2021-800050

上記当事者間の特許第４５０９５７８号発明「レーザ加工方法及びレーザ加工装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。 審判費用は、請求人の負担とする。

理 由 第１ 手続の経緯 １ 特許第４５０９５７８号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし１４に係る発明についての出願は、平成１６年１月９日に出願したものであって、平成２２年５月１４日にそれらの発明について特許権の設定登録がなされた。 ２ 令和３年６月２２日に、請求人株式会社東京精密（以下、「請求人」という。）より「特許第４５０９５７８号の特許請求の範囲の請求項８、１１に係る発明についての特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求める。」との特許無効審判請求がなされた。 ３ 令和３年９月１０日に、被請求人浜松ホトニクス株式会社（以下、「被請求人」という。）より答弁書が提出され、同年１１月３０日付けで審理事項通知がされ、同年１２月２４日に請求人より口頭審理陳述要領書（以下、「請求人陳述要領書」という。）が提出され、同日に被請求人より口頭審理陳述要領書（以下、「被請求人陳述要領書」という。）が提出され、同４年２月１日に口頭審理が行われた。同月２２日に請求人より上申書（以下、「請求人上申書１」という。）が提出され、同日に被請求人より上申書（以下、「被請求人上申書」という。）が提出され、同月２４日に請求人より上申書（以下、「請求人上申書２」という。）が提出された。 第２ 本件発明 １ 本件特許の特許請求の範囲に記載された発明のうち、本件無効審判請求の対象となる請求項８、１１に係る発明は、以下のとおりである。 「【請求項８】 （１Ａ） 第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 （１Ｂ） 前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、 （１Ｃ） 前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、 （１Ｄ） 前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、 （１Ｅ） 前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、 （１Ｆ） 前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、 （１Ｇ） 当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、 （１Ｈ） 前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する、 （１Ｉ） レーザ加工装置。」 「【請求項１１】 （２Ａ） 前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成し、 （２Ｂ） 更に、前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向に駆動させずに保持するように前記保持手段を制御すると共に、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御する、 （２Ｃ） 請求項８～１０のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。」 （以下、請求項８、１１に記載された発明をそれぞれ「本件発明１」及び「本件発明２」といい、合わせて「本件発明」ともいう。本件発明について、請求人が請求書６－７ページで示す構成要素に従って、構成（１Ａ）～（２Ｃ）に分説した。） 第３ 請求の趣旨、請求人の主張する無効理由及び証拠方法 本件審判の請求の趣旨は、上記第１の２のとおりであり、請求人が審判請求書において主張する無効理由及び証拠方法は以下のとおりである（令和４年２月１日第１回口頭審理調書）。 １ 無効理由１（進歩性欠如） ア 本件発明１及び２は、甲第１号証に記載された発明（以下、「甲１発明」という。）に、甲第２号証ないし甲第７号証に記載の周知の課題を解決する手段である周知の技術的事項１（請求書１７ページ（甲第３号証ないし甲第５号証））及び周知の技術的事項２（請求書１８ページ（甲第６号証及び甲第７号証））を適用して、容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 イ 周知の技術的事項１：請求書１７ページ（甲第３号証ないし甲第５号証） 「レーザによるウェハ切断技術において、半導体ウェハの反りの影響によりレーザの集光点が相対的にずれていくことも本件特許の出願時における当業者にとって周知の課題であり、この課題の解決手段として、半導体ウェハの反りの状態を測定し、反りの状態に応じて集光用レンズを調整してレーザの集光点の位置を調整する技術」 ウ 周知の技術的事項２：請求書１８ページ（甲第６号証及び甲第７号証） 「加工対象物であるシリコンウェハについて、本件特許の出願日において、ウェハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になることも周知の課題であり、そのような部分において合焦動作を一時的に停止させて焦点を固定することにより、光の合焦動作を改善すること」 ２ 証拠方法 請求人は、証拠方法として、審判請求書に添付して甲第１号証ないし甲第７号証を提出し、請求人陳述要領書に添付して甲第８－１号証ないし甲第１３号証を提出し、請求人上申書１に添付して甲第１４号証ないし甲第１９号証を提出した。 甲第１号証 ： 国際公開第０２／２２３０１号 甲第２号証 ： 特開平６－１２２０８４号公報 甲第３号証 ： 特開昭５３－１４５５６４号公報 甲第４号証 ： 特開平１０－１８９４９６号公報 甲第５号証 ： 特開２０００－３０６８６５号公報 甲第６号証 ： 特公平６－１００７１１号公報 甲第７号証 ： 特開平１０－２８８７３４号公報 甲第８－１号証 ： 志村 史夫著、「半導体シリコン結晶工学」、丸善株式会社、平成５年９月３０日、ｐ．１０４－１１１、１４４－１５１ 甲第８－２号証 ： （社）日本半導体製造装置協会、「半導体製造装置用語辞典」、第５版、日刊工業新聞社、２０００年（平成１２年）１１月２１日、ｐ．１３６－１３７ 甲第９号証 ： 特開昭６４－１８５９４号公報 甲第１０号証： 知財高裁平成２８年（行ケ）第１０１１９号判決 甲第１１号証： 東京高裁平成１４年（行ケ）第１１７号判決 甲第１２号証： 「特技懇２３９号」、２００５年（平成１７年）１１月１４日、ｐ．８５－８７ 甲第１３号証： 特開昭６３－２１２９１１号公報 甲第１４号証： 志村 史夫著、「半導体シリコン結晶工学」、丸善株式会社、平成５年９月３０日、ｐ．１９６－１９９ 甲第１５号証： 井入正博、古川章彦、「シリコンウエーハのそり」、応用物理、１９７７年（昭和５２年）、第４６巻、第１２号、ｐ．１２１１－１２１９ 甲第１６号証： 東京地裁平成３０年（ワ）第２８９３０号 原告第３５準備書面 甲第１７号証： 知財高裁平成２７年（行ケ）第１０１４９号判決 甲第１８号証： 知財高裁平成２６年（行ケ）第１００７９号判決 甲第１９号証： 知財高裁平成２７年（行ケ）第１００９４号判決 第４ 答弁の趣旨、被請求人の主張の概要及び証拠方法 被請求人の答弁の趣旨は、「本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求める。」というものであり、その主張の概要及び証拠方法は以下のとおりである。 １ 無効理由１（進歩性欠如）について 甲１発明のようなステルスダイシング技術を前提としたレーザ加工装置においては、「加工対象物の厚さ方向の集光点の位置を加工対象物の表面の変位に応じて制御しなければならない」という課題自体、あるいは、「加工対象物の厚さ方向の集光点の位置をそのように制御することが、切断品質の向上に有用である」という有用性自体が、全く知られていなかったものであるから、ステルスダイシング技術を前提としたレーザ加工装置の発明である甲１発明には、ＡＦ追従制御に係る構成（「前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する、」という構成）を採用することに対する動機付けは皆無である。 したがって、甲１発明においては上記ＡＦ追従制御の構成を採用すること自体が容易想到ではなく、相違点１に係る本件発明１の構成は当業者が容易に想到し得た構成ではない。 また、初期位置保持構成（「初期位置に前記レンズを保持した状態で前記第１のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除し」という構成）は、初期位置保持状態の解除後に上記ＡＦ追従制御がなされることを前提とした構成であるから、甲１発明において上記ＡＦ制御の構成を採用すること自体が容易想到でない以上、それだけで、初期位置保持構成を採用することも、当業者が容易に想到し得たことではない。 加えて、甲１発明のようなステルスダイシング技術を前提としたレーザ加工装置において、上記ＡＦ追従制御を採用しようとした場合に、加工対象物の端部において、集光レンズの動きのタイムラグにより、集光点の深さ方向の位置が、レーザ光で加工しようとしている深さ方向の位置とずれてしまうという課題が発生することも、そのような課題の解決手段も、本件特許の出願前には全く知られていなかったものである。 したがって、甲１発明において上記初期位置保持構成を採用することも、当業者が容易に想到し得たことではない。 ２ 証拠方法 被請求人は、証拠方法として、被請求人陳述要領書に添付して乙第１号証及び乙第２号証を提出した。 乙第１号証 ： 東京地裁平成３０年（ワ）第２８９３１号の甲第２４号証として提出された被請求人社員の陳述書 乙第２号証 ： 東京地裁平成３０年（ワ）第２８９３１号の甲第５７号証として提出された被請求人社員の陳述書 乙第３号証 ： 知財高裁平成２７年（行ケ）第１０１４９号判決 乙第４号証 ： 知財高裁平成２６年（行ケ）第１００７９号判決 乙第５号証 ： 知財高裁平成２７年（行ケ）第１００９４号判決 第５ 甲第１号証ないし甲第７号証の記載 甲第１号証ないし甲第７号証は、請求人が上記第３の無効理由１で、本件発明１、２の進歩性欠如の根拠として提示した文献であるところ、それぞれ以下の事項が記載されている。 １ 甲第１号証に記載された事項 甲第１号証には、以下のとおり記載されている。（なお、下線部は、当審で付した。以下、同様。） （１）記載事項 ア 「レーザ応用の一つに切断があり、レーザによる一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウェハやガラス基板のような加工対象物の切断する箇所に、加工対象物が吸収する波長のレーザ光を照射し、レーザ光の吸収により切断する箇所において加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断する。しかし、この方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融される。よって、加工対象物が半導体ウェハの場合、半導体ウェハの表面に形成された半導体素子のうち、上記領域付近に位置する半導体素子が溶融する恐れがある。 ・・・加工対象物に生じる熱衝撃が大きいと、加工対象物の表面に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生することがある。」（１ページ９－最終行） イ 「本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することである。」（２ページ６－８行） ウ 「（１）本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴とする。」