2023-003433

特願２０１８－５１３４２２「電子回路を備えるＬＥＤ光源」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年 ３月２３日国際公開、ＷＯ２０１７／０４６１０７、平成３０年１０月１１日国内公表、特表２０１８－５３０１５２〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１６年（平成２８年）９月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１５年（平成２７年）９月１４日、フランス）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯の概略は次のとおりである。 令和 ２年 ９月２９日付け：拒絶理由通知書 令和 ３年 ４月 ２日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ９月３０日付け：拒絶理由通知書 令和 ４年 ３月２８日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ７月１９日付け：拒絶理由通知書 同年 ９月２９日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１０月２５日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同月２８日 ：原査定の謄本の送達） 令和 ５年 ２月２８日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和５年２月２８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和５年２月２８日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 本件補正の内容 令和５年２月２８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてする補正であって、本件補正前（令和４年９月２９日にされた手続補正後）の特許請求の範囲の請求項１及び本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、それぞれ次の(１)及び(２)に示すとおりである。下線は補正箇所を示す。 なお、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１には「前記結合バッド」と記載されているが、当該記載は、当該記載の直前の「結合パッドを備え」との記載からみて、「前記結合パッド」の誤記であることは明らかであるから、「前記結合バッド」を「前記結合パッド」と正した上で摘記している。 (１) 本件補正前 「【請求項１】 ‐シリコン製の第１基板と、 ‐前記第１基板に配設される少なくとも１つの発光ダイオードと、 を備える半導体光源において、 前記光源は、前記単数又は複数のダイオードを制御するために必要な機能を果たすことが意図される電子回路を備え、 前記電子回路は、発光ダイオードの温度を測定し、 前記光源は、第１基板の前記少なくとも１つの発光ダイオードが配設される面と反対側の面に接着されたシリコン製の第２基板を備え、 前記電子回路は、前記第２基板に埋設され、 前記第１基板は、これを橋絡によって電流源に電気的に接続することが意図され、電子回路に接続される結合パッドを備える、 ことを特徴とする半導体光源。」 (２) 本件補正後 「【請求項１】 ‐シリコン製の第１基板と、 ‐前記第１基板に配設される少なくとも１つの発光ダイオードと、 を備える半導体光源において、 前記光源は、前記発光ダイオードを制御するために必要な機能を果たすことが意図される電子回路を備え、 前記電子回路は、発光ダイオードの温度を測定し、 前記光源は、第１基板の前記発光ダイオードが配設される面と反対側の面に接着されたシリコン製の第２基板を備え、 前記電子回路は、前記第２基板に埋設され、前記電子回路と前記発光ダイオードとの間に外部相互接続手段は設けられておらず、 前記第１基板は、これを橋絡によって電流源に電気的に接続することが意図され、電子回路に接続される、結合パッドを備え、 前記結合パッドは、前記第１基板の前記発光ダイオードが配設される面に配設される、 ことを特徴とする半導体光源。」 ２ 本件補正の適否についての当審の判断 (１) 本件補正の目的について 本件補正で請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項１に対し、「前記電子回路と前記発光ダイオードとの間に外部相互接続手段は設けられて［いない］」ことを限定するとともに、結合パッドについて、「前記第１基板の前記発光ダイオードが配設される面に配設される」ことを限定する補正事項からなるものである。 そして、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 したがって、本件補正で請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 (２) 独立特許要件について 前記(１)のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下で検討する。 ア 本件補正発明 本件補正発明は、前記１(２)に記載した、本件補正後の請求項１の記載中、「前記結合バッド」との誤記を「前記結合パッド」と正した後の本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 イ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 (ア) 引用文献１に記載された事項及び引用発明の認定 ａ 引用文献１に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に発行された特開２００９－４５０７号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。下線は当合議体が付したものであり、以降の他の文献に記載された事項についても同様である。 「【００７３】 （第２の実施の形態） 図１２～図１３は本発明の第２実施形態の電子部品用パッケージの製造方法を示す断面図、図１４は同じく電子部品装置を示す断面図である。 …（中略）… 【００７６】 次いで、図１２（ｂ）に示すように、上面側にツェナーダイオードＺＤが作り込まれた第２シリコンウェハ２０を用意する。ツェナーダイオードＺＤはｎ型の第２シリコンウェハ２０にｐ型の導電型不純物（ボロンなど）がイオン注入されて形成される。第２シリコンウェハ２０の上には、ツェナーダイオードＺＤの上に開口部が設けられた第１絶縁層５０が形成されている。また、第１絶縁層５０の上にはツェナーダイオードＺＤに接続された電極パッド５２が形成されている。電極パッド５２は下から順にＴｉ（チタン）層／ＴｉＮ（窒化チタン）層／Ａｌ（アルミニウム）層が形成されて構成される。 【００７７】 さらに、第１絶縁層５０の上には電極パッド５２の上に開口部５４ｘが設けられた第２絶縁層５４が形成されている。また、第２シリコンウェハ２０の下面に絶縁層５１が形成されている。 （当審注：「形成さている」が「形成されている」の誤記であることは明らかであるから、誤記を正した上で摘記した。） 【００７８】 次いで、図１２（ｃ）に示すように、第２絶縁層５４及び電極パッド５２の上に下から順にＴｉ層／Ｃｕ（銅）層をスパッタ法によって形成して金属層５６ａを得る。続いて、金属層５６ａを第２絶縁層５４が露出するまでＣＭＰなどで研磨する。これにより、図１２（ｄ）に示すように、第２絶縁層５４の開口部５４ｘ内に金属層５６ａが埋め込まれて、電極パッド５２に接続される接続電極５６が得られる。このようにして、第２シリコンウェハ２０の上面側にツェナーダイオードＺＤに電気的に接続された接続電極５６が露出した状態で設けられる。そして、図１２（ｄ）の第２シリコンウェハ２０を下側パッケージ部材３ｂとする。 【００７９】 続いて、図１３（ａ）に示すように、図１２（ｄ）の下側パッケージ部材３ｂの接続電極５６（銅層）に、上記した図１２（ａ）の上側パッケージ部材３ａの貫通電極１８の下側の接続部１８ａ（銅層）を接合する。この接合方法は、第１実施形態の図６（ａ）の工程と同様な方法が採用される。つまり、上側パッケージ部材３ａと下側パッケージ部材３ｂの各接合面を洗浄し、プラズマ処理を行った後に、位置合わせして圧着し、１５０℃の温度で熱処理する。 …（中略）… 【００８３】 以上により、下側パッケージ部材３ｂの上に上側パッケージ部材３ａが積層されて構成される第２実施形態のパッケージ部材３が得られる。 …（中略）… 【００８５】 図１４には、第２実施形態の電子部品用パッケージを使用して構成される電子部品装置が示されている。図１４に示すように、第２実施形態の電子部品装置２ｃの電子部品用パッケージ１ｂは、図１３（ｂ）のパッケージ部材３が切断されて得られ、下側パッケージ部４ｂの上に上側パッケージ部４ａが積層されて基本構成されている。 【００８６】 下側パッケージ部４ｂでは、シリコン基板２０ａの上面側にツェナーダイオードＺＤが形成されており、ツェナーダイオードＺＤは電極パッド５２を介して接続電極５６に接続されている。また、上側パッケージ部４ａでは、シリコン基板１０ａの両面側及びそれに設けられたスルーホールＴＨの内面に絶縁層１４が形成されており、スルーホールＴＨ内に両面側が平坦化された貫通電極１８が充填されている。 【００８７】 そして、下側パッケージ部４ｂの上面側の接続電極５６に上側パッケージ部４ａの貫通電極１８の下側の接続部１８ａが接合されている。 【００８８】 さらに、上側パッケージ部４ａの貫通電極１８の上面側の接続部１８ａに、ＬＥＤ３０のバンプ３０ａがフリップチップ接続されて実装されている。また、ＬＥＤ３０は蛍光体３２に埋設されており、ＬＥＤ３０の上面（発光面）が蛍光体３２で被覆されている。第１実施形態の図９の電子部品装置１と同様に、ＬＥＤ３０は青色や紫色などの光を放出し、蛍光体３２の作用によって白色光として外部に放出される。 【００８９】 また、ＬＥＤ３０は、上側パッケージ部４ａの貫通電極１８、下側パッケージ部４ｂの接続電極５６及び電極パッド５２を介して、下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに設けられたツェナーダイオードＺＤに接続されている。ツェナーダイオードＺＤは、電源ラインにおいてＬＥＤ３０と電気的に並列になるように接続されて電源レギュレータとして機能する。 …（中略）… 【００９３】 第２実施形態では、下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに、ＬＥＤ３０に接続されるツェナーダイオードＺＤを内蔵させる例を示したが、上側パッケージ部４ａの上にＬＥＤ３０の代わりに加速度センサなどのＭＥＭＳ素子を実装し、下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａにＭＥＭＳ素子を駆動させるための半導体素子などを内蔵させてもよい。つまり、上側パッケージ部４ａの上に各種の電子部品を実装することができ、下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに、電子部品に接続される各種の素子（半導体素子、ダイオード、キャパシタ、抵抗、インダクタなど）を内蔵させることができる。 【００９４】 上側パッケージ部４ａの上にＭＥＭＳ素子を実装する場合は、図１５のキャップ部材２４を備えた電子部品装置２ｄが採用され、ＭＥＭＳ素子が収容部Ｓに気密封止される。その場合は、キャップ部材２４として、透明ガラスの他にシリコンキャップなどの不透明材料を使用することができる。 【００９５】 第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、上側パッケージ部４ａに設けられる貫通電極１８は、その上下の接続部１８ａが平坦化されて形成されると共に、狭ピッチで形成することができる。従って、高性能な電子部品が実装されるパッケージに適用することができる。 【００９６】 ところで、上側パッケージ部４ａにツェナーダイオードＺＤを内蔵させて下側パッケージ部４ｂを省略する方法が考えられる。しかしながら、上側パッケージ部４ａにツェナーダイオードＺＤを内蔵させる場合、ツェナーダイオードＺＤを形成した後に、スルーホールＴＨを形成し、熱酸化によって絶縁層１４を形成する必要がある。 【００９７】 このため、特に熱酸化する工程においてツェナーダイオードＺＤの特性が設計値からずれることが多く、そのずれをプロセス条件で補正することは困難を極める。しかも、ツェナーダイオードＺＤを形成した後に、それに異物が付着しないように保護層で被覆したり、プロセス環境のクリーン度を高く設定したりする必要があり、プロセス管理が煩雑になる問題がある。 【００９８】 本実施形態では、そのよう課題を回避するために、貫通電極１８が設けられた上側パッケージ部４ａにはツェナーダイオードＺＤを形成せずに、別の下側パッケージ部４ｂにツェナーダイオードＺＤを設け、プラズマ処理を用いた低温側の接合方法によってツェナーダイオードＺＤを上側パッケージ部４ａの貫通電極１８に接続するようにしている。 【００９９】 従って、本実施形態では、ツェナーダイオードＺＤの特性のずれを考慮する必要もないし、最終工程までクリーン度を高く設定する必要がなくなるので、各種素子を内蔵するパッケージを歩留りよく低コストで製造することができる。ツェナーダイオードＺＤばかりではなく各種素子を内蔵させる場合も同様である。」 「【図１２】 ［図：0001417075000001.jpg］ 【図１３】 ［図：0001417075000002.jpg］ 【図１４】 ［図：0001417075000003.jpg］ 」 ｂ 引用文献１に記載された事項から当業者が把握できる事項 (ａ) 【００７６】～【００７７】及び図１４から、「電極パッド５２」は、「第１絶縁層５０」及び「第２絶縁層５４」の開口部内に配置されていることを当業者は把握することができる。 (ｂ) 【００７８】の「第２シリコンウェハ２０を下側パッケージ部材３ｂとする」との記載及び【００８３】の「下側パッケージ部材３ｂの上に上側パッケージ部材３ａが積層されて構成される第２実施形態のパッケージ部材３が得られる」との記載に加え、【００８５】の「第２実施形態の電子部品装置２ｃの電子部品用パッケージ１ｂは」、「パッケージ部材３が切断されて得られ、下側パッケージ部４ｂの上に上側パッケージ部４ａが積層されて基本構成されている」との記載を参酌すると、「電子部品用パッケージ１ｂ」の「下側パッケージ部４ｂ」における「シリコン基板２０ａ」は、「第２シリコンウェハ２０」が切断されて得られたものであることを当業者は把握することができる。 ｃ 引用発明の認定 前記ａに摘記した引用文献１の記載事項、前記ｂに記載した引用文献１に記載された事項から当業者が把握できる事項を総合すると、引用文献１には、第２実施形態に係る電子部品装置２ｃに関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（引用発明の認定に用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。以下同じ。）。 ＜引用発明＞ 「電子部品用パッケージ１ｂを使用して構成される電子部品装置２ｃであって、（【００８５】） 上面側にツェナーダイオードＺＤが作り込まれた第２シリコンウェハ２０を用意し、ツェナーダイオードＺＤはｎ型の第２シリコンウェハ２０にｐ型の導電型不純物（ボロンなど）がイオン注入されて形成され、（【００７６】） 第２シリコンウェハ２０の上には、ツェナーダイオードＺＤの上に開口部が設けられた第１絶縁層５０が形成されており、（【００７６】） 第１絶縁層５０の上にはツェナーダイオードＺＤに接続された電極パッド５２が形成されており、（【００７６】） 第１絶縁層５０の上には電極パッド５２の上に開口部５４ｘが設けられた第２絶縁層５４が形成されており、（【００７７】） 電極パッド５２は、第１絶縁層５０及び第２絶縁層５４の開口部内に配置されており、（前記ｂ(ａ)） 第２絶縁層５４及び電極パッド５２の上に下から順にＴｉ層／Ｃｕ（銅）層をスパッタ法によって形成して金属層５６ａを得て、金属層５６ａを第２絶縁層５４が露出するまでＣＭＰなどで研磨することにより、第２絶縁層５４の開口部５４ｘ内に金属層５６ａが埋め込まれて、電極パッド５２に接続される接続電極５６が得られ、（【００７８】） 第２シリコンウェハ２０の上面側にツェナーダイオードＺＤに電気的に接続された接続電極５６が露出した状態で設けられ、（【００７８】） 第２シリコンウェハ２０を下側パッケージ部材３ｂとし、（【００７８】） 下側パッケージ部材３ｂの接続電極５６（銅層）に、上側パッケージ部材３ａの貫通電極１８の下側の接続部１８ａ（銅層）を接合し、（【００７９】） 下側パッケージ部材３ｂの上に上側パッケージ部材３ａが積層されて構成されるパッケージ部材３が得られ、（【００８３】） 電子部品用パッケージ１ｂは、パッケージ部材３が切断されて得られ、下側パッケージ部４ｂの上に上側パッケージ部４ａが積層されて基本構成されており、（【００８５】） 下側パッケージ部４ｂでは、シリコン基板２０ａの上面側にツェナーダイオードＺＤが形成されており、ツェナーダイオードＺＤは電極パッド５２を介して接続電極５６に接続されており、（【００８６】） シリコン基板２０ａは、第２シリコンウェハ２０が切断されて得られたものであり、（前記ｂ(ｂ)） 