2018-700973

特許第６３３５８２３号発明「ハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６３３５８２３号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、２、〔３～５〕について訂正することを認める。 特許第６３３５８２３号の請求項２、３に係る特許を維持する。 特許第６３３５８２３号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６３３５８２３号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～５に係る特許についての出願は、平成２７年３月２５日の出願であって、平成３０年５月１１日にその特許権の設定登録がされ、同年５月３０日に特許掲載公報の発行がされたものであり、その後、その特許について、同年１１月３０日付けで特許異議申立人伊野口誠（以下、「申立人」という。）により下記甲第１～１４号証を証拠方法とする特許異議の申立てがされ、平成３１年２月２０日付けで取消理由が通知され、同年４月１６日付けで特許権者より意見書の提出及び訂正の請求（令和元年５月２７日付けの手続補正あり）がされ（以下、「本件訂正請求」という。）、令和元年８月２日付けで申立人より意見書の提出がされたものである。 （証拠方法） 甲第１号証：特許第２６１３７２９号公報 甲第２号証：特開２００２－３２６８７９号公報 甲第３号証：特開２００６－２５５５４２号公報 甲第４号証：素木洋一編著「セラミックス手帳」技報堂出版株式会社　１９８２年１月２５日１版２刷発行　１－３頁、６４－６５頁 甲第５号証：特開平１－２６８８３６号公報 甲第６号証：特開平６－４１６９５号公報 甲第７号証：特開平３－６０７３７号公報 甲第８号証：特開平１１－１５１４３６号公報 甲第９号証：特開２００４－１６９８２号公報 甲第１０号証：日産自動車株式会社　中央研究所　材料研究所編「新素材がクルマを変える」株式会社工業調査会（１９９２）　９８－１０３頁 甲第１１号証：Ｈｉｒｏａｋｉ　Ｙａｍａｍｏｔｏ他 "Reduction of Wall Thickness of Ceramic Substrates for Automotive Catalysts"　ＳＡＥ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒ　９００６１４、１９９０　及びその和訳 甲第１２号証：宮入由紀夫「排気ガス浄化用セラミックス担体」セラミックス　４５（２０１０）Ｎｏ．１０　８０５－８０９頁 甲第１３号証：Ｊｕｎ　Ｋｉｔａｇａｗａ他 "Improvement of Pore Size Distribution of Wall Flow Type Diesel Particulate Filter"　ＳＡＥ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒ　９２０１４４、１９９２　及びその和訳 甲第１４号証：「平成１５年度　排ガス浄化システムに係る技術開発動向に関する調査報告書」社団法人日本機械工業連合会　社団法人日本ファインセラミックス協会　平成１６年３月 第２　訂正の適否についての判断 １．訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は、以下訂正事項１～９のとおりである（当審注：下線は当審が付与した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に記載された 「原料にコロイダルシリカを含む接合材を使用して複数のハニカム焼成体を組み合わせて接合されたハニカム構造体であって、 前記接合材の乾燥後の前記ハニカム構造体は、 塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体。」を、 「原料にコロイダルシリカを含み、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である接合材を使用して複数のハニカム焼成体を組み合わせて接合されたハニカム構造体であって、 前記接合材の乾燥後且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、前記ハニカム構造体の塩素濃度が５ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体。」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に記載された 「ハニカム構造体の外周面に、コロイダルシリカを原料として含む外周コート材を塗布し、外部に開口した軸方向に延びる凹溝を充填するとともに外周面を覆い、前記外周面に外周壁を形成する外周壁形成工程、及び、四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程の少なくともいずれか一方と、 前記外周壁形成工程、及び／または、前記接合工程を経て形成された前記ハニカム構造体を、６００℃～６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程と を有し、 前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、 塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体の製造方法。」