（２ページ９－１１行） エ 「改質領域は、加工対象物の内部に合わされたレーザ光の集光点に対して、加工対象物を相対的に移動させることにより形成される。これによれば、上記相対的移動により、加工対象物の表面上の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成している。」（５ページ１６－１９行） オ 「（６）本発明に係るレーザ加工方法は、レーザ光の集光点を加工対象物のレーザ光の入射面を越して加工対象物の内部に合わせかつ加工対象物の厚み方向において厚みの半分の位置より入射面に近い位置又は遠い位置に調節して、加工対象物にレーザ光を照射することにより、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴とする。 本発明に係るレーザ加工方法によれば、レーザ光の集光点を加工対象物の厚み方向において厚みの半分の位置より入射面に近い位置に調節すると改質領域は加工対象物の内部中の入射面（例えば表面）側に形成され、一方、入射面に遠い位置に調節すると改質領域は加工対象物の内部中の入射面と対向する面（例えば裏面）側に形成される。切断予定ラインに沿った割れを加工対象物の表面又は裏面に生じさせると加工対象物を容易に切断できる。本発明に係るレーザ加工方法によれば、改質領域を加工対象物の内部中の表面側又は裏面側に形成できる。よって、切断予定ラインに沿った割れを表面又は裏面に形成されやすくすることができるので、容易に加工対象物を切断することができる。その結果、本発明に係るレーザ加工方法によれば効率のよい切断が可能となる。 本発明に係るレーザ加工方法おいて、入射面には電子デバイス及び電極パターンのうち少なくとも一方が形成されており、加工対象物に照射されるレーザ光の集光点は厚み方向において厚みの半分の位置より入射面に近い位置に調節される、ようにすることができる。本発明に係るレーザ加工方法によれば、改質領域からクラックを加工対象物の入射面（例えば表面）及び対向する面（例えば裏面）方向に成長させることにより、加工対象物が切断される。改質領域を入射面側に形成すると、改質領域と入射面の距離が比較的短いので、クラックの成長方向のずれを小さくできる。よって、加工対象物の入射面に電子デバイスや電極パターンが形成されている場合、電子デバイス等の損傷させることなく切断が可能となる。なお、電子デバイスとは半導体素子、液晶等の表示装置、圧電素子等を意味する。」（３１ページ１４行－３２ページ１４行） カ 「加工対象物に照射されるレーザ光の集光点の厚み方向における位置の調節は、加工対象物に照射されるレーザ光の集光点の厚み方向における所望の位置を入射面から内部までの距離とし、この距離を加工対象物に照射されるレーザ光に対する加工対象物の屈折率で除することにより、厚み方向における加工対象物の相対的移動量のデータを演算する演算工程と、加工対象物に照射されるレーザ光の集光点を入射面に位置させるのに必要な厚み方向における加工対象物の他の相対的移動量のデータを演算する他の演算工程と、他の相対的移動量のデータに基づいて加工対象物を厚み方向に相対的に移動させる移動工程と、移動工程後、相対的移動量のデータに基づいて加工対象物を厚み方向に相対的に移動させる他の移動工程と、を含むようにすることができる。これによれば、加工対象物の厚み方向におけるレーザ光の集光点の位置を、入射面を基準として加工対象物の内部の所定位置に調節している。すなわち、入射面を基準とする場合、加工対象物の厚み方向における加工対象物の相対的移動量と加工対象物に照射されるレーザ光に対する加工対象物の屈折率との積が入射面からレーザ光の集光点までの距離となる。よって、入射面から加工対象物の内部までの距離を、上記屈折率で除することにより得られた相対的移動量だけ加工対象物を移動させれば、レーザ光の集光点を加工対象物の厚み方向における所望の位置に合わせることができる。」（３４ページ５－２１行） キ 「これらの本発明に係るレーザ加工装置によれば、上記本発明に係るレーザ加工方法と同様の理由により、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることのないレーザ加工や、加工対象物の内部において加工対象物の厚み方向におけるパルスレーザ光の集光点の位置を制御したレーザ加工が可能となる。」（３５ページ１９－２４行） ク 「（Ａ）加工対象物：シリコンウェハ（厚さ３５０μｍ、外径４インチ）」（４８ページ６行） ケ 「なお、上記条件により形成された溶融処理領域の厚さ方向の大きさは１００μｍ程度である。」（４８ページ２４－２５行） コ 「本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法について説明する。図１４はこの方法に使用できるレーザ加工装置１００の概略構成図である。レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０゜変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら三つのステージ１０９、１１１、１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。」（５０ページ１７行－５１ページ３行） サ 「Ｚ軸方向は加工対象物１の表面３と直交する方向なので、加工対象物１に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となる。よって、Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に移動させることにより、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせることができる。また、この集光点ＰのＸ（Ｙ）軸方向の移動は、加工対象物１をＸ（Ｙ）軸ステージ１０９（１１１）によりＸ（Ｙ）軸方向に移動させることにより行う。Ｘ（Ｙ）軸ステージ１０９（１１１）が移動手段の一例となる。」（５１ページ４－９行） シ 「第１例では加工対象物１の加工にパルスレーザ光を用いているが、多光子吸収を起こさせることができるなら連続波レーザ光でもよい。なお、本発明においてレーザ光はレーザビームを含む意味である。集光用レンズ１０５は集光手段の一例である。Ｚ軸ステージ１１３はレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段の一例である。集光用レンズ１０５をＺ軸方向に移動させることによっても、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができる。」（５１ページ１６－２１行） ス 「レーザ加工装置１００はさらに、載置台１０７に載置された加工対象物１を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９と、を備える。ビームスプリッタ１１９と集光用レンズ１０５との間にダイクロイックミラー１０３が配置されている。・・・可視光線がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５を透過し、加工対象物１の切断予定ライン５等を含む表面３を照明する。 レーザ加工装置１００はさらに、ビームスプリッタ１１９、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１としては例えばＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ）カメラがある。切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反射光は、集光用レンズ１０５、ダイクロイックミラー１０３、ビームスプリッタ１１９を透過し、結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像データとなる。 レーザ加工装置１００はさらに、撮像素子１２１から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部１２５と、レーザ加工装置１００全体を制御する全体制御部１２７と、モニタ１２９と、を備える。撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点が表面３上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部１１５がＺ軸ステージ１１３を移動制御することにより、可視光の焦点が表面３に合うようにする。よって、撮像データ処理部１２５はオートフォーカスユニットとして機能する。・・・ 全体制御部１２７には、ステージ制御部１１５からのデータ、撮像データ処理部１２５からの画像データ等が入力し、これらのデータも基にしてレーザ光源制御部１０２、観察用光源１１７及びステージ制御部１１５を制御することにより、レーザ加工装置１００全体を制御する。よって、全体制御部１２７はコンピュータユニットとして機能する。 次に、図１４及び図１５を用いて、本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法を説明する。図１５は、このレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。加工対象物１はシリコンウェハである。 まず、加工対象物１の光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。この測定結果に基づいて、加工対象物１に対して透明な波長又は吸収の少ない波長のレーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１を選定する（Ｓ１０１）。次に、加工対象物１の厚さを測定する。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にして、加工対象物１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）。これは、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部に位置させるために、加工対象物１の表面３に位置するレーザ光Ｌの集光点を基準とした加工対象物１のＺ軸方向の移動量である。この移動量を全体制御部１２７に入力される。 加工対象物１をレーザ加工装置１００の載置台１０７に載置する。そして、観察用光源１１７から可視光を発生させて加工対象物１を照明する（Ｓ１０５）。照明された切断予定ライン５を含む加工対象物１の表面３を撮像素子１２１により撮像する。この撮像データは撮像データ処理部１２５に送られる。この撮像データに基づいて撮像データ処理部１２５は観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置するような焦点データを演算する（Ｓ１０７）。 この焦点データはステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５は、この焦点データを基にしてＺ軸ステージ１１３をＺ軸方向の移動させる（Ｓ１０９）。これにより、観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置する。・・・ 全体制御部１２７には予めステップＳ１０３で決定された移動量データが入力されており、この移動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）。 次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。そして、加工対象物１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、加工対象物１をシリコンチップに分割する。」（５１ページ２２行－５４ページ１３行） セ 「第１例によれば、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」（５５ページ１１－１３行） ソ 「次に、図２１に基づいて、第２例に係る光透過性材料の切断方法について説明する。