2019-700018

特許第６３６２３８５号発明「基板の製造方法および研磨用組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６３６２３８５号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、４〕、〔２、５〕、〔３、６〕について訂正することを認める。 特許第６３６２３８５号の請求項１～６に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６３６２３８５号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～４に係る特許についての出願は、平成２６年４月４日の出願であって、平成３０年７月６日にその特許権の設定登録（特許公報発行日　平成３０年７月２５日）がされ、平成３１年１月１５日に特許異議申立人相見彩により請求項１～４に対して特許異議の申立てがされたものである。 そして、その後の経緯は次のとおりである。 平成３１年　４月　８日付け　取消理由通知 令和　元年　６月１０日　　　訂正請求書、意見書の提出（特許権者） 同年　８月　５日　　　意見書の提出（特許異議申立人） 同年　８月２０日付け　取消理由通知（決定の予告） 同年１０月２８日　　　訂正請求書、意見書の提出（特許権者） 同年１２月　４日　　　意見書の提出（特許異議申立人） 第２　訂正の適否についての判断 １　請求の趣旨、訂正の内容 （１）請求の趣旨 令和元年１０月２８日に特許権者により行われた、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲の訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求の趣旨は、特許第６３６２３８５号の明細書、特許請求の範囲を、本訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）に添付した訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～６について訂正することを求める、というものである。 （２）訂正の内容 本件訂正の内容は、以下ア～ニのとおりである。 ア　訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）」と記載されているのを、「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～４も同様に訂正する）。 イ　訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１に「前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」と記載されているのを、「前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～４も同様に訂正する）。 ウ　訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１に「研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含み、」と記載されているのを、「研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～４も同様に訂正する）。 エ　訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１に「前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む」と記載されているのを、「前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～４も同様に訂正する）。 オ　訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項２に「前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる、請求項１に記載の製造方法。」と記載されているのを、「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含み、前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる、基板の製造方法。」に訂正する（請求項２の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３～４も同様に訂正する）。 カ　訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項３に「前記基板は磁気ディスク基板である、請求項１または２に記載の製造方法。」と記載されているのを、「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む、基板の製造方法。」に訂正する（請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する請求項４も同様に訂正する）。 キ　訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項４に「コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含む」と記載されているのを、「コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される」に訂正する。 ク　訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項１～３のいずれか一項に記載の製造方法」と記載されているのを、「請求項１に記載の製造方法」に訂正する。 ケ　訂正事項９ 特許請求の範囲に、「請求項２に記載の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される、研磨用組成物。」を記載される請求項５を追加する。 コ　訂正事項１０ 特許請求の範囲に、「請求項３に記載の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる研磨用組成物であって、コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される、研磨用組成物。」を記載される請求項６を追加する。 サ　訂正事項１１ 発明の名称に「基板の製造方法および研磨用組成物」と記載されているのを、「基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法および研磨用組成物」に訂正する。 シ　訂正事項１２ 明細書の【０００１】【０００５】にそれぞれ「基板」と記載されているのを、「基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板」に訂正する。 ス　訂正事項１３ 明細書の【０００６】に「本発明によると、基板の製造方法が提供される。この方法は、研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）と；前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む。そして、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む。」と記載されているのを、「本発明によると、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法が提供される。ここに開示される技術は、微小うねりの低減がより強く求められている磁気ディスク基板の製造方法に適用される。