2023-020979

特願２０２１－１１９０７５「光学構造」拒絶査定不服審判事件〔令和 ４年 ５月３１日出願公開、特開２０２２－ ８１３９２〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和３年７月１９日（パリ条約による優先権主張２０２０年１１月１９日、米国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和４年 ６月２０日付け：拒絶理由通知書 令和４年 ９月２２日 ：意見書、手続補正書の提出 令和５年 １月１８日付け：拒絶理由通知書 令和５年 ４月２０日 ：意見書、手続補正書の提出 令和５年 ７月３１日付け：拒絶査定（原査定） 令和５年１２月 ８日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和５年１２月８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和５年１２月８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである（下線部は、手続補正書の記載のとおりである。）。 「センサ、 前記センサ上に配置された第１のバンドパスフィルタ、 前記第１のバンドパスフィルタ上に配置された複数の突出部 ガラス基板、および 封入材料を含み、 前記ガラス基板は、前記センサと前記第１のバンドパスフィルタとの間に配置され、 前記第１のバンドパスフィルタは、前記ガラス基板の上側に配置され、 前記突出部は、３．０～５．０の屈折率を有する高屈折率材料を含み、前記高屈折率材料は、ＴｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＨ、またはそれらの組み合わせを含み、 前記封入材料は、前記ガラス基板及び前記第１のバンドパスフィルタを囲む 光学構造。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲 本件補正前の、令和５年４月２０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。 「センサ、 前記センサ上に配置された第１のバンドパスフィルタ、および 前記第１のバンドパスフィルタ上に配置された複数の突出部を含み、 前記突出部は、３．０～５．０の屈折率を有する高屈折率材料を含み、前記高屈折率材料は、ＴｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＨ、またはそれらの組み合わせを含む光学構造。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「第１のバンドパスフィルタ」について、「ガラス基板、および封入材料」を含むものとし、さらに、「前記第１のバンドパスフィルタは、前記ガラス基板の上側に配置され」、「前記ガラス基板は、前記センサと前記第１のバンドパスフィルタとの間に配置され」、「前記封入材料は、前記ガラス基板及び前記第１のバンドパスフィルタを囲む」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本願補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本願補正発明 本願補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献、引用発明等 ア 引用文献１について （ア）原査定の拒絶理由で引用された米国特許出願公開第２０１９／００６４５３２号明細書（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（当審注：和訳は当審で作成し、図面は和訳のみ摘記した。また、下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「[0022] In still yet many other embodiments, the metasurface material disposed in the voids forms the metasurface features of the metasurface element, and wherein the hard mask material is configured as an embedding material having a lower index of refraction at the specified operational bandwidth than the metasurface material. [0023] In still yet many other embodiments, the hard mask material has negligible absorption over the specified operational bandwidth and has an index of refraction at the specified operational bandwidth between about 1 and about 2.4」 （和訳：[0022] さらになお多くの他の実施形態では、窪み内に置かれたメタサーフェス材料は、メタサーフェス素子のメタサーフェス特徴を形成し、かつハードマスク材料は、特定の動作帯域幅においてメタサーフェス材料よりも低い屈折率を有する包埋材料として構成される。 [0023] さらになお多くの他の実施形態では、ハードマスク材料は、特定の動作帯域幅にわたってごくわずかな吸収を有し、特定の動作帯域幅において約１～約２．４の間の屈折率を有する。） 