・・・ 次に、切断対象材料の厚さを測定する（Ｓ２０５）。切断対象材料の厚さが測定されると、その測定結果に基づいて、レーザ光Ｌの集光点が切断対象材料の内部に位置するように、レーザ光Ｌの光軸方向における切断対象材料の表面（レーザ光Ｌの入射面）からのレーザ光Ｌの集光点の変位量（移動量）を決定する（Ｓ２０７）。レーザ光Ｌの集光点の変位量（移動量）は、切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応して、たとえば切断対象材料の厚さの１／２の量に設定される。 図２２に示されるように、実際のレーザ光Ｌの集光点Ｐの位置は、切断対象材料雰囲気（たとえば、空気）中の屈折率と切断対象材料の屈折率との違いにより、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌの集光点Ｑの位置よりも切断対象材料（圧電素子ウェハ３１）の表面から深いところに位置するようになる。すなわち、空気中の場合、「レーザ光Ｌの光軸方向でのＺ軸ステージ１１３の移動量×切断対象材料の屈折率＝実際のレーザ光Ｌの集光点移動量」という関係が成り立つことになる。レーザ光Ｌの集光点の変位量（移動量）は、上述した関係（切断対象材料の厚さ及び屈折率）を考慮して設定される。その後、Ｘ－Ｙ－Ｚ軸ステージ（本実施形態においては、Ｘ軸ステージ１０９、Ｙ軸ステージ１１１及びＺ軸ステージ１１３により構成される）上に配置された載置台１０７に対してウェハシート３３に保持された切断対象材料を載置する（Ｓ２０９）。切断対象材料の載置を終えると、観察用光源１１７から光を出射して、出射した光を切断対象材料に照射する。そして、撮像素子１２１での撮像結果に基づいて、レ一ザ光Ｌの集光点が切断対象材料の表面上に位置するようにＺ軸ステージ１１３を移動させてフォーカス調整を行う（Ｓ２１ｌ）。ここでは、観察用光源１１７によって得られる圧電素子ウェハ３１の表面観察像を撮像素子１２１により撮像し、撮像データ処理部１２５が、撮像結果に基づいて、観察用光源１１７から出射された光が切断対象材料の表面上で焦点を結ぶようにＺ軸ステージ１１３の移動位置を決定し、ステージ制御部１１５に出力する。ステージ制御部１１５は、撮像データ処理部１２５からの出力信号に基づいて、Ｚ軸ステージ１１３の移動位置が、観察用光源１１７から出射された光が切断対象材料の表面上に焦点を結ぶ、すなわちレーザ光Ｌの集光点を切断対象材料の表面上に位置させるための位置となるようにＺ軸ステージ１１３を制御する。 観察用光源１１７から出射された光のフォーカス調整が終わると、レ一ザ光Ｌの集光点を切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応した集光点に移動させる（Ｓ２１３）。ここでは、切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応して決定されたレーザ光Ｌの集光点の変位量分だけＺ軸ステージ１１３をレーザ光Ｌの光軸方向に移動させるように、全体制御部１２７がステージ制御部１１５に出力信号を送り、出力信号を受けたステージ制御部１１５がＺ軸ステージ１１３の移動位置を制御する。上述したように、切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応して決定されたレーザ光Ｌの集光点の変位量分だけＺ軸ステージ１１３をレーザ光Ｌの光軸方向に移動させることにより、レーザ光Ｌの集光点の切断対象材料の内部への配置が完了する（Ｓ２１５）。 レーザ光Ｌの集光点の切断対象材料の内部への配置が完了すると、レーザ光Ｌを切断対象材料に照射すると共に、所望の切断パターンにしたがってＸ軸ステージ１０９及びＹ軸ステージ１１１を移動させる（Ｓ２１７）。」（５７ページ９行－５９ページ９行） タ 「また、レーザ加工装置１００において、Ｚ軸ステージ１１３を移動させることによりレーザ光Ｌのフォーカス調整を行うようにしているが、これに限られることなく、集光用レンズ１０５をレーザ光Ｌの光軸方向に移動させることによりフォーカス調整を行うようにしてもよい。」（６４ページ２２－２５行） チ 「また、撮像素子１２１として赤外線用のものを用いることにより、レーザ光Ｌの反射光を利用してフォーカス調整を行うことができる。この場合には、ダイクロイックミラー１０３を用いる代わりにハーフミラーを用い、このハーフミラーとレ一ザ光源１０１との間にレーザ光源１０１への戻り光を抑制するような光学素子を配設する必要がある。なお、このとき、フォーカス調整を行うためのレーザ光Ｌにより切断対象材料にダメージが生じないように、フォーカス調整時にレーザ光源１０１から照射されるレーザ光Ｌの出力は、クラック形成のための出力よりも低いエネルギー値に設定ことが好ましい。」（６５ページ１２－１９行） ツ 「次に、図４０及び図４３を用いて、本実施形態の第３例に係るレーザ加工方法を説明する。図４３は、このレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。加工対象物１はシリコンウェハである。ステップＳ１０１～ステップＳ１１１までは図１５に示す第１例と同じである。・・・レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３のＹ軸方向に延びた切断予定ライン５に照射する。図４４は加工対象物１の平面図である。レーザ光Ｌの楕円偏光ＥＰの楕円を表す長軸が加工対象物１の一番右の切断予定ライン５に沿うようにして、加工対象物１にレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。切断予定ライン５に沿うようにＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。 そして、Ｘ軸ステージ１０９を移動させてレーザ光Ｌを隣の切断予定ライン５に照射し、上記と同様にして溶融処理領域を隣の切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。これを繰り返すことにより、右から順に各切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に溶融処理領域を形成する（Ｓ１２７）。」（７６ページ１４行－７７ページ１６行） テ 「次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３のＸ軸方向に延びた切断予定ライン５に照射する。図４６は加工対象物１の平面図である。レーザ光Ｌの楕円偏光ＥＰを表す楕円の長軸の方向が加工対象物１の一番下のＸ軸方向に延びた切断予定ライン５に沿うようにして、加工対象物１にレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。そして、Ｙ軸ステージ１１１を移動させて、レーザ光Ｌがすぐ上の切断予定ライン５を照射するようにし、上記と同様にして溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。これを繰り返すことにより、下から順に各切断予定ラインに沿って加工対象物１の内部に溶融処理領域を形成する（Ｓ１３１）。」（７７ページ２２行－７８ページ８行） ト 「二つクラック領域９形成方法について簡単に説明する。まず、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の内部の裏面２１付近に合わし、切断予定ライン５に沿って集光点を移動させながら加工対象物１にパルスレーザ光Ｌを照射する。これにより、クラック領域９（９Ａ）が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部の裏面２１付近に形成される。次に、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の内部の表面３付近に合わし、切断予定ライン５に沿って集光点を移動させながら加工対象物１にパルスレーザ光Ｌを照射する。この照射により、クラック領域９（９Ｂ）が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部の表面３付近に形成される。」（９９ページ１３－２１行） ナ 「本実施形態の第９例に係るレーザ加工装置は、図１４に示す第１例に係るレーザ加工装置１００と同様の構成をしている。第９例においてＺ軸ステージ１１３により加工対象物１の厚み方向における集光点Ｐの位置が調整される。これにより、例えば、集光点Ｐを加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より入射面（表面３）に近い位置又は遠い位置に調節したり、厚みの略半分の位置に調節したりすることができる。 ここでＺ軸ステージによる加工対象物の厚み方向における集光点Ｐの位置の調節について図９３及び図９４を用いて説明する。本実施形態の第９例では加工対象物の厚み方向におけるレーザ光の集光点の位置を、加工対象物の表面（入射面）を基準として加工対象物の内部の所望の位置に調節している。図９３はレーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の表面３に位置している状態を示している。図９４に示すように、Ｚ軸ステージを集光用レンズ１０５に向けてｚ移動させると、集光点Ｐは表面３から加工対象物１の内部に移動する。集光点Ｐの加工対象物１の内部における移動量はＮｚである（Ｎはレーザ光Ｌに対する加工対象物１の屈折率である）。よって、レーザ光Ｌに対する加工対象物１の屈折率を考慮してＺ軸ステージを移動させることにより、加工対象物１の厚み方向における集光点Ｐの位置を制御することができる。つまり、集光点Ｐの加工対象物１の厚み方向における所望の位置を表面３から加工対象物１の内部までの距離（Ｎｚ）とする。この距離（Ｎｚ）を上記屈折率（Ｎ）で除することにより得られた移動量（ｚ）だけ、加工対象物１を厚み方向に移動させる。これにより、上記所望の位置に集光点Ｐを合わせることができる。」（１０１ページ７行－１０２ページ１行） ニ 「本実施形態の第１０例は、加工対象物の厚み方向におけるレーザ光の集光点の位置を調節することにより、加工対象物の厚み方向における改質領域の位置を制御している。」（１０４ページ７－９行） ヌ 「図９８は図９６と同様に本実施形態の第１０例に係るレーザ加工方法を用いて形成されたクラック領域９を含む加工対象物１の斜視図である。図９８に示すクラック領域９は、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より表面（入射面）３に近い位置に調節して形成されたものである。クラック領域９は加工対象物１の内部中の表面３側に形成される。図９９は図９８に示す加工対象物１の部分断面図である。クラック領域９が表面３側に形成されているので、自然に成長するクラック９１は表面３又はその近傍に到達する。よって、切断予定ライン５に沿った割れが表面３に生じやすいので、加工対象物１を容易に切断することができる。」（１０４ページ２６行－１０５ページ８行） ネ 「特に、加工対象物１の表面３に電子デバイスや電極パターンが形成されている場合、クラック領域９を表面３付近に形成すると、加工対象物１の切断において電子デバイス等の損傷を防ぐことができる。すなわち、クラック領域９からクラック９１を加工対象物１の表面３及び裏面２１方向に成長させることにより、加工対象物１が切断される。クラック９１の自然成長だけで切断できる場合もあるし、クラック９１の自然成長に加えて人為的にクラック９１を成長させて切断する場合もある。クラック領域９と表面３の距離が比較的長いと、表面３側においてクラック９１の成長方向のずれが大きくなる。これにより、クラック９１が電子デバイス等の形成領域に到達することがあり、この到達により電子デバイス等が損傷する。クラック領域９を表面３付近に形成すると、クラック領域９と表面３の距離が比較的短いので、クラック９１の成長方向のずれを小さくできる。よって、電子デバイス等を損傷させることなく切断が可能となる。