2016-017417

特願２０１３－５３８５８８「研摩材スラリー及び研摩方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月１８日国際公開、ＷＯ２０１３／０５４８８３〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １．手続の経緯 本願は、２０１２年（平成２４年）１０月１２日（優先権主張：平成２３年１０月１３日、日本国、平成２４年１月３１日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年５月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年７月１１日付けで意見書及び補正書が提出され、同年８月１９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１１月２２日付けで拒絶査定不服の審判請求がされるとともに、同時に手続補正書が提出されたものである。 ２．本願発明 本願の請求項１～５に係る発明は、平成２８年１１月２２日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認める。 「酸化マンガン粒子とマンガン酸イオンとを含有したスラリーからなり、 酸化マンガン粒子は二酸化マンガンからなり、マンガン酸イオンは過マンガン酸イオンであり、 スラリー中のマンガン酸イオンが０．１質量％以上であり、 スラリーのｐＨが５．５以上１０．５以下であり、酸化マンガンに対するマンガン酸イオンのモル濃度比が０．２以上１．５以下であり、 スラリー中のマンガン酸イオンは０．１質量％以上４．０質量％以下である、モース硬度で硬度８以上の高硬度材料を研摩するための研摩材スラリー。」 ３．原査定の拒絶理由の概要 原査定の拒絶理由の概要は、本願発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された「長谷川正外８名、酸化マンガン系スラリーを用いたＳｉＣ単結晶基板の精密加工－密閉型加工環境コントロールＣＭＰ装置による加工特性－、２０１１年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集、２０１１年３月１１日、vol.2011、p.375-376」（以下、「引用例」という。）に記載された発明に基いて、その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。 ４．引用例記載の発明について （１）引用例の記載 引用例には、「酸化マンガン系スラリーを用いたＳｉＣ単結晶基板の精密加工」（標題）について、次の記載がある（下線は当審が付与した。）。 （引ア）「1.緒言 現在，パワーデバイス用半導体材料として，主にシリコン（Si）が使用されているが，さらなる性能向上の要求のため新しい材料として，シリコンカーバイド（SiC）が期待されている．SiCはバンドギャップ，絶縁破壊電界，熱伝導率などの点でSiより優れており，Siパワーデバイスの壁を超えた性能が期待できる．しかし，SiCはダイヤモンドに次ぐ硬度を持ち，熱的，化学的に極めて安定であるため，加工が非常に困難である1)．一般的にSiC基板は，単結晶成長から，外周加工，切断加工，面加工を経て作られる．面加工の最終段階では，化学的機械研磨（Chemical　Mechanical　Polishing　:CMP）が用いられている． 本研究では，SiC単結晶基板の高能率，高品質CMP加工を目指しており，スラリー及び加工部周辺雰囲気とその他の複合作用に注目していく．これまでの研究より，酸素雰囲気中でSiCのCMPを行うと，加工レートが大きくなることが分かっており，SiC基板の加工において，酸化が大きく寄与していると考えられている2)．そこで，固体酸化剤である酸化マンガンを砥粒として用い3)，SiC基板の加工特性を把握しつつ，加工メカニズムについて考察する．これまでの実験結果からMnO2スラリーを高いpHで用いることで高い加工レートを得ることができることが分かっている4)．本稿では，酸化反応をより促進するためスラリーに過マンガン酸カリウム（KMnO4）を添加し，さらに高圧雰囲気下で加工を行うことでさらなる加工レートの上昇を目指す．」 （引イ）「2.酸化マンガン系スラリーによる加工メカニズムの想定モデル これまでの研究経過から，酸化マンガン砥粒によるSiCの加工メカニズムとして図１に示すようなモデルを想定した．まず，SiC基板の表面は酸化マンガン砥粒の強力な酸化作用によって酸化される．次に酸化されたSiC表面と酸化マンガン砥粒との間に（Si-O-Mn）結合を形成する．この結合によってSiC基板内部のバックボンドが弱くなり，砥粒の運動に応じて結合が切れ，研磨が進行する．これは一般的に考えられているガラスをシリカ砥粒で研磨する場合のメカニズム5)と類似する．」 （引ウ）「3.実験方法 加工条件を表１に示す．実験１には卓上CMP装置（NF300）を用い，定盤回転数：90min-1，研磨圧力：20.6kPaとした．実験２には加工部周囲の雰囲気の影響を調べるため図２に示すベルジャー型CMP装置を用いた．このベルジャー型CMP装置は加工部が耐圧密閉容器で覆われており，容器内部には様々な気体を導入することができ，内部の圧力も変化させることができる．実験２では定盤回転数：60min-1,研磨圧力：18.3kPaでとした． SiCの加工量の測定は，電子天秤を用いて実験前後の試料の重量を測定し，その差から算出した．スラリーのpHはKOH水溶液を添加して調整した．」 （引エ）「4.実験結果と考察 まず実験１としてスラリーへのKMnO4添加の効果を調べた．結果として，図３にKMnO4の添加量と加工レートの関係を示す． KMnO4を添加すると加工レートは大きくなり，0.05mol/L添加した時の加工レートは添加しない時の約２倍になった．スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオンにより，酸化反応が促進され，加工レートは大きく上昇したものと考えられる．しかしKMnO4の添加量をさらに増やしても加工量は増えなかった． 次に，実験２として，加工雰囲気の付加作用により加工レートの向上を試みた．スラリーとしてMnO2スラリーを用いKMnO4を添加した場合と添加しない場合を比較した．KMnO4の添加量は0.01mol/Lとした．実験結果を図４に示す．雰囲気で比較すると，Air大気圧下に比べ，高圧Air,O2雰囲気下では加工レートが増加した．高圧Air・酸素雰囲気下では，スラリー中の溶存酸素量が増加するため，反応式（１） MnO2　+　2KOH　+　O2　→　K2MnO4　+　H2O　（１） により増加したマンガン酸（MnO42-）が酸化反応を促進していると考えられる． KMnO4を添加した場合には，添加しない場合に比べ高圧雰囲気下での加工レートの上昇量が大きい．KMnO4を添加したスラリーを用いることで高圧雰囲気の条件を効果的に利用できると考えられる．」 （引オ）「5.結言 SiCは次世代の半導体材料として期待されている．本研究ではSiCのCMPにおいて高能率・高品質加工を目指すもので，ここでは酸化マンガン系スラリーを用いて加工実験を行いその結果以下のことを明らかにした． 1.　KMnO4を添加することで加工量が大きくなることがわかった． 2.　MnO2スラリーは高圧酸素雰囲気下で用いることで加工量を大きくすることができる．さらにKMnO4を添加したスラリーを用いることで．高圧雰囲気条件を効果的に利用できる．」 （引カ）「参考文献 1)　新井和夫・吉田貞史：SiC素子の基礎と応用，オーム社（2003）p.12 2)　岸井貞浩ら：酸化マンガン研磨剤を用いたCMP技術，西澤純一編　超LSI技術（22）　デバイスとプロセスその12　半導体研究44　(1998)　p.267 3)　土肥俊郎：雰囲気制御型CMP法とSiC基板加工への適用，「ポストシリコン・デバイスと将来加工プロセス研究」講演集，ポストSiデバイス将来加工プロセス研究会　(2007)　pp.79-84 4)　長谷川正ら：酸化マンガン系スラリーを用いたSiC基板の精密加工プロセスに関する研究　2010年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集　(2010)　pp.149-150 5)　Lee　M.　