2016-001966

特願２０１５－５１０５２４「ＳｉＣ上の高耐圧パワー半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月２０日国際公開、ＷＯ２０１４／０４３１０４、平成２７年　７月２７日国内公表、特表２０１５－５２１３７８〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 １　手続の経緯 本願は，平成２５年（２０１３年）９月１０日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１２年９月１１日，米国及び２０１３年８月６日，米国）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２６年１０月３１日　審査請求・手続補正 平成２７年　４月１４日　拒絶理由通知 平成２７年　８月１２日　意見書・手続補正 平成２７年１０月　２日　拒絶査定 平成２８年　２月　８日　審判請求・手続補正 平成２８年　７月１２日　上申書 平成２８年１１月　１日　拒絶理由通知 平成２９年　２月　７日　意見書 ２　本願発明 本願の請求項１－１０に係る発明（以下，まとめて「本願発明」という。）は，平成２８年２月８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１－１０に記載された，次のとおりのものと認める。 「【請求項１】 ０．０２～１．５ｃｍ２の面積を有する，＜１１－２０＞方向に向かってｃ軸から遠ざかるように傾斜した単一結晶のオフ角４°のｎ＋４Ｈ－ＳｉＣ基板であって， １／ｃｍ２未満のマイクロパイプ密度と， ２０００／ｃｍ２未満のらせん転位密度と， ２０００／ｃｍ２未満の基底面転位密度と，を有する，ｎ＋４Ｈ－ＳｉＣ基板と， 該基板上の５０μｍ～１００μｍの厚みの複数のエピタキシャル層であって，該複数のエピタキシャル層のうちの少なくとも１つが， １×１０１４／ｃｍ３～２×１０１６／ｃｍ３の範囲の正味キャリア濃度と， １／ｃｍ２未満のマイクロパイプ密度と， ２０００／ｃｍ２未満のらせん転位密度と， １０／ｃｍ２未満の基底面転位密度と，を有し， 前記基板上の前記複数のエピタキシャル層は，前記基板の直上のｎ＋４Ｈ－ＳｉＣ第１エピタキシャル層と，該第１エピタキシャル層上のｎ－４Ｈ－ＳｉＣ第２エピタキシャル層とを有する，エピタキシャル層と，を備える，高耐圧半導体装置。 【請求項２】 ２つの隣接するエピタキシャル層によって形成される少なくとも１つのｐ－ｎ接合を更に含む，請求項１に記載の高耐圧半導体装置。 【請求項３】 １マイクロ秒超のキャリア寿命を有する少なくとも１つのエピタキシャル層を更に備える，請求項１～２のいずれか一項に記載の高耐圧半導体装置。 【請求項４】 漏れ電流が１０ｍＡ／ｃｍ２以下のときに測定される最大電圧として表わされる逆バイアス阻止電圧が，ＳｉＣの材料定数を使用した前記装置のモデリングにより決定される理論値の８５％超の範囲にある，請求項１～３のいずれか一項に記載の高耐圧半導体装置。 【請求項５】 ＜１１－２０＞方向に向かってｃ軸から遠ざかるように傾斜した単一結晶のオフ角４°のｎ＋４Ｈ－ＳｉＣ基板を製造することであって，該ｎ＋４Ｈ－ＳｉＣ基板が， １／ｃｍ２未満のマイクロパイプ密度と， ２０００／ｃｍ２未満のらせん転位密度と， ２０００／ｃｍ２未満の基底面転位密度と，を有する，製造することと， ５０μｍ～１００μｍの厚みの複数のエピタキシャル層を該基板上に堆積することであって，該複数のエピタキシャル層のうちの少なくとも１つが， １×１０１４／ｃｍ３～２×１０１６／ｃｍ３の範囲の正味キャリア濃度と， １／ｃｍ２未満のマイクロパイプ密度と， ２０００／ｃｍ２未満のらせん転位密度と， １０／ｃｍ２未満の基底面転位密度と，を有する，堆積することと，を含み， 前記基板上の前記複数のエピタキシャル層は，前記基板の直上のｎ＋４Ｈ－ＳｉＣ第１エピタキシャル層と，該第１エピタキシャル層上のｎ－４Ｈ－ＳｉＣ第２エピタキシャル層とを有する，半導体装置の製造方法。 