2020-000246

第２　令和２年１月８日にされた手続補正についての補正の却下の決定

［補正の却下の決定の結論］

令和２年１月８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。

［理由］

１　本件補正について（補正の内容）

（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載

本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所として、請求人が付したものである。）

「単結晶基板と、

ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでおり、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長を主要波長に持つ放射ＵＶを発する紫外発光層と、

該ｎ型導電層上の再結合層と、

該再結合層上のｐ型導電層と、

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該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶のｐ型コンタクト層と、

前記紫外発光層から発せられる前記放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している金属膜である反射電極と、

前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられているオーミックコンタクトを実現するための挿入金属層であって、前記挿入金属層は、前記ｐ型コンタクト層上に、その一部のみを覆うようにパターン化されて配置されている厚み約１ｎｍのＮｉ膜を含み、パターン化された前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層および前記反射電極が接した積層構造をなし、パターン化された前記挿入金属層が存在する位置においては、前記ｐ型コンタクト層、前記挿入金属層、および前記反射電極をこの順に含む積層構造をなすようになっている挿入金属層と、

パターン化されたｐ型ＧａＮ層と

を備えており、

前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１－ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、

ｘｍｉｎ＝－０．００６Ｗ＋２．２６

により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされかつ０．５８以上であって、前記ｐ型コンタクト層は、前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９５％以上であり、

前記反射電極が、前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層に直に接し、前記挿入金属層が存在する位置においては、前記挿入金属層を挟んで前記ｐ型コンタクト層上に配置されているものであり、

前記パターン化された前記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれているものである、紫外発光ダイオード。」

（２）本件補正前の特許請求の範囲

本件補正前の、平成３１年７月１６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。

「単結晶基板と、

ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでおり、２２０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長を主要波長に持つ放射ＵＶを発する紫外発光層と、

該ｎ型導電層上の再結合層と、

該再結合層上のｐ型導電層と、

続きを表示（全12行）

該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶のｐ型コンタクト層と、

前記紫外発光層から発せられる前記放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している金属膜である反射電極と、

前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられているオーミックコンタクトを実現するための挿入金属層であって、前記挿入金属層は、前記ｐ型コンタクト層上に、その一部を覆って配置されている挿入金属層と

を備えており、

前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１－ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、

ｘｍｉｎ＝－０．００６Ｗ＋２．２６

により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされており、

前記反射電極が、前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層に直に接し、前記挿入金属層が存在する位置においては、前記挿入金属層を挟んで前記ｐ型コンタクト層上に配置されているものである、紫外発光ダイオード。」

２　補正の適否

本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「紫外発光層」の「主要波長」について、補正前の「３５０ｎｍ以下」を「２８０ｎｍ以下」と限定し、

「挿入金属層」について、「その一部のみを覆うようにパターン化されて配置されている厚み約１ｎｍのＮｉ膜を含み、パターン化された前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層および前記反射電極が接した積層構造をなし、パターン化された前記挿入金属層が存在する位置においては、前記ｐ型コンタクト層、前記挿入金属層、および前記反射電極をこの順に含む積層構造をなすようになっている」と限定を付加し、

「ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１－ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘ」について、「０．５８以上」と限定し、

「ｐ型コンタクト層」について、「前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９５％以上」と限定し、

「ｐ型コンタクト層」と「挿入金属層」との配置関係について、「パターン化されたｐ型ＧａＮ層」及び「前記パターン化された前記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれている」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。

（１）本件補正発明

本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。

（３）引用発明との対比

ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。

（ア）引用発明の「Ｃ面サファイア基板」は、本件補正発明の「単結晶基板」に相当する。

（イ）引用発明の「２７７ｎｍ発光ＬＥＤ」は、「Ｃ面サファイア基板」上に形成された、「高品質ＡｌＮテンプレートバッファ層」、「ｎ－ＡｌＧａＮバッファ層」、「ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ　３層ＭＱＷ層」及び「ｐ－ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層」からなる、「積層構造」を備えている。