但し、表面３に近すぎる箇所にクラック領域９を形成するとクラック領域９が表面３に形成される。このため、クラック領域９そのもののランダムな形状が表面３に現れ、表面３のチッビングの原因となり、割断精度が悪くなる。」（１０５ページ９－２３行） ノ 「加工対象物１が例えば半導体ウェハの場合、Ｘ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれクラック領域９を平行に複数形成する。これにより、半導体ウェハ中にクラック領域９を格子状に形成され、格子状のクラック領域を起点として個々のチップに分割する。Ｘ軸方向のクラック領域９とＹ軸方向のクラック領域９がともに加工対象物１の厚さ方向における位置が同じであると、Ｘ軸方向のクラック領域９とＹ軸方向のクラック領域９とが直交する箇所が生じる。直交する箇所ではクラック領域９が重畳するので、Ｘ軸方向の切断面とＹ軸方向の切断面とを精度よく直交させることが困難となる。これにより、直交する箇所では加工対象物１の精密な切断が妨げられる。 これに対して、図１００に示すように、加工対象物１の厚み方向において、Ｘ軸方向のクラック領域９の位置とＹ軸方向のクラック領域９の位置とを異ならせると、Ｘ軸方向のクラック領域９とＹ軸方向のクラック領域９とが重畳するのを防ぐことができる。よって、加工対象物１の精密な切断が可能となる。」（１０６ページ９－２１行） ハ 「以上説明したように、本実施形態の第１０例によれば、加工対象物の厚み方向におけるレーザ光の集光点の位置を調節することにより、加工対象物の厚み方向における改質領域の位置を制御できる。加工対象物の厚さや材質等を考慮して集光点の位置を変えることにより、加工対象物に応じたレ一ザ加工が可能となる。・・・ 本実施形態の第１０例に係るレーザ加工装置は、図１４に示す第１例に係るレーザ加工装置１００と同様の構成をしている。第１０例においてＺ軸ステージ１１３により加工対象物１の厚み方向における集光点Ｐの位置が調節される。これにより、例えば、集光点Ｐを加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より入射面（表面３）に近い位置又は遠い位置に調節したり、厚みの略半分の位置に調節したりすることができる。なお、集光用レンズ１０５をＺ軸方向に移動させることによっても、これらの調節やレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができる。よって、本発明では加工対象物１がその厚み方向に移動する場合及び集光用レンズ１０５が加工対象物１の厚み方向に移動する場合があるので、加工対象物１の厚み方向における加工対象物１の移動量は相対的移動量や他の相対的移動量としている。」（１０７ページ１０行－１０８ページ１行） ヒ 「第１０例においても撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点が表面３上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部１１５がＺ軸ステージ１１３を移動制御することにより、可視光の焦点が表面３に合うようにする。可視光の焦点が表面３に位置するＺ軸ステージ１１３の位置において、レーザ光Ｌの集光点Ｐも表面３に位置するようにレーザ加工装置１は調整されている。よって、焦点データは、集光点Ｐを表面（入射面）３に位置させるのに必要な加工対象物１の厚み方向における加工対象物１の他の相対的移動量の一例である。撮像データ処理部１２５は、他の相対的移動量を演算する機能を有する。 全体制御部１２７は、図９３及び図９４で説明した移動量（ｚ）のデータが入力され、記憶される。つまり、全体制御部１２７は、加工対象物１の厚み方向における加工対象物の相対的移動量のデータを記憶する機能を有する。全体制御部１２７、ステージ制御部１１５及びＺ軸ステージ１１３により、集光用レンズ１０５により集光されたパルスレーザ光の集光点の位置は加工対象物１の厚みの範囲内で調節される。」（１０８ページ４－１８行） フ 「本実施形態の第１０例の効果を説明する。第１０例によれば、加工対象物１の厚み方向における集光点Ｐの位置を調節して加工対象物１にパルスレーザ光Ｌを照射して改質領域を形成している。これにより、加工対象物１の厚み方向における改質領域の位置を制御することができる。よって、加工対象物１の材質、厚さ、加工の効果等に応じて加工対象物１の厚み方向における改質領域の位置を変えることにより、加工対象物１に応じた切断加工が可能となる。 産業上の利用可能性 本発明に係るレーザ加工方法及びレーザ加工装置によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を切断することができる。よって、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができる。」（１０９ページ２６行－１１０ページ１２行） 「 ［図：0001406108000001.jpg］ ［図：0001406108000002.jpg］ ［図：0001406108000003.jpg］ ［図：0001406108000004.jpg］ ［図：0001406108000005.jpg］ ［図：0001406108000006.jpg］ ［図：0001406108000007.jpg］ ［図：0001406108000008.jpg］ ［図：0001406108000009.jpg］ ［図：0001406108000010.jpg］ 」 （２）上記（１）から理解できる事項 ア 上記（１）スの「ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）。・・・レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。」との記載、上記（１）シの「Ｚ軸ステージ１１３はレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段の一例である。集光用レンズ１０５をＺ軸方向に移動させることによっても、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができる。」との記載及び図１５から、甲第１号証に、集光用レンズ１０５を加工対象物の表面３に対して進退自在に保持する保持手段が記載されていることが理解できる。そして、集光用レンズ１０５の集光点が加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる調整された位置にレンズを保持するように保持手段を制御することも記載されているといえる。 イ 上記（１）スの「ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）。・・・そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。」との記載及び図１５から、加工対象物内部の調整された位置に集光点が位置するようにレンズ１０５を保持した状態でレーザ光Ｌを照射しながら、加工対象物とレンズ１０５とを加工対象物の表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成しているものであり、レーザ光Ｌの集光点の切断対象材料の内部への配置を完了した後の切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する工程では、レーザ光Ｌの集光点のＺ軸方向の位置は調整を受けないものであることが理解できる。他にも、上記（１）ソの「切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応して決定されたレーザ光Ｌの集光点の変位量分だけＺ軸ステージ１１３をレーザ光Ｌの光軸方向に移動させることにより、レーザ光Ｌの集光点の切断対象材料の内部への配置が完了する（Ｓ２１５）。レーザ光Ｌの集光点の切断対象材料の内部への配置が完了すると、レーザ光Ｌを切断対象材料に照射すると共に、所望の切断パターンにしたがってＸ軸ステージ１０９及びＹ軸ステージ１１１を移動させる（Ｓ２１７）。」との記載及び図２１からも、改質領域７を形成する工程では、レーザ光Ｌの集光点のＺ軸方向の位置は調整を受けないことが理解できる。 他方、甲第１号証の全体を見渡しても、切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する際にレーザ光Ｌの集光点のＺ軸方向の位置を調整することをうかがわせる記載は見当たらない。 このことから、改質領域７を形成する工程では、レンズ１０５の集光点の加工対象物内部のＺ軸方向の調整された位置は、切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する工程において固定されたもの（固定位置）であることが理解できる。 ウ 上記（１）スの「切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。」との記載があるところ、第１例と同じく切断予定ラインに沿うようにシリコンウェハの加工を行う第３例についての説明図である図４４及び４６の平面図には、切断予定ライン５が加工対象物１であるシリコンウェハの端部を含むことが図示され、第１例でも同様の切断予定ラインとなっていると認められることから、切断予定ライン５に沿って形成される改質領域（溶融処理領域）は、加工対象物１の一端部（切断予定ライン５の一端部）を含むことが理解できる。 （３）甲１発明 上記（１）、（２）を踏まえると、甲第１号証には、以下の甲１発明が記載されていると認められる。 （１ａ）レーザ光Ｌを加工対象物１であるシリコンウェハの内部に集光点Ｐを合わせて照射し、前記シリコンウェハの切断予定ライン５に沿って前記シリコンウェハの内部に改質領域７を形成するレーザ加工装置１００であって、 （１ｂ）前記レーザ光Ｌを前記シリコンウェハに向けて集光するレンズ１０５と、 （１ｃ）前記シリコンウェハと前記レンズ１０５とを前記シリコンウェハの表面３（レーザ光Ｌの入射面）に沿って移動させるＸ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５と、 （１ｄ）前記レンズ１０５を前記表面３に対して進退自在に保持する保持手段と、 （１ｅ）前記Ｘ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１、ステージ制御部１１５、及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する全体制御部１２７と、を備え、 （１ｆ’）前記全体制御部１２７は前記集光点Ｐが前記シリコンウェハ内部の所定の位置に合う状態となる調整された固定位置に前記レンズ１０５を保持するように前記保持手段を制御し、 （１ｇ＋１ｈ’）シリコンウェハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記シリコンウェハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する、 （１ｉ）上記レーザ加工装置１００。 （（１ａ）～（１ｉ）の分説については、上記第２で示した本件発明の分説に対応付けて当審が行った。） ２ 甲第２号証に記載された事項 （１）記載事項 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、圧延ロール等に用いるための円筒状回転体の表面に、微細な凹凸や孔を形成するためのレーザ加工装置の制御方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】レーザ光束により、円筒体の表面に微細な凹凸を形成したり、微細な孔を穿ったりする技術が、既に実用化されている（特開平２－１１２８５号公報、特開昭５５－９４７９０号公報など参照）。このようなレーザ加工装置に於ける加工精度は、レーザ光の焦点距離の精度に依存するので、集光レンズと被加工面との間隔を、加工作業中は常に所定の範囲内に保つ必要がある。 ・・・ 【００１３】さて、本装置に於ては、ロール１を所定の速度で回転させつつレーザスポットをパルス的にロール表面１ａに照射することにより、所定のリード角をもつ螺旋状の仮想線上に微細な孔を連続的に穿つ加工が行われる。ここで孔径の精度は、焦点距離、即ち、レーザ加工ヘッド７に内蔵された集光レンズ（図示せず）とロール表面１ａとの間隔の寸法精度に依存するので、これを極めて高精度に維持する必要がある。」 （２）甲第２号証に記載された技術的事項 レーザ加工装置おいて、円筒体の表面に微細な凹凸を形成したり、微細な孔を穿ったりする技術において、その加工精度は、レーザ光の焦点距離の精度に依存するので、集光レンズと被加工面との間隔を、加工作業中は常に所定の範囲内に保つ必要があること。 ３ 甲第３号証ないし甲第５号証に記載された事項 （１）甲第３号証の記載事項 ア 「本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウエーハにレーザー光線を照射してスクライブを行なう方法の改良に関する。 トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導体装置は、一般に第１図に示すように、一枚の半導体ウエーハ１に拡散等の処理によって多数の半導体素子２を形成し、各半導体素子２、２間にスクライブ溝３を形成したのち、半導体ウエーハ１に撓屈力を作用せしめて、前記スクライブ溝３から分割して多数の半導体素子ペレットを得ている。」（１ページ右下欄９行－最終行） イ 「しかしながら、近時半導体ウエーハはますます大径化に伴って、そのソリが目合せ時のマスクの密着性等から問題になっており、また前記したスクライブ溝３の形成時にも、もし半導体ウエーハ１にソリがあると、レーザー光線の焦点が微妙に変化し良好なスクライブを行ない難いという問題点がある。 このため、半導体ウエーハのソリを無くす方法が種々講じられているが、完全にソリを無くすことは不可能である。従ってもし半導体ウエーハにソリがあっても良好なスクライブを行なえるならば有利であろう。」（２ページ左上欄６－１７行） ウ 「本発明は要約すると、レーザー光線の相対的な進行方行の前方の半導体ウエーハ表面に微弱な検出光線を照射し、その検出光線の反射光に応じてレーザー光線を制御することを特徴とするものである。」（２ページ右上欄１－５行） エ 「以上の構成において、まず、検出光線２０を照射する半導体ウエーハ１の表面を顕微鏡で観察して集光レンズ１６の焦点調整を行なう。続いて電源スイッチを入れＱスイッチ１３を開くと、大部分の光線は反射プリズム１５で反射されて、集光レンズ１６で集光されたレーザー光線１７が半導体ウエーハ１に照射される。同時にプリズム１５を透過した一部の光線が反射プリズム１８で反射されて、集光レンズ１９で集光された検出光線２０が半導体ウエーハ１に照射され、その反射光２２が受光器２１で受光される。こゝで、半導体ウエーハ１にソリがあると、受光器２１の受光光量が変化するので、それに応じて集光レンズ１６の焦点調整が行なわれる。すなわち、受光器２１の受光状態に応じて集光レンズ１６の焦点調整が終了するまでの所要時間は、半導体ウエーハ１が検出光線２０の照射点Ａからレーザー光線１７の照射点Ｂまでの距離ｌ（筆記体のエル）だけ移動するのに要する時間に等しく設定される。従って半導体ウエーハ１にソリがあっても、レーザー光線１７は常に最適な状態で照射され、良好なスクライブ溝３が形成されるのである。」（２ページ左下欄７行－右下欄７行） 「第２図及び第３図 ［図：0001406108000011.jpg］ 」 （２）甲第４号証の記載事項 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の材料として使用される、シリコンやタングステンなどの金属からなるウェーハを所望の大きさに切断するウェーハ切断方法およびその装置に関する。 ・・・ 【０００５】従来のウェーハの切断装置について説明すると、シリコンやタングステンなどの金属からなるウェーハが、ＸＹテーブル上のウェーハ保持台に装着される。上方にはレンズが配設されていて、レーザ光の焦点がウェーハ表面に来る様に高さ方向に位置決めされる。この状態で、ＸＹテーブルを作動させながらレーザ光を照射し続けると、例えば、図４に示されるように円形状をしたウェーハ１から、図５に示されるように円形状をしたチップ２を複数個切り出すことができる。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従来の装置は、ウェーハ１が反っていると、レーザ光の焦点が決まらず不安定となり、スプラッシュが多く発生して、ウェーハ１面に付着して不良にしたり、切断面にバリを発生させて、品位を損ねたり、ひいては切断できなくなるといった不具合が生じる。 ・・・ 【０００９】 【課題を解決するための手段】請求項１に記載された発明は、レーザ照射手段からレーザ光をウェーハに照射して、前記ウェーハから所望の大きさのチップを切り出すウェーハ切断方法において、前記ウェーハの反りを測定し、反りの測定値によって、前記ウェーハと前記レーザ照射手段との距離が所望の距離になるように、前記レーザ照射手段および前記ウェーハの少なくとも一方の位置を制御するウェーハ切断方法である。 【００１０】そして、前記ウェーハの反り測定値に基づき、前記ウェーハと前記レーザ照射手段との距離が所望の距離になるように、前記レーザ照射手段と前記ウェーハの少なくとも一方の位置を制御し、前記レーザ光を照射してウェーハを切断するため、安価な設備で高速に、ウェーハ全域に渡って品位の良い切断ができる。 【００１１】請求項２に記載された発明は、レーザ照射手段からレーザ光をウェーハに照射して、前記ウェーハから所望の大きさのチップを切り出すウェーハ切断方法において、あらかじめ前記ウェーハの反りを測定しておき、前記ウェーハの切断位置でのそれぞれの座標と、反りのデータを記憶しておき、前記データに基づいて、前記レーザ照射手段と前記ウェーハとの距離が所望の値になるように制御し、前記レーザ光を照射して、ウェーハを切断するウェーハ切断方法である。 【００１２】そして、あらかじめ前記ウェーハの反りを測定して、前記ウェーハの切断位置でのそれぞれの座標と、反りのデータとを記憶しておき、前記データに基づいて、前記レーザ照射手段と前記ウェーハとの距離が所望の値になるように制御しながら、前記レーザ光をウェーハに照射して切断するため、高速に前記ウェーハ全域に渡って品位の良い切断ができる。 ・・・ 【００２０】そして、共通の移動手段上で、ウェーハの反り測定と、レーザ光の照射とを同時に行う。 ・・・ 【００２４】また、ブラケット１４を介して、高さ方向に移動可能なＺテーブル８が設けられ、このＺテーブル８上には、レーザ照射手段６が配設されている。そして、前記レーザ照射手段６は、レーザ電源（図示せず）に接続され、光学系を介して、対物レンズ７からウェーハ１の表面に焦点が合った状態でレーザ光９が照射される。そして前記ＸＹテーブル３Ａは、前記ウェーハ１を保持したままＸ方向およびＹ方向に所望の動作を行い、前記ウェーハ１が切断される。 ・・・ 【００２６】以上の実施形態の構成において、その作用について説明すると、前記レーザ距離計５のデータが、制御手段１０に入力され、前記ウェーハ１と、前記対物レンズ７との距離が、所望の値になるように、Ｚテーブル８を移動させる。その後、レーザ光９を照射しながら、前記ＸＹテーブル３Ａを所望の軌跡になるように移動させる。前記ＸＹテーブル３Ａの制御は、円弧補間によって制御される。 ・・・ 【００２８】すなわち、ウェーハ１が反っていても、レーザ照射手段６とウェーハ１との距離を測り、常にレーザ照射手段６と、ウェーハ１の表面との距離は一定になるように切断するため、レーザ光９の焦点が安定して、従来のように反りによる、スプラシュの増加や、切断不良がなくなる。そして、品位の良い安定した切断が可能となる。そして、安価で高速なウェーハ１切断装置を提供することができるメリットがある。 ・・・ 【００３３】そして、切断されるウェーハ１Ｂと、計測されるウェーハ１Ａは前記ＸＹテーブル３Ｂに搭載されていて、同時に移動するようになっている。即ち、前記ウェーハ１ＢはポジションＰ２でレーザ光９を照射されると同時に、ポジションＰ１でウェーハ１Ａの反りが測定される。」 「図１ ［図：0001406108000012.jpg］ 」 「図３ ［図：0001406108000013.jpg］ 」 （３）甲第５号証の記載事項 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハからチップを切り出すウェーハの切断方法およびその装置に関する。 ・・・ 【０００４】これらを切断するに際しては、レーザ光によってウェーハから一個ずつ切り離す方法が採られているが、このウェーハは、炉によって熱処理をするため、熱工程を経ると、ウェーハ自体が反ってしまう。【０００５】このため、例えばウェーハの反りを測定し、この測定結果のデータに基づいてレーザ変位計によりレーザ光の焦点がウェーハ表面に位置するように制御する自動焦点機構により、反ったウェーハでも確実にチップを切り出す構成が採られている。 ・・・ 【００１５】さらに、ポスト７には先端がＸＹテーブル３の上方に位置する第２のブラケット１１が突設され、この第２のブラケット１１の先端部分にＺ方向すなわち上下方向である高さ方向に移動可能な移動手段を構成するＺテーブル１２が設けられている。そして、このＺテーブル１２上に、レーザ照射手段１３が配設されている。このレーザ照射手段１３は、図示しないレーザ電源に接続され、光学系を介して、対物レンズ１４からウェーハ４の表面に焦点が合った状態でレーザ光１５が照射される。このレーザ光１５としては、例えばヤグレーザ（ＹＡＧ：Ｎｄレーザ）などが利用される。 【００１６】そして、ＸＹテーブル３は、ウェーハ保持手段５によりウェーハ４を保持したままＸ方向およびＹ方向に所定の動作をし、ウェーハ４が切断される。 ・・・ 【００２４】そして、制御手段１７によりレーザ距離計９にてウェーハ４の反りを測定し、すなわちレーザ照射手段１３の対物レンズ１４からウェーハ４までの距離を測定し、ウェーハ４のそれぞれのＸＹ座標におけるＺ方向の高さのデータを記憶手段１８に記憶する。なお、ウェーハ４上の平面データは、ＸＹ座標でも曲座標でも良い。 【００２５】この後、制御手段１７によりＸＹテーブル３およびＺテーブル１２を適宜動作させてウェーハ４とレーザ照射手段１３の対物レンズ１４との距離が所定の値になるように制御する。そして、レーザ照射手段１３からレーザ光１５を照射しつつ、ＸＹテーブル３を所定の軌跡になるように移動して略円形にチップ２２を切り出す。なお、ＸＹテーブル３は、例えば円弧補間、すなわち、与えられた２点間を円弧に沿った点群で近似する方法によって制御する。 【００２６】この１個のチップ２２を切断した後、次のチップ２２の切断位置に移動し、再びレーザ距離計９によって、ウェーハ４との距離を計測してウェーハ４の反りを測定し、レーザ照射手段１３とウェーハ４との距離を所定の値に制御し、スプラシュの増加や切断不良などを防止して再びチップ２２を切断する。 ・・・ 【００４０】また、チップ２２の切断位置での反りを切断毎に測定するほか、例えばチップ２２の切断の際に、次の切断位置でレーザ距離計９にてウェーハ４の反りの測定を同時進行して、順次チップ２２を切り出す構成によれば、チップ２２の切り出し効率を向上できる。 【００４１】そしてさらに、あらかじめウェーハ４の反りを検知して制御手段１７の記憶手段１８に記憶しておき、レーザ距離計９にてレーザ光１５の焦点がウェーハ４の表面に位置するように切断し、円形ピース２１の位置では円形ピース２１の厚さ寸法分の距離が短くなることから焦点が合わなくなるのでレーザ光１５を照射しないようにして欠陥部の位置でチップ２２の切り出しをしないようにしてもよい。」 「図１ ［図：0001406108000014.jpg］ 」 （４）甲第３号証ないし甲第５号証から把握される周知の技術的事項 上記（１）ないし（３）から、甲第３号証ないし甲第５号証はいずれも、半導体ウェーハの表面をレーザ加工する際における焦点の位置を調節することについて開示する一方で、半導体ウェーハの表面以外の部位を加工する際の課題及び解決手段についての記載はないことから、以下の技術事項が周知技術として認められる（以下、「周知の技術的事項１」という。）