2020-006407

特願２０１７－　３８５７６「半導体発光デバイスの表面処理」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　８月１０日出願公開、特開２０１７－１３９４７２〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 平成２９年　３月　１日　　　：出願（平成２４年１０月１日に出願した特願２０１４－５３４０１６号（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年１０月６日、米国）の一部を新たな特許出願としたもの） 平成２９年　３月　２日　　　：上申書 平成３０年　１月１６日付け　：拒絶理由通知 平成３０年　４月１９日　　　：意見書、手続補正書 平成３０年　７月３１日付け　：拒絶理由通知 平成３１年　２月　６日　　　：意見書、手続補正書 令和　元年　７月１９日付け　：拒絶理由通知 令和　元年１０月２１日　　　：意見書、手続補正書 令和　元年１２月２６日付け　：拒絶査定 令和　２年　５月１２日　　　：本件審判請求、手続補正書 第２　令和２年５月１２日付け手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和２年５月１２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １　本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１～９の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。 「【請求項１】 半導体発光デバイスであって、 発光領域を含む半導体構造と、 上端が平坦化された複数の山部から成る前記半導体構造の表面と、を含み、 前記上端が平坦化された複数の山部は、前記複数の山部それぞれが上端に平坦部を含んでおり、前記上端の前記平坦部に当たる光は内部全反射を受け、かつ、 前記上端が平坦化された複数の山部から成る前記表面は、平均表面粗さ（Ｒａ）が少なくとも１０％減少された結果として１３４ｎｍ未満であり、表面特徴の最大高さ（Ｒｍａｘ）が少なくとも２０％減少された結果として１０５０ｎｍ未満であり、かつ、前記半導体材料の層厚は１０μｍ未満である、 デバイス。 【請求項２】 平坦化された山部それぞれは、１つの平坦な上端部を有する、 請求項１に記載のデバイス。 【請求項３】 前記デバイスは、さらに、前記表面の上に波長変換材料を含む、 請求項１に記載のデバイス。 【請求項４】 前記デバイスは、さらに、マウントを含み、 前記半導体構造は、前記マウントに取付けられている、 請求項１に記載のデバイス。 【請求項５】 前記半導体構造は、 ｎ型領域と、 ｐ型領域と、 前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間における前記発光領域と、 前記ｎ型領域に対するｎ型コンタクトと、 前記ｐ型領域に対するｐ型コンタクトと、 を含む、請求項１に記載のデバイス。 【請求項６】 前記表面は、前記ｎ型領域の表面を含む、 請求項５に記載のデバイス。 【請求項７】 前記ｎ型コンタクトは、ギャップによって、活性領域、前記ｐ型領域、および前記ｐ型コンタクトから絶縁されている、 請求項５に記載のデバイス。 【請求項８】 前記ギャップは、絶縁材料で満たされている、 請求項７に記載のデバイス。 【請求項９】 半導体構造であり、 ｎ型領域であり、前記ｎ型領域の表面は、上端が平坦化された複数の山部から成り、前記上端が平坦化された複数の山部は、前記複数の山部それぞれが上端に平坦部を含んでおり、前記上端の前記平坦部に当たる光は内部全反射を受ける、ｎ型領域と、 ｐ型領域と、 前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間における発光領域と、 前記ｎ型領域に対するｎ型コンタクトと、 前記ｐ型領域に対するｐ型コンタクトと、 を含む、半導体構造と、 前記ｎ型領域の前記表面の上の波長変換材料と 前記半導体構造を支持するマウントと、 を含み、 前記上端が平坦化された複数の山部から成る前記表面は、平均表面粗さ（Ｒａ）が少なくとも１０％減少された結果として１３４ｎｍ未満であり、表面特徴の最大高さ（Ｒｍａｘ）が少なくとも２０％減少された結果として１０５０ｎｍ未満であり、かつ、前記半導体材料の層厚は１０μｍ未満である、 発光デバイス。