2020-000652

特願２０１６－５６６７３６号「複数の荷電粒子ビームを用いてサンプルを検査するための装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月１２日国際公開、ＷＯ２０１５／１７０９６９号、平成２９年６月８日国内公表、特表２０１７－５１５２８３号〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１５年（平成２７年）４月２３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１４年（平成２６年）５月８日　オランダ）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２８年１２月２１日　　：翻訳文（特許請求の範囲、明細書及び図面 ）提出 平成３１年　２月２１日付け：拒絶理由通知書 令和元年　９月　５日　　：意見書の提出 令和元年　９月１０日付け：拒絶査定（謄本発送　同年同月１７日 以下「原査定」という。） 令和２年　１月１７日　　：審判請求書、手続補正書の提出 第２　令和２年１月１７日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和２年１月１７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １．本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、補正前の平成２８年１２月２１日に提出された翻訳文の特許請求の範囲（以下「本件補正前の特許請求の範囲」という。）の請求項１を引用する請求項２の記載は、次のとおり、補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載のとおりに補正された（下線部は、補正前の請求項１を引用する請求項２に対しての補正箇所である。）。 「【請求項１】 サンプルを検査するための装置において、 当該装置は、 前記サンプルを保持するためのサンプルホルダーと、 １次荷電粒子ビームのアレイを発生するためのマルチビーム荷電粒子発生器と、 前記１次荷電粒子ビームのアレイを、前記サンプルホルダーにおいて分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイになるように方向づけるための電磁レンズ系と、 前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルに衝突するときか、もしくは前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルを通過した透過後に、前記集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを検出するように構成されているマルチピクセルフォトン検出器と、 前記分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイの内の少なくとも２個の隣接した集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを搬送し、前記マルチピクセルフォトン検出器のピクセルを識別および／もしくは分離するか、あるいはそのピクセルのグループを識別および／もしくは分離するための光学アセンブリとを含む装置であって、 前記装置は、カソードルミネッセンス物質の層を含み、 前記サンプルホルダーは、前記サンプルを通過した前記荷電粒子が、続いて前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突するように、前記電磁レンズ系と前記カソードルミネッセンス物質の層との間に前記サンプルを位置決めするように構成される、 装置。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の特許請求の範囲の請求項１及びこれを引用する請求項２の記載は次のとおりである。 「【請求項１】 サンプルを検査するための装置において、 当該装置は、 前記サンプルを保持するためのサンプルホルダーと、 １次荷電粒子ビームのアレイを発生するためのマルチビーム荷電粒子発生器と、 前記１次荷電粒子ビームのアレイを、前記サンプルホルダーにおいて分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイになるように方向づけるための電磁レンズ系と、 前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルに衝突するときか、もしくは前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルを通過した透過後に、前記集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを検出するように構成されているマルチピクセルフォトン検出器と、 前記分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイの内の少なくとも２個の隣接した集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを搬送し、前記マルチピクセルフォトン検出器のピクセルを識別および／もしくは分離するか、あるいはそのピクセルのグループを識別および／もしくは分離するための光学アセンブリとを含む 装置。 