2021-005782

特願２０２０－５０８３８５「ＬＥＤモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年 ２月２１日国際公開、ＷＯ２０１９／０３４５６２、令和 ２年１０月２２日国内公表、特表２０２０－５３０６６５〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１８年８月１０日（優先権主張 ２０１７年８月１４日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ２年 ９月１０日付け：拒絶理由通知 令和 ２年１２月１４日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ２年１２月２２日付け：拒絶査定 令和 ３年 ５月 ６日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和３年５月６日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和３年５月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正 （１）本件補正による特許請求の範囲の請求項１の記載 本件補正による特許請求の範囲のうち、請求項１は次のとおりである（下線は、補正箇所を示す。以下同じ。）。 「【請求項１】 多層セラミックからなる熱伝導性基板（１１）と、 前記基板上の少なくとも１つのＬＥＤ（１、２）と、 前記基板上に配置された受動ＳＭＤ部品（４、５、６、８、９）と、 前記基板（１１）内部に集積された受動部品（３）と、 廃熱を水平方向（１７）および垂直方向（１４）に放散する手段と、 硬質フレックス基板、またはフレックス基板（７）との接続を確立する前記基板の底面に配列されている端子（１５）と、を有し、 前記硬質フレックス基板、または前記フレックス基板（７）は、可撓性キャリアを構成し、 前記熱伝導性基板（１１）は、前記可撓性キャリアに実装されるように構成されていることを特徴とするＬＥＤモジュール。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の、令和２年１２月１６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲のうち、請求項１は次のとおりである。 「【請求項１】 多層セラミックからなる熱伝導性基板（１１）と、 前記基板上の少なくとも１つのＬＥＤ（１、２）と、 前記基板上に配置された受動ＳＭＤ部品（４、５、６、８、９）と、 前記基板（１１）内部に集積された受動部品（３）と、 廃熱を水平方向（１７）および垂直方向（１４）に放散する手段と、 金属コア基板、硬質フレックス基板、またはフレックス基板（７）との接続を確立する前記基板の底面に配列されている端子（１５）と、 を有することを特徴とするＬＥＤモジュール。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「金属コア基板、硬質フレックス基板、またはフレックス基板（７）」から択一的記載の要素である「金属コア基板」を削除すると共に、「可撓性キャリアを構成し」との限定を付加し、「熱伝導性基板（１１）」について「前記可撓性キャリアに実装されるように構成されている」との限定を付加するものであって、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正における請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）において請求項１に記載したとおりのものである。 （２）引用文献 ア 引用文献１ （ア）原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２０１５－５１７７４０号公報（平成２７年６月２２日公表、以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 「【００１６】 もう１つの実施形態によれば、本発明による発光ダイオード装置は、少なくとも１つの電子デバイスを備える。この電子デバイスは、たとえば光電気的特性を全く有しない、ディスクリートな電子デバイスである。これはこの電子デバイスでは、特に発光も受光も行わない電子デバイスであることを意味する。この電子デバイスは、特に発光ダイオードチップと回路接続されている。好ましくはこの電子デバイスは、基板上に配設されている。」 「【００１９】 もう１つの実施形態によれば、この電子デバイスは、表面実装可能な終端部を備える。たとえばこの電子デバイスは、表面実装可能なデバイス（ＳＭＤ，"surface-mounted device"）であってよい。