この方法は、ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法である。そして、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む。」に訂正する。 セ　訂正事項１４ 明細書の【０００７】に「ここに開示される技術の好ましい一態様では、前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる。」と記載されているのを、「ここに開示される技術の好ましい一態様では、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法は、ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む。また、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む。そして、前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる。」に訂正する。 ソ　訂正事項１５ 明細書の【０００８】に「ここに開示される技術は、微小うねりの低減がより強く求められている磁気ディスク基板の製造方法に好ましく適用される。したがって、上記基板は磁気ディスク基板であることが好ましい。」と記載されているのを、「ここに開示される技術は、ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法に好ましく適用される。ここで、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む。」に訂正する。 タ　訂正事項１６ 明細書の【０００９】に「また、この明細書によると、研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、ここに開示される基板の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる。また、この組成物は、コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含む。」と記載されているのを、「また、この明細書によると、研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、上記基板の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる。また、この組成物は、コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含む。そして、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される。」に訂正する。 チ　訂正事項１７ 明細書の【００１１】に「＜基板の製造方法＞　ここに開示される技術は、基板を製造する方法を包含する。」と記載されているのを、「＜磁気ディスク基板の製造方法＞　ここに開示される技術は、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板を製造する方法を包含する。」に訂正する。 ツ　訂正事項１８ 明細書の【００１２】に「（基板）　ここに開示される研磨方法において、被研磨物となる基板は特に限定されない。例えば、磁気ディスク基板や、シリコンウエハ等の半導体基板のように、高精度な表面が要求される各種基板の製造に適用され得る。好ましい適用対象として、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板（Ｎｉ－Ｐ基板）が例示される。」と記載されているのを、「（磁気ディスク基板）　上記製造方法において、被研磨物となる磁気ディスク基板は、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板（Ｎｉ－Ｐ基板）である。」に訂正する。 テ　訂正事項１９ 明細書の【００１３】に「ここに開示される方法に用いられる研磨パッドは、全体が発泡ポリウレタンにより構成されているパッド、発泡ポリウレタンの層が不織布等のパッド基材に支持されたパッド等のポリウレタン製研磨パッドであり得る。研磨パッドは、スウェードタイプのバフパッドであってもよいが、典型的には、表面をバフ加工していないノンバフ状態にある研磨パッド（いわゆるノンバフパッド）を用いることが好ましい。」と記載されているのを、「ここに開示される方法に用いられる研磨パッドは、発泡ポリウレタンの層が不織布等のパッド基材に支持されたポリウレタン製研磨パッドであり、表面をバフ加工していないノンバフ状態にある研磨パッド（いわゆるノンバフパッド）である。」に訂正する。 ト　訂正事項２０ 明細書の【００１４】に「工程（ａ）において、上記研磨パッドはパッドドレッシング処理される。この工程（ａ）は、典型的には、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で行われる。」と記載されているのを、「工程（ａ）において、上記研磨パッドはパッドドレッシング処理される。この工程（ａ）は、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で行われる。」に訂正する。 ナ　訂正事項２１ 明細書の【００２０】を削除する。 ニ　訂正事項２２ 明細書の【００３４】に「パッド表面調整剤としては、研磨液中において上記の機能を発揮し得るものであればよく、その限りにおいて特に制限はない。パッド表面調整剤としては、例えばスルホン酸系化合物等の有機化合物から選択され得る。なお、ここでいうスルホン酸系化合物の概念には、スルホン酸系化合物およびその塩が包含される。具体的には、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸－フェノール－ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸等のスルホン酸系化合物、その塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩）等から選択され得る。」と記載されているのを、「パッド表面調整剤は、研磨液中において上記の機能を発揮し得るものである。パッド表面調整剤としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸－フェノール－ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、およびその塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩）から選択される。」に訂正する。 ２　請求項１～請求項６に係る訂正について （１）一群の請求項について 訂正前の請求項２～４は、それぞれ請求項１を引用し、請求項１の訂正に連動して訂正されるものであるから、訂正前の請求項１～４は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 そして、訂正事項１～２２は、一群の請求項１～４についてされたものであるから、特許法第１２０条の５第４項及び同条第９項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合する。 （２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、独立特許要件について ア　訂正事項１について （ア）訂正の目的の適否について 訂正前の請求項１の「研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）」と記載されているのを、「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）」に訂正するものは、研磨パッド及びパッドドレッシングに限定を加えるものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項１により訂正された事項は、明細書の段落００１４、００６６に記載されている。