上側パッケージ部４ａでは、シリコン基板１０ａの両面側及びそれに設けられたスルーホールＴＨの内面に絶縁層１４が形成されており、スルーホールＴＨ内に両面側が平坦化された貫通電極１８が充填されており、（【００８６】） 下側パッケージ部４ｂの上面側の接続電極５６に上側パッケージ部４ａの貫通電極１８の下側の接続部１８ａが接合されており、（【００８７】） 上側パッケージ部４ａの貫通電極１８の上面側の接続部１８ａに、ＬＥＤ３０のバンプ３０ａがフリップチップ接続されて実装されており、（【００８８】） ＬＥＤ３０は、上側パッケージ部４ａの貫通電極１８、下側パッケージ部４ｂの接続電極５６及び電極パッド５２を介して、下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに設けられたツェナーダイオードＺＤに接続されており、ツェナーダイオードＺＤは、電源ラインにおいてＬＥＤ３０と電気的に並列になるように接続されて電源レギュレータとして機能し、（【００８９】） 上側パッケージ部４ａの上に各種の電子部品を実装することができ、下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに、電子部品に接続される各種の素子（半導体素子、ダイオード、キャパシタ、抵抗、インダクタなど）を内蔵させることができる（【００９３】） 電子部品装置２ｃ」 (イ) 引用文献２～７に記載された事項及び周知技術１、２の認定 ａ(ａ) 引用文献２に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に発行された米国特許出願公開第２０１２／００１８７４５号明細書（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。 「[0026] FIG. 5A shows a schematic view of an integrated light-emitting device 10A, which is the combination of the control device 100, the light emitting device 200, and the connector 300. In this embodiment, the first conductive region 301 is electrically connected to the first electrode 201, and the second conductive region 302 is electrically connected to the second electrode 202, wherein the first conductive region 301 and the second conductive region 302 of the connector 300 can be bonded to the first electrode 201 and second electrode 202 of the light emitting device 200. In this embodiment, the connector 300 further includes an insulating region (not shown in the figure) surrounding the first conductive region 301 and the second conductive region 302 to avoid electrical interference with the environment and to improve mechanical strength of light-emitting device 10A. The insulating region is formed by CVD or spin coating process, wherein the material of the insulating region can be silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), titanium dioxide (TiOx), FSG, PSG, BPSG, or aluminum oxide (AlOx), and so on. The insulating region also can be formed by filling aliphatic polyimide, benzocyclobutane, prefluroic cyclobutane, or epoxide resin surrounding the first conductive region 301 and the second conductive region 302. [0027] An external DC power source 50 generates current flowing through the power pad 103 into the light emitting device 10A. FIG. 5B and FIG. 5C show the equivalent circuit diagram, which using the control device 100 as a source and the light emitting device 200 as a drain, or the control device 100 as a drain and the light emitting device 200 as a source. The connector 300 is a circuit electrically connected the control device 100 and light-emitting device 200. The control device 100 can be designed as a chip of the size of several millimeters to several centimeters, then using the control device 100 to control and drive the light emitting device 200. The integrated light-emitting device 10A has smaller size and the method for manufacturing the integrated light-emitting device 10A is easier. [0028] The integrated circuit block 102 can be designed as a control device having functions such as rectification, amplification, and other different functions. Taking the wireless device which requires a compact size as an example, an integrated light emitting device 10A is formed by combining the light emitting device 200 in a backlight source of the display module and the control device 100 through the connector 300, wherein the control device 100 is the major circuit of the wireless device. In this wireless device, the current of the light emitting device 200 is adjusted by the control device 100 for changing the brightness of the display module. The control device 100 can be designed as a rectifier to convert alternating current to direct current, so the integrated light emitting device 10A can use AC power directly. （当審訳：[0026] 図5Aは、制御装置100、発光装置200及びコネクタ300の組み合わせである集積発光装置10Aの概略図を示している。