2024-701207

特許第７５１１５０１号発明「プラズマ処理装置及び監視装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５１１５０１号の請求項に係る特許を維持する。

理 由 １ 手続の経緯 特許第７５１１５０１号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１３に係る特許についての出願は、令和３年２月１０日に出願され、令和６年６月２７日にその特許権の設定登録がされ、同年７月５日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、同年１２月１７日に特許異議申立人 吉村浩一（以下「申立人」という。）は、特許異議の申立てを行った。 ２ 本件発明 本件特許の請求項１～１３の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～１３に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、本件特許の請求項１～１３に係る発明をそれぞれ、「本件発明１～１３」という。）。 「【請求項１】 プラズマ処理装置であって、 チャンバと、 前記チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部と、 前記チャンバ内に設けられ又は前記チャンバに直接的もしくは間接的に接続された監視対象を監視する監視部と、 を有し、 前記装置側コントローラ部は、前記監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を行い、 前記監視部は、前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を取得して、前記監視対象情報に基づき前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し前記監視対象を制御する ことを特徴とするプラズマ処理装置。 【請求項２】 前記監視対象は、前記チャンバに電力を供給する高周波電源であり、 前記監視部は、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力供給を変更するように前記高周波電源を制御する、 請求項１に記載のプラズマ処理装置。 【請求項３】 前記電力供給の変更には、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力供給を停止することを含む、 請求項２に記載のプラズマ処理装置。 【請求項４】 前記監視対象は、前記チャンバに供給されるガスの流量を制御する流量制御部であり、 前記監視部は、前記異常が発生した前記チャンバに対しガスの流量を変更するように前記流量制御部を制御する、 請求項１に記載のプラズマ処理装置。 【請求項５】 プラズマ処理装置であって、 チャンバと、 前記チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部と、 前記チャンバに電力を供給する高周波電源と、 監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される監視対象情報を取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する監視部と、 を有し、 前記装置側コントローラ部は、 前記監視対象の設定、及び前記監視対象情報を取得するタイミングの設定を前記監視部に対して行うこと を特徴とするプラズマ処理装置。 【請求項６】 前記装置側コントローラ部は、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知するための閾値の設定を前記監視部に対して行うこと を特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。 【請求項７】 前記装置側コントローラ部、前記監視対象、及び前記監視部は、ポーリングによるデータ転送を行う第１の通信手段により接続されており、 前記装置側コントローラ部及び前記監視部は、前記第１の通信手段とは異なる第２の通信手段によりデータ通信可能に接続されており、 前記装置側コントローラ部は、前記第２の通信手段を利用して、前記監視対象の設定、前記監視対象情報を取得するタイミングの設定、及び前記閾値の設定を前記監視部に対して行うこと を特徴とする請求項６記載のプラズマ処理装置。 【請求項８】 前記第１の通信手段は、制御用ネットワークのマスタ通信部及びクライアント通信部を利用した通信を行うものであり、 前記装置側コントローラ部は、前記マスタ通信部を有し、 前記監視対象及び前記監視部のそれぞれは、前記クライアント通信部を有しており、 前記監視部は、前記装置側コントローラ部が前記監視対象から前記監視対象情報を取得するポーリング周期で前記監視対象情報を取得すること を特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。 【請求項９】 前記監視部は、前記第２の通信手段を利用して、前記異常の発生を検知したタイミングの前記監視対象情報と、前記タイミングの前後の所望期間の前記監視対象情報と、をログ情報として前記装置側コントローラ部に提供すること を特徴とする請求項７又は８記載のプラズマ処理装置。 【請求項１０】 前記監視部は、反射電力情報を前記監視対象情報とした異常放電の発生、ガス背圧情報を前記監視対象情報としたウェハ吸着異常の発生、静電チャックの高電圧電源の電流情報を前記監視対象情報としたウェハ吸着異常の発生、及びプラズマの発光分光情報を前記監視対象情報としたプラズマ異常の発生、の少なくとも一つを前記チャンバにおける異常の発生として検知すること を特徴とする請求項５乃至８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 【請求項１１】 前記装置側コントローラ部は、前記プラズマ処理により反射電力の増加が予測される期間の前記監視対象情報の取得を行わず、前記プラズマ処理により反射電力の増加が予測されない期間の前記監視対象情報の取得を行うように、前記反射電力情報を取得するタイミングの設定を前記監視部に対して行うこと を特徴とする請求項１０記載のプラズマ処理装置。 【請求項１２】 前記チャンバ内に供給されるガスの流量を制御する流量制御部、 を更に有し、 前記監視部は、 前記流量制御部から前記装置側コントローラ部に送信される前記チャンバのガス濃度情報を取得して、前記ガス濃度情報に基づいて前記チャンバにおける前記ガスの異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに供給する前記ガスの流量を調整するように前記流量制御部を制御し、 前記装置側コントローラ部は、 前記監視対象の前記流量制御部の設定、前記ガス濃度情報を取得するタイミングの設定、及び前記ガスの異常の発生を検知するための閾値の設定を前記監視部に対して行うこと を特徴とする請求項５乃至１１の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 【請求項１３】 プラズマ処理装置の異常放電を抑制する監視装置であって、 チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部から、監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を受け付ける設定受付部と、 前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を前記タイミングで取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知する検知部と、 前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御する制御部と、 を有する監視装置。」 ３ 申立理由の概要 申立人は、主たる証拠として （１）特開２００４－３２７９３３号公報（以下「甲１」という。） 及び従たる証拠として （２）国際公開第２０２０／１８０８４８号（以下「甲２」という。） （３）特開２０１６－１７４０８１号公報（以下「甲３」という。） （４）再表２０１９／１４５９９０号（以下「甲４」という。） （５）特許第５２３２８６８号公報（以下「甲５」という。） （６）特開２０１５－１０６４８４号公報（以下「甲６」という。） （７）特開２０１６－１７０９４０号公報（以下「甲７」という。） （８）特開２０１０－８２５１９号公報（以下「甲８」という。） を提出し、請求項１～１３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１～１３に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。 ４ 証拠に記載された事項及び引用発明等の認定 （１）甲１について ア 甲１の記載 甲１には、以下の事項が記載されている（下線は当合議体が付した。以下同様。）。 「【０００２】 【従来の技術】 半導体の製造分野においては、生産性向上の観点から、異なった数種類のプロセス処理を組み合わせて行っている。さらに、一つのプロセス処理の中でも、目的毎に異なる設定によって実行されている。 【０００３】 たとえば、スパッタリング成膜をプロセス処理とした場合、目的の膜の種類や厚さが異なれば、チャンバ圧力、基板加熱温度、ＲＦパワー、ガスの種類、ガス流量、処理時間等のプロセス条件の設定を変える必要がある。ここで、半導体製造工程においては、異なった数種類のプロセス処理を組み合わせて行う必要がある。そのため、煩雑さを避け、かつ正確な処理を行うために、プロセス処理条件を予め設定したレシピを作成しておき、レシピをプロセス処理制御用コンピュータに記憶させておき、コンピュータ制御の元に、レシピにしたがってプロセス処理を行うようにしている。 【０００４】 しかし、作成したレシピは完全でない場合もあり、また、プロセス処理装置の経時変化と共に、装置性能も変化するため、レシピ内容を適時変更する必要がある。特に、プロセス処理を行った結果と、プロセス処理中の経緯を表すプロセスデータとを比較・分析することによって、プロセス解析を行い、レシピを更新して、プロセス処理の適正化を図ることは、歩留まり向上の観点からも、重要な工程となっている。 【０００５】 図１０は、従来のプロセスデータ収集部１６を含むプロセス処理装置１を示す機能ブロック図である。プロセス処理装置１は、コントローラ１１と、駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）と、センサ系１９（温度センサ１０ｄ、圧力計１０ｅ、流量計１０ｆ）と、ＳＥＭＩ規格の制御用ネットワークのセンサ・アクチュエータ・ネットワーク（ＳＡＮ：Ｓｅｎｓｏｒ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ以下、ＳＡＮと称す。）１０と、プロセスデータベース１７とを有している。 【０００６】 コントローラ１１は、レシピ１２と、装置制御部１３と、ＳＡＮマスタ通信部１４と、上位システム通信部１５と、プロセスデータ収集部１６とを有している。 【０００７】 マスタとしての装置制御部１３は、レシピ１２に書き込まれたプロセス条件を読み込み、ＳＡＮマスタ通信部１４とＳＡＮ１０を介して、スレイブとしての駆動系１８に制御指示を指令として送出する。一方、同様にスレイブとしてのセンサ系１９は、制御結果を応答として、ＳＡＮ１０とＳＡＮマスタ通信部１４を介して、装置制御部１３とプロセスデータ収集部１６に出力する。」 「【００２０】 この発明の実施の形態について説明する。図１は、実施の形態かかるプロセスデータ収集装置２の配置関係を示すブロック図である。なお、図１に示すプロセス処理装置１の構成要素のうち、従来と同様のものについては、図１０と同一符号を付している。図１において、プロセスデータ収集装置２は、ＳＡＮ１０を介して交信される信号を、ＳＡＮマスタ通信部１４を介さずにモニタする機能を有している。 【００２１】 プロセスデータ収集装置２は、装置制御部１３からプロセスデータ収集条件を入力し、ＳＡＮ１０を介して、センサ系１９から実行値信号を収集する。そして、得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納する。 【００２２】 そして、プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば、プロセスデータ収集装置２は、レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力する。上位システム３は、入力したプロセスデータと、プロセス処理結果とを比較・分析するプロセス解析を行い、新たなプロセス条件を設定し、上位システム通信部１５を介してレシピ１２の更新を行う。 【００２３】 ここで、レシピ１２の具体例を図９に示す。レシピＩＤ毎にチャンバ圧力（ＣＨ圧力）、基板加熱温度（加熱温度）、プラズマパワー（ＲＦパワー）、ガス種類、ガス流量、処理時間等のプロセス条件が異なっているのが分かる。 【００２４】 図２は、プロセスデータ収集装置２の概略構成を示すブロック図である。プロセスデータ収集装置２は、ネットワークモニタ部２０と、プロセスデータ収集部２１と、プロセスデータ格納ファイル２２と、プロセスデータアップロード部２３と、収集条件テーブル２４と、収集条件設定部２５とを有している。 【００２５】 ネットワークモニタ部２０は、ＳＡＮ１０を介してマスタとスレイブ間の信号をモニタする機能を有している。しかし、ＳＡＮ１０のプロトコルに加入していないので、コントローラ１１に対する負荷をかけずにモニタでき、プロセス処理装置１のＣＰＵに負担をかけずに済む。 【００２６】 そのため、マスタとスレイブ間の交信に支障をきたすこと無く、高速にプロセスデータを抽出できる。モニタした信号は、ネットワークモニタ部２０で、マスタであるコントローラ１１から、スレイブである駆動系１８に対する指示信号ＲＹと、スレイブであるセンサ系１９からのプロセスデータ信号ＲＷＲとを照合する機能を有している。」 「【００３７】 つぎに、図２に示すように、プロセスデータ収集部２１は、収集条件テーブル２４に基づいて実行値信号ＲＷＲを読み込んで一連のプロセスデータを作成して、プロセスデータ格納ファイル２２に格納する。なお、収集条件テーブル２４は、収集条件設定部２５を介してプロセス処理装置１から設定されるが、手操作によって、直接設定することも可能である。 【００３８】 図５は、収集条件テーブル２４の内容を示す概念図である。収集条件テーブル２４は、実行中レシピ６０と、プロセスデータＩＤ６１と、リモートＩ／Ｏ資源６２と、サンプリング周期６３と、トリガ条件６４と、対象レシピ６５とを有している。 【００３９】 レシピＩＤとは、レシピの識別子であり、実行中レシピ６０は、プロセス処理装置１で、実行中のレシピＩＤである。プロセスデータＩＤ６１は、プロセスデータの識別子であり、プロセスデータＩＤ６１は、収集の対象となっているプロセスデータを示している。リモートＩ／Ｏ資源６２は、プロセスデータＩＤ６１に対応するＳＡＮ１０でのプロセスデータ信号ＲＷＲである。サンプリング周期６３は、プロセスデータ信号ＲＷＲを収集する周期である。トリガ条件６４は、開始トリガと停止トリガとから構成されており、夫々プロセスデータ信号ＲＷＲの収集の開始条件と停止条件とを設定している。図５に示すように、指示信号ＲＹを条件として用いてもよい。対象レシピ６５は、プロセスデータＩＤ６１が関連するレシピＩＤで、複数のレシピＩＤを指定することができる。 【００４０】 図６は、プロセスデータ収集部２１におけるプロセスデータ信号ＲＷＲの収集の開始と停止とを示すフローチャートである。プロセスデータ収集部２１は、ネットワークモニタ部２０で更新された指示信号ＲＹとプロセスデータ信号ＲＷＲとを読み込んで入力する。そして、トリガ条件指示信号ＲＹを抽出する（ステップＳ２０１）。トリガ条件指示信号ＲＹとは、指示信号ＲＹにトリガ条件６４が含まれているか否かを判断し、トリガ条件６４が含まれていれば抽出するものである。つぎに、収集条件テーブル２４のトリガ条件６４に指定されている指示信号ＲＹと照合して、トリガ発生の有無を判断する（ステップＳ２０２）。トリガ発生が無ければ、そのまま、トリガ条件用指示信号ＲＹ抽出（ステップＳ２０１）に戻る。」 ［図：0001422469000001.jpg］ ［図：0001422469000002.jpg］ ［図：0001422469000003.jpg］ ［図：0001422469000004.jpg］ ［図：0001422469000005.jpg］ ［図：0001422469000006.jpg］ イ 甲１の記載に基づいて当業者が把握できる事項 図１に示されるプロセス処理装置１の構成要素のうち、従来と同様のものについては、図１０と同一符号を付していることから（【００２０】参照）、図１及び図１０を参照すれば、プロセスデータ収集部１６、プロセスデータベース１７及び上位システム３に供給されるプロセスデータを除き、図１０に示されるプロセス処理装置１を含めた従来の技術に関する記載（【０００２】～【０００８】）は、図１に示されるプロセス処理装置１に共通するものと認められる。 ウ 甲１発明 前記ア及びイから、甲１には、図１に係るプロセス処理装置１について、下記の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる（ａ等は分説のために付した。参考までに、認定の根拠とした段落を括弧内に記載する。以下同様。）。 ＜甲１発明＞ 「ａ プロセス処理としてスパッタリング成膜を行うことができる（【０００３】）プロセス処理装置１とプロセスデータ収集装置２と（【００２０】）上位システム３（【００２２】）からなる装置であって、 ｂ プロセス処理装置１は、コントローラ１１と、駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）と、センサ系１９（温度センサ１０ｄ、圧力計１０ｅ、流量計１０ｆ）と、ＳＥＭＩ規格の制御用ネットワークのセンサ・アクチュエータ・ネットワーク（ＳＡＮ：Ｓｅｎｓｏｒ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ以下、ＳＡＮと称す。）１０とを有し（【０００５】）、 ｃ コントローラ１１は、レシピ１２と、装置制御部１３と、ＳＡＮマスタ通信部１４と、上位システム通信部１５とを有し（【０００６】）、 ｄ マスタとしての装置制御部１３は、レシピ１２に書き込まれたプロセス条件を読み込み、ＳＡＮマスタ通信部１４とＳＡＮ１０を介して、スレイブとしての駆動系１８に制御指示を指令として送出する一方、同様にスレイブとしてのセンサ系１９は、制御結果を応答として、ＳＡＮ１０とＳＡＮマスタ通信部１４を介して、装置制御部１３に出力し（【０００７】）、 ｅ プロセスデータ収集装置２は、ＳＡＮ１０を介して交信される信号を、ＳＡＮマスタ通信部１４を介さずにモニタする機能を有し（【００２０】）、 ｆ プロセスデータ収集装置２は、装置制御部１３からプロセスデータ収集条件を入力し、ＳＡＮ１０を介して、センサ系１９から実行値信号を収集し、得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し（【００２１】）、 ｇ プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば、プロセスデータ収集装置２は、レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力し、上位システム３は、入力したプロセスデータと、プロセス処理結果とを比較・分析するプロセス解析を行い、新たなプロセス条件を設定し、上位システム通信部１５を介してレシピ１２の更新を行い（【００２２】）、 ｈ レシピ１２は、レシピＩＤ毎にチャンバ圧力（ＣＨ圧力）、基板加熱温度（加熱温度）、プラズマパワー（ＲＦパワー）、ガス種類、ガス流量、処理時間等のプロセス条件が異なっており（【００２３】）、 ｉ プロセスデータ収集装置２は、ネットワークモニタ部２０と、プロセスデータ収集部２１と、プロセスデータ格納ファイル２２と、プロセスデータアップロード部２３と、収集条件テーブル２４と、収集条件設定部２５とを有し（【００２４】）、 ｊ ネットワークモニタ部２０は、ＳＡＮ１０を介してマスタとスレイブ間の信号をモニタする機能を有し（【００２５】）、モニタした信号は、ネットワークモニタ部２０で、マスタであるコントローラ１１から、スレイブである駆動系１８に対する指示信号ＲＹと、スレイブであるセンサ系１９からのプロセスデータ信号ＲＷＲとを照合する機能を有し（【００２６】）、 ｋ 収集条件テーブル２４は、収集条件設定部２５を介してプロセス処理装置１から設定され（【００３７】）、 ｌ 収集条件テーブル２４は、実行中レシピ６０と、プロセスデータＩＤ６１と、リモートＩ／Ｏ資源６２と、サンプリング周期６３と、トリガ条件６４と、対象レシピ６５とを有しており（【００３８】）、 ｍ プロセスデータＩＤ６１は、プロセスデータの識別子であり、プロセスデータＩＤ６１は、収集の対象となっているプロセスデータを示し、サンプリング周期６３は、プロセスデータ信号ＲＷＲを収集する周期であり、トリガ条件６４は、開始トリガと停止トリガとから構成されており、夫々プロセスデータ信号ＲＷＲの収集の開始条件と停止条件とを設定している（【００３９】） 装置。」 また、前記ア及びイから、甲１には、図１に係るプロセスデータ収集装置２について、下記の発明（以下「甲１’発明」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲１’発明＞ 「ａ プロセス処理としてスパッタリング成膜を行うことができる（【０００３】）プロセス処理装置１とプロセスデータ収集装置２と（【００２０】）上位システム３（【００２２】）からなる装置に含まれるプロセスデータ収集装置２であって、 ｂ プロセス処理装置１は、コントローラ１１と、駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）と、センサ系１９（温度センサ１０ｄ、圧力計１０ｅ、流量計１０ｆ）と、ＳＥＭＩ規格の制御用ネットワークのセンサ・アクチュエータ・ネットワーク（ＳＡＮ：Ｓｅｎｓｏｒ Ａｃｔｕａｔｏｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ以下、ＳＡＮと称す。）１０とを有し（【０００５】）、 ｃ コントローラ１１は、レシピ１２と、装置制御部１３と、ＳＡＮマスタ通信部１４と、上位システム通信部１５とを有し（【０００６】）、 ｄ マスタとしての装置制御部１３は、レシピ１２に書き込まれたプロセス条件を読み込み、ＳＡＮマスタ通信部１４とＳＡＮ１０を介して、スレイブとしての駆動系１８に制御指示を指令として送出する一方、同様にスレイブとしてのセンサ系１９は、制御結果を応答として、ＳＡＮ１０とＳＡＮマスタ通信部１４を介して、装置制御部１３に出力し（【０００７】）、 ｅ プロセスデータ収集装置２は、ＳＡＮ１０を介して交信される信号を、ＳＡＮマスタ通信部１４を介さずにモニタする機能を有し（【００２０】）、 ｆ プロセスデータ収集装置２は、装置制御部１３からプロセスデータ収集条件を入力し、ＳＡＮ１０を介して、センサ系１９から実行値信号を収集し、得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し（【００２１】）、 ｇ プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば、プロセスデータ収集装置２は、レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力し、上位システム３は、入力したプロセスデータと、プロセス処理結果とを比較・分析するプロセス解析を行い、新たなプロセス条件を設定し、上位システム通信部１５を介してレシピ１２の更新を行い（【００２２】）、 ｈ レシピ１２は、レシピＩＤ毎にチャンバ圧力（ＣＨ圧力）、基板加熱温度（加熱温度）、プラズマパワー（ＲＦパワー）、ガス種類、ガス流量、処理時間等のプロセス条件が異なっており（【００２３】）、 ｉ プロセスデータ収集装置２は、ネットワークモニタ部２０と、プロセスデータ収集部２１と、プロセスデータ格納ファイル２２と、プロセスデータアップロード部２３と、収集条件テーブル２４と、収集条件設定部２５とを有し（【００２４】）、 ｊ ネットワークモニタ部２０は、ＳＡＮ１０を介してマスタとスレイブ間の信号をモニタする機能を有し（【００２５】）、モニタした信号は、ネットワークモニタ部２０で、マスタであるコントローラ１１から、スレイブである駆動系１８に対する指示信号ＲＹと、スレイブであるセンサ系１９からのプロセスデータ信号ＲＷＲとを照合する機能を有し（【００２６】）、 ｋ 収集条件テーブル２４は、収集条件設定部２５を介してプロセス処理装置１から設定され（【００３７】）、 ｌ 収集条件テーブル２４は、実行中レシピ６０と、プロセスデータＩＤ６１と、リモートＩ／Ｏ資源６２と、サンプリング周期６３と、トリガ条件６４と、対象レシピ６５とを有しており（【００３８】）、 ｍ プロセスデータＩＤ６１は、プロセスデータの識別子であり、プロセスデータＩＤ６１は、収集の対象となっているプロセスデータを示し、サンプリング周期６３は、プロセスデータ信号ＲＷＲを収集する周期であり、トリガ条件６４は、開始トリガと停止トリガとから構成されており、夫々プロセスデータ信号ＲＷＲの収集の開始条件と停止条件とを設定している（【００３９】） プロセスデータ収集装置２。」 （２）甲２について ア 甲２の記載 甲２には、以下の事項が記載されている。なお、日本語訳は、甲２のファミリー文献である特表２０２２－５２３８０７号公報を参考に当合議体が作成した。 「[0017] Referring first to FIG. 1, shown is a generator 102, match network 104, a plasma processing chamber 105, a plasma load 106, and an external controller 107. In operation, the generator 102 applies power (e.g., RF power) to the match network 104 via a transmission line 108 (e.g., coaxial cable) and then onto the plasma load 106 via an electrical connection 110. The generator 102 may be realized by a variety of different types of generators that may operate at a variety of different power levels and frequencies.」 （[0017]最初に図１を参照すると、示されるものは、発生器１０２、整合ネットワーク１０４、プラズマ処理チャンバ１０５、プラズマ負荷１０６、および外部コントローラ１０７である。動作時、発生器１０２は、電力（例えば、ＲＦ電力）を、伝送ライン１０８（例えば、同軸ケーブル）を介して整合ネットワーク１０４に、次いで、電気接続１１０を介してプラズマ負荷１０６上に印加する。発生器１０２は、種々の異なる電力レベルおよび周波数において動作し得る種々の異なるタイプの発生器によって実現され得る。) 「[0018] The match network 104 includes an input 112 including an electrical connector (not shown) to couple to the generator 102 via the transmission line 108 and an output 114 including an electrical connector (not shown) to couple to the plasma load 106 via the electrical connection 110. As shown, the match network 104 also includes an input sensor 116 and an output sensor 118 that are both coupled to an internal controller 119, which includes a measurement section 124, a reactance controller 122, and a variable reactance section 120.」 （[0018]整合ネットワーク１０４は、伝送ライン１０８を介して発生器１０２に結合するための電気コネクタ（図示せず）を含む入力１１２と、電気接続１１０を介してプラズマ負荷１０６に結合するための電気コネクタ（図示せず）を含む出力１１４とを含む。示されるように、整合ネットワーク１０４はまた、入力センサ１１６および出力センサ１１８を含み、両方とも内部コントローラ１１９に結合され、内部コントローラ１１９は、測定セクション１２４と、リアクタンスコントローラ１２２と、可変リアクタンスセクション１２０とを含む。） 「[0019] The plasma load 106 may be a plasma formed in the plasma processing chamber 105, which is known for performing treatments such as the etching of substrates or the deposition of thin layers upon substrates. The plasma load 106 is typically achieved by the formation of plasmas within low pressure gases. The plasma is initiated and sustained by the generator 102 (and potentially additional generators), and the match network 104 is employed to ensure the generator 102 sees a desired impedance (typically, although not always, 50 ohms) at the output of the generator.」 （[0019]プラズマ負荷１０６は、プラズマ処理チャンバ１０５内で形成されるプラズマであってもよく、これは、基板のエッチングまたは基板上での薄い層の堆積等の処置を実施することで公知である。プラズマ負荷１０６は、典型的には、低圧ガス内でのプラズマの形成によって達成される。プラズマは、発生器１０２（および、潜在的に、付加的な発生器）によって開始および持続され、整合ネットワーク１０４が、発生器の出力において、発生器１０２に所望のインピーダンス（典型的には、常時ではないが、５０オーム）を見せることを確実にするために採用される。） 「[0025] The measurement section 124 may include processing components to sample, filter, and digitize the outputs of the input sensor 116 for utilization by the reactance controller 120. It is also contemplated that signals from the output sensor 118 may be utilized to control the variable reactance section 120. In any event, the reactance controller 122 may adjust the variable reactance component 120 to transform the impedance at the output of the match network 114 to the desired impedance (e.g., 50 ohms) at the input 112 of the match network. Because an impedance of the plasma load 106 tends to vary during processing of a workpiece (e.g., a substrate), the reactance controller 122 may operate to adjust the variable reactance section 120 to change its impedance to compensate for fluctuations in the impedance of the plasma load.」 （[0025]測定セクション１２４は、リアクタンスコントローラ１２０による利用のために、入力センサ１１６の出力をサンプリング、フィルタリング、およびデジタル化するための処理コンポーネントを含んでもよい。出力センサ１１８からの信号が、可変リアクタンスセクション１２０を制御するために利用され得ることもまた、考えられる。いずれにしても、リアクタンスコントローラ１２２は、整合ネットワークの出力１１４におけるインピーダンスを整合ネットワークの入力１１２における所望のインピーダンス（例えば、５０オーム）に変換するように可変リアクタンスコンポーネント１２０を調節してもよい。プラズマ負荷１０６のインピーダンスは、ワークピース（例えば、基板）の処理の間に変動する傾向にあるため、リアクタンスコントローラ１２２は、プラズマ負荷のインピーダンスの増減を補償するためにそのインピーダンスを変化させるために可変リアクタンスセクション１２０を調節するように動作してもよい。） 「[0026] The match network 104 (and many variations of the match network 104) may be operable when there is some damage to the match network and/or when the match network is operating outside of design specifications. As discussed above, a damaged or operationally-deficient match network 104 can cause variations in the power applied to the plasma load 106, which can result in damage to workpieces (e.g., wafers) being processed in the processing chamber without the damage being noticed. As a consequence, aspects disclosed herein address this problem by detecting changes in the match network 104 that are indicative of damage to the match network 104 and/or operation outside of specifications.」 （[0026]整合ネットワーク１０４（および整合ネットワーク１０４の多くの変形例）は、整合ネットワークへのある損傷が存在するとき、および／または、整合ネットワークが設計仕様から外れて動作しているとき、動作可能であり得る。上記で議論されるように、損傷を受けているまたは動作可能に欠損のある整合ネットワーク１０４は、プラズマ負荷１０６に印加される電力の変動を引き起こし得、これは、損傷が気付かれることなく、処理チャンバ内で処理されているワークピース（例えば、ウエハ）への損傷をもたらし得る。結果として、本明細書に開示される側面は、整合ネットワーク１０４への損傷および／または仕様から外れた動作を示す整合ネットワーク１０４の変化を検出することによって、この問題に対処する。」 「[0027] More specifically, the match network 104 may include a damage detection component 126 that is coupled to the measurement section 124. In general, the damage detection component 126 is able to assess whether the variable reactance section 120 is at least one of damaged or operating outside of specifications using one or more input- parameter measurements (e.g., from the input sensor 116); one or more output-parameter measurements (e.g., from the output sensor 118); a reactance setting of the variable reactance section 120; and a model of the matching network 104.」 （[0027]より具体的には、整合ネットワーク１０４は、測定セクション１２４に結合される損傷検出コンポーネント１２６を含んでもよい。一般に、損傷検出コンポーネント１２６は、（例えば、入力センサ１１６からの）１つ以上の入力パラメータ測定値、（例えば、出力センサ１１８からの）１つ以上の出力パラメータ測定値、可変リアクタンスセクション１２０のリアクタンス設定、および整合ネットワーク１０４のモデルを使用して、可変リアクタンスセクション１２０が、損傷を受けているかまたは仕様から外れて動作しているかのうちの少なくとも１つであるかどうかを査定することが可能である。） 「[0042] If the match network 104 is damaged and/or operating outside of specifications, the assessment component 238 may prompt a reporting portion 240 to provide an alarm to an operator via a display and/or audio transducer of the match network 104. In some implementations, the reporting portion 240 may send a signal to the external controller 107, and the external controller 107 may provide an alarm to an operator of the system. The signal from the reporting portion 240 may be sent automatically or may be sent in response to a query from the external controller 107. In some implementations, contrasting the measurement-based attribute with the expected-attribute may include obtaining a difference between the measurement-based attribute with the expected-attribute, and the difference may be applied to one or more thresholds. For example, if the difference exceeds a first threshold, the reporting portion 240 may provide the operator with a low- level warning. And if the difference exceeds a second threshold, a higher- level warning may be reported to prompt the operator to interrupt a processing cycle.」 （[0042]整合ネットワーク１０４が、損傷を受けておりかつ／または仕様から外れて動作している場合、査定コンポーネント２３８は、整合ネットワーク１０４のディスプレイおよび／またはオーディオトランスデューサを介してオペレータに警報を提供するように、報告部分２４０にプロンプトしてもよい。いくつかの実装では、報告部分２４０は、外部コントローラ１０７に信号を送信してもよく、外部コントローラ１０７は、システムのオペレータに警報を提供してもよい。報告部分２４０からの信号は、自動的に送信されてもよい、または、外部コントローラ１０７からのクエリに応答して送信されてもよい。いくつかの実装では、測定ベースの属性を期待属性と対比することは、測定ベースの属性と期待属性との間の差異を取得することを含んでもよく、差異は、１つ以上の閾値に適用されてもよい。例えば、差異が、第１の閾値を超過する場合、報告部分２４０は、オペレータに低レベルの警告を提供してもよい。また、差異が、第２の閾値を超過する場合、より高いレベルの警告が、報告され、処理サイクルを中断するようにオペレータにプロンプトしてもよい。） ［図：0001422469000007.jpg］ ［図：0001422469000008.jpg］ ［図：0001422469000009.jpg］ ［図：0001422469000010.jpg］ ） イ 甲２技術事項 前記アから、甲２には以下の技術事項（以下「甲２技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲２技術事項＞ 「ａ 発生器１０２、整合ネットワーク１０４、プラズマ処理チャンバ１０５、プラズマ負荷１０６、および外部コントローラ１０７を備えるものにおいて（[0017]）、 ｂ 動作時、発生器１０２は、電力（例えば、ＲＦ電力）を、伝送ライン１０８（例えば、同軸ケーブル）を介して整合ネットワーク１０４に、次いで、電気接続１１０を介してプラズマ負荷１０６上に印加し（[0017]）、 ｃ 整合ネットワーク１０４は、入力センサ１１６および出力センサ１１８を含み、両方とも内部コントローラ１１９に結合され、内部コントローラ１１９は、測定セクション１２４と、リアクタンスコントローラ１２２と、可変リアクタンスセクション１２０とを含み（［0018］）、 ｄ プラズマ負荷１０６は、プラズマ処理チャンバ１０５内で形成されるプラズマであってもよく、これは、基板のエッチングまたは基板上での薄い層の堆積等の処置を実施し（［0019］）、 ｅ リアクタンスコントローラ１２２は、整合ネットワークの出力１１４におけるインピーダンスを整合ネットワークの入力１１２における所望のインピーダンス（例えば、５０オーム）に変換するように可変リアクタンスコンポーネント１２０を調節し、プラズマ負荷１０６のインピーダンスは、ワークピース（例えば、基板）の処理の間に変動する傾向にあるため、リアクタンスコントローラ１２２は、プラズマ負荷のインピーダンスの増減を補償するためにそのインピーダンスを変化させるために可変リアクタンスセクション１２０を調節するように動作し（［0025］）、 ｆ 整合ネットワーク１０４は、整合ネットワークへのある損傷が存在するとき、および／または、整合ネットワークが設計仕様から外れて動作しているとき、動作可能で、損傷を受けているまたは動作可能に欠損のある整合ネットワーク１０４は、プラズマ負荷１０６に印加される電力の変動を引き起こし得、これは、損傷が気付かれることなく、処理チャンバ内で処理されているワークピース（例えば、ウエハ）への損傷をもたらし得、整合ネットワーク１０４への損傷および／または仕様から外れた動作を示す整合ネットワーク１０４の変化を検出することによって、この問題に対処し（［0026］）、 ｇ 整合ネットワーク１０４は、測定セクション１２４に結合される損傷検出コンポーネント１２６を含んでもよく、損傷検出コンポーネント１２６は、（例えば、入力センサ１１６からの）１つ以上の入力パラメータ測定値、（例えば、出力センサ１１８からの）１つ以上の出力パラメータ測定値、可変リアクタンスセクション１２０のリアクタンス設定、および整合ネットワーク１０４のモデルを使用して、可変リアクタンスセクション１２０が、損傷を受けているかまたは仕様から外れて動作しているかのうちの少なくとも１つであるかどうかを査定することが可能であり（［0027］）、 ｈ 整合ネットワーク１０４が、損傷を受けておりかつ／または仕様から外れて動作している場合、査定コンポーネント２３８は、整合ネットワーク１０４のディスプレイおよび／またはオーディオトランスデューサを介してオペレータに警報を提供するように、報告部分２４０にプロンプトしてもよく、報告部分２４０は、外部コントローラ１０７に信号を送信して外部コントローラ１０７はシステムのオペレータに警報を提供してもよい（［0042］）こと。」 （３）甲３について ア 甲３の記載 甲３には、以下の事項が記載されている。 「【００１７】 図１において、基板処理システム１０は、ガラス基板等のＦＰＤ用の基板Ｇへプラズマ処理、例えば、プラズマエッチングを施す３つの基板処理装置１１を備える。」 「【００２３】 図２において、基板処理装置１１は誘導結合型のプラズマ処理装置からなり、略矩形状のチャンバ２０（処理室）と、該チャンバ２０内の下方に配置されて基板Ｇを頂部に載置する台状の載置台２１と、載置台２１と対向するようにチャンバ２０内の上方に誘電体、若しくは金属からなる窓部材（図示しない）を介して配置される渦巻き状の導体からなる誘導結合アンテナ５０と、窓部材の下方においてチャンバ２０内に処理ガスを供給するガス供給部２２を備え、載置台２１及びガス供給部２２の間には処理空間Ｓが形成される。」 「【００３１】 基板処理装置１１が基板Ｇへプラズマエッチングを施す際、基板処理装置１１の各構成要素の動作は装置コントローラ４４（制御装置）により、所定のプログラムに従って制御される。」 「【００４４】 ここで、装置コントローラは流量モニタから流量検知結果の信号を所定の間隔、例えば、１００ｍｓｅｃ毎で受信するため、最悪、基板が載置台から剥離してから１００ｍｓｅｃ経過した後に伝熱ガス流量が乱れたと判定することがある。一方、異常放電は基板が載置台から剥離してから数１０ｍｓｅｃ後に発生することがある。したがって、装置コントローラが、基板が載置台から剥離して伝熱ガス流量が乱れたと判定したときには既に異常放電が発生しているおそれがある。特に、基板剥離判定システムが、流量検知結果の信号におけるノイズの影響を避けるために複数回ほど伝熱ガス流量が乱れた後、始めて基板が載置台から剥離したと判定する場合、基板が載置台から実際に剥離してから約１ｓｅｃ経過した後に伝熱ガス流量が乱れたと判定することになるため、異常放電の発生を防止することができない。 【００４５】 これに対応して、本実施の形態では、静電吸着電極２７の電位を監視する直流電圧モニタ４６を設け、該直流電圧モニタ４６はプラズマ生成用高周波電源４１へ装置コントローラ４４を介さずに接続される。直流電圧モニタ４６は、直流電源２８から静電吸着電極２７に直流電圧を供給する供給ライン５１上の特定の部位と接地電位との電位差を監視してもよく、また、供給ライン５１上の特定の抵抗要素、例えば、抵抗５２における電圧降下を監視してもよく、その他、静電吸着電極２７における電位の変化を直接的あるいは間接的に監視できる手法が直流電圧モニタ４６において用いられ得る。図２において、便宜上、供給ライン５１と直流電圧モニタ４６が一本の配線で接続されているが、供給ライン５１と直流電圧モニタ４６の接続方法は、これに限定されるものではなく、監視手法に応じて適切な接続方法が選択される。」 「【００４７】 図７に示すように、基板処理装置１１では、直流電源２８が静電吸着電極２７へ印加する直流電圧（以下、「静電吸着用直流電圧」という。）を監視する直流電圧モニタ４６（電圧監視装置）を設け、直流電圧モニタ４６と、装置コントローラ４４と、プラズマ生成用高周波電源４１とによって基板剥離判定システム４７が構成される。該基板剥離判定システム４７では、直流電圧モニタ４６とプラズマ生成用高周波電源４１が装置コントローラ４４を介さずに信号線４８によって直接接続されるとともに、プラズマ生成用高周波電源４１と装置コントローラ４４が接続される。また、直流電圧モニタ４６と装置コントローラ４４も信号線４９によって直接接続される。直流電圧モニタ４６は静電吸着用直流電圧が増加し、所定の閾値を超えたとき、基板Ｇが載置台２１から剥離したと判定してプラズマ生成用高周波電源４１へ高周波電力の供給を停止するための停止信号（以下、単に「停止信号」という。）を送信する。停止信号を受信したプラズマ生成用高周波電源４１は、直ちに高周波電力の供給を停止する。」 「【００５１】 次いで、ステップＳ８４では、直流電圧モニタ４６は、静電吸着用直流電圧が所定の閾値、例えば、プラズマエッチング中に維持されるべき一定値の２％乃至５％増しの値のうち、直流電圧モニタ４６の検出精度に応じて設定される閾値を超えたか否かを判定し、静電吸着用直流電圧が所定の閾値以下であると判定した場合、ステップＳ８４に戻り、静電吸着用直流電圧が所定の閾値を超えたと判定した場合、プラズマ生成用高周波電源４１へ停止信号を信号線４８を経由して直ちに送信する（ステップＳ８５）。