2023-005449

特願２０２０－５２２９１８「ナノ粉末、ナノセラミック材料並びにこれらの製造方法及び使用方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 １年 ５月 ２日国際公開、ＷＯ２０１９／０８４４８６、令和 ３年 １月１４日国内公表、特表２０２１－５０１１０６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 １ 手続の経緯 本件拒絶査定不服審判事件に係る特願２０２０－５２２９１８号の出願（以下、「本願」という。）は、２０１８年（平成３０年）１０月２６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理、２０１７年１０月２７日（ＵＳ）アメリカ合衆国、２０１８年１０月２３日（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、令和３年７月２１日付けで拒絶理由が通知され、令和４年１月２６日に意見書及び手続補正書が提出され、同年４月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１９日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１２月１日付けで拒絶査定がされ、令和５年４月５日に拒絶査定不服審判が請求され、その後、令和６年１月３０日付けで、当審から拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年５月２９日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。 ２ 本願発明（特許請求の範囲の記載） 本願の請求項１～１４に係る発明は、令和６年５月２９日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）により補正された特許請求の範囲の請求項１～１４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。 「【請求項１】 複数のナノ粒子を含むナノ粉末であって、複数のナノ粒子の少なくとも一部は、 酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第１の材料を含むコア粒子と、 コア粒子上の薄膜コーティングであって、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第２の材料を含む薄膜コーティングを含み、 複数のナノ粒子の一部は、反対側にくぼみを有する球形を含むドーナツ形状を有するナノ粉末。」 ３ 当審拒絶理由の概要 当審拒絶理由は、概略、次の(１)及び(２)を含むものである。 (１) サポート要件違反の拒絶理由 本件補正前の請求項１に係る発明は、その課題を「ナノメートルスケールの半導体製造プロセスにおいて、チャンバ内のコンポーネントのプラズマによる深刻な侵食と粒子生成を抑制し、十分な機械的特性を有する保護コーティング等のナノセラミック材料を形成できるナノ粉末、当該ナノ粉末の製造及び使用する方法を提供すること」とするところ、本願の願書に添付された明細書の発明の詳細な説明（以下、それぞれ「本件明細書」、「本件発明の詳細な説明」といい、同特許請求の範囲、図面を「本件特許請求の範囲」、「本件図面」という。）の記載により当業者が当該課題を解決できると認識できる範囲のものであるとも、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該課題を解決できる範囲のものであるともいえないから、本件特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第１号に適合するものではない。 よって、本願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 (２) 実施可能要件違反の拒絶理由 本件発明の詳細な説明の記載には、当業者が過度の試行錯誤を要することなく、本件補正前の請求項１に係る発明の「ナノ粉末」を形成できる程度に記載されているとはいえないから、本件発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号に適合するものではない。 よって、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 ４ 本件明細書及び本件図面の記載 本件明細書及び本件図面には、以下の記載がある（下線は当審が付した。以下同様である。）。 「【技術分野】 【０００１】 本明細書の実施形態は、ナノ粉末、ナノセラミック材料、並びにこれらを製造及び使用する方法に関する。ナノ粉末は、薄膜コーティングされたコア粒子を有するナノ粒子を含む。コア粒子及び薄膜コーティングは、独立して、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせの少なくとも１つから形成される。薄膜コーティングは、原子層堆積（ＡＬＤ）等の非見通し技術を用いて形成することができる。」 「【背景】 【０００２】 様々な半導体製造プロセスは、高温、高エネルギープラズマ、腐食性ガスの混合物、高応力、及びこれらの組み合わせを用いる。これらの極端な条件により、処理チャンバ内のコンポーネントがプラズマ照射に曝され、プロセスのドリフトとパーティクルの発生につながる。例えば、ドライエッチング及びクリーニングプロセスに用いられるフッ素ベースのプラズマは、コンポーネントの表面のフッ素化を引き起こす可能性がある。チャンバ内のコンポーネントには通常、アルミナが含まれる。これは、ナノメートルスケールのデバイス製造において、深刻な侵食と粒子生成の問題を生じさせてきた。 【０００３】 保護コーティングは、典型的には、様々な方法（例えば、溶射、スパッタリング、プラズマ溶射又は蒸発技術等）によりチャンバコンポーネント上に堆積される。しかしながら、そのようなコーティングは、半導体処理にとって不十分な機械的特性（例えば、曲げ強度及び破壊靭性）を有する可能性がある。そのようなコーティングは通常微結晶構造を有している。」 「【詳細な説明】 【０００８】 本明細書に記載の実施形態は、ナノ粉末、ナノセラミック材料、並びにこれらの調製及び使用方法に関する。ナノ粉末は、各々の少なくとも一部が薄膜でコーティングされたコア粒子を有するナノ粒子を含む。コア粒子及び薄膜コーティングは、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物又は希土類金属含有酸フッ化物のうちの少なくとも１つから独立して選択される異なる材料で構成される。 【０００９】 図１は、本明細書に記載の実施形態による複数のナノ粒子１０５を含むナノ粉末１００を表す。図１に示されるように、各々のナノ粒子の少なくとも一部は、コア粒子１１０と、コア粒子上の薄膜コーティング１１５とを含む。特定の実施形態では、ナノ粒子１０５のコア粒子１１０は、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせから選択される第１の材料を含む粉末から形成される。特定の実施形態では、コア粒子１１０のサイズは、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約１０ｎｍ～約９０ｎｍ、約２０ｎｍ～約８０ｎｍ、又は約３０ｎｍ～約７０ｎｍである。幾つかの実施形態では、コア粒子のサイズは、約５ｎｍ、約１０ｎｍ、約２０ｎｍ、約３０ｎｍ、又は約１００ｎｍ未満である。 【００１０】 実施形態は、ナノ粒子を参照して本明細書で説明されることに留意すべきである。しかしながら、実施形態は、約１～１００ミクロンの規模のサイズを有するマイクロ粒子でも機能すると理解すべきである。 【００１１】 特定の実施形態では、コア粒子１１０上の薄膜コーティング１１５は、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせから選択される第２の材料から形成される。薄膜コーティング１１５の第２の材料は、コア粒子１１０の第１の材料とは異なる。特定の実施形態では、薄膜コーティング１１５の厚さは、約１ｎｍ～約５００ｎｍ、約１ｎｍ～約２５０ｎｍ、約１ｎｍ～約１００ｎｍ、約１ｎｍ～約５０ｎｍ、約１ｎｍ～約２５ｎｍ、約１ｎｍ～約１０ｎｍ、約１ｎｍ～約５ｎｍ、約３０ｎｍ～約４０ｎｍ、又は約３ｎｍ～約５ｎｍであってもよい。幾つかの実施形態では、薄膜コーティングの厚さは、約１ｎｍ、約３ｎｍ、約４ｎｍ、約５ｎｍ、約１０ｎｍ、約２５ｎｍ、約５０ｎｍ、又は約１００であってもよい。実施形態では、薄膜コーティング１１５は、約１ｇ／ｃｍ３～約２０ｇ／ｃｍ３、約２ｇ／ｃｍ３～約１５ｇ／ｃｍ３、約３ｇ／ｃｍ３～約１０ｇ／ｃｍ３、又は４ｇ／ｃｍ３～約７ｇ／ｃｍ３の密度を有する。幾つかの実施形態では、薄膜コーティング１１５の密度は、約１ｇ／ｃｍ３、約２ｇ／ｃｍ３、約３ｇ／ｃｍ３、約４ｇ／ｃｍ３、約５ｇ／ｃｍ３、約６ｇ／ｃｍ３、又は約７ｇ／ｃｍ３の密度を有する。本明細書に記載の実施形態によるナノ粉末１００中のナノ粒子１０５は、約５ｎｍ～約６００ｎｍ、約１０ｎｍ～約３００ｎｍ、約２５ｎｍ～約２５０ｎｍ、又は約５０ｎｍ～約１００ｎｍである。 【００１２】 図１に示されるように、ナノ粉末１００中のナノ粒子１０５の少なくとも一部は、薄膜コーティング１１５を有する。幾つかの実施形態では、ナノ粒子の少なくとも一部は、薄膜コーティング１２０で完全にコーティングされる。幾つかの実施形態では、ナノ粒子の少なくとも一部は、薄膜コーティング１２５で部分的にコーティングされる。