2022-015394

特願２０１８－ ２７７６４「荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置のステージ駆動範囲制限方法およびプログラム」拒絶査定不服審判事件〔令和 元年 ８月２９日出願公開、特開２０１９－１４５３０４〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成３０年２月２０日の出願であって、その手続の経緯の概略は次のとおりである。 令和 ４年 ２月 ２日付け：拒絶理由通知書 同年 ４月 ６日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ６月１０日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同月２８日 ：原査定の謄本の送達） 同年 ９月２８日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和４年９月２８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年９月２８日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 本件補正の内容 令和４年９月２８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてする補正を含むものであって、本件補正前（令和４年４月６日にされた手続補正後）の特許請求の範囲の請求項１及び本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、それぞれ次の(１)及び(２)に示すとおりである。下線は補正箇所を示す。 (１) 本件補正前 「【請求項１】 試料が載置される試料ホルダを支持するステージと、 前記ステージを駆動するステージ駆動機構と、 前記ステージが収容される試料室と、 前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、 前記試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、 前記集束イオンビームまたは前記電子ビームの照射によって前記試料から発生する二次イオンまたは二次電子を検出する検出器と、 前記試料ホルダに付された識別情報を読み取る読取部と、 前記識別情報と前記試料ホルダの形状との対応関係を示すホルダ形状情報と、前記試料室の内部構造物の形状情報である設計情報とを記憶する記憶部と、 前記読取部が読み取った前記識別情報と前記ホルダ形状情報とから得られる前記試料ホルダの形状と、前記内部構造物の形状とに基づいて、前記試料ホルダを支持する前記ステージの駆動範囲を制限するステージ駆動範囲制限部と、 を備える荷電粒子ビーム装置であって、 前記荷電粒子ビーム装置のコンピュータは、前記荷電粒子ビーム装置のオペレータが登録したレシピの情報を利用することによって、前記荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う、 荷電粒子ビーム装置。」 (２) 本件補正後 「【請求項１】 試料が載置される試料ホルダを支持するステージと、 前記ステージを駆動するステージ駆動機構と、 前記ステージが収容される試料室と、 前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、 前記試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、 前記集束イオンビームまたは前記電子ビームの照射によって前記試料から発生する二次イオンまたは二次電子を検出する検出器と、 前記試料ホルダに付された識別情報を読み取る読取部と、 前記識別情報と前記試料ホルダの形状との対応関係を示すホルダ形状情報と、前記試料室の内部構造物の形状情報である設計情報とを記憶する記憶部と、 前記読取部が読み取った前記識別情報と前記ホルダ形状情報とから得られる前記試料ホルダの形状と、前記内部構造物の形状とに基づいて、前記試料ホルダを支持する前記ステージの駆動範囲を制限するステージ駆動範囲制限部と、 荷電粒子ビーム装置のオペレータを識別するオペレータ情報を取得するオペレータ情報取得部と、 を備える荷電粒子ビーム装置であって、 前記荷電粒子ビーム装置のコンピュータは、前記荷電粒子ビーム装置の前記オペレータ情報によって識別されるオペレータが登録したレシピの情報を利用することによって、前記荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う、 荷電粒子ビーム装置。」 ２ 本件補正の適否についての当審の判断 (１) 本件補正の目的について ア 本件補正で請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項１に対する以下の補正事項からなるものである。 (ア) 荷電粒子ビーム装置について、「荷電粒子ビーム装置のオペレータを識別するオペレータ情報を取得するオペレータ情報取得部」を備えるものに限定する補正事項。 (イ) 荷電粒子ビーム装置のコンピュータが、荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う際に利用する、オペレータが登録したレシピの情報について、「オペレータ情報によって識別される」レシピの情報と限定する補正事項。 イ そして、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 ウ したがって、本件補正で請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 (２) 独立特許要件について 前記(１)のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。 ア 本件補正発明 本件補正発明は、前記１(２)の本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 イ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 (ア) 引用文献１に記載された事項及び引用発明の認定 ａ 引用文献１に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に発行された特開２００１－７６６６１号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。下線は当合議体が付したものであり、以降の他の文献に記載された事項についても同様である。 (ａ) 【００１３】～【００２０】、【図１】 「【００１３】 【発明の実施の形態】 以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。 【００１４】図１は、本発明の荷電粒子線装置の一例として示した、電子プローブマイクロアナライザの概略図である。 【００１５】図１の構成について説明すると、１は鏡筒であり、鏡筒１の中には上から順に、電子銃２、集束レンズ３、偏向器４、対物レンズ５の電子光学手段が配置されている。また、対物レンズ５の近くであって電子線光軸上には、ＣＣＤカメラ付光学顕微鏡６が配置されている。 【００１６】前記鏡筒１は試料室チャンバー７に取り付けられており、試料室チャンバー７内、すなわち試料室は図示しない排気装置により高真空に排気されている。 【００１７】試料室のステージ台８上には、Ｙ軸方向に移動可能なＹステージ９が配置されており、Ｙステージ９の上には、Ｘ軸方向に移動可能なＸステージ１０が配置されている。このＸステージ１０上には、試料ホルダ取付台１１と電気接点コネクタ（接続端子）１２が固定されており、電気接点コネクタ１２は、後で詳しく説明する試料ホルダが取付台１１に取り付けられたときに、試料ホルダに固定されたホルダ端子と接続するものである。また、試料室内には、Ｘ線検出器１３と２次電子検出器１４が配置されている。 【００１８】１５は、前記試料室チャンバー７に取り付けられた予備排気室チャンバーであり、予備排気室チャンバー１５は、試料室チャンバー７の側面に設けられたホルダ通過用扉１６を覆うように試料室チャンバー７に取り付けられている。１７は、予備排気室チャンバー１５に取り付けられた試料搬送手段であり、また、予備排気室チャンバー１５は図示しない排気装置に接続されている。 【００１９】前記電気接点コネクタ１２はホルダ情報処理手段１８に接続されており、ホルダ情報処理手段１８は、ホルダ判定手段１９、ホルダ形状データ格納手段２０、分析位置データ格納手段２１、移動制限データ格納手段２２および観察位置検出手段２３を備えている。また、このホルダ情報処理手段１８は、表示処理手段２４と、キーボードとマウスを備えた入力指示手段２５と、分析処理手段２６に接続されている。 【００２０】分析処理手段２６は、自動分析制御手段２７、ステージ制御手段２８、光学顕微鏡制御手段２９、分析制御手段３０およびマニュアル分析制御手段３１を備えている。また、この分析処理手段２６は、表示処理手段３２と、キーボードとマウスを備えた入力指示手段３３と、前記Ｘステージ１０およびＹステージ９を移動させるＸ－Ｙステージ駆動手段３４と、前記電子光学手段と、前記検出器に接続されている。」 「【図１】 ［図：0001406306000001.jpg］ 」 (ｂ) 【００２１】～【００２６】、【図２】～【図４】 「【００２１】次に、図１の装置で使用される試料ホルダについて説明する。 【００２２】図２は、図１の装置で使用される種類Ｂの試料ホルダを示したものである。種類Ｂの試料ホルダ３５には、５個の試料穴３６ａ～３６ｅが設けられている。これらの試料穴には、試料取付台３７を保持したアダプタ３８がそれぞれセットされており、試料３９ａ～３９ｅは試料取付台３７にセットされている。 