直流電圧モニタ４６の検出精度はノイズによっても左右され、除去しきれないノイズが大きい場合には閾値も大きくせざるを得ないが、その場合でも閾値は上限を一定値の５％増しの値とする。直流電圧モニタ４６は数１０μｓｅｃ間隔、例えば、８０μｓｅｃ間隔で静電吸着用直流電圧を監視するため、基板Ｇが載置台２１から剥離したとしても数１０μｓｅｃ後には、その旨を検知することができ、基板Ｇの剥離が発生してから短時間で停止信号を送信することができる。なお、直流電圧モニタ４６は、プラズマ生成用高周波電源４１へ停止信号を送信する場合、静電吸着用直流電圧が所定の閾値を超えた旨の信号を信号線４９を経由して装置コントローラ４４へ送信する。」 ［図：0001422469000011.jpg］ ［図：0001422469000012.jpg］ イ 甲３技術事項 前記アから、甲３には以下の技術事項（以下「甲３技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲３技術事項＞ 「ａ 基板処理システム１０は、ガラス基板等のＦＰＤ用の基板Ｇへプラズマ処理、例えば、プラズマエッチングを施す３つの基板処理装置１１を備え（【００１７】）、 ｂ 基板処理装置１１は誘導結合型のプラズマ処理装置からなり、略矩形状のチャンバ２０（処理室）と、該チャンバ２０内の下方に配置されて基板Ｇを頂部に載置する台状の載置台２１と、載置台２１と対向するようにチャンバ２０内の上方に誘電体、若しくは金属からなる窓部材を介して配置される渦巻き状の導体からなる誘導結合アンテナ５０と、窓部材の下方においてチャンバ２０内に処理ガスを供給するガス供給部２２を備え（【００２３】）、 ｃ 基板処理装置１１が基板Ｇへプラズマエッチングを施す際、基板処理装置１１の各構成要素の動作は装置コントローラ４４（制御装置）により、所定のプログラムに従って制御され（【００３１】）、 ｄ 静電吸着電極２７の電位を監視する直流電圧モニタ４６を設け、該直流電圧モニタ４６はプラズマ生成用高周波電源４１へ装置コントローラ４４を介さずに接続され（【００４５】）、 ｅ 基板処理装置１１では、直流電源２８が静電吸着電極２７へ印加する直流電圧を監視する直流電圧モニタ４６（電圧監視装置）を設け、直流電圧モニタ４６と、装置コントローラ４４と、プラズマ生成用高周波電源４１とによって基板剥離判定システム４７が構成され（【００４７】）、 ｆ 該基板剥離判定システム４７では、直流電圧モニタ４６とプラズマ生成用高周波電源４１が装置コントローラ４４を介さずに信号線４８によって直接接続されるとともに、プラズマ生成用高周波電源４１と装置コントローラ４４が接続され（【００４７】）、 ｇ 直流電圧モニタ４６と装置コントローラ４４も信号線４９によって直接接続され（【００４７】）、 ｈ 直流電圧モニタ４６は静電吸着用直流電圧が増加し、所定の閾値を超えたとき、基板Ｇが載置台２１から剥離したと判定してプラズマ生成用高周波電源４１へ高周波電力の供給を停止するための停止信号を送信し、停止信号を受信したプラズマ生成用高周波電源４１は、直ちに高周波電力の供給を停止し（【００４７】）、 ｉ 直流電圧モニタ４６は数１０μｓｅｃ間隔、例えば、８０μｓｅｃ間隔で静電吸着用直流電圧を監視するため、基板Ｇが載置台２１から剥離したとしても数１０μｓｅｃ後には、その旨を検知することができ、基板Ｇの剥離が発生してから短時間で停止信号を送信することができること（【００５１】）。」 （４）甲４について ア 甲４の記載 甲４には、以下の事項が記載されている。 「[0006] 本明細書は、電極間の放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、異常を検知する検知器と、記憶装置と、制御装置と、を備え、制御装置は、該プラズマ発生装置の状態を時刻に対応付けて記憶装置に記憶させ、検知器が異常を検出する所定時間前から異常を検知するまでのプラズマ発生装置の状態を記憶装置に記憶させる記憶処理を実行するプラズマ発生装置を開示する。」 「[0009]大気圧プラズマ発生装置の構成 大気圧プラズマ発生装置１０は、大気圧下でプラズマを発生させるための装置である。図１に示すように、大気圧プラズマ発生装置１０は、プラズマガス噴出装置１２と加熱ガス噴出装置１４と制御装置（図４参照）１６とを備えている。以下の説明において、大気圧プラズマ発生装置１０の幅方向をＸ方向と、大気圧プラズマ発生装置１０の奥行方向をＹ方向と、Ｘ方向とＹ方向とに直行する方向、つまり、上下方向をＺ方向と称する。 [0010]プラズマガス噴出装置１２は、ハウジング２０、カバー２２、１対の電極２４，２６（図３）によって構成されている。図３に示すように、ハウジング２０は、メインハウジング３０、放熱板３１、アース板３２、下部ハウジング３４、ノズルブロック３６を含む。メインハウジング３０は、概してブロック状をなし、メインハウジング３０の内部には、反応室３８が形成されている。また、メインハウジング３０には、上下方向に延びるように、複数の第１ガス流路（図３では１本の第１ガス流路のみが記されている）５０が形成されており、複数の第１ガス流路５０は、Ｘ方向に所定の間隔をおいて並んでいる。各第１ガス流路５０の上端部は、反応室３８に開口し、下端部は、メインハウジング３０の底面に開口している。」 「[0015]１対の電極２４，２６は、メインハウジング３０の反応室３８の内部において、対向するように配設されている。その反応室３８には、処理ガス供給装置（図４参照）７４が接続されている。処理ガス供給装置７４は、窒素等の不活性ガスと酸素等の活性ガスとの少なくとも一方を、処理ガスとして供給する装置である。これにより、反応室３８に、処理ガスが供給される。尚、処理ガスはドライエアでも良い。 [0016]また、加熱ガス噴出装置１４は、保護カバー８０、ガス管８２、ヒータ８３、連結ブロック８４を含む。保護カバー８０は、プラズマガス噴出装置１２の放熱板３１を覆うように配設されている。ガス管８２は、保護カバー８０の内部において、上下方向に延びるように配設されており、ガス管８２には、加熱用ガス供給装置（図４参照）８６が接続されている。加熱用ガス供給装置８６は、酸素等の活性ガス、若しくは、窒素等の不活性ガスを供給する装置である。また、ガス管８２には、概して円筒状のヒータ８３が配設されており、ガス管８２がヒータ８３によって加熱される。これにより、加熱用ガス供給装置８６からガス管８２に供給されたガスが加熱される。また、ヒータ８３には、概して円筒状の熱電対カバー９１に覆われた熱電対９２（図４）が配設されている。」 「[0018]図４に示すように、制御装置１６は、コントローラ１００、高周波電源１０２、駆動回路１０５、流量コントローラ１０３，１０４、制御回路１０６および通信部１０７などを備えている。コントローラ１００は、不図示のＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ等を備えるコンピュータなどにより実現される。コントローラ１００は、高周波電源１０２、駆動回路１０５、および流量コントローラ１０３，１０４を制御することにより、プラズマガス噴出装置１２および加熱ガス噴出装置１４を制御する。また、コントローラ１００は、制御回路１０６を介して、表示装置１１５に接続されている。これにより、コントローラ１００の指令に従って、表示装置１１５に画像が表示される。さらに、コントローラ１００は、入力装置１１６に接続されている。入力装置１１６は、操作ボタンなどにより構成されており、操作ボタンへの操作による操作情報を出力する。これにより、操作ボタンへの操作による操作情報が、コントローラ１００に入力される。通信部１０７は、不図示のネットワークに接続する通信機器と通信を行う。通信の形態は特に限定されず、例えば、ＬＡＮ、シリアル通信などである。また、コントローラ１００は機能部として記憶部１２０および異常検知部１２１を有する。記憶部１２０には、後述する記憶処理にて大気圧プラズマ発生装置１０の状態が記憶される。異常検知部１２１は、後述する電流センサ１１１、圧力センサ１１２，１１３、熱電対９２、温度センサ１１４からの出力値に基づいて、異常が発生したか否かを判断し、異常を検知する。 [0019]図５に示すように、高周波電源１０２は、商用電源から電極２４，２６へ給電する高周波の交流電力を生成し、生成した交流電力を電極２４，２６へ給電する。電流センサ１１１は、高周波電源１０２から電極２４，２６へ電力を供給するための給電線１３１に流れる電流を検出する。詳しくは、電流センサ１１１は例えばカレントトランスを備え、カレントトランスにより検出された給電線１３１に流れる電流値に応じた検出電圧をＡＤ変換し、電流値に応じたデジタル値をコントローラ１００へ出力する。以下、電流値に応じたデジタル値を単に電流値と記載する場合がある。 [0020]流量コントローラ１０３は、例えばマスフローコントローラなどにより実現される。流量コントローラ１０３は、処理ガス供給装置７４から反応室３８に供給される処理ガスの流量を制御する。また、供給される処理ガスの流量の値をコントローラ１００へ出力する。圧力センサ１１２は、処理ガス供給装置７４から反応室３８に供給される処理ガスの配管１３２に取り付けられており、処理ガスのガス圧を検出し、検出したガス圧値をコントローラ１００へ出力する。 [0021]流量コントローラ１０４は、流量コントローラ１０３と同様に、加熱用ガス供給装置８６からガス管８２に供給されるガスの流量を制御する。また、供給されるガスの流量値をコントローラ１００へ出力する。圧力センサ１１３は、加熱用ガス供給装置８６からガス管８２を介して連通路８８に供給されるガスの配管１３３に供給されるガスのガス圧を検出し、検出したガス圧値をコントローラ１００へ出力する。 [0022]駆動回路１０５にはヒータ８３付近に取り付けられた熱電対９２が電気的に接続されている。駆動回路１０５は、コントローラ１００に指示された目標温度となるように、熱電対９２の出力値に基づき、ヒータ８３を制御する。また、駆動回路１０５は、熱電対９２の出力値に応じた温度をコントローラ１００へ出力する。温度センサ１１４は、例えば熱電対を有し、プラズマガス（後述）の温度を検出し、検出した温度をコントローラ１００へ出力する。」 「[0028]また、コントローラ１００は、プラズマ発生制御を開始すると、所定時間毎に、電流センサ１１１から出力される電流値、流量コントローラ１０３，１０４から出力される流量値、圧力センサ１１２，１１３から出力されるガス圧値、駆動回路１０５および温度センサ１１４から出力される温度を時刻に対応付けて記憶部１２０に記憶させる記憶処理を開始する。以下の説明において、時刻に対応付けて記憶される電流値、流量値、ガス圧値、駆動回路１０５および温度センサ１１４から出力される温度を履歴と称する。また、以下の説明において、電流値、流量値、ガス圧値、温度を検出値と総称する。記憶部１２０において、履歴が記憶される領域は予め定められている。従って、コントローラ１００は、記憶処理において、記憶部１２０の予め定められた領域に履歴が記憶され、新たな履歴を記憶することができる空の領域がなくなると、記憶部１２０に記憶されている履歴のうち、最古の履歴に新たな履歴を上書きする。これにより、所定期間前の履歴が記憶部１２０に記憶されることができる。尚、所定期間とは例えば数分程度である。 [0029]コントローラ１００は、検出値の少なくとも１つが異常値となり異常検知部１２１が異常が発生した（当合議体注：「異常が発生した異常検知部１２１が」は「異常検知部１２１が異常が発生した」の誤記と認められるので誤記を正して摘記した。）と判断すると、異常を検知したため、電極２４，２６への給電の停止、処理ガス、ガスの供給を停止させ、プラズマ発生制御を終了する。これにより、大気圧プラズマ発生装置１０のプラズマ発生は停止される。次に、コントローラ１００は、記憶処理を終了する。これにより、図６に示すように、記憶部１２０には、異常停止より前の一定期間の履歴が記憶されている状態となる。尚、図６における異常発生とは、上記のコントローラ１００が検出値の少なくとも１つが異常値となったと判断した時点を示す。また、図６における異常停止とは、上記の、コントローラ１００が異常値となったと判断して、電極２４，２６への給電の停止、処理ガス、ガスの供給を停止させた時点を示す。」 ［図：0001422469000013.jpg］ ［図：0001422469000014.jpg］ イ 甲４技術事項 前記アから、甲４には、以下の技術事項（以下「甲４技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲４技術事項＞ 「ａ 電極間の放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって（[0006]）、プラズマガス噴出装置１２と加熱ガス噴出装置１４と制御装置１６とを備えた大気圧プラズマ発生装置１０において（[0009]）、 ｂ プラズマガス噴出装置１２は、ハウジング２０、カバー２２、１対の電極２４，２６によって構成され、ハウジング２０は、メインハウジング３０、放熱板３１、アース板３２、下部ハウジング３４、ノズルブロック３６を含み、メインハウジング３０は、概してブロック状をなし、メインハウジング３０の内部には、反応室３８が形成され（[0010]）、その反応室３８には、処理ガス供給装置７４が接続され（[0015]）、 ｃ 加熱ガス噴出装置１４は、保護カバー８０、ガス管８２、ヒータ８３、連結ブロック８４を含み、ガス管８２には、加熱用ガス供給装置８６が接続され（[0016]）、 ｄ 制御装置１６は、コントローラ１００、高周波電源１０２、駆動回路１０５、流量コントローラ１０３，１０４、制御回路１０６および通信部１０７などを備え（[0018]）、 ｅ コントローラ１００は機能部として記憶部１２０および異常検知部１２１を有し（[0018]）、 ｆ 電流センサ１１１は、高周波電源１０２から電極２４，２６へ電力を供給するための給電線１３１に流れる電流を検出し（[0018]）、 ｇ 圧力センサ１１２は、処理ガス供給装置７４から反応室３８に供給される処理ガスの配管１３２に取り付けられており、処理ガスのガス圧を検出し、検出したガス圧値をコントローラ１００へ出力し（[0020]）、 ｈ 圧力センサ１１３は、加熱用ガス供給装置８６からガス管８２を介して連通路８８に供給されるガスの配管１３３に供給されるガスのガス圧を検出し、検出したガス圧値をコントローラ１００へ出力し（[0021]）、 ｉ 温度センサ１１４は、例えば熱電対を有し、プラズマガスの温度を検出し、検出した温度をコントローラ１００へ出力し（[0022]）、 ｊ コントローラ１００は、プラズマ発生制御を開始すると、所定時間毎に、電流センサ１１１から出力される電流値、流量コントローラ１０３，１０４から出力される流量値、圧力センサ１１２，１１３から出力されるガス圧値、駆動回路１０５および温度センサ１１４から出力される温度を時刻に対応付けて記憶部１２０に記憶させる記憶処理を開始し（以下、電流値、流量値、ガス圧値、温度を検出値と総称する）（[0028]）、 ｋ コントローラ１００は、検出値の少なくとも１つが異常値となり異常検知部１２１が異常が発生したと判断すると、異常を検知したため、電極２４，２６への給電の停止、処理ガス、ガスの供給を停止させ、プラズマ発生制御を終了し、これにより、大気圧プラズマ発生装置１０のプラズマ発生は停止されること（[0029]）。」 （５）甲５について ア 甲５の記載 甲５には、以下の事項が記載されている。 【請求項１】 複数個の電極を有するチャック本体と、処理すべき基板の外周縁部が面接触可能なリブ部及び前記リブ部で囲繞された内部空間に所定の間隔を存して立設された複数個の支持部を有する誘電体たるチャックプレートと、前記内部空間に所定のガスを導入するガス導入手段とを備え、電極間に所定の電圧を印加してチャックプレートで基板を吸着し、かつ、前記内部空間に所定のガスを供給してガス雰囲気の形成し得る静電チャックにて基板を保持する場合、当該基板の破損を招かないように基板状態を管理する基板管理方法であって、 交流電源を介してチャックプレートの静電容量を通る交流電流を流してその電流値を監視すると共に、ガス導入手段を介して前記ガスを流して当該ガス流量を監視し、電流値及びガス流量のうち少なくとも一方の変化量から前記基板状態の管理を行い、 前記電流値及びガス流量のうち少なくとも一方の変化量が所定の閾値を超えると、基板の破損につながる基板状態であると判断し、両電極間に印加する直流電圧及びガス導入手段からのガスの流量のうち少なくとも一方を制御して前記基板状態を解消することを特徴とする基板管理方法。 