2017-003916

特願２０１２－１１４５６０「金属－セラミック基板を金属体に接合する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２０日出願公開、特開２０１２－２５０２８４〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本件出願は、平成２４年５月１８日（パリ条約による優先権主張２０１１年（平成２３年）５月３１日、ドイツ連邦共和国）の出願であって、平成２８年１月１４日付けで拒絶の理由が通知され、同年６月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１１月１８日付けで拒絶の査定がなされた。 これに対し、上記拒絶の査定を不服として平成２９年３月１７日に審判の請求がなされると同時に手続補正書が提出された。 第２　平成２９年３月１７日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 平成２９年３月１７日にされた手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。 ［理由］ １　補正の内容 （１）本件補正後の特許請求の範囲 本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線は補正箇所を示す）。 「　【請求項１】 少なくとも１つの面上にメタライゼーションを有する金属－セラミック基板を、金属合金によって金属体に接合する方法であって、 （ａ）厚みが１ｍｍ未満である金属体を使用し、 （ｂ）（ｂ－１）アルミニウムを含み、（ｂ－２）液相温度が４５０℃より高い金属合金の層を、金属－セラミック基板と金属体との間に配置し、 前記金属合金の層が、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合され、 （ｃ）ステップ（ｂ）が提供するアセンブリは金属－セラミック基板、金属合金、および金属体を含み、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合されており、前記アセンブリは炉に導入され、４５０℃より高い温度に加熱され、不活性ガス雰囲気下でセラミック基板と金属体が接合されることを特徴とする、方法。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の、平成２８年６月１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。 「　【請求項１】 少なくとも１つの面上にメタライゼーションを有する金属－セラミック基板を、金属合金によって金属体に接合する方法であって、 （ａ）厚みが１ｍｍ未満である金属体を使用し、 （ｂ）（ｂ－１）アルミニウムを含み、（ｂ－２）液相温度が４５０℃より高い金属合金の層を、金属－セラミック基板と金属体との間に配置し、 前記金属合金の層が、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合され、または、結合される金属－セラミック基板の面と金属体との間の揚げ板として置かれ、 （ｃ）ステップ（ｂ）が提供する配置を４５０℃より高い温度に加熱することを特徴とする、方法。」 ２　補正の適否 （１）新規事項・目的要件 本件補正の、特許請求の範囲の請求項１について、「または、結合される金属－セラミック基板の面と金属体との間の揚げ板として置かれ」という記載を削除した点は、請求項１に係る発明の「金属合金の層」についての択一的記載の要素の削除であり、また、「アセンブリは金属－セラミック基板、金属合金、および金属体を含み、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合されており、前記アセンブリは炉に導入され」という記載及び「不活性ガス雰囲気下でセラミック基板と金属体が接合される」という記載を付加した点は、請求項１に係る発明の「金属合金の層」が、「金属－セラミック基板、金属合金、および金属体を含み、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合されて」いる「アセンブリ」であるとの限定を付加するとともに、「前記アセンブリは炉に導入され」「不活性ガス雰囲気下でセラミック基板と金属体が接合される」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、本件補正は、本願明細書の記載からみて新規事項を追加するものではないことも明らかである。 （２）独立特許要件 次に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という）が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか、つまり、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、について検討する。 ア　引用文献及びその記載事項 （ア）引用文献１ 本件優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由で引用された特開平１０－２７０５９６号公報（以下「引用文献１」という）には、次の事項が記載されている（下線は理解の便のため当審で付した）。 ａ　「【０００９】 【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を図面に基づいて詳しく説明する。 (a) 構造体 図１及び図５に示すように、構造体１４，２４はセラミック基板１３，２３の両面に第１及び第２アルミニウム１１，１２板又は第１及び第２銅板２１，２２がそれぞれ積層接着されて構成され、セラミック基板１３，２３はＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4又はＡｌ2Ｏ3により形成される。図１に示すように、セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着するには、第１アルミニウム板１１の上にＡｌ－Ｓｉ系ろう材（図示せず）、セラミック基板１３、Ａｌ－Ｓｉ系ろう材（図示せず）及び第２アルミニウム板１２を重ねた状態で、これらに荷重０．５～５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で６００～６３０℃に加熱することにより行われる。積層接着後、第２アルミニウム板１２はエッチングにより所定のパターンの回路となる。Ａｌ－Ｓｉ系ろう材は９０～９５重量％のＡｌと５～１０重量％のＳｉとの合金が好ましい。図５に示すように、セラミック基板２３の両面に第１及び第２銅板２１，２２を積層接着するには、第１銅板２１の上にセラミック基板１３及び第２銅板２２を重ねた状態で、これらに荷重０．５～２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、Ｎ2雰囲気中で１０６５～１０７５℃に加熱するＤＢＣ（Direct Bond Copper）法により作られ、構造体２４の第２銅板２２はエッチンクにより所定のパターンの回路となる。 【００１０】(b) ヒートシンク ヒートシンク１６はＣｕ、Ａｌ又はＡｌＳｉＣ系複合材料により形成される。ヒートシンクがＡｌＳｉＣ系複合材料である場合には、ＳｉＣの焼成前の粉体を加圧した状態で、この粉体間の隙間にＡｌ合金を流込むことによりＡｌＳｉＣ系複合材料が形成される。 【００１１】(c) アルミニウム箔 アルミニウム箔１７は純度９９重量％以上のアルミニウム箔であって、図２に示すように、両面にＡｌ融点降下層１７ａ，１７ａが形成される。アルミニウム箔１７は５～５００μｍの厚さを有し、Ａｌ融点降下層１７ａにはＡｌ－Ｓｉ合金層、Ａｌ－Ｃｕ合金層、Ａｌ－Ｍｇ合金層、Ａｌ－Ｎｉ合金層、Ａｌ－Ａｇ合金層又はＡｌ－Ｃｅ合金層が挙げられる。なお、Ａｌ融点降下層１７ａのアルミニウム箔１７への形成は図２に示すようにＡｌ融点降下層１７ａをアルミニウム箔１７にコーティングして形成してもよく、図３に示すように、微粒子形状のＡｌ融点降下層１７ａをアルミニウム箔１７に蒸着等により形成しても良い。 【００１２】(d) ヒートシンクの第１アルミニウム板又は第１銅板への接合 図４に示すように、ヒートシンク１６の上に第１アルミニウム板１１又は第２銅板２１を下側にした構造体１４，２４を重ね、これらに荷重３ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で５２０～５７０℃に加熱保持することにより、アルミニウム箔の両側に形成されたＡｌ融点降下層１７ａ中のＡｌ合金が溶融してアルミニウム箔１７を介してヒートシンク１６が構造体１４，２４に接合される。