2021-015885

特願２０２０－８２９３１号「ブランクマスク及びフォトマスク」拒絶査定不服審判事件〔令和２年１２月１０日出願公開、特開２０２０－１９７７０４号〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２０年（令和２年）５月１１日（パリ条約による優先権主張 ２０１９年５月３１日 韓国、２０１９年１２月５日 韓国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和３年 １月２７日付け：拒絶理由通知書 令和３年 ４月１５日 ：意見書、手続補正書の提出 令和３年 ７月 ７日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） 令和３年１１月１９日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和３年１１月１９日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和３年１１月１９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 補正の内容 本件補正は、補正前（令和３年４月１５日付け手続補正によるもの）の特許請求の範囲の請求項１につき、 「【請求項１】 透明基板と、 前記透明基板上に設けられた位相反転膜と、 前記位相反転膜上に設けられた遮光性膜と、 を備え、 前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して３～１０％の透過率を有し、 前記遮光性膜と前記位相反転膜との積層構造における光学密度は、２．５～３．５であり、 前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有し、酸素含有量は窒素含有量よりも低く、且つ 前記遮光性膜は３０～７０ｎｍの厚さを有する、ことを特徴とするブランクマスク。」 とあったものを、 「【請求項１】 透明基板と、 前記透明基板上に設けられた位相反転膜と、 前記位相反転膜上に設けられた遮光性膜と、 を備え、 前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有し、 前記遮光性膜は３０～７０ｎｍの厚さを有し、 前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して３～１０％の透過率を有し、 前記遮光性膜と前記位相反転膜との積層構造における光学密度は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して２．５～３．５であり、 前記遮光性膜は、上部層と下部層の２層で構成され、 塩素系ガスに対して、前記上部層に比べて前記下部層のエッチング速度が遅い、 ことを特徴とするブランクマスク。」（以下「本件補正発明」という。） に補正するものを含む（下線は当審が付したもので、補正箇所を示すものである。）。 ２ 補正の適否 （１）令和３年１１月１９日の拒絶査定不服審判請求における、本件請求人の補正の目的に係る主張の概略 「請求項１～３の各々において、発明特定事項の記載順序を整理するとともに、補正前の請求項５に記載されていた発明特定事項を規定する補正を行いました。換言すれば、補正前の請求項１－３を削除し、（補正前の請求項４を介して）それぞれ補正前の請求項１、２、３に従属していた補正前の請求項５に係る発明の部分を、それぞれ、独立請求項１、２、３として展開する補正を行いました。」（本件審判請求書の「【請求の理由】」「３． 本願発明が特許されるべき理由」「（ｂ）補正の根拠の明示」） （２）本件補正の、本件補正前の請求項１の「前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有し、酸素含有量は窒素含有量よりも低く」との記載を、「前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有し」、「前記遮光性膜は、上部層と下部層の２層で構成され、塩素系ガスに対して、前記上部層に比べて前記下部層のエッチング速度が遅い」との記載に補正することは、補正前の「酸素含有量は窒素含有量よりも低」いとの発明特定事項を削除する補正事項（以下「補正事項Ａ」という。）を含む。 そして、補正事項Ａは特許法第１７条の２第５項に規定する、「特許請求の範囲の減縮」には、該当しない。 また、補正事項Ａは、特許法第１７条の２第５項に規定する、請求項の削除、誤記の訂正、さらには、明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）にいずれにも該当しない。 よって、補正事項Ａを含む本件補正は、特許法第１７条の２第５項に掲げられたいずれの事項も目的としないものである。 （３）独立特許要件について 仮に、本件補正が特許法第１７条の２第５項に規定する、「特許請求の範囲の減縮」に該当するものであるとして、本件補正発明が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 ア 引用文献の記載及び引用発明 （ア）引用文献１及び引用発明１ 原査定における拒絶理由に（引用文献１として）引用された、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１６－１９７２２５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある。 ａ 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、位相反転ブランクマスク及びフォトマスクに関し、特に、３２ｎｍ級以下、特に、１４ｎｍ級以下の微細パターンの具現が可能な位相反転ブランクマスク及びフォトマスクに関する。」 「【００２１】 図１及び図２を参照すると、本発明に係る位相反転ブランクマスク１００は、透明基板１０２、透明基板１０２上に順次に形成された位相反転膜１０４、遮光性膜１０６及びレジスト膜１１２を有する。・・・ 【００２９】 位相反転膜１０４は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍ波長の露光光に対して１０％～５０％の透過率を有する。・・・」 「【００３３】 遮光性膜１０６は、例えば、クロム（Ｃｒ）、又はＣｒＮ、ＣｒＣ、ＣｒＯ、ＣｒＣＮ、ＣｒＯＮ、ＣｒＣＯ、ＣｒＣＯＮのようなクロム（Ｃｒ）に軽元素を含むクロム（Ｃｒ）化合物から形成することが好ましい。遮光性膜１０６がクロム（Ｃｒ）化合物から形成される場合、遮光性膜１０６は、クロム（Ｃｒ）が３０ａｔ％～７０ａｔ％、窒素（Ｎ）が１０ａｔ％～４０ａｔ％、酸素（Ｏ）が０～５０ａｔ％、炭素（Ｃ）が０～３０ａｔ％、ホウ素（Ｂ）が０～３０ａｔ％、水素（Ｈ）が０～３０ａｔ％である組成比を有する。 【００３４】 遮光性膜１０６は２層以上の多層膜で構成されてもよく、このとき、多層膜は、エッチング速度を調節するための膜と光学密度（ＯＤ：Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）を調節するための膜を含む。 【００３５】 図２を参照すると、遮光性膜１０６は、クロム（Ｃｒ）に軽元素を含むクロム（Ｃｒ）化合物からなる第１遮光層１１４及び第２遮光層１１６で構成されている。 