この電子デバイスは、さらにＢＧＡパッケージ形状（ＢＧＡ，"Ball Grid Array"）またはＬＧＡパッケージ形状（ＢＧＡ，"Land Grid Array"）を有してよい。」 「【００２０】 もう１つの実施形態によれば、この電子デバイスはサーミスタデバイスである。このサーミスタデバイスは、たとえばいわゆるＮＴＣサーミスタデバイスとして実装されていてよく、ここで"ＮＴＣ"は「負温度係数」（"negative temperature coefficient"）を表している。・・・（略）・・・」 「【００２５】 もう１つの実施形態によれば、上記の発光ダイオードチップは、上記のキャビティ内に少なくとも部分的に沈み込んで配設されている。たとえばこの発光ダイオードは、この発光ダイオードチップの領域が上記のキャビティの上方に突出できるようにこのキャビティに配設されていてよい。この場合、稼働中に光が発生される、この発光ダイオードチップの活性領域が、このキャビティの上辺縁より低く配設されていると、とりわけ有利となり得る。これによって、たとえばこの発光ダイオードによって発生された光が、上記の基板に配設されたデバイスに直接当たり、これによって遮蔽されてしまうことを防止することができる。」 「【００４３】 もう１つの実施形態によれば、上記の基体はビア（複数）を備える。ビアは、「垂直方向相互接続手段」（"vertical interconnect access"）であり、貫通接続部（Durchkontaktierung）を表している。好ましくは少なくとも１つの熱的ビアとして、すなわち熱伝導用貫通接続部として実装されている。・・・（略）・・・」 「【００４５】 もう１つの実施形態によれば、上記の基板は、上記のキャビティに向いていない面にメタライジング部を備える。このメタライジング部は、少なくとも上記の基板のキャビティに向いていない面の全体に渡って延在してよい。代替としてこのメタライジング部は、この少なくとも上記の基板のキャビティに向いていない面の一部に渡って延在してよい。好ましくはこのメタライジング部は、上記の発光ダイオード装置の、たとえば基板または回路基板への接続に用いられる。このようにしてこのメタライジング部は、上記の基板の下面に配設されていてよく、一方上記のキャビティおよびとりわけ上記の発光ダイオードチップは、これと反対側の上面に配設されていてよい。」 「【００５２】 本発明による発光ダイオード装置１は、ＺｎＯ－Ｂｉを含むセラミック基体２１を備えた基板２を備える。代替として、この基体２１は、たとえばＺｎＯ－Ｐｒ，ＳｒＴｉＯ３または１つ以上のバリスタセラミックを含んでよい。さらに、この基体２１は、バリスタセラミックおよびガラスからなる複合体またはバリスタセラミックおよび有機材料からなる複合体を備えてもよい。この基板２は、この基板２の上面特にこの基体２１の上面にキャビティ５１を備える。 【００５３】 本発明による発光ダイオード装置１は、さらに、上記のキャビティ５１内に少なくとも部分的に沈み込んで配設されている発光ダイオードチップ３を備える。有利にはこの発光ダイオードチップ３は、図１に示す実施形態例におけるように、上記のキャビティ５１内に完全に沈み込んで配設されている。 【００５４】 この発光ダイオード装置１は、さらに、上記の基板２の部分領域によって形成されるＥＳＤ保護素子２０を備える。このＥＳＤ保護素子２０は、以下で図５を参照して説明するように、バリスタとして実装されている。代替としてこのＥＳＤ保護素子２０は、上記の基板２に一体化された半導体ダイオードとして形成されていてよい。」 「【００５８】 上記のキャビティ５１に向いていない上記の基板２の面上には、上記の基体２１へのメタライジング部１２が取り付けられている。このメタライジング部１２は、上記の発光ダイオード装置１への電気的接続に用いられる。上記の基板２およびとりわけ上記の基体２１は、さらに貫通接続部および／または上記に示した素子の回路接続のための導電路を備える。これらの導電路はここでは図示し難いため示されていない。」 「【００６４】 図３は、もう１つの実施形態例による発光ダイオード装置１を示す。図１に示す実施形態例と異なり、この発光ダイオード装置１は、もう１つのキャビティ５２を備え、電子デバイス４１がこのキャビティ内に完全に沈み込んで配設されている。こので電子デバイス４１は、ここで示す実施形態例においてもＮＴＣサーミスタデバイスとして実装されている。代替としてこの電子デバイス４１は、ＰＴＣサーミスタ素子として実装されていてよい。 【００６５】 上記の基体２１は、さらに熱的ビアとして実装されているビア（複数）８を備える。これらのビア８は、上記の発光ダイオードチップ３の接続面１０から電気的導通が絶縁されており、稼働中のこの発光ダイオードチップで生成される熱の放散のために機能する。