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 イ　訂正事項２、４について （ア）訂正の目的の適否について 訂正前の請求項１の「前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」及び「前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む」と記載されているのを、「前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」及び「前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む」に訂正するものは、パッド表面調整剤に限定を加えるものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項２及び４により訂正された事項は、明細書の段落００３４に記載されている。 よって、訂正事項２及び４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項２及び４は、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項２及び４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ウ　訂正事項３について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項３は、訂正前の請求項１に係る発明である「基板の製造方法」における「基板」を、「基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板」に特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項３により訂正された事項は、明細書の段落００１２に記載されている。 よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項３は、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 エ　訂正事項５について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項５は、訂正前の請求項２の記載が訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを、当該引用関係を解消し、独立形式請求項に改めるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 また、訂正事項５は、訂正前に引用していた訂正前の請求項１に「研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）と；前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含み、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む」と記載されていたのを、「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メランホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含み」に特定することにより、研磨パッド、パッドドレッシング、工程（ｂ）、基板及びパッド表面調整剤に限定を加えるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項５により訂正された事項は、明細書の段落００１２、００１４、００１６、００３３、００３４、００６６に記載されている。 よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項５は、訂正前の請求項２に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 オ　訂正事項６について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項６は、訂正前の請求項２の記載が訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを、当該引用関係を解消し、独立形式請求項に改めるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 また、訂正事項６は、訂正前に引用していた訂正前の請求項１に「研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）と；前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含み、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む」と記載され、かつ、訂正前の請求項３に「前記基板は磁気ディスク基板である」と記載されていたのを、「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む」に特定することにより、研磨パッド、パッドドレッシング、工程（ｂ）、磁気ディスク基板及びパッド表面調整剤に限定を加えるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項６により訂正された事項は、明細書の段落０００１２、００１４、００３３、００３４、００６６に記載されている。 よって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項６は、訂正前の請求項３に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 カ　訂正事項７について （ア）訂正の目的の適否について 訂正前の請求項４に「コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含む」と記載されているのを、「コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される」に訂正するものは、パッド表面調整剤に限定を加えるものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項７により訂正された事項は、明細書の段落００３４に記載されている。 