいずれの領域にも、その上にある多孔性基材に抗原を含んだ溶液を滴下し、チャネル領域Ａ、及びチャネル領域Ｒの上を溶液で濡らし、ＳＡＷの伝播時間による位相変化をチャネル毎に測定する。チャネル領域Ａにおける位相変化とチャネル領域Ｒにおける位相変化との差が、抗原抗体反応によってチャネル領域Ａに生成した抗原抗体結合物に起因する位相の変化量となる。 ・・・ 【００４４】 以上、図面を参照してこの発明の実施形態について詳しく説明してきたが、具体的な構成は上述のものに限られることはなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲内において様々な設計変更等をすることが可能である。例えば、上記の各実施形態では、送信電極及び受信電極を用いた例を示したが、受信電極の代わりにＳＡＷの反射体（反射器）を設け、送信電極が受信電極の機能を兼ねるようにしてもかまわない。 ・・・ 【図１】 ［図：0001418016000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001418016000002.jpg］ 」 イ 看取・認定事項 （ア）図１看取事項 【００１８】～【００１９】の記載事項を参照すれば、図１から、 「送信側電極部ＩＤＴ１１－１と受信側電極部ＩＤＴ１１－２とは、チャネル領域Ａを挟んで対向していること。」（図１看取事項） との技術事項を見て取ることができる。 （イ）図２看取事項 【００１８】～【００１９】の記載事項を参照すれば、図２から、 「ＳＡＷセンサ１＿１において、該センサを構成するチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）と、それを間に挟んで対向する送信電極１１－１ａ・１１－１ｂ（送信側電極部ＩＤＴ１１－１）及び受信電極１１－２ａ・１１－２ｂ（受信側電極部ＩＤＴ１１－２）と、多孔性基材１３ 、封止構造１４＿１、及び封止構造１４＿２は、全て圧電素子基板１２の表面上に設けられていること。」（図２看取事項） との技術事項を見て取ることができる。 （ウ）認定事項１ 【００１８】に記載された、ＳＡＷセンサ１＿１を構成する「送信電極１１－１ａ、送信電極１１－１ｂ、受信電極１１－２ａ、受信電極１１－２ｂ、反応領域薄膜１２（チャネル領域Ａ）、多孔性基材１３、封止構造１４＿１、及び封止構造１４＿２」なる構成要素は、図２によれば、全て圧電素子基板１２の表面上に直接、または他の構成要素を介して間接的に配置されている。よって、該各構成要素からなる「ＳＡＷセンサ１＿１は圧電素子基板１２の表面上に設けられている。」といえる。 また、【図２】は前記「ＳＡＷセンサ１＿１」の各構成要素について描かれているが、【００１８】において「図２は、ＳＡＷセンサ１の概略的な断面図である」、及び「ＳＡＷセンサ１は、同じ圧電素子基板１０上に形成されるＳＡＷセンサ１＿１、及びＳＡＷセンサ１＿２（第２弾性表面波素子）を有している」と記載されているから、該【００１８】に示される「ＳＡＷセンサ１＿２」の「送信電極１１－３ａ、送信電極１１－３ｂ、受信電極１１－４ａ、受信電極１１－４ｂ、反応領域薄膜（チャネル領域Ｒ）、多孔性基材１３、封止構造１４＿３（図１、２において不図示）、及び封止構造１４＿４（図１、２において不図示）」なる各構成要素と圧電素子基板１２との関係についても、図２に示される「ＳＡＷセンサ１＿１」と同様である（少なくとも該同様である態様が第一義的に含まれる）と認められる。 以上総合して、【００１８】及び図２の記載事項から、 「ＳＡＷセンサ１＿１及びＳＡＷセンサ１＿２は共に同じ圧電素子基板１２の表面上に設けられている。」（認定事項１） なる技術事項を認定できる。 ウ 引用文献２に記載された発明 上記アの各記載及び上記イの看取・認定事項から、引用文献２には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。ここで、各構成単位末尾括弧内には、該各構成単位の主たる認定根拠とした記載箇所を記した（他の引用文献についても同様。）。 「ａ 弾性表面波センサ１（ＳＡＷセンサ）であって、（【０００１】・【００１８】） ｂ ＳＡＷを伝搬する基板であり、例えば水晶基板である、圧電素子基板１０と（【００１８】）、 ｃ 該同じ圧電素子基板１０の表面上に形成される２つのＳＡＷセンサであるＳＡＷセンサ１＿１・１＿２とを備え、（【００１８】、認定事項１） ｄ 前記２つのＳＡＷセンサは、 ｄ１ ＳＡＷの伝搬方向の長さがＬ１であるチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）を圧電素子基板１０の表面上に設けたＳＡＷセンサ１＿１（第１弾性表面波素子）であって、（【００１８】・【００２３】、図２看取事項、認定事項１） ｄ２１ ＳＡＷセンサ１＿１は、圧電素子基板１０の表面上に形成され、送信電極１１－１ａ及び送信電極１１－１ｂで構成される送信側電極部ＩＤＴ１１－１と、受信電極１１－２ａ及び受信電極１１－２ｂで構成される受信側電極部ＩＤＴ１１－２とが、圧電素子基板１０表面上に設けられたチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）を挟んで対向した一対の電極をなし、（【００１８】・【００１９】・【００２７】・図１看取事項、図２看取事項、認定事項１） ｄ２２ 一態様として、受信電極の代わりにＳＡＷの反射体（反射器）を設け、送信電極が受信電極の機能を兼ねるようにした１つの入出力電極と、反射器とにより構成される態様を含み、（【００１５】・【００４４】） ｄ３１ 送信側電極部ＩＤＴ１１－１に入力された正弦波交流信号に対応するＳＡＷを圧電素子基板１０の表面に励起し、ＳＡＷの伝搬方向の長さＬ１を有するチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬させ、（【００２３】・【００２６】） ｄ３２ ＳＡＷは圧電素子基板１０の表面近傍に集中して伝搬する音響波であり、（【００２９】） ｄ４ チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬してきたＳＡＷを受信側電極部ＩＤＴ１１－２が受信し、電気信号（検出信号）に変換して出力し、（【００２６】、図２看取事項） ｄ６１ ＳＡＷセンサ１＿１のチャネル領域Ａにおいて圧電素子基板１０表面上には反応領域薄膜１２が設けられ、（図２看取事項） ｄ６２ 同様に圧電素子基板１０の表面上に形成されるＳＡＷセンサ１＿２の、ＳＡＷの伝搬方向の長さＬ２を有するチャネル領域Ｒにも、反応領域薄膜が設けられており、（【００１８】・【００２２】、認定事項１） ｅ１１ ＳＡＷの伝搬方向の長さがＬ２であるチャネル領域Ｒ（反応領域薄膜）を圧電素子基板１０の表面上に設けたＳＡＷセンサ１＿２（第２弾性表面波素子）であって、（【００１８】・【００２３】、図２看取事項、認定事項１） ｅ１２ 送信側電極部ＩＤＴ１１－３に入力された正弦波交流信号に対応するＳＡＷを圧電素子基板１０の表面に励起し、ＳＡＷの伝搬方向の長さＬ２を有するチャネル領域Ｒ（反応領域薄膜）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬させ、（【００１８】・【００２３】・【００２６】、図２看取事項） ｅ１３ チャネル領域Ｒ（反応領域薄膜）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬してきたＳＡＷを受信側電極部ＩＤＴ１１－４が受信し、電気信号（検出信号）に変換して出力し、（【００２６】） ｅ２ チャネル領域Ａ及びチャネル領域ＲのＳＡＷの伝搬方向の長さは、チャネル領域Ａに比べてチャネル領域Ｒの方が短く設定されている、ＳＡＷセンサ１＿２（第２弾性表面波素子）を含む、（【００２６】） ｆ 弾性表面波センサ１（ＳＡＷセンサ）。