2025-007740

特願２０２３－１９２２４７「センサ素子及びセンサ素子を製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ６年 １月３０日出願公開、特開２０２４－ １２５７０〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２１年（令和３年）８月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０２０年９月２日（以下「優先日」という。）（ＤＥ）独国）を国際出願日とする特願２０２２－５１４５９８の一部を令和５年１１月１０日に新たな特許出願（特願２０２３－１９２２４７）としたものであって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 令和 ６年 ７月２５日付け 拒絶理由通知書 同年１０月２８日 意見書・手続補正書の提出 令和 ７年 １月１６日付け 補正の却下の決定・拒絶査定 同年 ５月２０日 審判請求書・手続補正書の提出 以下では、令和７年１月１６日付け拒絶査定を「原査定」という。 第２ 令和７年５月２０日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和７年５月２０日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を補正する内容を含んでおり、本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。 「【請求項１】 温度を測定するためのセンサ素子であって、 － 上面及び下面を有する少なくとも１つの担体であって、前記上面は電気的に絶縁されて形成されている、担体と、 － 少なくとも１つの機能層であって、温度依存性の電気的な抵抗を有する材料を含み、前記機能層は前記担体上に配置されており、前記機能層は前記担体の前記上面を部分的にのみ覆っている、機能層と、 － 少なくとも２つの電極であって、前記担体上に互いに離間して形成されており、前記電極のそれぞれは複数の電極フィンガを備え、両前記電極の前記電極フィンガは交互に相対向して配置されている、電極と、 － 前記センサ素子の電気的コンタクトのための少なくとも２つのコンタクトパッドであって、前記電極のうちの１つの部分領域上に直接、それぞれ１つのコンタクトパッドが配置されている、コンタクトパッドと、を備え、 前記センサ素子は、個別コンポーネントとして電気システム内に直接組み込まれるように設計されており、前記センサ素子の厚さは１００μｍ未満であり、 前記電極は前記機能層の直接下面に形成されており、 前記機能層は、前記担体のエッジ領域から離間して、前記電極フィンガの領域に形成されている、 センサ素子。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の、出願時の特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。 「【請求項１】 温度を測定するためのセンサ素子であって、 － 上面及び下面を有する少なくとも１つの担体であって、前記上面は電気的に絶縁されて形成されている、担体と、 － 少なくとも１つの機能層であって、温度依存性の電気的な抵抗を有する材料を含み、前記機能層は前記担体上に配置されており、前記機能層は前記担体の前記上面を部分的にのみ覆っている、機能層と、 － 少なくとも２つの電極であって、前記担体上に互いに離間して形成されており、前記電極のそれぞれは複数の電極フィンガを備え、両前記電極の前記電極フィンガは交互に相対向して配置されている、電極と、 － 前記センサ素子の電気的コンタクトのための少なくとも２つのコンタクトパッドであって、前記電極のうちの１つの部分領域上に直接、それぞれ１つのコンタクトパッドが配置されている、コンタクトパッドと、を備え、 前記センサ素子は、個別コンポーネントとして電気システム内に直接組み込まれるように設計されており、前記センサ素子の厚さは１００μｍ未満である、 センサ素子。」 ２ 補正の適否 上記補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「機能層」及び「電極」について、「前記電極は前記機能層の直接下面に形成されて」いること、及び、「前記機能層は、前記担体のエッジ領域から離間して、前記電極フィンガの領域に形成されている」ことの、両者の位置関係についての限定をするものである。 そして、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献 ア 引用文献１ （ア）引用文献１の記載 原査定の拒絶の理由で引用文献１として引用され、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１３－１９７３６７号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付与した。