特定の実施形態では、ナノ粉末１００中のナノ粒子１０５の少なくとも約５％、約１０％、約２５％、約５０％、約７５％、約９０％、又は約９５％が少なくとも部分的にコーティングされる。特定の実施形態では、ナノ粉末１００中のナノ粒子１０５の少なくとも約５％、約１０％、約２５％、約５０％、約７５％、約９０％、又は約９５％が薄膜コーティングで完全にコーティングされる。 【００１３】 コア粒子１１０の第１の材料と薄膜コーティング１１５の第２の材料は、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせから独立して選択される。第１の材料と第２の材料は共通の元素を含むことができるが、第１の材料は第２の材料とは異なる。第１の材料及び／又は第２の材料中の希土類金属は、イットリウム、エルビウム、ランタン、ルテチウム、スカンジウム、ガドリニウム、サマリウム及び／又はジスプロシウムから選択することができる。希土類金属含有酸化物の例には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、これらの組み合わせ等が含まれるが、これらに限定されない。希土類金属含有フッ化物の例には、フッ化イットリウム（ＹＦ３）、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）、フッ化ジスプロシウム（ＤｙＦ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）、これらの組み合わせ等が含まれるが、これらに限定されない。希土類金属含有酸フッ化物の例には、酸フッ化イットリウム（ＹｘＯｙＦｚ又はＹＯＦ）、酸フッ化エルビウム（ＥｒｘＯｙＦｚ）、フッ化ジスプロシウム（ＤｙＦ３）、酸フッ化ジスプロシウム（ＤｙxＯｙＦｚ）、酸フッ化ガドリニウム（ＧｄxＯｙＦｚ）、酸フッ化スカンジウム（ＳｃxＯｙＦｚ）、これらの組み合わせ等が含まれるが、これらに限定されない。 【００１４】 特定の実施形態では、コア粒子１１０及び／又は薄膜コーティング１１５は、Ｙ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）、ＹＦ３、ＹＯＦ、Ｅｒ２Ｏ３、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２（ＥＡＧ）、ＥｒＦ３、ＥＯＦ、Ｌａ２Ｏ３、Ｌu２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｃＦ３、ＳｃＯＦ、Ｇｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３又はＤｙ２Ｏ３の少なくとも１つを含むことができる。また、コア粒子１１０及び/又は薄膜コーティング１１５は、ＹＡｌＯ３（ＹＡP）、Ｅｒ４Ａｌ２Ｏ９（ＥＡＭ）、ＥｒＡｌＯ３（ＥＡＰ）、又はランタン、ルテチウム、スカンジウム、ガドリニウム、サマリウム又はジスプロシウムの他のターナリーバリアントであってもよい。前述の希土類金属含有材料には、他の材料（例えば、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳiＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、及び/又は他の酸化物等）の微量を含んでいてもよい。 【００１５】 幾つかの実施形態では、複数のナノ粒子１０５を含むナノ粉末１００は、約４０モル％～約９０モル％、約５０モル％～約８０モル％、又は約６０モル％～約７０モル％の酸化イットリウムと、約１０モル％～約６０モル％、約２０モル％～約５０モル％、又は約３０モル％～約４０モル％の酸化ジルコニウムを含む。特定の実施形態では、複数のナノ粒子１０５を含むナノ粉末１００は、約６０モル％～約７０モル％の酸化イットリウムと、約３０モル％～約４０モル％の酸化ジルコニウムを含む。幾つかの実施形態では、コア粒子１１０は酸化ジルコニウムであり、薄膜コーティング１１５は酸化イットリウムである。幾つかの実施形態では、コア粒子１１０は酸化イットリウムであり、薄膜コーティング１１５は酸化ジルコニウムである。幾つかの実施形態では、コア中の希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせの、薄膜コーティング中の希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせに対する比は、約１：１００～約１００：１、約１：７５～約７５：１、約１：５０～約５０：１、約１：３５～約３５：１、約１：２０～約２０：１、約１：１５～約１５：１、約１：１０～約１０：１、約１：５～約５：１、又は約１：１００～約３５：１であってもよい。 【００１６】 コア粒子がＺｒＯ２で形成され、約１００ｎｍのサイズを有し、薄膜コーティングが様々な厚さのＹ２Ｏ３で形成される特定の実施形態において、各々の成分の濃度（モル％）を表１に示すことができる。同様に、表１は、コア粒子がＹ２Ｏ３で形成され、約１００ｎｍのサイズを有し、薄膜コーティングが様々な厚さのＺｒＯ２で形成される各々の成分の濃度を示す。 【００１７】 【表１】 ［図：0001420742000001.jpg］ ［図：0001420742000002.jpg］ 【００１８】 表１を参照すると、特定の実施形態では、Ｙ２Ｏ３（薄膜コーティング）のＺｒＯ２（コア粒子）に対する比が約６０モル％～約７０モル％の組成を達成するために、Ｙ２Ｏ３薄膜コーティング（即ち、「シェル」）の厚さは、約３０ｎｍ～約４０ｎｍの範囲にあるべきである。同様に、約１００ｎｍのＹ２Ｏ３コア粒子の場合、特定の実施形態では、Ｙ２Ｏ３（コア粒子）のＺｒＯ２（薄膜コーティング）に対する比が約６０モル％～約７０モル％の組成を達成するために、ＺｒＯ２薄膜コーティングの厚さは約３ｎｍ～約５ｎｍの範囲であるべきである。 【００１９】 図２は、本明細書に記載される少なくとも１つの実施形態によるナノ粉末２００中のナノ粒子２０５を示す。ナノ粒子２０５の少なくとも一部は、球形の反対側に深いくぼみ２１０を有する球形を有することができる。即ち、幾つかのナノ粒子２０５はドーナツ形状２１５を有することができる。特定の理論に束縛されることなく、幾つかの実施形態では、ドーナツ形状２１５を有するナノ粒子２０５を有するナノ粉末２００から形成されたナノコーティングは、他の形状のナノ粒子で形成されたナノコーティングと比較して、改善された形態及び多孔性を有することができると考えられる。例えば、ドーナツ形状２１５を有するナノ粒子２０５から形成されたナノコーティングは、ナノ粉末の溶融の改善、粗さの減少、及び多孔性の減少により、より少ないノジュール及びスプラットを有する可能性があり、これらの全てはオンウェーハ粒子性能の改善に寄与する。 【００２０】 本明細書に記載の実施形態による複数のナノ粒子を有するナノ粉末は、原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成することができる。ＡＬＤは、基板の表面（例えば、コア粒子の出発材料）との化学反応を介して、材料の制御された自己制限的な堆積を可能にする。ＡＬＤは、コンフォーマルプロセスであるだけでなく、均一プロセスでもあり、例えば約１ｎｍ以上の非常に薄い膜を形成することができる。コア粒子のすべての露出面には、同じ又はほぼ同じ量の材料が堆積する。ＡＬＤプロセスの典型的な反応サイクルは、前駆体（つまり、単一の化学物質Ａ）がＡＬＤチャンバに注入され、コア粒子の露出面に吸着することから始まる。次に、反応物質（即ち、単一の化学物質Ｒ）がＡＬＤチャンバに導入され、続いて洗い流される前に、過剰な前駆体がＡＬＤチャンバから洗い流される。ＡＬＤの場合、各反応サイクルは１つの原子層又は原子層の一部である特定の厚さの層を成長させるため、材料の最終的な厚さは実行される反応サイクルの数に依存する。ＡＬＤ技術は、比較的低温（例えば、約２５℃～約３５０℃）で材料の薄層を堆積できるため、出発材料に損傷を与えない。 【００２１】 ＡＬＤは、本明細書に記載されるような希土類金属含有ナノ粉末を形成するために特に有用である。従来の見通し内堆積法では、ＡＬＤにより堆積されるものよりもコア粒子上に厚いコーティングが生成される。実際、そのような従来の方法は、凝集を引き起こしてミクロンサイズの粒子をもたらす可能性がある。そのような粒子は、ナノスケールのデバイス製造に用いるには大きすぎる。従って、本明細書における幾つかの実施形態の成果は、コア粒子に薄膜コーティングを適用して、処理チャンバ内の過酷なプラズマ及び反応物質条件に耐性のある複数のナノ粒子を含むナノ粉末を生成することである。このようなナノ粉末は、例えば、プラズマ溶射プロセスのベース材料として、イオンアシスト蒸着スパッタリングデバイスのターゲットを形成するために、又はナノセラミックコンポーネントを形成するために用いることができる（例えば、部品の型にナノ粉末を充填し、ナノ粉末を焼結してナノセラミックコンポーネントを形成する）。 【００２２】 本明細書に記載されるコア粒子上の薄膜コーティングは、希土類金属含有前駆体と、酸素及び／又はフッ素からなる又はこれらを含む１つ以上の反応物質によるＡＬＤを用いて形成することができる。金属酸化物層を形成するのに適した酸素反応物は、酸素、水蒸気、オゾン、純酸素、酸素ラジカル、又は他の酸素源であってもよい。金属フッ化物層を形成するための適切なフッ化物反応物は、例えば、フッ化物（例えば、ＴｉＦ４、ＨＦ）又は他のフッ素源であってもよい。 【００２３】 希土類金属含有前駆体は、イットリウム、エルビウム、ランタン、ルテチウム、スカンジウム、ガドリニウム、サマリウム又はジスプロシウムを含むことができるが、これらに限定されない。適切なイットリウム前駆体の例には、トリス（Ｎ、Ｎ－ビス（トリメチルシリル）アミド）イットリウム（ＩＩＩ）又はイットリウム（ＩＩＩ）ブトキシドが含まれるがこれらに限定されず、対応する反応物は、Ｏ２、Ｈ２Ｏ又はＯ３であってもよい。