2024-002823

特願２０１９－２０３６６０「差圧センサデバイス」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年 ６月 ４日出願公開、特開２０２０－ ８５９０２〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和元年１１月１１日の外国語書面出願（パリ条約による優先権主張、２０１８年１１月１５日、欧州特許庁）であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。以下、２０１８年（平成３０年）１１月１５日を「優先日」という。 令和元年１１月１９日 ：翻訳文の提出 令和５年 ７月２４日付け：拒絶理由通知 同年１０月３０日 ：意見書、手続補正書の提出 同年１１月 ７日付け：拒絶査定 （同月１４日 ：原査定の謄本の送達） 令和６年 ２月１９日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和６年２月１９日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年２月１９日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 補正の内容 令和６年２月１９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の補正をするものであり、本件補正により、次の(１)に示す本件補正前（令和５年１０月３０日にされた手続補正後のものをいう。以下同じ。）の特許請求の範囲の請求項１の記載は、後記(２)に示す本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載に補正された。下線は補正箇所を示す。 (１) 本件補正前 「 【請求項１】 差圧センサデバイス（１００、２００）であって、 前記差圧センサデバイス（１００、２００）は、 - 基板（１１０、２１０）と、 - 前記基板（１１０、２１０）の主面上に形成されている別層（１０４、２０４、４０５）と、 - 膜（Ｍ）によって互いに分離されている第１のキャビティ（Ｃ１）および第２のキャビティ（Ｃ２）とを備え、 前記第１のキャビティ（Ｃ１）は、通気孔（１０８、２０８、３０５、４０６）と流体連通しているチャネル（１０９、２０９、３０６、４０７）と流体連通しており、 前記チャネル（１０９、２０９、３０６、４０７）は、前記別層（１０４、２０４、４０５）または前記基板（１１０、２１０）における、前記基板（１１０、２１０）の前記主面と実質的に平行な平面内に延在するとともに、 前記通気孔（１０８、２０８、３０５、４０６）は、前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に大気圧または規準圧力を蓄積できるように、前記差圧センサデバイス（１００、２００）の周囲環境と流体連通するように構成されており、 前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記膜（Ｍ）の上方に位置しており、前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に蓄積される前記大気圧または規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体を収容するために設けられている、 ことを特徴とする、 差圧センサデバイス（１００、２００）。」 (２) 本件補正後 「 【請求項１】 差圧センサデバイス（１００）であって、 前記差圧センサデバイス（１００）は、 - 基板（１１０）と、 - 前記基板（１１０）の主面上に形成されている別層（１０４）と、 - 膜（Ｍ）によって互いに分離されている第１のキャビティ（Ｃ１）および第２のキャビティ（Ｃ２）とを備え、 前記第１のキャビティ（Ｃ１）は、通気孔（１０８、３０５）と流体連通しているチャネル（１０９、３０６）と流体連通しており、 前記チャネル（１０９、３０６）は、前記別層（１０４）における、前記基板（１１０）の前記主面と実質的に平行な平面内に延在するとともに、 前記通気孔（１０８、３０５）は、前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に大気圧または規準圧力を蓄積できるように、前記差圧センサデバイス（１００）の周囲環境と流体連通するように構成されており、 前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記膜（Ｍ）の上方に位置しており、前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に蓄積される前記大気圧または規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体を収容するために設けられている、 ことを特徴とする、 差圧センサデバイス（１００）。」 ２ 補正の目的 本件補正のうち請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項１に記載された「チャネル（１０９、２０９、３０６、４０７）」が「基板（１１０、２１０）の前記主面と実質的に平行な平面内に延在する」部分について、「別層（１０４、２０４、４０５）または前記基板（１１０、２１０）」から「別層（１０４）」のみに限定するものである。 また、本件補正前の請求項１に記載された事項に付された以下の符号を削除して、本願の明細書の段落【００２８】～【００２９】、【図３】に開示された「代替の実施形態」及び段落【００３８】～【００４２】、【図５】に開示された「代替の製造工程」が、本件補正後は含まれないように限定したものである。 「差圧センサデバイス」の符号：２００ 「基板」の符号 ：２１０ 「別層」の符号 ：２０４、４０５ 「通気孔」の符号 ：２０８、４０６ 「チャネル」の符号 ：２０９、４０７ そして、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 したがって、本件補正により請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 ３ 独立特許要件の判断 本件補正は、前記２のとおり、特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当するから、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「本件補正発明」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。 (１) 本件補正発明 ア 本件補正発明の認定と分説 本件補正発明は、前記１(２)に摘記した本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 ここで、検討の便宜上、本件補正発明の構成を次のとおり構成Ｘと構成Ａ１から構成Ｂ４までに分説する。 なお、「基板」に関連する構成については、Ａを含む符号（Ａ１～Ａ３）を使用することにし、「キャビティ」に関連する構成については、Ｂを含む符号（Ｂ１～Ｂ４）を使用することにした。 また、参考図として、本願の【図２】を符号の説明とともに掲載する。 ＜本件補正発明の分説＞ Ｘ 差圧センサデバイス（１００）であって、 前記差圧センサデバイス（１００）は、 Ａ１ 基板（１１０）と、 Ａ２ 前記基板（１１０）の主面上に形成されている別層（１０４）と、 Ｂ１ 膜（Ｍ）によって互いに分離されている第１のキャビティ（Ｃ１）および第２のキャビティ（Ｃ２）とを備え、 Ｂ２ 前記第１のキャビティ（Ｃ１）は、通気孔（１０８、３０５）と流体連通しているチャネル（１０９、３０６）と流体連通しており、 Ａ３ 前記チャネル（１０９、３０６）は、前記別層（１０４）における、前記基板（１１０）の前記主面と実質的に平行な平面内に延在するとともに、 Ｂ３ 前記通気孔（１０８、３０５）は、前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に大気圧または規準圧力を蓄積できるように、前記差圧センサデバイス（１００）の周囲環境と流体連通するように構成されており、 Ｂ４ 前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記膜（Ｍ）の上方に位置しており、前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に蓄積される前記大気圧または規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体を収容するために設けられている、 ことを特徴とする、 Ｘ 差圧センサデバイス（１００）。 ＜参考図＞ 【図２】 ［図：0001426434000001.jpg］ １００：差圧センサデバイス １０７：ゲル保護材 １０２：ハウジング １０８：通気孔 １０３：コンタクトパッド １０９：チャネル １０４：別層 １１０：基板 １０５：ＭＥＭＳ １２０：入口 １０６：ＡＳＩＣ Ｒ：抵抗器 イ 各構成に含まれる部材の配置について 本件補正発明の「膜（Ｍ）」、「第１のキャビティ（Ｃ１）」及び「第２のキャビティ（Ｃ２）」の配置については、上記図２には明示されていないところ、本願の明細書の記載からみて、以下に示すとおりの配置であると認める。 (ア) 「膜（Ｍ）」の配置について 段落【０００５】の「感知膜は、ＭＥＭＳの頂面上にまたはＭＥＭＳの頂面によって形成されている。」との記載からみて、本件補正発明の「膜（Ｍ）」は、【図２】における「ＭＥＭＳ１０５」のうち薄膜とされている部分（「抵抗器Ｒ」の近傍）にあることが理解できる。 (イ) 「第１のキャビティ（Ｃ１）」の配置について 段落【００１４】の「別層の上に膜を形成することによって別層の上に第１のキャビティを形成することを含んでもよく、この場合、貫通通路は、通気孔（および少なくとも１つのチャネル）を通した規準圧力（例えば、大気圧）の蓄積を可能にする目的で、第１のキャビティに接続するように形成されている。」との記載からみて、「別層１０４」と「膜（Ｍ）」（すなわち、「ＭＥＭＳ１０５」における「Ｒ」の近傍）の間に「第１のキャビティ（Ｃ１）」があることが理解できる。 (ウ) 「第２のキャビティ（Ｃ２）」の配置について 段落【００１８】の「実施形態によれば、別層の上にＭＥＭＳまたは別の感圧素子とＡＳＩＣと膜とが形成されており、膜の下方（別層への方向）に上述した第１のキャビティを、および膜の上方に第２のキャビティを、部分的に形成し得るハウジングが提供され、この場合、第２のキャビティは、第１のキャビティ内に蓄積した規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体を収容するために設けられる。」との記載から、「膜（Ｍ）」（「ＭＥＭＳ１０５」における「Ｒ」の近傍）より上方に「第２のキャビティ（Ｃ２）」があることが理解できる。 ウ 課題・作用効果等に関連する明細書の発明の詳細な説明の記載 本願明細書の発明の詳細な説明の記載のうち、発明が解決しようとする課題及び作用効果等に関連する記載を抜粋すると、次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、以下同様である 「 【０００１】 本発明は差圧センサデバイスに関し、詳細には、チャネルを備える基板および別層（another layer）を備える差圧センサデバイスに関し、本発明は更に、かかるデバイスを製造する方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 差圧センサは、２種の隔離された液体間または気体間の圧力の差を測定する。差圧センサ（またはトランスデューサ）は液体または気体の圧力の差を電気信号に変換するもので、この信号を測定して差圧値を決定することができる。一般に、ピエゾ抵抗式、圧電式、および容量式など、圧力を測定するために使用される３つの異なる変換機構がある。センサの圧力感知デバイスは、一般に、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ－Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）の技法によって製造される。この技術を、エッチング技法および接着技法とともに民生用半導体を製造するために使用し、差圧を電気信号に変換する非常に小型の安価なデバイスを製作する。 【０００３】 従来、容量式または抵抗式の差圧センサを製造するときには、シリコンなどの半導体材料から圧力感知ダイが形成される。ダイはシリコン構造が得られるようにシリコンウエハからダイシングなどの方法によって形成され、このシリコン構造を薄化することでキャビティが作り出され、関連するダイヤフラムが画定される。ピエゾ抵抗式の場合、素子はダイヤフラムの表面に形成または設置され、ダイヤフラムを形成する薄化された半導体材料にかかるひずみに比例した抵抗を呈するように構成される。ピエゾ抵抗素子に接続された電気回路（典型的にはホイートストンブリッジのネットワークを形成する）が、ピエゾ抵抗素子の抵抗値に一部基づいて、電気信号を生み出す。したがって、電気信号は、試験下の媒体の圧力を表している 【０００４】 ゲージ型圧力センサとも呼ばれる特定の分類の差圧センサでは、ダイヤフラム（膜）の一方側に測定する必要がある加圧された液体または気体タイプの媒体が供給され、一方、膜の他方側は大気に開放されている。この場合、試験媒体の圧力は大気圧と対比して測定される。大気への接続部は一般に、通気（ｖｅｎｔまたはｖｅｎｔｉｌａｔｉｏｎ）孔と呼ばれる。センサが有する通気孔はセンサが大気圧を感知できるようにするためのものなので、この通気孔は常に塞がれていない状態に保たれなければならない。 【０００５】 図１は、当技術分野で知られているような通気孔を有する差圧センサ１０の例を示す。図１に示すように、センサ１０は基板１とハウジング２とを有する。表面実装部品（ＳＭＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）であるコンタクトパッド３が、実装ＰＣＢに接触するように基板１の底部に設けられる。基板１上には、表面に導電性パターンを設けることのできる別層（例えば誘電層）４が形成されている。誘電層４の上に、微小電気機械システム５と、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）６と、が形成されている。感知膜は、ＭＥＭＳの頂面上にまたはＭＥＭＳの頂面によって形成されている。ハウジング２内にはゲル保護材７が水平に配置されている。」 「【図１】 ［図：0001426434000002.jpg］ 」 「【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 上部から進入する流体（液体または気体）の圧力（下を指す幅広の矢印を参照）を、通気孔８を通る空気流（上を指す細い矢印を参照）によって蓄積された大気圧と対比させて測定することができ、この通気孔８は、基板１の底面を貫通して形成されており（かつコンタクトパッド３間に配置されており）、通気孔８から基板１および誘電層４を貫通して大気圧が蓄積されるキャビティまで延在するチャネルに接続されている。しかしながら、センサ１０をプリント回路板（ＰＣＢ）に装着して動作可能なデバイスの製造を完了するときに、通気孔が詰まるリスクがある。更に、ＰＣＢに、周囲環境およびセンサ１０の通気孔と連通している対応する貫通孔を設ける必要がある。ＰＣＢに形成されるこの貫通孔は、例えばはんだまたは何らかの共形のコーティングによって、意図せず塞がれてしまう可能性もある。 【０００７】 上記に鑑みて、大気圧を上記の技術と比較してより確実に蓄積および維持できる差圧センサデバイスを提供することが、本発明の目的である。 【課題を解決するための手段】 【０００８】 本発明は、基板（例えば、多層またはバルクセラミック基板）と、基板の主（頂）面上に形成されている別層と、膜によって互いに分離されている第１のキャビティおよび第２のキャビティと、を備える、差圧（例えばゲージ圧）センサデバイスを提供することによって、上述した問題に対処する。基板は例えば、何らかの半導体基板、または高温もしくは低温同時焼成セラミックとすることができる。また、この用語には一般にプリント回路板も包含されている。別層は誘電層とすることができ、また基板と同じ材料から形成された層とすることもできる。第１のキャビティは、通気孔と流体（液体または気体）連通している少なくとも１つのチャネルと流体連通しており、この通気孔を通して、センサデバイスの周囲環境から（何らかの規準圧力リザーバまたは大気圧の空気から）空気（または別の気体）が進入できる。 【０００９】 少なくとも１つのチャネルは、別層または基板における、主面と実質的に平行な平面内に延在する。（以下省略） 【００１０】 通気孔およびチャネルを提供することにより、例えば、第１のキャビティ内に大気圧を蓄積および維持することができる。このことにより、リザーバから別のチャネルを通して第２のキャビティ内へと供給される試験媒体の圧力を、大気圧と対比させて測定することが可能になる。ここでおよび以下の説明において、大気圧を制限する必要はないことに留意すべきである。実際には、大気圧を対応する規準圧力リザーバによって供給される任意の基準圧力で置き換えることができる。 【００１１】 （省略） 【００１２】 上記の技術とは対照的に、第１のキャビティを通気孔を介して（例えば大気圧にある）周囲環境と接続するチャネルが、主面と平行な平面に形成されるが、このことは、基板の（主（頂）面の反対側の）底面には通気孔が形成されていないことを暗に示す。このことにより、上記の技術と比較して通気孔が詰まるリスクが大きく減少する。（以下省略）」 (２) 引用文献１に記載された事項及び引用発明等の認定 ア 引用文献１に記載された事項 原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に発行された文献である特開平１１－２４８５７８号（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（なお、当合議体により、後記ウの引用発明の認定に直接用いる記載に下線を付した。）。 (ア) 特許請求の範囲（【請求項１】） 「【請求項１】 片面に固定電極が形成された絶縁基板と、ダイアフラムが設けられた半導体基板とが接合され、 前記絶縁基板の反対面に支持基板が接合されて一体化され、 前記絶縁基板に厚さ方向を貫通して圧力導入孔が形成され、 前記支持基板の前記絶縁基板との接合面に溝が設けられ、 前記溝は前記圧力導入孔の形成位置を含むように形成されたことを特徴とする静電容量型圧力センサ。」 (イ) 段落【０００１】～【００１４】、【図１２】～【図１４】 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量型圧力センサ及びそのパッケージ構造に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図１２に示すように従来の静電容量型圧力センサは、半導体基板１のほぼ中央を両面からエッチングを行い所定量だけ除去することにより肉薄のダイアフラム３を一体に形成する。この時、ダイアフラム３の接合側には底浅の凹部を形成している。そして、この半導体基板１と絶縁基板２が陽極接合によって一体化されている。これにより、ダイアフラム３と固定基板２との間には、上記凹部が絶縁基板２により閉塞されて圧力室６が形成される。そして、このダイアフラム３の圧力室６に面する部分が可動電極４となり、その可動電極４に対向する絶縁基板の表面に固定電極５が形成される。」 「【図１２】 ［図：0001426434000003.jpg］ 」 「【０００３】これにより、可動電極４と固定電極５の間には、距離に応じた静電容量が発生する。さらに絶縁基板２には、固定電極５の中央に開口する圧力導入孔７が形成されている。そしてこの圧力導入孔７を介して圧力測定媒体を圧力室６内に供給するようにしている。これにより、ダイアフラム３が膨らんで、電極間距離が変位し、電極間の静電容量も変化する。この静電容量の変化量は、可動電極４側は、シリコン基板１の表面から取り出すことができ、また、固定電極５は、その固定電極５と同時に形成した引出線８を介して取り出すようになっている。そしてこの引出線８は、絶縁基板２の接合側表面に形成され、その先端は、半導体基板１の外部まで延長形成されている。 【０００４】一方、上記構成のセンサチップは、それ単体で取り扱うことも可能であるが、通常は各種回路基板上に実装することを考慮し、パッケージ化されている。一例を示すと、図１３のようなものがある。同図に示す ように、上部開放した箱状のパッケージ１２を用意し、そのパッケージ１２内に圧力センサ１０を装着して一体化することによりパッケージングを行う。