この実施形態では、第1の導電性領域301は、第1の電極201に電気的に接続され、第2の導電領域302は、第2の電極202に電気的に接続され、コネクタ300の第1導電性領域301及び第2導電領域302を、発光素子200の第1電極201及び第2電極202に結合することができる。この実施形態では、コネクタ300は、環境との間の電気的な干渉を避け、発光装置10Aの機械的強度を改善するために、更に第1導電領域301及び第2導電領域302を囲む絶縁領域(図示しない)を含む。絶縁領域は、CVD又はスピン塗布法により形成され、絶縁領域の材料としては、酸化珪素(SiOx)、窒化ケイ素(SiNx)、二酸化チタン(TiOx)、FSG、PSG、BPSG、酸化アルミニウム(AlOx)などであってもよい。また、絶縁領域は、第1導電領域301および第2導電領域302を囲む脂肪族ポリイミド、ベンゾシクロブタン、プレフルロイックシクロブタン、エポキシ樹脂を充填することにより形成することができる。 [0027] 外部DC電源50は、電源パッド103を流れ、発光装置10Aに導入される電流を生成する。図5b及び図5cは、等価回路図として、制御装置100をソース、発光装置200をドレインとして用いた場合、又は、制御装置100をドレイン、発光装置200をソースとして用いた場合を示している。コネクタ300は、制御装置100及び発光装置200を電気的に接続する回路である。制御装置100は、数ミリメートルから数センチメートルのサイズのチップとして設計され、そして、制御装置100は、発光装置200を制御し、駆動するために使用される。集積型発光装置10Aは、より小さいサイズを有し、一体化した発光装置10Aの製造方法は、より容易である。 [0028] 集積回路ブロック102は、整流、増幅、及び他の機能などの機能を有する制御装置として構成することができる。コンパクトなサイズを必要とする無線装置を例にとると、集積型発光装置10Aは、表示モジュールのバックライト源における発光装置200と、コネクタ300を介した制御装置100とを組み合わせることにより形成され、ここでは、制御装置100は無線装置の主要回路である。この無線装置では、発光素子200の電流は、表示モジュールの輝度を変更するために制御装置100により調整される。制御装置100は、交流電流を直流電流に変換する整流器として設計することができるので、集積型発光装置10Aは、直接、交流電源を使用できる。）」 「図5A ［図：0001417075000004.jpg］ 」 (ｂ) 引用文献２に記載された事項から当業者が把握できる事項 [0026]及び図5Aの記載に加え、発光素子が実装される部材は通常、基板であるという技術常識を考慮すると、制御装置100は基板であることを当業者は把握できる。 また、[0026]、[0027]及び図5Aから、電極パッド103が、制御装置100における、発光装置200が接続される面に配置されていることを当業者は把握できる。 ｂ(ａ) 引用文献３に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に発行された特表２０１５－５２４６２３号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。 「【００１９】 図１は、公知のＬＥＤパッケージを示している。ＬＥＤ１０は、例えばはんだボールにより、シリコン・サブマウント１２上に取り付けられた個別のパッケージとして形成されている。ＬＥＤパッケージへの接続は、はんだボールを介して行われ、サブマウントからの外部接続は、ワイヤボンド１４によって行われる。図１に概略的に示されるように、サブマウント１２は、ＥＳＤ保護ダイオードのペアを実装することができる。こうして、追加部品を各ＬＥＤに関連付ける１つの理由は、ＥＳＤ保護である。」 「【図１】 ［図：0001417075000005.jpg］ 」 (ｂ) 引用文献３に記載された事項から当業者が把握できる事項 【００１９】及び図１の記載に加え、発光素子が実装される部材は通常、基板であるという技術常識を考慮すると、シリコン・サブマウント１２は基板であることを当業者は把握できる。 また、【００１９】及び図１から、ワイヤボンド１４は、シリコン・サブマウント１２のＬＥＤ１０が取り付けられる面に配置されていることを当業者は把握できる。そして、基板上にワイヤボンドを配置する際には基板上のパッド上に配置することが技術常識であることを考慮すれば、シリコン・サブマウント１２のワイヤボンド１４が配置される部分にはパッドが形成されていることを当業者は把握できる。 ｃ 引用文献４に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に発行された特開２０１４－１０３２６１号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている。 「【００４５】 以下、本実施形態の発光モジュール１０の各構成について説明する。 【００４６】 多層基板１は、複数種の発光部２が有する発光素子３を実装し、配線４を介して発光部２の発光素子３に給電可能なものである。配線４は、複数の絶縁層１ａ，１ｂ，１ｃの層間に設けられた配線パターン４ａと、絶縁層１ａ，１ｂ，１ｃを貫通し配線パターン４ａと電気的に接続する貫通配線４ｂとを有している。また、配線４は、貫通配線４ｂと電気的に接続しており一表面１ａａ側に設けられた導体パターン４ｃを有する。 【００４７】 図１および図２に示すように、導体パターン４ｃは、外部と電気的に接続する外部接続端子４ｅ，４ｆと、発光部２の発光素子３と電気的に接続する接続部４ｄとを備えている。配線４では、たとえば、配線パターン４ａは、貫通配線４ｂを介して、外部接続端子４ｅ，４ｆと電気的に接続している。配線４では、たとえば、配線パターン４ａは、貫通配線４ｂを介して、接続部４ｄと電気的に接続している。外部接続端子４ｅ，４ｆは、多層基板１の一表面１ａａに形成することができる。外部接続端子４ｅ，４ｆは、外部電源からの電力を受電するとともに発光素子３に電力を給電するための受給電部として機能する。外部接続端子４ｅ，４ｆは、必ずしも多層基板１の一表面１ａａ側に設けるものだけに限られず、多層基板１の他表面１ａｂ側に設けてもよい。本実施形態の発光モジュール１０は、外部接続端子４ｅ，４ｆから発光素子３に直流電流を給電することにより、発光素子３が発光し、発光素子３から所望の光を放出する。なお、外部接続端子４ｅは、異なる発光部２に共通に接続させる共通端子としている。また、外部接続端子４ｆは、異なる種類の発光部２ごとに設けた個別端子としている。外部接続端子４ｆは、たとえば、赤色発光部２ａｒと電気的に接続する赤色発光部２ａｒ用の接続端子４ｆ１を備えている。また、外部接続端子４ｆは、緑色発光部２ｂｇと電気的に接続する緑色発光部２ｂｇ用の接続端子４ｆ２を備えている。さらに、外部接続端子４ｆは、白色発光部２ｂｗと電気的に接続する白色発光部２ｂｗ用の接続端子４ｆ３を備えて構成することができる。配線パターン４ａや導体パターン４ｃの形成方法は、特に限定されず、印刷方式、あるいはめっき処理など、パターン形成方式として種々のものを用いることができる。 …（中略）… 【００５０】 発光部２は、給電により光を発光可能なものである。発光部２は、少なくとも１つ以上の発光素子３を備えている。発光素子３は、たとえば、発光層に青色の光を発光可能なＩｎＧａＮなどの窒化ガリウム系化合物半導体を用いたＬＥＤチップを用いることができる。発光部２は、ＬＥＤチップだけに限られず、たとえば、ＬＤ(Laser diode)や有機ＥＬ素子（有機エレクトロミネッセンス素子）などの固体発光素子を利用することもできる。また、発光素子３は、ＬＥＤチップのベアチップを用いることができるが、ベアチップだけに限られない。発光素子３は、ＬＥＤチップを樹脂基板上に実装し透光性樹脂で被覆させ外部に給電のためのリード端子が設けられたチップタイプ発光ダイオードなどを用いてもよい。 …（中略）… 【００５４】 発光部２は、たとえば、多層基板１の一表面１ａａ上に複数個の発光素子３を実装させ、発光素子３を多層基板１の配線４を用いて電気的に直列接続させたものを用いることができる。複数個の発光素子３は、多層基板１の配線４を用いて電気的に並列接続や直並列接続させることができる。 …（後略）…」 「【図１】 ［図：0001417075000006.jpg］ 【図２】 ［図：0001417075000007.jpg］ 」 ｄ(ａ) 引用文献５に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に発行された特表２０１４－５１５５５４号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている。 「【００５８】 図３は、本発明によるディスプレイの断面を示しており、このディスプレイは、アクティブマトリクス駆動装置４，５，６，７の上に配置された発光領域を有する少なくとも１つのモジュールを備えている。