2021-800045

上記当事者間の特許第３９９０７１１号発明「レーザ加工装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担とする。

理 由 第１ 請求の趣旨及び答弁の趣旨 １ 請求の趣旨 特許第３９９０７１１号に係る特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求める。 ２ 答弁の趣旨 本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求める。 第２ 手続の経緯 １ 本件特許の設定登録までの経緯の概略 本件無効審判の請求に係る特許第３９９０７１１号（以下「本件特許」という。）に係る出願は、平成１４年３月１２日（以下「優先日」という。）に出願された特願２００２－６７３４８号に基づく優先権を主張して、２００３年（平成１５年）３月１１日に国際出願された特願２００３－５７４３７３号（以下「原出願」といい、その出願日を「原出願日」という。）の一部を、特許法４４条１項の規定により、平成１８年３月１４日に新たな特許出願としたものであり、平成１９年７月２７日に設定登録された。 ２ 本件特許（設定登録後）の手続の経緯の概略 （１）訂正審判の経緯 本件特許に係る訂正審判の手続の経緯の概略は、以下のとおりである。 平成３０年４月２４日 ：訂正審判請求 （訂正２０１８－３９００７５号） 同 年７月 ３日付け：訂正審判の審決（訂正認容、確定済み） （２）本件無効審判の手続の経緯 本件無効審判における手続の経緯の概略は、以下のとおりである。 令和３年 ５月２５日 ：審判請求書（以下「請求書」という。） の提出 同 年 ９月１７日 ：答弁書の提出 令和４年 １月 ６日付け：併合審理通知（無効２０２１－ ８０００６７号の審理を併合） 同 年 ５月３１日付け：審理事項通知 同 年 ６月２７日 ：（請求人）口頭審理陳述要領書（以下 「請求人要領書」という。）の提出 同 年 ７月１５日 ：（被請求人）口頭審理陳述要領書の提出 同月２５日 ：（請求人）上申書の提出 同月２７日 ：口頭審理 同 年 ８月１２日 ：（被請求人）上申書の提出 同月２９日 ：（請求人）上申書の提出 同 年 ９月１５日 ：（被請求人）上申書の提出 同 年１１月 ９日付け：併合分離通知（無効２０２１－ ８０００６７号の審理を分離） 第３ 本件発明 １ 本件発明の記載 本件特許の請求項１及び２に係る発明は、上記訂正審判（上記第２の２（１））により訂正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１及び２の記載を分説すると、次のとおりである。（なお、上記訂正審判における訂正箇所を示す下線は省いて記載する。） 「【請求項１】 Ａ：半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 Ｂ：前記半導体基板が載置される載置台と、 Ｃ：レーザ光を出射するレーザ光源と、 Ｄ：前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、 Ｅ：前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 Ｆ：前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、 Ｇ：前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、 を備え、 Ｈ：前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する、 Ｉ：ことを特徴とするレーザ加工装置。 【請求項２】 Ｊ：半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 Ｋ：前記半導体基板が載置される載置台と、 Ｌ：レーザ光を出射するレーザ光源と、 Ｍ：前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、 Ｎ：前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 Ｏ：前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、 Ｐ：前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、 を備え、 Ｑ：前記半導体基板はシリコン基板であり、 Ｒ：前記制御部は、前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移動を制御する Ｓ：ことを特徴とするレーザ加工装置。」 （以下、各請求項に係る発明を「本件発明１」などといい、これらを総称して「本件発明」という。また、分説した発明特定事項をいう場合は、「構成Ａ」などという。） ２ 本件明細書及び図面の記載 本件特許に係る明細書及び図面には、以下の記載がある。 「【背景技術】 【０００２】 半導体デバイスの製造工程においては、シリコンウェハ等の半導体基板上に複数の機能素子を形成した後に、ダイヤモンドブレードにより半導体基板を機能素子毎に切断し（切削加工）、半導体チップを得るのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。 【０００３】 また、上記ダイヤモンドブレードによる切断に代えて、半導体基板に対して吸収性を有するレーザ光を半導体基板に照射し、加熱溶融により半導体基板を切断することもある（加熱溶融加工）（例えば、特許文献２参照）。 ・・・ 【発明の開示】 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 しかしながら、上述した切削加工や加熱溶融加工による半導体基板の切断は、半導体基板上に機能素子を形成した後に行われるため、例えば切断時に発生する熱を原因として機能素子が破壊されるおそれがある。 【０００５】 そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、例えば半導体基板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止して、半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にするレーザ加工装置を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００６】 上記目的を達成するために、本発明に係るレーザ加工装置は、半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、半導体基板が載置される載置台と、レーザ光を出射するレーザ光源と、載置台に載置された半導体基板の内部に、レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で改質領域を形成させる集光用レンズと、改質領域を半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を半導体基板の内部に位置させた状態で、半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、載置台に載置された半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、赤外透過照明により赤外線で照明された半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、を備えることを特徴とする。 【０００７】 これらのレーザ加工装置によれば、レーザ光の照射により改質領域が半導体基板の内部に形成されるが、このようなレーザ光の照射においては、半導体基板の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないため、半導体基板の表面が溶融することはない。したがって、例えば半導体基板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止することが可能となる。さらに、これらのレーザ加工装置及びレーザ加工方法よれば、改質領域が半導体基板の内部に形成される。半導体基板の内部に改質領域が形成されると、改質領域を起点として比較的小さな力で半導体基板に割れが発生するため、切断予定ラインに沿って高い精度で半導体基板を割って切断することができる。したがって、半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することが可能となる。 【発明の効果】 【０００８】 本発明に係るレーザ加工装置は、例えば半導体基板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止して、半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にする。 ・・・ 【００２７】 上述したレーザ加工方法に使用されるレーザ加工装置について、図９を参照して説明する。図９はレーザ加工装置１００の概略構成図である。 ・・・ 【００２９】 載置台１０７は、半導体基板１を赤外線で照明するために赤外線を発生する赤外透過照明１１６と、半導体基板１が赤外透過照明１１６による赤外線で照明されるよう、半導体基板１を赤外透過照明１１６上に支持する支持部１０７ａとを有している。 ・・・ 【００３３】 ・・・なお、半導体基板１を赤外透過照明１１６による赤外線で照明すると共に、後述する撮像データ処理部１２５により結像レンズ１２３及び撮像素子１２１の観察面を半導体基板１の内部に合わせれば、半導体基板１の内部を撮像して半導体基板１の内部の撮像データを取得することもできる。 ・・・ 【００３７】 ［半導体基板の実施例１］ ・・・ 【００４８】 なお、半導体基板１を赤外透過照明１１６による赤外線で照明すると共に、撮像データ処理部１２５により結像レンズ１２３及び撮像素子１２１の観察面を半導体基板１の内部に合わせれば、半導体基板１の内部に形成された切断起点領域９ａ及び切断起点領域９ｂを撮像して撮像データを取得し、モニタ１２９に表示させることもできる。 ・・・ 【００５２】 なお、半導体基板１の内部に溶融処理領域が形成されると、意識的に外力を印加しなくても、溶融処理領域を起点として（すなわち、切断起点領域９ａ及び切断起点領域９ｂに沿って）、半導体基板１の内部に割れが発生する場合がある。この割れが半導体基板１の表面３及び裏面１７に到達するか否かは、半導体基板１の厚さ方向における溶融処理領域の位置や、半導体基板１の厚さに対する溶融処理領域の大きさ等に関係する。したがって、半導体基板１の内部に形成する溶融処理領域の位置や大きさ等を調節することによって、半導体デバイスの製造工程において半導体基板１がハンドリングされたりヒートサイクルを経たりすることで、半導体基板１の表面３及び裏面１７に割れが到達しないよう、或いは切断直前に半導体基板１の表面３及び裏面１７に割れが到達するよう、種々の制御を行うことができる。 【００５３】 ［半導体基板の実施例２］ ・・・ 【００５４】 この半導体基板１は、外縁に沿った外縁部３１（図１５の２点鎖線の外側部分）を有し、この外縁部３１の内側部分３２（図１５の２点鎖線の内側部分）の内部には、実施例１に係る半導体基板１と同様に、ＯＦ１５と平行な方向に延びる複数本の切断起点領域９ａと、ＯＦ１５に垂直な方向に延びる複数本の切断起点領域９ｂとが形成されている。このように、内側部分３２の内部に切断起点領域９ａ，９ｂが格子状に形成されることで、内側部分３２は多数の矩形状の区画部３３に仕切られる。 ・・・ 【００６０】 なお、マスク３６を用いずに、半導体基板１の内側部分３２と外縁部３１との境界付近に各切断予定ライン５の始点５ａ及び終点５ｂを位置させて、各切断予定ライン５に沿ってレーザ光の照射を行うことにより、内側部分３２の内部に切断起点領域９ａ，９ｂを形成することも可能である。 ・・・ 【００６２】 しかも、半導体基板１の内側部分３２の内部に切断起点領域９ａ，９ｂが形成され、外縁部３１には切断起点領域９ａ，９ｂが形成されていないことから、半導体基板１全体としての機械的強度が向上することになる。したがって、半導体基板１の搬送工程や機能素子形成のための加熱工程等において、半導体基板１が不測の下に切断されてしまうという事態を防止することができる。 ・・・ 【００６４】 また、図１８に示すように、切断起点領域９ａ，９ｂは半導体基板１の内部に収まり、外部には露出しないため、切断起点領域９ａ，９ｂを構成する溶融処理領域を形成する際にガスが発生するようなことも防止される。」 図９ 「 ［図：0001411615000001.jpg］ 」 図１５ 「 ［図：0001411615000002.jpg］ 」 図１８ 「 ［図：0001411615000003.jpg］ 」 ３ 本件発明の技術的意義等 （１）従来技術及び本件発明が解決しようとする課題 上記２の記載から、従来技術及び本件発明が解決しようとする課題について、以下の事項を認めることができる。 半導体デバイスの製造工程において半導体基板を切断する方法には、ダイヤモンドブレードにより基板を機能素子毎に切断する方法や半導体基板に対して吸収性を有するレーザ光を基板に照射し、加熱溶融により基板を切断する方法があるが、これらの方法による場合には、切断時に発生する熱を原因として半導体基板上に形成された機能素子が破壊されるおそれがあるという課題があった（【０００２】～【０００４】）。 （２）本件発明の技術的意義 本件発明は、上記（１）の従来技術の課題を解決するため、半導体基板上に複数の機能素子が形成されていても、機能素子が破壊されるのを防止して、基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にするレーザ加工装置を提供することを目的とするものであり、本件発明に係るレーザ加工装置は、基板の内部にレーザ光を集光させ、レーザ光の集光点を基板の内部に位置させた状態で、基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させるように制御することで、切断予定ラインに沿って基板内部に切断の起点となる改質領域を形成し、また、その基板内部における改質領域を赤外線で照明して撮像可能とするものである（【０００５】、【０００６】）。 本件発明に係るレーザ加工装置は、このような構成により、半導体基板の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、基板の表面が溶融せず、基板上の機能素子が破壊されることを防止しながら、基板を切断することが可能となり、上記（１）の課題が解決される。 また、半導体基板内部における改質領域を起点として、比較的小さな力で基板に割れが発生するため、基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断できるという技術的意義が認められる（【０００７】、【０００８】）。 （３）構成Ｆ、Ｇ、Ｏ及びＰの技術的意義 上記２の記載から、本件発明１の構成Ｆ及びＧ、並びに本件発明２の構成Ｏ及びＰについて、以下の技術的意義を推認できる。 