（【０００１】・【００１８】）」 （２－２）引用文献５に記載された事項 本件出願の拒絶査定において、進歩性欠如に係る理由２の副引用例（引用文献５）として引用された文献であって優先日前に公知となった引用文献５（特表２００７－５２４８５３号公報）には次の記載がある（主たる引用箇所に当審にて下線を示した。以下同様。）。 ア 引用文献５の記載事項 引用文献５には次の記載がある。 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスに関し、特に、センサとして用いられる層状ＳＡＷデバイスに関する。 ・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００９】 ＳＡＷセンサの信頼性を改善し、そして当該センサの動作性能を最適化することが、本発明の目的である。 【課題を解決するための手段】 【００１０】 このため、本発明は、表面弾性波（ＳＡＷ）センサであって、 ａ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶と前記交叉指状電極上の第２の圧電層とから成る第１の層状ＳＡＷデバイスと、 ｂ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶と前記交叉指状電極上の第２の圧電層と前記第２の圧電層上の検体感応表面とから成る第２の層状ＳＡＷデバイスと、を備え、 ｃ ） 両方の前記ＳＡＷデバイスが、同じ基板上に製作され、 ｄ ） 前記ＳＡＷデバイスの帯域幅を低減するため各ＳＡＷデバイスの前記交叉指状電極に隣接して配置された反射器を更に備え、 ｅ ）ＳＡＷセンサの共振器回路が、従属性の増幅器を組み込んでいる、表面弾性波（ＳＡＷ）センサを提供する。 ・・・ 【００１３】 第２の層は、酸化亜鉛、ＡＩＮＬｉＴａＯ３、ＬｉＴａＯ３又は水晶である層のような圧電膜であることが好ましい。第２の層は、非圧電性であることができ、それは、窒化珪素、異なる種類の金属酸化物、ポリマ、又は金属化合物のようなそれ自体で音響エネルギを閉じ込める能力を有する。 ・・・ 【００１８】 生物学的に感応する層（ｂｉｏｌｏｇｉｃａｌｌｙ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）は、第２のＳＡＷデバイスの第２の圧電層上に被着されて、検出されるべき適切な生化学的成分と相互作用する。 ・・・ 【００２７】 図１において、第１の波発生トランスデューサ３及び第１の受信トランスデューサ４が、圧電基板１の表面に製作される。トランスデューサ（ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒｓ）３及び４は、ＳＡＷデバイスで用いられるいずれかの適切な交差指状電極（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）（ＩＤＴ）である。波伝送層５、即ち、圧電層は、トランスデューサ３及び４が圧電基板１と波伝送層５との間に位置するように圧電基板１上に製作される。検知層６は、波伝搬層５の上に被着されて、当該検知層６が暴露される液体又はガス媒体の中の媒介物（ａｇｅｎｔ）に対して選択的に物理的、化学的又は生物学に活性である表面を形成する。当該表面は、いずれの生物学的目標を検出するよう処理され得る。 ・・・ 【００３５】 本発明においては、次の方法が、システムの雑音を低減し、そして発振周波数の周波数安定性を増大するため採用された。 １．回折格子をトランスデューサ間に追加 層状ＳＡＷデバイスは、表面横波（ＳＴＷ）の伝搬を可能にする結晶カット上に製作される（漏洩ＳＡＷ及びＳＳＢＷは、ＳＴＷのファミリである。）。ＳＡＷデバイスは、 ・低いデバイス損失 ・高い固有のＱ ・低い１／ｆ雑音、及び ・低い振動感度 現在、ＳＴＷベース共振器は、最近の通信、無線リモート・センシング、及び兵器誘導システムに広く用いられている。 【００３６】 案内膜（ｇｕｉｄｉｎｇ ｆｉｌｍ）の被着により、層状ＳＡＷデバイスは、製作される。安定なセンサを製作する方法は、高いＱのＳＨ共振器を設計することである。ＳＨ型音波は、ＩＤＴにより、圧電基板上で、選択された温度が補償された回転されたＹ軸の向き上でＸ軸に対して垂直の方向に励振される。複数のＩＤＴが互いに自由表面により分離される場合、ＳＨ波は、ＳＳＢＷ（表面スキミング・バルク波）又は漏洩波である。これらの伝搬モードに対して、パワーは、結晶のバルク（ｂｕｌｋ）の中に放射される。ＩＤＴの周期に等しい周期を有する金属ストリップ回折格子がＩＤＴ同士の間に被着される場合、それは、ＳＳＢＷ及び漏洩波の速度を遅くし、それらをＳＴＷに変える。波動エネルギは、表面上に閉じ込められ、そしてデバイスのバルクの中に放散しない。 ・・・ 【００３８】 ２．材料の選定の最適化（例えば、酸化亜鉛の使用） 案内層及び基板としての異なる材料の組み合わせは、デバイスの感度を設計する際に重要な役割を果たす。基板の剪断水平伝搬速度より小さい剪断水平伝搬速度を有する層は、通常、音波のエネルギを当該層の中に閉じ込める。この近表面のエネルギが、感応層及び目標検体の中への音波の貫入を増大させる。その結果、デバイスの感度が増大する。 【００３９】 ＳＳＢＷ又は漏洩波の伝搬を可能にするＳＡＷウエーハが、そのようなデバイスの製作のため採用されなければならない。案内層は、ＺｎＯのような圧電材料、又はＳｉＯ２及びＳｉ３Ｎ４のような非圧電材料であることができる。」 イ 引用文献５に記載された技術事項 上記アの摘記事項において、特に下線を施した箇所の記載に基づけば、引用文献５には次の事項（以下「技術事項５」という。）が記載されていると認められる。 「５ａ センサとして用いられる表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスにおいて、（【０００１】） ５ｂ 圧電結晶（圧電基板１）と、（【００１０】・【００２７】） ５ｃ 前記圧電結晶１の表面上に設けた交差指状電極（ＩＤＴ）である波発生トランスデューサ３及び受信トランスデューサ４と、（【００２７】） ５ｄ１ 前記交差指状電極上に設けられ、 ５ｄ２ 酸化亜鉛、ＡＩＮＬｉＴａＯ３、ＬｉＴａＯ３又は水晶である層のような圧電膜、又は、窒化珪素、異なる種類の金属酸化物、ポリマ、又は金属化合物のような、非圧電性の層であり、 ５ｄ３ それ自体で音響エネルギを閉じ込める能力を有する、 ５ｄ４ 第２の圧電層（案内膜、案内層）と、（以上、【００１３】・【００２７】・【００３６】・【００３８】・【００３９】） ５ｅ 前記第２の圧電層上に被着され、検出されるべき適切な生化学的成分と相互作用する、生物学的に感応する検知層６と、を備える、（【００１８】・【００２７】） ５ｆ 表面弾性波（ＳＡＷ）デバイス。」 （２－３）引用文献６に記載された事項 本件出願の拒絶査定において、進歩性欠如に係る理由２の副引用例（引用文献６）として引用された文献であって優先日前に公知となった引用文献６（特表２００７－５２０６９８号公報）には次の記載がある）。 ア 引用文献６の記載 引用文献６には次の記載がある。 「【０００２】 本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ）センサに関し、より特定的には、ＳＡＷセンサを回路に結合するための技術に関する。 ・・・ 【０００４】 化学的または生物学的検知能力のために開発されたセンサの１タイプは、弾性表面波（ＳＡＷ）センサである。・・・。 ・・・ 【課題を解決するための手段】 【０００６】 概して、本発明は、Ｚ軸導電性エラストマーなどのＺ軸導電層を使用する弾性表面波センサ（ＳＡＷ）アセンブリに関する。・・・。 ・・・ 【００１９】 ＳＡＷセンサ１２は、複数の電極１３Ａ～１３Ｈ（まとめて電極１３）を含み、回路層１４は、回路層１４の底側１９に形成された複数の電気コンタクト１５Ａ～１５Ｈ（まとめて電気コンタクト１５）を含む。・・・。 【００２０】 図１に示された電極１３および電気コンタクト１５の数は、ここに広く具体化され請求されるような本発明を限定するものではない。換言すれば、いかなる数の電極１３および電気コンタクト１５も本発明によって使用することができる。図１にさらに示されているように、ＳＡＷセンサ１２は、１つ以上の入力および出力トランスデューサ（図示せず）の上に形成された導波路層８を含む。・・・。 ・・・ 【００２５】 一例において、センサ１２は、ラブモード剪断水平弾性表面波（ＳＨ－ＳＡＷ）センサを含む。ＳＨ－ＳＡＷセンサは、たとえば、４つの主構成要素：１）圧電性基材；２）圧電効果に基いて音波を励起するために使用される、基材上の入力インターデジットトランスデューサ（ＩＤＴ）；３）圧電効果を利用することによって、伝送された音波を受けて電気出力を発生する、基材上の出力ＩＤＴ；および４）入力ＩＤＴから出力ＩＤＴへの伝送のためＳＨタイプ波を導波路ラブモードに変換する、ＩＤＴの上の導波路層、を含む。 ・・・ 【００２７】 ＳＡＷセンサ１２は、非常にさまざまな化学的または生物学的作用物質のいずれかの検出のために設計することができる。さまざまな化学的または生物学的作用物質の検出を促進するために、さまざまな材料をＳＡＷセンサ１２の導波路層上にコーティングすることができる。導波路材料は、好ましくは、次の特性：低音波損失、低導電性、水および水溶液中の安定性および堅牢性、比較的低い音響速度、疎水性、より高い分子量、高度架橋などの１つ以上を示す材料であることができる。一例において、ＳｉＯ2が石英基材上の音響導波路層（ａｃｏｕｓｔｉｃｗａｖｅｇｕｉｄｅｌａｙｅｒ）として使用されている。他の熱可塑性および架橋ポリマー導波路材料の例としては、たとえば、エポキシ、ポリメチルメタクリレート、フェノール樹脂（たとえば、ノバラク（ＮＯＶＡＬＡＣ））、ポリイミド、ポリスチレンなどが挙げられる。 【００２８】 特に、ＳＡＷセンサの表面上の特定の材料の存在は、導波路層を通る波伝播に影響を及ぼし、これは、特定の化学的または生物学的作用物質の検出を促進する。したがって、導波路層上にコーティングされた材料を、導波路を横切って流れる流体中に浮遊した材料を引きつけるか、捕えるか、それらと接合するか、それらに他の態様で付着するように選択することができる。ＳＡＷセンサ１２は、他のタイプのそのようなセンサを含むこともできる。いずれにせよ、電極１３は、ＳＡＷセンサ１２の構成要素への電気的インタフェースを提供する。」 イ 引用文献６に記載された技術事項 上記アの摘記事項において、特に下線を施した箇所の記載に基づけば、引用文献６には次の事項（以下「技術事項６」という。）が記載されていると認められる。 「６ａ 科学的または生物学的検知のための弾性表面波（ＳＡＷ）センサであって、（【０００４】） ６ｂ 圧電性基材、（【００２５】） ６ｃ 前記圧電性基材上に形成された入力ＩＤＴ及び出力ＩＤＴ、（【００２５】） ６ｄ 入力ＩＤＴから出力ＩＤＴへのＳＡＷの伝送のためＳＨタイプ波を導波路ラブモードに変換する、ＩＤＴ上に設けられた導波路層であって、 該導波路層の材料は、比較的低い音響速度を示す材料であることができ、一例において、ＳｉＯ2が石英基材上の音響導波路層として使用され、他の熱可塑性および架橋ポリマー導波路材料の例としては、たとえば、エポキシ、ポリメチルメタクリレート、フェノール樹脂（たとえば、ノバラク（ＮＯＶＡＬＡＣ））、ポリイミド、ポリスチレンなども挙げられるものである、導波路層、（【００２７】） ６ｅ 化学的または生物学的作用物質のいずれかの検出のために、導波路上にコーティングされる材料、を備える、（【００２７】・【００２８】） ６ｆ 弾性表面波（SAW）センサ。」 （３）本件補正発明と引用発明との対比 ア 構成ａ・ｆの「弾性表面波センサ１（ＳＡＷセンサ）」は、構成Ａ・Ｆの「表面弾性波（ＳＡＷ）デバイス」に相当する。 イ 構成ｂの「ＳＡＷを伝搬する基板であり、例えば水晶基板である、圧電素子基板１０」は、構成Ｂの「圧電基板」に相当する。 ウ 構成ｃの「前記同じ圧電素子基板１０の表面上に形成される２つのＳＡＷセンサであるＳＡＷセンサ１＿１・１＿２」は、構成Ｃの「前記圧電基板に取り付けられ、前記圧電基板の表面に配置された複数のＳＡＷセンサ」に相当する。 エ（ア）本件補正発明の「遅延線」に関係して、本件出願の発明の詳細な説明には次の各記載がある。 「【００７２】 ＳＡＷデバイスは、圧電基板、圧電基板の表面の一部分における入力インターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）（送信ＩＤＴといわれることもある）及び圧電基板の他の部分における出力ＩＤＴ（受信ＩＤＴといわれることもある）を含み得る。・・・。圧電効果に起因して、送信ＩＤＴは、受信ＩＤＴの方向のＩＤＴ間の空間（一般的に、遅延線といわれる）に沿って伝搬する表面弾性波を生成する。表面弾性波の波長は、遅延線に沿った伝搬の後に、分析物とレセプターの間の物理的、化学的又は電気的反応に起因して変化し得る。・・・。 【００７３】 ある実施形態では、レセプター（感応性層ともいわれる）は、遅延線に載置される。感応性層は、特定の気体、化学的材料、生物学的材料などのような分析物に露出された場合には、表面弾性波が遅延線に沿って伝搬するにつれて、感応性層が表面弾性波を変調又は変化させるように、感応性層には定量化可能な変化が生じる。・・・。 ・・・ 【００７８】 一方向ＳＡＷセンサ図１Ａは、ある実施形態による表面弾性波（ＳＡＷ）デバイス１００の図である。