。 半導体ウェーハをレーザ加工する技術分野において、半導体ウェーハに反りがあると加工位置に対して加工用レーザ光の焦点がずれることから、測距用レーザ光を半導体ウェーハに照射し、半導体ウェーハの切断予定ラインに沿った表面（主面）の変位を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レーザ光のレンズと半導体ウェーハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の焦点の位置を調整し、半導体ウェーハの表面を加工すること。 ４ 甲第６号証ないし甲第７号証に記載された事項 （１）甲第６号証の記載事項 ア 「近年の半導体産業の進展に伴い、ウエハ等の検査のために応答性がよく、精度の高い合焦装置を備えた検査装置の需要が高まってきている。」（１欄下から３－最終行） イ 「こうして、試料面１の段差部の境界ではサーボ系は発振状態となり、合焦動作が不可能となる。こうした試料面１に於ける段差状部分は、生ウエハ等の平坦な鏡面状試料の場合には外周部の端部にのみしか存在しないが、パターンの形成されたウエハや一般の金属標本等では断続的にこうした段差部を観察することになり、実用上非常に問題となる。」（３欄２６－３３行） ウ 「試料面に測定用光束を投射し、その反射光を検出して自動的に合焦動作を行う自動合焦装置において、試料面の段差部の高面と低面における上記測定用光束の結像状態の違いから段差部であることを検出し、該段差部における自動合焦動作を一時停止するようにして、自動合焦動作時の段差部による不都合な影響を除去するようにしたものである。」（４欄３－９行） エ 「本発明装置は上述の如く作用し、試料面Ｂ上の段差部に赤外スポットが当たっても、自動合焦動作が一時停止するだけで直前の合焦位置を保ち、赤外スポットが段差部からはずれると再び自動合焦動作を再開するので、段差部の多数存在する試料を観察する場合でも従来のようなサーボ系の発振、誤動作等の心配がなく、高精度な合焦が可能である。」（７欄１８－２４行）。 （２）甲第７号証の記載事項 「【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところで、被検物が半導体ウェハの場合、その上面の周縁部（エッジ）は、いわゆる研摩ダレのため、高さが１０μｍ以上低くなっている。ここでウェハ交換等の際にＡＦを機能させたまま、ウェハを光学系の外に移動させた場合、ＡＦ装置がエッジのダレに追随して焦点位置を大きく変えてしまう。その後に次のウェハについて検査を行う場合、正規の被検部に合焦させるのに時間が長くかかり（例えば３～４秒）検査の能率が低下する。 【０００５】この問題の解決手段として、被検物を検査ステージの外に移動させる際に、被検物の移動の前に予めＡＦ動作を停止させておくことが考えられる。しかし、そうすると、ＡＦ装置の制御が組み込まれる検査装置全体（システム）の制御に依存することとなり、一度そのＡＦ装置の動作を停止させると、次に動作を行わせる場合にシステムからの焦点合せ指示により動作を始めることになり、焦点合せまでの時間がかかってしまうことになる。また、ＡＦ系以外の系（Ｘ－Ｙテーブルや検査装置全体の制御装置）との信号のやり取りが生じて処理が複雑となる。できればＡＦ装置自身の中で事態を処置できるようにすることが望ましい。 ・・・ 【００１５】図２は、図１の半導体検査装置の観察視野とＡＦセンサ機構（スリット及びＡＦ光学系）の位置関係の一例を示す平面図である。円形（径一例２００μｍ）の観察視野３１の両サイドの対向する位置に、２つのＡＦセンサ機構３３が配置されている。観察視野がウェハから外れる時は、いずれか片方のセンサ機構がまずウェハエッジのダレにかかるので、他方のセンサ機構との位置検出信号のバランスがくずれる。そこで、その信号を後述のように処理することで、ウェハが取り外されつつあると判定してフォーカスアクチュエータの駆動を停止させる。なお、センサ機構の数は３以上であってもよい。 ・・・ 【００２０】ステップ１０２がＹＥＳの場合は、ステップ１０３に進み、いずれかのセンサ機構の対象部位がウェハのエッジダレにかかったと考えて、フォーカスアクチュエータの作動を停止させる信号をフォーカスアクチュエータ駆動部（図１の２０）に送り、アクチュエータ（Ｚステージ）のＡＦ作動を停止させる。【００２１】ステップ１０２がＮＯの場合、ステップ１０４に進んで｛（ａ－ｂ）＋（ａ′－ｂ′）｝÷２＝０か否かをチェックする。これがＹＥＳの場合はＡＦ動作を終了する。ＮＯの場合は１０５に進んでフォーカスアクチュエータを作動させ、ウェハの上面の位置をフォーカスの位置に合わせる。【００２２】【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明によれば、被検物を自動焦点位置検出範囲の外に移動させて再び検出範囲に戻したり、被検物を交換した場合において、新たに焦点位置を自動検出する際、位置検出について効率のよい動作が行われる。」 「図５ ［図：0001406108000015.jpg］ 」 （３）甲第６号証及び甲第７号証から把握される周知の技術的事項 上記（１）、（２）から、甲第６号証及び甲第７号証は、シリコンウェハを光学的に検査する際における自動合焦の技術について開示するものの、合焦動作を連続的にすることを前提とする技術が記載されており、また、対象物は加工されるものではない（加工対象物ではない）から、以下の技術事項が周知技術として認められる（以下、「周知の技術的事項２」という。）。 対象物であるシリコンウェハについて、シリコンウェハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になることから、そのような部分において合焦動作を一時的に停止させて焦点を固定し、そのような部分を外れると合焦動作を再開することにより、光の合焦動作を改善すること。 第６ 当審の判断 １ 無効理由１についての検討 （１）本件発明１について ア 甲１発明との対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 甲１発明の「レーザ光Ｌ」は本件発明１の「第一のレーザ光」に相当し、以下同様に、「加工対象物１であるシリコンウェハ」又は「シリコンウェハ」は「加工対象物」に、「集光点Ｐ」は「集光点」に、「切断予定ライン５」は「切断予定ライン」に、「改質領域７」は「改質領域」に、「レーザ加工装置１００」は「レーザ加工装置」に、「レンズ１０５」は「レンズ」に、「前記シリコンウェハの表面３（レーザ光Ｌの入射面）」は「前記加工対象物の主面」に、「Ｘ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５」は「前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段」に、「全体制御部１２７」は「制御手段」に、「集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態」は「前記レンズを保持した状態」に、それぞれ相当する。 また、甲１発明の「調整された固定位置」は、上記第５の１（２）ア及びイより、レーザ光Ｌの集光点を加工対象物内部で改質領域７を形成する位置に配置する位置であるところ、本件発明１の「初期位置」と、「位置」である点では共通している。 また、改質領域について、甲１発明の「切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成」することと、本件発明１の「切断予定ラインの一端部において改質領域を形成」することとは、「切断予定ラインの一端部において改質領域を形成」する点では共通している。 イ してみると、本件発明１と、甲１発明とは、以下の点で一致し、以下の点で相違する。 ＜一致点＞ 「第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、 前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、 前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、 前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、 前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、 前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、 当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を形成する、 レーザ加工装置。」 ウ 相違点 ＜相違点１＞ 本件発明１は、「初期位置」にレンズを保持した状態で「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」ことを特定しているのに対して、甲１発明は、シリコンウェハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するようにレンズ１０５を保持した状態でレーザ光Ｌを照射しながら、全体制御部１２７はシリコンウェハとレンズ１０５とを表面３に沿って相対的に移動させるようにＸ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して切断予定ライン５の一端部を含む切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成することから、「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に」おいても、シリコンウェハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するようにレンズ１０５を保持したままの状態で、改質領域７を形成する点。 エ 上記相違点１についての検討 甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することについて検討する。 （ア）甲１発明に周知の技術的事項１を適用することの動機付けについて 上記第５の３（４）に示したとおり、甲第３号証ないし甲第５号証から、半導体ウェーハをレーザ加工する技術分野において、半導体ウェーハに反りがあると加工位置に対して加工用レーザ光の焦点がずれることから、測距用レーザ光を半導体ウェーハに照射し、半導体ウェーハの切断予定ラインに沿った表面（主面）の変位を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レーザ光のレンズと半導体ウェーハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の焦点の位置を調整し、半導体ウェーハの表面を加工することは周知の技術的事項（周知の技術的事項１）であると認められる。 しかしながら、甲第１号証は、加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断する従来の方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融されてしまうことを課題（例えば、上記第５の１（１）ア）として、レーザ光Ｌの集光点Ｐを加工対象物１の内部に位置させて、改質領域を加工対象物１の内部にのみ形成して加工対象物を切断する（例えば、上記第５の１（１）ス）ことが記載されているから、そもそも半導体ウェーハの表面に集光点を合わせて、（表面を）加工をするものである周知の技術的事項１を適用する動機付けがない。 