本件発明に係るレーザ加工装置によって、半導体基板内部に改質領域が形成されると、外力を加えなくても、改質領域を起点として基板の内部に割れが発生する場合があるが、この割れが基板の表面や裏面に到達するか否かは、基板の厚さ方向における改質領域の位置や、基板の厚さに対する改質領域の大きさ等に関係する（【００５２】）。 そこで、半導体基板を赤外透過照明による赤外線で照明する（構成Ｆ又はＯ、【００２９】）とともに、撮像素子の観察面を基板の内部に合わせて改質領域を撮像する（構成Ｇ又はＰ、【００３３】、【００４８】）ことで、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することができ、基板の内部に形成する溶融処理領域の位置や大きさ等を調節することが可能となり、その調節により、製造工程で基板が割れることがないように制御したり、切断直前に基板の表面及び裏面に割れが到達するように制御を行うことができる（【００５２】）。 （４）構成Ｈの技術的意義 上記２の記載から、本件発明１の構成Ｈについて、以下の技術的意義を認めることができる。 本件発明１に係るレーザ加工装置によって、半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に切断予定ラインの始点及び終点を位置させて（構成Ｈ）レーザ光を照射することで、基板の内側部分の内部に切断起点領域が形成され（【００６０】）、外縁部には切断起点領域が形成されないことから、半導体基板全体としての機械的強度が向上し、基板の搬送工程等において、基板が不測の下に切断される事態を防止できる（【００６２】）。 また、切断起点領域は半導体基板の内部に収まり、外部には露出しないため、切断起点領域を構成する改質領域を形成する際にガスが発生するようなことも防止される（【００６４】）。 そして、本件発明１の「外縁部」は、半導体基板を取り囲む端の一定の幅をもった部分（【００５４】、図１５）をいい、「内側部分」は、半導体基板の外縁部以外の部分をいうものと理解できる。 第４ 請求人の主張及び証拠方法 １ 請求人の主張の概要 （１）無効理由１（甲第１号証に基づく進歩性欠如） ア 無効理由１の１（甲第１号証に基づく本件発明１の進歩性欠如） 本件発明１は、国内優先権の主張の効果（以下「優先権の効果」という。）が及ばないから、新規性・進歩性は原出願日（平成１５年３月１１日）を基準に判断されるべきであり、本件発明１は、本件特許の原出願日前に頒布された甲第１号証に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲第４～１０号証、甲第２１及び２２号証、甲第１２～１４号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 イ 無効理由１の２（甲第１号証に基づく本件発明２の進歩性欠如） 本件発明２は、優先権の効果が及ばないから、新規性・進歩性は原出願日を基準に判断されるべきであり、本件発明２は、本件特許の原出願日前に頒布された甲第１号証に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲第４～１０号証、甲第２１及び２２号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 （２）無効理由２（甲第２号証に基づく進歩性欠如） ア 無効理由２の１（甲第２号証に基づく本件発明１の進歩性欠如） 本件発明１は、本件特許の優先日前に頒布された甲第２号証に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲第４～１０号証、甲第２１及び２２号証、甲第１２～１４号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 イ 無効理由２の２（甲第２号証に基づく本件発明２の進歩性欠如） 本件発明２は、本件特許の優先日前に頒布された甲第２号証に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲第４～１０号証、甲第２１及び２２号証、甲第１７～１８号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 ２ 証拠方法 （１）併合審理の通知前に提出されたもの 甲第 １号証：特開２００２－１９２３７０号公報 甲第 ２号証：特開平１１－１７７１３７号公報 甲第 ３号証：本件特許の優先権証明書（特願２００２－６７３４８号） 甲第 ４号証：特公昭６２－４５９６５号公報 甲第 ５号証：特開平８－２２０００８号公報 甲第 ６号証：特開平１０－３３２３３２号公報 甲第 ７号証：特開平８－２６４４８８号公報 甲第 ８号証：特開平５－２５９２７５号公報 甲第 ９号証：特開平９－１７８３１号公報 甲第１０号証：特開平１１－１２１５１７号公報 甲第１１号証：特開平４－１７２１９２号公報 甲第１２号証：特開平６－２２４２９８号公報 甲第１３号証：特開平１１－２２４８６４号公報 甲第１４号証：特開２００２－４３２５４号公報 甲第１５号証：無効２０１９－８０００６８号の審決の予告 甲第１６号証：特開平１１－１６３４０３号公報 甲第１７号証：特開平６－１２０３３４号公報 甲第１８号証：特開平３－２７６６６２号公報 （２）併合審理の通知後に提出されたもの ア 請求人要領書に添付したもの 甲第１９号証：「ＰＣＴ国際調査及び予備審査ガイドライン」 （２０２０年７月１日施行、日本語仮訳の抜粋） 甲第２０号証：本件特許の侵害訴訟の控訴審（令和３年（ネ） 第１０１０１号）において知的財産高等裁判所に提出した 請求人従業員の陳述書（乙第２０６号証） 甲第２１号証：特開２００２－１９２３６９号公報 甲第２２号証：特開２００３－１０９９１号公報 甲第２３号証：ボーデンハウゼン著「産業財産権に関するパリ条約」 （日本語訳の抜粋） 甲第２４号証：特開平１０－３２３７７８号公報 イ 令和４年７月２５日の上申書に添付したもの 甲第２５号証：久野耕司、「ステルスダイシングによる微細加工技術の 変遷と展望－２４時間稼働できる高スループットレーザ 加工装置－」（レーザ加工学会誌、一般社団法人レーザ 加工学会、２０１９、Ｖｏｌ．２６、Ｎｏ．２） 甲第２６号証：別件特許権侵害訴訟（平成３０年（ワ）第２８９２９号、 平成３０年（ワ）第２８９３０号）において、被請求人が 裁判所に提出した「ＳＤ加工メカニズム、ＳＤ層の実態」 と題する資料（２枚目は黒塗りとしている） 甲第２７号証：請求人の技術説明資料 ウ 令和４年８月２９日の上申書に添付したもの 甲第２８号証：実願昭５３－１１３００４号 （実開昭５５－２９５４９号）のマイクロフィルム （以下、各甲号証を「甲１」などという。） 第５ 被請求人の主張及び証拠方法 １ 被請求人の主張の概要 （１）無効理由１（甲１に基づく進歩性欠如） ア 無効理由１の１（甲１に基づく本件発明１の進歩性欠如） 本件発明１には、優先権の効果が及ばないことは認めるが、本件発明１は、甲１に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲４～１０、甲２１及び２２、甲１２～１４）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ 無効理由１の２（甲１に基づく本件発明２の進歩性欠如） （ア）本件発明２については、その全体に優先権の効果が及ぶから、甲１は本件発明１の優先日前に頒布された刊行物に該当しない。 （イ）仮に、本件発明２の全体に優先権の効果が及ぶとはいえないとしても、優先権の基礎となる出願の明細書に記載されていた部分には、部分優先の効果（以下「部分優先の効果」という。）が認められる（すなわち、本件発明２の構成のうち、構成Ｎの「切断予定ライン」が「半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点、終点を有する切断予定ライン」を含まない部分については、部分優先の効果が認められる）から、甲１は、本件発明２のうちの部分優先の効果が認められる部分の優先日前に頒布された刊行物に該当しない。 また、本件発明２の構成のうち、構成Ｎの「切断予定ライン」が「半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点、終点を有する切断予定ライン」である部分についての新規性・進歩性の判断基準日は原出願日（平成１５年３月１１日）となるが、当該部分が甲１に記載された発明に対して進歩性を欠いているとはいえない限り、本件発明１の進歩性欠如は成り立たないといえるところ、当該部分は本件発明１と同様に、周知技術（甲１２～１４）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）無効理由２（甲２に基づく進歩性欠如） ア 無効理由２の１（甲２に基づく本件発明１の進歩性欠如） 本件発明１は、本件特許の優先日前に頒布された甲２に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲４～１０、甲２１及び２２、甲１２～１４）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、本件発明１と甲２に記載された発明には、請求人が挙げていない相違点があり、それらの相違点も当業者が容易に想到できたものではない。 イ 無効理由２の２（甲２に基づく本件発明２の進歩性欠如） 本件発明２は、本件特許の優先日前に頒布された甲２に記載された発明、及び周知又は公知技術（甲４～１０、甲２１及び２２、甲１７～１８）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、本件発明２と甲２に記載された発明には、請求人が挙げていない相違点があり、それらの相違点も当業者が容易に想到できたものではない。 ２ 証拠方法 （１）併合審理の通知前に提出されたもの 乙第１号証の１：高岡秀嗣、「極薄半導体ウェハのダイシングに最適な ステルスダイシング技術の原理と特徴」、電子材料、 工業調査会、２００２年９月１日、Ｖｏｌ．４１、 Ｎｏ．９、１７－２１ページ 乙第１号証の２：大島雅志、ほか２名、「浜松ホトニクスのステルス ダイシング技術について－開発意義を専門家に聞く－」 電子材料、工業調査会、２００２年９月１日、 Ｖｏｌ．４１、Ｎｏ．９、２２－２３ページ） 乙第１号証の３：「レーザー学会産業賞「優秀賞」受賞」と題する文書、 一般社団法人レーザー学会 乙第１号証の４：「浜松ホトニクス 透過性パルスレーザーの内部集光に よる切断加工システム」と題するウェブページ、 株式会社中日新聞社 ＜URL:http://www.chunichi.co.jp/info/award/ sangisho/minister_no24.html＞ 乙第１号証の５：「機械振興賞 受賞者 業績概要詳細」と題するウェブ ページ、 ＜URL:http://www.jspmi.or.jp/system/ l_cont.php?ctid=l30502&rid=1101＞ 乙第１号証の６：「レーザー加工技術 特許総合ランキング力トップ３は 浜松ホトニクス、ディスコ、三菱電機」と題するウェブ ページ ＜URL:https://www.patentresult.co.jp/news/2018/07/ laserprotech.html＞ 乙第２号証：特開平１１－１６３４０３号公報 乙第３号証：知的財産高等裁判所 令和２年（行ケ）第１００１８号判決 （２）併合審理の通知後に提出されたもの ア 令和４年７月１５日の口頭審理陳述要領書に添付したもの 乙第４号証：知的財産高等裁判所 令和３年（行ケ）第１０１１１号判決 イ 令和４年９月１５日の上申書に添付したもの 乙第５号証：知的財産高等裁判所 令和３年（ネ）第１０１０１号判決 第６ 当審の判断 １ 甲号証の記載事項 （１）甲１の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日（平成１５年３月１１日）前に頒布された刊行物である甲１には、以下の事項が記載されている。（下線は、理解を容易にするために当審で付したものである。以下同じ。） 「【発明の属する技術分野】 【０００２】本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断に使用されるレーザ加工方法に関する。」 「【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴とする。」 「【０００８】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射しかつ多光子吸収という現象を利用することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係るレーザ加工方法によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより、加工対象物を切断することができる。よって、比較的小さな力で加工対象物を切断することができるので、加工対象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。」 「【００３３】さて、本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域として、次の（１）～（３）がある。 （１）改質領域が一つ又は複数のクラックを含むクラック領域の場合・・・」 「【００３７】（２）改質領域が溶融処理領域の場合・・・」 「【００４３】（３）改質領域が屈折率変化領域の場合・・・」 「【００４４】次に、本実施形態の具体例を説明する。 ［第１例］本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法について説明する。図１４はこの方法に使用できるレーザ加工装置１００の概略構成図である。レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら三つのステージ１０９，１１１，１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。」 「【００４８】レーザ加工装置１００はさらに、載置台１０７に載置された加工対象物１を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９と、を備える。・・・観察用光源１１７から発生した可視光線はビームスプリッタ１１９で約半分が反射され、この反射された可視光線がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５を透過し、加工対象物１の切断予定ライン５等を含む表面３を照明する。 【００４９】レーザ加工装置１００はさらに、ビームスプリッタ１１９、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１としては例えばＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄｄｅｖｉｃｅ）カメラがある。切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反射光は、集光用レンズ１０５、ダイクロイックミラー１０３、ビームスプリッタ１１９を透過し、結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像データとなる。 