2020-014168

第２　本願発明

本願請求項１～４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」～「本願発明４」という。）は，令和３年６月２４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１～４に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１は以下のとおりの発明である。

「【請求項１】

化学気相堆積プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスにより，基材の少なくとも１つの表面上に金属ドープ窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって，

反応器中に前記基材の少なくとも１つの表面を提供する工程と，

前記反応器中にモノクロロジシラン（ＭＣＤＳ），及びモノクロロトリシラン（ＭＣＴＳ）からなる群から選択される少なくとも１つのハライドシラン前駆体を導入する工程と，

前記反応器中に窒素含有源を導入する工程と

を含み，前記少なくとも１つのハライドシラン前駆体と前記窒素含有源とが反応して，前記少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素の膜を形成し，

金属含有前駆体を前記反応器中に導入して，金属ドープ窒化ケイ素の膜を形成することをさらに含み，

前記金属含有前駆体が，トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム，トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム，トリエチルガリウム，トリス（ジメチルアミノ）ガリウム，トリス（ジエチルアミノ）ガリウムからなる群より選択される，方法。」

なお，本願発明２～４は，本願発明１を減縮した発明である。

第３　引用文献，引用発明等

１　引用文献１について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１５－０９７２５５号公報）には，次の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下，同様である。）。

「【００２２】

（第１の実施形態）

＜成膜方法＞

図１はこの発明の第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法の一例を示す流れ図，図２Ａ～図２Ｎはその成膜方法の主要な工程を示す断面図である。

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【００２３】

第１の実施形態においては，シリコン基板（シリコンウエハ＝シリコン単結晶）１を，シリコン窒化物膜を成膜する下地の一例として用いる（図２Ａ参照）。下地は，シリコン基板１に限られるものではなく，シリコン酸化物膜などの絶縁膜，金属膜などの導電体膜であってもよい。第１の実施形態においては，シリコン窒化物膜を，シリコン基板１の被処理面上に成膜する。

【００２４】

次に，シリコン基板１を成膜装置の処理室内に搬入し，第１ステップとして“シリコン膜の形成処理”を行う。このために，処理室内において，シリコン基板１の被処理面に向け，シリコンを含むシリコン原料ガスを供給する（図１のステップ１）。第１の実施形態においては，シリコン原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）ガスを用いた。

【００２５】

ステップ１における処理条件の一例は，

モノシラン流量：　１０００ｓｃｃｍ

処　理　時　間：　３０ｓｅｃ

処　理　温　度：　２００℃

処　理　圧　力：　１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）

（本明細書では，１Ｔｏｒｒを１３３Ｐａと定義する。）

である。

【００２６】

これにより，ＳｉＨ４ガスが熱分解され，シリコン基板１の被処理面上にＳｉＨ４が吸着され，薄い第１層シリコン層２－１が形成される（図２Ｂ）。第１層シリコン層２－１の膜厚は，例えば，数十原子層の厚さである。

【００２７】

シリコン原料ガスは，ＳｉＨ４ガスに限られるものではなく，シリコンを含むシリコン化合物ガスであればよい。例えば，シラン系ガスとしては，ＳｉＨ４ガスの他，

Ｓｉ２Ｈ６ガス

Ｓｉ３Ｈ８ガス

などのシリコン数が２以上の，いわゆる高次シランガスを用いるようにしてもよい。本明細書においては，シラン系ガスを，シリコン数が１のモノシランガス，およびシリコン数が２以上の高次シランガスの双方を含むもの，と定義する。

【００２８】

また，シリコン原料ガスは，シラン系ガスの水素原子を，水素以外の原子に置換したシリコン化合物ガスなども用いることができる。例えば，シラン系ガスの水素原子を塩素原子に置換した，

ＳｉＨ３Ｃｌガス

ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス

ＳｉＨＣｌ３ガス

Ｓｉ２Ｈ５Ｃｌガス

Ｓｉ２Ｈ４Ｃｌ２ガス

Ｓｉ２Ｈ３Ｃｌ３ガス

Ｓｉ２Ｈ２Ｃｌ４ガス

Ｓｉ２ＨＣｌ５ガス

などのガスも用いることができる。

【００２９】

次に，処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し，処理室内をパージする（図１のステップ２）。不活性ガスとしては窒素（Ｎ２）ガスや，アルゴン（Ａｒ）ガスなどの希ガスを用いることができる。

【００３０】

次に，処理室内において，シリコン基板１の被処理面に向け，シリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給する（図１のステップ３）。シリコン原料ガスの分解を促進させる物質の一例は，ボロン（Ｂ）である。第１の実施形態においては，分解促進ガスとしてジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを用いた。

【００３１】

ステップ３における処理条件の一例は，

ジボラン流　量：　２００ｓｃｃｍ

処　理　時　間：　３０ｓｅｃ

処　理　温　度：　２００℃

処　理　圧　力：　１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）

である。

【００３２】

これにより，第１層シリコン層２－１上には，ボロン原子３が吸着される（図２Ｃ）。第１層シリコン層２－１上に吸着されたボロン原子３には，シリコン化合物ガス，第１の実施形態においてはＳｉＨ４ガスの分解を促進させる触媒作用がある。このため，例えば，１００℃以上４００℃未満の低い温度帯であっても，ボロン原子３を吸着させない場合に比較して，例えば，ＳｉＨ４ガスの分解をより急速に進めることが可能となる。

【００３３】

分解促進ガスは，Ｂ２Ｈ６ガスに限られるものではなく，ボロンを含むボロン化合物ガスであればよい。例えば，ボラン系ガスとしては，Ｂ２Ｈ６ガスの他，

ＢＨ３（モノボラン）ガス

などを用いることも可能である。また，ボロン数が２以上の，いわゆる高次ボランガスについても，Ｂ２Ｈ６ガスに限られるものではない。本明細書においては，ボラン系ガスを，ボロン数が１のモノボランガス，およびボロン数が２以上の高次ボランガスの双方を含むもの，と定義する。

【００３４】

また，ボラン系ガスの水素原子を，水素以外の原子に置換したボロン化合物ガスなども用いることができる。例えば，ボラン系ガスのボロン原子を塩素原子に置換した

ＢＣｌ３ガス

（Ｂ（Ｃ２Ｈ５））３ガス

なども用いることができる。

【００３５】

次に，処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し，処理室内をパージする（図１のステップ４）。用いる不活性ガスはステップ２と同様のものでよい。