【００２３】また、試料ホルダ３５の側面には、そのホルダの種類の情報を有するホルダ端子４０が固定されている。種類Ｂのホルダ端子４０においては、電気接点ピン４１がピン固定部○１（当審注：丸囲みの１。以下同様。）～○４の○１と○３に固定されている。 【００２４】一方、前記Ｘステージ１０に固定された電気接点コネクタ１２には、図３に示すように、ホルダ端子４０のピン固定部○１～○４に対応する位置にピン穴○１’～○４’が設けられている。また、ピン穴○１’にはリード線Ｌ1が、ピン穴○２’にはリード線Ｌ2が、ピン穴○３’にはリード線Ｌ3が、ピン穴○４’にはリード線Ｌ4が取り付けられており、それらのリード線は前記ホルダ情報処理手段１８に電気的に接続されている。 【００２５】このような試料ホルダと試料ステージの構成により、前記試料ホルダ３５が試料ホルダ取付台１１に取り付けられると、ピン固定部○１のピン４１がピン穴○１’に差し込まれ、ピン固定部○３のピン４１がピン穴○３’に差し込まれる。そして、ピン穴○１’と○３’にピン４１の電気的接触があったことを表す信号、すなわち、種類Ｂの試料ホルダが試料ステージに取り付けられたことを表す信号が前記リード線を介して前記ホルダ情報処理手段１８に送られる。 【００２６】以上、種類Ｂの試料ホルダについて説明したが、図１の装置で使用される他の試料ホルダも、そのホルダの種類の情報を有するホルダ端子を備えている。例えば、図１の装置で使用される種類Ａ～Ｉの試料ホルダにおいては、図４に示すように、電気接点ピン４１がピン固定部○１～○４の所定位置に固定されている。なお、図４において、Ａ～Ｉは試料ホルダの種類を示しており、○１～○４は前記ピン固定部を示しており、各試料ホルダには○印が付けられているピン固定部にピン４１が固定されている。」 「【図２】 ［図：0001406306000002.jpg］ 【図３】 ［図：0001406306000003.jpg］ 【図４】 ［図：0001406306000004.jpg］ 」 (ｃ) 【００２７】～【００３３】、【図５】 「【００２７】以上、図１の装置構成および、図１の装置で使用される試料ホルダの構成について説明したが、以下に、このような装置の動作について説明する。 【００２８】まず、オペレータは、試料をセットした試料ホルダ、たとえば図２に示した種類Ｂの試料ホルダ３５を、前記予備排気室チャンバー１５内において試料搬送手段１７の先端に取り付ける。そして、予備排気室チャンバー１５内が図示しない排気装置によって排気されると、オペレータはホルダ通過用扉１６を開け、試料搬送手段１７を用いて試料ホルダ３５を試料ホルダ取付台１１に取り付ける。 【００２９】このようにして試料ホルダ３５が試料ホルダ取付台１１に取り付けられると、上述したように試料ホルダ３５のホルダ端子４０が電気接点コネクタ１２に接続され、種類Ｂの試料ホルダ３５が試料ステージ（Ｘステージ１０）に取り付けられたことを表す信号が、電気接点コネクタ１２からホルダ情報処理手段１８に送られる。 【００３０】すると、ホルダ情報処理手段１８のホルダ判定手段１９は、電気接点コネクタ１２からの信号に基づき、試料ステージに取り付けられた試料ホルダの種類がＢであると判定する。 【００３１】こうして試料ホルダの種類が判定されると、ホルダ情報処理手段１８は、判定された試料ホルダＢに対応するホルダ形状データ（形状データＢ）をホルダ形状データ格納手段２０から読み出す。このホルダ形状データ格納手段２０には、上述した種類Ａ～Ｉの各試料ホルダの形状データが格納されており、ホルダ情報処理手段１８は、その読み出した形状データ（形状データＢ）に基づいて表示処理手段２４の画面上にホルダＢの形状を表示させる。 【００３２】図５は、表示処理手段２４の画面を示したものであり、ホルダＢの形状が表示処理手段２４の画面左側に表示されている。また、画面右側上段には、前記ホルダ判定手段１９により種類Ｂと自動判定された結果が表示され、画面右側下段には、以下に述べる分析選択表示が行われている。 【００３３】さて、ホルダＢの形状が表示処理手段２４の画面に表示されると、オペレータは、自動分析を行うかマニュアル分析を行うかを、入力指示手段２５を用いて表示処理手段２４の画面上で選択する。」 「【図５】 ［図：0001406306000005.jpg］ 」 (ｄ) 【００４０】～【００５１】、【図７】～【図８】 「【００４０】以上、表示処理手段２４の画面上において自動分析が選択されたときの装置動作を説明したが、次に、表示処理手段２４の画面上においてマニュアル分析が選択されたときの装置動作について説明する。 【００４１】さて、オペレータが表示処理手段２４の画面上においてマニュアル分析を選択すると、マニュアル分析が選択されたことを表す信号が表示処理手段２４からホルダ情報処理手段１８に送られる。そしてオペレータは、入力指示手段２５を用いて、表示処理手段２４の画面上に表示されているホルダ図形上で、前記電子線光軸Ｏ上に位置させたい位置Ｑを指定する。この位置指定が行われると、図７に示すように、ホルダ図形上のその指定位置Ｑにたとえば×印のマーカが表示される。 【００４２】このような位置指定が行われると、その位置指定の情報はホルダ情報処理手段１８の観察位置検出手段２３に送られる。観察位置検出手段２３はこの情報に基づき、その位置Ｑを電子線光軸Ｏ上に位置させるためのＸステージ移動量ｘqとＹステージ移動量ｙqを求める。 【００４３】こうして、位置Ｑを電子線光軸Ｏ上に位置させるための試料ステージ移動量（ｘq，ｙq）が求められると、ホルダ情報処理手段１８は、種類Ｂの試料ホルダに対応する試料ステージの移動制限データ（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）を移動制限データ格納手段２２から読み出す。この移動制限データ格納手段２２には、上述した種類Ａ～Ｉの各試料ホルダに対応して試料ステージの移動制限データが格納されており、この移動制限データは、それ以上試料ステージをＸＹ方向に移動させると試料ホルダが試料室側壁に衝突してしまう値を表している。 【００４４】ホルダ情報処理手段１８は、移動制限データ格納手段２２から移動制限データ（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）を読み出すと、その値と前記試料ステージ移動量（ｘq，ｙq）を比較し、ステージ移動量（ｘq，ｙq）が（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）よりも大きい場合には、その旨を表示処理手段２４の画面上に表示させて、ステージ制御の指示を行わない。 【００４５】一方、ステージ移動量（ｘq，ｙq）が（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）よりも小さい場合には、ステージ制御データ（ｘq，ｙq）を分析処理手段２６のマニュアル分析制御手段３１に送る。 【００４６】マニュアル分析制御手段３１はステージ制御データ（ｘq，ｙq）を受け取ると、そのデータをステージ制御手段２８に送る。すると、ステージ制御手段２８は、そのデータに基づき、Ｘステージ１０がｘq、Ｙステージ９がｙq移動するようにＸ－Ｙステージ駆動手段３４を制御する。この制御により、試料ステージは座標（ｘq，ｙq）に位置決めされ、位置Ｑが電子線光軸Ｏ上に位置する。 【００４６】マニュアル分析制御手段３１はステージ制御データ（ｘq，ｙq）を受け取ると、そのデータをステージ制御手段２８に送る。すると、ステージ制御手段２８は、そのデータに基づき、Ｘステージ１０がｘq、Ｙステージ９がｙq移動するようにＸ－Ｙステージ駆動手段３４を制御する。この制御により、試料ステージは座標（ｘq，ｙq）に位置決めされ、位置Ｑが電子線光軸Ｏ上に位置する。 【００４７】このように位置Ｑが電子線光軸Ｏ上に位置すると、マニュアル分析制御手段３１は、位置Ｑを中心とする領域の光学像を得るように光学顕微鏡制御手段２９に制御信号を送る。すると、光学顕微鏡制御手段２９は、光学顕微鏡６による光学像を表示処理手段３２に送るので、表示処理手段３２の画面上には、図８に示すように、位置Ｑを中心とする領域の試料の光学像が表示される。なお、図８において、×印は位置Ｑを示している。 【００４８】オペレータは、このように位置Ｑを中心とする領域の光学像が表示されると、入力指示手段３３を用いて、表示処理手段３２の画面上に表示されている光学像上で、分析したい位置Ｓを指定する。この分析位置指定が行われると、図８に示すように、ホルダ図形上のその指定位置Ｓにたとえば△印のマーカが表示される。なお、・印のマーカは試料穴３６ｄの中心を表している。 【００４９】このような分析位置指定が行われると、その位置指定の情報は表示処理手段３２から分析処理手段２６の分析制御手段３０に送られる。分析制御手段３０はこの情報に基づき、位置Ｓを電子線光軸Ｏ上に位置させるためのＸステージ移動量ｘsとＹステージ移動量ｙsを求める。 【００５０】こうして、分析制御手段３０は、位置Ｓを電子線光軸Ｏ上に位置させるための試料ステージ移動量（ｘs，ｙs）を求めると、そのステージ制御データ（ｘs，ｙs）をステージ制御手段２８に送る。すると、ステージ制御手段２８は、そのデータに基づき、Ｘステージ１０がｘs、Ｙステージ９がｙs移動するようにＸ－Ｙステージ駆動手段３４を制御する。この制御により、試料ステージは座標（ｘs，ｙs）に位置決めされ、分析位置Ｓが電子線光軸Ｏ上に位置する。 【００５１】このように分析位置Ｓが電子線光軸Ｏ上に位置すると、分析制御手段３０は、電子線が分析位置Ｓを照射するように前記電子光学手段を制御するので、分析位置Ｓに電子線が照射され、その照射によって試料から発生した特性Ｘ線はＸ線検出器１３で検出される。そして、Ｘ線検出器１３の出力は分析制御手段３０に送られ、分析制御手段３０は得られたスペクトルデータを表示処理手段３２に送る。