2023-001165

特願２０１８－１５９９７０号「反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和２年３月５日出願公開、特開２０２０－３４６６６号〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１８年（平成３０年）８月２９日を出願日とする特許出願であって、その手続の概要は、以下のとおりである。 令和３年 ６月２２日 ：手続補正書 令和４年 ４月１５日付け：拒絶理由通知書 同年 ８月２４日 ：意見書・手続補正書 同年１０月１８日付け：拒絶査定 令和５年 １月２４日 ：審判請求書 同年 ３月 １日 ：審判請求書の手続補正書 第２ 本件発明について 本願の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、令和４年８月２４日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１の記載は次のとおりのものである。 「【請求項１】 基板上に、多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、 前記吸収体膜は、コバルト（Ｃｏ）及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択される少なくとも１つの高吸収係数元素と、ドライエッチング速度を速くする元素とを、前記吸収体膜の少なくとも一部に含み、 前記吸収体膜が、基板側の表面を含む下面領域と、基板とは反対側の表面を含む上面領域とを含み、 前記上面領域の前記高吸収係数元素の濃度（原子％）が、前記下面領域の前記高吸収係数元素の濃度（原子％）より高く、 前記上面領域の材料が、高吸収係数元素を含む材料、又は高吸収係数元素及びドライエッチング速度を速くする元素を含む材料からなることを特徴とする反射型マスクブランク。」 第３ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由の概要は、本件発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない（理由１）、及び、本件発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である下記の引用文献２に記載された発明及び引用文献４、５に例示される周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない（理由２）、という理由を含むものである。 引用文献１．米国特許出願公開第２０１６／０２２３８９６号明細書 引用文献２．国際公開第２０１８／０７４５１２号 引用文献４．特開２０１５－２２５２８０号公報（周知技術を示す文献） 引用文献５．特開平６－６９１８５号公報（周知技術を示す文献） 第４ 引用文献の記載事項及び引用発明等の認定 １ 引用文献１の記載事項及び引用発明１等の認定 （１） 引用文献１の記載事項 引用文献１には、以下の事項が記載されている（なお、日本語訳は当審が作成した。）。 「 TECHNICAL FIELD [0001] The present disclosure relates generally to designing and fabricating integrated circuit (IC) devices. The present disclosure is applicable to design and fabrication processes associated with extreme ultra violet (EUV) photomasks utilized in photolithographic patterning at 10 nanometer (nm), 7 nm, 5 nm nodes and beyond.」 （日本語訳：技術分野 ［０００１] 本開示は概して、集積回路（ＩＣ）デバイスの設計及び製造に関する。本開示は、１０ナノメートル（ｎｍ）、７ｎｍ、５ｎｍ、及びその先のノードでのフォトリソグラフィパターニングで利用される極端紫外線（ＥＵＶ）フォトマスクに関連する設計及び製造のプロセスに適用可能である。） 「 BACKGROUND [0002] Generally, in fabrication of an IC device, a photolithography (lithography) process may be utilized to print/pattern various layers of a circuit design onto a surface of a silicon (Si) substrate for creating various devices (e.g., transistors) and circuits to form the IC device. In lithography, a photomask is used to mask or expose areas on the substrate that are to be blocked from or patterned by, respectively, a light source (e.g., EUV). With miniaturization of the IC devices, EUV lithography (e.g., with 13.5 nm wavelength photons) is utilized to achieve a better resolution when compared to other lithography options (e.g., 193 nm immersion lithography, multiple patterning, etc.). Optical elements in an EUV scanner must be reflective, which require that the EUV photomask be illuminated at an angle to its normal (non-orthogonal). However, non-orthogonal illumination of the EUV photomask can cause, for example, a shadowing of lines that are perpendicular to the incident beam, the appearance of telecentricity errors that can result in a pattern shift through focus, and image contrast loss due to apodization by a reflective mask coating.」 （日本語訳：背景 ［０００２］ 概して、ＩＣデバイスの製造において、フォトリソグラフィ（リソグラフィ）プロセスは、様々なデバイス（例えば、トランジスタ）及び回路を作成してＩＣデバイスを形成するために、シリコン（Ｓｉ）基板の表面上に回路設計の様々な層をプリントやパターニングするのに利用される場合がある。リソグラフィでは、フォトマスクが、光源（例えばＥＵＶ）によってブロックされる（又はパターニングされる）ことになる基板のエリアをマスク（又は露出）させるために使用される。ＩＣデバイスの小型化に伴い、他のリソグラフィのオプション（例えば、１９３ｎｍの液浸リソグラフィ、マルチプルパターニングなど）に比べた場合に、よりよい解像度を達成するために、ＥＵＶリソグラフィ（例えば、波長１３．５ｎｍの光子）が利用される。ＥＵＶスキャナ内の光学素子は反射性でなければならず、このことは、ＥＵＶフォトマスクがその直角に対してある角度（垂直ではない）で照射されることを必要とする。しかし、ＥＵＶフォトマスクの照射が垂直ではないということは、例えば、入射ビームに対して垂直なラインのシャドウイング、焦点を通してのパターンのシフトに繋がり得るテレセントリシティの誤差の発生、及び、反射性マスクコーティングによるアポダイゼーションに起因するイメージコントラストの損失を生じ得る。） 