【００３６】

次に，図１のステップ５に示すように，ステップ１～ステップ４の繰り返し回数が，設定値ｎ回（ただし，ｎは２以上）に達したか否かを判断する。達していない（ＮＯ），と判断された場合には，ステップ１～ステップ４を再度繰り返す。反対に達した（ＹＥＳ），と判断された場合にはステップ６に進む。

【００３７】

このようにステップ１～ステップ４を２回以上繰り返すことで，第１層シリコン膜４－１が，シリコン基板１の被処理面上に形成される。図２Ｄには，設定値ｎを“３”とし，ステップ１～ステップ４を３回繰り返すことで，第１層シリコン層２－１，第２層シリコン層２－２および第３層シリコン層２－３を含んで構成された第１層シリコン膜４－１の例が示されている。なお，図２Ｄにおいては，ステップ４において第３層シリコン層２－３上に吸着されるであろうボロン原子３の図示は省略している。

【００３８】

次に，第２ステップとして“シリコン膜の窒化処理”を，“シリコン膜の形成処理”を行った処理室内において行う。このために，処理室内において，第１層シリコン膜４－１が形成されたシリコン基板１の被処理面に向け，窒素を含む窒化ガスを供給する（図１のステップ６）。第１の実施形態においては，窒化ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）ガスを用いた。また，第１の実施形態においては，ＮＨ３ガスにはエネルギーを印加して，例えば，窒素ラジカルＮ＊やアンモニアラジカルＮＨ＊など含む活性な窒素を生成し，この活性な窒素をシリコン基板１の被処理面に向け，供給するようにした。ＮＨ３ガスに印加するエネルギーの一例は，高周波電界である。高周波電界の発生手法（生成機構）としては，例えば，２枚の電極板を対向させ，２枚の電極板間に高周波電界を発生させる平行平板型ＲＦプラズマ生成機構を用いた。

【００３９】

ステップ６における処理条件の一例は，

アンモニア流量：　１０００ｓｃｃｍ

処　理　時　間：　１０ｓｅｃ処理温度：２００℃

処　理　圧　力：　１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）

高周波電界　　：　オン

である。

【００４０】

これにより，第１層シリコン膜４－１は，例えば，ラジカル窒化され，第１層シリコン窒化物膜５－１が形成される（図２Ｅ）。

【００４１】

窒化ガスは，ＮＨ３ガスに限られるものではなく，窒素を含む窒素化合物ガスであればよい。例えば，

ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）

ヒドラジン誘導体

などを用いることも可能である。もちろん窒素ガス単体でもよい。

【００４２】

また，高周波電界の発生手法（生成機構）も，平行平板型に限られるものではない。例えば，

無声放電

ラジアルロッドスロットアンテナ

などを用いてもよい。

【００４３】

次に，高周波電界をオフし，処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し，処理室内をパージする（図１のステップ７）。用いる不活性ガスはステップ２と同様のものでよい。

【００４４】

次に，図１のステップ８に示すように，ステップ６およびステップ７の回数が，設定値ｐ回（ただし，ｐは１以上）に達したか否かを判断する。達していない（ＮＯ），と判断された場合には，ステップ６およびステップ７を再度行う。反対に達した（ＹＥＳ），と判断された場合にはステップ９に進む。

【００４５】

このようにステップ６およびステップ７を１回以上行うことで，第１層シリコン膜４－１が窒化され，第１層シリコン窒化物膜５－１がシリコン基板１の被処理面上に形成される。図２Ｅには，設定値ｐを“１”とし，ステップ６およびステップ７を１回行うことで，第１層シリコン膜４－１を窒化した例が示されている。

【００４６】

なお，第１の実施形態においては，窒化の回数を１回以上の有限値に設定可能な例を示している。しかし，窒化の回数を１回に特定する場合には，シリコン窒化物膜の成膜レシピからステップ８を省略し，ステップ７の次に，ステップ９を実行するように成膜レシピを構成してもよい。

【００４７】

第１の実施形態においては，ここまでのステップ１～ステップ８（あるいはステップ７）まで，即ち，複数回のシリコン層の形成を含むシリコン膜の形成処理（ステップ１～ステップ５）から，シリコン膜の窒化処理（ステップ６～ステップ８（あるいはステップ７））までのシーケンスを１サイクルとする。

【００４８】

次に，図１のステップ９に示すように，上記１サイクルの回数が，設定値ｍ（ただし，ｍは１以上）に達したか否かを判断する。達していない（ＮＯ），と判断された場合には，ステップ１～ステップ８（あるいはステップ７）を再度行う。反対に達した（ＹＥＳ）と判断された場合には，第１の実施形態に係るシリコン窒化物膜の成膜方法にしたがった成膜処理を終了する。」

「【図１】

」

以上によれば，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。

「シリコン窒化物膜を，シリコン基板１の被処理面上に成膜する方法であって，

シリコン基板１を成膜装置の処理室内に搬入し，

シリコン基板１の被処理面に向け，シリコンを含むシリコン原料ガスとしてＳｉ２Ｈ５Ｃｌガスを供給するステップ１と，

処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し，処理室内をパージするステップ２と，

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処理室内において，シリコン基板１の被処理面に向け，シリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給するステップ３と，

処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し，処理室内をパージするステップ４と，

前記ステップ１～ステップ４を２回以上繰り返すことで，第１層シリコン膜４－１を，シリコン基板１の被処理面上に形成するステップ５と，

処理室内において，第１層シリコン膜４－１が形成されたシリコン基板１の被処理面に向け，窒素を含む窒化ガスを供給して，シリコン膜の窒化処理を行うステップ６と，

処理室内を排気しつつ処理室内に不活性ガスを供給し，処理室内をパージするステップ７と，

ステップ６およびステップ７を１回以上行うことで，第１層シリコン膜４－１を窒化し，第１層シリコン窒化物膜５－１をシリコン基板１の被処理面上に形成するステップ８と，

前記ステップ１～ステップ８までのシーケンスを１サイクルとし，前記１サイクルの回数が，規定値ｍ（ただし，ｍは１以上）に達するまで行うシリコン窒化物膜の成膜方法。」

２　引用文献２について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２０１５－０９６４８９号公報）には，次の事項が記載されている。

