2024-019130

特願２０２０－１５７４２６「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔令和 ４年 ３月３１日出願公開、特開２０２２－ ５１１２５〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和２年９月１８日の出願であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和６年 ５月２７日付け：拒絶理由通知書 同年 ７月２６日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ８月２０日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同年 ９月 ３日 ：原査定の謄本の送達） 同年１１月２９日 ：審判請求書、手続補正書の提出 同年１２月２６日付け：前置報告書 令和７年 ３月２７日 ：上申書の提出 第２ 令和６年１１月２９日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年１１月２９日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 補正の内容 令和６年１１月２９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の補正をするものであり、本件補正により、次の(１)に示す本件補正前（令和６年７月２６日にされた手続補正後のものをいう。以下同じ。）の特許請求の範囲の請求項２の記載は、後記(２)に示す本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載に補正された。下線は補正箇所を示す。 (１) 本件補正前 「【請求項２】 少なくとも１のレンズ面を有するレンズ部材と、 第１発光点から、第１波長に発光ピークを有する第１の光を出射する第１発光素子と、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第１発光点を通る第１平面よりも前記レンズ部材から遠い位置に配置される第２発光点から、前記第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光を出射する第２発光素子と、を含む複数の発光素子と、 前記複数の発光素子が並べて配置される上面を有するサブマウントと、 を備え、 前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記サブマウントの前記上面の法線方向から見る上面視において、前記第１平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第２発光点を通る第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第１発光点を通る第１直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第２発光点を通る第２直線によって囲まれる領域の内側で、前記第１平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第２平面よりも前記レンズ部材から近い点を通り、 前記第１の光及び第２の光は、前記少なくとも１のレンズ面を通過し、 前記少なくとも１のレンズ面は、前記上面視において曲率を有し、 前記少なくとも１のレンズ面は、単一のレンズ面である発光装置。」 (２) 本件補正後 「【請求項１】 少なくとも１のレンズ面を有するレンズ部材と、 第１発光点から、第１波長に発光ピークを有する第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第１発光点を通る第１平面よりも前記レンズ部材から遠い位置に配置される第２発光点から、前記第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第２発光点を通る第２平面よりも前記レンズ部材から遠い位置に配置される第３発光点から、前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光を出射する第３半導体レーザ素子と、を含む複数の半導体レーザ素子と、 前記複数の半導体レーザ素子が並べて配置される上面を有するサブマウントと、 を備え、 前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記サブマウントの前記上面の法線方向から見る上面視において、前記第１平面、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第１発光点を通る第１直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第２発光点を通る第２直線によって囲まれる領域の内側で、前記第１平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第２平面よりも前記レンズ部材から近い点を通り、また、 前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記上面視で、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第３発光点を通る第３平面、前記第２直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第３発光点を通る第３直線によって囲まれる領域の内側で、前記第２平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第３平面よりも前記レンズ部材から近い点をさらに通り、 前記第１の光、前記第２の光、及び前記第３の光は、互いの光軸が重ならない状態で前記少なくとも１のレンズ面を通過し、 前記第１の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有さず、 前記第２の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有し、 前記少なくとも１のレンズ面は、前記上面視及び前記上面視で前記第１直線に垂直な方向からみた平面視において曲率を有する球面または非球面であり、 前記少なくとも１のレンズ面は、単一のレンズ面である発光装置。」 ２ 補正の目的 (１) 本件補正のうち請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項２に記載された発明を特定するために必要な事項について、次のアからキの限定をするものである。 ア 「第１発光素子」、「第２発光素子」及び「発光素子」について、それぞれ「第１半導体レーザ素子」、「第２半導体レーザ素子」及び「半導体レーザ素子」に限定すること。 イ 「発光素子」について、「前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第２発光点を通る第２平面よりも前記レンズ部材から遠い位置に配置される第３発光点から、前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光を出射する第３半導体レーザ素子と、を含む」ものに限定すること。 ウ 「前記サブマウントの前記上面の外縁」について、「前記上面視で、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第３発光点を通る第３平面、前記第２直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第３発光点を通る第３直線によって囲まれる領域の内側で、前記第２平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第３平面よりも前記レンズ部材から近い点をさらに通［る］」ものに限定すること。 エ 「光」が「前記少なくとも１のレンズ面を通過［する］」態様について、「前記第１の光、前記第２の光、及び前記第３の光は、互いの光軸が重ならない状態で」通過するものに限定すること。 オ 「前記第１の光」について、「前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有さ［ない］」ものに限定すること。 カ 「前記第２の光」について、「前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有［する］」ものに限定すること。 キ 「前記少なくとも１のレンズ面」について、「前記上面視及び前記上面視で前記第１直線に垂直な方向からみた平面視において曲率を有する球面または非球面であ［る］」ものに限定すること。 (２) そして、本件補正前の請求項２に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 (３) したがって、本件補正は、特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 ３ 独立特許要件の判断 本件補正は、前記２のとおり、特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当するから、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「本件補正発明」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。 (１) 本件補正発明 ア 本件補正発明の認定と分説 本件補正発明は、前記１(２)に摘記した本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 ここで、検討の便宜上、本件補正発明の構成を次のとおり構成Ｘと構成Ａから構成Ｆまでに分説する。また、参考図１、２として、本願の【図２】に部材名を記入したもの及び【図７】を掲載する。 ＜本件補正発明の分説＞ （構成Ａ） 少なくとも１のレンズ面を有するレンズ部材と、 （構成Ｂ） 第１発光点から、第１波長に発光ピークを有する第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第１発光点を通る第１平面よりも前記レンズ部材から遠い位置に配置される第２発光点から、前記第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第２発光点を通る第２平面よりも前記レンズ部材から遠い位置に配置される第３発光点から、前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光を出射する第３半導体レーザ素子と、を含む複数の半導体レーザ素子と、 （構成Ｃ） 前記複数の半導体レーザ素子が並べて配置される上面を有するサブマウントと、 を備え、 （構成Ｄ） 前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記サブマウントの前記上面の法線方向から見る上面視において、前記第１平面、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第１発光点を通る第１直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第２発光点を通る第２直線によって囲まれる領域の内側で、前記第１平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第２平面よりも前記レンズ部材から近い点を通り、また、前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記上面視で、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第３発光点を通る第３平面、前記第２直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第３発光点を通る第３直線によって囲まれる領域の内側で、前記第２平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第３平面よりも前記レンズ部材から近い点をさらに通り、 （構成Ｅ） 前記第１の光、前記第２の光、及び前記第３の光は、互いの光軸が重ならない状態で前記少なくとも１のレンズ面を通過し、前記第１の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有さず、前記第２の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有し、 （構成Ｆ） 前記少なくとも１のレンズ面は、前記上面視及び前記上面視で前記第１直線に垂直な方向からみた平面視において曲率を有する球面または非球面であり、前記少なくとも１のレンズ面は、単一のレンズ面である （構成Ｘ） 発光装置。 ＜本件補正発明参考図１（【図２】を元に作成）＞ ［図：0001436819000001.jpg］ ＜本件補正発明参考図２（【図７】）＞ ［図：0001436819000002.jpg］ ｍ１ 第１平面、 ｍ２ 第２平面、 ｍ３ 第３平面 ｎ１ 第１直線、 ｎ２ 第２直線、 ｎ３ 第３直線 イ 課題・作用効果等に関連する明細書の発明の詳細な説明の記載 本願明細書の発明の詳細な説明の記載のうち、発明が解決しようとする課題及び作用効果等に関連する記載を抜粋すると、次の記載がある。なお、図は、対応する記載箇所に挿入して示した。また、下線は合議体が付した。 (ア) 技術分野、背景技術、発明の概要等 「【技術分野】 【０００１】 本開示は、発光装置に関する。 【背景技術】 【０００２】 従来から、パッケージ内に複数の構成要素が実装される発光装置がある。複数の構成要素としては、例えば、複数の発光素子が挙げられる。また、例えば、発光素子に加えてツェナーダイオード、サーミスタ、または、フォトダイオードなどが挙げられる。 【０００３】 例えば、特許文献１には、サブマウントと、サブマウントの上面に配置された複数のレーザダイオードと、複数のレーザダイオードからそれぞれ出射されるレーザ光をコリメートする単一のコリメータレンズと、を備える発光装置が開示されている。パッケージ内に複数の発光素子が実装されることで、小型の発光装置が実現され得る。 【先行技術文献】 【特許文献】 【０００４】 【特許文献１】特開２０１７－１４７４２０号公報 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 複数の発光素子から出射される光の出射位置が精度良く実装された発光装置を提供する。 …（中略）… 【発明の効果】 【０００７】 本開示による発光装置によれば、複数の発光素子から出射される光の出射位置が精度良く実装された発光装置を提供できる。」 (イ) 発明を実施するための形態 「【００１５】 本実施形態に係る発光装置１００を説明する。図１から図５は、発光装置１００の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、本実施形態に係る発光装置１００の斜視図である。図２は、発光装置１００からパッケージ１０のキャップ１６を除いた状態の上面図である。図３は、基板９０の上面図である。図４は、図１のＩＶ－ＩＶ断面線における断面図である。図５は、パッケージ１０の内部の上面拡大図である。図４および図５において、発光素子２０から出射されるレーザ光ＬＢが点線の矢印で記載されている。説明の便宜上、二次元平面内における１Ｄおよび２Ｄの矢印が添付図面に記載されている。２Ｄの矢印は、レンズ部材８０の光軸Ｌが延びる方向に平行な方向を示し、１Ｄの矢印は２Ｄの矢印の方向に直交する方向を示す。 【図１】 ［図：0001436819000003.jpg］ 【００１６】 本実施形態に係る発光装置１００は、パッケージ１０、複数の発光素子２０、１または複数のサブマウント３０、１または複数の保護素子６０Ａ、温度測定素子６０Ｂ、１または複数の配線７０、レンズ部材８０、および、基板９０を含む複数の構成要素を備える。 【００１７】 図示される発光装置１００の例では、パッケージ１０の内部の空間に、３つの発光素子２０、１つのサブマウント３０、３つの保護素子６０Ａ、温度測定素子６０Ｂ、および、複数の配線７０が配されている。また、３つの発光素子２０から出射された発散光は、それぞれ、パッケージ１０から外部に側方に出射された後、レンズ部材８０によってコリメートされる。 …（中略）… 【００２４】 図４に例示されるように、パッケージ１０は、透光性を有する領域である透光性領域１３を有する。また、パッケージ１０は、透光性領域１３が含まれる光取出面１０Ａを有する。この光取出面１０Ａは、パッケージ１０の側壁部１２における１または複数の外側面のうちの１面に含まれる。なお、透光性を有するとは、そこに入射する主要な光の透過率が８０％以上である性質を意味する。 【図４】 ［図：0001436819000004.jpg］ 【００５１】 （レンズ部材８０) レンズ部材８０は、少なくとも１のレンズ面、つまり、１または複数のレンズ面を有して形成される。レンズ部材８０は、入射光をコリメートする。例えば、１または複数のレンズ面は、焦点位置から発散する光を受け、屈折によって発散光をコリメート光に変換してレンズ部材８０から出射するように設計される。レンズ面は、球面または非球面である。レンズ部材８０の光入射側の表面および／または光出射側の表面にレンズ面が形成される。レンズ部材８０の光入射側の表面および／または光出射側の表面には、反射防止膜または保護膜などの光学膜が設けられていてもよい。図２に示されるレンズ部材８０の例において、光入射側に凹レンズ面８０Ａが形成され、光出射側に凸レンズ面８０Ｂが形成されている。なお、光入射側の表面に、複数のレンズ面が形成されてもよく、レンズ部材８０は、光入射側の表面に１または複数のレンズ面を形成し得る。また、光出射側の表面に複数のレンズ面が形成されてもよく、レンズ部材８０は、光出射側の表面に１または複数のレンズ面を形成し得る。 【図２】 ［図：0001436819000005.jpg］ …（中略）… 【００６８】 図６は、３つの発光素子２０が配列されたサブマウント３０の上面３０Ｍの拡大図である。図７は、３つの発光素子２０のそれぞれの光出射面２１が位置する側のサブマウント３０の外縁の平面拡大図である。 【図６】 ［図：0001436819000006.jpg］ 【図７】 ［図：0001436819000007.jpg］ 【００６９】 図示される例において、複数の発光素子２０は、各光出射面２１が同じ方向を向くようにして、並べて配される。複数の発光素子２０は、各光出射面２１が平行になるように、ならべて配され得る。複数の発光素子２０の各光出射面２１から出射される光は、光取出面１０Ａを有するパッケージ１０の側面に向かって進む。ただし、複数の発光素子２０の各光出射面２１は平行である必要はない。 【００７０】 図示される例において、複数の発光素子２０は、発光ピーク波長が互いに異なる３つの半導体レーザ素子２０Ａ、２０Ｂおよび２０Ｃを含む。半導体レーザ素子２０Ａの発光ピーク波長は、半導体レーザ素子２０Ｂの発光ピーク波長よりも短く、かつ、半導体レーザ素子２０Ｂの発光ピーク波長は、半導体レーザ素子２０Ｃの発光ピーク波長よりも短い。半導体レーザ素子２０Ａは、光出射面に位置する発光点２２Ａから、第１波長に発光ピークを有する第１の光を出射する。半導体レーザ素子２０Ｂは、光出射面に位置する発光点２２Ｂから、第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光を出射する。半導体レーザ素子２０Ｃは、光出射面に位置する発光点２２Ｃから、第１波長および第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光を出射する。 【００７１】 本実施形態において、第１の光は青色の光であり、第２の光は緑色の光であり、第３の光は赤色の光である。換言すると、半導体レーザ素子２０Ａは青色の光を出射し、半導体レーザ素子２０Ｂは緑色の光を出射し、半導体レーザ素子２０Ｃは赤色の光を出射する。本実施形態では、上面視において、赤色の光を出射する半導体レーザ素子２０Ｃは、緑色の光を出射する半導体レーザ素子２０Ｂまたは青色の光を出射する半導体レーザ素子２０Ａと比較して、レンズ部材８０の少なくとも１のレンズ面の光軸方向における長さが長い。なお、レンズ部材８０における１のレンズ面の光軸は、レンズ部材８０の光軸Ｌと一致し得る。長さを調整することにより、レーザ光の出力を調整することができるが、長さの関係はこの例示に限らない。３つの発光素子２０をＲＧＢの３色の光で構成する形態は、例えば、カラー画像表示の用途に採用され得る。なお、各発光素子２０が発する光の色は、これに限らず、また、用途によっては可視光に限られない。 【００７２】 図示される例において、サブマウント３０の上面３０Ｍの法線方向から見る上面視で、１Ｄの矢印方向における発光点２２Ａと発光点２２Ｂとの間隔ｗ１は、例えば１００μｍ以上１５０μｍ以下であり、発光点２２Ｂと発光点２２Ｃとの間隔ｗ２は、例えば１００μｍ以上１５０μｍ以下である。発光点の間隔が小さいほどサブマウント３０の形状も１Ｄ方向に小さくすることができ、発光装置１００を小型にすることができる。説明を分かり易くするために、発光点は１Ｄの矢印方向において光出射面の中心付近に楕円の形状で記載されているが、本開示はこれに限定されない。発光点は、上面視において光出射面の中心を基準として１Ｄの矢印方向にシフトし得る。 【００７３】 ここで、幾つかの仮想的な平面および直線を定義する。レンズ部材８０の少なくとも１のレンズ面の光軸Ｌに垂直な平面であり、半導体レーザ素子２０Ａの発光点２２Ａを通る平面を第１平面と呼ぶ。また、このレンズ面の光軸Ｌに垂直な平面であり、半導体レーザ素子２０Ｂの発光点２２Ｂを通る平面を第２平面と呼ぶ。また、このレンズ面の光軸Ｌに垂直な平面であり、半導体レーザ素子２０Ｃの発光点２２Ｃを通る平面を第３平面と呼ぶ。また、このレンズ面の光軸Ｌに平行で、かつ、半導体レーザ素子２０Ａの発光点２２Ａを通る直線を第１直線と呼ぶ。また、このレンズ面の光軸Ｌに平行で、かつ、半導体レーザ素子２０Ｂの発光点２２Ｂを通る直線を第２直線と呼ぶ。また、このレンズ面の光軸Ｌに平行で、かつ、半導体レーザ素子２０Ｃの発光点２２Ｃを通る直線を第３直線と呼ぶ。 【００７４】 図６および図７において、上面視で、第１から第３平面が、それぞれ、一点鎖線ｍ１、ｍ２およびｍ３によって示されている。同様に、第１から第３直線が、それぞれ、二点鎖線ｎ１、ｎ２およびｎ３によって示されている。以降、第１から第３平面を、それぞれ、平面ｍ１、ｍ２およびｍ３と表記し、第１から第３直線を、それぞれ、直線ｎ１、ｎ２およびｎ３と表記する。 【００７５】 半導体レーザ素子２０Ｂの発光点２２Ｂは平面ｍ１よりもレンズ部材８０から遠い位置に配置される。半導体レーザ素子２０Ｃの発光点２２Ｃは平面ｍ２よりもレンズ部材８０から遠い位置に配置される。このように、レンズ面の光軸Ｌ方向において、半導体レーザ素子２０Ｂの発光点２２Ｂは、半導体レーザ素子２０Ａの発光点２２Ａに対して後退し、半導体レーザ素子２０Ｃの発光点２２Ｃは、半導体レーザ素子２０Ｂの発光点２２Ｂに対して後退している。発光点のシフト量は、発光素子の発光ピーク波長、隣接する２つの発光点の間隔、レンズ部材８０の、屈折率を含む光学特性などによって適宜調整され得る。本実施形態において、レンズ面の光軸Ｌ方向における半導体レーザ素子２０Ａの発光点２２Ａに対する半導体レーザ素子２０Ｃの発光点２２Ｃのシフト量、つまり、平面ｍ１と平面ｍ３との間隔ｄ１は、例えば５０μｍ以上１００μｍ以下であり得る。色収差の低減や各光の光路長を調整するなどの光学制御の観点から光を調整する場合に、発光点のシフトによる調整であれば新たな光学部品を必要とせず実行できるため、部品点数の低減に寄与し得る。 【００７６】 発光装置１００において、複数の発光素子２０が接合されたサブマウント３０は、パッケージ１０の内部に配される。サブマウント３０は、一方の接合面、つまり上面３０Ｍで発光素子２０と接合する。また、反対側の他方の接合面で実装面１１Ｍに接合する。 【００７７】 サブマウント３０は、複数の発光素子２０が並べて配置される上面３０Ｍを有する。図示される例において、サブマウント３０の上面３０Ｍの形状は平行四辺形である。この平行四辺形を構成する二組の互いに平行な二辺のうち、一方の互いに平行な二辺は、レンズ部材８０の少なくとも１のレンズ面の光軸Ｌに平行である。本実施形態における上面３０Ｍの平行四辺形の高さｗ３は５００μｍ程度である。光軸Ｌ方向（２Ｄの矢印方向）における平行四辺形の頂点Ｐ１からＰ２までの距離ｄ２は５０μｍ以上１００μｍ以下であり得る。 【００７８】 図７に例示されるように、サブマウント３０の上面３０Ｍの外縁３０Ｂは、サブマウント３０の上面３０Ｍの法線方向から見る上面視において、平面ｍ１、平面ｍ２、直線ｎ１、および直線ｎ２によって囲まれる領域ｓ１の内側で、平面ｍ１よりもレンズ部材８０から遠く、かつ、平面ｍ２よりもレンズ部材８０から近い点を通る。サブマウント３０の上面３０Ｍの外縁３０Ｂは、さらに、上面視において、平面ｍ２、平面ｍ３、直線ｎ２、および直線ｎ３によって囲まれる領域ｓ２の内側で、平面ｍ２よりもレンズ部材８０から遠く、かつ、平面ｍ３よりもレンズ部材８０から近い点を通る。 【００７９】 サブマウント３０は、上面３０Ｍおよび上面３０Ｍと交わる側面３０Ａを有する。