「[0003] FIG. 1A is a cross sectional diagram of an EUV photomask. Diagram 100 illustrates a portion of an example EUV photomask including a multilayer reflector (MLR) stack 101 of alternate layers of molybdenum and silicon material, a ruthenium (Ru) capping layer 103, layer 105 including EUV absorber material, and antireflective coating (ARC) layer 107. An EUV beam 109 is at angle 111 of six degrees (6°) that causes reflective beams 113 to reflect from effective reflection plane 115. However, the off-axis illumination of the EUV beam 109 can cause a shadowing effect due to the thickness of the layers 105 and 107. For example, there can be a shadowing at the capping layer 103 as the EUV beam 109 passes by the ARC layer 107 at contact point 117. A lower profile of the combined thickness of the layers 105 and 107 could provide for less interference with illumination of the EUV beam 109 onto the upper surface of the Ru cap 103 and the reflective reflection plane 115. Even in a scenario where there is no ARC layer, the contact point 117 may be at the upper surface of the absorber layer 105. However, as in diagram 150 of FIG. 1B, in order to maintain the EUV reflectance 151 at or below 2%, the thickness 153 of a typical tantalum (Ta) based absorber layer is about 50 nm to 60 nm. Tantalum nitride (TaN) or tantalum boron nitride (TaBN) are the industry standard for EUV photomask absorber layers for their etch compatibility even though Ta-based materials have only a moderate EUV absorption coefficient. Although other materials such as nickel, cobalt, sliver, etc. with high EUV absorption coefficients may be used to achieve a thinner absorbing layer 105, such materials cannot be etched away during the fabrication process of an IC device without affecting/damaging adjacent layers, e.g., the MLR stack 101.」 （日本語訳：［０００３］ 図１ＡはＥＵＶフォトマスクの断面図である。ダイアグラム１００は、モリブデンとシリコン材料との交互の層の多層リフレクター（ＭＬＲ）スタック１０１と、ルテニウム（Ｒｕ）キャッピング層１０３と、ＥＵＶ吸収性材料を含む層１０５と、反射防止コーティング（ＡＲＣ）層１０７とを含む例示的なＥＵＶフォトマスクの一部を示している。ＥＵＶビーム１０９は６度（６°）の角度１１１であり、これにより、反射ビーム１１３を有効な反射面１１５から反射させる。しかし、ＥＵＶビーム１０９の照射が軸から外れているので、層１０５及び１０７の厚さに起因するシャドウイング効果を生じ得る。例えば、ＥＵＶビーム１０９がコンタクトポイント１１７においてＡＲＣ層１０７を通過する際に、キャッピング層１０３でシャドウイングが生じ得る。層１０５と層１０７を合わせた厚さのプロファイルが低いため、Ｒｕキャップ１０３の上面及び反射性の反射面１１５の上へのＥＵＶビーム１０９の照射との干渉を軽減し得る。ＡＲＣ層が存在しないシナリオにおいてさえも、コンタクトポイント１１７は、吸収層１０５の上面にある場合がある。しかし、図１Ｂのダイアグラム１５０のように、ＥＵＶ反射率１５１を２％以下に維持するための、通常のタンタル（Ｔａ）ベースの吸収層の厚さ１５３は約５０ｎｍから６０ｎｍまでである。窒化タンタル（ＴａＮ）又はタンタル窒化ホウ素（ＴａＢＮ）は、Ｔａベースの材料のＥＵＶ吸収係数が平凡であるにもかかわらず、それらがエッチングの互換性を有するために、ＥＵＶフォトマスク吸収層の業界標準となっている。高いＥＵＶ吸収係数を有するニッケル、コバルト、銀などの他の材料が、より薄い吸収層１０５を達成するために使用される場合があるが、そのような材料は、隣接する層、例えばＭＬＲスタック１０１に影響や損傷を与えることなくＩＣデバイスの製造プロセスの間にエッチングで除去することはできない。） 「[0004] A need therefore exists for a methodology enabling creation of an EUV photomask with an etchable and highly absorbing thinner absorber layer and the resulting photomask.」 （日本語訳：［０００４］ したがって、エッチング可能で吸収性が高く、より薄い吸収層を伴うＥＵＶフォトマスクの製造を可能にする方法論、及び結果としてのフォトマスクに関する必要性が存在する。） 「 SUMMARY [0005] An aspect of the present disclosure is an EUV photomask with an etchable and highly absorbing thinner absorber layer.」 （日本語訳：［０００５］ 本開示の態様は、エッチング可能で吸収性が高く、より薄い吸収層のＥＵＶフォトマスクである。） 「[0017] Another aspect of the present disclosure includes a photolithography mask (photomask) that includes a Ru capped multilayer reflector MLR; first and second layers of a first EUV absorbing material over the Ru capped MLR, the second layer being between the first layer and the Ru cap; and particles of a second EUV absorbing material implanted into the first layer, wherein the first EUV absorbing material is etchable and has a lower EUV absorption coefficient than the second EUV absorbing material, and wherein the implanted particles are substantially separated from each other.」 （日本語訳：［００１７］ 本開示の別の態様は、Ｒｕキャップされた多層リフレクターＭＬＲと、ＲｕキャップされたＭＬＲ上の第１のＥＵＶ吸収性材料の第１の層及び第２の層であって、第２の層が第１の層とＲｕキャップとの間にある、第１の層及び第２の層と、第１の層に埋め込まれた第２のＥＵＶ吸収性材料の粒子と、を備え、第１のＥＵＶ吸収性材料が、エッチング可能であり、第２のＥＵＶ吸収性材料よりも低いＥＵＶ吸収係数を有し、埋め込まれた粒子が互いに大きく離れている、フォトリソグラフィマスク（フォトマスク）を含んでいる。） 「[0019] In another aspect of the photolithography mask, the first EUV absorbing material includes TaN or TaBN.」 （日本語訳：［００１９］ フォトリソグラフィマスクの別の態様では、第１のＥＵＶ吸収性材料はＴａＮ又はＴａＢＮを含んでいる。） 「[0020] In a further aspect of the photolithography mask, the particles include Ni, Co, Ag, In, Te, or Pt nanoparticles.」 （日本語訳：［００２０］ フォトリソグラフィマスクのさらなる態様では、粒子は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、又はＰｔのナノ粒子を含んでいる。） 「[0032] The present disclosure addresses and solves the problems of shadowing of lines, telecentricity errors, and contrast loss attendant upon using an EUV photomask with a TaN or TaBN absorber or an inability to etch attendant upon using an EUV photomask with a Ni absorber. The present disclosure addresses and solves such problems, for instance, by, inter alia, designing and fabricating an EUV photomask with an etchable and highly absorbing thinner absorber layer formed of TaN or TaBN with particles of a highly absorbing material implanted therein.」 （日本語訳：［００３２］ 本開示は、ＴａＮ若しくはＴａＢＮ吸収剤を有するＥＵＶフォトマスクの使用に付随するラインのシャドウイング、テレセントリシティの誤差、及びコントラストの損失の問題、又は、Ｎｉ吸収剤を有するＥＵＶフォトマスクの使用に付随するエッチング不能の問題に対処し、これを解決する。本開示は、例えば、とりわけ、吸収性が高い材料の粒子が内部に埋め込まれたＴａＮ又はＴａＢＮで形成された、エッチング可能で吸収性が高く、より薄い吸収層のＥＵＶフォトマスクを設計及び製造することにより、そのような問題に対処し、これを解決する。） 「[0033] FIG. 2A illustrates a partial cross sectional diagram of an EUV photomask, in accordance with an exemplary embodiment. FIG. 2B illustrates a partial top down diagram of the EUV photomask, in accordance with an exemplary embodiment.」 （日本語訳：［００３３] 図２Ａは、例示的実施形態に係る、ＥＵＶフォトマスクの部分断面図である。図２Ｂは、例示的実施形態に係る、ＥＵＶフォトマスクの部分上面図である。) 「[0034] 100341 FIG. 2A illustrates a partial cross section 200 of an EUV photomask that includes the MLR stack 101 and the Ru capping layer 103. Further, a Ta-based EUV absorber layer 201 is formed on an upper surface of the Ru capping layer 103. The absorber layer 201 may have a thickness of about 2 nm to 5 nm. Next, a Ta-based layer 203 is formed on an upper surface of the Ta-based layer 201 where the layer 203 includes the Ta-based material 105, which is additionally implanted with nanoparticles 205 of a second EUV absorbing material such as Ni, Co, Ag, In, Te, Pt, or the like materials that have higher EUV absorption coefficients than the Ta-based material 105. The EUV absorbing material 105 in the absorber layer 203 may, for example, include TaN or TaBN material. Further, the implanted nanoparticles 205 may have a total weight of 50% to 90% of a total weight of the layer 203, wherein the layer 203 has a thickness of 20 nm to 40 nm. Moreover, the nanoparticles 205 are substantially separated from each other within the absorber layer 203 and each particle 205 has a size less than 5 nm. The implanted nanoparticles 205 have a higher EUV absorption coefficient than the Ta-based material 105 such that the nanoparticles 205 absorb most of an EUV beam illuminated at the absorber layer 203. Moreover, the Ta-based material 105 combined with the implanted nanoparticles 205 can be etched by use of typical etching processes used for etching Ta-based material in fabrication of IC devices.」 （日本語訳：［００３４] １００３４１ 図２Ａは、ＭＬＲスタック１０１及びＲｕキャッピング層１０３を含むＥＵＶフォトマスクの部分断面２００を示している。さらに、ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１が、Ｒｕキャッピング層１０３の上面に形成されている。吸収層２０１は、約２ｎｍから５ｎｍまでの厚さを有することとしてよい。次に、Ｔａベースの層２０３がＴａベースの層２０１の上面に形成され、ここで、層２０３は、Ｔａベースの材料１０５を含み、このＴａベースの材料１０５には、Ｔａベースの材料１０５より高いＥＵＶ吸収係数を有する、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｐｔ、又は類似の材料などの第２のＥＵＶ吸収性材料のナノ粒子２０５がさらに埋め込まれている。吸収層２０３のＥＵＶ吸収性材料１０５は、例えば、ＴａＮ又はＴａＢＮの材料を含むこととしてよい。さらに、埋め込まれているナノ粒子２０５は、層２０３の総重量の５０％から９０％までの総重量を有することとしてよく、層２０３は２０ｎｍから４０ｎｍまでの厚さを有している。その上、ナノ粒子２０５は、吸収層２０３内で互いに大きく離れており、各粒子２０５は、５ｎｍ未満のサイズを有している。埋め込まれているナノ粒子２０５は、Ｔａベースの材料１０５よりも高いＥＵＶ吸収係数を有しており、それにより、ナノ粒子２０５は、吸収層２０３に照射されたＥＵＶビームのほとんどを吸収する。その上、埋め込まれているナノ粒子２０５と合わせられたＴａベースの材料１０５は、ＩＣデバイスの製造においてＴａベースの材料をエッチングするために使用される通常のエッチングプロセスを使用することによってエッチングできる。） 