2021-800067

上記当事者間の特許第３９９０７１１号発明「レーザ加工装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担とする。

理 由 第１ 請求の趣旨及び答弁の趣旨 １ 請求の趣旨 特許第３９９０７１１号に係る特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求める。 ２ 答弁の趣旨 本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求める。 第２ 手続の経緯 １ 本件特許の設定登録までの経緯の概略 本件無効審判の請求に係る特許第３９９０７１１号（以下「本件特許」という。）に係る出願は、平成１４年３月１２日（以下「優先日」という。）に出願された特願２００２－６７３４８号に基づく優先権を主張して、２００３年（平成１５年）３月１１日に国際出願された特願２００３－５７４３７３号（以下「原出願」といい、その出願日を「原出願日」という。）の一部を、特許法４４条１項の規定により、平成１８年３月１４日に新たな特許出願としたものであり、平成１９年７月２７日に設定登録された。 ２ 本件特許の手続の経緯の概略 （１）訂正審判の経緯 本件特許に係る訂正審判の手続の経緯の概略は、以下のとおりである。 平成３０年４月２４日 ：訂正審判請求 （訂正２０１８－３９００７５号） 同 年７月 ３日付け：訂正審判の審決（訂正認容、確定済み） （２）本件無効審判の手続の経緯 本件無効審判における手続の経緯の概略は、以下のとおりである。 令和３年 ８月 ６日 ：審判請求書（以下「請求書」という。） の提出 同 年１１月１２日 ：答弁書の提出 令和４年 １月 ６日付け：併合審理通知（無効２０２１－ ８０００４５号の審理を併合） 同 年 ５月３１日付け：審理事項通知 同 年 ６月２２日 ：（請求人）上申書に添付して委任状を提出 同 年 ６月２７日 ：（請求人）口頭審理陳述要領書（以下 「請求人要領書」という。）の提出 同 年 ７月１５日 ：（被請求人）口頭審理陳述要領書の提出 同月２５日 ：（請求人）上申書の提出 同月２７日 ：口頭審理 同 年 ８月１２日 ：（被請求人）上申書の提出 同月２９日 ：（請求人）上申書の提出 同 年 ９月１５日 ：（被請求人）上申書の提出 同 年１１月 ９日付け：併合分離通知（無効２０２１－ ８０００４５号の審理を分離） 第３ 本件発明 １ 本件発明の記載 本件特許の請求項１及び２に係る発明は、上記訂正審判（上記第２の２（１））により訂正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１及び２の記載を分説すると、次のとおりである。（なお、上記訂正審判における訂正箇所を示す下線は省いて記載する。） 「【請求項１】 Ａ：半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 Ｂ：前記半導体基板が載置される載置台と、 Ｃ：レーザ光を出射するレーザ光源と、 Ｄ：前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、 Ｅ：前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 Ｆ：前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、 Ｇ：前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、 を備え、 Ｈ：前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する、 Ｉ：ことを特徴とするレーザ加工装置。 【請求項２】 Ｊ：半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 Ｋ：前記半導体基板が載置される載置台と、 Ｌ：レーザ光を出射するレーザ光源と、 Ｍ：前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、 Ｎ：前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 Ｏ：前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、 Ｐ：前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、 を備え、 Ｑ：前記半導体基板はシリコン基板であり、 Ｒ：前記制御部は、前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移動を制御する Ｓ：ことを特徴とするレーザ加工装置。」 （以下、各請求項に係る発明を「本件発明１」などといい、これらを総称して「本件発明」という。また、分説した発明特定事項をいう場合は、「構成Ａ」などという。） ２ 本件明細書及び図面の記載 本件特許に係る明細書及び図面には、以下の記載がある。 「【背景技術】 【０００２】 半導体デバイスの製造工程においては、シリコンウェハ等の半導体基板上に複数の機能素子を形成した後に、ダイヤモンドブレードにより半導体基板を機能素子毎に切断し（切削加工）、半導体チップを得るのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。 【０００３】 また、上記ダイヤモンドブレードによる切断に代えて、半導体基板に対して吸収性を有するレーザ光を半導体基板に照射し、加熱溶融により半導体基板を切断することもある（加熱溶融加工）（例えば、特許文献２参照）。 ・・・ 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 しかしながら、上述した切削加工や加熱溶融加工による半導体基板の切断は、半導体基板上に機能素子を形成した後に行われるため、例えば切断時に発生する熱を原因として機能素子が破壊されるおそれがある。 【０００５】 そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、例えば半導体基板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止して、半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にするレーザ加工装置を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００６】 上記目的を達成するために、本発明に係るレーザ加工装置は、半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、半導体基板が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、載置台に載置された半導体基板の内部に、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で改質領域を形成させる集光用レンズと、改質領域を半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を半導体基板の内部に位置させた状態で、半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、載置台に載置された半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、赤外透過照明により赤外線で照明された半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、を備えることを特徴とする。 【０００７】 これらのレーザ加工装置によれば、レーザ光の照射により改質領域が半導体基板の内部に形成されるが、このようなレーザ光の照射においては、半導体基板の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないため、半導体基板の表面が溶融することはない。したがって、例えば半導体基板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止することが可能となる。さらに、これらのレーザ加工装置及びレーザ加工方法よれば、改質領域が半導体基板の内部に形成される。半導体基板の内部に改質領域が形成されると、改質領域を起点として比較的小さな力で半導体基板に割れが発生するため、切断予定ラインに沿って高い精度で半導体基板を割って切断することができる。したがって、半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することが可能となる。 【発明の効果】 【０００８】 本発明に係るレーザ加工装置は、例えば半導体基板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止して、半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にする。 ・・・ 【００２７】 上述したレーザ加工方法に使用されるレーザ加工装置について、図９を参照して説明する。図９はレーザ加工装置１００の概略構成図である。 ・・・ 【００２９】 載置台１０７は、半導体基板１を赤外線で照明するために赤外線を発生する赤外透過照明１１６と、半導体基板１が赤外透過照明１１６による赤外線で照明されるよう、半導体基板１を赤外透過照明１１６上に支持する支持部１０７ａとを有している。 ・・・ 【００３３】 ・・・なお、半導体基板１を赤外透過照明１１６による赤外線で照明すると共に、後述する撮像データ処理部１２５により結像レンズ１２３及び撮像素子１２１の観察面を半導体基板１の内部に合わせれば、半導体基板１の内部を撮像して半導体基板１の内部の撮像データを取得することもできる。 ・・・ 【００３７】 ［半導体基板の実施例１］ ・・・ 【００４８】 なお、半導体基板１を赤外透過照明１１６による赤外線で照明すると共に、撮像データ処理部１２５により結像レンズ１２３及び撮像素子１２１の観察面を半導体基板１の内部に合わせれば、半導体基板１の内部に形成された切断起点領域９ａ及び切断起点領域９ｂを撮像して撮像データを取得し、モニタ１２９に表示させることもできる。 ・・・ 【００５２】 なお、半導体基板１の内部に溶融処理領域が形成されると、意識的に外力を印加しなくても、溶融処理領域を起点として（すなわち、切断起点領域９ａ及び切断起点領域９ｂに沿って）、半導体基板１の内部に割れが発生する場合がある。この割れが半導体基板１の表面３及び裏面１７に到達するか否かは、半導体基板１の厚さ方向における溶融処理領域の位置や、半導体基板１の厚さに対する溶融処理領域の大きさ等に関係する。したがって、半導体基板１の内部に形成する溶融処理領域の位置や大きさ等を調節することによって、半導体デバイスの製造工程において半導体基板１がハンドリングされたりヒートサイクルを経たりすることで、半導体基板１の表面３及び裏面１７に割れが到達しないよう、或いは切断直前に半導体基板１の表面３及び裏面１７に割れが到達するよう、種々の制御を行うことができる。 【００５３】 ［半導体基板の実施例２］ ・・・ 【００５４】 この半導体基板１は、外縁に沿った外縁部３１（図１５の２点鎖線の外側部分）を有し、この外縁部３１の内側部分３２（図１５の２点鎖線の内側部分）の内部には、実施例１に係る半導体基板１と同様に、ＯＦ１５と平行な方向に延びる複数本の切断起点領域９ａと、ＯＦ１５に垂直な方向に延びる複数本の切断起点領域９ｂとが形成されている。このように、内側部分３２の内部に切断起点領域９ａ，９ｂが格子状に形成されることで、内側部分３２は多数の矩形状の区画部３３に仕切られる。 ・・・ 【００６０】 なお、マスク３６を用いずに、半導体基板１の内側部分３２と外縁部３１との境界付近に各切断予定ライン５の始点５ａ及び終点５ｂを位置させて、各切断予定ライン５に沿ってレーザ光の照射を行うことにより、内側部分３２の内部に切断起点領域９ａ，９ｂを形成することも可能である。 ・・・ 【００６２】 しかも、半導体基板１の内側部分３２の内部に切断起点領域９ａ，９ｂが形成され、外縁部３１には切断起点領域９ａ，９ｂが形成されていないことから、半導体基板１全体としての機械的強度が向上することになる。したがって、半導体基板１の搬送工程や機能素子形成のための加熱工程等において、半導体基板１が不測の下に切断されてしまうという事態を防止することができる。 ・・・ 【００６４】 また、図１８に示すように、切断起点領域９ａ，９ｂは半導体基板１の内部に収まり、外部には露出しないため、切断起点領域９ａ，９ｂを構成する溶融処理領域を形成する際にガスが発生するようなことも防止される。」 図９ 「 ［図：0001411616000001.jpg］ 」 図１５ 「 ［図：0001411616000002.jpg］ 」 図１８ 「 ［図：0001411616000003.jpg］ 」 ３ 本件発明の技術的意義等 （１）従来技術及び本件発明が解決しようとする課題 上記２の記載から、従来技術及び本件発明が解決しようとする課題について、以下の事項を認めることができる。 半導体デバイスの製造工程において半導体基板を切断する方法には、ダイヤモンドブレードにより基板を機能素子毎に切断する方法や半導体基板に対して吸収性を有するレーザ光を基板に照射し、加熱溶融により基板を切断する方法があるが、これらの方法による場合には、切断時に発生する熱を原因として半導体基板上に形成された機能素子が破壊されるおそれがあるという課題があった（【０００２】～【０００４】）。 （２）本件発明の技術的意義 本件発明は、上記（１）の従来技術の課題を解決するため、半導体基板上に複数の機能素子が形成されていても、機能素子が破壊されるのを防止して、基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にするレーザ加工装置を提供することを目的とするものであり、本件発明に係るレーザ加工装置は、基板の内部にレーザ光を集光させ、レーザ光の集光点を基板の内部に位置させた状態で、基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させるように制御することで、切断予定ラインに沿って基板内部に切断の起点となる改質領域を形成し、また、その基板内部における改質領域を赤外線で照明して撮像可能とするものである（【０００５】、【０００６】）。 本件発明に係るレーザ加工装置は、このような構成により、半導体基板の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、基板の表面が溶融せず、基板上の機能素子が破壊されることを防止しながら、基板を切断することが可能となり、上記（１）の課題が解決される。 また、半導体基板内部における改質領域を起点として、比較的小さな力で基板に割れが発生するため、基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断できるという技術的意義が認められる（【０００７】、【０００８】）。 （３）構成Ｆ、Ｇ、Ｏ及びＰの技術的意義 上記２の記載から、本件発明１の構成Ｆ及びＧ、並びに本件発明２の構成Ｏ及びＰについて、以下の技術的意義を推認できる。 本件発明に係るレーザ加工装置によって、半導体基板内部に改質領域が形成されると、外力を加えなくても、改質領域を起点として基板の内部に割れが発生する場合があるが、この割れが基板の表面や裏面に到達するか否かは、基板の厚さ方向における改質領域の位置や、基板の厚さに対する改質領域の大きさ等に関係する（【００５２】）。 そこで、半導体基板を赤外透過照明による赤外線で照明する（構成Ｆ又はＯ、【００２９】）とともに、撮像素子の観察面を基板の内部に合わせて改質領域を撮像する（構成Ｇ又はＰ、【００３３】、【００４８】）ことで、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することができ、基板の内部に形成する溶融処理領域の位置や大きさ等を調節することが可能となり、その調節により、製造工程で基板が割れることがないように制御したり、切断直前に基板の表面及び裏面に割れが到達するように制御を行うことができる（【００５２】）。 （４）構成Ｈの技術的意義 上記２の記載から、本件発明１の構成Ｈについて、以下の技術的意義を認めることができる。 本件発明１に係るレーザ加工装置によって、半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に切断予定ラインの始点及び終点を位置させて（構成Ｈ）レーザ光を照射することで、基板の内側部分の内部に切断起点領域が形成され（【００６０】）、外縁部には切断起点領域が形成されないことから、半導体基板全体としての機械的強度が向上し、基板の搬送工程等において、基板が不測の下に切断される事態を防止できる（【００６２】）。 また、切断起点領域は半導体基板の内部に収まり、外部には露出しないため、切断起点領域を構成する改質領域を形成する際にガスが発生するようなことも防止される（【００６４】）。 そして、本件発明１の「外縁部」は、半導体基板を取り囲む端の一定の幅をもった部分（【００５４】、図１５）をいい、「内側部分」は、半導体基板の外縁部以外の部分をいうものと理解できる。 第４ 請求人の主張及び証拠方法 １ 請求人の主張の概要 （１）無効理由１（甲第１号証に基づく本件発明１の進歩性欠如） 本件発明１は、国内優先権の主張の効果（以下「優先権の効果」という。）