以下同様。） ａ 「【０００１】 本発明は、温度検知や、人感センサなどに利用され、赤外線センサに用いられている薄膜サーミスタに関する。 【背景技術】 【０００２】 従来より温度センサや人感センサなど、赤外線を検知しその変化を信号として取り出す赤外線センサとして大きな負の温度係数をもつ遷移金属酸化物が用いられている。例えばＭｎ―Ｃｏ－Ｎｉ系の酸化物は一般的にＮＴＣサーミスタと呼ばれ温度に対する急激な負の抵抗値変化を利用して多くの温度センサや赤外線センサに使用されている。」 ｂ 「【００１６】 以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに以下に記載した構成要素は、適宜組み合わせることができる。 【００１７】 図１は、本実施形態の薄膜サーミスタ素子１０の基本構成を示す平面図である。図２は、図１に示す薄膜サーミスタ素子１０をＡ－Ａ線に沿って切断した断面図である。 【００１８】 薄膜サーミスタ素子１０は、基板１、絶縁膜２、一対の取出し電極３、サーミスタ薄膜４、保護膜６、一対の出力端子電極５から構成され、所定の間隔をおいて形成される一対の取出し電極３と、これらの取出し電極３間に成膜されるサーミスタ薄膜４とで構成されている。 【００１９】 基板１は、第１の主面１Ａ及び、その裏面である第２の主面１Ｂを有しており、少なくとも第１の主面には絶縁膜２が形成されている。基板１の材質としては、適度な機械的強度を有し、且つエッチング等の微細加工に適した材質であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、シリコン（Ｓｉ）単結晶基板、サファイア単結晶基板、セラミックス基板、石英基板、ガラス基板等が好適である。絶縁膜２としては、適度な機械的強度を有し、且つ公知の薄膜プロセスで容易に成膜できるものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、Ｓｉ酸化膜、Ｓｉ窒化膜等が好適である。」 ・・・ 【００２１】 絶縁膜２の上に一対の取り出し電極３が形成され、取り出し電極３上にサーミスタ薄膜４が形成される。また、サーミスタ薄膜４を被覆して外気から遮蔽するための保護膜６が形成されている。取出し電極３の材質としては、サーミスタ薄膜４の成膜工程や熱処理工程等に耐え得る耐熱性を有し、且つ適度な伝導性を有する比較的高融点の材質が好ましく、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、又はこれらの金属を２種類以上含む合金等が好適である。また電気信号を取り出すためには取出し電極３に接続された出力端子電極５が各々の取出し電極３に接続されるように形成される。出力端子電極５の材質としては、ワイヤーボンドやフリップチップボンディング等の電気的接続が容易な材質、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｕ等が好適である。」 ・・・ 【００２７】 一般的に、サーミスタを温度センサとして使用する場合、その測定許容値はＪＩＳＣ１６１１にも記載されている階級０．３で使用することが望ましい。すなわち、階級０．３とは、温度の測定の精度を±０．３℃以内で制御できることを示す規格である。この精度を実現するためには、サーミスタの抵抗値の経時変化は小さければ小さいほど良いが、本実施形態の薄膜サーミスタ素子１０を用いた場合、抵抗値の経時変化は、１．２％以下に抑制する必要がある。すなわち抵抗値の経時変化とは、薄膜サーミスタ素子１０ができあがった直後の抵抗値が、高温状況下で長時間放置された後にどれだけ変化するかを示した信頼性結果である。」 ｃ 「【実施例】 【００３５】 実施形態に基づく実施例の、薄膜サーミスタ素子１０の製造方法について説明する。図１と図２に示すように、基板１として、基板表面の面方位が（１００）である（１００）Ｓｉ基板を用意し、基板１の第１の主面１Ａ及び第２の主面１Ｂに絶縁膜２としてＳｉ酸化膜を成膜する。Ｓｉ酸化膜を成膜するには、例えば、熱酸化法等を適用すればよい。絶縁膜２の膜厚は、基板１との絶縁性が確保される程度に調整すればよく、例えば、０．１μｍ～０．５μｍ程度が好適である。本実施例では絶縁膜として、ＳｉＯ２膜を０．５μｍ形成した。 【００３６】 次に、第１の主面１Ａ上の絶縁膜２に、取出し電極３を形成する。取出し電極３を形成するには、例えば、スパッタ法等を用いて絶縁膜２上に１５０ｎｍ～６００ｎｍ程度の取出し電極３となる金属薄膜３を堆積し、フォトリソグラフィによってエッチングマスクを形成し、反応性イオンエッチングやイオンミリング等のドライエッチングでこの金属薄膜３を所定の電極形状に加工して、取出し電極３を形成する。金属薄膜３と絶縁膜２との間の密着性を高めるには、チタン（Ｔｉ）等の密着層を介在させるのが好ましい。本実施例では電極としてＰｔ／Ｔｉ膜を使用した。Ｐｔはスパッタ法にて０．１μｍ形成し、密着層として、ＳｉＯ２と相性の良い、Ｔｉを選択した。この後、ドライエッチングを用いて、電極形状を形成した。 【００３７】 次に、サーミスタ薄膜４としての複合金属酸化膜４を、スパッタ法により取出し電極３上に堆積し、ウェットエッチングにより複合金属酸化膜４を所定形状にパターニングする。