ＳＡＷデバイス１００は、圧電基板（不図示）と、異なる長さ１１２、１１４、１１６、１１８、１２０の遅延線１２６を有するＳＡＷセンサ１０２、１０４、１０６、１０８、１１０のアレイとを含む。・・・。 【００７９】 ＳＡＷセンサ１０２は、基板上にあり、表面弾性波を圧電基板に励起する送信インターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）１２２を含む。ＳＡＷセンサ１０２はまた、基板を通じた伝搬後の表面弾性波を検出する受信ＩＤＴ１２４、及びＩＤＴ１２２、１２４を電気構成要素に電気的に接続するための２対の電気コンタクト１３２、１３４も含む。 ・・・ 【００８１】 送信ＩＤＴ１２２（入力ＩＤＴといわれることがある）は、励起信号を表面弾性波に変換し、その表面弾性波を、表面弾性波が遅延線１２６に沿って基板を通じて伝搬するように圧電基板に伝送する。 ・・・ 【００８３】 送信ＩＤＴのアレイは、励起されると（例えば、電圧又は励起信号が印加された場合に）、各ＳＡＷセンサ１０２、１０４、１０６、１０８、１１０の遅延線１２６に沿って基板を通じて伝搬する複数の表面弾性波を生成する。 ・・・ 【００８５】 ある実施形態では、ＳＡＷデバイス１００は、基板を通じて伝搬するにつれて表面弾性波を制限する薄い導波層（不図示）を含む。 【００８６】 受信ＩＤＴ１２４（出力ＩＤＴといわれることがある）は、ある有限時間の遅延後の（例えば、表面弾性波が送信ＩＤＴ１２２から遅延線を通じて受信ＩＤＴ１２４に伝搬した後の）表面弾性波を受信する。 ・・・ 【００９１】 ある実施形態では、遅延線１２６は、アルミニウム若しくは金の層、又はポリマー、ＳｉＯ２若しくはＺｎＯを有する導波層を含む。 ・・・ 【００９３】 ・・・感応性層は、送信ＩＤＴ１２２と受信ＩＤＴ１２４の間でＳＡＷセンサの各々の表面に（例えば、遅延線１２６に）取り付けられる。」 ・・・ 【０１０３】 双方向ＳＡＷセンサ ・・・ 【０１１９】 ある実施形態では、感応性層は、送信／受信ＩＤＴ２２２と反射物２２４の間でＳＡＷセンサ２０２、２０４、２０６、２０８、２１０の各々の表面に（例えば、遅延線２２６に）ある。」 （イ）上記（ア）の摘記記載では、「ＳＡＷセンサ」は圧電基板上にある（【００７９】）もので圧電基板は含まない（複数の「ＳＡＷセンサ」からなる「ＳＡＷデバイス１００」としては含む）要素として説明されており（【００７２】）、該「ＳＡＷセンサ」が有するとする「遅延線」は、「圧電基板の表面の一部分における入力インターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）（送信ＩＤＴといわれることもある）及び圧電基板の他の部分における出力ＩＤＴ（受信ＩＤＴといわれることもある）」について「ＩＤＴ間の空間」（【００７２】）であり、該「遅延線」に沿って表面弾性波が伝搬する要素、である旨定義されている。 また、構成Ｄ２に特定されるような、ＩＤＴが送信／受信ＩＤＴであって、対向側に反射物がある態様においては、その存在位置について【０１１９】では「送信／受信ＩＤＴ２２２と反射物２２４の間でＳＡＷセンサ２０２・・・の表面」である旨定義されている。 （ウ）そうすると、 ・構成ｃの「２つのＳＡＷセンサであるＳＡＷセンサ１＿１・１＿２」のうち、構成ｄ１で再定義される「ＳＡＷセンサ１＿１（第１弾性表面波素子）」が構成Ｄ１の「第１のＳＡＷセンサ」に相当し、 ・該「ＳＡＷセンサ１＿１」の「送信電極１１－１ａ及び送信電極１１－１ｂで構成される送信側電極部ＩＤＴ１１－１」（構成ｄ２１）「に入力された正弦波交流信号に対応するＳＡＷを圧電素子基板１０の表面に励起し、ＳＡＷ１＿１の伝搬方向の長さＬ１を有するチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬させ」（構成ｄ３１）ることは、構成Ｄ１の「第１の表面弾性波を伝搬させる」ことに相当し、 ・ここで、構成ｄ２１・ｄ３１の「送信電極１１－１ａ及び送信電極１１－１ｂで構成される送信側電極部ＩＤＴ１１－１」「に入力された正弦波交流信号に対応するＳＡＷ」は、構成Ｄ１の「第１の表面弾性波」に相当し、構成ｄ３１の「チャネル領域Ａ」は構成Ｄ１の「第１の遅延線」に相当する。 オ（ア）構成ｄ２２の「送信電極が受信電極の機能を兼ねるようにした１つの入出力電極」は、構成ｄ２１の「圧電素子基板１０の表面上に形成され、送信電極１１－１ａ及び送信電極１１－１ｂで構成される送信側電極部ＩＤＴ１１－１と、受信電極１１－２ａ及び受信電極１１－２ｂで構成される受信側電極部ＩＤＴ１１－２とが、圧電素子基板１０表面上に設けられたチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）を挟んで対向した一対の電極」のうちの「受信電極１１－２ａ及び受信電極１１－２ｂで構成される受信側電極部ＩＤＴ１１－２」の機能を「送信側電極部ＩＤＴ１１－１」に兼ねさせた、つまり、「圧電素子基板１０の表面上に形成され」、「送信側電極部ＩＤＴ１－１」の位置において「１つの入出力電極」に「送信側電極部ＩＤＴ１１－１」と「受信側電極部ＩＤＴ１１－２」との機能を兼ねさせたもの（態様）であると解される。 （イ）構成ｄ２２の「受信電極の代わりに」「設け」た「ＳＡＷの反射体（反射器）」は、構成ｄ２１において、「受信電極１１－２ａ及び受信電極１１－２ｂで構成される受信側電極部ＩＤＴ１１－２」の位置に設けた「ＳＡＷの反射体（反射器）」であると解される。 （ウ）上記（ア）・（イ）から、引用発明は、構成ｄ２１を前提とする構成ｄ２２に対応する別態様として、下記構成ｄ２２’を備えると認められる。以下、引用発明は下記構成ｄ２２’を備え、それに伴い前記前提のもと構成ｄ３１・ｄ４の各別態様として下記構成ｄ３１’・ｄ４’を備えるものとして対比を行う。 構成ｄ２２’： ＳＡＷセンサ１＿１は、圧電素子基板１０の表面上に形成され、送信電極１１－１ａ及び送信電極１１－１ｂで構成される送信側電極部ＩＤＴ１１－１と、受信電極１１－２ａ及び受信電極１１－２ｂで構成される受信側電極部ＩＤＴ１１－２との機能を兼ねる≪１つの入出力電極≫が、圧電素子基板１０表面上に設けられたチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）を挟んで、受信側電極部ＩＤＴ１１－２の代わりに設けられたＳＡＷの第１の反射体（反射器）と対向し、 構成ｄ３１’： 前記≪１つの第１入出力電極≫に入力された正弦波交流信号に対応するＳＡＷを圧電素子基板１０の表面に励起し、ＳＡＷの伝搬方向の長さＬ１を有するチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬させ、 構成ｄ４’： チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬してきた前記ＳＡＷが受信側電極部ＩＤＴ１１－２の代わりに設けられたＳＡＷの反射体（反射器）により反射され、チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬して前記≪１つの第１入出力電極≫が受信し、電気信号（検出信号）に変換して出力し、 （エ）構成ｄ２２’の「圧電素子基板１０の表面上に形成され、送信電極１１－１ａ及び送信電極１１－１ｂで構成される送信側電極部ＩＤＴ１１－１と、受信電極１１－２ａ及び受信電極１１－２ｂで構成される受信側電極部ＩＤＴ１１－２との機能を兼ねる１つの第１入出力電極」は、構成Ｄ２の「前記圧電基板に位置決めされたトランスデューサ」に相当する。 （オ）構成ｄ２２’の「１つの第１入出力電極が、圧電素子基板１０表面上に設けられたチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）を挟んでＳＡＷの第１の反射体（反射器）と対向」するとの位置関係における「ＳＡＷの第１の反射体（反射器）」は、構成Ｄ２の「前記トランスデューサに対向して前記圧電基板に位置決めされた反射物」に相当する。 （カ）構成ｄ３１’の「前記≪１つの第１入出力電極≫に入力された正弦波交流信号に対応するＳＡＷを圧電素子基板１０の表面に励起し、ＳＡＷの伝搬方向の長さＬ１を有するチャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬させ」ることは、構成Ｄ３の「前記トランスデューサは、第１の遅延線に沿って第１の表面弾性波を伝送」することに相当する。 （キ）構成ｄ４’の「チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬してきた前記ＳＡＷが受信側電極部ＩＤＴ１１－２の代わりに設けられたＳＡＷの第１の反射体（反射器）により反射され、チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬して前記≪１つの第１入出力電極≫が受信」することは、ＳＡＷが構成ｄ３１’（構成ｄ４’の「チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬してきた」ことに対応）の往路で一度「チャネル領域Ａ」を伝搬し、構成ｄ４’における復路での「チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬」が往復で２回目のチャネル領域Ａ伝搬にあたる。 よって、構成ｄ４’で、「前記≪１つの第１入出力電極≫が、チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬してきた前記ＳＡＷが受信側電極部ＩＤＴ１１－２の代わりに設けられたＳＡＷの第１の反射体（反射器）により反射され、」該ＳＡＷが「チャネル領域Ａ（反応領域薄膜１２）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬して」きたものを「受信」することは、構成Ｄ４の「前記トランスデューサは、前記第１の表面弾性波が前記反射物で反射して前記第１の遅延線に沿って２回伝搬した後の前記第１の表面弾性波を受信」することに相当する。 カ（ア）本件補正発明は、「ＳＡＷセンサ」について、 「前記圧電基板に取り付けられ、前記圧電基板の表面に配置された複数のＳＡＷセンサ」「を備え」、（構成Ｃ） 「前記複数のＳＡＷセンサは、」（構成Ｄ） 「・・・第１のＳＡＷセンサであって、」（構成Ｄ１） 「前記複数のＳＡＷセンサのそれぞれの前記第１の遅延線の表面に取付けられた感応性層を備える、第１のＳＡＷセンサ、及び、」（構成Ｄ６） 「・・・第２のＳＡＷセンサであって、」（構成Ｅ１） 「・・・前記第２のＳＡＷセンサを含む、」（構成Ｅ２） との特定がなされている。 （イ）ａ 上記（ア）の特定において、構成Ｄ６の「それぞれの」は、構成Ｄ～Ｄ１にかけての、「複数のＳＡＷセンサ」のうち「第１のＳＡＷセンサ」という１つのＳＡＷセンサについての特定事項を受けての構成Ｄ６において、「第１のＳＡＷセンサ」又は「第１の遅延線」が複数であるかのような、又は、第２のＳＡＷセンサを含めた特定事項であるかのような意味付けを持ち得る語句であり、前後と整合がとれないために、何らかの誤記載である可能性がある。 ｂ（ａ）また、誤記載でないとすれば、前記「それぞれの」は、「複数のＳＡＷセンサ」、「第１の遅延線」いずれを修飾するとも解される。しかし、「第１の遅延線」を修飾するとすれば、「複数のＳＡＷセンサ」に対し複数の「第１の遅延線」が存在する場合を含むとの意味に理解されるし、「複数のＳＡＷセンサ」を修飾するとしても、該複数のＳＡＷセンサ個々に「第１の遅延線」が存在し得る、つまりは、「第１の遅延線」が複数存在し得る意味とも理解される。 （ｂ）しかし、「第１」・「第２」と区別して付番される各ＳＡＷセンサや、それら固有の、同じく「第１」・「第２」と区別し、かつ各ＳＡＷセンサと同じ番号にて付番されるの「遅延線」が、個々に複数組からなるといった解釈は、特段の断りがない限り自然な解釈とはいいがたいし、少なくとも、該各「ＳＡＷセンサ」・「遅延線」がそれぞれ１つからなる態様は当然に含まれるといえる。下記（ウ）以下においてさらに検討する。 （ウ）ａ 上記（ア）の特定において、「複数のＳＡＷセンサ」には「第１のＳＡＷセンサ」と「第２のＳＡＷセンサ」とが「含まれ」ると特定され、「第１のＳＡＷセンサ」及び「第２のＳＡＷセンサ」個々には複数である旨の特定を伴わないから、前記「複数のＳＡＷセンサ」は少なくとも「第１」及び「第２」の計２つの「ＳＡＷセンサ」からなるものと認められる。そして、「第１」・「第２」の「ＳＡＷセンサ」はいずれも単複の特定はないから、それぞれが単数である場合も少なくとも含まれると理解される、 ｂ 上記ａの解釈は、本件出願の発明の詳細な説明において、例えば【００８８】で 「ＳＡＷセンサ１０２、１０４、１０６、１０８、１１０」 と計５つの「ＳＡＷセンサ」を備える態様が示されつつ、同段落において 「例えば、ＳＡＷデバイス１００は５つのＳＡＷセンサ１０２、１０４、１０６、１０８、１１０を含んで示されるが、任意数（例えば、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又はそれ以上）のＳＡＷセンサを利用可能である。」 と、「ＳＡＷセンサ」の全個数が１・２及び３以上を含む単数又は複数であると説明されることにより裏付けられる（双方向ＳＡＷセンサについても一部一方向ＳＡＷセンサの記述を援用する形で例えば【０１０３】において同様に説明される。）。 ｃ つまり、本件補正発明は、「複数のＳＡＷセンサ」が１つの「第１のＳＡＷセンサ」及び１つの「第２のＳＡＷセンサ」の計２つの「ＳＡＷセンサ」のみからなる態様を当然に含む。 （エ）また、上記（ウ）と同時に、本件補正発明は、「複数のＳＡＷセンサ」について、構成Ｄ６・Ｅ２で、「第１のＳＡＷセンサ、及び、・・・第２のＳＡＷセンサを『含む』」と特定しているので、「複数のＳＡＷセンサ」には前記「第１」・「第２」以外の「ＳＡＷセンサ」を含む態様、すなわち、 ・態様１：それぞれ単数の「第１」・「第２」の各「ＳＡＷセンサ」以外に、各々単数である、第３のＳＡＷセンサを含む他の「ＳＡＷセンサ」を１～複数備える態様、 を含むといえる。 