ここで、当該「積層構造」は、「ＡｌＧａＮ」より形成され、「Ｃ面サファイア基板」上に形成され、「ｎ－ＡｌＧａＮバッファ層」を含んでおり、「ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ　３層ＭＱＷ層」は、「２７７ｎｍ」で「発光」するものである。

してみると、引用発明は、本件補正発明の「ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでおり、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長を主要波長に持つ放射ＵＶを発する紫外発光層」を備えるといえる。

（ウ）引用発明の「ｎ－ＡｌＧａＮバッファ層」、「ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ３層ＭＱＷ層」及び「ｐ－ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層」は、本件補正発明の「ｎ型導電層」、「再結合層」及び「ｐ型導電層」に相当し、「該ｎ型導電層上の再結合層」及び「該再結合層上のｐ型導電層」との構成を備えるといえる。

（エ）引用発明の「高Ａｌ組成（６３％）ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」は、「ｐ－ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層」上に形成されているから、「高Ａｌ組成（６３％）ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」と「ｐ－ＡｌＧａＮ　ＭＱＢ電子ブロック層」とは、電気的に接続されているといえる。

また、当該「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」は、ＡｌＧａＮより形成されているのであるから、「ＡｌＮとＧａＮの混晶」といえる。

したがって、引用発明の「高Ａｌ組成（６３％）ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」は、本件補正発明の「ｐ型コンタクト層」に相当し、「該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶」との構成を満たしているといえる。

（オ）引用発明の「高反射Ｎｉ／Ａｌ電極」は、ＤＵＶ光に対して高反射率、かつ、ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層とオーミックコンタクトが得られる電極であるところ、技術常識を踏まえると、「Ｎｉ」が「オーミックコンタクト」に、「Ａｌ」が「ＤＵＶ光に対する反射」に寄与していると理解できる。また、当該「Ａｌ」は「Ｎｉ」を介して、「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」と電気的に接続している。

したがって、引用発明の「高反射Ｎｉ／Ａｌ電極」における「Ａｌ」は、本件補正発明の「反射電極」に相当するといえ、「前記紫外発光層から発せられる前記放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している金属膜である」といえる。

（カ）上記（オ）のとおり、引用発明の「高反射Ｎｉ／Ａｌ電極」における「Ｎｉ」は、「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」と「オーミックコンタクト」するものであり、「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」と「Ａｌ」との間に配置されていることから、本件補正発明の「挿入金属層」に相当し、「前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられているオーミックコンタクトを実現するための挿入金属層であ」るといえる。

（キ）本件補正発明では、「ｐ型コンタクト層」の「ＡｌＮ混晶組成比」について、

「前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１－ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、

ｘｍｉｎ＝－０．００６Ｗ＋２．２６

により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされかつ０．５８以上であって」と特定している。

ここで、上記式より、発光波長が「２７７ｎｍ」のときの「ＡｌＮ混晶組成比ｘ」を計算すると、ｘｍｉｎ（２７７ｎｍ）は、「０．５９８」と算出される。

しかるに、引用発明は、「２７７ｎｍ」で発光するＬＥＤであるところ、引用発明の「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」のＡｌＮ混晶組成比は、「０．６３」であるから、当該「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」は、「０．５９８」及び「０．５８」より大きなＡｌＮ混晶組成比で形成されているといえる。

したがって、引用発明は、本件補正発明の「前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１－ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、

ｘｍｉｎ＝－０．００６Ｗ＋２．２６

により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされかつ０．５８以上であって」との特定を満たしているといえる。

（ク）引用発明の「２７７ｎｍ発光ＬＥＤ」は、発光波長が「２７７ｎｍ」であるから、本件補正発明の「紫外発光ダイオード」に相当するといえる。

イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。

＜一致点＞

「単結晶基板と、

ＡｌＮとＧａＮの成分をもつ結晶により作られ、該基板に接して配置され、ｎ型導電層を含んでおり、２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下の範囲のいずれかの波長を主要波長に持つ放射ＵＶを発する紫外発光層と、