【００５０】レーザ加工装置１００はさらに、撮像素子１２１から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部１２５と、レーザ加工装置１００全体を制御する全体制御部１２７と、モニタ１２９と、を備える。撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点が表面３上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部１１５がＺ軸ステージ１１３を移動制御することにより、可視光の焦点が表面３に合うようにする。よって、撮像データ処理部１２５はオートフォーカスユニットとして機能する。・・・ 【００５１】全体制御部１２７には、ステージ制御部１１５からのデータ、撮像データ処理部１２５からの画像データ等が入力し、これらのデータも基にしてレーザ光源制御部１０２、観察用光源１１７及びステージ制御部１１５を制御することにより、レーザ加工装置１００全体を制御する。よって、全体制御部１２７はコンピュータユニットとして機能する。 【００５２】次に、図１４及び図１５を用いて、本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法を説明する。図１５は、このレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。加工対象物１はシリコンウェハである。 【００５３】まず、加工対象物１の光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。この測定結果に基づいて、加工対象物１に対して透明な波長又は吸収の少ない波長のレーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１を選定する（Ｓ１０１）。次に、加工対象物１の厚さを測定する。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にして、加工対象物１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）。これは、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部に位置させるために、加工対象物１の表面３に位置するレーザ光Ｌの集光点を基準とした加工対象物１のＺ軸方向の移動量である。この移動量を全体制御部１２７に入力される。 【００５４】加工対象物１をレーザ加工装置１００の載置台１０７に載置する。そして、観察用光源１１７から可視光を発生させて加工対象物１を照明する（Ｓ１０５）。照明された切断予定ライン５を含む加工対象物１の表面３を撮像素子１２１により撮像する。この撮像データは撮像データ処理部１２５に送られる。この撮像データに基づいて撮像データ処理部１２５は観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置するような焦点データを演算する（Ｓ１０７）。 【００５５】この焦点データはステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５は、この焦点データを基にしてＺ軸ステージ１１３をＺ軸方向の移動させる（Ｓ１０９）。これにより、観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置する。なお、撮像データ処理部１２５は撮像データに基づいて、切断予定ライン５を含む加工対象物１の表面３の拡大画像データを演算する。この拡大画像データは全体制御部１２７を介してモニタ１２９に送られ、これによりモニタ１２９に切断予定ライン５付近の拡大画像が表示される。 【００５６】全体制御部１２７には予めステップＳ１０３で決定された移動量データが入力されており、この移動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）。 【００５７】次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。そして、加工対象物１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、加工対象物１をシリコンチップに分割する。 【００５８】第１例の効果を説明する。これによれば、多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせて、パルスレーザ光Ｌを切断予定ライン５に照射している。そして、Ｘ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させている。これにより、改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域）を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。よって、改質領域を起点として切断予定ライン５に沿って加工対象物１を割ることにより、比較的小さな力で加工対象物１を切断することができる。これにより、加工対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物１を切断することができる。」 「【００６２】また、第１例によれば、加工対象物１の切断加工にレーザ光を用いるので、ダイヤモンドカッタを用いたダイシングよりも複雑な加工が可能となる。例えば、図１６に示すように切断予定ライン５が複雑な形状であっても、第１例によれば切断加工が可能となる。これらの効果は後に説明する例でも同様である。」 「【００６６】第２例に係る切断装置は、図１４に示すレーザ加工装置１００及び図１９、図２０に示す装置から構成される。図１９及び図２０に示す装置について説明する。圧電素子ウェハ３１は、保持手段としてのウェハシート（フィルム）３３に保持されている。このウェハシート３３は、圧電素子ウェハ３１を保持する側の面が粘着性を有する樹脂製テープ等からなり、弾性を有している。ウェハシート３３は、サンプルホルダ３５に挟持されて、載置台１０７上にセットされる。なお、圧電素子ウェハ３１は、図１９に示されるように、後に切断分離される多数個の圧電デバイスチップ３７を含んでいる。各圧電デバイスチップ３７は回路部３９を有している。この回路部３９は、圧電素子ウェハ３１の表面に各圧電デバイスチップ３７毎に形成されており、隣接する回路部３９の間には所定の間隙α（８０μｍ程度）が形成されている。なお、図２０は、圧電素子ウェハ３１の内部のみに改質部としての微小なクラック領域９が形成された状態を示している。」 「【００９１】また、撮像素子１２１として赤外線用のものを用いることにより、レーザ光Ｌの反射光を利用してフォーカス調整を行うことができる。この場合には、ダイクロイックミラー１０３を用いる代わりにハーフミラーを用い、このハーフミラーとレーザ光源１０１との間にレーザ光源１０１への戻り光を抑制するような光学素子を配設する必要がある。なお、このとき、フォーカス調整を行うためのレーザ光Ｌにより切断対象材料にダメージが生じないように、フォーカス調整時にレーザ光源１０１から照射されるレーザ光Ｌの出力は、クラック形成のための出力よりも低いエネルギー値に設定ことが好ましい。」 図１６ 「 ［図：0001411615000004.jpg］ 」 図１９ 「 ［図：0001411615000005.jpg］ 」 図２０ 「 ［図：0001411615000006.jpg］ 」 （２）甲２の記載事項 本件特許に係る出願の優先日（平成１４年３月１２日）前に頒布された刊行物である甲２には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は紫外域から橙色まで発光可能な発光ダイオードやレーザーダイオード、さらには高温においても駆動可能な３－５族半導体素子の製造方法に係わり、特に、基板上に窒化物半導体積層された半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法に関する。」 「【００１２】したがって、本発明は窒化物半導体ウエハーをより小さいチップ状に分割するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくする。また、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく、かつ歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができる製造方法を提供することを目的とする。」 「【００１９】 【発明の実施の形態】本発明者らは種々実験の結果、窒化物半導体素子を製造する場合において半導体ウエハーの特定箇所にレーザーを照射することにより、半導体特性を損傷することなく量産性に優れた窒化物半導体素子を製造することができることを見いだし本発明を成すに到った。 【００２０】本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。 【００２１】即ち、ダイサーやダイヤモンドスクライバーなどにより機械的に削りとられた溝部は、その溝部形成時に内部応力が生ずる。特に、溝部の底面に沿ってダイヤモンドスクライバーによるスクライブ・ラインを形成する工程においてはスクライバーの刃先にかかる加重で溝部底以外にも広く歪みが増幅される。そのため、溝部形成後にダイヤモンドスクライバーで分離させると半導体ウエハー内に保持された応力によって所望通りの端面が形成されず、より正確に窒化物半導体ウエハーが分離できないと考えられる。 【００２２】本発明はダイサーにより生じた内部応力に依存することなくレーザースクライバーにより分割に寄与する局所的な応力を発生させる。これにより端面が綺麗（平滑）であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができると考えられる。また、窒化物半導体素子を分離されるためには半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い溝部を形成させる。その溝部よりも狭いブレイク・ラインをレーザー照射により形成することで、極めて細いブレイク・ラインを所望の深さまで深く形成することができ量産性の良い窒化物半導体素子を分離できるものである。以下、本発明の製造方法例について説明する。」 「【００３７】 【実施例】（実施例１）厚さ２００μｍであり洗浄されたサファイアを基板１０１としてＭＯＣＶＤ法を利用して窒化物半導体を積層させ窒化物半導体ウエハーを形成させた。・・・」 「【００４２】半導体ウエハーに、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）によって窒化物半導体表面側から溝部が形成されるサファイア基板との境界面が露出するまでエッチングさせ複数の島状窒化物半導体層が形成された半導体ウエハーを用いる。・・・（図１（Ａ））。 【００４３】こうして形成された窒化物半導体ウエハー１００のサファイア基板１０１を１００μｍまで研磨した後、半導体ウエハー１００のサファイア基板面１１１が上になるように水平方向に自由駆動可能なテーブル上に真空チャックを用いて固定させた。ブレード回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度３ｍｍ／ｓｅｃでステージを移動させることによりサファイア基板１０１の底面に幅約３０μｍ、深さ約１５μｍの溝を縦横に形成し溝部１０３とさせる。・・・（図１（Ｂ））。 【００４４】次に、ダイサーの刃先など駆動部のみレーザー（３５６ｎｍ）が照射可能なＹＡＧレーザー照射装置と入れ替えた（不示図）。窒化物半導体ウエハー１００の固定は維持したままレーザーの焦点を窒化物半導体ウエハーの溝部１０３底面に結ばれるようレーザーの光学系を調節させる。調節したレーザー光線を１６Ｊ／ｃｍ２で照射させながらステージを移動させることにより溝部１０３の底面に沿って深さ約３μｍの更なる溝としての凹部１０４をブレイク・ラインとして形成する（図１（Ｃ））。 【００４５】ブレイク・ラインに沿って、ローラー（不示図）により荷重をかけ、窒化物半導体ウエハー１００を切断分離することができる。分離された窒化物半導体素子１１０の端面はいずれもチッピングやクラックのない窒化物半導体素子を形成することができる（図１（Ｄ））。」 「【００４８】（実施例２）実施例１のレーザー照射装置における焦点深さをレーザーの光学系を調整させて深くさせた以外は実施例１と同様にしてブレイク・ラインを形成させた。形成されたブレイク・ラインは基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２（Ｃ））。」 図１ 「 ［図：0001411615000007.jpg］ 」 図２ 「 ［図：0001411615000008.jpg］ 」 （３）甲４の記載事項 本件特許に係る出願の優先日前に頒布された刊行物である甲４には、以下の事項が記載されている。 「本発明は特に半導体ウエハの結晶欠陥を観察するのに適した試料観察装置に関する。」（１欄１４～１５行） 「本発明は上記従来の光学顕微鏡が不鮮明であり、ピットと基板内部の対応付けが困難であるという事情に鑑みて為されたもので、試料表面像を得る、可視光を用いた微分干渉顕微鏡又は位相差顕微鏡と、透過赤外光を可視光に変換して試料内部像を得る手段と、ピント調整手段とを備え、試料表面像及び内部像を同一視野内でオーバーラップさせて観察するようにされてなり、以って従来より鮮明でかつピット像、内部欠陥両者の対応を容易につけることが出来る試料観察装置を提供するものである。 以下本発明を一実施例につき図面を参照して詳述する。 第１図は本実施例を説明する為の装置の概略的な断面図である。先ず透過赤外光を用いる微分干渉顕微鏡、落射可視光を用いる光学顕微鏡及びピント調整手段の各部に分けて説明する。 微分干渉顕微鏡では、第１のハロゲンランプ１から発した可視光はコンデンサレンズ２、ボラライザー（偏光板）３及び絞り４を径たのちハーフミラー５で試料６方向に直角に曲げられ、さらに断面がくさび状を為すウォラストンプリズム７、対物レンズ８を通って試料６上方より落射照明する。反射光は再び前記対物レンズ８、プリズム７、ハーフミラー５をこの順に通過したのち、アナライザー（偏光板）９、接眼レンズ１０を経て光電変換手段である、可視光から赤外光にわたって感知するビジコン１１（Ｐｂｏ―Ｐｂｓビジコン、その他Ｓｉビジコン等）の入射面１１ａに結像し、白黒モニタテレビジョン１２の画面上に試料表面像を写し出す。 ここでボラライザー３で直線偏光にされた可視光は、ウォラストンプリズム７で互いに偏向方向が直角な２つの成分を有する光となって試料に照射される。その反射光は試料表面の凹凸に応じた位相差を有し、アナライザー９を経てビジコン入射面１１ａ上に形成された像には前記位相差に応じた色の分布が現われる。モニタテレビジョン１２の試料表面像は色の分布が白黒の濃淡として現われる。即ち試料表面の微細な波長オーダーの凹凸が濃淡パターンとして観察される。 