が及ばないから、新規性・進歩性は原出願日（平成１５年３月１１日）を基準に判断されるべきであり、本件発明１は、本件特許の原出願日前に頒布された甲第１号証に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲第３の１号証～甲第３の５号証、又は甲第４号証、並びに甲第５～甲第７号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 （２）無効理由２（甲第１号証に基づく本件発明２の進歩性欠如） 本件発明２は、優先権の効果が及ばないから、新規性・進歩性は原出願日を基準に判断されるべきであり、本件発明２は、本件特許の原出願日前に頒布された甲第１号証に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲第３の１～甲第３の５号証、又は甲第４号証、並びに甲第８～甲第９号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 ２ 証拠方法 （１）併合審理の通知前に提出されたもの 甲第 １号証：特開昭５３－１１４３４７号公報 甲第 ２号証：本件特許の優先権証明書（特願２００２－６７３４８号） 甲第 ３の１号証：特開２００２－１９２３７０号公報 甲第 ３の２号証：特開２００３－１４５８号公報 甲第 ３の３号証：特開２００３－１４５７号公報 甲第 ３の４号証：特開２００３－１０９８６号公報 甲第 ３の５号証：特開２００３－１０９９２号公報 甲第 ４号証：特開平１１－１７７１３７号公報 甲第 ５号証：特開平６－２２４２９８号公報 甲第 ６号証：特開平１１－２２４８６４号公報 甲第 ７号証：特開２００２－４３２５４号公報 甲第 ８号証：原央編、「ＵＬＳＩプロセス技術」、初版、株式会社 培風館、１９９７年６月１０日、２６８～２７５ページ 甲第 ９号証：実願昭５３－４０８２号（実開平１－１０８５０８号）の マイクロフィルム 甲第１０号証：無効２０１９－８０００６８号の審決の予告 （２）併合審理の通知後に提出されたもの ア 請求人要領書に添付したもの 甲第１１号証：「ＰＣＴ国際調査及び予備審査ガイドライン」 （２０２０年７月１日施行、日本語仮訳の抜粋） 甲第１２号証：ボーデンハウゼン著「産業財産権に関するパリ条約」 （日本語訳の抜粋） イ 令和４年７月２５日の上申書に添付したもの 甲第１３号証：久野耕司、「ステルスダイシングによる微細加工技術の 変遷と展望－２４時間稼働できる高スループットレーザ 加工装置－」（レーザ加工学会誌、一般社団法人レーザ 加工学会、２０１９、Ｖｏｌ．２６、Ｎｏ．２） 甲第１４号証：別件特許権侵害訴訟（平成３０年（ワ）第２８９２９号、 平成３０年（ワ）第２８９３０号）において、被請求人が 裁判所に提出した「ＳＤ加工メカニズム、ＳＤ層の実態」 と題する資料（２枚目は黒塗りとしている） 甲第１５号証：請求人の技術説明資料 ウ 令和４年８月２９日の上申書に添付したもの 甲第２８号証：実願昭５３－１１３００４号 （実開昭５５－２９５４９号）のマイクロフィルム （以下、各甲号証を「甲１」などという。） 第５ 被請求人の主張及び証拠方法 １ 被請求人の主張の概要 （１）無効理由１（甲１に基づく本件発明１の進歩性欠如） 本件発明１には、優先権の効果が及ばないことは認めるが、本件発明１は、甲１に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲３の１～甲３の５、又は甲４、並びに甲５～甲７）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）無効理由２（甲１に基づく本件発明２の進歩性欠如） ア 優先権の主位的及び予備的主張 ＜主位的主張＞ 本件発明２については、その全体に優先権の効果が及ぶ。 ＜予備的主張＞ 仮に、本件発明２の全体に優先権の効果が及ぶとはいえないとしても、優先権の基礎となる出願の明細書に記載されていた部分には、優先権の効果（以下「部分優先の効果」という。）が認められる（すなわち、本件発明２の構成のうち、構成Ｎの「切断予定ライン」が「半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点、終点を有する切断予定ライン」を含まない部分については、部分優先の効果が認められる。）。 イ 主位的主張に基づく進歩性 本件発明２については、優先権の効果が及ぶから、甲３の１～甲３の５は優先日前に頒布された刊行物に該当せず、先行文献とはならないところ、本件発明２は、甲１に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲４、並びに甲８～甲９）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 予備的主張に基づく進歩性 本件発明２について、部分優先の効果が認められる場合には、本件発明２の構成のうち、構成Ｎの「切断予定ライン」が「半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点、終点を有する切断予定ライン」であるものについては部分優先の効果が認められず、優先日前に頒布された刊行物である甲３の１～甲３の５は先行文献となるが、本件発明２は、甲１に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲３の１～甲３の５、又は甲４、並びに甲８～甲９）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ２ 証拠方法 （１）併合審理の通知前に提出されたもの 乙第１号証の１：高岡秀嗣、「極薄半導体ウェハのダイシングに最適な ステルスダイシング技術の原理と特徴」、電子材料、 工業調査会、２００２年９月１日、Ｖｏｌ．４１、 Ｎｏ．９、１７－２１ページ 乙第１号証の２：大島雅志、ほか２名、「浜松ホトニクスのステルス ダイシング技術について－開発意義を専門家に聞く－」 電子材料、工業調査会、２００２年９月１日、 Ｖｏｌ．４１、Ｎｏ．９、２２－２３ページ） 乙第１号証の３：「レーザー学会産業賞「優秀賞」受賞」と題する文書、 一般社団法人レーザー学会 乙第１号証の４：「浜松ホトニクス 透過性パルスレーザーの内部集光に よる切断加工システム」と題するウェブページ、 株式会社中日新聞社 ＜URL:http://www.chunichi.co.jp/info/award/ sangisho/minister_no24.html＞ 乙第１号証の５：「機械振興賞 受賞者 業績概要詳細」と題するウェブ ページ、 ＜URL:http://www.jspmi.or.jp/system/ l_cont.php?ctid=l30502&rid=1101＞ 乙第１号証の６：「レーザー加工技術 特許総合ランキング力トップ３は 浜松ホトニクス、ディスコ、三菱電機」と題するウェブ ページ ＜URL:https://www.patentresult.co.jp/news/2018/07/ laserprotech.html＞ （２）併合審理の通知後に提出されたもの 令和４年９月１５日の上申書に添付したもの 乙第５号証：知的財産高等裁判所 令和３年（ネ）第１０１０１号判決 第６ 当審の判断 １ 甲号証の記載事項 （１）甲１の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日（平成１５年３月１１日）前であり、かつ優先日（平成１４年３月１２日）前に頒布された刊行物である甲１には、以下の事項が記載されている。（下線は、理解を容易にするために当審で付したものである。以下同じ。） 記載事項１（１ページ左下欄下から７～５行） 「本発明は、半導体装置の加工方法に係り、特にレーザ光線を用いて半透明な半導体ウエハーを微細なペレットに分割する加工方法に関する。」 記載事項２（１ページ左下欄最終行～右下欄下から４行） 「しかし、機械的手段によると歩留りが悪い為、最近レーザ光線を用いて溝を形成することが行なわれている。すなわち、レーザ発振器を用い、この発振器からのレーザ光線を集光レンズなどからなる光学系で、ウエハー上に集光させて照射する。そして、この光学系あるいはウエハーを平面的に動かして素子間に複数条の溝を形成している。そして、従来同様に圧力を加えて微細なペレットを得ている。 しかしながら、レーザ光線をウエハーの素子が形成された表面側から照射する為、レーザ光線により飛散蒸発するウエハー材が、各素子の上面に付着し、その素子の機能を低下させたり不良品とするなどの欠点がある。 本発明は、上記欠点に対処してなされたもので、レーザ光線による飛散、蒸発物が素子の表面に付着することがなく、しかも歩留りが向上する半導体装置の加工方法を得るにある。」 記載事項３（１ページ右下欄最終行～２ページ左上欄１１行） 「第１図において、レーザ発振器（１０）のレーザ光線（１１）の放射口側には、そのレーザ光線（１１）の放射方向を９０°変えるダイクロイツクミラ（１２）が配置されている。このミラ（１２）により反射されたレーザ光線（１１）は、実線で示すように前記ミラ（１２）と半導体ウエハー（１３）との間に配置された集光レンズ系（１４）により集光される。このレンズ系（１４）は、図示しない駆動機構により上下動するように構成されている。また、この半導体ウエハー（１３）は、サフアイアのような可視光でかなり透明な物質で構成され、その素子（１５）が形成された面（１６）を下側にしてＸＹテーブル（１７）上に載置されている。」 記載事項４（２ページ左上欄１４～最終行） 「また、前記ダイクロイツクミラ（１２）を挟んで前記レンズ系（１４）と対向する位置には、レンズ（２０）が配置されている。このレンズ（２０）は、前記ウエハー（１３）の素子（１５）を観察する監視装置を構成するもので、前記レーザ光線（１１）の光軸に同軸上に配置されている。また、このレンズ（２０）の前記ミラ（１２）と反対側には、結像板（２１）及び接眼レンズ（２２）が順に配置されている。」 記載事項５（２ページ右上欄１～９行） 「このように構成し、前記監視装置で前記半導体ウエハー（１３）の素子（１５）の位置を確認しながら、その素子間（１５）に対応する反対側の面（１８）に溝（２３）を形成する。