【請求項２】 前記装置は、カソードルミネッセンス物質の層を含み、 前記サンプルホルダーは、前記荷電粒子が前記サンプルを通過した透過後に、前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突するように、前記電磁レンズ系と前記カソードルミネッセンス物質の層との間に前記サンプルを位置決めするように構成されている 請求項１に記載の装置。」 ２．補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１を引用する請求項２に記載された発明を特定するために必要な事項である「荷電粒子が」「カソードルミネッセンス物質の層に衝突する」ことに関して、「前記荷電粒子が前記サンプルを通過した透過後に」前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突するとあったものを、「前記サンプルを通過した前記荷電粒子が、続いて」前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突すると補正し、「荷電粒子が」「カソードルミネッセンス物質の層に衝突する」までの過程を「続いて」と限定するものであって、本件補正前の請求項１を引用する請求項２に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記「１．」「（１）」に記載したとおりの次のものである（なお、Ａ～Ｈは、本件補正発明を分説するために当審で付したものである。）。 「Ａ　サンプルを検査するための装置において、 当該装置は、 Ｂ　前記サンプルを保持するためのサンプルホルダーと、 Ｃ　１次荷電粒子ビームのアレイを発生するためのマルチビーム荷電粒子発生器と、 Ｄ　前記１次荷電粒子ビームのアレイを、前記サンプルホルダーにおいて分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイになるように方向づけるための電磁レンズ系と、 Ｅ　前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルに衝突するときか、もしくは前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルを通過した透過後に、前記集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを検出するように構成されているマルチピクセルフォトン検出器と、 Ｆ　前記分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイの内の少なくとも２個の隣接した集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを搬送し、前記マルチピクセルフォトン検出器のピクセルを識別および／もしくは分離するか、あるいはそのピクセルのグループを識別および／もしくは分離するための光学アセンブリとを含む装置であって、 Ｇ　前記装置は、カソードルミネッセンス物質の層を含み、 Ｈ　前記サンプルホルダーは、前記サンプルを通過した前記荷電粒子が、続いて前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突するように、前記電磁レンズ系と前記カソードルミネッセンス物質の層との間に前記サンプルを位置決めするように構成される、 Ａ　装置。」 （２）引用文献の記載事項及び引用発明 ア　原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった刊行物である特開２００４－９５２８１号公報（以下「引用文献」という。）には、次の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。 （ア）「【請求項１】 電子線を放出して当該電子線を試料に照射するための電子銃と、試料を透過した電子線を拡大する電子レンズと、前記拡大された電子線を検出して、試料の画像を形成する検出器とを備えたことを特徴とする電子線装置。 【請求項１２】 請求項１に記載した電子線装置において、 前記検出器は、 前記拡大された電子線をさらに増倍するＭＣＰと、 前記ＭＣＰで倍増された電子線を光の像に変えるシンチレータと、 前記シンチレータが作る光の像の大きさを調整する光学レンズ又はその光の像を１対１に写す光学系と、 前記光学レンズで大きさが調整された光の像が結像させられるＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器の一方とを備えたことを特徴とする電子線装置。」 （イ）「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、高スループット且つ高信頼性で、電子線透過マスクに対して欠陥検査等の評価を行う電子線装置に関し、更に、そのような電子線装置に用いるデバイスの製造方法に関する。」 （ウ）「【００４０】・・・ 電子線装置 主ハウジング３０又は３０ｂに設けられた電子線装置７０（図１及び図６参照）のより詳細な実施の形態を図７に示す。図７は、下側に試料としてのマスクＭ、例えばステンシルマスク８００を照射する電子銃７１１などを備えた照射光学系７１０を配し、この照射光学系７１０の上には、試料台５０に支持されるステンシルマスク８００と、更にその上側に、このステンシルマスクを透過した電子線を検出する検出器７７０を配置する。以下説明する実施形態は、下部に位置する電子銃７１１から上向きに電子線が照射される形態である。もちろん、上部に電子銃７１１を配置して下向きに電子線を照射する形態を採用してもよい。・・・ 【００４８】 上記第３の成形開口７２３はステンシルマスク８００を照明する電子線の平行度を良くするためのものでここに電子銃７１１が作るクロスオーバ像が結像される。走査手段としての第２の偏向器７２５は、主視野内を分割し、ステップアンドリピート的に照明領域を移動させ、その移動に応じてステンシルマスク８００を透過した後の光学系の像面湾曲収差と非点収差を補正する場合に必要な偏向器である。この点について、より詳細に説明すると、第２の偏向器７２５は、電子線のマスク上位置をステップアンドリピート的に移動させる。例えば、第２の偏向器７２５により、一次電子ビームは、＋Ｘ方向と－Ｘ方向に走査させられる。この場合、マスク８００を保持する試料台５０を＋Ｙ方向と－Ｙ方向に移動させる。・・・ 【００４９】 第２の偏向器７２５は、上記補正を行わない場合でも、ステンシルマスク８００の面上を走査し、そのＳＥＭ像を得たりして、レジストレーションを行うのに使用することもできる。そのようなレジストレーションを行う場合、ステンシルマスク８００の電子銃７１１側に検出器７２７を設け、電子線（換言すれば、一次電子線）のステンシルマスク８００への入射により放出される二次電子や反射される反射電子を検出器７２７で検出するようにすることが好ましい。」 （エ）「【００９６】 更に本発明のデバイス製造方法によれば、上記のような欠陥検査装置を用いてマスクの欠陥検査を行うようにしたので、製品の歩留まりの向上及び欠陥製品の出荷防止が図れる、という優れた効果が得られる。 電子線装置の他の実施の形態 図１５Ａは単ビームによるステンシルマスク検査装置の実施の形態である。電子銃７１１から放出された電子線はコンデンサレンズ７５１と対物レンズ７５３で縮小され、ステンシルマスク８００に合焦され、偏向器７５５，７５７でステンシルマスク８００上を二次元走査する。ステンシルマスク８００の穴部を透過した電子はＭＣＰ７７１で検出され、アンプ７６１で増幅、かつ、ＡＤ変換され、画像形成回路７６３で画像データが形成される。この画像データはＣＡＤで作られた設計データと比較され、異る座標が出力される。 【００９７】 この実施形態においては、例えば、偏向器７５５，７５７で、Ｘ方向に単ビームを走査し、試料台５０をＹ方向に移動させるようにする。勿論、偏向器７５５，７５７で、Ｙ方向に単ビームを走査し、試料台５０をＸ方向に移動させるようにしてもよい。 【００９８】 図１５Ｂは前記図１５Ａと比較して電子線の数を複数にした場合の実施の形態である。複数のエミッション領域を有するＬａＢ６カソードを持つ電子銃７１１’から放出された複数の電子線はコンデンサレンズ７５２で互の距離を拡大され、第２のコンデンサレンズ７５４の上に設けたマルチ開口７５６を照射する。マルチ開口７５６で成形された電子線は縮小レンズ７５８と対物レンズ７６０とでステンシルマスク８００に合焦される。ステンシルマスク８００を通過した電子は拡大レンズ７６２、７６４によって拡大され、複数の検出器（各検出器は符号ａ～ｆとして示し、全体を７７０’と示す。）で検出され、各検出器に付属のＡ／Ｄ変換器７６８でデジタル信号にされ、欠陥検査処理が行われる。マルチビームを作る光軸を複数にすると、収差が低減され、各ビームを細く絞ることができる。 【００９９】 本実施形態においては、第２のコンデンサレンズ７５４と縮小レンズ７５８との間に、偏向器７５５’と７５７’が設けられている。当該偏向器７５５，７５７により、ステンシルマスク８００に合焦された複数の電子線は、ステンシルマスク８００上を二次元に走査される。本実施形態においても、例えば、偏向器７５５’、７５７’で、複数の電子線をＸ方向にを（当審注：誤記と思われる）走査し、試料台５０をＹ方向に移動させるようにする。勿論、偏向器７５５’，７５７’で、Ｙ方向に複数の電子線をを（当審注：誤記と思われる）走査し、試料台５０をＸ方向に移動させるようにしてもよい。・・・ 【０１０１】 上記実施形態によれば、下記の効果を奏することができる。・・・ ９．拡大レンズ系の倍率を可変にしたので、等倍マスク、１／４縮のマスク、１／１０縮小等のキャラクターマスクの検査すべてを能率良く検査できる。」 （オ）図７及び図１５Ｂは次のとおりである。 （カ）上記（ア）ないし（エ）の記載を踏まえて、上記（オ）の図１５Ｂを見ると、電子銃７１１’から放出された、所定の幅を有する複数の電子線は、コンデンサレンズ７５２で互の距離を拡大され、第２のコンデンサレンズ７５４の上に設けたマルチ開口７５６を照射し、マルチ開口７５６で成形された電子線は縮小レンズ７５８と対物レンズ７６０とでステンシルマスク８００に合焦されるところ、当該対物レンズ７６０で１点に絞られた後、当該ステンシルマスク８００上では、所定の幅を有する電子線の状態とされるものであることが見て取れる（後記参考図参照）。 