2021-800077

上記当事者間の特許第３９３５１８８号発明「レーザ加工装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担とする。

理 由 第１ 請求の趣旨及び答弁の趣旨 １ 請求の趣旨 特許第３９３５１８８号に係る特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求める。 ２ 答弁の趣旨 本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求める。 第２ 手続の経緯 １ 本件特許の設定登録までの手続の経緯の概略 本件無効審判の請求に係る特許第３９３５１８８号（以下「本件特許」という。）の請求項１及び２に係る発明についての出願は、平成１２年９月１３日（以下「原出願の優先日」という。）に出願した特願２０００－２７８３０６号に基づいて優先権を主張して平成１３年９月１３日に出願した特願２００１－２７８７０７号（以下「原出願」という。）の一部を、平成１８年３月１４日に新たな特許出願（特願２００６－６９９１８号）としたものであって、平成１９年３月３０日にそれらの発明について特許権の設定登録がなされた。 ２ 本件特許の手続の経緯の概略 （１）先の無効審判請求の経緯 令和１年 ９月１７日 ：本件特許を無効とする審判請求 （無効２０１９－８０００６８号。以下 「先の無効審判請求」という。） 令和３年 ４月 ７日 ：先の無効審判請求における訂正請求書 （以下「先の無効審判請求の訂正」 という。）の提出 同 年 ７月２８日付け：先の無効審判請求の審決（請求項１～２に ついて訂正することを認める、先の 無効審判請求は、成り立たない。） 同 年 ９月 ８日 ：先の無効審判請求の審決の取消訴訟 （知財高裁令和３年（行ケ） １０１１１号）の提起 令和４年 ６月２２日付け：判決（請求棄却） 令和５年 １月１８日 ：上記判決の確定 同 年 ２月 ２日 ：先の無効審判請求の審決が確定した旨の 原簿登録 これにより、先の無効審判請求の訂正に係る特許請求の範囲により特許権の設定登録がされたものとみなす（特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２８条）。 （２）本件無効審判の手続の経緯 本件無効審判における手続の経緯の概略は、以下のとおりである。 令和３年 ９月 ９日 ：審判請求書（以下「請求書」という。） の提出 同 年１２月２３日 ：答弁書及び訂正請求書の提出 （以下「本件無効審判の訂正」 という。） 令和４年 ３月２４日付け：審尋 同 年 ４月 ４日 ：（被請求人）回答書の提出 同 年 ４月１３日 ：（請求人）回答書の提出 同 年 ４月１５日付け：請求人と審判官の電話応対の記録 同 年 ４月２７日 ：（請求人）上申書（以下「請求人上申書」 という。）の提出 同 年 ８月 ９日付け：審理事項通知 同 年 ９月１２日 ：（被請求人）口頭審理陳述要領書（以下 「被請求人要領書」という。）の提出 同 年 ９月１３日 ：（請求人）口頭審理陳述要領書（以下 「請求人要領書」という。）の提出 同 年 ９月２７日 ：口頭審理 同 年 ９月２７日 ：（請求人）上申書の提出 同 年 ９月２８日付け：手続中止通知書 令和５年 ２月１４日付け：手続中止解除通知書 及び訂正拒絶理由通知書 同 年 ２月２７日 ：（被請求人）上申書及び訂正請求取下書の 提出（以下、この上申書を、 「被請求人上申書」という。） 同 年 ３月１４日付け：職権審理結果通知書 同 年 ３月１５日付け：被請求人上申書の副本を送付 なお、合議体は、令和５年３月１４日付け職権審理結果通知書において、請求人に対し、先の無効審判請求の訂正は本件無効審判の訂正と同じ内容であり、先の無効審判請求の審決が確定したことにより本件無効審判の訂正によって何ら訂正がなされていないことになったところ、本件無効審判の訂正が取り下げられたため、本件無効審判事件の審理を進めることについて、意見を求めたが、特に回答はなかった。 第３ 本件発明 本件特許の請求項１及び２に係る発明は、上記先の無効審判請求の訂正（上記第２の２（１））により訂正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１及び２の記載を分説すると、次のとおりである。 「【請求項１】 Ａ：ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 Ｂ：前記加工対象物が載置される載置台と、 Ｃ：パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、 Ｄ：前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し、１パルスのパルスレーザ光の照射により、そのパルスレーザ光の集光点の位置で改質スポットを形成させる集光用レンズと、 Ｅ：隣り合う前記改質スポット間の距離が略一定となるように前記加工対象物の切断予定ラインに沿って形成された複数の前記改質スポットによって前記改質領域を形成するために、パルスレーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で、パルスレーザ光の繰り返し周波数及びパルスレーザ光の集光点の移動速度を略一定にして、前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有する制御部と、を備え、 Ｆ：前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハであること Ｇ：を特徴とするレーザ加工装置。 【請求項２】 Ｈ：前記制御部は、前記パルスレーザ光の繰り返し周波数と前記パルスレーザ光の集光点の移動速度との少なくとも一方を調節することで、前記改質スポット間の距離を制御する機能を有し、前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移動を制御すること Ｉ：を特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。」 （以下、各請求項に係る発明を「本件発明１」などといい、これらを総称して「本件発明」という。また、分説した発明特定事項をいう場合は、「構成Ａ」などという。） 第４ 請求人の主張及び証拠方法 １ 請求人の主張する無効理由の概要 （１）無効理由１（甲第１号証に基づく本件発明１及び２の進歩性欠如） 本件発明１及び２は、本件特許の原出願の優先日前に頒布された甲第１号証に記載された発明、甲第２号証に記載された技術的事項、周知技術（甲第８～１２号証）、及び、技術水準（［甲第１３～１４号証］、［甲第１５号証］、［甲第１６号証］）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 （２）無効理由１に関する請求人の主張 無効理由１に関する請求人の主張については、後述する（「甲１発明及び甲２の技術的事項の認定に対する請求人の主張について」（第６の２（３）ア）及び「相違点１に対する請求人の主張について」（第６の３（３）アを参照。）。 （３）撤回された無効理由 請求人は、請求書において、甲第２号証に基づく本件発明１及び２の進歩性欠如についての無効理由２を申し立てていたが、この無効理由２は令和４年４月２７日に提出した上申書により撤回の申し出がされ、被請求人も撤回に同意しているから（「第１回口頭審理調書」参照。）、本審決において無効理由２は検討しない。 ２ 証拠方法 （１）審判請求時に提出されたもの 甲第 １号証：特開昭５３－１１４３４７号公報 甲第 ２号証：特開平１１－１７７１３７号公報 甲第 ３号証：先の無効審判請求の審決の予告 甲第 ４号証：特開平８－６６７９０号公報 甲第 ５号証：特開平８－１７８８５６号公報 甲第 ６号証：特開２００１－１１７５号公報 甲第 ７号証：特開２００２－３５９８５号公報 甲第 ８号証：特開平１１－７１１２４号公報 甲第 ９号証：特開平１１－２１７２３７号公報 甲第１０号証：特開平１１－６７７００号公報 甲第１１号証：特開２０００－２１６１１４号公報 甲第１２号証：国際公開第００／３２３４９号 甲第１３号証：特公平１－４５２２５号公報 甲第１４号証：特開平４－３７４９２号公報 甲第１５号証：原央編、「ＵＬＳＩプロセス技術」、初版、株式会社 培風館、１９９７年６月１０日、ｐ．