【００３６】 第１遮光層１１４は位相反転膜１０４上に形成され、エッチング速度を速くさせて全体遮光性膜１０６のエッチング工程の時間を短縮する役割を担う。 【００３７】 第１遮光層１１４は、３００Å～５５０Åの厚さを有し、遮光性膜１０６の全厚さの５０％～９５％に該当する厚さを有し、好ましくは、７０％～９０％に該当する厚さを有する。 【００３８】 第１遮光層１１４は、酸素（Ｏ）を必ず含み、これによって、エッチング速度を増加させることができる。第１遮光層１１４は、１０ａｔ％～５０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量、好ましくは、１０ａｔ％～２０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有し、エッチング速度の増加によって遮光性膜１０６の全体のエッチング時間が短縮する効果を得ることができる。 【００３９】 第２遮光層１１６は、第１遮光層１１４上に形成され、光学密度を調節する役割を担う。第１遮光層１１４のみで光学密度を調節する場合、遮光性膜１０６に要求される光学特性に合わせるためには厚さが増加するという問題が発生するので、第２遮光層１１６を形成し、遮光性膜１０６に要求される光学密度を補充できるようにする。 【００４０】 第２遮光層１１６は、２０Å～１５０Åの厚さを有し、好ましくは、３０Å～１００Åの厚さを有する。 【００４１】 第２遮光層は、酸素（Ｏ）を含む又は含まないクロム（Ｃｒ）化合物から形成する。 【００４２】 第２遮光層１１６が酸素（Ｏ）を含む場合、一定の遮光性の確保のために、酸素（Ｏ）を含まない場合に比べて膜厚が厚くなりうるが、エッチング速度が速くなるので、エッチング時間及びレジスト膜の薄膜化においては同一の効果を得ることができる。このとき、第２遮光層１１６は、１ａｔ％～２０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有し、好ましくは、１ａｔ％～１５ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有する。第２遮光層１１６の酸素（Ｏ）含有量が２０ａｔ％を超えると、位相反転膜１０４のエッチングに使われるフッ素（Ｆ）系エッチングガスに対する耐性が低下して位相反転膜１０４エッチング時に第２遮光層１１６が損傷し、光学密度が低下するという問題につながる。 【００４３】 第２遮光層１１６が酸素（Ｏ）を含まない場合、第２遮光層１１６は、３０ａｔ％～７０ａｔ％のクロム（Ｃｒ）含有量を有し、好ましくは、４０ａｔ％～５０ａｔ％のクロム（Ｃｒ）含有量を有する。 【００４４】 遮光性膜１０６は、３００Å～７００Åの厚さを有し、好ましくは、３５０Å～５５０Åの厚さを有し、２．０Å／ｓｅｃ～４．０Å／ｓｅｃの平均エッチング速度を有する。 【００４５】 位相反転膜１０４及び遮光性膜１０６が積層された部分の光学密度は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの露光波長に対して２．５～３．５、好ましくは、２．７～３．２である。位相反転膜１０４及び遮光性膜１０６が積層された部分の表面反射率は２０％～４０％、好ましくは、２５％～３５％である。」 「【０１０３】 本発明に係る位相反転フォトマスクの製造 上述した位相反転ブランクマスクに電子ビームを用いた露光工程を行い、ホットプレート（Ｈｏｔ Ｐｌａｔｅ）を用いて１９０℃の温度で１０分間ポストベーク（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ）工程を施した後、レジスト膜を現像してレジスト膜パターンを形成した。 【０１０４】 その後、上記レジストパターンをエッチングマスクとし、下部ハードフィルムを、塩素（Ｃｌ）系ガスを含むエッチングガスでエッチングしてクロム（Ｃｒ）系ハードフィルムパターンを形成し、上記レジスト膜を除去した後、上記ハードフィルムパターンをエッチングマスクとし、フッ素（Ｆ）系ガスを含むエッチングガスで下部のシリコン（Ｓｉ）を含むエッチング阻止膜をエッチングして、エッチング阻止膜パターンを形成した。 【０１０５】 その後、エッチング阻止膜パターンをエッチングマスクとし、下部遮光性膜を、塩素（Ｃｌ）系ガスを含むエッチングガスでエッチングして、遮光性膜パターンを形成した。この時、上記ハードフィルムパターンは、上記エッチング阻止膜とエッチング特性が同じであることから、エッチング阻止膜パターンの形成過程で全て除去される。」 ｂ 以上ａによれば、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる（参考までに、段落番号等を括弧書きに記載する。）。 「透明基板１０２、透明基板１０２上に順次に形成された位相反転膜１０４、遮光性膜１０６及びレジスト膜１１２を有する位相反転ブランクマスク１００であって（【００２１】）、 前記遮光性膜１０６は、クロム（Ｃｒ）が３０ａｔ％～７０ａｔ％、窒素（Ｎ）が１０ａｔ％～４０ａｔ％、酸素（Ｏ）が０～５０ａｔ％、炭素（Ｃ）が０～３０ａｔ％、ホウ素（Ｂ）が０～３０ａｔ％、水素（Ｈ）が０～３０ａｔ％である組成比を有し（【００３３】）、 前記遮光性膜１０６は、３００Å～７００Åの厚さを有し（【００４４】）、 前記位相反転膜１０４は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍ波長の露光光に対して１０％～５０％の透過率を有し（【００２９】）、 前記位相反転膜１０４及び遮光性膜１０６が積層された部分の光学密度は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの露光波長に対して２．５～３．５であり（【００４５】）、 前記遮光性膜１０６は、クロム（Ｃｒ）に軽元素を含むクロム（Ｃｒ）化合物からなる第１遮光層１１４及び第２遮光層１１６で構成され（【００３５】）、 前記位相反転ブランクマスク１００を用いて、位相反転フォトマスクを製造する際には（【０１０３】）、前記遮光性膜１０６を、塩素（Ｃｌ）系ガスを含むエッチングガスでエッチングして、遮光性膜パターンを形成する（【０１０５】）、 位相反転ブランクマスク１００（【００２１】）。」 （イ）引用文献２及び引用発明２ 原査定における拒絶理由に（引用文献２として）引用された、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１１－２１５６５７号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。 ａ 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、フォトマスクブランク上に形成されるレジスト膜を電子線描画する際に最適な遮光膜、及び、遮光パターン形成のためのドライエッチング処理用に遮光膜の膜特性を最適化させたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法に関する。また本発明は、遮光膜パターン形成のためのドライエッチング処理用に遮光膜のドライエッチング速度を最適化させたフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法に関する。」 