CooK,　Chemical　processes　in　glass　polishing,　J　of　Non-Crystalline　Solids　(1990)　vol.120,　pp.152-171」 （引キ） （当審仮訳。表の区切りを「：」で示した。） 表１　実験条件 試料：２インチ　４Ｈ－ＳｉＣウエハ（Ｓｉ面） 実験装置：　１：ＮＦ－３００（株式会社ナノファクター） ２：ベルジャー型ＣＭＰ装置（不二越機械工業株式会社） パッド：ポリウレタン プラテン回転速度：　１：９０分－１ ２：６０分－１ 研磨時間：１時間 研磨圧力：　１：２０．６ｋＰａ（２１０ｇｆ／ｃｍ２） ２：１８．３ｋＰａ（１８７ｇｆ／ｃｍ２） スラリー：ＭｎＯ２（ｐＨ１１）、ＭｎＯ２＋ＫＭｎＯ４（ｐＨ１１） 砥粒濃度：５重量％ 雰囲気条件（ゲージ圧力）：空気（０ｋＰａ）、空気（３００ｋＰａ）、酸素（３００ｋＰａ） （引ク） （標題の当審仮訳）　図１　加工メカニズム （引ケ） （標題の当審仮訳）　図３　加工レート　対　過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）の添加量 （２）引用発明の認定 ア　（引ア）より、引用例には、ダイヤモンドに次ぐ硬度を持つシリコンカーバイド（以下、「ＳｉＣ」と呼ぶ。）の化学的機械研磨（ＣＭＰ）において、加工レートの上昇を目指すために、固体酸化剤である酸化マンガンを砥粒として用い、ＭｎＯ２スラリーを高いｐＨで用いて、酸化反応をより促進するためスラリーに過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）を添加し、さらに高圧雰囲気下で加工を行うことが記載されている。 また、砥粒として酸化マンガンを用いたスラリーが、「ＭｎＯ２スラリー」と称されていることから、酸化マンガンは、「ＭｎＯ２」、すなわち、二酸化マンガンであることがわかる。 そうすると、スラリーに着目すると、引用例には、 「ダイヤモンドに次ぐ硬度を持つＳｉＣのＣＭＰに用いられるスラリーにおいて、 砥粒である二酸化マンガンを用い、 過マンガン酸カリウムが添加された、高いｐＨのスラリー」が記載されていることがわかる。 イ　（引エ）の「ＫＭｎＯ４を添加すると加工レートは大きくなり、スラリー中の過マンガン酸（ＭｎＯ４－）イオンにより，酸化反応が促進され，加工レートは大きく上昇したものと考えられる．」という記載からみて、スラリー中には、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）に基づく、過マンガン酸イオンが含まれることがわかる。 ウ　（引キ）の表１の「試料：２インチ　４Ｈ－ＳｉＣウエハ」という記載、「スラリー：ＭｎＯ２＋ＫＭｎＯ４（ｐＨ１１）」及び「砥粒濃度：５重量％」という記載から、実験に用いられた試料は、４Ｈ－ＳｉＣであり、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）が添加されたスラリーのｐＨは１１であり、砥粒の濃度は５重量％であることがわかる。 エ　（引エ）の「実験１としてスラリーへのKMnO4添加の効果を調べた．結果として，図３にKMnO4の添加量と加工レートの関係を示す．」及び「KMnO4を添加すると加工レートは大きくなり，0.05mol/L添加した時の加工レートは添加しない時の約２倍になった．スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオンにより，酸化反応が促進され，加工レートは大きく上昇したものと考えられる．しかしKMnO4の添加量をさらに増やしても加工量は増えなかった．」という記載から、加工レートが、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）を添加しない時の約２倍になったことが確認されたスラリーの過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）の添加量は、０．０５ｍｏｌ／Ｌであることがわかる。 さらに、（引ケ）の過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）の添加量と加工レートとを示す図３の記載から、スラリーについて、過マンガン酸カリウムが０．１ｍｏｌ／Ｌ添加されたスラリーは、過マンガン酸カリウムが０．