2020-700962

特許第６７１１１０４号発明「レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７１１１０４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５、１１～１３〕〔６～１０、１４～１６〕について訂正することを認める。 特許第６７１１１０４号の請求項１～１６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続等の経緯 特許第６７１１１０４号の請求項１～請求項１０に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願（特願２０１６－８５５８１号）は、２０１６年（平成２８年）４月２１日（先の出願に基づく優先権主張 平成２７年４月２４日）を出願日とする特許出願であって、令和２年６月１日に特許権の設定の登録がされたものである。 その後、本件特許について、令和２年６月１７日に特許掲載公報が発行されたところ、発行の日から６月以内である令和２年１２月７日に、本件特許のうち全請求項に係る特許に対して、特許異議申立人 加藤三千代（以下「特許異議申立人１」という。）から、令和２年１２月１５日に、本件特許発明のうち全請求項に係る特許に対して、特許異議申立人 古川慎二（以下「特許異議申立人２」という。）から、それぞれ特許異議の申立てがされた。 その後の手続等の概要は、以下のとおりである。 令和３年３月 ３日付け：取消理由通知書 令和３年４月３０日付け：訂正請求書 令和３年４月３０日付け：意見書（特許権者） 令和３年６月１８日付け：意見書（特許異議申立人１） 令和３年６月１８日付け：意見書（特許異議申立人２） 第２ 本件訂正請求について 令和３年４月３０日にされた訂正の請求を、以下「本件訂正請求」という。 １ 訂正の趣旨 本件訂正請求の趣旨は、特許第６７１１１０４号の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～１６について訂正することを求める、というものである。 ２ 訂正の内容 本件訂正請求において特許権者が求める訂正の内容は、以下のとおりであるところ、本件訂正請求は、後述するように（１）一群の請求項１～５に係る訂正及び（２）一群の請求項６～１０に係る訂正からなり、それぞれ別の訂正単位とすることを求めている。なお、下線は訂正箇所を示す。 また、化学式において同一構造のもの（例えば、【化１】と【化４】等）の再摘記は省略する。 （１）一群の請求項１～５に係る訂正 ア 訂正事項１ 訂正事項１による訂正は、特許請求の範囲の請求項１に 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が１容量％未満の雰囲気中、４５０℃超８００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成方法（但し、上記芳香環を有する化合物が、下記式（１）又は（２）で表されるものを除く）。 【化１】 ［図：0001386096000001.jpg］ （式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２】 ［図：0001386096000002.jpg］ 」と記載されているのを 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデ環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 カリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１】 （当合議体注：【化１】の再摘記は省略する。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２】 （当合議体注：【化２】の再摘記は省略する。） 【化３】（ｉ） ［図：0001386096000003.jpg］ （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」（下線は訂正箇所を示す。）に訂正する。（請求項１を引用する請求項３も同様に訂正する。） イ 訂正事項２ 訂正事項２による訂正は、特許請求の範囲の請求項２に 「上記酸素濃度が０．１容量％以下である請求項１に記載のレジスト下層膜形成方法。」と記載されているのを、 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 カリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化４】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化５】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化６】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」に訂正する。（請求項２を引用する請求項３も同様に訂正する。） ウ 訂正事項３ 訂正事項３による訂正は、訂正前の請求項４の記載を訂正するものであるところ、以下の「訂正事項３－１」～「訂正事項３－４」からなるものである。 （ア）訂正事項３－１ 訂正事項３－１による訂正は、特許請求の範囲の請求項４に 「上記芳香環を有する化合物が主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジスト下層膜形成方法。」とあるうち、請求項１を引用するものについて 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであり、 上記樹脂αが、ノボラック系樹脂及びピレン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種であるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化７】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化８】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化９】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」に訂正する。（請求項４を引用する請求項５も同様に訂正する。） （イ）訂正事項３－２ 訂正事項３－２による訂正は、特許請求の範囲の請求項４に 「上記芳香環を有する化合物が主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジスト下層膜形成方法。」とあるうち、請求項１を引用する請求項２を引用するものについて、独立形式に改め 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、下記式（５）若しくは（６）で表される部分構造を有する芳香環含有化合物γ’、 又はこれらの組み合わせであるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１９】 ［図：0001386096000004.jpg］ （式（５）中、Ｒ１０１～Ｒ１０４は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ａ１１及びａ１２は、それぞれ独立して、０～９の整数である。ｂ１１及びｂ１２は、それぞれ独立して、０～４の整数である。Ｒ１０１～Ｒ１０４がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１０１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０２は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０３は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０４は同一でも異なっていてもよい。ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｋ１１及びｋ１２は、それぞれ独立して、０～９の整数である。但し、ａ１１＋ｋ１１は、９以下であり、ａ１２＋ｋ１２は、９以下である。＊１１は、上記部分構造以外の部分との結合部位を示す。） 【化２０】 ［図：0001386096000005.jpg］ （式（６）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、スピロ炭素原子及び芳香環の炭素原子と共に構成される置換又は非置換の環員数４～１０の環構造を表す。Ｒ１３１及びＲ１３２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基又は１価の有機基である。ａ１及びａ２は、それぞれ独立して、０～８の整数である。Ｒ１３１及びＲ１３２がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１３１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１３２は同一でも異なっていてもよい。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｋ１及びｋ２は、それぞれ独立して、０～８の整数である。但し、ａ１＋ｋ１は８以下であり、ａ２＋ｋ２は８以下である。＊１３は、上記部分構造以外の部分との結合部位を示す。） 【化２１】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２２】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化２３】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」と記載し、新たに請求項１１とする。 （ウ）訂正事項３－３ 訂正事項３－３による訂正は、特許請求の範囲の請求項４に 「上記芳香環を有する化合物が主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジスト下層膜形成方法。」とあるうち、請求項１を引用する請求項３を引用するものについて、独立形式に改め 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、５００℃以上５５０℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化２４】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２５】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化２６】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」と記載し、新たに請求項１２とする。 （エ）訂正事項３－４ 訂正事項３－４による訂正は、特許請求の範囲の請求項４に 「上記芳香環を有する化合物が主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジスト下層膜形成方法。」とあるうち、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項３を引用するものについて、独立形式に改め 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、５００℃以上６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであり、 上記芳香環を有する化合物が架橋性を有するレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化２７】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２８】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化２９】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 」と記載し、新たに請求項１３とする。 エ 訂正事項４ 訂正事項４による訂正は、特許請求の範囲の請求項５に、 「上記主鎖に芳香環を有する樹脂が重縮合化合物である請求項４に記載のレジスト下層膜形成方法。」と記載されているのを 「上記主鎖に芳香環を有する樹脂が重縮合化合物であり、 上記温度が４５０℃超５５０℃以下である請求項４に記載のレジスト下層膜形成方法。」に訂正する。 （２）一群の請求項６～１０に係る訂正 ア 訂正事項５ 訂正事項５による訂正は、特許請求の範囲の請求項６に 「基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジストパターンを形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が１容量％未満の雰囲気中、４５０℃超８００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有するパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記レジスト下層膜を形成する工程と、上記レジストパターンを形成する工程との間に、 上記レジスト下層膜上に、シリコン膜を形成する工程と、 上記シリコン膜上に、炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する工程と、 上記炭化水素膜上に、珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する工程と を備え、且つ上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表されるもの （Ｂ）上記芳香環を有する化合物が下記式（３）で表されるもの 【化３】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化４】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化５】 ［図：0001386096000006.jpg］ 」と記載されているのを 「基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 カリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１０】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化１１】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化１２】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」に訂正する。（請求項６を引用する請求項８も同様に訂正する。） イ 訂正事項６ 訂正事項６による訂正は、特許請求の範囲の請求項７に 「上記酸素濃度が０．１容量％以下である請求項６に記載のパターン形成方法。」と記載されているのを 「基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 カリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１３】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化１４】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化１５】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」に訂正する。（請求項７を引用する請求項８も同様に訂正する。） ウ 訂正事項７ 訂正事項７による訂正は、訂正前の請求項９の記載を訂正するものであるところ、以下の「訂正事項７－１」～「訂正事項７－４」からなるものである。 （ア）訂正事項７－１ 訂正事項７－１による訂正は、特許請求の範囲の請求項９に 「上記芳香環を有する化合物が主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項６、請求項７又は請求項８に記載のパターン形成方法。」とあるうち、請求項６を引用するものについて 「基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであり、 上記樹脂αが、ノボラック系樹脂及びピレン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種であるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１６】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化１７】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化１８】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」に訂正する。（請求項９を引用する請求項１０も同様に訂正する。） （イ）訂正事項７－２ 訂正事項７－２による訂正は、特許請求の範囲の請求項９に 「上記芳香環を有する化合物が主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項６、請求項７又は請求項８に記載のパターン形成方法。」とあるうち、請求項６を引用する請求項７を引用するものについて、独立形式に改め 「基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、下記式（５）若しくは（６）で表される部分構造を有する芳香環含有化合物γ’、 又はこれらの組み合わせであるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化３０】 ［図：0001386096000007.jpg］ （式（５）中、Ｒ１０１～Ｒ１０４は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ａ１１及びａ１２は、それぞれ独立して、０～９の整数である。ｂ１１及びｂ１２は、それぞれ独立して、０～４の整数である。Ｒ１０１～Ｒ１０４がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１０１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０２は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０３は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０４は同一でも異なっていてもよい。ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｋ１１及びｋ１２は、それぞれ独立して、０～９の整数である。但し、ａ１１＋ｋ１１は、９以下であり、ａ１２＋ｋ１２は、９以下である。＊１１は、上記部分構造以外の部分との結合部位を示す。） 【化３１】 ［図：0001386096000008.jpg］ （式（６）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、スピロ炭素原子及び芳香環の炭素原子と共に構成される置換又は非置換の環員数４～１０の環構造を表す。Ｒ１３１及びＲ１３２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基又は１価の有機基である。ａ１及びａ２は、それぞれ独立して、０～８の整数である。Ｒ１３１及びＲ１３２がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１３１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１３２は同一でも異なっていてもよい。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｋ１及びｋ２は、それぞれ独立して、０～８の整数である。但し、ａ１＋ｋ１は８以下であり、ａ２＋ｋ２は８以下である。＊１３は、上記部分構造以外の部分との結合部位を示す。） 【化３２】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化３３】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化３４】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」と記載し、新たに請求項１４とする。 （ウ）訂正事項７－３ 訂正事項７－３による訂正は、特許請求の範囲の請求項９に 「上記芳香環を有する化合物が主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項６、請求項７又は請求項８に記載のパターン形成方法。」とあるうち、請求項６を引用する請求項８を引用するものについて、独立形式に改め 「基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、５００℃以上５５０℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化３５】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化３６】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化３７】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」と記載し、新たに請求項１５とする。 （エ）訂正事項７－４ 訂正事項７－４による訂正は、特許請求の範囲の請求項９に 「上記芳香環を有する化合物が主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項６、請求項７又は請求項８に記載のパターン形成方法。」とあるうち、請求項６を引用する請求項７を引用する請求項８を引用するものについて、独立形式に改め 「基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、５００℃以上６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであり、 上記芳香環を有する化合物が架橋性を有するパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化３８】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化３９】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化４０】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」と記載し、新たに請求項１６とする。 エ 訂正事項８ 訂正事項８による訂正は、特許請求の範囲の請求項１０に 「上記主鎖に芳香環を有する樹脂が重縮合化合物である請求項９に記載のレジスト下層膜形成方法。」と記載されているのを 「上記主鎖に芳香環を有する樹脂が重縮合化合物であり、 上記温度が４５０℃超５５０℃以下である請求項９に記載のパターン形成方法。」に訂正する。 （３）一群の請求項及び別の訂正単位とする求めについて 特許権者は、令和３年４月３０日付け訂正請求書（３４頁及び７２頁）において、[A]訂正後の請求項１～５及び１１～１３及び[B]訂正後の請求項６～１０及び１４～１６について、それぞれ他の一群の請求項とは別途訂正することを求めている。 ここで、上記[A]に係る訂正は、上記（１）の訂正内容からみて、訂正前の請求項１～５について訂正するものであって、訂正前の請求項２～５はそれぞれ訂正前の請求項１を直接又は間接に引用しているものであり、訂正事項１による訂正によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～５に対応する訂正後の請求項１～５及び１１～１３は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項（以下「第１群」という。）といえる。 同様に、上記[B]に係る訂正は、上記（２）の訂正内容からみて、訂正前の請求項６～１０について訂正するものであって、訂正前の請求項７～１０はそれぞれ訂正前の請求項６を直接又は間接に引用しているものでり、訂正事項５による訂正によって記載が訂正される請求項６に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項６～１０に対応する訂正後の請求項６～１０及び１４～１６は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項（以下「第２群」という。）といえる。 したがって、以下、各一群ごとに訂正の適否について判断する。 ３ 訂正の適否 （１）第１群に係る訂正について ア 訂正事項１について （ア）訂正の目的 訂正事項１による訂正のうち、訂正前の請求項１の酸素濃度を「１容量％未満」から「０．０１容量％以下」とする訂正Ａ（以降、訂正の一部をアルファベットを付して称する場合がある。）は、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものである。 訂正事項１による訂正のうち、訂正前の請求項１の温度範囲を「４５０℃超８００℃以下」から「４５０℃超６００℃以下」とする訂正Ｂは、温度範囲をより狭い範囲へ限定するものである。 訂正事項１による訂正のうち、請求項１に「上記芳香環を有する化合物が、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、カリックスアレーン系樹脂β、分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、又はこれらの組み合わせである」を加える訂正Ｃは、訂正前の請求項１の「芳香環を有する化合物」を具体的に下位概念に限定するものである。 訂正事項１による訂正のうち、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、及び除くものとして、訂正前の態様を「（Ａ）」とした上でさらに「（Ｂ）」の態様を加える訂正Ｅは、特許請求の範囲から除かれる範囲を広げるものである。 したがって、これらの訂正（訂正Ａ～Ｅ）はいずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 また、訂正事項１による訂正のうち、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆは、化合物は式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものであることを明確にするものであり、式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇは式（１）の説明であることを明確にするものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものである。 以上によれば、訂正事項１による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするもの及び同条同項ただし書第３号に規定する事項（明瞭でない記載の釈明）を目的とするものである。 （イ）新規事項 訂正Ａ及び訂正Ｂは、それぞれ本件出願の願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）の段落【００１６】及び【００１５】の記載に基づくものである。 また、訂正Ｃのうち上記芳香環を有する化合物が、「ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α」であること（訂正Ｃ－１）は、本件明細書段落【００３８】の記載に基づき、「カリックスアレーン系樹脂β」であること（訂正Ｃ－２）は、本件明細書段落【００３９】の記載に基づき、「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」であること（訂正Ｃ－３）は、本件明細書段落【００３８】の記載に基づき、「又はこれらの組み合わせ」であること（訂正Ｃ－４）、すなわち上記樹脂を２種以上を組み合わせて用いることができることは、本件明細書段落【００３７】の記載に基づくものである。 また、式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄは、請求項１の発明から除かれる範囲に、取消理由通知書に記載の甲２に記載された発明を加えるものであり、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅは、請求項１の発明から除かれる範囲に、先願１発明の範囲を加えるものである。 訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆについては、先願２明細書には、式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものが記載されている。このため、訂正Ｆは、甲２発明及び先願２発明を除くものである。 式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇは、形式的な訂正であり、実質的な内容の変更を伴うものではない。 以上勘案すると、訂正事項１による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項１による訂正は、いずれも願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）拡張又は変更 上記（ア）で述べた訂正の内容からみて、訂正事項１による訂正により、訂正前の特許請求の範囲には含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。 したがって、訂正事項１による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 イ 訂正事項２について 訂正事項２による訂正は、訂正前の請求項２についての訂正であって、訂正前の請求項２が訂正前の請求項１を引用していたのを引用関係を解消して新たに独立請求項２とする訂正を含む。また、訂正事項２による訂正は、訂正の対象が訂正前の請求項２であることのほか、上記アの訂正Ａ～訂正Ｇのうち、訂正Ｃの「樹脂α」として複数列挙された環から「ナフタレン環」及び「アントラセン環」を削除したものをものからなる「樹脂α」を追加すること以外は同一の内容を訂正内容とする訂正である。 そうしてみると、訂正事項２による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 また、訂正事項１による訂正と同様の理由により、訂正事項２による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項２による訂正は、いずれも願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項１による訂正と同様の理由により、訂正事項２による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 ウ 訂正事項３について 訂正事項３による訂正は、以下の（ア）～（エ）に示す訂正からなる。 （ア）訂正前の請求項１を引用した訂正前の請求項４について引用関係を解消して訂正後の新たな請求項４とする訂正（以下「訂正事項３－１」という。） （イ）訂正前の請求項１及び２を引用した訂正前の請求項４について引用関係を解消して訂正後の新たな請求項１１とする訂正（以下「訂正事項３－２」という。） （ウ）訂正前の請求項１及び３（請求項２を引用する部分を除く）を引用した訂正前の請求項４について引用関係を解消して訂正後の新たな請求項１２とする訂正（以下「訂正事項３－３」という。） （エ）訂正前の請求項１～３をいずれも引用した訂正前の請求項４について引用関係を解消して訂正後の新たな請求項１３とする訂正（以下「訂正事項３－４」という。） 以下、各訂正事項について検討する。 （ア）訂正事項３－１について ａ 訂正の目的 訂正事項３－１による訂正は、訂正前の請求項１の「１容量％未満」を「０．０１容量％以下」とする訂正Ａを含み、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものである。 また、訂正事項３－１による訂正は、訂正前の請求項１の「４５０℃超８００℃以下」を「４５０℃超６００℃以下」とする訂正Ｂを含み、温度範囲をより狭い範囲へ限定するものである。 さらに、訂正事項３－１による訂正は、訂正前の請求項４の「主鎖に芳香環を有する樹脂」を「主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」とし、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物を「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」とし、さらに樹脂αを「ノボラック系樹脂及びピレン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種」とする訂正Ｃ２は、訂正前の請求項４の「主鎖に芳香環を有する樹脂」及び「分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物」をそれぞれ下位概念に限定するものである。 したがって、これら（訂正Ａ、Ｂ及びＣ２）はいずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものである。 また、訂正事項３－１による訂正のうち、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅ、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆ、及び式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇを含む。上記訂正Ｄ、Ｅ、Ｆ及びＧの内容から、これらの訂正は、訂正事項１と同様の訂正といえる。 したがって、訂正事項３－１による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 ｂ 新規事項 訂正事項３－１による訂正のうち訂正Ａ及び訂正Ｂは、それぞれ本件明細書段落【００１６】及び【００１５】の記載に基づくものである。 また、訂正Ｃのうち上記主鎖に芳香環を有する樹脂が、「ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」であること（訂正Ｃ２－１）は、本件明細書段落【００３８】及び【００３９】の記載に基づき、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物が、「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」であること（訂正Ｃ２－２）は、本件明細書段落【００３８】の記載に基づき、樹脂αが、「ノボラック系樹脂及びピレン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種」であること（訂正Ｃ２－３）は、本件明細書段落【００３９】の記載に基づくものである。 さらに、訂正事項３－１による訂正のうち、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅ、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆ、及び式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇは、訂正事項１による訂正と同様の内容であるから、本件明細書における訂正の根拠も同様である。 以上勘案すると、訂正事項３－１による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項３－１による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 拡張又は変更 上記ａの訂正内容からみて、訂正事項３－１による訂正により、訂正前の特許請求の範囲には含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。 したがって、訂正事項３－１による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 （イ）訂正事項３－２について ａ 訂正の目的 訂正事項３－２による訂正は、訂正前の請求項１の「１容量％未満」を「０．０１容量％以下」とする訂正Ａ１を含み、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものである。 また、訂正事項３－２による訂正は、訂正前の請求項１の「４５０℃超８００℃以下」を「４５０℃超６００℃以下」とする訂正Ｂを含み、温度範囲をより狭い範囲へ限定するものである。 さらに、訂正事項３－２による訂正は、訂正前の請求項４の主鎖に芳香環を有する樹脂を「主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」とし、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物を「分子量が６００以上３０００以下であり、式（５）若しくは（６）で表される部分化合物を有する芳香環含有化合物γ’（式（５）及び式（６）については省略）」とする訂正Ｃ３は、訂正前の請求項４の「主鎖に芳香環を有する樹脂」及び「分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物」をそれぞれ下位概念に限定するものである。 したがって、これら（訂正Ａ１、Ｂ及びＣ３）はいずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものである。 また、訂正事項３－２による訂正のうち、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅ、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆ、及び式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇを含む。上記訂正Ｄ、Ｅ、Ｆ及びＧの内容からみて、これらの訂正は、訂正事項１と同様の訂正といえる。 したがって、訂正事項３－２による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 ｂ 新規事項 訂正事項３－２による訂正のうち訂正Ａ及び訂正Ｂは、それぞれ本件明細書の段落【００１６】及び【００１５】の記載に基づくものである。 また、訂正Ｃ３のうち上記主鎖に芳香環を有する樹脂が、「主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」であること（訂正Ｃ３－１）は、本件明細書段落【００３８】及び【００３９】の記載に基づき、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物が、「分子量が６００以上３０００以下であり、式（５）若しくは（６）で表される部分化合物を有する芳香環含有化合物γ’（式（５）及び式（６）については省略）」であること（訂正Ｃ３－２）は、本件明細書段落【０１１８】～【０１２２】の記載に基づくものである。 さらに、訂正事項３－２による訂正は、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅ、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆ、及び式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇを含む。その訂正の内容からみて、 これらの訂正は、訂正事項１による訂正と同様の訂正といえるから、本件明細書における訂正の根拠も同様である。 以上勘案すると、訂正事項３－２による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項３－２による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 拡張又は変更 上記ａの訂正内容からみて、訂正事項３－２による訂正により、訂正前の特許請求の範囲には含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。 したがって、訂正事項３－２による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 （ウ）訂正事項３－３について ａ 訂正の目的 訂正事項３－３による訂正は、訂正前の請求項１の「１容量％未満」を「０．０１容量％以下」とする訂正Ａを含み、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものである。 また、訂正事項３－３による訂正は、訂正前の請求項３の「５００℃以上６００℃以下」を「５００℃以上５５０℃以下」とする訂正Ｂ１を含み、温度範囲をより狭い範囲へ限定するものである。 さらに、訂正事項３－３による訂正は、訂正前の請求項４の主鎖に芳香環を有する樹脂を「主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」とし、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物を「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」とする訂正Ｃ４は、訂正前の請求項４の「主鎖に芳香環を有する樹脂」及び「分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物」をそれぞれ下位概念に限定するものである。 したがって、これら（訂正Ａ、Ｂ１及びＣ４）はいずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものである。 また、訂正事項３－３による訂正は、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅ、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆ、及び式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇを含む。上記訂正Ｄ、Ｆ及びＧの内容からみて、これらの訂正は、訂正事項１と同様の訂正といえる。 以上によれば、訂正事項３－３による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 ｂ 新規事項 訂正事項３－３による訂正のうち訂正Ａは、本件明細書段落【００１６】の記載に、訂正Ｂ１は、本件明細書段落【００１５】及び【０２６２】【表１】の実施例１～実施例１９の「レジスト下層膜形成時の加熱温度」の記載に基づくものである。 また、訂正Ｃ４のうち上記主鎖に芳香環を有する樹脂が、「主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」であること（訂正Ｃ４－１）は、本件明細書段落【００３８】及び【００３９】の記載に基づき、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物が、「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」であること（訂正Ｃ４－２）は、本件明細書段落【００３８】の記載に基づくものである。 さらに、訂正事項３－３による訂正は、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｅ、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅ、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆ、及び式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇを含む。その訂正の内容からみて、これらの訂正は、訂正事項１による訂正と同様の訂正といえるから、本件明細書における訂正の根拠も同様である。 以上勘案すると、訂正事項３－３による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項３－３による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 拡張又は変更 上記ａの訂正内容からみて、訂正事項３－３による訂正により、訂正前の特許請求の範囲には含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。 したがって、訂正事項３－３による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 （エ）訂正事項３－４について ａ 訂正の目的 訂正事項３－４による訂正は、訂正前の請求項２の「１容量％未満」を「０．０１容量％以下」とする訂正Ａ１を含み、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものである。 また、訂正事項３－４による訂正は、訂正前の請求項４の主鎖に芳香環を有する樹脂を「主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」とし、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物を「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」とする訂正Ｃ４は、訂正前の請求項４の「主鎖に芳香環を有する樹脂」及び「分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物」をそれぞれ下位概念に限定するものである。 さらに、訂正前の請求項４に「芳香環を有する化合物が架橋性を有する」を加える訂正Ｈは、「芳香環を有する化合物」を具体的に下位概念のものに限定するものである。 したがって、これら（訂正Ａ１、Ｃ４及びＨ）はいずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものである。 また、訂正事項３－４による訂正は、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅ、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆ、及び式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇを含む。上記訂正Ｄ、Ｅ、Ｆ及びＧの内容からみて、これらの訂正は、訂正事項１と同様の訂正といえる。 