「[0035] FIG. 2B illustrates the top down view of the edges of a feature in the absorber layer 203 following etch transfer. The Ta-based absorber material 105 is formed by sputtering in an inert gas atmosphere that usually includes admixtures of nitrogen and hydrogen to ensure that the absorber material 105 is amorphous and has a low surface roughness. Concurrently, Ni (or other highly EUV absorbing material) nanoparticles 205 may be deposited via a spray nozzle using a suitable carrier gas, wherein a relative deposition rate of the Ta-based material and the Ni nanoparticles is used to balance the weight percentage of the Ni nanoparticles in the absorber layer 203 against the etchability of the composite layer including the Ta-based material 105 and the Ni particles 205. Some of the nanoparticles 205 may result being located on the edges of a line, trench, or via. For example, nanoparticles 205a, 205b, and 205c are located on the edges of a feature 206 in the absorber layer 203 following etch transfer and, after etching, they may still stick to the edges of absorber pattern. Alternatively, some nanoparticles located on the edges may be washed away leaving voids such as 207a and 207b. Both scenarios, particles or voids on the edges, could result in an increase in line edge roughness (LER) on a photomask. However, as illustrated in FIG. 2C, studies have shown that the resulting high frequency mask LER will not be transferred to a wafer pattern. Diagram 250 shows the photomask and wafer substrate LER and power spectral density (PSD) comparison for 36 nm half pitch line and space printed with the EUV alpha demo tool (ADT) using conventional illumination. In low spatial frequency (f) region 209 (fmincut-off), f10 per micrometer (μm-1), the photomask LER is transferred to wafer LER. In the mid frequency region, 10 μm-1＜f＜20 μm-1, a portion of the photomask LER is transferred to the wafer pattern LER. However, in a high frequency region, f＞20μm-1, the photomask LER is not transferred to the wafer pattern. As noted, the size of the Ni nanoparticles may be 2 nm to 5 nm, or even smaller. For example, if the size of the Ni nanoparticles is 2 nm, then the corresponding frequency is at 500μm-1, and if the size is 5 nm, then the corresponding frequency is 200μm-1. In both examples, the frequencies are greater than fmaxcut-off frequency 211, and, therefore, the Ni nanoparticle-induced photomask LER will not transfer to the wafer pattern.」 （日本語訳：［００３５] 図２Ｂは、エッチングの転写の後の吸収層２０３の特徴のエッジの上面図である。Ｔａベースの吸収性材料１０５は、通常は窒素と水素との混合を含む不活性ガス雰囲気内でのスパッタリングによって形成することで、吸収性材料１０５が不定形で、低い表面粗さを有することを確実にしている。同時に、Ｎｉ（又は他のＥＵＶ吸収性が高い材料）のナノ粒子２０５は、適切なキャリアガスを使用して、スプレーノズルを介して堆積することとしてよい。ここで、Ｔａベースの材料とＮｉナノ粒子との相対的な堆積の割合は、Ｔａベースの材料１０５及びＮｉ粒子２０５を含む複合層のエッチング可能性に対して、吸収層２０３内のＮｉナノ粒子の重量パーセントのバランスをとるために使用される。ナノ粒子２０５のいくつかは、線、溝、又は通路のエッジに位置する結果となる場合がある。例えば、ナノ粒子２０５ａ、２０５ｂ、及び２０５ｃは、エッチングの転写の後に、吸収層２０３の特徴２０６のエッジ上に位置しており、エッチングの後に、これらナノ粒子は、依然として吸収剤のパターンのエッジに付着している場合がある。あるいは、エッジ上に位置するナノ粒子のいくらかは、洗浄されて取り除かれ、２０７ａ及び２０７ｂなどの空隙を残す場合がある。両方のシナリオにおいて、エッジ上の粒子又は空隙は、フォトマスクのラインエッジ粗さ（ＬＥＲ）を増大させる結果となり得る。しかし、図２Ｃに示すように、結果としての高い周波数のマスクＬＥＲはウエハパターンに転写されないということが研究により示されている。ダイアグラム２５０は、従来型照射を使用してＥＵＶのアルファデモツール（ＡＤＴ）でプリントした３６ｎｍのハーフピッチライン及びスペースに関する、フォトマスク及びウエハ基板ＬＥＲと、パワースペクトル密度（ＰＳＤ）との比較を示している。低空間周波数（ｆ）領域２０９（ｆｍｉｎｃｕｔ－ｏｆｆ）である、ｆ＜１０パーマイクロメートル（μｍ－１）では、フォトマスクＬＥＲは、ウエハＬＥＲへと転写される。中間の周波数領域である、１０μｍ－１＜ｆ＜２０μｍ－１では、フォトマスクＬＥＲの一部がウエハパターンＬＥＲに転写される。しかし、高周波数領域である、ｆ＞２０μｍ－１では、フォトマスクＬＥＲはウエハパターンに転写されない。述べたように、Ｎｉナノ粒子のサイズは、２ｎｍから５ｎｍまで、又はさらに小さい場合がある。例えば、Ｎｉナノ粒子のサイズが２ｎｍである場合、対応する周波数は５００μｍ－１であり、サイズが５ｎｍである場合、対応する周波数は２００μｍ－１である。両方の例では、周波数はｆｍａｘｃｕｔ－ｏｆｆ周波数２１１よりも大であり、したがって、Ｎｉナノ粒子で誘導されたフォトマスクＬＥＲはウエハパターンに転写されない。） 図２Ａ 「 ［図：0001408667000001.jpg］ 」 （２） 引用発明１の認定 上記（１）に摘記した事項を踏まえると、引用文献１には、図２Ａに記載のＥＵＶフォトマスクに関して、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている（なお、参考までに、認定の根拠とした箇所である引用文献１の段落等を括弧内に記載する。）。 ＜引用発明１＞ 「多層リフレクター（ＭＬＲ）スタック１０１及びＲｕキャッピング層１０３を含むＥＵＶフォトマスクにおいて、（［０００３］・［００３４］） ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１が、前記Ｒｕキャッピング層１０３の上面に形成され、 次に、Ｔａベースの層２０３が前記Ｔａベースの層２０１の上面に形成され、 前記Ｔａベースの層２０３は、Ｔａベースの材料１０５を含み、このＴａベースの材料１０５には、Ｔａベースの材料１０５より高いＥＵＶ吸収係数を有する、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｐｔ、又は類似の材料などの第２のＥＵＶ吸収性材料のナノ粒子２０５がさらに埋め込まれており、前記埋め込まれているナノ粒子２０５は、Ｔａベースの材料１０５よりも高いＥＵＶ吸収係数を有しており、それにより、ナノ粒子２０５は、吸収層２０３に照射されたＥＵＶビームのほとんどを吸収し、埋め込まれているナノ粒子２０５と合わせられたＴａベースの材料１０５は、ＩＣデバイスの製造においてＴａベースの材料をエッチングするために使用される通常のエッチングプロセスを使用することによってエッチングでき、（［００３４］） 第２のＥＵＶ吸収性材料はＮｉである、（［００３５］） ＥＵＶフォトマスク。」 ２ 引用文献２の記載事項及び引用発明２の認定 （１） 引用文献２の記載事項 引用文献２には、以下の事項が記載されている。 「［０００１］ 本発明は、半導体装置の製造などに使用される露光用マスクを製造するための原版である反射型マスクブランクに関する。また、本発明は、この反射型マスクブランクを用いて製造される反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。」 「［０００７］ パターンを微細にするほど、及びパターン寸法及びパターン位置の精度を高めるほど半導体装置の電気的特性及び性能が上がり、集積度を向上することができ、チップサイズを低減できる。そのため、ＥＵＶリソグラフィには従来よりも一段高い高精度微細寸法パターン転写性能が求められている。現在、ｈｐ１６ｎｍ（ｈａｌｆ ｐｉｔｃｈ １６ｎｍ）世代対応の超微細高精度パターン形成が要求されている。このような要求に対し、シャドーイング効果を小さくするために、反射型マスクの吸収体パターンの更なる薄膜化が求められている。特に、ＥＵＶ露光の場合において、吸収体膜（位相シフト膜）の膜厚を５０ｎｍ以下とすることが要求されている。 ［０００８］ 本発明は、上記の点に鑑み、反射型マスクのシャドーイング効果をより低減するとともに、微細で高精度な吸収体パターンを形成できる反射型マスクブランクを提供することを目的とする。また、この反射型マスクブランクを用いて作製される反射型マスクを提供すること、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 ［０００９］ 上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。 ［００１０］ （構成１） 基板上に、多層反射膜、吸収体膜及びエッチングマスク膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、 前記吸収体膜は、ニッケル（Ｎｉ）を含む材料からなり、 前記エッチングマスク膜は、クロム（Ｃｒ）を含む材料又はケイ素（Ｓｉ）を含む材料からなることを特徴とする反射型マスクブランク。」 「［００１７］ 本発明の反射型マスクブランク（これによって作製される反射型マスク）によれば、吸収体膜の膜厚を薄くすることができて、シャドーイング効果を低減でき、且つ微細で高精度な吸収体パターンを、側壁ラフネスを少なく、しかも安定した断面形状で形成できる。したがって、この構造の反射型マスクブランクを用いて製造された反射型マスクは、マスク上に形成される吸収体パターン自体を微細で高精度に形成できるとともに、シャドーイングによる転写時の精度低下を防止できる。また、この反射型マスクを用いてＥＵＶリソグラフィを行うことにより、微細で高精度な半導体装置の製造方法を提供することが可能になる。」 「［００２０］＜反射型マスクブランクの構成及びその製造方法＞ 図１は、本発明の反射型マスクブランクの構成を説明するための要部断面模式図である。図１に示されるように、反射型マスクブランク１００は、基板１と、多層反射膜２と、保護膜３と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４と、エッチングマスク膜（エッチング用ハードマスク）５とを有し、これらがこの順で積層される。多層反射膜２は、第１主表面（表面）側に形成され、露光光であるＥＵＶ光を反射する。保護膜３は、多層反射膜２を保護するために設けられる。保護膜３は、後述する吸収体膜４をパターニングする際に使用するエッチャント、及び洗浄液に対して耐性を有する材料で形成される。エッチングマスク膜５は、吸収体膜４をエッチングする際のマスクとなる。また、基板１の第２主表面（裏面）側には、通常、静電チャック用の裏面導電膜６が形成される。」 「［００３６］＜＜吸収体膜＞＞ 保護膜３の上に、ＥＵＶ光を吸収するための吸収体膜４が形成される。吸収体膜４の材料としては、ＥＵＶ光を吸収する機能を有し、ドライエッチングにより加工が可能な材料を用いる。本実施形態の吸収体膜４の材料として、ニッケル（Ｎｉ）単体又はＮｉを主成分として含むニッケル化合物を用いる。ＮｉはＴａに比べてＥＵＶ光の消衰係数が大きく、塩素（Ｃｌ）系ガスでドライエッチングすることが可能な材料である。Ｎｉの１３．５ｎｍにおける屈折率ｎは約０．９４８、消衰係数ｋは約０．０７３である。これに対して、従来の吸収体膜の材料の例であるＴａＢＮの場合、屈折率ｎは約０．９４９、消衰係数ｋは約０．０３０である。 ［００３７］ ニッケル化合物としては、ニッケルに、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、テルル（Ｔｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）及びタングステン（Ｗ）を添加した化合物が挙げられる。ニッケルに、これらの元素を添加することにより、エッチング速度を速めて加工性を向上させること、及び／又は洗浄耐性を向上させることができる。これらのニッケル化合物のＮｉ含有比率は５０原子％以上１００原子％未満であることが好ましく、８０原子％以上１００原子％未満であることがより好ましい。 ［００３８］ 上述のニッケル及びニッケル化合物を材料とする吸収体膜４は、公知の方法、例えばＤＣスパッタリング法、又はＲＦスパッタリング法などのマグネトロンスパッタリング法により形成することができる。」 図１ 「 ［図：0001408667000002.jpg］ 」 （２） 引用発明２の認定 引用文献２には、図１に記載された反射型マスクブランクにおいて、［００３６］・［００３７］に記載の吸収体膜を備えたマスクブランクに関して、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている（なお、参考までに、認定の根拠とした箇所である引用文献２の段落等を括弧内に記載する。）。 ＜引用発明２＞ 「基板１と、多層反射膜２と、保護膜３と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４と、エッチングマスク膜５とを有し、これらがこの順で積層され、前記多層反射膜２は、第１主表面（表面）側に形成され、露光光であるＥＵＶ光を反射し、前記基板１の第２主表面（裏面）側には、静電チャック用の裏面導電膜６が形成される、反射型マスクブランク１００であって、（［００２０］） 前記保護膜３の上に、ＥＵＶ光を吸収するための吸収体膜４が形成され、前記吸収体膜４の材料としては、ＥＵＶ光を吸収する機能を有し、ドライエッチングにより加工が可能な材料を用い、前記吸収体膜４の材料として、ニッケル（Ｎｉ）を主成分として含むニッケル化合物を用い、ＮｉはＴａに比べてＥＵＶ光の消衰係数が大きく、塩素（Ｃｌ）系ガスでドライエッチングすることが可能な材料であり、（［００３６］） 前記ニッケル化合物としては、ニッケルに、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、テルル（Ｔｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）及びタングステン（Ｗ）を添加した化合物が挙げられ、ニッケルに、これらの元素を添加することにより、エッチング速度を速めて加工性を向上させること、及び／又は洗浄耐性を向上させることができ、（［００３７］） 前記吸収体膜４の膜厚を薄くすることができて、シャドーイング効果を低減でき、且つ微細で高精度な吸収体パターンを、側壁ラフネスを少なく、しかも安定した断面形状で形成できる、（［００１７］） 反射型マスクブランク１００。」 ３ 引用文献５の記載事項及び周知技術の認定 （１） 引用文献５の記載事項 引用文献５には、以下の事項が記載されている。 「【０００２】 【従来の技術】フォトマスク上の拡大パターンをウェハ上に縮小して繰返し結像させ、所望のＬＳＩパターンを形成するフォトリソグラフィ技術は、従来より、よく知られている。 【０００３】図３は、従来のフォトマスクの基板を作成する原理を断面図で示したものである。 【０００４】図３（ａ）を参照して、合成石英基板１の表面上に、遮光パターンとなる、たとえばクロムからなる金属膜６を、蒸着等により形成する。金属膜６の上に、たとえば有機高分子材料からなる電子線レジスト３を、スピンコーティング等の方法を用いて、成膜する。 【０００５】図３（ｂ）を参照して、電子線レジスト３を、電子線露光機を用いて選択的に露光する。その後、電子線レジスト３を現像することにより、レジストパターン４を形成する。 