2019-014122

第１　手続の経緯

本願は，平成２７年９月８日の出願であって，その手続の概要は，以下のとおりである。

第２　令和元年１０月２４日にされた手続補正についての補正の却下の決定

［補正の却下の決定の結論］

令和元年１０月２４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。

［理由］

１　本件補正について（補正の内容）

（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載

本件補正により，特許請求の範囲の請求項２の記載は，次のとおり補正された。

「【請求項２】

ウェーハの表面に形成された複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後，前記表面に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置であって，

前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を粗研削する粗研削手段と，

前記テーブルに保持されたウェーハの裏面に接触して前記ウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定手段と，

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前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を精研削する精研削手段と，

前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面に対して離れた位置から前記ウェーハの厚さ測定する非接触式厚さ測定手段と，

前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段と，

を備え，

前記制御手段は，前記粗研削手段及び前記精研削手段の送込速度を，前記ウェーハの厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする手段であって，前記精研削手段の送り込みを停止して，前記精研削手段によってスパークアウトを実行させる手段であり，

さらに前記制御手段は，前記粗研削手段による加工時間と，前記スパークアウトを含む前記精研削手段による加工時間とが略等しくなるように，前記粗研削手段及び前記精研削手段の研削条件を設定する手段である，

ウェーハ研削装置。」

（２）本件補正前の特許請求の範囲

本件補正前の特許請求の範囲の請求項３の記載は次のとおりである。

「【請求項３】

ウェーハの表面に形成された複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後，前記表面に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置であって，

前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を粗研削する粗研削手段と，

前記テーブルに保持されたウェーハの裏面に接触して前記ウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定手段と，

前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を精研削する精研削手段と，

前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面に対して離れた位置から前記ウェーハの厚さ測定する非接触式厚さ測定手段と，

前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段と，

を備え，

前記制御手段は，前記粗研削手段及び前記精研削手段の送込速度を，前記ウェーハの厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする，

ウェーハ研削装置。」

２　補正の適否

本件補正は，本件補正前の請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項について限定を付加して補正後の請求項２とする補正事項を含む。

そして，補正前の請求項３に記載された発明と補正後の請求項２に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一である。

したがって，本件補正前の請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項について限定を付加して補正後の請求項２とする補正は，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。

そこで，本件補正後の請求項２に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。

（１）本件補正発明

本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。

（３）引用発明との対比

ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。

（ア）引用発明の「円板状の半導体ウェーハ（以下，ウェーハ）」，「ＩＣやＬＳＩ等の電子回路」，「電子回路の保護のための保護テープ」，「負圧吸着式のチャックテーブル（保持手段）」，及び「目標厚さ」は，それぞれ，本件補正発明の「ウェーハ」，「半導体素子」，「保護テープ」，「テーブル」，及び「仕上げ厚さである第１厚さ」に相当する。

したがって，引用発明の「ＩＣやＬＳＩ等の電子回路が表面に形成されている矩形状の複数のチップが，格子状の分割予定ラインによって区画されている，円板状の半導体ウェーハ（以下，ウェーハ）の表面全面に貼着された，上記電子回路の保護のための保護テープを，負圧吸着式のチャックテーブル（保持手段）に吸着して保持し，２台の研削ユニット（粗研削用と仕上げ研削用）４０Ａ，４０Ｂによりウェーハに対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハを目標厚さまで薄化加工する研削装置」と，本件補正発明の「ウェーハの表面に形成された複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後，前記表面に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置」とは，以下の相違点１を除き，「区画」されるように「複数の半導体素子」が「形成された」「ウェーハの表面」「に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置」である点で一致する。

（イ）引用発明の「ワーク着脱位置でチャックテーブルに保持されたウェーハが，ターンテーブルのＲ方向への所定角度の回転により送り込まれる一次加工位置で，ウェーハの裏面を粗研削する，サーボモータによって駆動されるボールねじ式の送り機構により，スライダを介してＺ方向（鉛直方向）に昇降自在に設置されている，粗研削用の砥石が装着された粗研削用研削ユニット４０Ａ」，

「ターンテーブルの再度のＲ方向への所定角度の回転により送られる二次加工位置で，ウェーハの裏面を仕上げ研削する，サーボモータによって駆動されるボールねじ式の送り機構により，スライダを介してＺ方向（鉛直方向）に昇降自在に設置されている，仕上げ研削用の砥石が装着されている研削ユニット４０Ｂ」，

「ウェーハの厚さを測定する，一次加工位置」「の近傍に」「設けられた」「接触式である第１厚さ測定ゲージ６０」，

「ウェーハの厚さを測定する，」「二次加工位置の近傍に」「設けられた」「非接触式である第２厚さ測定ゲージ７０」は，それぞれ，

本件補正発明の「前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を粗研削する粗研削手段」，

「前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を精研削する精研削手段」，

「前記テーブルに保持されたウェーハの裏面に接触して前記ウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定手段」，