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 令和元年１０月２１日付け手続補正書における特許請求の範囲の請求項１～９の記載は、次のとおりである。 「【請求項１】 半導体発光デバイスであって、 発光領域を含む半導体構造と、 上端が平坦化された複数の山部から成る前記半導体構造の表面と、を含み、 前記上端が平坦化された複数の山部は、前記複数の山部それぞれが上端に平坦部を含んでおり、前記上端の前記平坦部に当たる光は内部全反射を受け、かつ、 前記上端が平坦化された複数の山部から成る前記表面は、平均表面粗さが少なくとも１０％減少されており、かつ、表面特徴の最大高さが少なくとも２０％減少されている、 デバイス。 【請求項２】 平坦化された山部それぞれは、１つの平坦な上端部を有する、 請求項１に記載のデバイス。 【請求項３】 前記デバイスは、さらに、前記表面の上に波長変換材料を含む、 請求項１に記載のデバイス。 【請求項４】 前記デバイスは、さらに、マウントを含み、 前記半導体構造は、前記マウントに取付けられている、 請求項１に記載のデバイス。 【請求項５】 前記半導体構造は、 ｎ型領域と、 ｐ型領域と、 前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間における前記発光領域と、 前記ｎ型領域に対するｎ型コンタクトと、 前記ｐ型領域に対するｐ型コンタクトと、 を含む、請求項１に記載のデバイス。 【請求項６】 前記表面は、前記ｎ型領域の表面を含む、 請求項５に記載のデバイス。 【請求項７】 前記ｎ型コンタクトは、ギャップによって、活性領域、前記ｐ型領域、および前記ｐ型コンタクトから絶縁されている、 請求項５に記載のデバイス。 【請求項８】 前記ギャップは、絶縁材料で満たされている、 請求項７に記載のデバイス。 【請求項９】 半導体構造であり、 ｎ型領域であり、前記ｎ型領域の表面は、上端が平坦化された複数の山部から成り、前記上端が平坦化された複数の山部は、前記複数の山部それぞれが上端に平坦部を含んでおり、前記上端の前記平坦部に当たる光は内部全反射を受ける、ｎ型領域と、 ｐ型領域と、 前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間における発光領域と、 前記ｎ型領域に対するｎ型コンタクトと、 前記ｐ型領域に対するｐ型コンタクトと、 を含む、半導体構造と、 前記ｎ型領域の前記表面の上の波長変換材料と 前記半導体構造を支持するマウントと、 を含み、 前記上端が平坦化された複数の山部から成る前記表面は、平均表面粗さが少なくとも１０％減少されており、かつ、表面特徴の最大高さが少なくとも２０％減少されている、 発光デバイス。」 ２　補正の適否 （１）新規事項について 本件補正において、請求項１、９について「平均表面粗さ（Ｒａ）」について「１３４ｎｍ未満であり」、「表面特徴の最大高さ（Ｒｍａｘ）」について「１０５０ｎｍ未満であ」るとの補正がなされている。 当該補正に関して、本願の願書に添付された明細書又は図面（以下「本件明細書」という。なお、本件明細書は、出願当初のものから補正されていない。）には、以下の記載がある。 「【００１８】 下記の表は、粗化後にプラズマ処理をしていない粗面を、６００Ｗのプラズマで６０秒処理された粗面と比較している。Ｒａは表面の平均粗さであり、Ｒｍａｘは表面特徴の最大高さである。光出力は、任意のユニットで与えられる。 【表１】 【００１９】 上記の表に例示されるように、光出力及び表面粗さは両方とも、処理された表面に対して減少する。例えば、本発明の実施形態による処理の結果として、平均表面粗さは、いくつかの実施形態では少なくとも１０％、いくつかの実施形態では少なくとも２０％、いくつかの実施形態では少なくとも３０％減少される。本発明の実施形態による処理の結果として、表面特徴の最大高さは、いくつかの実施形態では少なくとも２０％、いくつかの実施形態では少なくとも３０％、いくつかの実施形態では少なくとも４０％減少される。」 以上の記載においては、表面が処理された結果として、Ｒａが１３３．４ｎｍ、Ｒｍａｘが１０４９ｎｍであることは読み取れるものの、本件補正のようにＲａが１３４ｎｍ、Ｒｍａｘが１０５０ｎｍという数値は読み取れない。