以上によれば、訂正事項３－４による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 ｂ 新規事項 訂正事項３－４による訂正のうち訂正Ａ１は、本件明細書段落【００１６】の記載に基づくものである。 また、訂正Ｃ４のうち上記主鎖に芳香環を有する樹脂が、「主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」であること（訂正Ｃ４－１）は、本件明細書段落【００３８】及び【００３９】の記載に基づき、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物が、「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」であること（訂正Ｃ４－２）は、本件明細書段落【００３８】の記載（[Ａ]化合物の架橋反応についての記載）に基づくものである。 さらに、芳香環を有する化合物が架橋性を有すること（訂正Ｈ）は、本件明細書段落【０１９２】等の記載に基づくものである。 加えて、訂正事項３－４による訂正は、訂正前の請求項１の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、除くものに（Ｂ）の態様を加える訂正Ｅ、訂正前の請求項１の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆ、及び式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇを含む。その訂正の内容からみて、これらの訂正は、訂正事項１による訂正と同様の訂正といえるから、本件明細書における訂正の根拠も同様である。 以上勘案すると、訂正事項３－４による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項３－４による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 拡張又は変更 上記ａの訂正内容からみて、訂正事項３－４による訂正により、訂正前の特許請求の範囲には含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。 したがって、訂正事項３－４による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 エ 訂正事項４について （ア）訂正の目的 訂正事項４による訂正は、訂正前の請求項１の「１容量％未満」を「０．０１容量％以下」とする訂正Ａを含み、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものである。 また、訂正事項４による訂正は、訂正前の請求項１の「４５０℃超８００℃以下」を「４５０℃超５５０℃以下」とする訂正Ｂ２を含み、温度範囲をより狭い範囲へ限定するものである。 したがって、訂正事項４による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものである。 （イ）新規事項 訂正事項４による訂正のうち、訂正Ａは、本件明細書段落【００１６】の記載に、訂正Ｂ２は、本件明細書段落【０２６２】【表１】の実施例１～実施例１９の「レジスト下層膜形成時の加熱温度」の記載に基づくものである。 したがって、訂正事項４による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）拡張又は変更 上記（ア）から明らかなように、訂正事項４による訂正が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであること、及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないことは明らかである。 オ 第１群に係る訂正についての小括 以上ア～エで述べたとおり、第１群に係る訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書、同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合するものである。 （２）第２群に係る訂正について ア 訂正事項５について （ア）訂正の目的 訂正事項５による訂正のうち、訂正前の請求項６の「上記レジストパターンを形成する工程が」を「上記レジスト下層膜を形成する工程が」とする訂正Ｙは、明らかな誤記を訂正するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第２号に掲げる事項（誤記又は誤訳の訂正）を目的とするものである。 訂正事項５による訂正のうち、訂正前の請求項６の酸素濃度を「１容量％未満」から「０．０１容量％以下」とする訂正Ａは、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものであり、訂正前の請求項６の温度範囲を「４５０℃超８００℃以下」から「４５０℃超６００℃以下」とする訂正Ｂは、温度範囲をより狭い範囲へ限定するものである。 訂正事項５による訂正のうち、請求項６に「上記芳香環を有する化合物が、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、カリックスアレーン系樹脂β、分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、又はこれらの組み合わせである」を加える訂正Ｃは、訂正前の請求項６の「芳香環を有する化合物」を具体的に下位概念に限定するものである。 訂正事項５による訂正のうち、訂正前の請求項６の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、及び除く態様である（Ａ）及び（Ｂ）を「（Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの（Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの」とする訂正Ｅ１は、特許請求の範囲から除かれる範囲を広げるものである。 したがって、これら（訂正Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥ１）はいずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものである。 また、訂正事項５による訂正のうち、訂正前の請求項６の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆは、式（１）の説明において「式中」を「式『（１）』中」とする訂正Ｇは式（１）の説明であることを明確にするものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）を目的とするものである。 以上によれば、訂正事項５による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書き第２号に掲げる事項（誤記又は誤訳の訂正）及び同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）を目的とするものである。 （イ）新規事項 訂正Ｙは、明細書段落【００１１】、【００２１】等の記載に基づくものである。 訂正Ａ及びＢは、それぞれ本件明細書段落【００１６】及び【００１５】の記載に基づくものである。 また、上記芳香環を有する化合物が、「ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α」であること（訂正Ｃ－１）は、本件明細書段落【００３８】の記載に基づき、「カリックスアレーン系樹脂β」であること（訂正Ｃ－２）は、本件明細書段落【００３９】の記載に基づき、「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」であること（訂正Ｃ－３）は、本件明細書段落【００３８】の記載に基づき、「又はこれらの組み合わせ」であること（訂正Ｃ－４）、すなわち２種以上を組み合わせて用いることができることは、本件明細書段落【００３７】の記載に基づくものである。 さらに、式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、及び除く態様である（Ａ）及び（Ｂ）を「（Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの（Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの」とする訂正Ｅ１は、請求項６の発明から除かれる範囲を広げるものである。 また、訂正前の請求項６の式（１）又は（２）で表されるものを式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものとする訂正Ｆに関し、取消理由通知書に記載の引用文献２及び先願２の明細書等には、式（１）又は（２）で表される「構造を含む」ものが記載されている。このため、訂正Ｆは、引用文献２及び先願２の明細書等に記載された発明を除くことを明確にするための訂正である。さらにまた、式（１）の説明において「式中」を「式（１）中」とする訂正Ｇは、形式的な訂正であり、実質的な内容の変更を伴うものではない。 以上勘案すると、訂正事項５による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項５による訂正は、いずれも願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）拡張又は変更 上記（ア）で述べた訂正の内容からみて、訂正事項５による訂正により、訂正前の特許請求の範囲には含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。 したがって、訂正事項５による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 イ 訂正事項６について 訂正事項６による訂正は、訂正前の請求項７についての訂正であって、訂正前の請求項７が訂正前の請求項６を引用していたのを引用関係を解消して新たな独立請求項７とする訂正を含む。また、訂正事項６による訂正は、訂正の対象が訂正前の請求項７であること以外、その訂正内容は、実質的に訂正事項２による訂正（酸素濃度、温度範囲及び樹脂の範囲についての訂正、「レジストパターン」から「レジスト下層膜」に変更する訂正等）と同様の内容である。 そうしてみると、訂正事項６による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第２号に掲げる事項（誤記の訂正）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 また、訂正事項６による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項６による訂正は、いずれも願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項５による訂正と同様の理由により、訂正事項６による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 ウ 訂正事項７について 訂正事項７による訂正は、以下の（ア）～（エ）に示す訂正からなる。 （ア）訂正前の請求項６を引用した訂正前の請求項９について引用関係を解消して訂正後の新たな請求項９とする訂正（以下「訂正事項７－１」という。） （イ）訂正前の請求項６及び７を引用した訂正前の請求項９について引用関係を解消して訂正後の新たな請求項１４とする訂正（以下「訂正事項７－２」という。） （ウ）訂正前の請求項６及び８（請求項７を引用する部分を除く）を引用した訂正前の請求項９について引用関係を解消して訂正後の新たな請求項１５とする訂正（以下「訂正事項７－３」という。） （エ）訂正前の請求項６～８をいずれも引用した訂正前の請求項９について引用関係を解消して訂正後の新たな請求項１６とする訂正（以下「訂正事項７－４」という。） 以下、各訂正事項について検討する。 （ア）訂正事項７－１について ａ 訂正の目的 訂正事項７－１による訂正は、訂正前の請求項６の酸素濃度の「１容量％未満」を「０．０１容量％以下」とする訂正Ａを含み、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものである。 また、訂正事項７－１による訂正は、訂正前の請求項６の「４５０℃超８００℃以下」を「４５０℃超６００℃以下」とする訂正Ｂを含み、温度範囲をより狭い範囲へ限定するものである。 さらに、訂正事項７－１による訂正は、訂正前の請求項９の「主鎖に芳香環を有する樹脂」を「主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」とし、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物を「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」とし、さらに樹脂αを「ノボラック系樹脂及びピレン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種」とする訂正Ｃ２は、訂正前の請求項４の「主鎖に芳香環を有する樹脂」及び「分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物」をそれぞれ下位概念に限定するものである。 したがって、これら（訂正Ａ、Ｂ及びＣ２）はいずれも、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものである。 また、訂正事項７－１による訂正のうち、訂正前の請求項６の「上記レジストパターンを形成する工程が」を「上記レジスト下層膜を形成する工程が」とする訂正Ｙ、訂正前の請求項６の式（１）中のＲ５の定義に「単結合」を加える訂正Ｄ、除く態様である（Ａ）及び（Ｂ）を「（Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの（Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの」とする訂正Ｅ１、訂正前の請求項６の「式（１）又は（２）で表される」ものを「式（１）又は（２）で表される構造を含む」ものとする訂正Ｆ及び式（１）の説明において「式中」を「式（１）中」と明確化する訂正Ｇを含む。上記訂正Ｄ、Ｅ１、Ｆ及びＧの内容から、これらの訂正は、訂正事項５と同様の訂正といえる。 以上によれば、訂正事項７－１による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第２号に掲げる事項（誤記の訂正）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 ｂ 新規事項 訂正事項７－１による訂正のうち訂正Ａ及び訂正Ｂは、それぞれ本件明細書段落【００１６】及び【００１５】の記載に基づくものである。 また、訂正Ｃ２のうち上記主鎖に芳香環を有する樹脂が、「ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β」であること（訂正Ｃ２－１）は、本件明細書段落【００３８】及び【００３９】の記載に基づき、分子量が６００以上３０００以下の芳香環含有化合物が、「分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ」であること（訂正Ｃ２－２）は、本件明細書段落【００３８】の記載に基づき、樹脂αが、「ノボラック系樹脂及びピレン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種」であること（訂正Ｃ２－３）は、本件明細書段落【００３９】の記載に基づくものである。 さらに、訂正事項７－１による訂正のうちの、訂正Ｄ、Ｅ１、Ｆ及びＧは、訂正事項５による訂正と同様の内容であるから、本件明細書における訂正の根拠も同様である。 以上勘案すると、訂正事項７－１による訂正は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項７－１による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 ｃ 拡張又は変更 上記「第２（１）ウ（ア）」及び「第２（２）ウ（ア）」によれば、訂正事項７－１による訂正は、訂正の対象となる訂正前の請求項こそ異なるものの、訂正事項３－１による訂正の内容と同様のものであるから、訂正の適否は上記「（１）ウ（ア）」で判断したとおりとなる。 ただし、除く態様に係る訂正の内容が、訂正事項３－１による訂正と訂正事項７－１による訂正とでは異なるから、この点については改めて検討する必要がある。 訂正事項７－１による訂正のうち、訂正Ｅ１及び訂正Ｆは、訂正前の請求項６において除かれていた範囲に相当する「（Ａ）及び（Ｂ）」を、新たな「（Ａ）及び（Ｂ）」へと変更するものである。ここで、訂正前の「（Ａ）」は、「（Ａ）上記レジスト下層膜を形成する工程と、上記レジストパターンを形成する工程との間に、上記レジスト下層膜上に、シリコン膜を形成する工程と、上記シリコン膜上に、炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する工程と、上記炭化水素膜上に、珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する工程とを備え、且つ上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表されるもの」であり、訂正前の「（Ｂ）」は、「（Ｂ）上記芳香環を有する化合物が下記式（３）で表されるもの」である（当合議体注：式（１）～式（３）は上記「第２」「２（２）ア」に記載されたものである。）。 他方、訂正後の「（Ａ）」は、「（Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの」であることから、訂正後の「（Ａ）」は、訂正前の「（Ａ）」と同一の「式（１）又は（２）で表される構造を含むもの」（下線は強調のために付した。）であって、なおかつ上記下線部の要件が課されないものと理解される。さらに、訂正前の「（Ｂ）」は、「上記芳香環を有する化合物が下記式（３）で表されるもの」であって、当該「式（３）」で表される化合物は、訂正後の「（Ａ）」における「式（１）又は（２）で表される構造を含むもの」に含まれる化合物である。加えて、訂正後の「（Ｂ）」は、訂正前の請求項６において「除く」とされた範囲に含まれていない。 以上総合すると、訂正後に「除く」とされた範囲である「（Ａ）及び（Ｂ）」は、実質的にみて、訂正前に「除く」とされた範囲である「（Ａ）及び（Ｂ）」を全て包含するより広い範囲のものである。 そうしてみると、上記ａの訂正内容及び除く態様に係る訂正についての上記検討結果から、訂正事項７－１による訂正により、訂正前の特許請求の範囲には含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることにならないことは明らかである。 したがって、訂正事項７－１による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 （イ）訂正事項７－２について 上記「２（１）ウ（イ）」及び「２（２）ウ（イ）」によれば、訂正事項７－２による訂正は、訂正の対象となる訂正前の請求項こそ異なるものの、訂正事項３－２による訂正の内容と同様のものであるから、訂正の適否は上記「（１）ウ（イ）」で判断したとおりとなる。 また、除く態様に係る訂正の適否についても、上記「（ア）ｃ」に示した判断と同様となる。 したがって、訂正事項７－２による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第２号に掲げる事項（誤記の訂正）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 また、訂正事項７－２による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項７－２による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 （ウ）訂正事項７－３について 上記「２（１）ウ（ウ）」及び「２（２）ウ（ウ）」によれば、訂正事項７－３による訂正は、訂正の対象となる訂正前の請求項こそ異なるものの、訂正事項３－３による訂正の内容と同様のものであるから、訂正の適否は上記「（１）ウ（ウ）」で判断したとおりとなる。 また、除く態様に係る訂正の適否についても、上記「（ア）ｃ」に示した判断と同様となる。 したがって、訂正事項７－３による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第２号に掲げる事項（誤記の訂正）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 また、訂正事項７－３による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項７－３による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 （エ）訂正事項７－４について 上記「２（１）ウ（エ）」及び「２（２）ウ（エ）」によれば、訂正事項７－４による訂正は、訂正の対象となる訂正前の請求項こそ異なるものの、訂正事項３－４による訂正の内容と同様のものであるから、訂正の適否は上記「（１）ウ（エ）」で判断したとおりとなる。 また、除く態様に係る訂正の適否についても、上記「（ア）ｃ」に示した判断と同様となる。 したがって、訂正事項７－４による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）、同条同項ただし書第２号に掲げる事項（誤記の訂正）、同条同項ただし書第３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）及び同条同項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とするものである。 また、訂正事項７－４による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 さらに、訂正事項７－４による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 エ 訂正事項８について （ア）訂正の目的 訂正事項８による訂正は、訂正前の請求項６の「１容量％未満」を「０．０１容量％以下」とする訂正Ａを含み、酸素濃度をより狭い範囲へ限定するものである。 また、訂正事項８による訂正は、訂正前の請求項６の「４５０℃超８００℃以下」を「４５０℃超５５０℃以下」とする訂正Ｂ２を含み、温度範囲をより狭い範囲へ限定するものである。 したがって、訂正事項８による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とするものである。 （イ）新規事項 訂正事項８による訂正のうち、訂正Ａは、本件明細書段落【００１６】の記載に、訂正Ｂ２は、本件明細書段落【０２６２】【表１】の実施例１～実施例１９の「レジスト下層膜形成時の加熱温度」の記載に基づくものである。 したがって、訂正事項８による訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。 （ウ）拡張又は変更 上記アから明らかなように、訂正事項８による訂正が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであること、及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないことは明らかである。 