したがって、図２Ａおよび図２Ｂにおける例示的な実施形態と比較して、このディスプレイは、例えば、外部からの符号化された信号を、モジュールの行および列のスイッチングパターンに変換する電子部品によって拡張されている。この場合、一例として、ＣＡＮバスまたはＩ２Ｃインタフェースの入力信号が考慮される。この場合、電子制御素子は、モノリシックに集積化されるように具体化する、または個別の部品として具体化することができる。 【００５９】 アクティブマトリクス駆動装置はトランジスタ５を有し、これらのトランジスタ５は、例えば、Ｓｉにおいて実施されたＣＭＯＳ構造の形で存在しており、モジュールの発光領域は、このＣＭＯＳ構造に１対１の関係で電気的かつ機械的に接続されている。これは、例えば、発光領域とトランジスタを直接接合することによって実現することができる。これに代えて、トランジスタのＳｉウェハの実装領域上に発光領域を連続して、または同時に実装することができる。これに代えて、発光領域１の層を成長させる目的に使用した成長基板を、薄膜トランジスタ５を堆積およびパターニングするための基板としても使用することができる。 【００６０】 図３におけるアクティブマトリクス駆動装置は、トランジスタ５に加えて、Ｓｉから構成されるアクティブマトリクス４と、マイクロコントローラ６と、接続領域７とを有する。 …（中略）… 【００６３】 図３における例示的な実施形態のディスプレイには、さらなる電子部品、例えば、光センサ、カラーセンサ、温度センサなどをさらに組み込むことができる（図示していない）。」 「【図３】 ［図：0001417075000008.jpg］ 」 (ｂ) 引用文献５に記載された事項から当業者が把握できる事項 【００５８】、【００６０】及び図３の記載に加え、発光素子が実装される部材は通常、基板であるという技術常識を考慮すると、アクティブマトリクス４は、基板であることを当業者は把握できる。 また、【００５８】、【００６０】及び図３から、接続領域７は、アクティブマトリクス４の発光領域１が配置される面に配置されていることを当業者は把握できる。 ｅ 引用文献６に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に発行された中国特許出願公開第１０３３９０７１７号明細書（以下「引用文献６」という。）には、以下の事項が記載されている。 「 ［図：0001417075000009.jpg］ （当審訳：[0060] 本実施形態では、添付図面の図1～図3のように、積層型LED発光モジュールは、対応するチップ位置で下部基板3に固定される温度センサ7をさらに備え、温度センサ7が下部基板3に固定された後、金属層5を介して回路素子4に接続され、一体的に制御される。 [0061] 温度センサ7の効率的な動作をさらに実現するために、本実施形態では、前記上側基板2と前記下側基板3との間に半田層を設け、この半田層により温度センサ7への迅速な熱の伝達を可能とし、加工時には、半田の最終的な溶着により半田層を形成し、半田層は、主に熱伝導に使用され、導電効果のない半田ボール6の配置とともに配置することができ、他の電気部品や回路を避けるように配置することにより、短絡を回避することができる。 [0062] LEDチップの動作温度は、その寿命に大きな影響を与える。LEDの温度を検出することで、温度が高すぎる場合にLEDチップに流れる電流を減少させたり、スイッチを切ったりすることができ、製品を保護するという目的を達成することができる。）」 「図3 ［図：0001417075000010.jpg］ 」 ｆ(ａ) 引用文献７に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に発行された米国特許出願公開第２０１１／０１４０２８４号明細書（以下「引用文献７」という。）には、以下の事項が記載されている。 (ｉ) [0014] 「[0014] The optoelectronic component may comprise at least one optoelectronic semiconductor chip. The optoelectronic semiconductor chip may take the form of a light-emitting diode, a luminescent diode, a laser diode or a photodiode. In particular, the semiconductor chip is a receiving or transmitting element for electromagnetic radiation. （当審訳：[0014] 本オプトエレクトロニクス部品は、少なくとも1個のオプトエレクトロニクス半導体チップを含んでいてもよい。オプトエレクトロニクス半導体チップは、発光ダイオード、ルミネッセントダイオード、レーザダイオードまたはフォトダイオードの形をとることができる。特に、半導体チップは、電磁放射を受信または送信する素子である。）」 (ｉｉ) [0065]～[0069]、図5 [0065] In the example according to FIG. 5 the functional element 3 takes the form of an electronic control unit 8. The electronic control unit 8 is connected via electrical conductors 6 to a temperature sensor 7 and to the semiconductor chip 4. The semiconductor chip 4 may be supplied with current via the electronic control unit 8, as a function of a signal from the temperature sensor 7. Thermal overloading of the optoelectronic component 1 is thus prevented by suitable control. [0066] Contrary to what is shown in FIG. 5, a plurality of semiconductor chips 4 may also be placed on the carrier 2. The different semiconductor chips 4 may be driven by way of a single electronic control unit 8 and a single temperature sensor 7 or indeed by way of a plurality of temperature sensors 7 or electronic control units 8. To supply current to the electronic control unit 8 electrical conductors 6 are present in the carrier 2 and extend at lateral peripheral zones of the carrier 2 to the mounting side 20 and to the carrier bottom 15. The end zones of these conductors 6 may take the form of connection points 17. Contacting of an external connection carrier, not shown, is possible for example by way of soldering, adhesive bonding and/or bonding wires. [0067] An electronic control unit according to FIG. 5 may also be combined with a Peltier element, for example as illustrated in FIG. 3. The electronic control unit 8 may then in particular control the voltage between the electrical conductor 6a and the electrical conductor 6c and thus purposefully influence the cooling capacity of the Peltier element. ESD protection