「【００４５】

いくつかの態様において，ケイ素含有膜はケイ素と窒素とを含む。これらの態様では，本明細書に記載の方法を使用して堆積されるケイ素含有膜は，窒素含有源の存在下で形成される。窒素含有源は，少なくとも１つの窒素含有源の形で反応器に導入され，および／または堆積プロセスで使用される他の前駆体中に付随して存在してもよい。適切な窒素含有源ガスは，例えば，アンモニア，ヒドラジン，モノアルキルヒドラジン，ジアルキルヒドラジン，窒素，窒素／水素，アンモニアプラズマ，窒素プラズマ，窒素／アルゴンプラズマ，窒素／ヘリウムプラズマ，窒素／水素プラズマ，およびそれらの混合物を含んでもよい。いくつかの態様において，窒素含有源は，約１～約２０００標準立方センチメートル（ｓｃｃｍ）または約１～約１０００ｓｃｃｍの範囲の流速で反応器に導入される，アンモニアプラズマまたは水素／窒素プラズマまたは窒素／アルゴンプラズマまたは窒素／ヘリウムプラズマ源ガスを含む。窒素含有源は，約０．０１～約１００秒の範囲の時間で導入することができる。膜がＡＬＤまたはサイクリックＣＶＤプロセスにより堆積される態様において，前駆体パルスは，０．０１秒超のパルス持続時間を有することができ，窒素含有源は，０．０１秒未満のパルス持続時間を有することができるが，一方水パルス持続時間は，０．０１秒未満のパルス持続時間を有することができる。さらに別の態様において，０秒と小さくてもよいパルス間のパージ持続は，途中にパージ無しで連続的にパルスされる。」

３　引用文献３について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開２０１５－０５４８５３号公報）には，次の事項が記載されている。

「【００４３】

上記の必要に応じて用いられる反応性ガスとしては，例えば，酸化性のものとしては酸素，オゾン，二酸化窒素，一酸化窒素，水蒸気，過酸化水素，ギ酸，酢酸，無水酢酸等が挙げられ，還元性のものとしては水素が挙げられ，また，窒化物を製造するものとしては，モノアルキルアミン，ジアルキルアミン，トリアルキルアミン，アルキレンジアミン等の有機アミン化合物，ヒドラジン，アンモニア等が挙げられ，これらは１種類又は２種類以上使用することができる。なかでも，本発明の薄膜形成用原料はオゾンとの反応性が特に良好である。」

４　引用文献４について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開２００９－２６０１５１号公報）には，次の事項が記載されている。

「【００１８】

また例えば請求項１５に記載したように，前記絶縁層は，シリコン窒化膜（ＳｉＮ）又はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２ ）よりなる。

また例えば請求項１６に記載したように，前記金属層原料ガスは，ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム），Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ（ヘキサフルオロアセチルアセトナト－トリメチルビニルシリル銅），Ｃｕ（ＥＤＭＤＤ）２ ，ＴＢＴＤＥＴ（ターシャリーブチルイミド－トリ－ジエチルアミドタンタル），ＰＥＴ（ペンタエトキシタンタル），ＴｉＣｌ４ （四塩化チタン），ＡｌＣｌ３ （塩化アルミニウム），ＴＥＨ（テトラキスエトキシハフニウム），Ｚｒ（ＯｔＢｔ）４ ，ＨＴＴＢ（ハフニウムテトラターシャリーブトキシド），ＴＤＭＡＨ（テトラキスジメチルアミノハフニウム），ＴＤＥＡＨ（テトラキスジエチルアミノハフニウム），ＴＥＭＡＨ（テトラキスエチルメチルアミノハフニウム），Ｈｆ（ＭＭＰ）４ （ジルコニウムテトラターシャリーブトキシド），ＴＤＭＡＺ（テトラキスジメチルアミノジルコニウム），ＴＤＥＡＺ（テトラキスジエチルアミノジルコニウム），ＴＥＭＡＺ（テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム），Ｚｒ（ＭＭＰ）４ （テトラキスメトキシメチルプロポキシジルコニウム），ＴＥＡ（テトラエチルアルミニウム），Ａｌ（ＭＭＰ）３ （トリスメトキシメチルプロポキシアルミニウム）よりなる群より選択される１以上のガスである。」

「【００５１】

次に，具体的に本発明方法の金属ドープ層の形成方法について説明する。本発明では，図３に示すように，絶縁層原料ガスを用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と，上記金属を含む金属層原料ガスを用いて金属層を形成する金属層形成工程とを，上記金属層形成工程が少なくとも１回含まれるように交互にこの順序で順次繰り返し行うようにしている。」

５　引用文献５について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開２０１３－１００２６２号公報）には，次の事項が記載されている。

「【００７３】

幾つかの実施形態では，本明細書で記載される式Ｉを有するハロゲン化オルガノアミノシラン前駆体は同様に，例えば限定されないが金属酸化物膜又は金属窒化物膜などの金属含有膜のためのドーパントとしても使用され得る。これらの実施形態では，金属含有膜は，金属アルコキシド，金属アミド又は揮発性有機金属前駆体を用いて，本明細書で記載されるプロセスなどのＡＬＤ又はＣＶＤプロセスを用いて堆積される。本明細書中で開示されている方法とともに使用されてよい適切な金属アルコキシド前駆体の例としては，第３族乃至第６族金属アルコキシド，アルコキシとアルキル置換シクロペンタジエニルリガンドの両方を有する第３族乃至第６族金属錯体，アルコキシとアルキル置換ピロリルリガンドの両方を有する第３族乃至第６族金属錯体，アルコキシとジケトネートリガンドの両方を有する第３族乃至第６族金属錯体，アルコキシとケトエステルリガンドの両方を有する第３族乃至第６金属錯体が挙げられるがそれらに限定されない。本明細書中で開示されている方法とともに使用されてよい適切な金属アミド前駆体の例としては，テトラキス（ジメチルアミノ）ジルコニウム（ＴＤＭＡＺ），テトラキス（ジエチルアミノ）ジルコニウム（ＴＤＥＡＺ），テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウム（ＴＥＭＡＺ），テトラキス（ジメチルアミノ）ハフニウム（ＴＤＭＡＨ），テトラキス（ジエチルアミノ）ハフニウム（ＴＤＥＡＨ）及びテトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウム（ＴＥＭＡＨ），テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡＴ），テトラキス（ジエチルアミノ）チタン（ＴＤＥＡＴ），テトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＴＥＭＡＴ），ｔｅｒｔ－ブチルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＤＥＴ），ｔｅｒｔ－ブチルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＤＭＴ），ｔｅｒｔ－ブチルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＥＭＴ），エチルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＤＥＴ），エチルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＤＭＴ），エチルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル（ＥＩＴＥＭＴ），ｔｅｒｔ－アミルイミノトリ（ジメチルアミノ）タンタル（ＴＡＩＭＡＴ），ｔｅｒｔ－アミルイミノトリ（ジエチルアミノ）タンタル，ペンタキス（ジメチルアミノ）タンタル，ｔｅｒｔ－アミルイミノトリ（エチルメチルアミノ）タンタル，ビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）ビス（ジメチルアミノ）タングステン（ＢＴＢＭＷ），ビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）ビス（ジエチルアミノ）タングステン，ビス（ｔｅｒｔ－ブチルイミノ）ビス（エチルメチルアミノ）タングステン及びそれらの組み合わせが挙げられるがそれらに限定されない。本明細書中で開示されている方法とともに使用されてよい適切な有機金属前駆体の例としては，第３族金属シクロペンタジエニル又はアルキルシクロペンタジエニルが挙げられるがそれらに限定されない。本明細書中の例示的な第３族乃至第６族金属としては，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ及びＷが挙げられるがそれらに限定されない。他の揮発性有機金属前駆体としては，金属アルキル前駆体，例えば限定されないがトリエチルアルミニウム（ＴＥＡ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）が挙げられるがそれらに限定されない。」