【０００６】図３（ｃ）を参照して、レジストパターン４をマスクとして、金属膜６を、たとえば塩素等のガスを用いたドライエッチングで加工し、所望のマスクパターン７を形成する。 【０００７】図３（ｃ）および（ｄ）を参照して、酸素プラズマ等でレジストパターン４を除去し、それによってフォトマスク１０を作成する。なお、上記従来例では、金属膜にクロムを用いた場合を例示したが、ＭｏＳｉ等の他の金属が用いられることもある。 【０００８】また、金属膜の加工に塩素ガスを用いるドライエッチング法を例示したが、硝酸セリウムアンモニウム水溶液等のエッチング液でエッチングを行なう、ウェットエッチング法を用いることもある。 【０００９】 【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスクの作成原理は以上のとおりであるが、実際にこの原理に基づいてフォトマスクを製造すると、図４に示すような問題点があった。 【００１０】すなわち、図４を参照して、レジスト４をマスクに金属膜６を、ウェットエッチングやガス圧が０．１Ｔｏｒｒ以上のドライエッチングを行なうと、等方的にエッチングが進み、レジスト４の下部の金属膜６をエッチングされてしまい、レジストの寸法が忠実に反映されず、遮光パターンの寸法変動が生じるという問題点があった。この寸法変動は、金属膜７の両端でそれぞれ膜厚分起こるため、片側で約０．１μｍ寸法変動が生じるとすれば、両側あわせて、約０．２μｍとなり、無視できない値となる。 【００１１】この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、初期のレジストパターン寸法に忠実に加工された精度の高いフォトマスクを得ることを目的とする。 【００１２】 【課題を解決するための手段】この発明に係るフォトマスクは、透明基板と、上記透明基板の上に設けられた遮光パターンと、を備える。上記遮光パターンは、加工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつれて、速くなるように成膜されている。 【００１３】 【作用】上述の構造を有する遮光パターンは、基板の上に設けられた、加工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつれて速くなるように成膜された遮光金属膜をエッチングすることによって得られる。このような遮光金属膜は、異法的にエッチングされるので、初期のレジスト寸法が忠実に反映された遮光パターンとなる。」 「【００２２】図２は、図１（ｃ）に示す工程を、拡大して示した断面図である。四フッ化炭素（ＣＦ４）等のプラズマを用いたドライエッチングでは、一般的に、等方的なエッチングが進む。しかし、遮光膜２は、上層部ほど酸素含有率が高くなるように成膜されており、上層部ほどエッチング速度は遅い。逆に、下層部ほどエッチング速度が速くなっている。このため、エッチングは、横方向に進むよりも速く、下方向（深さ方向に）に進むため、結果として、異方的なエッチングとなり、ひいては、レジスト形状に忠実なエッチングが行なわれる。その結果、レジスト４の寸法とＭｏＳｉパターン５の寸法変動量を小さくすることができる。」 （２） 周知技術の認定 上記（１）で摘記した引用文献５の記載事項から見て、次の技術的事項が周知技術であると認められる（なお、参考までに、認定の根拠とした箇所である引用文献５の段落等を括弧内に記載する。）。 ＜周知技術＞ 「レジストをマスクに金属膜を、ウェットエッチングやガス圧が０．１Ｔｏｒｒ以上のドライエッチングを行なうと、等方的にエッチングが進み、レジストの下部の金属膜がエッチングされてしまい、レジストの寸法が忠実に反映されず、遮光パターンの寸法変動が生じるという問題点があること、（【００１０】） この問題点を解決するために、初期のレジストパターン寸法に忠実に加工された精度の高いフォトマスクを得ることを目的として、（【００１１】） 前記金属膜の遮光パターンを、加工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつれて、速くなるように成膜し、（【００１２】）、 加工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつれて、速くなるように成膜するために、上層部ほどエッチング速度が遅くなる元素の含有率が高くなるように成膜すること。（【００２２】）」 第５ 対比・判断 １ 引用発明１を主引用発明とする場合 （１） 対比 本件発明と引用発明１を対比する。 ア（ア） 引用発明１の「多層リフレクター（ＭＬＲ）スタック１０１」は、本件発明の「多層反射膜」に相当する。また、引用発明１の「ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１」及び「Ｔａベースの材料１０５を含［む］」「Ｔａベースの層２０３」の２つの層からなる層は、本件発明の「吸収体膜」に相当する。 （イ） 引用発明１の「ＥＵＶフォトマスク」は、「ＩＣデバイスの製造においてＴａベースの材料をエッチングするために使用される通常のエッチングプロセスを使用することによってエッチングでき［る］」ものであるから、エッチングされる前のＥＵＶフォトマスクブランクであるといえる。 （ウ） 引用発明１の「ＥＵＶフォトマスク」は、「多層リフレクター（ＭＬＲ）スタック１０１」「を含む」から、反射型のフォトマスクであることは明らかである。したがって、引用発明１の「ＥＵＶフォトマスク」は、「反射型のＥＵＶフォトマスク２００」であるといえる。 （エ） 引用発明１の「ＥＵＶフォトマスク」は、「多層リフレクター（ＭＬＲ）スタック１０１及びＲｕキャッピング層１０３を含むＥＵＶフォトマスクにおいて、ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１が、前記Ｒｕキャッピング層１０３の上面に形成され、次に、Ｔａベースの層２０３が前記Ｔａベースの層２０１の上面に形成され［る］」から、多層リフレクター（ＭＬＲ）スタック１０１と「ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１」及び「Ｔａベースの材料１０５を含［む］」「吸収層としての前記Ｔａベースの層２０３」の２つの層からなる層を順に有している。 したがって、上記（ア）～（ウ）を踏まえると、本件発明と引用発明１は、「多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランク」の点で共通する。 イ（ア） 引用発明１の「Ｔａベースの材料１０５より高いＥＵＶ吸収係数を有する、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｐｔ、又は類似の材料」のうち「Ｎｉである」「第２のＥＵＶ吸収性材料」は、本件発明の「ニッケル（Ｎｉ）からなる少なくとも１つの」「高吸収係数元素」に相当する。 （イ） また、引用文献１の「窒化タンタル（ＴａＮ）又はタンタル窒化ホウ素（ＴａＢＮ）は、Ｔａベースの材料・・・がエッチングの互換性を有するために、ＥＵＶフォトマスク吸収層の業界標準となっている。高いＥＵＶ吸収係数を有するニッケル、コバルト、銀などの他の材料・・・は、隣接する層、例えばＭＬＲスタック１０１に影響や損傷を与えることなくＩＣデバイスの製造プロセスの間にエッチングで除去することはできない。」（［０００３］）との記載及び「Ｔａベースの材料１０５は、ＩＣデバイスの製造においてＴａベースの材料をエッチングするために使用される通常のエッチングプロセスを使用することによってエッチングできる。」（［００３４]）との記載に照らして、引用発明１ではタンタル（Ｔａ）がエッチング速度を速くする元素として用いられていることは明らかである （ウ） 前記（ア）及び（イ）をまとめると、本件発明と引用発明１は「前記吸収体膜は、」「ニッケル（Ｎｉ）からなる」「少なくとも１つの高吸収係数元素と、ドライエッチング速度を速くする元素とを、前記吸収体膜の少なくとも一部に含［む］」点で一致する。 ウ 引用発明１の「ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１」及び「Ｔａベースの材料１０５を含［む］」「Ｔａベースの層２０３」の２つの層からなる層は、「Ｔａベースの層２０３が前記Ｔａベースの層２０１の上面に形成され[る]」から、「Ｔａベースの材料１０５を含［む］」「Ｔａベースの層２０３」が上面側の領域ということができるとともに、「ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１」が下面側の領域ということができるから、、本件発明と引用発明１は、「前記吸収体膜が、」下面側の表面を含む「下面領域と、」下面とは反対側の表面を含む「上面領域とを含［む］」点で共通する。 