may likewise be integrated into the electronic control unit 8. [0068] The electronic control unit 8 is integrated monolithically into the carrier 2 for example by photolithographic process steps. The carrier 2 may thus be a silicon chip with integrated circuits. The temperature sensor 7 and/or the semiconductor chip 4 may be adhesively bonded or soldered to the mounting side 20. It is likewise possible for the temperature sensor 7 also to be integrated monolithically into the carrier 2, for instance in the form of a temperature-dependent resistor. [0069] The electronic control unit 8 and semiconductor chip 4 overlap laterally in a direction parallel to the mounting side 20. In this way a compact, particularly space-saving arrangement is achieved. By combining an electronic control unit 8 with a temperature sensor 7, thermal overloading of the optoelectronic component 1 may be prevented. （当審訳：[0065] 図5の例では、機能素子3は、電子制御ユニット8の形態をとる。電子制御ユニット8は、導体6を介して、温度センサ7と半導体チップ4に接続される。半導体チップ4には、電子制御ユニット8を介して、温度センサ7からの信号に依存した電流が供給されてもよい。こうして、オプトエレクトロニクスデバイス1の熱過負荷は、適切な制御により防止される。 [0066] 図5に示されているものとは対照的に、複数の半導体チップ4をキャリア2に配置することも可能である。異なる半導体チップ4は、単一の電子制御ユニット8及び単一の温度センサ7によって、又はさらにいうと複数の温度センサ7や電子制御ユニット8によって駆動されてもよい。電子制御ユニット8に電流を供給するために、導体6が、キャリア2内に存在し、キャリア2の側方周辺領域で、実装面20及びキャリア底面15まで延びている。これらの導体6の端部領域は、接続箇所17の形をとることができる。図示されない外部接続部キャリアの接触が、例えば半田付け、接着及び/又はボンディングワイヤを介して可能である。 [0067] 図5の電子制御ユニットは、例えば図3に示されているようなペルチェ素子と結合されてもよい。そして、電子制御ユニット8は、特に導体6aと導体6cとの間の電圧を制御し、ペルチェ素子の冷却能力に意図的に影響を与えることができる。同様にESD保護を電子制御ユニット8に集積することができる。 [0068] 電子制御ユニット8は、例えば、フォトリソグラフィ処理工程によりキャリア2内にモノリシックに集積される。キャリア2は、集積回路を備えたシリコンチップであってもよい。温度センサ7及び/又は半導体チップ4は、実装面20に接着又ははんだ付けされていてもよい。同様に温度センサ7を、温度依存抵抗器の形でキャリア2内にモノリシックに集積することもできる。 [0069] 電子制御ユニット8及び半導体チップ4は、実装面20に平行な方向において横方向に重なっている。このようにして、コンパクトで、特に省スペースの配置が達成される。電子制御ユニット8を温度センサ7と組み合わせることによって、オプトエレクトロニクス部品1の熱過負荷を防止することができる。）」 「図5 ［図：0001417075000011.jpg］ 」 (ｂ) 引用文献７に記載された事項から当業者が把握できる事項 [0014]の「オプトエレクトロニクス半導体チップは、発光ダイオード、ルミネッセントダイオード、レーザダイオード又はフォトダイオードの形をとることができる。」という記載を考慮すれば、図5に示された形態における「オプトエレクトロニクスデバイス１」の「半導体チップ4」を「発光ダイオード」とすることを当業者は把握できる。 ｇ 周知技術１の認定 前記ａ～ｄの引用文献２～５に記載された事項及び当業者が把握できる事項によれば、以下の事項は本願の優先日前の周知技術（以下「周知技術１」という。）であると認められる。 ＜周知技術１＞ 「発光素子が実装される基板における、発光素子が実装される面に、電源と電気的に接続するためのパッドを設けること」 ｈ 周知技術２の認定 前記ｅ、ｆの引用文献６、７に記載に記載された事項及び当業者が把握できる事項によれば、以下の事項は本願の優先日前の周知技術（以下「周知技術２」という。）であると認められる。 ＜周知技術２＞ 「発光素子が実装される基板に温度センサを組み込み、温度センサからの信号を用いることで、発光素子に流れる電流を制御し、発光素子が高温となるのを防止すること」 ウ 対比 (ア) 対比分析 本件補正発明と引用発明を対比する。 ａ(ａ) 引用発明の「電子部品装置２ｃ」は、「電子部品用パッケージ１ｂを使用して構成される」ものであるから、引用発明の「電子部品装置２ｃ」は「電子部品用パッケージ１ｂ」を備えていると認められる。また、引用発明の「電子部品用パッケージ１ｂ」は、「下側パッケージ部４ｂの上に上側パッケージ部４ａが積層されて基本構成されて」いるから、引用発明の「電子部品用パッケージ１ｂ」は、「上側パッケージ部４ａ」及び「下側パッケージ部４ｂ」を備えていると認められる。そして、引用発明の「上側パッケージ部４ａでは、シリコン基板１０ａの両面側及びそれに設けられたスルーホールＴＨの内面に絶縁層１４が形成されて」いることを踏まえると、引用発明の「上側パッケージ部４ａ」は「シリコン基板１０ａ」を備えているといえるとともに、引用発明の「下側パッケージ部４ｂでは、シリコン基板２０ａの上面側にツェナーダイオードＺＤが形成されて」いることを踏まえると、引用発明の「下側パッケージ部４ｂ」は「シリコン基板２０ａ」を備えているといえる。また、引用発明では、「上側パッケージ部４ａの貫通電極１８の上面側の接続部１８ａに、ＬＥＤ３０のバンプ３０ａがフリップチップ接続されて実装されて」いるから、引用発明の「電子部品装置２ｃ」は、「ＬＥＤ３０」を備えているといえる。 (ｂ) 引用発明の「電子部品装置２ｃ」は、前記(ａ)のとおり「ＬＥＤ３０」を備えているところ、ＬＥＤが光を発することは技術常識であるから、引用発明の「電子部品装置２ｃ」は「光源」であるといえる。そして、引用発明の「電子部品装置２ｃ」は、「ＬＥＤ３０」を備えているところ、ＬＥＤが半導体により構成されることが技術常識である点、及び、引用発明の「電子部品装置２ｃ」が「電子部品用パッケージ１ｂ」を備え、「電子部品用パッケージ１ｂ」が「上側パッケージ部４ａ」及び「下側パッケージ部４ｂ」を備え、「上側パッケージ部４ａ」、「下側パッケージ部４ｂ」がそれぞれ「シリコン基板１０ａ」、「シリコン基板２０ａ」を備えているところ、シリコンは半導体である点を考慮すると、引用発明の「電子部品装置２ｃ」は、本件補正発明の「半導体光源」であるといえる。 (ｃ) よって、本件補正発明と引用発明は、「半導体光源」である点で一致する。 ｂ(ａ) 引用発明の「シリコン基板１０ａ」は、本件補正発明の「シリコン製の第１基板」に相当する。 (ｂ) 引用発明の「ＬＥＤ３０」は、本件補正発明の「少なくとも１つの発光ダイオード」に相当する。そして、引用発明の「ＬＥＤ３０のバンプ３０ａ」が、「シリコン基板１０ａ」「に設けられた」「スルーホールＴＨ内に」「充填され」た「貫通電極１８の上面側の接続部１８ａに」、「フリップチップ接続されて実装されて［いる］」ことは、本件補正発明の「少なくとも１つの発光ダイオード」が、「前記第１基板に配設される」ことに相当する。 (ｃ) 前記ａ(ａ)のとおり、引用発明の「電子部品装置２ｃ」は、「ＬＥＤ３０」を備えているとともに、引用発明の「電子部品装置２ｃ」は「電子部品用パッケージ１ｂ」を備え、「電子部品用パッケージ１ｂ」は「上側パッケージ部４ａ」を備え、「上側パッケージ部４ａ」は「シリコン基板１０ａ」を備えているといえるところ、このことは、本件補正発明の「半導体光源」が、「シリコン製の第１基板」と、「少なくとも１つの発光ダイオードと、を備える」ことに相当する。 (ｄ) 前記(ａ)～(ｃ)から、本件補正発明と引用発明は、「‐シリコン製の第１基板と、‐前記第１基板に配設される少なくとも１つの発光ダイオードと、を備える」点で一致する。 ｃ(ａ) 引用発明の「ツェナーダイオードＺＤ」は、本件補正発明の「電子回路」に相当する。 (ｂ) 引用発明の「ツェナーダイオードＺＤ」が、「電源ラインにおいてＬＥＤ３０と電気的に並列になるように接続されて電源レギュレータとして機能［する］」ことは、本件補正発明の「電子回路」が、「前記発光ダイオードを制御するために必要な機能を果たすことが意図される」ことに相当する。 (ｃ) 引用発明の「ツェナーダイオードＺＤ」は、引用発明の「電子部品装置２ｃ」が「備えて［いる］」「電子部品用パッケージ１ｂ」を構成する「下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに設けられ」ているから、引用発明の「電子部品装置２ｃ」は、「ツェナーダイオードＺＤ」を備えているといえ、このことは、本件補正発明の「前記光源」が、「電子回路」を「備え」ることに相当する。 (ｄ) よって、本件補正発明と引用発明は、「前記光源は、前記発光ダイオードを制御するために必要な機能を果たすことが意図される電子回路を備え」る点で一致する。 ｄ 「電子回路」について、本件補正発明は、「発光ダイオードの温度を測定［する］」のに対し、引用発明は、「ツェナーダイオードＺＤ」であって、「ＬＥＤ３０」の温度を測定しない点で相違する。 ｅ(ａ) 引用発明の「シリコン基板２０ａ」は、本件補正発明の「シリコン製の第２基板」に相当するから、引用発明の「電子部品装置２ｃ」が、「電子部品用パッケージ１ｂ」を備えており、「下側パッケージ部４ｂ」が、シリコン基板２０ａ」を備えていること（前記ａ(ａ)）は、本件補正発明の「前記光源」が、「シリコン製の第２基板を備え」ることに相当する。 (ｂ) 引用発明の「上側パッケージ部４ａ」、「下側パッケージ部４ｂ」はそれぞれ「シリコン基板１０ａ」、「シリコン基板２０ａ」を備えていること（前記ａ(ａ)）を踏まえると、引用発明において、「下側パッケージ部４ｂの上面側の接続電極５６に上側パッケージ部４ａの貫通電極１８の下側の接続部１８ａが接合されて［いる］」ことは、本件補正発明の「シリコン製の第２基板」が、「第１基板」の「面に接着された」ことに相当する。 (ｃ) 引用発明では、「貫通電極１８の上面側の接続部１８ａに、ＬＥＤ３０のバンプ３０ａがフリップチップ接続されて実装されて［いる］」から、前記ｂ(ｂ)も踏まえると、「ＬＥＤ３０」は「シリコン基板１０ａ」の上面側に「実装されて［いる］」こととなる。その一方で、「下側パッケージ部４ｂの上面側の接続電極５６に上側パッケージ部４ａの貫通電極１８の下側の接続部１８ａが接合されて［いる］」から、前記(ｂ)を踏まえると、「シリコン基板２０ａ」は「シリコン基板１０ａ」の下面側に「接合されて［いる］」こととなる。してみると、引用発明の「シリコン基板２０ａ」が「接合されて［いる］」「シリコン基板１０ａ」の下面は、「ＬＥＤ３０」が「実装されて［いる］」面である上面と反対側の面であるといえ、このことは、本件補正発明の「シリコン製の第２基板」が「第１基板の前記発光ダイオードが配設される面と反対側の」面に接着されたものであることに相当する。 (ｄ) してみると、本件補正発明と引用発明は、「前記光源は、第１基板の前記発光ダイオードが配設される面と反対側の面に接着されたシリコン製の第２基板を備え」る点で一致する。 ｆ(ａ) 引用発明の「シリコン基板２０ａは、第２シリコンウェハ２０が切断されて得られたものであ［る］」ことを踏まえると、引用発明の「シリコン基板２０ａの上面側」に「形成されて［いる］」「ツェナーダイオードＺＤ」は、切断前の「ｎ型の第２シリコンウェハ２０にｐ型の導電型不純物（ボロンなど）がイオン注入されて形成されたものであ」るといえ、このことは、本件補正発明の「電子回路」が、「前記第２基板に埋設され」ることに相当する。 (ｂ) よって、本件補正発明と引用発明は、「前記電子回路は、前記第２基板に埋設され」る点で一致する。 ｇ(ａ) 本件補正発明の「外部相互接続手段」における「外部」が何の外側の部分であるのか、請求項１の記載からは必ずしも明らかではない。そこでまず、本件補正発明の当該「外部」という用語の意義について、明細書の記載を参酌して検討する。 本願の明細書において、「外部相互接続手段」について記載されている箇所は、「電子回路１３０を直接的に埋設することにより、回路１３０とダイオード１２０との間に外部相互接続手段を設けることが不要とできる。」（【００４１】）という記載箇所のみであるが、上記記載箇所は、「第１基板」を備えない図２に示された実施形態に関連した箇所であり、「第１基板」を備える本件補正発明とは異なる実施形態に関するものであるところ、上記記載箇所からは、本件補正発明における「外部」の意味は必ずしも明らかでない。 そこで、「第１基板」を備える本件補正発明に対応する図３を参照すると、図３からは、「電子回路２３０」と「発光ロッド２２０」との間に「第１基板２１０」内部に形成された「ビア２４２」が設けられていることが読み取れるが、明細書には図３以外に本件補正発明に対応する「第１基板」を備える実施形態は存在せず、図３に係る実施形態に対して外部接続手段を設けない変更を行う旨の記載も存在しないことから、本件補正発明では、この「第１基板２１０」内部に形成された「ビア２４２」のような部材は、「外部相互接続手段」に該当しないと解するほかない。したがって、以下では、図３に係る実施形態のように、第１基板の内部に形成されたビアのような相互接続手段は、「外部相互接続手段」には該当しないとして、本件補正発明を解釈する。 (ｂ) そうすると、引用発明では、「ＬＥＤ３０は、上側パッケージ部４ａの貫通電極１８、下側パッケージ部４ｂの接続電極５６及び電極パッド５２を介して、下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに設けられたツェナーダイオードＺＤに接続されて」いるところ、引用発明における、「上側パッケージ部４ａ」が備えている「シリコン基板１０ａ」の「スルーホールＴＨ内に」「充填された」「貫通電極１８」、「第２絶縁層５４の開口部５４ｘ内に金属層５６ａが埋め込まれて」「得られる」「接続電極５６」、及び、「第１絶縁層５０及び第２絶縁層５４の開口部内に配置されて［いる］」「電極パッド５２」は、前記(ａ)によれば本件補正発明の「外部相互接続手段」に該当しないから、引用発明では、「ツェナーダイオードＺＤ」と「ＬＥＤ３０」との間に「外部相互接続手段」は設けられていないといえる。 (ｃ) よって、本件補正発明と引用発明は、「前記電子回路と前記発光ダイオードとの間に外部相互接続手段は設けられて［いない］」点で一致する。 ｈ 「第１基板」について、本件補正発明は、「これを橋絡によって電流源に電気的に接続することが意図され、電子回路に接続される、結合パッドを備え、前記結合パッドは、前記第１基板の前記発光ダイオードが配設される面に配設される」のに対し、引用発明は、「結合パッド」に相当する構成を備えているのか不明である点で相違する。 (イ) 一致点及び相違点 前記(ア)の対比分析の結果をまとめると、本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点は、それぞれ次のａ及びｂに示すとおりである。 ａ 一致点 「‐シリコン製の第１基板と、 ‐前記第１基板に配設される少なくとも１つの発光ダイオードと、 を備える半導体光源において、 前記光源は、前記発光ダイオードを制御するために必要な機能を果たすことが意図される電子回路を備え、 前記光源は、第１基板の前記発光ダイオードが配設される面と反対側の面に接着されたシリコン製の第２基板を備え、 前記電子回路は、前記第２基板に埋設され、前記電子回路と前記発光ダイオードとの間に外部相互接続手段は設けられていない 半導体光源」である点。 ｂ 相違点 (ａ) 相違点１ 「電子回路」について、本件補正発明は、「発光ダイオードの温度を測定［する］」のに対し、引用発明は、「ツェナーダイオードＺＤ」であって、「ＬＥＤ３０」の温度を測定しない点。 (ｂ) 相違点２ 「第１基板」について、本件補正発明は、「これを橋絡によって電流源に電気的に接続することが意図され、電子回路に接続される、結合パッドを備え、前記結合パッドは、前記第１基板の前記発光ダイオードが配設される面に配設される」のに対し、引用発明は、当該「結合パッド」に相当する構成を備えているのか不明である点。 エ 判断 (ア) 相違点１についての判断 ａ 引用発明は、「下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに、電子部品に接続される各種の素子（半導体素子、ダイオード、キャパシタ、抵抗、インダクタなど）を内蔵させることができる」ものである。 