この結果、表示処理手段３２の画面上には、図８に示すように試料の光学像と共にスペクトルが表示される。」 「【図７】 ［図：0001406306000006.jpg］ 【図８】 ［図：0001406306000007.jpg］ 」 (ｅ) 【００５２】～【００５４】 「【００５２】以上、図１の装置動作について説明したが、このような装置においては、試料ステージに取り付けられる試料ホルダの種類が自動的に正確に判定され、表示装置の画面上に実際に取り付けられた試料ホルダの図形が誤りなく表示される。このため、この表示された図形を用いた試料分析が正確かつ迅速に行われる。 【００５３】また、図１の装置においては、各試料ホルダ毎に分析位置データ、すなわち電子線照射位置データが予め格納されているので、従来のようにいちいち分析位置を指定しなくて済む。 【００５４】また、図１の装置においては、移動制限データを格納することにより、各試料ホルダに衝突回避レバーを取り付けたり、試料ステージに衝突回避スイッチを取り付けなくても、試料ホルダの試料室壁への衝突を回避することができ、装置コストを下げることができる。」 ｂ 引用発明の認定 前記ａに摘記した引用文献１の記載事項を総合すると、引用文献１には、図１に係る荷電粒子線装置に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（引用発明の認定に用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。以下同じ。）。 ＜引用発明＞ 「荷電粒子線装置であって、（【００１４】） 鏡筒１を備え、鏡筒１の中には上から順に、電子銃２、集束レンズ３、偏向器４、対物レンズ５の電子光学手段が配置されており、（【００１５】） 前記鏡筒１は試料室チャンバー７に取り付けられており、（【００１６】） 試料室のステージ台８上には、Ｙ軸方向に移動可能なＹステージ９が配置されており、Ｙステージ９の上には、Ｘ軸方向に移動可能なＸステージ１０が配置されており、（【００１７】） このＸステージ１０上には、試料ホルダ取付台１１と電気接点コネクタ（接続端子）１２が固定されており、電気接点コネクタ１２は、試料ホルダが取付台１１に取り付けられたときに、試料ホルダに固定されたホルダ端子と接続するものであり、（【００１７】） 試料室内には、Ｘ線検出器１３と２次電子検出器１４が配置されており、（【００１７】） 前記電気接点コネクタ１２はホルダ情報処理手段１８に接続されており、ホルダ情報処理手段１８は、ホルダ判定手段１９、ホルダ形状データ格納手段２０、分析位置データ格納手段２１、移動制限データ格納手段２２および観察位置検出手段２３を備えており、このホルダ情報処理手段１８は、表示処理手段２４と、キーボードとマウスを備えた入力指示手段２５と、分析処理手段２６に接続されており、（【００１９】） 分析処理手段２６は、自動分析制御手段２７、ステージ制御手段２８、光学顕微鏡制御手段２９、分析制御手段３０およびマニュアル分析制御手段３１を備えており、この分析処理手段２６は、表示処理手段３２と、キーボードとマウスを備えた入力指示手段３３と、前記Ｘステージ１０およびＹステージ９を移動させるＸ－Ｙステージ駆動手段３４と、前記電子光学手段と、前記検出器に接続されており、（【００２０】） 試料ホルダ３５には、５個の試料穴３６ａ～３６ｅが設けられており、これらの試料穴には、試料取付台３７を保持したアダプタ３８がそれぞれセットされており、試料３９ａ～３９ｅは試料取付台３７にセットされており、（【００２２】） 試料ホルダ３５の側面には、そのホルダの種類の情報を有するホルダ端子４０が固定されており、種類Ｂのホルダ端子４０においては、電気接点ピン４１がピン固定部○１～○４の○１と○３に固定されており、（【００２３】） 前記Ｘステージ１０に固定された電気接点コネクタ１２には、ホルダ端子４０のピン固定部○１～○４に対応する位置にピン穴○１’～○４’が設けられており、（【００２４】） 装置で使用される種類Ａ～Ｉの試料ホルダにおいては、電気接点ピン４１がピン固定部○１～○４の所定位置に固定されており、（【００２６】） 試料ホルダ３５が試料ホルダ取付台１１に取り付けられると、試料ホルダ３５のホルダ端子４０が電気接点コネクタ１２に接続され、種類Ｂの試料ホルダ３５が試料ステージ（Ｘステージ１０）に取り付けられたことを表す信号が、電気接点コネクタ１２からホルダ情報処理手段１８に送られ、（【００２９】） ホルダ情報処理手段１８のホルダ判定手段１９は、電気接点コネクタ１２からの信号に基づき、試料ステージに取り付けられた試料ホルダの種類がＢであると判定し、（【００３０】） 試料ホルダの種類が判定されると、ホルダ情報処理手段１８は、判定された試料ホルダＢに対応するホルダ形状データ（形状データＢ）をホルダ形状データ格納手段２０から読み出し、このホルダ形状データ格納手段２０には、種類Ａ～Ｉの各試料ホルダの形状データが格納されており、（【００３１】） オペレータが表示処理手段２４の画面上においてマニュアル分析を選択すると、マニュアル分析が選択されたことを表す信号が表示処理手段２４からホルダ情報処理手段１８に送られ、そしてオペレータは、入力指示手段２５を、電子線光軸Ｏ上に位置させたい位置Ｑを指定し、（【００４１】） このような位置指定が行われると、その位置指定の情報はホルダ情報処理手段１８の観察位置検出手段２３に送られ、観察位置検出手段２３はこの情報に基づき、その位置Ｑを電子線光軸Ｏ上に位置させるためのＸステージ移動量ｘqとＹステージ移動量ｙqを求め、（【００４２】） こうして、位置Ｑを電子線光軸Ｏ上に位置させるための試料ステージ移動量（ｘq，ｙq）が求められると、ホルダ情報処理手段１８は、種類Ｂの試料ホルダに対応する試料ステージの移動制限データ（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）を移動制限データ格納手段２２から読み出し、この移動制限データ格納手段２２には、種類Ａ～Ｉの各試料ホルダに対応して試料ステージの移動制限データが格納されており、この移動制限データは、それ以上試料ステージをＸＹ方向に移動させると試料ホルダが試料室側壁に衝突してしまう値を表しており、（【００４３】） ホルダ情報処理手段１８は、移動制限データ格納手段２２から移動制限データ（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）を読み出すと、その値と前記試料ステージ移動量（ｘq，ｙq）を比較し、ステージ移動量（ｘq，ｙq）が（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）よりも大きい場合には、その旨を表示処理手段２４の画面上に表示させて、ステージ制御の指示を行わず、（【００４４】） 分析制御手段３０は、電子線が分析位置Ｓを照射するように前記電子光学手段を制御するので、分析位置Ｓに電子線が照射される、（【００５１】） 荷電粒子線装置」 (イ) 引用文献２に記載された事項及び引用文献２技術事項の認定 ａ 引用文献２に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に発行された特開２００８－２７００７２号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。 (ａ) 【００３３】～【００３８】、【図１】～【図４】 「【００３３】 以下、本発明に係る荷電粒子ビーム装置の一実施形態を、図１から図４を参照して説明する。なお、本実施形態では、集束イオンビーム（ＦＩＢ）及び電子ビーム（ＥＢ）をそれぞれ照射することができる荷電粒子ビーム装置を例に挙げて説明する。 本実施形態の荷電粒子ビーム装置１は、図１に示すように、試料２が載置される試料台３と、該試料台３を変位させるステージ４と、試料２に対して荷電粒子ビームであるＦＩＢ及びＥＢを照射する照射機構５と、ＦＩＢ及びＥＢの照射によって発生した二次荷電粒子Ｅを検出する二次荷電粒子検出器（検出機構）６と、ＦＩＢが照射される試料２の表面付近にデポジション膜を形成する原料ガスＧを供給するガス銃７と、検出された二次荷電粒子Ｅに基づいて、試料２の画像データを生成すると共に該画像データを試料像として表示する表示部８を有する表示機構９とを備えている。 【００３４】 上記試料２は、真空試料室１０内に収納されており、該真空試料室１０内でＦＩＢ及びＥＢの照射や原料ガスＧの供給等が行われるようになっている。 上記ステージ４は、制御部１１の指示にしたがって作動するようになっており、本実施形態では試料台３を５軸で変位させることができるようになっている。即ち、ステージ４は、試料台３を水平面に平行で且つ互いに直交するＸ軸及びＹ軸と、これらＸ軸及びＹ軸に対して直交するＺ軸とに沿ってそれぞれ移動させるＸＹＺ移動機構４ｂと、試料台３をＺ軸回りに回転させるローテーション機構４ｃと、試料台３をＸ軸（又はＹ軸）回りに回転させるチルト機構４ａとから構成されている。 このように構成されたステージ４は、試料台３を５軸に変位させることで、試料２の特定位置をＦＩＢ及びＥＢが照射される測定ポイントに位置させることができるようになっている。 【００３５】 上記照射機構５は、測定ポイントに位置した試料２に対してＦＩＢを照射するＦＩＢ鏡筒１５と、ＥＢを照射するＳＥＭ鏡筒１６とから構成されている。ＦＩＢ鏡筒１５は、イオン発生源１５ａ及びイオン光学系１５ｂを有しており、イオン発生源１５ａで発生したイオンＣをイオン光学系１５ｂで細く絞ってＦＩＢにした後、試料２に向けて照射するようになっている。また、ＳＥＭ鏡筒１６は、電子発生源１６ａ及び電子光学系１６ｂを有しており、電子発生源１６ａで発生した電子Ｄを電子光学系１６ｂで細く絞って電子ビームＥＢとした後、照射するようになっている。 