なお、第１アルミニウム板１１又は第１銅板２１をエッチングにより所定のパターンの回路とし、第２アルミニウム板１２又は第２銅板２２にアルミニウム箔１７を介してヒートシンク１６を接合してもよい。」 ｂ　「【００１９】次に、この構造体とともに縦、横及び厚さがそれぞれ７０ｍｍ、７０ｍｍ及び２．０ｍｍのＡｌにより形成されたヒートシンクと、・・・」 ｃ　「【００２１】次に、この構造体とともに縦、横及び厚さがそれぞれ７０ｍｍ、７０ｍｍ及び２ｍｍのＣｕにより形成されたヒートシンクと、・・・」 ｄ　引用文献１に記載された発明 上記摘記事項ａ～ｃを、技術常識を踏まえて整理すると、引用文献１には以下の発明が記載されていると認められる。 「セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２又は第１及び第２銅板２１，２２を積層接着した構造体１４を、両面にＡｌ融点降下層１７ａが形成されたアルミニウム箔１７によって、Ａｌ又はＣｕにより形成されたヒートシンク１６に接合する方法であって、 厚さ２．０ｍｍの前記ヒートシンク１６を使用し、 前記アルミニウム箔１７を、前記構造体１４と前記ヒートシンク１６との間に配置し、 前記アルミニウム箔１７が、前記構造体１４と前記ヒートシンク１６との間に介され、 前記ヒートシンク１６の上に前記アルミニウム箔１７を介して前記構造体１４を重ねて、これらに荷重を加え、真空中で５２０～５７０℃に加熱保持することにより前記構造体１４と前記ヒートシンク１６が接合される方法。」（以下「引用発明」という） （イ）引用文献２ 本件優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由で引用された特開２００７－２８１４９８号公報（以下「引用文献２」という）には、次の事項が記載されている（下線は理解の便のため当審で付した）。 ａ　「【００４０】 図３に示すように、従来の絶縁回路基板は回路板１、セラミックス板２および放熱板５の積層体を活性金属やＡｌ合金系のろう材６を用いて接合したものである。この場合も、セラミックス板２に発生する最大の残留主応力は、回路板の形状の影響を受ける回路板分離部１００で生じる。」 ｂ　「【００４５】 従って、従来構造の絶縁回路基板においては、回路板１および放熱板５の素材としてＣｕやＣｕ合金を用いたＣｕ回路板、ＡｌやＡｌ合金を用いたＡｌ回路板を適用したときの回路板２／放熱板５の限界の肉厚は、セラミックス板２が窒化ケイ素であるときは、それぞれ０．４ｍｍ／０．３ｍｍ，０．６ｍｍ／０．４ｍｍであった。」 （ウ）引用文献３ 本件優先日前に頒布された特開２００５－２５２１２２号公報（以下「引用文献３」という）には、次の事項が記載されている（下線は理解の便のため当審で付した）。 ａ　「【００１９】 １又は複数枚のセラミックグリーンシートには、例えば、枠体状になるように中空部を打ち抜き加工すると共に、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる金属導体ペーストを用いて、セラミック基板１０の下面側が一方の主面、上面側が他方の主面となるようにスクリーン印刷してそれぞれろう付け接合用の導体パターンを形成する。また、セラミックグリーンシートが複数枚の場合には、積層して積層体の一方の主面、及び他方の主面が導体パターンとなるようにスクリーン印刷して形成する。そして、図３（Ａ）に示すように、導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートは、高融点金属とセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で同時焼成して両表面にメタライズ膜１２、１２ａを有するセラミック基板１０を作製する。なお、一方の主面のメタライズ膜１２は、ヒートシンク板１１とろう付け接合するために、例えば、枠体状の下面全周面に形成されており、他方の主面のメタライズ膜１２ａは、外部接続端子１８とろう付け接合するために、例えば、枠体状の上面周面に部分的に形成されている。更に、セラミック基板１０のメタライズ膜１２、１２ａの表面には、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ－Ｃｏ等のＮｉ合金等からなるＮｉめっき被膜１３、１３ａが電解めっき法や、無電解めっき法で形成される。