６　引用文献６について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（特表２０１４－５３２３０４号公報）には，次の事項が記載されている。

「【０１５５】

工程の数箇所で，誘電体堆積のサイクルが，例えばジボラン等のドーパント前駆体種の導入で中断される。これは，図面で操作Ｆとして説明されている。誘電体ソース膜に提供されることができるドーパントの例としては，ホウ素，ガリウム，リン，ヒ素等の原子価ＩＩＩ及びＩＶ元素，及び他のドーパントが挙げられる。ドーパント前駆体の例としては，ジボランの他に，ホスフィン及び他の水素化物ソースが挙げられる。また，アルキル前駆体（例えば，トリメチルガリウム），ハロ前駆体（例えば，塩化ガリウム）等の非水素化物ドーパントも，使用可能である。」

７　引用文献７について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７（特表２００５－５３４１８１号公報）には，次の事項が記載されている。

「【００６０】

図３は，本発明の好ましい実施形態に従う一般的なプロセスシーケンスを示す。基板は，プロセスチャンバー中に提供され，全てのシーケンスステップは，好ましくは，そのプロセスチャンバー中でインサイチュで実施される。

【００６１】

好ましくは，プロセスチャンバーは，Ｐｈｏｅｎｉｘ，ＡｒｉｚｏｎａのＡＳＭ　Ａｍｅｒｉｃａ，　Ｉｎｃ．より市販され，図１および２に関して上に記載される，ＥｐｓｉｌｏｎＴＭシリーズの単一ウェハリアクターのような，単一ウェハの，水平ガスフローリアクターであり，好ましくは，放射加熱される。結果として，図３に示されるプロセスがまた，シャワーヘッドの配置を有するもののような，代替的なリアクター中で使用され得るが，増加した均一性および堆積速度における利益は，回転基板を使用する，ＥｐｓｉｌｏｎＴＭチャンバーの，水平単一パス層ガスフロー配置において特に効果的であることが見出された。

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【００６２】

図３を参照すると，ステップ１００において，シリコン層は，基板上に形成される。「基板」は，シリコン含有物質が本発明の好ましい実施形態に従って堆積されるかまたは適用される，任意の基礎をなす表面を含むように，その通常の意味で，本明細書中で使用される。好ましい基板は，金属，シリコン，ゲルマニウム，プラスチック，および/またはガラス，好ましくは，シリコン化合物（Ｓｉ－Ｏ－Ｃ－Ｈ低誘電率の膜を含む）およびケイ素合金を含むがこれらに限定されない，実質上任意の物質からなり得る。基板はまた，トレンチまたはステップのような物理的構造上にそれらを有し得る。特に好ましい基板は，その上にインターフェーシャル・レイヤーを有するシリコン基板を含む。さらに，約４８０℃以上の加工温度で，水素で不動態化したＳｉ＜１００＞表面は，シリコン基板として有利に使用され得る。

【００６３】

ポリシランは，好ましくは，シリコン層１００を形成するためにシリコン供給源として使用される。本明細書中で使用される場合，「ポリシラン」は，化学式ＳｉｎＨ２ｎ＋２（ここで，ｎ＝２～４）を有する。好ましくは，ポリシランは，ジシランまたはトリシランである。最も好ましくは，ポリシランはトリシランである。結果として，本発明は，トリシランと共にＣＶＤサイクルを使用する特に好ましい実施形態の文脈において記載されるが，当業者は，本発明の開示を考慮して，記載されるプロセスの特定の利点が他の前駆体および/または他の堆積技術で得られ得ることを理解するであろう。

【００６４】

シリコン層１００を形成する際に，シリコン前駆体の堆積は，当業者に公知の種々の堆積方法に従って適切に行われ得るが，最も大きい利益は，堆積が本明細書中に教示されるＣＶＤ法に従って行われる場合に得られる。開示される方法は，プラズマ・エンハンスト化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）または熱ＣＶＤ（気体のトリシランを利用して，ＣＶＤチャンバー内に含まれる基板上にシリコン含有化合物膜を堆積させる）を含む，ＣＶＤを使用することによって適切に実践され得る。熱ＣＶＤは，プロセスのシリコン堆積相について好ましい。

【００６５】

ポリシランは，好ましくは，供給ガスの形態でまたは供給ガスの成分として，プロセスチャンバー１２（図１）に導入される。供給ガスは，ポリシラン以外のガス（例えば，不活性キャリアガス）を含み得る。キャリアガスは，当該分野で公知のキャリアガス（例えば，窒素，水素，ヘリウム，アルゴン，またはその種々の組み合わせ）を含み得る。好ましくは，窒素は，本明細書中に使用される方法についてキャリアガスとして使用される。

【００６６】

ポリシランがトリシランである場合，トリシランは，好ましくは，トリシラン蒸気を同伴するキャリアガスと共に使用されるバブラー，より好ましくは温度制御バブラーによりチャンバーに導入される。好ましくは，バブラーからのトリシランフロー速度は，約１ｓｃｃｍ～１ｓｌｍまで，より好ましくは，約５０ｓｃｃｍ～５００ｓｃｃｍまで変化する。好ましくは，キャリアガスは，約２ｓｌｍ～２０ｓｌｍで変化するフロー速度を有する。

【００６７】

反応チャンバー１２（図１）における全圧は，好ましくは，約０．００１Ｔｏｒｒ～約７８０Ｔｏｒｒの範囲，より好ましくは，約０．００１Ｔｏｒｒ～約１００Ｔｏｒｒの範囲，最も好ましくは，約０．００１Ｔｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒの範囲である。トリシランの分圧は，好ましくは，全圧の約０．０００１％～約１００％の範囲，より好ましくは，全圧の約０．００１％～約５０％の範囲である。供給ガスのポリシランおよび他の成分の相対的な分圧は，好ましくは，シリコン含有化合物膜を堆積する過程にわたり比較的一定に維持される。しかし，シリコン層形成１００および他のステップは，必ずしも等圧的に行われる必要はない。例えば，ステップ１００は，ステップ１２０よりも高い圧力で行われ得，逆も行われ得る。