を、 「四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程と、 前記接合工程を経て形成された前記ハニカム構造体を、６００℃～６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程と を有し、 前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、 塩素濃度が３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体の製造方法。」に訂正する。 （４）訂正事項４ 明細書の段落【００１４】を削除する。 （５）訂正事項５ 明細書の段落【００１５】に記載された 「［２］　原料にコロイダルシリカを含む接合材を使用して複数のハニカム焼成体を組み合わせて接合されたハニカム構造体であって、前記接合材の乾燥後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体。」を、 「［２］　原料にコロイダルシリカを含み、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である接合材を使用して複数のハニカム焼成体を組み合わせて接合されたハニカム構造体であって、前記接合材の乾燥後且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、前記ハニカム構造体の塩素濃度が５ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体。」に訂正する。 （６）訂正事項６ 明細書の段落【００１６】に記載された 「［３］　ハニカム構造体の外周面に、コロイダルシリカを原料として含む外周コート材を塗布し、外部に開口した軸方向に延びる凹溝を充填するとともに外周面を覆い、前記外周面に外周壁を形成する外周壁形成工程、及び、四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程の少なくともいずれか一方と、前記外周壁形成工程、及び／または、前記接合工程を経て形成された前記ハニカム構造体を、６００℃～６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程とを有し、前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体の製造方法。」を、 「［３］　四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程と、前記接合工程を経て形成された前記ハニカム構造体を、６００℃～６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程とを有し、前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体の製造方法。」に訂正する。 （７）訂正事項７ 明細書の段落【００１７】を削除する。 （８）訂正事項８ 明細書の段落【００１８】に記載された 「［７］　前記コロイダルシリカは、製造過程において使用される酸が、硫酸、燐酸、及び有機酸の少なくともいずれか一つである前記［６］に記載のハニカム構造体の製造方法。」を、 「［４］　前記コロイダルシリカは、製造過程において使用される酸が、硫酸、燐酸、及び有機酸の少なくともいずれか一つである前記［３］に記載のハニカム構造体の製造方法。」に訂正する。 （９）訂正事項９ 明細書の段落【００１９】に記載された 「［８］　前記有機酸は、酢酸である前記［７］に記載のハニカム構造体の製造方法。」を、 「［５］　前記有機酸は、酢酸である前記［４］に記載のハニカム構造体の製造方法。」に訂正する。 そして、訂正前の請求項４が請求項３を引用し、同じく請求項５が請求項４を引用するものであるから、本件訂正請求は、独立請求項１及び２並びに一群の請求項３～５について請求するものである。 ２．訂正要件の判断 （１）訂正事項１、４について 訂正事項１は請求項を削除するものであり、訂正事項４はそれに伴い明細書の一部を削除して記載を整合させるものであるから、これらはそれぞれ特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２、５について 訂正事項２は、訂正前の請求項２に記載された発明において、ハニカム構造体を構成する接合材の塩素濃度について限定を付し、ハニカム構造体の塩素濃度について上限値のみが特定されていたものをさらに下限値も特定すると共に、その測定がなされる時の状態について明確にして特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。また、訂正事項５は訂正事項２に伴い明細書の記載を整合させるものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 そして、これらの訂正は、本件明細書の【００３３】に「本実施形態の外周コート材は、使用原料の一部として使用するコロイダルシリカの塩素濃度を１５０ｐｐｍ以下のものとする特徴を備える。