２６８～２７５ 甲第１６号証：実願昭６３－４０８２号（実開平１－１０８５０８号）の マイクロフィルム 甲第１７号証：特開平１１－１３８８９６号公報 甲第１８号証：特開平５－３４３７４１号公報 甲第１９号証：特開２０００－３３１９４６号公報 甲第２０号証：特開平１１－４６０４５号公報 （２）請求人要領書に添付したもの 甲第２１号証：「意見書」と題する書面 甲第２２号証の１：小林英男著、破壊力学、初版、共立出版株式会社、 １９９３年４月１０日、ｐ．８０～８３ 甲第２２号証の２：萩原芳彦、ほか著、よくわかる破壊力学、初版、 株式会社オーム社、平成１２年６月３０日、 ｐ．３６～４１ 甲第２３号証：特開平８－２７４３７１号公報 甲第２４号証：特願２００２－３２９８７８号の 平成２０年８月３０日付け意見書 （３）令和４年９月２７日の上申書に添付したもの 甲第２５号証：「口頭審理 請求人説明資料」と題する書面 （以下、各甲号証を「甲１」などという。） 第５ 被請求人の主張及び証拠方法 １ 無効理由１についての被請求人の主張の概要 （１）本件特許の優先日前には、「適正な条件でシリコンウェハ（シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ）の内部にレーザ光による改質領域を形成するだけで（甲２発明が必要としているような溝部を形成しなくても）、その改質領域が切断の起点となり、当該シリコンウェハが極めて好適に切断される」という事象自体が知られていなかったから、甲１発明で切断の起点とされている「半導体ウエハー（１３）の表面（１８）に位置する溝（２３、２３’）」を、「加工対象物の内部に位置する改質領域」に変えようとの発想はそもそも生じ得ないし、甲１発明は、半導体ウエハーの表面にレーザ光線を用いて溝を形成し、圧力を加えて微細なペレットに分割する技術を前提に、レーザ光線を従来とは反対側の面、すなわち、ウエハーの素子が形成された面とは反対側の面から入射するようにすることで、レーザ光線により飛散蒸発するウエハー材が各素子の上面に付着することを防止したものであるから、その溝を「半導体基板の内部に位置する改質領域」に変えるということは、発明の前提を変えることを意味し、甲１の課題解決手段（レーザ光線をウエハーの素子が形成された面とは反対側の面から入射するようにするという課題解決手段）を意味のないものにするから、そのような改変は、当業者が容易に想到し得るものではない。（答弁書９～１０ページ） （２）「サファイア等の半導体基板２０１を分割するためのブレイク・ラインを形成するに際し、ＹＡＧレーザーを用いて、基板２０１の内部に、マイクロ・クラックの集合である、切断の起点となる加工変質部２０４を形成する技術」といった抽象的な技術は、甲２には記載されておらず、甲１発明の「切断の起点となる領域」（溝）を、「半導体基板の内部に位置する改質領域」に変更することを動機付けるものではない。また、仮に甲１発明に甲２に記載される技術を適用したとしても、相違点１に係る本件発明１の構成は導出されない。（答弁書１０～１２ページ） （３）甲２には、サファイア基板等の「窒化物半導体が形成された半導体ウエハー」の切断に関する記載があるだけで、「シリコンウェハ」の切断に関する記載は存在しない。（被請求人上申書７ページ） （４）甲２には、請求人が主張する周知の課題（甲４～甲７）を解決するものである旨の記載がないことに加え、甲２に記載の発明は、飛散物を発生すると解される構成（溝部をブレードにより形成する構成や、溝部の底面に露出したブレイク・ライン（凹部）を形成する構成）を実施例として含んでいる（甲２の実施例２においても、ブレードダイサーで溝部を形成するとされている（段落【００４３】、【００４８】））のであり、当業者は、甲２発明を、請求人が主張する周知の課題を解決し得るものとは理解しないから、仮に、請求人が主張する課題が周知であり、その課題が甲１発明にも存在するとしても、甲１発明に甲２発明を適用することは動機付けられない。（被請求人上申書９ページ） （５）甲４～甲７に請求人が主張する課題が記載されていて当該課題が周知であるのであれば、当業者はその周知の課題を解決するための手段としては甲４～甲７に示される課題解決手段の採用を試みるはずであり、当該課題について全く示唆せず、当該課題を解決し得るものとは解されない甲２に記載される発明の構成を採用しようとするはずがない。（被請求人上申書９ページ） （６）甲１発明は、「レーザ光により溝を形成する際に、飛散、蒸着物が素子の表面に付着する」という課題を解決するために「レーザ光線をウエハーの素子が形成された面とは反対側の面から入射して溝を形成するようにする」という課題解決手段を採用した発明である。仮に、甲１発明で形成される溝２３、２３’が溝ではない内部の亀裂であってもよいものであるとすると、甲１発明は上記課題解決手段を使用することなく上記「レーザ光による飛散、蒸着物が素子の表面に付着する」という課題を解決できることになり、甲１発明の課題解決手段が意味のないものになることは明らかである。（被請求人上申書１０ページ） （７）甲１の「ウエハーを破壊する」という記載は、「レーザ光によって半導体の内部を破壊することにより半導体の表面に溝を形成する」という一まとまりの技術的事項を表す記載のうちの一部の記載であり、ウエハーの内部のみを破壊してもよい、という技術的事項を含む記載でないことは明らかである。（被請求人上申書１１ページ） （８）甲２２は、同じ長さのき裂が試験片（基板）の表面に存在する場合と内部に存在する場合の両方の場合について、計算により求めた破壊強度を相互に比較したものに過ぎず、当業者が甲１発明をどのように理解するかについての何らかの示唆を与えるものではない。（被請求人上申書１１～１２ページ） （９）甲２発明は、加工対象物の表面に溝部２０３を形成した上で、その溝部２０３の底面の内部に加工変質部を形成することで加工対象物を切断する発明であるのに対し、甲１発明は加工対象物の表面に溝部２０３に相当するものを形成することを要する発明ではないから、甲２発明を適用する動機付けは生じ得ない。（被請求人上申書１３ページ） （１０）甲２には「熱の影響がなければ板厚をあえて大きくしておく必要はない」という記載も「溝部を設けて板厚を薄くした部分を設ける必要もない」という記載もないのであり、甲２に接した当業者が甲２に「溝無し構成」が記載されていると理解し得たとは到底いえない。（被請求人上申書１８ページ） ２ 証拠方法 （１）答弁書とともに提出されたもの 乙第１号証の１：高岡秀嗣、「極薄半導体ウェハのダイシングに最適な ステルスダイシング技術の原理と特徴」、電子材料、 工業調査会、２００２年９月１日、Ｖｏｌ．４１、 Ｎｏ．９、１７～２１ページ 乙第１号証の２：大島雅志、ほか２名、「浜松ホトニクスのステルス ダイシング技術について－開発意義を専門家に聞く－」 電子材料、工業調査会、２００２年９月１日、 Ｖｏｌ．４１、Ｎｏ．９、２２～２３ページ 乙第１号証の３：「レーザー学会産業賞「優秀賞」受賞」と題する文書、 一般社団法人レーザー学会 乙第１号証の４：「浜松ホトニクス 透過性パルスレーザーの内部集光に よる切断加工システム」と題するウェブページ、 株式会社中日新聞社 ＜URL:http://www.chunichi.co.jp/info/award/ sangisho/minister_no24.html＞ 乙第１号証の５：「機械振興賞 受賞者 業績概要詳細」と題するウェブ ページ、 ＜URL:http://www.jspmi.or.jp/system/ l_cont.php?ctid=l30502&rid=1101＞ 乙第１号証の６：「レーザー加工技術 特許総合ランキング力トップ３は 浜松ホトニクス、ディスコ、三菱電機」と題するウェブ ページ ＜URL:https://www.patentresult.co.jp/news/2018/07/ laserprotech.html＞ 乙第２号証 ：特許第３４０８８０５号公報 第６ 当審の判断 １ 甲号証の記載事項 （１）甲１の記載事項 本件特許に係る出願の原出願の優先日（平成１２年９月１３日）前に頒布された刊行物である甲１には、以下の事項が記載されている。（下線は、理解を容易にするために当審で付したものである。以下同じ。） 