2023-701271

特許第７２８６９９９号発明「圧電素子、液体吐出ヘッド、およびプリンター」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２８６９９９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～９〕について訂正することを認める。 特許第７２８６９９９号の請求項１～９に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２８６９９９号の請求項１～９に係る特許についての出願は、平成３１年２月２６日に出願され、令和５年５月２９日にその特許権の設定登録がされ、同年６月６日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年１２月 ４日 ：特許異議申立人須藤美砂子（以下「申立人」という。）による特許異議の申立て 令和 ６年 ３月１３日付け ：取消理由通知書 令和 ６年 ５月１７日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書（以下、この訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」という。また、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」といい、「本件訂正請求後」を「訂正後」といい、「本件訂正請求前」を「訂正前」という。）の提出 令和 ６年 ７月 ８日 ：申立人による意見書の提出 令和 ６年 ８月１４日 ：申立人による手続補正書（上記意見書添付の参考資料１の訳文）の提出 第２ 訂正の適否についての判断 １ 本件訂正の内容 特許権者は、特許請求の範囲の請求項１～９を、以下の事項により特定されるとおりに訂正することを請求する（下線を訂正箇所に付加した。）。 （１）訂正事項１ ア 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１において、「前記第１粒子の前記面」を「前記第１粒子の面」と訂正し、「前記第２粒子の前記面」を「前記第２粒子の面」と訂正し、「前記圧電体層の前記面」を「前記圧電体層の前記第２電極側の面」と訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２、３、５～９も同様に訂正する。）。 イ 訂正事項２ （ア）訂正事項２－１ 特許請求の範囲の請求項４において、「前記圧電体層は、（１１１）配向の粒子を有し、」「前記粒子の面の占有面積」と記載されているのを、それぞれ、「前記圧電体層は、（１１１）配向の第１粒子と、（１００）配向の第２粒子と、を有し、前記第１粒子は、複数設けられ、前記第２粒子は、複数設けられ、前記圧電体層の前記第２電極側の面は、前記第１粒子の面と、前記第２粒子の面と、によって構成され、」、「前記第１粒子の面の占有面積」と訂正する（請求項４の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５～９も同様に訂正する。）。 （イ）訂正事項２－２ 特許請求の範囲の請求項４において、「１０．０％以下である、」と記載されているのを「１０．０％以下であり、前記圧電体層の前記第２電極側の面の方向から見て、複数の前記第２粒子の面は、１つの前記第１粒子の面を囲んでいる、」と訂正する（請求項４の記載を直接的又は間接的に引用する請求項５～９も同様に訂正する。）。 なお、本件訂正は、一群の請求項１～９について請求されている。 ２ 訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、新規事項の有無、独立特許要件 （１）訂正事項１ ア 訂正の目的 訂正前の請求項１には、「前記第１粒子の前記面」、「前記第２粒子の前記面」、「前記圧電体層の前記面」と記載されており、これらの「前記面」がどの面を指しているかが不明確であったところ、それぞれ、「前記第１粒子の面」、「前記第２粒子の面」、「前記圧電体層の前記第２電極側の面」と訂正することにより、明確とするものである。したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項に規定する要件を満たしている。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アに記載したとおり、訂正事項１は、明瞭でない記載の釈明をするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 本件特許明細書には、「圧電素子１００では、圧電体層２０の第２電極３０側の面２０ａは、第１粒子２６の面２６ａと、第２粒子２８の面２８ａと、によって構成され、第１粒子２６の面２６ａにおける凹凸の高さは、第２粒子２８の面２８ａにおける凹凸の高さよりも大きく、圧電体層２０の面２０ａにおいて、第１粒子２６の面２６ａの占有面積は、１０．０％以下である。」（段落【００４６】）と記載されている。 訂正後の請求項１には、「前記圧電体層の前記第２電極側の面は、第１粒子の面と、第２粒子の面と、によって構成され、前記第１粒子の面における凹凸の高さは、前記第２粒子の面における凹凸の高さよりも大きく、前記圧電体層の前記第２電極側の面において、前記第１粒子の面の占有面積は、０％超、１０．０％以下である」と記載されており、この記載は、上記【００４６】の記載に対応する。 したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～９について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項１～３、５～９に係る訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的 （ア）訂正事項２－１ 訂正事項２－１は、訂正前の請求項４には、「前記圧電体層は、（１１１）配向の粒子を有し」、「前記粒子の面の占有面積」と記載されているのを、それぞれ、訂正後の請求項４において、「前記圧電体層は、（１１１）配向の第１粒子と、（１００）配向の第２粒子と、を有し、前記第１粒子は、複数設けられ、前記第２粒子は、複数設けられ、前記圧電体層の前記第２電極側の面は、前記第１粒子の面と、前記第２粒子の面と、によって構成され、 」「前記第１粒子の面の占有面積」と限定することで、圧電体層の構成をさらに特定し、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。したがって、訂正事項２－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 よって、訂正事項２－１は、特許法第１２０条の５第２項に規定する要件を満たしている。 （イ）訂正事項２－２ 訂正事項２－２は、訂正前の請求項４に、「前記圧電体層の前記第２電極側の面の方向から見て、複数の前記第２粒子の面は、１つの前記第１粒子の面を囲んでいる、」との構成を追加することで、第１粒子と第２粒子との配置の関係を更に限定し、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。したがって、訂正事項２－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 よって、訂正事項２－２は、特許法第１２０条の５第２項に規定する要件を満たしている。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと （ア）訂正事項２－１ 上記ア（ア）に記載したとおり、訂正事項２－１は、訂正前の請求項４に係る発明を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （イ）訂正事項２－２ 上記ア（イ）に記載したとおり、訂正事項２－２は、訂正前の請求項４に係る発明を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること （ア）訂正事項２－１ 本件特許明細書には、「圧電体層２０の面２０ａは、図２および図３に示すように、第１粒子２６の面２６ａと、第２粒子２８の面２８ａと、によって構成されている。・・・。第１粒子２６は、複数設けられている。第２粒子２８は、複数設けられている。」（段落【００３４】）、「第２粒子２８は、（１００）配向している。すなわち、第２粒子２８は、（１００）配向の粒子であり、面２８ａは、（１００）面である。」（段落【００３８】）と記載されている。 したがって、訂正事項２－１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （イ）訂正事項２－２ 本件特許明細書には、「図２に示す例では、平面視において、複数の面２８ａは、１つの面２６ａを囲んで設けられている。」（段落【００３７】）と記載されている。「平面視において」とは、図２等の記載から明らかなように、「圧電体層の第２電極側の面の方向から見た場合」のことである。 したがって、訂正事項２－２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～９について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項４～９に係る訂正事項２（訂正事項２－１、訂正事項２－２）に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 小括 上記のとおり、訂正事項１及び訂正事項２に係る本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第３号に掲げる事項を目的とするものに該当するから、同法第１２０条の５第２項に規定する要件を満たしており、かつ、同法同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、令和６年５月１７日に提出された訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲（以下、単に「訂正特許請求の範囲」という。）のとおり、訂正後の請求項〔１～９〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～９に係る発明（以下、順にそれぞれ「本件訂正発明１」～「本件訂正発明９」という。また、訂正後の請求項１～９に係る発明をまとめて「本件訂正発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 基体に設けられた第１電極と、 第２電極と、 前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、カリウム、ナトリウム、およびニオブを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物を含む圧電体層と、 を含み、 前記圧電体層の前記第２電極側の面は、第１粒子の面と、第２粒子の面と、によって構成され、 前記第１粒子の面における凹凸の高さは、前記第２粒子の面における凹凸の高さよりも大きく、 前記圧電体層の前記第２電極側の面において、前記第１粒子の面の占有面積は、０％超、１０．