よって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項７は、訂正前の請求項４に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項７は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 キ　訂正事項８について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項８は、訂正前の請求項４の記載が訂正前の請求項１～３のいずれか一項の記載を引用する記載であったものを、請求項１のみの記載を引用するものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項８は、上記（ア）のとおり何ら実質的な内容の変更をともなうものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項８は、訂正前の請求項４に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ク　訂正事項９、訂正事項１０について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項９及び１０は、訂正前の請求項４の記載が訂正前の請求項１～３のいずれか一項の記載を引用する記載であったものを、一の請求項のみの記載を引用するものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項９及び１０は、上記（ア）のとおり何ら実質的な内容の変更をともなうものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項９及び１０は、訂正前の請求項４に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項９及び１０は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ケ　訂正事項１１、１２、１７、１８について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項１１、１２、１７及び１８は、上記訂正事項３に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項１１、１２、１７及び１８により訂正された事項は、上記ウ（イ）と同じく、明細書の段落００１２に記載されている。 よって、訂正事項１１、１２、１７及び１８は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項１１、１２、１７及び１８は、上記ウ（ウ）と同じく、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項１１、１２、１７及び１８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 コ　訂正事項１３～１６について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項１３～１６は、上記訂正事項１～７に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項１３～１６により訂正された事項は、上記ア～カの各（イ）と同じく、明細書の段落００１２、００１４、００１６、００３３、００３４、００６６に記載されている。 よって、訂正事項１３～１６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項１３～１６は、上記ア～カの各（ウ）と同じく、訂正前の請求項１～３に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項１３～１６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 サ　訂正事項１９～２１について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項１９～２１は、上記訂正事項１に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項１９～２１により訂正された事項は、上記ア（イ）と同じく、明細書の段落００１４、００６６に記載されている。 よって、訂正事項１９～２１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項１９～２１は、上記ア（ウ）と同じく、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項１９～２１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 シ　訂正事項２２について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項２２は、上記訂正事項４に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）新規事項の追加の有無について 訂正事項２２により訂正された事項は、上記イ（イ）と同じく、明細書の段落００３４に記載されている。 よって、訂正事項２２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について 訂正事項２２は、上記イ（ウ）と同じく、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 よって、訂正事項２２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ス　独立特許要件について 本件特許異議申立事件においては、全ての請求項について特許異議の申立てがされているから、訂正事項１～２２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３　小括 上記２のとおり、訂正事項１～２２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に規定する事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項並びに同条第９項で準用する同法第１２６条第４項、第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、明細書及び特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 第３　特許異議の申立てについて １　本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～６に係る発明（以下「本件発明１」～「本件発明６」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 ここで、本件発明１～６の各構成には、（Ａ）～（Ｈ）の符号を当審において付した。以下、構成Ａ～構成Ｈと称する。 （本件発明１） 【請求項１】 （Ａ）ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と； （Ｂ）前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と； （Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と； （Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、 （Ｅ）前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む、 （Ｄ）基板の製造方法。 （本件発明２） 【請求項２】 （Ａ）ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、 （Ａ１）ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である； （Ｂ）前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、 （Ｂ１）前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する （Ｂ）工程（ｂ）と； （Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と； （Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、 （Ｅ）前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含み、 （Ｆ）前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる、 （Ｄ）基板の製造方法。 （本件発明３） 【請求項３】 （Ａ）ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、 （Ａ２）ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している； （Ｂ）前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、 （Ｂ２）前記毛羽立った部分を除去する （Ｂ）工程（ｂ）と； （Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と； （Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、 （Ｅ）前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む、 （Ｄ）基板の製造方法。 （本件発明４） 【請求項４】 （Ｇ１）請求項１に記載の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる研磨用組成物であって、 （Ｈ）コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、 （Ｅ１）前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される、 （Ｇ１）研磨用組成物。 （本件発明５） 【請求項５】 （Ｇ２）請求項２に記載の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる研磨用組成物であって、 （Ｈ）コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、 （Ｅ１）前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される、 （Ｇ２）研磨用組成物。 （本件発明６） 【請求項６】 （Ｇ３）請求項３に記載の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる研磨用組成物であって、 （Ｈ）コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、 （Ｅ１）前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される、 （Ｇ３）研磨用組成物。 ２　取消理由（決定の予告）の概要 令和元年８月２０日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。 （進歩性（特許法第２９条第２項）） 令和元年６月１０日付けの訂正の請求により訂正された特許請求の範囲の請求項１、２、４に係る発明は、甲第５号証又は甲第６号証に記載の発明及び甲第１号証に記載の周知技術に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、請求項１、２、４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 甲第１号証：米国特許出願公開第２００８／０１４６１２９号明細書 甲第５号証：特開２０１２－１３５８６３号公報 甲第６号証：特開２０１０－１３５０５２号公報 ３　取消理由（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由 上記取消理由（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由は、以下のとおりである。 （明確性（特許法第３６条第６項第２号）） 特許請求の範囲の請求項１～４における「パッド表面調整剤」がいかなる化学物質であるのか不明である。 よって、請求項１～４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 ４　甲号証について （１）甲第６号証について ア　甲第６号証の記載事項 甲第６号証には、次の記載がある。なお、以下の下線は当審で付したものである。 「【００１９】 本発明の研磨剤組成物は、シリカ、酸、界面活性剤、酸化剤、及び水を含有する研磨剤組成物であって、界面活性剤は、分子中に繰り返し単位と、スルホン酸（塩）基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤である。ここでいう「スルホン酸（塩）基」は「スルホン酸基およびスルホン酸塩基」を表わし、以下同様の表現を用いる。シリカ粒子の安定性の観点から陰イオン界面活性剤を含むことが好ましく、発泡の問題から分子中に繰り返し単位を有する陰イオン界面活性剤であることが好ましい。分子中に繰り返し単位を有する界面活性剤は、優れた界面機能を示すため、シリカ粒子の分散性を向上させてスクラッチの原因となる凝集物の発生を抑えることにより、スクラッチを低減することができるのではないかと考えられる。また、著しい表面張力の低下が認められないため、泡立ちがなく、容器や研磨機の研磨剤供給タンクおよび研磨機に付着した泡が乾燥、固化することにより生じたシリカの固化成分によるスクラッチも低減し、効率よく研磨工程を行うことが可能となる。」 「【００３０】 本研磨剤組成物に含まれる研磨材の砥粒であるシリカとしては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ等が挙げられる。研磨材としての砥粒は、これに限定されるものではなく、アルミナ、チタニア、ジルコニア等を使用することができる。ただし、砥粒は、シリカであることが好ましく、より好ましくは、コロイダルシリカである。コロイダルシリカを研磨材の砥粒として用いた場合には、磁気ディスク基板のスクラッチを低減することができる。」 「【００３４】 本発明の研磨剤組成物は、磁気ディスク基板の研磨に用いることができる。研磨される磁気ディスク基板としては、例えば、アルミニウムのディスク（以下、アルミディスクという）が挙げられる。例えば、両面研磨機を用いて、上定盤及び下定盤の各々に研磨パッドを貼り付け、上定盤と下定盤の間にアルミディスクを挟み、アルミディスクの表裏両面を同時に研磨する。 【００３５】 この場合に、この研磨パッドに本発明の研磨剤組成物を供給しながら、アルミディスクに所定の単位荷重で研磨パッドを押し付けて研磨を行う。研磨パッドは、ウレタンタイプ、スウェードタイプ、不織布タイプ、その他いずれのタイプも使用することができる。本発明の研磨剤組成物は、第１研磨（粗研磨、ポリシング）、第２研磨（仕上げ研磨、ポリシング）のいずれも使用することができる。本発明の研磨剤組成物を使用すれば、研磨レートを低下させることなく、被研磨面にスクラッチ、ピットが無く、被研磨面の表面粗度に優れた鏡面研磨をすることができる。」 「【００３８】 （実施例１～３９、比較例１～２０） シリカ、分子中に繰り返し単位と、スルホン酸基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤、酸、過酸化水素、純水を混合、攪拌し、表１および表２に示す組成からなる研磨剤組成物を得た。分子中に繰り返し単位と、スルホン酸基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤として、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物（実施例１～１２）、メチルナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物（実施例１３～１５）、リグニンスルホン酸ナトリウム（実施例１６～２１）、ナフタレンスルホン酸系化合物（実施例２２～３３、混合物の割合は表４に示す。）、芳香族アミノスルホン酸系化合物（実施例３４～３９、混合物の割合は表４に示す。）