オ 第２群に係る訂正についての小括 以上ア～エで述べたとおり、第２群に係る訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書、同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合するものである。 ４ 小括 以上のとおり、本件訂正請求による訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書、同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。 したがって、結論に記載のとおり、特許第６７１１１０４号の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５、１１～１３〕〔６～１０、１４～１６〕について訂正することを認める。 第３ 本件特許発明 上記「第２」のとおり、本件訂正請求による訂正は認められた。 そうしてみると、特許異議の申立ての対象となっている発明は、本件訂正請求による訂正後の特許請求の範囲の請求項１～請求項１６に記載された事項によって特定されるとおりの、以下のものである（以下、本件訂正請求後の各請求項に係る発明を、それぞれ「本件特許発明１」などという。 また、訂正後の請求項１～請求項１６に係る発明を「本件特許発明」と総称することがある。）。なお、下線は訂正箇所である。 「【請求項１】 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 カリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１】 （当合議体注：【化１】の再度の摘記は省略する。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２】 （当合議体注：【化２】の再度の摘記は省略する。） 【化３】 （当合議体注：【化３】の再度の摘記は省略する。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項２】 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 カリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化４】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化５】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化６】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項３】 上記温度が５００℃以上６００℃以下である請求項１又は請求項２に記載のレジスト下層膜形成方法。 【請求項４】 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであり、 上記樹脂αが、ノボラック系樹脂及びピレン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種であるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化７】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化８】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化９】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項５】 上記主鎖に芳香環を有する樹脂が重縮合化合物であり、 上記温度が４５０℃超５５０℃以下である請求項４に記載のレジスト下層膜形成方法。【請求項６】 基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 カリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１０】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化１１】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化１２】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項７】 基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 カリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１３】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化１４】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化１５】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項８】 上記温度が５００℃以上６００℃以下である請求項６又は請求項７に記載のパターン形成方法。 【請求項９】 基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであり、 上記樹脂αが、ノボラック系樹脂及びピレン系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種であるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１６】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化１７】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化１８】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項１０】 上記主鎖に芳香環を有する樹脂が重縮合化合物であり、 上記温度が４５０℃超５５０℃以下である請求項９に記載のパターン形成方法。 【請求項１１】 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、下記式（５）若しくは（６）で表される部分構造を有する芳香環含有化合物γ’、 又はこれらの組み合わせであるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化１９】 ［図：0001386096000009.jpg］ （式（５）中、Ｒ１０１～Ｒ１０４は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ａ１１及びａ１２は、それぞれ独立して、０～９の整数である。ｂ１１及びｂ１２は、それぞれ独立して、０～４の整数である。Ｒ１０１～Ｒ１０４がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１０１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０２は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０３は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０４は同一でも異なっていてもよい。ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｋ１１及びｋ１２は、それぞれ独立して、０～９の整数である。但し、ａ１１＋ｋ１１は、９以下であり、ａ１２＋ｋ１２は、９以下である。＊１１は、上記部分構造以外の部分との結合部位を示す。） 【化２０】 ［図：0001386096000010.jpg］ （式（６）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、スピロ炭素原子及び芳香環の炭素原子と共に構成される置換又は非置換の環員数４～１０の環構造を表す。Ｒ１３１及びＲ１３２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基又は１価の有機基である。ａ１及びａ２は、それぞれ独立して、０～８の整数である。Ｒ１３１及びＲ１３２がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１３１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１３２は同一でも異なっていてもよい。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｋ１及びｋ２は、それぞれ独立して、０～８の整数である。但し、ａ１＋ｋ１は８以下であり、ａ２＋ｋ２は８以下である。＊１３は、上記部分構造以外の部分との結合部位を示す。） 【化２１】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２２】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化２３】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項１２】 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、５００℃以上５５０℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化２４】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２５】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化２６】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項１３】 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、５００℃以上６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであり、 上記芳香環を有する化合物が架橋性を有するレジスト下層膜形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化２７】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２８】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化２９】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項１４】 基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、下記式（５）若しくは（６）で表される部分構造を有する芳香環含有化合物γ’、 又はこれらの組み合わせであるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化３０】 ［図：0001386096000011.jpg］ （式（５）中、Ｒ１０１～Ｒ１０４は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基又は炭素数１～２０の１価の有機基である。ａ１１及びａ１２は、それぞれ独立して、０～９の整数である。ｂ１１及びｂ１２は、それぞれ独立して、０～４の整数である。Ｒ１０１～Ｒ１０４がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１０１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０２は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０３は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０４は同一でも異なっていてもよい。ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｋ１１及びｋ１２は、それぞれ独立して、０～９の整数である。但し、ａ１１＋ｋ１１は、９以下であり、ａ１２＋ｋ１２は、９以下である。＊１１は、上記部分構造以外の部分との結合部位を示す。） 【化３１】 ［図：0001386096000012.jpg］ （式（６）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、スピロ炭素原子及び芳香環の炭素原子と共に構成される置換又は非置換の環員数４～１０の環構造を表す。Ｒ１３１及びＲ１３２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ニトロ基又は１価の有機基である。ａ１及びａ２は、それぞれ独立して、０～８の整数である。Ｒ１３１及びＲ１３２がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１３１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１３２は同一でも異なっていてもよい。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｋ１及びｋ２は、それぞれ独立して、０～８の整数である。但し、ａ１＋ｋ１は８以下であり、ａ２＋ｋ２は８以下である。＊１３は、上記部分構造以外の部分との結合部位を示す。） 【化３２】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化３３】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化３４】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項１５】 基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、５００℃以上５５０℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであるパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化３５】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化３６】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化３７】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。） 【請求項１６】 基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、 上記レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより上記基板にパターンを形成する工程と を備え、 上記レジスト下層膜を形成する工程が、 レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、５００℃以上６００℃以下の温度で加熱する加熱工程と を備え、 上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、 主鎖に芳香環を有する樹脂であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、 主鎖に芳香環を有する樹脂であるカリックスアレーン系樹脂β、 分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、 又はこれらの組み合わせであり、 上記芳香環を有する化合物が架橋性を有するパターン形成方法（但し、下記（Ａ）及び（Ｂ）を除く）。 （Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの 【化３８】 （当合議体注：【化１】と同一の構造式である。） （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化３９】 （当合議体注：【化２】と同一の構造式である。） 【化４０】 （当合議体注：【化３】と同一の構造式である。） （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」 第４ 当合議体が通知した取消しの理由 ●理由１（サポート要件）本件特許の特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が、発明の詳細な説明に記載したものであるということができないから、特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない。 ●理由２（進歩性）本件特許の請求項１～請求項１０に係る発明は、先の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、先の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献１：特開２０００－３１０８６３号公報（後記「甲１－１」） 引用文献２：特開２０１０－１２２６５６号公報（後記「甲１－２」及び「甲２－１」） 引用文献３：特開２０１３－１５６６２７号公報（後記「甲２－２」） ●理由３（拡大先願）本件特許の請求項１～請求項１０に係る発明は、先の出願の日前の他の日本語特許出願であって、本件特許の出願後に国際公開がされたものの国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の発明者が他の日本語特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また、本件特許の出願の時に本件特許の出願人が他の日本語特許出願の出願人と同一でもないので、特許法２９条の２の規定により、特許を受けることができない（同法１８４条の１３）。 先願１：特願２０１７－５０４９２１号（国際出願番号はＰＣＴ／ＪＰ２０１６／０５３５３４号、国際公開番号は国際公開第２０１６／１４３４３６号）（「甲１－１４」及び「甲２－８」でもある。） ●理由４（拡大先願）本件特許の請求項１～請求項１０に係る発明は、先の出願の日前の他の特許出願であって、本件特許の出願後に出願公開がされたものの願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の発明者が他の特許出願に係る上記発明をした者と同一ではなく、また、本件特許の出願の時に本件特許の出願人が他の特許出願の出願人と同一でもないので、特許法２９条の２の規定により、特許を受けることができない。 先願２：特願２０１４－１４０１１０号（特開２０１６－１８０５１号公報）（「甲２－９」である。） ●理由５（明確性要件）本件特許の特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が、明確であるということができないから、特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。 第５ 当事者が提出した証拠 当事者は、それぞれ以下に示す証拠を提出した。以下では、特許異議申立人１及び特許異議申立人２が提出した証拠を区別するために、前者が提出した証拠を「甲１－〇」、後者が提出した資料を「甲２－〇」などという。 １ 特許異議申立人１が提出した証拠 甲１－１ ：特開２０００－３１０８６３号公報（以下「甲１」という。） 甲１－２ ：特開２０１０－１２２６５６号公報（以下「甲２」という。） 甲１－３ ：特開２００４－１４６４５０号公報 甲１－４ ：特開２００４－３３５５７１公報 甲１－５ ：特開２００５－３９０１７公報 甲１－６ ：国際公開第２００７／１０５７７６号 甲１－７ ：特開２０１２－２１５８４２公報 甲１－８ ：特開２００９－１４８１６公報 甲１－９ ：特開２０１０－２７１６５４公報 甲１－１０：特開２００６－２５９４８２公報 甲１－１１：国際公開第２０１４／０３０５７９号 甲１－１２：国際公開第２０１３／０４７５１６号 甲１－１３：国際公開第２０１０／１４７１５５号 甲１－１４：再公表ＷＯ２０１６／１４３４３６号（特願２０１７－５０４９２１号に係る特許出願の国内公表公報であって、国際出願番号はＰＣＴ／ＪＰ２０１６／０５３５３４号）（以下「先願１」という。） 甲１－１５：特願２０１６－８５５８１号の審査過程で提出された令和２年１月１４日提出の意見書 参考資料１ ：大岩徳久、次世代微細加工技術、東芝レビュー、Vol.59、No.8、2004年、22頁 参考資料２ ：再公表２０１４／１７１３２６号公報 参考資料３ ：国際公開第２０１３／０４７５１６号 参考資料４ ：特開２０１３－２５３２２７号公報 参考資料５ ：特開２００５－２９２５２８号公報 参考資料６ ：再公表２００８／０３８５４４号公報 参考資料７ ：特開２０１２－１６８７号公報 参考資料８ ：特開２０１２－７７２９５号公報 参考資料９ ：特開２００６－１４０２２２号公報 参考資料１０：特開２００９－１４８１６号公報 ２ 特許異議申立人２が提出した証拠 甲２－１ ：特開２０１０－１２２６５６号公報（「甲２」と同一である。） 甲２－２ ：特開２０１３－１５６６２７号公報（以下「甲３」という。） 甲２－３ ：特開２０１２－１４１４９６号公報 甲２－４ ：特開２０１０－１６０１８９号公報 甲２－５ ：参考資料７と同一である。 甲２－６ ：特開２０００－２０６７０４号公報 甲２－７ ：特開２０１０－１８１６０５号公報 甲２－８ ：甲１－１４と同一である。 甲２－９ ：特願２０１４－１４０１１０号（特開２０１６－１８０５１号公報）（以下「先願２」という。） 甲２－１０：梶正史他３名、新規なピレン構造を有するエポキシ樹脂の合成とフェノールノボラックによる硬化物の物性、ネットワークポリマー、Vol.20、No.4、1999年、179頁～184頁 甲２－１１：大西裕一他２名、多環芳香族型エポキシ樹脂の硬化性と熱機械特性、高分子論文集、Vol.68、No.2、2011年2月、62頁～71頁 甲２－１２：特許第６２５５２１０号公報 甲２－１３：国際公開第２０１４／１９６５０９号 第６ 当合議体の判断（進歩性） １ 甲１の記載及び甲１に記載された発明 （１）甲１の記載 甲１は、先の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。 ア 「【請求項１】 被加工膜上に、下記一般式（ＣＰ１）ないし（ＣＰ４）で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体の少なくとも１種を含む溶液を塗布してマスク材を形成する工程と、 前記マスク材上にレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜に対してパターン露光および現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンを前記マスク材に転写して、マスク材パターンを形成する工程と、 前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して、被加工膜パターンを形成する工程とを具備するパターン形成方法。 【化１】 ［図：0001386096000013.jpg］ （上記一般式中、Ｒはハロゲン原子、水素原子、置換または無置換の炭化水素基であり、Ａは多価の有機基である。ｍ，ｎ，ｋは正の整数である。） 