また、本件明細書の他の記載及び技術常識を勘案したとしても、本件補正のような数値とすることは、当業者にとって自明であるといえないから、上記補正は、新たな技術的事項を導入するものといえる。 さらに、本件補正における「１３４ｎｍ未満」、「１０５０ｎｍ未満」の「未満」とする補正についても、本件表１におけるＲａが１３３．４ｎｍ、Ｒｍａｘが１０４９ｎｍとの値が、上限値あるいは下限値であることを示す記載はない。また、本件明細書の「【発明が解決しようとする課題】」の「【０００４】本発明の目的は、デバイスからの光束の最大量を制御することができる発光デバイスを提供することである。」等の記載から見ても、本件明細書に記載された技術的事項は、光束を制御することや調整することを目的としているにとどまり、光束を一定の数値以下、未満にすることを目的としていないことから、本件明細書において「未満」等の明示的な記載がない以上、上記「未満」とする補正についても、当業者にとって自明であるとはいえず、新たな技術的事項を導入するものといえる。 したがって、本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。 （２）独立特許要件について 上記（１）において説示したように、本件補正は新規事項を追加するものであるが、本件補正が新規事項を追加するものではないと仮定し、以下のとおり検討する。 本件補正は、本件補正前の請求項１～９に記載された発明を特定するために必要な事項である、「平均表面粗さ」、「表面特徴の最大高さ」について、それぞれ「１３４ｎｍ未満であり」、「１０５０ｎｍ未満であり」と限定するものであって、補正前の請求項１～９に記載された発明と補正後の請求項１～９に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。 そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１～９に記載される発明（以下「本件補正発明１」などという。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定する要件を満たすか）について検討する。 ア　本件補正発明１～８について 本件補正発明１は、上記１（１）に記載したとおりのものであり、「前記上端が平坦化された複数の山部から成る前記表面は、平均表面粗さ（Ｒａ）が少なくとも１０％減少された結果として１３４ｎｍ未満であり、表面特徴の最大高さ（Ｒｍａｘ）が少なくとも２０％減少された結果として１０５０ｎｍ未満であり、かつ、前記半導体材料の層厚は１０μｍ未満である」との記載がある。 当該記載に関して、「少なくとも１０％減少された」、「少なくとも２０％減少された」との記載（以下「減少の記載」という。）は、何らかの対象となるものがあり、当該対象と比較して減少されることが規定されていると解されるが、本件補正発明１には、当該対象となるものが示されておらず、上記減少の記載は、どのような態様を意味しているのか不明瞭となっている。 ここで、本件補正発明１の「上端が平坦化された複数の山部から成る」の記載から、上記減少の記載の比較される対象を、上端が平坦化されていない山部を推測することにより把握することも考えられるが、平坦化された山部から平坦化されていない山部の形状を推測することは、山部の形状について推測可能性のある限定（例えば、山部の斜面が、断面でみて、直線状であったり、曲線状であればどのような数式により表現される曲線であったりするのかが明確な場合など）がなされていない限り、できない。そして、本件補正発明１の山部がそのような推測可能性のある形状の山部に限定される旨の記載は、本件補正発明１の特定事項にも本件明細書にも存在せず、むしろ、本件明細書には、光電気化学（ＰＥＣ）エッチングにより得られた山部が記載されており、この山部の形状は推測可能性がないと解されることから、比較の対象を上記のように把握しようとしても、上記減少の記載は、どのような態様を意味しているのか不明瞭である。 本件請求項１を引用する本件補正発明２～８についても同様である。 したがって、本件補正発明１～８は、明確でない。 イ　本件補正発明９について 上記アで説示したことと同様に、本件補正発明９についても、明確でない。 