を用いた。また、酸としては、ＨＥＤＰ、リン酸、硫酸を用いた。」 「【００４２】 （研磨装置および研磨条件） 表１においては、基板としてＮｉＰ無電解メッキした外径９５ｍｍφのアルミディスクを粗研磨した基板を使用した。研磨試験機は、両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム（株）製）、研磨パッドＣＦ４３０１Ｎ（フジボウ製）を用いて、スラリー供給速度を５ｍｌ／ｍｉｎ／ｐｃｓとして研磨剤組成物をアルミディスク上に供給した。定盤回転数は、下定盤を１６ｒｐｍ、上定盤を１６／３ｒｐｍ、加工圧力は１００ｇ／ｃｍ２とし、研磨時間は３９０秒とした。」 イ　甲６発明 以上より、甲第６号証には、次の発明（以下、「甲６発明」という。）が記載されている。 （甲６発明） 研磨パッドに研磨材の砥粒であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物とを含有する研磨剤組成物を供給しながら、ＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板に研磨パッドを押し付けて研磨を行う方法であって、 前記研磨パッドは、ウレタンタイプ、スウェードタイプ、不織布タイプ、その他いずれのタイプも使用することができる方法。 （２）甲第５号証について ア　甲第５号証の記載事項 甲第５号証には、次の記載がある。 「【０００８】 本発明は一態様において、研磨材、水溶性重合体、及び水を含有する研磨液組成物であって、前記水溶性重合体が、スルホン酸基を有し、かつ、主鎖及び側鎖のそれぞれに芳香族環を有する研磨液組成物に関する。 【０００９】 本発明はその他の態様において、本発明の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含む、基板の製造方法に関する。」 「【００３８】 ［研磨材］ 本発明の研磨液組成物に使用される研磨材としては、研磨用に一般的に使用されている研磨材を使用することができ、金属、金属若しくは半金属の炭化物、窒化物、酸化物、又はホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は、周期律表（長周期型）の２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族由来のものである。研磨材の具体例としては、酸化珪素（以下、シリカという）、酸化アルミニウム（以下、アルミナという）、炭化珪素、ダイヤモンド、酸化マンガン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム（以下、セリアという）、酸化ジルコニウム等が挙げられ、これらの１種以上を使用することは研磨速度を向上させる観点から好ましい。中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン、セリア、酸化ジルコニウム等が、半導体素子用基板や磁気ディスク基板等の精密部品用基板の研磨に適している。表面粗さを低減する観点、スクラッチを低減する観点から、さらに、コロイダルシリカ、コロイダルセリア、コロイダルアルミナが好ましく、コロイダルシリカがより好ましい。」 「【００６５】 ［研磨パッド］ 本発明で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。 【００６６】 研磨パッドの表面部材の平均開孔径は、スクラッチ低減及びパッド寿命の観点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは３５μｍ以下である。パッドの研磨液保持性の観点から、開孔で研磨液を保持し液切れを起こさないようにするために、平均開孔径は０．０１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上、さらにより好ましくは１０μｍ以上である。また、研磨パッドの開孔径の最大値は、研磨速度維持の観点から、１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは７０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。」 「【００７０】 ［被研磨基板］ 本発明において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属や、これらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板、ガラス基板が好適である。中でも、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、アルミノシリケートガラス基板に適しており、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板がさらに適している。アルミノシリケートガラス基板には、結晶構造を有しているもの、化学強化処理を施したものが含まれる。化学強化処理は研磨後に行ってもよい。 【００７１】 また、本発明によれば、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面のうねりが低減された基板を提供できるため、高度の表面平滑性が要求される磁気ディスク基板、とりわけ垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。」 「【００８２】 ［比較対象化合物］ 上記水溶性重合体の比較対象として以下の化合物を用いた。 ・ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物（表面張力：66.3 mN/m） （商品名：バニオールHDP-100、日本製紙ケミカル社製） ・リグニンスルホン酸ナトリウム (表面張力：67.3 mN/m) （商品名：パールレックスNP、日本製紙ケミカル社製） ・ナフタレンスルホン酸系化合物 (表面張力：66.3 mN/m) （商品名：フローリックPSR110、フローリック社製） ・芳香族アミノスルホン酸系化合物 (表面張力：71.8 mN/m) （商品名：フローリックSF200S、フローリック社製） ・アクリル酸/アクリルアミドー２－メチルプロパンスルホン酸共重合体ナトリウム塩（ＡＡ－ＡＭＰＳ）(表面張力：63.0 mN/m)（モル比９０／１０、重量平均分子量２０００、東亜合成社製） ・ポリスチレン/ポリスチレンスルホン酸共重合体ナトリウム塩（Ｓｔ－ＳＳ）(表面張力：57.3 mN/m)（モル比８０／２０、重量平均分子量８０００、花王社製）」 イ　甲第５号証に記載の技術的事項 上記アに摘記した記載から、甲第５号証には、以下（ア）、（イ）の技術的事項が記載されているものと認められる。 （ア）段落０００８、０００９、００３８、００７１、００８２の記載によれば、「研磨材であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物を含有する研磨液組成物を、磁気ディスク基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記磁気ディスク基板を動かして研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。」が記載されている。 （イ）Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム基板は、特開平７－２４００２５号公報（特許異議申立人が令和元年８月５日付け意見書で提示した参考資料）の段落００２１に記載されているように磁気ディスク基板として周知であることから、上記（１－２－１）の段落００７０の「Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」は、段落００７１の磁気ディスク基板として用いられるものと認められる。 