すなわち、接眼レンズ（２２）からのぞきながら、前記レンズ（２０）を上下動させて、前記ウエハー（１３）の面（１６）上に焦点を合わせる。そして、ＸＹテーブル（１７）を左右に動かし、所望位置すなわち各素子（１５）間にその焦点位置が合ったときに、ＸＹテーブル（１７）の動きを停止させる。」 記載事項６（２ページ右上欄１０行～左下欄６行） 「そして、前記レーザ発振器（１０）を駆動して、レーザ光線（１１）を放射する。このとき、レーザ光線（１１）は、ウエハー（１３）に溝（２３）が形成される以前に、その熱などで素子（１５）が破壊しない程度のエネルギー強度に選定する。この場合、レーザ光線（１１）は、従来と異なり反対側の面（１８）に照射するので、従来に比して大きなエネルギ強度を選定することができる。そして集光レンズ（１４）を上下動して、このレーザ光線（１１）を前記ウエハー（１３）の反対側の面（１８）上に照射する。このレーザ光線（１１）の光軸と前記監視装置の光軸とは、同軸上に形成されているので、前記素子（１５）間の位置に対応する反対側の面（１８）上に溝（２３）を形成することができる。このようにして、監視しながらレーザ光線（１１）を照射し、前記ＸＹテーブル（１７）を左右に動かして、ウエハー（１３）の反対側の面（１８）上に複数条の溝（２３）（２３）’（２３）’を刻設する。そして、ウエハー（１３）全体に圧力を加えて、微細なペレットに分割する。」 記載事項７（２ページ右下欄５～１１行） 「なお、前記実施例では、ウエハー材として、可視光で透視状態となるサファイアなどで形成されたウエハー（１３）を加工する場合について説明したが、ウエハーが赤外線で透視状態となる場合にも、本発明は適用可能となる。この場合、ウエハーを赤外線で照射し、操作者とウエハーとの間に監視装置として赤外線イメージ変換装置を設けて観察して行なう。」 記載事項８（２ページ右下欄下から６～３行） 「本発明は、素子上に飛散物、蒸発物が付着することがなく、素子の機能を低下させることがない。また、機械的に溝を形成するものに比して、歩留りが向上するなどの効果を奏する。」 記載事項９（第１図） 「 ［図：0001411616000004.jpg］ 」 （２）甲３の１の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日（平成１５年３月１１日）前に頒布された刊行物である甲３の１には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。」 「【０１０１】また、本発明に係る光透過性材料の切断方法においては、発塵粉体がほとんどないため、発塵粉体の飛散防止のための潤滑洗浄水が不要となり、切断工程でのドライプロセス化を実現することができる。」 「【０１１７】 【発明の効果】 【０１１８】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」 （３）甲３の２の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日前に頒布された刊行物である甲３の２には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に切断予定部となる改質領域を形成する工程と、 前記切断予定部となる改質領域の形成後、前記加工対象物に応力を加え、前記加工対象物の内部の改質領域を起点とするクラックを前記加工対象物の表面まで成長させて前記加工対象物を分離する工程と、を備えるレーザ加工方法。」 「【００８０】また、本発明に係る光透過性材料の切断方法においては、発塵粉体がほとんどないため、発塵粉体の飛散防止のための潤滑洗浄水が不要となり、切断工程でのドライプロセス化を実現することができる。」 「【０１０３】 【発明の効果】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」 （４）甲３の３の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日前に頒布された刊行物である甲３の３には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】レーザ加工装置の載置台上に加工対象物を載置する工程と、 前記レーザ加工装置の観察用光源から出射される照明光で前記加工対象物の表面を照射し、その反射光を前記レーザ加工装置の撮像手段により撮像して撮像データを取得し、前記撮像データに基づいて前記観察用光源から出射される照明光の焦点が前記加工対象物の表面上に位置するように前記載置台を移動させた後に、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように前記載置台を所定量移動させる工程と、 前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成する工程と、を備えるレーザ加工方法。」 「【００８０】また、本発明に係る光透過性材料の切断方法においては、発塵粉体がほとんどないため、発塵粉体の飛散防止のための潤滑洗浄水が不要となり、切断工程でのドライプロセス化を実現することができる。」 「【０１０３】 【発明の効果】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」 （５）甲３の４の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日前に頒布された刊行物である甲３の４には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域による切断予定部を形成する工程と、 前記切断予定部に沿った前記加工対象物の切断分離により発生する粉塵を吸引手段により吸引する工程と、を備えるレーザ加工方法。」 「【００７９】また、本発明に係る光透過性材料の切断方法においては、発塵粉体がほとんどないため、発塵粉体の飛散防止のための潤滑洗浄水が不要となり、切断工程でのドライプロセス化を実現することができる。」 「【０１０２】 【発明の効果】 【０１０３】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。また、レーザ光の照射により加工対象物の内部に形成された改質領域を起点として、応力等による比較的小さな力で切断予定部に沿って加工対象物を切断することができるため、加工対象物の切断分離の際に発生する粉塵は極めて微量となる。したがって、微量の粉塵のみを対策すれば良く、粉塵吸引のような簡単な洗浄手段で済む。」 （６）甲３の５の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日前に頒布された刊行物である甲３の５には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域による切断予定部を形成する工程と、 前記切断予定部に沿って切断分離された前記加工対象物をエアー洗浄する工程と、を備えるレーザ加工方法。」 「【００７９】また、本発明に係る光透過性材料の切断方法においては、発塵粉体がほとんどないため、発塵粉体の飛散防止のための潤滑洗浄水が不要となり、切断工程でのドライプロセス化を実現することができる。」 「【０１０２】 【発明の効果】 【０１０３】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。また、レーザ光の照射により加工対象物の内部に形成された改質領域を起点として、応力等による比較的小さな力で切断予定部に沿って加工対象物を切断することができるため、加工対象物の切断分離の際に発生する粉塵は極めて微量となる。したがって、微量の粉塵のみを対策すれば良く、エアー洗浄のような簡単な洗浄手段で済む。」 （７）甲４の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日前かつ優先日前に頒布された刊行物である甲４には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、さらには高温においても駆動可能な３-５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に窒化物半導体積層された半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法に関する。」 「【００１２】したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをより小さいチップ状に分割するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができる製造方法を提供することを目的とする。」 「【００１９】 【発明の実施の形態】本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所にレーザーを照射することにより、半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。 【００２０】本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。 【００２１】即ち、ダイサーやダイヤモンドスクライバーなどにより機械的に削りとられた溝部は、その溝部形成時に内部応力が生ずる。