「【００２４】 構成２８にあるように、遮光膜のドライエッチング速度は、遮光膜の表面側から透光性基板側に向かってドライエッチング速度を遅くすると好適である。例えば、遮光膜のドライエッチング速度を、遮光膜の表面側から透光性基板側に向かって段階的及び／又は連続的にドライエッチング速度を遅くすることができる。 また、遮光膜の材料は、露光光に対して遮光機能を有する材料であれば良く、例えば、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン等の遷移金属を含む材料とすることができる。構成２９にあるように、遮光膜の材料は、主にクロムを含む材料が好適である。 構成３０にあるように、本発明のフォトマスクブランクは、更に酸素を含むことが好ましく、この場合、遮光膜の表面側から透光性基板側（深さ方向）に向かって酸素の含有量が減少している領域を有することが好適である。クロムと酸素を含む材料からなる遮光膜は、クロム単体からなる遮光膜よりもドライエッチング速度が速くなり、ドライエッチング時間の短縮化を図ることができる。ドライエッチング速度を速くできることで、遮光膜のパターニングに必要なレジスト膜の膜厚を薄くすることができ、遮光膜のパターン精度（ＣＤ精度）が良好になる。そして、遮光膜の深さ方向に向かって酸素の含有量が減少していることにより、遮光膜の深さ方向に向かってドライエッチング速度を遅くさせるように制御することができるので、グローバルローディング現象を低減させ、パターン精度を向上させることができる。・・・ 【００３１】 以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳述する。 ［第１の実施の形態］ 図１は本発明のフォトマスクブランクの第１の実施の形態を示す断面図である。 図１のフォトマスクブランク１０は、透光性基板１上に遮光膜２を有するバイナリマスク用フォトマスクブランクの形態のものである。・・・ 【００３２】 上記遮光膜２はクロムを含む材料からなり、且つ、水素を含む。クロム系材料からなる遮光膜２中に水素が含まれることにより、遮光膜のシート抵抗を小さくして、導電性を向上させることができる。・・・遮光膜２中の水素の含有量は、１原子％以上の範囲が好適である。・・・ 【００３３】・・・ 遮光膜２中には、さらに酸素や、窒素、炭素を含んでも良い。 遮光膜２中に酸素を含む場合、酸素の含有量は、５～８０原子％の範囲が好適である。酸素の含有量が５原子％未満であると、クロム単体よりもドライエッチング速度を速める効果が得られにくい。一方、酸素の含有量が８０原子％を超えると、波長２００ｎｍ以下の例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）においての吸収係数が小さくなるため、所望の光学濃度（２．５以上）を得るためには膜厚を厚くする必要が生じてしまう。好ましい酸素の含有量は、１０～５０原子％とすることが望ましい。 【００３４】 また、遮光膜２中に窒素を含む場合、窒素の含有量は、１５～８０原子％の範囲が好適である。窒素の含有量が１５原子％未満であると、クロム単体よりもドライエッチング速度を高める効果が得られにくい。一方、窒素の含有量が８０原子％を超えると、波長２００ｎｍ以下の例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）においての吸収係数が小さくなるため、所望の光学濃度（２．５以上）を得るためには膜厚を厚くする必要が生じてしまう。好ましい窒素の含有量は、２０～５０原子％とすることが望ましい。 また、遮光膜２中に酸素と窒素の両方を含んでも良い。その場合の含有量は、酸素と窒素の合計が、１０～８０原子％の範囲とするのが好適である。また、遮光膜２中に酸素と窒素の両方を含む場合の酸素と窒素の含有比は、特に制約はされず、吸収係数等の兼ね合いで適宜決定される。 【００３５】 また、遮光膜２中に炭素を含む場合、炭素の含有量は、１～２０原子％の範囲が好適である。炭素は、水素と同様に導電性を高める、即ちシート抵抗を小さくする効果、及び、反射率を低減させる効果がある。しかし、遮光膜中に炭素が含まれていると、ドライエッチング速度が低下し、遮光膜をドライエッチングによりパターニングする際に要するドライエッチング時間が長くなり、レジスト膜を薄膜化することが困難となる。以上の点から、炭素の含有量は、１～２０原子％が良く、さらに好ましくは、３～１５原子％以下が望ましい。 【００３６】 また、上記遮光膜２は、単層であることに限られず、多層でも良い。いずれの膜にも、即ち、遮光膜２表面側から透光性基板１側の深さ方向の略全域に水素が含まれているものが良い。また、さらに、いずれの膜にも酸素及び／又は窒素を含むことが好ましい。・・・ 【００４２】 次に、図１に示すフォトマスクブランク１０を用いたフォトマスクの製造方法を説明する。 このフォトマスクブランク１０を用いたフォトマスクの製造方法は、フォトマスクブランク１０の遮光膜２を、ドライエッチングを用いてパターニングする工程を有し、具体的には、フォトマスクブランク１０上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン露光（パターン描画）を施す工程と、所望のパターン露光に従って前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンに沿って前記遮光膜をエッチングする工程と、残存したレジストパターンを剥離除去する工程とを有する。・・・ 【００４４】 次いで、図２（ｄ）は、上記レジストパターン３ａに沿って遮光膜２をエッチングする工程を示す。本発明のフォトマスクブランクはドライエッチングに好適であるため、エッチングはドライエッチングを用いることが好適である。該エッチング工程では、上記レジストパターン３ａをマスクとして、ドライエッチングによって、レジストパターン３ａの形成されていない遮光膜２が露出した部位を除去し、これにより所望の遮光膜パターン２ａ（マスクパターン）を透光性基板１上に形成する。 このドライエッチングには、塩素系ガス、又は、塩素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスからなるドライエッチングガスを用いることが本発明にとって好適である。本発明におけるクロムと水素と酸素、窒素等の元素とを含む材料からなる遮光膜２に対しては、上記のドライエッチングガスを用いてドライエッチングを行うことにより、ドライエッチング速度を高めることができ、ドライエッチング時間の短縮化を図ることができ、断面形状の良好な遮光膜パターンを形成することができる。ドライエッチングガスに用いる塩素系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２，ＳｉＣｌ４，ＨＣｌ、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３等が挙げられる。」 「【００４７】 ［第２の実施の形態］ 次に、図３（ａ）を用いて本発明のフォトマスクブランクの第２の実施の形態を説明する。 図３（ａ）のフォトマスクブランク３０は、透光性基板１上に、ハーフトーン型位相シフター膜４とその上の遮光層５と反射防止層６とからなる遮光膜２を有する形態のものである。