次に試料内部像を得る光学顕微鏡では、第２のハロゲンランプ１３から発した赤外成分を含む光はコンデンサレンズ１４ａ，１４ｂを通過したのち、ミラー１５で試料６方向に直角に曲げられ、赤外光のみを通過させるシリコンフィルタ１５ａ、コンデンサレンズ１６ａ，１６ｂを介して試料６を裏面より赤外光を照射する。コンデンサレンズ１６ａと１６ｂ間には偏光観察可能にする偏光板１７、及び絞り１８が挿入されている。試料を通過した赤外光は、前記対物レンズ８、接眼レンズ１０を経てビジコン入射面１１ａに結像し、ここで光電変換され、可視光に変換された試料内部像をモニタテレビジョン１２の画面上に写し出す。」（２欄１９行～４欄５行） 「試料は厚みを有しているので、試料表面からの試料内部物体面距離が、接眼レンズ１０、対物レンズ８から成る光学系の焦点深度内に入っている場合には、ピント調整即ち試料台１９の上下によってモニタテレビジョン１２画面上に同一視野内で前述した光学顕微鏡によって得られる試料内部像及び前述した微分干渉顕微鏡から得られる表面像が同時にオーバーラップして観察される。」（４欄１０～１７行） 「 ［図：0001411615000009.jpg］ 」 （４）甲５の記載事項 本件特許に係る出願の優先日前に頒布された刊行物である甲５には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハや光検出素子の欠陥、ならびに液晶パネルなどの被検体の欠陥を検査する装置の改良に関するものである。」 「【０００５】この発明の実施例１による赤外検査装置は、上述のような問題点を解消するためになされたものであり、半導体ウエハなどの微少なクラックなどの欠陥の有無の検査を容易にかつ高い検出率で実施することができる装置を実現するものである。」 「【００１０】 【課題を解決するための手段】この発明の実施例１による検査装置は、赤外線を透過する被検体の裏面側より赤外光を照射する手段を備えたものである。」 「【００１５】 【作用】この発明の実施例１による赤外検査装置は、被検体の裏面より赤外光を照射することができるため、被検体の透過光を映像化することができる。このため例えばパターン焼き付け加工などを施す前の半導体ウエハの段階での、表面に現れる部分が微少なクラックをも検出することが可能となる。」 「【００２０】 【実施例】 実施例１．図１は、この発明の実施例１を示す構成図であり、図において１は赤外光を透過する被検体、２は被検体を保持する微動台、１０は別に設けた赤外光源、１１は赤外光源に密着して設置した拡散器、１２は拡散器から出射した赤外線、１３は被検体を透過した赤外線、１４は赤外線レンズ、１５は赤外線レンズを装着した赤外線カメラ、そして１６は赤外線カメラの映像信号を入力するモニタである。次に動作について説明する。赤外光源１０からでた赤外線は、拡散器１１によって空間的に均一にされて、出射した赤外線１２となる。出射した赤外線１２は被検体１を、その裏面から照射する。ここで被検体１は微動台２によって、この例では両側より保持されている。このため微動台を調整することにより、赤外線カメラに対して任意の水平および垂直の位置に被検体の位置を設定することができる。すなわち被検体の任意の位置を撮像すること、および被検体にピントを合わせることを行うことが可能となる。さて、出射した赤外線１２は被検体１を裏面から照射して、表面へ通り抜けて、透過した赤外線１３となる。透過した赤外線１３は赤外線レンズ１４によって赤外線カメラ１５の内部の受光素子に被検体の像を結ぶ。赤外線カメラ１５はこの像を光電変換した後、増幅、信号処理して規定のビデオ信号に変換する。モニタ１６はこのビデオ信号を入力し、目視で確認できる映像にして表示する。ここで被検体１が、例えばパターン加工などを施す前の半導体のシリコンウエハとすると、その中に潜む微少なクラックを目視で確認することはすでに述べたように困難であるが、この装置を用いればクラックとその他の部分とは赤外線の透過状態が異なるために、容易にクラックを検出することが可能となる。詳細に説明すると、まずシリコンウエハは３～５μｍの赤外線を透過する。ここでクラック以外の部分はシリコンの単結晶であるために、その赤外線画像は赤外線の透過状態が一定であるために、一様である。一方クラックの部分はその部分で赤外線の反射および吸収が生じるために、クラックと同じ形の「影」が発生する。このためモニタ画像を目視で検査することによって微少なクラックまでも容易に発見することができる。・・・」 図１ 「 ［図：0001411615000010.jpg］ 」 （５）甲６の記載事項 本件特許に係る出願の優先日前に頒布された刊行物である甲６には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線を利用した撮像により、半導体ウェーハ等の内部に形成された特定の領域を検出する方法に関し、詳しくは、深さ方向に複数積層された回路面の中から、特定の領域を検出するようにした領域の検出方法に関するものである。」 「【０００６】赤外線の透過性を利用すれば、焦点の位置を調整することにより、半導体ウェーハの裏面や内部を撮像することもでき、検出すべき回路面が裏面や内部に形成されている場合にも、切削すべき領域を検出することができる。」 「【００１５】 【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例として、半導体ウェーハを切削（ダイシング）する際に行う切削領域の検出について説明する。」 「【００１８】アライメントユニット２２は、図４に示すように、光を照射する照明手段２３と、半導体ウェーハ１０において反射した光を拡大する光学手段２４と、光学手段２４から供給される光を撮像する撮像手段２５とから概略構成されている。 【００１９】照明手段２３は、内部に発光体２６を備えており、この発光体２６は、調光器２７を介して電源（図示せず）に接続され、可視光線及び赤外線を発することができる。また、発光体２６の下方には熱線吸収フィルタ２８が取り付けられている。 【００２０】光学手段２４には、対物レンズ２９と、ハーフミラー３０と、赤外線狭帯域フィルタ３１とを備えており、対物レンズ２９は、半導体ウェーハ１０と対峙する位置に配設され、その上方に配設されたハーフミラー３０は、グラスファイバー３２を介して照明手段２３と接続されている。・・・ 【００２１】撮像手段２５は、例えば、光域が広く可視光線から赤外線までを認識可能なＣＣＤカメラ等の撮像素子３３を含んでおり、光学手段２４に対して光軸が一致するよう配設されている。更に、撮像手段２５には、半導体ウェーハ１０の焦点位置を、例えばＺ軸上の座標によって記憶させることができるメモリ等からなる記憶手段３４を備え（制御装置内に備えてもよい）、この記憶手段３４に記憶させた焦点位置に自動的に焦点を合わせる機能を有している。また、撮像手段２５はモニター３５に接続され、撮像した画像はモニター３５に表示されるようになっている。」 「【００２４】そして、照明手段２３の発光体２６から赤外線成分を含む光を半導体ウェーハ１０に照射すると共に、対物レンズ２９を上下動させる等して、予め記憶手段３４に記憶させておいたＺ軸上の焦点位置Ｄに撮像素子３３の焦点を合わせると、モニター３５には、図５に示したようなターゲット１４を有する回路面１１の画像が表示される。 【００２５】図５に示した回路面において、ストリート１４は、所定間隔を置いて格子状に配列された直線状領域であり、ストリート１４によって区画された多数の矩形領域１７には、回路パターンが施されている。また、ターゲット１４は、ストリート１３の切削位置の検出時の基準となる特徴点であり、ストリート１３とターゲット１４との位置関係は予め記憶手段３４に記憶されている。従って、ターゲット１４をパターンマッチング等で検出すれば、自動的にストリート１３の位置を検出することができ、ストリート１３と切削ブレード２３との位置合わせ、即ち、アライメントが行われる。」 「【００３１】なお、本発明に係る領域の検出方法は、上記説明したアライメント時の切削領域の検出だけでなく、切削途中における切削状況の監視等にも利用することができる。」 図４ 「 ［図：0001411615000011.jpg］ 」 （６）甲７の記載事項 本件特許に係る出願の優先日前に頒布された刊行物である甲７には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハからチップを切り出すためにウェハをスクライブするウェハスクライブ装置及び方法に関する。」 「【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明のウェハスクライブ装置は、半導体ウェハをスクライブするツールと、半導体ウェハを固定し赤外光を透過するプレートと、前記プレートを一平面上で移動及び回転させるＸＹθテーブルと、前記半導体ウェハに向かって赤外光を出射する赤外光源と、前記赤外光による前記半導体ウェハの透過映像を撮像する赤外カメラと、前記赤外カメラで撮像した透過映像から前記半導体ウェハ上のチップ分割線の位置を認識する画像認識ユニットとを含み、前記ツールを前記チップ分割線に沿って移動させて前記半導体ウェハをスクライブすることを特徴とする。」 「【０００９】本実施例は、半導体ウェハ１からチップ２を切り出すために半導体ウェハ１をスクライブするもので、半導体ウェハ１をスクライブするツール３と、半導体ウェハ１を吸着固定し、光を透過するガラスプレート４と、ガラスプレート４が固定され、ウェハ１を任意の位置及び向きへ位置決めするＸＹθテーブル５と、ＸＹθテーブル５の下方よりウェハ１に向かって赤外光を出射する赤外光源６と、赤外光によるウェハ１の透過映像を撮像する赤外カメラ７と、赤外カメラ７で撮像した透過映像から切り出すべきチップ２の位置を認識する画像認識ユニット８とで構成される。」 「【００１１】半導体ウェハ１を裏面が上側となるようにガラスプレート４に吸着固定させ、ＸＹθテーブル５により赤外カメラ７の視野内に半導体ウェハ１を移動させる。次に赤外光源６から赤外光を半導体ウェハ１に出射し、その透過光を赤外カメラ７で撮像する。これにより半導体ウェハ１の表面に形成されたパターン画像を画像認識ユニット８に取り込み、分割線を示すマークに従ってスクライブする線を検出する。検出した半導体ウェハ１上の線に沿ってツール３がスクライブできるようにＸＹθテーブル５により半導体ウェハ１を位置決めし、ツール３を移動させて半導体ウェハ１の裏面をスクライブする。このように縦横に複数のスクライブラインを半導体ウェハ１に設ける。」 図１ 「 ［図：0001411615000012.jpg］ 」 （７）甲８の記載事項 本件特許に係る出願の優先日前に頒布された刊行物である甲８には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造方法にかかり、詳しくは、半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方法に関する。」 「【０００６】 【課題を解決するための手段】このような目的を達成するために、本発明の半導体製造方法は、半導体ウエハを分割するための分割用切込みを半導体ウエハの一面に形成する際において、該一面を半導体素子が形成されていない面にしたことに特徴を有している。 【０００７】なお、半導体ウエハを透過しうる光線を他面側から半導体ウエハに向かって照射し、該透過光線によって前記半導体素子の形成位置を確認しながら前記分割用切込みを形成することが好ましく、さらには、前記分割用切込みを形成するまえに、仮止シート材を半導体素子が形成されている面に設けることが好ましい。 【０００８】 【作用】上記構成によれば、分割用切込みは、半導体素子が形成されていない面に形成されるので、分割用切込み形成時に発生するワレ、カケ等のキズが半導体形成面に発生することはなくなる。また、仮止シート材を半導体素子が形成されている面に設けると、分割時に発生するワレ、カケ等の破片が、半導体素子形成面に付着することがなくなる。 【０００９】 【実施例】以下、本発明による半導体ウェハの製造方法の一実施例を、その手順にしたがって説明する。なお、第１図それぞれは手順ごとの半導体ウェハを示す説明図であり、これらの図における符号１０は半導体ウエハ、１１は半導体チップで、Ａは半導体ウエハ１０表面に形成された半導体素子である。 【００１０】まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウエハ１０に伸張性を有する仮止シート材１２を貼り付ける。貼付の際には、半導体ウエハ１０の表面、すなわち、半導体素子が形成されている面１０ａと仮止シート材１２とを向かい合わせ、仮止めシート材１２によって表面１０ａが覆われるようにしておく。 【００１１】仮止シート材１２を張り付けたのち、ダイヤモンドカッタ１３によって半導体ウエハ１０の所定位置にスクライブライン(分割用切込み)１４を形成する。スクライブライン１４は半導体素子裏面、すなわち、半導体素子が形成されていない面１０ｂに形成する。スクライブライン１４刻設時には、シート材１２外側に、赤外線ランプ１５を、さらに、ウエハ１０は挟んで（当審注：「ウエハ１０を挟んで」の誤記と認める。）この赤外線ランプ１５と対向する位置に赤外線カメラ１６を配設しておく。そして、赤外線ランプ１５から半導体ウエハ１０に向かって赤外光Ｒを照射し、半導体ウエハ１０を透過した赤外光Ｒを赤外線カメラ１６によって捕らえる。捕られた（当審注：「捕らえられた」の誤記と認める。）透過赤外光ＲはＣＲＴモニター１７に映し出され、この透過赤外光Ｒによって、半導体ウエハ１０上の半導体素子Ａ配置構成が確認される。そのため、ウエハ裏面１０ｂであるにもかかわらず、スクライブライン１４を正確に形成することができる。また、スクライブライン１４形成時には、従来と同様、ダイヤモンドカッタ１３と接する部分に、ワレ、カケといった破損が生じることが考えられる。しかしながら、スクライブライン１４は、ウエハ裏面１０ｂに刻設されるので、ワレ、カケ等の破損によってチップ外見が損なれる（当審注：「損なわれる」の誤記と認める。）ことにはならない。また、このとき、半導体ウエハ１０の表面１０ａは仮止シート材１２によって覆われているため、これら破片が付着することも起こらない。 【００１２】スクライブライン１４を形成したのち、図１（ｃ）に示すように、仮止シート材外表面１２ａに沿って回転ローラ１８（たとえば、ゴム製ローラ）を押圧状態で往来させ、これによって半導体ウエハ１０を撓ませる。撓まされた半導体ウエハ１０は、クライブライン（当審注：「スクライブライン」の誤記と認める。）１４に沿って割れ、これによって半導体ウェハは各半導体チップ１１毎に分割（ブレイク）される。」 図１ 「 ［図：0001411615000013.jpg］ 」 （８）甲９の記載事項 本件特許に係る出願の優先日前に頒布された刊行物である甲９には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明はウエハプロービング装置に関し、特に、半導体ＬＳＩチップをウエハ状態で電気検査をする際に使うプロービング用の端子が形成されたプローブウエハを被検査ウエハ上に正確にアライメントし、プロービングを行なうウエハプロービング装置に関する。」 「【００２１】図１は本発明の一実施例を示す構成図である。