該ｎ型導電層上の再結合層と、

該再結合層上のｐ型導電層と、

続きを表示（全11行）

該ｐ型導電層に電気的に接続しているＡｌＮとＧａＮの混晶のｐ型コンタクト層と、

前記紫外発光層から発せられる前記放射ＵＶを反射し、該ｐ型コンタクト層に電気的に接続している金属膜である反射電極と、

前記ｐ型コンタクト層と前記金属膜とによって挟むように設けられているオーミックコンタクトを実現するための挿入金属層と、

を備えており、

前記ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１－ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘが、前記放射ＵＶの主要波長の値をＷ（単位：ｎｍ）として、

ｘｍｉｎ＝－０．００６Ｗ＋２．２６

により求まる下限値ｘｍｉｎ以上の値にされかつ０．５８以上である、紫外発光ダイオード。」

＜相違点＞

・相違点１

「ｐ型コンタクト層」上に形成された、光反射及びオーミックコンタクトの構成について、

本件補正発明は、「前記挿入金属層は、前記ｐ型コンタクト層上に、その一部のみを覆うようにパターン化されて配置されている厚み約１ｎｍのＮｉ膜を含み、パターン化された前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層および前記反射電極が接した積層構造をなし、パターン化された前記挿入金属層が存在する位置においては、前記ｐ型コンタクト層、前記挿入金属層、および前記反射電極をこの順に含む積層構造をなすようになっている挿入金属層と、

パターン化されたｐ型ＧａＮ層とを備えており、

前記反射電極が、前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層に直に接し、前記挿入金属層が存在する位置においては、前記挿入金属層を挟んで前記ｐ型コンタクト層上に配置されているものであり、

前記パターン化された前記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれているものである」のに対して、引用発明は、「反射電極」及び「挿入金属層」は備えるものの、そのような構成ではない点。

・相違点２

「ｐ型コンタクト層」の「透過率」について、

本件補正発明は、「前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９５％以上」であるのに対して、引用発明は、「２７７ｎｍ」の光に対して、その透過率は、「９０％以上であるものと推定される」ものの「９５％以上」であるかは、不明である点。

（４）判断

以下、相違点１及び２について検討する。

ア　相違点１について

（ア）引用発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用することについて

上記（２）イ（イ）ｈのとおり、引用文献２に記載された技術的事項は、「紫外領域の抽出効率が低い」という課題を解決するものであるから、種々の紫外発光ダイオードに適用し得るものということができる。

ここで、上記２（２）ア（ア）ｂ及びｃの記載より、引用文献１には、高反射電極を用いることによりＬＥＥを改善することができるとの知見が開示されていると理解できるので、引用発明に接した当業者には、光を反射する電極構造を採用する動機があるということができる。

そして、引用文献２の【００２９】に記載のとおり、引用文献２に記載された電極構造は、従来の電極構造に対して優位なものである。

したがって、引用発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用することは、当業者が容易に想到し得たことであり、適用にあたって、「高Ａｌ組成（６３％）ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」を「紫外透明性である、Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列」とすること、及び「Ｎｉより構成されるｐ型注入金属層」の厚みを１ｎｍとすることは、当業者が適宜なし得る設計上の事項に過ぎないといえ、結果として、相違点１に係る構成は、満たされることとなる。

（イ）相違点１についての結論

そうすると、引用発明において、引用文献２に記載された技術的事項を適用することにより、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。

イ　相違点２について

引用発明の「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」は、引用文献２に記載された技術的事項を適用することにより、「Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列からなる」ものに置換されることとなる。

ここで、上記２（２）イ（イ）ｂのとおり、引用文献２に記載された「ｐ型コンタクト層」は、「紫外透明性」であり、引用発明の「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」が、２７７ｎｍの光に対して、９０％以上の透過率であるものと推定されていることを踏まえれば、引用発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用するに際して、Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列からなるｐ型コンタクト層の２７７ｎｍの光に対する透過率は、９０％以上に設計されることが自然といえる。

そして、引用発明の「ｐ－ＡｌＧａＮコンタクト層」及び引用文献２に記載された「ｐ型コンタクト層」は、共に発光光（紫外光）を吸収しないように構成されるものであるから、発光光（紫外光）に対する透過率を高めることは、当業者であれば容易に想起し得る事項といえる。