特許請求の範囲 「半導体ウエハー上に半導体素子が形成されている面の反対側の面から、上記半導体ウエハーを通して上記半導体素子を確認しながら、レーザ光線の照射する位置を決定して、上記反対側の面または上記反対側の面からウエハーを通して上記半導体素子が形成されている面の少なくともいずれか一方に、レーザ光線を照射して上記半導体素子間間隔に溝を形成することを特徴とする半導体装置の加工装置の加工方法。」 記載事項１（１ページ左下欄下から７～５行） 「本発明は、半導体装置の加工方法に係り、特にレーザ光線を用いて半透明な半導体ウエハーを微細なペレットに分割する加工方法に関する。」 記載事項２（１ページ左下欄最終行～右下欄下から４行） 「しかし、機械的手段によると歩留りが悪い為、最近レーザ光線を用いて溝を形成することが行なわれている。すなわち、レーザ発振器を用い、この発振器からのレーザ光線を集光レンズなどからなる光学系で、ウエハー上に集光させて照射する。そして、この光学系あるいはウエハーを平面的に動かして素子間に複数条の溝を形成している。そして、従来同様に圧力を加えて微細なペレットを得ている。 しかしながら、レーザ光線をウエハーの素子が形成された表面側から照射する為、レーザ光線により飛散蒸発するウエハー材が、各素子の上面に付着し、その素子の機能を低下させたり不良品とするなどの欠点がある。 本発明は、上記欠点に対処してなされたもので、レーザ光線による飛散、蒸発物が素子の表面に付着することがなく、しかも歩留りが向上する半導体装置の加工方法を得るにある。」 記載事項３（１ページ右下欄最終行～２ページ左上欄１１行） 「第１図において、レーザ発振器（１０）のレーザ光線（１１）の放射口側には、そのレーザ光線（１１）の放射方向を９０°変えるダイクロイツクミラ（１２）が配置されている。このミラ（１２）により反射されたレーザ光線（１１）は、実線で示すように前記ミラ（１２）と半導体ウエハー（１３）との間に配置された集光レンズ系（１４）により集光される。このレンズ系（１４）は、図示しない駆動機構により上下動するように構成されている。また、この半導体ウエハー（１３）は、サフアイアのような可視光でかなり透明な物質で構成され、その素子（１５）が形成された面（１６）を下側にしてＸＹテーブル（１７）上に載置されている。」 記載事項４（２ページ左上欄１４～最終行） 「また、前記ダイクロイツクミラ（１２）を挟んで前記レンズ系（１４）と対向する位置には、レンズ（２０）が配置されている。このレンズ（２０）は、前記ウエハー（１３）の素子（１５）を観察する監視装置を構成するもので、前記レーザ光線（１１）の光軸に同軸上に配置されている。また、このレンズ（２０）の前記ミラ（１２）と反対側には、結像板（２１）及び接眼レンズ（２２）が順に配置されている。」 記載事項５（２ページ右上欄１～９行） 「このように構成し、前記監視装置で前記半導体ウエハー（１３）の素子（１５）の位置を確認しながら、その素子間（１５）に対応する反対側の面（１８）に溝（２３）を形成する。すなわち、接眼レンズ（２２）からのぞきながら、前記レンズ（２０）を上下動させて、前記ウエハー（１３）の面（１６）上に焦点を合わせる。そして、ＸＹテーブル（１７）を左右に動かし、所望位置すなわち各素子（１５）間にその焦点位置が合ったときに、ＸＹテーブル（１７）の動きを停止させる。」 記載事項６（２ページ右上欄１０行～左下欄６行） 「そして、前記レーザ発振器（１０）を駆動して、レーザ光線（１１）を放射する。このとき、レーザ光線（１１）は、ウエハー（１３）に溝（２３）が形成される以前に、その熱などで素子（１５）が破壊しない程度のエネルギー強度に選定する。この場合、レーザ光線（１１）は、従来と異なり反対側の面（１８）に照射するので、従来に比して大きなエネルギ強度を選定することができる。そして集光レンズ（１４）を上下動して、このレーザ光線（１１）を前記ウエハー（１３）の反対側の面（１８）上に照射する。このレーザ光線（１１）の光軸と前記監視装置の光軸とは、同軸上に形成されているので、前記素子（１５）間の位置に対応する反対側の面（１８）上に溝（２３）を形成することができる。このようにして、監視しながらレーザ光線（１１）を照射し、前記ＸＹテーブル（１７）を左右に動かして、ウエハー（１３）の反対側の面（１８）上に複数条の溝（２３）（２３）’（２３）’を刻設する。そして、ウエハー（１３）全体に圧力を加えて、微細なペレットに分割する。」 記載事項７（２ページ右下欄５～１１行） 「なお、前記実施例では、ウエハー材として、可視光で透視状態となるサファイアなどで形成されたウエハー（１３）を加工する場合について説明したが、ウエハーが赤外線で透視状態となる場合にも、本発明は適用可能となる。この場合、ウエハーを赤外線で照射し、操作者とウエハーとの間に監視装置として赤外線イメージ変換装置を設けて観察して行なう。」 記載事項８（２ページ右下欄下から６～３行） 「本発明は、素子上に飛散物、蒸発物が付着することがなく、素子の機能を低下させることがない。また、機械的に溝を形成するものに比して、歩留りが向上するなどの効果を奏する。」 記載事項９（第１図） 「 ［図：0001409472000001.jpg］ 」 記載事項１０（第２図） 「 ［図：0001409472000002.jpg］ 」 （２）甲２の記載事項 本件特許に係る出願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である甲２には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】基板（１０１）上に窒化物半導体（１０２）が形成された半導体ウエハー（１００）を窒化物半導体素子（１１０）に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、 前記半導体ウエハー（１００）は第１及び第２の主面を有し少なくとも該第１の主面側及び／又は第２の主面側の基板（１０１）に溝部（１０３）を形成する工程と、 該溝部（１０３）にブレイク・ライン（１０４）をレーザー照射により形成する工程と、 前記ブレイク・ライン（１０４）に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項２】前記第１の主面（１２１）は基板（１０１）上の一方にのみ窒化物半導体が形成された半導体ウエハー（１００）の窒化物半導体積層側であり、前記第２の主面（１１１）は半導体ウエハーを介して対向する基板露出面側である請求項１記載に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項３】前記ブレイク・ラインは基板（１０１）の溝部底面に形成された凹部（１０４）である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項４】前記ブレイク・ラインは基板（２０１）内部に形成された加工変質部（２０４）である請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項５】ダイヤモンドスクライバー、ダイサー、エッチング装置、レーザー加工機から選択される少なくとも１種によって前記溝部（１０３）を形成する請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項６】前記溝部（４０３）は第１の主面側（４２１）の予め基板（４０１）が露出された表面に形成される請求項２に記載の窒化物半導体素子の製造方法。 【請求項７】前記溝部（１０３）の幅が１０μｍ以上３５μｍ以下であり、前記溝部（１０３）の深さが３．７μｍ以上１００μｍ以下である請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、さらには高温においても駆動可能な３-５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に窒化物半導体積層された半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法に関する。」 「【０００４】しかしながら、窒化物半導体を利用した半導体素子は、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓやＧａＡｓ半導体基板上に形成させたＧａＡｓＰ、ＧａＰやＩｎＧａＡｌＡｓなどの半導体素子とは異なり単結晶を形成させることが難しい。