「前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面に対して離れた位置から前記ウェーハの厚さ測定する非接触式厚さ測定手段」に相当する。

（ウ）引用発明の「これら厚さ測定ゲージ６０，７０によってウェーハの厚さを測定しながら行なうウェーハの裏面研削において，各厚さ測定ゲージ６０，７０の測定値に基づいて，上記送り機構による研削送り量を制御する，研削前に予めウェーハの研削後の目的厚さが入力され，この目的厚さまでウェーハが研削されるように，各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂの研削送り量を制御する制御手段」と，

本件補正発明の「前記粗研削手段及び前記精研削手段の送込速度を，前記ウェーハの厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする手段であって，前記精研削手段の送り込みを停止して，前記精研削手段によってスパークアウトを実行させる手段であり，さらに前記制御手段は，前記粗研削手段による加工時間と，前記スパークアウトを含む前記精研削手段による加工時間とが略等しくなるように，前記粗研削手段及び前記精研削手段の研削条件を設定する手段である」「前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段」とは，以下の相違点２を除き，

「前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段」である点で一致する。

イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。

【一致点】

「区画されるように複数の半導体素子が形成されたウェーハの表面に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置であって，

前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を粗研削する粗研削手段と，

前記テーブルに保持されたウェーハの裏面に接触して前記ウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定手段と，

前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を精研削する精研削手段と，

前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面に対して離れた位置から前記ウェーハの厚さ測定する非接触式厚さ測定手段と，

前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段と，

を備える，

ウェーハ研削装置。」

【相違点１】

ウェーハ研削装置が，本件補正発明では，「ダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後」のウェーハを研削するものであるのに対して，引用発明は，そのような特定がされていない点。

【相違点２】

制御手段が，本件補正発明では，「前記粗研削手段及び前記精研削手段の送込速度を，前記ウェーハの厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする手段であって，前記精研削手段の送り込みを停止して，前記精研削手段によってスパークアウトを実行させる手段であり，さらに前記制御手段は，前記粗研削手段による加工時間と，前記スパークアウトを含む前記精研削手段による加工時間とが略等しくなるように，前記粗研削手段及び前記精研削手段の研削条件を設定する手段である」のに対して，引用発明は，そのような特定がされていない点。

（４）判断

以下，相違点について検討する。

ア　相違点１について

上記（２）イ（イ）のとおり，引用文献２には，携帯電話機等の各種機器の小型化，薄型化の要求に応えるため，半導体ウェーハの表面に形成された複数の半導体回路を区画するストリートに裏面まで貫通しない比較的浅い切削溝を形成した後，その半導体ウェーハの裏面を研削砥石により研削することにより裏面側から切削溝を表出させて個々の半導体チップに分割する先ダイシングと呼ばれる半導体チップを薄く形成するための技術が開発されており，先ダイシングにおいては，表面に切削溝が形成された半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着し，この保護テープを下にしてチャックテーブルにおいて半導体ウェーハを保持し，回転する研削砥石を下降させて裏面を研削することにより切削溝を表出させて個々の半導体チップに分割するところ，通常，研削は種類の異なる研削砥石を用いて粗研削，仕上げ研削の２段階に分けて行われるが，粗研削の段階で切削溝を表出させてしまうと，分割によって形成された半導体チップの角に粗研削用の研削砥石が接触してその半導体チップに欠け等の破損が生じるおそれがあるので，粗研削の段階では切削溝が表出する直前で研削を終了させ，仕上げ研削ではじめて切削溝を表出させることが一般的であることが記載されている。

一方，引用発明は，半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着し，この保護テープを下にしてチャックテーブルにおいて半導体ウェーハを保持し，回転する研削砥石を下降させて裏面を研削する装置であって，当該研削を種類の異なる研削砥石を用いて粗研削，仕上げ研削の２段階に分けて行う装置に係る発明である。

そうすると，当業者であれば，引用発明に係る研削装置を引用文献２に記載される先ダイシングと呼ばれる方法で使用して，「ダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後」のウェーハを研削するために使用すること，すなわち，相違点１について本件補正発明に係る構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。

イ　相違点２について

（ア）上記（２）ウ（イ）のとおり，引用文献３には，研削装置の制御において，切込み速度を，従来の粗研削，精研削時の切込み時間より十分小さい一定の周期，例えば切込み時間Ｔの１０分の１以下の周期で減速方向に連続的に変化させるように構成することで，従来の粗研，精研，微研のような切込み方式に比べ初期切込み速度を大きくしても砥石台の切込み量と工作物の実加工径との差，すなわち工作物の撓み変形などによって生ずる切り残し量が増加することがなく，むしろ減少することになり，その結果，工作物の加工サイクルタイムが短くなり，設定切込み時間内で工作物を目標寸法に確実に仕上げることができるとともに，工作物の円筒度，面粗さなどの加工精度を向上できること，そして，これは，平面研削盤にも同様に適用することができることが記載されており，