ウ　小括 したがって、本件補正発明１～９に係る本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３　本件補正についてのむすび 以上のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第３項、及び特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３　本願発明について １　本願発明 令和２年５月１２日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本件補正前の発明は、令和元年１０月２１日付け手続補正書における特許請求の範囲の請求項１～９に係る発明であるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、上記第２の［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２　原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、 「（新規性）この出願の請求項１～９に係る発明は、その優先日前に頒布された引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 （進歩性）この出願の請求項１～９に係る発明は、その優先日前に頒布された引用文献１に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 （明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が不備であるから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 引用文献１　特開２００６－１７９５１１号公報」 というものである。 ３　新規性、進歩性について （１）引用文献１について ア　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１である、特開２００６－１７９５１１号公報（平成１８年７月６日公開）には、図面とともに、次の記載がある。 （ア）「【請求項１】 窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層と、前記窒化物半導体基板から見て前記ｎ型窒化物半導体層より遠くに位置するｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層の間に位置する発光層とを備えた発光装置であって、 前記窒化物半導体基板の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下であり、 前記ｐ型窒化物半導体層の側をダウン実装し、前記窒化物半導体基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面から光を放出し、 前記窒化物半導体基板の前記第２の主表面には溝が形成されている、発光装置。 【請求項２】 前記溝の断面形状はＶ字状である、請求項１に記載の発光装置。」 （イ）「【００１４】 さらに、次のような問題がある。サファイア基板上に形成されたＧａＮ系発光装置をダウン実装して、サファイア基板の裏面を光の放出面にする場合、サファイアの屈折率が１．８程度であり、ＧａＮの屈折率が２．４程度であるので、光を発生し伝播させてきたＧａＮ層とサファイア基板との界面で、所定の入射角以上の光は全反射して、外に出ない。すなわち、入射角θ≧sin- 1（1.8/2.4）≒４２°の範囲の光は、ＧａＮ層内に止まり、外に出ない。このため、サファイア基板の主面における発光効率が低下する。しかし、発光効率の問題も重要であるが、それだけに止まらない。上記全反射した光はＧａＮ層を伝播し、ＧａＮ層の側部から出射される。上記の全反射する光量はかなりの割合を占め、また、ＧａＮ層は薄いため、側部から出射される光のエネルギー密度は高くなる。ＧａＮ層の側部に位置してその光に照射される封止樹脂は損傷を受け、発光装置の寿命を短縮するという問題を生じる。」 （ウ）「【００４８】 次に、本発明例ＡのＬＥＤの製造方法について説明する。 ・・・ （ａ8）その後、ダイシングにより基板のＮ面上に断面形状がＶ字状の溝８０を形成した。図３に示すように、溝の深さＴ3は４０μｍ、溝８０の側壁とＧａＮ基板１の第２の主表面と平行な平面との成す角度θは６０°、隣接する溝８０のピッチＰは１５０μｍとした。 （ａ9）その後に、図３および図４に示すように、チップ境界５０が側面として現れるようにスクライブを行ない、チップ化したものを発光装置とした。チップ化した発光装置は、光の放出面が３００μｍ□（１辺の長さが３００μｍの四角形）の形状で、発光層が３００μｍ□の形状をとる。すなわち図４において、Ｌ1＝３００μｍであり、Ｌ2＝４００μｍである。また、素子分離溝の幅Ｌ3＝１００μｍであり、ｎ電極の１つの辺の幅Ｄ＝１００μｍである。 （ａ10）図１を参照して、リードフレームのマウント部２１ａに、上記チップのｐ型ＧａＮ層側が接するように搭載して、発光装置を形成した。マウント部に塗布した導電性接着剤１４によって発光装置とマウントとを固定するとともに、導通が得られるようにしている。 ・・・ （ａ12）さらに、ｎ電極とリードフレームのリード部とをワイヤボンドにより導通させた後、エポキシ系樹脂により樹脂封止を行なって発光装置をランプ化した。」 （エ）「【０１７６】 （試験および試験結果）：　本発明例Ｓ9～Ｓ12および比較例Ｔ9を、それぞれ積分球内に搭載した後所定の電流を印加し、集光されディテクタから出力される光出力値の比較を行なった。その結果、本発明例Ｓ9は２．２Ｗ、本発明例Ｓ10は２．３Ｗ、本発明例Ｓ11は２．３Ｗ、本発明例Ｓ12は２．４Ｗの出力が得られた。一方、比較例Ｔ9の出力は１．６Ｗであった。このように、ＧａＮ基板の光出射面側（第２の主面側）を溝８０により凹凸加工したものは、いずれもＧａＮ基板とエポキシ樹脂１５との接触界面の面積が比較的大きいこと、当該界面が発光層の面に対して様々な角度を有することから界面での全反射が防止されやすいこと、などの理由により、比較例Ｔ9より本発明例Ｓ9～Ｓ12は高い光出力を得ることができる。 【０１７７】 次に、図６４～図６９を参照して、溝の深さ、隣接する溝のピッチ、溝の側壁とＧａＮ基板の第２の主表面に平行な面と形成される角度θ（図３参照）、溝の間に形成される凸部の形状が、光出力に対して与える影響について、発明者が検討した結果を示す。図６４は、溝の深さと光の取出し倍率とを関係を示すグラフである。図６５は、隣接する溝のピッチと光取出し倍率との関係を示すグラフである。図６６は、溝の側壁とＧａＮ基板の第２の主表面に平行な面と形成される角度θと光取出し倍率との関係を示すグラフである。図６７は、溝の間に形成される凸部の形状および配置と光取出し倍率との関係を示すグラ フである。図６８は、図６７において示した凸部の円錐四方配置を説明するための平面模式図である。図６９は、図６７において示した円錐六方配置を説明するための平面模式図である。なお、図６４～図６７に示したデータは、基本的に上述した本発明例Ｓ9と同様の構造のＬＥＤであって、各グラフの横軸に示された特性について変更した試料を準備し、当該試料を用いて測定したものである。 【０１７８】 図６４に示したグラフの横軸は溝の深さ（μｍ）を示し、縦軸は光の取出し倍率を示している。なお、縦軸に示された光の取出し倍率は、溝が形成されていない場合を基準とした場合の相対値である。図６４から分かるように、溝の深さが１００μｍ、２００μｍ、３００μｍ のいずれの場合も、溝が形成されていない場合より光の取出し倍率が１．２ 以上となっている。つまり、溝を形成しない場合より、溝を形成した方が光の取出し量（基板から出射される光量）が大きくなることが分かる。また、図６４には、溝の深さが深くなるほど、光の取出し倍率が大きくなる傾向が示されている。」 （オ）図１は以下のとおりである。 （カ）図３は以下のとおりである。 （キ）図４は以下のとおりである。 （ク）上記（ア）～（エ）の記載を参酌しつつ、図１、３から、ＧａＮ基板１（窒化物半導体基板）には複数の溝が形成されており、ＧａＮ基板１（窒化物半導体基板）の溝が形成されている面の溝がない部分は平坦であることが看て取れる。 