このため、ここで示す実施形態例においては、これらのビア８は、銅を含む。代替として、これらのビア８は、高い熱伝導率を有する他の材料、たとえば銀または銀－パラジウムを含んでよい。これらのビア８は、上記の基体２１の表面に対してほぼ垂直方向に延在している。さらに１つ以上のビア、好ましくは少なくとも２つのビアが、電気的ビアとして実装されていてよく、これらの電気的ビアは、上記の発光ダイオードチップ３の接続面１０と電気的に導通して接続されており、この発光ダイオードチップ３の電気的接続に用いられる。」 「【００６７】 本発明による発光ダイオード装置１の基板２は、有機材料を含む、あるいは有機材料からなる基体２１を備える。このための代替として、この基体２１は、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムを含み、あるいは酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムから成っていてよい。」 「【００７０】 図５は、１つの実施形態例による、ＥＳＤ保護素子２０の概略図を示す。このＥＳＤ保護素子２０は、ＺｎＯ－Ｐｒから成るセラミックバリスタ材料を備え、ビア８を用いて電気的に接続される複数の互いに重なった電極１３を備える。代替としてこのバリスタ材料は、ＺｎＯ－ＢｉまたはＳｒＴｉＯ３を含んでよい。さらに、このＥＳＤ保護素子２０は、ＺｎＯ－Ｐｒおよびガラスからなる複合体またはＺｎＯ－Ｐｒおよび有機材料からなる複合体を備えてもよい。この図５に示すＥＳＤ保護素子２０は、好ましくは、図１～４に示すように、１つの発光ダイオード装置１の１つの基板２に一体化されている。たとえばこのＥＳＤ保護素子２０は、この基板２または基体２１に埋め込まれていてよい。以上によりＥＳＤ保護を含む１つの発光ダイオード装置１のコンパクトな設計を実現することができる。」 図３ ［図：0001385809000001.jpg］ 図５ ［図：0001385809000002.jpg］ （イ）上記（ア）によれば、引用文献１には、次の技術的事項が記載されていると認められる。 ａ 段落【００５２】には「本発明による発光ダイオード装置１は」「基板２を備え」、「この基板２は、この基板２の上面」「にキャビティ５１を備える」と記載され、【００５３】には「発光ダイオード装置１は」「キャビティ５１内に」「発光ダイオードチップ３を備える」と記載されている。 よって、発光ダイオード装置は、基板を備え、基板はこの基板の上面にキャビティを備え、キャビティ内に発光ダイオードチップを備える。 ｂ 段落【００２５】には「稼働中に光が発生される、この発光ダイオードチップの活性領域が、このキャビティの上辺縁より低く配設され」と記載されている。 よって、稼働中に光が発生される発光ダイオードチップの活性領域はキャビティの上辺縁より低く配設される。 ｃ 段落【００１６】には「本発明による発光ダイオード装置は」「電子デバイスを備え」、「この電子デバイスは、基板上に配設されている」と記載され、段落【００１９】には「この電子デバイスは、表面実装可能なデバイス（ＳＭＤ，"surface-mounted device"）であってよい」と記載されている。よって、発光ダイオード装置が備える「電子デバイスは」「表面実装可能なデバイスである」といえる。 段落【００６４】には「発光ダイオード装置１は、もう１つのキャビティ５２を備え、電子デバイス４１がこのキャビティ内に」「配設され」、「電子デバイス４１は」「ＮＴＣサーミスタデバイスとして実装されている」と記載されている。よって、「電子デバイス４１」が「もう１つのキャビティ５２」「内に」「配設され」、「電子デバイス４１は」「ＮＴＣサーミスタデバイスとして実装されている」といえる。 図３から「発光ダイオード装置１」の「基板２」は上面に「キャビティ５２」を備えることが見て取れる。 以上のことから、「発光ダイオード装置１」の「基板２」は上面に「キャビティ５２」を備え、「電子デバイス４１」が「もう１つのキャビティ５２」「内に」「配設され」、「電子デバイスは」「ＮＴＣサーミスタデバイスとして実装され」、発光ダイオード装置が備える「電子デバイスは」「表面実装可能なデバイスである」といえる。 したがって、発光ダイオード装置の基板は上面にもう１つのキャビティを備え、電子デバイスがもう１つのキャビティ内にＮＴＣサーミスタデバイスとして実装され、この電子デバイスは表面実装可能なデバイスである。 ｄ 段落【００５４】には「このＥＳＤ保護素子２０は、以下で図５を参照して説明するように、バリスタとして実装されている」と記載され、段落【００７０】には「この図５に示すＥＳＤ保護素子２０は」「基板２に一体化され」、「ＥＳＤ保護素子２０は」「基板２または基体２１に埋め込まれていてよい」と記載されている。 