【００３６】 制御部１１は、上記各構成品を総合的に制御していると共に、二次荷電粒子検出器６で検出された二次荷電粒子Ｅを輝度信号に変換して画像データを生成した後、表示部８に出力している。これにより表示部８は、上述したように試料像を表示できるようになっている。即ち、制御部１１及び表示部８は、上記表示機構９を構成している。 また、制御部１１には、オペレータが入力可能な入力部１１ａが接続されており、該入力部１１ａによって入力された信号に基づいて各構成品を制御している。つまり、オペレータは、ステージ４を作動させて試料台３及び試料２を変位させたり、ＦＩＢやＥＢの照射タイミング、原料ガスＧの供給タイミング等をコントロールしたりすることができるようになっている。 【００３７】 また、本実施形態の荷電粒子ビーム装置１は、制御部１１内に、記憶部２０と変換部２１と判断部２２とを備えている。記憶部２０は、試料２の上方に配置される各構成品、即ち、ＦＩＢ鏡筒１５、ＳＥＭ鏡筒１６、二次荷電粒子検出器６及びガス銃７の三次元データをステージ座標系Ｗに関連付けた状態で予め記憶している。 変換部２１は、予め入力された試料２の三次元データを有しており、載置後の試料２の姿勢及び載置位置に基づいて、試料２の三次元データをステージ座標系Ｗに変換している。これら記憶部２０及び変換部２１については、後に詳細に説明する。 【００３８】 また判断部２２は、ステージ４を作動させて試料２の特定位置を測定ポイントに位置させる際に、変換部２１によって変換された試料２の三次元データと、記憶部２０に記憶された各構成品の三次元データとに基づいて、試料２と各構成品との位置関係をシミュレーションして、予め試料２が干渉するか否かを判断すると共に判断結果をオペレータに報知するようになっている。例えば、表示部８に判断結果を表示したり、音声で知らせたりするようになっている。」 「【図１】 ［図：0001406306000008.jpg］ 【図２】 ［図：0001406306000009.jpg］ 【図３】 ［図：0001406306000010.jpg］ 【図４】 ［図：0001406306000011.jpg］ 」 (ｂ) 【００３９】～【００４７】 「【００３９】 次に、このように構成された荷電粒子ビーム装置１により、試料２の観察を行う場合を説明する。 初めに、上述したように記憶部２０内には、ステージ４上に配置されている各構成品の三次元データがそれぞれステージ座標系Ｗに関連付けられた状態で予め記憶されている。つまり、この記憶部２０内に記憶されたデータによれば、図２に示すように、各構成品の立体的な外形輪郭線をそれぞれ正確に把握することができると共に、これら各構成品がステージ座標系Ｗのどの位置に配置されているかを正確に把握することができる。なお、図２に示すＰ１は、三次元座標が判明しているポイントであり、これら複数のポイントＰ１によって三次元データを構築している。 【００４０】 また、同様に変換部２１内には、測定対象物である試料２の三次元データが予め入力されているので、図３に示すように、試料２がどのような複雑な形状であったとしても、試料２の立体的な外形輪郭線を正確に把握することができる。なお、図３に示すＰ２は、図２に示すＰ１と同様に、三次元座標が判明しているポイントであり、これら複数のポイントＰ２によって三次元データを構築している。また本実施形態では、中央部分に段部が形成され、比較的凹凸がある試料２を例に挙げている。 【００４１】 まず、オペレータは、測定対象物である試料２を試料台３上に載置する。次に、試料２の三次元データをステージ座標系Ｗに変換する変換処理を変換部２１に行わせる。そのためには、試料２が試料台３上に、どのような姿勢で、どのような位置に載置されたかを知る必要がある。そこで、図４に示すように、試料２表面の少なくとも３点以上のポイント（アライメントポイント）Ｐ３にＦＩＢ又はＥＢを照射して、試料像によりこれら各ポイントＰ３のステージ座標系Ｗの座標データを確認する。なお、図４では、図示を簡略化するためガス銃７を各構成品の代表として図示している。 【００４２】 一方、試料２の三次元データの座標系によりこれら各ポイントＰ３の座標データも予めわかっているので、両座標データを比較することで、尺度を補正しながら変換処理を行うことができる。また、３点以上のポイントＰ３で測定を行っているので、傾き補正を行うこともできる。その結果、試料２の三次元データをステージ座標系Ｗにリンクさせることができ、実際にステージ４上に試料２を載置した様子を三次元データとして正確に認識することができる。つまり、図３で示したポイントＰ２を、ステージ座標系Ｗで表すことができる。 【００４３】 よって判断部２２は、変換部２１で変換されたデータと、記憶部２０に記憶されたデータとに基づいて、試料２と各構成品との相対的な位置関係を三次元的に正確に把握することができる。そこで、オペレータは、実際にステージ４を作動させて試料２の特定位置を測定ポイントに位置させる前に、干渉の有無を判断部２２にシミュレートさせる。これを受けて判断部２２は、試料２の特定位置を測定ポイントに位置させるまでの途中経路、及び、位置させた際に、各構成品に対して試料２が干渉するか否かをシミュレーションにより判断すると共に、その旨をオペレータに報知する。その結果、オペレータは、ステージ４を実際に作動させる前に、試料２が干渉してしまうか否かを事前に予測することができ、干渉を未然に防ぐことができる。 【００４４】 そして、干渉がないとの報知を受けた場合、オペレータは入力部１１ａを介してステージ４を作動させて実際に試料台３及び試料２を変位させる。つまりステージ４は、適宜ＸＹＺ軸の３方向に移動したり、Ｚ軸回りにローテーションしたり、Ｘ軸（又はＹ軸）回りにチルトしたりして、試料２の特定位置を測定ポイントに位置させる。続いて、ＦＩＢ鏡筒１５或いはＳＥＭ鏡筒１６より、ＦＩＢ或いはＥＢを特定位置に照射する。そして、二次荷電粒子検出器６は、ＦＩＢ或いはＥＢの照射によって発生した二次荷電粒子Ｅを検出すると共に、制御部１１に出力する。制御部１１は、送られてきた二次荷電粒子Ｅから画像データを生成して、表示部８に出力する。そして、表示部８は、その画像データを試料像として表示する。その結果、オペレータは、試料２の特定位置を観察することができる。 特に、本実施形態のステージ４は、試料台３をＸＹＺ移動機構４ｂ、ローテーション機構４ｃ及びチルト機構４ａによって５軸に変位させることができるので、複雑な形状をしている試料２であっても、特定位置を確実に測定ポイントに位置させることができる。 【００４５】 また、本実施形態では、観察だけでなく特定位置の修正を行うことも可能である。例えば、ＦＩＢの照射によって特定位置をエッチング加工して修正したり、ＦＩＢの照射と原料ガスＧの供給とによるガスアシスト法によってデポジション膜を堆積（デポジション加工）させたりして修正を行うことも可能である。 【００４６】 特に、従来ものとは異なり、干渉自体を未然に防ぐことができるので、試料２や各構成品が干渉により変形したり、破損したりすることがない。よって、オペレータにかかる負担を極力軽減することができると共に、メンテナンスに必要なコストを削減することができる。また、装置の信頼性を高めることができる。 更にステージ４を様々な状態に変位させた場合を想定して、事前に干渉の有無をシミュレーションできるので、使い易く、作業効率の向上に繋げることができる。また、従来のものとは異なり、試料２の種類に限定されることがない。このことからも、使い易く、利便性に優れている。 【００４７】 上述したように、本実施形態の荷電粒子ビーム装置１によれば、試料２の種類に関係なく、ステージ４を作動させる前に予め試料２との干渉を予測して、該干渉を未然に防ぐことができると共に、オペレータにかかる負担を極力軽減することができる。 (ｃ) 【００５０】 「【００５０】 また、判断部２２が干渉すると判断したときに、ステージ４をロックするように設計しても構わない。こうすることで、試料２の特定位置を測定ポイントに位置させる途中、或いは、位置させたときに干渉が生じると判断されたときにステージ４をロックできるので、誤ってオペレータがステージ４を作動させて干渉を招いてしまう恐れがない。よって、オペレータに安心して作業を行わせることができ、オペレータにかかる負担をさらに軽減させることができる。」 ｂ 引用文献２技術事項の認定 前記ａに摘記した引用文献２の記載事項を総合すると、引用文献２には次の技術事項（以下「引用文献２技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜引用文献２技術事項＞ 「集束イオンビーム（ＦＩＢ）及び電子ビーム（ＥＢ）をそれぞれ照射することができる荷電粒子ビーム装置において、（【００３３】） 荷電粒子ビーム装置１は、試料２が載置される試料台３と、該試料台３を変位させるステージ４と、試料２に対して荷電粒子ビームであるＦＩＢ及びＥＢを照射する照射機構５と、ＦＩＢ及びＥＢの照射によって発生した二次荷電粒子Ｅを検出する二次荷電粒子検出器（検出機構）６と、ＦＩＢが照射される試料２の表面付近にデポジション膜を形成する原料ガスＧを供給するガス銃７と、検出された二次荷電粒子Ｅに基づいて、試料２の画像データを生成すると共に該画像データを試料像として表示する表示部８を有する表示機構９とを備えており、（【００３３】） 上記照射機構５は、測定ポイントに位置した試料２に対してＦＩＢを照射するＦＩＢ鏡筒１５と、ＥＢを照射するＳＥＭ鏡筒１６とから構成されており、（【００３５】） 制御部１１及び表示部８は、上記表示機構９を構成しており、（【００３６】） 荷電粒子ビーム装置１は、制御部１１内に、記憶部２０と変換部２１と判断部２２とを備えており、記憶部２０は、試料２の上方に配置される各構成品、即ち、ＦＩＢ鏡筒１５、ＳＥＭ鏡筒１６、二次荷電粒子検出器６及びガス銃７の三次元データをステージ座標系Ｗに関連付けた状態で予め記憶しており、変換部２１は、予め入力された試料２の三次元データを有しており、載置後の試料２の姿勢及び載置位置に基づいて、試料２の三次元データをステージ座標系Ｗに変換しており、（【００３７】） 判断部２２は、ステージ４を作動させて試料２の特定位置を測定ポイントに位置させる際に、変換部２１によって変換された試料２の三次元データと、記憶部２０に記憶された各構成品の三次元データとに基づいて、試料２と各構成品との位置関係をシミュレーションして、予め試料２が干渉するか否かを判断すると共に判断結果をオペレータに報知するようになっており、（【００３８】） 判断部２２は、変換部２１で変換されたデータと、記憶部２０に記憶されたデータとに基づいて、試料２と各構成品との相対的な位置関係を三次元的に正確に把握することができ、（【００４３】） 判断部２２が干渉すると判断したときに、ステージ４をロックするように設計し、試料２の特定位置を測定ポイントに位置させる途中、或いは、位置させたときに干渉が生じると判断されたときにステージ４をロックすること（【００５０】）」 (ウ) 引用文献５～７に記載された事項及び周知技術の認定 ａ 引用文献５に記載された事項 原査定の拒絶査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の出願前に発行された特開２００５－１７１５９号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている。 (ａ) 【０００１】～【０００６】、【図２２】 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、被検査パターンの欠陥（ショートや断線など）や異物を検出するパターン検査、異物検査等の欠陥検査装置に係り、特に、半導体ウエハや液晶ディスプレイ、ホトマスクなどの被検査パターンの欠陥検査を行う欠陥検査装置に用いる検査レシピの設定を支援するための技術、及び検出された欠陥の分類技術に関する。 【０００２】 【従来の技術】 半導体製品寿命の短縮化と、システムＬＳＩを中心とする多品種生産体制への移行が進むなか、量産プロセス条件の早期確立への要求が一層強まっている。半導体製造の各工程において、外観を検査し、欠陥の発生状態に関する情報を取得し、プロセス条件の調整の指針を得る、あるいはプロセス状態の不具合を検知するためのツールとして検査装置は極めて重要である。既に実用化されている半導体外観検査装置としては、光学式異物検査装置、光学式、あるいは電子線式のパターン検査装置や欠陥レビュー装置がある。 【０００３】 以下、検査装置におけるパラメータ設定の手順を説明する。パラメータは画像の取得条件を設定するパラメータ（以下、画像取得パラメータ）と、画像処理条件（検査条件）を設定するパラメータ（以下、検査パラメータ）に大別される。画像取得パラメータは、適正な画像を検出するためのパラメータであり、例えば、光学式の外観検査装置であれば、検出倍率（画素サイズ）、焦点位置のオフセット量、照明波長および光量、各種フィルタ設定条件、開口絞り等の光学条件がこれに相当する。検査パラメータは、検出した画像を適正に処理するために、設定が必要なパラメータである。例えば、検出した画像から、欠陥部のみを２値化抽出するための２値化しきい値や、欠陥とは関係ない微小な面積の領域をノイズとして除去するノイズ除去サイズしきい値、エッジにおける感度低下パラメータなどがこれに相当する。 【０００４】 従来、この種の検査装置は、図２２に示すような検査パラメータ設定手順を実施していた。以下説明する。 【０００５】 始めに検査対象ウエハを準備、セットする（Ｓ２１０１）。暫定的に画像取得パラメータを設定し（Ｓ２１０２）、被検査パターンの適当な場所の画像を撮像し、画質の確認を行う（Ｓ２１０３）。例えば、画像が暗ければ光量を上げ、画像のコントラストが低ければ、フィルタや絞りなどの光学条件を変え、あるいはフォーカスの調整などを行う。以上のパラメータの設定と画質の確認を所望の画像が得られるまで繰り返し、得られた段階で、画像取得パラメータを登録する（Ｓ２１０４）。続いて暫定的に設定した検査パラメータを用いて（Ｓ２１０５）、仮検査（試し検査）を実行する（Ｓ２１０６）。検査実行後、検出欠陥位置を確認（レビュー）し（Ｓ２１０７）、検査パラメータの設定状態を検証する（Ｓ２１０８）。例えば、虚報が想定以上に多数検出されるような場合は、感度が高すぎるようであれば２値化しきい値を上げる、必要以上に微小な欠陥が多い場合はノイズ除去サイズを大きくする、などの対応が考えられる。 【０００６】 以上述べた、検査パラメータの再設定、試し検査再実行、検査結果再確認の各操作を、所望の検出感度が得られるまで繰り返し実行することによって、検査パラメータの設定が完了、パラメータを登録する（Ｓ２１０９）。」 「 ［図：0001406306000012.jpg］ 」 (ｂ) 【００２１】 「【００２１】 【発明の実施の形態】 本発明に係る欠陥検査装置（外観検査装置）の実施の形態について図面を用いて説明する。本実施の形態では、欠陥検査装置における被検査パターンの画像取得パラメータ（画像取得条件：光学条件）、および検査パラメータ（検査条件）からなる検査レシピの設定を容易化する。」 ｂ 引用文献６に記載された事項 原査定の拒絶査定で周知技術を示す文献として引用され、本願の出願前に発行された特開２００５－１１４３８４号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の事項が記載されている。 (ａ) 【００３１】～【００４１】、【図７】 「【００３６】 図７は、本発明における元素分析装置の一実施形態を示す構成図である。WFは半導体ウェハ、EBは電子ビーム、1は電子源、2は電子光学系、3は走査型電子顕微鏡を用いた撮像装置、4,5は検出器、6は半導体Ｘ線検出器、7はＸ－Ｙステージ、8はモニタ、9はコンピュータ、10は制御装置、11はモニタ、12はコンピュータ、13は二次電子、14は反射電子、15は特性Ｘ線、16はコンピュータ、17は計算条件取得部、18はＥＤＸ条件算出部、19はモニタである。この実施形態は、図６におけるレビュー・解析装置21に相当する。 【００３７】 同図において、電子源1と電子光学系2と検出器4、5と半導体Ｘ線検出器6とＸ－Ｙステージ7とがＳＥＭを構成しており、これをＸ－Ｙステージ7に搭載された半導体ウェハWFの撮像装置3として用いるものである。 【００３８】 レビューや元素分析の対象となる半導体ウェハWFはＸ－Ｙステージ7に搭載される。Ｘ－Ｙステージ7は、コンピュータ9からの制御信号を基に、制御装置10によりＸ、Ｙ方向に移動制御される。ＳＥＭを用いた撮像装置3は、Ｘ－Ｙステージ7に固定された半導体ウェハWFを拡大撮像する。すなわち、電子源1から発射された電子ビームEBは、電子光学系2によって収束され、スキャンされることにより、測定対象の半導体ウェハWFに照射され、この照射によって半導体ウェハWFから得られる二次電子13や反射電子14が夫々検出器4、5で検出され、コンピュータ9で処理されて半導体ウェハWFのＳＥＭ像が生成される。 このＳＥＭ画像はモニタ8で観察することができる。半導体Ｘ線検出器6は、電子ビームEBの照射によって半導体ウェハWFの欠陥から放出される特性Ｘ線15を検出し、これを電気信号に変換する。この電気信号はコンピュータ12で処理され、スペクトルとしてモニタ11に表示される。撮像装置3では、Ｘ－Ｙステージ7の位置制御を行うことにより、半導体ウェハWF上の任意の位置を・分析することができる。 【００３９】 上記構成において、先ずユーザは計算条件取得部17において、表面膜の材質や膜厚、密度、欠陥に含有されることが想定される元素、すなわち表面膜の材質と分別したい元素、および元素分析の対象とする欠陥の最小サイズ等を入力する。 【００４０】 ＥＤＸ条件算出部18では、前記入力された条件に応じて、元素分析に好適な加速電圧を算出する。 【００４１】 該ＥＤＸ条件算出部18で算出された加速電圧の値はコンピュータ9に送られる。コンピュータ9は、電子光学系2の図示していない電源を制御して前記算出された加速電圧値を設定する。このように加速電圧が設定された条件下で電子光学系2により試料に電子ビームを照射し、試料および欠陥部から放出される特性Ｘ線15を半導体Ｘ線検出器6で検出し、元素分析が行われる。」 「【図７】 ［図：0001406306000013.jpg］ 」 (ｂ) 【００６１】～【００８１】、【図１１】～【図１２】 「【００６１】 次に、ＥＤＸ条件算出部18の実施形態について説明する。 【００６２】 前述したように、ＥＤＸ条件算出は、計算条件取得部より取得された条件より、シミュレーションを行うことにより分析に好適な加速電圧を算出する。シミュレーションの手法は、入射する電子一つ一つの散乱過程やエネルギ損失過程等を乱数を用いて確率的に求め、これを多数の電子について計算することにより全体の様子を推定するモンテカルロ法による手法を用いることができる。 …（中略）… 【００６７】 ここで、特性Ｘ線のエネルギを複数有する元素も存在するが、高エネルギの特性Ｘ線を対象とすると、照射するEBの加速電圧も大きくする必要があり、空間分解能が悪くなると共に試料ダメージが大きくなるため、低エネルギの特性Ｘ線を優先して検討対象とする。次に、シミュレーションにより、前記説明した分析に好適な加速電圧を決定する手法の第一の実施例について図１１を用いて説明する。 …（中略）… 【００７３】 次にSTEP105にて、シミュレーションに用いた加速電圧が、シミュレーションを終了する最終の値であるか判断する。該値は、分析装置の最大の加速電圧値としてもよく、別の入力手段により予めユーザが登録してもよい。 …（中略）… 【００７６】 加速電圧が終了値である場合は、STEP107にて欠陥として分別したい元素でまだシミュレーションをしていない元素があるかどうかを判断し、ある場合はSTEP108にて欠陥の元素を他の分別対象とする元素に設定し、STEP102から繰り返す。 