ここで、発光素子の分野において、発光素子が高温となることは広く認識された課題であり、引用発明に接した当業者は、「ＬＥＤ３０」が高温になるのを防止しようという動機を持ち得るから、周知技術２に接することができる。 そうすると、引用発明における「下側パッケージ部４ｂのシリコン基板２０ａに、電子部品に接続される各種の素子」「を内蔵させることができる」という点を考慮しつつ、引用発明に「発光素子が実装される基板に温度センサを組み込み、温度センサからの信号を用いることで、発光素子に流れる電流を制御し、発光素子が高温となるのを防止すること」という周知技術２を適用することにより、「シリコン基板２０ａ」に、「ツェナーダイオードＺＤ」に加えて、「温度センサ」を組み込むことは、当業者が容易に想到し得たことである。 ｂ このとき、引用発明に対して周知技術２を適用した構成（以下「容易想到構成１」という。）における「温度センサ」が相違点１に係る本願発明の「電子回路」に相当し、温度センサからの信号を用いることで、「ＬＥＤ３０」が高温となるのを防ぐという目的で「シリコン基板２０ａ」に「温度センサ」を組み込んだものである以上、「温度センサ」は「ＬＥＤ３０」の温度を測定することになるから、容易想到構成１は、相違点１に係る本件補正発明の「前記電子回路は、発光ダイオードの温度を測定［する］」という構成を満たす。 また、容易想到構成１の「温度センサ」は、「ＬＥＤ３０」に流れる電流を制御し、「ＬＥＤ３０」が高温となるのを防止するためのものであるから、本件補正発明の「前記発光ダイオードを制御するために必要な機能を果たすことが意図される」という構成を満たす。 さらに、容易想到構成１の「温度センサ」は、「シリコン基板２０ａ」に組み込まれるから、本件補正発明の「前記第２基板に埋設され」るという構成を満たす。 したがって、当業者は引用発明に対して周知技術２を適用することにより、相違点１に係る本件補正発明の構成に至ることとなる。 (イ) 相違点２についての判断 引用発明において、「ＬＥＤ３０」を発光させるために、引用発明の「電子部品装置２ｃ」を外部の電源に接続する必要があることは、引用発明に接した当業者が直ちに認識できる事項であるから、当業者は、引用発明に、外部の電源に接続するための構成を設ける動機を持ち得る。そして、引用発明から出発した当業者は、発光装置を外部の電源に接続するための具体的な構成として、周知技術１に接することができる。 そうすると、引用発明に、「発光素子が実装される基板における、発光素子が実装される面に、電源と電気的に接続するためのパッドを設けること」という周知技術１を適用して、「ＬＥＤ３０」が実装されている「シリコン基板１０ａ」の上面に、電源と電気的に接続するためのパッドを設けることは、当業者が容易に想到し得たことである。 ここで、相違点２に係る本件補正発明の、「結合パッド」が「電流源に電気的に接続することが意図され［る］」ものである点について検討すると、明細書の記載及び本願優先日時の技術常識を考慮しても、「電流源に電気的に接続される」という用途限定を付すことにより、「結合パッド」が、「電流源に電気的に接続される」のに特に適した形状、構造、組成等を意味すると解することはできないから、「電流源に電気的に接続される」との特定は、「結合パッド」という物を特定するための意味を有しているとは認めらない。また、「橋絡によって」接続することが意図されたものであるとの特定についても、同様であり、やはり「結合パッド」という物を特定するための意味を有しているとは認められない。したがって、引用発明に周知技術１を適用した構成は、相違点２に係る本件補正発明の構成に至ることとなる。 また、結合パッドが「これを橋絡によって電流源に電気的に接続すること」に特に適した結合パッドであることを意味しているとしても、ＬＥＤ及び温度センサを駆動する際に定電流源を用いること、及び、パッドに電気的な接続を行う際にワイヤを用いることが、いずれも文献を提示するまでもない周知技術であることを考慮すれば、設けるパッドを「橋絡によって電流源に電気的に接続することが意図され」たものとすることは、当業者が適宜なし得たことであるともいえるから、やはり当業者は相違点２に係る本件補正発明の構成に至ることとなる。 (ウ) 総合検討 前記相違点１及び２を総合的に勘案しても、本件補正発明の効果は、本件補正発明の構成が奏するものとして、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２から見て、予測困難な効果であるとはいえないし、格別顕著な効果であるともいえない。 したがって、本件補正発明は、引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 (エ) 請求人の主張について 請求人は、引用文献１は、本件補正発明の「橋絡によって電流源に電気的に接続することが意図され、電子回路に接続される、結合パッド」を開示していない旨（以下「主張１」という。）、及び、当業者が、電子回路と発光ダイオードとの間に外部相互接続手段を備えないことに至ることは容易に想到することではない旨（以下「主張２」という。）を主張している。 請求人の主張について、以下で検討する。 主張１については、前記(イ)で説示したとおり、引用発明に、「発光素子が実装される基板における、発光素子が実装される面に、電源と電気的に接続するためのパッドを設けること」という周知技術１を適用して、本件補正発明の「結合パッド」に相当する構成を設けることは、当業者が容易に想到し得たものである。 主張２については、前記ウ(ア)ｇで説示したとおり、引用発明の「貫通電極１８」、「接続電極５６」及び「電極パッド５２」が本件補正発明の「外部相互接続手段」に該当しないことを考慮すれば、引用発明では、「ツェナーダイオードＺＤ」と「ＬＥＤ３０」との間に「外部相互接続手段」は設けられていないといえるから、本件補正発明と引用発明との間に、「外部相互接続手段」に係る相違点は存在しない。 よって、請求人の主張はいずれも採用できない。 オ 独立特許要件についての当審の判断のまとめ 以上検討のとおり、本件補正発明は、引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 (３) 本件補正の適否についての当審の判断のまとめ 前記(２)に示したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法１７条の２第６項で準用する同法１２６条７項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（前記第２の１(１)参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の拒絶の理由のうち、本願発明についての理由１（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。 理由１ （進歩性の欠如） 本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献１に記載された発明及び引用文献２～７に例示される周知技術に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 １．特開２００９－４５０７号公報 ２．米国特許出願公開第２０１２／００１８７４５号明細書（周知技術を示す文献） ３．特表２０１５－５２４６２３号公報（周知技術を示す文献） ４．特開２０１４－１０３２６１号公報（周知技術を示す文献） ５．特表２０１４－５１５５５４号公報（周知技術を示す文献） ６．中国特許出願公開第１０３３９０７１７号明細書（周知技術を示す文献） ７．米国特許出願公開第２０１１／０１４０２８４号明細書（周知技術を示す文献） ３ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 引用文献１～７に記載された事項、引用発明、周知技術１及び周知技術２は、前記第２の２(２)イにおいて示したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、本件補正発明に対して、「前記電子回路と前記発光ダイオードとの間に外部相互接続手段は設けられて［いない］」という限定、及び、「結合パッド」に関する「前記第１基板の前記発光ダイオードが配設される面に配設される」との限定を省いたものである。 そして、本願発明の発明特定事項を全て含み、当該発明特定事項の一部を限定したものに相当する本件補正発明が、前記第２の２(２)において説示したとおり、引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同様の理由により、本願発明も、引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。