「[0110] Various embodiments are directed to metasurface element enabled sensors including: [0111] at least one sensor element; [0112] at least one first and at least one second metasurface element disposed at an offset distance above the at least one sensor element, and having a first spacing layer disposed therebetween; [0113] wherein each of the at least one first and second metasurface elements comprise an array of metasurface features disposed atop at least one substrate transparent to light over a specified operational bandwidth, the array comprising a plurality of metasurface features having feature sizes smaller than the wavelength of light within the specified operational bandwidth and configured to impose a phase shift on impinging light within the plane of plurality of metasurface features; and [0114] wherein the arrays of metasurface features on each of the at least one first and second metasurface elements are configured to gather light of a specified operational bandwidth across a specified field of view and shift the incoming light such that it impinges the sensor element at a zero or near-zero degree critical ray angle. ・・・ [0124] In still yet various other embodiments, the sensors further include an optical bandpass filter integrated into the outward facing surface of the substrate of the at least one second metasurface. [0125] In still yet various other embodiments, the sensors further include at least third metasurface element disposed between the first and second metasurface elements and the CMOS sensor and configured to angularly diverge the path of the incoming light such that the light impinging on the CMOS sensor has a non-zero chief ray angle. ・・・ [0127] In still yet various other embodiments, the sensor element is a CMOS sensor.」 （和訳：[0110] 様々な実施形態は、以下を含むメタサーフェス素子対応センサーを対象とする： [0111] 少なくとも１つのセンサー素子； [0112] 少なくとも１つのセンサー素子上にオフセット距離を置いて配置された、少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子であって、それらの間に配置された第１の間隔層を有する、少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子； [0113] 少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子の各々は、特定の動作帯域幅にわたって透光性を有する少なくとも１つの基板上に配置されたメタサーフェス特徴の配列を含み、配列は、特定の動作帯域幅内の光の波長よりも小さい特徴サイズを有する複数のメタサーフェス特徴を含み、複数のメタサーフェス特徴の平面内で照射光に位相シフトを課すように構成されており； [0114] 少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子の各々におけるメタサーフェス特徴の配列は、特定の視野にわたって特定の動作帯域幅の光を集光し、入射光をシフトさせて、それがゼロ度またはゼロ度に近い臨界光線角でセンサー素子に当たるように構成される。 ・・・ [0124] さらになお様々な他の実施形態では、センサーはさらに、少なくとも１つの第２のメタサーフェスのその基板における外側に向いた面に組み込まれた光学バンドパスフィルタを含む。 [0125] さらになお様々な他の実施形態では、センサーはさらに、第１及び第２のメタサーフェス素子とＣＭＯＳセンサーとの間に配置されて、入射光の経路を角度的に分岐し、そのためＣＭＯＳセンサーへの照射光が非ゼロの主光線角度を有するように構成された、少なくとも第３のメタサーフェス素子を含む。 ・・・ [0127] さらになお様々な他の実施形態では、センサー素子はＣＭＯＳセンサーである。） 「[0184] FIG.4A to 4C provide schematics of a metasurface element having features of varying cross-section in accordance with embodiments of the invention.」 （和訳：[0184] 図４Ａ～図４Ｃは、本発明の実施形態による様々な断面の特徴を有するメタサーフェス素子の概略図を提供する。） 