本実施例では、基板温度６００℃、成膜圧力１．０Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗのスパッタ条件でＡｒガスを用い、Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物を取り出し電極３上に０．４μｍ堆積した。この時に用いたターゲットは混晶比率Ｚ＝０．６のものを使用して、作製した。 次に、塩化第二鉄水溶液を用いたウェットエッチングで所定形状に加工し、その後、第１のアニールすなわち、焼成炉を用いてＭｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物膜に大気雰囲気で６００℃で２時間の熱処理を施し、本実施例におけるサーミスタ薄膜４を有した、目標抵抗値が１２０ｋΩである薄膜サーミスタ素子１０を形成した。なお、実施形態および、実施例、比較例の抵抗値とは、薄膜サーミスタ素子１０の出力端子電極５における抵抗値である。 【００３８】 保護膜６としてＳｉＯ２膜を形成する。保護膜としてはＳｉＯ２やＳｉＮ等、絶縁性、耐湿性を有する膜であれば良い。本実施例では、テトラエトキシシランという有機金属材料を用いたＴＥＯＳ－ＣＶＤ法により、０．４μｍの膜厚でＳｉＯ２を基板全面に成膜した。本実施例では保護膜６形成後に第２のアニールを６００℃で２時間行った。本実施例においては取り出し電極５の材料にＡｌを使用しており、６００℃の第２のアニールにＡｌが耐えられない事を考慮した為であり、使用材料によっては最終の工程で第２のアニールを施しても問題は無い。次に、フォトリソグラフィによりエッチングマスクを形成した後、ＳｉＯ２膜をウェットエッチングにより選択的に除去し、出力端子電極５が形成されるべき箇所を露出させる。そして、出力端子電極５としてＡｌ電極を蒸着法により１μｍ程度形成し、リフトオフ法によりＡｌ電極５の不要部分を除去する。」 ｄ 「【図１】 ［図：0001437121000001.jpg］ 」 ｅ 「【図２】 ［図：0001437121000002.jpg］ 」 上記ａ～ｅの記載事項及び図面から、以下、ｆ～ｊの事項が導かれる。 ｆ 段落【００１６】には、「以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。」と記載されており、段落【００１６】～【００３４】において、当該「好適な実施形態」について記載されているといえる。 また、段落【００３５】には、「実施形態に基づく実施例の、薄膜サーミスタ素子１０の製造方法について説明する。」と記載されており、段落【００３５】～【００３９】において、当該「実施形態に基づく実施例」について記載されているといえる。 そして、段落【００３５】～【００３９】に記載の「実施形態に基づく実施例」は、実施形態に基づくものであるから、段落【００１６】～【００３４】に記載された「好適な実施形態」をより具体化した実施例の記載であって、両記載は、同じ実施形態についての記載であるといえる。 よって、上記を踏まえて、段落【００１６】～【００３９】に記載された実施形態に基づき、引用文献１に記載された発明を認定することとする。 ｇ 段落【０００１】には、「本発明は、温度検知や、人感センサなどに利用され、赤外線センサに用いられている薄膜サーミスタに関する。」と記載されており、また、段落【００２７】にも、「サーミスタを温度センサとして使用する場合」と記載されているから、引用文献１には、段落【００１７】に記載の「薄膜サーミスタ素子１０」を、温度センサとして使用するものとする態様が記載されているといえる。 よって、引用文献１には、温度センサとして使用する薄膜サーミスタ素子１０が記載されているといえる。 ｈ 段落【００１８】には、「薄膜サーミスタ素子１０は、基板１、絶縁膜２、一対の取出し電極３、サーミスタ薄膜４、保護膜６、一対の出力端子電極５から構成され、所定の間隔をおいて形成される一対の取出し電極３と、これらの取出し電極３間に成膜されるサーミスタ薄膜４とで構成されている。」と記載されており、当該記載を参酌すると、第１図には、一対の取出し電極３が互いに離間しており、それぞれ他方の取り出し電極３の方向に突出する凸部を有し、それぞれの凸部は対向している点、サーミスタ薄膜４が、取り出し電極３の両方の凸部の上の、上方から見て基板１の中央部分のみに形成されている点、及び、一対の出力端子電極５がそれぞれの電極３の上に形成される点が図示されているといえる。 ｉ 段落【００３７】には、「サーミスタ薄膜４としての複合金属酸化膜４を、スパッタ法により取出し電極３上に堆積し、・・・本実施例では、・・・Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物を取り出し電極３上に０．４μｍ堆積した。」と記載されているから、引用文献１には、サーミスタ薄膜４がＭｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物である点が記載されているといえる。 