・・・主として塩酸を使用して製造されていたコロイダルシリカに対し、製造過程において塩酸以外の硫酸、燐酸、酢酸、または有機酸を酸処理に使用する。これにより、コロイダルシリカの塩素濃度が、１０００ｐｐｍ程度から５００ｐｐｍ以下となる。このコロイダルシリカを用いて、外周コート材及び接合材を調製した場合、それぞれにおいて塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下となる」と記載され、ハニカム構造体の製造に際し、本件明細書の【００４０】に「本実施形態のハニカム構造体の製造方法において、必要に応じて・・・ハニカム構造体１を加熱炉内に導入し、６００℃以上の加熱温度で所定時間加熱処理をする加熱工程を行ってもよい。塩素成分は高温で加熱することにより、消散することが知られている。そのため、製造された最終製品のハニカム構造体１に対して加熱処理を施すことにより、外周コート材に含まれていた塩素成分を除去することができ、ハニカム構造体１に含まれる塩素濃度を低減することができる」と記載されていると共に実施例では【００４５】【表１】に６００℃以上の加熱処理をしていない状態における乾燥後の外周コート材の塩素濃度について記載されていること、さらに【００４２】に「なお、接合材に関しては、使用するコロイダルシリカを同一のものとすることにより、外周コート材とほぼ同一の結果を示すと想定されるため、実施例の提示を省略している」と記載されていることに基づくものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものである。 また、これらの訂正は、発明の目的やカテゴリーの変更をするものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 申立人は、訂正事項２に関し、意見書において、本件明細書には「接合材の乾燥後且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態」における「ハニカム構造体の塩素濃度が５ｐｐｍ」であることは記載がない旨主張する。 しかし、本件の訂正前の特許請求の範囲には、その請求項２に、上記したとおり、ハニカム構造体の塩素濃度について「６０ｐｐｍ以下」として上限値のみが特定されていた記載があるから、その塩素濃度をできる限り低くするという技術思想が把握できていたものであり、少なくとも、この訂正により新たな技術的事項が導入されたとはいえない。 また、本件明細書には、接合材と並びで記載されている外周コート材を使用したハニカム構造体について、実施例１として、塩素濃度が５ｐｐｍであるものが記載されている。そして、ハニカム構造体の塩素濃度を６００℃以上の加熱処理をしていない状態でも低いものとすることは、本件明細書の【００３３】の記載から、使用原料の一部として使用するコロイダルシリカの塩素濃度を低くすることにより達成されることが把握でき、塩素の由来となる塩酸を使用しない製造方法も示唆されているのであるから、外周コート材から形成された外周壁のみを有するハニカム構造体と比較して接合材の塩素濃度も加わる接合されたハニカム構造体は、同じ大きさであればその塩素濃度が相対的に高くなるとしても、その濃度を５ｐｐｍとしたものが願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項から当業者により認識できないものであるとまではいえない。 よって、「接合材の乾燥後且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態」における「ハニカム構造体の塩素濃度が５ｐｐｍ」であることは、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであるといえるから、申立人の主張は採用できない。 （３）訂正事項３、６について 訂正事項３は、訂正前の請求項３に記載された発明において「外周壁形成工程」と「接合工程」の「少なくともいずれか一方」と記載されていた選択肢のうちの「外周壁形成工程」の方を削除して「接合工程」の方に限定し、「加熱工程を経た加熱処理後の」「ハニカム構造体」の塩素濃度について上限値のみが特定されていたものをさらに下限値も特定するものであり、訂正事項６は訂正事項３に伴い明細書の記載を整合させるものであるから、これらはそれぞれ特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項７～９について 訂正事項７～９は、何れも明細書の記載を特許請求の範囲の記載と整合させるためのものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項７はすべての請求項について、訂正事項８、９は請求項３～５についてするものである。そして、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）独立特許要件について 請求項３～５が一群の請求項を構成するものであるから、訂正事項３は、特許異議の申立てがされていない請求項４、５について、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正をするものである。