【００６８】

有利には，０．００１Ｔｏｒｒ～１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力での堆積が，優れた均一性を生じることが見出されている。さらに，低分圧が，一般的に，プロセスの間により低い水素含量を維持するために所望である。しかし，より多くのケイ素原子数を有するシランにおける固有の低いＨ：Ｓｉ比に起因して，例えばトリシランについての分圧は，より低次のシラン（例えば，ジシランおよびシラン）についてのそれよりも高くあり得る。

【００６９】

好ましくは，シリコン層形成１００およびサイクル１４０は，一般的に，等熱的に行われる。熱ＣＶＤについて，好ましい堆積温度は，約４００℃～約８００℃，好ましくは，約４５０℃～約７５０℃，より好ましくは，約４５０℃～約６５０℃の範囲である。好ましくは，これらの温度は，基板についての温度設定に対応する。

【００７０】

好ましくは，熱い基板表面でシリコン前駆体を熱分解または分解するのに十分なエネルギーを供給し，そして，基板表面に送達される速度によって主に制御される速度でシリコンを堆積するために，堆積条件は創られる。従って，トリシランのような前駆体について，堆積はまた，好ましくは，質量輸送制限レジーム（ｍａｓｓ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｌｉｍｉｔｅｄ　ｒｅｇｉｍｅ）中またはそれに近い化学気相成長堆積条件化で行われる。質量輸送制限レジームにおいて，堆積速度は，本質的に温度と無関係である。これは，基板の表面全体にわたる小さい温度バリエーションが堆積速度にほとんどまたは全く影響しないことを意味する。質量輸送制限レジームにおける堆積は，厚みおよび組成バリエーションを非常に最小化し，そして本明細書中に記載される好ましいシリコン含有化合物膜の製造を可能にすることが見出された。従って，有利には，このような条件は，最小の負荷効果またはパターン感受性を有する堆積を可能にする。

【００７１】

好ましいシリコン含有化合物層の形成において，ステップ１００で形成される膜の厚みは，当該分野で公知のように，所定の一連の堆積パラメーター（例えば，全圧および温度）について堆積時間および/またはガスフロー速度を変化させることによって，意図される適用に従って変化され得る。特定の一連の堆積条件について，シリコン層形成１００のシリコン堆積の期間は，薄いシリコン層が形成されるように選択されるべきである。薄くかつ均一なシリコン層を形成することにより，層は容易に十分に反応され得，例えば，窒化または酸化され得，以下に記載される，薄くかつ均一なシリコン含有化合物層の形成を可能にする。結果として，約６５０℃未満で，シリコン層の厚みは，約３Åと２５Åとの間であり，より好ましくは，約３Åと１５Åとの間であり，最も好ましくは，約３Åと８Åとの間である。しかし，好ましい厚みの範囲は，温度のようなプロセス条件に依存して変化し得ることが理解される。より高い温度において，より厚いシリコン層が，依然として堆積され得るが，依然として，層が十分に反応されることを可能にする。例えば，約９００℃以上の温度において，約２０～５０Åのシリコン層が使用され得る。

【００７２】

シリコン層形成１００後，任意の過剰なシリコン供給源および副産物は，プロセスチャンバーから除去１１０され得る。シリコン供給源除去１１０は，以下を含む除去プロセスのいずれか１つまたは任意の組み合わせによって生じ得る：不活性ガスでのプロセスチャンバーのパージ，シリコン供給源の排気，または反応種を運ぶガスによるシリコン供給源ガスの置換。しかし，シリコン供給源ガス除去１１０が，反応種を運ぶガスとの供給源ガスの置換によって達成される場合，プロセスチャンバーは，好ましくは，上に記載され図１に示される，ＡＳＭ　ＥｐｓｉｌｏｎＴＭシリーズの単一ウェハリアクターのような，単一基板層流チャンバーである。さらに，シリコン供給源ガス除去１１０がパージによって行われる場合，プロセスチャンバー１２は，好ましくは，数秒間パージされる。

【００７３】

シリコン供給源ガス除去１１０は，好ましくは，チャンバー１２（図１）中の特定の反応物の量がチャンバー１２に入る次の反応物との所望でない副反応を最小化するために十分に低いレベルにあるように行われることが理解される。これは，次いで，形成されるシリコン含有化合物層中の不純物の所望でない混入を最小化する。このような低いレベルの反応物は，例えば，チャンバー１２のパージまたは排気の期間を最適化することによって，達成され得る。このようなレベルにおいて，プロセスチャンバーは，特定の反応物が実質的にないと言われ得る。

【００７４】

シリコン供給源ガス除去１１０後，シリコン層を，シリコン含有化合物層１２０の形成のために反応種と反応され得る。このような反応種は，例えば，シリコンナイトライド層を形成するための窒素供給源，またはシリコンオキサイド層を形成するための酸素供給源を含み得る。好ましくは，ステップ１００で形成されるシリコン層は，化学量論的に完全に反応種と反応するのに十分な期間，流入する（ｉｎｆｌｏｗｉｎｇ）反応種に暴露される。より好ましくは，反応条件は，シリコンナイトライド層の形成に関して以下により詳細に議論されるように，形成されるシリコン層と完全に反応するように，そして基礎をなす構造への損傷を避けるように選択される。

【００７５】

シリコン含有化合物層１２０の形成後，反応物除去１３０は，シリコン供給源除去１１０について上に記載される方法のいずれかを使用して，実施され得る。しかし，ステップ１１０および１３０は，正確に同じ方法によって起きる必要はない。例えば，１つのステップは，パージを包含し得るが，他のプロセスは，排気を含み得る。

【００７６】

ステップ１００，１１０，１２０および１３０の実施は，１つのサイクル１４０を含み，そして基板上に１つの層のシリコン含有化合物を堆積する。次いで，サイクル１４０は，シリコン含有化合物層が所望の厚さに構築されるまで，連続して繰り返され得る。

【００７７】

結果として，当業者は，本発明が種々の厚みの層の形成を可能にし，厚みは，例えば，特定の適用の要求に基づいて選択されることを理解する。例えば，ゲート誘電体としての使用のために，十分なサイクルが，好ましくは，約３Åと２０Åとの間の厚みのシリコンナイトライド層を成長するために行われる。別の実施例において，トランジスタ側壁スペーサーとしての使用のために，実施される多数のサイクルが，好ましくは，約１５０Åと４００Åとの間の厚みのシリコンナイトライド層を形成するように選択され得る。しかし，より大きい厚みが可能である；例えば，５０００Åまでの厚みが十分な数のサイクルを実施した後に形成され得ることが理解され得る。」