また、段落【０００２】には、「例えばＭｎ―Ｃｏ－Ｎｉ系の酸化物は一般的にＮＴＣサーミスタと呼ばれ温度に対する急激な負の抵抗値変化を利用して多くの温度センサや赤外線センサに使用されている。」と記載されており、段落【００３７】に記載された「Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物」も、「温度に対する急激な負の抵抗値変化を利用」するものであることは、明らかである。 以上より、引用文献１には、温度に対する急激な負の抵抗値変化を利用するＭｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物であるサーミスタ薄膜４が記載されているといえる。 ｊ 引用文献１には、「次に、サーミスタ薄膜４としての複合金属酸化膜４を、スパッタ法により取出し電極３上に堆積し、・・・」（段落【００３７】）、「保護膜６としてＳｉＯ２膜を形成する。」（段落【００３８】）と記載されているから、保護膜６がサーミスタ薄膜４の上に形成されるものであることは、明らかである。 また、上記ｈのとおり、図１には一対の出力端子電極５がそれぞれの電極３の上に形成される点が図示されており、段落【００３８】には、「保護膜６としてＳｉＯ２膜を形成する。・・・ＳｉＯ２膜をウェットエッチングにより選択的に除去し、出力端子電極５が形成されるべき箇所を露出させる。そして、出力端子電極５としてＡｌ電極を蒸着法により１μｍ程度形成し、」と記載されているから、引用文献１には、サーミスタ薄膜４の上に形成される保護膜６をウェットエッチングにより選択的に除去し、露出したそれぞれの電極３上の箇所に形成される、一対の出力端子電極５が記載されているといえる。 （イ）引用文献１に記載された発明 上記（ア）ａ～ｅの記載事項及び図面、ｆ～ｊの認定事項を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「温度センサとして使用する薄膜サーミスタ素子１０であって、（認定事項ｇ） 第１の主面１Ａ及び、その裏面である第２の主面１Ｂを有する基板１と、第１の主面に形成されている絶縁膜２と、（段落【００１９】） 絶縁膜２の上に形成される一対の取り出し電極３であって、互いに離間しており、それぞれ他方の取り出し電極３の方向に突出する凸部を有し、それぞれの凸部は対向している、取り出し電極３と、（段落【００２１】、認定事項ｈ） 取り出し電極３の両方の凸部の上の、上方から見て基板１の中央部分のみに形成され、温度に対する急激な負の抵抗値変化を利用するＭｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物であるサーミスタ薄膜４と、（認定事項ｈ、ｉ） サーミスタ薄膜４の上に形成される保護膜６をウェットエッチングにより選択的に除去し、露出したそれぞれの電極３上の箇所に形成される、一対の出力端子電極５と、を備え、（認定事項ｊ） 絶縁膜２としてＳｉＯ２膜を０．５μｍ形成し、取り出し電極３となる金属薄膜３を０．１μｍ形成し、サーミスタ薄膜４としてのＭｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物を０．４μｍ堆積し、保護膜６としてＳｉＯ２膜を０．４μｍの膜厚で成膜し、出力端子電極５としてＡｌ電極を１μｍ程度形成した、（段落【００３５】～【００３８】） 薄膜サーミスタ素子１０。（段落【００１７】）」 イ 引用文献２ （ア）引用文献２の記載 原査定の拒絶の理由で引用文献２として引用され、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開平１１－３２９８０８号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに次の記載がある。 ａ 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、温度による感熱素子の抵抗変化を利用して赤外線量を検出する赤外線検出素子の抵抗値を調整する方法に関するものである。」 ｂ 「【０００５】 【発明の実施の形態】図１（ａ）及び図２（ａ）に示すように、本発明で用いられる基板１１はＳｉ、ＧａＡｓ等の半導体又はＡｌ２Ｏ３等の絶縁体から構成される。基板１１上にはサーミスタ膜１２が形成される。サーミスタ膜１２は好ましくはＭｎ－Ｃｏ系、Ｍｎ－Ｃｒ系、Ｍｎ－Ｃｕ系、Ｍｎ－Ｎｉ系等のサーミスタ材料をペースト化し、スピンコート法により基板１１上に成膜した後、焼成することにより形成される。なお、基板１１の中央部には赤外線検出素子の発熱を効率よく放散するための開口部１７が形成される。サーミスタ膜１２上には一対の電極１３ａ，１３ｂが所定の隙間をあけて互いに噛み合うようにくし歯状に形成される。これらの電極１３ａ，１３ｂはＡｌ，Ｃｒ，Ａｕ等からなる導電性膜をスパッタリング、真空蒸着等の手段でサーミスタ膜１２上に堆積させた後、フォトリソグラフィ技術を用いて所望の形状にパターニングすることにより形成される。電極１３ａには端子電極１４ａが、電極１３ｂには端子電極１４ｂがそれぞれ電極形成と同時に形成される。