「[0216] Although throughout this disclosure exemplary materials will be discussed in relation to specific embodiments, it will be understood that any suitable combination of patterning material, hard mask material, and substrate may be used for these purposes. For example, in various embodiments, the substrate material is selected to provide suitable structural support and to be transparent to light over a desired bandwidth. Exemplary substrate materials that have been successfully implemented using the processes described in embodiments include, for example, fused silica, sapphire, borosilicate glass and rare-earth oxide glasses. Similarly, the hard mask material may be chosen from any readily available material suitable for use in semiconductor foundries. Exemplary hard mask materials include, for example, silicon, silicon nitride of various stoichiometries, silicon dioxide, titanium dioxide, alumina etc. In various embodiments, such as, for example, where the hard mask material forms an embedding material (as described in greater detail below) the hard mask material may be chosen to have a low (e.g., from 1 to 2.4) refractive index at a specific wavelength of light. Finally, the patterning material in accordance with embodiments may be formed of any suitable photoresist, such as, for example, a photoresist tuned for a lithographic wavelength capable of forming metasurface features of a desired size. Exemplary lithographic processes include, for example, ultraviolet and deep ultraviolet (DUV) lithography. In other embodiments, the patterning layer may be a polymer material suitable for use in nanoimprint lithography. Independent of the specific material used, the patterning material must be capable of reproducing a desired pattern of features from 10's of nanometers to micron scale, and must suitably protect the underlying hard mask film in selective areas in subsequent steps.」 （和訳：[0216] 本開示全体にわたって、例示的な材料が特定の実施形態に関して説明されるが、パターニング材料、ハードマスク材料、及び基板の任意の適切な組合せがこれらの目的のために使用され得ることが理解されよう。例えば、様々な実施形態では、基板材料は、適切な構造支持を提供するため、及び所望の帯域幅にわたって透光性を有するように選択される。実施形態で説明されるプロセスを使用して成功裏に実装されている例示的な基板材料は、例えば、溶融石英、サファイア、ホウケイ酸ガラス及び希土類酸化物ガラスを含む。同様に、ハードマスク材料は、半導体製造工場での使用に適した任意の容易に入手できる材料から選択され得る。例示的なハードマスク材料は、例えば、ケイ素、様々なストイキオメトリの窒化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナなど、を含む。例えば、ハードマスク材料が包埋材料（以下でさらに詳細に説明するような）を形成する場合などの、様々な実施形態では、ハードマスク材料は、光の特定の波長において低い（例えば、１～２．４）屈折率を有するように選択され得る。最後に、実施形態に従ったパターニング材料は、任意の適切なフォトレジスト、例えば、所望のサイズのメタサーフェス特徴を形成可能なリソグラフィ波長に対して調整されたフォトレジストなど、から形成され得る。例示的なリソグラフィプロセスは、例えば、紫外線及び深紫外線（ＤＵＶ）リソグラフィを含む。他の実施形態では、パターニング層は、ナノインプリントリソグラフィでの使用に適したポリマー材料であり得る。使用される特定の材料とは無関係に、パターニング材料は、数１０ナノメートル～ミクロン規模の所望のパターンの特徴を再現できる必要があり、後続のステップで選択領域内の基礎となるハードマスクフィルムを適切に保護する必要がある。） 「[0219] As shown in FIG. 1D, where a specific metasurface material is to be used in the final metasurface element, the feature pattern (16) formed in the etched hard mask (12) (as described above in FIG. 1C) can act as a template for the final metasurface structure. In such embodiments, a separate metasurface material (18) is deposited using a suitable conformal coating method such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD), etc., to fill the mask negative and produce the metasurface element. As shown the metasurface material (18) overfills the spaces formed by the feature pattern (16) etched in the hard mask (12) to