ウ　甲５発明 上記イより、甲第５号証には、次の発明（以下、「甲５発明」という。）が記載されている。 （甲５発明） 研磨材であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物とを含有する研磨液組成物を、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記磁気ディスク基板を動かして研磨する工程を含む、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板の製造方法であって、 研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい方法。 （３）甲第１号証について ア　甲第１号証の記載事項 甲第１号証には、次の記載がある。 [0006] Currently,new polishing pads do not result in sufficiently flat wafers immediately after installing the pads on the polishing tool. Instead, the polishing pads are typically “broken-in” after first affixing them to the platens of a polishing tool. A typical break-in process often includes diamond dressing the pads and/or running “dummy” wafers in order to improve the stability of the polishing pad performance. Dummy wafers are often processed under the same conditions which polishing of actual production wafers takes place.This ensures that subsequent polished wafers are acceptably flat and uniform.」 （仮訳） ［０００６］現状では、新しい研磨パッドは、研磨器具にパッドを取り付けた直後には、十分平坦なウェハをもたらさない。そのため、研磨パッドは、最初に研磨パッドを研磨機の取付盤に取り付けた後、通常は「調整」を行う。通常の調整プロセスは研磨パッドの性能の安定性を改善するために、パッドのダイヤモンドドレッシング及び／又は「ダミー」ウェハの動作を大抵含む。ダミーウェハは、大抵、実際の製品ウェハの研磨が行われるのと同じ条件で処理される。これにより、次に研磨されるウェハが十分に平坦で均一であることが保証される。 イ　甲第１号証に記載の周知技術 上記アの摘記部分は、「Currently,」（仮訳：「現状では、」）との記載からすれば、出願当時の従来技術を説明したものと認められるから、同摘記部分に記載された技術は、周知技術であると認められる。 ここで、同摘記部分の『「ダミー」ウェハの動作』がダミー研磨のことを意味していることは、当業者に明らかな事項である。 以上から、甲第１号証の同摘記部分に記載された次の技術は、周知技術（以下、「甲１周知技術」という。）であると認められる。 （甲１周知技術） 最初に研磨パッドを研磨機の取付盤に取り付けた後、研磨パッドのドレッシング、及び、実際の製品ウェハの研磨が行われるのと同じ条件で処理されるダミー研磨を含む調整プロセスを行う技術。 ５　当審の判断 （１）甲６発明を主引例とした場合 （１－１）本件発明１について （１－１－１）対比 本件発明１と甲６発明とを対比する。 甲６発明の「ＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板に研磨パッドを押し付けて研磨を行う方法」は、本件発明１の構成Ｃ及の「研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）」を含む構成Ｄの「基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法」に相当する。 すると、本件発明と甲６発明との間の一致点及び相違点は次のとおりである。 （一致点） （Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と； （Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法。 （相違点１） 基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法について、本件発明１は、構成Ａの「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）」を備えるのに対し、甲６発明は、スウェードタイプの研磨パッドを用いるものではあるものの、パッドドレッシングに係る構成を備えることが特定されていない点。 （相違点２） 基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法について、本件発明１は、「パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」（構成Ｂ）を備え、さらに前記ダミー研磨に用いられる研磨液が、「ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む」（構成Ｅ）ものであるのに対し、甲６発明は、「研磨パッドに研磨材の砥粒であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物とを含有する研磨剤組成物を供給しながら、研磨を行う」ものである点。 （１－１－２）判断 上記相違点のうち、まず相違点１について検討する。 上記４（３）イのとおり、最初に研磨パッドを研磨機の取付盤に取り付けた後、研磨パッドのドレッシングを含む調整プロセスを行うことは、周知技術である。前記「研磨パッドを研磨機の取付盤に取り付けた後」は、本件発明１の「研磨パッドが研磨装置に装着された状態」に相当する。 ここで、一般に、基板の研磨技術が各種基板を共通的に対象とするものであることは、甲第５号証の段落００７０に「被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。」と記載され、また、特許異議申立人により甲第７号証として提示された特開２００５－１０１９号公報の段落００５６にも「研磨液組成物が対象とする基板の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属又は半金属およびこれらの合金、及びガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。」と記載されているように、当業者に周知の事項といえる。 すると、甲１周知技術についても各種基板が対象とされうるものとして、各種基板に適用を試みることは、当業者が容易に想到しうることである。よって、スウェードタイプの研磨パッドを用いた甲６発明において、当該周知技術を適用することにより、スウェードタイプの研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程を備えるようにすることは、当業者が容易に想到しうることである。 しかしながら、甲６発明の「ＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板」を研磨対象とする研磨パッドとして「ノンバフパッド」を使用することについては、上記甲第６号証、甲第５号証、甲第１号証、及び、特許異議申立人が提出したその他の証拠及び文献である甲第２号証：特開２００８－８７０９９号公報、甲第３号証：特開２００５－１９９４２７号公報、甲第４号証：特開２００７－８１１４５号公報、甲第７号証：特開２００５－１０１９号公報、甲第８号証：特開２００５－１５３０５３号公報、甲第９号証：特開２０１０－１７９４３１号公報、参考文献：特開平７－２４００２５号公報のいずれにも記載されていない。 