イ　上記記載及び図面から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 引用発明 「窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層と、前記窒化物半導体基板から見て前記ｎ型窒化物半導体層より遠くに位置するｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層の間に位置する発光層とを備えた発光装置であって、 前記ｐ型窒化物半導体層の側をダウン実装し、前記窒化物半導体基板の前記第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面から光を放出し、 前記窒化物半導体基板の前記第２の主表面には複数の溝が形成されており、 前記溝の断面形状はＶ字状であり、 窒化物半導体基板の溝が形成されている面の溝がない部分は平坦であり、 一つの実施形態として、溝の深さＴ3は４０μｍ、溝８０の側壁とＧａＮ基板１の第２の主表面と平行な平面との成す角度θは６０°、隣接する溝８０のピッチＰは１５０μｍとし、 他の実施形態として、ＧａＮ基板の光出射面側（第２の主面側）を溝８０により凹凸加工したものは、いずれもＧａＮ基板とエポキシ樹脂１５との接触界面が発光層の面に対して様々な角度を有することから界面での全反射が防止されやすいこと、などの理由により、高い光出力を得ることができる、 発光装置。」 （２）対比 本願発明と引用発明を対比する。 ア　引用発明の「窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の第１の主表面の側に、ｎ型窒化物半導体層と、前記窒化物半導体基板から見て前記ｎ型窒化物半導体層より遠くに位置するｐ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層の間に位置する発光層とを備えた発光装置」は、半導体発光デバイスであること、及び発光領域を含む半導体構造であることは明らかであるから、本願発明の「半導体発光デバイス」、「発光領域を含む半導体構造」に相当する。 イ　上記アから、本願発明と引用発明は、 以下の一致点で一致し、以下の相違点で一応相違する。 ＜一致点＞ 「半導体発光デバイスであって、 発光領域を含む半導体構造と、を含む デバイス。」 ＜相違点＞ 本願発明が、「上端が平坦化された複数の山部から成る前記半導体構造の表面と、を含み、前記上端が平坦化された複数の山部は、前記複数の山部それぞれが上端に平坦部を含んでおり、前記上端の前記平坦部に当たる光は内部全反射を受け、かつ、前記上端が平坦化された複数の山部から成る前記表面は、平均表面粗さが少なくとも１０％減少されており、かつ、表面特徴の最大高さが少なくとも２０％減少されている」のに対し、引用発明は、「窒化物半導体基板の前記第２の主表面には溝が形成されており、前記溝の断面形状はＶ字状であり、窒化物半導体基板の溝が形成されている面の溝がない部分は平坦であり、一つの実施形態として、溝の深さＴ3は４０μｍ、溝８０の側壁とＧａＮ基板１の第２の主表面と平行な平面との成す角度θは６０°、隣接する溝８０のピッチＰは１５０μｍとし、他の実施形態として、ＧａＮ基板の光出射面側（第２の主面側）を溝８０により凹凸加工したものは、いずれもＧａＮ基板とエポキシ樹脂１５との接触界面が発光層の面に対して様々な角度を有することから界面での全反射が防止されやすいこと、などの理由により、高い光出力を得ることができる」点。 （３）判断 ア　相違点に係る本願発明の「上端が平坦化された複数の山部から成る前記半導体構造の表面と、を含み、前記上端が平坦化された複数の山部は、前記複数の山部それぞれが上端に平坦部を含んで」について 引用発明は、「窒化物半導体基板の前記第２の主表面には複数の溝が形成されており、前記溝の断面形状はＶ字状であり、窒化物半導体基板の溝が形成されている面の溝がない部分は平坦であ」ることから、このような形状は、見方を変えて表現すれば、山部の上端を平坦化した形状といえるものである。 したがって、上記本願発明の構成について、実質的な相違点とはいえない。 イ　相違点に係る本願発明の「上端の前記平坦部に当たる光は内部全反射を受け」について 引用文献１における「【００１４】・・・光を発生し伝播させてきたＧａＮ層とサファイア基板との界面で、所定の入射角以上の光は全反射して、外に出ない。」等の記載から見て、引用発明は、半導体構造の界面の光の全反射に着目していることは明らかであり、また、引用発明において「ＧａＮ基板の光出射面側（第２の主面側）を溝８０により凹凸加工したものは、いずれもＧａＮ基板とエポキシ樹脂１５との接触界面が発光層の面に対して様々な角度を有することから界面での全反射が防止されやすい」ことから、引用発明は、接触界面を単に平坦にすることよりも、凹凸加工することにより全反射を防止しているといえ、よって、引用発明が平坦部分において光が全反射することを前提に、それを可能な範囲で減らすことを想定していることは明らかである。 