2021-015718

第２ 原査定の概要

１ 補正却下の決定

令和３年８月１３日付け補正却下の決定の理由は、令和３年２月３日提出の手続補正書でした特許請求の範囲についての補正は、限定的減縮を目的としたものであるが、補正後の請求項１－１５に係る発明は、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないというものである。

請求項１について下記引用文献７～８、請求項２について下記引用文献７～９、請求項１～２、１４について下記引用文献７～９、請求項３～５，８～９、１２～１３について下記引用文献２～３、７～９、請求項６～７について引用文献２～４、７～９、請求項１０～１１について下記引用文献１～５、７～９、請求項１５について下記引用文献１～９が引用された。

＜引用文献等一覧＞

１ 特開２００９－０８８５１１号公報

２ 特開２０１０－０６７８２７号公報

３ 特開２０１３－０３０８２０号公報

４ 特開２０１３－２５８１６８号公報

５ 特開昭６３－１６４２７０号公報

６ 特開２０１４－１１６４７２号公報

７ 特開２０１４－０６７９４８号公報

８ 特開２０１１－１０３３３５号公報

９ 国際公開第２０１４／０９８１４３号

２ 拒絶査定

令和３年８月１３日付け拒絶査定の理由（令和２年１１月３０日付け拒絶理由通知（最後））の要旨は、次のとおりのものである。

この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

上記１の引用文献等一覧に示される引用文献１～９が引用され、請求項１について引用文献７～８、請求項２について引用文献７～９が引用された。また、請求項１～２、１４について引用文献７～９、請求項３～５、８～９、１２～１３について引用文献２～３、７～９、請求項６～７について引用文献２～４、７～９、請求項１０～１１、請求項１５について引用文献１～９が引用された。

第３ 審判請求時の補正について

令和３年１１月１６日に審判請求と同時に提出された手続補正書により補正された請求項１についての補正事項は、令和２年６月２６日に提出された手続補正書により補正された補正前の請求項１の第１の画素画素が有する第１の電極と第２の画素が有する第１の電極との位置関係、及び、第２の画素が有する第１の電極同士の位置関係を限定するものであり、補正前後の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であり、特許請求の範囲を減縮するものといえるから、限定的減縮を目的とするものといえ、かつ、新規事項を追加するものとはいえない。

また、請求項２についての補正事項は、補正前の請求項２の第１の画素画素が有する第１の電極と第２の画素が有する第１の電極との位置関係を限定するものであるから、同様に限定的減縮を目的とするものといえ、かつ、新規事項を追加するものとはいえない。

加えて、下記第５、第６で検討して、その判断を示すとおり、これらの補正事項は独立特許要件を満たすものである。

したがって、審判請求時の補正は、特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものではない。

第４ 本願発明

本願の請求項１～１５に係る発明は、令和３年１１月１６日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。（以下、本願請求項１に係る発明を「本願発明」という。）

「 【請求項１】

二次元状に配列された複数の画素を有する光電変換素子であって、

前記複数の画素のそれぞれは、

第１の電極と、前記第１の電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記第１の電極とで挟むように設けられた第２の電極とを含む光電変換部と、前記光電変換部の上に配置されたマイクロレンズと、前記光電変換部の上に配置されたカラーフィルタと、を備え、

続きを表示（全48行）

前記複数の画素は、複数の第１の画素と、複数の第２の画素を含み、

平面視において、前記複数の第２の画素が有する前記第１の電極は、前記複数の第１の画素が有する前記第１の電極よりも小さく、

前記複数の第１の画素が有する前記第１の電極と、前記複数の第２の画素が有する前記第１の電極は、同じ高さの配線層に設けられており、

前記複数の第２の画素のうち、一方の前記第２の画素が有する前記第１の電極は、平面視において、前記一方の前記第２の画素の中心に対して、第１の方向に偏在し、かつ、前記複数の第２の画素のうち、他方の前記第２の画素が有する前記第１の電極は、平面視において、前記他方の前記第２の画素の中心に対して、前記第１の方向とは逆の方向である第２の方向に偏在することにより、前記一方の前記第２の画素と前記他方の前記第２の画素は位相差検出用の画素として構成され、

前記複数の第２の画素に設けられている前記カラーフィルタは、緑色または透明フィルタであることを特徴とする光電変換素子。

【請求項２】

二次元状に配列された複数の画素を有する光電変換素子であって、

前記複数の画素のそれぞれは、

第１の電極と、前記第１の電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記第１の電極とで挟むように設けられた第２の電極とを含む光電変換部と、前記光電変換部の上に配置されたマイクロレンズと、前記光電変換部の上に配置されたカラーフィルタと、を備え、

前記複数の画素は、複数の第１の画素と、複数の第２の画素を含み、

平面視において、前記複数の第２の画素が有する前記第１の電極は、前記複数の第１の画素が有する前記第１の電極よりも小さく、

前記複数の第１の画素が有する前記第１の電極と、前記複数の第２の画素が有する前記第１の電極は、同じ高さの配線層に設けられており、

前記複数の第２の画素のうち、一方の前記第２の画素が有する前記第１の電極は、平面視において、前記一方の前記第２の画素の中心に対して、第１の方向に偏在し、かつ、前記複数の第２の画素のうち、他方の前記第２の画素が有する前記第１の電極は、平面視において、前記他方の前記第２の画素の中心に対して、前記第１の方向とは逆の方向である第２の方向に偏在することにより、前記一方の前記第２の画素と前記他方の前記第２の画素は位相差検出用の画素として構成され、

前記一方の前記第２の画素と、前記他方の前記第２の画素は、平面視において、前記第１の方向および前記第２の方向と交差する第３の方向において、隣り合って配されていることを特徴とする光電変換素子。

【請求項３】

前記複数の画素のそれぞれは、増幅トランジスタと、容量と、を備え、前記容量の一方のノードは、前記増幅トランジスタの制御ノードと電気的に接続されており、前記容量の他方のノードは、所定の電圧が印加されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換素子。

【請求項４】

前記複数の画素のうちの隣接する２個の画素の前記光電変換層を分離する光電変換層分離部が設けられたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換素子。

【請求項５】

前記光電変換層分離部は、絶縁部材および遮光部材の少なくとも一方を含んでなることを特徴とする請求項４に記載の光電変換素子。

【請求項６】

前記複数の第２の画素の各々の光電変換層は、前記第１の画素の光電変換層よりも小さいことを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の光電変換素子。

