2018-005189

特願２０１４－　４７６５２「透明導電パターンの製造方法及び透明導電性シート」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　１日出願公開、特開２０１５－１７３０１０〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、平成２６年３月１１日に出願された特願２０１４－０４７６５２号であり、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２９年１０月３１日付け：拒絶理由通知書 平成２９年１２月２８日　　：意見書、手続補正書の提出 平成３０年１月１０日付け　：拒絶査定 平成３０年４月１６日　　　：審判請求書、手続補正書の提出 令和１年５月７日付け　　　：拒絶理由通知書 令和１年７月４日　　　　　：意見書、手続補正書（以下、この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）の提出 第２　本願発明 本願の請求項１ないし６に係る発明は、本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。 「　基材上に透明導電パターンを形成する透明導電パターンの製造方法であって、 前記基材の一方の主面上に、透明導電性材料を含むコーティング組成物を塗布して、パターン形成面に凹凸がない平滑な透明導電パターンを形成する工程と、 前記透明導電パターンの周囲に導電部を形成する工程と、 ＡＦＭ／電流同時測定により前記透明導電パターンの全体を可視化する工程と、 前記可視化した透明導電パターンの欠陥の有無を確認する工程とを含むことを特徴とする透明導電パターンの製造方法。」 第３　拒絶の理由 令和１年５月７日付けで当審が通知した拒絶理由のうちの理由１は、この出願の請求項１ないし６に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された周知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１：特開２００８－２７７０２２号公報 引用文献２：特開２０１０－０３４０３９号公報（周知技術を示す文献） 引用文献３：特開２０１２－０５４０７８号公報（周知技術を示す文献） 引用文献４：特開２０１０－２６３０６７号公報（周知技術を示す文献） 第４　引用文献の記載事項 １　引用文献１ 令和１年５月７日付けで当審が通知した拒絶理由で引用された特開２００８－２７７０２２号公報（以下「引用文献１」という。）には、「導電性フィルムのパターニング処理方法およびパターニングされた導電性フィルム」に関して、図面とともに、次の記載がある（下線は当審で付与した。）。 （１）「【００１１】 本発明の導電性フィルムのパターニング処理方法によれば、汎用溶剤であるイソプロピルアルコールを含有する処理剤を用いることによって容易に導電層のパターニングができるため、工業的に安全かつ安価にパターニングされた導電性フィルムが得られる。また、得られるパターニングされた導電性フィルムは、非不活性化部分の導電性は元のままで優れた特性を有しており、透明タッチパネル、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、電子ペーパー等の透明電極として特に好適に使用することができる。」 （２）「【００１２】 本発明で用いられる導電性フィルムを、まず図面を用いて説明する。図１は、本発明にかかる導電性フィルムの断面図、すなわち層構成の一例を示すものである。図１中、符号１は基材フィルム、符号２は導電層、符号３はアンカー層を示す。図１から分かるように、本発明にかかる導電性フィルムは、基材フィルムの少なくとも片面に特定の導電性高分子を主成分とする導電層を有するものである。このような構成を有するものであれば、他の機能層が本発明の目的を損なわない限りにおいて形成されていてもよく、例えばアンカー層（符号３）、アンカー層と基材フィルムとの間に易接着層（符号４）を設けてもよい。また、導電層を形成した面とは反対側に、易接着層、ハードコート層（符号５）を設けてもよい。」 （３）「【００１６】 〈導電層〉 本発明における導電層は、表面抵抗を下げられ、かつ透明性も具備する下記一般式 【化２】 で表される繰返し単位からなるポリカチオン状のポリチオフェン（以下、“ポリ（３，４－ジ置換チオフェン）”と称することがある）と、ポリアニオンとからなる導電性高分子を主たる構成成分として含む組成物から形成される。