ここでパッケージ１２は、その底面中央に貫通孔１２ａが形成されており、パッケージ１２の底面外側には、上記貫通孔１２ａにつながるようにして圧力導入管１３が下方突出状態で一体に形成されている。そして、圧力センサ１０を実装する場合には、その圧力センサ１０の圧力導入孔７と、パッケージ１２の貫通孔１２ａが対向するように位置合わせを行う。そして、係る状態でダイボンディング樹脂１４を介して、圧力センサ１０とパッケージ１２とが接着一体化されている。」 「【図１３】 ［図：0001426434000004.jpg］ 」 「【０００５】この時、ダイボンディング樹脂１４は、貫通孔１２ａ（圧力センサ１０の圧力導入孔７）の周囲を囲むようにして塗布されており、気密性が確保される。つまり、圧力導入管１３を介して供給される圧力は、圧力センサ１０とパッケージ１２の底面との間でもれることなくそのまますべて圧力導入孔７を介して圧力室６に供給され、精度のよい測定が行われる。 【０００６】さらに、各電極の取り出しは、パッケージ１２の上方所定位置に配置したリード端子１６ａと、圧力センサ１０に設けた引出線８に連続するパッド１５ａをボンディングワイヤ１７で接続し、また、可動電極４と導通するパッド１５ｂとリード端子１６ａとをボンディングワイヤ１７を用いて接続することにより行っている。 【０００７】上記の構成をとると、圧力導入管１３にチューブなどを装着することになるので、さらに圧力導入管１３の下方にチューブを引き回すための空間が必要となり、高さ方向に非常に大きな空間が必要となる。さらには、圧力導入孔７は直線状でしかも圧力室６に直接開口する構造となっているので、その圧力導入孔７を介して圧力室６内に外部のごみ等が侵入するおそれが高くなる。 【０００８】そこで、圧力導入経路を実装基板と平行な方向にしたいという要求がある。ただし、絶縁基板２はガラス等の硬い材料が使用されているので、圧力導入孔７の形状を水平方向に延びるように加工するのは困難で ある。したがって、図１４に示すように、パッケージ１２の形状を工夫することにより、上記の要求を満たすことが考えられる。」 「【図１４】 ［図：0001426434000005.jpg］ 」 「【０００９】つまり、パッケージ１２の底部内に縦断面が略Ｌ字状にした圧力導入経路１８を設け、その圧力導入経路１８を介してパッケージ１２の底部に形成した開口１２ａと圧力導入管１６とを連結するようにしている。この様に、縦断面形状を略Ｌ字型とすることで、圧力導入管１３′をパッケージ１２の側面に突出するように形成することができる。これにより、その圧力導入管１３′に装着するチューブは実装基板の表面に沿うように引き回すことができるので、高さ方向を低く抑える（薄くする）ことができる。さらに、この様に圧力導入経路の全長を長くするとともに、その途中で経路を曲げているので、圧力室６内へごみ等が侵入する可能性が低減される。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】図１４に示す構造のものでは、ごみ等が圧力室６内に侵入することを防げるものの、パッケージ１２の底部に形成する圧力導入経路１８を縦断面形状が略Ｌ字型のように途中で曲げた形状とするのは煩雑である。 【００１１】また、図１３，図１４に示すいずれのパッケージング構造のものでも、固定電極５の電気信号及び可動電極４の電気信号を外部に取り出すために、ボンディングワイヤ１７を用いていたため、係る作業が煩雑である。 【００１２】本発明は、上記した背景に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、上記した問題点を解決し、センサ内部へのごみの侵入を防止しつつ、パッケージングを容易に行うことのできる静電容量型圧力センサ及びそのパッケージ構造を提供することにある。 【００１３】 【課題を解決するための手段】上記した目的を達成するため、本発明に係る静電容量型圧力センサでは、片面に固定電極が形成された絶縁基板と、ダイアフラムが設けられた半導体基板と、支持基板とを順次接合して一体化 され、前記絶縁基板に厚さ方向を貫通して圧力導入孔が形成され、前記支持基板の前記絶縁基板との接合面に溝が設けられ、前記溝は前記圧力導入孔の形成位置を含むように形成されるようにした（請求項１）。 【００１４】請求項１に記載するように、支持基板の絶縁基板との接合面に凹部が設けられることにより、絶縁基板と支持基板とが接合した状態で、両基板の間に圧力測定対象媒体を圧力導入孔にまで導くための通路が形成される。係る通路は圧力導入孔に対して異なる方向に形成されるので、圧力導入孔と通路によって構成される圧力導入経路は、その途中で折れ曲がるため、ごみなどの侵入を阻止しやすい形状となる。また、支持基板には、接合面に溝を形成するだけでよいので、製造は容易に行える。そして、支持基板と絶縁基板を接続するのも簡単に行える。よって、ごみの侵入を阻止しやすい形状の圧力導入経路を簡単に構成できる。」 (ウ) 段落【００１８】～【００２２】、【図１】 「【００１８】 【発明の実施の形態】本発明に係る静電容量型圧力センサの実施の形態を詳述する。図１は本発明に係る静電容量型圧力センサの第１の実施の形態を示している。圧力を検出し、その圧力に応じた信号を出力するといった圧力センサとしての基本的な機能・構造は、従来のものと同様である。すなわち、ダイアフラム３を備えた半導体基板１と絶縁基板２とを陽極接合することにより、ダイアフラム３と絶縁基板２との間に圧力室６を形成する。そして、その圧力室６を挟んで対向するダイアフラム３の表面が可動電極４となり、絶縁基板２の表面が固定電極５となる。また、その固定電極５に連続して引出線８が形成されその引出線８の先端は、絶縁基板２の露出表面に至る。さらに、絶縁基板２には、厚さ方向に貫通する圧力導入孔７が形成され、その圧力導入孔７の一端は圧力室６に開口している。また、引出線８と対向する半導体基板１の接合面には凹溝９が形成され、半導体基板１４ひいては可動電極と引出線８が短絡するのを抑制している。もちろんこの凹溝９による空間には、ポリイミド樹脂等を充填することにより、絶縁性を図りつつ密封し、圧力室６内を密閉するようにしている。 【００１９】なお、可動電極４の取出電極（パッド１５ｂ）として、従来の例では半導体基板１の上面に直接形成していたが、本形態では、絶縁基板２の露出表面に引出線２３を別途形成し、その一端を半導体基板１に接続させている。この点では図示した従来例と相違するものの、係る構成のものも従来から存在している。」 「【図１】 ［図：0001426434000006.jpg］ 」 「【００２０】ここで、本形態では、絶縁基板２の下面に半導体からなる支持基板２０を陽極接合により一体化している。係る支持基板２０は絶縁基板２と同一の平面形状に形成されている。そして、支持基板２０の接合面には、溝２２が形成されている。係る溝２２の一端は支持基板２０の端部に位置し、溝２２の他端は接合状態で絶縁基板２に設けた圧力導入孔７と対向するようにしている。 【００２１】このようにすると、支持基板２０単体で見た場合には、溝２２は上部開放した１本の帯状であるため簡単に形成することができ、絶縁基板２に接合した状態では、溝２２の開放部分が絶縁基板２で閉塞されるため１本の管となる。そして、溝２２の配置方向は、支持基板２０の表面に沿っているため、絶縁基板２に形成した圧力導入孔７の配置方向と直交する方向となる。 【００２２】従って、圧力室６は、圧力導入孔７から溝２２を介して外部と連通することになるので、測定圧力媒体を溝２２の開口２２ａから供給することにより圧力室６に導入させることができる。そして、図から明らかなように、溝２２と圧力導入孔７からなる圧力導入経路が、その途中で進路を９０度曲げているので、圧力室６内へのごみの侵入を抑止できる。」 (エ) 段落【００４０】～【００４１】、【図１０】 「【００４０】図１０は、本発明に係る静電容量型圧力センサのパッケージ構造の第４の実施の形態を示している。本実施の形態は、上記した各実施の形態と相違して、実装する圧力センサの形態を異ならせている。つまり、固定電極５の外部取り出しを支持基板２０側から行うようにした圧力センサの第２の実施の形態のものを適用している。すなわち、パッケージ５０の底部に形成した凹部５１内に圧力センサ１０の絶縁基板２と支持基板２０を挿入し、ボンディング樹脂５３で接着一体化する。これにより、パッケージ５０の底面外側に形成した圧力導入管５２を介して供給される圧力測定対象媒体は、そのまま溝２２から圧力導入孔７を介して圧力室６に供給される。」 「【図１０】 ［図：0001426434000007.jpg］ 」 「【００４１】そして、リード端子５５ａ，５５ｂは、それぞれパッケージ５０の内壁面に実装され、リード端子５５ａは支持基板２０の下面に導電性樹脂５６を介して接着され、リード端子５５ｂは半導体基板１の上面に導電性樹脂５６を介して接着される。これにより、ボンディングワイヤを用いることなくリード端子と各電極とを導通させることができる。」 イ 引用文献１の記載から読み取れる事項の認定 (ア) 段落【０００３】及び【００１８】の記載から、静電容量型圧力センサは、圧力導入孔７を介して圧力測定媒体が圧力室６内に供給されると、ダイアフラム３が膨らんで、可動電極４と固定電極５の電極間距離が変位して、電極間の静電容量が変化することにより、圧力を検出し、その圧力に応じた信号を出力するものであると認められる。 (イ) 段落【００１８】及び図１の記載から、「半導体基板１におけるダイアフラム３の圧力室６と反対側である上方に、キャビティ構造が形成されていること」が看て取れる。 ウ 引用発明の認定 前記イにおいて認定した事項及び前記アに摘記した引用文献１の記載事項を総合すると、引用文献１には、第１の実施の形態（【図１】）に係る次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、認定の根拠となる記載箇所を括弧内に示した。 ＜引用発明＞ 「静電容量型圧力センサであって、（【００１８】） ダイアフラム３と絶縁基板２との間に圧力室６が形成され、絶縁基板２には、厚さ方向に貫通する圧力導入孔７が形成され、その圧力導入孔７の一端は圧力室６に開口し、（【００１８】） 圧力導入孔７を介して圧力測定媒体が圧力室６内に供給されると、ダイアフラム３が膨らんで、可動電極４と固定電極５の電極間距離が変位して、電極間の静電容量が変化することにより、圧力を検出し、その圧力に応じた信号を出力するものであり、（認定事項(ア)） 絶縁基板２の下面に半導体からなる支持基板２０が一体化され、支持基板２０の接合面には、溝２２が形成され、前記溝２２の一端は支持基板２０の端部に位置し、溝２２の他端は接合状態で絶縁基板２に設けた圧力導入孔７と対向し、（【００２０】） 圧力室６は、圧力導入孔７から溝２２を介して外部と連通することで、測定圧力媒体を溝２２の開口２２ａから供給することにより圧力室６に導入され、（【００２２】） 半導体基板１におけるダイアフラム３の圧力室６と反対側である上方に、キャビティ構造が形成されている、（認定事項(イ)） 静電容量型圧力センサ（【００１８】）」 (３) 引用文献２～５の記載事項及び周知技術、技術常識の認定 ア 引用文献２に記載された事項及び周知技術１の認定 (ア) 引用文献２に記載された事項 原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に発行された文献である米国特許出願公開第２０１０／０２３０７６６号明細書（以下「引用文献２」という。）には、次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものであり、以下同様である。また、摘記の後の括弧内に合議体が作成した日本語訳を示す。 ａ [0001]～[0003] 「[0001] This invention relates to an electronic device including a sensor and a method of manufacturing thereof.」 [0002] In the development of devices including sensors special requirements may be taken into account, in particular when designing the package of a sensor device. For example, certain sensors, such as pressure sensors, gas sensors or humidity sensors, may require an opening through which the fluid which is to be detected is applied to the sensor. [0003] For these and other reasons there is a need for the present invention.」 （[0001]本発明は、センサを含む電子デバイス及びその製造方法に関する。 [0002]センサを含むデバイスの開発において、特にセンサデバイスのパッケージを設計するときに、特別な要件が考慮され得る。例えば、圧力センサ、ガスセンサ又は湿度センサなどの特定のセンサは、検出される流体がセンサに適用される開口部を必要とする場合がある。 [0003]これらの理由及び他の理由から、本発明が必要とされている。） ｂ [0028] 「[0028] The structure element may also be made of a non-porous material which does not allow fluid flow through this material. In this case one or more channels may be introduced into the structure element. The structure element may have at least one inlet at its outside surface and at least one outlet next to the sensing region of the semiconductor chip. The inlets and outlets may be in fluid connection by using the channels through the structure. The non-porous structure element may be made of glass, ceramics, plastics or any other appropriate material. （[0028]構造要素はまた、流体がこの材料を通って流れることを許容しない非多孔質材料から作製されてもよい。この場合、一つ以上のチャネルが構造要素に導入されてもよい。構造要素は、その外面に少なくとも一つの入口と、半導体チップの感知領域に隣接する少なくとも一つの出口とを有する。入口及び出口は、構造要素を通るチャネルを使用することによって流体接続され得る。非多孔質構造要素は、ガラス、セラミック、プラスチック、又は任意の他の適切な材料から作製され得る。） ｃ [0030] [0030] The sensors, which may be integrated in semiconductor chips, as well as further semiconductor chips may be placed on carriers. The carriers may be of any shape, size or material. During the fabrication of the devices the carriers may be connected to each other. The carriers may be connected among each other by connection means with the purpose of separating the carriers in the course of the fabrication. The carriers may also be made from one piece. Separation of the carriers may be carried out by mechanical sawing, a laser beam, cutting, stamping, milling, etching or any other appropriate method. The carriers may be electrically conductive. They may be fabricated from metals or metal alloys, in particular copper, copper alloys, iron nickel, aluminum, aluminum alloys, or other appropriate materials. The carriers may be, for example, a leadframe or a part of a leadframe. Furthermore, the carriers may be plated with an electrically conductive material, for example copper, silver, iron nickel or nickel phosphorus. （[0030]センサは、半導体チップに集積され得るものであり、さらに半導体チップと同様にキャリア上に配置され得る。キャリアは、任意の形状、サイズ又は材料であり得る。デバイスの製造中、キャリアは互いに接続されてもよい。キャリアは、製造中にキャリアを分離する目的で、接続手段によって互いに接続されてもよい。キャリアは一体的に形成されていてもよい。キャリアの分離は、鋸盤、レーザビーム、切断、プレス加工、フライス加工、エッチング又は任意の他の適切な方法によって行われてもよい。キャリアは導電性であってもよい。それらは、金属又は金属合金、特に銅、銅合金、鉄ニッケル、アルミニウム、アルミニウム合金、又は他の適切な材料から製造することができる。キャリアは、例えば、リードフレーム又はリードフレームの一部であってもよい。さらに、キャリアは、導電性材料、例えば銅、銀、鉄ニッケル又はニッケルリンでめっきされてもよい。） ｄ [0033]～[0034]、Fig.2 「[0033] FIG. 2 schematically illustrates a sensor device 200 in cross section. The sensor device 200 includes a first semiconductor chip 10 having a sensing region 11, a structure element 12 and a carrier 16. The structure element 12 may be stacked on the carrier 16, and the first semiconductor chip 10 may be stacked on the structure element 12. The structure element 12 may have an inlet 17 and an outlet 18. The outlet 18 may be in fluid connection with the inlet 17 and the sensing region 11 of the first semiconductor chip 10. This may allow the sensing region 11 of the first semiconductor chip 10 to be in fluid connection with the environment outside of the sensor device 200. [0034] The carrier 16 may, for example, be a second semiconductor chip or a leadframe or any other substrate.」 （[0033]図2は、センサデバイス200の断面を概略的に示す。センサデバイス200は、感知領域11を有する第1の半導体チップ10と、構造要素12と、キャリア16を含む。構造要素12はキャリア16上に積み重ねてもよく、第1の半導体チップ10は構造要素12上に積み重ねてもよい。構造要素12は、入口17及び出口18を有する。出口18は、入口17及び第1の半導体チップ10の感知領域11と流体接続する。これにより、第1の半導体チップ10の感知領域11がセンサデバイス200の外側の環境と流体接続される。 [0034]キャリア16は、例えば、第2の半導体チップ又はリードフレーム又は任意の他の基板でよい。） 「Fig.2 ［図：0001426434000008.jpg］ 」 (イ) 周知技術１の認定 前記(ア)に示した引用文献２の摘記事項に例示されているように、次の技術事項は、当業者にとって周知技術であったと認められる。（以下「周知技術１」という。） ＜周知技術１＞ 「感知領域を有する半導体チップを含む圧力センサデバイスにおいて、感知領域がデバイスの外側の環境と流体接続されるための入口及び感知領域と流体接続された出口を有する構造要素を、半導体チップとキャリア基板の間に設けること。」 イ 引用文献３、４に記載された事項及び周知技術２の認定 (ア) 引用文献３に記載された事項及び記載から読み取れる事項 原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に発行された文献である特開平８－２０１１９７号公報（以下「引用文献３」という。）には、次の記載がある。 ａ 記載事項 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、母基板上に表面実装する小型の半導体圧力センサに関するものである。」 「【００１４】 【実施例】図１に基づいて本発明の半導体圧力センサの一実施例について説明する。図１は半導体圧力センサを母基板上に実装した状態を示す断面図である。但し、図４に示した構成と同等構成については同符号を付すこととする。図で、半導体圧力センサチップ１は、パイレックスガラス材料等で構成された台座２に陽極接合法等により接合され、台座２は樹脂モールドされたパッケージ本体３の底面に形成された凹部３ａの底面に接着剤４等によってマウントされている。 【００１５】パッケージ本体３の上部には、台座２に形成された貫通孔２ａを通って半導体圧力センサチップ１に連通する圧力導入口３ｂが形成されている。また、凹部３ａの開口は蓋５によって塞がれており、これにより、凹部３ａの内部は密閉性が高められた圧力基準室３ｃとなっている。圧力基準室３ｃについては、その内部気圧を大気圧に設定する場合、真空に設定したりする場合等がある。 【００１６】 半導体圧力センサチップ１は、シリコーン単結晶板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に変換するダイヤフラム１ａ、及び、歪ゲージ（図示省略）を形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである。」 「【図１】 ［図：0001426434000009.jpg］ 」 ｂ 記載から読み取れる事項 「ダイアフラム１ａ」の下方に位置する「凹部３ａの内部」は、密閉性が高められた「圧力基準室３ｃ」となっており（【００１５】、【図１】参照）、「圧力基準室３ｃ」が基準の圧力を示すものであるから、「ダイアフラム１ａ」の上部の空間（キャビティ）には測定対象である媒体が導入されることは明らかである。 (イ) 引用文献４に記載された事項 当審において新たに引用する、本願の優先日前に発行された文献である特開２００５－９１１６６号公報（以下「引用文献４」という。）には、次の記載がある。 「【０００１】 本発明は半導体圧力センサに関し、特にフェースダウンボンディングを利用した半導体圧力センサに関するものである。 …（中略）… 【００２０】 ［第１の実施形態］ 第１の実施形態に係る半導体圧力センサを図１に基づいて説明する。図１は、その中央付近を切断したときの断面斜視図である。」 「【図１】 ［図：0001426434000010.jpg］ 」 「【００２１】 この半導体圧力センサは、圧力センサチップ２００と、第１の台座１と、第２の台座２と、を主要構成要素としている。 【００２２】 このうち、圧力センサチップ２００は、背景技術のものと実質的に同一であるので、同一部材には同一の番号を付して説明を省略する。 【００２３】 第１の台座１は、例えば耐熱ガラスにて形成しており、その大きさは圧力センサチップ２００と略同等である。また、このものは、圧力センサチップ２００のダイヤフラム２１０を形成した面に固着している。 【００２４】 また、第１の台座１には圧力導入孔１１を設けている。この圧力導入孔１１は、被測定圧力をダイヤフラム２１０に導入するためのものであり、第１の台座１の他方の面（図１の上側）からダイヤフラム２１０に向かって台座の厚み方向に沿うように形成している。 【００２５】 第２の台座２は、第１の台座１と同じく圧力センサチップ２００と略同等の大きさに形成されており、例えば、耐熱ガラスにて形成している。また、その一方の面には凹部２１を設けている。このものは、第２の台座２を圧力センサチップ２００の第１の台座１を接合した面とは反対側の面に固着したときにダイヤフラム２１０の薄肉部２１２と相対する位置に形成しており、その平面視における大きさは、ダイヤフラム２１０の薄肉部２１２と略同等又はそれ以上の大きさであり、その深さは薄肉部２１２の撓み量と略同等又はそれ以上に設定している。また、本実施形態において、この凹部２１は閉空間であって圧力測定の際には圧力基準室となる。また、凹部２１の内圧は、接合の時点で任意の圧力に設定可能であり、例えば、減圧の状況下で接合して略真空の状態にしている。 【００２６】 ここにおいて、凹部２１及び前述の圧力導入孔１１は、例えば、サンドブラスト加工、レーザー加工及びエッチング加工等のいずれかを用いて形成している。 【００２７】 また、第２の台座２には圧力センサチップ２００の電極パッド（図示せず）と電気的に接続する配線２２を設けている。この配線２２は、第２の台座２における圧力センサチップ２００の電極パッドと当接する位置からその厚み方向に貫通孔２２ａを形成し、その内部に、例えば、アルミニウム（Ａｌ）からなる導電性材料を充填させることにより形成している。 【００２８】 ここにおいて、圧力センサチップ２００の電極パッドと配線２２との接続は、第２の台座２を圧力センサチップ２００に固着する際に行われる。その固着方法として、例えば、表面活性常温接合法、半田溶融接合法及び陽極接合法の周知技術を用いることが可能である。このうち、表面活性常温接合法及び半田溶融接合法を用いる場合は、凹部２１の周縁部と圧力センサチップ２００との間及び電極パッドと配線２２との間に金属層（図示せず）を介在させており、表面活性常温接合法において金からなる金属層、半田溶融接合法においてはクロムからなる金属層を形成している。この金属層は圧力センサチップ２００と第２の台座２との接合面を全てに形成しておくのが好ましい。ただし、この場合は金属膜と電極パッド及び配線２２が電気的に絶縁された状態にしておく必要がある。 【００２９】 一方、配線２２の他端には、微小導電突起２３を形成している。このものは、例えば、金又は半田により構成している。そして、この微小導電突起２３を介して半導体圧力センサを回路基板（図示せず）の回路パターン（図示せず）に電気的及び物理的に接続している。 【００３０】 以上説明した本実施形態の半導体圧力センサによれば、圧力センサチップ２００と回路基板との線膨張係数の違いで発生する応力の伝達距離を第２の台座２を介在させて長くしているので、ダイヤフラム２１０が応力を受けることによる圧力検知特性の劣化を抑制して圧力感度を向上することができる。 【００３１】 そして、第２の台座２の大きさを圧力センサチップ２００と略同等の大きさとし、かつ圧力センサチップ２００の電極パッドと相対する位置にアルミニウムを充填した貫通孔２２ａからなる配線２２を形成し、その他端側に微小導電突起２３を形成しているので、回路基板に形成された回路パターンにフェイスダウンボンディングすることが可能となり、かつ半導体圧力センサが回路基板を占有する面積は、圧力センサチップ２００と略同等の面積となり、結果的に、低背化及び低面積化を実現した小型化の半導体圧力センサを提供することができる。 【００３２】 なお、圧力導入孔１１は、第１の台座１のみに形成されるものではなく、例えば、第２の台座２に形成し、凹部２１を介してダイヤフラム２１０の薄肉部２１２と連通させてもよいし、第１の台座１及び第２の台座２の両方に形成してもよい。 【００３３】 ここにおいて、圧力導入孔１１を第２の台座２にのみ形成した場合は、ダイヤフラム２１０及び第１の台座１で形成された空間が圧力基準室となる。圧力導入孔１１を第１の台座１及び第２の台座２の両方に形成した場合は、ダイヤフラム２１０の薄肉部２１２と第１の台座１及び第２の台座２で囲まれた２つの領域のどちらか一方が圧力基準室となり、そのそれぞれの領域に導入された圧力の差を検知することができる。」 (ウ) 周知技術２の認定 前記(ア)に示した引用文献３の摘記事項及び前記(イ)に示した引用文献４の摘記事項に例示されているように、次の技術事項は、当業者にとって周知技術であったと認められる。（以下「周知技術２」という。） ＜周知技術２＞ 「ダイアフラムの上部に位置するキャビティに試験媒体を収容し、ダイヤフラムの下部と配線基板との間に位置するキャビティに基準となる媒体を収容すること。」 ウ 引用文献５に記載された事項及び技術常識１の認定 (ア) 引用文献５に記載された事項 当審において新たに引用する、本願の優先日前に発行された文献である特開２００３－４５６７号公報（以下「引用文献５」という。）には、次の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサ及び血圧計に関する。特に、導入された圧力による薄膜ダイアフラムの変形を検出することによって圧力を検出する圧力センサとその製造方法に関する。また、当該圧力センサを用いた血圧計に関するものである。」 「【００１０】本発明の圧力センサにあっては、圧力導入部と圧力検出用空隙を結ぶ導圧通路に、導圧通路よりも断面積の大きな空間を設けているので、導圧通路を伝達する圧力（気体の流れ）は当該空間で遅延し、一時的ないし瞬間的な圧力変化が発生した場合には、その圧力変化は当該空間で吸収され、薄膜ダイアフラムに伝わるのを阻害される。従って、導圧通路に前記空間を形成することで導圧通路に圧力のローパスフィルタの機能を持たせることができる。そして、当該空間の断面積や容積を調整することにより圧力伝達の遅延の程度を制御することができ、圧力センサの応答周波数やカットオフ周波数を精度よく制御することができる。」 「【００２２】 【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図２（ａ）（ｂ）は本発明の圧力センサ２１の構造を示す平面図及び断面図、図３はその分解斜視図である。