そこで、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に基づき、訂正後の請求項４、５に係る発明の独立特許要件について検討する。 本件訂正請求により訂正された請求項３～５に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項３～５に記載された次の事項により特定される。 「【請求項３】 四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程と、 前記接合工程を経て形成された前記ハニカム構造体を、６００℃～６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程と を有し、 前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、 塩素濃度が３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体の製造方法。 【請求項４】 前記コロイダルシリカは、 製造過程において使用される酸が、硫酸、燐酸、及び有機酸の少なくともいずれか一つである請求項３に記載のハニカム構造体の製造方法。 【請求項５】 前記有機酸は、 酢酸である請求項４に記載のハニカム構造体の製造方法。」 まず、訂正後の請求項４、５に係る発明について、これら発明に係る特許請求の範囲又は明細書の記載に不備は見当たらない。次に、訂正後の請求項４、５が直接又は間接的に引用する訂正後の請求項３に係る発明は、第３及び第４で後述するようにその特許を取り消すべき理由がなく、そして、訂正後の請求項４、５に係る発明は、訂正後の請求項３に係る発明の特定事項をすべて有し、さらに限定を付されたものであるから、新規性や進歩性等を有しているのは明らかである。 よって、訂正後の請求項４、５に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。 ３．むすび 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項から第７項の規定に適合するので、訂正後の請求項１、２、〔３～５〕について訂正を認める。 第３　特許異議申立について １．本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項２、３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明２」、「本件発明３」、まとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項２、３に記載された次の事項により特定されるとおりのものであると認める（当審注：下線は当審が付与した。）。 請求項１は訂正により削除された。 「【請求項１】 （削除） 【請求項２】 原料にコロイダルシリカを含み、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である接合材を使用して複数のハニカム焼成体を組み合わせて接合されたハニカム構造体であって、 前記接合材の乾燥後且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、前記ハニカム構造体の塩素濃度が５ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体。 【請求項３】 四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程と、 前記接合工程を経て形成された前記ハニカム構造体を、６００℃～６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程と を有し、 前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、 塩素濃度が３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体の製造方法。」 ２．取消理由の概要 訂正前の請求項１～３に係る特許に対して通知した取消理由の概要は以下のとおりである。 理由１（新規事項）本件特許は、平成２９年１１月９日付け手続補正書でした補正が、請求項１及び２において「乾燥後の前記ハニカム構造体」の「塩素濃度が６０ｐｐｍ以下である」ことのみを規定したものであるから、補正後に、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍを超える外周コート材又は接合材を用いたハニカム構造体等を含むものとなって、願書に最初に添付した明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してされたものである。 