したがって、引用発明に引用文献２に記載された技術的事項を適用するに際して、「Ａｌ組成比が異なるｐ型ドープＡｌＧａＮ層の交互配列からなるｐ型コンタクト層」の２７７ｎｍの光に対する透過率を「９５％以上」として構成することは、当業者が容易になし得たことである。

ウ　小括

上記ア及びイのとおりであるから、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易になし得たものである。

エ　本件補正発明の効果について

そして、上記相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

オ　審判請求人の主張について

審判請求人は、審判請求書にて、以下のことを主張している。

（ア）引用文献２は、引用し得ない文献であること。（審判請求書第６頁第１９行～第８頁第３９行）

ａ　図６で示されている実験データは、３８０ｎｍの波長の光であり、ｐ型コンタクト層は、「２００ｎｍ厚のＭｇドープＧａＮ」であるから、引用文献２は、紫外域でのｐ－ＡｌＧａＮと反射電極の現実の技術的効果をなんら開示も示唆もしていない。よって、引用文献２の開示は、本願のような２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下という紫外域の波長でのｐ－ＡｌＧａＮと反射電極の効果を示唆しているとはいえないこと。

ｂ　引用文献２には、【０００４】にて、ｐ型ＧａＮが２００～４００ｎｍの波長範囲で「顕著な吸収」をもつと指摘しているにも関わらず、発明の開示において「２００ｎｍ厚のＭｇドープＧａＮ」を採用している。（【００３９】）

このように、ＭｇドープＧａＮが顕著な吸収を示す３８０ｎｍで図６の対照実験を示している引用文献２は、技術的に矛盾した内容を記載しており、技術的意義の不確かで不可解な開示がなされいる文献であるから、引用し得ない文献であること。

（イ）引用文献２を考慮しても本願に係る発明を容易想到とするための論理付けができないこと。（審判請求書第８頁第４１行～第９頁第２５行）

ａ　引用文献２は、ｐ－ＡｌＧａＮをｐ型コンタクト層２に採用することで紫外域での高い出力が得られることを何ら示唆していないこと。

ｂ　引用文献２は、挿入金属層が「パターン化されて配置されている」、「厚み約１ｎｍのＮｉ膜」を含む点について開示も示唆もしていないこと。

（ウ）進歩性の判断に参酌すべき有利な効果。（審判請求書第８頁第２７行～第４０行）

ａ　Ｎｉ膜が厚み約１ｎｍであるので、パターン化された挿入金属層が存在する位置であってもＮｉ膜による反射率低下は少ないこと。

ｂ　パターン化されたｐ型ＧａＮ層がｐ型コンタクト層とパターン化された挿入金属層との双方に直に接して挟まれているので、反射電極の挿入金属層のＮｉ膜と相まって、良好なオーミックコンタクトも実現すること。

しかしながら、下記のとおりであるから、審判請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。

上記（ア）ａ及びｂに対して、引用文献１の図６に記載されたＬＥＤが、３８０ｎｍで発光し、ｐ型ＧａＮコンタクト層を備えることは事実であるとしても、【００３８】において、「例４：本発明に係るＵＶ－ＬＥＤと従来技術との比較」と記載のとおり、図６で示される事項は、「非構造化Ｐｄコンタクトを有しかつＡｌコーティングを有しない参照ダイオードとの比較」（【００４１】）であるから、当該ＬＥＤは、比較のために作成されたＬＥＤであると解することが自然といえる。

そうすると、「非構造化コンタクト（従来）」と「構造化されたｐ型コンタクト」との比較において、発光波長及びｐ型コンタクト層の材料は、同じであればよいものと理解できるから、その波長及び材料が「３８０ｎｍ」及び「ｐ型ＧａＮコンタクト層」であることは、比較実験において本質的な問題ではないものと理解できる。

よって、当該ＬＥＤの発光波長及びｐ型コンタクト層の材料は、比較実験の結果を明らかとするために採択されたにすぎないものと解される。

また、引用文献２の【００３５】～【００３７】には、紫外発光ダイオードの典型的な実施形態として、各層のＡｌ組成比も明記された実施形態が記載されており、量子井戸層（Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ）のＡｌ組成比からみれば、紫外光を発光するＬＥＤであることは明らかといえるから、引用文献２には、紫外ＬＥＤの実施例は記載されているものと解される。