【請求項６】 前記複数のエピタキシャル層を堆積する前記工程が，少なくとも１つのｐ－ｎ接合を形成することを更に含む，請求項５に記載の方法。 【請求項７】 前記複数のエピタキシャル層が，クロロシラン類，ＨｘＳｉＣｌ（１－ｘ），炭化水素ガス，水素，及び塩化水素を含む，反応性ガスの混合物の利用を含む，ＣＶＤエピタキシー工程によって，形成される，請求項１に記載の高耐圧半導体装置。 【請求項８】 前記複数のエピタキシャル層のうちの少なくとも１つが，ホットウォール型ＣＶＤ反応器内で形成される，請求項１に記載の高耐圧半導体装置。 【請求項９】 前記複数のエピタキシャル層が，クロロシラン類，ＨｘＳｉＣｌ（１－ｘ），炭化水素ガス，水素，及び塩化水素を含む，反応性ガスの混合物の利用を含む，ＣＶＤエピタキシー工程によって，形成される，請求項５に記載の方法。 【請求項１０】 前記複数のエピタキシャル層のうちの少なくとも１つが，水平ガス流ＣＶＤエピタキシー反応器内で形成される，請求項５に記載の方法。」 ３　発明の詳細な説明の記載不備について （１）本願は，発明の詳細な説明に下記のとおり不十分な記載があり，当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない。 本願明細書段落００５９によると，「基板の平面を横切る基底面欠陥の貫通刃状転位への変換を９９％超にするように，ＣＶＤエピタキシー工程を最適化することができることが発見された。反応物濃度，圧力，温度，ガス流のＣＶＤパラメータの反復によって，基板－エピタキシー膜界面を横切る基底面転位の数を減少させるＣＶＤ法の能力を制御できる。」 すなわち，本願発明は，ＣＶＤパラメータによりＣＶＤ法の能力を制御して，基底面欠陥を貫通刃状転位へ変換し，欠陥の少ないエピタキシャル層を得るものであるが，発明の詳細な説明にはＣＶＤパラメータについて十分な開示がない。 よって，欠陥の少ないエピタキシャル層を得るためには，当業者が「反応物濃度，圧力，温度，ガス流」という複数のパラメータをそれぞれ変化させつつ何度も実験と測定を繰り返すといった過度な試行錯誤をする必要があり，本願発明の実施をすることができる程度に記載されていない。 （２）前記（１）について，請求人は意見書において，ア．異なるシステムは異なる開始点を有するため，４つのＣＶＤパラメータについて，特定の数値範囲を提供することは困難である旨，イ．４つのＣＶＤパラメータの調整可能範囲は狭く，過度な試行錯誤は必要とならない旨，主張している。 ・アの主張について 請求人の主張を前提とすれば，特定のシステムにおいて特定の数値範囲を開示することは可能なのであるからそれを発明の詳細な説明において開示すればよいのであって，さらに特定のシステムについての開示をどこまで一般化して特許請求の範囲の記載と対応させることができるかは，特許法３６条６項１号に規定する別の要件として検討すべき問題であるから，出願人の主張は，発明の詳細な説明における開示を免れる理由にはならない。 よって，請求人の主張は採用できない。 ・イの主張について ４つのＣＶＤパラメータの調整可能範囲が狭いことやその狭い範囲をどのように決定するのかについての開示が発明の詳細な説明にないのであるから，当業者が本願発明を実施しようとすれば，依然として，４つのＣＶＤパラメータについて過度な試行錯誤が必要となると認められる。 よって，請求人の主張は採用できない。 ４　結言 以上のとおり，本願は，発明の詳細な説明の記載に不備があり，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たさないから，本願は拒絶されるべきものである。 よって，結論のとおり審決する。