completely fill the voids. In addition to filling the voids (20), this process leaves an over-layer of the metasurface material above the remaining hard mask. Again, although specific metasurface materials will be discussed throughout, it will be understood that metasurface materials in accordance with embodiments may be chosen from any readily available dielectric material having a desired refractive index and suitable for use in semiconductor foundries. Exemplary metasurface materials include, for example, silicon, silicon nitride of various stoichiometries, silicon dioxide, titanium dioxide, alumina etc.」 （和訳：[0219] 図１Ｄに示されるように、特定のメタサーフェス材料が最終メタサーフェス素子で使用される場合、エッチングされたハードマスク（１２）内に形成された特徴パターン（１６）（図１Ｃで前述したとおり）は、最終メタサーフェス構造のためのテンプレートとして機能できる。かかる実施形態では、別個のメタサーフェス材料（１８）が、適切なコンフォーマルコーティング方法、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）など、を使用して蒸着されて、マスクネガを充填してメタサーフェス素子を作製する。図のように、メタサーフェス材料（１８）は、ハードマスク（１２）にエッチングされた特徴パターン（１６）によって形成された空間を過充填して、窪みを完全に充填する。窪み（２０）を充填することに加えて、このプロセスは、残りのハードマスクの上にメタサーフェス材料の蒸着層を残す。再度、特定のメタサーフェス材料が全体にわたって説明されるが、実施形態に従ったメタサーフェス材料は、所望の屈折率を有し、かつ半導体製造工場での使用に適した任意の容易に入手可能な誘電材料から選択され得ることが理解されよう。例示的なメタサーフェス材料は、例えば、ケイ素、様々なストイキオメトリの窒化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナなど、を含む。） 「[0228] For example, FIG. 4A provides a cross-sectional schematic of an exemplary section of a metasurface where an inhomogeneous set of shapes is distributed across the metasurface. In this specific embodiment, square pillars are desired. However, after fabrication what is actually formed within a given metasurface are an array of squares with varying side lengths (e.g., s1), squares with rounded corners of varying radii, re and circles with varying radii r1 or r2. Specifically, the larger features here are designed to be squares or squares with rounded corners; however, as the side lengths of the squares are reduced below some minimum side length the squares become circles. In processes according to embodiments, manufacturing limitations are simulated on each desired metasurface feature shape, and these non-ideal or inhomogeneous feature elements then used to determine the final metasurface element array structure.」 （和訳：[0228] 例えば、図４Ａは、形状の不均一なセットがメタサーフェスにわたって分布されるメタサーフェスの例示的な部分の断面概略図を提供する。この特定の実施形態では、正方形のピラーが望ましい。しかし、製造後、所与のメタサーフェス内で実際に形成されるものは、辺長（例えば、ｓ１）が変化する正方形、変化する半径ｒｅの丸い角の正方形、及び変化する半径ｒ１またはｒ２をもつ円の配列である。具体的には、より大きな特徴はここでは、正方形または丸い角の正方形となるように設計されるが、正方形の辺長が幾分最小辺長を下回って縮小されると、正方形は円になる。実施形態に従ったプロセスでは、製造限界は各所望のメタサーフェス特徴形状に関してシミュレートされ、これらの非理想的であるか、または不均一な特徴の素子が次いで、最終的なメタサーフェス素子配列構造を決定するために使用される。） 