図１に示すウエハプロービング装置は、被検査ウエハ１０の裏面よりシリコンを透過する波長域の赤外光で照明する赤外光照明装置１と、被検査ウエハ１０のパターン面側にプロービング用の端子を配置したシリコンをベースにしたプローブウエハ２と、プローブウエハ２を被検査ウエハ１０の表面に対し垂直に移動させ、プローブウエハ２のプロービング端子を被検査ウエハ１０に接触させたり離したりするプローブウエハ退避装置３と、シリコンを透過する赤外域の一波長において被検査ウエハ１０のパターン面上に焦点が合い、シリコンを透過する赤外域の別の一波長でプローブウエハ退避装置３により退避状態であるプローブウエハ２のプロービング端子に焦点が合う色収差をもつ赤外対物レンズ４と、シリコンを透過する前記赤外域の一波長のみを透過する第一のダイクロイックフィルタ５と、シリコンを透過する前記赤外域の別の一波長のみを透過する第二のダイクロイックフィルタ６と、第一のダイクロイックフィルタ５と第二のダイクロイックフィルタ６を赤外対物レンズ４の光路中に交互に出し入れする切り換え装置７と、赤外対物レンズ４からの光束を結像する結像レンズ８と、結像レンズ８の結像面上に撮像面が位置する赤外カメラ９と、被検査ウエハ１０のパターンとプローブウエハ２のプロービング端子の像より双方のずれ量を算出しアライメントする手段９１と、を含んで構成される。 【００２２】赤外光照明装置１にて被検査ウエハ１０の裏面よりシリコンを透過する波長域の赤外光で照明し、被検査ウエハ１０の表面よりプローブウエハを通して被検査ウエハ１０のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロービング端子とをそれぞれ別の波長において同時に焦点が合う様な色収差をもった赤外対物レンズ４により観察する。 【００２３】被検査ウエハ１０のパターン面上に焦点があう光の波長のみ透過させる第一のダイクロイックフィルタ５とプローブウエハ退避装置３により退避状態であるプローブウエハ２のプロービング端子に焦点が合う光の波長のみ透過させる第二のダイクロイックフィルタ６を切り換え装置７により切り換えて、被検査ウエハ１０のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロービング端子双方を同一の光学系で観察することで正確な相対位置を測定して、高精度なアライメントを実現する。 【００２４】アライメントを取った後、プローブウエハ退避装置３によりプローブウエハ２を被検査ウエハ１０上におろしプロービングを行なう。ここで被検査ウエハ１０のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロービング端子の像は結像レンズ８により赤外カメラ９の撮像面上に結像される。被検査ウエハ１０のパターンと退避状態のプローブウエハ２のプロービング端子それぞれの像は図示しない画像処理装置により処理され、相対位置から位置ズレ量が算出される。この位置ズレ量を補正するように被検査ウエハ１０を保持する図示しない検査ステージを駆動して被検査ウエハ１０を動かしアライメントを取る。」 図１ 「 ［図：0001411615000014.jpg］ 」 （９）甲１０の記載事項 本件特許に係る出願の優先日前に頒布された刊行物である甲１０には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器内の基板上へ半導体素子を搭載する半導体素子搭載装置および半導体素子搭載方法にかかわり、特に光を集光することによって局部的に加熱する局部加熱装置を用いることによって、短時間に局所的に加熱し、また位置合わせに透過画像方式を用いることによって、高精度な位置合わせを可能とした、基板への熱影響の少ない、高精度に半導体素子を搭載する半導体素子搭載装置および半導体素子搭載方法を提供するものである。」 「【００１５】 【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態を図１～図３を用いて説明する。ここでは、半導体素子として光デバイスを用いた例を示している。・・・ 【００１６】光デバイス搭載装置１００は、ＸＹθステージ１１と、吸着アーム１３を有するハンド１２と、赤外線カメラ１４と、赤外線用光源１５と、光ビーム照射用集光レンズ１６と、シャッター１７と、モニタ２１と、制御系２２と、操作パネル２３と、プリアライメントステージ２４とを有して構成されている。」 「【００２５】次に本実施の形態にかかる光デバイス搭載装置の動作を説明する。まず、プリアライメントステージ２４に光デバイス３０をプリアライメントして載置し、ステージ１１に位置合わせ用ピン１１１を用いて基板４０を所定の位置に載置しておく。プリアライメントステージ２４に載置されている光デバイス３０を吸着ハンド１２の吸着アーム１３にて吸着し、ステージ１１上に載置された基板４０の上方に若干の隙間を空けて保持する。 【００２６】光源１５からの赤外線を基板４０および光デバイス３０に照射して得られた透過画像は、赤外線カメラ１４によって撮影され、モニタ２１に映し出されるとともに、透過画像データは制御系２２に入力される。 【００２７】モニタ２１に映し出された透過画像中の基板４０および光デバイス３０の２対のパターンから、基板４０および光デバイス３０の相対的な位置関係を認識し、位置ズレ量および角度ズレ量を算出する。ＸＹθステージ１１に設けられたＸ軸可動部およびＹ軸可動部ならびにθ可動部を、制御系２２を介して操作パネル２３によって制御し、光デバイス３０と基板４０の精密な位置合わせを行う。このステージ１１のＸ、Ｙ、θの移動による位置合わせは、作業者がモニタを監視しながら操作パネル２３から指令を入力する手動操作で行うことができ、また、得られたパターンを制御系２２が認識して自動的に行うようにすることもできる。 【００２８】精密位置合わせ後、基板４０と光デバイス３０の間に設けた若干の隙間を無くし、基板４０と光デバイス３０を接触させる。 【００２９】その後、操作パネル２３から加熱の指示を出すと、シャッター１７が閉じ赤外線カメラ１４を加熱光線から保護し、赤外線用光源１５を局部加熱装置の照射用集光レンズ１６と入れ替え、加熱用光を集光して接合個所を局部加熱し、あらかじめ形成しておいた基板４０側または光デバイス３０側のはんだ層を溶融し、基板４０と光デバイス３０を固定する。」 図２ 「 ［図：0001411615000015.jpg］ 」 （１０）甲１１の記載事項 本件特許に係る出願の優先日前に頒布された刊行物である甲１１には、以下の事項が記載されている。 「ＬＳＩなどの金属配線を切断したり、あるいは多層薄膜回路基板の上層のみを除去する場合、これら切断や除去などの加工を正しく行うために、加工状態をモニタしてレーザパワーなどを制御する必要がある。」（１ページ右欄３～７行） （１１）甲２１の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日前に頒布された刊行物である甲２１には、以下の事項が記載されている。 「【００５２】以上のように本実施形態によれば改質領域を多光子吸収により形成している。そして、本実施形態は、直線偏光をしたレーザ光の直線偏光の向きが加工対象物の切断予定ラインと沿うようにして、加工対象物にレーザ光を照射することにより、加工対象物に改質領域を形成している。これにより、レーザ光がパルスレーザ光の場合、１パルスのショット（つまり１パルスのレーザ照射）で形成された改質スポットにおいて、切断予定ラインに沿った方向の寸法を相対的に大きくすることができる。これを本発明者は実験により確認した。実験条件は次ぎの通りである。 【００５３】・・・ 加工対象物であるサンプル１、２の各々において、加工対象物の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を１パルスショットし、加工対象物の内部に多光子吸収によるクラック領域を形成した。サンプル１に直線偏光のパルスレーザ光を照射し、サンプル２に円偏光のパルスレーザ光を照射した。 【００５４】図１４はサンプル１の平面の写真を表した図であり、図１５はサンプル２の平面の写真を表した図である。これらの平面はパルスレーザ光の入射面２０９である。記号ＬＰは直線偏光を模式的に示しており、記号ＣＰは円偏光を模式的に示している。そして、図１６は図１４に示すサンプル１のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿った断面を模式的に表した図である。図１７は図１５に示すサンプル２のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿った断面を模式的に表した図である。加工対象物であるガラスウェハ２１１の内部にクラックスポット９０が形成されている。」 図１４ 「 ［図：0001411615000016.jpg］ 」 図１５ 「 ［図：0001411615000017.jpg］ 」 （１２）甲２２の記載事項 本件特許に係る出願の原出願日前に頒布された刊行物である甲２２には、以下の事項が記載されている。 「【００２９】以上のように本実施形態によれば改質領域を多光子吸収により形成している。そして、本実施形態は、直線偏光をしたレーザ光の直線偏光の向きが加工対象物の切断予定ラインと沿うようにして、加工対象物にレーザ光を照射することにより、加工対象物に改質領域を形成している。これにより、レーザ光がパルスレーザ光の場合、１パルスのショット（つまり１パルスのレーザ照射）で形成された改質スポットにおいて、切断予定ラインに沿った方向の寸法を相対的に大きくすることができる。これを本発明者は実験により確認した。実験条件は次ぎの通りである。 【００３０】・・・ 加工対象物であるサンプル１、２の各々において、加工対象物の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を１パルスショットし、加工対象物の内部に多光子吸収によるクラック領域を形成した。サンプル１に直線偏光のパルスレーザ光を照射し、サンプル２に円偏光のパルスレーザ光を照射した。 【００３１】図１４はサンプル１の平面の写真を表した図であり、図１５はサンプル２の平面の写真を表した図である。これらの平面はパルスレーザ光の入射面２０９である。記号ＬＰは直線偏光を模式的に示しており、記号ＣＰは円偏光を模式的に示している。そして、図１６は図１４に示すサンプル１のＸＶＩ－ＸＶＩ線に沿った断面を模式的に表した図である。図１７は図１５に示すサンプル２のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿った断面を模式的に表した図である。加工対象物であるガラスウェハ２１１の内部にクラックスポット９０が形成されている。」 図１４ 「 ［図：0001411615000018.jpg］ 」 図１５ 「 ［図：0001411615000019.jpg］ 」 ２ 甲号証に記載された発明及び技術的事項 （１）甲１に記載された技術的事項及び甲１発明 ア 甲１に記載された技術的事項 甲１の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 （ア）甲１には、半導体材料基板等の加工対象物の切断に使用されるレーザ加工方法（【０００２】）が記載されており、当該加工方法は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成することを特徴とし（【０００７】）、当該加工はレーザ加工装置１００により行われる（【００４４】）。 （イ）レーザ加工方法が特徴とする改質領域には、クラック領域の場合（【００３３】）、溶融処理領域の場合（【００３７】）及び屈折率変化領域の場合（【００４３】）があり、改質領域を起点として加工対象物が割れることにより、加工対象物を切断できる（【０００８】）。 （ウ）レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７を移動させるためのＸ軸ステージ１０９、Ｙ軸ステージ１１１、Ｚ軸ステージ１１３と、これら三つのステージの移動を制御するステージ制御部１１５と、を備えている（【００４４】）。 （エ）レーザ加工装置１００はさらに、加工対象物１を可視光線により照明する観察用光源１１７（【００４８】）と、撮像素子１２１（【００４９】）を備え、撮像素子１２１から出力された撮像データを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点を表面３上に合わせるための焦点データを演算する（【００５０】）。 （オ）レーザ光Ｌは、加工対象物１に照射されるが、レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、加工対象物１の内部に溶融処理領域が形成され、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（【００５７】）。 （カ）レーザ加工装置１００の加工対象物１は、具体的にはシリコンウェハである（【００５２】）。 （キ）撮像素子１２１として赤外線用のものを用いることにより、レーザ光Ｌの反射光を利用してフォーカス調整を行うことができる（【００９１】）。 イ 甲１発明 上記アの技術的事項を本件発明１の分説に合わせて整理すると、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているということができる。（甲１発明の分説の符号は、本件発明１の分説の符号に対応して「１ａ」などと記載する。） 「１ａ： 加工対象物１（上記ア（カ））の内部に、切断の起点となる改質領域（上記ア（イ））を形成するレーザ加工装置（上記ア（ア））であって、 １ｂ： 前記加工対象物１が載置される載置台１０７（上記ア（ウ））と、 １ｃ： レーザ光Ｌを出射するレーザ光源１０１（上記ア（ウ））と、 １ｄ： 前記載置台１０７に載置された前記加工対象物１の内部に、前記レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌを集光し、そのレーザ光Ｌの集光点の位置で前記改質領域を形成させる（上記ア（オ））集光用レンズ１０５（上記ア（ウ））と、 １ｅ： 前記改質領域を前記加工対象物１の内部に形成するために、レーザ光Ｌの集光点を前記加工対象物１の内部に位置させた状態で、前記加工対象物１の切断予定ライン５に沿ってレーザ光Ｌの集光点を移動させる（上記ア（オ））ステージ制御部１１５（上記ア（ウ））と、 １ｇ： 前記加工対象物１の表面を撮像する（上記ア（エ））赤外線用の撮像素子１２１（上記ア（キ））と、を備える、 １ｉ： レーザ加工装置１００。」 ウ 甲１発明の認定に対する請求人の主張について （ア）請求人の主張の概要 甲１の【００６２】、【００６６】、図１６、１９及び２０を参照すると、本件発明１の構成Ｈは開示されているといえる。（請求人要領書３～５ページ） （イ）請求人の主張の検討 ａ 本件発明１の構成Ｈの技術的意義は、半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に切断予定ラインの始点及び終点を位置させてレーザ光を照射することで、基板の内側部分の内部に切断起点領域が形成され、外縁部には切断起点領域が形成されないことから、半導体基板全体としての機械的強度が向上し、基板の搬送工程等において、基板が不測の下に切断される事態を防止でき、また、切断起点領域は半導体基板の内部に収まり、外部には露出しないため、切断起点領域を構成する改質領域を形成する際にガスが発生するようなことも防止される、というものと認められる（上記第３の３（４））。 