【請求項７】

前記第２の画素の光電変換層と、前記第２の画素に隣接する画素の光電変換層との間に、遮光部材が設けられたことを特徴とする請求項６に記載の光電変換素子。

【請求項８】

前記複数の画素間に設けられた遮光膜を有することを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載の光電変換素子。

【請求項９】

前記遮光膜は、前記第２の電極と前記カラーフィルタとの間に設けられることを特徴とする請求項８に記載の光電変換素子。

【請求項１０】

前記光電変換層は、イントリンシックな水素化アモルファスシリコン、化合物半導体および有機半導体のいずれかからなることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の光電変換素子。

【請求項１１】

前記複数の画素の各々は、信号読み出し回路をさらに有し、

前記信号読み出し回路は、画素内アンプを備え、

前記第１の電極が前記画素内アンプの入力部に接続されたことを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載の光電変換素子。

【請求項１２】

平面視において、前記遮光膜は、前記複数の第２の画素の前記第１の電極と重複しないことを特徴とする請求項８または９に記載の光電変換装置。

【請求項１３】

平面視において、前記遮光膜は、前記第１の画素の前記第１の電極と重複しないことを特徴とする請求項８または９、あるいは、請求項１２のいずれかに記載の光電変換装置。

【請求項１４】

前記一方の前記第２の画素が有する前記カラーフィルタと、前記他方の前記第２の画素が有する前記カラーフィルタは、緑色フィルタであることを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。

【請求項１５】

請求項１～１４のいずれか１項に記載の光電変換素子と、

前記複数の画素に像を形成する光学系と、

前記光電変換素子から出力された信号を処理して画像データを生成する映像信号処理部と、を備えたことを特徴とする撮像システム。」

第５ 請求項１に係る発明について

１ 主引用例（引用文献７）の記載と引用発明

（１） 引用文献７の記載

引用文献７には図面とともに次の記載がある。（下線は引用箇所を示すために当審が付加した。以下同じ。）

「【０００３】

近年、有機材料を用いた、受光した光に応じて電荷を生成する有機光電変換層を備えた光電変換部を有する有機固体撮像素子が検討されている（特許文献１、２等）。

【０００４】

有機固体撮像素子は、信号読出し回路が形成された半導体基板上に形成された画素電極と、画素電極上に形成された有機光電変換層と、有機光電変換層上に形成された対向電極（上部電極）と、この対向電極上に形成され、この対向電極を保護する保護膜と、カラーフィルタ等とで構成される。

続きを表示（全57行）

【０００５】

このような固体撮像素子においては、画素電極と対向電極との間にバイアス電圧を印加することで、有機光電変換層内で発生した励起子が電子と正孔に解離して、バイアス電圧に従って画素電極に移動した電子又は正孔の電荷に応じた信号が、ＣＣＤ型やＣＭＯＳ型の信号読出し回路で取得される。

【０００６】

さて、一方、デジタルカメラ等の撮像装置において焦点検出機能を備えることが提案されており、焦点検出機能の１つとして、瞳分割位相差検出方式が知られている（例えば、特許文献３）。

特許文献３に記載の瞳分割位相差検出方式では、撮像用画素の配列の一部が焦点検出用に割り当てられており、撮像レンズの通過光束を瞳分割して一対の分割像を形成し、これらの分割像のパターンずれを検出することにより、撮像レンズのデフォーカス量を検出している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【０００７】

【特許文献１】特開２０１０－１７７６３２号公報

【特許文献２】特開２００７－０１２７９６号公報

【特許文献３】特開２００９－９９８１７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【０００８】

特許文献３は、Ｓｉ基板中に形成されたＳｉフォトダイオードを備えた撮像素子に関するものであり、有機光電変換素子を備えた撮像素子構成については検討されていない。

【０００９】

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、有機光電変換素子を備えた固体撮像素子であって、焦点位置検出機能を備えた固体撮像素子を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【００１０】

本発明の固体撮像素子は、基板上に二次元状に配列された複数の画素からなる撮像領域を有する固体撮像素子であって、

複数の画素のそれぞれは、基板上に形成された画素電極と、複数の画素に共通して設けられた有機光電変換層と、有機光電変換層上に複数の画素に共通して設けられた対向電極層とを含む有機光電変換素子およびその有機光電変換素子の光入射側に配置されたマイクロレンズを備え、

複数の画素のうち少なくとも１対の画素が、有機光電変換素子とマイクロレンズとの間に、入射光線の互いに対称な一部を遮る遮光膜を備えた位相差検出用画素であることを特徴とするものである。

・・・（中略）・・・

【発明の効果】

【００１９】

本発明の固体撮像素子は、基板上に二次元状に配列された複数の画素が有機光電変換素子を備え、複数の画素の一部に、有機光電変換素子とマイクロレンズとの間に、入射光線の互いに対称な一部を遮る遮光膜を備えた一対の位相差検出用画素を備えているので、焦点位置を検出することができる。

・・・（中略）・・・

【発明を実施するための形態】

【００２１】

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。

【００２２】

図１は本実施形態の固体撮像素子１の撮像領域２を模式的に示す平面図である。

本実施形態の固体撮像素子１は、図１に示すように複数の画素５が二次元状に配列されてなる撮像領域２を備えており、その撮像領域２の中央に一対の位相差検出用画素５Ａ、５Ｂが配置されている。一対の位相差検出用画素５Ａ、５Ｂは、撮像領域２中に複数配置されていてもよい。

【００２３】

図２は、固体撮像素子１の撮像領域２の一部の概略構成を示す断面模式図である。

図２に示すように、固体撮像素子１の撮像領域２は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に層間絶縁層９およびその絶縁層９中に配された配線層１１を介して、二次元状に配置された複数の画素電極（下部電極）１２と、複数の画素電極１２上に共通して形成された有機材料からなる有機光電変換層１４と、有機光電変換層１４上に形成された複数の画素電極に対向する対向電極層１６とを備えている。また、対向電極層１６の上には透明な保護膜１８が積層されており、この保護膜１８上に、互いに異なる複数色（本実施形態においてはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）のカラーフィルタ２１を備えたカラーフィルタ層ＣＦが設けられており、さら各カラーフィルタ上にはマイクロレンズ２２が備えられている。