適切なエルビウム前駆体の例には、トリス-メチルシクロペンタジエニルエルビウム（III）（Ｅｒ（ＭＥＣp）３）、エルビウムボラナミド（Ｅｒ（ＢＡ）３）、Ｅｒ（ＴＭＨＤ）３、エルビウム（III）トリス（２，２，６，６-テトラメチル-３，５-ヘプタンジオナート）、又はトリス（ブチルシクロペンタジエニル）エルビウム（III）が含まれるがこれらに限定されず、対応する反応物は、Ｏ２、Ｈ２Ｏ又はＯ３であってもよい。 【００２４】 様々なタイプのＡＬＤプロセスが存在し、特定のタイプは、コーティングされる基材、コーティング材料、表面とコーティング材料との間の化学的相互作用等の幾つかの要因に基づいて選択することができる。様々なＡＬＤプロセスの原理は、コーティングされる表面を、自己制限的に1回に１つずつ表面と化学的に反応するガス状化学前駆体のパルスに繰り返し曝露することにより、薄膜層を成長させることを含む。 【００２５】 例示的な実施形態では、希土類金属含有酸フッ化物薄膜コーティングを形成するための第１のプロセスは、ｘ回の原子層堆積（ＡＬＤ）サイクルを実行してコア粒子上に第１の希土類酸化物層を形成することを含むことができる。プロセスは、ｙ回のＡＬＤサイクルを実行して第１の希土類酸化物薄膜層上に第１の希土類フッ化物薄膜層を形成することを更に含むことができる。第１の希土類酸化物層及び第１の希土類フッ化物層は、同じ希土類金属を含むことができる。プロセスは、インサイチュで、第１の希土類フッ化物層からのフッ素の第１の希土類金属含有酸化物層への拡散、又は、第１の希土類金属含有酸化物層からの酸素の第１の希土類金属含有フッ化物層への拡散の少なくとも１を実行して、第１の希土類金属含有酸フッ化物薄膜コーティングを形成することを更に含むことができる。第１の希土類酸フッ化物薄膜コーティングは、ｘ及びｙに基づく、酸素対フッ素のモル比を有することができる。 【００２６】 例示的な実施形態では、コア粒子上に希土類酸フッ化物薄膜コーティングを形成するための第２のプロセスは、ＡＬＤサイクルを実行してコア粒子の表面上に第１の希土類酸フッ化物層を形成することを含むことができる。第１の希土類酸フッ化物層は、目標となるモル酸素対フッ素比を有することができる。ＡＬＤサイクルは、コア粒子を含む堆積チャンバに希土類金属含有前駆体を注入することにより、コア粒子の表面上に希土類金属の第１の吸収層を形成することを含むことができる。更に、ＡＬＤサイクルは、第１の用量レートの少なくとも１つの酸素含有反応物と第２の用量レートの少なくとも１つのフッ素含有反応物を堆積チャンバ内に共注入することにより、少なくとも１つの酸素含有反応物と少なくとも１つのフッ素含有反応物を第１吸収層と反応させることを含むことができる。 【００２７】 例示的な実施形態では、コア粒子上に希土類酸フッ化物薄膜コーティングを形成するための第３のプロセスは、ｚ回のＡＬＤサイクルを実行しコア粒子の表面上に第１の希土類金属含有酸化物層を形成することを含むことができる。更に、プロセスは、コア粒子をフッ素含有種に曝露することを含むことができる。更に、プロセスは、第１の希土類金属含有酸化物層を第１の希土類金属含有酸フッ化物薄膜コーティングに変換することを含むことができる。更に、プロセスは、少なくとも１回の追加のＡＬＤサイクルを実行し追加の希土類酸化物層を形成することを含むことができる。更に、プロセスは、コア粒子をフッ素含有種に曝露することを含むことができる。更に、プロセスは、追加の希土類金属含有酸化物層を追加の希土類金属含有酸フッ化物薄膜コーティングに変換することを含むことができる。 【００２８】 これらのプロセスを繰り返して、目標の厚さに達するまで、更なる希土類酸フッ化物層を形成することができる。 【００２９】 図３Ａは、実施形態による、複数のナノ粒子を含むナノ粉末を調製するための方法３００を示す。ブロック３０４で、方法３００は、コア粒子の出発材料を選択することにより、又は当業者に知られている粒子サイズ分布を制御するための逆ストライク共沈プロセスを用いて出発材料を形成することにより、任意に開始することができる。出発材料の選択又は形成は、ＡＬＤでナノ粉末を形成するのと同じエンティティーにより、又は異なるエンティティーにより実行されてもよい。幾つかの実施形態において、出発材料中のコア粒子は、純粋な酸化イットリウム、純粋な酸化ジルコニウム、又は約６０ｍｏｌ％～約７０ｍｏｌ％の酸化イットリウムと約３０ｍｏｌ％～約４０ｍｏｌ％の酸化ジルコニウムの酸化イットリウムと酸化ジルコニウムの複合物であってもよい。 【００３０】 ブロック３０５では、コア粒子を含む出発材料がＡＬＤ堆積チャンバにロードされる。例えば、コア粒子は、当業者に知られている様々な方法を用いて反応チャンバに導入される粉末の形態であってよい。 【００３１】 ブロック３１０で、方法３００は、ＡＬＤを用いて薄膜コーティングをコア粒子の少なくとも一部の上に堆積させることを含む。表面反応（例えば、半反応）は連続して行われ、前駆体と反応物は実施形態では接触しない。前駆体又は反応物質を導入する前に、ＡＬＤプロセスが行われるチャンバを不活性キャリアガス（窒素又は空気等）でパージして、未反応の前駆物質及び/又は表面前駆体副産物を除去することができる。ＡＬＤプロセスは、プロセスのタイプに応じて様々な温度で実行することができる。特定のＡＬＤプロセスの最適な温度範囲は、「ＡＬＤ温度ウィンドウ」と呼ばれる。ＡＬＤ温度ウィンドウを下回る温度では、成長速度が低下し、非ＡＬＤタイプの堆積が発生する可能性がある。ＡＬＤ温度ウィンドウを超える温度では、化学気相堆積（ＣVＤ）メカニズムを介した反応が発生する可能性がある。ＡＬＤ温度ウィンドウは、約１００℃～約６５０℃の範囲であってもよい。幾つかの実施形態では、ＡＬＤ温度ウィンドウは、約２０℃～約２００℃、約２５℃～約１５０℃、約１００℃～約１２０℃、又は約２０℃～１２５℃である。 【００３２】 ＡＬＤプロセスは、コア粒子上に均一な厚さを有するコンフォーマルな薄膜コーティングを提供することができる。コア粒子の表面への前駆体の十分な曝露時間は、前駆体が分散し、コア粒子と完全に反応することを可能にする。更に、ＡＬＤ技術は、ソース材料（粉末原料や焼結ターゲット等）の長くて難しい製造なしに、特定の組成物又は配合の現場でのオンデマンドの材料合成を可能にするため、他の一般的に用いられるコーティング技術よりも優れている。 【００３３】 薄膜コーティングは、約１ｎｍ～約５００ｎｍ、約１ｎｍ～約２５０ｎｍ、約１ｎｍ～約１００ｎｍ、約１ｎｍ～約５０ｎｍ、約１ｎｍ～約２５ｎｍ、約１ｎｍ～約１０ｎｍ、又は約１ｎｍ～約５ｎｍの厚さを有することができる。幾つかの実施形態では、薄膜コーティングの厚さは、約１ｎｍ、約５ｎｍ、約２５ｎｍ、約５０ｎｍ、又は約１００ｎｍであってもよい。幾つかの実施形態では、コア中の希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせの、薄膜コーティング中の希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせに対する比は、約１：１００～約１００：１、約１：７５～約７５：１、約１：５０～約５０：１、約１：３５～約３５：１、約１：２０～約２０：１、約１：１５～約１５：１、約１：１０～約１０：１、約１：５～約５：１、又は約１：１００～約３５：１であってもよい。幾つかの実施形態では、少なくとも約９０％、少なくとも約８０％、少なくとも約７０％、少なくとも約６０％、少なくとも約５０％、少なくとも約４０％、少なくとも約３０％、少なくとも約２０％、少なくとも約１０％、少なくとも約５％、少なくとも約１％のナノ粉末中のコア粒子が薄膜でコーティングされる。個々のナノ粒子の場合、薄膜コーティングは、コア粒子全体又はコア粒子の一部のみをカバーすることができる（例えば、約９０％、約８０％、約７０％、約６０％、約５０％、約４０％、約３０％、約２０％、約１０％、約５％、又は約１％）。 【００３４】 ブロック３１５で、複数のナノ粒子を含む生成されたナノ粉末が収集される。ナノ粉末中のナノ粒子は、約５ｎｍ～約６００ｎｍ、約１０ｎｍ～約３００ｎｍ、約２５ｎｍ～約２５０ｎｍ、又は約５０ｎｍ～約１００ｎｍであってもよい。ナノ粒子は、球形であり、全ての側面が丸められていてもよく、又は幾つかの実施形態では、上記のようにドーナツ形状を有していてもよい。幾つかの実施形態において、コア粒子中の希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物、又はこれらの組み合わせの、薄膜コーティング中の希土類金属含有酸化物、希土類金属含有酸フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物、又はこれらの組み合わせに対する重量比は、約１：１００～約１００：１、約１：７５～約７５：１、約１：５０～約５０：１、約１：３５～約３５：１、約１：２０～約２０：１、約１：１５～約１５：１、約１：１０～約１０：１、約１：５～約５：１、又は約１：１００～約３５：１である。 【００３５】 図３Ｂは、方法３００で形成されたナノ粉末を用いる方法３０１を示す。ブロック３１５でＡＬＤチャンバから収集されたナノ粉末は、様々な異なる方法で用いることができる。一例では、ブロック３２０で、ナノ粉末はイオン支援堆積（ＩＡＤ）プロセス用のスパッタリングターゲットを形成するために用いることができる。ナノ粉末は、ＩＡＤプロセスを用いて物品に保護コーティングを形成するために用いることができる。材料源は堆積材料のフラックスを提供するナノ粉末から形成されるターゲットであり、一方、エネルギー粒子源は、エネルギー粒子のフラックス（即ち、ターゲットからのナノ粒子）を提供する。