また、甲第１号証には、全体を見渡しても、加工対象物に反りがあることについての記載は見当たらないし、甲１発明は、「シリコンウェハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記シリコンウェハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する」ものであって、シリコンウェハに反りがあることを想定したものでないことは明らかであるから、該甲１発明に、加工対象物に反りがあることを課題とした解決手段である周知の技術的事項１を適用する動機付けも見いだせない。 加えて、仮に、甲第３号証ないし甲第５号証に記載されているように、半導体ウェーハが実際には反るものであるとしても、周知の技術的事項１では、半導体ウェーハの表面を加工するため、その位置の誤差の許容幅が小さいものとなり、正確な位置に集光点を合わせることに必然性を有するものと認められる一方、甲１発明は、上記のとおり改質領域を加工対象物１の内部にのみ形成するものであり、加工対象物１に厚みを有すること（加工される内部は許容範囲を有すること）を考慮すれば、周知の技術的事項１のように表面の加工を行うものと、甲１発明とでは集光点のＺ軸方向の位置に係る条件が異なる。そして、甲１発明の「シリコンウェハ内部の調整された固定位置に前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記シリコンウェハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する」ことにより、例えばシリコンウェハの加工ができないような特段の事情は見当たらないから、甲１発明に上記周知の技術的事項１を適用する動機付けは見いだせない。 そうすると、甲１発明に周知の技術的事項１を適用することが当業者にとって容易になし得るものではないから、さらに周知の技術的事項２を適用して相違点１に至ることも、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 （イ）甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用する改変について また、仮に、甲１発明に周知の技術的事項１を適用することができたとしても、以下に説示するとおり、甲１発明に周知の技術的事項１を適用した上で周知の技術的事項２を適用することは多段階の改変に該当し、そのような多段階の改変を要する本件発明１が、甲１発明に基づいて容易になし得たものということはできない。 甲第１号証には、光の合焦動作（フォーカス調整）（第５の１（１）ス等を参照。）を行うことの記載はあるものの、当該合焦動作がシリコンウェハの一端部に存在する平坦でない部分についても行われることは記載されていないし、加工対象物の平坦でない部分がフォーカス調整やレーザ加工に対して悪影響を及ぼすとの課題についての記載も見当たらない。 さらに甲第１号証には、加工対象物の表面に対してフォーカス調整を行った後に、Ｚ軸ステージでレ一ザ光Ｌの集光点を加工対象物の内部に移動させて、Ｘ，Ｙ軸ステージ１０９、１１１を制御して改質領域７を形成すること（第５の１（１）ス等を参照。）が記載されていると認められるから、該フォーカス調整は、改質領域の形成（加工）に先だって、加工対象物の内部における改質領域の厚さ方向の位置（固定位置）を定めるためだけに行われ、当該加工中は加工対象物の端部であるか否かに関わらず、全体に固定位置を維持するものであり、当該フォーカス調整は、加工対象物の表面の全体に沿って連続的に行うものではないから、そもそもシリコンウェハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題が甲第１号証に内在しているということもできない。 したがって、甲１発明に、合焦動作を連続的にすることを前提とする上記周知の技術的事項２（対象物であるシリコンウェハについて、シリコンウェハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になることから、そのような部分において合焦動作を一時的に停止させて焦点を固定し、そのような部分を外れると合焦動作を再開することにより、光の合焦動作を改善すること）を適用する動機も見当たらない。 そして、シリコンウェハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題認識は、甲１発明に、フォーカス調整を、加工対象物の表面の切断予定ラインの全体に沿って連続的に行って加工対象物の表面の変位を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レーザ光のレンズと半導体ウェーハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の集光点の位置を調整するとの技術的事項（例えば、周知の技術的事項１）を適用するという改変をした際に初めて生じるものであるから、仮に甲１発明に周知の技術的事項１を適用できたとしても、その改変によって新たに生じた課題を解決するために、シリコンウェハの一端部に存在する平坦ではない部分については該フォーカス調整を一時的に停止させて焦点を固定し、当該平坦ではない部分を外れると合焦動作を再開するとの技術的事項（周知の技術的事項２）をさらに適用することは、多段階での改変に該当するものであることは明らかであり、このような多段階の改変が、当業者にとって容易に想到し得たということはできない。 （ウ）以上から、甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することが当業者にとって容易になし得るものではない。 （エ）また、甲第２号証に、上記第５の２（２）のとおり、レーザ加工装置おいて、円筒体の表面に微細な凹凸を形成したり、微細な孔を穿ったりする技術において、その加工精度は、レーザ光の焦点距離の精度に依存するので、集光レンズと被加工面との間隔を、加工作業中は常に所定の範囲内に保つ必要があることが記載されているところ、甲第２号証は、被加工物である円筒体の表面の加工に関するものであって、その内部の加工をするものではないし、甲第３号証ないし甲第７号証をみても、被加工物の内部を加工する際の集光点の位置調整に関する課題を示すものではなく、甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することが動機付けられるものではないから、上記の判断を左右するものではない。 オ 小括 したがって、本件発明１は、甲第２号証ないし甲第７号証に記載を踏まえても、甲１発明、甲第３号証ないし甲第５号証に記載の周知の技術的事項１及び甲第６号証及び甲第７号証に記載の周知の技術的事項２に基づいて、当業者が容易になし得たものとはいえないから、無効理由１によって本件発明１に係る特許を無効とすることはできない。 （２）本件発明２について 本件発明２は、本件発明１の構成を含んでさらに限定したものに相当し、本件発明２と、甲１発明とは、上記相違点１を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、無効理由１によって本件発明２に係る特許を無効とすることはできない。 （３）むすび よって、本件発明１及び２は、甲第２号証ないし甲第７号証に記載を踏まえても、甲１発明、甲第３号証ないし甲第５号証に記載の周知の技術的事項１及び甲第６号証及び甲第７号証に記載の周知の技術的事項２に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえないから、無効理由１によってそれらの特許を無効にすることはできない。 第７ 請求人の主張について １ 甲１発明の認定及び相違点 ア 請求人の主張 請求人は、甲第１号証には、レンズ１０５を所定（所望）の位置に調整することや、シリコンウェハの内部に高さの異なる改質領域を形成することが記載されているところ、改質領域の形成中にレンズ１０５の高さを固定することは記載されていないから、甲１発明及び相違点１においては、「調整された固定位置」ではなく、「調整された所定位置」などとするのが適切である旨主張している。（請求人陳述要領書３ページ） イ 主張に対する検討 甲第１号証には、上記第５の１（２）イのとおり、レーザ光Ｌの集光点の切断対象材料の内部への配置を完了した後の切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する工程では、レーザ光Ｌの集光点のＺ軸方向の位置は調整を受けないものであることが理解できる一方、甲第１号証の全体を見渡しても、切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する際にレーザ光Ｌの集光点のＺ軸方向の位置を調整することをうかがわせる記載は見当たらず、加工対象物内部の調整された位置は、切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する工程において固定されたもの（固定位置）と理解できるから、請求人の主張は採用できない。 ２ 本件発明の容易想到性について （１）甲第１号証に内在する課題及び動機付けの有無 ア 請求人の主張 請求人は、甲第１号証の課題及び周知の技術的事項を適用する動機付けに関し、以下の旨主張している。 甲第１号証には、加工対象物の厚さ方向における改質領域の位置が切断品質に影響することの記載がある。そして、実際のシリコンウェハは、反っており（甲第３～５号証、甲第８－１号証）、また、周縁端部には研磨ダレ部分等が存在する（甲第６号証～８－２号証）から、当業者は、甲１発明の加工対象物がシリコンウェハである場合、実際には、反りや研磨ダレ部分等が存在することを理解する（請求人陳述要領書１７－１８ページ）。また、シリコンウェハは、その表面にデバイス（積層部）が形成されると、シリコンの内部応力と積層部の内部応力との差に基因する反りが発生することが知られていた（乙第２号証、甲第１４～１５号証）ところ、甲第１号証には、加工対象物の載置台１０７に吸引チャックを用いる旨の記載もないから、甲第１号証に接した当業者は、吸引チャックを用いないでシリコンウェハをレーザ加工することも想起する。さらに、甲第１号証には、切断対象材料雰囲気と切断対象材料の屈折率の違いにより、レーザ光の集光点の位置は、集光用レンズで集光されたレーザ光の集光点の位置よりも切断対象材料の表面から深いところに位置するようになることが記載されており、シリコンウェハ内部の屈折率は赤外光に対して３．５程度であることは技術常識であるところ、吸引チャックが用いられていない場合、未加工のシリコンウェハの反りは、最大数十μｍとなり、上述のシリコンウェハ内部の屈折率を考慮すると、厚さ方向におけるシリコンウェハ内部のレーザ光の集光点位置のずれは、最大百数十μｍ程度になりうることを当業者は予測する。仮に、吸引チャックを用いたとしても無視し得ない影響が生じ得る。 上記のとおり、甲第１号証には、加工対象物の厚さ方向における改質領域の位置が、切断品質に影響することが記載されているところ、その第１０例では、改質領域を形成する高さ方向の位置について、改質領域（クラック領域）が、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より表面（入射面）３に近い位置に調節して形成されることにより、加工対象物を容易に切断する例が記載され、第１例では、加工対象物のシリコンウェハの厚さが「３５０μｍ」等とする記載があるから、シリコンウェハの「反り」の表面形状に応じて改質領域を形成するレーザ光の焦点（集光点）の高さ（厚さ方向の位置）を調整しなければ、（i）シリコンウェハの中央付近で、厚みの半分の位置に改質領域の焦点位置を合わせた場合は、端部においては表面と改質領域との距離が長くなって、電子デバイス等の損傷を引き起こすことになり、逆に、（ii）シリコンウェハの端付近で、厚みの半分の位置に改質領域の焦点位置を合わせた場合は、中央付近においては改質領域が表面に近すぎるため、改質領域が表面に形成されてしまい、改質領域そのもののランダムな形状が加工対象物の表面に現れ、表面のチッピングの原因となり、割断精度が悪くなってしまい、甲１発明の目的（課題）に反する結果となりうることが容易に想定される。 