【００２４】

１つの画素電極１２と該画素電極１２上の有機光電変換層１４および対向電極層１６により１つの光電変換素子１７が構成されている。

【００２５】

半導体基板１０の表層には、各光電変換素子１７において発生した電荷を蓄積する蓄積部および該蓄積部の信号電荷に応じた電圧を出力する出力回路を含む信号読出回路部８が備えられており、１つの画素５は、１つの光電変換素子１７、その下方の基板表層部に形成された信号読出回路部８、光電変換素子１７上に配置された保護膜１８、各色フィルタ２１およびマイクロレンズ２２を含んでなる。

【００２６】

そして、撮像領域２の中心に配置された１対の位相差（焦点位置）検出用画素５Ａ、５Ｂは、光電変換素子１７とマイクロレンズ２２との間、特に本実施形態では、保護膜１８とマイクロレンズ２２との間に入射光線の一部を遮光する遮光膜１９を備えている。遮光膜１９は、一方の位相差検出用画素５Ａと他方の位相差検出画素５Ｂとで対称配置となるようにそれぞれ設けられている。

・・・（中略）・・・

【００３２】

基板１０は、例えば、ガラス基板またはＳｉ等の半導体基板が用いられる。基板１０上には公知の絶縁材料からなる絶縁層９が形成されている。絶縁層９には、表面に複数の画素電極１２が２次元状に配列形成されている。

【００３３】

画素電極１２は、光電変換素子１７毎に区分された薄膜電極であり、たとえばＩＴＯやアルミニウムや窒化チタンなどのような透明または不透明な導電性材料から形成されるものである。画素電極１２は、光電変換層１４において発生した電荷を光電変換素子１７毎に捕集するものである。各光電変換素子１７の画素電極１２は、絶縁層９を貫通するように形成された導電性材料からなる接続部１３を介して信号読出回路部８に電気的に接続されている。

・・・（中略）・・・

【００５２】

カラーフィルタ２１は、保護膜１８上の各画素電極１２と対向する位置に形成されている。カラーフィルタ層ＣＦは、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて形成される。カラーフィルタ２１には、有機固体撮像素子に用いられる公知のものが用いられる。本実施形態では、Ｒ、Ｇ，Ｂ，Ｗの４色のカラーフィルタが所定のパターンで配置されており、位相差検出用画素５Ａ，５ＢはいずれもＷフィルタを備えている（図１参照）。

カラーフィルタ層ＣＦとしては、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のカラーフィルタから構成されているものを用いてもよい。その場合には、位相差検出用画素は、Ｇフィルタを備えたものとするのが好ましい。

【００５３】

以上のように本実施形態の固体撮像素子は、有機光電変換層を備えた撮像素子において、撮像領域２内に少なくとも１組の位相差検出用画素５Ａ、５Ｂを備えたものであり、この位相差検出用画素５Ａ、５Ｂを備えたことにより、焦点位置を検出することができる。」

「【図１】

［図：0001387312000001.jpg］

」

「【図２】

［図：0001387312000002.jpg］

」

（２） 引用発明

上記（１）の段落００１０、００２２～００２６、００３２、００５２の記載、及び、図２において、位相差検出用画素５Ａ，５Ｂと、それ以外の画素５の画素電極（下部電極）１２が、同じ高さの配線層に設けられていることが見てとれることによると、引用文献７には次の引用発明が記載されているといえる。

「基板１０上に二次元状に配列された複数の画素５，５Ａ，５Ｂからなる撮像領域２を有する固体撮像素子１であって、

複数の画素５，５Ａ，５Ｂのそれぞれは、基板上に形成された画素電極（下部電極）１２と、複数の画素に共通して設けられた有機光電変換層１４と、有機光電変換層１４上に複数の画素５，５Ａ，５Ｂに共通して設けられた対向電極層１６とを含む有機光電変換素子１７、およびその有機光電変換素子１７の光入射側に配置されたマイクロレンズ２２を備え、

複数の画素５，５Ａ，５Ｂのうち少なくとも１対の画素が、有機光電変換素子１７とマイクロレンズ２２との間に、入射光線の互いに対称な一部を遮る遮光膜１９を備えた位相差検出用画素５Ａ，５Ｂであって（段落００１０、及び段落００２２～００２６）、

１つの画素５は、１つの光電変換素子１７、その下方の基板表層部に形成された信号読出回路部８、光電変換素子１７上に配置された保護膜１８、各色フィルタ２１およびマイクロレンズ２２を含んでなり（段落００２５）、

位相差検出用画素５Ａ，５Ｂの画素電極（下部電極）１２と、それ以外の画素５の画素電極（下部電極）１２は、同じ高さの配線層に設けられ（図２）、

Ｒ、Ｇ，Ｂ，Ｗの４色のカラーフィルタが所定のパターンで配置されている実施形態では、位相差検出用画素５Ａ，５ＢはいずれもＷフィルタを備え、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のカラーフィルタから構成されているものを用いる場合には、位相差検出用画素５Ａ，５Ｂは、Ｇフィルタを備えたものとするのが好ましい（段落００５２）、

固体撮像素子１。」

２ 副引用発明

（１） 引用文献８

ア 引用文献８の記載

引用文献８には図面とともに次の記載がある。

「【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【０００１】

本発明は、撮像素子及び撮像装置に関する。

続きを表示（全49行）

【背景技術】

【０００２】

デジタルカメラ等の撮像装置において、オートフォーカス（ＡＦ）を行う方式として、コントラスト検出方式と瞳分割型位相差検出方式とが知られている。

【０００３】

コントラスト方式は、記録画像用の撮像素子を活用できるが、焦点をずらして複数枚撮像する必要があるため、ＡＦスピードが遅いという欠点がある。

【０００４】

一方で、瞳分割型位相差検出方式は、記録画像用のセンサとは別途に位相差検出用のセンサを設けるため、ＡＦスピードを高速化することができるが、装置の大型化や高コストの点で不利となる。

【０００５】

特許文献１は、撮像面に配置された複数の画素のうち一部、マイクロレンズに対するフォトダイオードの位置を偏らせることで位相差センサとして機能させるものである。

【０００６】

特許文献２は、半導体基板の表面に配列された複数の光電変換素子と、半導体基板の上方に赤外波長に感度を有する光電変換層と、光電変換層の上方に設けられたカラーフィルタ層とを備える撮像素子に関する。この撮像素子は、１回の撮像によってカラー画像データと赤外画像データとを得るものである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【０００７】

【特許文献１】特開２０００－１５６８２３号公報

【特許文献２】特開２００８－８５１６０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【０００８】

特許文献１のように、撮像面の一部の領域を位相差を検出するための領域として用いる場合には、別途、位相差センサを設ける必要がない。しかし、この場合には、記録画像の画角の一部でしかＡＦを行うことができない。また、この領域に相当する画素では記録画像としては適さないため、記録画像の画質が劣化することが考えられる。