０５ｍｏｌ／Ｌ添加されたスラリーと同等の加工レートを有することがわかり、過マンガン酸カリウムが０．０２ｍｏｌ／Ｌ、０．０１ｍｏｌ／Ｌ添加されたスラリー及び過マンガン酸カリウムが添加されなかったスラリーは、０．０５ｍｏｌ／Ｌや０．１ｍｏｌ／Ｌ添加されたスラリーよりも、加工レートが低いことがわかる。 オ　二酸化マンガンのモル質量は、８６．９４ｇ／ｍｏｌであるから、５重量％の二酸化マンガンを含有する１ｋｇのスラリーには、二酸化マンガンが５０ｇ含まれ、１Ｌ（リットル）のスラリーには、０．６１（＝５０／８６．９４×（１／（１－０．０５０）））ｍｏｌ含まれることがわかる。 また、過マンガン酸カリウムは、水に可溶であるから、全てスラリーに溶けているとすると、過マンガン酸カリウムを０．１ｍｏｌ／Ｌ用いた場合、過マンガン酸カリウムのモル質量は、１５８．０３４ｇ／ｍｏｌであるから、スラリーの過マンガン酸イオンは、１５．８ｇ／Ｌ（＝１５８．０３４×０．１）含まれることがわかる。 カ　以上のことから、引用例には、実験に用いられた、加工レートが、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）を添加しない時の約２倍になったことが確認されたスラリーとして、 「砥粒である二酸化マンガンを５重量％（０．６１ｍｏｌ／Ｌ）含有し、 過マンガン酸イオンを０．１ｍｏｌ／Ｌ（１５．８ｇ／Ｌ）含有し、 該過マンガン酸カリウムに基づく、過マンガン酸イオンが含まれ、 スラリーのｐＨは１１であり、 ダイヤモンドに次ぐ硬度を持つ４Ｈ－ＳｉＣの化学的機械研磨に用いられるスラリー。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 ５．対比・判断 本願発明と引用発明とを対比する。 （１）引用発明の「砥粒である二酸化マンガン」において、引用発明の「二酸化マンガン」は、本願発明の「酸化マンガン」に相当し、引用発明の「砥粒」は、本願発明の「酸化マンガン」が「粒子」である構成に相当するから、引用発明の「砥粒である二酸化マンガン」は、本願発明の「酸化マンガン粒子」に相当し、しかも、本願発明の「酸化マンガン粒子は二酸化マンガンからな」る構成に相当する。 （２）引用発明の「過マンガン酸イオン」は、本願発明の「マンガン酸イオン」に相当し、しかも、本願発明の「マンガン酸イオンは過マンガン酸イオンであ」る構成に相当する。 （３）引用発明の「過マンガン酸イオンを１５．８ｇ／Ｌ含有」する構成は、「１５．８ｇ／Ｌ」が、スラリー１リットルを１ｋｇとすれば、「１．５８質量％」と表せることから、本願発明の「スラリー中のマンガン酸イオンが０．１質量％以上であ」って、「スラリー中のマンガン酸イオンは０．１質量％以上４．０質量％以下である」構成に相当する。 （４）引用発明の「ダイヤモンドに次ぐ硬度を持つ４Ｈ－ＳｉＣ」は、ダイヤモンド（モース硬度１０）に次ぐ硬度であるから、そのモース硬度が、８以上であることは明らかであり、本願発明の「モース硬度で硬度８以上の高硬度材料」に相当する（なお、４Ｈ－ＳｉＣのモース硬度が８以上（９程度）であることは、必要であれば、国際公開第９７／０９４７０号の明細書１５頁２４～２６行の「undoped　or　very　low　doped　4H　SiC　with　a　Mohs　hardness　of　approximately　9（当審仮訳：約９のモース硬度を有する、ドープされていないか、わずかにドープされた４Ｈ－ＳｉＣ）」という記載を参照。）。 （５）引用発明の「化学的機械研磨に用いられるスラリー」は、本願発明の「研摩するための研摩材スラリー」に相当する。 そうすると、本願発明と引用発明とは、 「酸化マンガン粒子とマンガン酸イオンとを含有したスラリーからなり、 酸化マンガン粒子は二酸化マンガンからなり、マンガン酸イオンは過マンガン酸イオンであり、 スラリー中のマンガン酸イオンが０．１質量％以上であり、 スラリー中のマンガン酸イオンは０．１質量％以上４．０質量％以下である、モース硬度で硬度８以上の高硬度材料を研摩するための研摩材スラリー。」である点で一致し、次の相違点１、２で相違する。 （相違点１） 酸化マンガンに対するマンガン酸イオンのモル濃度比について、本願発明は、０．２以上１．