すなわち、この導電性高分子はポリ（３，４－ジ置換チオフェン）とポリアニオンとの複合化合物である。」 （４）「【００１９】 本発明における導電層を形成するためのコーティング組成物は、上述の導電性高分子を主成分として水に分散または溶解させた液を用いるが、必要に応じてポリエステル、ポリアクリル、ポリウレタン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラールなどの適当な有機高分子材料をバインダーとして添加することができる。」 （５）「【００２５】 また、かかる導電層を形成するための塗液を、基材フィルム面上または後述するアンカー層上に塗布する際には、必要に応じて、さらに密着性・塗工性を向上させるための予備処理として、基材フィルム面または後述するアンカー層表面にコロナ放電処理、プラズマ放電処理などの物理的表面処理を施しても構わない。表面処理を行った後の基材フィルム面またはアンカー層上の表面濡れ指数（表面張力）は５０ダイン／ｃｍ以上であることが好ましく、特に好ましくは６０ダイン／ｃｍ以上である。表面張力が５０ダイン／ｃｍ未満と低い場合には、濡れ性の改善効果が不十分となり、導電層の密着性・塗工性の改善効果が小さくなる。」 （６）「【００２７】 〈パターニング処理方法〉 本発明においては、上記導電層を有する導電性フィルムのパターニング処理を行うために、イソプロピルアルコール（２－プロパノール；以下ＩＰＡと表記することがある）を絶縁性を向上させたい部分に塗布し、次いで乾燥処理することによって該部分の表面抵抗を好ましくは１０４Ω／□以上、好ましくは１０６Ω／□以上、特に好ましくは１０１０Ω／□以上増加させる必要がある。かくすることにより、回路などが形成されたパターニングされた導電性フィルムを安全かつ低コストで容易に製造することができる。 【００２８】 なお、ＩＰＡによる前記導電性高分子からなる導電層の不活性化の理由については明らかになっていないが、他の溶剤、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトンなどのケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶剤、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール等のアルコール系溶剤、ヘキサン、デカン等の直鎖アルキル系溶剤、水等の各種溶剤については不活性化の効果が確認されていないことより、ＩＰＡのみの特異的な現象、例えば、ＩＰＡの前記導電性高分子に対する親和性が非常に強いために、導電層中に浸透することにより導電層中に形成されている導電性高分子の三次元ネットワーク構造が破壊され、導電性高分子鎖同士の距離が増大する結果、分子間の電子のホッピングが起こりにくくなって導電性の低下が起こるものと推定される。 【００２９】 本発明のＩＰＡを含有する処理液による上述のパターニング処理の方法は特には限定されず、従来公知のマスキング技術であるフォトレジストによるマスキング法により不活性化する部分以外をマスキングした後、非マスキング部分をＩＰＡ含有処理液で処理して不活性化し、次いでレジストを除去する方法、あるいは、スクリーン印刷やインクジェット印刷によって不活性化したい部分にＩＰＡ含有処理液を塗布する方法などがあげられる。」 （７）「【実施例】 【００６８】 以下、実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明する。なお、実施例中における各評価は下記の方法にしたがった。 （１）膜厚 反射分光膜厚計（大塚電子製、商品名「ＦＥ－３０００」）を用いて、試料導電性フィルムの導電層側の波長３００～８００ｎｍにおける反射率を測定した。 アンカー層の膜厚は、上述の反射スペクトルの干渉波形からピークバレー法を用いてフィッティングさせることにより算出した。 また導電層の膜厚は、上述の反射率測定値について代表的な屈折率の波長分散の近似式としてｎ－ｋ Ｃａｕｃｈｙの分散式を引用し、スペクトルの実測値とフィッティングさせることにより求めた。 （２）アンカー層表面の濡れ指数 ＪＩＳ Ｋ６７６８に準拠し、アンカー層表面に濡れ性標準試薬を塗布し、２秒以上撥水することなく濡れる最小の試薬番号をアンカー層表面の濡れ指数とした。 （３）全光線透過率 ＪＩＳ Ｋ７１５０にしたがい、スガ試験機（株）製のヘイズメーターＨＣＭ－２Ｂにて測定を行った。 （４）表面抵抗 三菱化学社製Ｌｏｒｅｓｔｅｒ ＭＣＰ－Ｔ６００を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠して測定した。測定は任意の箇所を５回測定し、それらの平均値とした。 （５）塗膜成分の分析 不活性化処理を行った部分の塗膜のＥＳＣＡ分析を行い、ポリチオフェン由来の硫黄元素のピークを検出することにより導電性高分子成分の存在を確認した。」 （８）「【００７６】 ＜導電層の形成＞ 導電性ポリマー：ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）０．５重量％とポリスチレンスルホン酸（分子量Ｍｎ＝１５０，０００）０.８重量％を含んでなるポリマーの水分散体（ＢａｙｔｒｏｎＰ：バイエルＡＧ製）９７部に対して３部のジエチレングリコール、０．５部のγ―グリシドキシトリメトキシシランを添加して調整した溶液を、マイヤーバーを用いて上記のアンカー層を設けた基材フィルム上に塗工し、１４０℃で１分間の乾燥を行い導電層を形成した。得られた導電層の厚みは０．０８μｍであった。 【００７７】 ＜不活性化処理によるパターニング＞ 上述のように作製した導電性フィルムを２０ｃｍ角の大きさに切り出し、中央部の表面抵抗を測定した後、スクリーン印刷法を用いて中央部の１０ｃｍ角の面積にＩＰＡを塗布し、１０分間室温にて乾燥させた。その後、処理部と未処理部の表面抵抗を測定した。また、処理部と未処理部のＥＳＣＡ分析を行い硫黄元素のピーク強度の比較を行い、処理部と未処理部で導電性高分子の検出量が変わらないことを確認した。」 （９）「【００８６】 【表１】 【００８７】 上記表１から、ＩＰＡで処理した部分の表面抵抗は著しく増大するのに対して、本発明外の溶剤で処理した部分の表面抵抗は殆ど変化しないことがわかる。すなわち、本発明の処理方法によれば、導電性フィルムにパターニング処理が容易にできることがわかる。」 ・上記（４）によれば、「導電層を形成するためのコーティング組成物」は、導電性高分子を主成分として水に分散または溶解させた液を用いるものである。また上記（５）によれば、導電層を形成するための塗液は、基材フィルム面上に塗布されるものであり、かつ上記（２）によれば、導電性フィルムは、基材フィルムの少なくとも片面に導電性高分子を主成分とする導電層を有するものであるから、「導電層を形成するためのコーティング組成物」は、「基材フィルムの少なくとも片面に塗布される」ものである。さらに上記（３）によれば、導電性高分子は、透明性を具備するものである。したがって、「基材フィルムの少なくとも片面に、透明性を具備する導電性高分子を主成分とするコーティング組成物を塗布して」、「導電層を形成」しているといえる。 ・上記（６）、（８）によれば、基材フィルム上に導電層を形成した後に、不活性化処理によるパターニングが行われる。また上記（６）によれば、導電層を有する導電性フィルムのパターニング処理方法は、フォトレジストによるマスキング法により導電層の不活性化する部分以外をマスキングした後、非マスキング部分をイソプロピルアルコールを含有する処理液で処理して不活性化し、次いでレジストを除去するものであり、かつ上記不活性化に伴い導電性の低下が起こるものである。さらに上記（１）によれば、導電性フィルムのパターニング処理方法によれば、導電層のパターニングができるのであるから、上記パターニング処理方法によってパターニングされた導電層が得られることになる。したがって、「導電層を形成し」た後に、「フォトレジストによるマスキング法により前記導電層の不活性化する部分以外をマスキングした後、非マスキング部分をイソプロピルアルコールを含有する処理液で処理して不活性化し、導電性を低下させ、レジストを除去し、パターニングされた導電層を得」ているといえる。 ・上記（６）、（８）によれば、導電層を形成し、パターニング処理を行うことにより、パターニングされた導電性フィルムを製造することができるものである。したがって、導電層を形成し、パターニング処理を行うことは、導電性フィルムの製造方法であるということができる。 そうすると、上記摘示事項および図面を総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 「　基材フィルムの少なくとも片面に、透明性を具備する導電性高分子を主成分とするコーティング組成物を塗布して導電層を形成し、 フォトレジストによるマスキング法により前記導電層の不活性化する部分以外をマスキングした後、 非マスキング部分をイソプロピルアルコールを含有する処理液で処理して不活性化し、導電性を低下させ、 レジストを除去し、パターニングされた導電層を得る、 導電性フィルムの製造方法。」 ２　引用文献２ 令和１年５月７日付けで当審が通知した拒絶理由で周知技術を示す文献として引用された特開２０１０－０３４０３９号公報（以下「引用文献２」という。）には、「導電成膜の製造方法、及び、導電成膜」に関して、図面とともに、次の記載がある（下線は当審で付与した。）。 （１）「【００７６】 焼成後の導電性膜について走査型プローブ顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）を用いて、表面形状像、電流像の観察を行った。カンチレバーは、セイコーインスツル社製のＳＩ－ＡＦ０１Ａを用いた。 測定条件 導電測定ＡＦＭホルダ（セイコーインスツル社製）を用いて測定した。焼成後のサンプルを約１ｃｍ角に切り出し、端部をドータイト銀ペーストで固定した。金コートした探針を用い、探針と基板の間にバイアス電圧１～５Ｖを印加して表面形状像と電流像の同時測定を行った。スキャン範囲は５０μｍ四方である。図１１に、ＡＦＭ測定装置の模式図を示す。図１１に示すように、ピエゾステージ３１上に試料ステージ３２を乗せ、その上に基板上に導電性膜を形成した試料３３を設置する。そして、金コート探針３４により試料３３の表面を走査しながら、試料の表面形状を観察した。また、銀ペースト３５により試料表面の導電性膜と試料ステージとを連結することにより、金コート探針３４と銀ペースト３５との間に１～５Ｖのバイアスを印加することによって、電流像を観察した。図１２に、ＡＦＭ測定によって、２００℃で１時間焼成を行った膜について、表面形状像（ａ）、電流像（ｂ）を示す。また、図１３に、ＡＦＭ測定によって、４００℃で３０分間焼成を行った膜について、表面形状像（ａ）、電流像（ｂ）を示す。 【００７７】 ２００℃で１時間の焼成を行った膜においては、図１２（ａ）の表面形状像から空孔部と網目状線部とが形成された膜であることを確認した。電流像からは、網目状線部に対応する部分で電流が流れていることが確認され、網目状線部により導電性のネットワークが形成されていることが確認された。 ４００℃で３０分間の焼成を行った膜においては、図１３（ａ）の表面形状像から空孔部と網目状線部とが形成された膜であることを確認したが、導電性物質の凝集等によって好適な状態で導電性のネットワークが形成されておらず、図１３（ｂ）の電流像からは、電流が流れていることを確認することができなかった。」 （２）「【図１２】 」 （３）「【図１３】 」 ３　引用文献３ 令和１年５月７日付けで当審が通知した拒絶理由で周知技術を示す文献として引用された特開２０１２－０５４０７８号公報（以下「引用文献３」という。）には、「透明異方導電性膜、及び、その製造方法」に関して、図面とともに、次の記載がある（下線は当審で付与した。）。 （１）「【００６９】 ＜焼成ラインパターンの導電性＞ 焼成ラインパターンについて、導電性の評価を行った。導電性の評価としては、まず導電性ＡＦＭ測定を以下のようにして行った。 導電性ＡＦＭ測定としては、走査型プローブ顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）を用いて、表面形状像、電流像の観察を行った。カンチレバーは、オリンパス社製のＯＭＣＬ－ＴＲ８００をオスミウムスパッタしたものを用いた。 測定条件： 導電測定ＡＦＭホルダ（セイコーインスツル社製）を用いて測定した。焼成後のサンプルを約１ｃｍ角に切り出し、端部をドータイト銀ペーストで固定した。オスミウムスパッタした探針を用い、探針と基板の間にバイアス電圧１０Ｖを印加して表面形状像と電流像の同時測定を行った。スキャン範囲は１００μｍ四方である。焼成ラインパターン（Ｙ－２－２）について、ＡＦＭ測定による表面形状像を図２３（ａ）に、電流像を図２３（ｂ）に示す。この結果から、作製した焼成ラインパターン（Ｙ－２－２）上を電流が流れていることが示された。」 （２）「【図２３】 」 ４　引用文献４ 令和１年５月７日付けで当審が通知した拒絶理由で周知技術を示す文献として引用された特開２０１０－２６３０６７号公報（以下「引用文献４」という。）には、「パターン電極の製造方法及びパターン電極」に関して、次の記載がある（下線は当審で付与した。）。 （１）「【００９６】 （導通性評価） 各透明導電性フィルムを電流測定可能なＡＦＭにより、表面の導通性を確認した。 