よって、ＥＳＤ保護素子はバリスタとして実装され、基板に一体化され埋め込まれている。 ｅ 段落【００６７】には「発光ダイオード装置１の基板２は」「基体２１を備え」、「この基体２１は」「酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムから成っていてよい。」と記載されている。 よって、発光ダイオード装置の基板は基体を備え、基体は酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムから成る。 ｆ 段落【００６５】には「基体２１は」「熱的ビアとして実装されているビア（複数）８を備え」、「ビア８は、上記の基体２１の表面に対してほぼ垂直方向に延在している」と記載されている。 また、段落【００４３】には「熱的ビアとして、すなわち熱伝導用貫通接続部として」と記載されている。 よって、基体は熱的ビアとして、すなわち熱伝導用貫通接続部として実装されているビアを備え、ビアは基体の表面に対してほぼ垂直方向に延在している。 ｇ 段落【００４５】には「上記の基板は、上記のキャビティに向いていない面にメタライジング部を備え」、「このメタライジング部は、上記の発光ダイオード装置の」「基板または回路基板への接続に用いられる」と記載されている。 さらに、図３から、キャビティに向いていない基板の下面上にメタライジング部１２が取り付けられた構造が見て取れる。 よって、キャビティに向いていない基板の下面上にはメタライジング部が取り付けられ、メタライジング部は発光ダイオード装置の、基板または回路基板への接続に用いられるものである。 （ウ）上記（イ）ａないしｇによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「基板を備え、基板はこの基板の上面にキャビティを備え、キャビティ内に発光ダイオードチップを備え、 稼働中に光が発生される発光ダイオードチップの活性領域はキャビティの上辺縁より低く配設され、 基板は上面にもう１つのキャビティを備え、電子デバイスがもう１つのキャビティ内にＮＴＣサーミスタデバイスとして実装され、この電子デバイスは表面実装可能なデバイスであり、 ＥＳＤ保護素子はバリスタとして実装され、基板に一体化され埋め込まれ、 基板は基体を備え、基体は酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムから成り、 基体は熱的ビアとして、すなわち熱伝導用貫通接続部として実装されているビアを備え、ビアは基体の表面に対してほぼ垂直方向に延在し、 キャビティに向いていない基板の下面上にはメタライジング部が取り付けられ、メタライジング部は発光ダイオード装置の、基板または回路基板への接続に用いられる、 発光ダイオード装置。」 イ 引用文献２ （ア）原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６－１２８５１２号公報（平成１８年５月１８日公開、以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。 「【００１０】 基板本体１Ｍの第一主表面側には、搭載される発光素子チップ４の通電端子が電気的に接続される素子搭載用金属パッド１６が露出形成されている。・・・・（中略）・・・照明モジュール３０１の要部をなす発光素子用セラミック基板１は、セラミック層１５と金属層２４，２５，２６とが交互に積層された基板本体１Ｍを有する。セラミック層１５は熱伝導率の比較的良好な酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウム等で構成される。・・・（中略）・・・ 【００１１】 ・・・（中略）・・・そして、基板本体１Ｍの厚さ方向の途中の位置には、基板本体１Ｍの板面に沿う面状形態をなすとともに、素子搭載用金属パッド１６上に搭載された発光素子チップ４の面内放熱路として機能する金属にて構成される放熱用面導体２４，２５が埋設されている。基板本体１Ｍはセラミックにて構成されるので熱伝導率が比較的小さいが、金属にて構成される放熱用面導体２４，２５がその厚さ方向の途中の位置に介在することで複数のセラミック層１５に分割され、個々の層１５は厚さ方向の熱拡散距離が縮小される。・・・（略）・・・ 【００１２】 以下、さらに詳細に説明する。 基板本体１Ｍは、第二主表面を覆う形で裏面側面導体２６が配置され、基板本体１Ｍを厚さ方向に貫通する形で素子搭載用金属パッド１６と裏面側面導体２６とを電気的に接続するとともに、素子搭載用金属パッド１６上に搭載された発光素子チップ４の厚さ方向の放熱路として機能する放熱ビア導体２７が形成されている。・・・（略）・・・」 （イ）上記（ア）によれば、引用文献２には、次の技術的事項ａ、ｂが記載されていると認められる。 