側面３０Ａは、発光素子２０の発光点が位置する側にあるサブマウント３０の端面である。半導体レーザ素子２０Ａは、発光点２２Ａが、サブマウント３０の上面３０Ｍと側面３０Ａとの境界に位置する外縁３０Ｂから突き出るように配置される。半導体レーザ素子２０Ｂは、発光点２２Ｂが外縁３０Ｂから突き出るように配置される。半導体レーザ素子２０Ｃは、発光点２２Ｃが外縁３０Ｂから突き出るように配置される。 【００８０】 上面３０Ｍの平行四辺形の４辺のうちの１辺に沿って３つの発光点２２Ａ、２２Ｂおよび２２Ｃが並ぶように、３つの半導体レーザ素子２０Ａ、２０Ｂおよび２０Ｃがサブマウント３０に配置される。上面視において、レンズ部材８０の少なくとも１のレンズ面の光軸方向（２Ｄの矢印方向）と、サブマウント３０の外縁３０Ｂが延びる方向とは９０°以外の角度で交差する。換言すると、サブマウント３０の側面３０Ａは、パッケージ１０の側壁部１２の内側面との関係で、９０°以外の角度を成す。本実施形態において、１Ｄの矢印方向に対するこの傾斜角度は、上述した発光点のシフト量、および隣り合う２つの発光素子の間隔に基づいて決定され得る。この傾斜角度は例えば５°超２０°以下の範囲に調整され得る。発光点のシフト量が同じであっても、傾斜角度を大きくすることによって、隣り合う２つの発光素子の間隔、つまり、２つの発光点の間隔をより小さくすることが可能となる。 【００８１】 半導体レーザ素子２０Ａの発光点２２Ａから出射される第１の光（青色の光）、半導体レーザ素子２０Ｂの発光点２２Ｂから出射される第２の光（緑色の光）および半導体レーザ素子２０Ｃの発光点２２Ｃから出射される第３の光（赤色の光）は、それぞれ、レンズ部材８０の少なくとも１つのレンズ面を通過する。また、レンズ部材８０の１つのレンズ面を、第１の光、第２の光、及び、第３の光が通過する。レンズ部材８０の少なくとも１つのレンズ面は第１、第２および第３の光をコリメートする。 【００８２】 第１の光、第２の光および第３の光の少なくとも１つは、レンズ部材８０の１のレンズ面の光軸Ｌ上を進む光を有し、残りは、このレンズ面の光軸Ｌ上を進む光を有しない。図示される例において、レンズ部材８０の１のレンズ面を通過する第１の光、第２の光、及び、第３の光のうち、第２の光がこのレンズ面の光軸Ｌ上を進む光を有し、第１の光および第３の光は、このレンズ面の光軸Ｌ上を進む光を有さない。また、第１の光の発光点２２Ａからこのレンズ面の光軸Ｌまでの距離と、第３の光の発光点２２Ｃからこのレンズ面の光軸Ｌまでの距離は同じになり得る。」 (２) 各引用文献の記載事項及び引用発明等の認定 ア 引用文献２の記載事項及び引用発明の認定 (ア) 引用文献２に記載された事項 原査定の拒絶の理由において引用された、本願の出願前に発行された文献である特開２００４－３０４１１１号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある（なお、当合議体により、後記(ウ)の引用発明の認定に直接用いる記載に下線を付した。）。 ａ 特許請求の範囲 「【請求項１】 青色レーザダイオード、赤色レーザダイオード、および赤外色レーザダイオードのうちで２以上のレーザダイオードが同一基体上で同一方向に配置された多波長レーザ装置であって、より短い波長のレーザダイオードの順序でレーザ光出射点がその光出射方向に向いて前方に配置されていることを特徴とする多波長レーザ装置。 …（中略）… 【請求項４】 前記基体には、前記各レーザダイオードからのレーザ光の通過を確保するための切り込みが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の多波長レーザ装置。 …（後略）」 ｂ 【０００１】～【００１３】 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、多種の光ディスクの互換性を保つことが可能な光ピックアップ装置に関し、特に、複数の波長のレーザ光を出射することが可能な多波長レーザ装置に係る。 【０００２】 【従来の技術】 近年、記録密度を向上させる記録媒体およびその記録再生装置の開発が盛んに行われている。例えば、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）は映像の記録媒体として多方面に普及しつつあり、今後の需要の増大が期待されるメディアである。したがって、従来のコンパクトディスク（ＣＤ）や録再できるＣＤ（ＣＤ－Ｒ、ＣＤ－ＲＷ）等とＤＶＤとの互換性を維持し得る光ピックアップを開発する要望が高まっている。 【０００３】 現在、ＤＶＤの再生用光源には波長６５０ｎｍ帯の半導体レーザダイオード（ＬＤ）が使用されており、ＣＤやＣＤ－Ｒには波長７８０ｎｍ帯のＬＤが使用されている。さらに、次世代のＤＶＤには、波長４１０ｎｍ帯のＬＤが使用される。ＣＤ、ＣＤ－Ｒ／ＲＷ、およびＤＶＤなどの規格ではディスク側の録再方式の相違も存在し、一種類のＬＤでそれらの異なる規格をカバーすることは不可能である。したがって、種々のデバィス間で録再の互換性を確実に維持するためには、複数種類の波長のレーザ光を読み書きできるピックアップを搭載することが望ましい。 【０００４】 この場合、それぞれの波長に対応するピックアップを一つの録再装置に３つ搭載するという手段もある。しかし、一つの録再装置に３つものピックアップを搭載すれば、その録再装置の大型化が避けられないのみならず、コストの増大を引き起こす。したがって、一つのピックアップによって３種類のメディアに関して読み書きできることが望ましい。そのためには、３つの波長を出射することが可能な多波長レーザ装置を光ピックアップに使用することが必要となる。具体的には、波長７８０ｎｍの赤外半導体ＬＤと、波長６５０ｎｍの赤色半導体ＬＤと、波長４１０ｎｍの青色半導体ＬＤとを近接して配置した半導体レーザ装置が望まれる。 【０００５】 図１８の模式的斜視図は、このように互いに発光波長が異なる３種類の半導体ＬＤを集積した多波長半導体レーザ装置の一例を示している（例えば、特許文献１の特開２０００－１７４３９８号公報参照）。図１８の装置では各ＬＤが個別に作製された後に集積されており、これはいわゆるハイブリッド型の多波長レーザ装置である。すなわち、ヒートシンク１３１の平坦な一側面に沿って、それぞれ赤外色、赤色、および青色の発光波長を有する半導体ＬＤ１３２、１３３、および１３４が、この順でそれらのレーザビームの出射方向が互いにほぼ平行になるようにマウントされている。それらのＬＤ１３２、１３３、および１３４にはそれぞれワイヤ１３５、１３６、および１３７が接続されており、それぞれのＬＤが独立に動作することができる。このようなハイブリッド型多波長レーザ装置では、一つのＬＤに不良が生じても良品のＬＤと交換できるので、多波長レーザ装置の歩留まりの低下を抑制し得るメリットがある。 【０００６】 【特許文献１】 特開２０００－１７４３９８号公報 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】 ところで、互いに発光波長の異なる３つ以上のＬＤを集積する場合、それらのＬＤをどのように並べるべきかについて、これまでにあまり考慮されていない。しかし、複数のＬＤを集積して使用する場合、本発明者らの考えによれば、複数のＬＤの並べ方と光ピックアップの光学系との関係を考慮すべきであり、複数のＬＤの配置を適切に行うことが重要であると考えられる。 【０００８】 理想的には、一つの録再装置に３つのピックアップを搭載する場合と同様に、レーザの一波長に対応して一つの光学系を準備することが望ましいが、それでは複数のＬＤを集積して一つのピックアップにする利点が得られない。したがって、一つの発光波長のＬＤのみを搭載したピックアップの場合と同様に、複数のＬＤを含むピックアップにおいても単一の光学系を使用することが好ましい。他方、複数のＬＤが集積されたレーザ装置において、それら複数のＬＤのレーザ光出射点を１点に一致させることは物理的に不可能であるから、各波長のＬＤのそれぞれに最適な複数の光学系の役割を単一の光学系のみによって果たさせることは困難である。 【０００９】 このような従来技術の状況に鑑みて、本発明は、互いに異なった波長の光を出射する複数のＬＤを含む多波長レーザ装置と単一光学系との関係を改善することを目的としている。 【００１０】 【課題を解決するための手段】 本発明によれば、青色レーザダイオード、赤色レーザダイオード、および赤外色レーザダイオードのうちで２以上のレーザダイオードが同一基体上で同一方向に配置された多波長レーザ装置において、より短い波長のレーザダイオードの順序でレーザ光出射点がその光出射方向に向いて前方に配置されていることを特徴としている。 【００１１】 なお、それら２以上のレーザダイオードは、同一基板上にモノリシックに形成されていてもよい。他方、２以上の個別のレーザダイオードが、それぞれ融点の異なる半田を用いて基体上にマウントされていてもよい。 【００１２】 基体には、各レーザダイオードからのレーザ光の通過を確保するための切り込みが設けられていることが好ましい。２以上のレーザダイオードがモノリシックに形成されている場合には、その基板において、各レーザダイオードのレーザ光の通過を確保するための切り込みが設けられていることが好ましい。レーザダイオードは、ｐサイドダウンで基体上にマウントされてもよい。 【００１３】 本発明による多波長レーザ装置を製造するための方法においては、２以上のレーザダイオードは、それぞれ融点の異なる半田を融点の高い順に使用して基体上にマウントされることが好ましい。」 ｃ 【００１５】～【００３３】 「【００１５】 本発明者らの検討によれば、異なる各波長のレーザ光を単一光学系で集光する場合の問題点の一つとして、波長の違いによる焦点距離の相違が存在する。光学系に使用されるレンズは波長に依存して屈折率が異なり、波長の短い青色に対しては焦点距離が短く、波長の長い赤外色に対しては焦点距離が長くなる。複数の光学系が準備できれば、異なるレンズを用いることによって、異なる波長の光の間で焦点距離の差をなくすことができる。しかし、単一光学系において、波長に依存する焦点距離の変動はディスク面における焦点ずれを生じ、読み書きエラーの原因になり得ることを意味する。 【００１６】 このような焦点距離の相違は光学系の設計によって変わるが、一般には青色ＬＤと赤外ＬＤとの間で数十μｍないし百μｍ程度の相違がある。これを考慮して、光学系の焦点距離の違いに伴う像点までの距離の違いを補正するように各波長のＬＤを配置することによって、すなわちレーザ光出射点位置を調整することによって、異なる波長間における焦点距離の相違の問題を解決することができる。 【００１７】 （実施形態１） 図１は、本発明の実施形態１における多波長レーザ装置のヘッダの先端部を模式的に図解した斜視図である。ヘッダの先端部では支持基体１１の一主面上に青色ＬＤ１２、赤外ＬＤ１３、および赤色ＬＤ１４が配設されており、それらのＬＤはリッジストライプ２１２、３１２、および４１２をそれぞれ有し、ストライプ状の導波路を含んでいる。ＬＤ１２、１３、および１４には、それらが独立に動作し得るように電力を供給する第一のワイヤ１８、第二のワイヤ１９、および第三のワイヤ２０がそれぞれ接続されている。 【図１】 ［図：0001436819000008.jpg］ 【００１８】 支持基体１１は、銅を主成分とする金属からなっており、ヒートシンクとして作用する。支持基体１１上におけるそれぞれのＬＤは、それらが出射するレーザビームが互いにほぼ平行になるようにマウントされている。また、各ＬＤはｎ電極側が支持基体１１側になるように、すなわちｐサイドアップでマウントされており、ｐ電極側にワイヤが接続されている。これらのワイヤは、対応するＬＤのリッジストライプ２１２、３１２、および４１２の直上を避けた位置に接続され、ストライプ状導波路にワイヤボンディングによるダメージが入ることを防止している。各ＬＤのリア側には多層反射膜が形成されており、支持基体１１側およびワイヤ側から閾値以上の電流が注入されれば、そのフロント側からレーザ光が出射される。ここで、赤色ＬＤ１４はフロント側を向いて青色ＬＤ１２より５０μｍ後方に配置され、赤外ＬＤ１３は赤色ＬＤ１４よりさらに５０μｍ後方に配置されている。次に、図１の多波長レーザ装置の製造方法について説明する。 【００１９】 まず、図２を参照して、青色のレーザ光を出射する青色ＬＤ１２の作製について説明する。このＬＤ１２は複数のＧａＮ系半導体層を含み、ｎ型ＧａＮ基板２０１上に、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）にて形成される。