該≪態様１≫によれば、「複数のＳＡＷセンサ」には、本件補正発明において特定される「第１のＳＡＷセンサ」・「第２のＳＡＷセンサ」以外に別のＳＡＷセンサが単数又は複数含まれる。しかし、本件補正発明において該「別のＳＡＷセンサ」の構成については何らの特定をも伴わないから、該態様１にあたる実施形態においても、「第１」「第２」の「ＳＡＷセンサ」についての特定事項や相互関係は上記（ア）と変わりない。 （オ）本件補正発明は、上記（エ）の態様以外に、「第１のＳＡＷセンサ」（及び「第２のＳＡＷセンサ」それぞれ）について単数か複数かの特定を伴わないことによって、例えば、 ・態様２：「第１のＳＡＷセンサ」が複数のＳＡＷセンサから成り立つような態様、 が文言上想定可能であり、この場合、構成Ｄ６の「それぞれの」は「第１のＳＡＷセンサ」及びその「第１の遅延線」がそれぞれ複数存在する態様について用いられた用語と解することもできる。 （カ）しかし、本件補正発明が上記（エ）・（オ）の各態様を含み得るとしても、上記（ウ）ｃの場合（ＳＡＷセンサが第１・第２の２つのみである態様）も含むことが、本件補正後請求項１の記載や発明の詳細な説明の記載に照らしても明らかである。 （キ）構成Ｄ６に係る本件補正発明の解釈は上記（ア）～（カ）のとおりである。 よって、構成ｄ６１の「ＳＡＷセンサ１＿１のチャネル領域Ａにおいて圧電素子基板１０表面上に」「設けられ」た「反応領域薄膜１２」は、構成Ｄ６の「前記複数のＳＡＷセンサのそれぞれの前記第１の遅延線の表面に取付けられた感応性層」に含まれる、「第１のＳＡＷセンサ」及び「第１の遅延線」が共に一つである態様に相当するといえる。 キ（ア）上記オ（ウ）における認定と同様に、構成ｅ１１～ｅ１２を前提としてｄ２２に対応する反射体を用いた別態様として、引用発明は下記構成ｅ１２’・ｅ１３’を備えると認められる。 構成ｅ１２’： 送信側電極部ＩＤＴ１１－３と受信側電極部ＩＤＴ１１－４との機能を兼ねる１つの第２入出力電極が、圧電素子基板１０表面上に設けられたチャネル領域Ｒ（反応領域薄膜）を挟んでＳＡＷの第２の反射体（反射器）と対向し、 前記≪１つの第２入出力電極≫が、それに入力された正弦波交流信号に対応するＳＡＷを圧電素子基板１０の表面に励起し、ＡＷの伝搬方向の長さＬ２を有するチャネル領域Ｒ（反応領域薄膜）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬させ、 構成ｅ１３’： ＳＡＷの第２の反射体（反射器）で反射され、チャネル領域Ｒ（反応領域薄膜）が設けられた圧電素子基板１０の表面を伝搬してきたＳＡＷを１つの第２入出力電極が受信し、電気信号（検出信号）に変換して出力し、（【００２６】） （イ）上記ア～オの対比を踏まえれば、 ・構成ｅ１２・ｅ１２’の「ＳＡＷの伝搬方向の長さＬ２を有するチャネル領域Ｒ（反応領域薄膜）」は構成Ｅ１の「第２の遅延線」に相当し、 ・構成ｅ１２・ｅ１２’の「≪１つの第２入出力電極≫が、」「圧電素子基板１０の表面に励起」した「ＳＡＷ」は、構成Ｅ１の「第２の弾性表面波」に相当し、 ・構成ｅ１１の「ＳＡＷセンサ１＿２（第２弾性表面波素子）」は構成Ｅ１の「第２のＳＡＷセンサ」に相当する。 ク 構成ｅ２の「チャネル領域Ａ及びチャネル領域ＲのＳＡＷの伝搬方向の長さは、チャネル領域Ａに比べてチャネル領域Ｒの方が短く設定されている」ことは、構成Ｅ２の「前記第１の遅延線の長さは前記第２の遅延線の長さよりも長い」ことに相当する。 （４）一致点・相違点 上記（３）の対比を踏まえれば、本件補正発明と引用発明とは、下記アの点で一致し、下記イの点で相違する。 ア 一致点 「Ａ 表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスであって、 Ｂ 圧電基板と、 Ｃ 前記圧電基板に取り付けられ、前記圧電基板の表面に配置された複数のＳＡＷセンサとを備え、 Ｄ 前記複数のＳＡＷセンサは、 Ｄ１ 第１の表面弾性波を伝搬させるように構成された第１の遅延線を備える第１のＳＡＷセンサであって、 Ｄ２ 前記第１のＳＡＷセンサが、前記圧電基板に位置決めされたトランスデューサと、 前記トランスデューサに対向して前記圧電基板に位置決めされた反射物とを備え、 Ｄ３ 前記トランスデューサは、第１の遅延線に沿って第１の表面弾性波を伝送し、 Ｄ４ 前記トランスデューサは、前記第１の表面弾性波が前記反射物で反射して前記第１の遅延線に沿って２回伝搬した後の前記第１の表面弾性波を受信し、 Ｄ６ 前記複数のＳＡＷセンサのそれぞれの前記第１の遅延線の表面に取付けられた感応性層を備える、第１のＳＡＷセンサ、及び Ｅ１ 第２の表面弾性波を伝搬させるように構成された第２の遅延線を備える第２のＳＡＷセンサであって、 Ｅ２ 前記第１の遅延線の長さは前記第２の遅延線の長さよりも長い、前記第２のＳＡＷセンサを含む、 Ｆ 前記ＳＡＷデバイス。」 イ 相違点（構成Ｄ５） 本件補正発明は、第１の遅延線が第１の表面弾性波の伝搬を制限する導波層を備えるのに対し、引用発明の第１の遅延線では表面弾性波の伝搬は圧電素子基板１０の表面で生じ、導波層に相当する特段の付加要素を備えない点。 （５）相違点の判断 ア 圧電素子上に入力用・出力用ＩＤＴを設け、弾性表面波の伝搬領域表層に反応性膜を設けることで化学物質や生物学的物質の検出に用いる弾性表面波（ＳＡＷ）センサにおいて、圧電素子と反応性膜との間に、音響速度が圧電素子よりも遅い材料からなり弾性表面波を該層内に閉じ込める機能を持つ導波路層を設けることは、上記技術事項５における「第２の圧電層（案内膜、案内層）」及び上記技術事項６における「音響導波路層」が本件補正発明の「導波路層」に相当し、上記技術事項５・６として認定したとおり公知の技術である。 本件補正発明の導波層としては実施例において「アルミニウム若しくは金の層、又はポリマー、ＳｉＯ２若しくはＺｎＯを有する」ものが例示されているが、この点も技術事項５が「酸化亜鉛」（構成５ｄ２）を例示し、技術事項６が「ＳｉＯ2」を例示（構成６ｄ）していることと共通する。 また、本件補正発明における導波路層の設置目的が、「基板を通じて伝搬するにつれて表面弾性波を制限する」（【００８５】）すなわち表面弾性波を（層内に）局在化することにあるとしているのに対し、技術事項５では「それ自体で音響エネルギを閉じ込める」（構成５ｄ３）ことにあるとし、技術事項６では「入力ＩＤＴから出力ＩＤＴへのＳＡＷの伝送のためＳＨタイプ波を導波路ラブモードに変換する」（構成６ｄ）、つまり導波路層がある表面に沿って伝わるモードとすることにあるとしている点も、相互に共通する。 そして、弾性表面波の伝搬領域表面に設けた反応領域薄膜１２が設けられ、「ＳＡＷは圧電素子基板１０の表面近傍に集中して伝搬する音響波」であること（構成ｄ３２）を要件とする引用発明において、前記技術事項５・６弾性表面波を圧電素子基板が反応領域薄膜１２と接する基板表層部により集中させる動機付けは十分に存在するといえる。 