エ 引用発明１の「Ｔａベースの層２０３」は、「Ｔａベースの材料１０５を含み、前記Ｔａベースの材料１０５には、Ｔａベースの材料１０５より高いＥＵＶ吸収係数を有する、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｐｔ、又は類似の材料などの第２のＥＵＶ吸収性材料のナノ粒子２０５がさらに埋め込まれ［て］」おり、「ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１」には、第２のＥＵＶ吸収性材料のナノ粒子２０５は埋め込まれていないことは、Ｔａベースの層２０３のＮｉである第２のＥＵＶ吸収性材料の濃度が、ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１の当該第２のＥＵＶ吸収性材料の濃度より高いことを意味する。 よって、上記ウも踏まえると、本件発明と引用発明１は、「前記上面領域の前記高吸収係数元素の濃度（原子％）が、前記下面領域の前記高吸収係数元素の濃度（原子％）より高［い］」点で一致する。 オ（ア） 一般に「材料」とは「加工して製品にする、もとの物。原料。」（広辞苑 第六版）とされ、「材料」は、個々の物、原料を意味するほか、「Ａの材料はａ，ｂ，ｃからなる。」のように、個々の物、原料の集合としても用いられる用語である。 （イ） 引用発明１の「Ｔａベースの層２０３」は、「Ｔａベースの材料１０５を含み、このＴａベースの材料１０５には、Ｔａベースの材料１０５より高いＥＵＶ吸収係数を有する、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｐｔ、又は類似の材料などの第２のＥＵＶ吸収性材料のナノ粒子２０５がさらに埋め込まれており」、「第２のＥＵＶ吸収性材料はＮｉである」ものであるところ、上記（ア）を踏まえると、引用発明の「Ｔａベースの層２０３」の材料は、Ｔａ及びＮｉを含む材料からなるということができるし、また、Ｎｉを含む材料からなるということもできる。 （ウ） したがって、上記イ及びウを踏まえると、本件発明と引用発明１は、「上面領域の材料が、高吸収元素を含む材料、又は高吸収係数元素及びドライエッチング速度を速くする元素を含む材料からなる」点で一致する。 カ 一致点及び相違点の認定 以上のことから、本件発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、 前記吸収体膜は、ニッケル（Ｎｉ）からなる少なくとも１つの高吸収係数元素と、ドライエッチング速度を速くする元素とを、前記吸収体膜の少なくとも一部に含み、 前記吸収体膜が、下面側の表面を含む下面領域と、下面とは反対側の表面を含む上面領域とを含み、 前記上面領域の前記高吸収係数元素の濃度（原子％）が、前記下面領域の前記高吸収係数元素の濃度（原子％）より高く、 前記上面領域の材料が、高吸収係数元素を含む材料、又は高吸収係数元素及びドライエッチング速度を速くする元素を含む材料からなる反射型マスクブランク。」 【相違点１】 本件発明は、多層反射膜及び吸収体膜を「基板上に」有し、これに伴い、「下面領域」が「基板側の表面を含む」領域であり、「上面領域が」「基板とは反対側の表面を含む」領域であるのに対して、引用発明１は、「ＭＬＲスタック１０１、Ｒｕキャッピング層１０３、ＴａベースのＥＵＶ吸収層２０１、Ｔａベースの層２０３の順に積層され」るのが基板上であるかどうか明らかでない点。 （２） 相違点についての判断 前記相違点１について検討する。 引用発明１のようなＥＵＶフォトマスクを構成する積層構造を基板上に積層することは、技術常識であり、引用発明１のＥＵＶフォトマスクが基板上に積層されたものであることは引用文献１に記載されているに等しい事項である。 したがって、上記相違点１は実質的な相違点ではない。 また、仮に、相違点１が実質的な相違点であったとしても、引用発明１において、前記技術常識を参酌してＥＵＶフォトマスクを基板上に積層されたものとすることは、当業者が適宜なし得た事項にすぎない。 （３） 請求人の主張について ア 請求人の主張内容 請求人は、概略、以下の旨を主張している。 本件発明は、「高吸収係数元素」及び「ドライエッチング速度を速くする元素」は、「上面領域の材料」に元素として含まれているので、粒子の形態では含まれていない。また、本件発明は、「上面領域」が１つの「材料」からなることを意図しており、「高吸収係数元素」及び「ドライエッチング速度を速くする元素」を粒子の形態で含む場合には、「粒子」と、それ以外の部分の２種類の材料を含むことになるから、「高吸収係数元素」及び「ドライエッチング速度を速くする元素」を粒子の形態で含む場合を含まないことは明らかである。 イ 請求人の主張についての検討 請求人の主張について検討する。 まず、一般に、ある領域の材料が、元素Ａを含む材料からなる、というときには、材料が元素Ａを含めば足りるのであって、材料が粒子の形態でないことをも意味するとは到底解されない。よって、請求人の「元素として含まれているので、粒子の形態では含まれていない」旨の主張は失当である。 また、本件発明は、「上面領域」が１つの「材料」からなるとの請求人の主張については、本件発明においては材料が「１つ」とは特定されておらず、「材料」という用語が集合的にも用いられることは上記（１）オで説示したとおりであることを踏まえると、当該主張は特許請求の範囲の記載に基づくものではないから、採用できない。 （４） 小括 したがって、本件発明と引用発明１は発明特定事項に差異がなく、両者は同一の発明である。 また、本件発明は、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえる。 ２ 引用発明２を主引用発明とする場合について （１） 対比 本件発明と引用発明２を対比する。 ア 引用発明２の「基板１」、「多層反射膜２」及び「ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４」は、本件発明の「基板」、「多層反射膜」及び「吸収体膜」にそれぞれ相当し、引用発明２は、「基板１と、多層反射膜２と、保護膜３と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４と、エッチングマスク膜５とを有し、これらがこの順で積層され［る］」「反射型マスクブランク１００」であるから、本件発明と引用発明２は、「基板上に、多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランク」である点で一致する。 イ（ア） 引用発明２は、「前記吸収体膜４の材料として、ニッケル（Ｎｉ）を主成分として含むニッケル化合物を用い［る］」ものであるところ、「ＮｉはＴａに比べてＥＵＶ光の消衰係数が大き［い］」から、引用発明２の「ニッケル（Ｎｉ）」は、本件発明の「ニッケル（Ｎｉ）からなる」「少なくとも１つの高吸収係数元素」に相当する。 （イ） また、引用発明２の「ニッケル化合物」としてニッケルに添加される「ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、テルル（Ｔｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）及びタングステン（Ｗ）」は、「これらの元素を添加することにより、エッチング速度を速めて加工性を向上させること」「ができ［る］」ものであるから、本件発明の「ドライエッチング速度を速くする元素」に相当する。 （ウ） 前記（ア）及び（イ）をまとめると、本件発明と引用発明２は、「前記吸収体膜は、ニッケル（Ｎｉ）からなる」「少なくとも１つの高吸収係数元素と、ドライエッチング速度を速くする元素とを、前記吸収体膜の少なくとも一部に含［む］」点で一致する。 ウ 引用発明２の「前記ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４」は、「基板１と、多層反射膜２と、保護膜３と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体膜４と、エッチングマスク膜５とを有し、これらがこの順で積層され[る]」から、基板１側の面の領域と、エッチングマスク膜５側の面の領域を有するといえるから、本件発明と引用発明は、「前記吸収体膜が、基板側の表面を含む下面領域と、基板とは反対側の表面を含む上面領域とを含［む］」点で一致する。 エ 引用発明２の「吸収体膜４」は、その全体がニッケル化合物を材料とするものであると解されるから、上記イ及びウでの検討を踏まえると、本件発明と引用発明２は、「上面領域の材料が、高吸収係数元素を含む材料、又は高吸収係数元素及びドライエッチング速度を速くする元素を含む材料からなる」点で一致する。 