したがって、引用発明においても、上記本願発明の構成を有しているといえるから、上記本願発明の構成について、実質的な相違点とはいえない。 ウ　相違点に係る本願発明の「上端が平坦化された複数の山部から成る前記表面は、平均表面粗さが少なくとも１０％減少されており、かつ、表面特徴の最大高さが少なくとも２０％減少されている」について （ア）後記４でも説示するように、「少なくとも１０％減少された」、「少なくとも２０％減少された」との記載は、何に対して１０％、あるいは２０％減少されるか明らかでなく、実質的な限定がなされているとはいえないから、上記本願発明の構成について、実質的な相違点とはいえない。 （イ）以下、上記「少なくとも１０％減少された」、「少なくとも２０％減少された」との記載が、上端が平坦化されていない山部の態様から、「平均表面粗さが少なくとも１０％減少されており」、「表面特徴の最大高さが少なくとも２０％減少されている」と解して、検討する。なお、そのように解釈したとしても、後記４で説示するように、依然として、どのような態様を意味しているのか不明瞭ではあるが、斜面が断面直線状な山部の形状であるならば、上端が平坦化されていない山部の態様を推測可能であることから、本願発明が、このような態様を少なくとも含むと解して検討を進める。 本願発明の平均表面粗さについて、本願明細書の表１によればＲａが用いられており、Ｒａは一般的に算術平均粗さを意味するから、本願発明の平均表面粗さは算術平均粗さＲａであると解する。 引用発明は、「一つの実施形態として、溝の深さＴ3は４０μｍ、溝８０の側壁とＧａＮ基板１の第２の主表面と平行な平面との成す角度θは６０°、隣接する溝８０のピッチＰは１５０μｍ」であることから、斜面が断面直線状の山部の形状であると考えることができ、よって、引用発明の態様は、図３の紙面で表される面を断面としたときに、山部の底辺の長さが１５０μｍ、山部の底角が６０°、山部の上端が平坦化された平坦面と底辺の距離が４０μｍと言い換えることができるものである。この形状を上記断面において数学的に捉えれば、一辺が１５０μｍの正三角形において、底辺から４０μｍの高さ部分で正三角形の上端（上部）が平坦化された形状であるといえる。ここで上記正三角形の高さは７５×√３≒１３０μｍであることから、正三角形の上端の平坦化により、高さが１３０μｍから４０μｍに減じることになり、概略、引用発明において、山部の高さは、上端が平坦化されていないものとして推測される元の正三角形から７０％近く減少しており、本願発明に係る、上端が平坦化されていない山部の態様から「平均表面粗さが少なくとも１０％減少されており」、「表面特徴の最大高さが少なくとも２０％減少されている」との数値範囲を満たしていると推認される。 また、仮にそうでないとしても、本願発明で規定された程度の数値限定は、引用発明において溝の形状を適宜設計することにより、当業者が適宜設定しうる程度のことにすぎない。 エ　作用効果について 本願発明と引用発明との間に仮に相違点があるとしても、その相違点に係る本願発明の効果について、引用発明から、当業者が予測しうる程度のものにすぎない。 （４）小括 したがって、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。 また、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 ４　明確性について 上記第２の２（２）アと同様に、本願発明にも「少なくとも１０％減少された」、「少なくとも２０％減少された」との減少の記載が含まれており、上記減少の記載は、どのような態様を意味しているのか不明瞭である。 したがって、本願発明は明確でなく、本願は、特許請求の範囲の記載が不備であるから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 第４　むすび 以上のとおり、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 また、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 さらに、本願は、特許請求の範囲の記載が不備であるから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。