以上のとおりであるから、引用発明において、公知技術である技術事項５・６に基づいて相違点の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 イ（ア）さらに、弾性表面波（ＳＡＷ）センサにおいて、表層の反応膜（反応領域）と圧電素子基板との間に、弾性表面波を局在化するための導波層を設けることは、上記技術事項５・６に係る引用文献５・６のほか、いずれも本件出願の優先日前に公知であるところの、下記（イ）に一部例示的に摘記する周知文献１～３にも記載されているとおりの周知技術であるともいえる。 よって、引用発明において相違点の構成とすることは、引用発明に同分野における周知技術を適用することによっても当業者が容易になし得たことである。 （イ）周知文献の記載事項 下記周知文献１～３はいずれも、本件出願の優先日前に公知である。 ａ 周知文献１（国際出願公開第２０１５／０８８４４６）の記載事項 （ａ）請求項１ ［図：0001418016000003.jpg］ （当審訳：「標的インフルエンザウイルスを検出するためのインフルエンザ検出器であって、該インフルエンザ検出器は、液体環境；該液体環境と接触する表面弾性波（ＳＡＷ）センサー；および該ＳＡＷセンサーの表面に固定化され、該標的インフルエンザウイルスに対する分析物を選択的に捕捉するための標的生物活性インフルエンザ種、を含み、該ＳＡＷセンサーは、以下からなる： 印加された電界に応答して表面弾性波信号を生成するための圧電材料からなる基板と、該基板の上に形成され、標的生物活性インフルエンザ種を選択的に固定化するためにその上に形成された機能化表面を有する絶縁性層であって、該機能化表面は液体環境と接触しており、該ＳＡＷセンサーによって生成される表面音響波信号は、標的インフルエンザウイルスの分析物が液体エムドロンメント中に存在し、ＳＡＷセンサーの絶縁性層の機能化表面に固定化された標的生物活性インフルエンザ種によって捕捉されることに応答して変化する、絶縁性層。」） （ｂ）請求項４ ［図：0001418016000004.jpg］ （当審訳：「前記ＳＡＷセンサが、前記基板上に形成された、一対の電極幅単相一方向トランスデューサへの２ポート遅延線をさらに備え、前記弾性表面波信号が、液体環境中のインフルエンザＡウイルスの被分析物の存在に応答して変化する面内モード弾性表面波信号からなり、前記変化が、無線周波数（ＲＦ）範囲Ｓ２１のＳパラメータの位相シフトからなる、請求項１に記載のインフルエンザ検出器。」） （ｃ）請求項６ ［図：0001418016000005.jpg］ （当審訳：「前記面内モード弾性表面波信号がラブモード波信号からなり、前記基板の上面に形成された絶縁層が導波路として機能する、請求項4に記載のインフルエンザ検出器。」） （ｄ）[0026] ［図：0001418016000006.jpg］ ［図：0001418016000007.jpg］ （当審訳：「４１°ＹＸ Ｌｉｂ０３のＳＡＷ伝搬は、漏洩ＳＨ波モード（すなわち、水平面内で偏極したせん断波またはＳ波）によるものであるが、ＬｉＮｂ０３基板上に導波層を追加することにより、表面に集中するＬｏｖｅモード波の発生が可能になり、表面感応型デバイスを製造することができる。ＳｉＯ２は、せん断速度が小さく、ＬｉＮｂ０３基板からＳｉ０２層へのＳＡＷの効率的な結合を可能にするため、導波路材料として好ましく選択される。また、４１°ＹＸ ＬｉＮｂ０３基板とＳｉ０２導波層を用いたラブモードＳＡＷの使用により、ラブモードの面内伝搬は液体中で機械的減衰効果が小さいため、得られるＳＡＷセンサーを液体媒体や液体環境中のウイルス検出に使用することができ、機械的エネルギー損失を最小限に抑えることができる。また、ＬｉＮｂ０３の高誘電率とＳｉ０２層の高絶縁性により、高周波における液体媒体中の電気エネルギー損失も低減される。」） ｂ 周知文献２（特表２０１３－５３３４８９号公報） 「【０００４】化学的または生物学的検出を行えるものとして開発された１つのタイプの音響力学的センサとしては、弾性表面波（ＳＡＷ）センサが挙げられる。ＳＡＷの一例としては、ラブ型の横波弾性表面波（ｓｈｅａｒ－ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ；ＳＨ－ＳＡＷ）センサが挙げられる。ＳＨ－ＳＡＷセンサは、以下の４つの主要構成要素を含む：１）圧電基板；２）上記の基板上に配された入力用のすだれ状トランスデューサ（ｉｎｔｅｒ－ｄｉｇｉｔａｔｅｄ ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ；ＩＤＴ）であって、圧電効果に基づいて弾性波を励起するために用いられるＩＤＴ；３）上記の基板上に配された出力用のＩＤＴであって、伝搬された弾性波を受け取り、圧電効果を利用して電気的出力を発生させるＩＤＴ；および４）上記２つのＩＤＴの上に配された導波層であって、波をその導波層内に閉じ込めて、入力用ＩＤＴから出力用ＩＤＴへと波を伝搬させる導波層。ＳＨ－ＳＡＷの表面上に１つまたは複数の材料が存在することにより、導波層を通る波の伝搬が影響を受け、所与の検体の検出を容易にする。たとえば、ＳＡＷセンサは、ＳＡＷデバイスの表面上に生物学的な感知層が設けられた、積層構造のセンサであってもよい。金または二酸化ケイ素の層が、表面上に積層されてもよい。たとえば、金は、高い親和力で蛋白質と相互作用し、抗原検出のための特定の抗体と共に用いることができる。動作時には、ＳＡＷセンサは、そのＳＡＷセンサに信号を送出しそのＳＡＷセンサから信号を受け取る回路に、電気的に接続される。典型的には、かかる回路は高周波信号発振器を含む。」 ｃ 周知文献３（中国特許出願公開第１０２７４９１３０号明細書） 導波層の設置については本文中にも随所に記載があるが、それらを代表／要約する記載として摘要欄の記載事項を下記に示す。 第1頁「摘要」欄： ［図：0001418016000008.jpg］ （当審訳：「本発明は、微量物質の質量を測定するためのＬＯＶＥ波型測定装置であって、同一の圧電基板材料上に作られた入力フォーク指トランスデューサと、２つの同一の出力フォーク指トランスデューサと、入力フォーク指トランスデューサの第１の電極と、入力フォーク指トランスデューサの第２の電極と、出力フォーク指トランスデューサの第１の電極と、出力フォーク指トランスデューサの第２の電極と、入力フォーク指トランスデューサを覆うカバーとを備えるＬＯＶＥ波型測定装置を開示する、入力フォーク指トランスデューサの第１の電極、入力フォーク指トランスデューサの第２の電極、出力フォーク指トランスデューサの第１の電極、出力フォーク指トランスデューサの第２の電極、および出力フォーク指トランスデューサの第２の電極の端部はすべて、ＬＯＶＥ導波路層から突出しており、２つの出力フォーク指トランスデューサは、入力フォーク指トランスデューサの左右に対称に配置され、入力フォーク指トランスデューサは、出力フォーク指トランスデューサと 入力フォーク指変換器と出力フォーク指変換器の間の領域が測定領域となる。本発明は簡単な構造で、ミリグラム以下の物質の質量を測定することができる。」） （６）引用発明の構成ｄ２２についての予備的見解（上記（３）オ） ア 上記（３）オにおいては、引用発明の構成ｄ２２の態様に基づいて、構成ｄ２２’・ｄ３１’・ｄ４’・ｅ１２’・ｅ１３’なる≪追加構成≫をそれぞれ追加的に引用発明の構成として認定し、これに基づいて、本件補正発明との相当関係の判断を行った。 