【００７７】 また、すべての分別対象とする元素についてシミュレーションが終了した場合はSTEP109にて結果を表示する。 【００７８】 結果表示の実施例について、図１２に示す。表示画面には、品種名や工程名、検出最小サイズなど、該シミュレーションの条件取得部で設定された条件が表示される。グラフは、シミュレーションを実施した加速電圧を横軸とし、該加速電圧における特性Ｘ線評価値を縦軸とした二次元グラフである。 …（中略）… 【００８１】 この表示より得られた加速電圧を、分析時の加速電圧として装置に設定するか、あるいはレシピに設定することにより、該品種・工程での膜下欠陥の元素分析を分析に好適な加速電圧にて行うことができる。」 「【図１１】 ［図：0001406306000014.jpg］ 【図１２】 ［図：0001406306000015.jpg］ 」 ｃ 引用文献７に記載された事項 本審決で新たに引用され、本願の出願前に発行された特開２００４－２０５４２７号公報（以下「引用文献７」という。）には、以下の事項が記載されている。 (ａ) 【請求項１】 「【請求項１】 複数のユーザ情報に対応させて複数の分析条件を記録する分析条件記録部と、入力されたユーザ認証情報に基づいてユーザ情報を特定する照合部と、特定されたユーザ情報に対応する分析条件を前記分析条件記録部から抽出する分析条件読出設定部と、抽出された分析条件を表示するモニタと、表示された分析条件に基づいて分析条件が設定される分析条件設定部とを備えたことを特徴とする分析装置。」 (ｂ) 【０００１】～【０００４】 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、試料の観察や分析を行う分析装置、および分析条件設定方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】 医用分析装置、理化学分析装置、電子顕微鏡などによる試料の観察や分析を行う装置では、観察や分析を適切に行うために、分析条件を前もって設定する必要がある。 【０００３】 分析条件には、装置の各種設定パラメータがあり、例えば、走査形電子顕微鏡における観察条件を、試料の特性に応じて分析装置が自動的に決定するのではなく、ユーザすなわち操作者の意思で決められる条件と組合わせて、決定する技術が知られている（例えば、特開２００１－３３８６０３号公報参照）。一方、分析装置を使用するユーザはそれぞれの目的を持っており、その目的によって装置に設定すべき条件は異なってくる。 【０００４】 分析装置は高価なため、複数の人が共用して使用することが普通に行われている。そうすると、複数人の複数の目的に対応した条件が登録され、その中から自分の分析にあった条件を選び出すことは非常に困難になってくる。上記技術では、ユーザに応じて分析装置を最適化するという点が配慮されておらず、ユーザにお仕着せの分析条件での測定を強いるという問題点があった。」 (ｃ) 【０００６】～【０００８】 「【０００６】 【発明が解決しようとする課題】 本発明の目的は、分析装置を使用する際に、ユーザ毎の目的にあった分析条件を選択し設定する作業を容易にすることにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するために、分析条件の登録はユーザ毎に行う。従来ユーザの正当性を確認するために用いられているユーザ認証作業の結果得られるユーザを特定する情報を使用して、登録された分析条件メニューを表示する際、前記ユーザが予め登録した分析条件メニューのみを表示してその中から当該分析に必要な分析条件を選ばせ、直ちに選んだ条件を分析装置に設定するようにしたものである。 【０００８】 更に、前記分析条件はそれを登録した当該ユーザにより自由に変更でき、新たな分析条件として登録することを可能にしたものである。」 ｄ 周知技術１の認定 前記ａ及びｂで摘記した引用文献５及び６の記載によれば、以下の内容は本願出願時における周知技術（以下「周知技術１」という。）であると認められる。 ＜周知技術１＞ 「電子線装置を用いて検査や分析を行うに際して、電子線装置のパラメータのレシピを登録すること」 ｅ 周知技術２の認定 前記ｃで摘記した引用文献７の記載によれば、以下の内容は本願出願時における周知技術（以下「周知技術２」という。）であると認められる。 ＜周知技術２＞ 「電子顕微鏡において、ユーザ毎の目的にあった分析条件を選択し設定する作業を容易にするために、複数のユーザ情報に対応させて複数の分析条件を記録する分析条件記録部と、入力されたユーザ認証情報に基づいてユーザ情報を特定する照合部と、特定されたユーザ情報に対応する分析条件を前記分析条件記録部から抽出する分析条件読出設定部と、抽出された分析条件に基づいて分析条件が設定される分析条件設定部とを備えるようにすること、また、前記分析条件はそれを登録した当該ユーザにより自由に変更でき、新たな分析条件として登録することを可能にすること」 ウ 対比 (ア) 対比分析 本件補正発明と引用発明を対比する。 ａ 引用発明の「荷電粒子線装置」は、本件補正発明の「荷電粒子ビーム装置」に相当する。 ｂ(ａ) 引用発明の「試料３９ａ～３９ｅ」は、本件補正発明の「試料」に相当する。 (ｂ) 引用発明の「試料ホルダ３５」には、「５個の試料穴３６ａ～３６ｅが設けられており、これらの試料穴には、試料取付台３７を保持したアダプタ３８がそれぞれセットされており、試料３９ａ～３９ｅは試料取付台３７にセットされて」いるから、引用発明の「試料ホルダ３５」は、本件補正発明の「試料が載置される試料ホルダ」に相当する。 (ｃ) 引用発明の「Ｙステージ９」及びＹステージの上に配置されている「Ｘステージ１０」は、「Ｘステージ１０上には、試料ホルダ取付台１１…が固定されて」おり、「試料ホルダ３５が試料ホルダ取付台１１に取り付けられる」のであるから、前記(ｂ)も踏まえると、本件補正発明の「試料が載置される試料ホルダを支持するステージ」に相当する。 ｃ 引用発明の「前記Ｘステージ１０およびＹステージ９を移動させるＸ－Ｙステージ駆動手段３４」は、本件補正発明の「前記ステージを駆動するステージ駆動機構」に相当する。 ｄ 引用発明は「試料室のステージ台８上には、Ｙ軸方向に移動可能なＹステージ９が配置されており、Ｙステージ９の上には、Ｘ軸方向に移動可能なＸステージ１０が配置されて」いるものであるから、引用発明の「試料室」は、本件補正発明の「前記ステージが収容される試料室」に相当する。 ｅ(ａ) 引用発明は、「分析制御手段３０は、電子線が分析位置Ｓを照射するように前記電子光学手段を制御するので、分析位置Ｓに電子線が照射される」ものであるところ、電子線が照射される分析位置Ｓが試料上の位置であることは明らかである。 (ｂ) そして、前記(ａ)の「前記電子光学手段」は、鏡筒１の中に配置されているから、引用発明の「鏡筒１」は、本件補正発明の「前記試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒」に相当する。 ｆ 引用発明の「２次電子検出器１４」は２次電子を検出するものであるところ、２次電子が電子線の照射によって試料から発生するものであることは技術常識であるから、引用発明の「２次電子検出器１４」は、本件補正発明の「前記電子ビームの照射によって前記試料から発生する」「二次電子を検出する検出器」に相当する。 ｇ(ａ) 引用発明の「ホルダの種類の情報」は、「試料ホルダ３５の側面」に「固定されて」いる「ホルダ端子４０」が有するものであるから、本件補正発明の「前記試料ホルダに付された識別情報」に相当する。 (ｂ) 引用発明は、「電気接点コネクタ１２には、ホルダ端子４０のピン固定部○１～○４に対応する位置にピン穴○１’～○４’が設けられており、装置で使用される種類Ａ～Ｉの試料ホルダにおいては、電気接点ピン４１がピン固定部○１～○４の所定位置に固定されており、試料ホルダ３５が試料ホルダ取付台１１に取り付けられると、試料ホルダ３５のホルダ端子４０が電気接点コネクタ１２に接続され、種類Ｂの試料ホルダ３５が試料ステージ（Ｘステージ１０）に取り付けられたことを表す信号が、電気接点コネクタ１２からホルダ情報処理手段１８に送られ」るものであるから、電気接点コネクタ１２は、種類Ｂの試料ホルダ３５であること、すなわち、ホルダの種類の情報を読み取っているといえる。そうすると、前記(ａ)も踏まえると、引用発明の「電気接点コネクタ１２」は、本件補正発明の「前記試料ホルダに付された識別情報を読み取る読取部」に相当する。 ｈ(ａ) 引用発明の「種類Ａ～Ｉの各試料ホルダの形状データ」は、「試料ホルダの種類が判定されると、ホルダ情報処理手段１８は、判定された試料ホルダＢに対応するホルダ形状データ（形状データＢ）をホルダ形状データ格納手段２０から読み出」すとの動作を考慮すれば、試料ホルダの種類Ａ～Ｉの情報、すなわち識別情報（前記ｇ(ａ)参照）に対応づけられた各試料ホルダの形状データであることは明らかであるから、本件補正発明の「前記識別情報と前記試料ホルダの形状との対応関係を示すホルダ形状情報」に相当する。 (ｂ) 引用発明の「ホルダ形状データ格納手段２０」には、「種類Ａ～Ｉの各試料ホルダの形状データが格納されて」いるから、前記(ａ)の検討も踏まえると、本件補正発明の「前記識別情報と前記試料ホルダの形状との対応関係を示すホルダ形状情報と、前記試料室の内部構造物の形状情報である設計情報とを記憶する記憶部」と、引用発明の「ホルダ形状データ格納手段２０」は、「前記識別情報と前記試料ホルダの形状との対応関係を示すホルダ形状情報」「を記憶する記憶部」である点で共通する。 