そして、更に、図３（Ｂ）に示すように、ヒートシンク板１１とろう付け接合されるセラミック基板１０のメタライズ膜１２のＮｉめっき被膜１２の上面には、例えば、ＢＡｇ－８等からなるＡｇ－Ｃｕ系ろう材が載置され、非酸化性雰囲気中、約７８０～９００℃で加熱してＡｇ－Ｃｕ系ろう材を溶融し、Ｎｉめっき被膜１２の上面に付着させてＡｇ－Ｃｕ系ろう膜１４を設けることでセラミック基板１０を作製している。」 ｂ　「【００２２】 次いで、ヒートシンク板１１と、セラミック基板１０、及び外部接続端子１８をろう付け接合して形成する接合体の作製方法を説明する。図３（Ｃ）に示すように、先ず、接合体を形成するためには、ヒートシンク板１１の平面形状からなる一方の主面の中央部に、セラミック基板１０の下面側である一方の主面に形成されたＡｇ－Ｃｕ系ろう膜１４を当接させて載置し、非酸化性雰囲気中、約７８０～９００℃で加熱してＡｇ－Ｃｕ系ろう膜１４を再溶融してヒートシンク板１１の一方の主面との間にＡｇ－Ｃｕ系ろう層１７を設けてセラミック基板１０をろう付け接合している。このろう付け接合においては、予め溶融付着していたＡｇ－Ｃｕ系ろう膜１４がＡｇ－Ｃｕろう材中のＡｇの比率の上昇によるＡｇ－Ｃｕ系ろう材再溶融時の融点を上昇させるので、キャビティ部１６へのろう材流れ２１を小さくさせている。次に、セラミック基板１０の上面側である他方の主面に、例えば、ＢＡｇ－８等のＡｇ－Ｃｕ系ろう材を介して外部接続端子１８の先端部の下面側を当接させて載置し、非酸化性雰囲気中、約７８０～９００℃で加熱してＡｇ－Ｃｕ系ろう材を溶融してセラミック基板１０と外部接続端子１８との間にＡｇ－Ｃｕ系ろう層１７ａを設けてろう付け接合している。接合体は、このヒートシンク板１１と、セラミック基板１０の接合、及びセラミック基板１０と、外部接続端子１８のろう付け接合によって形成されている。なお、この接合体の形成は、ヒートシンク板１１と、セラミック基板１０の接合、及びセラミック基板１０と、外部接続端子１８の接合を同時に行って形成することもできる。次に、接合体の外表面に露出する全金属表面上には、例えば、Ｎｉや、Ｎｉ－Ｃｏ等のＮｉ合金等からなるＮｉめっき被膜が施され、更に、このＮｉめっき被膜上にＡｕめっき被膜が施される。上記のようにして形成された接合体は、例えば、高周波用等の半導体素子１５を実装するために、枠体状のセラミック基板１０の開口部とヒートシンク板１１の一方の主面とで形成されているキャビティ部１６を有し、ヒートシンク板１１の他方の主面が放熱用の基台に当接できる半導体素子収納用パッケージ２０として形成されている。」 （エ）引用文献４ 本件優先日前に頒布された実願平８－２９２９号（実開平８－１６４４号）のＣＤ－ＲＯＭ（以下「引用文献４」という）には、次の事項が記載されている（下線は理解の便のため当審で付した）。 ａ　「【０００５】 この考案は、上記知見にもとづいてなされたものであって、第１図に概略説明図で示されるように、Ａｌ－Ｓｉ系合金またはＡｌ－Ｇｅ系合金ろう材ＤをＡｌまたはＡｌ合金からなるヒートシンク板材Ａの片面にクラッドしたろう付け板材を用意し、さらに、Ａｌ－Ｓｉ系合金またはＡｌ－Ｇｅ系合金ろう材ＤをＡｌまたはＡｌ合金からなる回路形成用薄板材Ｂの片面にクラッドしたろう付け板材を用意し、これらろう付け板材のろう材側が酸化アルミニウム焼結体からなる絶縁材Ｃに接するように積層して積層体を製造し、この積層体をろう材溶融温度に加熱して積層接合体を製造し、ついで前記回路形成用薄板材Ｂの表面の所定部分または全面にＣｕまたはＮｉメッキ層を形成してなる半導体装置用軽量基板に特徴を有するものである。」 （オ）引用文献５ 本件優先日前に頒布された特開２００１－４４３４５号公報（以下「引用文献５」という）には、次の事項が記載されている（下線は理解の便のため当審で付した）。 ａ　「【００３４】本発明の基板一体型構造体においては、窒化アルミニウム基板の一方の面にＡｌ回路が形成され、他方の反対面にはアルミニウム板を介して、若しくは介さずに、ベース板やヒートシンクなどの放熱部品が接合される。上記のＡｌ－Ｍｇ－Ｃｕ系合金、Ａｌ－Ｍｇ－Ｇｅ系合金或いはＡｌ－Ｍｇ－Ｓｉ系合金の組成と、Ａｌ／ＳｉＣ複合材に用いるＡｌを主成分とする金属の組成を適宜選択することにより、アルミニウムからなる回路パターン又は放熱用アルミニウム板と、Ａｌ／ＳｉＣ複合材からなる放熱部品とを、同時に窒化アルミニウム基板の表裏面に接合することができる。