０％以下である、圧電素子。 【請求項２】 請求項１において、 前記圧電体層の結晶構造を擬立方晶とみなした場合、 前記圧電体層は、（１００）優先配向している、圧電素子。 【請求項３】 請求項２において、 前記圧電体層の結晶構造を擬立方晶とみなした場合、 前記第１粒子は、（１１１）配向し、 前記第２粒子は、（１００）配向している、圧電素子。 【請求項４】 基体に設けられた第１電極と、 第２電極と、 前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、カリウム、ナトリウム、およびニオブを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物を含む圧電体層と、 を含み、 前記圧電体層の結晶構造を擬立方晶とみなした場合、 前記圧電体層は、（１１１）配向の第１粒子と、（１００）配向の第２粒子と、を有し、 前記第１粒子は、複数設けられ、 前記第２粒子は、複数設けられ、 前記圧電体層の前記第２電極側の面は、前記第１粒子の面と、前記第２粒子の面と、によって構成され、 前記圧電体層の前記第２電極側の面において、前記第１粒子の面の占有面積は、０％超、１０．０％以下であり、 前記圧電体層の前記第２電極側の面の方向から見て、複数の前記第２粒子の面は、１つの前記第１粒子の面を囲んでいる、圧電素子。 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項において、 前記圧電体層の厚さは、５００ｎｍ以上２μｍ以下である、圧電素子。 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項において、 前記圧電体層は、第１層と複数の第２層とが積層されて構成され、 前記第１層は、前記第１電極と前記第２層との間に設けられ、 前記第１層におけるカリウムとナトリウムとの原子濃度の比は、前記第２層におけるカリウムとナトリウムとの原子濃度の比と異なり、 前記第２層の厚さは、５１ｎｍ以下である、圧電素子。 【請求項７】 請求項６において、 前記第１層の厚さは、７５ｎｍ以下である、圧電素子。 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の圧電素子と、 液体を吐出するノズル孔が設けられたノズルプレートと、 を含み、 前記基体は、前記圧電素子により容積が変化する圧力発生室と、前記圧力発生室に前記液体を供給する供給流路とが設けられた流路形成基板を有し、 前記ノズル孔は、 前記圧力発生室に連通している、液体吐出ヘッド。 【請求項９】 請求項８に記載の液体吐出ヘッドと、 前記液体吐出ヘッドに対して被記録媒体を相対移動させる搬送機構と、 前記液体吐出ヘッドおよび前記搬送機構を制御する制御部と、 を含む、プリンター。」 第４ 令和６年３月１３日付け取消理由通知書に記載した取消理由について １ 取消理由通知書に記載した取消理由の概要 当審が令和６年３月１３日付けで特許権者に通知した取消理由（以下「取消理由」という。）の要旨は、次のとおりである。 取消理由１（新規性）本件特許の請求項１～５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 取消理由２（進歩性）本件特許の請求項８、９に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証に記載された技術に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項８、９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。 ＜引用文献等一覧＞ １．甲第１号証：特開２０１１－３０１９５号公報 ２．甲第３号証：特開２０１７－１４３２６０号公報 ２ 甲号証の記載等について （１）甲第１号証の記載、甲第１号証に記載の発明 ア 甲第１号証の記載 甲第１号証には、以下の事項が記載されている（下線は当審において付加した。以下、同じ。）。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、ニオブ酸リチウムカリウムナトリウム膜などを用いた圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスに関する。」 「【０００２】 ・・・なお、ＬＫＮＮは、ニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ）膜を含む。 ・・・ 【０００４】 最近、ＲＦスパッタリング法で形成したＰＺＴ薄膜が高精細高速インクジェットプリンタのヘッド用アクチュエータや、小型低価格のジャイロセンサとして実用化されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。・・・」 「【０００７】 圧電薄膜として非鉛圧電薄膜を形成することにより、環境負荷の小さい高精細高速インクジェットプリンタ用ヘッドや小型低価格なジャイロセンサを作成することができる。その具体的な候補として、ＬＫＮＮの薄膜化の基礎研究が進められている。」 「【００３０】 ［圧電薄膜素子の一基本構造］ 本実施の形態の圧電薄膜素子は、基板と、前記基板の表面に形成される酸化膜と、前記酸化膜上に形成される下部電極層と、前記下部電極層上に形成される圧電薄膜と、その上に形成される上部電極層とから構成される積層構造を有する。 ・・・ 【００３３】 基板の表面に形成される前記酸化膜は、熱酸化により形成される熱酸化膜、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されるＳｉ酸化膜などがあげられる。なお、前記酸化膜を形成せずに、石英ガラス（ＳｉＯ2）、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ3、ＳｒＲｕＯ3基板などの酸化物基板上に、直接Ｐｔ電極などの下部電極層を形成しても良い。 【００３４】 前記下部電極層は、ＰｔもしくはＰｔを主成分とする合金からなる電極層、またはこれらを積層した構造の電極層を含む電極層であることが望ましい。また、前記下部電極層は、（１１１）面には配向して形成されるのが好ましく、基板とＰｔもしくはＰｔを主成分とする合金化からなる電極層との間に、基板との密着性を高めるための接着層を設けても良い。（１１１）面に配向したＰｔ薄膜は、圧電薄膜に対する下地層としても機能する。」 「【００４０】 ［下部電極層の結晶配向性］ （Ｐｔ薄膜の結晶配向） そこで、はじめに、ＬＫＮＮ膜の結晶配向性を厳密に管理および制御するために、当該圧電薄膜の初期の結晶成長面である下部電極のＰｔ薄膜の結晶性を安定に実現すべく、成膜温度、成膜ガス及び真空度などの最適化を行った。成膜条件として、まず、成膜温度の検討をすすめ、（１１１）優先配向となる条件として、１００～５００℃の成膜範囲が最適温度の範囲にあたることを見出した。成膜ガスとしては、Ａｒガスや、ＡｒとＯ2の混合ガス，あるいはＨｅまたはＮｅまたはＫｒまたはＮ2など少なくとも一つ以上の不活性ガスが混合したガスを用いる。」 「【００４５】 ［圧電薄膜の結晶配向］ 更に、ＬＫＮＮ膜の優先配向性をより確実に実現するために、上記の実施の形態において、ＬＫＮＮ膜そのものの成膜温度、スパッタリング動作ガスの種類、動作ガス圧力、真空度、投入電力、及び成膜後の熱処理について、圧電特性が向上する結晶配向性を有する当該圧電薄膜の作製条件を見出し、最適化を図ることで達成するのも良い。これらの条件を装置毎やさまざまな環境下に応じて、作製条件や評価及び管理方法などを詳細かつ厳密に検討することによって、（００１）や（１１１）優先配向、あるいは両者が共存して優先配向した擬立方晶のＬＫＮＮ薄膜を再現よく形成できる。 【００４６】 多結晶あるいはエピタキシャル成長させた単結晶のＬＫＮＮ膜そのものの優先配向を厳密に制御するために、例えば、（００１）配向成分や（１１１）配向成分が一定の比率の範囲内におさまるように、成膜温度が常に一定となるように精密に設定する。実際の成膜時の加熱装置として、赤外線ランプによる熱輻射、あるいは伝熱板を介したヒータ加熱による熱伝導を用いて、最適な結晶配向成分比となる温度範囲内に収まる設定を行った。 【００４７】 また、前記条件に合わせて、スパッタリング投入電力、成膜装置内に導入されるガスの圧力や流量の大きさを最適な値に決めることや、適切なガス種を選ぶことによって、結晶構造としての（００１）および（１１１）配向を含めた各種配向成分を厳密に制御し、高い圧電定数を示すＬＫＮＮ膜を安定に再現良く得られる効果を期待できる。 具体的には、ＡｒとＯ2の混合ガス、またはＡｒガスまたはＨｅまたはＮｅまたはＫｒまたはＮ2など少なくとも一つ以上の不活性ガスが混合したガスによるプラズマでスパッタリング成膜を行う。ＬＫＮＮ圧電薄膜の成膜には、（ＮａxＫyＬｉz）ＮｂＯ3 ０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦１．０、０≦ｚ≦０．２ のセラミックターゲットを用いるとよい。 更に、スパッタリングターゲット材の密度も、上記状況に応じて変更させることによっても同様な効果が期待できる。 また、成膜後においても酸素中や不活性ガス中あるいは両者の混合ガス、またあるいは大気中あるいは真空中で加熱処理を行い、圧電薄膜の内部応力等の制御を行うことができる。 【００４８】 このようにして得られるＬＫＮＮ膜は、柱状構造の結晶粒子で構成された集合組織を有する。また、前記下部電極層が（１１１）面に配向して形成されている場合、前記圧電薄膜層は前記下部電極層に対し所定方向に優先配向されて形成されている。 【００４９】 また、前記圧電薄膜層は、（００１）優先配向結晶粒、（１１０）優先配向結晶粒および（１１１）優先配向結晶粒の少なくとも一つが共存した状態にあることが好ましい。このような結晶配向性の状態を実現することによって、内部応力制御による圧電特性向上が可能である。 【００５０】 実施例１の圧電薄膜素子を構成する圧電薄膜は、擬立方晶あるいは正方晶あるいは斜方晶の結晶構造、あるいはそれらの結晶構造の少なくとも一つが共存した状態を有している。また、圧電薄膜は、それら結晶軸のうち２軸以下のある特定の軸に優先的に配向している。しかも、圧電薄膜は、前記配向している結晶軸の成分として、（００１）成分と（１１１）成分比において、それら両者の合計を１００％としたとき、（００１）成分の体積分率が６０から１００％の範囲内にあり、（１１１）成分の体積分率が０から４０％の範囲内にあるように形成されている。このような構成とすることにより、結晶方位がランダムになることや内部歪の増大による圧電定数の低下を防ぐことが出来る。