特に、溝部の底面に沿ってダイヤモンドスクライバーによるスクライブ・ラインを形成する工程においてはスクライバーの刃先にかかる加重で溝部底以外にも広く歪みが増幅される。そのため、溝部形成後にダイヤモンドスクライバーで分離させると半導体ウエハー内に保持された応力によって所望通りの端面が形成されず、より正確に窒化物半導体ウエハーが分離できないと考えられる。 【００２２】本発明はダイサーにより生じた内部応力に依存することなくレーザースクライバーにより分割に寄与する局所的な応力を発生させる。これにより端面が綺麗（平滑）であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができると考えられる。また、窒化物半導体素子を分離されるためには半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い溝部を形成させる。その溝部よりも狭いブレイク・ラインをレーザー照射により形成することで、極めて細いブレイク・ラインを所望の深さまで深く形成することができ量産性の良い窒化物半導体素子を分離できるものである。以下、本発明の製造方法例について説明する。」 「【００３７】 【実施例】（実施例１）厚さ２００μｍであり洗浄されたサファイアを基板１０１としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成させた。・・・」 「【００４２】半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝部が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層が形成された半導体ウエハーを用いる。・・・（図１（Ａ））。 【００４３】こうして形成された窒化物半導体ウエハー１００のサファイア基板１０１を１００μｍまで研磨した後、半導体ウエハー１００のサファイア基板面１１１が上になるように水平方向に自由駆動可能なテーブル上に真空チャックを用いて固定させた。ブレード回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃでステージを移動させることによりサファイア基板１０１の底面に幅約３０μｍ、深さ約１５μｍの溝を縦横に形成し溝部１０３とさせる。・・・（図１（Ｂ））。 【００４４】次に、ダイサーの刃先など駆動部のみレーザー（３５６ｎｍ）が照射可能なＹＡＧレーザー照射装置と入れ替えた（不示図）。窒化物半導体ウエハー１００の固定は維持したままレーザーの焦点を窒化物半導体ウエハーの溝部１０３底面に結ばれるようレーザーの光学系を調節させる。調節したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ２で照射させながらステージを移動させることにより溝部１０３の底面に沿って深さ約３μｍの更なる溝としての凹部１０４をブレイク・ラインとして形成する（図１（Ｃ））。 【００４５】ブレイク・ラインに沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ、窒化物半導体ウエハー１００を切断分離することができる。分離された窒化物半導体素子１１０の端面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子を形成することができる（図１（Ｄ））。」 「【００４８】（実施例２）実施例１のレーザー照射装置における焦点深さをレーザーの光学系を調整させて深くさせた以外は実施例１と同様にしてブレイク・ラインを形成させた。形成されたブレイク・ラインは基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２（Ｃ））。」 図１ 「 ［図：0001411616000005.jpg］ 」 図２ 「 ［図：0001411616000006.jpg］ 」 ２ 甲号証に記載された発明及び技術的事項 （１）甲１に記載された技術的事項及び甲１発明 ア 甲１に記載された技術的事項 甲１の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 （ア）甲１には、レーザ光線を用いて半透明な半導体ウエハーを微細なペレットに分割する半導体装置の加工方法が記載されており（記載事項１）、当該方法は、ＸＹテーブル１７、レーザ発振器１０、集光レンズ系１４（記載事項３）、及び監視装置（記載事項４）を有する装置（記載事項９）を用いて行われる。 （イ）ＸＹテーブル１７には、素子１５が形成された面１６を下側にして、半導体ウエハー１３が載置される（記載事項３）。 （ウ）レーザ発振器１０は、レーザ光線１１を放射する（記載事項３）。 （エ）集光レンズ系１４は、レーザ光線１１を集光させ（記載事項３）、半導体ウエハー１３の反対側の面１８上に照射して、反対側の面１８上に溝２３を形成する（記載事項６）。 （オ）ＸＹテーブル１７は、半導体ウエハー１３の反対側の面１８上に複数条の溝２３、２３’を刻設するために、レーザ光線１１を半導体ウエハー１３の反対側の面１８上に照射させた状態で、左右に動かすことができる（記載事項６）。 （カ）監視装置は、半導体ウエハー１３の素子１５の位置を確認することができ（記載事項５）、半導体ウエハーが赤外線で透視状態となる場合には、半導体ウエハーを赤外線で照射し、監視装置として赤外線イメージ変換装置を設けて観察する（記載事項７）。 （キ）上記（オ）の複数条の溝２３、２３’を刻設した後に、半導体ウエハー１３全体に圧力を加えて、微細なペレットに分割するから（記載事項６）、複数条の溝２３、２３’が分割の起点となることは明らかである。 （ク）ＸＹテーブル１７は、左右に動かすことができる（上記（オ））から、加工方法に用いる装置が、ＸＹテーブルの駆動を制御する制御部を有していることは自明な事項といえる。 （ケ）甲１には、監視装置で前記半導体ウエハー１３の素子１５の位置を確認しながら、その素子間１５に対応する反対側の面１８に溝２３を形成することが記載されている（記載事項５）から、上記（オ）の複数条の溝２３、２３’は半導体ウエハー１３の素子１５の間に沿って形成されることは明らかである。 イ 甲１発明 上記アの技術的事項を本件発明１の分説に合わせて整理すると、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているということができる。（甲１発明の分説の符号は、本件発明１の分説の符号に対応して「１ａ」などと記載する。） １ａ 半導体ウエハー１３の素子１５が形成されている面１６の反対側の面１８に、分割の起点となる溝２３、２３’を形成する半導体装置の加工方法に用いる装置であって、 １ｂ 素子１５が形成された面１６を下側にして前記半導体ウエハー１３が載置されるＸＹテーブル１７と、 １ｃ レーザ光線１１を放射するレーザ発振器１０と、 １ｄ 前記ＸＹテーブル１７に載置された前記半導体ウエハー１３の前記反対側の面１８に、前記レーザ発振器１０から放射されたレーザ光線１１を集光し、そのレーザ光線１１の照射点の位置で前記溝２３、２３’を形成させる集光レンズ系１４と、 １ｅ 前記溝２３、２３’を前記半導体ウエハー１３の前記反対側の面１８に形成するために、レーザ光線１１の照射点を前記半導体ウエハー１３の前記反対側の面１８に位置させた状態で、前記半導体ウエハー１３の素子１５の間に沿ってレーザ光線１１の照射点を移動させるようにＸＹテーブル１７を制御する制御部と、 １ｆ 前記ＸＹテーブル１７に載置された前記半導体ウエハー１３を赤外線で照明する構成と、 １ｇ 監視装置としての赤外線イメージ変換装置と、を備える、 １ｉ 半導体装置の加工方法に用いる装置。 （２）甲３の１に記載された技術的事項 甲３の１の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成することで、発塵粉体がほとんどないため、切断工程でのドライプロセス化を実現すること。」 （以下「甲３の１記載の技術的事項」という。） （３）甲３の２に記載された技術的事項 甲３の２の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成することで、発塵粉体がほとんどないため、切断工程でのドライプロセス化を実現すること。」 （以下「甲３の２記載の技術的事項」という。） （４）甲３の３に記載された技術的事項 甲３の３の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成することで、発塵粉体がほとんどないため、切断工程でのドライプロセス化を実現すること。」 （以下「甲３の３記載の技術的事項」という。） （５）甲３の４に記載された技術的事項 甲３の４の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成することで、発塵粉体がほとんどないため、切断工程でのドライプロセス化を実現すること。」 （以下「甲３の４記載の技術的事項」という。） （６）甲３の５に記載された技術的事項 甲３の５の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成することで、発塵粉体がほとんどないため、切断工程でのドライプロセス化を実現すること。」 （以下「甲３の５記載の技術的事項」という。） （７）甲４に記載された技術的事項 ア 甲４に記載された技術的事項 甲４の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 （ア）甲４には、基板上に窒化物半導体が積層された半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法（【０００１】）が記載されており、当該加工方法は、窒化物半導体ウエハーを分割する際に、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくし、歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができる製造方法を提供することを目的とする（【００１２】）。 （イ）上記（ア）の目的は、半導体ウエハーの特定箇所にレーザーを照射することにより達成される（【００１９】）ところ、分離端面がブレイク・ラインに沿って平坦に形成される理由は、ダイサーやダイヤモンドスクライバーなどにより機械的に削りとられた溝部の溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生じ、その内部応力とブレイク・ラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられ（【００２０】、【００２１】）、ダイサーにより形成された溝部に生じる内部応力のみに依存するのではなく、レーザースクライバーにより発生する局所的な応力と相まって、分離端面を平滑にし、量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができる（【００２２】）。 （ウ）実施例１は、ダイサーにより窒化物半導体ウエハーに溝部１０３を形成し（【００４３】）、ＹＡＧレーザー照射装置のレーザーの焦点を溝部１０３底面に集光するようにレーザーの光学系を調節させ、レーザー光線を照射させながらステージを移動させることにより溝部１０３の底面に沿った凹部となるように、ブレイク・ライン１０４を形成する（【００４４】）。 （エ）実施例２は、実施例１のレーザー照射装置における焦点深さをレーザーの光学系を調整させて深くさせた以外は、実施例１と同様にしてブレイク・ラインを形成させること（【００４８】）で、ブレイク・ライン２０４は基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが、基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２（Ｃ））。 （オ）実施例２は実施例１のレーザー照射装置の焦点深さを深くした以外は実施例１と同様であるから、実施例２の基板２０１の上方の表面には、実施例１の溝部１０３と同様の溝部２０３が形成され、基板２０１の他方の表面には、島状窒化物半導体１０２（【００４２】）と同様の島状窒化物半導体２０２が形成されており、ブレイク・ライン２０４を形成する際には、実施例１のブレイク・ライン１０４と同様に、ＹＡＧレーザー照射装置による照射や、レーザー光学系による集光、ステージの移動が行われている。 （カ）上記（ア）～（オ）をまとめると、甲２の実施例２について、以下の技術的事項を理解できる。 「半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法において、溝部２０３における基板２０１の内部にＹＡＧレーザーを照射して加工変質部を形成すること。」 （以下「甲４の実施例２に係る技術的事項」という。） イ 甲４記載の技術的事項の認定に対する請求人の主張について （ア）請求人の主張の概要 ａ 甲４には、ダイサーにより基板に予め溝部を形成しておくと、切断面の形状に関係する内部応力を生じさせることになり、ダイヤモンドスクライバーでは正確に半導体ウエハーを分離できなくなることから、ダイサーにより生じた内部応力に依存することなく、レーザースクライバーによる基板の分割に寄与する局所的な応力を発生することによって、切断端面が綺麗であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造できることが記載されている。 ｂ 甲４の【００２２】の前段と後段との間が、「また」という接続詞で接続されているが、前段において、「端面が綺麗（平滑）であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができる」と記載されており、溝を設けない構成であっても課題を解決し効果を奏することのできる１つの発明として記載されていることを理解でき、「また」以下で記載されているのは、半導体ウエハーの厚みを薄くするために「溝」を形成することであって、内部応力を生じさせるために溝を形成することではない（十分に薄い半導体ウエハーであれば、溝を形成する必要はない）。 ｃ 以上のとおり、甲４の実施例２に係る技術的事項において、基板に溝部２０３を設けることを必須の構成と捉えるのは誤りである。（請求人要領書２７ページで援用する、無効２０２１－８０００４５号の令和４年６月２７日の口頭審理陳述要領書３８～４０ページ） （イ）請求人の主張の検討 ａ 甲４の【００２０】は、「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。」と記載しており、分離端面が平坦に形成される理由について、溝部形成に伴う内部応力と、レーザー照射により形成されるブレイク・ラインの双方が関与していることを示している。 ｂ そして、甲４の【００２０】ないし【００２２】の記載は一連のものとなっており、【００２０】のとおり、溝部の形成により生じた内部応力も割断に作用することを前提とした上で、ダイサーやダイヤモンドスクライバー等により溝部を形成し、溝部の底面に沿ってダイヤモンドスクライバーによるスクライブ・ラインを形成する場合に、溝部形成により生じ、半導体ウエハー内に保持された応力により所望どおりの端面が形成されないという問題点（【００２１】）について、【００２２】前段で、ダイサーによる溝部形成のために生じた内部応力のみに依存するのではなく、レーザースクライバーにより発生した局所的な応力と相まって、端面がきれいで量産性のよい窒化物半導体を製造することが記載されていると理解できる。 ｃ そうすると、甲４の【００２２】前段は、溝部を形成し、溝部にスクライブ・ラインを形成する発明を前提としてその改善を図るものであることは明らかであり、甲４記載の技術的事項において溝部を形成しないことが想定されているとはいえないから、溝部２０３を捨象して甲４の実施例２に係る技術的事項を認定することはできない。 ｄ したがって、請求人の上記（ア）の主張は採用できない。 ３ 無効理由１（甲１に基づく本件発明１の進歩性欠如）について （１）本件発明１と甲１発明の対比 ア 本件発明１と甲１発明を対比すると、次の甲１発明の欄に記載した甲１発明の各構成は、本件発明１の欄に記載した本件発明１の構成に、それぞれ相当する。 ＜甲１発明＞ ＜本件発明１＞ （構成１ａ） （構成Ａ） 半導体ウエハー１３・・・・・・・・・半導体基板 分割の起点・・・・・・・・・・・・・切断の起点 半導体装置の 加工方法に用いる装置・・・・・・・・・レーザ加工装置 （構成１ｂ） （構成Ｂ） ＸＹテーブル１７・・・・・・・・・・載置台 （構成１ｃ） （構成Ｃ） レーザ光線１１・・・・・・・・・・・レーザ光 放射する・・・・・・・・・・・・・・出射する レーザ発振器１０・・・・・・・・・・レーザ光源 （構成１ｄ） （構成Ｄ） 照射点・・・・・・・・・・・・・・・集光点 集光レンズ系１４・・・・・・・・・・集光用レンズ （構成１ｅ） （構成Ｅ） 半導体ウエハー１３の 素子１５の間・・・・・・・・・・・・・切断予定ライン レーザ光線１１の照射点を 移動させるように ＸＹテーブル１７を制御する・・・・・・レーザ光の集光点を移動させる （構成１ｆ） （構成Ｆ） 赤外線で照明する構成・・・・・・・・赤外線で照明する赤外透過照明 （構成１ｉ） （構成Ｉ） 半導体装置の 加工方法に用いる装置・・・・・・・・・レーザ加工装置 イ また、甲１発明の構成１ａの「半導体ウエハー１３の素子１５が形成されている面１６の反対側の面１８」と、本件発明１の構成Ａの「半導体基板の内部」は、「半導体基板」という点で共通し、同様に、「分割の起点となる溝２３、２３’」と、「切断の起点となる改質領域」は、「切断の起点となる切断起点」という点で共通する。 ウ 上記イと同様に、甲１発明の構成１ｄ及び１ｅの「前記反対側の面１８」と、本件発明１の構成Ｄ及びＥの「前記半導体基板の内部」は、「半導体基板」という点で共通し、甲１発明の構成１ｄ及び１ｅの「前記溝２３、２３’」と、本件発明１の構成Ｄ及びＥの「改質領域」は、「切断起点」という点で共通する。 エ また、甲１発明の構成１ｇの「監視装置としての赤外線イメージ変換装置」と、本件発明１の構成Ｇの「前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子」は、「半導体基板を透過した赤外線を観察可能な素子」という点で共通する。 オ そうすると、本件発明１と甲１発明は、次の点で一致し、次の点で相違する。 ＜一致点＞ 「半導体基板に、切断の起点となる切断起点を形成するレーザ加工装置であって、 前記半導体基板が載置される載置台と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、 前記載置台に載置された前記半導体基板に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記切断起点を形成させる集光用レンズと、 前記切断起点を前記半導体基板に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、 半導体基板を透過した赤外線を観察可能な素子と、 を備えた、 レーザ加工装置。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は、切断起点が「半導体基板の内部」に形成された「改質領域」（構成Ａ）であり、集光点の位置が「半導体基板の内部」（構成Ｄ及びＥ）であるのに対して、甲１発明は、切断起点が「半導体ウエハー１３の反対側の面１８」に形成された「溝２３、２３’」であり、集光点の位置が「前記ウエハー１３の素子１５が形成されている面１６の反対側の面１８」である点。 ＜相違点２＞ 半導体基板を透過した赤外線を観察可能な素子が、本件発明１は、「前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子」（構成Ｇ）であるのに対して、甲１発明は、「監視装置としての赤外線イメージ変換装置」である点。 ＜相違点３＞ 本件発明１は、「前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する」（構成Ｈ）のに対して、甲１発明は、切断予定ラインに相当する「半導体ウエハー１３の素子１５の間」の始点や終点がどの位置なのか不明な点。 （２）相違点１の判断 ア 甲１について （ア）甲１には、従来技術の欠点として、レーザ光線を用いてウエハーに溝を形成する際に、レーザ光線によりウエハー材が飛散、蒸発して、各素子の上面に付着することで、その素子の機能を低下させたり不良品とすることが記載されている（記載事項２）。 （イ）そして、甲１発明は、半導体ウエハー１３を、素子１５が形成された面１６を下側にしてＸＹテーブル１７上に載置し、反対側の面１８にレーザ光線で溝２３を形成することにより、レーザ光線で飛散物や蒸発物が生じても、素子１５の上面はＸＹテーブル１７に接していることから、素子上には飛散物や蒸発物が付着することがなく、上記（ア）の欠点に対処できることを理解できる。 （ウ）甲１のこれらの記載に接した当業者は、甲１発明について、半導体ウエハーに溝を加工することを前提として、レーザ光線で生じた飛散、蒸発物が、素子の表面に付着することを抑制するものと理解するから、レーザ光線で飛散、蒸発物が生じること、すなわち、レーザ光線で溝を形成することは、必須の事項と理解するといえる。 イ 甲３の１～甲３の５に基づく容易想到性について （ア）甲３の１～甲３の５記載の技術的事項は、いずれも「加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の内部に改質領域を形成することで、発塵粉体がほとんどないため、切断工程でのドライプロセス化を実現すること。」（上記２（２）～（６））というものであり、レーザ光線で加工対象物の内部に改質領域を形成する技術（溝を形成しない技術）であるから、レーザ光線で溝を形成することを必須の事項として、生じた飛散、蒸発物が、素子の表面に付着することを抑制する甲１発明とは技術的思想が異なり、当業者が甲１発明に甲３の１～甲３の５記載の技術的事項を適用する動機があるとはいえない。 （イ）さらに、仮に、甲１発明に甲３の１～甲３の５記載の技術的事項を適用したとすると、以下に説示するように、本件発明１と甲１発明との間に新たな相違点が生じることになる。 （ウ）すなわち、上記ア（イ）で説示するとおり、甲１発明は、素子１５の上面がＸＹテーブル１７に接しているから、素子上に飛散物や蒸発物が付着せずに、上記ア（ア）の欠点に対処するものであって、素子１５の上面がＸＹテーブル１７に接するように、素子１５が形成された面１６を下側にしてＸＹテーブル１７上に載置している。 そして、素子間に溝２３を形成するためには、素子の位置を確認する必要があるところ、素子が形成された面１６が下側であり、素子の位置を直接確認することができないから、半導体ウエハーを赤外線で照射して、赤外線イメージ変換装置により素子の位置を観察して、素子間に溝を形成することを理解できる。 （エ）これに対して、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項は、加工対象物の内部に改質領域を形成するもので、レーザ光線で飛散物や蒸発物が生じないから、素子の上面に飛散物や蒸発物が付着しないように保護する必要がないことは明らかである。 （オ）したがって、仮に、当業者が、甲１発明に甲３の１～甲３の５記載の技術的事項を適用することを想到したとしても、レーザ光線で飛散物や蒸発物が生じることがなく、素子の上面を飛散物や蒸着物から保護する必要がそもそもないのであるから、甲１発明の素子が形成された面１６が上側となるようにＸＹテーブルに載置して、可視光線で（目視により直接に）素子の位置を観察して、素子間に改質領域や加工変質部を形成するのが自然である。そして、この場合においては、赤外線を照射して観察する必要がないから、本件発明１と甲１発明との間には、構成Ｆの赤外線透過照明に係る構成を本件発明１が有する点が、新たに相違点として生じるといわざるを得ない。 （カ）そして、甲１発明に甲３の１～甲３の５記載の技術的事項を適用することで新たに生じる相違点（構成Ｆに係る相違点）について、甲４～甲７を参照しても、当業者が容易に想到し得ると評価するに足る証拠はない。 （キ）したがって、当業者が甲１発明に甲３の１～甲３の５記載の技術的事項を適用する動機があるとはいえないし、仮に、当業者が、甲１発明に甲３の１～甲３の５記載の技術的事項を適用することを想到したとしても、新たに構成Ｆに係る相違点が生じ、当該相違点は容易に想到し得ないから、相違点１は、甲１発明、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項及び甲４～甲７に基づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえない。 ウ 甲４に基づく容易想到性について 甲４の実施例２に係る技術的事項を検討すると、「半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法において、溝部２０３における基板２０１の内部にＹＡＧレーザーを照射して加工変質部を形成すること。」（上記２（７）ア（カ））というものであり、ＹＡＧレーザーの照射で溝を形成するものではないから、レーザ光線で溝を形成することを必須の事項とする甲１発明とは技術的思想が異なり、当業者が甲１発明に甲４の実施例２に係る技術的事項を適用する動機があるとはいえず、相違点１は、甲１発明及び甲４の実施例２に係る技術的事項に基づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえない。 エ 相違点１の容易想到性の小括 以上のとおりであるから、相違点１は、甲１発明、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項、甲４の実施例２に係る技術的事項及び甲５～甲７に基づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえない。 （３）相違点２の判断 ア 相違点２について検討すると、相違点２に係る本件発明１の構成Ｇの技術的意義は、改質領域を撮像素子で撮像することで、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することができ、溶融処理領域の位置や大きさ等を調節することが可能となり、その調節により、基板の表面及び裏面に割れが到達しないように制御したり、切断直前に基板の表面及び裏面に割れが到達するように制御を行うことができる、というものと認められる（上記第３の３（３））。 イ これに対して、甲１発明における赤外線の監視は、素子の位置を確認するとともに焦点を面上に合わせるためになされるもの（記載事項５）であるところ、甲１には、基板の厚さ方向における改質領域が存在しないから、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する必要性がなく、甲１に接した当業者が、相違点２に係る構成Ｇを採用する動機があるとはいえない。 ウ また、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項及び甲４の実施例２に係る技術的事項は、上記２（２）～（７）に示すとおりであるところ、改質領域を撮像することや、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することについて、全く記載されていない。 エ さらに、改質領域を撮像することや、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することは、甲５～甲７にも記載や示唆がない。 