このときに電極１３ａ，１３ｂ間の抵抗値は所定の抵抗値以下になるように予め設定される。この所定の抵抗値以下には、当然所定の抵抗値を含む。 【０００６】次いで、電極１３ａ，１３ｂ間の実際の抵抗値と所定の抵抗値との差を求め、この差に応じて、くし歯部分の電極の切断長を決める。即ち、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すように、上記一対の電極のうちいずれか一方の電極、例えば電極１３ｂのくし歯の一部分を上記差に応じて破線Ｘで示すように切断する。図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように切断された部分１６の電極１３ｂの面積が減少し、その結果、赤外線検出素子の抵抗値が増大し所定の抵抗値となる。電極のくし歯部分の切断はレーザ装置から発せられるレーザにより、又はリュータの先端に設けられたダイヤモンド砥石を回転させながらくし歯部分に接触させることにより、正確かつ短時間に行われる。実際の抵抗値が所定の抵抗値と比較して大きな差がある場合には、切断部分１６を細かくして複数回切断を繰り返してもよい。」 ｃ 「【図１】 ［図：0001437121000003.jpg］ 」 （イ）引用文献２に記載された事項 上記（ア）ａ～ｃの記載事項及び図面を総合すると、引用文献２には、次の事項（以下「引用文献２記載事項」という。）が記載されていると認められる。 「温度による感熱素子の抵抗変化を利用して赤外線量を検出する赤外線検出素子において、 サーミスタ膜１２上に、一対の電極１３ａ、１３ｂを所定の隙間をあけて互いに噛み合うようにくし歯状に形成する点。」 （３）対比 本件補正発明と引用発明とを対比する。 ア 引用発明の「温度センサとして使用する薄膜サーミスタ素子１０」は本件補正発明の「温度を測定するためのセンサ素子」に相当する。 イ 引用発明の「第１の主面１Ａ」、「その裏面である第２の主面１Ｂ」及び「基板１」は、それぞれ、本件補正発明の「上面」、「下面」及び「担体」に相当する。 また、引用発明の「基板１」は、その「第１の主面に」「絶縁膜２」が「形成されている」から、「第１の主面」は「絶縁膜２」により電気的に絶縁されて形成されているといえる。 よって、引用発明において、その「第１の主面に形成されている絶縁膜２」を有し、「第１の主面１Ａ及び、その裏面である第２の主面１Ｂを有する基板１」は、本件補正発明の「上面及び下面を有する少なくとも１つの担体であって、前記上面は電気的に絶縁されて形成されている、担体」に相当する。 ウ 引用発明の「温度に対する急激な負の抵抗値変化を利用するＭｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物」は、本件補正発明の「温度依存性の電気的な抵抗を有する材料」に相当し、引用発明の「温度に対する急激な負の抵抗値変化を利用するＭｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物であるサーミスタ薄膜４」は、本件補正発明の「温度依存性の電気的な抵抗を有する材料を含」む「機能層」に相当する。 引用発明において、「サーミスタ薄膜４」は、「基板１」の「第１の主面に形成されている絶縁膜２」「の上に形成される一対の取り出し電極３」「の両方の凸部の上」「に形成され」るものであるから、「基板１」上に配置されているといえる。また、引用発明において、「上方から見て基板１の中央部分のみに形成され」ていることは、本件補正発明において、「前記担体の前記上面を部分的にのみ覆っている」ことに相当する。 そうすると、引用発明において、「基板１」上に配置されているものである「サーミスタ薄膜４」が、「取り出し電極３の両方の凸部の上の、上方から見て基板１の中央部分のみに形成され」ていることは、本件補正発明において、「前記機能層は前記担体上に配置されており、前記機能層は前記担体の前記上面を部分的にのみ覆っている」ことに相当する。 以上より、引用発明の「取り出し電極３の両方の凸部の上の、上方から見て基板１の中央部分のみに形成され、温度に対する急激な負の抵抗値変化を利用するＭｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系酸化物であるサーミスタ薄膜４」は、本件補正発明の「少なくとも１つの機能層であって、温度依存性の電気的な抵抗を有する材料を含み、前記機能層は前記担体上に配置されており、前記機能層は前記担体の前記上面を部分的にのみ覆っている、機能層」に相当する。 エ 引用発明の「一対の取り出し電極３」は、本件補正発明の「２つの電極」に相当する。 引用発明において、「絶縁膜２の上に形成される一対の取り出し電極３」が「互いに離間して」いることは、本件補正発明において、「２つの電極」が「前記担体上に互いに離間して形成されて」いることに相当する。 引用発明の「それぞれ他方の取り出し電極３の方向に突出する凸部」は、本件補正発明の「電極フィンガ」に相当し、引用発明において、「それぞれの凸部は対向している」ことは、本件補正発明において、「両前記電極の前記電極フィンガは」「相対向して配置されている」ことに相当する。 