（実施例５の図１６～図１８） 【００５１】 上述した圧電薄膜の（００１）成分の体積分率が６０から１００％の範囲内にあり、または（１１１）成分の体積分率が０から４０％の範囲内にはいるよう成膜するには、圧電薄膜の成膜条件、例えば、成膜温度を制御することにより実現出来る。（実施例４の図１３）」 「【実施例１】 【００６６】 次に、本発明の実施例を説明する。 【００６７】 （実施例１） 図１～図８を用いて説明する。 図１に、圧電薄膜付の基板の概要を示す断面図を示す。本実施例においては、酸化膜を有するＳｉ基板１上に接着層２を形成し、その接着層２の上部に、下部電極層３とペロブスカイト構造のＫＮＮの圧電薄膜層４を順に形成した圧電薄膜素子を作製した。 【００６８】 このとき、前記圧電薄膜層４は、結晶系としては擬立方晶あるいは正方晶あるいは斜方晶であり、その少なくとも一部にＡＢＯ3の結晶あるいは非晶質あるいは両者の混合した組成でも良い。ここで、ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｎｄ、Ｂａ、及びＢｉの中から選択される１種類以上の元素であり、ＢはＺｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ及びＩｎの中から選択される１種類以上の元素であり、Ｏは酸素である。Ａサイトの圧電材料としてＰｂを含む構成とすることもできるが、環境面からはＰｂを含まない圧電薄膜が求められる。 【００６９】 下部電極層３としては、Ｐｔ薄膜あるいはＡｕ薄膜を用いるとよい。またはＰｔ合金、Ｉｒ、Ｒｕを含む合金としてもよく、これらの積層構造としてもよい。 【００７０】 以下、圧電薄膜素子の製造方法を記述する。始めに、４インチの円形状のＳｉ基板１の表面に熱酸化膜を形成し、その上に下部電極層３を形成した。なお、熱酸化膜は厚さが１５０ｎｍとなるよう設けた。 【００７１】 下部電極層３は接着層２として形成した厚さ２ｎｍのＴｉ膜とこのＴｉ膜上に電極層として形成した厚さ１００ｎｍのＰｔ薄膜からなる。この電極層の形成にはスパッタリング法を用いた。図１９に示すスパッタリング用ターゲット１２として金属ターゲットを用い、成膜時のスパッタリング投入電力は１００Ｗであり、スパッタリング用ガスには１００％Ａｒガスを使用している。また形成時には基板温度を３５０℃にして成膜を行って、多結晶薄膜のＰｔからなる薄膜を形成した。 【００７２】 次に、この下部電極層上に圧電薄膜層４としてＫＮＮ薄膜を形成した。ＫＮＮ薄膜の成膜にもスパッタリング法を用いて形成した。ＫＮＮ薄膜の形成は、基板温度を７００℃～７３０℃、ＡｒとＯ2の５：５の混合ガスによるプラズマでスパッタリング成膜を実施した。また、ターゲットには（ＮａxＫyＬｉz）ＮｂＯ3 ｘ＝０．５、ｙ＝０．５、ｚ＝０のセラミックターゲットを用いた。膜厚が３μｍになるまで成膜を行った。また、成膜後において大気中で加熱処理を行った。なお、スパッタには自公転炉を用い、スパッタ時の基板とターゲット間の距離（以下、ＴＳ間距離）は５０ｍｍとした。 【００７３】 こうして作製したＫＮＮ膜について、走査電子顕微鏡などで断面形状を観察すると、その組織は柱状構造で構成されていた。一般的なＸ線回折装置で結晶構造を調べた結果、基板加熱を行って形成した実施例１のＰｔ薄膜は、図２のＸ線回折パターン（２θ／θスキャン測定）に示すように、基板表面に垂直な向きに（１１１）面に配向した薄膜が形成されていることが判った。 【００７４】 この（１１１）に優先配向したＰｔ膜上に、ＫＮＮ膜を形成した結果、作製されたＫＮＮ薄膜は、図３に示す擬立方晶のペロブスカイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜であることが判明した。また、図２のＸ線回折パターンから分かるように、（００１）、（００２）、（００３）の回折ピークのみを確認できることから、ＫＮＮ圧電薄膜が概ね（００１）に優先配向していることが予想できた。」 「【００８０】 図５に、実施例１の圧電薄膜における広域逆格子点マップの解析結果を示す。 ・・・ 【００８２】 ・・・この解析結果は当該圧電薄膜において（００１）と（１１１）配向の共存を示唆したものである。 ・・・ 【００９１】 上述したように実施例１によれば、配向成分の強度を正確に計算するには、（００１）配向方向と（１１１）配向方向の間の角度に相当するδの角度が最大となるφ軸の位置におけるＸ線反射プロファイルについて、各配向成分の積分強度計算を行えばよいことが分かった。」 「【０１００】 （実施例４） 図１２～図１５を用いて説明する。 本実施例として、（００１）の配向成分と（１１１）の配向成分の体積分率を意図的に変化させて作製した結果を示す。 【０１０１】 図１２に、スパッタリング成膜法における、成膜温度に対する・・・ ・・・ 【０１０６】 上記実施の形態の一つとして、図１５に断面模式図を示している。（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）７、及び（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）８が共存した状態にある（当審注：「（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）９」、「（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）１０」は、段落【０１１６】及び図１５から、それぞれ誤記と認定した。）。図１５に示すような結晶配向性の状態を実現することによって、内部応力制御による圧電特性向上が可能である。更に応力緩和によって、膜はがれを抑制することが可能であることから、圧電薄膜の機械的強度が向上し、加工容易性に優れた圧電薄膜を提供できる。 複数枚の４インチサイズの基板から取得できた素子の歩留りを確認したところ、（１１１）成分が１％未満の圧電薄膜付き基板から取得した素子では、歩留りが７０％に満たなかったのに対し、（１１１）成分が１％を超える圧電薄膜付き基板から取得した素子では、歩留りが９０％を超える結果となった。 発明者の検討の結果、これはウェハ面内における圧電定数のばらつきの大きさによるものと考えられる。（１１１）配向成分の体積分率とウェハ面内の圧電定数のばらつき（％）の関係について確認をした結果を表１及び図２０に示す。図２０に示すように、ウェハ面内での圧電定数のばらつきについて、（１１１）配向成分の体積分率がほぼ１％となるところで、ばらつきの増大はなく、ほぼ一定となることがわかっている。ここで示す圧電定数のばらつきは、４インチウェハ面内で測定した圧電定数の標準偏差をその平均値で割った相対標準偏差である。このときその値は約２３％であった。しかしながら、（１１１）体積分率が約０．２％では、ばらつきが１５．３％～２７．１％までばらつき、同じ（１１１）体積分率であっても、ウェハ毎にそのばらつきの値の差が大きく、歩留り低下の原因となっている。 【表１】 ［図：0001423447000001.jpg］ 」 「【０１０７】 （実施例５） 図１６～図１８を用いて説明する。 本実施例として、図１６にＫＮＮ圧電薄膜の圧電特性の（１１１）積分強度に対する変化を示す。横軸は（１１１）積分強度、縦軸は圧電定数である。ここでは、例として６．７ＭＶ／ｍあるいは０．６７ＭＶ／ｍで電界を印加したときの圧電定数を示す。尚、圧電定数の単位は任意単位であるが、実際の圧電定数の具体的な例としては、電極面に垂直（厚み方向）な伸縮の変化量であるｄ33、あるいは電極面にそった方向の伸縮の変化量であるｄ31がある。 ・・・ 【０１１０】 次に、（００１）配向成分との比較を行うため、表２及び表２をグラフ化した図１７にＫＮＮ圧電薄膜の圧電特性の（１１１）配向成分比に対する依存性を示す。横軸は（１１１）配向成分の体積分率、縦軸は圧電定数である。本実施例において、印加電界の大きさに関係なく、（１１１）配向の成分が０から２０％の範囲において、（１１１）体積分率が増加するに従い圧電定数が増加することが分かる。 【０１１１】 しかし、（１１１）体積分率が２０％を超えると、当該の体積分率が増加するに従い圧電定数が減少していくことが分かる。特に、４０％を超えると、本実施例で得られた最大値の約半分の値になることが分かる。言い換えれば、本実施例となる圧電薄膜においては、その最大圧電定数の５割以上を確保するためには、（１１１）の体積分率を４０％以上にすることが望ましい。また、一般に圧電材料の圧電特性を向上させるためには、結晶化度を向上させることも重要であり、Ｘ線回折の積分強度が高くなっていることで確認できる。本実施例においては、（１１１）の体積分率が３０％以下で、結晶化度が高くなっており、高い結晶化度を実現した上で最適な体積分率を規定すれば、より高性能な圧電薄膜を実現できる。 【表２】 ［図：0001423447000002.jpg］ 」 「【０１１３】 以上のように、基板上に少なくとも下部電極、圧電薄膜及び上部電極を配した圧電薄膜素子において、その圧電薄膜が擬立方晶あるいは正方晶あるいは斜方晶の結晶構造、あるいはそれらの結晶構造の少なくとも一つが共存した状態を有しており、それら結晶軸のうち２軸以下のある特定の軸に優先的に配向しており、かつ前記配向している結晶軸の成分としての（００１）成分と（１１１）成分比において、それら両者の合計を１００％としたとき、（００１）成分の体積分率が６０から１００％の範囲内にあり、またあるいは、（１１１）成分の体積分率が０から４０％の範囲内にあるように結晶配向性を精密に制御することによって、新規の高性能な圧電薄膜素子の製造が可能になることが分かった。 【０１１４】 ・・・Ｐｔ下部電極上には、ターゲットには（ＮａｘＫｙＬｉｚ）ＮｂＯ3 ｘ＝０．５、ｙ＝０．５、ｚ＝０、ターゲット密度４．６ｇ／ｃｍ3のセラミックターゲットを用い、膜厚が３μｍとなるようＫＮＮ圧電膜の成膜を行った。・・・」 「【符号の説明】 【０１１６】 ・・・ ７ （００１）優先配向結晶粒 ８ （１１１）優先配向結晶粒」 「【図３】 ［図：0001423447000003.jpg］ 」 「【図１５】 ［図：0001423447000004.jpg］ 」 イ 甲第１号証に記載の技術事項 上記アによれば、甲第１号証には、以下の技術事項が記載されている。 （ア）圧電薄膜の結晶配向について、（００１）や（１１１）が共存して優先配向した擬立方晶のＫＮＮ薄膜は、柱状構造の結晶粒子で構成された集合組織を有し、前記下部電極層が（１１１）面に配向して形成されている場合、前記圧電薄膜層は前記下部電極層に対し所定方向に優先配向されて形成されていること（段落【０００２】、【００４５】、【００４８】）。 （イ）実施例１で作製された圧電薄膜素子は、基板と、前記基板の表面に形成される酸化膜と、前記酸化膜上に形成される下部電極層と、前記下部電極層上に形成される、ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ）の圧電薄膜層４と、その上に形成される上部電極層とから構成される積層構造を有すること（段落【０００２】、【００３０】、【００６７】）。 （ウ）実施例１で作製された圧電薄膜素子について、接着層として形成したＴｉ膜と、このＴｉ膜上に電極層として形成したＰｔ薄膜からなる下部電極層３上に、圧電薄膜層４としてＫＮＮ薄膜をスパッタリング法を用いて成膜し、成膜後、大気中で加熱処理を行ったこと（段落【００７１】～【００７２】）。 （エ）実施例１の圧電薄膜層４として形成したＫＮＮ薄膜について、走査電子顕微鏡などで断面形状を観察すると、その組織は柱状構造で構成されており、作製されたＫＮＮ薄膜は、擬立方晶のペロブスカイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜であり、Ｘ線回折パターンから、ＫＮＮ圧電薄膜が概ね（００１）に優先配向していることが予想できたこと（段落【００７２】～【００７４】、図３）。 （オ）実施例１の圧電薄膜の解析結果において、（００１）と（１１１）配向の共存を示唆したものであること（段落【００８０】、【００８２】）。 （カ）実施例４は、スパッタリング成膜法における、（００１）の配向成分と（１１１）の配向成分の体積分率を意図的に変化させて作製した結果であり、複数の（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）、及び複数の（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）が共存した状態にあること（段落【０１００】、【０１０１】、【０１０６】、図１５）。 （キ）図１５から、下部電極層３上の圧電薄膜は、（００１）優先配向結晶粒７と、（１１１）優先配向結晶粒８と、によって構成されていることが見てとれる。 ウ 甲第１号証に記載の発明 上記イ（イ）、（エ）～（キ）から、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「基板と、前記基板の表面に形成される酸化膜と、前記酸化膜上に形成される下部電極層と、前記下部電極層上に形成される、ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ）の圧電薄膜層４と、その上に形成される上部電極層とから構成される積層構造を有する圧電薄膜素子であって、 圧電薄膜層４として形成したＫＮＮ薄膜は、走査電子顕微鏡などで断面形状を観察すると、その組織は柱状構造で構成されており、擬立方晶のペロブスカイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜であり、Ｘ線回折パターンから、ＫＮＮ圧電薄膜が概ね（００１）に優先配向していることが予想でき、 圧電薄膜の解析結果において、（００１）と（１１１）配向の共存が示唆され、複数の（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）、及び複数の（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）が共存した状態にあり、 圧電薄膜は、（００１）優先配向結晶粒７と、（１１１）優先配向結晶粒８と、によって構成されている、圧電薄膜素子。」 （２）甲第３号証の記載 甲第３号証には、以下の事項が記載されている。 「【背景技術】 【０００２】 圧電素子は、一般に、電気機械変換特性を有する圧電体層と、圧電体層を挟持する２つの電極とを有している。このような圧電素子を駆動源として用いたデバイス（圧電素子応用デバイス）の開発が、近年、盛んに行われている。圧電素子応用デバイスの一つとして、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッド、圧電ＭＥＭＳ素子に代表されるＭＥＭＳ要素、超音波センサー等に代表される超音波測定装置、更には、圧電アクチュエーター装置等がある。」 「【課題を解決するための手段】 【０００９】 そこで、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、１層目のＫＮＮ薄膜の厚さを制御することで、膜厚方向の組成分布（Ｋ：Ｎａ）の形状や変動を均一にしてＫＮＮ層全体の均一性を確保し、且つ、組成分布の形状の均一性を維持することで、ＫＮＮ層における各ＫＮＮ薄膜の結晶成長方向を同一にして、連続性を有する結晶粒を形成できることを見出した。」 「【００１９】 以上説明した記録装置Ｉに搭載される記録ヘッド１の一例について、図２～図４を用いて説明する。図２は、液体噴射ヘッドの一例である記録ヘッドの分解斜視図である。図３は、流路形成用の基板の圧電素子側の平面図であり、図４は、図３のＡ－Ａ′線断面図である。 【００２０】 図示するように、基板１０は、例えばシリコン単結晶基板からなり、圧力発生室１２が形成されている。そして、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２が、同じ色のインクを吐出する複数のノズル開口２１と同様にして、Ｘ方向に沿って並設されている。なお、基板１０の材料はシリコン単結晶に限定されず、例えばＳＯＩ、ガラスセラミックス、ステンレス鋼等であってもよい。 【００２１】 基板１０のうち、圧力発生室１２のＹ方向の一端部側には、インク供給路１３と連通路１４が形成されている。インク供給路１３は、圧力発生室１２の片側をＸ方向から絞ることで、その開口面積が小さくなるように構成されている。また、連通路１４は、Ｘ方向において圧力発生室１２と略同じ幅を有している。連通路１４の外側（＋Ｙ方向側）には、連通部１５が形成されている。連通部１５は、マニホールド１００の一部を構成する。マニホールド１００は、各圧力発生室１２の共通のインク室となる。このように、基板１０には、圧力発生室１２、インク供給路１３、連通路１４及び連通部１５からなる液体流路が形成されている。 【００２２】 基板１０の一方の面（－Ｚ方向側の面）上には、例えばＳＵＳ製のノズルプレート２０が接合されている。ノズルプレート２０には、Ｘ方向に沿ってノズル開口２１が並設されている。ノズル開口２１は、各圧力発生室１２に連通している。ノズルプレート２０は、接着剤や熱溶着フィルム等によって基板１０に接合することができる。なお、ノズルプレート２０の材料は、ＳＵＳに限定されず、例えばシリコン単結晶、ＳＯＩ、ガラスセラミックス等であってもよい。 ・・・ 【００２４】 絶縁体膜５２上には、密着層５６を介して、第１電極６０と、圧電体層７０と、第２電極８０とを含む圧電素子３００が形成されている。第１電極６０及び第２電極８０の各材料は、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）等の貴金属が好適である。第１電極６０の及び第２電極８０の各材料は、導電性を有する材料であればよい。第１電極６０及び第２電極８０の各材料は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。」 「【００４８】 次に、圧電素子３００の詳細について、図５を参照して説明する。図５は、記録装置に搭載される記録ヘッドに含まれる圧電素子の概略構成の一例を示す断面図である。図示するように、圧電素子３００は、厚さが約５０ｎｍの第１電極６０と、厚さが約５０ｎｍの第２電極８０と、第１電極６０と第２電極８０との間に設けられた圧電体層７０とを含む。このとき、圧電体層７０は、複数の圧電体膜の積層体であり、３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の厚さを有する第１の圧電体膜７１と、第１の圧電体膜７１上に形成された複数の第２の圧電体膜７２とからなり、第１の圧電体膜７１及び複数の第２の圧電体膜７２内におけるナトリウムの濃度は、膜厚方向（Ｚ方向）に傾斜しており、第１電極６０側が高く、第２電極８０側が低くなっている。 ・・・ 【００５６】 一方、第１の圧電体膜７１の厚さを、３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下にすると、結晶成長の起点が第１電極６０との界面（図６の起点（Ａ））に移動する。即ち、第１の圧電体膜７１のＫＮＮが結晶化するとき、結晶化開始起点が薄膜中又は薄膜表面側ではなく、第１電極６０界面側に存在するようになり、第１の圧電体膜７１（ＫＮＮ膜）のＮａ濃度の傾斜が層表面側で低く、第１電極６０界面側で高くなり、当然のことながら、Ｋ濃度の傾斜はＮａ濃度の傾斜の逆となる。結晶化開始起点が第１電極６０界面側に存在するようになることより、（１１１）面に配向した第１電極６０の結晶状態を反映して、結晶面が（００１）面に高配向し、面内方向と膜厚方向の組成分布が均一なＫＮＮ膜が得られる。この層上に複数の第２の圧電体膜７２（ＫＮＮ膜）が形成されることで、下層のＫＮＮ膜の配向を引き継いで、結晶面が（００１）面に高配向したＫＮＮ膜が積層され、（００１）面に高配向した圧電体層７０（ＫＮＮ層）が得られる。また、圧電体層７０の膜厚方向の組成については、各圧電体膜（ＫＮＮ膜）内でＫ及びＮａの濃度が傾斜するが、各圧電体膜の分布の形状と変動が全ての圧電体膜で略同一となるため、圧電体層７０全体としての均一性を確保することができる。 ・・・ 【００６１】 ここで、（００１）面に高配向した圧電体膜（ＫＮＮ膜）からなる圧電体層７０とは、本実施形態では、ＫＮＮ結晶が（００１）面に対して優先配向しているものをいう。例えば、ＫＮＮ系の複合酸化物からなる圧電体層７０は、（００１）面に自然配向しやすい。この他、必要に応じて設けられる所定の配向制御層によっては、圧電体層７０は、（１１０）面や（１１１）面に優先配向する場合もある。所定の結晶面に優先配向した圧電体層７０は、ランダム配向した圧電体層に比べて、各種の特性の向上を図りやすい。なお、本明細書において、優先配向とは、５０％以上、好ましくは８０％以上の結晶が、所定の結晶面に配向していることを示すものとする。例えば「（００１）面に優先配向している」とは、圧電体層７０の全ての結晶が（００１）面に配向している場合と、半分以上の結晶（５０％以上、好ましくは８０％以上）が（００１）面に配向している場合を含む。」 「【００７９】 上述した通りの構成を有する記録ヘッド１では、外部インク供給手段（例えば図１のカートリッジ２Ａ，２Ｂ）からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ（例えば駆動回路１２０）からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの圧電素子３００に電圧を印加し、圧電素子３００を撓み変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。」 「【０１０４】 上記の実施形態１では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般に適用可能であり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等がある。」 