よって、図６の記載をもって、発光波長が「２２０ｎｍ以上２８０ｎｍ以下」のＬＥＤは引用文献２には記載されてはいない、とまではいえないものであると共に、上記比較実験より、その技術的効果も示されているものといえる。

また、上記のとおり、図６に記載されたＬＥＤは、比較のために作成されたＬＥＤであり、その技術的意義は明らかといえる。

上記（イ）ａに対して、上記（２）イ（イ）ｂのとおり、「ｐ型コンタクト層２は、紫外透明性であるｐ型ＡｌＧａＮ層によって形成されて」おり、紫外光（発光光）はｐ型コンタクトで吸収されないのであるから、引用文献２には、紫外域での高い出力が得られることを示しているといえる。

上記（イ）ｂに対して、上記（２）イ（イ）ｈのとおり、引用文献２の「ｐ型注入電極層」は、均等に離間して配置されており、上記アのとおり、「ｐ型注入金属層」の厚みを１ｎｍとすることは、当業者が適宜なし得る設計上の事項である。

上記（ウ）ａに対して、引用文献１の記載（上記（２）ア（ア）ｂ）や技術常識に照らして、当業者には自明な効果といえる。

上記（ウ）ｂに対して、引用文献２の「特に、ｐ型注入部は、たとえばｐ型ＧａＮもしくはｐ型ＩｎＧａＮの、ｐ型ドープ半導体を含みまたはｐ型ドープ半導体で構成されるｐ型注入層をも、有することができる。これは、特に、ｐ型コンタクト層（２）の第２の表面（Ｂ）を形成し、ｐ型注入部が直接設けられる半導体層が、ｐ型ドープＡｌＧａＮを有しまたはｐ型ドープＡｌＧａＮで構成されるときに、好ましい。」（【００１４】）との記載を、技術常識に照らしてみれば、当該「ｐ型ＧａＮ」が、電極の接触抵抗の低減（良好なオーミックコンタクト）に寄与していることは明らかといえる。

カ　結論

したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

３　本件補正についてのむすび

よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。

よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第３　本願発明について

１　本願発明

令和２年１月８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３１年７月１６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～１７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。

２　原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものを含むものである。

記

３　引用文献

原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１～２及びその記載事項は、前記第２［理由］２（２）に記載したとおりである。

４　対比・判断

本願発明は、前記第２［理由］２で検討した本件補正発明から、

「紫外発光層」の「主要波長」について、「２８０ｎｍ以下」との限定事項を「３５０ｎｍ以下」と、その数値範囲を広げ、

「挿入金属層」について、「その一部のみを覆うようにパターン化されて配置されている厚み約１ｎｍのＮｉ膜を含み、パターン化された前記挿入金属層が存在しない位置においては前記ｐ型コンタクト層および前記反射電極が接した積層構造をなし、パターン化された前記挿入金属層が存在する位置においては、前記ｐ型コンタクト層、前記挿入金属層、および前記反射電極をこの順に含む積層構造をなすようになっている」との限定事項を削除し、

「ｐ型コンタクト層の組成ＡｌｘＧａ１－ｘＮにおけるＡｌＮ混晶組成比ｘ」について、「０．５８以上」との限定事項を削除し、

「ｐ型コンタクト層」について、「前記放射ＵＶが一度通過する際の前記放射ＵＶに対する透過率が９５％以上」との限定事項を削除し、

「ｐ型コンタクト層」と「挿入金属層」との配置関係について、「パターン化されたｐ型ＧａＮ層」及び「前記パターン化された前記ｐ型ＧａＮ層の少なくとも一部が、多層構造の前記ｐ型コンタクト層とパターン化された前記挿入金属層との双方に直に接して挟まれている」との限定事項を削除するものである。

そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）及び（４）に記載したとおり、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。

第４　むすび

以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。