【００９７】 電流測定可能なＡＦＭとして、エスアイアイナノテクノロジー社製Ｓ－Ｉｍａｇｅを用いて、銀ペーストにより試料と試料台との導通を確保し、感知レバー側にマイナス５Ｖの電圧を印加し、８０μｍ四方の範囲をスキャンして、その領域の電流像と形状像とを同時に測定した。 【００９８】 ○；少なくとも一部の金属ナノワイヤに対応した電流像が見られる ×；ほとんど電流が流れず、金属ナノワイヤに対応した電流像が見られない。」 第５　対比 そこで、本願発明と引用発明とを対比する。 （１）引用発明の「基材フィルムの少なくとも片面」は、本願発明の「基材の一方の主面上」に相当する。 （２）「透明性を具備する導電性高分子を主成分とするコーティング組成物」は、本願発明の「透明導電性材料を含むコーティング組成物」に相当する。 （３）引用発明の「導電層」は透明性を具備するものであるから、「パターニングされた導電層」も透明性を具備するものである。したがって、引用発明の「パターニングされた導電層」は、本願発明の「透明導電パターン」に相当する。 （４）引用発明の「導電性フィルム」は、基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも片面にパターニングされた導電層を有するものであるから、引用発明の「導電性フィルムの製造方法」は、パターニングされた導電層を製造する方法とも言い得るものである。また、引用発明の「導電層」は、「基材フィルムの少なくとも片面に形成される」ものであるから、「パターニングされた導電層」も「基材フィルムの少なくとも片面に形成される」ものである。したがって、引用発明の「導電性フィルムの製造方法」は、本願発明の「基材上に透明導電パターンを形成する透明導電パターンの製造方法」に相当する。ただし、本願発明は、「透明導電パターンの周囲に導電部を形成する工程と、ＡＦＭ／電流同時測定により前記透明導電パターンの全体を可視化する工程と、前記可視化した透明導電パターンの欠陥の有無を確認する工程を含む」のに対し、引用発明はそのような工程を含んでいない点で相違する。 （５）引用発明の「基材フィルムの少なくとも片面に、透明性を具備する導電性高分子を主成分とするコーティング組成物を塗布して導電層を形成し」、「フォトレジストによるマスキング法により前記導電層の不活性化する部分以外をマスキングした後」、「非マスキング部分をイソプロピルアルコールを含有する処理液で処理して不活性化し、導電性を低下させ」、「レジストを除去し、パターニングされた導電層を得る」ことは、本願発明の「前記基材の一方の主面上に、透明導電性材料を含むコーティング組成物を塗布して、パターン形成面に凹凸がない平滑な透明導電パターンを形成する工程」と、「前記基材の一方の主面上に、透明導電性材料を含むコーティング組成物を塗布して、透明導電パターンを形成する工程」である点で共通するといえる。ただし、本願発明は「パターン形成面に凹凸がない平滑な」透明導電パターンを形成するのに対し、引用発明ではその旨の特定がされていない点で相違する。 そうすると、本願発明と引用発明とは、 「　基材上に透明導電パターンを形成する透明導電パターンの製造方法であって、 前記基材の一方の主面上に、透明導電性材料を含むコーティング組成物を塗布して、透明導電パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする透明導電パターンの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１＞ 透明導電パターンについて、本願発明は「パターン形成面に凹凸がない平滑な」ものであるのに対し、引用発明ではその旨の特定がされていない点。 ＜相違点２＞ 本願発明は「透明導電パターンの周囲に導電部を形成する工程と、ＡＦＭ／電流同時測定により前記透明導電パターンの全体を可視化する工程と、前記可視化した透明導電パターンの欠陥の有無を確認する工程を含む」のに対し、引用発明はそのような工程を含んでいない点。 第６　判断 そこで、まず上記相違点１について検討する。 「パターン形成面に凹凸がない平滑な透明導電パターン」に関して、本願明細書には次の記載がある（下線は当審で付与した。）。 「【０００２】 液晶ディスプレイ、透明タッチパネル等の各種デバイスに用いられる透明電極には、スズ含有酸化インジウム（ＩＴＯ）等の酸化物系の導電性材料が多く使用されている。例えば、基材上にＩＴＯ膜を成膜し、ＩＴＯ膜を所望の形状にパターニングすることにより形成される導電パターンを透明電極として用いる。