ｉ(ａ) 引用発明の「ホルダ情報処理手段１８」は、「移動制限データ格納手段２２から移動制限データ（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）を読み出すと、その値と前記試料ステージ移動量（ｘq，ｙq）を比較し、ステージ移動量（ｘq，ｙq）が（Ｘ＝ｘB，Ｙ＝ｙB）よりも大きい場合には、その旨を表示処理手段２４の画面上に表示させて、ステージ制御の指示を行わ」ないものであるから、試料ホルダを支持する（前記ｂ(ｃ)参照）ステージの駆動を制限する機能を有するものであるといえる。 (ｂ) そうすると、本件補正発明の「前記読取部が読み取った前記識別情報と前記ホルダ形状情報とから得られる前記試料ホルダの形状と、前記内部構造物の形状とに基づいて、前記試料ホルダを支持する前記ステージの駆動範囲を制限するステージ駆動範囲制限部」と、引用発明の「ホルダ情報処理手段１８」は、「前記試料ホルダを支持する前記ステージの駆動」「を制限するステージ駆動」「制限部」である点で共通する。 (イ) 一致点及び相違点 前記(ア)の対比分析の結果をまとめると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、それぞれ次のａ及びｂに示すとおりである。 ａ 一致点 「試料が載置される試料ホルダを支持するステージと、 前記ステージを駆動するステージ駆動機構と、 前記ステージが収容される試料室と、 前記試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、 前記電子ビームの照射によって前記試料から発生する二次電子を検出する検出器と、 前記試料ホルダに付された識別情報を読み取る読取部と、 前記識別情報と前記試料ホルダの形状との対応関係を示すホルダ形状情報を記憶する記憶部と、 前記試料ホルダを支持する前記ステージの駆動を制限するステージ駆動制限部と、 を備える荷電粒子ビーム装置」である点。 ｂ 相違点 (ａ) 相違点１ 本件補正発明は、「前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒」を備えるのに対して、引用発明は、当該集束イオンビーム鏡筒を備えていない点。 (ｂ) 相違点２ 本件補正発明は、記憶部が「前記試料室の内部構造物の形状情報である設計情報」を記憶し、ステージ駆動「範囲」制限部が「前記読取部が読み取った前記識別情報と前記ホルダ形状情報とから得られる前記試料ホルダの形状と、前記内部構造物の形状と」に基づいてステージの駆動「範囲」を制限するのに対して、引用発明は、ホルダ形状データ格納手段２０が当該設計情報を記憶しておらず、ホルダ情報処理手段１８は移動制限データ格納手段２２から読み出した移動制限データに基づいてステージの移動を制限するものであり、また、ステージの移動を制限するものの、駆動「範囲」を制限するものではない点。 (ｃ) 相違点３ 本件補正発明は、「荷電粒子ビーム装置のオペレータを識別するオペレータ情報を取得するオペレータ情報取得部」を備え、「前記荷電粒子ビーム装置のコンピュータは、前記荷電粒子ビーム装置の前記オペレータ情報によって識別されるオペレータが登録したレシピの情報を利用することによって、前記荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う」のに対して、引用発明は、当該オペレータ情報取得部を備えておらず、また、当該レシピの情報を利用することによって荷電粒子線装置の動作の設定を行ってもいない点。 エ 判断 (ア) 相違点１及び２についての判断 前記相違点１及び２について併せて検討する。 ａ 引用発明は、「荷電粒子線装置」に係るものであって、試料ホルダが試料室側壁に衝突するのを防ぐものであるところ、「荷電粒子線装置」としては、引用発明において特定されたような「電子銃２」を含む「電子光学手段」、つまり、電子ビームを照射する装置を含むもののほか、集束イオンビームを照射する装置をも含む態様が例示するまでもなく技術常識であることから、引用発明から出発した当業者は、上記の２種類のビームを照射する態様においても、試料ホルダが試料室側壁に衝突するのを防ぐように構成する動機をもつことができるといえる。 そして、上記の動機をもった当業者は、引用発明と同じく荷電粒子線装置の技術分野に属する引用文献２技術事項に接することができる。しかるに、当該技術事項は、前記「測定ポイントに位置した試料２に対してＦＩＢを照射するＦＩＢ鏡筒１５と、ＥＢを照射するＳＥＭ鏡筒１６とから構成」される「照射機構５」を備えた「集束イオンビーム（ＦＩＢ）及び電子ビーム（ＥＢ）をそれぞれ照射することができる荷電粒子ビーム装置１」において、「試料２」と「試料２の上方に配置される」「各構成品との位置関係をシミュレーションして、予め試料２が干渉するか否かを判断する」とともに、「判断部２２が干渉すると判断したときに、ステージ４をロックするように設計し、試料２の特定位置を測定ポイントに位置させる途中、或いは、位置させたときに干渉が生じると判断されたときにステージ４をロックでする」ものであって、当該シミュレーションを「予め入力された試料２の３次元データ」を「ステージ座標系Ｗに変換」し、「変換された試料２の三次元データ」と、「記憶部２０に記憶された各構成品の三次元データ」とに基づいて行うことにより、「試料２と各構成品との相対的な位置関係を三次元的に正確に把握すること」ができるものである。 このように、引用発明から出発した上記動機をもった当業者は引用文献２技術事項に接することができるところ、上記当業者からみれば、引用発明と引用文献２技術事項は、試料ホルダと試料との相違、及び試料室側壁と荷電粒子装置内の構成品との相違こそあれ、荷電粒子線装置において、両者が干渉する場合にはステージ移動を制限する点で共通の作用を有するものであるのが明らかであることから、上記当業者は、引用発明においても、試料室側壁に限らず、試料ホルダの上方に配置される各構成品と衝突しないようにすることが好ましいこと、また、そのために、試料ホルダと各構成品との相対的な位置関係を三次元的に正確に把握することが好ましいことをたやすく認識できるといえる。 したがって、引用発明から出発した当業者は、引用文献２技術事項を参酌して、荷電粒子線装置として、電子ビームを照射する装置のみならず、集束イオンビームを照射する装置とするとともに、試料ホルダと各構成品との相対的な位置関係を三次元的に正確に把握して、試料ホルダの上方に配置される各構成品とも衝突しないようにするために、ホルダ情報処理手段１８によるステージ移動の制限を、移動制限データ格納手段２２に格納された種類Ａ～Ｉの各試料ホルダに対応する移動制限データに基づいて行うことに代えて、種類Ａ～Ｉの各試料ホルダに対応する試料ホルダの三次元データと、記憶部に記憶された各構成品の三次元データに基づいて行うようにすることは、当業者が容易になし得たことである。 また、ステージ移動の制限の態様についても引用文献２技術事項を参酌して、ステージ制御の指示を行わないことに代えて、試料の位置Ｑを電子線光軸Ｏ上に位置させる途中にステージをロックすることは、当業者が適宜なし得る設計変更に過ぎない。 ｂ そこで、以上のとおりにして得られた構成（以下「容易想到構成１」という。）と、相違点１及び２に係る本件補正発明の構成との対応関係を検討する。 (ａ) 容易想到構成１においては、集束イオンビームを照射するために「ＦＩＢ鏡筒１５」を設けることとなり、これが相違点１に係る本件補正発明の「前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒」に相当する。 (ｂ) 容易想到構成１の「試料ホルダの三次元データ」及び「各構成品の三次元データ」はそれぞれ、相違点２に係る本件補正発明の「試料ホルダの形状」及び「内部構造物の形状」に相当する。 (ｃ) 容易想到構成１における「試料ホルダの三次元データ」は、「ホルダ形状格納手段２０」に格納されることがごく自然であるところ、前記ウ(ア)ｈの対比分析をも踏まえると、「ホルダ形状格納手段２０」には、試料ホルダの種類Ａ～Ｉの情報、すなわち識別情報に対応づけられた試料ホルダの三次元データ、すなわちホルダ形状情報が格納されることとなる。このとき、容易想到構成１の「ホルダ形状情報格納手段２０」及び「各構成品の三次元データ」を記憶する「記憶部」の両者を合わせたものが、相違点２に係る本件補正発明の「前記識別情報と前記試料ホルダの形状との対応関係を示すホルダ形状情報と、前記試料室の内部構造物の形状情報である設計情報とを記憶する記憶部」に相当する。 なお、この相当関係のうちホルダ形状情報については前記ウ(ア)ｈで認定されるとともに本件補正発明と引用発明との一致点としても認定されているが、引用発明から容易想到構成１への変更によって、一致点が相違点になることはない。 (ｄ) 前記(ｂ)の「試料ホルダの三次元データ」は、容易想到構成１の試料ホルダの種類Ａ～Ｉの情報、すなわち識別情報が電気接点コネクタ１２、すなわち読取部が読み取るものである（前記ウ(ア)ｇ）ことと、前記(ｂ)を考慮すると、相違点２に係る本件補正発明の「前記読取部が読み取った前記識別情報と前記ホルダ形状情報とから得られる前記試料ホルダの形状」に相当することとなる。 (ｅ) 容易想到構成１では「ホルダ情報処理手段１８」が「試料の位置Ｑを電子線光軸Ｏ上に位置させる途中にステージをロックする」こととなり、このことは、相違点２に係る本件補正発明の「ステージ駆動範囲制限部」が「ステージの駆動範囲を制限する」ことに相当する。 (ｆ) 前記(ａ)～(ｅ)から、容易想到構成１は、相違点１に係る本件補正発明の「前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒」を備えるとの構成と、相違点２に係る本件補正発明の、記憶部が「前記試料室の内部構造物の形状情報である設計情報」を記憶するとの構成、及び、ステージ駆動範囲制限部が「前記読取部が読み取った前記識別情報と前記ホルダ形状情報とから得られる前記試料ホルダの形状と、前記内部構造物の形状と」に基づいてステージの駆動「範囲」を制限するとの構成を満たすこととなる。 (イ) 相違点３についての判断 ａ 前記イ(ウ)ｄ及びｅで周知技術１及び２として認定したとおり、「電子線装置を用いて検査や分析を行うに際して、電子線装置のパラメータのレシピを登録すること」及び「電子顕微鏡において、ユーザ毎の目的にあった分析条件を選択し設定する作業を容易にするために、複数のユーザ情報に対応させて複数の分析条件を記録する分析条件記録部と、入力されたユーザ認証情報に基づいてユーザ情報を特定する照合部と、特定されたユーザ情報に対応する分析条件を前記分析条件記録部から抽出する分析条件読出設定部と、抽出された分析条件に基づいて分析条件が設定される分析条件設定部とを備えるようにすること、また、前記分析条件はそれを登録した当該ユーザにより自由に変更でき、新たな分析条件として登録することを可能にすること」はいずれも、本願出願時における周知技術である。 ここで、周知技術１に関して、レシピを登録することは、登録されたレシピの情報を利用することによって電子線装置のパラメータの設定を行うことが前提となっていることは技術常識である。 そして、引用発明においても、登録されたレシピの情報を利用することによって電子線装置のパラメータの設定を行うことや、その際に、ユーザ毎の目的にあった分析条件、すなわちレシピを選択し設定する作業を容易にすることが望ましいことは当業者には明らかであるから、引用発明に対して前記周知技術１及び２を適用して、登録されたレシピの情報を利用することによって電子線装置のパラメータの設定をするとともに、複数のユーザ情報に対応させて複数の分析条件を記録する分析条件記録部と、入力されたユーザ認証情報に基づいてユーザ情報を特定する照合部と、特定されたユーザ情報に対応する分析条件を前記分析条件記録部から抽出する分析条件読出設定部と、抽出された分析条件に基づいて分析条件が設定される分析条件設定部とを備えるようにすること、また、前記分析条件はそれを登録した当該ユーザにより自由に変更でき、新たな分析条件として登録することを可能にすることは当業者が容易になし得たことである。 ｂ(ａ) このとき、引用発明に対して前記周知技術１及び２を適用した構成（以下「容易想到構成２」という。）における「ユーザ情報」が相違点３に係る本件補正発明の「オペレータ情報」に相当し、容易想到構成２における「入力されたユーザ認証情報に基づいてユーザ情報を特定する照合部」が相違点３に係る本件補正発明の「荷電粒子ビーム装置のオペレータを識別するオペレータ情報を取得するオペレータ情報取得部」に相当するから、容易想到構成２は、相違点３に係る本件補正発明の「荷電粒子ビーム装置のオペレータを識別するオペレータ情報を取得するオペレータ情報取得部」を備えるとの構成を満たすこととなる。 (ｂ) また、容易想到構成２における、分析条件記録部に「複数のユーザ情報に対応させて」記録された「複数の分析条件」は、「前記分析条件はそれを登録した当該ユーザにより自由に変更でき、新たな分析条件として登録すること」、すなわち、分析情報はユーザが登録したものであることを勘案すれば、相違点３に係る本件補正発明の「前記荷電粒子ビーム装置の前記オペレータ情報によって識別されるオペレータが登録したレシピの情報」に相当する。 さらに、容易想到構成２における「特定されたユーザ情報に対応する分析条件を前記分析条件記録部から抽出」し、「抽出された分析条件に基づいて分析条件が設定される」ことは、分析条件の設定は装置のコンピュータが行うことは技術常識であることを勘案すれば、相違点３に係る本件補正発明の「前記荷電粒子ビーム装置のコンピュータ」が、当該「レシピの情報を利用することによって、前記荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う」ことに相当するから、容易想到構成２は、相違点３に係る本件補正発明の「前記荷電粒子ビーム装置のコンピュータは、前記荷電粒子ビーム装置の前記オペレータ情報によって識別されるオペレータが登録したレシピの情報を利用することによって、前記荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う」との構成を満たすこととなる。 (ウ) 総合検討 前記相違点１～３を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する効果は、本件補正発明の構成が奏するものとして、引用発明、引用文献２技術事項並びに周知技術１及び２からは予測困難な効果であり、かつ、格別顕著な効果であるとはいえない。 したがって、本件補正発明は、引用発明、引用文献２技術事項並びに周知技術１及び２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 (エ) 請求人の主張に対する判断 請求人は、原査定で引用された各引用文献には、相違点３に係る本件補正発明の構成が記載されておらず、仮に、引用文献５～６に「オペレータが登録したレシピの情報を利用する」といったことが記載されているとしても、「オペレータが登録したレシピの情報」がオペレータごとに異なる場合があるという本件補正発明１の前提の認識が開示されておらず、「オペレータ情報取得部が取得したオペレータ情報によって識別されるオペレータが登録したレシピの情報」を利用することによって荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う、という点については、記載も示唆もされていない旨を主張している。 しかしながら、相違点３に係る本件補正発明の構成とすることが、引用発明に周知技術１及び２を適用することにより容易になし得たことであることは前記(イ)で検討したとおりであるから、請求人の主張は採用できない。 オ 独立特許要件についての当審の判断のまとめ 以上検討のとおり、本件補正発明は、引用発明、引用文献２技術事項並びに周知技術１及び２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 (３) 本件補正の適否についての当審の判断のまとめ 前記(２)に示したとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法１７条の２第６項で準用する同法１２６条７項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（前記第２の１(１)参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の拒絶の理由のうち、本願発明についての理由１（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。 理由１ （進歩性の欠如） 本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術事項及び引用文献５～６に例示される周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 １．特開２００１－７６６６１号公報 ２．特開２００８－２７００７２号公報 ５．特開２００５－０１７１５９号公報（周知技術を示す文献） ６．特開２００５－１１４３８４号公報（周知技術を示す文献） ３ 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 各引用文献に記載された事項と、引用発明、引用文献２技術事項並びに周知技術１及び２の認定は、前記第２の２(２)イにおいて示したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、本件補正発明に対して、 荷電粒子ビーム装置について、「荷電粒子ビーム装置のオペレータを識別するオペレータ情報を取得するオペレータ情報取得部」を備えるとの限定を省くと共に、 荷電粒子ビーム装置のコンピュータが、荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う際に利用する、オペレータが登録したレシピの情報について、「オペレータ情報によって識別される」レシピの情報との限定を省いた、 ものである。 (１) そして、本願発明の発明特定事項を全て含み、当該発明特定事項の一部を限定したものに相当する本件補正発明が、前記第２の２(２)において説示したとおり、引用発明、引用文献２技術事項並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同様の理由により、本願発明も、引用発明、引用文献２技術事項並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 (２) さらには、前記第２の２(２)イ(ウ)で、原査定で引用された引用文献５～６に例示される周知技術１として認定したとおり、「電子線装置を用いて検査や分析を行うに際して、電子線装置のパラメータのレシピを登録すること」は、本願出願時における周知技術であり、レシピを登録することは、登録されたレシピの情報を利用することによって電子線装置のパラメータの設定を行うことが前提となっていることは技術常識であることも前記第２の２(２)エ(イ)ａで説示したとおりである。 してみると、本願発明の「前記荷電粒子ビーム装置のコンピュータは、前記荷電粒子ビーム装置のオペレータが登録したレシピの情報を利用することによって、前記荷電粒子ビーム装置の動作の設定を行う」との構成とすることは、本審決で新たに引用された引用文献７に例示される周知技術２を適用するまでもなく、引用発明に周知技術１を適用することによっても当業者が容易になし得たものであるともいえるから、本願発明は引用発明、引用文献２技術事項及び周知技術１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえる。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。