「【符号の説明】 【０１０７】 Ｉ…インクジェット式記録装置（記録装置）、ＩＩ…インクジェット式記録ヘッドユニット（ヘッドユニット）、Ｓ…記録シート、１…インクジェット式記録ヘッド（記録ヘッド）、２Ａ，２Ｂ…カートリッジ、３…キャリッジ、４…装置本体、５…キャリッジ軸、６…駆動モーター、７…タイミングベルト、８…搬送ローラー、１０…基板、１１…隔壁、１２…圧力発生室、１３…インク供給路、１４…連通路、１５…連通部、２０…ノズルプレート、２１…ノズル開口、３０…保護基板、３１…圧電素子保持部、３２…マニホールド部、３３…貫通孔、３５…接着剤、４０…コンプライアンス基板、４１…封止膜、４２…固定板、４３…開口部、５０…振動板、５１…弾性膜、５２…絶縁体膜、５３…マスク膜、５６…密着層、６０…第１電極、７０…圧電体層、７１…第１の圧電体膜、７２…第２の圧電体膜、７３…異相、８０…第２電極、９０…リード電極、１００…マニホールド、１１０…ウェハー、１２０…駆動回路、１２１…接続配線、１３０…保護基板用ウェハー、２００…プリンターコントローラー、３００…圧電素子」 「【図１】 ［図：0001423447000005.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001423447000006.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001423447000007.jpg］ 」 ３ 当審の判断 （１）取消理由１（新規性）について ア 本件訂正発明１について （ア）対比 本件訂正発明１と甲１発明とを対比する。 ａ 甲１発明の「基板」、「下部電極層」、「ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ）の圧電薄膜層４」、「上部電極層」、「圧電薄膜素子」は、それぞれ本件訂正発明１の「基体」、「第１電極」、「カリウム、ナトリウム、およびニオブを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物を含む圧電体層」、「第２電極」、「圧電素子」に相当する。 ｂ 甲１発明において、「圧電薄膜層４として形成したＫＮＮ薄膜は、走査電子顕微鏡などで断面形状を観察すると、その組織は柱状構造で構成されており、擬立方晶のペロブスカイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜であり」、「圧電薄膜の解析結果において、（００１）と（１１１）配向の共存が示唆され、複数の（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）、及び複数の（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）が共存した状態にあ」るところ、「圧電薄膜層４として形成したＫＮＮ薄膜」は、「柱状構造で構成されており、擬立方晶のペロブスカイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜」であるから、圧電薄膜層４の上部電極層側の面は、「（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）」の面と、「（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）」の面と、によって構成されたものであるといえる。 そうすると、甲１発明における、「（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）」、「（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）」は、それぞれ本件訂正発明１の「第２粒子」、「第１粒子」に相当する。 したがって、本件訂正発明１と甲１発明とは、「前記圧電体層の前記第２電極側の面は、第１粒子の面と、第２粒子の面と、によって構成され」たものである点で一致する。 ｃ したがって、本件訂正発明１と甲１発明との一致点と相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「基体に設けられた第１電極と、 第２電極と、 前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、カリウム、ナトリウム、およびニオブを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物を含む圧電体層と、 を含み、 前記圧電体層の前記第２電極側の面は、第１粒子の面と、第２粒子の面と、によって構成された、圧電素子。」 ＜相違点１＞ 本件訂正発明１では、「前記第１粒子の面における凹凸の高さは、前記第２粒子の面における凹凸の高さよりも大き」いのに対し、甲１発明では、「（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）」（第２粒子）の面と、「（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）」（第１粒子）の面について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２＞ 本件訂正発明１では、「前記圧電体層の前記第２電極側の面において、前記第１粒子の面の占有面積は、０％超、１０．０％以下である」のに対し、甲１発明では、「（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）」（第１粒子）の面について、そのような特定はなされていない点。 （イ）判断 ａ 相違点１について （ａ）上記２（１）イ（ア）、（ウ）のとおり、甲第１号証には、Ｔｉ膜と、このＴｉ膜上に電極層として形成したＰｔ薄膜からなる下部電極層３上に、圧電薄膜層４としてＫＮＮ薄膜をスパッタリング法を用いて成膜し、成膜後、大気中で加熱処理を行い、形成したＫＮＮ薄膜の結晶配向について、（００１）や（１１１）が共存して優先配向した擬立方晶のＫＮＮ薄膜は、柱状構造の結晶粒子で構成された集合組織を有し、前記下部電極層が（１１１）面に配向して形成されている場合、前記圧電薄膜層は前記下部電極層に対し所定方向に優先配向されて形成されているとの技術事項が記載されている。 （ｂ）一方、甲１発明において、「基板と、前記基板の表面に形成される酸化膜と、前記酸化膜上に形成される下部電極層と、前記下部電極層上に形成される、ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ）の圧電薄膜層４と、その上に形成される上部電極層とから構成される積層構造を有する圧電薄膜素子であって、圧電薄膜層４として形成したＫＮＮ薄膜は、走査電子顕微鏡などで断面形状を観察すると、その組織は柱状構造で構成されており、擬立方晶のペロブスカイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜であり」、「圧電薄膜の解析結果において、（００１）と（１１１）配向の共存が示唆され、複数の（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）、及び複数の（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）が共存した状態にあ」るから、圧電薄膜層４の上部電極層側の面を構成する面のうち、（００１）優先配向した結晶粒が存在する領域の上面は、ほぼ（００１）面（図３を参照。）となり、（１１１）優先配向した結晶粒が存在する領域の上面は、ほぼ（１１１）面（図３を参照。）となる。 （ｃ）上記（ａ）、（ｂ）のとおり、甲第１号証には、圧電薄膜層４の上部電極層側の面における、（１１１）優先配向した結晶粒（第１粒子）の面と、（００１）優先配向した結晶粒（第２粒子）の面のそれぞれにおける凹凸の高さや平坦性についての技術事項は、記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明において、「前記第１粒子の面における凹凸の高さは、前記第２粒子の面における凹凸の高さよりも大き」いということはできず、相違点１は、実質的な相違点である。 ｂ よって、相違点２について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、甲１発明であるとはいえない。 イ 本件訂正発明４について （ア）対比 本件訂正発明４と甲１発明とを対比する。 ａ 甲１発明の「基板」、「下部電極層」、「ペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ）の圧電薄膜層４」、「上部電極層」、「圧電薄膜素子」は、それぞれ本件訂正発明４の「基体」、「第１電極」、「カリウム、ナトリウム、およびニオブを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物を含む圧電体層」、「第２電極」、「圧電素子」に相当する。 ｂ 甲１発明において、「圧電薄膜層４として形成したＫＮＮ薄膜は、走査電子顕微鏡などで断面形状を観察すると、その組織は柱状構造で構成されており、擬立方晶のペロブスカイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜であり」、「圧電薄膜の解析結果において（００１）と（１１１）配向の共存が示唆され、複数の（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）、及び複数の（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）が共存した状態にあ」るところ、「圧電薄膜層４として形成したＫＮＮ薄膜」は、「柱状構造で構成されており、擬立方晶のペロブスカイト型の結晶構造を有する多結晶薄膜」であるから、圧電薄膜層４の上部電極層側の面は、「（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）」の面と、「（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）」の面と、によって構成されたものであるといえる。 そうすると、甲１発明における、「（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）」、「（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）」は、それぞれ本件訂正発明４の「（１００）配向の第２粒子」、「（１１１）配向の第１粒子」に相当する。 したがって、本件訂正発明４と甲１発明とは、「前記圧電体層の結晶構造を擬立方晶とみなした場合、前記圧電体層は、（１１１）配向の第１粒子と、（１００）配向の第２粒子と、を有し、前記第１粒子は、複数設けられ、前記第２粒子は、複数設けられ、前記圧電体層の前記第２電極側の面は、前記第１粒子の面と、前記第２粒子の面と、によって構成され」たものである点で一致する。 