ａ 段落【００１０】には「発光素子用セラミック基板１は、セラミック層１５と金属層２４，２５，２６とが交互に積層された基板本体１Ｍを有する。」及び「セラミック層１５は熱伝導率の比較的良好な酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウム等で構成される」と記載されている。よって、発光素子用セラミック基板が基板本体を有し、基板本体はセラミック層と金属層とが交互に積層された構造であり、セラミック層は熱伝導率の比較的良好な酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウム等で構成されるといえる。 段落【００１０】には「基板本体１Ｍの第一主表面側には、搭載される発光素子チップ」と記載され、段落【００１２】には「基板本体１Ｍは」「放熱ビア導体２７が形成されている」と記載されている。よって、基板本体は発光素子チップが搭載され、放熱ビア導体が形成されたものといえる。 以上のことから、引用文献２には次の技術的事項ａが記載されているといえる。 「発光素子用セラミック基板が、発光素子チップが搭載され、放熱ビア導体が形成された基板本体を有し、基板本体をセラミック層と金属層とが交互に積層された構造とし、セラミック層を熱伝導率の比較的良好な酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウム等で構成する技術。」 ｂ 段落【００１１】には「基板本体１Ｍの厚さ方向の途中の位置には、基板本体１Ｍの板面に沿う面状形態をなすとともに」「搭載された発光素子チップ４の面内放熱路として機能する金属にて構成される放熱用面導体２４，２５が埋設」と記載され、段落【００１２】には「基板本体１Ｍは、第二主表面を覆う形で裏面側面導体２６が配置され」、「基板本体１Ｍを厚さ方向に貫通する形で素子搭載用金属パッド１６と裏面側面導体２６とを電気的に接続するとともに」「発光素子チップ４の厚さ方向の放熱路として機能する放熱ビア導体２７が形成されている」と記載されている。 以上のことから、引用文献２には次の技術的事項ｂが記載されているといえる。 「基板本体の厚さ方向の途中の位置に、基板本体の板面に沿う面状形態をなすとともに発光素子チップの面内放熱路として機能する金属にて構成される放熱用面導体を埋設し、基板本体を厚さ方向に貫通する形で素子搭載用金属パッドと、基板本体の第二主表面を覆う形で配置された裏面側面導体とを電気的に接続するとともに発光素子チップの厚さ方向の放熱路として機能する放熱ビア導体を形成する技術。」 （３）対比 ア 本件補正発明と引用発明とを対比する。 （ア）本願明細書の段落【００２０】には「モジュールの基板は、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、または窒化アルミニウムから選択されるセラミックを含むことができる。これらの材料のうちの最初の２つは、２０Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率を有するが、窒化アルミニウムは、１００Ｗ／ｍＫを超える熱伝導率を有する、特に良好な熱伝導体と考えることができる。」と記載され、段落【００３３】には「ＬＥＤモジュールは、多層セラミックからなる基板１１を備え」と記載されており、「酸化アルミニウム」及び「窒化アルミニウム」が「熱伝導体」の例としてあげられているから、本件補正発明の「熱伝導性基板（１１）」は「酸化アルミニウム」及び「窒化アルミニウム」を含むものである。 よって、引用発明の「基板は基体を備え、基体は酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムから成」ることは、本件補正発明の「熱伝導性基板（１１）」「を有」することに相当する。 ただし、本件補正発明が「多層セラミックからなる熱伝導性基板（１１）」「を有」するのに対し、引用発明では「基板」が本件補正発明の「多層セラミックからなる」構成を有さない点で相違する。 （イ）引用発明は「発光ダイオードチップ」は、「稼働中に光が発生される」「活性領域」を有するものであるから、本件補正発明の「ＬＥＤ（１、２）」に相当する。 よって、引用発明の「基板を備え、基板はこの基板の上面にキャビティを備え、キャビティ内に発光ダイオードチップを備え、稼働中に光が発生される発光ダイオードチップの活性領域はキャビティの上辺縁より低く配設され」ることは、本件補正発明の「前記基板上の少なくとも１つのＬＥＤ（１、２）」「を有」することに相当する。 （ウ）引用発明の「ＮＴＣサーミスタデバイスとして」の「電子デバイス」は、本件補正発明の「受動」「部品（４、５、６、８、９）」に相当し、引用発明の「基板は上面にもう１つのキャビティを備え、電子デバイスがもう１つのキャビティ内にＮＴＣサーミスタデバイスとして実装され」たことは、本件補正発明の「前記基板上に配置された受動」「部品（４、５、６、８、９）」「を有」することに相当する。さらに、引用発明の「電子デバイスは表面実装可能なデバイスであ」ることは、本件補正発明の「ＳＭＤ部品（４、５、６、８、９）」であることに相当する。 よって、引用発明の「基板は上面にもう１つのキャビティを備え、電子デバイスがもう１つのキャビティ内にＮＴＣサーミスタデバイスとして配設され、この電子デバイスは表面実装可能なデバイスであ」ることは、本件補正発明の「前記基板上に配置された受動ＳＭＤ部品（４、５、６、８、９）」「を有」することに相当する。 （エ）引用発明の「ＥＳＤ保護素子はバリスタとして実装され」ることは、本件補正発明の「受動部品（３）」「を有」することに相当し、引用発明の「基板に一体化され埋め込まれ」ることは、本件補正発明の「前記基板（１１）内部に集積され」ることに相当する。 よって、引用発明の「ＥＳＤ保護素子はバリスタとして実装され、基板に一体化され埋め込まれ」ることは、本件補正発明の「前記基板（１１）内部に集積された受動部品（３）」「を有」することに相当する。 （オ）本願明細書の段落【０００６】には「モジュールは、水平方向および垂直方向に廃熱を放散するための手段を備える」と記載され、段落【００１０】には「廃熱を放散するための手段は、サーマルビアを含む。サーマルビアは、基板を貫通するように設けられる。」と記載され、段落【００１１】には「廃熱発生構成部品からの廃熱のより迅速な水平放散を達成するために、金属層を、水平放熱層、すなわちヒートスプレッダとして基板内に形成することができる。」と記載されている。ここで、「サーマルビア」は「基板を貫通するように設けられる」ものであるから、「垂直方向に廃熱を放散するための手段」であり、「水平放熱層」は「水平方向」「に廃熱を放熱するための手段」である。よって、本件補正発明の「廃熱を水平方向（１７）および垂直方向（１４）に放散する手段」は、「廃熱を水平方向（１７）」「に放散する手段」と「廃熱を垂直方向（１４）に放散する手段」とからなるものであると認められる。 そして、引用発明の「熱的ビアとして、すなわち熱伝導用貫通接続部として実装されているビア」は、「基体の表面に対してほぼ垂直方向に延在」することを踏まえると、熱を垂直方向に伝導させる機能を有すると認められる。 してみると、引用発明の「基体は熱的ビアとして、すなわち熱伝導用貫通接続部として実装されているビアを備え、ビアは基体の表面に対してほぼ垂直方向に延在し」ていることは、本件補正発明の「廃熱を」「垂直方向（１４）に放散する手段」「を有」することに相当する。 ただし、本件補正発明では「廃熱を水平方向（１７）」「に放散する手段」を有するのに対し、引用発明ではそのような構成を有さないで点で相違する。 （カ）引用発明の「メタライジング部」が「発光ダイオード装置の、基板または回路基板への接続に用いられ」、「キャビティに向いていない基板の下面上に」「取り付けられ」る構成は、本件補正発明の「基板（７）との接続を確立」する「前記基板の底面に」形成される構成である点で共通する。 しかし、本件補正発明では「硬質フレックス基板、またはフレックス基板（７）との接続を確立する前記基板の底面に配列されている端子（１５）」を有するのに対し、引用発明は「メタライジング部」が基板または回路基板との接続を確立するものの「硬質フレックス基板、またはフレックス基板（７）との接続を確立する」「配列されている端子」であることが特定されない点で相違する。 （キ）本件補正発明では「前記硬質フレックス基板、または前記フレックス基板（７）は、可撓性キャリアを構成し、前記熱伝導性基板（１１）は、前記可撓性キャリアに実装されるように構成されている」のに対し、引用発明ではそのような構成を有さない点で相違する。 （ク）引用発明の「発光ダイオード装置」は、本件補正発明の「廃熱を水平方向（１７）」「に放散する手段」、「端子（１５）」、「前記硬質フレックス基板、または前記フレックス基板（７）」が構成する「可撓性キャリア」に相当する構成を有さないものの、「熱伝導性基板（１１）」、「ＬＥＤ（１、２）」、「前記基板上に配置された受動ＳＭＤ部品（４、５、６、８、９）」、「前記基板（１１）内部に集積された受動部品（３）」及び「廃熱を垂直方向（１４）に放散する手段」に相当する構成を有する点で、本件補正発明の「ＬＥＤモジュール」に相当する。 イ したがって、本件補正発明と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 （一致点） 「熱伝導性基板と、 前記基板上の少なくとも１つのＬＥＤと、 前記基板上に配置された受動ＳＭＤ部品と、 前記基板内部に集積された受動部品と、 廃熱を垂直方向に放散する手段とを有する、ＬＥＤモジュール。」 （相違点１） 本件補正発明では「多層セラミックからなる熱伝導性基板」を有するのに対し、引用発明では「基板」が本件補正発明の「多層セラミックからなる」構成を有さない点。 （相違点２） 本件補正発明では「廃熱を水平方向」「に放散する手段」を有するのに対し、引用発明ではそのような構成を有さない点。 （相違点３） 本件補正発明では「硬質フレックス基板、またはフレックス基板との接続を確立する前記基板の底面に配列されている端子」を有するのに対し、引用発明は「メタライジング部」が基板または回路基板との接続を確立するものの「硬質フレックス基板、またはフレックス基板との接続を確立する」「配列されている端子」であることが特定されない点。 （相違点４） 本件補正発明では「前記硬質フレックス基板、または前記フレックス基板は、可撓性キャリアを構成し、前記熱伝導性基板は、前記可撓性キャリアに実装されるように構成されている」のに対し、引用発明ではそのような構成を有さない点。 （４）判断 ア 相違点１について 上記２（２）イ（イ）ａで示したとおり、引用文献２には、発光素子用セラミック基板が、発光素子チップが搭載され、放熱ビア導体が形成された基板本体を有し、基板本体をセラミック層と金属層とが交互に積層された構造とし、セラミック層を熱伝導率の比較的良好な酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウム等で構成する技術である技術的事項ａが記載されている。 引用発明と引用文献２に記載された上記技術的事項ａはともに、発光素子チップが搭載され、放熱ビアが形成された基板が、酸化アルミニウムあるいは窒化アルミニウムで構成されるものであるから、引用発明に、引用文献２に記載された技術的事項を適用し、基板を多層セラミックからなるものとし、相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。 イ 相違点２について 上記２（２）イ（イ）ｂで示したとおり、引用文献２には、基板本体の厚さ方向の途中の位置に、基板本体の板面に沿う面状形態をなすとともに発光素子チップの面内放熱路として機能する金属にて構成される放熱用面導体を埋設し、基板本体を厚さ方向に貫通する形で素子搭載用金属パッドと、基板本体の第二主表面を覆う形で配置された裏面側面導体とを電気的に接続するとともに発光素子チップの厚さ方向の放熱路として機能する放熱ビア導体を形成する技術である技術的事項ｂが記載されている。 引用発明と引用文献２に記載された上記技術的事項ｂはともに、発光素子チップが搭載されると共に放熱ビアが形成された基板に係るものであり、また、引用発明と引用文献２に記載された上記技術的事項ｂはともに、発光素子チップの放熱を課題とするものであるから、引用文献２に記載された技術的事項ｂの「放熱用面導体」の構成を引用発明に適用し、廃熱を水平方向に放散する手段を設け、相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。 ウ 相違点３及び４について 本願明細書の段落【００１７】の「ＬＥＤモジュールの底面は、モジュールを回路基板に接続することができる外部コンタクトを有する。このような回路基板は、金属コア基板、リジッドフレックス基板、またはフレックス基板の中から選択することができる」との記載、段落【００４３】の「図４は、図１に示したものと同様のＬＥＤモジュール１１の概略断面図を示す。このＬＥＤモジュール１１は、可撓性キャリア７上に実装されている。」との記載、及び図１、図４から端子１５が設けられた基板１１の底面に可撓性キャリア７が接続されることが見て取れることより、ＬＥＤモジュールが実装される可撓性キャリアは、硬質フレックス基板、またはフレックス基板であると認められる。 よって、本件補正発明の「前記硬質フレックス基板、または前記フレックス基板（７）は、可撓性キャリアを構成し、前記熱伝導性基板（１１）は、前記可撓性キャリアに実装されるように構成されていること」は、「熱伝導性基板（１１）」が「前記硬質フレックス基板、または前記フレックス基板（７）に実装されるように構成されていること」である。 引用発明は「キャビティに向いていない基板の下面上にはメタライジング部が取り付けられ、メタライジング部は発光ダイオード装置の、基板または回路基板への接続に用いられるものである」から、「発光ダイオード装置」は「基板または回路基板」へ「メタライジング部」を用いて「接続」されるものといえる。 