これらの両方は、IＡＤプロセス全体で物品に衝突する。堆積材料を提供するために用いられるターゲットは、本明細書に記載されるようなナノ粉末から形成されたバルク焼結セラミックであってもよい。実施形態では、１以上のプラズマ又はビームを利用して、堆積材料及び高エネルギーイオン源を提供することができる。反応種は保護コーティングの堆積中に提供することもできる。IＡＤプロセスでは、エネルギー粒子は、他の堆積パラメータとは関係なく、エネルギーイオン（又は他の粒子）源により制御することができる。エネルギー（例えば、速度）とエネルギーイオンフラックスの密度及び入射角により、物品上の保護コーティングの組成、構造、結晶配向及び粒径を操作することができる。調整可能な追加のパラメータは、堆積中の物品の温度と堆積の時間である。イオンエネルギーは、低エネルギーイオンアシストと高エネルギーイオンアシストに大別される。イオンは、低エネルギーイオンアシストよりも高エネルギーイオンアシストの方でより高速で照射される。 【００３６】 他の例では、ブロック３２５で、ナノ粉末を物品にプラズマスプレー（溶射）することができる。例えば、ナノ粉末は物品にプラズマ溶射することができ、物品にはチャンバ壁、シャワーヘッド、ノズル、プラズマ発生ユニット（例えば、ハウジングを有する高周波電極）、ディフューザー及びガスラインを含まれるが、これらに限定されない。ナノ粉末をプラズマ溶射してコーティングを形成する前に、物品を粗面化することができる。粗面化は、例えば、物品をビードブラストすることにより実行することができる。物品の粗面化は、プラズマ溶射ナノ粉末と物品の表面との間に機械的結合を作成するためのアンカーポイントを提供し、より良好な接着を実現する。プラズマ溶射ナノ粉末から形成されて得られるコーティングは、溶射したままの厚さが最大約２００ミクロン以上であり、幾つかの実施形態では、約５０ミクロンの最終厚さまで研磨することができる。プラズマ溶射ナノ粉末コーティングは、約２％～約４％の多孔度を有することができる。 【００３７】 他の例では、ブロック３３０で、コンポーネント用の型にナノ粉末を充填し、その後、（例えば、焼結により）ナノセラミックコンポーネントに形成することができる。 【００３８】 ブロック３３５で、複数のナノ粒子を含むナノ粉末を焼結して、ナノセラミック材料を形成することができる。焼結は、熱、圧力、及び/又はエネルギーを用いて、粉末からバルク材料を形成する方法である。幾つかの実施形態では、複数のナノ粒子は、約２７３０°Ｆ～約３２７５°Ｆの温度及び／又は約２５ＭＰａ～約１ＧＰａの圧力を加えることにより焼結される。粉末は、ナノメートルからマイクロメートルの範囲の様々なサイズの粒子を有する様々な材料（例えば、金属、セラミック等）であってもよい。粉末は、単相又は２以上の成分を有するより複雑なものであってもよい。 【００３９】 焼結技術の例には、常圧焼結、スパークプラズマ焼結、及び高圧焼結が含まれるが、これらに限定されない。実施形態では、ナノ粉末は、スパークプラズマ焼結プロセス（ＳＰＳ）を用いて焼結される。ＳPＳは、高温プラズマ（即ち、スパークプラズマ）を用いる圧力支援高速焼結法であり、オンとオフの直流（ＤＣ）パルス中に放電により粉末材料間のガス内で瞬間的に発生する。ＤＣ電流は、スパークプラズマ、スパークインパクト圧力、ジュール加熱、及び電場拡散効果を含む幾つかの効果を発生する可能性がある。これらの効果により、ＳPＳは、急速加熱、圧力、粉末表面のクリーニングの組み合わせ効果を通じて、パワーを理論に近い密度に迅速に統合することができる。 【００４０】 他の実施形態では、ナノ粉末は、強化圧力支援焼結プロセス（ＥＰＡＳ）を用いて焼結される。ＥPＡＳは圧力支援焼結アプローチを利用するが、ナノ粉末処理の全てのステップと焼結中に厳格な環境制御を組み込んでいるため、ナノ粒子表面はクリーンで、吸着物、添加物、又は焼結助剤がない。本来的に、クリーンなナノ粒子の表面は高ポテンシャル状態にあり、ここで、表面のエネルギーは最大化され、緻密化に関与する拡散メカニズムが強化される。圧力効果（高密度化率の増加等）と高活性ナノ粒子表面の組み合わせにより、制御された粗大化を備えた高密度化率が向上する。これにより、これまでにない構造、組成、特性を持つ材料、サブミクロン又はナノスケールの材料、及び独自の/一般的でない組成/性能を持つ複合材料を生成することが可能になる。ＥPＡＳは、粗大化メカニズムを効果的に遅らせるために用いることができ、これにより、ナノ粉末の結晶子サイズが保持することができる。 【００４１】 焼結は、ナノ粉末をナノセラミック材料に変換する。ナノセラミック材料は、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）、ＹＡｌＯ３（ＹＡＰ）、Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２固溶体、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２（ＥＡＧ）、Ｅｒ４Ａｌ２Ｏ９（ＥＡＭ）及びＥｒＡｌＯ３（ＥＡＰ）から選択される化合物を含むことができる。実施形態では、得られるナノセラミック材料は、半導体製造プロセス中に用いられるフッ素及び水素プラズマに耐性を有することができる。ナノセラミック材料は、約１ｋｇ/ｃｍ３～約１０ｋｇ/ｃｍ３、約２ｋｇ/ｃｍ３～約８ｋｇ/ｃｍ３、約３ｋｇ/ｃｍ３～約６ｋｇ/ｃｍ３、約５ｋｇ～約６ｋｇ/ｃｍ３、約３ｋｇ/ｃｍ３、約４ｋｇ/ｃｍ３、約５ｋｇ/ｃｍ３、又は約５．２５ｋｇ/ｃｍ３、又は約６ｋｇ/ｃｍ３の密度を有することができる。得られるナノセラミック材料の曲げ強度は、約１７０ＭＰＡ～約２５０ＭＰＡ、約１９０ＭＰＡ～約２３０ＭＰＡ、又は約２００ＭＰＡ～約２２５ＭＰＡであってもよい。得られるナノセラミック材料の弾性率は、約１００ＧＰＡ～約３００ＧＰＡ、約１５０ＧＰＡ～約２７５ＧＰＡ、又は約１９５ＧＰＡ～約２５０ＧＰＡであってもよい。得られるナノセラミック材料のビッカース硬度は、約１ＧＰＡ～約５０ＧＰＡ、約５ＧＰＡ～約２５ＧＰＡ、約９ＧＰＡ～約２０ＧＰＡ、又は約９．４ＧＰＡ～約１８ＧＰＡであってもよい。得られるナノセラミック材料の破壊靭性は、約０．１Ｍｐａｍ１/２～約５．０Ｍｐａｍ１/２、約０．５Ｍｐａｍ１/２～約４．０Ｍｐａｍ１/２、又は約１．１Ｍｐａｍ１/２～約３．０Ｍｐａｍ１/２であってもよい。得られるナノセラミック材料の熱膨張係数（ＲＴ－８００Ｃ）は、約１．０×１０６～約１５×１０６、約５．０×１０６～約１０×１０６、又は約８．３×１０６～約９．５×１０６であってもよい。得られるナノセラミック材料の体積抵抗率は、約１．０×１０１６Ｏｈｍ-ｃｍ～約１０×１０１６Ｏｈｍ-ｃｍ、約２．０×１０１６Ｏｈｍ-ｃｍ～約８．０×１０１６Ｏｈｍ-ｃｍ、又は約４．０×１０１６Ｏｈｍ-ｃｍ～約６．０×１０１６Ｏｈｍ-ｃｍであってもよい。得られるナノセラミック材料の１３．５６ＭＨｚでの誘電率は、約５～約２５、約１０～約２０、又は約１５～約１６．５であってもよい。１３．５６ＭＨｚでの誘電正接は、約１０×１０４未満であってもよい。得られるナノセラミック材料の熱伝導率は、約１．０Ｗ/ｍＫ～約１５Ｗ/ｍＫ、約２．５Ｗ/ｍＫ～約１０．０Ｗ/ｍＫ、又は約３．６Ｗ/ｍＫ～約５．０Ｗ/ｍＫであってもよい。 【００４２】 図４は、実施形態によるナノ粉末でコーティング又は形成された１以上のチャンバコンポーネントを有する半導体処理チャンバ４００の断面図である。チャンバのベース材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）及びステンレス鋼（ＳＳＴ）のうちの１以上を含むことができる。処理チャンバ４００は、プラズマ処理条件を有する腐食性プラズマ環境が提供されるプロセスに用いることができる。例えば、処理チャンバ４００は、プラズマエッチャ即ちプラズマエッチングリアクタ、プラズマクリーナ、プラズマ強化ＣＶＤ又はＡＬＤリアクタ等のためのチャンバであってもよい。ナノセラミックコーティングを有することができる、又は本明細書に記載されるナノ粉末から成形することができるチャンバコンポーネントの例には、シャワーヘッド、ガス分配プレート、チャンバ蓋及び／又はノズルが含まれるが、これらに限定されない。ナノ結晶構造を有するナノセラミック材料は、約１００ｎｍ未満の粒度及び当該技術分野で以前から知られているマイクロ結晶材料では見られなかった特性を有するバルク材料を提供することができる。 【００４３】 一実施形態では、処理チャンバ４００は、内部容積４０６を囲むチャンバ本体４０２と、シャワーヘッド４３０とを含む。シャワーヘッド４３０は、シャワーヘッドベースとシャワーヘッドガス分配プレートとを含むことができる。代替的に、シャワーヘッド４３０は、幾つかの実施形態では蓋及びノズルにより、又は他の実施形態では複数のパイ形状のシャワーヘッドコンパートメント及びプラズマ生成ユニットにより置き換えることができる。チャンバ本体４０２は、アルミニウム、ステンレス鋼、又はチタン（Ｔｉ）等の他の適切な材料から製造されてもよい。チャンバ本体４０２は、概して、側壁４０８及び底部４１０を含む。外側ライナー４１６を側壁４０８に隣接して配置し、チャンバ本体４０２を保護することができる。 【００４４】 排気ポート４２６をチャンバ本体４０２内に画定することができ、内部容積４０６をポンプシステム４２８に結合することができる。ポンプシステム４２８は、１以上のポンプ及スロットルバルブを含むことができ、処理チャンバ４００の内部容積４０６の排気及び圧力調整に利用することができる。 【００４５】 シャワーヘッド４３０はチャンバ本体４０２の側壁４０８上に支持されることができる。シャワーヘッド４３０（又は蓋）は処理チャンバ４００の内部容積４０６へのアクセスを可能にするために開くことができ、閉じた状態の処理室４００のためのシールを提供することができる。