よって、甲６発明のＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板に用いる研磨パッドとしてノンバフパッドを使用することは、当業者であっても容易に想到しうるものとはいえない。 また、令和元年１０月２８日に提出された意見書に添付された実験成績証明書によれば、バフパッドを使用した場合には、本件特許明細書の実施例で示されているノンバフパッドを使用した場合と比べて有意な微小うねり低減効果は認められなかったことが示されている。よって、仮に、甲６発明のＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板を研磨対象とする研磨パッドとしてノンバフパッドを使用することに想到し得たとしても、その結果として、バフパッドを使用した場合と比べて改善された微小うねり低減効果が得られるという格別顕著な効果を得られることを、当業者が予測し得たとは認められない。 したがって、本件発明１は、その他の相違点である相違点２について検討するまでもなく、当業者であっても甲６発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。 （１－２）本件発明２～６について 本件発明２～６も、上記相違点１に係る構成である構成Ａを備えるものであるから、上記（１－１）と同じ理由により、甲６発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）甲５発明を主引例とした場合 （２－１）本件発明１について （２－１－１）対比 本件発明１と甲５発明とを対比する。 甲５発明の、「研磨液組成物を、Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記磁気ディスク基板を動かして研磨する工程」を含む「Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板の製造方法」は、本件特許発明１の、「研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）」を含む「基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法」に相当する。 すると、本件発明と甲５発明との間の一致点及び相違点は次のとおりである。 （一致点） （Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と； （Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法。 （相違点３） 基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法について、本件発明１は、構成Ａの「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）」を備えるのに対し、甲５発明は、スウェードタイプの研磨パッドを用いるものではあるものの、パッドドレッシングに係る構成を備えることが特定されていない点。 （相違点４） 基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法について、本件発明１は、「パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」（構成Ｂ）を備え、さらに前記ダミー研磨に用いられる研磨液が、「ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む」（構成Ｅ）ものであるのに対し、甲５発明は、「研磨材であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物とを含有する研磨液組成物」を「基板の研磨対象面に供給」して「研磨する」ものである点。 （２－１－２）判断 上記相違点のうち、まず相違点３について検討する。 上記（１－１－２）のとおり、甲１周知技術についても各種基板が対象とされうるものとして、各種基板に適用を試みることは、当業者が容易に想到しうることである。よって、スウェードタイプの研磨パッドを用いた甲５発明において、当該周知技術を適用することにより、スウェードタイプの研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程を備えるようにすることは、当業者が容易に想到しうることである。 しかしながら、甲５発明の「Ｎｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板」を研磨対象とする研磨パッドとして「ノンバフパッド」を使用することについては、上記甲第５号証、甲第６号証、甲第１号証、及び、特許異議申立人が提出したその他の証拠及び文献である甲第２号証、甲第３号証、甲第４号証、甲第７号証、甲第８号証、甲第９号証、参考文献のいずれにも記載されていない。 よって、甲５発明のＮｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板に用いる研磨パッドとしてノンバフパッドを使用することは、当業者であっても容易に想到しうるものとはいえない。 また、令和元年１０月２８日に提出された意見書に添付された実験成績証明書については、上記（１－１－２）のとおりであるから、仮に、甲５発明のＮｉ－Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板を研磨対象とする研磨パッドとしてノンバフパッドを使用することに想到し得たとしても、その結果として、バフパッドを使用した場合と比べて改善された微小うねり低減効果が得られるという格別顕著な効果を得られることを、当業者が予測し得たとは認められない。 したがって、本件発明１は、その他の相違点である相違点４について検討するまでもなく、当業者であっても甲５発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２－２）本件発明２～６について 本件発明２～６も、上記相違点３に係る構成である構成Ａを備えるものであるから、上記（２－１）と同じ理由により、甲５発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ６　取消理由（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について 特許異議申立人は、特許異議申立書において上記３の主張を行っている。 しかしながら、いかなる化学物質であるのか不明であると主張されていた「パッド表面調整剤」は、本件訂正によって「ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される」ものであることが特定されたことにより、化学物質が明確となった。 したがって、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たすものであるから、特許異議申立人の当該主張は、採用することができない。 第４　むすび 以上のとおりであるから、令和元年８月２０日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、本件訂正請求により訂正された訂正後の請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件訂正請求により訂正された訂正後の請求項１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。