以上より、引用発明の「絶縁膜２の上に形成される一対の取り出し電極３であって、互いに離間しており、それぞれ他方の取り出し電極３の方向に突出する凸部を有し、それぞれの凸部は対向している、取り出し電極３」は、本件補正発明の「少なくとも２つの電極であって、前記担体上に互いに離間して形成されており、前記電極のそれぞれは複数の電極フィンガを備え、両前記電極の前記電極フィンガは交互に相対向して配置されている、電極」と、「少なくとも２つの電極であって、前記担体上に互いに離間して形成されており、前記電極のそれぞれは」「電極フィンガを備え、両前記電極の前記電極フィンガは」「相対向して配置されている、電極」である点で共通する。 オ 引用発明の「一対の出力端子電極５」は、「薄膜サーミスタ素子１０」の電気的コンタクトのためのものであることは明らかであるから、本件補正発明の「前記センサ素子の電気的コンタクトのための少なくとも２つのコンタクトパッド」に相当する。 引用発明の「露出したそれぞれの電極３上の箇所」は、本件補正発明の「前記電極のうちの１つの部分領域」に相当し、引用発明において、「一対の出力端子電極５」が「露出したそれぞれの電極３上の箇所に形成される」ことは、本件補正発明において「前記電極のうちの１つの部分領域上に直接、それぞれ１つのコンタクトパッドが配置されている」ことに相当する。 以上より、引用発明の「サーミスタ薄膜４の上に形成される保護膜６をウェットエッチングにより選択的に除去し、露出したそれぞれの電極３上の箇所に形成される、一対の出力端子電極５」は、本件補正発明の「前記センサ素子の電気的コンタクトのための少なくとも２つのコンタクトパッドであって、前記電極のうちの１つの部分領域上に直接、それぞれ１つのコンタクトパッドが配置されている、コンタクトパッド」に相当する。 カ 引用発明は、「サーミスタ薄膜４」が「取り出し電極３の両方の凸部の上」「に形成され」ているから、「取り出し電極３」は、「サーミスタ薄膜４」の直接下面に形成されているといえる。 よって、引用発明は、本件補正発明における「前記電極は前記機能層の直接下面に形成されて」いるとの事項を満たすといえる。 キ 引用発明の「サーミスタ薄膜４」が「取り出し電極３の両方の凸部の上の、上方から見て基板１の中央部分のみに形成され」ていることは、本件補正発明において、「前記機能層は、前記担体のエッジ領域から離間して、前記電極フィンガの領域に形成されている」ことに相当する。 ク 一致点、相違点 上記ア～キのとおりであるから、本件補正発明と引用発明とは、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）～（ウ）の点で相違する。 （ア）一致点 「温度を測定するためのセンサ素子であって、 － 上面及び下面を有する少なくとも１つの担体であって、前記上面は電気的に絶縁されて形成されている、担体と、 － 少なくとも１つの機能層であって、温度依存性の電気的な抵抗を有する材料を含み、前記機能層は前記担体上に配置されており、前記機能層は前記担体の前記上面を部分的にのみ覆っている、機能層と、 － 少なくとも２つの電極であって、前記担体上に互いに離間して形成されており、前記電極のそれぞれは電極フィンガを備え、両前記電極の前記電極フィンガは相対向して配置されている、電極と、 － 前記センサ素子の電気的コンタクトのための少なくとも２つのコンタクトパッドであって、前記電極のうちの１つの部分領域上に直接、それぞれ１つのコンタクトパッドが配置されている、コンタクトパッドと、を備え、 前記電極は前記機能層の直接下面に形成されており、 前記機能層は、前記担体のエッジ領域から離間して、前記電極フィンガの領域に形成されている、 センサ素子。」 （イ）相違点１ 電極フィンガに関して、本件補正発明は、「前記電極のそれぞれは複数の電極フィンガを備え、両前記電極の前記電極フィンガは交互に相対向して配置されている」と特定されているのに対し、引用発明における取り出し電極３のそれぞれの凸部は「複数」ではなく、そのため「交互に」相対向するものともなっていない点。 （ウ）相違点２ 本件補正発明は、「前記センサ素子は、個別コンポーネントとして電気システム内に直接組み込まれるように設計されており、前記センサ素子の厚さは１００μｍ未満であ」ると特定されているのに対し、引用発明はそのように特定されていない点。 （４）判断 ア 相違点について （ア）相違点１ ａ 引用文献２記載事項において、「一対の電極１３ａ、１３ｂ」が「くし歯状」に形成されていることは、本件補正発明において、「前記電極のそれぞれは複数の電極フィンガを備え」ていることに相当し、引用文献２記載事項において、「一対の電極１３ａ、１３ｂ」が「所定の隙間をあけて互いに噛み合うよう」な「くし歯状」であることは、「両前記電極の前記電極フィンガは交互に相対向して配置されている」ことに相当する。 よって、引用文献２記載事項は、本件補正発明における「前記電極のそれぞれは複数の電極フィンガを備え、両前記電極の前記電極フィンガは交互に相対向して配置されている」ことに相当する構成を有しているといえる。 