「Embodiments for Manufacturing Multiple Metasurface Elements [0230] As previously discussed, various embodiments are directed to methods for wafer bonding two substrates incorporating metasurface elements together. ・・・ [0231] Referring to FIG. 5, a schematic for forming a metasurface doublet in accordance with embodiments is shown. As illustrated, in many such embodiments, a plurality of unique metasurface elements (30 & 32) are fabricated on two distinct substrates (34 & 36). The metasurface elements are then made into a combined system by fusing the bottom (e.g., the portion of the face of the substrate without any metasurface elements) of each unique substrate. ・・・ [0232] Although the disclosure thus far has detailed embodiments incorporating only two metasurface elements, the process may be generalized to any number of metasurface elements. For example, certain applications may require three or more metasurfaces to be combined into a monolithic unit. In such a case, two substrates comprising separate metasurface elements may form the initial uncombined units. An illustration of exemplary embodiment of such a process is provided in FIG. 6. As shown, in many such embodiments, at least one of the metasurface substrates (40) has only one side patterned with a metasurface element (42) while the opposite side of the substrate can be completely unpatterned or may also include a bandpass filter (44) for a specific wavelength of interest. In such embodiments the filter may be formed of one or more suitable materials, including, for example, alternating layers of low index of refraction and high index of refraction materials such as silicon dioxide, titanium dioxide, amorphous silicon, silicon nitride, and aluminum oxide. At least a second metasurface substrate (46) has two unique metasurface elements (48 & 50) on each face of the substrate (this second metasurface substrate may also have been formed through an intermediate bonding step of its own as described above in relation to FIG. 5). The metasurface substrates (40 & 46) are then made into a combined system by fusing the bottom (e.g., the portion of the face of the first substrate (40) without any metasurface elements with the portion of the face of the second substrate (46) containing one of the two metasurface elements (48 & 50)) of each unique substrate. As discussed above, the substrates may be fused by wafer bonding techniques, optical epoxy, or any suitable method for combining the two unique elements into a single element within the allowed thermal budget of the metasurface material used. The bonding material in many embodiments can be adhesives such as benzocyclobutene, cured polymers SU8 or a silicon dioxide film that facilitates a glass bond. In cases where the thermal budget of the metasurface material is low (less than 600℃.) the silicon dioxide bond can be a low temperature plasma-activated SiO2 bond. This bonding material is disposed on or between the faces of the two substrates to be joined. In certain implementations, various metasurface elements can be optionally encapsulated (52 & 54) as outlined above. However, in many embodiments for the facilitation of a bonding process, at least the metasurface element (48) proximal to either the bare substrate face or bandpass filter (44) in the combined triplet device is embedded in a polymer and/or solid-state bonding agent (56).」 （和訳： 多重メタサーフェス素子を製造するための実施形態 [0230] 前述のとおり、様々な実施形態は、２つの基板をウエハ接合してメタサーフェス素子を一緒に統合するための方法を対象とする。 ・・・ [0231] 図５を参照すると、実施形態に従ってメタサーフェスダブレットを形成するための概略図が示されている。図示されているように、多くのかかる実施形態では、複数の固有のメタサーフェス素子（３０＆３２）が２つの別個の基板（３４＆３６）上に作製される。メタサーフェス素子は次いで、各固有の基板の底面（例えば、メタサーフェス素子のない基板の面の部分）を融着することにより接合システムにされる。 ・・・ [0232] 本開示は今まで２つのメタサーフェス素子だけを組み込む実施形態を詳述してきたが、本プロセスは任意の数のメタサーフェス素子に一般化され得る。例えば、ある用途では、３つ以上のメタサーフェスをモノリシックユニットに接合することを要求し得る。かかる場合、別個のメタサーフェス素子を含む２つの基板が、当初の接合されていないユニットを形成し得る。かかるプロセスの例示的な実施形態の図解が図６に提供されている。図に示されるように、多くのかかる実施形態では、メタサーフェス基板（４０）の少なくとも１つは、メタサーフェス素子（４２）でパターン化されたただ一つの面を有しており、他方、その基板の反対側は完全に無パターンにできるか、または対象の特定の波長に対するバンドパスフィルタ（４４）も含み得る。かかる実施形態では、そのフィルタは、1つ以上の適切な材料から形成され得、例えば、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アモルファスシリコン、窒化ケイ素、及び酸化アルミニウムなどの、低屈折率及び高屈折率材料の交互に重なった層を含む。少なくとも第２のメタサーフェス基板（４６）は、その基板の各面上に２つの固有のメタサーフェス素子（４８＆５０）を有する（この第２のメタサーフェス基板は、図５に関連して前述したように、それ自身の中間接合ステップを通して形成されている可能性もある）。メタサーフェス基板（４０＆４６）は次いで、各固有の基板の底面（例えば、メタサーフェス素子のない第１の基板（４０）の面の部分と、２つのメタサーフェス素子（４８＆５０）の１つを含む第２の基板（４６）の面の部分と）を融着することにより接合システムにされる。前述のとおり、基板は、ウエハ接合技術、光エポキシ、または使用されるメタサーフェス材料の許容サーマルバジェット内で２つの固有の素子を単一素子に接合するための任意の適切な方法によって融着され得る。多くの実施形態における接合材料は、ベンゾシクロブテン、硬化ポリマーＳＵ８またはガラス接合を容易にする二酸化ケイ素フィルムなどの、接着剤であり得る。メタサーフェス材料のサーマルバジェットが低い（６００℃未満）事例では、二酸化ケイ素結合は、低温プラズマ活性化ＳｉＯ２接合であり得る。この接合材料は、接合される２つの基板の面上または面の間に配置される。ある実施態様では、様々なメタサーフェス素子は前述したように、任意選択としてカプセル化できる（５２＆５４）。しかし、接合プロセスを容易にするための多くの実施形態では、少なくとも接合されたトリプレットデバイス内でベア基板面またはバンドパスフィルタ（４４）のいずれかの近位にあるメタサーフェス素子（４８）はポリマー及び／または固体接合剤（５６）内に包埋される。） 「図４Ａ ［図：0001422037000001.jpg］ 」 「図６ ［図：0001422037000002.jpg］ 」（当審注：上記図６は、図中の各構成の上下関係等の配置が正しくなるように、右に９０度回転したものであり、以下の図６についての検討は、上記図６の各構成の配置に基づいて行う。） （イ）引用文献１に記載された発明 ａ 上記（ア）の[0110]～[0114]の記載によれば、メタサーフェス素子対応センサーは、 少なくとも１つのセンサー素子、 少なくとも１つのセンサー素子上にオフセット距離を置いて配置された、少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子であって、それらの間に配置された第１の間隔層を有する、少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子を含み、 少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子の各々は、特定の動作帯域幅にわたって透光性を有する少なくとも１つの基板上に配置されたメタサーフェス特徴の配列を含み、配列は、特定の動作帯域幅内の光の波長よりも小さい特徴サイズを有する複数のメタサーフェス特徴を含み、複数のメタサーフェス特徴の平面内で照射光に位相シフトを課すように構成されており、 少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子の各々におけるメタサーフェス特徴の配列は、特定の視野にわたって特定の動作帯域幅の光を集光し、入射光をシフトさせて、それがゼロ度またはゼロ度に近い臨界光線角でセンサー素子に当たるように構成されるものである。 また、同[0124]には、「さらになお様々な他の実施形態では、センサーはさらに、少なくとも１つの第２のメタサーフェスのその基板における外側に向いた面に組み込まれた光学バンドパスフィルタを含む。」と記載されているから、上記メタサーフェス素子対応センサーは、少なくとも１つの第２のメタサーフェスのその基板における外側に向いた面に組み込まれた光学バンドパスフィルタを含むものである。 さらに、同[0125]には、「さらになお様々な他の実施形態では、センサーはさらに、第１及び第２のメタサーフェス素子とＣＭＯＳセンサーとの間に配置されて、入射光の経路を角度的に分岐し、そのためＣＭＯＳセンサーへの照射光が非ゼロの主光線角度を有するように構成された、少なくとも第３のメタサーフェス素子を含む。」との記載、同[0127]には「さらになお様々な他の実施形態では、センサー素子はＣＭＯＳセンサーである。」と記載されているから、上記メタサーフェス素子対応センサーは、第１及び第２のメタサーフェス素子とＣＭＯＳセンサーであるセンサー素子との間に配置されて、入射光の経路を角度的に分岐し、そのためＣＭＯＳセンサーへの照射光が非ゼロの主光線角度を有するように構成された、少なくとも第３のメタサーフェス素子を含むものである。 