ｃ したがって、本件訂正発明４と甲１発明との一致点と相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「基体に設けられた第１電極と、 第２電極と、 前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、カリウム、ナトリウム、およびニオブを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物を含む圧電体層と、 を含み、 前記圧電体層の結晶構造を擬立方晶とみなした場合、 前記圧電体層は、（１１１）配向の第１粒子と、（１００）配向の第２粒子とを有し、 前記第１粒子は、複数設けられ、 前記第２粒子は、複数設けられ、 前記圧電体層の前記第２電極側の面は、前記第１粒子の面と、前記第２粒子の面と、によって構成される、圧電素子。」 ＜相違点３＞ 本件訂正発明４では、「前記圧電体層の前記第２電極側の面において、前記粒子の面の占有面積は、０％超、１０．０％以下である」のに対し、甲１発明では、「（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）」（第１粒子）の面について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点４＞ 本件訂正発明４では、「前記圧電体層の前記第２電極側の面の方向から見て、複数の前記第２粒子の面は、１つの前記第１粒子の面を囲んでいる」のに対し、甲１発明では、そのような特定はなされていない点。 （イ）判断 ａ 相違点４について 甲第１号証には、圧電薄膜層４（圧電体層）の上部電極層（第２電極）側の面の方向から見て、複数の（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）（第２粒子）の面は、１つの（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）（第１粒子）の面を囲んでいるとの構成は、記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明は、「前記圧電体層の前記第２電極側の面の方向から見て、複数の前記第２粒子の面は、１つの前記第１粒子の面を囲んでいる」ということはできず、相違点４は、実質的な相違点である。 ｂ よって、相違点３について検討するまでもなく、本件訂正発明４は、甲１発明であるとはいえない。 ウ 本件訂正発明２、３、５について 本件訂正発明２、３、５は、それぞれ、本件訂正発明１又は本件訂正発明４に対して、更に発明特定事項を追加した発明である。 よって、上記ア、イで示した理由と同様の理由により、本件訂正発明２、３、５は、甲１発明であるとはいえない。 エ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明１～５は、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではない。 （２）取消理由２（進歩性）について ア 本件訂正発明８、９について （ア）本件訂正発明８、９は、それぞれ、本件訂正発明１又は本件訂正発明４の圧電素子を引用し、更に発明特定事項を追加した液体吐出ヘッド、プリンターの発明である。 したがって、請求項１の記載を引用する本件訂正発明８と甲１発明とを対比すると、上記（１）ア（ア）と同様に、両者は上記相違点１、２と同様な点で少なくとも相違する。 また、請求項４の記載を引用する本件訂正発明８と甲１発明とを対比すると、上記（１）イ（ア）と同様に、両者は上記相違点３、４と同様な点で少なくとも相違する。 （イ）請求項１の記載を引用する本件訂正発明８について検討する。 ａ まず、相違点１について検討する。 上記（１）ア（イ）ａ（ｃ）のとおり、甲第１号証には、圧電薄膜層４の上部電極層側の面における、（１１１）優先配向した結晶粒（第１粒子）の面と、（００１）優先配向した結晶粒（第２粒子）の面の凹凸の高さや平坦性については、記載も示唆もされていないから、甲１発明において、「前記第１粒子の面における凹凸の高さは、前記第２粒子の面における凹凸の高さよりも大き」いということはできない。 また、上記２（２）の甲第３号証の摘記事項及びその他の箇所を参照しても、甲第３号証には、圧電体層７０の複数の第２の圧電体膜７２の最上面（本件訂正発明１の「前記圧電体層の前記第２電極側の面」に相当。）は、「第１粒子の面と、第２粒子との面と、によって構成され」ることや、「前記第１粒子の面」と、「前記第２粒子の面」のそれぞれにおける凹凸の高さや平坦性について、記載も示唆もされていない。 したがって、甲第３号証を参照した当業者であっても、甲１発明において、相違点１に係る本件訂正発明８の構成を採用することを容易になし得たとはいえない。 ｂ よって、相違点２について検討するまでもなく、請求項１の記載を引用する本件訂正発明８は、甲１発明及び甲第３号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）請求項１の記載を引用する本件訂正発明９についても、上記（イ）における判断と同様な理由で、甲１発明及び甲第３号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （エ）請求項４の記載を引用する本件訂正発明８について検討する。 ａ まず、相違点４について検討する。 上記（１）イ（イ）ａのとおり、甲第１号証には、圧電薄膜層４（圧電体層）の上部電極層（第２電極）側の面の方向から見て、複数の（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）（第２粒子）の面は、１つの（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）（第１粒子）の面を囲んでいるとの構成は、記載も示唆もされていないから、甲１発明は、「前記圧電体層の前記第２電極側の面の方向から見て、複数の前記第２粒子の面は、１つの前記第１粒子の面を囲んでいる」ということはできない。 また、上記２（２）の甲第３号証の摘記事項及びその他の箇所を参照しても、甲第３号証には、圧電体層７０は、「（１１１）配向の第１粒子と、（１００）配向の第２粒子と、を有」することや、「前記圧電体層の前記第２電極側の面の方向から見て、複数の前記第２粒子の面は、１つの前記第１粒子の面を囲んでいる」ことについて、記載も示唆もされていない。 したがって、甲第３号証を参照した当業者であっても、甲１発明において、相違点４に係る本件訂正発明８の構成を採用することを容易になし得たとはいえない。 ｂ よって、相違点３について検討するまでもなく、請求項４の記載を引用する本件訂正発明８は、甲１発明及び甲第３号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （オ）請求項４の記載を引用する本件訂正発明９についても、上記（エ）における判断と同様な理由で、甲１発明及び甲第３号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （カ）以上のとおりであるから、本件訂正発明８、９は、甲１発明及び甲第３号証に記載された技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）申立人の意見について ア（ア）申立人は、令和６年７月８日に提出した意見書１／７～２／７ページの３．（１）（１－１）において、以下のとおり主張する。 「特許権者は、意見書において、 「乙第１号証によれば、図２に示すように、・・・。 したがって、取消理由通知書における相違点１の判断の『（１１１）優先配向した結晶粒が存在する領域の上面は、・・・、すなわち、三角錐が並んだ凹凸面となる。』という記載は、誤りであると思料される。」と意見を述べられています。 しかしながら、乙第１号証は、・・・。 また、・・・平坦に保ったまま成長します。。 一方で、基板の表面と結晶表面とが平行でない場合（本発明における（１１１）結晶粒の成長では）、結晶はオフ角をもって成長します。このようなオフ角をもった結晶の成長では、表面（結晶成長面）を平坦に保つことができず、結晶表面は凹凸面（ラフネスを有する面）になります。このことは、結晶成長に関わる当業者にとって公知の事実です。 本件発明のように、（１００）面の結晶粒の成長が支配的な結晶成長では、（１００）面の結晶粒が表面を平坦に保ったまま成長する一方で、（１１１）面の結晶粒は（１００）面に対して非常に大きなオフ角を持って成長します。したがって、（１００）結晶粒の表面は平坦な面となるのに対し、（１１１）結晶粒の表面は凹凸面になります。 ・・・ 以上のことから、「（１１１）優先配向した結晶粒が存在する領域の上面は、・・・、すなわち、三角錐が並んだ凹凸面となる。」という審判官殿の指摘は、正しいと思料いたします。」 （イ）しかしながら、本発明における（１１１）結晶粒の成長のように、基板の表面と結晶表面とが平行でない場合に、結晶はオフ角をもって成長し、結晶表面は凹凸面になる傾向があるということはできるものの、成長した層の表面の状態は、基板又は下地層の材料（組成）及びその表面状態・配向の方向、結晶の成長手法、成長原料（ターゲットや原料ガスなど）、成長する層の組成、成長条件などに依存することが結晶成長の技術の分野における技術常識であるから、結晶表面が必ず凹凸面になるということはできない。 したがって、甲１発明において、圧電薄膜層４の上部電極層側の面を構成する面のうち、（１１１）優先配向した結晶粒が存在する領域の上面が、必ず三角錐が並んだ凹凸面になるということはできない。 よって、申立人の上記主張を、採用することはできない。 イ（ア）申立人は、令和６年７月８日に提出した意見書２／７～５／７ページの３．（１）（１－２）において、当該意見書に添付して提出した参考資料１（Ｓｅｉｊｉ Ｙａｍａｚｏｅ，ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ９５，（米），２００９年，０６２９０６－１～３）及びその翻訳文の記載に基づき、概ね以下のとおり主張する。 ａ 参考資料１の２ページの右欄第１０行～第２４行の記載及び図２から、Ｋ及びＮａのうち少なくともいずれかを含むペロブスカイト構造を含む結晶では、（００１）優先配向した結晶粒子の面は平坦面となり、（１１１）優先配向した結晶粒子の面は三角錐が並んだ凹凸面となることは公知の事実であること（４／７ページ参照。）。 ｂ 「参考資料１からも、「（１１１）優先配向した結晶粒が存在する領域の上面は、・・・、すなわち、三角錐が並んだ凹凸面となる。」という審判官の指摘は、正しいと思料いたします。」