ガスパネル４５８を処理チャンバ４００に結合し、シャワーヘッド４３０又は蓋及びノズルを介して内部容積４０６にプロセス及び／又はクリーニングガスを提供することができる。シャワーヘッド４３０は、誘電体エッチング（誘電体材料のエッチング）に用いられる処理チャンバで用いることができる。シャワーヘッド４３０は、ガス分配プレート（ＧＤＰ）を含むことができ、ＧＤＰ全体に亘って複数のガス送出孔４３２を有することができる。シャワーヘッド４３０は、アルミニウムベース又は陽極酸化アルミニウムベースに結合されたＧＤＰを含むことができる。ＧＤＰは、Ｓｉ又はＳｉＣから作られてもよく、又はＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）等のようなセラミックであってもよい。 【００４６】 伝導体エッチング（伝導性材料のエッチング）に用いられる処理チャンバでは、シャワーヘッドではなく蓋を用いることができる。蓋は、蓋の中央穴に嵌合する中央ノズルを含むことができる。蓋は、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＹＡＧ等のセラミック、又はＹ４Ａｌ２Ｏ９とＹ２Ｏ３‐ＺｒＯ２の固溶体を含むセラミック化合物であってもよい。また、ノズルは、Ｙ２Ｏ３、ＹＡＧ等のセラミック、又はＹ４Ａｌ２Ｏ９とＹ２Ｏ３‐ＺｒＯ２の固溶体を含むセラミック化合物であってもよい。 【００４７】 処理チャンバ４００内で基板を処理するために用いることができる処理ガスの例には、とりわけ、Ｃ２Ｆ６、ＳＦ６、ＳｉＣｌ４、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、Ｆ、ＮＦ３、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＢＣｌ３、ＳiＦ４等のハロゲン含有ガス、及びＯ２やＮ２Ｏ等の他のガスが含まれる。キャリアガスの例には、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、及びプロセスガスに不活性な他のガス（例えば、非反応性ガス）が含まれる。 【００４８】 ヒータセンブリ４４８は、シャワーヘッド４３０又は蓋の下の処理チャンバ４００の内部容積４０６に配置される。ヒータセンブリ４４８は、処理中に基板４４４を保持する支持体４５０を含む。支持体４５０は、フランジ４５４を介してチャンバ本体４０２に結合されたシャフト４５２の端部に取り付けられる。支持体４５０、シャフト４５２、及びフランジ４５４は、ＡｌＮを含むヒータ材料、例えば、ＡｌＮセラミックで構成することができる。更に、支持体４５０はメサ４５６（例えば、くぼみ又は隆起）を含むことができる。追加的に、支持体は、支持体４５０のヒータ材料内に埋設されたワイヤー、例えばタングステンワイヤー（図示せず）を含むことができる。一実施形態において、支持体４５０は、ＡｌＮセラミック層の間に挟まれた金属ヒータ及びセンサー層を含むことができる。このようなアセンブリは、高温炉内で焼結されて、モノリシックアセンブリを作成することができる。層は、ヒータ回路、センサー要素、接地面、高周波グリッド、金属及びセラミックのフローチャネルの組み合わせを含むことができる。ヒータセンブリ４４８は、真空条件下（例えば、約１ｍＴｏｒｒ～約５Ｔｏｒｒ）で最大約６５０℃のヒータ温度を提供することができる。本明細書に記載の実施形態によるナノ粉末から形成されたナノセラミックコーティング４６０は、チャンバ４００内の支持体４５０上又はヒータセンブリ４４８（支持体４５０、シャフト４５２及びフランジ４５４を含む）の全ての表面上に堆積させることができる。 【００４９】 ナノ粉末、ナノセラミック材料、並びにこれらを製造及び使用する方法の利点は、当業者には明らかであろう。追加的に、本明細書で形成及び説明されるナノ材料は、既知のマイクログレイン材料と比較して、曲げ強度及び破壊靭性等の改善された機械的特性を有することができることに留意すべきである。更に、本明細書で形成及び説明されるバルクナノ材料（例えば、１００ｎｍ未満の粒径を有する）は、これらのマイクロ結晶の対応物よりも有利な特性を有することができる。本明細書で形成及び説明されるナノ材料は、爆発的な粒子成長が制限されるか又は全くないナノ結晶構造を保持しながら、高密度のナノ複合材料を形成することができる。 【００５０】 前述の説明は、本明細書で説明される幾つかの実施形態の十分な理解を提供するために、特定のシステム、コンポーネント、方法等の例等の多数の特定の詳細を説明している。しかしながら、本明細書に記載される少なくとも幾つかの実施形態は、これらの特定の詳細なしで実施され得ることが当業者には明らかであろう。他の例では、本発明を不必要に不明瞭にすることを避けるために、周知のコンポーネント又は方法は詳細には説明されないか、又は単純なブロック図形式で提示される。従って、述べられた特定の詳細は単なる例示である。特定の実装は、これらの例示的な詳細とは異なってもよく、それでも本発明の範囲内であると考えられる。 【００５１】 本明細書を通して「一実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明された特定の構成、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。従って、本明細書全体にわたる様々な場所での「一実施形態では」又は「実施形態では」という句の出現は、必ずしもすべてが同じ実施形態を示していない。更に、「又は」という用語は、排他的な「又は」ではなく、包括的な「又は」を意味することを意図している。「約」又は「およそ」という用語が本明細書で用いられる場合、これは、提示された公称値が±１０％以内で正確であることを意味することを意図している。本明細書で「少なくとも約」という用語が用いられる場合、提示された公称値が-１０％以内で正確であり、それ以上のものであることを意味するものとする。同様に、本明細書で「約未満」という用語が用いられる場合、提示された公称値が+ １０％以内で正確であり、それよりも低いことを意味することを意図している。 【００５２】 本明細書の方法のオペレーションは特定の順序で示され説明されているが、各々の方法のオペレーションを変更し、これにより、特定のオペレーションを逆の順序で実行し、特定のオペレーションを、少なくとも部分的に、他のオペレーションと同時に実行することができる。他の実施形態では、別個のオペレーショのインストラクション又はサブオペレーションは、断続的及び／又は交互的であってもよい。 【００５３】 上記の説明は、例示的であり、限定的ではないと意図されていると理解するべきである。上記説明を読んで理解すると、当業者には他の多くの実施形態が明らかになるであろう。従って、その範囲は、添付の特許請求の範囲を参照して、そのような特許請求の範囲が権利を与える均等物の全範囲とともに決定されるべきである。」 「【図１】 ［図：0001420742000003.jpg］ 【図２】 ［図：0001420742000004.jpg］ 【図３Ａ】 ［図：0001420742000005.jpg］ 【図３Ｂ】 ［図：0001420742000006.jpg］ 【図４】 ［図：0001420742000007.jpg］ 」 ５ 当審の判断 (１) サポート要件違反について ア サポート要件の判断手法について 特許請求の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。以下、この観点に立って検討する。 イ 本件特許請求の範囲の記載 本件特許請求の範囲の請求項１の記載は、前記２のとおりである。 ウ 本件発明の詳細な説明の記載 本件発明の詳細な説明（及び本件図面）には、前記４において摘記した記載があるところ、特に、以下の記載事項を認めることができる。 (ア) 「発明の技術分野」について、ナノ粉末、ナノセラミック材料、並びにこれらを製造及び使用する方法に関すること（【０００１】）。 (イ) 「発明が解決する課題」に関して、様々な半導体製造プロセスは、高温、高エネルギープラズマ、腐食性ガスの混合物、高応力、及びこれらの組み合わせを用いており、これらの極端な条件により、処理チャンバ内のコンポーネントがプラズマ照射に曝され、ナノメートルスケールのデバイス製造において、深刻な侵食と粒子生成の問題を生じさせてきたこと（【０００２】）、及び、保護コーティングは、典型的には、様々な方法、例えば、溶射、スパッタリング、プラズマ溶射又は蒸発技術等によりチャンバコンポーネント上に堆積されるが、このようなコーティングは、半導体処理にとって不十分な機械的特性、例えば、曲げ強度及び破壊靭性を有する可能性があること（【０００３】）。 (ウ) 「ナノ粉末」の構造に関して、ナノ粉末１００は、複数のナノ粒子１０５を含み、各々のナノ粒子の少なくとも一部は、コア粒子１１０とコア粒子上の薄膜コーティング１１５とを含むこと（【０００９】、【００１２】、【図１】）、コア粒子１１０のサイズは、約５ｎｍ～約１００ｎｍであること（【０００９】）、及び、薄膜コーティング１１５の厚さは、約１ｎｍ～約５００ｎｍであること（【００１１】）。 (エ) 「ナノ粉末」の材料に関して、コア粒子１１０は、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせから選択される第１の材料を含む粉末から形成されること（【０００９】、【００１３】）、薄膜コーティング１１５は、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物又はこれらの組み合わせから選択される第２の材料から形成されること（【００１１】、【００１３】）、第１の材料と第２の材料は共通の元素を含むことができるが、第１の材料と第２の材料は異なること（【００１３】）、希土類金属含有酸化物の例には、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、これらの組み合わせ等が含まれ、希土類金属含有フッ化物の例には、フッ化イットリウム（ＹＦ３）、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）、フッ化ジスプロシウム（ＤｙＦ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）、これらの組み合わせ等が含まれ、希土類金属含有酸フッ化物の例には、酸フッ化イットリウム（ＹｘＯｙＦｚ又はＹＯＦ）、酸フッ化エルビウム（ＥｒｘＯｙＦｚ）、酸フッ化ジスプロシウム（ＤｙｘＯｙＦｚ）、酸フッ化ガドリニウム（ＧｄｘＯｙＦｚ）、酸フッ化スカンジウム（ＳｃｘＯｙＦｚ）、これらの組み合わせ等が含まれるが、これらに限定されないこと（【００１３】）、コア粒子１１０及び／又は薄膜コーティング１１５は、Ｙ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９（ＹＡＭ）、ＹＦ３、ＹＯＦ、Ｅｒ２Ｏ３、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２（ＥＡＧ）、ＥｒＦ３、ＥＯＦ、Ｌａ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、ＳｃＦ３、ＳｃＯＦ、Ｇｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３又はＤｙ２Ｏ３の少なくとも１つを含むことができ、ＹＡｌＯ３（ＹＡＰ）、Ｅｒ４Ａｌ２Ｏ９（ＥＡＭ）、ＥｒＡｌＯ３（ＥＡＰ）、又はランタン、ルテチウム、スカンジウム、ガドリニウム、サマリウム又はジスプロシウムの他のターナリーバリアントであってもよいこと（【００１４】）、及び、コア粒子１１０は酸化ジルコニウムであり、薄膜コーティング１１５は酸化イットリウムであり、又は、コア粒子１１０は酸化イットリウムであり、薄膜コーティング１１５は酸化ジルコニウムであること（【００１５】～【００１８】）。 (オ) 「ナノ粉末」の形状に関して、ナノ粉末２００中のナノ粒子２０５の少なくとも一部は、球形の反対側に深いくぼみ２１０を有する球形、即ち、ドーナツ形状２１５を有することができること（【００１９】）、及び、深いくぼみ２１０を有する球形のドーナツ形状２１５の粒子を含む複数の粒子が示されている画像（【図２】）。 (カ) 「ナノ粉末」の奏する作用効果について、ドーナツ形状２１５を有するナノ粒子２０５を有するナノ粉末２００から形成されたナノコーティングは、他の形状のナノ粒子で形成されたナノコーティングと比較して、改善された形態及び多孔性を有することができると考えられ、例えば、ドーナツ形状２１５を有するナノ粒子２０５から形成されたナノコーティングは、ナノ粉末の溶融の改善、粗さの減少、及び多孔性の減少により、より少ないノジュール及びスプラットを有する可能性があり、これらの全てはオンウェーハ粒子性能の改善に寄与すること（【００１９】）、ＡＬＤは、希土類金属含有ナノ粉末を形成するために特に有用であって、コア粒子に薄膜コーティングを適用して、処理チャンバ内の過酷なプラズマ及び反応物質条件に耐性のある複数のナノ粒子を含むナノ粉末を生成できること（【００２１】）、焼結により、ナノ粉末をナノセラミック材料に変換し、得られるナノセラミック材料は、半導体製造プロセス中に用いられるフッ素及び水素プラズマに耐性を有し、その曲げ強度は、約１７０ＭＰＡ～約２５０ＭＰＡ、約１９０ＭＰＡ～約２３０ＭＰＡ、又は約２００ＭＰＡ～約２２５ＭＰＡであり、その破壊靭性は、約０．１Ｍｐａｍ１/２～約５．０Ｍｐａｍ１/２、約０．５Ｍｐａｍ１/２～約４．０Ｍｐａｍ１/２、又は約１．１Ｍｐａｍ１/２～約３．０Ｍｐａｍ１/２であってもよいこと（【００４１】）（当審注：ＭＰＡ、Ｍｐａｍ１/２は、それぞれ「ＭＰａ」、「ＭＰａｍ１/２」の誤記と解される。）、及び、ナノ材料は、既知のマイクログレイン材料と比較して、曲げ強度及び破壊靭性等の改善された機械的特性を有することができ、爆発的な粒子成長が制限されるか又は全くないナノ結晶構造を保持しながら、高密度のナノ複合材料を形成できること（【００４９】）。 エ サポート要件適合性（本件特許請求の範囲の記載と本件発明の詳細な説明の記載との対比・検討）について (ア) 本願発明の課題は、前記ウ(ア)、(イ)からみて、ナノメートルスケールの半導体製造プロセスにおいて、チャンバ内のコンポーネントのプラズマによる深刻な侵食と粒子生成を抑制し、十分な機械的特性を有する保護コーティング等のナノセラミック材料を形成できるナノ粉末を提供することといえる。 (イ) 本件発明の詳細な説明には、前記ウ(ウ)～(オ)に示したとおり、「ナノ粉末」に関する記載事項はあるものの、当該記載事項では、本願発明の「第１の材料を含むコア粒子」や「第２の材料を含む薄膜コーティング」の各材料の種類や、「ナノ粒子」の構造や形状が個別に羅列されているにすぎない。また、前記ウ(オ)の画像（前記４の【図２】参照）からは、ドーナツ形状を有する粒子を含む粉末が見て取れるものの、当該画像のみからでは、当該粒子の材料や、当該粒子がコア粒子と薄膜コーティングの構造を有しているナノ粒子であることは理解できないし、図２に示されたドーナツ形状を有する粒子を含む粉末の材料や構造を裏付ける実験結果は何ら記載されていない。 したがって、本件発明の詳細な説明には、特定材料のコア粒子の表面に、特定材料の薄膜コーティングが形成され、反対側にくぼみを有する球形のドーナツ形状を有するナノ粒子を含むナノ粉末の具体例が記載されているといえないし、さらに、当該ナノ粉体が、ナノメートルスケールの半導体製造プロセスのチャンバ内のコンポーネントのプラズマによる深刻な侵食と粒子生成を抑制し、十分な機械的特性を有する保護コーティング等のナノセラミック材料を提供できることについても、具体的な評価結果に基づいて説明されていない。 (ウ) 本件発明の詳細な説明には、前記ウ(カ)に示した作用効果に関する事項が記載され、ドーナツ形状を有するナノ粒子を有するナノ粉末から形成されたナノコーティングが、他の形状のナノ粒子で形成されたナノコーティングと比較して、改善された形態及び多孔性を有することや、ナノ粉末の溶融の改善、粗さの減少、及び多孔性の減少により、より少ないノジュール及びスプラットを有する可能性があり、これらの全てはオンウェーハ粒子性能の改善に寄与すること（【００１９】）、ＡＬＤでコア粒子に薄膜コーティングを形成した希土類金属含有ナノ粉末は、処理チャンバ内の過酷なプラズマ及び反応物質条件に耐性のあること（【００２１】）、及び、希土類金属含有ナノ粉末を焼結したナノセラミック材料は、フッ素及び水素プラズマに耐性を有し、また、約１７０～約２５０ＭＰａの曲げ強度、約０．１～約５．０ＭＰａｍ１/２の破壊靱性といった、改善された機械的特性を有すること（【００４１】、【００４９】）が一応記載されている。 そして、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物、酸化ジルコニウムといった材料が耐プラズマ性を有するとの技術常識を踏まえれば、これらの材料のナノ粉末から形成されたコーティングや焼結体がプラズマ耐性を有することは理解できる。 しかしながら、本件発明の詳細な説明には、これらの材料からなるナノ粉体であって、コア粒子の表面に薄膜コーティングが形成され、反対側にくぼみを有する球形のドーナツ形状を有するナノ粒子を含むナノ粉末から形成されたコーティングや焼結体が、前記改善された機械的特性を有することについて、具体例に対する評価結果に基づいて説明されていないし、当該特性が向上する機序も説明されていない。また、このようなことが技術常識であるとの証拠もない。 (エ) 前記(イ)及び(ウ)によれば、本件発明の詳細な説明には、「複数のナノ粒子を含むナノ粉末であって、複数のナノ粒子の一部は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第１の材料を含むコア粒子と、コア粒子上の薄膜コーティングであって、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第２の材料を含む薄膜コーティングを含み、複数のナノ粒子の一部は、反対側にくぼみを有する球形を含むドーナツ形状を有するナノ粉末」に関する事項及びその作用効果について一応記載されているものの、当該ナノ粉末の具体例はなく、当該作用効果も具体的な評価結果に基づくものではないから、本件発明の詳細な説明の前記記載や出願時の技術常識を考慮しても、当該ナノ粉末が、本願発明の課題、特に、十分な機械的特性を有する保護コーティング等のナノセラミック材料を形成できるナノ粉末を提供するとの課題を解決できることを当業者が認識できない。 (オ) 他方、本件特許請求の範囲の請求項１の記載は、上記２のとおりであるところ、本願発明は、前記(エ)で検討した「ナノ粉末」であるから、本件発明の詳細な説明の記載により、又は、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし本願発明の課題を解決できる範囲のものであるともいえない。 したがって、前記アの判断手法に従えば、本件特許請求の範囲の請求項１の記載は、サポート要件に適合しない。 オ 請求人の主張の検討 (ア) 請求人の主張について 令和６年５月２９日提出の意見書における請求人の主張は、次のとおりである（同意見書の「第５」参照。）。 「特許・実用新案審査基準第II部第２章第２節２．１によれば、サポート要件を満たしているかは、請求項にかかる発明が発明の詳細な説明において、発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載されているかにより決せられる。 