上記（２）エ（イ）のとおり，引用文献４には，研削ホイール（砥石）を用いて，半導体チップの厚みを粗研削，及び仕上げ研削する際に，研削送り速度を半導体チップの厚みが薄くなるにつれて低速度になるようにすることが記載されていることからも明らかなように，研削手段の送込速度を，研削対象物の厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする制御は周知の方法である。

（イ）上記（２）オ（イ）のとおり，引用文献５には，仕上げ研削部において，接触式と非接触式の厚さ測定器をウエーハの厚さに応じて切り替えることにより，ウエーハの厚さや，ウエーハ裏面の酸化膜や窒化膜の有無や面粗度などの面状態に影響を受けることなく，保護部材を除いたウエーハのみの厚さを正確に測定することができ，これによって目的厚さのウエーハを確実に得ることができるといった効果が得られる研削装置において，仕上げ研削ユニットのモータを制御してカップホイールの送り量すなわち研削量を制御する制御手段には，仕上げ研削が進行する間，非接触式厚さ測定器によるウエーハの厚さが逐一入力され，仕上げ研削が進み，制御手段が，非接触式厚さ測定器の測定値が記憶部の記憶する仕上げ厚さに達したと判断したら，制御手段は，送り機構によるカップホイールの下降を停止し，一定時間そのままカップホイールを回転させた後，粗研削ユニットを上昇させ，仕上げ研削を終えるという制御を行うことが記載されている。

一方，引用発明に係る研削装置においても，目的厚さを確実に得ることができることが望ましいことは自明の課題といえる。

そうすると，非接触式である第２厚さ測定ゲージ７０によってウェーハの厚さを測定して，当該測定ゲージ７０の測定値に基づいて，制御手段が，仕上げ研削用の砥石が装着されている研削ユニット４０Ｂの送り機構による研削送り量を制御する引用発明に係る研削装置において，仕上げ研削が進み，制御手段が，非接触式厚さ測定器の測定値が記憶部の記憶する仕上げ厚さに達したと判断したら，制御手段は，送り機構によるカップホイールの下降を停止し，一定時間そのままカップホイールを回転させた後，粗研削ユニットを上昇させ，仕上げ研削を終えるという制御を行うこと，すなわち，「前記精研削手段の送り込みを停止して，前記精研削手段によってスパークアウトを実行させる」ことは適宜なし得たことである。

（ウ）下記の周知文献１及び２の記載からも明らかなように，ワークの保持手段を粗研削位置，精研削位置に移動させる移動手段を設けた研削装置において，各研削位置における加工時間を略等しくすることで，夫々の加工手段の稼働率を落とすことなく，有効稼働させる技術は周知である。

そうすると，加工ステージ上に設けられた，Ｒ方向に回転駆動されるターンテーブルと，このターンテーブル上の外周部に，周方向に等間隔をおいて配設された，３つの円板状の，回転駆動機構により所定回転速度で自転するチャックテーブルとを備えた研削装置を用いて，２台の研削ユニット（粗研削用と仕上げ研削用）４０Ａ，４０Ｂによりウェーハに対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハを目標厚さまで薄化加工するにあたり，夫々の加工手段の稼働率を落とすことなく，有効稼働させるために，研削装置の制御について前記周知の技術を適用して，粗研削用の研削ユニット４０Ａによりウェーハに対し粗研削を行う位置における加工時間と，仕上げ研削用の研削ユニット４０Ｂによりウェーハに対し仕上げ研削を行う位置における加工時間とが略等しくなるように，粗研削手段及び精研削手段の研削条件を設定することは当業者が当然に考慮することである。

そして，当該研削装置が，上記（イ）で検討したように，精研削手段によってスパークアウトを実行させる工程を含むものである場合には，粗研削用の研削ユニット４０Ａによりウェーハに対し粗研削を行う位置における加工時間と，仕上げ研削用の研削ユニット４０Ｂによりウェーハに対し仕上げ研削を行う位置における加工時間とが略等しくなるように，粗研削手段及び精研削手段の研削条件を設定するにあたり，仕上げ研削を行う位置における加工時間として，当該スパークアウトの実行に必要とされる時間を含めるようにすることは当業者が当然に行うことである。