【参考図】 イ　引用文献に記載された発明 （ア）上記「ア」「（ア）」によれば、引用文献には、請求項１を引用する請求項１２として次の発明（以下「引用発明Ａ」）が記載されている。 「電子線を放出して当該電子線を試料に照射するための電子銃と、試料を透過した電子線を拡大する電子レンズと、前記拡大された電子線を検出して、試料の画像を形成する検出器とを備え、 前記検出器は、 前記拡大された電子線をさらに増倍するＭＣＰと、 前記ＭＣＰで倍増された電子線を光の像に変えるシンチレータと、 前記シンチレータが作る光の像の大きさを調整する光学レンズ又はその光の像を１対１に写す光学系と、 前記光学レンズで大きさが調整された光の像が結像させられるＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器の一方とを備える電子線装置。」 （イ）引用発明Ａの「電子線を放出して当該電子線を試料に照射するための電子銃と、試料を透過した電子線を拡大する電子レンズと、前記拡大された電子線を検出して、試料の画像を形成する検出器とを備え・・・る電子線装置」の具体的構成として、上記アの各記載を踏まえると、引用文献には、「電子線装置の他の実施の形態」（上記「ア」「（エ）」）として、下記の各点が記載されている。 ａ　引用発明Ａの「電子線装置」が、具体的には「電子線透過マスクに対して欠陥検査等の評価を行う電子線装置」（【０００１】）であって、当該電子線装置は、「欠陥検査装置を用いて（ステンシル）マスクの欠陥検査を行う」「ステンシルマスク検査装置」（【００９６】）である点。 ｂ　引用発明Ａの「試料」が、具体的には「試料としての」「ステンシルマスク８００」（【００４０】）である点。 ｃ　引用発明Ａの「電子線を放出して当該電子線を試料に照射するための電子銃」の具体的構成が「複数のエミッション領域を有するＬａＢ６カソードを持つ電子銃７１１’」（【００９８】）であり、また、当該電子線が「ステンシルマスク８００へ」「入射する」「一次電子線」（【００４９】）である点。 ｄ　引用発明Ａの「試料を透過した電子線を拡大する電子レンズ」の具体的構成が「ステンシルマスク８００を通過した電子」を「拡大」する「拡大レンズ７６２、７６４」（【００９８】）である点。 ｅ　引用発明Ａの「電子」は「電子線」を構成している点。 （ウ）引用文献の「電子線装置の他の実施の形態」（上記「ア」「（エ）」）は、上記アを踏まえると、上記（イ）の各構成に加えて、下記の各構成を備えることが記載されている。 ａ　複数のエミッション領域を有するＬａＢ６カソードを持つ電子銃７１１’から放出された複数の電子線を、「コンデンサレンズ７５２で互の距離を拡大され、第２のコンデンサレンズ７５４の上に設けたマルチ開口７５６を照射」し「マルチ開口７５６で成形された電子線は縮小レンズ７５８と対物レンズ７６０とでステンシルマスク８００に合焦」するコンデンサレンズ７５２、第２のコンデンサレンズ７５４、縮小レンズ７５８及び対物レンズ７６０（【００９８】）。 ｂ　ステンシルマスク８００を保持する（【００４８】）試料台５０（【００９９】）。 （エ）上記（ア）ないし（ウ）を踏まえると、引用文献には下記の発明（以下「引用発明Ｂ」という。）が記載されていると認められる。 「ａ　一次電子線を放出して当該一次電子線を試料としてのステンシルマスク８００に照射するための複数のエミッション領域を有するＬａＢ６カソードを持つ電子銃７１１’と（引用発明Ａ、上記「（イ）」「ｂ」及び「（イ）」「ｃ」）、 ｂ　前記電子銃７１１’から放出された複数の一次電子線を、コンデンサレンズ７５２で互の距離を拡大され、第２のコンデンサレンズ７５４の上に設けたマルチ開口７５６を照射しマルチ開口７５６で成形された一次電子線は縮小レンズ７５８と対物レンズ７６０とでステンシルマスク８００に合焦するコンデンサレンズ７５２、第２のコンデンサレンズ７５４、縮小レンズ７５８及び対物レンズ７６０と（上記「（ウ）」「ａ」）、 ｃ　前記ステンシルマスク８００を保持する試料台５０と（上記「（ウ）」「ｂ」）、 ｄ　前記ステンシルマスク８００を通過した一次電子線を拡大する拡大レンズ７６２、７６４と（引用発明Ａ及び上記「（イ）」「ｄ」）、 ｅ　前記拡大された一次電子線を検出して、試料としてのステンシルマスク８００の画像を形成する検出器とを備え、 前記検出器は、 前記拡大された一次電子線をさらに増倍するＭＣＰと、 前記ＭＣＰで倍増された一次電子線を光の像に変えるシンチレータと、 前記シンチレータが作る光の像の大きさを調整する光学レンズ又はその光の像を１対１に写す光学系と、 前記光学レンズで大きさが調整された光の像が結像させられるＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器の一方とを備え（引用発明Ａ）、 ｆ　前記電子銃７１１’から放出された、所定の幅を有する複数の一次電子線は、コンデンサレンズ７５２で互の距離を拡大され、第２のコンデンサレンズ７５４の上に設けたマルチ開口７５６を照射し、マルチ開口７５６で成形された一次電子線は縮小レンズ７５８と対物レンズ７６０とでステンシルマスク８００に合焦され、当該対物レンズ７６０で１点に絞られた後、当該ステンシルマスク８００上では、所定の幅を有する一次電子線の状態とされる（上記「ア」「（カ）」）、 ｇ　欠陥検査装置を用いてステンシルマスクの欠陥検査を行うステンシルマスク検査装置（上記「（イ）」「ａ」）。」 （３）対比・判断 ア　本件補正発明と引用発明Ｂとを対比する。 （ア）引用発明Ｂの「試料としてのステンシルマスク８００」は、本件補正発明の「サンプル」に相当するから、引用発明Ｂの「欠陥検査装置を用いてステンシルマスクの欠陥検査を行うステンシルマスク検査装置」（構成ｇ）は、本件補正発明の「サンプルを検査するための装置」（構成Ａ）に相当する。 （イ）引用発明Ｂの「前記ステンシルマスク８００を保持する試料台５０」（構成ｃ）は、本件補正発明の「前記サンプルを保持するためのサンプルホルダー」（構成Ｂ）に相当する。 （ウ）引用発明Ｂの「電子」及び「一次電子線」は、本件補正発明の「荷電粒子」及び「１次荷電粒子ビーム」にそれぞれ相当する。 また、引用発明Ｂの「一次電子線」は「複数のエミッション領域を有するＬａＢ６カソードを持つ電子銃７１１’」から照射されるから、複数の「一次電子線」からなるアレイを発生しているといえる。 したがって、引用発明Ｂの「一次電子線を放出して当該一次電子線を試料としてのステンシルマスク８００に照射するための複数のエミッション領域を有するＬａＢ６カソードを持つ電子銃７１１’」（構成ａ）は、本件補正発明の「１次荷電粒子ビームのアレイを発生するためのマルチビーム荷電粒子発生器」（構成Ｃ）に相当する。 （エ）引用発明Ｂの「コンデンサレンズ７５２、第２のコンデンサレンズ７５４、縮小レンズ７５８及び対物レンズ７６０」（構成ｂ）は、本件補正発明の「電磁レンズ系」に相当する。 また、引用発明Ｂの「前記電子銃７１１’から放出された、所定の幅を有する複数の一次電子線は、コンデンサレンズ７５２で互の距離を拡大され、第２のコンデンサレンズ７５４の上に設けたマルチ開口７５６を照射し、マルチ開口７５６で成形された一次電子線は縮小レンズ７５８と対物レンズ７６０とでステンシルマスク８００に合焦され、当該対物レンズ７６０で１点に絞られた後、当該ステンシルマスク８００上では、所定の幅を有する一次電子線の状態とされる」（構成ｆ）ことは、上記（イ）を踏まえると、本件補正発明の「サンプルホルダーにおいて分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイになるように方向づける」ことに相当する。 したがって、引用発明Ｂの「前記電子銃７１１’から放出された複数の一次電子線を、コンデンサレンズ７５２で互の距離を拡大され、第２のコンデンサレンズ７５４の上に設けたマルチ開口７５６を照射しマルチ開口７５６で成形された一次電子線は縮小レンズ７５８と対物レンズ７６０とでステンシルマスク８００に合焦するコンデンサレンズ７５２、第２のコンデンサレンズ７５４、縮小レンズ７５８及び対物レンズ７６０」（上記構成ｂ）は、本件補正発明の「前記１次荷電粒子ビームのアレイを、前記サンプルホルダーにおいて分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイになるように方向づけるための電磁レンズ系」（構成Ｄ）に相当する。 （オ）引用発明Ｂの「ＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器」は、本願補正発明の「マルチピクセルフォトン検出器」に相当するといえるから、引用発明Ｂの「検出器」は、「前記ステンシルマスク８００を通過した一次電子線」（構成ｄ）「を検出して、試料としてのステンシルマスク８００の画像を形成する検出器」（構成ｅ）であって、「前記検出器は、」「一次電子線を光の像に変えるシンチレータと、前記シンチレータが作る光の像」「が結像させられる」「ＣＣＤ検出器又はＴＤＩ検出器の一方とを備え」（構成ｅ）るから、本願補正発明の「前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルに衝突するときか、もしくは前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルを通過した透過後に、前記集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを検出するように構成されているマルチピクセルフォトン検出器」（構成Ｅ）と、「前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルを通過した透過後に、前記集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを検出するように構成されているマルチピクセルフォトン検出器」（以下「構成Ｅ´」という。）の点で一致する。 （カ）引用発明Ｂの「前記シンチレータが作る光の像の大きさを調整する光学レンズ又はその光の像を１対１に写す光学系」は、「前記光学レンズで大きさが調整された光の像が結像させられる」（構成ｅ）ものであるから、本願補正発明の「前記分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイの内の少なくとも２個の隣接した集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを搬送し、前記マルチピクセルフォトン検出器のピクセルを識別および／もしくは分離するか、あるいはそのピクセルのグループを識別および／もしくは分離するための光学アセンブリとを含む装置」（構成Ｆ）と、「前記分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイの内の少なくとも２個の隣接した集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを搬送し、前記マルチピクセルフォトン検出器のピクセルを分離するための光学アセンブリ」（以下「構成Ｆ´」という。）の点で一致する。 （キ）シンチレータが電子を光子に変換するために所定の厚みを必要とすることは、本願優先日当時の技術常識であり、また、所定の厚みを有するシンチレータが層をなすことは明らかであるから、引用発明Ｂの「前記拡大された一次電子線を検出して、試料としてのステンシルマスク８００の画像を形成する検出器」が「一次電子線を光の像に変えるシンチレータ」（構成ｅ）は、本願補正発明の「前記装置は、カソードルミネッセンス物質の層を含」（構成Ｇ）むことに相当する。 （ク）引用発明Ｂが、「前記ステンシルマスク８００を保持する試料台５０」（構成ｃ）、「前記ステンシルマスク８００を通過した一次電子線を拡大する拡大レンズ７６２、７６４」（構成ｄ）及び「前記拡大された一次電子線を検出して、試料としてのステンシルマスク８００の画像を形成する検出器とを備え、前記検出器は、前記拡大された一次電子線をさらに増倍するＭＣＰと、前記ＭＣＰで倍増された一次電子線を光の像に変えるシンチレータ」（構成ｅ）を備えることは、本願補正発明の「前記サンプルホルダーは、前記サンプルを通過した前記荷電粒子が、続いて前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突するように、前記電磁レンズ系と前記カソードルミネッセンス物質の層との間に前記サンプルを位置決めするように構成される」（構成Ｈ）ことと、「前記サンプルホルダーは、前記サンプルを通過した前記荷電粒子が、前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突するように、前記電磁レンズ系と前記カソードルミネッセンス物質の層との間に前記サンプルを位置決めするように構成される」（構成Ｈ´）点で一致する。 （ケ）以上によれば、本件補正発明と引用発明Ｂは、 「Ａ　サンプルを検査するための装置において、 当該装置は、 Ｂ　前記サンプルを保持するためのサンプルホルダーと、 Ｃ　１次荷電粒子ビームのアレイを発生するためのマルチビーム荷電粒子発生器と、 Ｄ　前記１次荷電粒子ビームのアレイを、前記サンプルホルダーにおいて分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイになるように方向づけるための電磁レンズ系と、 Ｅ´　前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルを通過した透過後に、前記集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを検出するように構成されているマルチピクセルフォトン検出器と、 Ｆ´　前記分離した集束１次荷電粒子ビームのアレイの内の少なくとも２個の隣接した集束１次荷電粒子ビームによって生成されるフォトンを搬送し、前記マルチピクセルフォトン検出器のピクセルを分離するための光学アセンブリとを含む装置であって、 Ｇ　前記装置は、カソードルミネッセンス物質の層を含み、 Ｈ´　前記サンプルホルダーは、前記サンプルを通過した前記荷電粒子が、前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突するように、前記電磁レンズ系と前記カソードルミネッセンス物質の層との間に前記サンプルを位置決めするように構成される、 Ａ　装置。」 の点で一致する。 ここで、構成Ｅ´は、構成Ｅにおける「前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルに衝突するときか、もしくは前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルを通過した透過後に」の選択事項のうちの「前記１次荷電粒子ビームが前記サンプルを通過した透過後に」を選択するものであり、また、構成Ｆ´は、構成Ｆにおける「前記マルチピクセルフォトン検出器のピクセルを識別および／もしくは分離するか、あるいはそのピクセルのグループを識別および／もしくは分離するため」の選択事項のうちの「前記マルチピクセルフォトン検出器のピクセルを分離する」ことを選択するものであるから、それぞれから選択した構成において、引用発明Ｂの構成は本願補正発明の構成に相当する。 