したがって、相違点２は、甲１発明、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項、甲４の実施例２に係る技術的事項及び甲５～甲７に基づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえない。 （４）相違点１及び２に対する請求人の主張について ア 請求人の主張の概要 （ア）甲１発明の監視装置としての赤外線イメージ変換装置は、赤外線で照明された半導体基板の切断の起点となる領域を監視可能な撮像素子であるから、本件発明１の構成Ｇの「前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板」「を撮像可能な撮像素子」に相当する。（請求書１７ページ） （イ）半導体基板を分割するに際し、半導体基板の内部にレーザ光線の集光点を位置づけてレーザを照射して、半導体基板内部に切断の起点となる改質領域を形成することは周知技術（甲３の１～甲３の５）であるところ、甲１発明と当該周知技術とは、レーザ光を用いて半導体基板を分割する技術分野として共通する。また、甲１発明の課題（レーザ光による飛散、蒸着物が付着することがなく、歩留まりを向上させること）に対して、周知技術は、発塵粉体がほとんどないことを可能として、歩留まりを向上させる点で、課題や作用・機能が共通するから、甲１発明に周知技術を適用する動機付けがある。（請求書１８～１９ページ） （ウ）甲１発明は、レーザ光を用いて半導体基板をペレットに分割する技術に関し、甲４もレーザ光を用いて半導体基板を分割する技術に関するから、技術分野は共通する。また、甲１発明の課題に対して、甲４記載の技術は、歩留まりを向上させる点で、課題や作用・機能が共通するから、甲１発明に甲４記載の技術を適用する動機付けがある。（請求書２０ページ） （エ）甲１発明において、半導体基板の内部に切断の起点となる改質領域を形成した場合、甲１発明の赤外線イメージ変換装置は当該改質領域を撮像することになることは明らかであるから、本件発明１の構成Ｇに想到することは当業者にとって容易である。（請求書１９～２０ページ及び請求人要領書２８ページ） イ 請求人の主張の検討 （ア）請求人は、甲１発明の赤外線イメージ変換装置について、半導体基板の切断の起点となる領域を監視可能な撮像素子であると主張している（上記ア（ア））が、甲１発明における、監視装置としての赤外線イメージ変換装置は、素子の位置を確認するとともに焦点を面上１６に合わせるためのものであって、分割の起点となる溝２３、２３’を赤外線及び赤外線イメージ変換装置で監視することについては、甲１には何ら記載されていないし、仮に、溝２３、２３’を監視する必要があったとしても、当該溝は面上１８にあり、可視光線で（目視により直接に）監視できるから、赤外線及び赤外線イメージ変換装置で監視する必要がないことは明らかである。甲１には、「ウエハー（１３）の素子（１５）を観察する監視装置」（記載事項４）、「監視装置で前記半導体ウエハー（１３）の素子（１５）の位置を確認しながら、その素子間（１５）に対応する反対側の面（１８）に溝（２３）を形成する。すなわち、接眼レンズ（２２）からのぞきながら、・・・前記ウエハー（１３）の面（１６）上に焦点を合わせる。そして、・・・各素子（１５）間にその焦点位置が合ったときに、ＸＹテーブル（１７）の動きを停止させる」（記載事項５）との記載があることから、甲１の赤外線イメージ変換装置は、可視光線では監視できない素子１５を監視するとともに、焦点を面上１６に合わせるために用いられるものであって、レーザーによって加工される溝を監視するものではないと解するのが相当である。 したがって、甲１発明の赤外線イメージ変換装置が、半導体基板の切断の起点となる領域を監視可能な撮像素子である旨の主張は採用できない。 （イ）請求人は、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項や、甲４の実施例２に係る技術的事項について、甲１発明の技術分野と共通し、課題や作用機能が共通するから、甲１発明に甲３の１～甲３の５記載の技術的事項又は甲４の実施例２に係る技術的事項を適用する動機付けがある旨を主張している（上記ア（イ）及び（ウ））。 しかし、上記（２）ア（ウ）で説示するとおり、甲１に接した当業者は、甲１発明について、レーザ光線で溝を形成することは、必須の事項と理解するというべきところ、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項や、甲４の実施例２に係る技術的事項は、レーザ光線で溝を形成するものではないから、甲１発明に甲３の１～甲３の５記載の技術的事項又は甲４の実施例２に係る技術的事項を適用する動機があるとはいえない。 したがって、請求人の当該主張は採用できない。 （ウ）請求人は、甲１発明の赤外線イメージ変換装置が、半導体基板の切断の起点となる領域を監視可能な撮像素子であることを前提として、相違点１に係る改質領域を形成することが容易想到であれば、改質領域を監視可能とすることは当然である旨を主張している（上記ア（エ））が、上記（ア）に説示するとおり、当該主張は前提において誤っているし、仮に甲１発明の赤外線イメージ変換装置が、分割の起点となる溝２３、２３’を監視するものとしても、甲１には、半導体基板の内部の改質領域を監視することについては記載も示唆もなく、半導体基板の内部の改質領域を監視し得るものとすることが容易に想到し得るとはいえないから、請求人の主張は採用できない。 （５）小括 以上のとおり、相違点１及び２は、甲１発明、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項及び甲４の実施例２に係る技術的事項、並びに甲５～甲７に基づいて、当業者が容易に想到できた事項とはいえないから、相違点３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項又は甲４の実施例２に係る技術的事項、並びに甲５～甲７に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。 したがって、請求人の無効理由１により、本件発明１に係る特許を無効とすることはできない。 ４ 無効理由２（甲１に基づく本件発明２の進歩性欠如について） （１）本件発明２と甲１発明の対比 甲１発明の「半導体ウエハー１３」は、本件発明２の構成Ｑの「シリコン基板」と対比すると、「半導体材料の基板」という点で共通する。 また、甲１発明の「ＸＹテーブル１７を制御する制御部」が「ＸＹテーブル１７」の移動を制御することは明らかであるから、甲１発明は、本件発明２の構成Ｒに相当する構成を実質的に備えているということができる。 そして、甲１発明のその他の構成は、本件発明１の対比（上記３（１））と同様に対比することができるところ、本件発明２は、本件発明１の構成Ａ、Ｄ、Ｅ及びＧと同様の構成Ｊ、Ｍ、Ｎ及びＰを備えているから、本件発明２と甲１発明は、上記３（１）エに示す相違点１～２と同様の点で相違するほか、以下の点で相違する。 ＜相違点４＞ 半導体材料の基板が、本件発明２は「シリコン基板」である（構成Ｑ）のに対して、甲１発明は「半導体ウエハー１３」である点。 （２）相違点１及び２の判断 上記３（２）及び（３）に説示する理由と同様の理由により、仮に、本件発明２の全部又は一部について優先権の効果が及ばないとしても、相違点１及び２は、甲１発明、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項及び甲４の実施例２に係る技術的事項、並びに甲５～甲７に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものとはいえない。また、相違点１及び２に関する技術的事項は、甲８～甲９にも記載や示唆がないから、甲８～甲９に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものともいえない。 （３）小括 相違点１及び２は、甲１発明、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項及び甲４の実施例２に係る技術的事項、並びに甲５～甲９に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものとはいえないから、本件発明２は、仮に、本件発明２の全部又は一部について優先権の効果が及ばないとしても、甲１発明、甲３の１～甲３の５記載の技術的事項又は４の実施例２に係る技術的事項、並びに甲５～甲９に基づいて本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に発明できたものとはいえない。 したがって、請求人の無効理由２により、本件発明２に係る特許を無効とすることはできない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、無効理由１及び２はいずれも理由がないものであり、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件発明１及び２についての特許は、無効理由１及び２によっては、無効とすることはできない。 審判に関する費用については、特許法１６９条２項の規定で準用する民事訴訟法６１条の規定により、請求人の負担とする。 よって、結論のとおり審決する。