「【００１５】 以下に図面を参照して、処理すべき基板をウエハＷとし、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等による成膜処理、イオン注入処理、熱処理やエッチング処理などの処理を行う真空処理装置内に配置された静電チャックＣにてウエハＷが破損しないように管理する本発明の実施の形態の基板管理方法を説明する。 【００１６】 図１に示すように、静電チャックＣは、図示省略の処理室内の底部に配置されるチャック本体１と、このチャック本体１の上面に設けられた誘電体たるチャックプレート２とから構成される。例えば窒化アルミ製のチャック本体１には図示省略の絶縁層を介して正負の電極３ａ、３ｂが組み込まれ、公知のチャック電源Ｅの直流電源Ｅ１から直流電圧が印加できるようになっている。 【００１７】 また、チャック本体１には、上下方向に貫通するガス通路４が形成され、このガス通路４の下端は、マスフローコントローラ５を介設したガス管６を介してＡｒガス等の不活性ガスを収容したガス源７に連通し、これらの部品が本実施の形態のガス導入手段を構成する。さらに、チャック本体１には、公知の構造を有する抵抗加熱式のヒータ８が内蔵され、ウエハＷを所定温度に加熱保持できるようになっている。なお、本実施の形態では、ヒータ８のみを設けたものを例に説明しているが、これに限定されるものではなく、公知の冷却手段を組み付けて構成してもよい。 【００１８】 チャックプレート２は、例えば窒化アルミ製であり、ウエハＷ裏面の外周縁部が面接触可能な環状のリブ部２ａと、リブ部２ａで囲繞された内部空間２ｂで同心状に立設された複数個の棒状の支持部２ｃとを備える。この場合、支持部２ｃの高さは、リブ部２ａの高さより僅かに小さくなるように設定され、チャックプレート２表面でウエハＷを吸着したときに、各支持部２ｃでウエハＷを支持するようになっている。 【００１９】 そして、チャックプレート２にウエハＷを載置した後、両電極３ａ、３ｂ間に直流電圧を印加することで発生する静電気力でウエハＷがチャックプレート２の表面で吸着される。このとき、ウエハＷ裏面の外周縁部がリブ部２ａとその全周に亘って面接触することで内部空間２ｂが略密閉される。この状態で、ガス導入手段を介してＡｒガスを供給すると、上記内部空間２ｂにＡｒガス雰囲気が形成し得る。これにより、ヒータ８を作動させてウエハＷを加熱する場合、リブ部２ａとウエハＷ裏面とで画成される内部空間２ｂにＡｒガス雰囲気を形成することで、ウエハＷへの熱伝達をアシストして効率よくウエハＷを加熱できる。 【００２０】 なお、ウエハＷ裏面の外周縁部とリブ部２ａとの間にはシール部材を設けていないので、ウエハＷ裏面の外周縁部がリブ部２ａとその全周に亘って面接触しているように場合でも微量（例えば０．０１～０．０３ｓｃｃｍ）の不活性ガスが漏れることとなる。 【００２１】 ここで、ウエハＷには、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えばそれ自体の応力やウエハＷ表面に形成した薄膜の応力により圧縮方向または引張方向の反りが生じている。このようなウエハＷを静電チャックＣに吸着するとき、静電チャックＣでウエハＷを吸着して加熱処理や成膜処理する間、または、処理後に静電チャックＣの吸着を解除して搬送するときに基板が破損（割れやかけ等をいう）しないように管理する必要がある。 【００２２】 本実施の形態では、上記ウエハの状態を把握するために、チャック電源Ｅ内の直流電源Ｅ１に交流電源Ｅ２を直列に接続し（図示せず）、交流電源Ｅ２から静電チャック１の静電容量を通る交流電流を流し、公知の電流計Ａにて測定した電流値からインピーダンスを監視すると共に、マスフローコントローラ５の下流側でガス管６に公知のマスフローメータ９を介設してＡｒガスのガス流量を監視することとした。」 「【００２６】 ウエハＷの加熱中、電流計で測定した電流値は略一定であり、その結果、インピーダンスも略一定となり、また、ガス流量及び変位量も殆ど変化しない。そして、所定時間経過後、ヒータ８及びＡｒガスの導入を停止し、両電極３ａ、３ｂ間への電圧の印加を停止し、このときの電流値、ひいてはインピーダンスを測定すると、吸着前のものより約２割高くなり、レーザ変位計で測定すると、吸着前のものより変位量が大きくなってウエハＷの圧縮方向の反りが大きくなった。 【００２７】 これにより、インピーダンスからウエハＷの反り状態を的確に管理できることが判る。また、レーザ変位計による測定により、ウエハＷの圧縮方向の反りが生じている場合には、インピーダンスとウエハＷの変位量には相関があり、略比例関係となることが判る。以上のことから、インピーダンス、ひいては電流値を測定すれば、ウエハＷの反り量が判断でき、これを管理すれば、ウエハＷの破損に通じる状態を適格に管理できる。このように本実施の形態では、インピーダンス、ひいては電流値の変化からウエハＷの破損につながる状態を的確に把握できるため、特に処理室内でのウエハＷの破損を確実に防止して製品歩留りを向上しつつ生産性を向上できる。 【００２８】 なお、処理中にインピーダンス、ひいては電流値が所定の閾値を超えて変化した場合には、ウエハの破損につながる状態であると判断し得る。このような場合には、所定の処理を適宜中止しながら、両電極３ａ、３ｂ間に印加する直流電圧及びガス導入手段からのガス流量のうち少なくとも一方を制御してウエハＷに無理な応力が加わる状態を解消する。これにより、処理室内でのウエハＷの破損を防止できる。なお、閾値については、ウエハＷのサイズや厚さを考慮して適宜設定すればよい。」 「【００３１】 さらに、本実施の形態では、圧縮方向の反りが生じている場合を主として説明したが、図２（ｂ）に示すように、処理中やその前後においてウエハＷが引張方向の反りを生じている場合には、チャックプレート２にウエハＷを吸着しても、リブ部２ａとウエハＷの外周縁部とは面接触せず、両者の間の隙間が大きくなって漏洩するガス量が大きる。その結果、マスフローメータ９で測定しているガス流量も変化する。このように、ガス流量とウエハＷの引張方向の反り量とには相関があることから、ガス流量を管理すれば、ウエハＷの反り量が判断でき、これを管理すれば、ウエハＷの破損に通じる状態を適格に管理でき、上記と同様にして処理室内でのウエハＷの破損を防止できる。」 ［図：0001422469000015.jpg］ ［図：0001422469000016.jpg］ イ 甲５技術事項 前記アから、甲５には、以下の技術事項（以下「甲５技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲５技術事項＞ 「真空処理装置内に配置された静電チャックＣにてウエハＷが破損しないように管理する基板管理方法において（【００１５】）、 チャック本体１には、上下方向に貫通するガス通路４が形成され、このガス通路４の下端は、マスフローコントローラ５を介設したガス管６を介してＡｒガス等の不活性ガスを収容したガス源７に連通し、これらの部品がガス導入手段を構成し（【００１７】）、 ウエハＷ裏面の外周縁部がリブ部２ａとその全周に亘って面接触することで内部空間２ｂが略密閉され、この状態で、ガス導入手段を介してＡｒガスを供給すると、上記内部空間２ｂにＡｒガス雰囲気が形成し得、これにより、ヒータ８を作動させてウエハＷを加熱する場合、リブ部２ａとウエハＷ裏面とで画成される内部空間２ｂにＡｒガス雰囲気を形成することで、ウエハＷへの熱伝達をアシストして効率よくウエハＷを加熱でき（【００１９】）、 ウエハの状態を把握するために、チャック電源Ｅ内の直流電源Ｅ１に交流電源Ｅ２を直列に接続し、交流電源Ｅ２から静電チャック１の静電容量を通る交流電流を流し、公知の電流計Ａにて測定した電流値からインピーダンスを監視すると共に、マスフローコントローラ５の下流側でガス管６に公知のマスフローメータ９を介設してＡｒガスのガス流量を監視し（【００２２】）、 処理中にインピーダンス、ひいては電流値が所定の閾値を超えて変化した場合には、ウエハの破損につながる状態であると判断し得、このような場合には、所定の処理を適宜中止しながら、両電極３ａ、３ｂ間に印加する直流電圧及びガス導入手段からのガス流量のうち少なくとも一方を制御してウエハＷに無理な応力が加わる状態を解消し（【００２８】）、 ガス流量を管理すれば、ウエハＷの反り量が判断でき、これを管理すれば、ウエハＷの破損に通じる状態を適格に管理でき、処理室内でのウエハＷの破損を防止できること（【００３１】）。」 （６）甲６について ア 甲６の記載 甲６には、以下の事項が記載されている。 「【０００３】 図２０は高周波電源（ＲＦ電源）によるプラズマ負荷の駆動を説明するための概略図である。図２０において、高周波電源（ＲＦ電源）１００から出力されたパルス出力は、整合器１０１を介してプラズマ処理装置やＣＯ２レーザ加工機等のプラズマ負荷１０２に供給される。 【０００４】 高周波電源のパルス駆動によるパルス出力はオフ状態とオン状態とを高周波で繰り返す高周波（ＲＦ）出力である。高周波電源（ＲＦ電源）のパルス駆動では、プラズマ負荷に対してパルス出力の進行波電圧が断続的に供給されるため、プラズマ負荷のプラズマは点灯と消灯とを繰り返すことになる。 【０００５】 高周波（ＲＦ）出力がオン状態とオフ状態との間で切り替わる時は、パルス駆動状態が正常であっても反射波が発生する。高周波（ＲＦ）出力がオフ状態からオン状態に切り替わる時点からプラズマが着火するまでの間で反射係数Γがほぼ１となって（Γ≒１）不整合状態が発生するため一時的に全反射状態となる。このとき、プラズマ負荷から高周波電源に向かって反射波が発生する。反射波の発生要因としては、例えば整合器の固有振動やプラズマの着火動作等がある。」 ［図：0001422469000017.jpg］ イ 甲６技術事項 前記アから、甲６には、以下の技術事項（以下「甲６技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲６技術事項＞ 「高周波電源（ＲＦ電源）によるプラズマ負荷の駆動において（【０００３】）、 高周波（ＲＦ）出力がオン状態とオフ状態との間で切り替わる時は、パルス駆動状態が正常であっても反射波が発生し（【０００５】）、 高周波（ＲＦ）出力がオフ状態からオン状態に切り替わる時点からプラズマが着火するまでの間で反射係数Γがほぼ１となって（Γ≒１）不整合状態が発生するため一時的に全反射状態となり、このとき、プラズマ負荷から高周波電源に向かって反射波が発生すること（【０００５】）。」 （７）甲７について ア 甲７の記載 甲７には、以下の事項が記載されている。 「【００７２】 ここで、オフ・プリセット・ポジションは、放電開始（プラズマ着火）時にチューナポジションＴ１，Ｔ２を強制的に特定のポジション（スタート位置）へ移動させる場合の移動先ポジションを指す。オフ・プリセット・タイマは、チューナポジションＴ１，Ｔ２をオフ・プリセット・ポジションに移した後にＭＷｏｎ（マイクロ波オン）してからその位置に保持する時間の長さである。関係者は、オフ・プリセット・イネーブル／ディスエーブルの設定を“イネーブル（Ｅｎ）”とするか“ディスエーブル（Ｄｉ）”とするかによって、オフ・プリセット・ポジションの活用（有効）または不活用（無効）のどちらでも選択できる。 【００７３】 オン・プリセット・ポジションは、放電開始で着火したプラズマを安定化させるために、あるいはプラズマ生成中に割り込みが入った時に、チューナポジションＴ１，Ｔ２を強制的に特定のポジション（スタート位置）へ移動させる場合の移動先ポジションを指す。オン・プリセット・タイマは、チューナポジションＴ１，Ｔ２をオン・プリセット・ポジションに移してからその位置に保持する時間の長さである。関係者は、オン・プリセット・イネーブル／ディスエーブルの設定を“イネーブル（Ｅｎ）”とするか“ディスエーブル（Ｄｉ）”とするかによって、オン・プリセット・ポジションの活用（有効）または不活用（無効）のどちらでも選択できる。 【００７４】 「Γｉｎ」は、整合動作においてチューナポジションＴ1，Ｔ2の現時位置に対応する反射係数Γの現時値を収束させるべき整合ポイントとしての目標値（複素数）である。目標値Γinは、典型的には絶対値｜Γin｜および位相θinについて設定されてよいが、実数部｜Γin｜cosθおよび虚数部｜Γin｜sinθについて設定されてもよい。「Γth」は、反射係数Γの目標値Γinを囲む第１の近傍範囲であり、たとえばΓチャート（スミスチャート）上で目標値Γinを中心とする半径Γthの円の内側を規定する。「Γh」は、反射係数Γの目標値Γinを第１の近傍範囲Γthよりも外側で囲む第２の近傍範囲であり、やはりΓチャート上で目標値Γinを中心とする半径Γhの円の内側を規定する。「モータ速度」は、電動機Ｍ1，Ｍ2の回転速度または送り速度である。」 「【０１１０】 図１２，図１３および図１４に示すように、（｜Γin｜，θin）＝（０．００、０°）の場合はもちろん、（｜Γin｜，θin）＝（０．０４、０°）の場合および（｜Γin｜，θin）＝（０．０４、９０°）の場合にも、夥しい数で尖頭値の高い反射波パワーのパルス（ハンチングの発生）が観測された。また、反射波パワーのスパイクに連動してチューナポジションＴ1，Ｔ2が脈動するのが観測された。」 ［図：0001422469000018.jpg］ イ 甲７技術事項 前記アから、甲７には、以下の技術事項（以下「甲７技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲７技術事項＞ 「放電開始（プラズマ着火）時に（【００７２】）、夥しい数で尖頭値の高い反射波パワーのパルス（ハンチングの発生）が観測されること（【０１１０】）。」 （７）甲８について ア 甲８の記載 甲８には、以下の事項が記載されている。 「【００１７】 以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施形態に係る自己クリーニング機能付圧力容器をについて説明する。この自己クリーニング機能付圧力容器は、高圧・高温下での試験薬液に対するワークの耐食試験やアニール処理を行うものであり、クリーニングに際し、圧力容器の内壁に付着した付着物をプラズマ処理のプロセスにより除去可能に構成されている。 【００１８】 図１に示すように、自己クリーニング機能付圧力容器１は、容器本体１１と容器本体１１を開閉する容器蓋１２とから成り、内部でワークを処理する圧力容器２と、圧力容器２の内壁に付着した付着物をプラズマ処理のプロセスによりクリーニングするクリーニング装置３と、これらを統括制御する制御装置４と、を備えている。すなわち、実施形態の自己クリーニング機能付圧力容器１は、圧力容器２にプラズマ処理装置を併設した構成を有している。詳細は後述するが、この自己クリーニング機能付圧力容器１では、ワークの耐食試験後、耐食試験によって圧力容器２の内壁に付着した有機物等の付着物を、プラズマ処理によって定期的にクリーニング可能に構成したものである。」 「【００２６】 そして、単一のプロセスガスを供給する場合には、供給開閉バルブ４３を開放した状態で、供給するプロセスガスのガスボンベ５１に連なる下流側開閉バルブ５６を開放する。この際、容器室２６内のプロセスガスのガス濃度は、圧力容器２内のガス濃度が所定のガス濃度になるように、ガス検出センサ１４による検出結果に基づいて、供給ガスコントローラ５４よってプロセスガスのガス流量を制御することで調整されている。これにより、プロセスガスは、供給ガスコントローラ５４で制御され、所定の濃度（流量）で圧力容器２（容器室２６）に供給される。また、複数種のプロセスガスを供給する場合には、供給開閉バルブ４３を開放した状態で、該当する複数の下流側開閉バルブ５６をそれぞれ開放する。この場合におけるプロセスガスの混合割合も、上記と同様に、それぞれの供給ガスコントローラ５４よってそれぞれのガス流量を制御することで調整される。 【００２７】 ガス排気配管４４には、プロセスガスの排気側の元栓となる排気開閉バルブ４６と、ニードルバルブやマスフローコントローラ等で構成された排気ガスコントローラ６３と、圧力容器２内を負圧状態にする真空ポンプ６２と、が上流側から順番に介設されている。また、排気開閉バルブ４６、真空ポンプ６２および排気ガスコントローラ６３は、制御装置４に接続されている。プロセスガスの排気は、上記したプロセスガスの供給と同時に行われ、真空ポンプ６２を駆動した状態で、排気開閉バルブ４６を開放する。容器室２６内のプロセスガスのガス濃度は、圧力容器２内のガス濃度が所定のガス濃度になるように、ガス検出センサ１４による検出結果に基づいて、排気ガスコントローラ６３よってプロセスガスのガス流量を制御することで調整されている。すなわち、圧力容器２内のガス濃度が一定なるように、プロセスガスの供給流量および排気流量が等しくなるように、供給ガスコントローラ５４および排気ガスコントローラ６３によって制御されている。」 ［図：0001422469000019.jpg］ イ 甲８技術事項 前記アから、甲８には、以下の技術事項（以下「甲８技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲８技術事項＞ 「高圧・高温下での試験薬液に対するワークの耐食試験やアニール処理を行う（【００１７】）自己クリーニング機能付圧力容器１であって、ワークの耐食試験後、耐食試験によって圧力容器２の内壁に付着した有機物等の付着物を、プラズマ処理によって定期的にクリーニング可能に構成した自己クリーニング機能付圧力容器１において（【００１８】）、 単一のプロセスガスを供給する場合には、供給開閉バルブ４３を開放した状態で、供給するプロセスガスのガスボンベ５１に連なる下流側開閉バルブ５６を開放し、この際、容器室２６内のプロセスガスのガス濃度は、圧力容器２内のガス濃度が所定のガス濃度になるように、ガス検出センサ１４による検出結果に基づいて、供給ガスコントローラ５４よってプロセスガスのガス流量を制御することで調整され（【００２６】）、 プロセスガスの排気は、上記したプロセスガスの供給と同時に行われ、真空ポンプ６２を駆動した状態で、排気開閉バルブ４６を開放し、容器室２６内のプロセスガスのガス濃度は、圧力容器２内のガス濃度が所定のガス濃度になるように、ガス検出センサ１４による検出結果に基づいて、排気ガスコントローラ６３よってプロセスガスのガス流量を制御することで調整されること（【００２７】）。」 ５ 当合議体の判断 （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）本件発明１の「プラズマ処理装置」との特定事項について 甲１発明の「ａ プロセス処理としてスパッタリング成膜を行うことができるプロセス処理装置１とプロセスデータ収集装置２と上位システム３からなる装置」は、「プラズマパワー（ＲＦパワー）」を「プロセス条件」（ｈ参照）とするものであり、また、スパッタリング成膜がプラズマを利用したプロセス処理であるという技術常識に鑑みれば、本件発明１の「プラズマ処理装置」に相当するといえる。 したがって、甲１発明は前記特定事項を備えている。 （イ）本件発明１の「チャンバと、」「を有し、」との特定事項について 甲１発明の「ａ プロセス処理としてスパッタリング成膜を行うことができるプロセス処理装置１」は、「チャンバ圧力（ＣＨ圧力）」を「プロセス条件」（ｈ参照）とするものであり、また、スパッタリング成膜がチャンバ内で行われるという技術常識に鑑みれば、甲１発明は、本件発明１の「チャンバ」を有するといえる。 したがって、甲１発明は、前記特定事項を備えている。 （ウ）本件発明１の「前記チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部と、」「を有し、」との特定事項について 甲１発明の「ｄ マスタとしての装置制御部１３」は、「レシピ１２に書き込まれたプロセス条件を読み込み、ＳＡＮマスタ通信部１４とＳＡＮ１０を介して、スレイブとしての駆動系１８に制御指示を指令として送出する」ものであり、「プロセス条件」には「チャンバ圧力（ＣＨ圧力）」と「プラズマパワー（ＲＦパワー）」を含み（ｈ参照）、「プロセス処理としてスパッタリング成膜を行うこと」（ａ参照）がチャンバ内でプラズマを利用したプロセス処理であるという技術常識を踏まえれば、「装置制御部１３」はチャンバ内のプラズマ処理を制御するものといえるから、甲１発明の「装置制御部１３」は、本件発明１の「前記チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部」に相当する。 したがって、甲１発明は、前記特定事項を備えている。 （エ）本件発明１の「前記チャンバ内に設けられ又は前記チャンバに直接的もしくは間接的に接続された監視対象を監視する監視部と、を有し、」との特定事項について 甲１発明において、「プロセスデータ収集装置２」は、「ＳＡＮ１０を介して交信される信号を」「モニタする機能を有」（ｅ参照）し、「センサ系１９から実行値信号を収集」（ｆ参照）するものであるところ、「マスタとしての装置制御部１３は、レシピ１２に書き込まれたプロセス条件を読み込み、ＳＡＮマスタ通信部１４とＳＡＮ１０を介して、スレイブとしての駆動系１８に制御指示を指令として送出する一方、同様にスレイブとしてのセンサ系１９は、制御結果を応答として、ＳＡＮ１０とＳＡＮマスタ通信部１４を介して、装置制御部１３に出力」（ｄ参照）することからすれば、プロセスデータ収集装置２は、ＳＡＮ１０を介して交信される信号である駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）（ｂ参照）に送出される制御指示の応答としてのセンサ系１９（温度センサ１０ｄ、圧力計１０ｅ、流量計１０ｆ）（ｂ参照）が出力する制御結果をモニタする機能を有するといえ、監視（モニタ）対象である駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）及びセンサ系１９（温度センサ１０ｄ、圧力計１０ｅ、流量計１０ｆ）を監視（モニタ）するものといえるから、甲１発明の「駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）」及び「センサ系１９（温度センサ１０ｄ、圧力計１０ｅ、流量計１０ｆ）」を合わせたもの、「プロセスデータ収集装置２」はそれぞれ、本件発明１の「監視対象」、「監視部」に相当する。 また、甲１発明において、「プロセス処理としてスパッタリング成膜」（ａ参照）がチャンバ内でプラズマを利用したプロセス処理であるという技術常識を踏まえれば、「プロセス処理装置１」が「有」する「駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）」及び「センサ系１９（温度センサ１０ｄ、圧力計１０ｅ、流量計１０ｆ）」（ｂ参照）は、チャンバ内に設けられるか、チャンバに直接的もしくは間接的に接続されるものであることは明らかである。 したがって、甲１発明は、前記特定事項を備えている。 （オ）本件発明１の「前記装置側コントローラ部は、前記監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を行い」との特定事項について 甲１発明において、「装置制御部１３」は、「プロセスデータ収集装置２」へ「プロセスデータ収集条件を入力」（ｆ参照）するものであり、「プロセスデータ収集装置２」が「有」する「収集条件設定部２５」（ｉ参照）「を介してプロセス処理装置１から設定され」る「収集条件テーブル２４」（ｋ参照）は、「プロセスデータＩＤ６１と、」「サンプリング周期６３と、トリガ条件６４と」「を有しており」（ｌ参照）、「プロセスデータＩＤ６１は、収集の対象となっているプロセスデータを示し、サンプリング周期６３は、プロセスデータ信号ＲＷＲを収集する周期であり、トリガ条件６４は、開始トリガと停止トリガとから構成されており、夫々プロセスデータ信号ＲＷＲの収集の開始条件と停止条件とを設定している」（ｍ参照）ことからすれば、装置制御部１３は、プロセスデータ収集装置２が有する収集条件設定部を介して、収集する対象となっているプロセスデータと、プロセスデータ信号ＲＷＲを収集する周期と、プロセスデータ信号ＲＷＲの収集の開始条件と停止条件、すなわち、収集のタイミングを設定しているものといえ、甲１発明の「プロセスデータ信号ＲＷＲ」は、本件発明１の「監視対象情報」に相当する。 そうすると、甲１発明の「装置制御部１３」は、本件発明１でいう「前記監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を行」うものである。 したがって、甲１発明は、前記特定事項を備えている。 （カ）本件発明１の「前記監視部は、前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を取得して、前記監視対象情報に基づき前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し前記監視対象を制御する」との特定事項について 甲１発明において、「プロセスデータ収集装置２」が有する「ネットワークモニタ部２０」は、「ＳＡＮ１０を介してマスタとスレイブ間の信号をモニタする機能を有」（ｊ参照）するところ、「プロセスデータ収集装置２」が「収集」する「スレイブであるセンサ系１９からのプロセスデータ信号ＲＷＲ」（ｊ、ｍ参照）もまた、「マスタとスレイブ間の信号」であり、このことは、「スレイブであるセンサ系１９からのプロセスデータ信号ＲＷＲ」が、「スレイブとしてのセンサ系１９」から、「マスタとしての装置制御部１３」に送信されることを意味している。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「前記監視部は、前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を取得」する点で共通する。 しかしながら、「監視部」は、本件発明１では「前記監視対象情報に基づき前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し前記監視対象を制御する」ものであるのに対し、甲１発明の「プロセスデータ収集装置２」は、「装置制御部１３からプロセスデータ収集条件を入力し、ＳＡＮ１０を介して、センサ系１９から実行値信号を収集し、得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し」（ｆ参照）、「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」（ｇ参照）するものであり、プロセスデータ信号ＲＷＲに基づきチャンバにおける異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）を制御するものではない。 イ 一致点及び相違点 前記アから、本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「プラズマ処理装置であって、 チャンバと、 前記チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部と、 前記チャンバ内に設けられ又は前記チャンバに直接的もしくは間接的に接続された監視対象を監視する監視部と、 を有し、 前記装置側コントローラ部は、前記監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を行い、 前記監視部は、前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を取得する プラズマ処理装置。」である点。 ＜相違点１＞ 監視部は、本件発明１では「前記監視対象情報に基づき前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し前記監視対象を制御する」のに対して、甲１発明では「装置制御部１３からプロセスデータ収集条件を入力し、ＳＡＮ１０を介して、センサ系１９から実行値信号を収集し、得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し」、「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」するものであり、スレイブであるセンサ系１９からのプロセスデータ信号ＲＷＲに基づきチャンバにおける異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）を制御するものではない点。 ウ 判断 （ア）相違点１について ａ 甲２について 甲２技術事項において、プラズマ負荷１０６は、基板のエッチングまたは基板上での薄い層の堆積等の処置を実施するためのプラズマ処理チャンバ１０５内で形成されるプラズマであってもよく（ｄ参照）、リアクタンスコントローラ１２２は、プラズマ負荷のインピーダンスの増減を補償するためにそのインピーダンスを変化させるために可変リアクタンスセクション１２０を調節するように動作（ｅ参照）するものであるが、このプラズマ負荷のインピーダンスを補償するためにインピーダンスを変化させるために可変リアクタンスセクション１２０を調節するリアクタンスコントローラ１２２の動作は、通常時に動作するものであって、異常が発生したチャンバに対して動作するものではなく、相違点１に係る本件発明１の構成に対応するものといえない。 また、甲２技術事項において、整合ネットワーク１０４は、整合ネットワークへのある損傷が存在するとき、および／または、整合ネットワークが設計仕様から外れて動作しているとき、プラズマ負荷１０６に印加される電力の変動を引き起こし得、これは、損傷が気付かれることなく、処理チャンバ内で処理されているワークピース（例えば、ウエハ）への損傷をもたらし得、結果として、整合ネットワーク１０４への損傷および／または仕様から外れた動作を示す整合ネットワーク１０４の変化を検出することによって、この問題に対処（ｆ参照）するものであることから、整合ネットワーク１０４への損傷および／または仕様から外れた動作を示す整合ネットワーク１０４の変化を検出することは、処理チャンバ内で処理されているワークピース（例えば、ウエハ）への損傷をもたらし得るというチャンバにおける異常の発生を検出することといえるが、この問題への対処として、オペレータに警報を提供する（ｈ参照）ことは、異常が発生したチャンバに対し制御を行うものといえず、相違点１に係る本件発明１の構成に対応するものといえない。 したがって、本件発明１は、甲１発明及び甲２技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｂ 甲３について 甲３技術事項は、静電吸着電極２７の電位を監視する直流電圧モニタ４６（ｄ参照）が、所定の閾値を超えたとき、基板Ｇが載置台２１から剥離したと判定してプラズマ生成用高周波電源４１へ高周波電力の供給を停止するための停止信号を送信し、停止信号を受信したプラズマ生成用高周波電源４１は、直ちに高周波電力の供給を停止する（ｈ参照）ものであることから、直流電圧という監視対象情報に基づき、基板Ｇの載置台２１からの剥離の判定というチャンバ２０（ｂ参照）における異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバ２０に対し（ｂ参照）、高周波電力の供給を停止するようにプラズマ生成用高周波電源４１を制御するものといえるところ、高周波電力の供給を停止するようプラズマ生成用高周波電源４１を制御することは、監視対象である静電吸着電極２７を制御するものとはいえず、相違点１に係る本件発明１の構成に対応するものといえない。 したがって、本件発明１は、甲１発明及び甲３技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｃ 甲４について 甲４技術事項は、「電極間の放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生装置」（ａ参照）において、「プラズマガス噴出装置１２は、ハウジング２０、カバー２２、１対の電極２４，２６によって構成され」（ｂ参照）、「電流センサ１１１は、高周波電源１０２から電極２４，２６へ電力を供給するための給電線１３１に流れる電流を検出し」（ｆ参照）、「コントローラ１００は、プラズマ発生制御を開始すると、所定時間毎に、電流センサ１１１から出力される電流値、流量コントローラ１０３，１０４から出力される流量値、圧力センサ１１２，１１３から出力されるガス圧値、駆動回路１０５および温度センサ１１４から出力される温度を時刻に対応付けて記憶部１２０に記憶させる記憶処理を開始し」（ｊ参照）、「コントローラ１００は、検出値の少なくとも１つが異常値となり異常検知部１２１が異常が発生したと判断すると、異常を検知したため、電極２４，２６への給電の停止、処理ガス、ガスの供給を停止させ」（ｋ参照）ることからすれば、甲４技術事項は、監視対象情報（電流センサ１１１から出力される電流値等）に基づきチャンバ（プラズマガス噴出装置１２等）における異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し監視対象を制御（電極２４，２６への給電の停止、処理ガス、ガスの供給を停止）する監視部（コントローラ１００）を有するものといえ、相違点１に係る本件発明１の「前記監視対象情報に基づき前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し前記監視対象を制御する監視部」を備えるものといえそうである。 