また、電極をくし歯状とすることは、電極間の抵抗の調整のために行われるものであることは技術常識であるから（例えば、特開２０００－２０８３０４の段落【００４７】、特開平１１－２２４８０６号公報の段落【００３２】、【００３７】、第２図等参照）、引用文献２記載事項において「一対の電極１３ａ、１３ｂ」を「くし歯状」に形成したことは、電極間の抵抗の調整のために行われることであることは、当業者にとって自明である。 ｂ 温度に対して抵抗が変化する材料からなる機能層と電極とを有するサーミスタ素子において、電極間の抵抗を適切な値に調整する必要があることは技術常識であるから、引用発明においても「一対の取り出し電極３」の抵抗を調整するとの課題を有していることは、自明である。これは、引用発明において、「取り出し電極３」を「それぞれ他方の取り出し電極３の方向に突出する凸部を有し、それぞれの凸部は対向している」形状としていることからも、明らかである。 そして、引用発明と引用文献２記載事項とは、温度に対して抵抗値が変化する材料と一対の電極とを備える温度検出のための素子である点で共通する技術分野に属するものであり、また、電極間の抵抗を調整するとの共通する課題を有するものであるから、引用発明において、「一対の取り出し電極３」の抵抗を調整するための構成として引用文献２記載事項の構成を適用し、「一対の取り出し電極３」が複数の電極フィンガを備え、両電極の電極フィンガは交互に相対向して配置されているものとし、相違点１に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 （イ）相違点２ ａ 「前記センサ素子は、個別コンポーネントとして電気システム内に直接組み込まれるように設計されて」いる点について 引用発明の「薄膜サーミスタ素子１０」は、「素子」であるから、個別コンポーネントであるといえる。 また、電極を有し温度センサとして使用する素子を、電極への電圧印加と温度の検出のための電気回路、温度センサが検出した結果を利用するその他の電気回路等を含む電気システムに組み込んで用いることは、一般的に行われている技術常識であるから、引用発明の「薄膜サーミスタ素子１０」を「個別コンポーネントとして電気システム内に直接組み込まれるように設計され」たものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 ｂ 「前記センサ素子の厚さは１００μｍ未満であ」る点について 引用発明の「薄膜サーミスタ素子１０」は「薄膜」のものである。 そして、引用発明の「薄膜サーミスタ素子１０」は「絶縁膜２としてＳｉＯ２膜を０．５μｍ形成し、取り出し電極３となる金属薄膜３を０．１μｍ形成し、」「出力端子電極５としてＡｌ電極を１μｍ程度形成した」ものであって、「基板１」の上面から「出力端子電極５」上面までの厚さは１．６μｍ程度しかないことを考慮すれば、引用発明の「薄膜サーミスタ素子１０」を、「基板１」を含めた「薄膜サーミスタ素子１０」の厚さが１００μｍ未満となるような薄膜の素子とすることは、当業者が適宜なし得たことである。 ｃ 以上より、引用発明において、相違点２に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。 イ 効果について 本件補正発明により奏される効果も、引用発明及び引用文献２記載事項から当業者が予期し得るものであり、格別顕著なものではない。 ウ 令和７年５月２０日提出の審判請求書における請求人の主張について （ア）請求人は、審判請求書において、 「しかしながら、本願発明の進歩性を評価する際に、単に引用文献２記載の発明を用いて引用文献１を改変することにより、本願発明の構成に到達できたかどうかは決定的な要素ではなく、むしろ当業者が基礎となる技術的課題の解決を期待してかかる改変を行ったであろうかどうかが決定的な要素となります。 つまり、引用文献１記載の発明は、特定の電極構造を対象としておらず、機能層４および基板１の構造及び構成に着目しています（引用文献１、段落［００１０］、［００１１］）。 かかる引用文献１記載の発明から出発すれば、当業者は、引用文献２にくし歯状の電極が開示されていたとしても、かかる電極を引用文献１記載の発明に組み合わせることの動機付けがありません。むしろ、かかる構成を組み込むことにより、デバイス全体の構造を複雑化し、製造コストを増加させることになり、当業者がかかる構成を想起することはできません。」 との主張をしているので、検討する。 出願人の主張するとおり、引用文献１には「本発明では、Ｍｎ－Ｃｏ－Ｎｉ系を用いた、薄膜サーミスタ素子の抵抗値の経時変化を抑制し、焼結体と比べて、低温でのプロセスが可能にする薄膜サーミスタ素子を提供することを目的とする。」（段落【００１１】）等の記載があり、引用文献１は電極構造をその主題として記載した文献でない。しかしながら、引用発明の「薄膜サーミスタ素子１０」を当業者が用いる際には、電極構造等を含む引用文献１において主題としていない構造についても考慮する必要があることは自明であるから、上記ア（ア）ｂで示したとおり、引用発明において、「一対の取り出し電極３」の抵抗を調整するための構成として引用文献２記載事項の構成を適用することは、当業者が容易に想到し得たことである。 