結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るためには、ＭＯＣＶＤ法やＨＤＶＰＥ法などを用いサファイアやスピネル基板など上にバッファーを介して形成させることが行われている。そのため、サファイア基板などの上に形成された窒化物半導体層ごと所望の大きさに切断分離することによりＬＥＤチップなど半導体素子を形成させなければならない。 【０００５】サファイアやスピネルなどに積層される窒化物半導体はヘテロエピ構造である。窒化物半導体はサファイア基板などとは格子定数不整が大きく熱膨張率も異なる。また、サファイア基板は六方晶系という結晶構造を有しており、その性質上へき開性を有していない。さらに、サファイア、窒化物半導体ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質である。 【０００６】したがって、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難であった。また、ダイサーでフルカットすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できなかった。また、場合によっては基板から窒化物半導体層が部分的に剥離する場合があった。 【０００７】そのため窒化物半導体ウエハーは所望のチップごとに分割する方法として特開平８－２７４３７１号などに記載されているようにダイヤモンドスクライバーやダイサーを組み合わせて使用する方法が考えられている。具体的一例として、図５（Ａ）から図５（Ｄ）に窒化物半導体素子を製造する工程を示す。図５（Ａ）は、サファイア基板５０１上に窒化物半導体５０２が形成された半導体ウエハー５００を示す。図５（Ｂ）はサファイア基板５０１の下面側から窒化物半導体５０２に達しない深さでダイサー（不示図）による溝部５０３を形成する工程を示す。図５（Ｃ）は、溝部にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ライン５０４を形成する工程を示す。図５（Ｄ）は、スクライブ工程の後、半導体ウエハー５００をチップ状５１０に分離する分離工程を示してある。これにより、切断面のクラック、チッピングが発生することなく比較的綺麗に切断することができるとされている。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、あらかじめダイサーなどで半導体ウエハー５００の厚みを部分的に薄くさせた溝部５０３を形成し、溝部５０３にダイヤモンドスクライバーでスクライブ・ライン５０４を形成させる場合、ダイヤモンドスクライバーの刃先が溝部５０３の底に接触しなければならない。 【０００９】即ち、通常ダイサーの円盤幅よりもダイヤモンドスクライバーの刃先の方が大きい。そのため図６の如く、ダイヤモンドスクライバーの刃先６０１が半導体ウエハー５００に形成された溝部５０３の底面に届かない場合がある。この状態でスクライバーを駆動させると半導体ウエハーの平面では図７の如き、所望のスクライブ・ライン７０３が形成されず歪んだスクライブ・ライン７０４が形成される傾向にある。これらを防止する目的でダイヤモンドスクライバーの刃先が溝部５０３の底に接触するためにはダイサーで形成した溝部５０３の幅を広くする必要がある。溝部５０３が広くなると半導体ウエハーからの半導体素子の採り数が減少する。 【００１０】他方、溝の幅を狭くした場合は刃先が溝の底に接触させるために溝部５０３の深さを浅くする必要がある。溝部５０３を浅くすると半導体ウエハーの分離部の厚みが厚くなり半導体ウエハーを正確に分離することが困難になる傾向がある。したがって、何れも正確により小さい窒化物半導体素子を形成することができないという問題があった。」 「【００１２】したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをより小さいチップ状に分割するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができる製造方法を提供することを目的とする。」 「【００１６】本発明の請求項４に記載された窒化物半導体素子の製造方法は、ブレイク・ラインが基板２０１内部に形成された加工変質部２０４である。」 「【００１９】 【発明の実施の形態】本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所にレーザーを照射することにより、半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。 【００２０】本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。 【００２１】即ち、ダイサーやダイヤモンドスクライバーなどにより機械的に削りとられた溝部は、その溝部形成時に内部応力が生ずる。特に、溝部の底面に沿ってダイヤモンドスクライバーによるスクライブ・ラインを形成する工程においてはスクライバーの刃先にかかる加重で溝部底以外にも広く歪みが増幅される。そのため、溝部形成後にダイヤモンドスクライバーで分離させると半導体ウエハー内に保持された応力によって所望通りの端面が形成されず、より正確に窒化物半導体ウエハーが分離できないと考えられる。 【００２２】本発明はダイサーにより生じた内部応力に依存することなくレーザースクライバーにより分割に寄与する局所的な応力を発生させる。これにより端面が綺麗（平滑）であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができると考えられる。また、窒化物半導体素子を分離されるためには半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い溝部を形成させる。その溝部よりも狭いブレイク・ラインをレーザー照射により形成することで、極めて細いブレイク・ラインを所望の深さまで深く形成することができ量産性の良い窒化物半導体素子を分離できるものである。以下、本発明の製造方法例について説明する。」 「【００３２】発光ダイオード用の窒化物半導体ウエハーとする場合、基板で通常２００から５００μｍの厚みがあり、ｐｎ接合を持つ窒化物半導体層で数μｍから数十μｍの厚みがある。したがって、半導体ウエハーのほとんどが基板の厚みで占められることとなる。レーザーによる加工を行いやすくするために基板の厚みを研磨により薄くすることができる。このような研磨は、窒化物半導体を形成させてから薄くしても良いし薄く研磨した基板上に窒化物半導体を形成させることもできる。 【００３３】なお、レーザーが照射された窒化物半導体ウエハーは、その焦点となる照射部が選択的に飛翔する或いは微視的なマイクロ・クロックの集合である加工変質部になると考えられる。また、本発明のブレイク・ラインは半導体ウエハーの溝部表面を除去しても良いし基板の溝部よりも内部側に加工変質部を形成させても良い。さらに、本発明は溝部近傍に形成されたレーザー加工によるブレイク・ラインに加えて半導体ウエハーの総膜厚の中心をレーザー加工させても良い。」 「【００３７】 【実施例】（実施例１）厚さ２００μｍであり洗浄されたサファイアを基板１０１としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成させた。・・・」 「【００４２】半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝部が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層が形成された半導体ウエハーを用いる。・・・（図１（Ａ））。 【００４３】こうして形成された窒化物半導体ウエハー１００のサファイア基板１０１を１００μｍまで研磨した後、半導体ウエハー１００のサファイア基板面１１１が上になるように水平方向に自由駆動可能なテーブル上に真空チャックを用いて固定させた。ブレード回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃでステージを移動させることによりサファイア基板１０１の底面に幅約３０μｍ、深さ約１５μｍの溝を縦横に形成し溝部１０３とさせる。・・・（図１（Ｂ））。 【００４４】次に、ダイサーの刃先など駆動部のみレーザー（３５６ｎｍ）が照射可能なＹＡＧレーザー照射装置と入れ替えた（不示図）。