また、知財高裁令和２年７月２日判決（平成３０年（行ケ第１０１５８号、１０１１３号））によれば、サポート要件を充足するには、「明細書に接した当業者が、特許請求された発明が明細書に記載されていると合理的に認識できれば足り、また、課題の解決についても、当業者において、技術常識も踏まえて課題が解決できるであろうとの合理的な期待が得られる程度の記載があれば足りる」旨を判示する。 本件において、「第１の材料を含むコア粒子」、「第２の材料を含む薄膜コーティング」及び「ドーナツ形状」という構成は、明細書段落０００９、００１３～００１５、００１９、００３５、図２等に明確に記載されている。従って、明細書に接した当業者が、特許請求された発明が明細書に記載されていると合理的に認識することは十分に可能である。 また、本願発明の課題は、明細書の段落０００２、００２１、００４９等に記載されているように、半導体処理チャンバ内でチャンバコンポーネントの浸食を防止し、所望の機械的強度を有するナノ粉末を提供することである。従って。当業者において、技術常識も踏まえて課題が解決できるであろうとの合理的な期待を得ることは十分に可能である。 従って、本件特許出願では、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載されていると認められ、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている。」 (イ) 主張に対する判断 請求人は、「当業者において、技術常識も踏まえて課題が解決できるであろうとの合理的な期待を得ることは十分に可能である」と主張しているが、当該主張の前提となる「技術常識」について何ら説明していないし、また、「課題が解決できるであろうとの合理的な期待を得ること」について具体的に説明していない。 そして、前記エで検討したとおり、本件発明の詳細な説明には、本願発明の構成や課題が記載され、さらに、作用効果に関する一応の記載はあるものの、本件発明の詳細な説明には、本願発明が本願発明の課題を解決できることについての具体的な裏付けはなく、理論的な説明もなされていないし、さらに、これらの事項が技術常識であるとの証拠もないため、当業者において、本願発明が本願発明の課題を解決できることを合理的に認識できない。 したがって、請求人の上記主張は採用できない。 カ 小括 以上のとおりであるから、本件特許請求の範囲の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合しない。 (２) 実施可能要件違反について ア 実施可能要件の判断手法 発明の詳細な説明の記載が実施可能要件に適合するというためには、明細書の発明の詳細な説明に、当業者が、明細書の発明の詳細な説明及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その発明を実施することができる程度に発明の構成等の記載があることを要すると解される。そして、この規定のいう「実施」とは、物の発明においては、当該発明にかかる物の生産、使用等をいうものであるから、実施可能要件を満たすといえるためには、明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が当該発明に係る物を生産し、使用することができる程度のものでなければならない。以下、この観点に立って検討する。 イ 実施可能要件適合性について (ア) 本願発明は、前記２に示したとおりの発明であって、「複数のナノ粒子を含むナノ粉末であって」、「複数のナノ粒子の少なくとも一部は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第１の材料を含むコア粒子と、コア粒子上の薄膜コーティングであって、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第２の材料を含む薄膜コーティングを含み」、「複数のナノ粒子の一部は、反対側にくぼみを有する球形を含むドーナツ形状を有する」ことを特徴とする「ナノ粉末」の発明である。 (イ) これに対して、本件発明の詳細な説明には、前記(１)エ(イ)で検討したとおり、「ナノ粉末」に関する記載事項はあるものの、当該記載事項は、本願発明の「第１の材料を含むコア粒子」や「第２の材料を含む薄膜コーティング」の各材料の種類や、「ナノ粒子」の構造や形状を個別に羅列しているにすぎず、特定材料のコア粒子の表面に、特定材料の薄膜コーティングが形成され、反対側にくぼみを有する球形のドーナツ形状を有するナノ粒子を含むナノ粉末の具体例は記載されていない。 (ウ) また、本件発明の詳細な説明には、前記４によれば、「ナノ粉末」の形成方法に関して、実施形態による複数のナノ粒子を有するナノ粉末は、希土類金属含有前駆体と、酸素及び／又はフッ素からなる又はこれらを含む１つ以上の反応物質による原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成することができること（【００２０】、【００２２】）、希土類金属含有前駆体は、トリス（Ｎ、Ｎ－ビス（トリメチルシリル）アミド）イットリウム（III）、イットリウム（III）ブトキシド、トリス-メチルシクロペンタジエニルエルビウム（III）（Ｅｒ（ＭＥＣｐ）３）、エルビウムボラナミド（Ｅｒ（ＢＡ）３）、Ｅｒ（ＴＭＨＤ）３、エルビウム（III）トリス（２，２，６，６-テトラメチル-３，５-ヘプタンジオナート）、又はトリス（ブチルシクロペンタジエニル）エルビウム（III）などであり、また、反応物質は、酸素、水蒸気、オゾン、純酸素、酸素ラジカルなどの酸素反応物や、ＴｉＦ４、ＨＦなどのフッ化物反応物であってもよいこと（【００２２】、【００２３】）、複数のナノ粒子を含むナノ粉末を調製するための方法３００として、逆ストライク共沈プロセスを用いてコア粒子の出発材料を形成し（ブロック３０４）、コア粒子を含む出発材料をＡＬＤチャンバにロードし（ブロック３０５）、ＡＬＤを用いて薄膜コーティングをコア粒子の少なくとも一部の上に堆積させ（ブロック３１０）、複数のナノ粒子を含む生成されたナノ粉末が収集され（ブロック３１５）、ナノ粉末中のナノ粒子は、全ての側面が丸められた球形、又は、ドーナツ形状を有していること（【００２９】～【００３１】、【００３４】、【図３Ａ】）、及び、特定のＡＬＤプロセスの最適な温度範囲は、「ＡＬＤ温度ウィンドウ」と呼ばれ、ＡＬＤ温度ウィンドウは、約１００℃～約６５０℃、約２０℃～約２００℃、約２５℃～約１５０℃、約１００℃～約１２０℃、又は約２０℃～１２５℃であること（【００３１】）が一応記載されている。 しかしながら、当該記載事項は、コア粒子を逆ストライク共沈プロセスで形成すること、コア粒子上の薄膜コーティングをＡＬＤで形成すること、当該ＡＬＤで使用する希土類金属含有前駆体や反応物質、温度条件、及び、得られたナノ粉体中のナノ粒子がドーナツ形状を有していてもよいことが羅列されているにすぎず、特定材料のコア粒子の表面に、特定材料の薄膜コーティングが形成され、反対側にくぼみを有する球形のドーナツ形状を有するナノ粒子を含むナノ粉末の製造方法の具体例は記載されていない。 (エ) 次に、本願出願時の技術常識についてみてみると、まず、ＡＬＤを用いて粒子表面上に薄膜を形成する技術に関して、特開２００５－５０１１７６号公報（拒絶査定で引用した引用文献１のファミリー文献）には、実施例に係る具体例として、次の事項が記載されている。 「【実施例１】 【００６５】 ＢＮ粒子上のアルミナ原子層の成膜 生体内透過FTIR振動分光法用に設計された真空装置の中で、アルミナ（Al2O3）をBN粒子に成膜する。この装置は、Dillon等のSurface Science 139:537-543 (1992)及び共に係属中の出願第08/442,907号(1995年5月17日出願)に詳細に記載されている。BN窒化物粒子はAdvanced Ceramics Corporation製HCVグレードBN粒子である。これは、全表面積約40ｍ2/g、約0.1～0.5ミクロン(μｍ)のターボ成薄膜結晶を主成分とする約10ミクロンの凝集体である。 【００６６】 BN粒子はミネソタ州セントポールのBuckbee Mears製の寸法2×3cm、厚さ2ミル、グリッド間隔1インチ(2.54cm)あたり100ラインのフォトエッチングされたタングステングリッド上に担持れている。・・・ 【００６７】 第一のゲート弁により、装置の内部は上側と下側のチェンバーに分かれる。下側チェンバーには高真空を維持するためのターボ式ポンプが2台設置されている。第二のゲート弁で該ターボ式ポンプと下側チェンバーが接続される。下側チェンバーには電離ゲージとダイコア4倍質量分光計が設置されている。 【００６８】 上側チェンバーにBN粒子を入れた後、700°Kでサンプルの焼きなましを行い、H2O吸着層が見つかった場合はそれを粒子の表面から取り除く。粒子の表面機能性を観察するために、水素原子をジュウテリウム原子に交換するよう700°KでD2Oに粒子を曝す。するとFTIRにより粒子表面にB－O－D及びB－N－D表面群の存在が確認される。 その後、粒子を連続的に450°KでAl(CH3)3と水に50サイクル曝し、粒子表面に90オングストロームの皮膜を成膜する。各反応ステップで反応が完了するように、各反応とも、反応物の露出は1.8×108ラングミュア(L, = 10-6 Torr（約133×10-6 Pa）・秒)とする。低圧露出は1×10-4 ～1×10-3 Torr（約133×10-4 ～133×10-3 Pa）の範囲の反応圧力とし、ゲート弁で上側チェンバーと下側チェンバーを開いておく。