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特許拒絶査定不服審判

2016-014649

昇華(PVT)により成長させたSiC結晶での転位を減少させる方法

審判番号
2016-014649
法域
特許
審判種別
拒絶査定不服審判(拒絶査定不服の審決)
出願番号
特願2015-556941外部サイト(J-PlatPat)へ移動します
請求日
2016年09月30日
審決日
2017年12月15日
公報発行日
2018年02月23日
結論
原査定取消(特許/登録すべき)
当事者
審判長/審判官
分類
P18 .121-WYF(C30B) / P18 .536-WYF(C30B) / P18 .537-WYF(C30B)
データ出所
審決公報(SGML)

事件の表示

特願2015-556941「昇華(PVT)により成長させたSiC結晶での転位を減少させる方法」拒絶査定不服審判事件〔平成26年 8月14日国際公開、WO2014/123634、平成28年 3月10日国内公表、特表2016-507462、請求項の数(19)〕について、次のとおり審決する。

結論

【結 論】 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理由

【理 由】 本願は、2013年12月20日(パリ条約による優先権主張外国庁受理2013年 2月 5日 (US)アメリカ合衆国 2013年 7月 8日 (US)アメリカ合衆国)を国際出願日とする出願であって、その請求項1~19に係る発明は、平成29年11月10日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項1~19に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由及び当審からの拒絶理由のいずれを検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。

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2016-014649

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