ＩＴＯ膜のパターニング方法としては、エッチング方式が主流となっているが、エッチング方式の問題点は、製造コストが高い点と、基材とＩＴＯ膜との屈折率差が大きいことにより、パターニングが見える点にある。また、ＩＴＯ膜は、スパッタリングを用いて成膜されるため、製造コストが高くなる。 【０００３】 そこで、導電性材料として、ＩＴＯに代えて、優れた安定性及び導電性を有するチオフェン系やアニリン系の高分子にドーパントを付加した導電性高分子が注目されている。 【０００４】 導電性高分子を導電性材料として用いた導電パターン形成方法としては、導電性高分子を含むコーティング組成物を用いて基材上に導電性膜を形成し、導電性膜の導電パターン形成位置以外の部分をエッチング液により溶解・除去することにより、残った導電性膜を導電パターンとする方法が知られている。しかし、この方法は、エッチング方式を利用するため、前述したような問題がある。 【０００５】 一方、エッチング方式を用いずに、導電性膜の導電パターン形成位置以外の部分の導電性を極端に下げる（抵抗を上げる）不活性化を行い、不活性化された部分（以下、非導電部という。）と不活性化されていない部分（以下、導電部という。）との表面抵抗値の差をつけることで、導電パターンを形成する方法も知られている。この方法の利点は、非導電部をエッチングにより除去する必要がないので、パターニングが見えない（骨見えがない）点と、導電パターン形成面に凹凸がないため、十分な硬度が得られる点にある。 【０００６】 ここで言う不活性化とは、導電性膜をある処理液（不活性化剤）に接触反応させることで、導電に関与する導電性高分子の二重結合を切断することにより、導電性高分子の導電性を失活させることをいう。」 そして、これらの記載を参酌すれば、エッチング方式を用いずに、導電性膜を不活性化剤である処理液に接触反応させて、導電性膜の導電パターン形成位置以外の部分の導電性を下げる不活性化を行い、不活性化された部分と不活性化されていない部分との表面抵抗値の差をつけることで、導電パターンを形成するという方法を用いれば、「パターン形成面に凹凸がない平滑な透明導電パターン」が得られるものと認められる。 そうすると、引用発明は、導電層の不活性化する部分以外をマスキングし、非マスキング部分の導電性高分子を処理液で処理して不活性化し、導電性を低下させることにより、パターニングされた導電層を得るものであるから、導電性膜の導電パターン形成位置以外の部分を溶解・除去するエッチング方式とは異なり、パターン形成面に凹凸がない平滑な導電パターンが得られることは明らかである。 してみれば、上記相違点１については、実質的な相違点とは認められない。 次に、上記相違点２について検討する。 引用文献１に、パターニング処理された導電性フィルムに対して処理部及び未処理部の表面抵抗を測定することにより、導電性フィルムにパターニング処理ができていることを確認することが記載されている（上記「第４　１」の（７）、（９）を参照。）ように、製造された導電パターンに対して導電性のチェックを行うことは、一般的に行われていることである。 ここで、製造された導電パターンに対して導電性のチェックを行うために、前記導電パターンの周囲に導電部を形成し、ＡＦＭ／電流同時測定により前記導電パターンを可視化し、可視化した前記導電パターンの導電性の有無を確認することは、例えば引用文献２（上記「第４　２」を参照。）、引用文献３（上記「第４　３」を参照。）、引用文献４（上記「第４　４」を参照。）にあるように周知の技術である。 すなわち、引用文献２には、焼成後の導電性膜について、切り出した焼成後のサンプルの端部を銀ペーストで固定し（「導電パターンの周囲に導電部を形成し」に相当。）、ＡＦＭを用いて表面形状像と電流像の同時測定を行い（「ＡＦＭ／電流同時測定により導電パターンを可視化し」に相当。）、２００℃で１時間焼成を行った膜については、電流像から網目状線部に対応する部分で電流が流れており、網目状線部により導電性のネットワークが形成されていることを確認でき、４００℃で３０分間の焼成を行った膜については、電流像から電流が流れていることを確認できなかった（「可視化した導電パターンの導電性の有無を確認する」に相当。）ことが記載されており、また引用文献３には、焼成ラインパターンについて、導電性の評価を行うために、切り出した焼成後のサンプルの端部を銀ペーストで固定し（「導電パターンの周囲に導電部を形成し」に相当。）、ＡＦＭを用いて表面形状像と電流像の同時測定を行い（「ＡＦＭ／電流同時測定により導電パターンを可視化し」に相当。）