しかしながら、甲１発明においては駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）の制御は装置制御部１３が行うのであって、プロセスデータ収集装置２は駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）の制御を行う機能を備えておらず、また、センサ系１９の応答はプロセスデータ収集装置２のみならず装置制御部１３にも出力されていることに照らせば、甲１発明における甲４技術事項の「コントローラ１００」に対応する構成は、「装置制御部１３」であるというべきであり、甲１発明に甲４技術事項を適用すると、「装置制御部１３」が駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）や駆動系１８としての電極等の異常の検知と制御を行う構成となり、当業者は、相違点１に係る構成とその前提となる構成からなる本件発明１の「前記監視部は、前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を取得して、前記監視対象情報に基づき前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し前記監視対象を制御する」との構成を想到することはできない。 したがって、本件発明１は、甲１発明及び甲４技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｄ 甲５～甲８について 甲５～甲８には、いずれも、相違点１に係る本件発明の構成について記載も示唆もされていない。 ｅ 申立人の主張について 申立人は、甲２及び甲３に記載のように、相違点１に係る本件発明１の構成である「監視部は、監視対象から装置側コントローラ部に送信される監視対象情報を取得して、監視対象情報に基づきチャンバにおける異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し監視対象を制御する」ことは周知技術である旨主張するが、甲２及び甲３は、前記ａ及びｂで述べたように、前記構成を開示するものではなく、これを周知技術とする申立人の主張は採用できない。 （イ）小括 甲１～甲８の全記載を考慮しても、前記（ア）の結論を左右するものはない。 したがって、本件発明１は、甲１に記載された発明及び甲２～８に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）本件発明２～４について 本件発明２～４は、本件発明１に他の構成を付加して限定したものであり、甲１発明と少なくとも前記（１）イの相違点１において相違するから、他の相違点について検討するまでもなく、前記（１）ウで検討したのと同様の理由により、甲１に記載された発明及び甲２～８に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）本件発明５について ア 対比 本件発明５と甲１発明とを対比する。 （ア）本件発明５の「プラズマ処理装置であって」、「チャンバと、前記チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部と、」「を有し、」との特定事項について 前記（１）ア（ア）と同様に、甲１発明の「プロセス処理としてスパッタリング成膜を行うことができるプロセス処理装置１とプロセスデータ収集装置２と上位システム３からなる装置」は、本件発明５の「プラズマ処理装置」に相当する。 また、前記（１）ア（イ）と同様に、甲１発明は、本件発明５の「チャンバ」を有するといえる。 そして、前記（１）ア（ウ）と同様に、甲１発明の「装置制御部１３」は、本件発明５の「前記チャンバ 内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部」に相当する。 したがって、甲１発明は、前記特定事項を備えている。 （イ）本件発明５の「前記チャンバに電力を供給する高周波電源と、」「を有し、」との特定事項について 甲１発明は、プロセス条件として、プラズマパワー（ＲＦパワー）が設定されており、プラズマパワー（ＲＦパワー）がプラズマを発生させるための高周波の電力を意味するという技術常識に鑑みれば、甲１発明がこの高周波の電力の電力源である高周波電源を備えることは明らかである。 したがって、甲１発明は、前記特定事項を備えている。 （ウ）本件発明５の「監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される監視対象情報を取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する監視部と、を有し、」との特定事項について 前記（１）ア（カ）と同様に、本件発明５と甲１発明とは、「前記監視部は、前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を取得」する点で共通する。 しかし、監視部は、本件発明５では「前記監視対象情報に基づき前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する」ものであるのに対し、甲１発明では、「装置制御部１３からプロセスデータ収集条件を入力し、ＳＡＮ１０を介して、センサ系１９から実行値信号を収集し、得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し」（ｆ参照）、「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」（ｇ参照）するものであり、プロセスデータ信号ＲＷＲに基づきチャンバにおける異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御するものではない。 （エ）本件発明５の「前記装置側コントローラ部は、前記監視対象の設定、及び前記監視対象情報を取得するタイミングの設定を前記監視部に対して行うこと」について 前記（１）ア（オ）と同様に、甲１発明の「装置制御部１３」は、本件発明５でいう「前記監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を行」うものである。 したがって、甲１発明は、前記特定事項を備えている。 イ 一致点及び相違点 前記アから、本件発明５と甲１発明との一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「プラズマ処理装置であって、 チャンバと、 前記チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部と、 前記チャンバに電力を供給する高周波電源と、 監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される監視対象情報を取得する監視部と、 を有し、 前記装置側コントローラ部は、 前記監視対象の設定、及び前記監視対象情報を取得するタイミングの設定を前記監視部に対して行うこと を特徴とするプラズマ処理装置。」である点。 ＜相違点２＞ 監視部は、本件発明５では「前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する」ものであるのに対して、甲１発明では「装置制御部１３からプロセスデータ収集条件を入力し、ＳＡＮ１０を介して、センサ系１９から実行値信号を収集し、得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し」、「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」するものであり、スレイブであるセンサ系１９からのプロセスデータ信号ＲＷＲに基づきチャンバにおける異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御するものではない点。 ウ 判断 （ア）相違点２について ａ 甲２について 甲２技術事項において、プラズマ負荷１０６は、基板のエッチングまたは基板上での薄い層の堆積等の処置を実施するためのプラズマ処理チャンバ１０５内で形成されるプラズマであってもよく（ｄ参照）、リアクタンスコントローラ１２２は、プラズマ負荷のインピーダンスの増減を補償するためにそのインピーダンスを変化させるために可変リアクタンスセクション１２０を調節するように動作（ｅ参照）するものであるが、このプラズマ負荷のインピーダンスを補償するためにインピーダンスを変化させるために可変リアクタンスセクション１２０を調節するリアクタンスコントローラ１２２の動作は、通常時に動作するものであって、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御するものではなく、相違点２に係る本件発明５の構成に対応するものといえない。 また、甲２技術事項において、整合ネットワーク１０４は、整合ネットワークへのある損傷が存在するとき、および／または、整合ネットワークが設計仕様から外れて動作しているとき、プラズマ負荷１０６に印加される電力の変動を引き起こし得、これは、損傷が気付かれることなく、処理チャンバ内で処理されているワークピース（例えば、ウエハ）への損傷をもたらし得、結果として、整合ネットワーク１０４への損傷および／または仕様から外れた動作を示す整合ネットワーク１０４の変化を検出することによって、この問題に対処（ｆ参照）するものであることから、整合ネットワーク１０４への損傷および／または仕様から外れた動作を示す整合ネットワーク１０４の変化を検出することは、処理チャンバ内で処理されているワークピース（例えば、ウエハ）への損傷をもたらし得るというチャンバにおける異常の発生を検出することといえるが、この問題への対処として、オペレータに警報を提供する（ｈ参照）ことは、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御するものではなく、相違点２に係る本件発明５の構成に対応するものといえない。 したがって、本件発明５は、甲１発明及び甲２技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｂ 甲３について 甲３技術事項は、「静電吸着電極２７の電位を監視する直流電圧モニタ４６」（ｄ参照）が、「所定の閾値を超えたとき、基板Ｇが載置台２１から剥離したと判定してプラズマ生成用高周波電源４１へ高周波電力の供給を停止するための停止信号を送信し、停止信号を受信したプラズマ生成用高周波電源４１は、直ちに高周波電力の供給を停止する」（ｈ参照）ものであって、「直流電圧モニタ４６と装置コントローラ４４も信号線４９によって直接接続され」ていることから、監視対象（静電吸着電極２７）から装置側コントローラ部（装置コントローラ４４）に送信される監視対象情報（直流電圧）を取得して、監視対象情報（直流電圧）に基づいてチャンバにおける異常の発生（チャンバ２０における（ｂ参照）基板Ｇの載置台２１からの剥離）を検知し、異常が発生したチャンバに対し、高周波電力の供給を停止するように高周波電源を制御するものといえ、相違点２に係る本件発明５の構成とその前提となる構成からなる「監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される監視対象情報を取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する監視部」を備えるものといえる。 しかしながら、甲１発明に甲３技術事項を適用すれば、甲１発明の「駆動系１８」の１つとして甲３技術事項の「静電吸着電極２７」が、及び甲１発明の「センサ系１９」の１つとして甲３技術事項の前記「静電吸着電極２７」の電位を監視する「直流電圧モニタ４６」が設けられることとなり、甲１発明の「プロセスデータ収集装置２」に代えて、当該「直流電圧モニタ４６」が本件発明５の「監視部」に相当することとなるが、甲３技術事項は、本件発明５と甲５発明の一致点である「前記装置側コントローラ部は、前記監視対象の設定、及び前記監視対象情報を取得するタイミングの設定を前記監視部に対して行うこと」に対応する構成を開示するものではないから、甲１発明に甲３技術事項を適用した構成においては、当該「前記装置側コントローラ部は、前記監視対象の設定、及び前記監視対象情報を取得するタイミングの設定を前記監視部に対して行うこと」との一致点が維持されない。そして、甲１発明に甲３技術事項を適用した構成において、「静電吸着電極２７」及びその電位を監視する「直流電圧モニタ４６」の「静電吸着用直流電圧」の「監視」は、「装置制御部１３」により監視対象として設定されたり設定されなかったりすべきものではないし、異常放電が、基板が載置台から剥離してから数１０ｍｓｅｃ後に発生することがあること（【００４４】）を想定して、「数１０μｓｅｃ間隔、例えば、８０μｓｅｃ間隔」（ｉ参照）という極めて短い間隔で行われることからすれば、異常放電の特性を考慮した上で可能な限り迅速に異常を検知すべきようになされているものといえ、「装置制御部１３」により監視対象情報のタイミングが設定されたりすべきものではないことは技術的にみて明らかであり、当業者は、相違点２に係る本件発明５の構成と、本件発明５の「前記装置側コントローラ部は、前記監視対象の設定、及び前記監視対象情報を取得するタイミングの設定を前記監視部に対して行うこと」との構成の両方を備える構成を想到し得ない。 したがって、本件発明５は、甲１発明及び甲３技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｃ 甲４について 甲４技術事項は、「電極間の放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生装置」（ａ参照）において、「プラズマガス噴出装置１２は、ハウジング２０、カバー２２、１対の電極２４，２６によって構成され」（ｂ参照）、「電流センサ１１１は、高周波電源１０２から電極２４，２６へ電力を供給するための給電線１３１に流れる電流を検出し」（ｆ参照）、「コントローラ１００は、プラズマ発生制御を開始すると、所定時間毎に、電流センサ１１１から出力される電流値、流量コントローラ１０３，１０４から出力される流量値、圧力センサ１１２，１１３から出力されるガス圧値、駆動回路１０５および温度センサ１１４から出力される温度を時刻に対応付けて記憶部１２０に記憶させる記憶処理を開始し」（ｊ参照）、「コントローラ１００は、検出値の少なくとも１つが異常値となり異常検知部１２１が異常が発生したと判断すると、異常を検知したため、電極２４，２６への給電の停止」（ｋ参照）をすることからすれば、甲４技術事項は、監視対象情報（電流センサ１１１から出力される電流値等）に基づいてチャンバ（プラズマガス噴出装置１２等）における異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し電力の供給（電極２４，２６への給電）を停止するように高周波電源１０２を制御する監視部（コントローラ１００）を有するものといえ、相違点２に係る本件発明５の「前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する監視部」を備えるものといえそうである。 しかしながら、前記（１）ウ（ア）ｃで検討したのと同様に、甲１発明に甲４技術事項を適用すると、「装置制御部１３」が駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）や駆動系１８としての電極等の異常の検知と制御を行う構成となり、当業者は、本件発明５の「監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される監視対象情報を取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知し、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する監視部」を有する構成を想到することはできない。 したがって、本件発明５は、甲１発明及び甲４技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｄ 甲５～甲８について 甲５～甲８には、いずれも、相違点２に係る本件発明５の構成について記載も示唆もされていない。 ｅ 申立人の主張について 申立人は、甲２及び甲３に記載のように、相違点２に係る本件発明５の構成である「監視部は、監視対象情報に基づいてチャンバにおける異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御する」ことは周知技術である旨主張するが、前記ａで述べたように、甲２はこの技術を開示するものではないし、甲１発明に甲３技術事項を適用しても本件発明５の構成に至らないことは前記ｂで説示したとおりである。 