特許文献２は、上方の光電変換層が赤外光に感度を有し、半導体基板に設けられた光電変換素子は、赤外光とは異なる波長の光を光電変換するものである。

従来、入射光のうち同一の波長の光を用いて、記録画像用の信号電荷と位相差ＡＦ用の信号電荷を生成するものはなかった。

【０００９】

本発明は、記録画像の撮像と位相差の検出を同時に行うことができ、記録画像の全体に対してＡＦを行うことができ、記録画像の劣化を防止できる撮像素子及び撮像装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【００１０】

本発明は、２次元状に配置された複数の画素を有し、各画素が入射光を光電変換して信号電荷を生成する撮像素子であって、

前記画素が、前記入射光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズと該マイクロレンズの焦点との間に設けられた第１の光電変換部と、前記マイクロレンズの焦点と重なる位置に設けられ、かつ、前記マイクロレンズの光軸に対して偏った方向に光電変換領域を有する第２の光電変換部と、前記信号電荷を読み出す信号読出部と、を有し、

前記複数の画素は、前記第２の光電変換部の光電変換領域が前記光軸に対して所定の方向に偏る第１画素群と、前記第２の光電変換部の光電変換領域が前記光軸に対して前記第１画素群の反対側に偏る第２画素群とを含む撮像素子である。

・・・（中略）・・・

【発明の効果】

【００１５】

本発明によれば、記録画像の撮像と位相差の検出を同時に行うことができ、記録画像の全体に対してＡＦを行うことができ、記録画像の劣化を防止できる撮像素子及び撮像装置を提供できる。

・・・（中略）・・・

【００６７】

図９は、撮像素子の他の例を示す断面図である。この撮像素子の構成は、図８の撮像素子の構成と基本的に同じである。

各画素は、２つの画素電極３１ａ，３１ｂを有している。画素電極３１ａ，３１ｂ上には、単一の層である光電変換膜３２と対向電極３４とがこの順に設けられている。対向電極３４の上には絶縁膜６が形成されている。なお、絶縁膜６に設けられる画素電極１１や、絶縁膜６上に設けられる光電変換膜１２、対向電極１４、保護層１６、カラーフィルタ１８、マイクロレンズ２４の構成は、上述した撮像素子の構成と同じである。絶縁膜６内に設けられる遮光膜７は、画素電極３１ａ，３１ｂそれぞれの上方に対応する位置が開口するように形成されている。

【００６８】

光電変換膜３２は、対向電極３４と画素電極３１ａとの間と、対向電極３４と画素電極３１ｂとの間のそれぞれに光電変換領域（それぞれＳ２１，Ｓ２２とする。）が形成される。絶縁膜６内に設けられる遮光膜７は、これら光電変換領域を除く領域を覆うように設けられている。

【００６９】

半導体基板のｐウェル層２には、画素電極１１とコンタクト部８によって電気的に接続された不純物拡散領域４と、信号読出部５とが設けられている。また、ｐウェル層２には、画素電極３１ａとコンタクト部３８ａによって電気的に接続された不純物拡散領域３３ａと、画素電極３１ｂとコンタクト部３８ｂによって電気的に接続された不純物拡散領域３３ｂと、が形成されている。信号読出部５は、不純物拡散領域４、３３ａ、３３ｂに対して１つずつ設けられている。

【００７０】

光電変換膜３２における、画素電極３１ａ上の光電変換領域と画素電極３１ｂ上の光電変換領域の位置関係は、図７に示すフォトダイオード３ａ，３ｂの各光電変換領域Ｓ２１，２２と同様である。すなわち、それぞれの光電変換領域の大きさはほぼ等しく、マイクロレンズ２４の光軸Ｃに対称となるようにそれぞれ異なる方向に偏っている。複数の画素は、それぞれの光電変換領域が光軸Ｃに対称となるように、それぞれ水平方向ｘ又は垂直方向ｙに偏って配置されている。

【００７１】

複数の画素間で、光電変換膜３２のそれぞれの光電変換領域が光軸中心に対称となるように偏る配置とすれば、より正確に位相差のＡＦ検出を行うことができる。このような配置は、画素のサイズが大きく、各画素で一つのマイクロレンズに対して複数の光電変換領域を形成できる場合に適している。」

「【図９】

［図：0001387312000003.jpg］

」

イ 引用文献８記載の発明（引用発明８）

上記アの段落０００８，００１０，００１５，００５７、００７０の記載によると、引用文献８には次の発明（以下「引用発明８」という。）が記載されているといえる。

「撮像面の一部の領域を位相差を検出するための領域として用いる場合に、記録画像の画角の一部でしかＡＦを行うことができず、また、この領域に相当する画素では記録画像としては適さないため、記録画像の画質が劣化する（段落０００８）との課題について、記録画像の全体に対してＡＦを行うことができ、記録画像の劣化を防止できる撮像素子及び撮像装置を提供できる（段落００１５）との効果を得る発明であり、

２次元状に配置された複数の画素を有し、各画素が入射光を光電変換して信号電荷を生成する撮像素子であって、

前記画素が、前記入射光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズと該マイクロレンズの焦点との間に設けられた第１の光電変換部と、前記マイクロレンズの焦点と重なる位置に設けられ、かつ、前記マイクロレンズの光軸に対して偏った方向に光電変換領域を有する第２の光電変換部と、前記信号電荷を読み出す信号読出部と、を有し、

前記複数の画素は、前記第２の光電変換部の光電変換領域が前記光軸に対して所定の方向に偏る第１画素群と、前記第２の光電変換部の光電変換領域が前記光軸に対して前記第１画素群の反対側に偏る第２画素群とを含む撮像素子（段落００１０）であって、

各画素は、２つの画素電極３１ａ，３１ｂを有し（段落００５７）、

光電変換膜３２における、画素電極３１ａ上の光電変換領域と画素電極３１ｂ上の光電変換領域の位置関係は、それぞれの光電変換領域の大きさはほぼ等しく、マイクロレンズ２４の光軸Ｃに対称となるようにそれぞれ異なる方向に偏っている（段落００７０）