透光性基板１、遮光膜２については、上記第１の実施の形態で説明したので省略する。 上記ハーフトーン型位相シフター膜４は、実質的に露光に寄与しない強度の光（例えば、露光波長に対して１％～３０％）を透過させるものであって、所定の位相差を有するものである。このハーフトーン型位相シフター膜４は、該ハーフトーン型位相シフター膜４をパターニングした光半透過部と、ハーフトーン型位相シフター膜４が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回りこんだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち解像度を向上させるものである。 【００４８】 このハーフトーン型位相シフター膜４は、その上に形成される遮光膜２とエッチング特性が異なる材料とすることが好ましい。例えば、ハーフトーン型位相シフター膜４としては、モリブデン、タングステン、タンタル、ハフニウムなどの金属、シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフター膜４は、単層でも複数層であっても構わない。 この第２の実施の形態における上記遮光膜２は、ハーフトーン型位相シフト膜と遮光膜とを合わせた積層構造において、露光光に対して光学濃度が２．５以上となるように設定する。そのように設定される遮光膜２の膜厚は、５０ｎｍ以下であることが好ましい。その理由は、上記第１の実施の形態と同様であって、ドライエッチング時のパターンのマイクロローディング現象等によって、微細パターンの形成が困難となる場合が考えられるからである。・・・」 「【００９７】 以下の実施例６～９は、本発明の第３及び第４の実施の形態に対応する実施例である。 （実施例６） 本実施例のフォトマスクブランクは、透光性基板１上に遮光層と反射防止層とからなる遮光膜２からなる。 このフォトマスクブランクは、次のような方法で製造することができる。・・・ 【００９８】 図６は本実施例の遮光膜のラザフォード後方散乱分析による遮光膜の深さ方向の組成分析結果を示す図である。・・・ この遮光膜の光学濃度は、３．０であった。また、この遮光膜の露光波長１９３ｎｍにおける反射率は１４．８％と低く抑えることができた。さらに、フォトマスクの欠陥検査波長である２５７ｎｍ又は３６４ｎｍに対しては、それぞれ１９．９％、１９．７％となり、検査する上でも問題とならない反射率であった。 【００９９】 次に、前記フォトマスクブランク上に、化学増幅型レジストである電子線描画用レジスト膜（富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製：ＦＥＰ１７１）を形成した。レジスト膜の形成は、スピンナー（回転塗布装置）を用いて、回転塗布した。尚、上記レジスト膜を塗布後、加熱乾燥装置を用いて所定の加熱乾燥処理を行った。 次にフォトマスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画（８０ｎｍのラインアンドスペースパターン）を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。 次に、上記レジストパターンに沿って、遮光層と反射防止層とからなる遮光膜２のドライエッチング処理を行って遮光膜パターン２ａを形成した。ドライエッチングガスとして、塩素（Ｃｌ２）ガスと酸素（Ｏ２）ガスの混合ガス（Ｃｌ２：Ｏ２＝４：１）を用いた。このときエッチング速度は、反射防止層が４．９Å／秒、遮光層が３．３Å／秒で、遮光膜全体のエッチング速度は、３．６Å／秒であった。遮光膜の深さ方向におけるエッチング速度は、遮光膜の表面側のエッチング速度が速く、透光性基板側が遅い傾向であった」。 ｂ 上記ａによれば、「遮光膜２はクロムを含む材料からなり、・・・遮光膜２中の水素の含有量は、１原子％以上の範囲」（【００３２】）であること、「遮光膜２中には、さらに酸素や、窒素、炭素を含んでも良い」（【００３３】）こと、「遮光膜２中に酸素と窒素の両方を含んでも良い。その場合の含有量は、酸素と窒素の合計が、１０～８０原子％の範囲」（【００３４】）であること、及び、「遮光膜２中に炭素を含む場合、炭素の含有量は、１～２０原子％の範囲」（【００３５】）であることを踏まえると、酸素、窒素、炭素を含む場合の遮光膜２におけるクロムの含有量は、最大値８８原子％（酸素と窒素の合計が１０原子％、炭素の含有量は１原子％、水素の含有量は１原子％の場合）であるといえる。 ｃ 上記ａの特に【００２４】には、「遮光膜のドライエッチング速度は、遮光膜の表面側から透光性基板側に向かってドライエッチング速度を遅くすると好適である。例えば、遮光膜のドライエッチング速度を、遮光膜の表面側から透光性基板側に向かって段階的及び／又は連続的にドライエッチング速度を遅くすることができる。」、「遮光膜の材料は、主にクロムを含む材料が好適である。」、「フォトマスクブランクは、更に酸素を含むことが好ましく、この場合、遮光膜の表面側から透光性基板側（深さ方向）に向かって酸素の含有量が減少している領域を有することが好適である。」及び「クロムと酸素を含む材料からなる遮光膜は、クロム単体からなる遮光膜よりもドライエッチング速度が速くなり、ドライエッチング時間の短縮化を図ることができる。ドライエッチング速度を速くできることで、遮光膜のパターニングに必要なレジスト膜の膜厚を薄くすることができ、遮光膜のパターン精度（ＣＤ精度）が良好になる。そして、遮光膜の深さ方向に向かって酸素の含有量が減少していることにより、遮光膜の深さ方向に向かってドライエッチング速度を遅くさせるように制御することができるので、グローバルローディング現象を低減させ、パターン精度を向上させることができる。」と記載されているから、「主にクロムを含む材料」からなり、「更に酸素を含む」「遮光膜」は、「ドライエッチング時間の短縮化を図」り、「遮光膜のパターン精度（ＣＤ精度）が良好にな」り、「グローバルローディング現象を低減させ、パターン精度を向上させる」ために、「遮光膜の表面側から透光性基板側に向かって段階的」に「酸素の含有量が減少していることにより」、「ドライエッチング速度を遅くさせるように制御」するものであるといえる。 ｄ 以上ａないしｃによれば、「透光性基板１、遮光膜２については、上記第１の実施の形態で説明したので省略する。」（【００４７】）との記載を踏まえると、「遮光膜２」に関しては【００３３】～【００３８】と同じ構成であり、また、「上記第１の実施の形態と同様であって、ドライエッチング時の・・・」（【００４８】）との記載を踏まえると、「ドライエッチング」に関しては【００４２】～【００４４】と同じ構成であるから、引用文献２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる（参考までに、段落番号等を括弧書きに記載する。）。 