ｂ これに対して、甲１には、外縁部に切断起点領域を形成しないことで、半導体基板全体として機械的強度を向上させることや、切断起点領域を半導体基板の内部に収めることで、改質領域を形成する際のガスの発生を防止することについて、何ら記載されておらず、切断予定ライン５が加工対象物１（半導体基板）のどの部分に位置するのかを特定する記載もない。 ｃ そして、甲１の図１９及び２０を参照しても、切断予定ライン５が加工対象物１のどの部分に位置するのかは明らかでない。 また、図１６を参照すると、加工対象物１（半導体基板）に切断予定ライン５を設けることが示されているが、図１６には、「外縁部」（半導体基板を取り囲む端の一定の幅をもった部分）に当たる部分は特定されておらず、そのため、「内側部分」（半導体基板の外縁部以外の部分）がどこであるかは不明であって、切断予定ライン５が加工対象物１の「外縁部」にかからないように「内側部分」に設定されていることを見て取ることはできない。 ｄ したがって、請求人の上記（ア）の主張は採用できない。 （２）甲２に記載された技術的事項及び甲２発明 ア 甲２に記載された技術的事項 甲２の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 （ア）甲２には、基板上に窒化物半導体が積層された半導体ウエハーから窒化物半導体素子を分割する製造方法（【０００１】）が記載されており、当該加工方法は、窒化物半導体ウエハーを分割する際に、切断面のクラック、チッピングの発生をより少なくし、歩留りよく所望の形、サイズに分離された窒化物半導体素子を量産性良く形成することができる製造方法を提供することを目的とする（【００１２】）。 （イ）上記（ア）の目的は、半導体ウエハーの特定箇所にレーザーを照射することにより達成される（【００１９】）ところ、分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は、溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生じ、その内部応力とブレイク・ラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられ（【００２０】）、ダイサーにより形成された溝部に生じる内部応力のみに依存するのではなく、レーザースクライバーにより発生する局所的な応力と相まって、分離端面を平滑にし、量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができる（【００２２】）。 （ウ）実施例１は、ダイサーにより窒化物半導体ウエハーに溝部１０３を形成し（【００４３】）、ＹＡＧレーザー照射装置のレーザーの焦点を溝部１０３底面に集光するようにレーザーの光学系を調節させ、レーザー光線を照射させながらステージを移動させることにより溝部１０３の底面に沿った凹部となるように、ブレイク・ライン１０４を形成する（【００４４】）。 （エ）実施例２は、実施例１のレーザー照射装置における焦点深さをレーザーの光学系を調整させて深くさせた以外は、実施例１と同様にしてブレイク・ラインを形成させること（【００４８】）で、ブレイク・ライン２０４は基板２０１の表面となる溝部２０３に凹部は形成されていないが、基板２０１内部に加工変質部として形成されている（図２（Ｃ））。 （オ）実施例２は実施例１のレーザー照射装置の焦点深さを深くした以外は実施例１と同様であるから、実施例２の基板２０１の上方の表面には、実施例１の溝部１０３と同様の溝部２０３が形成され、基板２０１の他方の表面には、島状窒化物半導体１０２（【００４２】）と同様の島状窒化物半導体２０２が形成されており、ブレイク・ライン２０４を形成する際には、実施例１のブレイク・ライン１０４と同様に、ＹＡＧレーザー照射装置による照射や、レーザー光学系による集光、ステージの移動が行われている。 （カ）甲２には、レーザー照射装置の制御やステージの移動を制御するための制御装置は明記されていないが、そのような制御装置が存在することは、当業者にとって自明な事項といえる。 イ 甲２発明 上記アの技術的事項のうち、実施例２に係る事項を本件発明１の分説に合わせて整理すると、甲２には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されているということができる。（甲２発明の分説の符号は、本件発明１の分説の符号に対応して「２ａ」などと記載する。） 「２ａ：基板２０１の上方の表面に溝部２０３が形成され、他方の表面に島状窒化物半導体２０２が形成された半導体ウエハー２００の基板２０１（上記ア（オ））の溝部２０３の内部に、加工変質部を形成する（上記ア（エ））レーザー加工機であって、 ２ｂ：前記基板２０１が載置されるステージ（上記ア（オ））と、 ２ｃ：レーザー光線を照射するＹＡＧレーザー照射装置（上記ア（オ））と、 ２ｄ：前記ステージに載置された前記基板２０１上の溝部２０３の内部側に、ＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線を集光し、そのレーザー光線の焦点の位置で前記加工変質部を形成させるレーザーの光学系（上記ア（オ））と、 ２ｅ：前記加工変質部を前記基板２０１上の溝部２０３の内部側に形成するために、ＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線の焦点を前記基板２０１上の溝部２０３の内部側に位置させた状態で、前記基板２０１のブレイク・ライン２０４に沿ってＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線の焦点を移動させる制御部（上記ア（カ））と、を備える、 ２ｉ：レーザー加工機。」 ウ 甲２発明の認定に対する請求人の主張について （ア）請求人の主張の概要 ａ 甲２には、ダイサーにより基板に予め溝部を形成しておくと、切断面の形状に関係する内部応力を生じさせることになり、ダイヤモンドスクライバーでは正確にウェハーを分離できなくなることから、ダイサーにより生じた内部応力に依存することなく、レーザースクライバーによる基板の分割に寄与する局所的な応力を発生することによって、切断端面が綺麗であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造できることが記載されている。 ｂ 甲２の【００２２】の前段と後段との間が、「また」という接続詞で接続されているが、前段において、「端面が綺麗（平滑）であり量産性の良い窒化物半導体素子を製造することができる」と記載されており、溝を設けない構成であっても課題を解決し効果を奏することのできる１つの発明として記載されていることを理解でき、「また」以下で記載されているのは、半導体ウェハーの厚みを薄くするために「溝」を形成することであって、内部応力を生じさせるために溝を形成することではない（十分に薄い半導体ウェハーであれば、溝を形成する必要はない）。 ｃ 以上のとおり、甲２に記載の発明において、基板に溝部２０３を設けることを必須の構成と捉えるのは誤りである。（請求人要領書３８～４０ページ） （イ）請求人の主張の検討 ａ 甲２の【００２０】は、「本発明の方法による分離端面がブレイクラインに沿って平坦に形成される理由は定かではないが溝部形成に伴って溝部近傍に内部応力が生ずること及びその内部応力とブレイクラインが切断端面形状に大きく関係していると考えられる。」と記載しており、分離端面が平坦に形成される理由について、溝部形成に伴う内部応力と、レーザー照射により形成されるブレイク・ラインの双方が関与していることを示している。 ｂ そして、甲２の【００２０】ないし【００２２】の記載は一連のものとなっており、【００２０】のとおり、溝部の形成により生じた内部応力も割断に作用することを前提とした上で、ダイサーやダイヤモンドスクライバー等により溝部を形成し、溝部の底面に沿ってダイヤモンドスクライバーによるスクライブ・ラインを形成する場合に、溝部形成により生じ、半導体ウエハー内に保持された応力により所望どおりの端面が形成されないという問題点（【００２１】）について、【００２２】前段で、ダイサーによる溝部形成のために生じた内部応力のみに依存するのではなく、レーザースクライバーにより発生した局所的な応力と相まって、端面がきれいで量産性のよい窒化物半導体を製造することが記載されていると理解できる。 ｃ そうすると、甲２の【００２２】前段は、溝部を形成し、溝部にスクライブ・ラインを形成する発明を前提としてその改善を図るものであることは明らかであり、甲２発明において溝部を形成しないことが想定されているとはいえない。 ｄ したがって、請求人の上記（ア）の主張は採用できない。 （３）甲４に記載された技術事項 甲４の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 半導体ウエハの結晶欠陥を観察するために、試料表面像を微分干渉顕微鏡により観測し、試料内部像を光学顕微鏡で観測し、これらの像を同一視野内でオーバーラップさせて観察できる試料観察装置であって、光学顕微鏡の第２のハロゲンランプ１３からの赤外光が試料６（半導体ウエハ）の裏面から試料６に照射されて試料６を透過し、対物レンズ８、接眼レンズ１０等を経て、試料６の内部像としてモニタテレビジョン１２の画面上に写し出され、他に、微分干渉顕微鏡により観測された試料６の表面像とオーバーラップして、試料６の結晶欠陥を観察できる試料観察装置。 （４）甲５に記載された技術事項 甲５の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 半導体ウエハ等の微少なクラックなどの欠陥を検査する赤外検査装置（【０００５】）であって、検査装置の赤外光源１０から出射した赤外線１２は、被検体１を裏面から照射して、透過した赤外線１３となり、赤外線レンズ１４によって被検体の像となって、赤外線カメラ１５でビデオ信号に変換されて、モニタ１６で映像にして表示されるが、クラックの部分とそれ以外の部分とは赤外線の透過状態が異なるために、モニタ画像を目視で検査することで微少なクラックも容易に発見することができる（【００２０】）赤外検査装置。 （５）甲６に記載された技術事項 甲６の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 赤外線を利用した撮像により、半導体ウェーハ等の内部に形成された回路面の領域を検出する方法（【０００１】）であって、発光体２６が赤外線成分を含む光を半導体ウェーハ１０に照射し、光学手段２４の対物レンズ２９が半導体ウェーハ１０において反射した光の焦点位置を、予め設定した半導体ウェーハ１０の回路面のＺ軸上の位置に合わせて、撮像手段２５によって撮像することで、半導体ウェーハ等の内部に形成された回路面の領域を検出する（【００２４】）方法。 この方法は、半導体ウェーハを切削（ダイシング）する際に行う切削領域の検出や、切削領域であるストリート１３と切削ブレード２３との位置合わせ（アライメント）、切削途中における切削状況の監視等に利用できる（【００３１】）。 （６）甲７に記載された技術事項 甲７の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 半導体ウェハからチップを切り出すためにウェハをスクライブするウェハスクライブ装置（【０００１】）であって、半導体ウェハ１をスクライブするツール３、半導体ウェハ１を吸着固定するガラスプレート４、ウェハ１を位置決めするＸＹθテーブル５、赤外光を出射する赤外光源６、赤外光による半導体ウェハ１の透過映像を撮像する赤外カメラ７、及び、赤外カメラ７で撮像した透過映像から切り出すべきチップ２の位置を認識する画像認識ユニット８で構成され（【０００９】）、赤外光源６から赤外光を半導体ウェハ１に出射し、その透過光を赤外カメラ７で撮像することでスクライブする線を検出し、ＸＹθテーブル５により半導体ウェハ１を位置決めし、ツール３で半導体ウェハ１の裏面をスクライブする（【００１１】）スクライブ装置。 （７）甲８に記載された技術事項 甲８の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方法（【０００１】）であって、半導体ウエハ１０の半導体素子Ａが形成されている面１０ａが覆われるように仮止シート材１２を貼り付け（【００１０】）、シート材１２外側に赤外線ランプ１５を配設し、ウエハ１０を挟んで赤外線ランプ１５と対向する位置に赤外線カメラ１６を配設し、赤外線ランプ１５から半導体ウエハ１０に向かって赤外光Ｒを照射し、半導体ウエハ１０を透過した赤外光Ｒを赤外線カメラ１６によって捕らえてＣＲＴモニター１７に映し出して、半導体ウエハ１０上の半導体素子Ａの配置構成を確認して、ダイヤモンドカッタ１３によって半導体ウエハ１０の半導体素子が形成されていない面１０ｂにスクライブライン（分割用切込み）１４を形成し（【００１１】）、回転ローラ１８で半導体ウエハ１０を撓ませて、半導体ウエハ１０をスクライブライン１４に沿って各半導体チップ１１毎に分割する（【００１２】）方法。 （８）甲９に記載された技術事項 甲９の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 半導体ＬＳＩチップをウエハ状態で電気検査をする際に使うプロービング用の端子が形成されたプローブウエハを被検査ウエハ上に正確にアライメントし、プロービングを行なうウエハプロービング装置（【０００１】）であって、赤外光照明装置１で被検査ウエハ１０の裏面から赤外光を照射し、対物レンズ４に、被検査ウエハ１０及びプローブウエハ２を透過した赤外光を通過させ、当該対物レンズ４は、被検査ウエハ１０のパターン面の焦点とプローブウエハ２のプロービング端子の焦点が、それぞれ別の波長において同時に合うような色収差を持つように構成されている（【００２２】）ことから、被検査ウエハ１０のパターン面上に焦点があう光の波長のみを透過するダイクロイックフィルタ５（【００２３】）を通して被検査ウエハ１０のパターンの像を撮像し、プローブウエハ２のプロービング端子に焦点が合う光の波長のみを透過するダイクロイックフィルタ６（【００２３】）を通してプローブウエハ２のプロービング端子の像を撮像することができ、それぞれの像を画像処理装置で処理して、相対位置から位置ズレ量を算出して、位置ズレ量を補正するように検査ステージを駆動してアライメントして（【００２４】）、プロービングを行なうウエハプロービング装置。 （９）甲１０に記載された技術事項 甲１０の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 基板上へ半導体素子を搭載する半導体素子搭載装置（【０００１】）であって、半導体素子搭載装置１００は、ＸＹθステージ１１と、吸着アーム１３を有するハンド１２と、赤外線カメラ１４と、赤外線用光源１５と、光ビーム照射用集光レンズ１６と、シャッター１７と、モニタ２１と、制御系２２と、操作パネル２３と、プリアライメントステージ２４とを有して構成され（【００１６】）、光デバイス３０を吸着ハンド１２の吸着アーム１３で吸着して、基板４０の上方に若干の隙間を空けて保持し（【００２５】）、光源１５からの赤外線を基板４０及び光デバイス３０に照射して、透過画像を赤外線カメラ１４で撮影してモニタ２１に映し出し（【００２６】）、透過画像中の基板４０及び光デバイス３０の２対のパターンから、基板４０及び光デバイス３０の位置ズレ量及び角度ズレ量を算出し、ＸＹθステージ１１を操作パネル２３で制御し、光デバイス３０と基板４０の精密な位置合わせを行い（【００２７】）、位置合わせ後、基板４０と光デバイス３０の間に設けた若干の隙間を無くして、基板４０と光デバイス３０を接触させて（【００２８】）、加熱用光を集光して接合個所を局部加熱してはんだ層を溶融し、基板４０と光デバイス３０を固定する（【００２９】）半導体素子搭載装置。 （１０）甲１１に記載された技術事項 甲１１の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 ＬＳＩなどの金属配線を切断したり、多層薄膜回路基板の上層のみを除去する場合、これら切断や除去などの加工を正しく行うために、加工状態をモニタしてレーザパワーなどを制御する必要があること。 （１１）甲２１に記載された技術事項 甲２１の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 直線偏光をしたレーザ光の向きが、加工対象物の切断予定ラインと沿うようにして、レーザ光を照射することにより、１パルスのレーザ照射で形成された改質スポットの切断予定ラインに沿った方向の寸法を相対的に大きくすることができることを実験的に確認する（【００５２】）ために、直線偏光のパルスレーザ光を照射したサンプル１（図１４）と、円偏光のパルスレーザ光を照射したサンプル２（図１５）の平面の写真を撮像すること。 （１２）甲２２に記載された技術事項 甲２２の記載事項からみて、以下の技術的事項を理解できる。 直線偏光をしたレーザ光の向きが、加工対象物の切断予定ラインと沿うようにして、レーザ光を照射することにより、１パルスのレーザ照射で形成された改質スポットの切断予定ラインに沿った方向の寸法を相対的に大きくすることができることを実験的に確認する（【００２９】）ために、直線偏光のパルスレーザ光を照射したサンプル１（図１４）と、円偏光のパルスレーザ光を照射したサンプル２（図１５）の平面の写真を撮像すること。 ３ 無効理由１（甲１に基づく進歩性欠如について） （１）無効理由１の１（甲１に基づく本件発明１の進歩性欠如について） ア 本件発明１と甲１発明の対比 （ア）本件発明１と甲１発明を対比すると、次の甲１発明の欄に記載した甲１発明の各構成は、本件発明１の欄に記載した本件発明１の構成に、それぞれ相当する。 ＜甲１発明＞ ＜本件発明１＞ （構成１ａ） （構成Ａ） 加工対象物１・・・・・・・・・・・・半導体基板 切断の起点となる改質領域・・・・・・切断の起点となる改質領域 レーザ加工装置・・・・・・・・・・・レーザ加工装置 （構成１ｂ） （構成Ｂ） 載置台１０７・・・・・・・・・・・・載置台 （構成１ｃ） （構成Ｃ） レーザ光Ｌ・・・・・・・・・・・・・レーザ光 レーザ光源１０１・・・・・・・・・・レーザ光源 （構成１ｄ） （構成Ｄ） 集光用レンズ１０５・・・・・・・・・集光用レンズ （構成１ｅ） （構成Ｅ） 切断予定ライン５・・・・・・・・・・切断予定ライン ステージ制御部１１５・・・・・・・・制御部 （構成１ｉ） （構成Ｉ） レーザ加工装置１００・・・・・・・・レーザ加工装置 （イ）また、甲１発明の構成１ｇの「前記加工対象物１の表面を撮像する赤外線用の撮像素子１２１」と、本件発明１の構成Ｇの「前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子」を対比すると、「前記半導体基板の赤外線を撮像可能な撮像素子」という点で一致する。 （ウ）そうすると、本件発明１と甲１発明は、次の点で一致し、次の点で相違する。 ＜一致点＞ 「半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 前記半導体基板が載置される載置台と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、 前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、 前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 前記半導体基板の赤外線を撮像可能な撮像素子と、 を備えた、 レーザ加工装置。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は、「前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子」（構成Ｆ及びＧ）を備えているのに対して、甲１発明は、「前記加工対象物１の表面を撮像する赤外線用の撮像素子１２１」（構成１ｇ）を備えているものの本件発明１の構成Ｆ及びＧを備えていない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１は、「前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する」（構成Ｈ）のに対して、甲１発明は、切断予定ライン５の始点や終点がどの位置なのか不明な点。 イ 相違点１の判断 （ア）相違点１に係る本件発明１の構成Ｆ及びＧの技術的意義は、半導体基板を赤外透過照明による赤外線で照明するとともに、改質領域を撮像素子で撮像することで、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することができ、溶融処理領域の位置や大きさ等を調節することが可能となり、その調節により、基板の表面及び裏面に割れが到達しないように制御したり、切断直前に基板の表面及び裏面に割れが到達するように制御を行うことができる、というものと認められる（上記第３の３（３））。 （イ）他方、甲１には、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する必要性について、明示的には全く記載されておらず、甲１発明の撮像素子１２１は、レーザ光Ｌの反射光を利用してフォーカス調整を行うためのものにすぎない（上記２（１）ア（キ））から、甲１に接した当業者が、相違点１に係る構成Ｆ及びＧを採用する動機があるとはいえない。 （ウ）また、甲４～１０に記載された技術的事項は、上記２（３）～（９）に示すとおりであるところ、改質領域を撮像することや、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することについて、明示的には全く記載されておらず、ましてや、当該確認に基づき基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを調節することにより、基板の表面及び裏面に割れが到達しないように制御したり、切断直前に基板の表面及び裏面に割れが到達するように制御を行うことについては記載も示唆もないから、甲４～１０に接した当業者が、甲４～１０に記載された技術的事項について、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認するための手段として認識するとはいえない。 したがって、仮に、甲１に基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する動機があったとしても、当業者が、そのための手段として、甲４～１０に記載された技術的事項を採用することを想到するとはいえない。 （エ）次に、甲２１～２２に記載された技術的事項は、上記２（１１）～（１２）に示すとおりであって、改質領域を写真で撮影することが示されている。しかし、当該写真は、直線偏光をしたレーザ光の向きを、加工対象物の切断予定ラインと沿うようにして照射することにより、切断予定ラインに沿った方向（平面的な方向）の改質領域の寸法（平面的な方向の長さ）を相対的に大きくできることを確認するために撮影されたものである。すなわち、甲２１～２２の写真は、切断予定ラインに沿った平面的な方向の改質領域の長さを確認するためのものであって、当該写真によって、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することまでは示されていない。 したがって、甲２１～２２に接した当業者が、甲２１～２２に記載された技術的事項について、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する手段として認識するとはいえない。 （オ）また、甲２１～２２の写真は、直線偏光のレーザ光による加工と、その加工により生じる切断予定ラインに沿った方向の改質領域の寸法の関係を「実験的」に明らかにすることを目的として撮影されたものであるから、直線偏光のレーザ光により切断予定ラインに沿った方向の改質領域の寸法を大きくできることが明らかになれば、繰り返して写真を撮影する必要はなく、甲２１～２２に接した当業者は、甲２１～２２に記載された技術的事項について、レーザ加工装置に常設して、定常的に撮影を行う手段として認識するとはいえない。 したがって、仮に、甲１に基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する動機があったとしても、当業者が、そのための手段として、甲２１～２２に記載された技術的事項を採用することを想到するとはいえない。 （カ）そして、請求人が提出したその他の甲号証を参照しても、改質領域を撮像することや、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することについて、記載や示唆はない。 （キ）上記（イ）～（カ）に示すとおり、甲１には、相違点１に係る構成を採用する動機が示されておらず、甲４～１０、甲２１及び２２、並びに、その他の甲号証に接した当業者が、それらに記載された技術的事項を甲１発明に適用することを想到するとはいえないから、相違点１は、甲１発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて当業者が容易に想到できたものとはいえない。 ウ 相違点１に対する請求人の主張について （ア）請求人の主張の概要 ａ ウェハ状の加工対象物を切断する技術の分野において、赤外光（赤外線）を半導体ウェハに照射して、半導体ウェハを透過した赤外光を測定することで、半導体ウェハ内部の状態を観察することは、優先日以前より普通に行われていたこと（甲４～５）であり、レーザ光の照射により加工対象物を切断するものにおいて、加工対象物を透過する赤外線の照射により、切断時の検査・観察を行うことも周知技術（甲６～１０）であり、また、ウェハのレーザ加工時に加工状態を観察する課題は、優先日当時において、当業者にとって自明である（甲１１）。 ｂ 甲１発明は、シリコンウェハの内部にレーザ光を集光させて、「改質領域」を生成させるものであるところ、ウェハのレーザ加工時に加工状態を観察する課題は、優先日当時に自明であるから、甲１発明において、外部から視認し得ない「改質領域」の様子を、赤外線により検査・観察して、所望どおりに改質領域が生成されているかどうか確認する必要がある。 ｃ したがって、当業者であれば、甲１発明において、レーザ加工時の加工状態を観察するために、上記ａの周知技術を考慮して、シリコンウエハを赤外線で照明する赤外透過照明を設け、シリコンウエハを透過した赤外線が赤外線用の撮像素子１２１に入射するよう構成することは当業者にとって容易である。 ｄ そして、内部に改質領域が形成されたシリコンウエハを透過した赤外線は、シリコンウエハ内部の改質領域の情報を含むのであるから、赤外線用の撮像素子１２１はシリコンウエハ内部の改質領域を撮像可能である。 よって、当業者が、甲１発明において相違点１に係る構成に想到することは容易である。（請求書２５～２９ページ） ｅ 甲１の赤外線用の撮像素子１２１は、シリコン基板の内部に撮像素子１２１のフォーカスを合わせることで、シリコンウェハ内部の改質領域を撮像可能である。（請求人要領書２６ページ） ｆ また、甲１には、改質領域を撮像することは必要でないとは記載されておらず、甲１に接した当業者は、改質領域を撮像することを当然に想起する。 すなわち、甲１発明は、シリコンウェハの内部にレーザ光を集光させて、「改質領域」を生成させるものであり、甲１の【００３５】及び図７には、レーザ光で形成される改質領域の大きさと、レーザ光のピークパワー密度との関係が示されていることから、改質領域の大きさを調整する必要があることを開示ないし示唆しており、改質領域の大きさを調整する甲１に接した当業者は、外部から視認できない改質領域の様子を、赤外線等により検査・観察して、所望どおりに改質領域が生成されているかどうか確認する必要があると認識する。（請求人要領書２７～３２及び３４ページ） ｇ 甲１の【００５４】～【００５６】、【００７２】には、レーザ光の集光点の位置に応じてレーザ光を調整することが記載されているから、レーザ光の集光点の位置すなわち改質領域の配置を確認しつつ、レーザ光や光学系を各種調整する必要があることが開示ないし示唆されているといえる。（請求人要領書３３ページ） ｈ 本件特許に係る出願の原出願日前に公開された甲２１～２２には、加工対象物の内部に形成された改質領域を撮影した写真が記載されており、加工対象物の内部に改質領域が形成されること及び改質領域の形状等を確認するために加工対象物の内部を観察することは、本件特許に係る出願の原出願日（及び優先日）前に当業者が当然に行っていたことである。（請求人要領書３５～３６ページ） ｉ 甲１の【００３５】、【０００５】、【００３８】、【００９３】等によれば、シリコンウェハ内部における改質領域の形成状況（大きさや位置）を確認すべき必要性があることが理解できる。 そして、シリコンウェハの内部における改質領域の形成状況を目で視認することはできないものの、甲１の【００９１】には、撮像素子１２１が、赤外線としてのレーザ光Ｌの照明光を撮像する例が記載されていること、及び、甲１の図１３には、赤外光の波長を調整することでシリコン基板における赤外光の内部透過率が上昇することが記載されていることから、上記のとおり、シリコン基板の内部に形成される改質領域の大きさや位置を調整する必要があることを認識した当業者は、上記の甲１の記載から、シリコン基板を透過する赤外光を利用してその内部に形成される改質領域を撮像素子１２１で撮像することを直ちに想起するといえ、甲１は、実質的には、「半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明」を開示していると解される。 そして、甲１の記載から、シリコンウェハ内部における改質領域の形成状況を確認すべき必要性があることが理解でき、赤外光を用いればシリコンウェハ内部を観察できることは周知技術であるから、甲１に接した当業者は、甲１発明に周知技術を適用することに動機付けられる。（令和４年８月２９日の上申書４～７ページ） （イ）請求人の主張の検討 ａ 請求人は、甲１１に基づいて、ウェハのレーザ加工時に加工状態を観察する課題は、優先日当時において当業者にとって自明であると説明し、これを前提に、半導体ウェハ内部の状態を観察することが普通に行われており（甲４～５）、加工対象物を透過する赤外線の照射により、切断時の検査・観察を行うことも周知技術（甲６～１０）であるから、甲１発明において相違点１に係る構成に想到することは容易である旨を説明している（上記（ア）ａ～ｅ） しかし、甲１１に記載された技術的事項は、上記２（１０）のとおりであって、改質領域を観察することについては全く記載されていないから、改質領域を観察する課題が、優先日当時において当業者にとって自明であったとはいえない。 