高圧露出は、0.01～10Torr（約1.33～1330 Pa）で曝すために、上側チェンバーは機械式ポンプにより封じ込められた液体N2で排出する。次に上側チェンバーを下側チェンバーとターボ分子ポンプに開き、露出と露出の間に2×10-6Torr（約266×10-6 Pa）以下の圧力をかける。各反応サイクル毎に、約1.8オングストロームのAl2O3形成が見られる。 【００６９】 ・・・電子分散分光法とスロースキャンCCDカメラ付GATANデジタルマイクログラムを用いたHRTEM JEOL 2010 高分解能透過電子顕微鏡（TEM）で透過電子顕微鏡像が得られる。TEM から、この生成物には極めて均一でコンフォーマルなAl2O3皮膜が90オングストロームの厚さで成膜していることが分かる。皮膜はベース面と粒子の端部に対して良好に成膜されている。」 「【実施例３】 【００７１】 膜厚25オングストロームのアルミナ薄膜を流動層の中にある平均粒径100ミクロンのニッケル粒子の上に置いた。・・・実験に用いられる反応器はステンレス鋼製で、ディストリビュータープレートの上に反応ガス入り口が2つ付いている。ディストリビューターは 平均孔径0.25ミクロンの多孔金属製である。また、反応器は内径4cm、高さ1mのチューブ形である。反応器の上側は、内径4cm、高さ1mの大型真空ポンプ（アルカテル2063型）に接続され、システムを真空にする。反応器の底は質量流量コントローラに接続され、流動化ガスの流れを制御する。流動化ガスは液体窒素源ジュワービンから取り込まれた乾燥窒素である。反応ガス（トリメチルアルミニウムと水）は2つの別々の噴射ループを介して入る。ループは、両方のループが同じ導電率で、各ループの最終導電率を制御するニードル弁が各一つ付いた入念な構成となっている。ニードル弁は両方とも約1/4のターン開口に設定されている。反応蒸気圧は流れの駆動力として使われる。システムを、窒素パージ源を提供する質量流動コントローラと各ループに一台設置された真空ポンプ（アルカテル2008A型）に接続することにより、パージの立ち上げを完了する。システムの流れを制御する弁は全てニューマチック操作で、パソコンに搭載されたLABVIEWプログラムを通じて遠隔制御された。 【００７２】 100ミクロンのニッケル粒子100グラムをステンレス鋼製チューブ形流動層反応器に置いた。これにより、静止層の高さが約1.5cmとなった。系の圧力を操作圧力に引き下げ、流動化ガスの流れを100sccmで開始した。次にパージの流れを50sccmで開始した。反応器を700°Kに加熱し、ニッケル粒子を焼なました後、反応のために450°Kに冷却した。最初に、TMAを反応器へ5秒間導入し、パージ流を120秒間行った。次に、H2Oを反応器に5秒間導入し、パージ流を120秒間行った。このA－B工程（A=TMA、B= H2O）を25回繰り返した。1サイクルにつき平均1オングストロームが得られた。 粒子表面のXPS分析から、約72-77eVの結合エネルギー値でスペクトルにAl 2pのピークが出現したことから実証されるように、表面がアルミナで被膜されることがわかる。」 これらの記載事項からして、粒径が１０～１００μｍ程度のマイクロサイズの粒子上にＡＬＤで薄膜を形成することは、本願出願時に公知ないし周知の方法であるといえる。 しかしながら、粒径が小さい粒子ほど凝集性が高まることを踏まえると、前述のマイクロサイズの粒子上にＡＬＤで薄膜を形成する方法が、ナノ粒子を構成するナノサイズのコア粒子にも適用できるとはいえないため、ナノサイズのコア粒子上にＡＬＤで薄膜を形成する方法が、本願出願時に公知ないし周知の方法であるといえない。 (オ) 次に、ドーナツ状の粒子を形成する技術に関して、特開平６－２６３５２９号公報には、次の事項が記載されている。 「【００１２】 【課題を解決する為の手段】アルミナゾルとシリカゾルとの混合液を噴霧焼成することにより、ムライト質（アルミナ－シリカ系）セラミックスを製造する方法についての研究を鋭意押し進めていく中で、この噴霧焼成の技術によれば球状のセラミックス粉末が得られることが判明した（特願平３－１２０１１３号公報）。・・・ 【００１５】尚、上記の発明において、・・・又、混合ゾル液の固形分濃度が３ｗｔ％未満の低すぎる場合、噴霧焼成して得られる粉末粒子の形状は非球状のドーナツ状になったり、大きなくぼみが出来たりし、これも焼結原料として好ましくない。 【００１６】又、上記の発明において、噴霧液滴の粒径が１５０μｍ以下となるよう噴霧することが好ましい。すなわち、これ以上の液滴粒径では噴霧焼成後に得られる粉末粒子サイズが２０μｍ以上の大きなものとなり、粉末の焼結性が低下したり、極端な場合には焼結しなかったりする。・・・」 これらの記載事項からして、混合ゾル液を用いた噴霧焼成により、マイクロサイズのセラミックス粉末を製造する方法において、混合ゾル液の固形分濃度を調整することで、粉末粒子をドーナツ形状にできることは、本願出願時に公知ないし周知の技術であるといえるが、当該技術が、ナノサイズのドーナツ形状ナノ粒子の形成に適用できるかは不明である。 また、本件発明の詳細な説明には、前記(ウ)で検討したとおり、逆ストライク共沈プロセスでコア粒子を形成することが記載されているが（【００２９】）、当該プロセスで形成されたコア粒子が、ドーナツ形状となっていることを示す証拠はない。 したがって、ナノサイズのドーナツ形状ナノ粒子を形成する方法が本願出願時に公知ないし周知の方法であるといえない。 (カ) 前記(イ)～(オ)によれば、本件発明の詳細な説明の記載や出願時の技術常識を考慮しても、本願発明の「複数のナノ粒子を含むナノ粉末であって」、「複数のナノ粒子の少なくとも一部は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第１の材料を含むコア粒子と、コア粒子上の薄膜コーティングであって、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第２の材料を含む薄膜コーティングを含み」、「複数のナノ粒子の一部は、反対側にくぼみを有する球形を含むドーナツ形状を有する」ことを特徴とする「ナノ粉末」を製造することが、当業者の過度の試行錯誤を要することなく実施できるとはいえない。 したがって、前記アの判断手法に従えば、本件発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件に適合しない。 ウ 請求人の主張の検討 (ア) 請求人の主張について 令和６年５月２９日提出の意見書における請求人の主張は、次のとおりである（同意見書の「第６」参照。）。 「拒絶理由通知書にも記載されているように、実施可能要件を満たしているかは、明細書に、当業者が、発明の詳細な説明及び出願時の技術水準に基づいて、過度の試行錯誤をすることなく、その発明を実施することができる程度に発明の構成等の記載があるかにより決せられる。 上述のように、「第１の材料を含むコア粒子」、「第２の材料を含む薄膜コーティング」及び「ドーナツ形状」という構成は、明細書段落０００９、００１３～００１５、００１９、００３５、図２等に明確に記載されている。また、ナノ粉末の製造方法については、本件明細書の段落００２０、００２９、００３１、００３４等に詳しく説明されている。そして、ナノ粉末の製造に用いられるＡＬＤ等の技術は公知の方法である。だとすれば、当業者であれば、本件明細書及び出願時の技術水準に基づいて、過度の試行錯誤をすることなく、本願発明を実施することは十分に可能である。 従って、本件特許出願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしている。」 (イ) 主張に対する判断 前記イ(イ)及び(ウ)で検討したとおり、本件発明の詳細な説明には、本願発明の「ナノ粉末」及びその製造方法についての一応の記載はあるものの、当該製造方法によって、本願発明の「複数のナノ粒子を含むナノ粉末であって」、「複数のナノ粒子の少なくとも一部は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第１の材料を含むコア粒子と、コア粒子上の薄膜コーティングであって、希土類金属含有酸化物、希土類金属含有フッ化物、希土類金属含有酸フッ化物及びこれらの組み合わせからなる群から選択される第２の材料を含む薄膜コーティングを含み」、「複数のナノ粒子の一部は、反対側にくぼみを有する球形を含むドーナツ形状を有する」ことを特徴とする「ナノ粉末」を製造できたことは具体的に記載されていない。 また、前記イ(エ)で検討したとおり、マイクロサイズの粒子上に薄膜を形成するＡＬＤ技術は本願出願時に公知ないし周知の方法であるといえるものの、当該方法をナノ粉末の製造に適用できることが本願出願時の技術水準であるといえない。 しかも、請求人は、ナノ粉末の製造に用いられるＡＬＤ等の技術が公知の方法であることの証拠を示していない。 したがって、請求人の上記主張は採用できない。 エ 小括 以上のとおりであるから、本件発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に適合しない。 ６ むすび 以上のとおり、本件特許請求の範囲の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものでないし、また、本件発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に適合するものでないため、本願は、特許法第３６条第４項第１号及び第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、その余の事項について検討するまでもなく、特許法第４９条第４号に該当するため拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。