」 イ 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、層間絶縁膜や金属配線層等の薄膜の加工方法に関する。 ・・・中略・・・ 【０００４】従来からマスク材として、乾式方法で成膜できるものとして、アルミニウムなどの金属膜、およびカーボンが用いられ、湿式で成膜できるものとしては、ポリシラン、さらにノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンなどの有機樹脂が用いられてきた。これらのうち、乾式で成膜する金属膜やカーボンは、成膜に真空系が必要であるため成膜コストがかかる。湿式方法で成膜できる材料においても、ポリシランは無機原子を含むため被加工膜の加工終了後、残ったマスク材パターンを剥離することが難しく、一方、有機樹脂を用いた場合には、レジスト並みのエッチング耐性しか得られない。 ・・・中略・・・ 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、湿式方法で正常に塗布できるとともに充分なエッチング耐性を有し、しかも灰化処理で剥離することができるマスク材を用い、レジスト膜厚を薄くした際でも被加工膜を異方性よく加工可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。 【０００８】また本発明は、アライメント光に対する透明性を付与したマスク材を用い、下地パターンに対して高精度の位置合わせを行ってパターンを形成可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。 【０００９】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明は、被加工膜上に、下記一般式（ＣＰ１）ないし（ＣＰ４）で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体の少なくとも１種を含む溶液を塗布してマスク材を形成する工程と、前記マスク材上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光および現像処理を施してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを前記マスク材に転写して、マスク材パターンを形成する工程と、前記マスク材パターンを前記被加工膜に転写して、被加工膜パターンを形成する工程とを具備するパターン形成方法を提供する。」 ウ 「【発明の実施の形態】 ・・・中略・・・ 【００２０】ここで、一般式（ＣＰ１）ないし（ＣＰ４）で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体について、詳細に説明する。 ・・・中略・・・ 【００８２】まず、一般式（ＣＰ１）ないし（ＣＰ４）で表される繰り返し単位を有するネットワーク状炭素重合体を所定の有機溶剤に溶解して溶液材料を調製する。用い得るネットワーク状炭素重合体の重量平均分子量は特に限定されないが、２００～２００，０００であることが好ましい。この理由は、分子量が２００未満であると、レジストの溶媒にマスク材が溶解してしまい、一方２００，０００を越えると、有機溶剤に溶解しにくく、溶液材料を調製するのが困難になるためである。 ・・・中略・・・ 【００８５】さらに、上述したようなネットワーク状炭素重合体に架橋剤を配合して、組成物として用いてマスク材１６を形成してもよい。用い得る架橋剤としては、分子中に炭素－炭素多重結合を２つ以上有する化合物が挙げられ、より具体的には、ビニル基、アリル基、エチニル基、１，３－ブタンジエキル基、およびプロパギル基などが挙げられるが特に限定されない。このような多重結合を有する化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれの状態でもよい。 【００８６】多重結合を有する化合物は、熱または光によりネットワーク状炭素重合体の一部が分解し生成した活性種との間で反応して、重合体を架橋させる。なお、多重結合を有する化合物は、自己重合していてもよい。分子中に炭素－炭素多重結合を２つ以上有する化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されない。 ・・・中略・・・ 【００８８】架橋剤の配合量は、ネットワーク状重合体１００重量部に対して、０．００１～３００重量部とすることが好ましく、０．１～５０重量部がより好ましい。 ・・・中略・・・ 【００９０】上述したように、所定のネットワーク状炭素重合体、および場合によってはさらに別の化合物を有機溶剤に溶解することにより、マスク材の原料となる塗布材料が調製される。得られた塗布材料を、例えばスピンコーティング法などによって被加工膜上に塗布して塗膜を形成する。本発明において用いられるネットワーク状炭素重合体は、繰り返し単位中に有機基を有するため有機溶剤に溶解しやすいので、正常に塗布して成膜を行うことができる。次いで、ホットプレート、オーブン等を用いて塗膜を加熱して溶剤を気化することによって、耐熱性および耐溶剤性に優れたマスク材１６が形成される。本発明で用いられるネットワーク状炭素重合体を含む塗膜は、加熱によりポリマー中の炭素－ハロゲン（Ｃ－Ｘ）結合が熱分解してポリマー間の架橋が進行して不溶化するためである。 【００９１】なお、加熱温度は、５０～７００℃の範囲が好ましく、７０～５００℃の範囲がより好ましい。５０℃未満の場合には、溶剤が充分に気化せず、一方７００℃を越えると被加工膜が変質するおそれがあるからである。 【００９２】加熱雰囲気は特に限定されないが、ネットワーク状炭素重合体が酸化されてエッチング耐性が低下する場合には、酸素濃度１０％以下、より好ましくは１％以下の低酸素雰囲気中で加熱を行うことが望まれる。 【００９３】さらに、塗膜に対して加熱、あるいはエネルギービームを照射してもよい。この場合には、マスク材１６中に含まれる有機基が揮発あるいは炭化するので、よりエッチング耐性のある膜を得ることができる。エネルギービームとしては、例えば、紫外光、Ｘ線、電子ビーム、イオンビームなどを挙げることができる。紫外線を照射する場合、４５０ｎｍ以下の波長が含まれていることが好ましく、照射量は０．１ｍＪ／ｃｍ2 以上が好ましい。その理由は、４５０ｎｍを越える波長、あるいは０．１ｍＪ／ｃｍ2 未満の照射量では有機基の揮発または炭化を充分に進行させることができないためである。電子ビームを照射する場合、加速電圧は０．１～１０００ｋｅＶ、照射量は０．１μＣ／ｃｍ2 ～１００００Ｃ／ｃｍ2 の範囲が好ましい。加速電圧が０．１ｋｅＶ未満では表層部分のみしか電子ビームが照射されず、一方１０００ｋｅＶを越えると、電子ビームがマスク材を透過して照射効率が著しく低下してしまう。また、照射量が０．１μＣ／ｃｍ2未満では有機基の揮発または炭化を充分に進行させることができず、一方１００００Ｃ／ｃｍ2 を越えると処理時間の増大を招いてしまう。なお、加熱あるいはエネルギービームの照射でネットワーク状炭素重合体が酸化されてエッチング耐性が低下する場合には、加熱およびエネルギービームの照射は酸素濃度１０％以下、より好ましくは１％以下の低酸素濃度雰囲気で行うことが望まれる。また、エネルギービームの照射と加熱とは同時に行ってもよい。 【００９４】次に、マスク材１６上にレジスト溶液をスピンコート法などにより塗布し、ホットプレートあるいはオーブンなどを用いて加熱して溶媒を気化させることにより、図１（ｂ）に示すようにレジスト膜１７を形成する。レジスト膜１７の膜厚を薄くすれば、それだけ露光時の露光量裕度、フォーカス裕度、あるいは解像度を向上させることができる。そのため、レジスト膜１７の膜厚は、マスク材１６を寸法制御性よくエッチングできる膜厚であれば薄いほうがよく、好ましくは１０～１０，０００ｎｍが望ましい。１０ｎｍ未満では、マスク材を良好な形状でエッチングすることが難しく、一方、１０，０００ｎｍを越えると、解像度の低下を招いてしまう。 ・・・中略・・・ 【００９７】次に、レジスト膜１７等が形成されたウェハー基板１０にパターン露光を行う。露光光の光源として、例えば紫外光、Ｘ線、電子ビーム、イオンビームなどが挙げられる。具体的には紫外光としては、水銀灯のｇ線（波長＝４３６ｎｍ）、ｉ線（波長＝３６５ｎｍ）、あるいはＸｅＦ（波長＝３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長＝３０８ｎｍ）、ＫｒＦ（波長＝２４８ｎｍ）、ＫｒＣｌ（波長＝２２２ｎｍ）、ＡｒＦ（波長＝１９３ｎｍ）、およびＦ2 （波長＝１５１ｎｍ）等のエキシマレーザーが挙げられる。必要に応じて、ホットプレート、オーブンなどを用いてポストエクスポージャーベークを行ってよい。 【００９８】次いで、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド）、コリンなどのアルカリ現像液で現像処理を行うことにより、図１（ｃ）に示すようなレジストパターン１７ａが形成される。 【００９９】得られたレジストパターン１７ａをエッチングマスクとして用いて、マスク材１６をドライエッチングすることによりレジストパターン１７ａをマスク材１６に転写して、図２（ａ）に示すようなマスク材パターン１６ａを形成する。エッチング方式としては、例えば、反応性イオンエッチング、マグネトロン型反応性イオンエッチング、電子ビームイオンエッチング、ＩＣＰエッチングまたはＥＣＲイオンエッチングなど微細加工可能なものであれば特に限定されない。ソースガスは特に限定されることはないが、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2などの酸素原子を含むガス；Ｈｅ、Ｎ2、Ａｒなどの不活性ガス；Ｃｌ2、ＢＣｌ3などの塩素系ガス；その他Ｈ2などを使用することができる。 【０１００】さらに、レジストパターン１７ａおよびマスク材パターン１６ａをエッチングマスクとして用いて、被加工膜としての金属配線層１５をエッチングすることにより、図２（ｂ）に示すような金属配線パターン１５ａが形成される。エッチング方式としては、例えば、反応性イオンエッチング、マグネトロン型反応性イオンエッチング、電子ビームイオンエッチング、ＩＣＰイオンエッチング、またはＥＣＲイオンエッチングなど微細加工可能なものであれば特に限定されるものではない。 【０１０１】本発明のネットワーク状炭素重合体を用いて形成されたマスク材１６は、スパッタリングされにくいカーボン原子で基本骨格が構成されるため、エッチャントの種類によることなく充分なエッチング耐性が得られる。その結果、マスク材パターン１６ａの肩落ちや後退を防ぐことができ、高い異方性をもって被加工膜１５を加工することができる。この工程では、レジストパターン１７ａを除去して、マスク材パターン１６ａのみをエッチングマスクとして用いて被加工膜１５をエッチングしてもよい。」 エ 「【０１６５】 【実施例】以下に、具体例を示して本発明をさらに詳細に説明する。 【０１６６】（実施例Ｉ）本実施例においては、第１のパターン形成方法について述べる。 【０１６７】（実施例Ｉ－１）以下、図１および図２を参照しつつ本実施例を説明する。 【０１６８】まず、シリコンウェハー１０上に厚さ３００ｎｍのＳｉＯ2 膜１１をスパッター法により形成した。このＳｉＯ2 膜１１上に、被加工膜としての金属配線層１５をスパッター法により形成した。金属配線層１５は、ＴｉＮ膜１２（膜厚：４０ｎｍ）、Ｔｉ膜１３（膜厚：５ｎｍ）、０．５％－Ｃｕ－Ａｌ膜１４（膜厚：２３０ｎｍ）、Ｔｉ膜１３（膜厚：１０ｎｍ）、およびＴｉＮ膜１２（膜厚：２０ｎｍ）が順次形成された積層構造である。 【０１６９】得られた被加工膜である金属配線層１５の上に、以下の（Ｓ１）～（Ｓ６）に示す手法を用いて、図１（ａ）に示したようなマスク材１６をそれぞれ形成した。 【０１７０】（Ｓ１）ネットワーク状炭素重合体として前記化学式［ＣＰ１－１］で表される重量平均分子量１２，０００の化合物（ｎ／ｍ＝１／１）１ｇを、クメン９ｇに溶解してマスク材溶液を調製した。このマスク材溶液を被加工膜（金属配線層）１５上にスピンコーティング法により塗布した後、窒素雰囲気中（酸素濃度５０ｐｐｍ以下）、３３０℃で６０秒間加熱してマスク材を形成した。」 （２）甲１に記載された発明 ア 甲１発明 甲１の【００９０】～【００９３】に記載された「マスク材１６」の形成工程は、請求項１に記載された「パターン形成方法」における「マスク材パターンを形成する工程」を具体化したものと理解される。さらに、甲１の【００９４】～【０１００】の記載（特に、上記（１）ウの下線部）によれば、上記「マスク材１６」は、当該「マスク材１６」及びその上に形成される「レジスト膜１７」から得られる、「レジストパターン１７ａおよびマスク材パターン１６ａをエッチングマスクとして用いて、被加工膜としての金属配線層１５をエッチングする」（特に、【０１００】）ためのものである。 以上によれば、甲１には、次の「マスク材１６の形成」方法の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されている。 「ネットワーク状炭素重合体を有機溶剤に溶解することにより、マスク材の原料となる塗布材料を調製し、得られた塗布材料を被加工膜上に塗布して塗膜を形成し、 次いで、ホットプレート、オーブン等を用いて塗膜を加熱して溶剤を気化することによって、耐熱性および耐溶剤性に優れたマスク材１６を形成する方法において、 マスク材１６は、当該マスク材１６及びその上に形成されるレジスト膜１７から得られる、レジストパターン１７ａおよびマスク材パターン１６ａをエッチングマスクとして用いて、被加工膜としての金属配線層１５をエッチングするためのものである、 マスク材１６の形成方法。」 （３）甲２の記載 甲２は、先の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。 ア 「【請求項１】 リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、少なくとも、下記一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒～６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。 【化３７】 ［図：0001386096000014.jpg］ （一般式（１）中、Ｒ１、Ｒ２は同一、又は異種の水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ水素原子、あるいはグリシジル基であり、Ｒ５は単結合、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状のアルキレン基であり、Ｒ６、Ｒ７はベンゼン環、ナフタレン環である。ｐ、ｑはそれぞれ１又は２である。ｎは０＜ｎ≦１である。） ・・・中略・・・ 【請求項４】 リソグラフィーにより基板にパターンを形成する方法であって、少なくとも、基板上に請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成方法によりレジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上に珪素原子を含有するレジスト中間層膜材料を用いてレジスト中間層膜を形成し、該レジスト中間層膜の上にフォトレジスト組成物からなるレジスト上層膜材料を用いてレジスト上層膜を形成して、前記レジスト上層膜のパターン回路領域を露光した後、現像液で現像して前記レジスト上層膜にレジストパターンを形成し、得られたレジストパターンをエッチングマスクにして前記レジスト中間膜をエッチングし、得られたレジスト中間膜パターンをエッチングマスクにして前記レジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。」 イ 「【００２７】 以上より、反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値と埋め込み特性、優れたエッチング耐性、耐溶媒性を有し、更にＣＶＤ法などによる無機ハードマスク中間膜形成中の高温にも耐えることができる耐熱性を有し、基板のエッチング中によれが生じないレジスト下層膜を形成するための方法やレジスト下層膜材料が求められているのである。 ・・・中略・・・ 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【００２９】 本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成方法及びこれを用いたパターン形成方法を提供することにある。また、本発明は、多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、特にエッチング耐性が高く、高い耐熱性を有し、基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料を提供することにある。 【課題を解決するための手段】 【００３０】 上記課題を解決するために、本発明によれば、リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、少なくとも、下記一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒～６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法を提供する。 ・・・中略・・・ 【００４８】 本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、フルオレン、ベンゾフルオレンのビスナフトール化合物のノボラック樹脂は耐熱性が非常に高いことを見出し、３００℃を超える高温でベークをすると熱分解を起こさずに溶媒等の蒸発が促進され、膜の炭素密度、緻密性が高くなる性質を持ち、エッチング耐性が向上し、特にはエッチング後の微細パターンのよれ防止効果に優れ、レジスト下層膜として有望な材料であることを見出した。 ・・・中略・・・ 【００５３】 本発明のパターン形成方法に用いる下層膜材料にはビスナフトール化合物をアルデヒド類との縮合反応によってノボラック化した樹脂を用いる。 ・・・中略・・・ 【００５５】 ビスナフトール類とアルデヒドの縮合反応に触媒を用いることもできる。具体的には塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、メタンスルホン酸、カンファースルホン酸、トシル酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の酸性触媒を挙げることができる。 ・・・中略・・・ 【００５７】 重縮合における反応溶媒として水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン又はこれらの混合溶媒用いることができる。これらの溶媒は、反応原料１００質量部に対して０～２，０００質量部の範囲である。 ・・・中略・・・ 【００５９】 重縮合の方法としては、ビスナフトール化合物、アルデヒド類、触媒を一括で仕込む方法や、触媒存在下ビスナフトール化合物、アルデヒド類を滴下していく方法がある。重縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、触媒等を除去するために、反応釜の温度を１３０～２３０℃にまで上昇させ、１～５０ｍｍＨｇ程度で揮発分を除去することができる。 ・・・中略・・・ 【００６３】 また、本発明のレジスト下層膜形成方法で用いるレジスト下層膜材料としては、更にエッチング耐性を強化するために、下記一般式（２）式で示され、かつ重量平均分子量が５００～１０００００である樹脂を含むものを用いることが好ましい。 ・・・中略・・・ 【００８０】 本発明のパターン形成方法は、上記一般式（１）に示されるフルオレン、ベンゾフルオレンを有するビスナフトール化合物を縮合したノボラック樹脂を含むフォトレジスト下層膜材料を基板上にコーティングし、３００℃を超える高温でベークして、レジスト下層膜を形成し、該レジスト下層膜の上にレジスト中間層膜を介してフォトレジスト組成物のレジスト上層膜を形成し、このフォトレジスト層の所用領域に放射線等を照射し、現像液で現像してレジストパターンを形成し、ドライエッチング装置で得られたフォトレジストパターンをマスクにしてレジスト中間層膜をエッチングし、得られたレジスト中間層膜パターンをマスクにしてレジスト下層膜及び基板を加工するものである。 【００８１】 本発明のパターン形成方法に用いられるレジスト下層膜材料は、フォトレジストと同様にスピンコート法などで被加工基板上にコーティングする。スピンコート法などを用いることで、良好な埋め込み特性を得ることができる。スピンコート後、溶媒を蒸発し、レジスト上層膜やレジスト中間層膜とのミキシング防止のため、架橋反応を促進させるためにベークを行う。ベークは３００℃を超え、６００℃以下の範囲内で行い、１０～６００秒、好ましくは１０～３００秒の範囲内で行う。ベーク温度は、より好ましくは３５０℃以上５００℃以下である。デバイスダメージやウェハーの変形への影響を考えると、リソグラフィーのウェハープロセスでの加熱できる温度の上限は６００℃以下、好ましくは５００℃以下である。 ・・・中略・・・ 【００８３】 ベーク中の雰囲気としては空気中でも構わないが、酸素を低減させるためにＮ２、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを封入しておくことは、レジスト下層膜の酸化を防止するために好ましい。酸化を防止するためには酸素濃度をコントロールする必要があり、好ましくは１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下である。ベーク中にレジスト下層膜が酸化されると吸収が増大したりエッチング耐性が低下したりすることがあるため好ましいことではない。」 ウ 「【実施例】 【００９８】 以下、実施例と比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの記載によって限定されるものではない。 ポリマー合成例（ポリマー１～２２、比較ポリマー１～３） 【００９９】 （合成例１） ３００ｍｌのフラスコにフルオレンビスナフトールの２９１ｇ、３７％ホルマリン水溶液７５ｇ、シュウ酸５ｇを加え、撹拌しながら１００℃で２４時間撹拌させた。反応後メチルイソブチルケトン５００ｍｌに溶解し、十分な水洗により触媒と金属不純物を除去し、溶媒を減圧除去し、１５０℃、２ｍｍＨｇまで減圧し、水分、未反応モノマーを除きポリマー１を得た。 ＧＰＣにより分子量（Ｍｗ）、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を求め、１Ｈ－ＮＭＲ分析によりポリマー中の比率を以下のように求めた。 ポリマー１ Ｍｗ３，５００、Ｍｗ／Ｍｎ４．５０ 【０１００】 ［図：0001386096000015.jpg］ 」 ・・・中略・・・ 【０１４５】 レジスト下層膜材料、レジスト中間層膜材料の調製 （ＵＤＬ－１～２５、比較例ＵＤＬ－１～３、ＳＯＧ－１） 表１に示すように上記ポリマー１～２２で示される樹脂、上記比較例ポリマー１～３で示される樹脂、ＡｒＦ珪素含有中間層用ポリマー１、ＡＧ１で示される酸発生剤、ＣＲ１で示される架橋剤を、ＦＣ－４４３０（住友スリーエム（株）製）０．１質量％を含む溶媒中に表１に示す割合で溶解させ、０．１μｍのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによってレジスト下層膜材料（ＵＬＤ－１～２５、比較例ＵＤＬ－１～３）とレジスト中間層膜材料（ＳＯＧ－１）をそれぞれ調製した。酸発生剤として使用したＡＧ１、架橋剤として使用したＣＲ１、ＡｒＦ珪素含有中間層用ポリマー１を以下に示す。 ・・・中略・・・ 【０１４８】 【表１】 ［図：0001386096000016.jpg］ ＰＧＭＥＡ；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 【０１４９】 溶媒耐性測定 レジスト下層膜材料ＵＤＬ－１をシリコン基板上に塗布して、窒素気流下、２９０℃、３００℃、３１０℃、３２０℃、４００℃、５００℃でそれぞれ６０秒間ベークして膜厚を測定し、その上にＰＧＭＥＡ溶液をディスペンスし、３０秒間放置しスピンドライ、１００℃で６０秒間ベークしてＰＧＭＥＡを蒸発させ、膜厚を測定しＰＧＭＥＡ処理前後の膜厚差を求めた。結果を表２に示した。 【表２】 ［図：0001386096000017.jpg］ 【０１５０】 ベークによる膜厚減と炭素濃度測定レジスト下層膜材料ＵＤＬ－１～２５、比較例ＵＤＬ－１～３をシリコン基板上に塗布して、窒素気流下、下の表３に示す２２０℃、４００℃でそれぞれ６０秒間ベークして膜厚を測定した。光学式屈折率計を用いて同一回転数で塗布したベーク温度が２２０℃の時と４００℃の時のそれぞれの膜厚を求め、その比率を計算した。ａ／ｂの値が大きい方が高温ベークによる膜厚減小が少なく耐熱性が高い事を示す。 またＵＤＬ－１、ＵＤＬ－７及び比較例ＵＤＬ－１は、４００℃でベークした膜の炭素濃度（重量％）をＸ線マイクロアナライザー（ＸＰＳ）で測定し求めた。」 （４）甲２に記載された発明 ア 甲２発明 上記（３）アによれば、甲２には、請求項１に係る発明として、次の「レジスト下層膜形成方法」の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されている。 「リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、少なくとも【化３７】一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒～６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法。」 （当合議体注：【化３７】及び各置換基の説明は、上記アで摘記したとおりである。以降、摘記は省略する。） （５）甲３の記載 甲３は、先の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ、そこには、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。 ア 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、特に半導体素子等の製造工程における微細加工に用いられる反射防止膜材料として有効なレジスト下層膜材料、レジスト下層膜材料用ポリマーの製造方法、及びこれを用いた遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザー光（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザー光（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザー光（１２６ｎｍ）、軟Ｘ線（ＥＵＶ、１３．５ｎｍ）、電子線（ＥＢ）、Ｘ線露光等に好適なレジストパターン形成方法に関するものである。 ・・・中略・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【００１７】 本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき、即ち反射防止膜としての好適なｎ値、ｋ値を有し、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生が無く、更には低温ＰＡＢでも十分な溶剤耐性を有する下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、レジスト下層膜用ポリマーの製造方法、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【００１８】 上記課題を解決するため、本発明は、下記一般式（１－１）で示される化合物１種類以上と下記一般式（２－３）で示される化合物及びその等価体のうちの１種類以上とを縮合することにより得られる縮合体と、下記一般式（２－１）、（２－２）で示される化合物、及びそれらの等価体のうちの１種類以上とを縮合させることにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料を提供する。 【化１】 ［図：0001386096000018.jpg］ （上記一般式（１－１）中、Ｒ１～Ｒ４は互いに独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、イソシアナト基、グリシジルオキシ基、カルボキシル基、アミノ基、炭素数が１～３０のアルコキシル基、炭素数が１～３０のアルコキシカルボニル基、及び炭素数が１～３０のアルカノイルオキシ基のいずれか、又は置換されてもよい炭素数１～３０の飽和もしくは不飽和の有機基である。更に、分子内でＲ１～Ｒ４からそれぞれ任意に選ばれる２個の置換基が結合して、環状置換基を形成してもよい。上記一般式（２－１）及び（２－２）中、Ｑは置換されてもよい炭素数が１～３０の有機基であり、更に分子内で任意に選ばれる２個のＱが結合して、環状置換基を形成してもよい。ｎ１～ｎ６は各置換基の数であり、それぞれ０～２の整数である。また、（２－２）では、０≦ｎ３＋ｎ５≦３、０≦ｎ４＋ｎ６≦４、０≦ｎ３＋ｎ４≦４の関係を満たす。上記一般式（２－３）中、Ｙは水素原子又は置換基を有してもよい炭素数が１～３０の一価の有機基であり、（２－３）は（２－１）及び（２－２）とは異なる。） ・・・中略・・・ 【０１０５】 本発明のパターン形成方法におけるレジスト下層膜形成工程では、上記のレジスト下層膜材料を、フォトレジストと同様にスピンコート法等で被加工体上にコーティングする。スピンコート法等を用いることで、良好な埋め込み特性を得ることができる。 【０１０６】 スピンコート後、溶媒を揮発させ、また、架橋反応を促進させて緻密な膜を形成しレジスト上層膜やレジスト中間層膜とのミキシングが起こらないようにするため、加熱処理（ＰＡＢ）を行う。加熱処理は１００℃を超え、６００℃以下の範囲内で行い、１０～６００秒、好ましくは１０～３００秒の範囲内で行う。加熱処理温度は、より好ましくは１５０℃以上５００℃以下であり、更に好ましくは１８０℃以上４００℃以下である。デバイスダメージやウエハーの変形への影響を考えると、リソグラフィーのウェハープロセスでの加熱できる温度の上限は５００℃以下、好ましくは４５０℃以下である。被加工基板の耐熱性等の理由から２５０℃以下のＰＡＢ温度が適用される必要がある場合に、本発明の下層膜材料は特に好ましい。 【０１０７】 加熱処理中の雰囲気としては空気中でも構わないが、酸素を低減させるためにＮ２、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを封入しておくことは、レジスト下層膜の酸化を防止するために好ましい。酸化を防止するためには酸素濃度をコントロールする必要があり、好ましくは１，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下である。加熱処理中のレジスト下層膜の酸化を防止すると、吸収が増大したりエッチング耐性が低下したりすることがないため好ましい。」 イ 「【０１４５】 これら下層膜材料をシリコン基板上にスピンコートして、２５０℃で６０秒間加熱処理してそれぞれ膜厚２００ｎｍの塗布膜ＵＤＬ１～５、９、１１～１５を形成した。 この膜を、Ｊ．Ａ．ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーター（ＶＡＳＥ）で波長１９３ｎｍにおけるｎ値、ｋ値を求めた。その結果を表１に示す。更に、東陽テクニカ社製ナノインデンターＳＡ２型装置でナノインデンテーション試験を行い、上記塗布膜のハードネスを測定した。」 （６）甲３に記載された発明 ア 甲３発明 上記（３）によれば、甲３の【０１０５】～【０１０７】には、甲３でいう「本発明」の「パターン形成方法における１つの工程として、実質的に次のレジスト下層膜形成方法の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されている。 「レジスト下層膜形成方法であって、レジスト下層膜材料を、スピンコート法で被加工体上にコーティングし、スピンコート後、溶媒を揮発させ、また、架橋反応を促進させて緻密な膜を形成し、加熱処理（ＰＡＢ）を行う、 レジスト下層膜形成方法。」 ２ 甲１を主引用例とした場合 （１）対比 本件特許発明１と甲１発明とを対比する。 ア レジスト下層膜形成用組成物及びレジスト下層膜形成方法 甲１発明の「マスク材１６」は、「ネットワーク状炭素重合体を有機溶剤に溶解することにより、マスク材の原料となる塗布材料を調製し、得られた塗布材料を被加工膜上に塗布して塗膜を形成し、次いで、ホットプレート、オーブン等を用いて塗膜を加熱して溶剤を気化する」ことによって得られた、「耐熱性および耐溶剤性に優れたマスク材１６」であり、前記「マスク材１６」は、「マスク材１６及びその上に形成されるレジスト膜１７から得られる、レジストパターン１７ａおよびマスク材パターン１６ａをエッチングマスクとして用いて、被加工膜としての金属配線層１５をエッチングするためのものである」。 上記組成及びその用途からみて、甲１発明の「ネットワーク状炭素重合体を有機溶剤に溶解することにより、マスク材の原料となる塗布材料を調製し、得られた塗布材料」が、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成用組成物」に相当する。 そして、甲１発明の「マスク材１６の形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」に相当する。 イ 塗布工程及び加熱工程 甲１発明の「被加工膜」が何らかの基板の上に形成された膜であることは技術常識である。 そうすると、甲１発明の「ネットワーク状炭素重合体を有機溶剤に溶解することにより、マスク材の原料となる塗布材料を調製し、得られた塗布材料を被加工膜上に塗布して塗膜を形成」する工程及び「塗膜を形成し、次いで、ホットプレート、オーブン等を用いて塗膜を加熱して溶剤を気化する」工程は、技術的にみて、それぞれ本件特許発明１の「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程」及び「得られた塗膜」を「加熱する加熱工程」に相当する。 ウ レジスト下層膜形成方法 以上ア～イによれば、甲１発明の「マスク材１６の形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」における、「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、」「得られた塗膜」を「加熱する加熱工程とを備え」との要件を満たす。 （２）一致点及び相違点 上記（１）によれば、本件特許発明１と甲１発明とは、以下の点で一致ないし相違する。 ア 一致点 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を加熱する加熱工程と を備える、レジスト下層膜形成方法。」 イ 相違点 （相違点１Ａ） 「加熱工程」が、本件特許発明１は、「酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する」ものであるのに対して、甲１発明は、このように特定されたものではない点。 （相違点２Ａ） 「レジスト下層膜形成用組成物」が、本件特許発明１は、[A] 芳香環を有する化合物を含有し、上記芳香環を有する化合物が、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、カリックスアレーン系樹脂β、分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ又はこれらの組み合わせ（以下「特定芳香族化合物」という。）であり、[B] 下記（Ａ）及び（Ｂ）を除くとされているのに対して、甲１発明の「ネットワーク状炭素重合体を有機溶剤に溶解することにより、マスク材の原料となる塗布材料を調製し、得られた塗布材料」はこのように特定されたものではない点。 ここで、（Ａ）及び（Ｂ）は以下に示されるものである。 「（Ａ）上記芳香環を有する化合物が下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの（以降「（Ａ）」と略記する。） （Ｂ）上記レジスト下層膜形成用組成物が、フラーレン１分子に対して下記式（ｉ）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むもの（以降「（Ｂ）」と略記する。） 【化１】 ［図：0001386096000019.jpg］ （式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は、単結合、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、ベンゼン環及びナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環及びナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ独立に、１又は２である。） 【化２】 ［図：0001386096000020.jpg］ 【化３】 ［図：0001386096000021.jpg］ （式（ｉ）中、２つのＲは、それぞれ独立して、炭素数１乃至１０のアルキル基である。）」 （３）判断 まず、相違点１Ａについて検討する。 加熱工程における酸素濃度及び加熱温度について、甲１には次の記載がある。 「加熱温度は、５０～７００℃の範囲が好ましく、７０～５００℃の範囲がより好ましい。５０℃未満の場合には、溶剤が充分に気化せず、一方７００℃を越えると被加工膜が変質するおそれがあるからである。」（【００９１】） 「加熱雰囲気は特に限定されないが、ネットワーク状炭素重合体が酸化されてエッチング耐性が低下する場合には、酸素濃度１０％以下、より好ましくは１％以下の低酸素雰囲気中で加熱を行うことが望まれる。」（【００９２】） 「塗膜に対して加熱、あるいはエネルギービームを照射してもよい。・・・中略・・・なお、加熱あるいはエネルギービームの照射でネットワーク状炭素重合体が酸化されてエッチング耐性が低下する場合には、加熱およびエネルギービームの照射は酸素濃度１０％以下、より好ましくは１％以下の低酸素濃度雰囲気で行うことが望まれる。また、エネルギービームの照射と加熱とは同時に行ってもよい。」（【００９３】） 上記記載によれば、甲１には、加熱温度を相違点１Ａに係る「４５０℃超６００℃以下」の範囲内とすることを示唆する記載はあるものの、酸素濃度については「より好ましくは１％以下の低酸素濃度雰囲気で行うことが望まれる」と上限値が記載されるにとどまる。一方で、甲１に記載された実施例（特に、【０１６６】～【０１７０】に記載された実施例１）についてみると、甲１の【０１７０】には「窒素雰囲気中（酸素濃度５０ｐｐｍ以下）、３３０℃で６０秒間加熱してマスク材を形成した」と記載されているように、酸素濃度は相違点１Ａに係る「０．０１容量％以下」の範囲内であるものの、加熱温度は相違点１Ａの上記範囲外である例が開示されているにとどまる（加熱温度の最高温度は比較例（【０１９４】）の３５０℃である。）。加えて、加熱温度については、甲１に限らず、特許異議申立人１及び２が提出したいずれの証拠（甲１－３～甲１－１３及び甲２－３～甲２－７）にも、特定の構造を備えた樹脂を含むレジスト下層膜（後述する甲２に記載されたレジスト下層膜であって、組成が本件特許発明１の範囲外のもの）を除いて、相違点１Ａに係る酸素濃度及び加熱温度を同時に満たす加熱工程を施した具体例の開示はない。 他方、後記「第７」で詳述するとおり、本件特許明細書の【０２６２】【表１】の記載によれば、本件特許発明１の「レジスト下層膜」は耐熱性及び耐エッチングに優れるという有利な効果を奏するものであって、当該有利な効果は酸素濃度及び加熱温度が相違点１Ａに係る数値範囲を同時に満たすことによってもたらされる効果であると理解される。そして、本件特許発明１の構成によってもたらされる効果は、甲１及びその他の証拠並びに技術常識に基づいて当業者が予測し得る範囲内のものともいえない。 したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲１に記載された発明及びその他の文献に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （４）特許異議申立人の主張について 令和３年６月１８日付け意見書において、特許異議申立人１は、甲１を主引用例とする進歩性については実質的に意見を述べていない。 また、同日付け意見書４８頁～４９頁において、特許異議申立人２は、概略、[A]引用文献１（甲１のことである。）等の記載から低酸素濃度雰囲気で熱処理することは公知技術であり、また、０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱することも当業者における設計事項の範囲内に過ぎない点及び[B]本件発明の効果を奏するか否かは樹脂α等の構造に依存するところが大きい物と推測され、特に４５０℃超６００℃以下の温度に耐えられない可能性のある樹脂等やエッチング耐性が低いと推測される構造を有する樹脂等までも含むものである点を主張する。 しかしながら、[A]については上記（３）に、[B]については後記「第７」に示すとおりである。 したがって、上記主張は採用する理由がない。 （５）本件特許発明２～１６について 本件特許発明２～１６は、いずれも加熱工程における酸素濃度が「０．０１容量％以下」である点及び加熱温度の下限値が少なくとも「４５０度超」である点を発明特定事項として含むから、本件特許発明１と同様の理由により、甲１発明及びその他の文献に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （６）小括 本件特許発明１～１６は、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたということはできない。 ３ 甲２を主引用例とした場合 （１）対比 本件特許発明１と甲２発明とを対比する。 ア レジスト下層膜形成用組成物及びレジスト下層膜形成方法 甲２発明の「レジスト下層膜」は、その文言が意味するとおり、本件特許発明１の「レジスト下層膜」に相当する。 また、甲２発明の「レジスト下層膜」は、「【化３７】一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングする」工程を経て形成される膜である。上記組成及び用途からみて、甲２発明の「【化３７】一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料」が、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成用組成物」に相当する。 そして、甲２発明の「レジスト下層膜形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」に相当する。 イ 塗布工程及び加熱工程 甲２発明の「【化３７】一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングする工程」及び「コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒～６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程」は、実質的にみて、それぞれ本件特許発明１の「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程」及び「得られた塗膜」を「加熱する加熱工程」に相当する。 ウ レジスト下層膜形成方法 以上ア～イによれば、甲２発明の「レジスト下層膜形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」における、「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、」「得られた塗膜」を「加熱する加熱工程とを備え」との要件を満たす。 エ （Ａ）について 甲２発明の「レジスト下層膜材料」は、「【化３７】一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有する」ものであるところ、【化３７】の式（１）及びその置換基の説明からみて、甲２発明の「レジスト下層膜材料」が、本件特許発明１の「（Ａ）」に該当するものであることは明らかである。 （２）一致点及び相違点 上記（１）によれば、本件特許発明１と甲２発明とは、以下の点で一致ないし相違する。 ア 一致点 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を加熱する加熱工程と を備える、レジスト下層膜形成方法。」 イ 相違点 （相違点１Ｂ） 「加熱工程」が、本件特許発明１は、「酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する」ものであるのに対して、甲２発明は、このように特定されたものではない点。 （相違点２Ｂ） 「レジスト下層膜形成用組成物」が、本件特許発明１は、[A] 芳香環を有する化合物を含有し、上記芳香環を有する化合物が、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、カリックスアレーン系樹脂β、分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ又はこれらの組み合わせ（以下「特定芳香族化合物」という。）であり、[B] （Ａ）及び（Ｂ）を除くとされているのに対して、甲２発明の「【化３７】一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料」は、（Ａ）に該当する点。 （３）判断 事案に鑑み、相違点２Ｂのうち、「（Ａ）を除く」という要件について検討する。 甲２には、解決しようとする課題について、「本発明は、多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、特にエッチング耐性が高く、高い耐熱性を有し、基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料を提供することにある。」（【００２９】）と記載され、さらに、解決するための手段として、「本発明によれば、リソグラフィーで用いられる少なくとも３層を有する多層レジスト膜のレジスト下層膜の形成方法であって、少なくとも、下記一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有するレジスト下層膜材料を基板上にコーティングする工程と、コーティングした該レジスト下層膜材料を３００℃を超え、６００℃以下の温度で、１０秒～６００秒間の範囲で熱処理して硬化させる工程を含むことを特徴とするレジスト下層膜形成方法を提供する。」（【００３０】） 上記記載及び上記（１）エの対比結果から、当業者は、甲２発明の「レジスト下層膜材料」が、「一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有する」こと、すなわち、本件特許発明１の「（Ａ）」に該当することは、課題を解決するための必須の要件であることを理解する。 そうしてみると、当業者が上記必須の要件に反して、甲２発明の「レジスト下層膜材料」から上記「一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂」の使用を排除して、本件特許発明１の「（Ａ）を除く」との要件を満たすような改変を行う動機を見出すことはできない。 