撮像素子。」

（２） 引用文献１０

ア 引用文献１０の記載

令和４年１月２７日付け前置報告書で引用文献１０として引用された特開２０１３－１４５２９２号公報には図面とともに次の記載がある。

「【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【０００１】

本発明は、固体撮像装置および電子カメラに関する。

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【背景技術】

【０００２】

従来、電子カメラで高速ＡＦ（オートフォーカス）を実現する技術として位相差ＡＦ方式が知られている。位相差ＡＦ方式は専用の焦点検出用画素を必要とし、例えば１つの撮像素子の撮像用画素の一部に焦点検出用画素を配置する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、画像用撮像素子とは別に配置された専用の焦点検出用撮像素子を用いる技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。一方、２つの光電変換素子を積層配置する技術が知られている（例えば、特許文献３参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【０００３】

【特許文献１】特開２００７－２８２１０９号公報

【特許文献２】特開２００７－０１１０７０号公報

【特許文献３】特開２００９－１３０２３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【０００４】

ところが、撮像素子の画像用画素の一部に焦点検出用画素を配置する場合、縦スジや横スジの偽信号が発生しやすくなり、高度な画素補間処理が必要になるという問題があった。また、専用の焦点検出用撮像素子を用いる場合、入射光を画像用撮像素子と焦点検出用撮像素子とに分割するための複雑な光学系が必要になるという問題があった。さらに、積層配置する技術では画像撮影に特化したもので、焦点検出や効率的な色配列などについては考えられていなかった。

【０００５】

本発明の目的は、高度な画素補間処理や複雑な光学系を用いることなく、位相差ＡＦ方式を実現できる固体撮像装置および電子カメラを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【０００６】

本発明に係る固体撮像装置は、特定光を透過する有機光電膜で構成される第１撮像素子と、前記第１撮像素子と同一の半導体基板上に積層配置され、前記第１撮像素子を透過した特定光を受光する第２撮像素子とを有し、前記第１撮像素子または前記第２撮像素子に焦点検出用画素を設けたことを特徴とする。

・・・（中略）・・・

【発明の効果】

【００１３】

本発明に係る固体撮像装置および電子カメラは、高度な画素補間処理や複雑な光学系を用いることなく、位相差ＡＦ方式を実現できる。

・・・（中略）・・・

【発明を実施するための形態】

【００１５】

以下、本発明に係る固体撮像装置および電子カメラの実施形態について図面を用いて詳しく説明する。

【００１６】

図１は、本実施形態に係る固体撮像素子１０１の概要を示す図である。図１において、固体撮像素子１０１は、通常の固体撮像素子と同様にフォトダイオードにより光電変換を行う第一撮像素子１０２と、第一撮像素子１０２の入射光側の同一光路上に配置された第二撮像素子１０３とを有する。第二撮像素子１０３は、特定光を透過し、非透過光を光電変換する有機光電膜により構成され、第二撮像素子１０３を透過した特定光は第一撮像素子１０２で受光される。ここで、第一撮像素子１０２と第二撮像素子１０３は同一の半導体基板上に形成され、各画素位置は一対一に対応する。例えば第一撮像素子１０２の１行１列目の画素は、第二撮像素子１０３の１行１列目の画素に対応する。

【００１７】

図２（ａ）は、第二撮像素子１０３の画素配列の一例を示す図である。図２（ａ）において、水平方向をｘ軸、垂直方向をｙ軸とし、画素Ｐの座標をＰ（ｘ，ｙ）と表記する。図２（ａ）の第二撮像素子１０３の例では、奇数行の各画素にＭｇ（マジェンタ）とＹｅ（イエロー）の光を光電変換する有機光電膜を交互に配置し、偶数行の各画素にＣｙ（シアン）とＭｇ（マジェンタ）の光を光電変換する有機光電膜を交互に配置している。そして、各画素で受光されない光は透過される。例えば画素Ｐ（１，１）はＭｇの光を光電変換してＭｇの補色（Ｇ：グリーン）の光を透過する。同様に、画素Ｐ（２，１）はＹｅの光を光電変換してＹｅの補色（Ｂ：ブルー）の光を透過し、画素Ｐ（１，２）はＣｙの光を光電変換してＣｙの補色（Ｒ：レッド）の光を透過する。尚、後で詳しく説明するが、第二撮像素子１０３の各画素は、位相差ＡＦ方式に対応するペアとなる焦点検出用画素で構成される。

・・・（中略）・・・

【００２１】

また、本実施形態に係る固体撮像素子１０１では、第一撮像素子１０２に画像用画素を配置し、第二撮像素子１０３に焦点検出用画素を全面に均等に配置しているので、画像用画素の一部に焦点検出用画素を配置する従来技術のように複雑な画素補間処理を行う必要がなく、第二撮像素子１０３からは焦点検出用信号、第一撮像素子１０２からはカラー画像信号をそれぞれ独立して得ることができる。

・・・（中略）・・・

【００３０】

図７（ａ）は、固体撮像素子１０１の半導体レイアウトの一例である。尚、図７（ａ）は、先に説明した図２および図４の各画素Ｐ（１，１）から画素Ｐ（２，２）に対応する。

【００３１】

図７（ｂ）は、図７（ａ）の画素Ｐ（１，１）および画素（２，１）を水平方向に切断線Ａ－Ｂで切断したときの断面図である。また、図８（ａ）は、切断線Ａ－Ｂの画素位置がわかり易いように描いた図で、図４の受光部ＰＣ＿Ａ（１，１）および受光部Ｐ＿Ａ（２，１）の部分を切断する。図８（ｂ）は、図７（ｂ）を拡大した図で、第一撮像素子１０２および第二撮像素子１０３の同じ位置の画素Ｐ（１，１）は、同一のマイクロレンズＭＬ（１，１）から入射する被写体光を受光する。ここで、図８（ｂ）において、配線層３０１は３層構造になっているが２層構造であってもよい。そして、第二撮像素子１０３の出力信号は、配線層３０１を介して信号出力端３０２から取り出される。尚、信号出力端３０２の両側は分離層３０３，３０４が配置されている。また、分離層３０３，３０４を隔ててフォトダイオードＰＤ（１，１）およびＰＤ（２，１）が配置されている。