理由２（サポート要件） （ア）本件特許は、特許請求の範囲の記載が、請求項１、２において、発明の詳細な説明に記載された課題解決手段である「外周コート材に使用するコロイダルシリカの塩素濃度を抑制することにより、外周コート材自体の塩素濃度を減少させること」（段落【００４６】）、及び、「６００℃以上の加熱温度で外周コート材（外周壁）を加熱処理することにより、外周コート材に含まれる塩素成分が外部に蒸散し、塩素濃度を低くすること」（段落【００４８】）が反映されておらず、それ以外の明細書に記載されていない手段を含むものとなっていて不備があるため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （イ）本件特許は、請求項１～３の記載が「塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体」と塩素濃度の下限は特定されておらず塩素濃度が０ｐｐｍである（すなわち塩素を含まない）ハニカム構造体を含み得るものであるが、発明の詳細な説明には、ハニカム構造体の塩素濃度を０ｐｐｍとするための具体的手段は記載されていないから、特許請求の範囲の記載に不備があり、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 理由３（明確性）本件特許は、特許請求の範囲の請求項１、２の「乾燥後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下である」との記載によって、発明の「ハニカム構造体」が乾燥前のものを意味するのか、乾燥直後のものを意味するのか、乾燥後にさらなる加熱処理を行った後のものを意味するのかがが明確でなく、どの時点での塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるのかによっても解釈が変わってくるために「ハニカム構造体」なる物の発明が不明確であるから、特許請求の範囲の記載に不備があり、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 理由４（新規性）請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 理由５（進歩性）請求項１、３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第９号証に記載された技術事項に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ３．取消理由についての当審の判断 （１）理由１（新規事項）について 訂正により、請求項１は削除された。 本件発明２について検討するに、乾燥後のハニカム構造体の塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であることに加え、訂正により、「乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である接合材を使用」することがさらに特定され、理由は解消した。 よって、理由１は理由がない。 申立人は、塩素濃度の「６０ｐｐｍ」という数値について出願当初の明細書に記載されていないから新規事項である旨主張しているが、本件明細書には【００５２】【表２】として当初から塩素濃度５ｐｐｍ（実施例１）～５６ｐｐｍ（実施例５）の実施例１～７とそれぞれ７０ｐｐｍ、１０２ｐｐｍの比較例１、２とが記載されており、本件発明が塩素濃度を抑えたハニカム構造体を提供することを目的とした技術思想であることは明らかであったのであるから、塩素濃度を実施例と比較例の間に上限値を設定して「６０ｐｐｍ」以下と特定する技術思想は当然に認識できるものである。そして、当初明細書に「６０ｐｐｍ」という直接的な記載がなかったとしても、この数値自体に新たな臨界的意義が存在するものではないから、「当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないもの」であることは明らかである。よって、主張は採用できない。 （２）理由２（サポート要件）について （ア）訂正により、請求項１は削除され、本件発明２は、「乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である接合材を使用」することが特定され、発明の詳細な説明の【００４６】の外周コート材は接合材に置き換えることができるものであるから、発明の詳細な説明の記載が反映されたものとなって、理由は解消した。 （イ）訂正により、本件発明２、３の何れにおいても、「塩素濃度が５ｐｐｍ以上」であることがさらに特定され、理由は解消した。 よって、理由２は理由がない。 （３）理由３（明確性）について 訂正により、請求項１は削除され、本件発明２は、「乾燥後且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、前記ハニカム構造体の塩素濃度が５ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体」と特定され、ハニカム構造体の塩素濃度は、塩素成分が高温加熱で消散するような処理前における測定値であることが明確となり、本件発明の「ハニカム構造体」は特定されたとおりの物性を有したものであることが明確となったから、理由は解消した。 よって、理由３は理由がない。 （４）理由４（新規性）及び理由５（進歩性）について 訂正により、請求項１は削除されたから、理由４及び請求項１を対象とした理由５については解消した。 