（５／７ページ） （イ）参考資料１の要約及び２ページ左欄下から２行～同ページ右欄２４行によると、参考資料１には、配向ＮＮ膜を、パルスレーザ堆積法によって、ＳｒＲｕＯ３／（００１）ＳｒＴｉＯ３［ＳＲＯ／（００１）ＳＴＯ］基板、ＳＲＯ／（１１０）ＳＴＯ基板、およびＳＲＯ／（１１１）ＳＴＯ基板上に成長させたこと、及び、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像から、ＮＮ／ＳＲＯ／（００１）ＳＴＯ、ＮＮ／ＳＲＯ／（１１０）ＳＴＯ、ＮＮ／ＳＲＯ／（１１１）ＳＴＯの表面モフォロジーは、それぞれ、ステップ構造、ストライプパターン、三角錐状構造を呈していることがわかった旨が記載されており、１ページ右欄２２～２３行には、ＳＲＯは、格子定数ａ＝３．９２０Åの擬立方晶のペロブスカイト構造を有すると記載されている。 したがって、参考資料１に記載された配向ＮＮ膜は、パルスレーザ堆積法によって、ＳＲＯ／（００１）ＳＴＯ基板、ＳＲＯ／（１１０）ＳＴＯ基板、およびＳＲＯ／（１１１）ＳＴＯ基板上にＮＮ膜を成長させたものであり、配向ＮＮ膜の表面モフォロジーが、ステップ構造、ストライプパターン、三角錐状構造を呈しているものは、それぞれの基板の配向が異なるものである。 （ウ）一方、甲第１号証の段落【００３５】には、本実施の形態では、圧電薄膜は、ＲＦスパッタリング法を用いて形成される旨が記載されており、同【００３４】には、下部電極層は（１１１）面に配向して形成されるのが好ましいこと、（１１１）面に配向したＰｔ薄膜は、圧電薄膜に対する下地層としても機能することが記載されている。また、同【００４０】には、［下部電極層の結晶配向性］について、ＬＫＮＮ膜の結晶配向性を厳密に管理および制御するために、下部電極のＰｔ薄膜の成膜条件として、（１１１）優先配向となる条件を見出した旨が記載されている。また、同【００４５】～【００４７】には、［圧電薄膜の結晶配向］について、ＬＫＮＮ膜の優先配向性をより確実に実現するために、圧電特性が向上する結晶配向性を有する圧電薄膜の作製条件を見出し、最適化を図ることで達成するのも良い旨、並びに、作製条件や評価及び管理方法などを詳細かつ厳密に検討することによって、（００１）や（１１１）優先配向、あるいは両者が共存して優先配向した擬立方晶のＬＫＮＮ膜を再現良く形成できる旨が記載されている。 すなわち、甲第１号証には、下地層として機能する下部電極層を（１１１）面に配向したＰｔ薄膜とし、その上に、ＲＦスパッタリング法を用いて、作製条件などを詳細かつ厳密に検討することによって、（００１）や（１１１）優先配向、あるいは両者が共存して優先配向した擬立方晶のＬＫＮＮ膜を再現良く形成できる旨が開示されている。 （エ）「圧電薄膜の解析結果において、（００１）と（１１１）配向の共存が示唆」される甲１発明の圧電薄膜層４として形成したＫＮＮ膜は、上記（ウ）によると、（１１１）面に配向したＰｔ薄膜からなる下部電極層上に、ＲＦスパッタリング法によって形成できるものであるといえる。 一方、上記（イ）によると、参考資料１に記載された配向ＮＮ膜は、パルスレーザ堆積法によって、それぞれの配向が異なる基板上に形成したものであって、参考資料１には、ＳｒＲｕＯ３／（１１１）ＳｒＴｉＯ３［ＳＲＯ／（１１１）ＳＴＯ］基板上に形成された、ＮＮ／ＳＲＯ／（１１１）ＳＴＯの表面モフォロジーは、三角錐状構造を呈していることがわかった旨が記載されている。 したがって、甲１発明のＫＮＮ膜は、参考資料１の配向ＮＮ膜とは、基板又は下地層の材料（組成）も結晶の成長手法も異なるものであるから、甲１発明において、圧電薄膜層４の上部電極層側の面を構成する面のうち、「（１１１）優先配向した結晶粒が存在する領域の上面」の状態は、必ずしも参考資料１に示されたように三角錐が並んだ凹凸面となるということはできない。 よって、申立人の上記主張を採用することはできない。 ウ（ア）申立人は、令和６年７月８日に提出した意見書５／７～６／７ページの３．（２）（２－１）において、概略、以下のとおり主張する。 「特許権者は意見書において、 「ここで、本件特許明細書の段落【０１１２】には、『したがって、・・・』と記載されている。当該記載によれば、第１粒子が隣り合う確率が高くなると、クラックの発生する確率が高くなることが分かる。 ・・・ したがって、本件発明４は、甲第１号証に記載された発明ではない。」と意見を述べられています。 （２－２）しかしながら、本件特許明細書の段落０１１２には、・・・ また、本件特許明細書の段落０１１３には、・・・。」と記載されています。 これらの記載から、「第１粒子が隣り合う確率」は、「第１粒子の面の占有面積」に依存することは明らかです。 （２－３）審判官殿ご指摘のとおり、甲第１号証には、「前記圧電体層の前記第２電極側の面において、前記第１粒子の面の占有面積は、０％超、１０．０％以下である」ことが記載されています。 したがって、甲第１号証の圧電膜の上部電極側の面において第１粒子（（１１１）優先配向結晶粒）が隣り合う確率は、本件発明の圧電体層の第２電極側の面において第１粒子が隣り合う確率と同等であると思料いたします。 すなわち、第１粒子の面の占有面積が０％超、１０．０％以下である場合、本件発明の圧電体層の第２電極側の面において（１００）粒子の面で囲われた（１１１）粒子が存在するのであれば、当然に、甲第１号証の圧電薄膜の上部電極の面にも、（００１）粒子の面で囲われた（１１１）粒子の面が存在すると思料いたします。」 （イ）しかしながら、甲第１号証において、圧電薄膜層４（圧電体層）の上部電極層（第２電極）側の面を構成する（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）（第１粒子）の面の占有面積が０％超、１０．０％以下であるとしても、甲第１号証には、圧電薄膜層４（圧電体層）の上部電極層（第２電極）側の面の方向から見て、複数の（００１）優先配向した結晶粒（［００１］軸配向）（第２粒子）の面が、１つの（１１１）優先配向した結晶粒（［１１１］軸配向）（第１粒子）の面を囲んでいるとの構成は、記載も示唆もされていない。 よって、申立人の上記主張を採用することはできない。 第５ 取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許法第２９条第２項（進歩性）について （１）申立人は、特許異議申立書１３～２１ページにおいて、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された事項（甲２記載事項）に基づいて当業者が容易に想到し得るものであり、本件特許発明２～４は、甲第１号証に記載された発明及び甲２記載事項（合議体注：特許異議申立書１７ページ～１９ページの（イ）、（ウ）、（エ）には、「甲１発明又は甲２記載事項」と記載されているが、申立て全体の趣旨に鑑み、「又は」は「及び」の誤記と認めた。）に基づいて当業者が容易に想到し得るものであり、本件特許発明５～７は、甲第１号証に記載された発明、甲２記載事項、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものである旨を主張する。 （２）ア 本件訂正発明１～４について （ア）本件訂正発明１、４について 上記第４の３（１）ア（イ）ａのとおり相違点１は実質的な相違点であるところ、甲第２号証には、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は記載も示唆もされていないから、相違点２について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、甲第１号証に記載された発明及び甲２記載事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 また、上記第４の３（１）イ（イ）ａのとおり相違点４は実質的な相違点であるところ、甲第２号証には、相違点４に係る本件訂正発明４の構成は記載も示唆もされていないから、相違点３について検討するまでもなく、本件訂正発明４は、甲第１号証に記載された発明及び甲２記載事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 （イ）本件訂正発明２、３について 本件訂正発明２、３は、本件訂正発明１において、更に発明特定事項を追加した発明であるから、上記（ア）と同様な理由で、本件訂正発明２、３は、甲第１号証に記載された発明及び甲２記載事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 （ウ）本件訂正発明１～４についてのまとめ 以上のとおり、本件訂正発明１～４は、甲第１号証に記載された発明及び甲２記載事項に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるとはいえない。 イ 本件訂正発明５～９について （ア）本件訂正発明５について ａ 本件訂正発明５は、「請求項１ないし４のいずれか１項」を引用するともに、「前記圧電体層の厚さは、５００ｎｍ以上、２μｍ以下である」との特定事項を有するものである。 ｂ（ａ）甲第３号証には、本件訂正発明５の数値範囲を含む圧電体層の厚さが開示されている。 さらに、甲第３号証には、ＫＮＮ層における各ＫＮＮ薄膜の結晶成長方向を同一にして、連続性を有する結晶粒を形成できること（段落【０００９】）、圧電体層７０は、複数の圧電体膜の積層体であり、第１の圧電体膜７１と、第１の圧電体膜７１上に形成された複数の第２の圧電体膜７２とからなること（段落【００４８】）、（００１）面に高配向した圧電体層７０（ＫＮＮ層）が得られること（段落【００５６】）、（００１）面に高配向した圧電体膜（ＫＮＮ膜）からなる圧電体層７０とは、本実施形態では、ＫＮＮ結晶が（００１）面に対して優先配向しているものをいうこと、及び、必要に応じて設けられる所定の配向制御層によっては、圧電体層７０は、（１１０）面や（１１１）面に優先配向する場合もあること（段落【００６１】）が記載されている。 （ｂ）しかしながら、甲第３号証には、圧電体層７０の複数の第２の圧電体膜７２の最上面（本件訂正発明５の「前記圧電体層の前記第２電極側の面」に相当。）が、「第１粒子の面と、第２粒子との面と、によって構成され」るとの構成、及び、「前記第１粒子の面」と「前記第２粒子の面」の凹凸の高さや平坦性について、記載も示唆もされていない。 したがって、甲第３号証に、「前記第１粒子の面における凹凸の高さは、前記第２粒子の面における凹凸の高さよりも大き」いとの、相違点１に係る本件訂正発明１の構成が、記載されているとはいえない。 （ｃ）また、甲第３号証には、圧電体層７０は、「（１１１）配向の第１粒子と、（１００）配向の第２粒子と、を有」することや、「前記圧電体層の前記第２電極側の面の方向から見て、複数の前記第２粒子の面は、１つの前記第１粒子の面を囲んでいる」ことについて、記載も示唆もされていないから、相違点４に係る本件訂正発明４の構成が記載されているとはいえない。。 ｃ（ａ）よって、上記ア（ア）、（イ）、及びｂ（ｂ）より、相違点２について検討するまでもなく、請求項１の記載を引用する本件訂正発明５は、甲第１号証に記載された発明、甲２記載事項、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 また、上記ア（ア）、（イ）、及びｂ（ｃ）より、相違点３について検討するまでもなく、請求項４の記載を引用する本件訂正発明５は、甲第１号証に記載された発明、甲２記載事項、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 （イ）本件訂正発明６、７について 本件訂正発明６、７は、本件訂正発明１又は４において、更に発明特定事項を追加した発明である。 