したがって、本件補正発明と引用発明Ｂは、「荷電粒子が」「カソードルミネッセンス物質の層に衝突する」ことに関して、本件補正発明は、「荷電粒子が」「カソードルミネッセンス物質の層に衝突する」までの過程を「続いて」と限定するのに対して、引用発明Ｂは、「ステンシルマスク８００を通過した一次電子線」と「一次電子線を光の像に変えるシンチレータ」の間に、「前記ステンシルマスク８００を通過した一次電子線を拡大する拡大レンズ７６２、７６４」と「前記拡大された一次電子線をさらに増倍するＭＣＰ」を備える点（以下「相違点」という。）で相違する。 イ　判断 上記相違点について検討する。 引用発明Ｂは、「ステンシルマスク８００を通過した一次電子線を拡大する」必要と「前記拡大された一次電子線をさらに増倍する」必要があるため、「ステンシルマスク８００を通過した一次電子線」と「一次電子線を光の像に変えるシンチレータ」に、「ステンシルマスク８００を通過した一次電子線を拡大する拡大レンズ７６２、７６４」と「前記拡大された一次電子線をさらに増倍するＭＣＰ」を備える。 しかるところ、引用文献に「拡大レンズ系の倍率を可変にしたので、等倍マスク、１／４縮のマスク、１／１０縮小等のキャラクターマスクの検査すべてを能率良く検査できる」（上記「（２）」「ア」「（エ）」【０１０１】）と記載されているとおり、ステンシルマスクにも様々な種類があり、「ステンシルマスク８００を通過した一次電子線を拡大する」必要がなく、「前記拡大された一次電子線をさらに増倍する」必要もない場合があると解される。 そして、当該場合には、「ステンシルマスク８００を通過した一次電子線」と「一次電子線を光の像に変えるシンチレータ」に「拡大レンズ７６２、７６４」と「ＭＣＰ」がなく、「ステンシルマスク８００を通過した一次電子線」が続いて「一次電子線を光の像に変えるシンチレータ」タに衝突する構成となることは明らかである。 また、このような、放射線（電子線、Ｘ線等）検査装置において、試料に続いてシンチレータを配置した構成は後記周知文献１～３に記載されているとおり従来周知の構成にすぎない。 したがって、本件補正発明は、引用発明Ｂ及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 ウ　周知文献 （ア）周知文献１（特開２００４－９３５２３号公報） （ａ）「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、例えば、固体撮影素子を使用するＸ線画像撮影等に用いられる、放射線撮影装置、放射線撮影システムおよび放射線撮影方法並びにそれを実施するためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体、及び当該プログラムに関するものである。」 （ｂ）「【００２２】 図１に示すように、Ｘ線画像撮影システムの第１の実施の形態Ａは、Ｘ線（放射線）を発生するＸ線管１、Ｘ線管１にＸ線の発生を指令するＸ線発生器２、Ｘ線管１を駆動する高圧駆動電源３、操作者によりＸ線照射のＯＮ／ＯＦＦの切替えを行うＸ線照射スイッチ４、Ｘ線管１からのＸ線被照射となる検査対象物（被写体）５、検査対象物５の透過Ｘ線を可視光に変換するシンチレータ６、シンチレータ６からの可視光を撮影するＣＣＤカメラ７、Ｘ線照射スイッチ４から入力される切替え信号または該切替え信号を受けて作動するタイマスイッチからの信号に基いてＣＣＤカメラ７から得られる撮像画像（透過画像）のキャプチャの開始／終了が行われて撮像画像データを一時記憶したり、或いはスルーするフレームグラバユニット９、該フレームグラバユニット９に一時記憶された或いはスルーされたキャプチャ画像を表示するモニタ８、及びＸ線照射スイッチ４から入力される切替え信号に基いてＸ線照射時間を設定するタイマスイッチ１０を備えて構成される。」 （ｃ）図１は次のとおりである。 （イ）周知文献２（特開昭６１－２４１１７６号公報） （ａ）「［発明の技術分野］ 本発明は被検体に放射線を照射し、その透過した放射線量をデジタル信号に変換して表示するデジタルラジオグラフィ装置に関する。」（１頁右欄１５～１８行） （ｂ）「［発明の実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第１図は同実施例の構成図である。同図において高電圧発生部１２は制御部１３からの制御信号によりＸ線管１を駆動する電力を発生する。高電圧発生部１２からＸ線管１に供給する電力には大きく分けて、弱いＸ線を照射して透視を行うための電力と、強いＸ線を照射して撮影を行うための電力の２種類がある。そして透視の電力は撮影の電力に比べて１００分の１以下である。Ｘ線管１から照射されたＸ線は被検体２を透過し例えば増感紙のようなＸ線エネルギーを光エネルギーに変換するイメージングプレート３に入射する。」（２頁右下欄１５行～３頁左上欄７行） （ｃ）第１図は次のとおりである。 （ウ）周知文献３（実願昭５８－４５０７０号（実開昭５９－１５０１５９号）のマイクロフィルム） （ａ）「本考案は、透過走査像観察の機能を有する走査電子顕微鏡の改良に関する。」（１頁１２～１３行） （ｂ）「第１図は、このような従来装置の試料室近傍の概略を示したものである。・・・該試料室１には試料ステージ２が設けられており、・・・５は試料ステージ２に設けられた試料ホルダーであり、該試料ホルダー５には試料６が載置されている。