したがって、申立人の主張は採用できない。 （イ）小括 甲１～甲８の全記載を考慮しても、前記（ア）の結論を左右するものはない。 したがって、本件発明５は、甲１に記載された発明及び甲２～８に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）本件発明６～１２について 本件発明６～１２は、甲１発明と少なくとも前記（３）イの相違点２において相違し、他の相違点について検討するまでもなく、前記（３）ウで検討したのと同様の理由により、本件発明６～１２は、甲１に記載された発明及び甲２～８に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （５）本件発明１３について ア 対比 本件発明１３と甲１’発明とを対比する。 （ア）本件発明１３の「プラズマ処理装置の異常放電を抑制する監視装置と、」「を有する」との特定事項について 甲１’発明の「プロセスデータ収集装置２」は、「ＳＡＮ１０を介して交信される信号を、ＳＡＮマスタ通信部１４を介さずにモニタする機能を有」（ｅ参照）するものであって、「ＳＡＮ１０を介して」「センサ系１９（温度センサ１０ｄ、圧力計１０ｅ、流量計１０ｆ）」（ｂ参照）が「装置制御部１３に」「ＳＡＮ１０」「を介して」「出力」する「制御結果」（ｄ参照）、すなわち、「センサ系１９」から「出力される」「実行値信号を収集」（ｆ参照）して「モニタ」（監視）するものといえる。 また、甲１’発明の「プロセスデータ収集装置２」は、「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」（ｇ参照）するものである。 そうすると、本件発明１３の「プラズマ処理装置の異常放電を抑制する監視装置」と、甲１’発明の「プロセスデータ収集装置２」とは、「プラズマ処理装置の監視装置」の点で共通するが、監視装置が、本件発明１３では「異常放電を抑制する」のに対し、甲１’発明では「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」するものである点で異なる。 （イ）本件発明１３の「チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部から、監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を受け付ける設定受付部と、」「を有する」との特定事項について 甲１’発明の「ｄ マスタとしての装置制御部１３」は、「レシピ１２に書き込まれたプロセス条件を読み込み、ＳＡＮマスタ通信部１４とＳＡＮ１０を介して、スレイブとしての駆動系１８に制御指示を指令として送出する」ものであり、「プロセス条件」には「チャンバ圧力（ＣＨ圧力）」と「プラズマパワー（ＲＦパワー）」を含み（ｈ参照）、「プロセス処理としてスパッタリング成膜」（ａ参照）がチャンバ内でプラズマを利用して行われるという技術常識に鑑みれば、チャンバ内のプラズマ処理を制御するものといえるから、甲１’発明の「装置制御部１３」は、本件発明１３の「前記チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部」に相当する。 また、甲１’発明において、「装置制御部１３」は、「プロセスデータ収集装置２」へ「プロセスデータ収集条件を入力」（ｆ参照）するものであり、「プロセスデータ収集装置２」が「有」する「収集条件設定部２５」（ｉ参照）「を介してプロセス処理装置１から設定され」る「収集条件テーブル２４」（ｋ参照）は、「プロセスデータＩＤ６１と、」「サンプリング周期６３と、トリガ条件６４と」「を有しており」（ｌ参照）、「プロセスデータＩＤ６１は、収集の対象となっているプロセスデータを示し、サンプリング周期６３は、プロセスデータ信号ＲＷＲを収集する周期であり、トリガ条件６４は、開始トリガと停止トリガとから構成されており、夫々プロセスデータ信号ＲＷＲの収集の開始条件と停止条件とを設定している」（ｍ参照）ことからすれば、装置制御部１３は、プロセスデータ収集装置２が有する収集条件設定部を介して、収集する対象となっているプロセスデータと、プロセスデータ信号ＲＷＲを収集する周期と、プロセスデータ信号ＲＷＲの収集の開始条件と停止条件、すなわち、収集のタイミングを設定しているものといえ、甲１’発明の「プロセスデータ信号ＲＷＲ」は、本件発明１３の「監視対象情報」に相当し、甲１’発明の「収集条件設定部２５」は、本件発明１３の「設定受付部」に相当する。 したがって、甲１’発明は前記特定事項を備えている。 （ウ）本件発明１３の「前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を前記タイミングで取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知する検知部と、」「を有する」との特定事項について 前記（１）ア（カ）で検討したのと同様に、甲１’発明の「プロセスデータ収集装置２」は、本件発明１３でいう、「前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を前記タイミングで取得」するものであるから、本件発明１３の「前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を前記タイミングで取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知する検知部」と甲１’発明とは、「前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を前記タイミングで取得」する取得部を有する点で共通する。 しかし、本件発明１３は「前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知する検知部」を有するものであるのに対し、甲１’発明の「プロセスデータ収集装置２」は、「得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し」（ｆ参照）、「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」（ｇ参照）するものであり、プロセスデータ信号ＲＷＲに基づいてチャンバにおける異常の発生を検知する検知部を有するものではない点で異なる。 （エ）本件発明１３の「前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御する制御部と、を有する」との特定事項について 甲１’発明の「プロセスデータ収集装置２」は、「得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し」（ｆ参照）、「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」（ｇ参照）するものであり、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御する制御部を有するものではない。 したがって、甲１’発明は前記特定事項を備えていない。 イ 一致点及び相違点 前記アから、本件発明１３と甲１’発明との一致点及び相違点は次のとおりである。 ＜一致点＞ 「プラズマ処理装置の監視装置であって、 チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部から、監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を受け付ける設定受付部と、 前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を前記タイミングで取得する取得部と、 を有する監視装置。」 ＜相違点３＞ 本件発明１３は「前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知する検知部と、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御する制御部」を有し「異常放電を抑制する」ものであるのに対し、甲１’発明は「得られた実行値信号からプロセスデータに変換して、レシピ１２との対応関係を取り、レシピＩＤを付加し、レシピＩＤ毎にプロセスデータを格納し」、「プロセス解析のために、上位システム３からプロセスデータの出力指示があれば」「レシピＩＤを付加したプロセスデータを上位システム３に出力」するものであり、プロセスデータ信号ＲＷＲに基づいてチャンバにおける異常の発生を検知する検知部と、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御する制御部を有するものではなく、異常放電を制御するものではない点。 ウ 判断 （ア）相違点３について ａ 甲２について 甲２技術事項において、プラズマ負荷１０６は、基板のエッチングまたは基板上での薄い層の堆積等の処置を実施するためのプラズマ処理チャンバ１０５内で形成されるプラズマであってもよく（ｄ参照）、リアクタンスコントローラ１２２は、プラズマ負荷のインピーダンスの増減を補償するためにそのインピーダンスを変化させるために可変リアクタンスセクション１２０を調節するように動作（ｅ参照）するものであるが、このプラズマ負荷のインピーダンスを補償するためにインピーダンスを変化させるために可変リアクタンスセクション１２０を調節するリアクタンスコントローラ１２２の動作は、通常時に動作するものであって、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御するものではなく、相違点３に係る本件発明１３の構成に対応するものといえない。 また、甲２技術事項において、整合ネットワーク１０４は、整合ネットワークへのある損傷が存在するとき、および／または、整合ネットワークが設計仕様から外れて動作しているとき、プラズマ負荷１０６に印加される電力の変動を引き起こし得、これは、損傷が気付かれることなく、処理チャンバ内で処理されているワークピース（例えば、ウエハ）への損傷をもたらし得、結果として、整合ネットワーク１０４への損傷および／または仕様から外れた動作を示す整合ネットワーク１０４の変化を検出することによって、この問題に対処（ｆ参照）するものであることから、整合ネットワーク１０４への損傷および／または仕様から外れた動作を示す整合ネットワーク１０４の変化を検出することは、処理チャンバ内で処理されているワークピース（例えば、ウエハ）への損傷をもたらし得るというチャンバにおける異常の発生を検出することといえるが、この問題への対処として、オペレータに警報を提供する（ｈ参照）ことは、異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御するものではなく、相違点３に係る本件発明１３の構成に対応するものといえない。 したがって、本件発明１３は、甲１’発明及び甲２技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｂ 甲３について 甲３技術事項は、「静電吸着電極２７の電位を監視する直流電圧モニタ４６」（ｄ参照）が、「所定の閾値を超えたとき、基板Ｇが載置台２１から剥離したと判定してプラズマ生成用高周波電源４１へ高周波電力の供給を停止するための停止信号を送信し、停止信号を受信したプラズマ生成用高周波電源４１は、直ちに高周波電力の供給を停止する」（ｈ参照）ものであって、「直流電圧モニタ４６と装置コントローラ４４も信号線４９によって直接接続され」ていることから、監視対象（静電吸着電極２７）から装置側コントローラ部（装置コントローラ４４）に送信される監視対象情報（直流電圧）を取得して、監視対象情報（直流電圧）に基づいてチャンバにおける異常の発生（チャンバ２０における（ｂ参照）基板Ｇの載置台２１からの剥離）を検知し、異常が発生したチャンバに対し、高周波電力の供給を停止するように高周波電源を制御するものといえ、相違点３に係る本件発明１３の構成とその前提となる構成からなる「前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を」「取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知する検知部と、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する制御部」とを有し「異常放電を制御する」ものといえる。 しかしながら、前記（３）ウ（ア）ｂで検討したのと同様の理由により、当業者は、相違点３に係る本件発明の構成と、本件発明１３の「チャンバ内のプラズマ処理を制御する装置側コントローラ部から、監視対象の設定、及び監視対象情報を取得するタイミングの設定を受け付ける設定受付部」を有する構成の両方を備える構成を想到することはできない。 したがって、本件発明１３は、甲１’発明及び甲３技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｃ 甲４について 甲４技術事項は、「電極間の放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生装置」（ａ参照）において、「プラズマガス噴出装置１２は、ハウジング２０、カバー２２、１対の電極２４，２６によって構成され」（ｂ参照）、「電流センサ１１１は、高周波電源１０２から電極２４，２６へ電力を供給するための給電線１３１に流れる電流を検出し」（ｆ参照）、「コントローラ１００は、プラズマ発生制御を開始すると、所定時間毎に、電流センサ１１１から出力される電流値」「を時刻に対応付けて記憶部１２０に記憶させる記憶処理を開始し」（ｊ参照）、「コントローラ１００は、検出値の少なくとも１つが異常値となり異常検知部１２１が異常が発生したと判断すると、異常を検知したため、電極２４，２６への給電の停止」（ｋ参照）をすることからすれば、甲４技術事項は、監視対象情報（電流センサ１１１から出力される電流値）に基づいてチャンバ（プラズマガス噴出装置１２）における異常の発生を検知し、異常が発生したチャンバに対し電力の供給（電極２４，２６への給電）を停止するように高周波電源１０２を制御する監視部（コントローラ１００）を有するものといえ、相違点３に係る本件発明１３の「前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知する検知部と、前記異常が発生した前記チャンバに対し電力の供給を停止するように前記高周波電源を制御する制御部と」を有し、「異常放電を制御する」ものといえそうである。 しかしながら、前記（１）ウ（ア）ｃで検討したの同様の理由により、甲１発明に甲４技術事項を適用すると、「装置制御部１３」が駆動系１８（ヒータ１０ａ、ポンプ１０ｂ、バルブ１０ｃ）や駆動系１８としての電極等の異常の検知と制御を行う構成となり、当業者は、相違点３に係る構成とその前提となる構成からなる本件発明１３の「前記監視対象から前記装置側コントローラ部に送信される前記監視対象情報を」「取得して、前記監視対象情報に基づいて前記チャンバにおける異常の発生を検知する検知部」を有する構成を想到することはできない。 したがって、本件発明１３は、甲１’発明及び甲４技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 ｄ 甲５～甲８について 甲５～甲８には、いずれも、相違点３に係る本件発明１３の構成について記載も示唆もされていない。 ｅ 申立人の主張について 申立人は、甲２及び甲３に記載のように、相違点３に係る本件発明１３の構成である「異常が発生したチャンバに対し電力の供給を停止するように高周波電源を制御する」ことは周知技術である旨主張するが、前記ａで述べたように、甲２はこの技術を開示するものではないし、甲１’発明に甲３技術事項を適用しても本件発明１３の構成に至らないことは前記ｂで説示したとおりである。 したがって、申立人の主張は採用できない。 （イ）小括 甲１～甲８の全記載を考慮しても、前記（ア）の結論を左右するものはない。 したがって、本件発明１３は、甲１に記載された発明及び甲２～８に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ６ むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１～１３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明１～１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。