そこで、甲第１号証に接した当業者は、レーザ加工中に、加工対象物の厚さ方向における改質領域が形成される位置を調整する必要性を認識する。ここで、甲第１号証には、加工対象物の表面を照明した可視光の反射光を撮像素子で撮像したデータ（撮像データ）を用いて、可視光の焦点が表面に合うようにした上で（オートフォーカス機能）、加工対象物の表面を基準とした加工対象物のＺ軸方向の移動量（z）を決定し、レーザ光の集光点が加工対象物の内部となる位置になるように集光用レンズ１０５の高さを調整することが記載されているところ、甲第１号証には、加工中にレンズの高さを変更することを可能とする技術が開示ないし示唆されているといえる。 以上のとおり、甲第１号証には、レーザ加工中に、加工対象物の厚さ方向における改質領域の位置を調整するために加工中にレンズの高さを変更する必要性とそれを可能とする技術が開示されているから、レーザ加工中に、加工対象物の厚さ方向における改質領域の位置を調整するために加工中にレンズの高さを変更することを示唆する記載があるといえる。また、甲第１号証には加工中にレンズの高さを変更することが明記されていないという点で、その示唆があるとはいえないとしても、同号証に接した当業者は、反りがあるシリコンウェハを加工しようとしたとき、甲１発明に周知の技術的事項１を適用して、加工中にレンズの高さを変更することに動機付けられる。（請求人上申書１の１．（３－１６ページ）） イ 主張に対する検討 甲第１号証について、加工対象物の反りについての記載は一切見られず、加工対象物の載置台への固定方法についても記載のないことから、そもそも加工対象物の反りを全く想定するものではないし、そのオートフォーカス機能は、集光点の固定位置を設定するために用いられるものであって、加工中にレンズの高さを連続的に変更することまでを示唆するものとはいえない。そして、請求人は、甲１発明の加工対象物に反りがあることを前提として、その載置台へのチャック方法によっては反りが大きなものとなること、及び加工対象物の屈折率から集光点位置のずれが大きくなることから、周知の技術的事項１を適用する動機が存在するなどと主張するが、このような論理構成は、本件発明を見て初めて着想し得る、いわゆる後知恵というべきものであるし、上記第６の１（１）エ（ア）のとおり、甲１発明に周知の技術的事項１を適用する動機付けが見いだせない。 加えて、甲第１号証においては、可視光で観測した加工対象物１の表面３上の１点の位置からＺ軸方向に移動させて、レーザ光Ｌの集光点Ｐの位置を固定位置に設定をすれば十分であり（上記第５の１（１）ス等を参照。）、その後は、改質領域の形成のために、Ｘ軸ステージ及びＹ軸ステージの制御のみ行えばよいものであるところ、周知の技術的事項１のように切断加工ライン全般において加工対象物１の表面３上の位置を取得し、当該取得した表面３上の位置に倣って集光点のＺ軸方向の位置を制御することは、Ｘ軸ステージ及びＹ軸ステージの制御だけでなく、Ｚ軸ステージ（又はレンズ）の制御を行う三軸制御となるから、そもそも制御対象が増加する上、可視光の照射による表面上の位置の取得と、レーザ光の照射の時のＺ軸方向の位置の制御との位相（タイミング）を調整するような制御が必要になるなど、可視光、レーザ光及びステージ（又はレンズ）の制御が複雑になるものである。 それにもかかわらず、加工対象物上の切断加工ライン全般（複数の地点）において可視光の焦点を表面に合わせようとする動機は甲第１号証から見いだすことはできないことから、請求人の主張は採用できない。 （２）多段階の改変（容易の容易）にあたるか否か ア 請求人の主張 請求人は、本件発明が容易想到といえるかに関し、以下の旨主張している。 甲第１号証に接した当業者は、レーザ加工中に、加工対象物の厚さ方向における改質領域の位置を調整する必要性を認識するところ、甲１発明と周知の技術的事項１は、いずれも、半導体ウェーハのレーザ加工技術であり、かつ、レーザ光を含む測距用の光の焦点が加工対象物（ウェーハ）の表面に位置するように合焦動作を行うことを前提とする点において、技術分野を共通にするから、甲１発明に周知の技術的事項１を適用して、より精度の高いレーザ加工を可能とするために、レーザ加工中に加工対象物の厚さ方向における改質領域の位置を調整することに動機付けられる。 また、甲第１号証の加工対象物であるシリコンウェハの反りに起因する周知な課題の観点からも、反りの影響を考慮して改質領域を形成することに技術的な必要性ないし合理性があり、甲１発明に内在する反りに関する課題を解決するために、当業者は甲１発明に周知の技術的事項１を適用することに動機付けられるといえる。また、甲１発明の加工対象物のシリコンウェハには、端部に研磨ダレ部分等が存在し、そのような部分では、オートフォーカス制御された光学系の焦点が大きく変わってしまうことは当業者にとって周知な課題であり、その解決手段も周知の技術的事項２として周知なものであるところ、甲１発明（ないし甲１発明に周知の技術的事項１を適用した発明）と周知の技術的事項２は、いずれも、測距用の光学系の焦点が加工対象物（ウェーハ）の表面に位置するように合焦動作を行うことを前提とする点において、技術分野を共通にするから、当業者は、周知の技術的事項１を甲１発明に適用するに際し、周知な課題を解決するために、当該課題の解決手段として周知であるとともに、技術分野を共通にする周知の技術的事項２を適用しようと容易に動機付けられる。 当業者は、甲１発明に周知の技術的事項１のオートフォーカス技術を適用して、より精度の高いレーザ加工を可能としようと考えるが、甲１発明は、ウェーハの端部を含む切断予定ラインに沿ってレーザを照射する技術であるから、周知の技術的事項１をそのまま甲１発明に適用しようとすると、必然的に、ウェーハの端部にもオートフォーカス作用させることになる。一方で、ウェーハの端部ではオートフォーカス機能がうまく動作しないこと、及び、端部ではオートフォーカスを停止させることにより（端部では焦点を固定とすることにより）オートフォーカスを有効に機能させることができることは周知である（周知の技術的事項２）。そうすると、当業者は、甲１発明に周知の技術的事項１を適用するに際して、周知の技術的事項２を参照し、ウェーハ端部でのオートフォーカス機能の問題を認識して、この問題を回避することを自然に思い付くから、甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用する動機付けがあり、これは多段階の改変に当たらない。 また、甲第１号証の第３例（７５－７８ページ、図４０－４７）において、加工対象物１はシリコンウェハであり、例えば、図４７では縦横に複数の切断予定ライン５が形成されており、レーザ加工の流れは次のとおりと理解できる。 （ア）「初期位置」（Ｚ方向の位置）に集光用レンズ１０５を保持したまま、集光用レンズ１０５は、シリコンウエハ（加工対象物）の外側にある開始位置（ＸＹ方向の位置）から移動し（紙面向かって右方向）、加工用レーザを照射しながら、最初にシリコンウエハの端部（ベベル部分や研磨ダレ部分が存在する。）上に移動し、切断予定ライン５に沿ってシリコンウエハの内側に移動する。切断予定ライン５がシリコンウェハの端から端まで延在するから、シリコンウェハの端部においても改質領域は形成される。 （イ）一筆書きのように順に各切断予定ライン５に沿って集光用レンズ１０５が移動しながら、加工対象物の内部に改質領域が形成される。 主面の変位を予め取得する周知の技術的事項１を適用した甲１発明においては、レーザ光Ｌの照射前に、全体制御部１２７が、予め取得した主面の変位の情報に基づいて集光用レンズ１０５と表面３との間隔を調整しながら保持する構成となり、また、加工対象物の端部のベベル部分や研磨ダレ部分が存在する箇所では、これに周知の技術的事項２を適用し、レンズを保持して加工する。したがって、甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することによって、本件発明の構成に至る。（請求人上申書１の２．（１６－２３ページ））。 イ 主張に対する検討 甲第１号証には、集光点を固定位置として設定して加工を行うことが記載されるのみであり、レーザ加工中において、加工対象物の厚さ方向における改質領域の位置を調整することについては一切の記載も示唆もないところ、レーザ加工中における位置調整の必要性を認識するとはいえないし、甲第３号証ないし甲第５号証から認められる周知の技術的事項１は、上記第５の３（４）のとおり、半導体ウェーハの表面をレーザ加工する際における焦点の位置を調節することについてのものであって、半導体ウェーハの表面以外の部位を加工する際の課題及び解決手段についてのものではない。 また、周知の技術的事項２は、対象物であるシリコンウェハを検査する際に合焦動作（オートフォーカス）を連続的に行うものである一方で、加工対象物に関するもの、すなわち、レーザ加工中に合焦動作を行うものではないから、当業者であっても、加工対象物の表面のレーザ加工に関する周知の技術的事項１と、加工に関係のない周知の技術的事項２とを同時に適用することを想起するとはいえない。 そうすると、上記第６の１（１）エ（イ）のとおり、甲第１号証にはウェーハの端部を含む全体に対して、連続的にオートフォーカス動作をする記載はないから、オートフォーカス機能のウェーハ端部における問題を認識することもないし、そのような問題認識は、甲１発明に周知の技術的事項１を適用することによって初めて認識し得るものである。 このことから、甲１発明に、周知の技術的事項２を参照しつつ、周知の技術的事項１を適用する動機があるということはなく、請求人の甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用する動機付けがあり、多段階の改変に当たらないとの主張は採用できない。 上記のとおり、甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することができないのであるから、請求人の甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することによって、本件発明の構成に至るとの主張も採用できない。 ３ 請求人の本件特許の出願時の認識 ア 請求人の主張 請求人は、被請求人の特許出願である特願２００２－３５５６５２号の当初明細書には、「加工対象物の厚さ方向の集光点の位置を加工対象物の表面の変位に応じて制御すること」が記載され、同出願の出願日は、平成１４年１２月６日であって、本件特許の出願日である平成１６年１月９日よりも１年以上前であるところ、同出願の発明者３名は本件特許の発明者と重複しているから、レーザ加工中に、加工対象物の厚さ方向における改質領域の位置を調整するために加工中にレンズの高さを変更する技術の必要性及び有用性は本件特許の出願日当時まで認識されていなかったわけではない旨を主張している（請求人上申書２）。 イ 主張に対する検討 本件発明が進歩性を欠如するものであるかは、本件特許の出願時点における公知技術に基づき判断されるべきものであるところ、同特願２００２－３５５６５２号（出願公開日：平成１６年７月８日）は、本件特許が出願された平成１６年１月９日の時点では出願公開されていなかったものであり、その明細書に「加工対象物の厚さ方向の集光点の位置を加工対象物の表面の変位に応じて制御すること」が記載され、発明者に重複があるとしても、本件発明が、甲１発明等に基づいて容易になし得たものという根拠にはならない。 ４ 甲第９号証による請求の理由の補正 請求人は、請求人陳述要領書において、甲第９号証による請求の理由の補正を行ったが、当該補正は許可しないとの補正許否の決定がされている（令和４年２月１日第１回口頭審理調書）。 第８ 結論 以上のとおりであるから、無効理由１によっては、本件発明に係る特許を無効とすることはできない。 また、請求人の主張及び証拠によっては、本件発明に係る特許を無効とすることはできない。 審判に関する費用については、特許法１６９条２項の規定で準用する民事訴訟法６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。 よって、結論のとおり審決する。