窒化物半導体ウエハー１００の固定は維持したままレーザーの焦点を窒化物半導体ウエハーの溝部１０３底面に結ばれるようレーザーの光学系を調節させる。調節したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ２で照射させながらステージを移動させることにより溝部１０３の底面に沿って深さ約３μｍの更なる溝としての凹部１０４をブレイク・ラインとして形成する（図１（Ｃ））。 【００４５】ブレイク・ラインに沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ、窒化物半導体ウエハー１００を切断分離することができる。分離された窒化物半導体素子１１０の端面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子を形成することができる（図１（Ｄ））。」 「【００４８】（実施例２）実施例１のレーザー照射装置における焦点深さをレーザーの光学系を調整させて深くさせた以外は実施例１と同様にしてブレイク・ラインを形成させた。形成されたブレイク・ラインは基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２（Ｃ））。 【００４９】ブレイク・ラインの形成を溝部２０３底面でなく基板２０１内面に形成させても実施例１のＬＥＤチップとほぼ同様の歩留りを形成することができる。」 「【００６４】 【発明の効果】本発明は半導体ウエハーの基板に達する溝部を形成し、その溝部にレーザー照射によるブレイク・ラインを形成する。これにより刃先消耗等による加工精度の劣化を引き起こすことなく、より幅が狭くかつ深い溝部に、加工バラツキのない高精度のブレイク・ライン形成を可能にし、容易にかつ正確にブレイク・ラインに沿って窒化物半導体素子を分割することが可能となる。そのため、形状の揃った製品供給、及び製品歩留りの向上が可能となる。」 図１ 「 ［図：0001409472000003.jpg］ 」 図２ 「 ［図：0001409472000004.jpg］ 」 ２ 甲号証に記載された発明及び技術的事項 （１）甲１に記載された技術的事項及び甲１発明 ア 甲１に記載された技術的事項 甲１の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 （ア）甲１には、レーザ光線を用いて半導体ウエハーを微細なペレットに分割する半導体装置の加工方法が記載されており（記載事項１）、当該方法は、ＸＹテーブル１７、レーザ発振器１０、集光レンズ系１４（記載事項３）、を有する装置（記載事項９）を用いて行われる。 （イ）ＸＹテーブル１７には、素子１５が形成された面１６を下側にして、半導体ウエハー１３が載置される（記載事項３）。 （ウ）レーザ発振器１０は、レーザ光線１１を放射する（記載事項３）。 （エ）集光レンズ系１４は、レーザ光線１１を集光させ（記載事項３）、半導体ウエハー１３の反対側の面１８上に照射して、反対側の面１８上に溝２３を刻設する（記載事項６）。そして、レーザ光線１１が、集光レンズ系１４により半導体ウエハー１３の面１８上に集光されて照射される点を以下「照射点」という。 （オ）ＸＹテーブル１７は、半導体ウエハー１３の反対側の面１８上に複数条の溝２３、２３’を刻設するために、レーザ光線１１を半導体ウエハー１３の反対側の面１８上に照射させた状態で、左右に動かすことができる（記載事項６）。 （カ）上記（オ）の複数条の溝２３、２３’を刻設した後に、半導体ウエハー１３全体に圧力を加えて、微細なペレットに分割するから（記載事項６）、複数条の溝２３、２３’が分割の起点となることは明らかである。 （キ）ＸＹテーブル１７は、左右に動かすことができる（上記（オ））から、加工方法に用いる装置が、ＸＹテーブルの駆動を制御する制御部を有していることは自明な事項といえる。 （ク）甲１には、監視装置で前記半導体ウエハー１３の素子１５の位置を確認しながら、その素子間１５に対応する反対側の面１８に溝２３を刻設することが記載されている（記載事項５）から、上記（オ）の複数条の溝２３、２３’は半導体ウエハー１３の素子１５の間に沿って刻設されることは明らかである。 イ 甲１発明 上記アの技術的事項を本件発明１の分説に合わせて整理すると、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているということができる。（甲１発明の分説の符号は、本件発明１の分説の符号に対応して「ａ１」などと記載する。） ＜甲１発明＞ 「ａ１：半導体ウエハー１３の半導体素子１５が形成されている面１６の反対側の面１８上に、半導体ウエハー１３に圧力を加えて微細なペレットに分割する起点となる溝２３、２３’を刻設する、レーザ光線１１を用いて半導体ウエハー１３を微細なペレットに分割する加工装置であって、 ｂ１：半導体素子１５が形成された面１６を下側にして前記半導体ウエハー１３が載置されるＸＹテーブル１７と、 ｃ１：レーザ光線１１を放射するレーザ発振器１０と、 ｄ１：前記ＸＹテーブル１７に載置された前記半導体ウエハー１３の前記反対側の面１８上に、前記レーザ発振器１０から放射されたレーザ光線１１を集光し、そのレーザ光線１１の照射点の位置で前記溝２３、２３’を刻設させる集光レンズ系１４と、 ｅ１：前記溝２３、２３’を前記半導体ウエハー１３の前記反対側の面１８上に刻設するために、レーザ光線１１の照射点を前記半導体ウエハー１３の前記反対側の面１８上に位置させた状態で、前記半導体ウエハー１３の半導体素子１５の間に沿ってレーザ光線１１の照射点を移動させるようにＸＹテーブル１７を制御する制御部と、を備え、 ｆ１：加工対象物は、半導体ウエハー１３である、 ｇ１：レーザ光線１１を用いて半導体ウエハー１３を微細なペレットに分割する加工装置。」 （２）甲２の技術的事項、及び甲２の実施例２に係る技術的事項 ア 甲２の技術的事項 甲２の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 （ア）甲２には、基板上に窒化物半導体が積層された半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法（【０００１】）が記載されており、当該製造方法は、窒化物半導体ウエハーを分割する際に、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくし、歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができることを目的とする（【００１２】）。 （イ）上記（ア）の目的は、半導体ウエハーの特定箇所にレーザーを照射することにより達成される（【００１９】）ところ、分離端面がブレイク・ラインに沿って平坦に形成される理由は、ダイサーやダイヤモンドスクライバーなどにより機械的に削りとられた溝部の溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生じ、その内部応力とブレイク・ラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられ（【００２０】、【００２１】）、ダイサーにより形成された溝部に生じる内部応力のみに依存するのではなく、レーザースクライバーにより発生する局所的な応力と相まって、分離端面を平滑にし、量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができる（【００２２】）。 （ウ）実施例１は、ダイサーにより窒化物半導体ウエハーに溝部１０３を形成し（【００４３】）、ＹＡＧレーザー照射装置のレーザーの焦点を溝部１０３底面に集光するようにレーザーの光学系を調節させ、レーザー光線を照射させながらステージを移動させることにより溝部１０３の底面に沿った凹部となるように、ブレイク・ライン１０４を形成する（【００４４】）。 （エ）実施例２は、実施例１のレーザー照射装置における焦点深さをレーザーの光学系を調整させて深くさせた以外は、実施例１と同様にしてブレイク・ラインを形成すること（【００４８】）で、ブレイク・ライン２０４は基板２０１の表面となる溝部２０３には形成されていないが、基板２０１内部に加工変質部として形成されている（【００４８】、図２（Ｃ））。 （オ）実施例２は実施例１のレーザー照射装置の焦点深さを深くした以外は実施例１と同様であるから、実施例２の基板２０１の上方の表面には、実施例１の溝部１０３と同様の溝部２０３が形成され、基板２０１の他方の表面には、島状窒化物半導体１０２（【００４２】）と同様の島状窒化物半導体２０２が形成されており、ブレイク・ライン２０４（図２（Ｃ））を形成する際には、実施例１のブレイク・ライン１０４と同様に、ＹＡＧレーザー照射装置による照射や、レーザー光学系による集光、ステージの移動が行われている。 イ 甲２の実施例２に係る技術的事項 上記ア及び甲２の【特許請求の範囲】、段落【００１６】、段落【００２０】～【００２２】、【００３３】、【００４８】～【００４９】、【００６４】の記載などから、特にその実施例２について、以下の技術的事項を理解できる。（甲２の実施例２に係る技術的事項の分説の符号は、本件発明１の分説の符号に対応して「ａ２」などと記載する。） 「ａ２：荷重をかけて半導体ウエハー２００を切断分離するために、一方の表面に溝部２０３が形成され、他方の表面に島状窒化物半導体２０２が形成された前記半導体ウエハー２００の基板２０１の内部に、加工変質部を形成するレーザー加工機であって、 ｂ２：前記半導体ウエハー２００が載置されるステージと、 ｃ２：レーザー光線を照射するＹＡＧレーザー照射装置と、 ｄ２：前記ステージに載置された前記半導体ウエハー２００の基板２０１の内部に、ＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線を集光し、そのレーザー光線の焦点の位置で加工変質部を形成させるレーザーの光学系と、 ｅ２：レーザー光線の焦点が前記基板２０１上の溝部２０３の内部側に位置するように、前記レーザーの光学系を調整し、レーザー光線の焦点が前記基板２０１を切断分離するラインに沿って移動するように、前記基板２０１の厚さ方向と直交する方向に前記ステージを移動させる制御部とを備え、 ｆ２：前記基板２０１は、前記基板２０１部分に切断分離するラインに沿って溝部２０３が形成された ｇ２：レーザー加工機。」 （以下「甲２の実施例２に係る技術的事項」という。） （３）甲１発明及び甲２の技術的事項の認定に対する請求人の主張について ア 請求人の主張についての検討 （ア）請求人の主張の概要 ａ 「適正な条件でシリコンウェハ（シリコン単結晶構造部分に切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ）の内部にレーザ光による改質領域を形成するだけで（甲２発明が必要としているような溝部を形成しなくても）、その改質領域が切断の起点となり、当該シリコンウェハが極めて好適に切断される」という事象が知られていたことは、甲２から明らかである。（請求人要領書２７ページ） ｂ 甲１で、実際にレーザ光線が破壊するのは、ウエハーそのものである。つまり、甲１の「半導体が形成されている面に・・・溝を形成する」とは、より具体的には、「半導体が形成されている面付近の半導体の内部に溝を形成する」ことを意味し、実質的にはレーザ光によって半導体の内部を破壊している。（請求人要領書３０ページ） ｃ 甲２の全体を通じて、加工対象物に溝を形成する目的は、レーザによる加工を行いやすくするために厚みを薄くすることにあることが記載されている。また、甲２には、溝を形成せずに加工対象物全体の厚さを薄くする技術が開示されている（甲２【００３２】）。熱の影響がなければ、基板の板厚をあえて大きくしておく必要はないし、基板に溝部を設けておく必要もないと当業者は理解する。しかも、シリコンウェハ等の半導体ウェハの厚さは薄くなる傾向にあったのであり（本件明細書【００１７】）、シリコンのように、へき開性を有し、硬度が低い（硬くない）加工対象物を切断する場合であればなおさら、当業者は、コストアップに繋がる溝形成プロセスを避け、溝を設けないでレーザ照射をしようと試みる。よって、甲２から、表面に溝が形成されていない加工対象物の内部にレーザを照射して加工対象物を切断する発明を認定することができる。（請求人要領書３３～３８ページ） （イ）請求人の主張の検討 ａ 上記（ア）ａについて検討する。 甲２の記載事項及び甲２の技術的事項は、上記１（２）及び２（２）のとおりであり、甲２には、適正な条件でシリコンウェハ（シリコン単結晶構造部分に切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ）の内部にレーザ光による改質領域を形成することは記載されていないし、甲２には、シリコン単結晶構造部分に切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハについて、その内部に形成した改質領域が切断の起点となることも記載されていないから、請求人の主張は採用できない。 ｂ 上記（ア）ｂについて検討する。 請求人は、甲１の「半導体が形成されている面に・・・溝を形成する」とは、より具体的には、「半導体が形成されている面付近の半導体の内部に溝を形成する」ことを意味し、実質的にはレーザ光によって半導体の内部を破壊している旨を主張しているが、甲１には、「そして集光レンズ（１４）を上下動して、このレーザ光線（１１）を前記ウエハー（１３）の反対側の面（１８）上に照射する。このレーザ光線（１１）の光軸と前記監視装置の光軸とは、同軸上に形成されているので、前記素子（１５）間の位置に対応する反対側の面（１８）上に溝（２３）を形成することができる。このようにして、監視しながらレーザ光線（１１）を照射し、前記ＸＹテーブル（１７）を左右に動かして、ウエハー（１３）の反対側の面（１８）上に複数条の溝（２３）（２３）’（２３）’を刻設する。」（上記１（１）の記載事項６）と記載されていることに鑑みれば、甲１では、面上に溝を刻設しており、「面付近の半導体の内部」に溝を形成していないことは明らかである。 ｃ 上記（ア）ｃについて検討する。 請求人は、甲２の全体を通じて、加工対象物に溝を形成する目的は、レーザーによる加工を行いやすくするために厚みを薄くすることにあることが記載されており、溝を形成せずに加工対象物全体の厚さを薄くする技術が開示されている（【００３２】）から、甲２から、表面に溝が形成されていない加工対象物の内部にレーザーを照射して加工対象物を切断する発明を認定することができる旨を主張しているが、甲２の【００３２】に、基板の厚さを薄くすることは記載されているとしても、基板に溝を形成しないことは記載されていない。また、甲２の技術的事項については、従前、ダイサーのみやスクライバーのみで切断することが困難であったことを背景として、両者の技術を組み合わせるべく、半導体ウエハーにダイサーで溝部を形成し、この溝部にスクライバーでラインを形成した後、半導体ウエハーに外力を加えて、チップ状の半導体素子に分離する分離工程に関し、従来、ダイヤモンドスクライバーで溝部にスクライブ・ラインを形成しようとすると、溝部幅を広くしても、狭くしても、いずれであっても、より小さい半導体素子を正確に形成することができないという問題があったことから、代わりにレーザー照射を用いてブレイク・ラインを形成しようとするものである（甲２の段落【０００８】～【００１０】、【００１３】）。 したがって、上記分離工程の課題は、溝部にラインを形成することに伴い生じるものであって、甲２の技術的事項は、溝部を形成した上で、スクライブ・ラインに代えてブレイク・ラインを形成するためにレーザー照射を採用することに特徴のあるものであるから、甲２の技術的事項において、加工対象物である基板２０１は、切断予定ラインに沿った溝（ダイサーによる溝部）が形成されていることは必須であることが明らかである。 また、甲２の段落【００２０】の「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。」との甲２の技術的事項の効果を奏する理由に関する記載からも切断予定ラインに沿った溝（ダイサーによる溝部）が形成されていることは必須であることが示されている。したがって、請求人の上記（ア）ｃの主張は採用できない。 イ 小括 以上、上記アで検討したとおり、甲１発明及び甲２の技術的事項についての請求人の主張は採用できない。 ３ 無効理由１（甲１に基づく本件発明１の進歩性欠如）について （１）本件発明１と甲１発明の対比 ア 本件発明１と甲１発明を対比すると、次の甲１発明の欄に記載した甲１発明の各構成は、本件発明１の欄に記載した本件発明１の構成に、それぞれ相当する。 ＜甲１発明＞ ＜本件発明１＞ （構成ａ１） （構成Ａ） 半導体ウエハー１３・・・・・・・・・ウェハ状の加工対象物 分割する起点・・・・・・・・・・・・切断の起点 レーザ光線１１を用いて 半導体ウエハー１３を 微細なペレットに分割する加工装置・・・レーザ加工装置 （構成ｂ１） （構成Ｂ） ＸＹテーブル１７・・・・・・・・・・載置台 （構成ｃ１） （構成Ｃ） 放射する・・・・・・・・・・・・・・出射する レーザ発振器１０・・・・・・・・・・レーザ光源 （構成ｄ１） （構成Ｄ） 照射点・・・・・・・・・・・・・・・集光点 集光レンズ系１４・・・・・・・・・・集光用レンズ （構成ｅ１） （構成Ｅ） 半導体ウエハー１３の 半導体素子１５の間・・・・・・・・・・切断予定ライン レーザ光線１１の照射点を 移動させるように レーザ光の集光点を直線的に ＸＹテーブル１７を制御する・・・・・・移動させる機能を有する （構成ｇ１） （構成Ｇ） レーザ光線１１を用いて 半導体ウエハー１３を 微細なペレットに分割する加工装置・・・レーザ加工装置 イ また、甲１発明の構成ａ１の「半導体ウエハー１３の素子１５が形成されている面１６の反対側の面１８上」と、本件発明１の構成Ａの「ウェハ状の加工対象物の内部」は、「ウェハ状の加工対象物」という点で共通し、同様に、「分割する起点となる溝２３、２３’」と、「切断の起点となる改質領域」は、「切断の起点となる切断起点」という点で共通する。 ウ 甲１発明の構成ｃ１の「レーザ光線１１」と、本件発明１の構成Ｃの「パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光」とは、「レーザ光」という点で共通し、上記イと同様に、レーザ光を集光させる位置である、甲１発明の構成ｄ１及びｅ１の「前記反対側の面１８上」と、本件発明１の構成Ｄ及びＥの「前記加工対象物の内部」は、「ウェハ状の加工対象物」という点で共通し、甲１発明の構成ｄ１及びｅ１の「前記溝２３、２３’」と、本件発明１の構成Ｄ及びＥの「改質スポット」及び「改質領域」は、「切断起点」という点で共通し、甲１発明の構成ｆ１の「加工対象物は、半導体ウエハー１３である」ことと、本件発明１の構成Ｆの「前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハである」ことは、「前記加工対象物は、ウェハである」点で共通する。 エ そうすると、本件発明１と甲１発明は、次の点で一致し、次の点で相違する。 ＜一致点＞ 「ウェハ状の加工対象物に、切断の起点となる切断起点を形成するレーザ加工装置であって、 前記ウェハ状の加工対象物が載置される載置台と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、 前記載置台に載置された前記ウェハ状の加工対象物に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記切断起点を形成させる集光用レンズと、 前記切断起点を形成するために、レーザ光の集光点を前記ウェハ状の加工対象物に位置させた状態で、前記切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有する制御部と、 を備え、 前記加工対象物は、ウェハである レーザ加工装置。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は、切断起点が、「加工対象物の内部」に形成された、複数の「改質スポット」（構成Ｄ）によりなる「改質領域」（構成Ａ及びＥ）であり、集光点の位置が「加工対象物の内部」（構成Ｄ及びＥ）であるのに対して、甲１発明は、切断起点が「半導体ウエハー１３の反対側の面１８上」に刻設された「溝２３、２３’」であり、集光点の位置が「前記反対側の面１８上」である点。 ＜相違点２＞ 本件発明１は、「レーザ光」が「パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光」（構成Ｃ）であるのに対し、甲１発明は「レーザ光線１１」である点。 ＜相違点３＞ 本件発明１は、「制御部」が「隣り合う前記改質スポット間の距離が略一定となるように前記加工対象物の切断予定ラインに沿って」「パルスレーザ光の繰り返し周波数及びパルスレーザ光の集光点の移動速度を略一定にして、前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有する」（構成Ｅ）ものであるのに対し、甲１発明は、半導体ウエハー１３の半導体素子１５の間に沿ってレーザ光線１１の照射点を移動させるようにＸＹテーブル１７を制御するものであり、パルスレーザ光の繰り返し周波数及びパルスレーザ光の集光点の移動速度を略一定に制御するかどうかは不明な点。 ＜相違点４＞ 加工対象物が、本件発明１は、「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハである」（構成Ｆ）のに対し、甲１発明は、半導体ウエハー１３である点。 （２）相違点１の判断 ア 甲１について （ア）甲１には、従来技術の欠点として、レーザ光線を用いてウエハーに溝を刻設する際に、レーザ光線によりウエハー材が飛散、蒸発して、各素子の上面に付着することで、その素子の機能を低下させたり不良品とすることが記載されている（上記１（１）の記載事項２）。 （イ）そして、甲１発明は、半導体ウエハー１３を、素子１５が形成された面１６を下側にしてＸＹテーブル１７上に載置し、反対側の面１８上にレーザ光線で溝２３を刻設することにより、レーザ光線で飛散物や蒸発物が生じても、素子１５の上面はＸＹテーブル１７に接していることから、素子上には飛散物や蒸発物が付着することがなく、上記（ア）の欠点に対処できることを理解できる。 （ウ）甲１のこれらの記載に接した当業者は、甲１発明について、半導体ウエハーに溝を加工する際にレーザ光線で飛散、蒸発物が生じることを許容した上で、レーザ光線で生じた飛散、蒸発物が、素子の上面に付着することを抑制するものと理解するから、レーザ光線で飛散、蒸発物が生じること、すなわち、レーザ光線で溝を刻設することは、必須の事項と理解するといえる。したがって、半導体ウエハー１３の面上に溝を刻設することに代えて、半導体ウエハー１３の内部に改質領域を形成することを着想することが甲１に記載あるいは示唆されているものではない。 このように、甲１発明が、面上に溝を刻設することのみを想定した技術を前提とするものであって、半導体ウエハー１３の内部に改質領域を形成するものではないことについては、例えば、面１６を下側にしてＸＹテーブル１７に載置された半導体ウエハー１３が厚い場合に、面１８に加えて、下側にした面１６に溝を刻設した場合にも、レーザ光線１１によりウエハー材が飛散蒸発するが、この飛散蒸発したウエハー材が、側面に付着して上面に付着しないことで問題とならないとの記載（甲１の２ページ左下欄７行～右下欄４行）からも明らかである。 イ 甲２の実施例２に係る技術的事項の適用に基づく容易想到性について 甲２の実施例２に係る技術的事項の甲１発明への適用についても検討すると、甲２の実施例２に係る技術的事項は上記２（２）イのとおりのものであり、ＹＡＧレーザーの照射で溝を形成するものではないから、レーザ光線で溝を刻設することを必須の事項とする甲１発明とは技術的思想が異なる。さらに、甲１発明の課題は、レーザ光線をウエハーの素子が形成された表面側から照射すると、レーザ光線により飛散蒸発するウエハー材が、各素子の上面に付着して、その素子の機能を低下させたり不良品とするなどの欠点に対処することである一方、甲２の技術的事項の課題は、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくすること、あるいは、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することであって、レーザ光線によるウエハー材の飛散蒸発に対処することを目的とするものではないから、両者の課題も異なる。したがって、当業者が甲１発明に甲２の実施例２に係る技術的事項を適用する動機があるとはいえない。 ウ その他の証拠に基づく容易想到性について 甲８～甲１２は相違点２に対し、甲１３～甲１４は相違点３に対し、及び甲１５～甲１６は相違点４に対してそれぞれ提出された証拠であり（請求書１６～２０ページを参照。）、甲８～甲１６を参酌しても、甲１発明に甲２の実施例２に係る技術的事項を適用することの動機付けは見いだせない。 