また、請求項３を対象とした理由５については、訂正前の請求項３に記載された発明が「外周壁形成工程」と「接合工程」の「少なくともいずれか一方」と記載されていた選択肢を有する発明であったところ、訂正により、「外周壁形成工程」に係る選択肢は削除された。 そこで、訂正後の請求項３に係る本件発明３と甲第１号証に記載された発明とを以下に対比し検討する。 ア．甲第１号証に記載された発明 甲第１号証（特許第２６１３７２９号公報）には、以下の記載がある。 （ア）「【請求項１】　軸方向に延びる、隔壁で囲まれ且つ相互に仕切られた多数のセルのうち、外周部の最外側に位置するものが、外部との間の隔壁を有しないことによって、外部に開口して、軸方向に延びる凹溝を形成しているセラミックハニカム本体と、かかるセラミックハニカム本体の外周部の少なくとも凹溝を充填して外表面を形成する外殻層とを備え、且つ該外殻層を、コージェライト粒子及び／又はセラミックファイバーと、それらの間に存在する、コロイダルシリカまたはコロイダルアルミナにて形成された非晶質酸化物マトリックスとから構成してなることを特徴とするセラミックハニカム構造体。」 （イ）「【請求項４】　軸方向に延びる、隔壁で囲まれ且つ相互に仕切られた多数のセルのうち、外周部の最外側に位置するものが、外部との間の隔壁を有しないことによって、外部に開口して、軸方向に延びる凹溝を形成しているセラミックハニカム本体を準備する工程と、 コージェライト粒子及び／又はセラミックファイバーと、コロイダルシリカまたはコロイダルアルミナからなるコロイド状酸化物とを主成分として含み、且つ該コロイド状酸化物を、前記コージェライト粒子及び／又はセラミックファイバーの１００重量部に対して、固形分換算で３～３５重量部の割合で配合せしめてなるコート材を準備する工程と、 該コート材を前記セラミックハニカム本体の外周面に塗布し、該セラミックハニカム本体の外周面に存在する凹溝を充填して、所定厚さの外殻層を形成する工程と、 該セラミックハニカム本体の外周面に形成された外殻層を乾燥若しくは焼成せしめ、かかる外殻層を該セラミックハニカム体に固着させる工程とを、 含むことを特徴とするセラミックハニカム構造体の製造法。」 （ウ）「【００２８】かくして得られる本発明に従うセラミックハニカム構造体１８は、図４及び図５に示される如く、セラミックハニカム本体１４の外周面に設けた軸方向の凹溝１２をコート材にて少なくとも充填して、外表面を与える外周壁としての外殻層（コート層）１６を有するものであって、目的とする実用的な強度を充分に備えていると共に、耐熱性や耐熱衝撃特性にも優れたものであり、中でも、有利には、アイソスタティック強度が３ｋｇ／ｃｍ2以上、耐熱衝撃性が７００℃以上、クラックの発生温度が８００℃以上である特性を有するものとして製造されるものであって、それは、排ガス浄化用触媒担体等として有利に用いられ得るものであるが、またハニカム構造体を用いるＤＰＦや回転蓄熱式熱交換体等としても、好適に用いられることとなる。」 （エ）「【００３０】実施例　１ 試験に供するセラミックハニカム本体として、リブ厚さ：１５０μｍ、セル密度：６２セル／ｃｍ2、外径寸法：３００ｍｍ、全長：３００ｍｍの、外周壁が一体的に成形されてなるコージェライト質ハニカム体の複数を準備した。なお、これらコージェライトハニカム体は、図１及び図２に示される如く、外周部にセルよれ部分（８）を有している。なお、このハニカム体中におけるセルよれ部（８）は、ハニカム体の外径寸法が３００ｍｍと大きくなることにより、その自重による潰れから、必然的に生じるものである。また、外壁が一体的に成形されてなる、リブ厚さ：１５０μｍ、セル密度６２：セル／ｃｍ2、外径寸法：３１０ｍｍ、全長：３００ｍｍの、外周部にセルよれ部分を有するコージェライト質ハニカム体の複数を用い、それぞれについて、その外周部のセルよれ部分を研削、除去し、外周部に凹溝（１２）を有する外径：３００ｍｍのハニカム体（図３参照）を準備した。 【００３１】一方、コート材は、下記表１に示される材料特性を有する原料を用い、下記表２に示される組成において調合し、更に水を加えて混練し、セラミックハニカム体に塗布可能なペースト状において、各種の組成のものとして、調製した。 【００３２】 【表１】 【００３３】 【表２】 」 （オ）「【００３４】次いで、前記準備した外周部に凹溝のないハニカム体（外壁あり）と、凹溝を有するハニカム体（外壁なし）の外周部に、それぞれ、表２に示される各種のコート材のペーストを塗布した後、大気中に２４時間放置し、更に９０℃の温度で２時間の乾燥を行ない、目的とする外周コートを施してなる各種のコージェライト質ハニカム構造体を得た。なお、このようにして形成された外周コート層の厚みは、約０．１～１ｍｍ程度であった。・・・」 （カ）「【００３７】また、熱衝撃試験は、得られたハニカム構造体を金網を敷いた枠に載せて７００℃に保持された電気炉に入れて加熱せしめ、そして、１時間の経過の後に炉外に取り出し、目視にて外観を観察しながら、細い金属棒でハニカム構造体の外周壁を軽く打った。・・・」 そして、上記（エ）には、コート材Ｎｏ．４として、コージェライト粉末１００重量部に対しコロイダルシリカ粉末を固形分換算で１０重量部配合したコート材が記載されている。 