【００３２】

図７（ｃ）は、図７（ａ）の画素Ｐ（２，１）および画素（２，２）を垂直方向に切断線Ｃ－Ｄで切断したときの断面図である。また、図９（ａ）は、切断線Ｃ－Ｄの画素位置がわかり易いように描いた図で、図４の受光部ＰＣ＿Ａ（２，１），ＰＣ＿Ｂ（２，１），ＰＣ＿Ａ（２，２）およびＰＣ＿Ｂ（２，２）の部分を切断する。図９（ｂ）は、図７（ｃ）を拡大した図で、第一撮像素子１０２および第二撮像素子１０３の同じ位置の画素Ｐ（２，１）および画素Ｐ（２，２）は、同一のマイクロレンズＭＬ（２，１）およびＭＬ（２，２）から入射する被写体光をそれぞれ受光する。ここで、図８（ｂ）と異なる部分は、第二撮像素子１０３の画素Ｐ（２，１）は、受光部ＰＣ＿Ａ（２，１）と受光部ＰＣ＿Ｂ（２，１）とに分割され、画素Ｐ（２，２）は、受光部ＰＣ＿Ａ（２，２）と受光部ＰＣ＿Ｂ（２，２）とに分割されていることである。そして、受光部ＰＣ＿Ａ（２，１）と受光部ＰＣ＿Ｂ（２，１）はペアとなる光学系の瞳位置の像をそれぞれ受光し、位相差ＡＦ方式による焦点検出を行うことができる。同様に、受光部ＰＣ＿Ａ（２，２）と受光部ＰＣ＿Ｂ（２，２）はペアとなる光学系の瞳位置の像をそれぞれ受光する。尚、位相差ＡＦ方式については周知の技術なので詳細な説明は省略する。

【００３３】

ここで、図９（ｂ）において、図８（ｂ）の配線層３０１は、配線層３０１Ａと配線層３０１Ｂとを有し、配線層３０１Ａは有機光電膜の受光部ＰＣ＿Ａ（２，１）の信号を信号出力端３０５Ａに出力し、配線層３０１Ｂは有機光電膜の受光部ＰＣ＿Ｂ（２，１）の信号を信号出力端３０５Ｂに出力する。図８（ｂ）の配線層３０１では、配線層３０１Ａと配線層３０１Ｂとが重なっているため１つしか見えていない。同様に、画素Ｐ（２，２）の有機光電膜の受光部ＰＣ＿Ａ（２，２）の信号は信号出力端３０６Ａに出力され、受光部ＰＣ＿Ｂ（２，２）の信号は信号出力端３０６Ｂに出力される。そして、読み出し回路３０７には、出力トランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタなどの読み出し回路が配置され、固体撮像素子１０１から外部に各画素の信号が出力される。

・・・（中略）・・・

【００３６】

以上説明したように、本実施形態に係る固体撮像素子１０１は、従来のフォトダイオードによる光電変換を行う第一撮像素子１０２と、有機光電膜による光電変換を行う第二撮像素子１０３とを有し、第一撮像素子１０２から画像用信号を取得し、第二撮像素子１０３から位相差ＡＦ方式に対応する焦点検出用信号を取得することができる。

【００３７】

これにより、固体撮像素子１０１は、従来のように画像用画素の一部に焦点検出用画素を配置する必要がなく、縦スジや横スジの偽信号による画質の劣化や高度な画素補間処理が不要になる。また、画像用の第一撮像素子１０２と焦点検出用の第二撮像素子１０３とを同じマイクロレンズの入射光を用いるように積層して配置するので、従来のように入射光を画像用撮像素子と焦点検出用撮像素子とに分割するための複雑な光学系が不要になる。特に、本実施形態に係る固体撮像素子１０１は、第一撮像素子１０２と第二撮像素子１０３の２つの撮像素子を用いながら、プリズムやミラーなどの光学装置を必要としないため、カメラを構成する場合の光学系の配置や設計が容易である。また、プリズムやミラー等を用いる２板式撮像装置では、２枚の撮像素子までの光路長の調整などが必須であったが、本実施形態に係る固体撮像素子１０１では光路が１つであるため、調整が不要である。

【００３８】

さらに、第二撮像素子１０３と第一撮像素子１０２とは互いに補色関係にある色成分を検出し、第二撮像素子１０３の有機光電膜を第一撮像素子１０２のカラーフィルタとして兼用することができ、入射光を無駄にすることなく効率良く活用することができる。

【００３９】

このように、本実施形態に係る固体撮像素子１０１は、高度な画素補間処理や複雑な光学系を用いることなく、高速動作が可能な位相差ＡＦ方式を実現できる。

【００４０】

尚、上記の例では、図１１（ａ）に示すように、位相差ＡＦ方式に対応するペアとなる受光部ＰＣ＿Ａ（ｘ，ｙ）およびＰＣ＿Ｂ（ｘ，ｙ）を第二撮像素子１０３の各画素Ｐ（ｘ，ｙ）に配置するようにしたが、別の方法として図１１（ｂ）に示すように、受光部ＰＣ＿Ａ（ｘ，ｙ）または受光部ＰＣ＿Ｂ（ｘ，ｙ）を片側だけを１つの画素Ｐ（ｘ，ｙ）に配置するようにしてもよい。或いは、図１１（ｃ）に示すように、瞳分割方向が縦方向、横方向、斜め方向など様々な方向の焦点検出用画素が混在するようにしてもよい。いずれの場合であっても、本実施形態に係る固体撮像素子１０１は、画像用信号を第一撮像素子１０２で撮像し、焦点検出用信号を第二撮像素子１０３で取得するので、撮影画像の画質に影響することなく、撮影画面内のどの位置でも高速な位相差ＡＦによるフォーカス検出を行うことができる。」

「【図９】

［図：0001387312000004.jpg］

」

「【図１１】

［図：0001387312000005.jpg］

」

イ 引用文献１０記載の発明

上記アの段落０００６、００１３、００３７、００３９、００４０の記載、及び、段落００３２、００３３を踏まえた図９において、第二撮像素子１０３の有機光電膜に、配線層３０１Ａ及び配線層３０１Ｂにそれぞれ接続される２つ電極を設けることにより、一つの画素Ｐ（２，１）を、ペアとなる光学系の瞳位置の像をそれぞれ受光し、位相差ＡＦ方式による焦点検出を行う受光部ＰＣ＿Ａ（２，１）と受光部ＰＣ＿Ｂ（２，１）とに分割する事項が見てとれることによると引用文献１０には次の発明（以下「引用発明１０」という。）が記載されているといえる。

「撮像素子の画像用画素の一部に焦点検出用画素を配置する場合、縦スジや横スジの偽信号が発生しやすくなり、高度な画素補間処理が必要になり、また、専用の焦点検出用撮像素子を用いる場合、入射光を画像用撮像素子と焦点検出用撮像素子とに分割するための複雑な光学系が必要になるという課題（段落０００４）に対して、従来のように画像用画素の一部に焦点検出用画素を配置する必要がなく、縦スジや横スジの偽信号による画質の劣化や高度な画素補間処理を不要とし、高度な画素補間処理や複雑な光学系を用いることなく、高速動作が可能な位相差ＡＦ方式を実現できる（段落００３７，００３９）発明であり、