「透光性基板１上に、ハーフトーン型位相シフター膜４とその上の遮光層５と反射防止層６とからなる遮光膜２を有するフォトマスクブランク３０であって（【００４７】）、 前記遮光膜２はクロムを含む材料からなり（【００３２】）、前記遮光膜２におけるクロムの含有量は最大値８８原子％であり（上記ｂ）、前記遮光膜２中には、さらに酸素や、窒素、炭素を含み、酸素の含有量は、５～８０原子％の範囲であり（【００３３】）、窒素の含有量は、１５～８０原子％の範囲であり（【００３４】）、炭素の含有量は、１～２０原子％の範囲であり（【００３５】）、 前記遮光膜２中に酸素と窒素の両方を含んでも良く、その場合の含有量は、酸素と窒素の合計が、１０～８０原子％の範囲とし、遮光膜２中に酸素と窒素の両方を含む場合の酸素と窒素の含有比は、特に制約はされず、吸収係数等の兼ね合いで適宜決定され（【００３４】）、 前記遮光膜２は、多層であって、いずれの膜にも酸素及び／又は窒素を含み（【００３６】）、 前記遮光膜２の膜厚は、５０ｎｍ以下であり（【００４８】）、 前記ハーフトーン型位相シフター膜４は、露光波長に対して１％～３０％を透過させ（【００４７】）、 前記ハーフトーン型位相シフト膜と前記遮光膜とを合わせた積層構造において、露光光に対して光学濃度が２．５以上となるように設定され（【００４８】）、 前記フォトマスクブランク１０を用いたフォトマスクの製造方法において、遮光膜２に対しては、塩素系ガス、又は、塩素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスからなるドライエッチングガスを用いてドライエッチングを行うものであって（【００４４】）、 前記主にクロムを含む材料からなり、更に酸素を含む前記遮光膜２は、前記遮光膜２の表面側から前記透光性基板側１に向かって段階的に酸素の含有量が減少していることにより、ドライエッチング速度を遅くさせるように制御するものである（上記ｃ）、 フォトマスクブランク３０（【００４７】）。」 イ 対比・判断 （ア）引用発明１を主引例とする場合 ａ 対比 （ａ）引用発明１の「透明基板１０２」、「位相反転膜１０４」、「遮光性膜１０６」及び「位相反転ブランクマスク１００」は、本件補正発明の「透明基板」、「位相反転膜」、「遮光性膜」及び「ブランクマスク」に相当するから、引用発明１の「透明基板１０２、透明基板１０２上に順次に形成された位相反転膜１０４、遮光性膜１０６及びレジスト膜１１２を有する位相反転ブランクマスク１００」は、本件補正発明の「透明基板と、前記透明基板上に設けられた位相反転膜と、前記位相反転膜上に設けられた遮光性膜と、を備え」る「ブランクマスク」に相当する。 （ｂ）引用発明１の「前記遮光性膜１０６は、クロム（Ｃｒ）が３０ａｔ％～７０ａｔ％、窒素（Ｎ）が１０ａｔ％～４０ａｔ％、酸素（Ｏ）が０～５０ａｔ％、炭素（Ｃ）が０～３０ａｔ％、ホウ素（Ｂ）が０～３０ａｔ％、水素（Ｈ）が０～３０ａｔ％である組成比を有」することは、本件補正発明の「前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有」することと、「前記遮光性膜は、クロム３０～７０ａｔ％、窒素１５～４０ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有」することの点で一致する。 （ｃ）引用発明１の「前記遮光性膜１０６は、３００Å～７００Åの厚さを有」することは、本件補正発明の「前記遮光性膜は３０～７０ｎｍの厚さを有」することに相当する。 （ｄ）引用発明１の「前記位相反転膜１０４は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍ波長の露光光に対して１０％～５０％の透過率を有」することは、本件補正発明の「前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して３～１０％の透過率を有」することと、「前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して１０％の透過率を有」することの点で一致する。 （ｅ）引用発明１の「前記位相反転膜１０４及び遮光性膜１０６が積層された部分の光学密度は、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍの露光波長に対して２．５～３．５であ」ることは、本件補正発明の「前記遮光性膜と前記位相反転膜との積層構造における光学密度は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して２．５～３．５であ」ることに相当する。 （ｆ）引用発明１の「前記遮光性膜１０６は、クロム（Ｃｒ）に軽元素を含むクロム（Ｃｒ）化合物からなる第１遮光層１１４及び第２遮光層１１６で構成され」ることは、本件補正発明の「前記遮光性膜は、上部層と下部層の２層で構成され」ることに相当する。 （ｇ）引用発明１の「前記位相反転ブランクマスク１００を用いて、位相反転フォトマスクを製造する際には、前記遮光性膜１０６を、塩素（Ｃｌ）系ガスを含むエッチングガスでエッチングして、遮光性膜パターンを形成する」ことは、本件補正発明の「塩素系ガスに対して、前記上部層に比べて前記下部層のエッチング速度が遅い」ことと、「塩素系ガスに対して、前記上部層及び前記下部層がエッチングされる」ことの点で一致する。 （ｈ）したがって、本件補正発明と引用発明１とは、 「透明基板と、 前記透明基板上に設けられた位相反転膜と、 前記位相反転膜上に設けられた遮光性膜と、 を備え、 前記遮光性膜は、クロム３０～７０ａｔ％、窒素１５～４０ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有し、 前記遮光性膜は３０～７０ｎｍの厚さを有し、 前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して１０％の透過率を有し、 前記遮光性膜と前記位相反転膜との積層構造における光学密度は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して２．５～３．５であり、 前記遮光性膜は、上部層と下部層の２層で構成され、 塩素系ガスに対して、前記上部層及び前記下部層がエッチングされる、 ブランクマスク。」の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点１） 上部層及び下部層からなる遮光性膜は、塩素系ガスに対して、本件補正発明は、「前記上部層に比べて前記下部層のエッチング速度が遅い」と特定されるのに対して、引用発明１は「第１遮光層１１４」のエッチング速度と「第２遮光層１１６」のエッチング速度の関係がこのように特定されない点。 ｂ 判断 上記相違点１について検討する。 （ａ）引用文献１には、「第１遮光層１１４は位相反転膜１０４上に形成され、エッチング速度を速くさせて全体遮光性膜１０６のエッチング工程の時間を短縮する役割を担う。」（【００３６】）、及び、「第２遮光層１１６が酸素（Ｏ）を含む場合、一定の遮光性の確保のために、酸素（Ｏ）を含まない場合に比べて膜厚が厚くなりうるが、エッチング速度が速くなるので、エッチング時間及びレジスト膜の薄膜化においては同一の効果を得ることができる。」（【００４２】）と記載されているから、引用発明１において、「第１遮光層１１４」（本件補正発明の「下部層」に相当。）と「第２遮光層１１６」（本件補正発明の「上部層」に相当。）はそれぞれ、「全体遮光性膜１０６のエッチング工程の時間を短縮する」あるいは「レジスト膜の薄膜化」という目的に応じて適宜エッチング速度が定められるものであるといえる。 （ｂ）また、ブランクマスクの技術分野において、２層からなる遮光層のエッチング速度を異ならせることは周知の技術事項でもあり、その際、２層のうちのどちらの層のエッチング速度を遅くするかは、当業者が適宜選択する設計上の事項である。 （例えば、特開２０１５－１９４７２４号公報「パターン断面のえぐれを抑制するために、遮光膜の上層以外の層の全体におけるクロム含有量を多くすると、遮光膜全体のエッチングレートが低下し、面内でのＣＤ均一性の低下が発生する。・・・本発明者は、このようなマスクブランクにおける遮光膜の好ましい構成について、さらに鋭意研究を行った。その結果、遮光膜を上層、中間層、下層の３層構造とし、酸素含有塩素系ガスのドライエッチングに対する各層のエッチングレートが、上層が最も遅く、中間層が最も速く、下層が上層よりも速いが中間層よりも遅いという特性を有することが好ましいという結論に至った。」（【００４７】～【００４８】）、 特開２０１９－６１１０６号公報（２０１９年４月１８日公開）「上層３２及び下層３１を同じエッチング液を使用してエッチングする際、上層３２のエッチング速度に対する下層３１のエッチング速度の比は、１．１以上５以下ある。エッチング速度の比が１．１以上５以下であると、ウェットエッチング後の位相シフト膜パターンの断面形状は良好であり、ＣＤバラツキは小さい。」（【００３１】）、 特開２０１６－２１２３２２号公報「（構成３）前記遮光膜は、前記上層と前記下層との間に中間層が形成されていることを特徴とする構成１又は２記載の位相シフトマスクブランク。・・・構成３のように、遮光膜を、位相シフト膜側から下層、中間層、上層が順に積層された構造とすることにより、各層のクロム含有量を調整して遮光膜のエッチングレートを三段階にコントロールすることができ、遮光膜のパターン側壁にサイドエッチの進行度の相違による段差の形成を抑制し、遮光膜のパターンの断面形状を向上させることができる。」（【００２２】～【００２３】）、 特許５９４８４９５号公報「多層膜とされた位相シフト層１１の上にフォトレジスト層１４が形成される。位相シフト層１１は、段部Ｂ１ｂｉに対応する下層１１ｄ、段部Ｂ１ｂｈに対応する中層１１ｃ、均一領域Ｂ１ａに対応する上層１１ｂが基板Ｓ側から積層されている。下層１１ｄは、段部Ｂ１ｂｉに対応するように、厚さＴｉを有するとともに、この３層のなかでは最も小さなエッチングレートを有する。中層１１ｃは、段部Ｂ１ｂｈに対応するように厚さ（Ｔｈ－Ｔｉ）を有するとともに、下層１１ｄより大きなエッチングレートを有する。また、上層１ｂは、厚さ（Ｔｇ－Ｔｈ）を有するとともに、中層１１ｃより大きなエッチングレートを有する。下層１１ｄ、中層１１ｃ、上層１１ｂのエッチングレートは、側面の傾斜形状、および、段差の幅寸法Ｂ１ｂｈおよび幅寸法Ｂ１ｂｉの大きさに対応して設定する。」（【００５６】）参照。） （ｃ）そうすると、引用発明１において、上記周知の技術事項を適用し、塩素系ガスに対して、「第２遮光層１１６」（上部層）に比べて「第１遮光層１１４」（下部層）のエッチング速度が遅いものとなして、上記相違点１に係る本件補正発明の構成となすことに、格別の技術的困難性は認められない。 ｃ 本件補正発明の奏する効果について 本件補正発明において、上記相違点１の構成となすことにより奏される効果も予測し得た程度のことにすぎない。 （イ）引用発明２を主引例とする場合 ａ 対比 （ａ）引用文献２の「ハーフトーン型位相シフター膜４は、該ハーフトーン型位相シフター膜４をパターニングした光半透過部と、ハーフトーン型位相シフター膜４が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回りこんだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち解像度を向上させるものである」（【００４７】）との記載を踏まえると、引用発明２の「ハーフトーン位相シフター膜」は、本件補正発明の「位相反転膜」に相当する。 また、引用発明２の「透光性基板１」、「遮光膜２」及び「フォトマスクブランク３０」は、本件補正発明の「透明基板」、「遮光性膜」及び「ブランクマスク」に相当するから、引用発明２の「透光性基板１上に、ハーフトーン型位相シフター膜４とその上の遮光層５と反射防止層６とからなる遮光膜２を有するフォトマスクブランク３０」は、本件補正発明の「透明基板と、前記透明基板上に設けられた位相反転膜と、前記位相反転膜上に設けられた遮光性膜と、を備え」る「ブランクマスク」に相当する。 （ｂ）引用発明２の「前記遮光膜２はクロムを含む材料からなり、前記遮光膜２におけるクロムの含有量は最大値８８原子％であり、前記遮光膜２中には、さらに酸素や、窒素、炭素を含み、酸素の含有量は、５～８０原子％の範囲であり、窒素の含有量は、１５～８０原子％の範囲であり、炭素の含有量は、１～２０原子％の範囲であり、前記遮光膜２中に酸素と窒素の両方を含んでも良く、その場合の含有量は、酸素と窒素の合計が、１０～８０原子％の範囲と」することは、本件補正発明の「前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有」することと、「前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素５～４０ａｔ％、炭素０～２０ａｔ％の組成比を有」することの点で一致する。 （ｃ）引用発明２の「前記遮光膜２の膜厚は、５０ｎｍ以下であ」ることは、本件補正発明の「前記遮光性膜は３０～７０ｎｍの厚さを有」することと、「前記遮光性膜は３０～５０ｎｍの厚さを有」することの点で一致する。 （ｄ）引用文献２における「ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）」（【００３４】）及び「遮光膜の露光波長１９３ｎｍ」（【００９８】）との記載から、引用発明２の露光波長は１９３ｎｍであると認められるから、引用発明２の「前記ハーフトーン型位相シフター膜４は、露光波長に対して１％～３０％を透過させ」ることは、本件補正発明の「前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して３～１０％の透過率を有」することに相当する。 （ｅ）上記（ｄ）での検討を踏まえると、引用発明２の「前記ハーフトーン型位相シフト膜と前記遮光膜とを合わせた積層構造において、露光光に対して光学濃度が２．５以上となるように設定され」ることは、本件補正発明の「前記遮光性膜と前記位相反転膜との積層構造における光学密度は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して２．５～３．５であ」ることに相当する。 （ｆ）引用発明２の「前記遮光膜２は、多層であ」ることは、本件補正発明の「前記遮光性膜は、上部層と下部層の２層で構成され」ることに相当する。 （ｇ）引用発明２の「前記フォトマスクブランク１０を用いたフォトマスクの製造方法において、遮光膜２に対しては、塩素系ガス、又は、塩素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスからなるドライエッチングガスを用いてドライエッチングを行う」ものであって、当該遮光膜２が、「前記主にクロムを含む材料からなり、更に酸素を含む前記遮光膜２は、前記遮光膜２の表面側から前記透光性基板側１に向かって段階的に酸素の含有量が減少していることにより、ドライエッチング速度を遅くさせるように制御するものである」ことは、本件補正発明の「塩素系ガスに対して、前記上部層に比べて前記下部層のエッチング速度が遅い」に相当する。 