５以下であるのに対し、引用発明は、約０．１６（＝０．１／０．６１）である点。 （相違点２） 研磨材スラリーのｐＨについて、本願発明は、５．５以上１０．５以下であるのに対し、引用発明は、１１である点。 ここで、相違点について検討する。 （相違点１について） 上記「４．（１）（引エ）」には、「KMnO4を添加すると加工レートは大きくなり，0.05mol/L添加した時の加工レートは添加しない時の約２倍になった．スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオンにより，酸化反応が促進され，加工レートは大きく上昇したものと考えられる．」という記載がある。 そうすると、「スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオンにより，酸化反応が促進され、加工レートは大きく上昇」するのであるから、「スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオン」の濃度を高くすることによって、加工量が増加することは明らかである。 しかも、過マンガン酸（MnO4-）イオンは、酸化反応の促進等に使用されることによって研磨の進行と共に消費されるものといえるから、スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオンを、より多く含有させたほうが望ましいことも明らかである。 なお、同（引エ）には、「しかしKMnO4の添加量をさらに増やしても加工量は増えなかった．」という記載があるものの、同（引イ）の「まず，SiC 基板の表面は酸化マンガン砥粒の強力な酸化作用によって酸化される．次に酸化されたSiC 表面と酸化マンガン砥粒との間に（Si-O-Mn）結合を形成する．この結合によってSiC 基板内部のバックボンドが弱くなり，砥粒の運動に応じて結合が切れ，研磨が進行する．」という記載と、同（引ク）の図１から看取される、ＯＨ基を有する酸化マンガン（ＭｎＯ２）が、ＳｉＣ表面の（ＳｉＯ２）の表面のＯＨ基と結合し、酸化マンガン（ＭｎＯ２）の表面のＯＨ基の「Ｈ」と（ＳｉＯ２）の表面のＯＨ基の「ＯＨ」が結合して分離することで、酸化マンガン（ＭｎＯ２）と「－Ｏ－」を介して結合した（ＳｉＯ２）が生じ、酸化マンガン（ＭｎＯ２）に「－Ｏ－」を介して結合された該（ＳｉＯ２）が、研磨によって分離する加工メカニズムとからみて、加工量は、ＳｉＣ基板の表面の酸化マンガン砥粒による酸化速度、酸化マンガン（ＭｎＯ２）と「－Ｏ－」を介して結合した（ＳｉＯ２）が生じる速度、研磨速度、研磨時間及び研磨圧力等の研磨条件によっても左右されるものであるから、引用例に記載された特定の研磨条件では、上記（引エ）に記載されるように「KMnO4の添加量をさらに増やしても加工量は増えなかった．」ことがいえるとしても、同（引エ）の上記記載は、「スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオン」の濃度を高めても、加工レートが上昇しないことまでを意味するとはいえない。 また、同（引エ）の上記記載は、「スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオン」の濃度ではなく、スラリーに対する「KMnO4の添加量」について言及するものであるところ、「KMnO4の添加量」を単に増やしたとしても、スラリーに溶解しない「KMnO4」の量が増えるだけで、「スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオン」の濃度がある程度以上には上がらないことがあることは明らかである。 また、そのような場合であっても、スラリーに対する「KMnO4の添加量」を増やすともに、スラリーの温度や雰囲気圧力等を変えることで、「スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオン」の濃度をさらに増やすことができることは、当業者にとって明らかである。 