したがって、上記（ア）～（オ）の記載から、甲第１号証には以下の発明が記載されていると認める。 「排ガス浄化用触媒担体等として用いることができるセラミックハニカム構造体を製造する方法であって、コージェライト粉末１００重量部に対しコロイダルシリカ粉末を固形分換算で１０重量部配合したコート材を、外周部の最外側に位置するセルが外部に開口することにより形成された軸方向に延びる凹溝を有する、リブ厚さ１５０μｍ、セル密度６２セル／ｃｍ2、外形寸法３００ｍｍ、全長３００ｍｍのセラミックハニカム本体の外周面に塗布し、９０℃で乾燥することにより、前記凹溝を充填する厚さ０．１～１ｍｍの外殻層を有するセラミックハニカム構造体を製造する方法。」（以下、「甲１発明」という。） イ．本件発明３と甲１発明との対比・判断 本件発明３と甲１発明とを対比すると、両者は「コロイダルシリカを原料として含む材料を用いる工程を有するハニカム構造体の製造方法。」である点で一致し、以下の相違点１、２で相違する。 相違点１：コロイダルシリカを原料として含む材料を用いる工程が、本件発明３は「四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程」であるのに対し、甲１発明は「ハニカム構造体の外周面に、コロイダルシリカを原料として含む外周コート材を塗布し、外部に開口した軸方向に延びる凹溝を充填するとともに外周面を覆い、前記外周面に外周壁を形成する外周壁形成工程」である点 相違点２：本件発明３は、接合工程を経て形成されたハニカム構造体を、６００℃～６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程を有し、前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるのに対し、甲１発明は、６００℃～６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程を有さず、ハニカム構造体の塩素濃度についても明らかでない点 上記相違点１、２について検討するに、甲第９号証には、コージェライト等のセラミックスからなる基材に触媒層を形成するための極性溶媒溶液を塗布し、加熱処理を加えた後に、水溶性貴金属化合物の水溶液に含浸し、乾燥後に焼成することにより、貴金属担持の排ガス浄化触媒を製造する方法が記載されており、極性溶媒溶液の塗布後の加熱処理を７００℃で、水溶性貴金属化合物水溶液の含浸後の焼成を６００℃で焼成を行った例が記載されていて、相違点２に関連する技術事項が開示されているといえるものの、相違点２に係る「加熱工程を経た加熱処理後のハニカム構造体」が「塩素濃度」「３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下である」点及び相違点１に係る「接合工程」の点については記載も示唆もない。 そうすると、甲１発明において、「外周壁形成工程」を「接合工程」に換え、「加熱処理後のハニカム構造体」の「塩素濃度」を「３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下」として、相違点１、２をすべて解消することは、当業者といえども容易なことではない。 甲第２号証には、セラミックス原料としてコーディエライトを用いた技術が記載されており、甲第３号証には、セラミック粒子としてのコージェライト粒子をコロイダルシリカ、セラミックファイバー、水と混合してコート材を調製し、外周コート機を使用して、セル構造体の外周面を囲繞するようにコート材を塗布し、外周コート層を形成し、乾燥することにより外壁を形成し、セラミックハニカム構造体を製造する技術が記載されており、甲第４号証には、シリカ等の比重について記載されており、甲第１１～１４号証には、セラミックハニカム基材の気孔率等について記載されているが、何れも甲１発明において相違点１、２を解消することを記載又は示唆するものではない。 よって、本件発明３は、甲第１号証に記載された発明及び甲第９号証に記載された技術事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ウ．小括 以上のとおりであるから、理由４及び理由５は何れも理由がない。 ４．取消理由通知で採用しなかった異議申立理由について （１）申立人の主張する申立理由について 申立人が特許異議申立書において主張する申立理由は、以下のとおりであると認められる。 申立理由１（取消理由通知で採用）：訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許は、特許法第２９条第１項に違反してされたものである。 申立理由２：訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証、甲第５～６号証、甲第７～１０号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許は、特許法第２９条第２項に違反してされたものである。 