また、甲第３号証については、上記（ア）ｂのとおりである。 よって、上記ア（ア）、（イ）、及び（ア）ｂ（ｂ）より、相違点２について検討するまでもなく、請求項１の記載を引用する本件訂正発明６、７は、甲第１号証に記載された発明、甲２記載事項、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 また、上記ア（ア）、（イ）、及び（ア）ｂ（ｃ）より、相違点３について検討するまでもなく、請求項４の記載を引用する本件訂正発明６、７は、甲第１号証に記載された発明、甲２記載事項、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 （ウ）本件訂正発明８、９について 本件訂正発明８、９は、本件訂正発明１又は４において、更に発明特定事項を追加した発明である。 また、甲第３号証については、上記（ア）ｂのとおりである。 よって、上記ア（ア）、（イ）、及び（ア）ｂ（ｂ）より、相違点２について検討するまでもなく、請求項１の記載を引用する本件訂正発明６、７は、甲第１号証に記載された発明、甲２記載事項、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 また、上記ア（ア）、（イ）、及び（ア）ｂ（ｃ）より、相違点３について検討するまでもなく、請求項４の記載を引用する本件訂正発明６、７は、甲第１号証に記載された発明、甲２記載事項、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 （エ）本件訂正発明５～９についてのまとめ 以上のとおり、本件訂正発明５～９は、甲第１号証に記載された発明、甲２記載事項、及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 （３）よって、申立人の上記（１）の主張を採用することはできない。 ２ 特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）違反及び同法第３６条第４項第１号（実施可能要件）違反について （１）申立人は、特許異議申立書２６～２７ページの（オ－１）において、「本件特許は、化学溶媒堆積（ＣＳＤ）法により製膜したＫＮＮ膜におけるクラック低減を目的としたものである」、「クラックの頻発は、あくまでもＣＳＤ法により製膜したＫＮＮ膜においてのみ生じる固有の課題である。」、「にもかかわらず、本件特許発明には、「ＫＮＮ層がＣＳＤ法により形成されたものである」旨の限定が何らなされていない。登録時点での本件特許発明の記載には、作用効果を生じさせない範囲が含まれており、この記載は、一般化・拡張され過ぎているといえる。・・・本件特許の明細書は、当業者が本件特許を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないともいえる。」と主張する。 （２）しかしながら、本件訂正発明１及び４は、「圧電素子」に係る「物の発明」であるところ、本件特許明細書の段落【０１０３】、図１２、同【０１１０】、図２０によると、実施例１、２のＫＮＮＭ層は、（１１１）配向の成分を有しており、「第１粒子の面の占有面積」が、それぞれ５．３％の実施例１、及び９．５％の実施例２では、クラックが「無し」であったことが開示されており、また、同段落【００８３】～【００９０】には、実施例１と実施例２の第１ＫＮＮＭ層と２４層又は１９層の第２ＫＮＮＭ層からなる圧電体層を形成する手順等について、具体的に記載されている。 したがって、発明の詳細な説明には、クラックが無いＫＮＮ膜の実施例が開示されており、また、そのＫＮＮ膜を作れるように、その手順等が明確かつ十分に記載されているといえる。 以上のとおりであるから、本件訂正発明１及び４並びに本件訂正後の請求項１又は請求項４の記載を直接的又は間接的に引用する本件訂正発明２、３、５～９は、発明の詳細な説明に記載したものであり、また、本件特許明細書は、当業者が本件訂正発明１～９を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるといえる。 （３）よって、申立人の上記（１）の主張を採用することはできない。 ３ 特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）違反について （１）ア 申立人は、特許異議申立書２８ページの（オ－２）において、本件特許の明細書の段落００４７及び段落００４８の記載によれば、「第１粒子の面の占有面積を調整してクラックの抑制という作用効果を得るには、「圧電体層の厚さが５００ｎｍ以上２μｍ以下」とし、かつ、「第１層と複数の第２層とが積層されて構成されてなる圧電体層のうち、第２層の厚さが５１ｎｍ以下」とすることが必要であることが分かる。にもかかわらず、本件特許発明１－６，８，９には、これらの構成が何ら限定されていない。登録時点での本件特許発明の記載には、作用効果を生じさせない範囲が含まれており、一般化・拡張され過ぎている。」と主張する。 イ 申立人は、特許異議申立書２８～２９ページの（オ－３）において、「しかしながら、たとえ「前記圧電体層の前記面において、前記第１粒子の前記面の占有面積は、０％超、１０．０％以下である」としても、例えば、圧電体層の面内において多数の第１粒子が局所的に凝集している場合等には、第１粒子が隣接することとなり、その結果、クラックが発生する場合があるものと考えられる。事実、…（略）…、クラックが発生したとの説明がある（…（略）…）。してみると、本件特許発明には、「前記圧電体層の前記面において、前記第１粒子の前記面の占有面積は、０％超、１０．０％以下である」こと以外に、圧電体層の面内における第１粒子の分散の度合い等の構成が何ら限定されておらず、作用効果を生じさせない範囲が含まれており、一般化・拡張され過ぎている。」と主張する。 （２）ア しかしながら、本件特許明細書の段落【００２７】には、「圧電体層２０は、第１電極１０上に設けられている。圧電体層２０は、第１電極１０と第２電極３０との間に設けられている。圧電体層２０の厚さは、例えば、５００ｎｍ以上２μｍ以下であり、好ましくは１μｍ以上２μｍ以下である。圧電体層２０は、第１電極１０と第２電極３０との間に電圧が印加されることにより、変形することができる。」と、同段落【００３１】には、「圧電体層２０は、第２層２４を複数有している。第２層２４の数は、特に限定されず、例えば、５層以上３０層以下である。第２層２４は、第１層２２と第２電極３０との間に設けられている。第２層２４の厚さは、例えば、６０ｎｍ以下であり、好ましくは５１ｎｍ以下である。第２層２４は、カリウム、ナトリウム、およびニオブを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物を含む。」と、同段落【００４５】には、「圧電素子１００は、例えば、以下の特徴を有する。」と、同段落【００４６】には、「圧電素子１００では、圧電体層２０の第２電極３０側の面２０ａは、第１粒子２６の面２６ａと、第２粒子２８の面２８ａと、によって構成され、第１粒子２６の面２６ａにおける凹凸の高さは、第２粒子２８の面２８ａにおける凹凸の高さよりも大きく、圧電体層２０の面２０ａにおいて、第１粒子２６の面２６ａの占有面積は、１０．０％以下である。そのため、圧電素子１００では、圧電体層の面において第１粒子の面の占有面積が１０．０％より大きい場合に比べて、後述する「５． 実施例および比較例」に示すように、クラックが発生し難い。」と、同段落【００４７】には、「圧電素子１００では、圧電体層２０の厚さは、５００ｎｍ以上２μｍ以下である。そのため、圧電素子１００では、圧電体層２０によって振動板の変位量を大きくさせつつ、圧電体層２０にクラックが発生することを抑制することができる。」と、同段落【００４８】には、「圧電素子１００では、第１層２２の厚さは、７５ｎｍ以下であり、第２層２４の厚さは、５１ｎｍ以下である。そのため、圧電素子１００では、圧電体層２０の面２０ａにおいて、第１粒子２６の面２６ａの占有面積を、１０．０％以下にすることができる。」と、同段落【０１１３】には、「以上の結果から、第１粒子Ｇ１の面の占有面積が１０．０％以下であれば、第１粒子Ｇ１が圧電体層の上面内で隣り合う確率が低くなり、クラックの発生が抑制されることがわかった。」と記載されている（下線は合議体が付加した。）。 したがって、本件特許明細書には、圧電体層２０の厚さは、例えば、５００ｎｍ以上２μｍ以下であるため、圧電体層２０によって振動板の変位量を大きくさせつつ、圧電体層２０にクラックが発生することを抑制することができ、圧電素子１００が、例えば、第１層２２の厚さは、７５ｎｍ以下であり、第２層２４の厚さは、５１ｎｍ以下であるので、圧電素子１００では、圧電体層２０の面２０ａにおいて、第１粒子２６の面２６ａの占有面積を、１０．０％以下にすることができるため、クラックが発生し難いことが記載されていえるといえる。 よって、「圧電体層の厚さが５００ｎｍ以上２μｍ以下」であり、かつ、「第１層と複数の第２層とが積層されて構成されてなる圧電体層のうち、第２層の厚さが５１ｎｍ以下」ではない場合であっても、圧電体層２０の面２０ａにおいて、第１粒子２６の面２６ａの占有面積を、１０．０％以下にすることができれば、クラックの発生の抑制という作用効果を得られることは明らかであるから、「圧電体層の厚さが５００ｎｍ以上２μｍ以下」とし、かつ、「第１層と複数の第２層とが積層されて構成されてなる圧電体層のうち、第２層の厚さが５１ｎｍ以下」とすることが必要であるということはできない。 イ また、上記アのとおり、本件特許明細書の段落【０１１３】には、「以上の結果から、第１粒子Ｇ１の面の占有面積が１０．０％以下であれば、第１粒子Ｇ１が圧電体層の上面内で隣り合う確率が低くなり、クラックの発生が抑制されることがわかった。」と記載されているのみで、クラックを発生させないとは記載されていないから、クラックの発生が抑制されるという作用効果を得られることは明らかである。 したがって、「圧電体層の面内における第１粒子の分散の度合い等の構成」が限定されていない場合であっても、第１粒子の面の占有面積が１０．０％以下であれば、クラックの発生が抑制されるといえるから、本件訂正発明１～３に、作用効果を生じさせない範囲が含まれているとはいえない。 （３）よって、申立人の上記（１）の主張を採用することはできない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１～９に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１～９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。