以上のことから、加工レートの向上を目指した引用発明において、加工レートの向上のために、「スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオン」の濃度をさらに増やすことは、当業者が当然考慮する事項であり、スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオンの濃度をどの程度のものとするかは、ＳｉＣ基板の表面の酸化マンガン砥粒による酸化速度、酸化マンガン（ＭｎＯ２）と「－Ｏ－」を介して結合した（ＳｉＯ２）が生じる速度、研磨速度、研磨時間及び研磨圧力等の研磨条件や、研磨する対象の表面粗さ等を考慮して当業者が適宜、決定すべき事項であるといえる。 したがって、引用発明において、スラリー中の過マンガン酸（MnO4-）イオンの濃度を増やし、その結果、酸化マンガンに対する過マンガン酸イオンのモル濃度比を０．２以上１．５以下とすることは、当業者が適宜なし得ることである。 そうすると、引用発明において、本願発明の上記相違点１に係る構成を備えることは、当業者が容易に想到し得ることである。 （相違点２について） 上記「４．（１）（引ア）」に「これまでの実験結果からMnO2スラリーを高いpHで用いることで高い加工レートを得ることができることが分かっている4)．」と記載されるように、スラリーのｐＨは、「高い」ものであるところ、上述したように、同（引イ）及び同（引ク）の図１から理解される加工メカニズムからみて、ｐＨが１１以上の場合のみ研磨が進行するものではなく、１１よりも小さくしたとしても、酸化マンガン砥粒の酸化作用は生じ、ＳｉＣ表面が酸化されＳｉＣ表面の研磨は進行することは明らかである。 しかも、引用例が参考文献４として引用する「長谷川正ら：酸化マンガン系スラリーを用いたSiC基板の精密加工プロセスに関する研究　2010年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集　(2010)pp.149-150」には、ＳｉＣの研磨に用いるＭｎＯ２スラリーのｐＨについて、 「４．実験結果と考察 各スラリーを用いて実験を行った結果を図３に示す．ＭｎＯ２スラリーは最も高い加工レートを示した．ＭｎＯ２はマンガンの参加数が大きく酸化作用も強いので，ＳｉＣの研磨において酸化作用が重要な役割を果たしていると考えられる。また，ＭｎＯ２スラリーはｐＨによって加工レートが大きく変化し，特にｐＨ１０以上の領域において大きな上昇が見られた．」（１４９頁右下欄７～１３行）と記載されていることから、同（引ア）の上記「これまでの実験結果からMnO2スラリーを高いpHで用いることで高い加工レートを得ることができることが分かっている4)．」という記載において、スラリーのｐＨが「高い」とは、１０を含む１０以上の値を意味することは、本願の優先権主張の日前に当業者にとって周知であるということができる。 そして、発明の詳細な説明の記載からは、本願発明が、スラリーのｐＨが５．５以上１０．５以下であって、酸化マンガンに対するマンガン酸イオンのモル濃度比が０．２以上１．５以下である場合に、そうでない場合と比較して、格別顕著な作用効果を奏するものであるということはできない。 そうすると、引用発明において、スラリーのｐＨを１０程度とすること、すなわち、本願発明の上記相違点２に係る構成を備えることは、当業者が容易に想到し得ることである。 （まとめ） したがって、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 なお、審判請求書における請求人の「高い加工レートの実現以外の点、特に連続使用による研摩レートの低下を抑制することに関しては、何ら記載もなく、示唆もない。そして、このような連続使用による研摩レートの低下を抑制する効果を、酸化マンガンに対するマンガン酸イオンのモル濃度比を正誤（審決注：「制御」の誤記と認める。）することに関しても、この引用文献１（審決注：引用例）には何ら記載もなく、示唆もない。」という主張は、本願発明の使用態様が連続使用に特定されるものではない以上、採用することができない。 ６．むすび 以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 したがって、その余の請求項について論及するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。 よって結論のとおり審決する。