この場合、Ａｌ－Ｍｇ－Ｃｕ系合金、Ａｌ－Ｍｇ－Ｇｅ系合金或いはＡｌ－Ｍｇ－Ｓｉ系合金の接合材は、窒化アルミニウム基板とアルミニウム回路パターン、或いはアルミニウム回路形成用のアルミニウム板との間に積層介在させるが、あらかじめアルミニウム板と接合用合金をクラッドしておくと一層使用しやすく、好ましい。」 ｂ　「【００３６】本発明の基板一体型構造体は、Ｍｇを含有する液相温度が５００～６３０℃のＡｌ合金を接合材に用いることによって、その生産性を著しく高めることができる。その理由の一つは、接合が真空炉に限定されないことである。真空炉は元来高価なうえ、連続化が難しく、またバッチ炉では容積効率が悪い。大型炉にすると温度分布が生じ易く、高収率での生産は望めない。これに対し、従来のＡｌ－Ｓｉ系やＡｌ－Ｇｅ系合金の接合材のかわりに、Ａｌ－Ｍｇ－Ｃｕ系合金やＡｌ－Ｍｇ－Ｇｅ系合金を始めとする、Ｍｇを含有する液相温度が５００～６３０℃のＡｌ合金をを用いると、真空下でなくとも、Ｎ２、Ｈ２、不活性ガス及びこれらの混合ガスの低酸素雰囲気下で接合することができるので、炉構造が簡単になり、連続化も容易となる。更に、連続化によって、温度分布等の製品のバラツキ要因を低減させることができ、歩留まりよく、品質の安定した製品を製造することができるという効果を達することができる。」 ｃ　「【００４４】（３）一体型構造体の作製 表２に示される接合材と、前記の窒化アルミニウム基板、放熱部品及びＡｌ回路とを、図１のように積層した。これを炉外から油圧式の一軸加圧装置でカーボン製の押し棒を介して窒化アルミニウム基板面と垂直方向に加圧しながら加熱を行い、接合した。接合条件は、表３に示すとおりであり、４×１０-3Ｐａの真空中（バッチ炉）又はＮ2ガス中（連続炉）で行った。なお、比較例１では、窒化アルミニウム基板の表裏面にＡｌ板（厚み０．４ｍｍ）を接合した後、共晶半田で放熱部品に接合した。」 イ　対比 本件補正発明と引用発明とを対比する。 引用発明の「セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２又は第１及び第２銅板２１，２２を積層接着した構造体１４」は、本件補正発明の「少なくとも１つの面上にメタライゼーションを有する金属－セラミック基板」に相当し、同様に、「両面にＡｌ融点降下層１７ａが形成されたアルミニウム箔１７」は「金属合金」に、「Ａｌ又はＣｕにより形成されたヒートシンク１６」は「金属体」に、それぞれ相当することは明らかである。 引用発明の「厚さ２．０ｍｍの前記ヒートシンク１６を使用し」た点は、本件補正発明の「（ａ）厚みが１ｍｍ未満である金属体を使用し」た点とは、「（ａ）金属体を使用し」た点までは一致する。 また、引用発明の「Ａｌ融点降下層１７ａ」が、Ａｌが主成分のＡｌ系合金であり、その液相温度が４５０℃より高いことも、当業者には自明の事項であることを勘案すれば、引用発明の「前記アルミニウム箔１７を、前記構造体１４と前記ヒートシンク１６との間に配置し、前記アルミニウム箔１７が、前記構造体１４と前記ヒートシンク１６との間に介され」ている点は、本件補正発明の「（ｂ）（ｂ－１）アルミニウムを含み、（ｂ－２）液相温度が４５０℃より高い金属合金の層を、金属－セラミック基板と金属体との間に配置し、前記金属合金の層が、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合され」ている点とは、「（ｂ）（ｂ－１）アルミニウムを含み、（ｂ－２）液相温度が４５０℃より高い金属合金の層を、金属－セラミック基板と金属体との間に配置し」ている点までは一致する。 さらに、引用発明の「前記ヒートシンク１６の上に前記アルミニウム箔１７を介して前記構造体１４を重ねて」配置したものは、本件補正発明の「金属－セラミック基板、金属合金、および金属体を含」む「アセンブリ」に相当し、引用発明の「これらに荷重を加え、真空中で５２０～５７０℃に加熱保持する」点が、本件補正発明の「前記アセンブリは炉に導入され、４５０℃より高い温度に加熱され」る点に相当することも、当業者には自明である。 