「【図３】

」

以上によれば，引用文献７には，以下の発明（以下，「引用発明７」という。）が記載されていると認められる。

「基板上にシリコンナイトライド層を形成する方法であって，

基板を，プロセスチャンバー中に提供するステップと，

プロセスチャンバーにシリコン供給源としてトリシランを導入し，ＣＶＤ法により，基板上にシリコン層を形成するステップ１００と，

シリコン層形成後，任意の過剰なシリコン供給源および副産物をプロセスチャンバーから除去するステップ１１０と，

シリコン供給源ガス除去後，シリコン層を窒素供給源と反応させてシリコン含有化合物としてシリコンナイトライド層を形成するステップ１２０と，

シリコン含有化合物層形成後，反応物除去を実施するステップ１３０と，

前記ステップ１００，１１０，１２０および１３０の実施は，１つのサイクル１４０を含み，サイクル１４０は，シリコン含有化合物層が所定の厚さに構築されるまで，連続して繰り返す方法。」

８　引用文献８について

原査定の拒絶の理由に引用された引用文献８（特表２００６－５１５９５５号公報）には，次の事項が記載されている。

「【００２４】

・・・

[0018]シリコン源は，Ｃl3ＳiＳiＣl2Ｈ，Ｃl3ＳiＳiＣlＨ2，Ｃl3ＳiＳiＨ3，ＨＣl2ＳiＳiＨ3，Ｈ2ＣlＳiＳiＨ3，ＨＣl2ＳiＳiＣl2Ｈ，Ｈ2ＣlＳiＳiＣlＨ2のような式を有する。他のシリコン源は，少なくとも１つのＨ原子及び/又は少なくとも１つのＣl原子をフッ素のような他のハロゲンで置換することによって得られる。従って，シリコン源は，Ｃl3ＳiＳiＦ2Ｈ，Ｆ3ＳiＳiＣlＨ2，Ｆ3ＳiＳiＨ3，Ｆ3ＳiＳiＣl3，ＨＦＣlＳiＳiＦ3，Ｈ2ＣlＳiＳiＨ3，ＦＣl2ＳiＳiＦ2Ｈ，Ｈ2ＣlＳiＳiＣlＦ2のような化学式を有してもよい。同様にハロゲン化した他のシリコン源も本方法を可能にする。」

「【００３１】

[0023]他のシリコン化合物は，分子内に含まれるシリコンモチーフ（例えば，Ｒがシリコン，ゲルマニウム又はカーボンである場合にはＳi-Ｓi-Ｒ又はＳi-Ｒ-Ｓi）を堆積させるために用いられる。シリコン源は，Ｈ3ＳiＳiＨ2ＳiＨ2Ｃl，Ｈ3ＳiＳiＨ2ＳiＨＣl2，Ｈ3ＳiＳiＨ2ＳiＣl3，Ｈ3ＳiＳiＨＣlＳiＨ2Ｃl，Ｈ3ＳiＳiＨＣlＳiＨＣl2，Ｈ3ＳiＳiＨＣlＳiＣl3，Ｈ3ＳiＳiＣl2ＳiＨ2Ｃl，Ｈ3ＳiＳiＣl2ＳiＨＣl2，Ｈ3ＳiＳiＣl2ＳiＣl3，ＨＣl2ＳiＳiＨ2ＳiＨ2Ｃl，ＨＣl2ＳiＳiＨ2ＳiＨＣl2，Ｃl3ＳiＳiＨ2ＳiＣl3，ＨＣl2ＳiＳiＣl2ＳiＨ2Ｃl，Ｈ2ＣlＳiＳiＨＣlＳiＨＣl2，Ｃl3ＳiＳiＨ2ＳiＣl3，Ｃl3ＳiＳiＨＣlＳiＣl3，ＨＣl2ＳiＳiＣl2ＳiＨＣl2，Ｈ3ＳiＳiＣl2ＳiＨ3のような式を有してもよい。他のシリコン源は，少なくとも１つのＨ原子及び/又は少なくとも１つのＣl原子をフッ素のようなほかのハロゲンで置換することによって得られる。それ故，シリコン源は，Ｆ3ＳiＳiＨ2ＳiＨ3，Ｆ3ＳiＳiＨ2ＳiＣl3，Ｈ3ＳiＳiＨ2ＳiＨ2Ｆ，Ｈ3ＳiＳiＨ2ＳiＨＦ2，Ｈ3ＳiＳiＨ2ＳiＦ3，Ｈ3ＳiＳiＨＦＳiＨ2Ｃl，Ｆ3ＳiＳiＨＣlＳiＨＦ2，Ｈ3ＳiＳiＦＨＳiＣl3，Ｈ3ＳiＳiＦ2ＳiＨ2Ｆ，Ｈ3ＳiＳiＣl2ＳiＦＣl2，Ｈ3ＳiＳiＦ2ＳiＣl3のような式を有してもよい。他の同様にハロゲン化されたシリコン源も本方法を可能にする。更に，環状トリシランや環状ハロトリシランも本発明の範囲内で用いられる。」

第４　対比・判断

１　引用発明１を主引用発明とする容易想到性について

（１）本願発明１について

ア　対比

本願発明１と引用発明１とを対比する。

（ア）引用発明１の「シリコン基板１」は，本願発明１の「基材」，「窒化ケイ素の膜」に相当し，引用発明１の「シリコン窒化物膜」と，本願発明１の「金属ドープ窒化ケイ素の膜」とは，「窒化ケイ素の膜」である点で共通する。

そして，引用発明１は，「シリコン基板１の被処理面に向け，シリコンを含むシリコン原料ガスとしてＳｉ２Ｈ５Ｃｌガス供給するステップ１」及び「処理室内において，シリコン基板１の被処理面に向け，シリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給するステップ３」を「２回以上繰り返すことで，第１層シリコン膜４－１を，シリコン基板１の被処理面上に形成」しているから，化学気相堆積プロセス又は原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスを用いているといえる。

また，引用発明１において，「シリコン窒化物膜」は，「シリコン基板１」の少なくとも１つの表面上に形成されることは明らかである。

以上から，引用発明１と本願発明１とは，「化学気相堆積プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスにより，基材の少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素の膜を形成するための方法」である点で共通する。