しかし、仮に、前記ｄ２２の態様から直ちに前記追加構成が引用発明として認定できないとすれば、本件補正発明と引用発明とは、上記相違点のほか、下記相違点Ａにおいて追加的に相違する。 ［相違点Ａ］（構成Ｄ２～Ｄ４） 本件補正発明は、トランスデューサが一つであり、弾性表面波を伝送しかつ受信する機能を備えると共に、トランスデューサに対向した位置には反射物を備え、トランスデューサから第１の遅延線に沿って伝送した表面弾性波は、反射物で反射し、前記トランスデューサが第１の遅延線に沿って２回伝搬した後の表面弾性波を受信するのに対し、引用発明では、トランスデューサとしては、第１の遅延線を挟んで伝送用（送信用）と受信用とが対向し、反射物は備えず、受信用のトランスデューサは、伝送用トランスデューサから第１の遅延線に沿って１回伝送した表面弾性波を受信するものである点。 イ 相違点Ａについて 上記相違点Ａについて念のため検討する。 上記（３）で認定したとおり、引用発明は構成ｄ２２として、「一態様として、受信電極の代わりにＳＡＷの反射体（反射器）を設け、送信電極が受信電極の機能を兼ねるようにした１つの入出力電極と、反射器とにより構成される態様」を備える。 そうすると、構成ｄ２２を除く構成が、送信用・受信用トランスデューサが対向配置され第１の遅延線に沿って表面弾性波が１回のみ伝送する態様である引用発明において、構成ｄ２２の態様に従い、トランスデューサを送受信兼用として受信用トランスデューサの位置に反射体を設け、第１の遅延線に沿って表面弾性波が往復、つまり２回伝送される方式に変更し、上記≪追加構成≫を備えるものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 （７）請求人の主張について ア 審判請求書における請求人の主張について （ア）請求人の主張 請求人は、令和5年7月５日付け手続補正書により補正された審判請求書（以下「補正審判請求書」という。）において、引用文献１～６、特に引用文献５、６には、本補正の請求項１に記載される、「前記複数のＳＡＷセンサのそれぞれの前記第１の遅延線の表面に取付けられた感応性層」が記載も示唆もされていない旨、主張する。 （イ）請求人の主張について 複数のＳＡＷセンサのうち第1のＳＡＷセンサの要素である第1の遅延線の表面に感応性層に相当する要素を設けることに相当する構成を、引用発明が備える（構成ｄ６１）ことは、上記カ（キ）において説示したとおりである。 よって、当該請求人の主張は採用できない。 イ 上申書における請求人の主張について 上申書において請求人は、本件補正発明の新規性・進歩性に関し、「出願人は、令和５年７月５日に審判請求書の請求の理由について補正し、令和５年６月２１日付け手続補正書に記載の各請求項に係る発明が新規性及び進歩性を有する旨の主張をしております。」と述べるのみで、補正審判請求書における主張に付加されるべき新たな主張は行っていない。 補正審判請求書における請求人の主張については上記アで説示したとおりである。 ウ 上記ア・イのとおりであるから、上記請求人の各主張を採用することはできない。 （８）小括 上記（１）～（７）のとおりであるから、本件補正発明は、引用文献２に記載された発明並びに引用文献５・６に記載された技術事項、及び／又は周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 ３ むすび 上記２において検討したことからみて、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３．本願発明について １ 本願発明 本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１～２０に係る発明は、査定前補正により補正された、特許請求の範囲の請求項１～２０に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２．１（１）に本件補正前請求項１として記載したとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由 本願発明に係る原査定の、引用文献２に基づく拒絶の理由１・２は、概略以下のとおりである。 理由１：本願発明は、その出願前（優先日前）に日本国内又は外国において、頒布された引用文献２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 理由２：本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された引用文献２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ３ 引用例 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２の記載事項は、上記第２．２－２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 （１）新規性について 本願発明は概略、本件補正発明の発明特定事項から、構成Ｄ５・Ｄ６を省いたものである。 上記第２．２－２（３）・（４）で検討したとおり、本件補正発明と引用発明との相違点は構成Ｄ５に関するもののみである。そうすると、この構成を省いた本願発明と引用文献２に記載された発明との間に相違点は存在しない。 したがって、本願発明は、引用文献２に記載された発明と同一であり、引用文献２に記載された発明であるといえる。 （２）進歩性について ア 相違点が認められないこと 上記（１）のとおり本願発明と引用文献２に記載された発明との間には相違点は認められない。 また、仮に相違点が存在するとしても、引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことである。 よって、本願発明は引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。 イ 仮に、引用文献２に記載された発明（引用発明）が上記≪追加構成≫を備えるとまでいえないとしても、引用発明に引用文献に記載された該≪追加構成≫に係る技術事項を適用して本件補正発明の構成とすることが当業者にとって容易になし得たことは、上記第２．２－２（６）で説示したとおりである。よって、本件補正発明の構成Ｄ５・Ｄ６を欠く上位概念にあたる本願発明の構成とすることも、前記説示と同様の理由により、引用発明に引用文献に記載された前記≪追加構成≫に係る技術事項を適用することにより当業者にとって容易になし得たことである。 第４．むすび 以上のとおり、本願発明は、引用文献２に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものである。 また、本願発明は、引用文献２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。