オ 一致点及び相違点の認定 以上のことから、本件発明と引用発明２との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「基板上に、多層反射膜及び吸収体膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、 前記吸収体膜は、ニッケル（Ｎｉ）からなる少なくとも１つの高吸収係数元素と、ドライエッチング速度を速くする元素とを、前記吸収体膜の少なくとも一部に含み、 前記吸収体膜が、基板側の表面を含む下面領域と、基板とは反対側の表面を含む上面領域とを含み、 前記上面領域の材料が、高吸収元素を含む材料、又は高吸収係数元素及びドライエッチング速度を速くする元素を含む材料からなる反射型マスクブランク。」 【相違点２】 吸収体膜について、本件発明は、「前記上面領域の前記高吸収係数元素の濃度（原子％）が、前記下面領域の前記高吸収係数元素の濃度（原子％）より高［い］」のに対して、引用発明２は、上面領域のＮｉの濃度と下面領域のＮｉの濃度の関係は不明である点。 （２） 相違点についての判断 前記相違点２について検討する。 引用発明２の「反射型マスクブランク１００」は、「Ｎｉを主成分として含むニッケル化合物」であって、「エッチング速度を速めて加工性を向上させる」ために、「ニッケルに、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、リン（Ｐ）、チタン（Ｔｉ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、テルル（Ｔｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）及びタングステン（Ｗ）を添加した化合物」を吸収体膜４の材料として用いて、「塩素（Ｃｌ）系ガスでドライエッチングすること」で吸収体パターンを形成するためのものであるところ、前記第４の３（２）で認定したとおり、「レジストをマスクに金属膜を、ウェットエッチングやガス圧が０．１Ｔｏｒｒ以上のドライエッチングを行なうと、等方的にエッチングが進み、レジストの下部の金属膜がエッチングされてしまい、レジストの寸法が忠実に反映されず、遮光パターンの寸法変動が生じるという問題点がある」こと、及び、「この問題点を解決するために、初期のレジストパターン寸法に忠実に加工された精度の高いフォトマスクを得ることを目的として、前記金属膜の遮光パターンを、加工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつれて、速くなるように成膜し、加工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつれて、速くなるように成膜するために、上層部ほどエッチング速度が遅くなる元素の含有率が高くなるように成膜すること」は周知技術である。 そして、当業者であれば、周知技術の「等方的にエッチングが進み、レジストの下部の金属膜がエッチングされてしまい、レジストの寸法が忠実に反映されず、遮光パターンの寸法変動が生じるという問題点」が、マスクが透過型か反射型かに関わらず生じることは直ちに理解できることである。 したがって、引用発明２において、引用発明２における吸収体膜４において上記問題点を解決するために、前記周知技術の「金属膜の遮光パターンを、加工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつれて、速くなるように成膜し、加工時のエッチング速度が、深さ方向にエッチングが進むにつれて、速くなるように成膜するために、上層部ほどエッチング速度が遅くなる元素の含有率が高くなるように成膜する」構成を適用して、引用発明２の吸収体膜４においてエッチング速度が遅くなる元素であるニッケルを上層部ほど含有率が高くなるようにすること、換言すれば、上面領域のニッケルの濃度（原子％）が、下面領域のニッケルの濃度（原子％）より高くすることにより、上記相違点２に係る本件発明の構成となすことは当業者が容易になし得たことである。 ウ 効果について 本件発明の奏する効果としては、引用発明２及び周知技術から予測困難な効果、又は、格別顕著な効果を認めることはできない。 （３） 請求人の主張について ア 請求人の主張内容 請求人は、概略、以下の旨を主張している。 （ア） 引用文献５に記載の発明は、透過型のフォトマスクに係る発明であり、反射型マスクブランクに係る発明ではないところ、引用文献５に記載の「遮光膜２」の膜厚は、本願の吸収体膜の膜厚の約２倍であり、膜厚が半分であればエッジ部分の断面形状の問題は生じないと考えられるから、引用文献５に記載の技術が仮に周知事項であったとしても、この周知事項は、「反射型マスクブランク」の技術分野における周知事項ではない。よって「寸法精度等を考慮すれば、ＥＵＶ用反射型マスクにおいても、吸収体膜パターンの形状を改善することは、当業者に自明のことである」との認定は、誤解に基づく認定である。 また、本件発明は、「シャドーイング効果を低減する」ことを課題とするところ、「シャドーイング効果」は「反射型マスク」に特有の問題であって、引用文献５に記載の発明から、「シャドーイング効果」という問題を解決するとの動機付けは生じない。 （イ） 拒絶査定における、「エッチングによるパターン断面形状が矩形である場合とテーパ形状である場合とを比較すれば、テーパ形状である方が、加工後の寸法精度等が劣化傾向であることは、当業者が一般的に認識していることである。」との認定、「例えば、パターン断面形状がテーパ形状である場合、エッチング時間の増大とともに、膜厚がより薄いパターン下部が除去されることになり、これによりパターン寸法が変化していくから、面内のエッチング速度ばらつきや被エッチング膜の膜厚ばらつきにより、パターン寸法のばらつきは、パタン断面形状が矩形である場合よりも大きくなる傾向であることは、当業者に自明のことである。」との認定、「また、パターン断面形状がテーパ形状である方が、パターン断面形状が矩形である場合よりもパターンピッチを縮小できないことも、当業者に自明のことである。」との認定、「例えば、サイドエッチング量が大きければ、その分だけレジストパターン寸法を大きくする必要があるから、加工パターンピッチを縮小することが困難であることは、明らかである。」との認定、及び「特にＥＵＶ露光では、より微細なピッチのマスクパターンが求められるものであり、微細加工性を向上するのに、パターン断面形状が矩形になるように改善することは、当業者に自明のことである。」との認定は、証拠に基づかない認定である。 イ 請求人の主張についての検討 請求人の主張について検討する。 請求人が証拠に基づかない認定であると主張する認定は結局のところ、透過型、反射型いずれのマスクにおいても遮光パターンの断面形状はテーパ形状であるよりも垂直である方が好ましいことを示すものであり、これは例示するまでもない周知技術に該当する。これを裏付ける証拠としては、例えば、特開２００７－７３６６６号公報が挙げられる（「極短紫外光を用いる」「反射型マスク」（【０００１】）において、「周知のリソグラフィ技術を用いて吸収膜３のパターニングを行う」と、「吸収膜３の側壁部分がマスクブランクス膜２の上面と垂直（９０°）であるべきなのに対し、多ければ７０°程度、一般的には８０～９０°程度に傾斜してしまうことがあり」（【００２５】）、「その傾斜による影響でウエハ上転写像の忠実性が低下してしまう」（【００２９】）との記載参照）。 また、上記公報を例示するまでもなく、当業者であれば、周知技術の「等方的にエッチングが進み、レジストの下部の金属膜がエッチングされてしまい、レジストの寸法が忠実に反映されず、遮光パターンの寸法変動が生じるという問題点」が、マスクが透過型か反射型かに関わらず生じることは直ちに理解できることであることは上記（２）で説示したとおりであり、当該「問題点」がシャドーイング効果であることが明らかであるか否かに関わらず、引用発明２に前記周知技術を適用する動機付けはあるというべきである。 よって、請求人の主張は採用できない。 （４） 小括 したがって、本件発明は、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （５） 付言 なお、請求人は、手続補正後の審判請求書において、請求項１に対して「前記吸収体膜が、前記高吸収係数元素を含むターゲットを用いてスパッタリング法により形成される」との記載を追加する補正をする用意がある旨述べているが、引用文献２には、「上述のニッケル及びニッケル化合物を材料とする吸収体膜４は、公知の方法、例えばＤＣスパッタリング法、又はＲＦスパッタリング法などのマグネトロンスパッタリング法により形成することができる。」（［００３８］）と記載されているから、このように補正しても、引用文献２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとの結論には影響しない。 第６ むすび 以上のとおり、本件発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。また、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。