（イ）引用発明１の「成膜装置の処理室内」は，本願発明１の「反応器中」に相当し，引用発明１の「シリコン基板１を成膜装置の処理室内に搬入」することは，成膜装置の処理室内にシリコン基板１の少なくとも１つの表面を提供しているといえる。

したがって，引用発明１の「シリコン基板１を成膜装置の処理室内に搬入し」は，本願発明１の「反応器中に前記基材の少なくとも１つの表面を提供する工程」に相当する。

（ウ）引用発明１の「Ｓｉ２Ｈ５Ｃｌガス」は，本願発明１の「モノクロロジシラン（ＭＣＤＳ）」に相当し，当該「Ｓｉ２Ｈ５Ｃｌガス」は，「シリコン基板１の被処理面に向け」て「供給する」ものであるから，「成膜装置の処理室内」に導入されることは明らかである。

したがって，引用発明１の「シリコン基板１の被処理面に向け，シリコンを含むシリコン原料ガスとしてＳｉ２Ｈ５Ｃｌガスを供給するステップ１」は，本願発明１の「前記反応器中にモノクロロジシラン（ＭＣＤＳ），及びモノクロロトリシラン（ＭＣＴＳ）からなる群から選択される少なくとも１つのハライドシラン前駆体を導入する工程」に相当する。

（エ）引用発明１の「窒素を含む窒化ガス」は，本願発明１の「窒素含有源」に相当するから，引用発明１の「処理室内において，第１層シリコン膜４－１が形成されたシリコン基板１の被処理面に向け，窒素を含む窒化ガスを供給して，シリコン膜の窒化処理を行うステップ６」は，本願発明１の「前記反応器中に窒素含有源を導入する工程」に相当する。

（オ）以上から，本願発明１と引用発明１との一致点と相違点は以下のとおりとなる。

＜一致点＞

「化学気相堆積プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスにより，基材の少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって，

反応器中に前記基材の少なくとも１つの表面を提供する工程と，

前記反応器中にモノクロロジシラン（ＭＣＤＳ），及びモノクロロトリシラン（ＭＣＴＳ）からなる群から選択される少なくとも１つのハライドシラン前駆体を導入する工程と，

前記反応器中に窒素含有源を導入する工程とを含む，方法。」

＜相違点＞

相違点１－１：本願発明１は，「前記少なくとも１つのハライドシラン前駆体と前記窒素含有源とが反応して，前記少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素の膜を形成し」ているのに対し，引用発明１は，「処理室内において，シリコン基板１の被処理面に向け，シリコン原料ガスの分解を促進させる物質を含む分解促進ガスを供給」することで「第１層シリコン膜４－１」を形成し，「処理室内において，第１層シリコン膜４－１が形成されたシリコン基板１の被処理面に向け，窒素を含む窒化ガスを供給して，シリコン膜の窒化処理を行う」ことにより，「第１層シリコン膜４－１を窒化し，第１層シリコン窒化物膜５－１をシリコン基板１の被処理面上に形成」している点。

前記金属含有前駆体が，トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム，トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム，トリエチルガリウム，トリス（ジメチルアミノ）ガリウム，トリス（ジエチルアミノ）ガリウムからなる群より選択される」のに対して，引用発明１は，そのような事項を備えていない点。

イ　判断

事案に鑑み，相違点１－２から検討する。

引用文献１には，相違点１－２に係る本願発明１の構成である，「窒化ケイ素の膜」は，「金属ドープ窒化ケイ素の膜」であって，「金属含有前駆体を前記反応器中に導入して，金属ドープ窒化ケイ素の膜を形成することをさらに含み，

前記金属含有前駆体が，トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム，トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム，トリエチルガリウム，トリス（ジメチルアミノ）ガリウム，トリス（ジエチルアミノ）ガリウムからなる群より選択される」ことは，何ら記載も示唆もされていない。

そして，引用文献２～６にも，前記相違点１―２に係る本願発明１の構成，特に，「前記金属含有前駆体が，トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム，トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム，トリエチルガリウム，トリス（ジメチルアミノ）ガリウム，トリス（ジエチルアミノ）ガリウムからなる群より選択される」ことについては，何ら記載も示唆もされていない。また，前記相違点１―２に係る本願発明１の構成が，本願優先日前において周知技術であるともいえない。

したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，引用発明１及び引用文献２～６に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。

（２）本願発明２～４について

本願発明２～４は，本願発明１を減縮した発明であり，いずれも本願発明１の全ての発明特定事項を有しているから，前記（１）で検討したのと同様の理由により，引用発明１及び引用文献２～６に記載され発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。

２　引用発明７を主引用発明とする容易想到性について

（１）本願発明１について

ア　対比

（ア）本願発明１と引用発明７とを対比する。

引用発明７の「基板」，「シリコンナイトライド層」は，本願発明１の「基材」，「窒化ケイ素の膜」に相当し，引用発明７の「シリコンナイトライド層」と，本願発明１の「金属ドープ窒化ケイ素の膜」とは，「窒化ケイ素の膜」である点で共通する。

そして，引用発明７は，「ＣＶＤ法により，基板上にシリコン層を形成するステップ１００」を含んでいるから，ＣＶＤプロセス，すなわち，化学気相堆積プロセスによる堆積プロセスにより，「基板上にシリコンナイトライド層を形成する方法」であるといえる。

また，引用発明７において，「シリコンナイトライド層」は，「基板」の少なくとも１つの表面上に形成されることは明らかである。

以上から，引用発明７と本願発明１とは，「化学気相堆積プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスにより，基材の少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素の膜を形成するための方法」である点で共通する。

（イ）引用発明７の「プロセスチャンバー中」は，本願発明１の「反応器中」に相当し，引用発明７の「基板を，プロセスチャンバー中に提供する」することは，プロセスチャンバー中に基板の少なくとも１つの表面を提供しているといえる。

したがって，引用発明７の「基板を，プロセスチャンバー中に提供するステップ」は，本願発明１の「反応器中に前記基材の少なくとも１つの表面を提供する工程」に相当する。

（ウ）引用発明７の「トリシラン」は，シラン前駆体であるから，引用発明７と本願発明１とは，「前記反応器中にシラン前駆体を導入する工程」を含んでいる点で共通する。

（エ）引用発明７の「窒素供給源」は，本願発明１の「窒素含有源」に相当する。

そして，引用発明７の「シリコン供給源ガス除去後，シリコン層を窒素供給源と反応させてシリコン含有化合物としてシリコンナイトライド層を形成するステップ１２０」は，プロセスチャンバー中に窒素含有源を導入しているといえるから，本願発明１の「前記反応器中に窒素含有源を導入する工程」に相当する。