特定光を透過する有機光電膜で構成される第１撮像素子と、前記第１撮像素子と同一の半導体基板上に積層配置され、前記第１撮像素子を透過した特定光を受光する第２撮像素子とを有し、前記第１撮像素子または前記第２撮像素子に焦点検出用画素を設けた固体撮像装置（段落０００６）であって、

第二撮像素子１０３の有機光電膜に、配線層３０１Ａ及び配線層３０１Ｂにそれぞれ接続される２つ電極を設けることにより、一つの画素Ｐ（２，１）を、ペアとなる光学系の瞳位置の像をそれぞれ受光し、位相差ＡＦ方式による焦点検出を行う受光部ＰＣ＿Ａ（２，１）と受光部ＰＣ＿Ｂ（２，１）とに分割し、

図１１（ｂ）に示すように、受光部ＰＣ＿Ａ（ｘ，ｙ）または受光部ＰＣ＿Ｂ（ｘ，ｙ）を片側だけを１つの画素Ｐ（ｘ，ｙ）に配置する固体撮像装置（段落００４０）。」

３ 対比

本願発明と引用発明とを対比する。

（１） 「基板１０上に二次元状に配列された複数の画素５，５Ａ，５Ｂからなる撮像領域２を有する固体撮像素子１」の発明である引用発明は、「二次元状に配列された複数の画素を有する光電変換素子」に係る発明といえる点で本願発明と共通する。

（２） 引用発明の有機光電変換素子１７が含む「基板上に形成された画素電極（下部電極）１２」「複数の画素に共通して設けられた有機光電変換層１４」「有機光電変換層上に複数の画素５，５Ａ，５Ｂに共通して設けられた対向電極層１６」は、本願発明の光電変換部が含む「第１の電極」「前記第１の電極の上に設けられた光電変換層」「前記光電変換層を前記第１の電極とで挟むように設けられた第２の電極」にそれぞれ相当する。

そうすると、「複数の画素５，５Ａ，５Ｂのそれぞれは、基板上に形成された画素電極（下部電極）１２と、複数の画素に共通して設けられた有機光電変換層１４と、有機光電変換層１４上に複数の画素５，５Ａ，５Ｂに共通して設けられた対向電極層１６とを含む有機光電変換素子１７・・・を備え」る引用発明は、「前記複数の画素のそれぞれは、第１の電極と、前記第１の電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記第１の電極とで挟むように設けられた第２の電極とを含む光電変換部」を備えるといえる点で本願発明と一致する。

（３） 「複数の画素５，５Ａ，５Ｂのそれぞれは、・・・有機光電変換素子１７の光入射側に配置されたマイクロレンズ２２を備え」る引用発明は、「前記複数の画素のそれぞれは、 ・・・前記光電変換部の上に配置されたマイクロレンズ」を備えるといえる点で本願発明と一致する。

（４） 「１つの画素５は、１つの光電変換素子１７、・・・光電変換素子１７上に配置された・・・各色フィルタ２１・・・を含んでな」り、また、「Ｒ、Ｇ，Ｂ，Ｗの４色のカラーフィルタが所定のパターンで配置されている実施形態では、位相差検出用画素５Ａ，５ＢはいずれもＷフィルタを備え、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のカラーフィルタから構成されているものを用いる場合には、位相差検出用画素５Ａ，５Ｂは、Ｇフィルタを備えたものとするのが好ましい」引用発明は、「前記複数の画素のそれぞれは、・・・前記光電変換部の上に配置されたカラーフィルタ」を備えるといえる点で本願発明と一致する。

（５） 「複数の画素５，５Ａ，５Ｂのうち少なくとも１対の画素が、・・・位相差検出用画素５Ａ、５Ｂであ」る引用発明は、「前記複数の画素は、複数の第１の画素と、複数の第２の画素を含み」といえ、かつ「前記第２の画素は位相差検出用の画素として構成され」るといえる点で本願発明と一致する。

（６） 「位相差検出用画素５Ａ，５Ｂの画素電極（下部電極）１２と、それ以外の画素５の画素電極（下部電極）１２は、同じ高さの配線層に設けられ」る引用発明は、「前記複数の第１の画素が有する前記第１の電極と、前記複数の第２の画素が有する前記第１の電極は、同じ高さの配線層に設けられており、」といえる点で本願発明と一致する。

（７） 撮像素子におけるＷのカラーフィルタが透明フィルタといえることを踏まえると、「Ｒ、Ｇ，Ｂ，Ｗの４色のカラーフィルタが所定のパターンで配置されている実施形態では、位相差検出用画素５Ａ，５ＢはいずれもＷフィルタを備え、Ｒ，Ｇ，Ｂの３色のカラーフィルタから構成されているものを用いる場合には、位相差検出用画素５Ａ，５Ｂは、Ｇフィルタを備えたものとするのが好ましい」引用発明は、「前記複数の第２の画素に設けられている前記カラーフィルタは、緑色または透明フィルタである」といえる点で本願発明と一致する。

４ 一致点及び相違点

上記３を踏まえると、本願発明と引用発明とは次の点で一致し、相違する。

（１） 一致点

「二次元状に配列された複数の画素を有する光電変換素子であって、

前記複数の画素のそれぞれは、

第１の電極と、前記第１の電極の上に設けられた光電変換層と、前記光電変換層を前記第１の電極とで挟むように設けられた第２の電極とを含む光電変換部と、前記光電変換部の上に配置されたマイクロレンズと、前記光電変換部の上に配置されたカラーフィルタと、を備え、