また、甲４～１０に記載された技術的事項は、上記２（３）～（９）のとおりであって、改質領域を観察することについては全く記載されていないから、当業者が甲４～１０に記載された技術的事項について、改質領域を観察するための手段として認識するとはいえない。 したがって、請求人の上記（ア）ａ～ｄの主張は採用できない。 ｂ 請求人は、上記（ア）ｅにおいて、甲１の赤外線用の撮像素子１２１によりシリコンウェハ内部の改質領域を撮像可能である旨を主張しているところ、当該主張は、甲１の撮像素子１２１が、本件発明１の「改質領域を撮像可能な撮像素子」に相当することを意味すると解される。 しかし、甲１の赤外線用の撮像素子１２１は、仮に、シリコン基板の内部にフォーカスを合わせることが可能であれば、改質領域を撮像できたというものにすぎず、実際に、シリコン基板の内部にフォーカスを合わせることが可能であるかどうかは不明というほかない。 したがって、請求人の上記（ア）ｅの主張は採用できない。 ｃ 請求人は、甲１の記載から、甲１に接した当業者は、改質領域を撮像することを当然に想起する旨を説明している（上記（ア）ｆ、ｇ、ｉ）が、甲１には、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することや、その必要性について、何ら記載がないから、請求人の当該主張は採用できない。 ｄ 請求人は、甲２１～２２に基づいて、改質領域の形状等を確認するために加工対象物の内部を観察することは、当業者が当然に行っていたことである旨を説明している（上記（ア）ｈ）が、上記イ（エ）及び（オ）に説示するように、当業者は、甲２１～２２に記載された技術的事項について、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する手段として認識するとはいえないし、また、レーザ加工装置に常設して、定常的に撮影を行う手段として認識するとはいえないから、請求人の上記（ア）ｈの主張は採用できない。 エ 小括 以上のとおり、相違点１は、甲１発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものとはいえないから、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。 したがって、請求人の無効理由１の１により、本件発明１に係る特許を無効とすることはできない。 （２）無効理由１の２（甲１に基づく本件発明２の進歩性欠如について） ア 本件発明２と甲１発明の対比 甲１発明の「加工対象物１」は、具体的にはシリコンウェハであること（上記２（１）ア（カ））から、甲１発明は、本件発明２の構成Ｑに相当する構成を実質的に備えているということができる。 また、甲１発明の「ステージ制御部１１５」が「載置台１０７」の移動を制御することは明らかであるから、甲１発明は、本件発明２の構成Ｒに相当する構成を実質的に備えているということができる。 そして、甲１発明のその他の構成は、本件発明１の対比（上記（１）ア（ア）及び（イ））と同様に対比することができるところ、本件発明２と甲１発明は、次の点で一致する。 ＜一致点＞ 「半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 前記半導体基板が載置される載置台と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、 前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、 前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 前記半導体基板の赤外線を撮像可能な撮像素子と、 を備え、 前記半導体基板はシリコン基板であり、 前記制御部は、前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移動を制御する レーザ加工装置。」 一方、本件発明２は、本件発明１の構成Ｆ及びＧと同様の構成Ｏ及びＰを備えているから、本件発明２と甲１発明は、上記（１）ア（ウ）に示す相違点１と同様の点で相違する。 イ 相違点１の判断 上記（１）イ（ア）～（キ）に説示する理由と同様の理由により、仮に、本件発明２の全部又は一部について優先権の効果が及ばないとしても、相違点１は、甲１発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものとはいえない。 ウ 小括 相違点１は、甲１発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものとはいえないから、本件発明２は、仮に、本件発明２の全部又は一部について優先権の効果が及ばないとしても、甲１発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に発明できたものとはいえない。 したがって、請求人の無効理由１の２により、本件発明２に係る特許を無効とすることはできない。 ４ 無効理由２（甲２に基づく進歩性欠如について） （１）無効理由２の１（甲２に基づく本件発明１の進歩性欠如について） ア 本件発明１と甲２発明の対比 （ア）本件発明１と甲２発明を対比すると、次の甲２発明の欄に記載した甲２発明の各構成は、本件発明１の欄に記載した本件発明１の構成に、それぞれ相当する。 ＜甲２発明＞ ＜本件発明１＞ （構成２ａ） （構成Ａ） 基板２０１の上方の表面に 溝部２０３が形成され、他方の表面に 島状窒化物半導体２０２が形成された 半導体ウエハー２００の基板２０１・・・半導体基板 溝部２０３の内部・・・・・・・・・・・内部 加工変質部・・・・・・・・・・・・・切断の起点となる改質領域 レーザー加工機・・・・・・・・・・・レーザ加工装置 （構成２ｂ） （構成Ｂ） ステージ・・・・・・・・・・・・・・載置台 （構成２ｃ） （構成Ｃ） レーザー光線を照射する・・・・・・・レーザ光を出射する ＹＡＧレーザー照射装置・・・・・・・レーザ光源 （構成２ｄ） （構成Ｄ） レーザーの光学系・・・・・・・・・・集光用レンズ （構成２ｅ） （構成Ｅ） 焦点・・・・・・・・・・・・・・・・集光点 ブレイク・ライン２０４・・・・・・・切断予定ライン 制御部・・・・・・・・・・・・・・・制御部 （構成２ｉ） （構成Ｉ） レーザ加工機・・・・・・・・・・・・レーザ加工装置 （イ）そうすると、本件発明１と甲２発明は、次の点で一致し、次の点で相違する。 ＜一致点＞ 「半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 前記半導体基板が載置される載置台と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、 前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、 前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 を備えた、 レーザ加工装置。」 ＜相違点３＞ 本件発明１は、「前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子」を備えているのに対して、甲２発明は、赤外透過照明や撮像素子を備えていない点。 ＜相違点４＞ 本件発明１は、「前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する、」のに対して、甲２発明は、ブレイク・ライン２０４の始点や終点がどの位置なのか不明な点。 イ 相違点３の判断 （ア）相違点３に係る本件発明１の構成Ｆ及びＧの技術的意義は、上記第３の３（３）に示すとおりであるが、甲２には、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する必要性について、明示的には何ら記載されていないから、甲２に接した当業者が、相違点３に係る構成Ｆ及びＧを採用する動機があるとはいえない。 （イ）また、相違点１について説示したように、甲４～１０に接した当業者が、甲４～１０に記載された技術的事項について、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認するための手段として認識するとはいえないから、仮に、甲２に基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する動機があったとしても、当業者が、そのための手段として、甲４～１０に記載された技術的事項を採用することを想到するとはいえない。 （ウ）さらに、相違点１について説示したように、甲２１～２２に接した当業者が、甲２１～２２に記載された技術的事項について、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認するための手段として認識するとはいえないし、甲２１～２２に記載された技術的事項について、レーザ加工装置に常設して、定常的に撮影を行う手段として認識するとはいえないから、仮に、甲２に基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認する動機があったとしても、当業者が、そのための手段として、甲２１～２２に記載された技術的事項を採用することを想到するとはいえない。 （エ）そして、請求人が提出したその他の甲号証を参照しても、改質領域を撮像することや、基板の厚さ方向における改質領域の位置や大きさを確認することについて、記載や示唆はない。 （オ）上記（ア）～（エ）に示すとおり、甲２には、相違点３に係る構成を採用する動機が示されておらず、甲４～１０、甲２１及び２２、並びに、その他の甲号証に接した当業者が、それらに記載された技術的事項を甲２発明に適用することを想到するとはいえないから、相違点３は、甲２発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて当業者が容易に想到できたものとはいえない。 ウ 相違点３に対する請求人の主張について （ア）請求人の主張の概要 ａ ウェハ状の加工対象物を切断する技術の分野において、赤外光（赤外線）を半導体ウェハに照射して、半導体ウェハを透過した赤外光を測定することで、半導体ウェハ内部の状態を観察することは、優先日以前より普通に行われていたこと（甲４～５）であり、レーザ光の照射により加工対象物を切断するものにおいて、加工対象物を透過する赤外線の照射により、切断時の検査・観察を行うことも周知技術（甲６～１０）であり、また、ウェハのレーザ加工時に加工状態を観察する課題は、優先日当時において、当業者にとって自明である（甲１１）。 ｂ 甲２発明は、窒化物半導体が形成された半導体ウェハーの内部にレーザ光を集光させて、その部分に「加工変質部」を生成させるものであり、外部から視認し得ない当該「加工変質部」の様子を、半導体ウェーハーを透過する赤外線により検査・観察して、所望どおりに加工変質部が生成されているかどうか確認する必要がある。 ｃ したがって、甲２発明において、加工対象物を透過する赤外線の照射により、切断時の検査・観察を行う上記ａの周知技術を採用し、加工対象物の切断時の検査・観察を行う構成を付加すること（すなわち、相違点３に係る構成とすること）は、当業者が容易に想到できたものである。（請求書３５～３９ページ） （イ）請求人の主張の検討 請求人の主張は、無効理由１の１における主張（上記３（１）ウ（ア）ａ～ｃ）と同趣旨のものであるから、上記３（１）ウ（イ）ａに説示する理由と同様の理由により、採用できない。 エ 小括 以上のとおり、相違点３は、甲２発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものとはいえないから、相違点４について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。 したがって、請求人の無効理由２の１により、本件発明１に係る特許を無効とすることはできない。 （２）無効理由２の２（甲２に基づく本件発明２の進歩性欠如について） ア 本件発明２と甲２発明の対比 甲２発明の「制御部」が「レーザー光線の焦点」の移動を制御することは明らかであるから、甲２発明は、本件発明２の構成Ｒに相当する構成を実質的に備えているということができる。 そして、甲２発明のその他の構成は、本件発明１の対比（上記（１）ア（ア）及び（イ））と同様に対比することができるところ、本件発明２と甲２発明は、次の点で一致する。 ＜一致点＞ 「半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 前記半導体基板が載置される載置台と、 レーザ光を出射するレーザ光源と、 前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、 前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、 を備え、 前記制御部は、前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移動を制御する レーザ加工装置。」 一方、本件発明２は、本件発明１の構成Ｆ及びＧと同様の構成Ｏ及びＰを備えているから、本件発明２と甲２発明は、上記（１）ア（イ）に示す相違点３と同様の点で相違し、さらに以下の点でも相違する。 ＜相違点５＞ 本件発明２の半導体基板は、「シリコン基板」であるのに対して、甲２発明の「半導体ウエハー２００の基板２０１」は、シリコン基板ではない点。 イ 相違点３の判断 上記（１）イ（ア）～（オ）に説示する理由と同様の理由により、仮に、本件発明２の全部又は一部について優先権の効果が及ばないとしても、相違点３は、甲２発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものとはいえない。 ウ 小括 相違点３は、甲２発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて、本件特許に係る出願の原出願日当時の当業者が容易に想到できたものとはいえないから、本件発明２は、仮に、本件発明２の全部又は一部について優先権の効果が及ばないとしても、甲２発明、甲４～１０、甲２１及び２２並びにその他の甲号証に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。 したがって、請求人の無効理由２の２により、本件発明２に係る特許を無効とすることはできない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、無効理由１の１～２の２はいずれも理由がないものであり、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件発明１及び２についての特許を無効とすることはできない。 審判に関する費用については、特許法１６９条２項の規定で準用する民事訴訟法６１条の規定により、請求人の負担とする。 よって、結論のとおり審決する。