したがって、相違点２Ｂのその他の要件及び相違点１Ｂについて検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲２に記載された発明及びその他の文献に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （４）特許異議申立人の主張について 令和３年６月１８日付け意見書において、特許異議申立人１は、甲２を主引用例とする進歩性については実質的に意見を述べていない。 また、同日付け意見書５０頁～５１頁において、特許異議申立人２は、概略、[A]低酸素濃度雰囲気で熱処理することは公知技術である。また、０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱することも当業者における設計事項の範囲内に過ぎない点及び[B]本件特許発明１（訂正発明１）では「上記芳香環を有する化合物が、下記式（１）又は（２）で表される構造を含むもの」を除くと規定されているものの、樹脂α等は依然無数の化合物を含むものであり、式（１）又は（２）に類似する構造を含む化合物までも排除してはいない。すなわち、式（１）又は（２）に類似する構造を含むような化合物は未だ樹脂α等の範疇であり、これら化合物に対しても有利な効果を有していることは示されていない点を主張する。 しかしながら、[A]については上記「２（３）」に示したとおりである。また、[B]については、特許異議申立人２が主張する「類似する構造を含む化合物」がどのような化合物を意図しているのかが明らかではないため、そのような化合物と本件特許発明１に係る「芳香環を有する化合物」との相違点及び当該相違点に基づく進歩性の判断が困難であって、主張自体失当というほかない。 したがって、上記主張は採用する理由がない。 （５）本件特許発明２～１６について 本件特許発明２～１６は、いずれも（Ａ）を除くことを発明特定事項として含むから、本件特許発明１と同様の理由により、甲２に記載された発明及びその他の文献に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （６）小括 本件特許発明１～１６は、甲２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたということはできない。 ４ 甲３を主引用例とした場合 （１）対比 本件特許発明１と甲３発明とを対比する。 ア レジスト下層膜形成用組成物及びレジスト下層膜形成方法 甲３発明の「レジスト下層膜」は、その文言が意味するとおり、本件特許発明１の「レジスト下層膜」に相当する。 また、甲３発明の「レジスト下層膜」は、「レジスト下層膜材料」を「スピンコート法で被加工体上にコーティングし、スピンコート後、溶媒を揮発させ、また、架橋反応を促進させて緻密な膜を形成」することで得られる。そうしてみると、甲３発明の「レジスト下層膜材料」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成用組成物」に相当する。 以上によれば、甲３発明の「レジスト下層膜形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」に相当する。 イ 塗布工程及び加熱工程 甲３発明の「被加工体」が何らかの基板の上に形成されたものであることは技術常識である。 そうすると、甲３発明の「レジスト下層膜材料を、スピンコート法で被加工体上にコーティングし、スピンコート後、溶媒を揮発させ、また、架橋反応を促進させて緻密な膜を形成」する工程及び「加熱処理（ＰＡＢ）を行う」工程は、技術的にみて、それぞれ本件特許発明１の「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程」及び「得られた塗膜」を「加熱する加熱工程」に相当する。 ウ レジスト下層膜形成方法 以上ア～イによれば、甲３発明の「レジスト下層膜形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」における、「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、」「得られた塗膜」を「加熱する加熱工程とを備え」との要件を満たす。 （２）一致点及び相違点 上記（１）によれば、本件特許発明１と甲３発明とは、上記「２ 甲１を主引用例とした場合」の「（２）ア」の点で一致し、次の点で相違する。 （相違点１Ｃ） 「加熱工程」が、本件特許発明１は、「酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する」ものであるのに対して、甲３発明は、このように特定されたものではない点。 （相違点２Ｃ） 「レジスト下層膜形成用組成物」が、本件特許発明１は、[A] 芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、カリックスアレーン系樹脂β、分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ又はこれらの組み合わせ（以下「特定芳香族化合物」という。）であり、[B] （Ａ）及び（Ｂ）を除くとされているのに対して、甲３発明の「レジスト下層膜材料」はこのように特定されたものではない点。 （３）判断 まず、相違点１Ｃについて検討する。 加熱工程における酸素濃度及び加熱温度について、甲３には次の記載がある。 「スピンコート後、溶媒を揮発させ、また、架橋反応を促進させて緻密な膜を形成しレジスト上層膜やレジスト中間層膜とのミキシングが起こらないようにするため、加熱処理（ＰＡＢ）を行う。加熱処理は１００℃を超え、６００℃以下の範囲内で行い、１０～６００秒、好ましくは１０～３００秒の範囲内で行う。加熱処理温度は、より好ましくは１５０℃以上５００℃以下であり、更に好ましくは１８０℃以上４００℃以下である。デバイスダメージやウエハーの変形への影響を考えると、リソグラフィーのウェハープロセスでの加熱できる温度の上限は５００℃以下、好ましくは４５０℃以下である。被加工基板の耐熱性等の理由から２５０℃以下のＰＡＢ温度が適用される必要がある場合に、本発明の下層膜材料は特に好ましい。」（【０１０６】） 「加熱処理中の雰囲気としては空気中でも構わないが、酸素を低減させるためにＮ２、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを封入しておくことは、レジスト下層膜の酸化を防止するために好ましい。酸化を防止するためには酸素濃度をコントロールする必要があり、好ましくは１，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下である。加熱処理中のレジスト下層膜の酸化を防止すると、吸収が増大したりエッチング耐性が低下したりすることがないため好ましい。」（【０１０７】） 上記記載によれば、甲３には、加熱温度については、相違点１Ｃに係る「４５０℃超６００℃以下」の範囲内とすることを示唆する記載が、酸素濃度については「好ましくは１，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以下である」と記載されているが、一方で、甲３に記載された実施例（特に、【０１４６】に記載された実施例１～５等）についてみると、甲３の【０１４５】には「２５０℃で６０秒間加熱処理してそれぞれ膜厚２００ｎｍの塗布膜ＵＤＬ１～５、９、１１～１５を形成した」（加熱処理時の酸素濃度は記載されていない。）と記載されているように、酸素濃度は相違点１Ｃに係る「０．０１容量％以下」の範囲内であるか不明であり、加熱温度は相違点１Ｃの上記範囲外である例が開示されているにとどまる。加えて、加熱温度については、甲３に限らず、特許異議申立人１及び２が提出したいずれの証拠にも、特定の構造を備えた樹脂を含むレジスト下層膜（上記甲２に記載されたレジスト下層膜であって、組成が本件特許発明１の範囲外のもの）を除いて、相違点１Ｃに係る酸素濃度及び加熱温度を同時に満たす加熱工程を施した具体例の開示はない。 他方、後記「第７」で詳述するとおり、本件特許明細書の【０２６２】【表１】の記載によれば、本件特許発明１の「レジスト下層膜」は耐熱性及び耐エッチングに優れるという有利な効果を奏するものであって、当該有利な効果は酸素濃度及び加熱温度が相違点１Ｃに係る数値範囲を同時に満たすことによってもたらされる効果であると理解される。そして、本件特許発明１の構成によってもたらされる効果は、甲３及びその他の証拠並びに技術常識に基づいて当業者が予測し得る範囲内のものともいえない。 したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲３に記載された発明及びその他の文献に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （４）特許異議申立人の主張について 令和３年６月１８日付け意見書において、特許異議申立人１は、甲３を主引用例とする進歩性については実質的に意見を述べていない。 また、同日付け意見書５１頁～５２頁において、特許異議申立人２は、上記「２ 甲１を主引用例とした場合」の上記（４）検討したのと同様の主張をしている。 しかしながら、上記主張は上記（４）と同様の理由により採用する理由がない。 （５）本件特許発明２～１６について 本件特許発明２～１６は、いずれも加熱工程における酸素濃度が「０．０１容量％以下」である点及び加熱温度の下限値が少なくとも「４５０度超」である点を発明特定事項として含むから、本件特許発明１と同様の理由により、甲３に記載された発明及びその他の文献に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （６）小括 本件特許発明１～１６は、甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたということはできない。 ５ 進歩性全般に対する特許異議申立人１の主張 令和３年６月１８日付け意見書の２６頁～４２頁において、特許異議申立人１は、新たに参考資料６を主引用例とした取消の理由を主張しているが、当該理由を採用することは、実質的に令和２年１２月７日付けの特許異議の申立ての要旨を変更することは明らかであるから採用しない。 また、仮に採用したとしても、上記取消の理由は、参考資料６の比較例に係る発明を改良の出発点として、その他の文献（参考資料７、甲１、参考資料８及び甲２等）に記載された発明ないし技術的事項を組み合わせて進歩性を論じるものであって、動機づけの論理に無理があることから採用し難いことを付言しておく。 第７ 当合議体の判断（拡大先願） １ 先願１明細書の記載及び先願１明細書に記載された発明 （１）先願１明細書の記載 先願１は、先の出願の日前の特許出願であって、その出願後に当該出願に係る発明に基づく優先権の主張を伴う日本語特許出願についての国際公開がされた時に当該出願について出願公開がされたものとみなされる特許出願であるところ、先願１の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「先願１明細書等」という。）には、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。 ア 「【請求項１】 フラーレン１分子に対して下記式（１）： ［図：0001386096000022.jpg］ （式中、２つのＲはそれぞれ独立に炭素原子数１乃至１０のアルキル基を表す。） で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、前記レジスト下層膜形成組成物が塗布された基板を、窒素、アルゴン又はそれらの混合物の雰囲気下で２４０℃以上の温度で少なくとも１回ベークする、レジスト下層膜の形成方法。 【請求項２】 前記雰囲気下でのベーク温度は７５０℃以下である請求項１に記載のレジスト下層膜の形成方法。 【請求項３】 前記雰囲気の酸素濃度は０．０１ｐｐｍ乃至１００ｐｐｍである請求項１又は２に記載のレジスト下層膜の形成方法。」 イ 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、リソグラフィープロセスにおいて使用されるレジスト下層膜であって、固形分としてフラーレン誘導体を含む組成物から得られる膜を形成する方法に関する。」 ウ 「【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 フラーレン誘導体を含むレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する際、フルオロカーボンを含むガスに対するドライエッチング耐性のさらなる向上が望まれていた。前記レジスト下層膜を形成する際のベーク時に、フラーレン誘導体の付加物（修飾基）のみならず、フラーレン骨格も分解することが、得られるレジスト下層膜のドライエッチング耐性の向上を困難にしていると考えられる。 【０００６】 本発明は、フラーレン誘導体を含むレジスト下層膜形成組成物を用いて、フルオロカーボンを含むガスに対し高いドライエッチング耐性を有する、すなわちドライエッチング速度が小さいレジスト下層膜を形成する方法を提供することを目的とする。 ・・・中略・・・ 課題を解決するための手段 ・・・中略・・・ 【０００８】 すなわち本発明の第一態様は、 フラーレン１分子に対して下記式（１）： （当合議体注：式（１）の摘記は省略する。） （式中、２つのＲはそれぞれ独立に炭素原子数１乃至１０のアルキル基を表す。）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、前記レジスト下層膜形成組成物が塗布された基板を、窒素、アルゴン又はそれらの混合物の雰囲気下で２４０℃以上の温度で少なくとも１回ベークする、レジスト下層膜の形成方法である。 ・・・中略・・・ 【００２１】 以下、本発明のレジスト下層膜の形成方法及びパターン形成方法についてさらに具体的に説明する。基板〔例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜が形成されたシリコン等の半導体基板、窒化珪素基板、石英基板、ガラス基板（無アルカリガラス、低アルカリガラス及び結晶化ガラスを含む。）、ＩＴＯ膜が形成されたガラス基板〕の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により、レジスト下層膜形成組成物を塗布する。その後、ホットプレート等の加熱手段を用いて、上記レジスト下層膜形成組成物が塗布された基板を、窒素、アルゴン又はそれらの混合物の雰囲気下でベークすることによりレジスト下層膜が形成される。ベーク条件は、温度：２４０℃以上、時間：０．３分乃至１０分の範囲から最適値が選択される。本発明において、ベーク温度は、フラーレン骨格が熱分解しない温度が好ましい。本発明の場合、空気中でベークする場合よりもベーク温度の上限値を高く設定することができ、５００℃以上の温度、例えば７５０℃を上限値とすることができる。また、フラーレン骨格が熱分解しない温度範囲で、ベーク温度が高いほど形成される膜の密度を高くすることができるため、例えば３５０℃を下限値とすることができる。また、ベーク条件を変更し、２回以上に分けてベークしてレジスト下層膜を形成してもよい。２回に分けてベークしレジスト下層膜を形成する場合、２回目のベーク温度を１回目のベーク温度より高い温度に設定するのが、緻密な膜を形成する観点から好ましい。１回目のベーク温度として例えば２４０℃乃至６００℃の範囲から適当な温度に設定し、２回目のベーク温度として例えば５００℃乃至７５０℃の範囲から１回目のベーク温度よりも高温に設定することができる。」 （２）先願１明細書に記載された発明 上記(１）によれば、先願１明細書には、請求項２を介して請求項１を引用する請求項３に係る「レジスト下層膜の形成方法」の発明(以下「先願１発明」という。）が記載されている。 「フラーレン１分子に対して式（１）：（式中、２つのＲはそれぞれ独立に炭素原子数１乃至１０のアルキル基を表す。）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、前記レジスト下層膜形成組成物が塗布された基板を、窒素、アルゴン又はそれらの混合物の雰囲気下で２４０℃以上の温度で少なくとも１回ベークし、 前記雰囲気下でのベーク温度は７５０℃以下であり、 前記雰囲気の酸素濃度は０．０１ｐｐｍ乃至１００ｐｐｍである、 レジスト下層膜の形成方法。」 （当合議体注：式（１）の再度の摘記は省略する。） （３）対比 本件特許発明１と先願１発明とを対比する。 ア レジスト下層膜形成用組成物及びレジスト下層膜形成方法 先願１発明の「レジスト下層膜」は、その文言が意味するとおり、本件特許発明１の「レジスト下層膜」に相当する。 また、先願１発明の「レジスト下層膜」は、「フラーレン１分子に対して」「式（１）」「で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含むレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布」する工程を経て「形成」される膜である。（当合議体注：上記「式（１）」は上記（２）に記載のものである。） 上記組成及び用途からみて、先願１発明の「レジスト下層膜形成組成物」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成用組成物」に相当する。 さらにまた、先願１発明の「レジスト下層膜の形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」に相当する。 イ 塗布工程及び加熱工程 先願１発明の「レジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布」する工程と、本件特許発明１の「塗布工程」とは、「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する」点で共通する。 また、先願１発明の「レジスト下層膜形成組成物が塗布された基板を、窒素、アルゴン又はそれらの混合物の雰囲気下で２４０℃以上の温度で少なくとも１回ベーク」する工程は、「前記雰囲気下でのベーク温度は７５０℃以下であり、前記雰囲気の酸素濃度は０．０１ｐｐｍ乃至１００ｐｐｍである」。そうしてみると、先願１発明の上記「ベーク」する工程と、本件特許発明１の「加熱工程」とは、「得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中」「で加熱する」点で共通する。 ウ レジスト下層膜形成方法 以上ア～イによれば、先願１発明の「レジスト下層膜の形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」における、「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、」「得られた塗膜」を「加熱する加熱工程とを備え」との要件を満たす。 エ （Ｂ）について 先願１発明の「レジスト下層膜形成組成物」は、上記アの下線部の要件を満たすものである。当該要件の「式（１）」及びその置換基の説明からみて、先願１発明の「レジスト下層膜形成組成物」は、本件特許発明１の「（Ｂ）」に該当する。 （４）一致点及び相違点 上記（１）によれば、本件特許発明１と先願１発明とは、以下の点で一致ないし相違する。 ア 一致点 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中で加熱する加熱工程と を備える、レジスト下層膜形成方法。」 イ 相違点 （相違点１Ｄ） 「加熱工程」が、本件特許発明１は、「４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する」ものであるのに対して、先願１発明は「７５０℃以下で」加熱するとされているにとどまる点。 （相違点２Ｄ） 「レジスト下層膜形成用組成物」が、本件特許発明１は、[A] 芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、カリックスアレーン系樹脂β、分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ又はこれらの組み合わせ（以下「特定芳香族化合物」という。）であり、[B] （Ａ）及び（Ｂ）を除くとされているのに対して、先願１発明の「レジスト下層膜形成組成物」は、（Ｂ）に該当する点。 （５）判断 事案に鑑み、相違点２Ｄのうち、「（Ｂ）を除く」という要件について検討する。 先願１明細書の[0008]には、課題を解決するための手段として、上記（３）アの下線部の要件を満たす材料が記載されており、この材料は本件特許発明１の「（Ｂ）」に該当する化合物そのものである。また、同明細書の他の記載（例えば、[0021]等）をみても、上記（Ｂ）に該当する化合物の使用を前提として、ベーク条件（ベーク温度や回数等）についての説明がなされており、上記（Ｂ）に該当する化合物以外の材料を使用することが想定されていると理解できるような記載は先願１明細書には存在しない。 以上によれば、先願１発明の「レジスト下層膜形成組成物」が、「フラーレン１分子に対して、上記（２）で摘記した式（１）（式（１）中、２つのＲはそれぞれ独立に炭素原子数１乃至１０のアルキル基を表す。）で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基を少なくとも２つ有する化合物及び溶剤を含む」こと、すなわち、本件特許発明１の「（Ｂ）」に該当する化合物を含むこと、先願１発明の課題を解決するための手段としては必須の要件であることを当業者は理解する。 そうしてみると、先願１発明において、相違点２Ｄのうちの「（Ｂ）を除く」という構成が、課題解決のための具体化手段における微差であるということができないことは明らかである。 したがって、相違点２Ｄのその他の要件及び相違点１Ｄについて検討するまでもなく、本件特許発明１は、先願１明細書に記載された発明と同一であるということはできない。 （６）特許異議申立人の主張について 令和３年６月１８日付け意見書５３頁～５４頁において、特許異議申立人２は、概略、[A]酸素濃度、加熱温度、及び、芳香環を有する化合物を樹脂α等に限定することについて技術的意義が見いだせないから、訂正請求項１中の除く態様（Ａ）及び（Ｂ）は、いずれも課題解決のための具体化手段における微差（周知技術、慣用技術の付加、削除、転換等であって、新たな効果を奏するものではないもの）に該当し、本件特許発明１と先願１発明とは実質的に同一である旨主張する。 しかしながら、酸素濃度や加熱温度を特定することによる有利な効果は上記「第６」「２（３）」に示したとおりであるから、上記主張は採用する理由がない。 （７）本件特許発明２～１６について 本件特許発明２～１６は、いずれも（Ｂ）を除くことを発明特定事項として含むから、本件特許発明１と同様の理由により、先願１明細書に記載された発明と同一であるということはできない。 （８）小括 本件特許発明１～１６は、先願１明細書に記載された発明と同一であるということはできない。 ２ 先願２明細書の記載及び先願２明細書に記載された発明 （１）先願２明細書の記載 先願２は、先の出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされたものであるところ、先願２の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「先願２明細書等」という。）には、以下の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。 ア 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体素子などの製造工程における微細加工に用いられるレジスト下層膜として有用な多層膜の形成方法、及び該多層膜形成方法で形成された多層膜を用いたパターン形成方法に関する。 ・・・中略・・・ 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【００１１】 本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、リソグラフィーにレジスト下層膜として用いられる多層膜の形成方法であって、反射率を低減でき、ドライエッチングの寸法精度が高いパターン形成方法に有用な多層膜の形成方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【００１２】 上記課題を解決するために、本発明では、基板上に多層膜を形成する方法であって、（１）前記基板上に、下記一般式（１）で示されるビスナフトール基を有する化合物をノボラック化した樹脂を含有する下層膜材料をコーティングし、３００℃以上７００℃以下の温度で１０秒～６００秒間の範囲で熱処理して硬化させることで下層膜を形成する工程と、（２）前記下層膜上に、シリコン膜を形成する工程と、（３）前記シリコン膜上に、炭化水素膜材料をコーティングし、炭化水素膜を形成する工程と、（４）前記炭化水素膜上に、珪素酸化膜材料をコーティングし、珪素酸化膜を形成する工程、を含む多層膜形成方法を提供する。 【化１】 ［図：0001386096000023.jpg］ （式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６、Ｒ７はそれぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環、ナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ、ｑはそれぞれ独立に１又は２である。）」 イ 「【実施例】 【００９５】 以下、実施例及び比較例を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 なお、ポリマーの分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を示している。 【００９６】 下層膜材料に用いた下層膜ポリマー１～６、比較下層膜ポリマー１を以下に示す。 下層膜ポリマー１ Ｍｗ＝３，５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝４．５０ 【化６】 ［図：0001386096000024.jpg］ ・・・中略・・・ 【０１１０】 また、下層膜材料、炭化水素膜材料、珪素酸化膜材料、フォトレジスト膜材料に用いた溶媒を以下に示す。 ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ：シクロヘキサノン 水 ＰＧＥＥ：プロピレングリコールモノエチルエーテル ＧＢＬ：γ－ブチロラクトン 【０１１１】 下層膜材料（ＵＤＬ－１～６、比較ＵＤＬ－１）の調製 上記下層膜ポリマー１～６、比較下層膜ポリマー１で示される樹脂を、ＦＣ－４４３０（住友スリーエム（株）製）０．１質量％を含む溶媒中に表１に示す割合で溶解させ、０．１μｍのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって下層膜材料（ＵＤＬ－１～６、比較ＵＤＬ－１）を調製した。 【０１１２】 【表１】 ［図：0001386096000025.jpg］ ・・・中略・・・ 【０１１９】 下層膜の屈折率と高温ベーク前後の膜厚測定上記下層膜材料（ＵＤＬ－１～６、比較ＵＤＬ－１）をシリコン基板（ウェハー）上に塗布して、３５０℃で６０秒間ベークしてそれぞれ膜厚１００ｎｍの下層膜を形成し、入射角度可変の分光エリプソメーター（ＶＡＳＥ；Ｊ．Ａ．ウーラム社製）で波長１９３ｎｍにおける各下層膜の屈折率（ｎ値、ｋ値）と３５０℃ベーク後の膜厚ａを求めた。次いで、このウェハーをファーネス中窒素気流下、５００℃で３分間ベークし、５００℃ベーク後の膜厚ｂを測定し、５００℃ベーク前後の膜厚の比率を求めた。 ・・・中略・・・ 【０１２１】 パターンエッチング試験 ［多層膜の形成］ （実施例１～８、比較例１） 膜厚２００ｎｍのＳｉＯ２膜（被加工層）が形成された直径３００ｍｍのＳｉウェハー基板上に、表１に記載の下層膜材料（ＵＤＬ－１～６、比較ＵＤＬ－１）をスピンコートにより塗布して、大気下、３５０℃で６０秒間ベークし、膜厚１００ｎｍの下層膜を形成した。更に、ファーネスで窒素雰囲気下、５００℃で３分間ベークした。」 （２）先願２明細書に記載された発明 上記（１）によれば、先願２明細書の【０１２１】には、実施例１として、以下に示す「Ｓｉウェハー基板上に、表１に記載の下層膜材料（ＵＤＬ－１）をスピンコートにより塗布して、」「形成」する「下層膜」を形成する方法の発明（以下「先願２発明」という。）が記載されている。ここで、上記「下層膜材料（ＵＤＬ－１）」は、先願２明細書の【００９６】【化６】の構造式で表されるものである。 「膜厚２００ｎｍのＳｉＯ２膜が形成されたＳｉウェハー基板上に下層膜材料（ＵＤＬ－１）をスピンコートにより塗布して、大気下、３５０℃で６０秒間ベークし、膜厚１００ｎｍの下層膜を形成し、更に、ファーネスで窒素雰囲気下、５００℃で３分間ベークする、 下層膜を形成する方法。 上記下層膜材料（ＵＤＬ－１）は構造式【化６】(上記（１）イ参照。）で表されるものである。」 （３）対比 本件特許発明１と先願２発明とを対比する。 ア レジスト下層膜形成用組成物及びレジスト下層膜形成方法 先願２発明の「下層膜」は、「ＳｉＯ２膜が形成されたＳｉウェハー基板上に」形成されるものであって、技術的にみて、本件特許発明１の「レジスト下層膜」に相当する。 また、先願２発明の「下層膜材料（ＵＤＬ－１）」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成用組成物」に相当する。 さらにまた、先願２発明の「レジスト下層膜の形成方法」は、「Ｓｉウェハー基板上に下層膜材料（ＵＤＬ－１）をスピンコートにより塗布して、」「下層膜を形成し、」「更に、ファーネスで窒素雰囲気下、５００℃で３分間ベーク」し、「下層膜を形成する」ものである。そうすると、先願２発明の「レジスト下層膜の形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」に相当する。 イ 塗布工程及び加熱工程 上記アによれば、先願２発明の「Ｓｉウェハー基板上に下層膜材料（ＵＤＬ－１）をスピンコートにより塗布」する工程と、本件特許発明１の「塗布工程」とは、「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する」点で共通する。 また、先願２発明の「下層膜を形成し、更に、ファーネスで窒素雰囲気下、５００℃で３分間ベークする」する工程と、本件特許発明１の「加熱工程」とは、「得られた塗膜を」「４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する」点で共通する。 ウ レジスト下層膜形成方法 以上ア～イによれば、先願２発明の「レジスト下層膜の形成方法」は、本件特許発明１の「レジスト下層膜形成方法」における、「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、」「得られた塗膜を」「４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する加熱工程とを備え」との要件を満たす。 エ （Ａ）について 先願２発明の「下層膜材料（ＵＤＬ－１）」は、「構造式【化６】で表されるものである」（当合議体注：【化６】は上記（１）で表される材料である。）。 そして、上記「構造式【化６】で表される」「下層膜材料（ＵＤＬ－１）」は、その構造から少なくとも６つの芳香環を有する化合物であって、さらに詳細には、本件特許発明１の「（Ａ）」の式（１）において、Ｒ１及びＲ２が、それぞれ水素原子であり、Ｒ３及びＲ４が、それぞれ水素原子であり、Ｒ５が、炭素数１のメチレン基であり、Ｒ６及びＲ７が、それぞれベンゼン環であり、ｐ及びｑは、それぞれ１である場合に該当する。 そうしてみると、先願２発明の「下層膜材料（ＵＤＬ－１）」は、本件特許発明１の「（Ａ）」に該当する。 （４）一致点及び相違点 上記（１）によれば、本件特許発明１と先願２発明とは、以下の点で一致ないし相違する。 ア 一致点 「レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、 得られた塗膜を加熱する加熱工程と を備える、レジスト下層膜形成方法。」 イ 相違点 （相違点１Ｅ） 「加熱工程」が、本件特許発明１は、「酸素濃度が０．０１容量％以下の雰囲気中」「で加熱する」のに対して、先願２発明は、「窒素雰囲気下で」「ベーク」するとされているにとどまる点。 （相違点２Ｅ） 「レジスト下層膜形成用組成物」が、本件特許発明１は、[A] 芳香環を有する化合物を含有し、 上記芳香環を有する化合物が、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、カリックスアレーン系樹脂β、分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ又はこれらの組み合わせ（以下「特定芳香族化合物」という。）であり、[B] （Ａ）及び（Ｂ）を除くとされているのに対して、先願２発明の「下層膜材料（ＵＤＬ－１）」は、上記[A]のように特定されたものではなく、また、（Ａ）に該当する点。 （５）判断 事案に鑑み、相違点２Ｅのうち、「（Ａ）を除く」という要件について検討する。 先願２明細書には、課題を解決するための材料として、次の構造の材料が記載されている。 「【化１】 ［図：0001386096000026.jpg］ （式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、又は炭素数２～２０のアルケニル基である。Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立に、水素原子又はグリシジル基である。Ｒ５は炭素数１～１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。Ｒ６、Ｒ７はそれぞれ独立に、ベンゼン環、ナフタレン環のいずれかであり、ベンゼン環、ナフタレン環中の水素原子は炭素数１～６の炭化水素基で置換されていてもよい。ｐ、ｑはそれぞれ独立に１又は２である。）」（【００１２】） 加えて、先願２明細書の実施例において使用されているいずれの下層膜材料も上記【化１】で表される構造を含む材料に該当する。そうしてみると、上記【化１】で表される材料、すなわち、本件特許発明１の（Ａ）は、先願２発明においては、課題を解決するための必須の構成といえる。 そうしてみると、先願２発明において、相違点２Ｅのうちの「（Ａ）を除く」という構成が、課題解決のための具体化手段における微差であるということができないことは明らかである。 したがって、相違点２Ｅのその他の要件及び相違点１Ｅについて検討するまでもなく、本件特許発明１は、先願２明細書に記載された発明と同一であるということはできない。 （６）特許異議申立人の主張について 先願２を主引用例とした取消の理由に対する、令和３年６月１８日付け意見書における、特許異議申立人２の主張は、上記「１（６）」と同様のものである。 したがって、同様の理由により、上記主張は採用する理由がない。 （７）本件特許発明２～１６について 本件特許発明２～１６は、いずれも（Ａ）を除くことを発明特定事項として含むから、本件特許発明１と同様の理由により、先願２明細書に記載された発明と同一であるということはできない。 （８）小括 本件特許発明１～１６は、先願２明細書に記載された発明と同一であるということはできない。 第８ 当合議体の判断（サポート要件） １ 判断基準 特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条６項１号に記載する要件（いわゆる、サポート要件）に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認定できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものと解される。 この判断基準にしたがって、以下検討する。 ２ 本件特許発明について 本件特許発明は、「芳香環を有する化合物」が[A]「ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデ環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する樹脂α、カリックスアレーン系樹脂β、分子量が６００以上３０００以下であり、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環及びフルオレニリデンビナフタレン環からなる群より選ばれる少なくとも一種を有する芳香環含有化合物γ、又はこれらの組み合わせである」との要件（以下「本件材料要件」ということがある。）を、「加熱工程」が[B]「酸素濃度が０．０１容量％未満の雰囲気中、４５０℃超６００℃以下の温度で加熱する」との要件をそれぞれ満たす点を発明を特定する事項として有するものである。 ３ 本件特許発明の課題及び課題を解決するための手段について 本件出願の願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）には、「本発明は・・・中略・・・その目的は、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法を提供することにある。」（【０００６】）との記載がある。 上記記載によれば、本件特許発明の課題は、「エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法を提供すること」と認められる。 また、本件明細書の発明の詳細な説明には、「当該レジスト下層膜形成方法で用いられるレジスト下層膜形成用組成物（Ｉ）は、［Ａ］化合物及び［Ｂ］溶媒を含有する。」（【００３６】）ものであって、「［Ａ］化合物は、芳香環を有する化合物」（【００３７】）であり、「［Ａ］化合物としては、耐熱性及びエッチング耐性の観点から、主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３，０００以下の芳香環含有化合物（以下「芳香環含有化合物（Ａ）」ともいう。）又はこれらの組み合わせが好ましい。」こと及びその具体的な化合物の条件（【００３８】）、加熱工程として、「塗膜の加熱は、通常、低酸素雰囲気下で行われる。加熱温度としては、４５０℃超であり、・・・６００℃以下がより好ましい。加熱温度が上記規定される範囲外の場合、レジスト下層膜として必要な特性が発現しないおそれがある。」（【００１５】）こと、「加熱時の酸素濃度としては、・・・０．０１容量％以下がより好ましく・・・加熱時の酸素濃度が高い場合、レジスト下層膜の酸化が進行し、レジスト下層膜として必要な特性が発現できないおそれがある。」（【００１６】）ことが記載されている。 加えて、本件明細書等の【０２２６】～【０２４８】及び【０２６２】【表１】には、上記各条件を満たす[Ａ]化合物について種々の具体例が記載されている。 ４ 判断 本件明細書等の上記記載に照らせば、当業者であれば、レジスト下層膜を形成するにあたり、加熱条件として、「４５０℃超６００℃以下」であって、「酸素濃度が０．０１容量％以下」の条件で加熱するものであって、かつ、レジスト下層膜形成用組成物が、「芳香環を有する化合物」であって、【００３８】に挙げられるような特定の「主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が６００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせ」であれば、本件特許発明の上記課題を解決することができると認識する。 そして、本件特許発明は、上記課題を解決すると認識できる発明特定事項を全て含むものであるから、本件特許発明の上記課題を解決するものであるといえる。 したがって、本件特許発明は、本件明細書等の発明の詳細な説明に記載したものであるということができる。 ５ 特許異議申立人の主張 （１）特許異議申立人２の主張 令和３年６月１８日付け意見書において、特許異議申立人２は、概略、以下のア～イの点を主張する。 ア 発明の効果（課題）と本件材料要件との関係について 本件特許発明においてエッチング耐性を発揮するためには、”芳香環を有する化合物”が実施例で用いられた化合物（化合物（Ａ－１）から（Ａ－１９））と同程度又はそれ以上に分解し難い構造を有することが必須であると解されるところ、本件出願時における技術常識（例えば、甲２－１０～甲２－１３の各証拠に記載された事項）に照らせば、本件材料要件を満たす樹脂α等には耐熱性が低い（４５０℃や３００℃程度の温度で分解する）樹脂等が含まれるため、本件特許発明は課題を解決することができないものを含むという点。（意見書３２頁～３４頁） 以下、上記各証拠について検討する。 （ア）甲２－１０について 甲２－１０（５頁の表３）には、アントラセン環を含む樹脂（例えば、エポキシ樹脂[５]等の１０％重量減少温度及び軟化点が記載されているものの、これらと本件特許発明における酸素濃度の要件及び加熱温度の要件を満たす加熱工程に対する耐性（以下「本件耐性」という。）との間の定量的な関係は不明というほかない。 （イ）甲２－１１について 甲２－１１（表３及び表４）によれば、ナフタレン環を含むエポキシ樹脂（ＤＧＥＮＤ）のＴｇが、アントラセン環を含むエポキシ樹脂（ＤＧＥＡＤ）のＴｇよりも低いことが理解できるものの、このことと本件耐性との関係が不明であることは甲２－１０と同様である。 （ウ）甲２－１２について 特許異議申立人２は、甲２－１２の表１に記載された、応用実施例３並びに応用比較例１及び２のドライエッチング速度比の実験結果から、ナフタレン環を有するか否かのみでは直接エッチング耐性に対する影響は判断できない旨主張する。しかしながら、上記実験で使用された下層膜の加熱温度（【００７８】）（酸素濃度は不記載である。）及びエッチング条件（【００８３】）が、本件耐性の前提となる条件とかけ離れていることからみて、上記実験結果から本件材料要件を満たすか否かを論じることは困難である。 （エ）甲２－１３について 特許異議申立人２は、甲２－１３の応用実施例５及び６並びに応用比較例１及び２を根拠にして、ナフタレン環やアントラセン環を有するか否かが直接エッチング耐性に影響を与えてない旨主張するが、上記実施例及び比較例における下層膜の加熱温度や酸素濃度（[0074]）（酸素濃度は不記載である。）及びエッチング条件（[0079]）が、本件耐性の前提となる条件とかけ離れていることは甲２－１２と同様である。 以上（ア）～（エ）によれば、上記いずれの証拠によっても上記アの主張を採用する理由は見いだせない。 イ 酸素濃度及び温度条件について 本件明細書に記載された実施例の結果からは、訂正発明１に係る樹脂α等全般において、酸素濃度は０．０１～０．００２容量％の範囲で効果があるかどうかは示されておらず、さらに、加熱温度についても４５０℃超６００℃以下の範囲で樹脂α等全般において効果があるかどうかは示されていない点。（意見書４５頁） 確かに、レジスト下層膜形成用組成物について「芳香環を有する化合物」以外に何ら限定がなく、本件明細書において実施例で効果が確認された酸素濃度（０．００２容量％）の約５００倍の酸素濃度を含み、かつ、実施例で効果が確認された加熱温度（５５０℃）より２５０℃も高温の加熱温度を含むような加熱条件を発明特定事項として含む、本件訂正請求前の本件特許発明であれば、「酸素濃度が１容量％」近傍であって、加熱温度が「８００℃」近傍という過酷な温度で加熱されると、組成物の熱分解によってもはや「エッチング耐性に優れるレジスト下層膜」として機能し得ない蓋然性は高いといえる。 しかしながら、本件訂正請求によって、酸素濃度及び加熱温度についての数値範囲の上限値が、それぞれ「０．０１容量％」及び「６００℃」へと既に訂正された。そうすると、特段の証拠（本件材料要件を満たす樹脂又は化合物が、本件耐性を示さないことを立証する具体的な証拠（いわゆる反例となり得る証拠）が発見されれば格別、そうでなければ、本件明細書に記載された上記（Ａ－１）～（Ａ－１９）を用いた実施例の結果から、当業者は、もはや本件特許発明１が「エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができる」という課題を解決することができることを認識するといえる。 したがって、上記イの主張は採用する理由がない。 （２）特許異議申立人１の主張 特許異議申立人１は、令和２年１２月７日付け特許異議申立書において、サポート要件違反を理由とする取消の理由は申し立てていないから、令和３年６月１８日付け意見書の同要件に係る主張は、特許異議申立ての要旨を変更するものであることは明らかであるから検討対象としない。 仮に検討したとしても、特許異議申立人２が主張する内容と同様のものであるか、上記（１）イの下線部で述べたような新たな具体的な証拠が提示されていないから、上記イの判断は変わらない。 ６ 小括 したがって、本件特許発明１は、発明の詳細な説明に記載したものであるということができる。 また、本件特許発明２～１６は、いずれも本件特許発明１の加熱温度の数値範囲をより狭い範囲内に限定した発明又は「芳香環を有する化合物」の範囲をより限定した発明であるから、本件特許発明１と同様の理由により、発明の詳細な説明に記載したものであるということができる。 第９ 当合議体の判断（明確性要件） 上記「第４」に示す理由５（明確性要件）は、「１ 芳香環を有する化合物について」、「２ レジストパターンを形成する工程について」及び「３ 除くクレームについて」通知したものであるところ、「１」及び「２」は理由１（サポート要件）の解消にともない解消し、「３」は、本件訂正請求により除かれる材料の範囲が明確になったことで解消したといえる。 第１０ 当合議体による取消しの理由で採用しなかった特許異議申立理由（進歩性）について １ 特許異議申立人１による申立て理由 特許異議申立人１は、令和３年３月３日付け取消理由通知において採用しなかった、以下の取消しの理由を申し立てた。 本件特許発明１～１０は、甲１に記載された発明であり、特許法２９条１項３号に該当し、特許をうけることができない。この取消しの理由は、甲１の【００９１】における、加熱温度は、５０～７００℃の範囲が好ましく、７０～５００℃の範囲がより好ましい。５０℃未満の場合には、溶剤が充分に気化せず、一方７００℃の温度範囲で（つまり４５０℃超えの温度を含む範囲で）の加熱により形成される旨の記載に基づくものである。 しかしながら、特定の数値範囲を発明特定事項に含む発明に対して、その範囲が一部重複する数値範囲が漠然と記載されているに過ぎず、本件特許発明の酸素濃度及び温度範囲を満たす具体例の開示は存在しないことから、本件特許発明の新規性を否定し得る発明が甲１に記載されているとまではいえない。 したがって、この取消しの理由によっても本件請求項１～１６に係る特許を取り消すことはできない。 ２ 特許異議申立人２による申立て理由 特許異議申立人２は、令和３年３月３日付け取消理由通知において採用しなかった理由として、上記１の取消しの理由（本件特許発明１～１０に対する甲１に基づく新規性についての取消しの理由）と同様の理由を申し立てた。 しかしながら、上記１（１）の判断と同様である。 ３ 小括 したがって、当合議体による取消しの理由において採用しなかった特許異議申立ての理由によっても、本件請求項１～１６に係る特許を取り消すことはできない。 第１１ まとめ 以上のとおりであるから、当合議体が通知した取消しの理由及び特許異議の申立ての理由によっては、本件請求項１～１６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～１６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。