より具体的には、ｎ型ＧａＮ基板２０１の第一主面上に、ｎ型ＧａＮの下部コンタクト層２０２、ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎの下部クラッド層２０３、ｎ型ＧａＮの下部ガイド層２０４、Ｉｎｘ１Ｇａ１－ｘ１ＮとＩｎｘ２Ｇａ１－ｘ２Ｎ（但しｘ１＞ｘ２）の交互積層構造からなる多重量子井戸層構造を有する活性層２０５、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎの蒸発防止層２０６、ｐ型ＧａＮの上部ガイド層２０７、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎの上部クラッド層２０８、およびｐ型ＧａＮの上部コンタクト層２１１を順に積層したウエハを成長させる。なお、活性層２０５は、波長約４０５ｎｍの光を放射するように、その組成および構造が設定される。 【図２】 ［図：0001436819000009.jpg］ …（中略）… 【００２１】 続いて、基板２０１の第二主面側を研磨等で削ることによって、ウエハ全体の厚みを調整する。その後、基板２０１の第二主面側にＴｉ／Ａｌをこの順で真空蒸着等により積層してｎ電極２１５を形成し、さらにＬＤのマウント時の密着性を向上させるためにＭｏ／Ａｕをこの順で真空蒸着してウェハの形成を完了する。完成されたウェハは６５０μｍ幅で劈開され、レーザの共振器端面が形成される。その劈開後に、レーザバーのリア側に２種類以上の誘電体の積層からなる多層反射膜（図示せず）を形成し、レーザ光をフロント側から取り出せるようにする。さらにバー状に分割されたウェハが幅２００～３００μｍ程度のチップに分割され、これによって青色ＬＤ１２が得られる。 【００２２】 次に、図３を参照して、赤外のレーザ光を出射する赤外ＬＤ１３の作製について説明する。このＬＤ１３は複数のＡｌＧａＡｓ系半導体層を含み、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１上にＭＯＣＶＤ法や分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により形成される。より具体的には、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の第一主面上に、ｎ型Ａｌ０．５５Ｇａ０．４５Ａｓの下部クラッド層３０３、Ａｌｘ３Ｇａ１－ｘ３ＡｓとＡｌｘ４Ｇａ１－ｘ４Ａｓ（但しｘ３＞ｘ４）の交互積層構造からなる多重量子井戸層構造を有する活性層３０５、ｐ型Ａｌ０．５５Ｇａ０．４５Ａｓの上部第一クラッド層３０８ 、ｐ型ＧａＡｓのエッチストップ層３０９、ｐ型Ａｌ０．５５Ｇａ０．４５Ａｓの上部第二クラッド層３１０、ｐ型ＧａＡｓの上部コンタクト層３１１を順に積層してウエハを成長させる。なお、活性層３０５は、波長約７８０ｎｍの光を放射するように、その組成および構造が設定される。 【図３】 ［図：0001436819000010.jpg］ …（中略）… 【００２４】 続いて、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の第二主面側をウェットエッチング等で削ることによって、ウエハ全体の厚みを調整する。その後、ｎ型ＧａＡｓ基板３０１の第二主面側にＮｉ／Ｇｅ／Ａｕをこの順で真空蒸着等により積層してｎ電極３１５を形成し、さらにＬＤのマウント時の密着性を向上させるために、Ｍｏ／Ａｕをこの順で真空蒸着してウェハの形成を完了する。完成されたウェハは２５０μｍ幅で劈開され、レーザの共振器端面が形成される。その劈開後に、レーザバーのリア側に２種類以上の誘電体の積層からなる多層反射膜（図示せず）を形成して、レーザ光をフロント側から取り出せるようにする。さらに、バー状に分割されたウェハが幅２００～３００μｍ程度のチップに分割され、これによって赤外ＬＤ１３が得られる。 【００２５】 次に、図４を参照して、赤色のレーザ光を出射する赤色ＬＤ１４の作製について説明する。このＬＤ１４は複数のＩｎＡｌＧａＰ系半導体層を含み、ｎ型ＧａＡｓ基板４０１上にＭＢＥ法により形成される。より具体的には、ｎ型ＧａＡｓ基板４０１の第一主面上に、ｎ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐの下部クラッド層４０３、ｎ型Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｉｎ０．５Ｐの下部ガイド層４０４、Ｉｎｘ５Ｇａ１－ｘ５ＰとＡｌｘ６Ｇａｘ７Ｉｎ１－ｘ６－ｘ７Ｐとの交互積層構造からなる多重量子井戸層構造を有する活性層４０５、ｐ型Ａｌ０．２５Ｇａ０．２５Ｉｎ０．５０Ｐの上部ガイド層４０７、ｐ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５０Ｐの上部第一クラッド層４０８、ｐ型Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐのエッチストップ層４０９、ｐ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５０Ｐの上部第二クラッド層４１０、ｐ型ＧａＡｓの上部コンタクト層４１１を順に積層してウエハを成長させる。なお、活性層４０５は、波長６５０ｎｍの光を放射するように、その組成と構造が設定される。 【図４】 ［図：0001436819000011.jpg］ …（中略）… 【００２７】 続いて、ｎ型ＧａＡｓ基板４０１の第二主面側をウェットエッチング等で削ることによって、ウエハ全体の厚みを調整する。その後に、ｎ型ＧａＡｓ基板４０１の第二主面側にＮｉ／Ｇｅ／Ａｕをこの順で真空蒸着等により積層することでｎ電極４１５を形成し、さらにＬＤのマウント時に密着性を向上させるために、Ｍｏ／Ａｕをこの順で真空蒸着してウェハの形成を完了する。完成したウェハは２５０μｍ幅で劈開され、レーザの共振器端面が形成される。その劈開後に、レーザバーのリア側に２種類以上の酸化物の積層からなる多層反射膜（図示せず）を形成し、レーザをフロント側から取り出せるようにする。さらにバー状に分割されたウェハが幅２００～３００μｍ程度のチップに分割され、これによって赤色ＬＤ１４が得られる。 …（中略）… 【００２９】 得られたＬＤは、支持基体１１にマウントされる。支持基体１１にまず青色ＬＤ１２を載せ、その近傍で青色ＬＤ１２のレーザ光出射点からフロント側を向いて後方１００μｍの位置に赤外ＬＤ１３のレーザ光出射点が来るように赤外ＬＤ１３をマウントする。そして、青色ＬＤ１２と赤外ＬＤ１３との間で、青色ＬＤ１２のレーザ光出射点からフロント側を向いて後方５０μｍの位置に赤色ＬＤ１４のレーザ光出射点が来るように赤色ＬＤ１４をマウントする。この時、それぞれのＬＤのストライプ方向が互いに平行になるように注意する。また。ＬＤ間で接触してショートしないように、ＬＤ間が１０～数１０μｍ程度に設定される。 【００３０】 マウントにおいて、青色ＬＤ１２にはＡｕ８０Ｓｎ２０半田、赤外ＬＤ１３にはＡｕ１０Ｓｎ９０半田、そして赤色ＬＤ１４にはＩｎ半田を用い、融点の高い順にＡｕ８０Ｓｎ２０半田、Ａｕ１０Ｓｎ９０半田、およびＩｎ半田を用いてそれらのＬＤを支持基体１１に取り付ける。すなわち、まず耐熱性に優れる青色ＬＤ１２、次に赤外ＬＤ１３、そして最後に耐熱性の弱い赤色ＬＤ１４をマウントする。それぞれのＬＤに同じ半田材を使用することも不可能ではないが、このように融点の異なる半田を用いて複数のＬＤを支持基体１１に接続すれば、一つのＬＤをマウントする際に他のＬＤの位置ずれなどが起こりにくくて便利である。なお、種々の融点を有する半田材は、インジウム基、鉛基、錫基、アルミニウム基、金基などの種々の半田材から選択し得る。なお、図１では左から順に赤外ＬＤ１３、赤色ＬＤ１４、青色ＬＤ１２という並び方を示しているが、この順序を変えてもよいことは言うまでもない。 【００３１】 次に、図５に示されているように、それぞれのＬＤにワイヤを接続し、外部から電力が供給できるようにする。なお、図５において、レーザ装置の内部をわかりやすくするために、透光材５１とキャップ５２は一部破断されて示されている。支持基体１１は、円形の放熱板１５と共にステム１０本体を構成し、ステム１０外部のリード４１に接続されていて電力が供給され得る。それぞれのＬＤのｐ側に電力を供給するピン３８、３９、４０はステム１０から絶縁され、外部のリード４８、４９、５０にそれぞれ直結している。各ＬＤのマウント後に、青色ＬＤ１２、赤外ＬＤ１３、および赤色ＬＤ１４は、ワイヤ１８、１９、および２０によってピン３８、３９、および４０へそれぞれ接続される。その後、レーザ光として出射される３つの波長の光を透過しうる透光材５１を有するキャップ５２をステム１０に接続し、これによって多波長レーザ装置１００が完成する。 【図５】 ［図：0001436819000012.jpg］ …（中略）… 【００３３】 本発明では、多波長レーザ装置に対して単一の光学系を使用する場合にそれぞれのレーザ光の焦点距離が異なるという問題が、レーザ光出射点位置を調整することによって解決され得る。前述のように、実施形態１では赤色ＬＤ１４のレーザ光出射点位置がフロント側に向いて青色ＬＤ１２に比べて５０μｍ後方で、赤外ＬＤ１３のレーザ光出射点位置がフロント側に向いて赤色ＬＤ１４に比べて５０μｍ後方にされた。しかし、光学系の設計に応じてこれらの距離を各ＬＤ間で変更してもよいことは言うまでもない。そのような距離の調整によって、光ピックアップの設計を容易にすることができる。また、光ピックアップの設計が容易になることによって光学系が簡素化され、そのピックアップのコストを低く押えることが可能となる。」 ｄ 【００３４】～【００３８】 「【００３４】 （実施形態２） 図７は、実施形態２における多波長レーザ装置のステムの先端部を模式的に図解した斜視図である。なお、図７の実施形態２において、実施形態１と同一または相当する部分については同一符号を付してその詳細な説明を省略する。 ［図：0001436819000013.jpg］ 【００３５】 本実施形態２は実施形態１に類似しているが、支持基体１１上で各ＬＤがｐサイドダウンでマウントされている点が特徴的である。このような構成では、支持基体１１からの発光点位置までの距離（高さ）の制御が行いやすい利点が得られる。他方、ｐサイドダウンでは発光点位置が支持基体１１に近づくので、放射されたレーザ光の一部が支持基体１１によって遮られる危険性が高くなる。したがって、支持基体１１に切り込み２１を設け、レーザ光が支持基体１１によって遮断されることを防止している。次に、この切り込み２１について説明する。 【００３６】 図８に示されているように、ＬＤのレーザ光出射点を原点として、レーザ光出射方向をｚ軸、ｚ軸に垂直でＬＤの活性層に平行な方向をｘ軸、同じく活性層に垂直な方向をｙ軸とすれば、ＬＤから出射されるレーザ光の水平放射角θ||および垂直放射角θ⊥から、切り込み２１のＬＤからの位置や深さを算出することができる。具体的には、ｚ軸からｙ軸方向の距離Ｄに関しては、レーザ光出射点からのｚ軸方向の距離をＬ（ただしＬ≧０）として、 ｜Ｄ｜＜Ｌ×ｔａｎ（θ⊥／２）・・・（１） を満たすＤの範囲内に光の遮蔽物がないように溝を作ればよい。例えば、レーザ光出射点の支持基体１１からの距離（高さ）が１０μｍの場合に、ＬＤのθ||＝１０°でθ⊥＝３０°であれば、Ｌが約３７μｍ以上の位置において、式（１）を満たすＤの範囲に溝を形成する必要がある。なお、溝の形状はその空間が直方体になるものに限られず、ｚ軸方向にスロープ状に形成されてもよい。 【００３７】 同様に、ｘ軸方向の距離Ｗに関しては、ｚ軸方向の距離Ｌ（Ｌ≧０）に対して ｜Ｗ｜＜Ｌ×ｔａｎ（θ||／２）・・・（２） を満たすＷの範囲内に遮蔽物がないようにＬＤをマウントすればよい。そのような遮蔽物としては隣接して配置されたＬＤが考えられるが、本実施形態では隣りのＬＤまでの距離が少なくとも１００μｍはあるので、常に式（２）の条件を満たす。なお、式（１）と（２）を満たせばレーザ光が遮蔽されないことが確実であるが、レーザ光の放射パターンは楕円形状であることを考慮して、溝２１のｙ軸に垂直な面（底面）と溝のｘ軸に垂直な面（側面）との交差領域を曲面に加工してもよいし、ｙ軸に垂直な面を傾斜させててもよい。他に楕円形状の放射パターンが遮蔽されない溝の形状としては、溝２１の底面をＶ字状に形成する、溝２１の側面を傾ける、溝２１のそれぞれの面を曲面に加工するなど、様々なバリエーションが考えられ得る。 【００３８】 なお、本実施形態２においても、実施形態１と同様の利点が得られることは言うまでもない。」 (イ) 引用文献２の記載から読み取れる事項の認定 【００３４】の記載を踏まえれば、実施形態２に示されるステムの先端が搭載される多波長レーザ装置は、ステムの先端以外は、【００１７】～【００３３】、【図２】～【図６】に記載された実施形態１と同様の構成を備えることが理解できる。 (ウ) 引用発明の認定 前記(イ)において認定した事項及び前記(ア)に摘記した引用文献２の記載事項を総合すると、引用文献２には、実施形態２（【図７】（及び【図５】））に係る次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、認定の根拠となる記載箇所を括弧内に示した。 ＜引用発明＞ 「青色レーザダイオード、赤色レーザダイオード及び赤外色レーザダイオードのうちで２以上のレーザダイオードが同一基体上で同一方向に配置された多波長レーザ装置であって、（【請求項１】） より短い波長のレーザダイオードの順序でレーザ光出射点がその光出射方向に向いて前方に配置されており、（【請求項１】） 多波長レーザ装置のヘッダの先端部では支持基体１１の一主面上に青色ＬＤ１２、赤外ＬＤ１３及び赤色ＬＤ１４が配設されており、（【００１７】） 支持基体１１は、銅を主成分とする金属からなっており、ヒートシンクとして作用し、支持基体１１上におけるそれぞれのＬＤは、それらが出射するレーザビームが互いにほぼ平行になるようにマウントされており、（【００１８】） 支持基体１１は、円形の放熱板１５と共にステム１０本体を構成し、レーザ光として出射される３つの波長の光を透過しうる透光材５１を有するキャップ５２をステム１０に接続され、（【００３１】） 多波長レーザ装置に対して単一の光学系を使用する場合にそれぞれのレーザ光の焦点距離が異なるという問題が、レーザ光出射点位置を調整することによって解決され、（【００３３】） 支持基体１１上で各ＬＤがｐサイドダウンでマウントされており、支持基体１１に切り込み２１を設け、レーザ光が支持基体１１によって遮断されることを防止する、（【００３５】） 多波長レーザ装置」 ＜引用発明参考図＞ 【図７】 【図５】 ［図：0001436819000014.jpg］ イ 引用文献１に記載された事項及び引用文献１技術事項の認定 (ア) 引用文献１に記載された事項 原査定の拒絶の理由において引用された、本願の出願前に発行された文献である特開２００２－５７４１１号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、以下同様である。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 １つのサブマウント上に発光波長の互いに異なる２つの半導体レーザが配置されており、前記２つの半導体レーザは、それぞれの出射光軸同士が平行になるように、かつ接近するように配置され、また、２つの半導体レーザの主出射端面は同一平面になくて、所定の距離を隔てて配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記２つの半導体レーザのうちの一方の半導体レーザは、他方の半導体レーザに対して後退して配置され、他方の半導体レーザに対して後退して配置される一方の半導体レーザの主出射端面の主出射方向前方のサブマウントには溝あるいは穴が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記２つの半導体レーザの主出射端面とサブマウントの一辺とが平行でなく、所定の角度を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 【請求項４】 請求項３記載の半導体レーザ装置において、前記２つの半導体レーザの主出射端面とサブマウントの一辺とが平行でなく、所定の角度を有しており、２つの半導体レーザの共振器長が異なっている場合、共振器長の短かい半導体レーザの後方の出射端面側のサブマウントには溝あるいは穴が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。 【請求項５】 請求項１乃至請求項４記載のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置を備えていることを特徴とする光ピックアップ。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体レーザを１つのパッケージに収めた半導体レーザ装置および光ピックアップに関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、次世代の記録メディアとしてＤＶＤが注目されている。一般に、一台のＤＶＤプレーヤーでは、ＤＶＤとＣＤとの両者を互換再生できることが望まれる。そのためには、ＤＶＤ再生用に波長の短い６３５ｎｍあるいは６５０ｎｍの赤色半導体レーザとＣＤ再生用に７８０ｎｍの近赤外半導体レーザとを搭載する光ピックアップが必要とされている。さらに、装置の小型化のためには、２種類の半導体レーザを１つのパッケージの中に組み込んだ集積型光ピックアップの実現が期待されている。しかし、２つの光源を１つのパッケージに組み込んで、光学系を共通化するためには、２つの半導体レーザの発光点間隔をできるだけ接近させる必要があり、その間隔としては３００μｍ以下が望ましい。 【０００３】従来、上記課題を解決するために、数多くの技術が提案されている。たとえば、特開平１１－９７８０４号には、図３に示すように、１つのサブマウント１上に発光波長の異なる２つの半導体レーザ２，３を接近して配置する方法が示されている。すなわち、図３を参照すると、サブマウント（シリコン基板）１上に、発光波長が互いに異なる第１の半導体レーザ２と第２の半導体レーザ３とが、それぞれの出射光が平行となるように、かつ接近させて配置されている。さらに、図３では、サブマウント１にレーザパワーモニタ用のホトダイオード７が作り込まれている。 【０００４】しかし、２つの異なる波長に対して１つの光学系で対応する場合、２つの半導体レーザ２，３の光路長が異なる不具合が発生する。一般に、光ピックアップ光学系の結像系としては、半導体レーザの光をコリメータを使用して平行光として対物レンズに入射させる無限仕様型が用いられる。例として、コリメータレンズの材料としてＢＫ７を使用した場合、６５０ｎｍ，７８０ｎｍでの屈折率ｎはそれぞれ１．５１４５２，１．５１１１８３である。このＢＫ７で６５０ｎｍに合わせて焦点距離ｆ＝１７ｍｍのコリメータレンズを設計すれば、７８０ｎｍでの焦点距離が０．１１０９７ｍｍ長くなる。つまり、発光波長７８０ｎｍの半導体レーザは、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザよりも１１１μｍ後退させて配置することが望ましいことが分かる。 【０００５】しかし、１つのサブマウント１上で、２つの半導体レーザ２，３の一方の主出射端面を後退させて実装することは難しい。一般に、半導体レーザは、放熱性を考慮して、ジャンクションダウンでＡｕ－Ｓｎ共晶ハンダを介して絶縁性のサブマウントにダイボンディングされる。この時、半導体レーザの発光層はダイボンド面から数μｍと極めて接近したところに位置しているため、Ａｕ－Ｓｎハンダが発光層端面に回り込んで電気的に短絡する可能性がある。そのため、半導体レーザの主出射端面をサブマウント端面より数μｍ突き出して接合するのが一般的である。 【０００６】仮に、上記問題を解決し、一方の半導体レーザを後退させて接合しても、半導体レーザからの出射光がサブマウントで反射して迷光となって信号読み出しに不具合が生じる。 【０００７】逆に、一方の半導体レーザの主出射端面を出射方向にサブマウント端部から１００μｍ突き出して配置することも考えられるが、この場合には、突き出して配置された半導体レーザとサブマウントの熱抵抗が増大し、発光層温度が上昇し発光波長の変動が起こったり、また、ハンドリング時に半導体レーザを破損する可能性が増大する。 【０００８】一般に、サブマウントには、熱伝導率の高い絶縁性部材，たとえば窒化アルミ（ＡｌＮ）などを用い、その表面には半導体レーザを固定するためのＡｕ－Ｓｎ層が形成された方形型のものが使用される。サブマウントは所定のメタライジングを行った後でダイシングソー等で切り出されるため、方形型以外の、たとえば凸型や端部の一部が切り込まれた様な形状は作れない。 【０００９】また、特開平１１－９７８０４号には、図４に示すように、サブマウントを二段に積み上げた例が示されている。すなわち、図４を参照すると、第１のサブマウント１上には、第１の半導体レーザ２と第１のホトダイオード７とが配置され、また、第１のサブマウント１上には、第２のサブマウント８が積み上げられ、第２のサブマウント８には、第２の半導体レーザ３と第２のホトダイオード９とが配置されている。この技術の目的は、発光点間隔を接近させるためになされたもので、発光波長の差を解決する目的でなされていない。また、第２のサブマウント８に配置された第２の半導体レーザ３から出た光が、第１のサブマウント１で蹴られることも考慮されていない。仮に、第１のサブマウント１での蹴られを考慮した高さ関係にしたとしても、２つの半導体レーザ２，３の間隔は、第１のサブマウント１に配置された第１の半導体レーザ２の共振器長（約３００μｍ）以下での調整が出来ないという欠点がある。 【００１０】このように従来技術では、半導体レーザの波長の違いを考慮したレイアウトになっていなかった。 【００１１】また別の問題として、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザは、利得を確保するため、共振器長は、発光波長７８０ｎｍの半導体レーザよりも長いのが一般的である。一般的に、その共振器長は、発光波長７８０ｎｍの半導体レーザが３００μｍ程度であり、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザが７００μｍ程度であり、４００μｍ程度の差がある。そのため、２つの半導体レーザを並べて配置した場合でも、発光波長７８０ｎｍの半導体レーザの後方出射端面から出た光がサブマウントで蹴られる不具合が発生する。 【００１２】 【発明が解決しようとする課題】このように、１つのサブマウント上に、発光波長が互いに異なる半導体レーザを実装する場合には、光ピックアップでの発光波長差による光路差の解消、共振器長の差による迷光の解消、と言う技術的課題がある。 【００１３】本発明は、同一のサブマウント上に発光波長が互いに異なる２つの半導体レーザを実装する場合に、共通の光学系においても発光波長に適した光路差を確保することが可能な半導体レーザ装置および光ピックアップを提供することを目的としている。 …（中略）… 【００１９】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明に係る半導体レーザ装置の構成例を示す図である。なお、図１（ａ）は斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ－Ｘ線における断面図である。 【図１】 ［図：0001436819000015.jpg］ 【００２０】図１（ａ），（ｂ）を参照すると、サブマウント１上には、半導体レーザとして、ＤＶＤ用の発光波長６５０ｎｍの第１の半導体レーザ２と、ＣＤ用の発光波長７８０ｎｍの第２の半導体レーザ３とが配置されている。第１の半導体レーザ２は、その主出射端面２ａがサブマウント１の端面１ａからわずかに突き出して（約１０μｍだけ突き出して）配置されている。また、第２の半導体レーザ３は、その主出射端面３ａが第１の半導体レーザ２の主出射端面２ａから約１００μｍ後退させた位置に配置されている。 【００２１】換言すれば、図１（ａ），（ｂ）の構成例では、半導体レーザ装置は、１つのサブマウント１上に発光波長の互いに異なる２つの半導体レーザ２，３が配置されており、２つの半導体レーザ２，３は、それぞれの出射光軸同士が平行になるように、かつ接近するように配置され、また、２つの半導体レーザ２，３の主出射端面２ａ，３ａは同一平面になくて、所定の距離を隔てて配置されている。これにより、共通の光学系においても発光波長に適した光路長を確保することが可能になる。 【００２２】また、図１（ａ），（ｂ）の構成例では、第２の半導体レーザ３から出射される光ビームがサブマウント１の表面によって蹴られないように、サブマウント１の一部に溝４が形成されている。 【００２３】ここで、サブマウント１に形成される溝４は、例えば、第２の半導体レーザ３の垂直ビーム広がり角が２６°，水平ビーム広がり角が１０°の場合、深さｄは約２３μｍ以上、幅ｗは約１７．５μｍ以上であるのが良い。 【００２４】なお、図１（ｂ）において、図１（ａ）では図示を省略しているが、符号５は金属膜、符号６はＡｕ－Ｓｎ層である。 【００２５】図１（ａ），（ｂ）の半導体レーザ装置は、例えば次のような工程によって作製される。すなわち、サブマウント１の主材料として高純度なシリコン基板を使用するとし、このシリコン基板１を酸化して、シリコン基板１の両面にシリコン酸化膜を形成する。次に、溝４を形成する領域のシリコン酸化膜を取り除き、下地のシリコン基板１を露出させる。次に、ＫＯＨエッチャントを用いて異方性エッチングを行い、所定の深さの溝４を形成する。その後、シリコン酸化膜を除去し、シリコン基板１の表面および裏面のメタライジングを行う。