そうすると、引用発明の「前記ヒートシンク１６の上に前記アルミニウム箔１７を介して前記構造体１４を重ねて、これらに荷重を加え、真空中で５２０～５７０℃に加熱保持することにより前記構造体１４と前記ヒートシンク１６が接合される」点と、本件補正発明の「（ｃ）ステップ（ｂ）が提供するアセンブリは金属－セラミック基板、金属合金、および金属体を含み、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合されており、前記アセンブリは炉に導入され、４５０℃より高い温度に加熱され、不活性ガス雰囲気下でセラミック基板と金属体が接合される」点とは、「（ｃ）ステップ（ｂ）が提供するアセンブリは金属－セラミック基板、金属合金、および金属体を含み、前記アセンブリは炉に導入され、４５０℃より高い温度に加熱され、セラミック基板と金属体が接合される」点までは一致する。 以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「少なくとも１つの面上にメタライゼーションを有する金属－セラミック基板を、金属合金によって金属体に接合する方法であって、 （ａ）金属体を使用し、 （ｂ）（ｂ－１）アルミニウムを含み、（ｂ－２）液相温度が４５０℃より高い金属合金の層を、金属－セラミック基板と金属体との間に配置し、 （ｃ）ステップ（ｂ）が提供するアセンブリは金属－セラミック基板、金属合金、および金属体を含み、前記アセンブリは炉に導入され、４５０℃より高い温度に加熱され、セラミック基板と金属体が接合される、方法。」 ＜相違点１＞ 本件補正発明の金属体が「厚みが１ｍｍ未満である」のに対し、引用発明のヒートシンク１６は「厚さ２．０ｍｍ」である点。 ＜相違点２＞ 本件補正発明では「金属合金の層が、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合され」ているのに対し、引用発明では「アルミニウム箔１７が、前記構造体１４と前記ヒートシンク１６との間に介され」てはいるが、堅固に結合されてはいない点。 ＜相違点３＞ 接合を行うのが、本件補正発明では「不活性ガス雰囲気下」であるのに対し、引用発明では「真空中」である点。 ウ　判断 （ア）相違点１について 引用文献２に、従来構造の絶縁回路基板において、放熱板５の限界の肉厚が０．３ｍｍ、０．４ｍｍであることが示されているように、回路基板の熱伝導用の金属体の厚みを１ｍｍ未満とすることは、従来周知の事項にすぎないものである。 そして、引用発明のヒートシンク１６において、セラミック回路基板からの熱伝導を勘案しながら、必要に応じて従来周知の事項を適用し、ヒートシンク１６の厚みとして１ｍｍ未満のものを採用することは、当業者であれば適宜成し得る設計変更程度の事項である。 （イ）相違点２について 半導体用基板とヒートシンク用金属板とのろう付け接合を行う際に、ろう付け材を基板又は金属板のどちらかに予め固定しておく技術は、引用文献３（ヒートシンク板１１とろう付け接合されるセラミック基板１０のメタライズ膜１２のＮｉめっき被膜１２の上面にＡｇ－Ｃｕ系ろう材を溶融付着させている点を参照）や、引用文献４（Ａｌ系合金ろう材ＤをＡｌからなるヒートシンク板材Ａの片面にクラッドしたろう付け板材を酸化アルミニウム焼結体からなる絶縁材Ｃに接合する点を参照）にも示されているように、従来周知の事項にすぎないものである。 そして、２枚の板材のろう付け接合を行う場合、ろう付け材の配置構造は、２枚の板材の片方又は両方に固定しておくか、２枚の板材に固定せずに挟むかのどれかであって、このような配置構造は必要に応じて適宜選択される構造にすぎないから、引用発明のセラミック回路基板と金属のヒートシンクとのろう付け接合を行うに際し、ろう付け材の配置構造に引用文献３、４に記載された従来周知の事項を選択して、相違点２に係る本件補正発明の構成とすることが、当業者にとって困難性があるものとは認められない。 （ウ）相違点３について 炉中で行う金属材料のろう付けに際して、炉中の雰囲気を窒素等の不活性ガス雰囲気とすることは、真空下で行うのと同様に一般的に周知の方法にすぎず、基板とヒートシンクとのＡｌ系合金ろう付け材による接合においても、真空又は不活性ガス雰囲気で行われることは、引用文献５に示されているように従来周知の事項であるから、引用発明のろう付け接合において不活性ガス雰囲気下とすることも、当業者が適宜選択することが可能であって、格別困難な事項とは認められない。 （エ）効果について 上記の相違点１ないし３を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する効果は、引用発明及び引用文献２ないし５に記載された従来周知の事項の奏する効果から、予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 エ　小結 したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２ないし５に記載された従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 （３）補正の適否についてのむすび 本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３　本件出願について １　本願発明 本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１ないし１２に係る発明は、平成２８年６月１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、上記第２の１（２）に記載されたとおりのものである。 ２　原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし１２に係る発明は、優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１：特開平１０－２７０５９６号公報 引用文献２：特開２００７－２８１４９８号公報 ３　引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及び２の記載事項は、上記第２の２（２）ア（ア）及び（イ）に記載したとおりである。 ４　当審の判断 本願発明は、上記第２の２で検討した本件補正発明について、「金属合金の層」が、「金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合され」るだけでなく、択一的に、「結合される金属－セラミック基板の面と金属体との間の揚げ板として置かれ」る構成も含まれるとともに、「ステップ（ｂ）が提供するアセンブリ」が「金属－セラミック基板、金属合金、および金属体を含み、金属－セラミック基板および金属体の少なくとも１つに堅固に結合されており、前記アセンブリは炉に導入され、不活性ガス雰囲気下でセラミック基板と金属体が接合される」という限定事項を削除したものである。 そして、本願発明の「金属合金の層」が、「結合される金属－セラミック基板の面と金属体との間の揚げ板として置かれ」る構成は、引用発明が、「前記ヒートシンク１６の上に前記アルミニウム箔１７を介して前記構造体１４を重ねて」いる構成であって、当該アルミニウム箔１７は、結合される構造体１４とヒートシンク１６との間の揚げ板として置かれていることになると考えられるから、本願発明と引用発明とで構成は相違しないものと認められる。 また、本願発明には、本件補正発明の発明特定事項で限定された「不活性ガス雰囲気下でセラミック基板と金属体が接合される」点は含まれておらず、当該点での相違点は存在しない。 そうすると、本願発明と引用発明とを対比すると、以下の点でのみ相違し、その余の点では一致するものと認められる。 ＜相違点４＞ 本願発明の金属体が「厚みが１ｍｍ未満である」のに対し、引用発明のヒートシンク１６は「厚さ２．０ｍｍ」である点。 上記相違点４は、本件補正発明と引用発明との上記相違点１と同じである。 そうすると、上記第２の２（２）ウ（ア）で検討したのと同様に、引用発明のヒートシンク１６において、セラミック回路基板からの熱伝導を勘案しながら、必要に応じて引用文献２にも示された従来周知の事項を適用し、ヒートシンク１６の厚みとして１ｍｍ未満のものを採用して、本願発明のように構成することは、当業者であれば適宜成し得る設計変更程度の事項であると認められる。 また、本願発明によってもたらされる効果も、引用発明及び従来周知の事項から、当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものではない。 よって、本願発明は、引用発明及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４　まとめ 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本件出願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。