前記複数の画素は、複数の第１の画素と、複数の第２の画素を含み、

前記複数の第１の画素が有する前記第１の電極と、前記複数の第２の画素が有する前記第１の電極は、同じ高さの配線層に設けられており、

前記第２の画素は位相差検出用の画素として構成され、

前記複数の第２の画素に設けられている前記カラーフィルタは、緑色または透明フィルタである光電変換素子。」

（２） 相違点

本願発明が、「平面視において、前記複数の第２の画素が有する前記第１の電極は、前記複数の第１の画素が有する前記第１の電極よりも小さく、」かつ「前記複数の第２の画素のうち、一方の前記第２の画素が有する前記第１の電極は、平面視において、前記一方の前記第２の画素の中心に対して、第１の方向に偏在し、かつ、前記複数の第２の画素のうち、他方の前記第２の画素が有する前記第１の電極は、平面視において、前記他方の前記第２の画素の中心に対して、前記第１の方向とは逆の方向である第２の方向に偏在することにより、前記一方の前記第２の画素と前記他方の前記第２の画素は位相差検出用の画素として構成され」る点を特定しているのに対して、引用発明では、位相差検出用画素５Ａ，５Ｂの画素電極（下部電極）１２と、それ以外の画素５の画素電極（下部電極）１２の平面視における大小関係が特定されておらず、かつ、平面視において、位相差検出用画素５Ａ，５Ｂの画素電極（下部電極）１２が互いに逆の方向に偏在することが特定されていない点。

５ 相違点の容易想到性の検討

（１） 引用発明８を副引用発明とした場合

引用発明８は、引用発明と同じ「撮像面の一部の領域を位相差を検出するための領域として用い」た瞳分割型位相差検出方式によりオートフォーカス（ＡＦ）を行う場合の課題を解決する発明であるから、技術分野や作用機能が共通する引用発明に引用発明８を適用する動機付けはあるといえる。

ア しかしながら、引用発明８は、撮像面の一部の領域を位相差を検出するための領域として用いる場合の課題について、記録画像の全体に対してＡＦを行うことにより解決するものであるから、引用発明に引用発明８を適用した場合、一致点であった、二次元状に配列された複数の画素が、複数の第１の画素と、複数の第２の画素を含み、前記第２の画素は位相差検出用の画素として構成される点が新たな相違点となる。

そして、この新たな相違点が容易想到といえる根拠はない。

イ また、本願原出願日において、当業者は、引用発明の遮光膜１９を含めた位相差検出用画素５Ａ、５Ｂの構成自体に起因する課題を認識していたとはいえないから、引用発明８の「各画素は、２つの画素電極３１ａ，３１ｂを有し、光電変換膜３２における、画素電極３１ａ上の光電変換領域と画素電極３１ｂ上の光電変換領域の位置関係は、それぞれの光電変換領域の大きさはほぼ等しく、マイクロレンズ２４の光軸Ｃに対称となるようにそれぞれ異なる方向に偏っている」という第２の光電変換部の各画素の構成のみを抽出して引用発明の位相差検出用画素５Ａ、５Ｂの画素電極（下部電極）１２の構成として採用する動機付けがあったとはいえない。

ウ 以上のとおり、本願発明は、引用文献７及び引用文献８に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものとはいえない。

加えて、原査定の理由として引用した他の引用文献に記載された事項に基づいても相違点に係る構成は容易想到とはいえない。

（２） 引用発明１０を副引用発明とした場合

令和４年１月２７日付け前置報告書で引用された引用文献１０を副引用例とした場合を検討する。

上記（１）と同様に、引用発明１０は、引用発明と同じ「撮像素子の画像用画素の一部に焦点検出用画素を配置」した位相差ＡＦ方式の課題を解決する発明であるから、技術分野や作用機能が共通する引用発明に引用発明１０を適用する動機付けはあるといえる。

ア しかしながら、引用発明１０は、撮像素子の画像用画素の一部に焦点検出用画素を配置する場合の課題を、「画像用画素の一部に焦点検出用画素を配置する必要」なく解決する発明であり、「特定光を透過する有機光電膜で構成される第１撮像素子と、前記第１撮像素子と同一の半導体基板上に積層配置され、前記第１撮像素子を透過した特定光を受光する第２撮像素子とを有し、前記第１撮像素子または前記第２撮像素子に焦点検出用画素を設けた固体撮像装置」において、第１撮像素子と第２撮像素子とは同じ二次元平面上に配置されないから、引用発明に引用発明１０を適用した場合、上記（１）アと同様に、一致点であった、二次元状に配列された複数の画素が、複数の第１の画素と、複数の第２の画素を含み、前記第２の画素は位相差検出用の画素として構成される点が新たな相違点となる。

そして、当該新たな相違点が容易想到といえる根拠はない。

イ また、上記（１）イと同様に、本願原出願日において、当業者は、引用発明の遮光膜１９を含めた位相差検出用画素５Ａ、５Ｂの構成自体に起因する課題を認識していたとはいえないから、引用発明１０の「第二撮像素子１０３の有機光電膜に、配線層３０１Ａ及び配線層３０１Ｂにそれぞれ接続される２つ電極を設けることにより、一つの画素Ｐ（２，１）を、ペアとなる光学系の瞳位置の像をそれぞれ受光し、位相差ＡＦ方式による焦点検出を行う受光部ＰＣ＿Ａ（２，１）と受光部ＰＣ＿Ｂ（２，１）とに分割する」焦点検出用画素の構成のみを抽出し、引用発明の位相差検出用画素５Ａ、５Ｂの画素電極（下部電極）１２の構成として採用する動機付けがあったとはいえない。

ウ 以上のとおり、本願発明は、引用文献７及び引用文献１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものとはいえない。

加えて、他に相違点に係る構成が容易想到といえる根拠もない。

（３） 小括

上記（１）のとおり、本願発明は、原査定の理由で引用された引用文献１～９に記載された発明に基づいて容易想到とはいえないから、請求項１に係る発明についての原査定の理由を維持することはできない。

また、上記（２）のとおり、本願発明は、引用文献７及び引用文献１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。

第６ 請求項２に係る発明、及び従属項（請求項３～１５）に係る発明について

１ 請求項２に係る発明について

請求項２に係る発明は、本願発明と引用発明との相違点に対応する構成をすべて含む。

そして、上記第５の５（１）のとおり、相違点は、原査定の理由で引用された引用文献１～９に記載された発明に基づいて容易想到とはいえないから、請求項２に係る発明についての原査定の理由を維持することはできない。

また、請求項２に係る発明は、引用文献７及び引用文献１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。

２ 従属項（請求項３～１５）に係る発明について

請求項１又は請求項２を引用する請求項３～１５に係る発明も、本願発明と引用発明との相違点に対応する構成をすべて含む。

そして、上記第５の５（１）のとおり、相違点は、原査定の理由で引用された引用文献１～９に記載された発明に基づいて容易想到とはいえないから、請求項３～１５に係る発明についての原査定の理由を維持することはできない。

また、請求項３～１５に係る発明は、引用文献７及び引用文献１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。

第７ むすび

以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。

また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって、結論のとおり審決する。