、作成した焼成ラインパターン上を電流が流れていることを確認した（「可視化した導電パターンの導電性の有無を確認する」に相当。）ことが記載されており、さらに引用文献４には、各透明導電性フィルムの導通性を評価するために、銀ペーストにより試料と試料台との導通を確保し（「導電パターンの周囲に導電部を形成し」に相当。）、ＡＦＭにより電流像と形状像とを同時に測定し（「ＡＦＭ／電流同時測定により導電パターンを可視化し」に相当。）、金属ナノワイヤに対応した電流像が見られること、又は金属ナノワイヤに対応した電流像が見られないことを確認した（「可視化した導電パターンの導電性の有無を確認する」に相当。）ことが記載されている。 したがって、引用発明において、製造された導電パターンに対して導電性のチェックを行うために、引用文献２ないし４に記載された周知技術を採用し、透明導電パターンの周囲に導電部を形成する工程と、ＡＦＭ／電流同時測定により前記透明導電パターンを可視化する工程と、前記可視化した透明導電の導電性の有無を確認する工程を含むようにすることは、当業者が容易になし得たことである。 また、引用発明において、製造された透明導電パターンに対して導電性のチェックを行うにあたり、具体的にどの範囲をチェックするかは、当業者が適宜選択し得る範囲内のことである。例えば透明導電パターンに問題がないことを確実にチェックするために、透明導電パターンの全体について導電性のチェックを行うことに、格別の困難性はない。したがって、引用発明において、上記周知技術を採用し、ＡＦＭ／電流同時測定により透明導電パターンを可視化するに際し、透明導電パターンの全体を可視化することは、当業者が適宜なし得たことである。 さらに、引用発明において、上記周知技術により導電性のチェックを行うにあたり、上記周知技術は、電流の流れに基づいて導電パターンを可視化しているのであるから、可視化した導電パターンにより欠陥の有無を確認し得るのは明らかであり、可視化した透明導電パターンの欠陥の有無を確認する工程を含むようにすることは、当業者が当然になし得たことである。 なお、審判請求人は、令和１年７月４日に提出された意見書において、「導電部と非導電部との表面抵抗値の差が一定以上あるか否かの導電パターンの電気特性の評価を目的とする引用文献１に、導電部と非導電部との表面抵抗値の差が一定以上あるか否かの導電パターンの電気特性の評価ができない引用文献２～４に記載の技術を採用しても、引用文献１の目的を達成できません。よって、引用文献１及び引用文献２～４に接した当業者は、引用文献１に引用文献２～４の技術を組み合わせることは決してありません。」と主張している（下線は当審で付与した。）。 しかしながら、引用文献１に記載された「パターニング処理された導電性フィルムに対して処理部及び未処理部の表面抵抗を測定することにより、導電性フィルムにパターニング処理ができていることを確認する」という技術は、「導電性のチェック」の一例を示すものであり、引用文献２ないし４に記載された「ＡＦＭ／電流同時測定により導電パターンを可視化し、可視化した前記導電パターンの導電性の有無を確認する」という周知技術も、「導電性のチェック」の一例を示すものである。そして、製造された物に対する性能のチェックを行うにあたり、複数の項目に対してチェックを行うことは一般的に行われていることであるから、引用発明において、「パターニング処理された導電性フィルムに対して処理部及び未処理部の表面抵抗を測定することにより、導電性フィルムにパターニング処理ができていることを確認する」という導電性のチェックに加えて、上記周知の「ＡＦＭ／電流同時測定により導電パターンを可視化し、可視化した前記導電パターンの導電性の有無を確認する」という導電性のチェックも行うことに、格別の困難性はない。そして、引用文献１に記載された「パターニング処理された導電性フィルムに対して処理部及び未処理部の表面抵抗を測定することにより、導電性フィルムにパターニング処理ができていることを確認する」という技術と、上記周知の「ＡＦＭ／電流同時測定により導電パターンを可視化し、可視化した前記導電パターンの導電性の有無を確認する」という技術とを併用した場合、引用文献１の目的を達成できないことにはならない。 よって、審判請求人の上記主張を採用することができない。 そして、本願発明の作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第７　むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。