申立理由３：訂正前の請求項１～３に係る発明は、以下の（ア）～（エ）の点が発明の詳細な説明に記載されておらず、示唆もされていないから、訂正前の請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （ア）「塩素濃度が６０ｐｐｍ以下」との数値の点 （イ）ハニカム構造体の「塩素濃度」の上限を「６０ｐｐｍ以下」とすることにより「腐食がほとんどない」とすることの裏付けを実証する結果の点 （ウ）外周コート材又は接合材の塩素濃度が１５０ｐｐｍを超えるものを発明に含む点 （エ）（取消理由通知で採用）塩素濃度が０ｐｐｍのものを発明に含む点 申立理由４：訂正前の請求項１～３に係る発明は、以下の（ア）～（ウ）の点で明確でないから、訂正前の請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （ア）「塩素濃度が６０ｐｐｍ以下」が０ｐｐｍのものを含むのか不明である点 （イ）「乾燥後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下である」は、乾燥後の「ハニカム構造体」自体の塩素濃度の測定方法が不明である点 （ウ）（取消理由通知で採用）請求項１の「前記外周コート材の乾燥後の前記ハニカム構造体」及び請求項２の「前記接合材の乾燥後の前記ハニカム構造体」は、「乾燥後」の意味するところが不明である点 申立理由５：訂正前の請求項１、２に係る発明の「乾燥後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下である」が、加熱工程を経ない場合に、どのような乾燥条件であれば達成できるのかについて、当業者が発明の実施をすることができる程度に発明の詳細な説明に明確かつ十分に記載されていないから、訂正前の請求項１、２に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （２）取消理由通知で採用しなかった異議申立理由についての当審の判断 ア．申立理由２について 請求項１が訂正により削除されているから、理由はない。 イ．申立理由３について （ア）上記３．（１）で述べたとおりであり、理由はない。 （イ）本件明細書の【０００８】～【００１０】に、塩素濃度を抑え、排気系配管等の腐食が発生する可能性を抑えたハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法の提供がされていないことが課題であることと記載されているのだから、【００５４】に記載されているとおり、ハニカム構造体の塩素濃度が１００ｐｐｍ以下であれば、排気系配管等に使用した場合であっても塩素成分を原因とする腐食の虞がほとんどないことは技術常識から明らかである。そうすると、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であれば、「腐食がほとんどない」とすることの裏付けを実証する結果を示すまでもなく、本件発明の課題は解決されていることが当業者により認識できるといえるから、理由はない。 （ウ）訂正により、請求項１が削除され、請求項２は「乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である接合材を使用」することが特定されたから、理由はない。 ウ．申立理由４について （ア）訂正により、請求項１は削除され、請求項２は「塩素濃度が５ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下である」と特定され、請求項３は「塩素濃度が３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下である」と特定されたから、理由はない。 （イ）本件明細書の【００４４】に塩素濃度の測定方法についての記載があり、そこでの「測定対象の試料」を「ハニカム構造体」とすることにより、当業者の技術常識も考慮して測定が可能であるものと認められる。そして、明細書に明示されていない何らかの複数の測定条件が選択できて測定結果に有意な差が生じるという事情も認められない。よって、理由はない。 エ．申立理由５について 本件明細書の【００３３】から、塩素の由来となる塩酸を使用しない製造方法により、使用原料の一部として使用するコロイダルシリカの塩素濃度を低くできることが理解でき、更に、【００４６】には「外周コート材に使用するコロイダルシリカの塩素濃度を抑制することにより、外周コート材自体の塩素濃度を減少させること」が記載されていて、【００４２】の記載によれば、外周コート材は接合材に置き換えてほぼ同一の結果になるとされているから、ハニカム構造体の塩素濃度を６００℃以上の加熱処理をしていない状態でも、乾燥条件に依存することなく、乾燥後のハニカム構造体の塩素濃度を６０ｐｐｍ以下と低くできることは、当業者であれば十分に理解することができる。よって、理由はない。 第４　むすび 以上のとおり、本件請求項２、３に係る特許は、当審の通知した取消理由又は特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。さらに、他に本件請求項２、３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、本件請求項１は、訂正により削除されたため、同請求項に係る特許に対する特許異議の申立てについては、申立ての対象が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。