これにより、例えば、シリコン基板１の両面に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの金属膜５が順次成膜される。Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの各層の厚みは、たとえば、０．１μｍ／０．２μｍ／０．５μｍ程度である。さらに、シリコン基板１（金属膜５）の表面の一部に、半導体レーザを固定するためにＡｕ－Ｓｎ層６を約３μｍの厚さで形成する。そして、Ａｕ－Ｓｎ層６上に半導体レーザ２，３を固定する。ここで、半導体レーザ２，３はアノード側がダイボンド面であるならば、前記金属膜５は、２つの領域に分離されている。 【００２６】なお、上述の例では、サブマウント１に溝４を形成したが、溝４のかわりに穴を形成しても良い。 【００２７】このように、図１（ａ），（ｂ）の構成例では、２つの半導体レーザ２，３のうちの一方の半導体レーザ３は、他方の半導体レーザ２に対して後退して配置され、他方の半導体レーザ２に対して後退して配置される一方の半導体レーザ３の主出射端面３ａの主出射方向前方のサブマウント１には溝４あるいは穴が形成されている。これにより、半導体レーザ３からの光がサブマウント１によって蹴られるのを防止することが可能になる。 …（中略）… 【００２９】図２（ａ），（ｂ）は本発明に係る半導体装置の他の構成例を示す図である。なお、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ－Ｘ線における断面図である。図２の構成例では、サブマウント１は、たとえば窒化アルミ（ＡｌＮ）からなり、菱形の形状のものとなっている。また、２つの半導体レーザ２，３は、光の主出射方向とサブマウント１の端部とが所定の角度で交差するように配置されている。 【図２】 ［図：0001436819000016.jpg］ 【００３０】より詳細に、このサブマウント１上は２つの電極領域５，５に分割されており、その一部に半導体レーザ２，３を接合するためのＡｕ－Ｓｎ共晶合金６が堆積されている。半導体レーザ２，３は、ジャンクションダウンでアノード側がダイボンディングされるため、電気的に絶縁されている。サブマウント１上に実装された半導体レーザ２，３は、その表面とサブマウント１の表面からそれぞれワイヤーボンディングで電気的に接続される。また、１つのサブマウント１上で、２つの半導体レーザ２，３の主出射端面間距離Ｄを確保するために、半導体レーザ２，３は、サブマウント１の一辺に沿って、斜めに配置されている。 【００３１】図２（ａ），（ｂ）の例では、サブマウント１の形状は菱形となっているが、サブマウント１の一辺に、所定の角度で２つの半導体レーザ２，３を配置できれば、サブマウント１の形状は他の形状であっても良い。 【００３２】また、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザと発光波長７８０ｎｍの半導体レーザとは、その共振器長が異なるのが一般的である。例えば、発光波長６５０ｎｍの半導体レーザの外形は３００×６５０×１００ｔμｍ、発光波長７８０ｎｍの半導体レーザの外形は３００×３８０×１００ｔμｍである。そのため、図２（ａ），（ｂ）の仕方で２つの半導体レーザ２，３を配置した場合、共振器長の短い半導体レーザの後方の出射端面からの光がサブマウント１で蹴られ、迷光となることが考えられる。そこで、共振器の短い７８０μｍの半導体レーザの後方の出射端面側のサブマウント１の表面に溝あるいは穴を形成すれば、共振器の短い７８０μｍの半導体レーザの後方の出射端面から出射される光がサブマウント１で蹴られることが防止され、迷光を低減することができる。 【００３３】このように、図２（ａ），（ｂ）の構成例では、サブマウント１は方形で、２つの半導体レーザ２，３の主出射端面とサブマウント１の一辺とが平行でなく、所定の角度を有していることにより、熱抵抗の増大を抑え、かつサブマウント１に複雑な加工を施すことなく、その形状は方形であるため従来のダイシングソーで切り出すことが可能で、安価な半導体レーザ装置を提供することが可能になる。 【００３４】また、２つの半導体レーザ２，３の主出射端面とサブマウント１の一辺とが平行でなく、所定の角度を有しており、２つの半導体レーザ２，３の共振器長が異なっている場合、共振器長の短い半導体レーザの後方の出射端面側のサブマウント１に溝あるいは穴が形成されていることにより、共振器長の異なる２つの半導体レーザ２，３を配置した場合に問題となるサブマウント１でのレーザ光の蹴られを軽減することが可能になる。 【００３５】また、上述した本発明の半導体レーザ装置を光ピックアップに用いることができ、この場合、光学系が簡略された小型，低価格な高性能の光ピックアップを提供できる。 【００３６】 【発明の効果】以上に説明したように、請求項１記載の発明によれば、１つのサブマウント上に発光波長の互いに異なる２つの半導体レーザが配置されており、前記２つの半導体レーザはそれぞれの出射光軸同士が平行になるように、かつ接近するように配置され、また、２つの半導体レーザの主出射端面は同一平面になくて、所定の距離を隔てて配置されているので、共通の光学系においても発光波長に適した光路長を確保することが可能になる。 【００３７】また、請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記２つの半導体レーザのうちの一方の半導体レーザは、他方の半導体レーザに対して後退して配置され、他方の半導体レーザに対して後退して配置される一方の半導体レーザの主出射端面の主出射方向前方のサブマウントには溝あるいは穴が形成されているので、サブマウントによるレーザ光の蹴られを防止することが可能になる。 【００３８】また、請求項３記載の発明によれば、請求項１記載の半導体レーザ装置において、前記２つの半導体レーザの主出射端面とサブマウントの一辺とが平行でなく、所定の角度を有しているので、熱抵抗の増大を抑え、かつサブマウントに複雑な加工を施すことなく、その形状は方形であるため従来のダイシングソーで切り出すことが可能で、安価な半導体レーザ装置を提供することが可能になる。 【００３９】また、請求項４記載の発明によれば、請求項３記載の半導体レーザ装置において、前記２つの半導体レーザの主出射端面とサブマウントの一辺とが平行でなく、所定の角度を有しており、２つの半導体レーザの共振器長が異なっている場合、共振器長の短かい半導体レーザの後方の出射端面側のサブマウントに溝あるいは穴が形成されているので、共振器長の異なる２つの半導体レーザを配置した場合に問題となるサブマウントでのレーザ光の蹴られを軽減することが可能になる。 【００４０】また、請求項５記載の発明によれば、請求項１乃至請求項４記載のいずれか一項に記載の半導体レーザ装置を備えた光ピックアップであるので、小型，低価格な高性能の光ピックアップを提供することができる。」 (イ) 引用文献１技術事項の認定 前記(ア)に示した引用文献１の摘記事項より、引用文献１には、次の技術事項が記載されていると認められる。（以下「引用文献１技術事項」という。） ＜引用文献１技術事項＞ 「１つのサブマウント上に発光波長の互いに異なる２つの半導体レーザが配置されており、前記２つの半導体レーザは、それぞれの出射光軸同士が平行になるように、かつ接近するように配置され、また、２つの半導体レーザの主出射端面は同一平面になくて、所定の距離を隔てて配置されており、（【請求項１】） 同一のサブマウント上に発光波長が互いに異なる２つの半導体レーザを実装する場合に、共通の光学系においても発光波長に適した光路差を確保することが可能な半導体レーザ装置において、（【００１３】） 前記２つの半導体レーザの主出射端面とサブマウントの一辺とが平行でなく、所定の角度を有しているものとすることにより、（【請求項３】） 熱抵抗の増大を抑え、かつサブマウント１に複雑な加工を施すことなく、安価な半導体レーザ装置を提供することが可能になること。（【００３３】）」 ウ 引用文献３に記載された事項及び技術常識１の認定 (ア) 引用文献３に記載された事項 当審において新たに引用する、本願の出願前に発行された文献である特開２０１７－１４７４２０号公報には、次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、赤色レーザ光を出射する赤色レーザダイオードと青色レーザ光を出射する青色レーザダイオードとを備える発光装置、照明装置、及び投影装置に関するものである。 【背景技術】 【０００２】 近年、半導体レーザ（レーザダイオード、以下「ＬＤ」ともいう）を光源とする発光装置が知られている。レーザダイオードは、小型、高効率、長寿命、エテンデュー（光源のサイズと発散角との積）が小さいといった様々な利点を有している。そのため、ランプや発光ダイオードの代わりにレーザダイオードを用いることにより、装置を高効率化、及び小型化することができる。 【０００３】 例えば、特許文献１に開示された多波長半導体レーザ装置１００は、図16に示すように、サブマウント１１０上に実装された、赤色ＬＤ１１１ａと赤外ＬＤ１１１ｂとからなる２波長レーザ１１１と、青紫色ＬＤ１１２とを備えている。これにより、１つの装置でＣＤ（Compact Disk）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、及びＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）の情報を取り扱うことができると共に、チップサイズを小さくすることができる。すなわち、ＣＤ用ＬＤの発振波長は７８０ｎｍ帯（赤外）であり、ＤＶＤ用ＬＤの発振波長は６５０ｎｍ帯（赤色）であり、ＢＤ用ＬＤの発振波長は４０５ｎｍ帯（青紫色）である。したがって、１つの光ディスク装置でＣＤ、ＤＶＤ及びＢＤの情報を取り扱うためには、赤外、赤色、青紫色の３つの光源が必要となる。」 「【００１８】 本実施の形態の発光装置１Ａは、図1の（ａ）（ｂ）に示すように、円盤状のステム２０と、ステム２０の上面の搭載部品を保護するように覆うキャップ２１と、コリメートレンズ２２とを備えた封止容器となっている。また、上記封止容器の内部に、赤色レーザ光を出射する赤色ＬＤ（Laser Diode）１２と青色レーザ光を出射する青色ＬＤ１３とを備えている。 ［図：0001436819000017.jpg］ 【００１９】 上記のような封止容器は一般にＣＡＮ型と称されるが、本発明の発光装置が有する封止容器は、これに限定されず、例えばフラット型や、ＣＯＢパッケージを板ガラス等で封止した構造であってもよい。」 (イ) 技術常識１の認定 前記(ア)に示した引用文献３の摘記事項に例示されているように、次の技術事項は、当業者にとって技術常識であったと認められる。（以下「技術常識１」という。） ＜技術常識１＞ 「ＣＡＮ型のレーザ装置において、キャップ部に単一のレンズ面を持つ平凸レンズを設けること。」 (３) 本件補正発明と引用発明の対比 ア 対比分析 本件補正発明と引用発明を対比する。 (ア) 構成Ｘの観点（発光装置） 「発光装置」の発明である本件補正発明と「多波長レーザ装置」の発明である引用発明は、「発光装置」の発明である点において一致する。 (イ) 引用発明の構成と本件補正発明の構成の相当関係 本件補正発明と引用発明の対比分析の見通しをよくするために、引用発明の構成と本件補正発明の構成の相当関係を最初にまとめると、次の引用発明の欄に記載した引用発明の各構成は、それぞれ、対応する本件補正発明の欄に記載した次の本件補正発明の構成に相当する。 ＜引用発明＞ ＜本件補正発明＞ 青色ＬＤ１２ 第１半導体レーザ素子 赤色ＬＤ１４ 第２半導体レーザ素子 赤外ＬＤ１３ 第３半導体レーザ素子 支持基体１１ サブマウント (ウ) 構成Ａの観点（レンズ部材について） ａ 構成Ａは、「少なくとも１のレンズ面を有するレンズ部材」を備えることである。 ｂ 引用発明においては、「多波長レーザ装置に対して単一の光学系を使用する場合にそれぞれのレーザ光の焦点距離が異なるという問題が、レーザ光出射点位置を調整することによって解決され［る］」（【００３３】）ことから、引用発明は、「青色ＬＤ１２」、「赤色ＬＤ１４」及び「赤外ＬＤ１３」が発するレーザ光に対して集光作用（レンズ作用）を奏する部材とともに用いることが理解される。 ｃ そうすると、本件補正発明の引用発明との、構成Ａの観点における、一致点及び相違点は、それぞれ次の(ａ)及び(ｂ)に示すとおりである。 (ａ) 構成Ａの観点での一致点 「第１半導体レーザ素子」～「第３半導体レーザ素子」が発するレーザ光に対してレンズ作用をする部材とともに用いるものである点。 (ｂ) 構成Ａの観点での相違点 「第１半導体レーザ素子」～「第３半導体レーザ素子」が発するレーザ光に対して用いるレンズ作用を奏する部材が、 本件補正発明においては 「少なくとも１のレンズ面を有するレンズ部材」であるのに対して、 引用発明においては、 「多波長レーザ装置」自体が「少なくとも１のレンズ面を有するレンズ部材」を備えることの特定が少なくとも無い点。 (エ) 構成Ｂの観点（半導体レーザ素子について） ａ 構成Ｂは、「第１発光点から、第１波長に発光ピークを有する第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第１発光点を通る第１平面よりも前記レンズ部材から遠い位置に配置される第２発光点から、前記第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第２発光点を通る第２平面よりも前記レンズ部材から遠い位置に配置される第３発光点から、前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光を出射する第３半導体レーザ素子と、を含む複数の半導体レーザ素子と」を備えることである。 ｂ(ａ) 前記（イ）の相当関係を踏まえると、次のｉ～iiiに示す相当関係は自明のことである。 ｉ 引用発明における「青色ＬＤ１２」が本件補正発明における「第１波長に発光ピークを有する第１の光を出射する第１半導体レーザ素子」に相当し、引用発明における「青色ＬＤ１２」の発する「レーザ光」及び「レーザ光出射点」がそれぞれ本件補正発明における「第１波長に発光ピークを有する第１の光」及び「第１発光点」に相当すること。 ii 引用発明における「赤色ＬＤ１４」が本件補正発明における「前記第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光を出射する第２半導体レーザ素子」に相当し、引用発明における「赤色ＬＤ１４」の発する「レーザ光」及び「レーザ光出射点」がそれぞれ本件補正発明における「前記第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光」及び「第２発光点」に相当すること。 iii 引用発明における「赤外ＬＤ１３」が本件補正発明における「前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光を出射する第３半導体レーザ素子」に相当し、引用発明における「赤外ＬＤ１３」の発する「レーザ光」及び「レーザ光出射点」がそれぞれ本件補正発明における「前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光」及び「第３発光点」に相当すること。 (ｂ) また、前記(ウ)において検討したとおり、引用発明は、「第１半導体レーザ素子」～「第３半導体レーザ素子」が発するレーザ光に対して用いるレンズ作用をする部材」（以下「レンズ作用部材」という。）を含むといえるところ、かかる「レンズ作用部材」における「少なくとも一つのレンズ作用を奏する面」に「光軸」を定義できることは自明である。 そうすると、前記（イ）及び前記（ａ）の相当関係も踏まえると、次のｉ及びiiに示す相当関係は自明のことである。 ｉ 引用発明における「レンズ作用部材」の「少なくとも一つのレンズ作用を奏する面」の光軸に垂直な平面であり「青色ＬＤ１２」の「レーザ光出射点」を通る平面が、本件補正発明における「前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第１発光点を通る」「第１平面」に相当すること。 ii 引用発明における「レンズ作用部材」の「少なくとも一つのレンズ作用を奏する面」の光軸に垂直な平面であり「赤色ＬＤ１４」の「レーザ光出射点」を通る平面が、本件補正発明における「前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第２発光点を通る」「第２平面」に相当すること。 ｃ 引用発明においては、「多波長レーザ装置のヘッダの先端部では支持基体１１の一主面上に青色ＬＤ１２、赤外ＬＤ１３及び赤色ＬＤ１４が配設されており」（【００１７】）、「青色ＬＤ１２」、「赤外ＬＤ１３」及び「赤色ＬＤ１４」は、「より短い波長のレーザダイオードの順序でレーザ光出射点がその光出射方向に向いて前方に配置され」（【請求項１】）、「多波長レーザ装置に対して単一の光学系を使用する場合にそれぞれのレーザ光の焦点距離が異なるという問題が、レーザ光出射点位置を調整することによって解決され［る］」（【００３３】）。 そうすると、「赤色ＬＤ１４」の「レーザ光出射点」（「第２発光点」に相当する。）は、「第１平面」よりも、「レンズ作用部材」から遠い位置に配置されるといえる。 また、「赤外ＬＤ１３」の「レーザ光出射点」（「第３発光点」に相当する。）は、「第１平面」よりも、「レンズ作用部材」から遠い位置に配置されるといえる。 ｄ したがって、本件補正発明と引用発明は、前記構成Ａに係る相違点を除き、次の点において一致する。 「「第１発光点から、第１波長に発光ピークを有する第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、」レンズ作用部材の少なくとも一つのレンズ作用を奏する面「の光軸に垂直な平面であり前記第１発光点を通る第１平面よりも」前記レンズ作用部材「から遠い位置に配置される第２発光点から、前記第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、」レンズ作用部材の少なくとも一つのレンズ作用を奏する面「の光軸に垂直な平面であり前記第２発光点を通る第２平面よりも」前記レンズ作用部材「から遠い位置に配置される第３発光点から、前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光を出射する第３半導体レーザ素子と、を含む複数の半導体レーザ素子と」を備える点。 (オ) 構成Ｃの観点（レンズ部材について） ａ 構成Ｃは、「前記複数の半導体レーザ素子が並べて配置される上面を有するサブマウントと、」を備えることである。 ｂ 引用発明における「支持基体１１」は、「支持基体１１上におけるそれぞれのＬＤは、それらが出射するレーザビームが互いにほぼ平行になるようにマウントされて［いる］」ことから、本件補正発明でいう「前記複数の半導体レーザ素子が並べて配置される上面を有するサブマウント」であるといえる。 ｃ したがって、本件補正発明と引用発明は、次の点において一致する。 「前記複数の半導体レーザ素子が並べて配置される上面を有するサブマウントと、」を備える点。 (カ) 構成Ｄの観点（サブマウントの外縁について） ａ 構成Ｄは、「前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記サブマウントの前記上面の法線方向から見る上面視において、前記第１平面、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第１発光点を通る第１直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第２発光点を通る第２直線によって囲まれる領域の内側で、前記第１平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第２平面よりも前記レンズ部材から近い点を通り、また、前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記上面視で、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第３発光点を通る第３平面、前記第２直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第３発光点を通る第３直線によって囲まれる領域の内側で、前記第２平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第３平面よりも前記レンズ部材から近い点をさらに通［る］」ことである。 ｂ 引用発明は、本件補正発明の構成Ｄに相当する構成を備えていないから、本件補正発明と引用発明は、次の点において相違する。 本件補正発明においては、「前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記サブマウントの前記上面の法線方向から見る上面視において、前記第１平面、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第１発光点を通る第１直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第２発光点を通る第２直線によって囲まれる領域の内側で、前記第１平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第２平面よりも前記レンズ部材から近い点を通り、また、前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記上面視で、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第３発光点を通る第３平面、前記第２直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第３発光点を通る第３直線によって囲まれる領域の内側で、前記第２平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第３平面よりも前記レンズ部材から近い点をさらに通［る］」のに対して、 引用発明においては「支持基体１１に切り込み２１を設け、レーザ光が支持基体１１によって遮断されることを防止する」点。 (キ) 構成Ｅの観点（光軸について） ａ 構成Ｅは、「前記第１の光、前記第２の光、及び前記第３の光は、互いの光軸が重ならない状態で前記少なくとも１のレンズ面を通過し、前記第１の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有さず、前記第２の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有［する］」ことである。 ｂ 引用発明の「青色ＬＤ１２」、「赤色ＬＤ１４」及び「赤外ＬＤ１３」は、「支持基体１１上におけるそれぞれのＬＤは、それらが出射するレーザビームが互いにほぼ平行になるようにマウントされて［いる］」（【００１８】）ことから、本件補正発明でいう「前記第１の光、前記第２の光、及び前記第３の光は、互いの光軸が重ならない状態」で前記レンズ作用部材の少なくとも一つのレンズ作用をする面を通過するといえる。 ｃ 一方で、引用発明の「青色ＬＤ１２」及び「赤色ＬＤ１４」の発する各レーザ光のそれぞれと前記レンズ作用部材の少なくとも一つレンズ作用をする面の光軸の間の関係は不明である。 ｄ 以上の検討結果を踏まえると、本件補正発明の引用発明との構成Ｅの観点における一致点及び相違点は、それぞれ次の(ａ)及び(ｂ)に示すとおりである。 (ａ) 構成Ｅの観点での一致点 「前記第１の光、前記第２の光、及び前記第３の光は、互いの光軸が重ならない状態で」前記レンズ作用部材の少なくとも一つのレンズ作用をする面を通過する点。 (ｂ) 構成Ｅの観点での相違点 本件補正発明においては、 前記第１の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有さず、前記第２の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有［する］のに対して、 引用発明においては、 「青色ＬＤ１２」及び「赤色ＬＤ１４」の発する各レーザ光の中心が進む方向のそれぞれと前記集光部材の少なくとも１のレンズ面の光軸との関係は不明である」点。 (ク) 構成Ｆの観点（レンズ面について） ａ 構成Ｆは、「前記少なくとも１のレンズ面は、前記上面視及び前記上面視で前記第１直線に垂直な方向からみた平面視において曲率を有する球面または非球面であり、前記少なくとも１のレンズ面は、単一のレンズ面である」ことである。 ｂ 引用発明は、本件補正発明の構成Ｆに相当する構成を備えていないから、本件補正発明と引用発明は、次の点において相違する。 「前記少なくとも１のレンズ面は、前記上面視及び前記上面視で前記第１直線に垂直な方向からみた平面視において曲率を有する球面または非球面であり、前記少なくとも１のレンズ面は、単一のレンズ面である」点。 イ 一致点及び相違点 前記アの対比分析の結果をまとめると、本件補正発明と引用発明は、次の(ア)に示す一致点において一致し、後記(イ)に示す相違点において相違すると認められる。 (ア) 一致点 第１半導体レーザ素子～第３半導体レーザ素子が発するレーザ光に対してレンズ作用をする部材（以下「レンズ作用部材」という。）