よって、審判請求人の上記主張は採用できない。 （イ）さらに、審判請求人は、審判請求書において、 「仮に、引用文献１記載の発明に、引用文献２記載のくし歯状の電極を適用することを想起し得たとしても、前述のように、引用文献２記載の発明は、抵抗調整するという目的に基づいてくし歯状の電極１８ａ，１８ｂを設けていますので、レーザ又はリュータで切断するために、サーミスタ膜１２の上面に形成されなければならず、したがって、引用文献１記載の発明のサーミスタ薄膜４の上に、引用文献２記載のくし歯状の一対の電極１３ａ，１３ｂを設ける、という構成にしかなり得ません。 したがって、引用文献１記載の発明に引用文献２記載の発明を組み合わせたとしても、本願発明の「前記電極は前記機能層の直接下面に形成されており、前記機能層は、前記担体のエッジ領域から離間して、前記電極フィンガの領域に形成されている」という構成は容易に想到し得たものではありません。」 との主張をしているので、検討する。 上記ア（ア）ａで示したとおり、電極をくし歯状とすることは、電極間の抵抗の調整のために行われるものであることは技術常識であるから（例えば、特開２０００－２０８３０４の段落【００４７】、特開平１１－２２４８０６号公報の段落【００３２】、【００３７】、第２図等参照）、引用文献２記載事項において「一対の電極１３ａ、１３ｂ」を「くし歯状」に形成したことは、電極間の抵抗の調整のために行われるものであることは、当業者にとって自明である。 そして、引用文献２には、くし歯状の電極を設け、さらに、くし歯部分の電極を切断することにより抵抗値を調整することが記載されているとしても、くし歯状の電極を設けること自体が抵抗値の調節のために行われることであることを考慮すれば、引用文献２記載事項における「一対の電極１３ａ、１３ｂを所定の隙間をあけて互いに噛み合うようにくし歯状に形成する」との事項は、それ自体で抵抗を調節するとの機能を有するものであって、くし歯部分の電極を切断することにより抵抗値を調整するとの事項と一体不可分の事項であるともいえない。 そうすると、上記ア（ア）ｂで示した通り、引用発明において、「一対の取り出し電極３」の抵抗を調整するための構成として、引用文献２記載事項における「一対の電極１３ａ、１３ｂを所定の隙間をあけて互いに噛み合うようにくし歯状に形成する」との構成を適用することは、当業者が容易に想到し得たことであり、引用文献２にくし歯部分の電極を切断することにより抵抗値を調整する点が記載されているとしても、それが引用発明に引用文献２記載事項を適用することの阻害要因になるともいえない。 よって、審判請求人の上記主張は採用できない。 （５）小括 以上より、本件補正発明は、引用発明及び引用文献２記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 る。 ３ 補正の却下の決定についてのむすび よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１～１６に係る発明は、出願時の特許請求の範囲の請求項１～１６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の［理由］１(２)に示した請求項１の記載により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、以下の理由を含むものである。 理由２（進歩性）この出願の請求項１に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献１：特開２０１３－１９７３６７号公報 引用文献２：特開平１１－３２９８０８号公報 ３ 引用文献の記載事項 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１～２の記載事項、引用文献１に記載された発明（引用発明）及び引用文献２記載事項は、上記第２［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 （１）本願発明は、上記第２の［理由］２で独立特許要件の検討をした本件補正発明において、「前記電極は前記機能層の直接下面に形成されて」いるとの発明特定事項、及び、「前記機能層は、前記担体のエッジ領域から離間して、前記電極フィンガの領域に形成されている」との発明特定事項を削除して拡張したものである。 （２）本願発明と引用発明との対比は、上記第２の［理由］２（３）で示したとおりである。 そして、本願発明は、本件補正発明から上記（１）で示した発明特定事項を削除して拡張したものであるから、上記第２の［理由］２（４）で検討したのと同様の理由により、本願発明は、引用発明及び引用文献２記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の理由及び他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。