ｂ 上記ａによれば、本件補正発明と引用発明２とは、 「透明基板と、 前記透明基板上に設けられた位相反転膜と、 前記位相反転膜上に設けられた遮光性膜と、 を備え、 前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素５～４０ａｔ％、炭素０～２０ａｔ％の組成比を有し、 前記遮光性膜は３０～５０ｎｍの厚さを有し、 前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して３～１０％の透過率を有し、 前記遮光性膜と前記位相反転膜との積層構造における光学密度は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して２．５～３．５であり、 前記遮光性膜は、上部層と下部層の２層で構成され、 塩素系ガスに対して、前記上部層に比べて前記下部層のエッチング速度が遅い、 ブランクマスク。」の点で一致し、引用発明２は本件補正発明の構成をすべて備えている。よって、本件補正発明は引用発明２である。 また、本件補正発明は引用発明２から当業者が容易に想到し得たものである。 ウ 小括 したがって、本件補正発明は、引用発明１及び周知の技術的事項に基づいて、あるいは、引用発明２に基づいて当業者であれば容易になし得たものであり、また、本件補正発明は引用発明２である。 エ 請求人の主張について （ア）請求人は、審判請求書の「【意見の内容】」「３． 本願発明が特許されるべき理由」「（ｃ）本願発明と引用文献記載発明との対比（２９条１項３号及び同条２項の拒絶理由について）」において概略、下記の通り主張する。 ａ 本願補正発明は、光学密度が２．５～３．５という好ましい範囲にあるべきことを考慮して、位相反転膜の透過率を３種類の範囲に分類した上で、遮光性膜の組成、組成比及び厚さの組み合わせを調節するものである。 ｂ 本願補正発明は、遮光性膜と位相反転膜との積層構造における光学密度のターゲット範囲を２．５～３．５とし、位相反転膜の透過率のターゲット範囲をそれぞれ異なる３つの範囲に分類した上で、ラジカル反応を抑制するために、遮光性膜の組成、組成比及び厚さについて、遮光性膜は、上部層と下部層の２層で構成され、塩素系ガスに対して、上部層に比べて下部層のエッチング速度が遅くするものである。 ｃ 本願補正発明は、遮光性膜が必ず窒素を含むが、必ずしも酸素を含まず、また、酸素含有量を窒素含有量よりも低くすることにより、反射率の過度な増加を防止しながら、エッチング速度の過度な増加をも防止することができるものである。 （イ）当審の判断 ａ しかしながら、上記（ア）ａの点は、本件補正後の請求項１ないし３に係る発明に分けたことの技術的意味についての主張であって、本件補正発明（本件補正後の請求項１に係る発明）が、引用発明１及び周知の技術的事項に基づいて当業者であれば容易になし得たものであること、あるいは、引用発明２であることについての主張ではなく採用できない。 ｂ 本件補正発明におけるラジカル反応の抑制は、本願の発明の詳細な説明の「本発明の遮光性膜１０３は、クロムを主成分とする化合物で構成される。クロム化合物は、塩素系ガスによる乾式エッチング時にラジカル（Ｒａｄｉｃａ）反応によって相対的に等方性にエッチングされる傾向を示す。・・・一方、遮光性膜１０３の下部の位相反転膜１０２は、モリブデンシリコン化合物又はシリコン化合物で構成され、この場合、位相反転膜１０２は、ラジカル反応に比べてイオン性反応が相対的に高いので、遮光性膜１０３のＣＤに比してＣＤ偏差が少ない。」（【００２９】）との記載によれば、「ＣＤ偏差を少な」くするためであるといえる。 そして、本願の発明の詳細な説明の「遮光性膜１０３のラジカル反応を抑制するための遮光性膜１０３の構成は、・・・遮光性膜１０３は、クロム（Ｃｒ）を主成分と」（【００３０】・【００３１】）するとの記載によれば、遮光性膜１０３についてクロム（Ｃｒ）を主成分とすればラジカル反応を抑制することができるものであると解される。 これに対して、引用発明１及び２は、ラジカル反応の抑制を意図しているものであるとはいえないが、遮光性膜についてクロム（Ｃｒ）を主成分とする点で本件補正発明と構成上差異がないため、同じ効果を奏するものであると解されるから、請求人の上記（ア）ｂの主張は採用できない。 ｃ さらに、上記（ア）ｃの点については、そもそも、本件補正発明は、「酸素含有量は窒素含有量よりも低く」することを特定していないから、「酸素含有量は窒素含有量よりも低く」することに基づく主張は請求項の記載に基づくものではなく採用できない。 また、窒素（Ｎ）と酸素（Ｏ）の含有量についても、「前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有し」ていると特定するにとどまり、引用発明１あるいは引用発明２と同じ含有率を含むから、格別のものであるとは認められない。 ｄ 以上によれば、上記（ア）の審判請求書における請求人の主張は、上記イの判断を左右するものではない。 オ まとめ したがって、本件補正発明は引用発明１及び周知の技術的事項に基づいて、あるいは、引用発明２に基づいて当業者であれば容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、また、本件補正発明は引用発明２であるから、特許法第２９条第１項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 （４）補正の却下の決定のむすび したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 また、たとえ、本件補正が特許請求の範囲の減縮であって、上記（２）で指摘した特許法第１７条の２第５項の規定の規定を満足するものであっても、上記（３）の検討によれば、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３ 本件発明について １ 本件発明 上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の特許請求の範囲の各請求項に係る発明は、令和３年４月１５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記第２、［理由］１において、本件補正前のものとして示したとおりのものであるところ、本件発明は、上記第２の［理由］２（３）イで検討した本件補正発明から、遮光性膜と位相反転膜との積層構造における光学密度に関して、「１９３ｎｍ波長の露光光に対して」との限定、及び、遮光性膜に関して、「上部層と下部層の２層で構成され、塩素系ガスに対して、前記上部層に比べて前記下部層のエッチング速度が遅い」との限定事項を省いた上で、遮光性膜に関して、「酸素含有量は窒素含有量よりも低」いとの限定事項を加えたものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１～４、１２～１４に係る発明は、その最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明であるから、または、この出願の請求項１、３～６、１１、１３～１４に係る発明は、その最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない（新規性）、あるいは、この出願の請求項１～４、１２～１４に係る発明は、その最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明に基づいて、また、この出願の請求項１、３～６、１１、１４に係る発明は、その最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献２に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない（進歩性）との理由を含むものである。 ・引用文献１：特開２０１６－１９７２２５号公報 ・引用文献２：特開２０１１－２１５６５７号公報 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１、２の記載事項及び引用発明１、２は、上記第２、［理由］２（２）アに記載したとおりである。 ４ 対比・判断 （１）引用発明１を主引例とする場合 ア 対比 上記１及び前記第２、［理由］２（３）イ（ア）での検討を踏まえると、本件発明と引用発明１とは、 「透明基板と、 前記透明基板上に設けられた位相反転膜と、 前記位相反転膜上に設けられた遮光性膜と、 を備え、 前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して１０％の透過率を有し、 前記遮光性膜と前記位相反転膜との積層構造における光学密度は、２．５～３．５であり、 前記遮光性膜は、クロム３０～７０ａｔ％、窒素１５～４０ａｔ％、酸素０～４０ａｔ％、炭素０～３０ａｔ％の組成比を有し、酸素含有量は窒素含有量よりも低く、且つ 前記遮光性膜は３０～７０ｎｍの厚さを有する、ブランクマスク。」の点で一致し、以下の点で一応相違する。 （相違点２） 遮光性膜について、本件発明は、「酸素含有量は窒素含有量よりも低」いと特定されるのに対して、引用発明１はこのように特定されない点。 イ 判断 上記相違点２について検討する。 引用発明１は、「第２遮光層１１６が酸素（Ｏ）を含む場合、一定の遮光性の確保のために、酸素（Ｏ）を含まない場合に比べて膜厚が厚くなりうるが、エッチング速度が速くなるので、エッチング時間及びレジスト膜の薄膜化においては同一の効果を得ることができる。このとき、第２遮光層１１６は、１ａｔ％～２０ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有し、好ましくは、１ａｔ％～１５ａｔ％の酸素（Ｏ）含有量を有する。第２遮光層１１６の酸素（Ｏ）含有量が２０ａｔ％を超えると、位相反転膜１０４のエッチングに使われるフッ素（Ｆ）系エッチングガスに対する耐性が低下して位相反転膜１０４エッチング時に第２遮光層１１６が損傷し、光学密度が低下するという問題につながる。」（【００４２】）ことを考慮して、「前記遮光性膜１０６は、クロム（Ｃｒ）が３０ａｔ％～７０ａｔ％、窒素（Ｎ）が１０ａｔ％～４０ａｔ％、酸素（Ｏ）が０～５０ａｔ％、炭素（Ｃ）が０～３０ａｔ％、ホウ素（Ｂ）が０～３０ａｔ％、水素（Ｈ）が０～３０ａｔ％である組成比を有」する範囲で、酸素（Ｏ）の組成比を定めるものであるから、当該「窒素（Ｎ）が１０ａｔ％～４０ａｔ％、酸素（Ｏ）が０～５０ａｔ％」という範囲は、酸素（Ｏ）含有量が窒素（Ｎ）含有量よりも低い組成比を含む。 したがって、引用発明１は、酸素（Ｏ）含有量が窒素（Ｎ）含有量よりも低い組成比を含むから、相違点２は実質的な相違点ではない。 よって、上記アでの検討を踏まえると、引用発明１と本件発明に相違するところはない。 したがって、引用発明１は本件発明である。 また、本件発明は引用発明１から当業者が容易に想到し得たものである （２）引用発明２を主引例とする場合 ア 対比 上記１及び前記第２、［理由］２（３）イ（イ）での検討を踏まえると、本件発明と引用発明２とは、 「透明基板と、 前記透明基板上に設けられた位相反転膜と、 前記位相反転膜上に設けられた遮光性膜と、 を備え、 前記位相反転膜は、１９３ｎｍ波長の露光光に対して３～１０％の透過率を有し、 前記遮光性膜と前記位相反転膜との積層構造における光学密度は、２．５～３．５であり、 前記遮光性膜は、クロム２０～７０ａｔ％、窒素１５～５５ａｔ％、酸素５～４０ａｔ％、炭素０～２０ａｔ％の組成比を有し、且つ 前記遮光性膜は３０～５０ｎｍの厚さを有する、ブランクマスク。」の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点３） 遮光性膜について、本件発明は、「酸素含有量は窒素含有量よりも低」いと特定されるのに対して、引用発明２はこのように特定されない点。 イ 判断 上記相違点３について検討する。 引用発明２は、「酸素の含有量が５原子％未満であると、クロム単体よりもドライエッチング速度を速める効果が得られにくい。一方、酸素の含有量が８０原子％を超えると、波長２００ｎｍ以下の例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）においての吸収係数が小さくなるため、所望の光学濃度（２．５以上）を得るためには膜厚を厚くする必要が生じてしまう。好ましい酸素の含有量は、１０～５０原子％とすることが望ましい。」（【００３３】）、及び、「窒素の含有量が１５原子％未満であると、クロム単体よりもドライエッチング速度を高める効果が得られにくい。一方、窒素の含有量が８０原子％を超えると、波長２００ｎｍ以下の例えば、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）においての吸収係数が小さくなるため、所望の光学濃度（２．５以上）を得るためには膜厚を厚くする必要が生じてしまう。好ましい窒素の含有量は、２０～５０原子％とすることが望ましい。」（【００３４】）ことを考慮して、「前記遮光膜２中には、さらに酸素や、窒素、炭素を含み、酸素の含有量は、５～８０原子％の範囲であり、窒素の含有量は、１５～８０原子％の範囲であり、炭素の含有量は、１～２０原子％の範囲であり、前記遮光膜２中に酸素と窒素の両方を含んでも良く、その場合の含有量は、酸素と窒素の合計が、１０～８０原子％の範囲とし、遮光膜２中に酸素と窒素の両方を含む場合の酸素と窒素の含有比は、特に制約はされず、吸収係数等の兼ね合いで適宜決定され」る範囲で、酸素の組成比を定めるものであるから、当該「酸素の含有量は、５～８０原子％の範囲であり、窒素の含有量は、１５～８０原子％の範囲であ」るという範囲は、酸素含有量が窒素含有量よりも低い組成比を含む。 したがって、引用発明２は、酸素含有量が窒素含有量よりも低い組成比を含むから、相違点３は実質的な相違点ではない。 よって、上記アでの検討を踏まえると、引用発明２と本件発明に相違するところはない。 したがって、引用発明２は本件発明である。 また、本件発明は引用発明２から当業者が容易に想到し得たものである。 ５ むすび 以上のとおり、本件発明は、引用発明１または２であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 また、本件発明は、引用発明１または２に基いて、その最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。