（オ）以上から，本願発明１と引用発明７の一致点と相違点は以下のとおりとなる。

＜一致点＞

「化学気相堆積プロセス及び原子層堆積プロセスから選択される堆積プロセスにより，基材の少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって，

反応器中に前記基材の少なくとも１つの表面を提供する工程と，

前記反応器中にシラン前駆体を導入する工程と，

前記反応器中に窒素含有源を導入する工程とを含む，方法。」

＜相違点＞

相違点２－１：本願発明１は，「前記少なくとも１つのハライドシラン前駆体と前記窒素含有源とが反応して，前記少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素の膜を形成し」ているのに対し，引用発明７は，「プロセスチャンバーにシリコン供給源としてトリシランを導入し，ＣＶＤ法により，基板上にシリコン層を形成」し，「シリコン層を窒素供給源と反応させてシリコン含有化合物としてシリコンナイトライド層を形成」している点。

前記金属含有前駆体が，トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム，トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム，トリエチルガリウム，トリス（ジメチルアミノ）ガリウム，トリス（ジエチルアミノ）ガリウムからなる群より選択される」のに対して，引用発明７は，そのような事項を備えていない点。

イ　判断

事案に鑑み，相違点２－３から検討する。

引用文献７には，相違点２－３に係る本願発明１の構成である，本願発明１の「窒化ケイ素の膜」は，「金属ドープ窒化ケイ素の膜」であって，「金属含有前駆体を前記反応器中に導入して，金属ドープ窒化ケイ素の膜を形成することをさらに含み，

前記金属含有前駆体が，トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム，トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム，トリエチルガリウム，トリス（ジメチルアミノ）ガリウム，トリス（ジエチルアミノ）ガリウムからなる群より選択される」ことは，何ら記載も示唆もされていない。

そして，引用文献１～６，８にも，前記相違点２―３に係る本願発明１の構成，特に，「前記金属含有前駆体が，トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム，トリス（ジエチルアミノ）アルミニウム，トリエチルガリウム，トリス（ジメチルアミノ）ガリウム，トリス（ジエチルアミノ）ガリウムからなる群より選択される」ことについては，何ら記載も示唆もされていない。また，前記相違点２―３に係る本願発明１の構成が，本願優先日前において周知技術であるともいえない。

したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，引用発明７及び引用文献１～６，８に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。

（２）本願発明２～４について

本願発明２～４は，本願発明１を減縮した発明であり，いずれも本願発明１の全ての発明特定事項を有しているから，前記（１）で検討したのと同様の理由により，引用発明７及び引用文献１～６，８に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。

第５　原査定の概要及び原査定についての判断

１　原査定（令和２年５月２９日付け拒絶査定）の理由の概要は次のとおりである。

（１）理由２（進歩性）

本願の請求項１～４に係る発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献２～６に記載された発明に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

（２）理由２（進歩性）

本願の請求項１～４に係る発明は，引用文献７に記載された発明及び引用文献１～６，８に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

２　しかしながら，令和２年１０月８日付け手続補正により補正された請求項１～４に係る発明は，いずれも前記相違点１－２及び相違点２－３に係る本願発明１の事項を有するものであるから，前記第４　１及び２で検討したのと同様の理由により，引用文献１～６に記載された発明に基づいて，若しくは，引用文献１～８に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものとはいえない。

したがって，原査定を維持することはできない。

第６　当審拒絶理由について

１　当審では，以下の拒絶の理由（特許法第３６条第６項第２号）を通知した。

（１）請求項１には，「窒化ケイ素又は炭窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって」と記載されているが，この記載より後には，「金属ドープ窒化ケイ素の膜」を形成するための方法しか記載されておらず，「炭窒化ケイ素の膜を形成するための方法」は記載されていないから，上記「窒化ケイ素又は炭窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって」との記載は明確でない。

また，請求項１には，「金属含有前駆体を前記反応器中に導入して，金属ドープ窒化ケイ素の膜を堆積することをさらに含み」と記載されているが，「金属含有前駆体を前記反応器中に導入」することによって，窒化ケイ素の膜に金属がドープされ，金属ドープ窒化ケイ素の膜が形成されるものであるから，上記「金属含有前駆体を前記反応器中に導入して，金属ドープ窒化ケイ素の膜を堆積することをさらに含み」との記載は明確でない。

（２）請求項１に記載の「モノクロロジシラン（ＭＣＤＳ），及びモノクロロトリシラン（ＭＣＴＳ）からなる群から選択される少なくとも１つのハライドシラン前駆体を導入する工程」は，どこに「モノクロロジシラン（ＭＣＤＳ），及びモノクロロトリシラン（ＭＣＴＳ）からなる群から選択される少なくとも１つのハライドシラン前駆体を導入する」のか特定されていないから明確でない。

（３）請求項１には，「（但し，トリシランを用いる前記方法を除く）。」と記載されているが，この記載より前に，トリシランを用いる方法は記載されていないから，上記「（但し，トリシランを用いる前記方法を除く）。」は明確でない。

２　それに対し，令和３年６月２４日にした手続補正において，

（１）請求項１の「窒化ケイ素又は炭窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって」との記載は，「金属ドープ窒化ケイ素の膜を形成するための方法であって」と補正され，また，請求項１の「前記少なくとも１つのハライドシラン前駆体と前記窒素含有源とが反応して，前記少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素を形成し，

金属含有前駆体を前記反応器中に導入して，金属ドープ窒化ケイ素の膜を堆積することをさらに含み」は，「前記少なくとも１つのハライドシラン前駆体と前記窒素含有源とが反応して，前記少なくとも１つの表面上に窒化ケイ素の膜を形成し，

金属含有前駆体を前記反応器中に導入して，金属ドープ窒化ケイ素の膜を形成することをさらに含み」と補正され，明確になった。

（２）請求項１の「モノクロロジシラン（ＭＣＤＳ），及びモノクロロトリシラン（ＭＣＴＳ）からなる群から選択される少なくとも１つのハライドシラン前駆体を導入する工程」は，「前記反応器中にモノクロロジシラン（ＭＣＤＳ），及びモノクロロトリシラン（ＭＣＴＳ）からなる群から選択される少なくとも１つのハライドシラン前駆体を導入する工程」と補正され，明確になった。

（３）請求項１の「（但し，トリシランを用いる前記方法を除く）。」は削除された。

（４）したがって，前記１（１）～（３）の拒絶の理由は解消した。

第７　むすび

以上のとおりであるから，原査定の理由及び当審拒絶理由によっては，本願を拒絶することはできない。

また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。

よって，結論のとおり審決する。