とともに用いるものであり、 第１発光点から、第１波長に発光ピークを有する第１の光を出射する第１半導体レーザ素子と、前記レンズ作用部材の少なくとも一つのレンズ作用を奏する面の光軸に垂直な平面であり前記第１発光点を通る第１平面よりも前記レンズ作用部材から遠い位置に配置される第２発光点から、前記第１波長とは異なる第２波長に発光ピークを有する第２の光を出射する第２半導体レーザ素子と、レンズ作用部材の少なくとも一つのレンズ作用を奏する面の光軸に垂直な平面であり前記第２発光点を通る第２平面よりも前記レンズ作用部材から遠い位置に配置される第３発光点から、前記第１波長および前記第２波長とは異なる第３波長に発光ピークを有する第３の光を出射する第３半導体レーザ素子と、を含む複数の半導体レーザ素子と、 前記複数の半導体レーザ素子が並べて配置される上面を有するサブマウントと、 を備え、 前記第１の光、前記第２の光及び前記第３の光は、互いの光軸が重ならない状態で前記レンズ作用部材の少なくとも一つのレンズ作用をする面を通過する、 発光装置」の発明である点。 (イ) 相違点 ａ 相違点１（構成Ａ、Ｂ及びＦに係る相違点） レンズ作用部材（第１半導体レーザ素子～第３半導体レーザ素子が発するレーザ光に対して用いるレンズ作用を奏する部材）が、 本件補正発明においては 「少なくとも１のレンズ面を有するレンズ部材」であり、 「前記少なくとも１のレンズ面は、前記上面視及び前記上面視で前記第１直線に垂直な方向からみた平面視において曲率を有する球面または非球面であり、前記少なくとも１のレンズ面は、単一のレンズ面である」のに対して、 引用発明においては、 「多波長レーザ装置」自体が「少なくとも１のレンズ面を有するレンズ部材」を備えることの特定が少なくとも無く、 レンズ作用部材が具体的にどのようなものであるのか不明である点。 ｂ 相違点２（構成Ｅに係る相違点） 本件補正発明においては、 前記第１の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有さず、前記第２の光は、前記少なくとも１のレンズ面の光軸上を進む光を有［する］のに対して、 引用発明においては、 「青色ＬＤ１２」及び「赤色ＬＤ１４」の発する各レーザ光の中心が進む方向のそれぞれと前記集光部材の少なくとも１のレンズ面の光軸との関係は不明である」点。 ｃ 相違点３（構成Ｄに係る相違点） 本件補正発明においては、「前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記サブマウントの前記上面の法線方向から見る上面視において、前記第１平面、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第１発光点を通る第１直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第２発光点を通る第２直線によって囲まれる領域の内側で、前記第１平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第２平面よりも前記レンズ部材から近い点を通り、また、前記サブマウントの前記上面の外縁は、前記上面視で、前記第２平面、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に垂直な平面であり前記第３発光点を通る第３平面、前記第２直線、および、前記少なくとも１のレンズ面の光軸に平行で前記第３発光点を通る第３直線によって囲まれる領域の内側で、前記第２平面よりも前記レンズ部材から遠く、かつ、前記第３平面よりも前記レンズ部材から近い点をさらに通［る］」のに対して、 引用発明においては、「支持基体１１に切り込み２１を設け、レーザ光が支持基体１１によって遮断されることを防止する」点。 (４) 判断 ア 相違点１及び相違点２について (ア) 相違点１について 「ＣＡＮ型のレーザ装置において、キャップ部に単一のレンズ面を持つ平凸レンズを設けること」は技術常識である（前記(２)ウ(イ)の「技術常識１」参照）。したがって、引用発明におけるレンズ作用部材（三つのレーザダイオード（半導体レーザ素子）が発するレーザ光に対してレンズ作用をする部材）として、技術常識である「キャップ部に設けられた単一のレンズ面を持つ平凸レンズ」を採用して、相違点１に係る本件補正発明の構成を備えるようにすることは、当業者には自明の設計事項にすぎない。 (イ) 相違点２について 引用発明の三つのレーザダイオード（半導体レーザ素子）のうち中間の位置に位置するものは「赤色ＬＤ１４」であるから、「赤色ＬＤ１４」の発するレーザ光の中心が進む方向と、単一の光学系の光軸（前記集光部材の少なくとも１のレンズ面の光軸）の方向とを一致させることは、当業者にはごく自明でごく自然の選択にすぎない。そして、この場合、青色ＬＤ１２の発するレーザ光の中心が進む方向と単一の光学系の光軸（前記集光部材の少なくとも１のレンズ面の光軸）とはずれることとなる。その結果、相違点２を満たすこととなる。したがって、相違点２は、当業者にとっては、ごく自然に選択される設計事項にすぎず、引用発明において、相違点２に係る本件補正発明の構成を備えるようにすることは、当業者には自明の設計事項にすぎない。 イ 相違点３について (ア) 前記(２)イ(イ)において認定したとおり、引用文献１には、次の引用文献１技術事項が記載されている。 「１つのサブマウント上に発光波長の互いに異なる２つの半導体レーザが配置されており、前記２つの半導体レーザは、それぞれの出射光軸同士が平行になるように、かつ接近するように配置され、また、２つの半導体レーザの主出射端面は同一平面になくて、所定の距離を隔てて配置されており、（【請求項１】） 同一のサブマウント上に発光波長が互いに異なる２つの半導体レーザを実装する場合に、共通の光学系においても発光波長に適した光路差を確保することが可能な半導体レーザ装置において、（【００１３】） 前記２つの半導体レーザの主出射端面とサブマウントの一辺とが平行でなく、所定の角度を有しているものとすることにより、（【請求項３】） 熱抵抗の増大を抑え、かつサブマウント１に複雑な加工を施すことなく、安価な半導体レーザ装置を提供することが可能になること（【００３３】）こと。」 (イ) 引用発明と引用文献１技術事項は、「同一のサブマウント上に発光波長が互いに異なる２つの半導体レーザを実装する場合に、共通の光学系においても発光波長に適した光路差を確保することが可能な半導体レーザ装置」として共通するものであるところ、引用発明においても、支持基体１１に複雑な加工を施すことなく安価な半導体レーザ装置を提供するようにするため、引用文献１技術事項における「前記２つの半導体レーザの主出射端面とサブマウントの一辺とが平行でなく、所定の角度を有しているものとすること」は、当業者には自明の設計事項である。 なお、引用文献１技術事項は、半導体レーザが２つの場合を想定しているが、半導体レーザが３つ以上であったとしても適用可能であることは、当業者にとって自明である。 そうすると、「前記「支持基体１１」（「サブマウント」に相当する。）の上面の外縁は、前記「支持基体１１」の前記上面の法線方向から見る上面視において、前記第１平面、前記第２平面、単一の光学系の光軸（「前記少なくとも１のレンズ面の光軸」に相当する。）に平行で「青色ＬＤ１２」の「レーザ光出射点」（「第１発光点」に相当する。）を通る第１直線、及び、単一の光学系の光軸に平行で「赤色ＬＤ１４」の「レーザ光出射点」（「第２発光点」に相当する。）を通る第２直線によって囲まれる領域の内側で、前記第１平面よりも前記レンズ作用部材から遠く、かつ、前記第２平面よりも前記レンズ作用部材から近い点を通ることとなる。 また、前記「支持基体１１」の前記上面の外縁は、前記上面視で、前記第２平面、単一の光学系の光軸に垂直な平面であり前記「赤外ＬＤ１３」の「レーザ光出射点」（「第３発光点」に相当する。）を通る第３平面、前記第２直線、及び、前記単一の光学系の光軸に平行で前記第３発光点を通る第３直線によって囲まれる領域の内側で、前記第２平面よりも前記レンズ作用部材から遠く、かつ、前記第３平面よりも前記レンズ作用部材から近い点をさらに通る」こととなり、前記相違点３に係る本件補正発明の構成を備えることとなる。 したがって、引用発明において相違点３に係る本件補正発明の構成を備えるようにすることは、引用発明及び引用文献１技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。 ウ 総合評価 前記ア及びイにおいて検討したとおり、引用発明において、前記相違点に係る本件補正発明の構成を備えるようにすることは、引用発明及び引用文献１技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。 そして、相違点１及び２を総合的に勘案しても、本件補正発明が奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測・発見困難でありかつ格別顕著な効果を認めることはできない。 したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献１技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 エ 請求人の主張について (ア) 請求人の主張の内容 請求人は、上申書において、審査官は、拒絶査定において、引用文献２を主引例とした場合の進歩性について本願発明と引用発明の対比判断を行っていないから、出願人（請求人）に適切な機会保障が図られていない旨主張している。 (イ) 請求人の主張１についての検討 原査定の理由２では、本件補正前発明は、引用文献１を主引例とした場合だけでなく、引用文献２を主引例とし引用文献１を副引例とした場合についても、進歩性を有しないことが示されている。 そして、令和６年５月２７日付け拒絶理由通知書において、出願当初の請求項１に係る発明と、引用文献２に記載された発明との対比判断、及び、引用文献２に記載された発明に引用文献１に記載された「サブマウント１」適用することの容易想到性については、既に判断が示されている。 また、「ＣＡＮ型のレーザ装置において、キャップ部に単一のレンズ面を持つ平凸レンズを設けること」は技術常識（「技術常識１」）である。 そうすると、請求人の前記主張は採用できない。 オ 独立特許要件の判断のまとめ 以上検討のとおり、本願補正発明は、引用発明及び引用文献１記載技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正により請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しない。 ４ 本件補正の却下の決定の理由のむすび 前記３(４)オのとおり、本件補正は、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するから、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明について 本件補正は、前記第２のとおり却下したので、本願の請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項２（前記第２の１(１)参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の本願発明に対する拒絶の理由（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。 理由２（進歩性の欠如） 本願発明は、出願前に発行された下記の引用文献に記載された発明に基づいて、出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 ＜主たる引用文献＞ 引用文献２．特開２００４－３０４１１１号公報 引用文献１．特開２００２－０５７４１１号公報 ＜周知技術を示す文献＞ 引用文献３．特開２０１７－１４７４２０号公報 ３ 各引用文献に記載された事項及び引用発明の認定等 引用文献２に記載された事項並びに引用発明及び引用文献１技術事項は、前記第２の３(２)ア(ウ)及び同イ(イ)において示したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、本件補正発明から、前記第２の２(１)のアからキに示した限定を省いたものである。 そうすると、本願発明の構成を全て含み、その構成の一部を限定したものに相当する本件補正発明が、前記第２の３(４)において説示したとおり、引用発明及び引用文献１技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により引用発明及び引用文献１技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上検討のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。