・・・８は図示しない電子銃から放射された電子線であり該電子線８は試料６上に照射されて、その一部は透過電子線９として試料ホルダー５や試料ステージ２に穿たれた中心孔を透過し、シンチレータ１０によりその強度に応じて光に変換される。」（１頁１７行～２頁１９行） （ｃ）第１図は次のとおりである。 エ　請求人の主張 （ア）請求人は、令和２年１月１７日提出の審判請求書の【請求の理由】、「４．本願発明が特許されるべき理由」、「（５）文献１に関する拒絶査定の認定及び判断について」、「イ　文献１図１５発明に，文献１図７発明における検出器などを適用した場合について」において、概略下記のとおり主張する。 （ａ）「しかし，文献１図７発明における検出器を有する装置は，本件発明１の『前記サンプルホルダーは、前記サンプルを通過した前記荷電粒子が、続いて前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突するように、前記電磁レンズ系と前記カソードルミネッセンス物質の層との間に前記サンプルを位置決めするように構成される』を満たしません。」 （ｂ）「つまり，文献１図７発明においては，本件発明１のサンプルに相当するステンシルマスク８００に電子線を照射し，その透過した電子線を，検出器７７０が検出します。その際に，ＭＣＰ７７１により２次電子放出により電子線強度が増幅され，その２次電子放出された電子線が，ＦＯＰ７７５のシンチレータにて光の像に変換されます。 文献１図７発明においては，シンチレータを通過した荷電粒子が，ＭＣＰ７７１により２次放出され，その２次放出された荷電粒子が，シンチレータにて光の像に変換されます。 つまり，文献１図７発明は，『サンプルを通過した前記荷電粒子が、続いて前記カソードルミネッセンス物質の層に衝突する』というものではありません。すると，仮に，文献１図１５発明に，文献１図７発明における検出器を適用したとしても，本件発明１には想到し得ません。 よって，本件発明１は，文献１図１５発明に，文献１図７発明における検出器を適用して，当業者が容易に発明できたものではありません。」 （イ）しかしながら、上記イで検討したとおりであるから、上記主張は採用できない。 オ　本件補正発明の奏する作用効果について そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明Ｂ及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 カ　小括 したがって、本件補正発明は、引用発明Ｂ及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３．本件補正についてのむすび 以上によれば、本件補正は同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 また、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３　本願発明について １．本願発明 令和２年１月１７日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１を引用する請求項２に係る発明は、平成２８年１２月２１日に提出された翻訳文の特許請求の範囲に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１を引用する請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２」［理由］「１．」「（２）」に記載のとおりのものである。 ２．原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１を引用する請求項２に係る発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明及び引用文献に記載された事項に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献：特開２００４－９５２８１号公報 ３．引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献の記載事項及び引用発明等は、上記「第２」［理由］「２．」「（２）」に記載したとおりである。 ４．対比・判断 本願発明は、上記「第２」［理由］「２．」で検討した本件補正発明から、「荷電粒子が」「カソードルミネッセンス物質の層に衝突する」ことに関して、「荷電粒子が」「カソードルミネッセンス物質の層に衝突する」までの過程を「続いて」と限定する限定事項を省いたものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２」［理由］「２．」に記載したとおり、引用発明Ｂ及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、引用発明Ｂに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４　むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明Ｂに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。