エ 相違点１の容易想到性の小括 以上のとおりであるから、相違点１は、甲１発明、甲２の実施例２に係る技術的事項及び甲８～甲１６に基づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえない。 （３）相違点１に対する請求人の主張について ア 請求人の主張の概要 （ア）甲１発明は、レーザ光を用いて半導体基板をペレット（＝チップ）に分割する技術に関し、甲２も、レーザ光を用いて半導体基板を分割する技術に関するから、甲１発明と甲２に記載の技術の技術分野は共通する（技術分野の共通性）。 また、甲１発明は、レーザ光による飛散、蒸着物が素子の表面に付着することがなく、歩留まりを向上させることを目的（課題）とする発明である一方、甲２に記載の技術は、歩留まりを向上させる作用機能を有し（段落【００１２】、【００１９】、【００４９】）、甲１発明の目的（課題）等と共通する（課題、作用・機能の共通性）。 さらに、本件特許の優先日における技術水準において、レーザ光を用いた加工技術において、加工対象物のレーザ光を照射した部分からの蒸散物（飛散物）がレンズ等に付着する課題は、当業者にとって周知の課題であった（甲４の段落【０００２】、【０００３】、甲５の段落【０００３】、甲６の段落【０００１】、及び甲７の段落【０００１】）から、甲１発明においても、集光レンズ１４は加工対象物である半導体ウェハー１３に面していることから（図１）、半導体ウエハー１３のレーザ光を照射した部分からの蒸散物（飛散物）が集光レンズ１４に付着する等の当該周知の課題が依然として残ったままである。 以上を考慮すると、甲１発明において、上記周知の課題を解決するために、技術分野が共通しかつ課題、作用・機能が共通する甲２に記載の技術を適用し、「切断の起点となる領域」を「ウェハ状の加工対象物の内部」に位置する「マイクロ・クラック」（改質スポット）及び「マイクロ・クラックの集合である加工変質部」（改質領域）とすることは、レーザ光による飛散、蒸着物が素子の表面に付着することも防ぐことができ、甲１発明の目的にも合致するから、当業者は甲１発明に甲２に記載の技術を適用する動機付けがある。（請求書１５～１６ページ） （イ）ウエハー材が飛散蒸発しないようにするという周知の課題（甲４～甲７）を解決するために、甲２発明を理解した当業者は、甲１発明のレーザ光線の焦点を加工対象物の内部にあてて、基板の内部に切断の起点となる改質領域を形成することを即座に想到する。（請求人要領書２８ページ） （ウ）基板の表面にき裂を設けて基板を切断するのと、基板の内部にき裂を設けて基板を切断するのとでは、後者では前者よりも強めの引張応力が必要となる（ローラーを用いる場合、ローラーによってより強めの押力をかける必要がある）点に違いがあるだけであるから（甲２２の１～甲２２の２）、かかる割断に関する技術常識を踏まえれば、甲２（特に段落【００１９】～【００２２】）に接した当業者は、自然に、ウエハーの表面に溝を形成せずにその内部にレーザの焦点をあててウエハーを割断することを理解し、半導体の内部のみを破壊するように、甲１発明に甲２発明を適用することを自然に思い付く。（請求人要領書３０～３１ページ） （エ）甲１において、内部の破壊が面１６に至ってしまった場合には、レーザ光線による飛散物、蒸発物が生じてしまうという周知の課題（甲４～甲７）に直面するところ、基板の表面にき裂を設けて基板を切断するのと、基板の内部にき裂を設けて基板を切断するのとでは、後者では前者よりも強めの引張応力が必要となる点に違いがあるだけであり、かかる割断に関する技術常識を踏まえれば、当業者は、ウエハーのその内部にレーザの焦点をあてる際、表面自体に溝を形成せずウエハーを割断することを自然に想到する。 かかる意味において、甲１発明には、加工対象物の表面自体に溝を形成しない発明を実質的に開示しているということができる。（請求人要領書３３ページ） イ 請求人の主張の検討 （ア）上記ア（ア）、（イ）の主張について検討する。 甲１発明に甲２の実施例２に係る技術的事項を適用する動機付けがないことは、上記（２）イ及びウで説示したとおりである。 したがって、上記ア（ア）、（イ）の主張は採用できない。 さらに、甲１発明に甲２の技術的事項を適用し、「切断の起点となる領域」を「ウェハ状の加工対象物の内部」に位置する「マイクロ・クラック」（改質スポット）及び「マイクロ・クラックの集合である加工変質部」（改質領域）とすることで、レーザ光による飛散、蒸着物が素子の表面に付着することも防ぐことができる旨の論理は、甲２に、レーザ光により飛散、蒸着物が生じるとの課題が記載されていないこと、及び甲２の実施例２に係る技術的事項は、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくし、歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができることを解決するための手段であって、レーザ光により飛散、蒸着物が生じるとの課題を解決するための手段としては認識できないことに鑑みれば、後知恵といわざるを得ないものであり、甲１発明に甲２の技術的事項を適用することは、容易になし得るものとはいえない。 また、請求人のいう周知の課題を検討しても、甲２には、甲２の実施例２に係る技術的事項により、当該周知の課題を解決できることの明記はない。 さらに、甲２の実施例２に係る技術的事項により、当該周知の課題を解決できることが、本件特許の原出願の優先日当時において自明な事項であると認めるに足る証拠はない。 したがって、仮に、甲１発明が、当該周知の課題を内在していたとしても、当業者は、甲２の実施例２に係る技術的事項を、当該課題を解決するための手段として認識することはなく、むしろ、甲４の薄膜や、甲６～甲７の保護部材の適用を試みるというべきであるから、当該周知の課題が、甲１発明に甲２の実施例２に係る技術的事項を適用する動機付けとなるとはいえない。 （イ）上記ア（ウ）、（エ）について検討する。 甲１発明は、半導体ウエハー１３の面１８上の溝２３、２３’を、必須の事項とするものであるから、基板の表面にき裂を設けて基板を切断するのと、基板の内部にき裂を設けて基板を切断するのとでは、後者では前者よりも強めの引張応力が必要となることが技術常識であったとしても、基板の表面又は内部にき裂を設けることについての技術常識が、甲１発明から半導体ウエハー１３の面１８上の溝２３、２３’を刻設することを捨象する動機付けとならないことは明らかである。 また、甲１発明は、加工対象物の表面自体に溝を刻設しない発明を実質的に開示していないことは、上記２（３）ア（イ）ｂで説示したとおりである。 したがって、上記ア（ウ）、（エ）の主張は採用できない。 （４）小括 以上のとおり、相違点１は、甲１発明及び甲２の実施例２に係る技術的事項、並びに甲４～甲７及び甲８～甲１６に基づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえないから、相違点２～４について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明、甲２の実施例２に係る技術的事項、及び甲４～甲１６に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。 また、本件発明２は、本件発明１を引用する発明であるから、甲１発明と対比すると、少なくとも、相違点１で相違するものであり、同様の理由により、甲１発明、甲２の実施例２に係る技術的事項及び甲４～甲１６に基づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえない。 したがって、請求人の無効理由１により、本件発明１及び２に係る特許を無効とすることはできない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、無効理由１は理由がないものであり、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件発明１及び２に係る特許は、無効理由１により、無効とすることはできない。 また、無効理由２は撤回されている。 審判に関する費用については、特許法１６９条２項の規定で準用する民事訴訟法６１条の規定により、請求人の負担とする。 よって、結論のとおり審決する。