そして、絶縁基板の裏面に配列された端子を介して発光ダイオードを搭載した絶縁基板と可撓性のある回路基板であるフレキシブル基板とを接続し、発光ダイオードを搭載した絶縁基板をフレキシブル基板へ実装することは、本願の優先日前において周知技術である（必要ならば、特開２００９－２６７０６６号公報、段落【００３１】、段落【００３２】、段落【００４４】、図１、図２及び図５、特開２０１２－９４３０４号公報、段落【００１２】、段落【００１８】、図４、国際公開第２０１６／００６６９９号、段落【００２１】、図１参照）。してみると、引用発明が接続される回路基板をフレキシブル基板とするとともに、「メタライジング部」を配列された端子とし、相違点３及び４に係る構成とすることは、当業者が周知技術に基づき容易になし得たことである。 エ 本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明、引用文献２に記載された技術的事項及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 オ 審判請求人は審判請求書において、引用文献１には基板２，２１の、他の基板や回路基板への実装可能とする構成については、何ら開示も示唆もなく、本件補正発明のキャリアは可撓性を備えているので、可撓性キャリアに実装されたＬＥＤモジュールが他のデバイスに組み込まれたときに、外部からＬＥＤモジュールに作用する衝撃を可撓性キャリアが吸収するので、ＬＥＤを衝撃から保護することができる旨主張している。 しかし、上記２（４）ウで検討したとおり、発光ダイオードを搭載した絶縁基板を可撓性のある回路基板へ実装し、絶縁基板の裏面に配列された端子を介して発光ダイオードを搭載した絶縁基板と可撓性のある回路基板とを接続することは周知技術である。そして、外部からの衝撃を吸収する効果は、上記周知技術である可撓性のある回路基板自体が有するものであり、引用発明に上記周知技術を適用することにより、上記効果を奏することは、当業者が予想し得ることである。 カ よって、本件補正発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術的事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび 以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、令和２年１２月１４日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるものであるところ、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１（２）」に記載したとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定（令和２年１２月２２日付け拒絶査定）の拒絶の理由は、概略次のとおりである。 この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ●理由について ・請求項 １－４ ・引用文献等 １，２又は３，５（周知技術を示す文献） ・請求項 ５－９ ・引用文献等 １－３，５ ・請求項 １０－１４ ・引用文献等 １－５ ＜引用文献等一覧＞ １．特表２０１５－５１７７４０号公報 ２．国際公開第２００８／１１１４０８号 ３．特開２００６－１２８５１２号公報 ４．特表２００５－５１２３１７号公報 ５．韓国公開特許第１０－２０１６－００８００８９号公報 ３．引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項及び引用発明は、上記第２［理由］２（２）アに記載したとおりである。また、原査定の拒絶の理由で引用された「引用文献３」（上記補正却下の決定における「引用文献２」）の記載事項は、上記第２［理由］２（２）イに記載したとおりである。 ４ 対比、判断 本願発明は、上記第２[理由]１で検討した本件補正発明から、「前記硬質フレックス基板、または前記フレックス基板（７）」に「金属コア基板」との択一的記載の要素を付加し、「硬質フレックス基板、またはフレックス基板（７）」について「可撓性キャリアを構成し」との限定事項を削除し、「熱伝導性基板（１１）」について「前記可撓性キャリアに実装されるように構成されている」との限定事項を削除するものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が前記「第２［理由］２（４）」に示したとおり、引用発明、引用文献２（原査定で引用された「引用文献３」）に記載された技術的事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明、引用文献２（原査定で引用された「引用文献３」）に記載された技術的事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。