「【請求項１０】　ワークを保持する保持手段と，

該保持手段で保持されたワークを粗研削する粗研削手段と，

該粗研削手段で粗研削されたワークを，前記保持手段で保持したまま精研削する精研削手段と，

該精研削手段で精研削されたワークを，前記保持手段で保持したまま研磨する研磨手段と，

前記保持手段を粗研削手段による粗研削位置，精研削手段による精研削位置，及び研磨手段による研磨位置に移動させる移動手段と，

を備えたことを特徴とする平面加工装置。」

「【００２２】請求項１０記載の発明によれば，平面加工装置に粗研削手段，精研削手段，及び研磨手段を設けたので，これらの手段によってワークを自動で粗研削，精研削，研磨することができる。更に，ワークの保持手段を粗研削位置，精研削位置，及び研磨位置に移動させる移動手段を設けたので，夫々単数又は複数の粗研削手段，精研削手段，及び研磨手段を組合わせ配置された構成であっても，夫々の加工手段の稼働率を落とすことなく，有効稼働させることができる。」

「【００５０】一例をあげて説明すると，φ２００ｍｍで初期厚みが７２５μｍのウェーハを５０μｍの厚みに加工する場合，この時の粗研削速度を図１２の如く，２２５（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，精研削速度を６５（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，ポリッシュ（研磨）速度を６（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，粗研削加工量５１０μｍ，精研削加工量１５０μｍ，ポリッシュ加工量１４．９μｍに設定すれば，各加工時間（２．２７～２．４８）が略等しくなるので，稼働率を落とすことなくウェーハ２８を７２５μｍから５０μｍの厚みに加工できる。」

「【技術分野】

【０００１】

本発明は，半導体ウェハ等の基板の表面を研磨加工する研磨装置における研磨方法に関する。

【背景技術】

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【０００２】

上述のような研磨装置として，例えば，半導体ウェハ基板における層間絶縁膜上の金属膜を化学機械研磨法（ＣＭＰ法）で精密に研磨加工する研磨装置（ＣＭＰ装置と称される）が知られている。この研磨装置は，例えば，インデックステーブルが４つの領域に分割されており，各分割領域にはそれぞれ半導体ウェハ基板（以下基板という）を保持する真空チャックが設けられている（例えば，特許文献１を参照）。インデックステーブルは９０度ごとに回動送りされ，位置決めされた停止位置にはインデックステーブルの分割に対応して４つのステージが設けられている。

【０００３】

４つのステージは，１つの搬送ステージと，３つの研磨ステージとから構成される。研磨ステージは基板を研磨加工する領域であり，研磨面を有する研磨ヘッドが設けられている。研磨ステージでは真空チャックされた基板を高速回転させるとともに，この基板の表面に研磨ヘッドの研磨面を押し付けて基板表面を平坦に加工する。搬送ステージには，未加工の基板を搬入するとともに，加工を終えた加工済み基板を搬出する搬送ロボットが設けられている。

【０００４】

上記研磨装置では，搬送ロボットが未加工の基板を搬送ステージに搬入し，インデックステーブルを９０度回動させて第１研磨ステージに位置決めさせる。第１研磨ステージで粗加工を行った後，インデックステーブルを９０度回転させて第２研磨ステージに位置決めさせ，第２研磨ステージで中間加工を行った後，インデックステーブルを９０度回転させて第３研磨ステージに位置決めさせる。そして，第３研磨ステージで仕上げ加工を行った後，インデックステーブルを９０度回動させて搬送ステージに位置決めさせ，搬送ロボットで加工済み基板を搬出させる。このような作動を順次繰り返して行うことにより，インデックステーブルを回動停止させるごとに，搬送ステージから加工済み基板を搬出させるとともに，新たな未加工基板を搬送ステージに搬入させ，連続して研磨加工を行うことができる。

【０００５】

このような構成の研磨装置によれば，一つの研磨ステージごとに全研磨を行う場合と比較して，インデックステーブルを回動停止させる際に生じる待ち時間が少なくなるため，基板のスループットを向上させることができる。なお，スループットの関係から，各研磨ステージにおいて，研磨ヘッドおよびチャックの回転速度，研磨時間等の研磨条件が同じに設定されることが好ましい。」

（エ）上記（ア）ないし（ウ）のとおりであるから，相違点２について本件補正発明に係る構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。

ウ　そして，これらの相違点１及び２を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。

エ　したがって，本件補正発明は，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

３　本件補正についてのむすび

よって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。

よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第３　本願発明について

１　本願発明

令和元年１０月２４日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項３に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。

２　原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１ないし４に係る発明は，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし５に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。

１．特開２０１０－１９９２２７号公報

２．特開２００３－１７４４２号公報

３．特開平６－８１３６号公報

４．特開２００４－１５８５３７号公報

５．特開２００７－３３５４５８号公報

３　引用文献

原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし５及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。

４　対比・判断

本願発明は，前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から限定事項を削除したものである。

そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（３），（４）に記載したとおり，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。

第４　むすび

以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。

よって，結論のとおり審決する。