この圧力センサ２１にあっては、本体側基板２２の上面に円形の圧力検知室２３と四角形のバッファ空間２４が凹設され、圧力検知室２３とバッファ空間２４の間は直線状の導圧通路２５によって結ばれている。ここで、圧力検知室２３と導圧通路２５は同じ深さとなっており、バッファ空間２４は圧力検知室２３及び導圧通路２５よりも深くなっている。バッファ空間２４の断面積は導圧通路２５の断面積よりも大きくなっており、バッファ空間２４の容積も導圧通路２５の容積よりも大きくなっている。バッファ空間２４は、導圧通路２５よりも深くなっているので、導圧通路２５の幅に比較してあまり大きな幅にすることなく、断面積や容積を大きくすることができ、圧力センサ２１を小型化することができる。 【００２３】また、本体側基板２２の下面には、エッチングによって角錐台状をした圧力導入部２６が設けられており、圧力導入部２６の下面は本体側基板２２の下面に開口し、圧力導入部２６の上面はバッファ空間２４内で開口している。よって、バッファ空間２４は圧力導入部２６に隣接して形成されており、圧力導入部２６は、バッファ空間２４及び導圧通路２５を通じて圧力検知室２３につながっている。そして、圧力導入部２６は下面で開口面積が大きく、バッファ空間２４に接する内側の上面で開口面積が小さくなっている。 【００２４】圧力検知室２３の底面には、固定電極２７が形成されており、本体側基板２２の上面に設けた電極パッド２８と固定電極２７は電極パターン２９によって接続されている。 【００２５】本体側基板２２の上面には、カバー基板３０を重ねて接合されている。本体側基板２２の圧力検知室２３、バッファ空間２４及び導圧通路２５はカバー基板３０によって封止されており、カバー基板３０のうち圧力検知室２３と対向する位置には、円形の薄型ダイアフラム３１が形成されている。薄型ダイアフラム３１の内面には、金属薄膜等によって可動電極３２が形成されており、可動電極３２は本体側基板２２の上面に設けられた電極パッド３３と導通している。 【００２６】しかして、この圧力センサ２１にあっては、薄型ダイアフラム３１の上面に圧力Ｐ１（例えば、基準圧力）が導入され、圧力導入部２６から圧力検知室２３内に圧力Ｐ２が導入されると、薄型ダイアフラム３１はこれらの圧力の差圧Ｐ１－Ｐ２によって撓み、それによって固定電極２７と可動電極３２の間の静電容量が変化するので、この静電容量の変化を検出することで差圧Ｐ１－Ｐ２、あるいはＰ１を基準圧力として圧力Ｐ２が検出される。」 「【図２】 ［図：0001426434000011.jpg］ 」 「【００３０】図４は上記圧力センサ２１の製造工程を説明する図である。以下、図４に従って、この上記圧力センサ２１の製造工程を説明する。まず、シリコン基板３４（あるいは、ガラス基板を用いてもよい。）のうち、バッファ空間２４を形成しようとする領域に所定深さで埋め込み酸化膜３５を形成する（図４（ａ））。ついで、シリコン基板３４とカバー基板３０を絶縁するため、シリコン基板３４の上面を絶縁膜３６で覆い、圧力検知室２３、導圧通路２５及びバッファ空間２４と対応する領域で絶縁膜３６を除去する。この絶縁膜３６は、例えばＬＰＣＶＤ法によりシリコン窒化膜などで形成する。この結果、圧力検知室２３、導圧通路２５及びバッファ空間２４と対応する領域を除いてシリコン基板３４の上面は、絶縁膜３６で覆われる（図４（ｂ））。この絶縁膜３６とシリコン基板３４によって本体側基板２２が構成される。」 「【図４】 ［図：0001426434000012.jpg］ 」 「【００３１】次に、絶縁膜３６の上からシリコン基板３４の上面にＬＴＯなどの犠牲層３７を形成し、犠牲層３７をパターニングすることによって、絶縁膜３６の開口内に犠牲層３７を埋め込む（図４（ｃ））。すなわち、圧力検知室２３及び導圧通路２５となる領域に３７が埋め込まれると共に、埋め込み酸化膜３５の上面が犠牲層３７によって覆われる。 【００３２】この後、シリコン基板３４の下面に酸化膜やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）等からなるマスク３８を形成し、マスク３８をパターニングして圧力導入部２６を形成しようとする位置でマスク３８を開口する。また、 絶縁膜３６及び犠牲層３７の上面にポリシリコン膜３９を形成し、さらにポリシリコン膜３９の上面にＬＴＯ、ＳｉＮ等からなる保護膜４０を形成し、圧力検知室２３となる領域と対向する領域でポリシリコン膜３９が露出するように保護膜４０をパターニングする（図４（ｄ））。こうして保護膜４０とポリシリコン膜３９によってカバー基板３０が構成され、保護膜４０から露出した領域のポリシリコン膜３９によって薄型ダイアフラム３１が形成される。」 「【図４】 ［図：0001426434000013.jpg］ 」 「【００３３】ついで、マスク３８の開口を通してＴＭＡＨ、ＫＯＨ等のエッチャントでシリコン基板３４の下面をエッチングし、シリコン基板３４の下面に圧力導入部２６を形成する（図４（ｅ））。さらに、圧力導入部２６を通して埋め込み酸化膜３５及び犠牲層３７をエッチング除去し、本体側基板２２とカバー基板３０の間に導圧通路２５及び圧力検知室２３を形成する（図４（ｆ））。」 「【図４】 ［図：0001426434000014.jpg］ 」 (イ) 技術常識１の認定 前記(ア)に示した引用文献５の摘記事項に例示されているように、次の技術事項は、当業者にとって技術常識であったと認められる。（以下「技術常識１」という。） ＜技術常識１＞ 「ダイアフラム式の圧力センサデバイスにおいて、基板上の絶縁層に犠牲層を用いて気体の通路を設けること。」 (４) 本件補正発明と引用発明の対比 ア 対比分析 本件補正発明と引用発明を対比する。 なお、事案に鑑み、構成Ｘ、構成Ｂ１～Ｂ４、構成Ａ１～Ａ３の順に検討する。 (ア) 構成Ｘの観点 引用発明の「静電容量型圧力センサ」は、「圧力導入孔７を介して圧力測定媒体が圧力室６内に供給されると、ダイアフラム３が膨らんで、可動電極４と固定電極５の電極間距離が変位して、電極間の静電容量が変化することにより、圧力を検出し、その圧力に応じた信号を出力するもの」であるところ、「ダイアフラム３が膨ら［む］」のは、圧力室６内の圧力と、「ダイアフラム３の圧力室６と反対側である上方に」「形成」された「キャビティ構造」の圧力に差が生じるためであるから、「静電容量型圧力センサ」は、圧力室６内の圧力と、ダイアフラム３の上方のキャビティ構造に導入された圧力との差圧を測るものであることは明らかである。 したがって、「差圧センサデバイス」の発明である本件補正発明と「静電容量型圧力センサ」の発明である引用発明は、「差圧センサデバイス」の発明である点で一致する。 (イ) 構成Ｂ１～Ｂ４の観点（キャビティ関連） ａ 構成Ｂ１について (ａ) 構成Ｂ１は、「膜（Ｍ）によって互いに分離されている第１のキャビティ（Ｃ１）および第２のキャビティ（Ｃ２）」を備えることである。 (ｂ) 引用発明の「ダイアフラム３」は本件補正発明の「膜（Ｍ）」に相当する。そして、引用発明の「圧力室６」と「キャビティ構造」は、いずれも流体を収容できることは明らかであるから、いずれか一方が本件補正発明の「第１のキャビティ（Ｃ１）」に、他方が本件補正発明の「第２のキャビティ（Ｃ２）」に相当する。 (ｃ) ここで、本件補正発明の構成Ｂ４の「前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記膜（Ｍ）の上方に位置して［いる］」ことを踏まえると、本件補正発明においては、膜（Ｍ）からみて下方に「第１のキャビティ（Ｃ１）」が位置しており、膜（Ｍ）からみて上方に「第２のキャビティ（Ｃ２）」が位置していることになる。 (ｄ) 他方、引用発明の「圧力室６」は「ダイフラム３と絶縁基板２との間」に形成され、「キャビティ構造」は「ダイアフラム３の圧力室６と反対側である上方」に形成されるのであるから、「ダイアフラム３」からみて下方に「圧力室６」が位置しており、「ダイアフラム３」からみて上方に「キャビティ構造」が位置していることになる。 (ｅ) そうすると、収容される流体が試験媒体であるか大気であるかという相違は措くとして、上下の配置に着目すれば、引用発明の「圧力室６」が本件補正発明の「第１のキャビティ（Ｃ１）」に相当し、引用発明の「キャビティ構造」が本件補正発明の「第２のキャビティ（Ｃ２）」に相当する。 (ｆ) また、引用発明の「圧力室６」と「キャビティ構造」は「ダイアフラム３」によって互いに分離されているものと認められる。 (ｇ) したがって、本件補正発明と引用発明は、次の点において一致する。 「膜によって互いに分離されている第１のキャビティおよび第２のキャビティ」を備える点。 ｂ 構成Ｂ２について (ａ) 構成Ｂ２は、「前記第１のキャビティ（Ｃ１）は、通気孔（１０８、３０５）と流体連通しているチャネル（１０９、３０６）と流体連通」することである。 (ｂ) 構成Ｂ２の「通気孔」に関して、本願の明細書の段落【０００４】の「大気への接続部は一般に、通気（ｖｅｎｔまたはｖｅｎｔｉｌａｔｉｏｎ）孔と呼ばれる。」との記載を踏まえると、本件補正発明の「通気孔」とは、大気への接続部のことであると解するのが相当である。 (ｃ) 引用発明の「開口２２ａ」は、「測定圧力媒体」を「圧力室６に導入」するためのものであるから、大気への接続部である通気孔ではないものの、流体の入り口としての「孔」である点においては、本件補正発明の「通気孔（１０８、３０５）」と共通するといえる。 (ｄ) 引用発明の「溝２２」は本件補正発明の「チャネル（１０９、３０６）」に相当するものと認められる。そして、引用発明においては「圧力導入孔７から溝２２を介して外部と連通することで、測定圧力媒体を溝２２の開口２２ａから供給することにより圧力室６に導入され[る]」のであるから、本件補正発明の「第１のキャビティ（Ｃ１）」と本件補正発明の「圧力室６」は、「孔と流体連通しているチャネルと流体連通」する「第１のキャビティ」である点で一致する。 ｃ 構成Ｂ３について (ａ) 構成Ｂ３は「前記通気孔（１０８、３０５）は、前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に大気圧または規準圧力を蓄積できるように、前記差圧センサデバイス（１００）の周囲環境と流体連通するように構成」されることである。 (ｂ) 引用発明は「測定圧力媒体を溝２２の開口２２ａから供給することにより圧力室６に導入」するものであるから、「圧力室６」に蓄積されるのは「大気圧または基準圧力」（を有する）ものではなく「測定圧力媒体」である。 (ｃ) 以上の検討結果を踏まえると、本件補正発明と引用発明は、構成Ｂ３の観点において次の点で相違する。 「チャネル」と「流体連通」している「孔」について、 本件補正発明は「前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に大気圧または規準圧力を蓄積できるように、前記差圧センサデバイス（１００）の周囲環境と流体連通するように構成」された「通気孔（１０８、３０５）」であるのに対し、 引用発明は「圧力室６」内に「測定圧力媒体」を蓄積できるように構成された「開口２２ａ」である点。 ｄ 構成Ｂ４について (ａ) 構成Ｂ４は、「前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記膜（Ｍ）の上方に位置しており、前記第２のキャビティ（Ｃ２）は前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に蓄積される前記大気圧または規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体を収容するために設けられている」ことである。 (ｂ) 引用発明の「キャビティ構造」は「ダイアフラム３」の上方に位置しているから、本件補正発明の「第２のキャビティ（Ｃ２）」と引用発明の「キャビティ構造」は、「膜の上方に位置」している点で一致する。 (ｃ) 引用発明においては、「圧力室６」（第１のキャビティ）に導入される媒体が「測定圧力媒体」（本件補正発明の「試験媒体」に相当）であることを踏まえると、「キャビティ構造」（第２のキャビティ）には、測定される圧力がゲージ圧である場合には、大気が収容されることになり、測定される圧力がゲージ圧に限られない場合には、「測定圧力媒体」の圧力と比較される基準圧力を有する媒体が収容されることになると考えられるが、いずれにせよ、何らかの媒体を収容するために「キャビティ構造」（第２のキャビティ）が設けられているものの、何を収容するのかは記載されていない。 (ｄ) 以上の検討結果を踏まえると、本件補正発明と引用発明は、構成Ｂ４の観点において次のｉの点で一致し、次のｉｉの点で相違する。 ｉ 一致点 「前記第２のキャビティは前記膜の上方に位置しており、」「前記第２のキャビティは媒体を収容するために設けられている」点。 ｉｉ 相違点 「第２のキャビティ」に「収容」される「媒体」が、 本件補正発明は「前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に蓄積される前記大気圧または規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体」であるのに対し、 引用発明は特定されていない点。 ｅ 構成Ｂ１～Ｂ４のまとめ 以上ａ～ｄの検討結果を踏まえると、本件補正発明と引用発明は、構成Ｂ１～Ｂ４の観点において次の(ａ)の点で一致し、次の(ｂ)の点で相違する。 (ａ) 一致点 「膜によって互いに分離されている第１のキャビティおよび第２のキャビティとを備え、」 「前記第１のキャビティは、孔と流体連通しているチャネルと流体連通しており、」 「前記第２のキャビティは前記膜の上方に位置しており、前記第２のキャビティは媒体を収容するために設けられている」点 (ｂ) 相違点 ｉ 「チャネル」と「流体連通」している「孔」について、 本件補正発明は「前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に大気圧または規準圧力を蓄積できるように、前記差圧センサデバイス（１００）の周囲環境と流体連通するように構成」された「通気孔（１０８、３０５）」であるのに対し、 引用発明は「圧力室６」内に「測定圧力媒体」を蓄積できるように構成された「開口２２ａ」である点。 ｉｉ 「第２のキャビティ」に「収容」される「媒体」が、 本件補正発明は「前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に蓄積される前記大気圧または規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体」であるのに対し、 引用発明は特定されていない点。 (ウ) 構成Ａ１～Ａ３の観点（基板関連） 構成Ａ１～Ａ３についてまとめて検討する。 ａ 構成Ａ１～Ａ３は、「基板（１１０）」を備え、「前記基板（１１０）の主面上に形成されている別層（１０４）」を備え、「前記チャネル（１０９、３０６）は、前記別層（１０４）における、前記基板（１１０）の前記主面と実質的に平行な平面内に延在する」ことである。 ｂ 前記(イ)ｂ(ｄ)において検討したとおり、引用発明における「溝２２」は、本件補正発明における「チャネル（１０９、３０６）」に相当するものと認められるところ、引用発明における「溝２２」は「支持基板２０」の「接合面」に形成されるのであるから、引用発明の「支持基板２０」は、本件補正発明の「基板（１１０）」に相当する。 そして、引用発明の「溝２２」は、「支持基板２０」の「接合面」と実質的に平行な平面内に延在するものであると認められる。 そうすると、本件補正発明と引用発明とは、「基板」を備え、「チャネル」が「前記基板の主面と実質的に平行な平面内に延在する」点で一致する。 一方、本件補正発明においては、「チャネル（１０９、３０６）」は「基板（１１０）の主面上に形成されている別層（１０４）」において設けられるものであるのに対して、 引用発明においては、「溝２２」は「支持基板２０」に設けられる点で相違する。 ｃ 以上の検討結果を踏まえると、本件補正発明と引用発明は、構成Ａ１～Ａ３の観点において次の(ａ)の点で一致し、次の(ｂ)の点で相違する。 (ａ) 一致点 「基板」を備え、 「チャネル」が「前記基板の主面と実質的に平行な平面内に延在する」点。 (ｂ) 相違点 「チャネル」が設けられる対象が、 本件補正発明では「基板（１１０）の主面上に形成されている別層（１０４）」であるのに対し、 引用発明では「支持基板２０」である点。 イ 一致点及び相違点 前記アの対比分析の結果をまとめると、本件補正発明と引用発明は、次の(ア)に示す一致点において一致し、後記(イ)に示す相違点において相違すると認められる。 (ア) 一致点 「差圧センサデバイスであって、 前記差圧センサデバイスは、 基板と、 膜によって互いに分離されている第１のキャビティおよび第２のキャビティとを備え、 前記第１のキャビティは、孔と流体連通しているチャネルと流体連通しており、 前記チャネルは、前記基板の主面と実質的に平行な平面内に延在するとともに、 前記第２のキャビティは前記膜の上方に位置しており、前記第２のキャビティは媒体を収容するために設けられている、 差圧センサデバイス。」である点。 (イ) 相違点 ａ 相違点１（キャビティに収容される媒体に係る相違点） (ａ) 相違点１－１（孔及び第１のキャビティ） 「チャネル」と「流体連通」している「孔」について、 本件補正発明は「前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に大気圧または規準圧力を蓄積できるように、前記差圧センサデバイス（１００）の周囲環境と流体連通するように構成」された「通気孔（１０８、３０５）」であるのに対し、 引用発明は「圧力室６」内に「測定圧力媒体」を蓄積できるように構成された「開口２２ａ」である点。 (ｂ) 相違点１－２（第２のキャビティ） 「第２のキャビティ」に「収容」される「媒体」が、 本件補正発明は「前記第１のキャビティ（Ｃ１）内に蓄積される前記大気圧または規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体」であるのに対し、 引用発明は特定されていない点。 ｂ 相違点２（チャネルが設けられる対象に係る相違点） 「チャネル」が設けられる対象が、 本件補正発明では「基板（１１０）の主面上に形成されている別層（１０４）」であるのに対し、 引用発明では「支持基板２０」である点。 (５) 判断 ア 相違点１について (ア) 相違点１における根本的な相違は、膜によって互いに分離されている二つのキャビティのどちらに試験媒体を収容し、どちらに比較基準となるような圧力を有する媒体（大気等）を収容するか、ということである。 (イ) そして、本件補正発明は膜（Ｍ）の上方に位置するキャビティである「第２のキャビティ（Ｃ２）」に「試験媒体」を収容するものであるが、引用発明は「ダイアフラム３」の下方のキャビティである「圧力室６」に「測定対象媒体」を収容するものである。 (ウ) しかし、ダイアフラムを介して配置された二つのキャビティに収容される媒体の圧力差を測定する「差圧センサデバイス」においては、原理的にはどちらのキャビティに試験媒体を収容しても良いことは明らかであって、一方のキャビティに試験媒体を収容すると定めれば、他方のキャビティには比較基準となるような圧力を有する媒体（大気等）が収容されることが自ずと定まることになる。 実際、「ダイアフラムの上部に位置するキャビティに試験媒体を収容し、ダイヤフラムの下部と配線基板との間に位置するキャビティに基準となる媒体を収容すること」は当業者にとって周知技術である（前記周知技術２参照）。 (エ) 前記(ウ)を踏まえると、引用発明において、「ダイアフラム３」の上方に位置する「キャビティ構造」（第２のキャビティ）に測定対象媒体を収容するように構成することは、当業者にとって自明な設計変更にすぎない。 かかる自明な設計変更により、引用発明の「圧力室６」（第１のキャビティ）には当然に基準となるような圧力を有する媒体（大気等）が収容されることとなり、引用発明の「開口２２ａ」は、大気への接続部である「通気孔」として機能することになる。 すなわち、引用発明において、前記相違点１－１に係る「チャネル」と「流体連通」している「孔」について、「前記第１のキャビティ内に大気圧または規準圧力を蓄積できるように、前記差圧センサデバイスの周囲環境と流体連通するように構成」された「通気孔」であることが導かれる。 また、引用発明において、前記相違点１－２に係る「第２のキャビティ」に「収容」される「媒体」について、「前記第１のキャビティ内に蓄積される前記大気圧または規準圧力と対比して圧力が測定されることになる試験媒体」であることが導かれる。 そして、引用発明は「センサ内部へのごみの侵入の防止」という課題を前提としているところ（引用文献１の段落【００１２】を参照）、測定圧力媒体、大気のいずれであってもセンサ内部へごみを侵入させる可能性があることに変わりはないから、このような設計変更を行ったとしても、上記課題が変更を受けることはない。 (オ) してみれば、引用発明において周知技術２を適用し、相違点１に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到できたことである。 イ 相違点２について (ア) 「感知領域を有する半導体チップを含む圧力センサデバイスにおいて、感知領域がデバイスの外側の環境と流体接続されるための入口及び感知領域と流体接続された出口を有する構造要素を、半導体チップとキャリア基板の間に設けること」は、当業者に周知の技術であると認められるところ（前記周知技術１参照）、引用発明の「静電容量型圧力センサ」において、「溝２２」が「接合面」に「形成」された「支持基板２０」が上記構造要素に当たるとみて、その下方にキャリア基板をさらに積み重ねた構造とすることにより、「支持基板２０」が、「ダイアフラム３」付き「半導体基板１」とキャリア基板の間に配置されるようにすることは、当業者が容易に想到できたものと認められる。 そして、この場合には、新たに設けた「キャリア基板」（以下、便宜のため「追加基板」ということがある。）が本件補正発明の「基板（１１０）」に相当することとなるから、引用発明の「支持基板２０」は「追加基板」の主面上に形成されている「別層（１０４）」に相当することとなり、「チャネル」が設けられる対象が「基板の主面上に形成されている別層」であることが導出される。 すなわち、引用発明に周知技術１を適用して、相違点２に係る本件補正発明のような構成とすることは、当業者が容易に想到できたものと認められる。 (イ) 上記(ア)では引用発明の「支持基板２０」を「別層（１０４）」に相当するものと認定したが、「支持基板２０」はシリコン基板であるため（引用文献１の段落【００２６】の記載を参照）、「層」という位置づけができないとの指摘も考えられる。 しかしながら、そもそも引用発明において「追加基板」を用いた場合には、「溝２２」が形成される「支持基板２０」としては上部構造を支持する「基板」としての役割は必要でなくなるから、その材料や厚み等の選択肢が広がることは自明のことであり、必ずしも「支持基板２０」が厳格な意味における「基板」であることを維持しなければならないわけではなく、「層」としての形態をとることも許容されるというべきである。 そして、「ダイアフラム式の圧力センサデバイスにおいて、基板上の絶縁層に犠牲層を用いて気体の通路を設けること」が技術常識であることを踏まえると（前記技術常識１を参照）、追加基板上に絶縁層を「別層」として設けて、当該絶縁層において気体の通路（チャネル）を設けることは、当業者が適宜行い得たことといえる。 (ウ) 前記(ア)及び(イ)において説示した相違点２の判断に係る理由に加えて、「支持基板２０」自体に「溝２２」を形成するのではなく、技術常識１を踏まえて、「支持基板２０」上に形成された「絶縁層」に「犠牲層を用いて」形成された「気体の通路を設ける」ように設計変更を行うことにより、前記相違点２に係る本件補正発明のような構成とすることもまた、当業者が容易に想到できたものともいえる。 (エ) 前記(ア)～(ウ)のとおり、引用発明、周知技術１及び技術常識１に基づいて、又は、引用発明及び技術常識１に基づいて、前記相違点２に係る本件補正発明の構成に至ることは、当業者が容易に想到できたことである。 ウ 総合評価 前記ア及びイにおいて検討したとおり、引用発明において、前記相違点に係る本件補正発明の構成を備えるようにすることは、引用発明、周知技術１、周知技術２及び技術常識１に基づいて、又は、引用発明、周知技術２及び技術常識１に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。 そして、相違点１及び相違点２を総合的に勘案しても、本件補正発明が奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測・発見困難であり、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。 したがって、本件補正発明は、当業者が容易に発明をすることができたものである。 エ 請求人の主張について (ア) 請求人の主張１について ａ 請求人の主張１の内容 請求人は、審判請求の理由において、概略、以下のように主張している。 引用発明の「支持基板２０」、「絶縁基板２」及び「溝２２」がそれぞれ本件補正発明の「基板（１１０）」、「別層（１０４）」及び「チャネル」に相当するところ、引用文献１には「絶縁基板２はガラス等の硬い材料が使用されているので、圧力導入孔７の形状を水平方向に延びるように加工するのは困難である。」と記載されているから、「支持基板２０」上に位置する「絶縁基板２」に「チャネル」に相当する「溝２２」を形成するための技術的思想及び具体的な手法を引用文献１は何ら開示していないため、本件補正発明に至ることができない。 ｂ 請求人の主張１についての検討 請求人の主張１は、要するに前記相違点２に係るものであるところ、この点については、前記イで検討したとおり、気体の通路として「絶縁基板２」に「溝２２」を設けるのではなく、「支持基板２０」に設けられた「溝２２」を用いること（前記イ(ア)及び(イ)を参照）、又は「支持基板２０」上に形成された「絶縁層」に「空気の通路を設ける」こと（前記イ(ウ)を参照）は、いずれも当業者が容易に想到できたものである。 したがって、請求人の主張１を採用することができない。 (イ) 請求人の主張２について ａ 請求人の主張２の内容 請求人は、審判請求の理由において、概略、以下のように主張している。 引用発明においては、試験媒体はダイアフラム３の下方に存在する「圧力室６」に収容されるが、本件補正発明は、膜（Ｍ）の上方に位置する第２のキャビティ（Ｃ２）に圧力測定対象の試験媒体が収容される。引用文献１は、測定媒体と基準圧となる大気圧との導入を互いに入れ替え可能であることを何ら示唆していない。 本件補正発明のこのような構成によって、本件補正発明は、圧力測定対象の試験媒体を収容しやすく、気体のみならず液体も導入することが可能であるのに対して、引用発明では、圧力室６よりも下方に位置する溝２２の開口２２ａから測定圧力媒体を供給するため、測定圧力媒体が液体の場合には圧力導入孔７から圧力室６まで液体を導入することが重力を考慮すると困難であり、測定圧力媒体の種類が限定される。膜（Ｍ）の上方から進入する流体の圧力を、流体が液体、気体の両方のケースにおいて第１のキャビティ（Ｃ１）内に蓄積される大気圧又は規準圧力と対比して圧力を測定することができるということは、引用文献１によっては得ることができない特有な効果である。 ｂ 請求人の主張２についての検討 請求人の主張２は、要するに前記相違点１に係るものであるところ、この点については、前記アで検討したように、ダイアフラム３の上部に位置する「キャビティ」に試験媒体を収容することは、当業者が容易に想到できたことである。そして、そのことによって生じると主張する「圧力測定対象の試験媒体を収容しやすく、気体のみならず液体も導入することが可能」との効果については、本願明細書の発明の詳細な説明に記載がない。仮に、記載がなくともこのような効果の参酌が可能な程に当業者にとって自明な効果なものであれば、そもそも周知技術２が有する効果として、当業者にとって自明なものといわざるを得ない。 したがって、請求人の主張２を採用することができない。 オ 独立特許要件の判断のまとめ 以上検討のとおり、本件補正発明は、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正により請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しない。 ４ 本件補正の却下の決定の理由のむすび 前記３(５)オのとおり、本件補正は、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するから、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明について 本件補正は、前記第２のとおり却下したので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（前記第２の１(１)参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の、本願発明に対する拒絶の理由（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。 理由３（進歩性の欠如） 本願発明は、優先日前に発行された下記の引用文献に記載された発明に基づいて、優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 ＜主たる引用文献＞ 引用文献１．特開平１１－２４８５７８号公報 ＜周知技術を示す文献＞ 引用文献２．米国特許出願公開第２０１０／０２３０７６６号明細書 ３ 各引用文献に記載された事項及び引用発明の認定等 引用文献１～５に記載された事項は、それぞれ前記第２の３(２)ア、(３)ア(ア)、(３)イ(ア)、(３)イ(イ)及び(３)ウ(ア)において示したとおりである。 また、引用発明、周知技術１、周知技術２及び技術常識１は、それぞれ前記第２の３(２)ウ、(３)ア(イ)、(３)イ(ウ)及び(３)ウ(イ)において認定したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２の２において検討したとおり、本件補正発明の「チャネル（１０９、２０９、３０６、４０７）」が「基板（１１０、２１０）の前記主面と実質的に平行な平面内に延在する」部分について、「別層（１０４）」のみから「別層（１０４、２０４、４０５）または前記基板（１１０、２１０）」へと、その選択肢を拡張するものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、その発明特定事項の一部を限定したものに相当する本件補正発明が、前記第２の３(４)において説示したとおり、引用発明、周知技術１、周知技術２及び技術常識１に基づいて、又は、引用発明、周知技術２及び技術常識１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上検討のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。