ｂ 上記ａにおける下線部に注目すると、メタサーフェス素子対応センサーにおいて、少なくとも１つのセンサー素子上にオフセット距離を置いて配置された、少なくとも１つの第１のメタサーフェス素子及び少なくとも１つの第２のメタサーフェス素子の各々は、少なくとも１つの基板上に配置され、少なくとも１つの第２のメタサーフェスのその基板における外側に向いた面に組み込まれた光学バンドパスフィルタを含み、第１及び第２のメタサーフェス素子とＣＭＯＳセンサーであるセンサー素子との間に配置される第３のメタサーフェス素子を含むものであるから、第１のメタサーフェス素子及び第２のメタサーフェス素子は、センサー素子上にオフセット距離を置いて配置され、第１のメタサーフェス素子は第１の基板上に形成され、第２のメタサーフェス素子は第２の基板上に形成され、第２の基板における外側に向いた面に光学バンドパスフィルタが組み込まれ、第１及び第２のメタサーフェス素子とセンサー素子との間に第３のメタサーフェス素子が配置されているといえ、これらの位置関係を図示すると、例えば以下のようになる。 ［図：0001422037000003.jpg］ そうすると、メタサーフェス素子対応センサーは、上から、第２のメタサーフェス素子、第２の基板、光学バンドパスフィルタ、第１のメタサーフェス素子、第１の基板、第３のメタサーフェス素子、センサー素子の順に配置されるといえる。 ｃ 上記（ア）の図６で示される４２、４０、４４、４８、４６、５０は、上記（ア）の[0232]の記載を参酌すると、それぞれ、メタサーフェス素子（４２）、メタサーフェス基板（４０）、バンドパスフィルタ（４４）、メタサーフェス素子（４８）、メタサーフェス基板（４６）、メタサーフェス素子（５０）である。 また、上記（ア）の[0232]は、図６についての説明であるところ、「メタサーフェス基板（４０＆４６）は次いで、各固有の基板の底面」「を融着することにより接合システムにされる」との記載及び「接合プロセスを容易にするための多くの実施形態では、少なくとも接合されたトリプレットデバイス内でベア基板面またはバンドパスフィルタ（４４）のいずれかの近位にあるメタサーフェス素子（４８）はポリマー及び／または固体接合剤（５６）内に包埋される」との記載から、メタサーフェス基板（４０）とメタサーフェス基板（４６）とを接合すると、バンドパスフィルタ（４４）とメタサーフェス素子（４８）とは近位にあるから、図６の左図の配置でそのまま接合させたのが図６の右図であるといえる。 そうすると、図６の右図では、上から、メタサーフェス素子（４２）、メタサーフェス基板（４０）、バンドパスフィルタ（４４）、メタサーフェス素子（４８）、メタサーフェス基板（４６）、メタサーフェス素子（５０）、の順に配置されるといえる。 ｄ 上記ｂにおける各構成の位置関係と、上記ｃにおける各構成の位置関係とを比較すると、上記ｂにおける第２メタサーフェス素子、第２の基板、光学バンドパスフィルタ、第１メタサーフェス素子、第１の基板、第３メタサーフェス素子は、それぞれ、上記ｃにおけるメタサーフェス素子（４２）、メタサーフェス基板（４０）、バンドパスフィルタ（４４）、メタサーフェス素子（４８）、メタサーフェス基板（４６）、メタサーフェス素子（５０）に対応するといえる。 ｅ 上記ａに示したメタサーフェス素子対応センサーの構成を上記ｄにおける検討を踏まえて整理すると、メタサーフェス素子対応センサーは、 センサー素子、 センサー素子上にオフセット距離を置いて配置された、メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）であって、それらの間に配置された第１の間隔層を有する、メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）、 メタサーフェス基板（４０）における外側に向いた面に組み込まれたバンドパスフィルタ（４４）、 メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）とＣＭＯＳセンサーとの間に配置されて、入射光の経路を角度的に分岐し、そのためＣＭＯＳセンサーへの照射光が非ゼロの主光線角度を有するように構成された、メタサーフェス素子（５０）を含み、 メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）の各々は、特定の動作帯域幅にわたって透光性を有するメタサーフェス基板（４６）及びメタサーフェス基板（４０）上に配置されたメタサーフェス特徴の配列を含み、配列は、特定の動作帯域幅内の光の波長よりも小さい特徴サイズを有する複数のメタサーフェス特徴を含み、複数のメタサーフェス特徴の平面内で照射光に位相シフトを課すように構成されており、 メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）の各々におけるメタサーフェス特徴の配列は、特定の視野にわたって特定の動作帯域幅の光を集光し、入射光をシフトさせて、それがゼロ度またはゼロ度に近い臨界光線角でセンサー素子に当たるように構成され、 センサー素子はＣＭＯＳセンサーであり、 上から、メタサーフェス素子（４２）、メタサーフェス基板（４０）、バンドパスフィルタ（４４）、メタサーフェス素子（４８）、メタサーフェス基板（４６）、メタサーフェス素子（５０）、センサー素子の順に配置されるものであるといえる。 ｆ 上記（ア）の[0216]には、「基板材料は、例えば、溶融石英、サファイア、ホウケイ酸ガラス及び希土類酸化物ガラスを含む」と記載され、同[0219]には、「特定のメタサーフェス材料が最終メタサーフェス素子で使用され」、「メタサーフェス材料は、所望の屈折率を有し」、「メタサーフェス材料は、例えば、ケイ素、様々なストイキオメトリの窒化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナなど、を含む」と記載されているから、基板材料は、例えば、溶融石英、サファイア、ホウケイ酸ガラス及び希土類酸化物ガラスを含み、メタサーフェス素子のメタサーフェス材料は、所望の屈折率を有し、例えば、ケイ素、様々なストイキオメトリの窒化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナなど、を含んでいるといえる。 また、上記（ア）の[0022]には、「ハードマスク材料は、特定の動作帯域幅においてメタサーフェス材料よりも低い屈折率を有する包埋材料として構成される」と記載され、同[0023]には、「さらになお多くの他の実施形態では、ハードマスク材料は、特定の動作帯域幅にわたってごくわずかな吸収を有し、特定の動作帯域幅において約１～約２．４の間の屈折率を有する」と記載されているから、ハードマスク材料は、特定の動作帯域幅においてメタサーフェス材料よりも低い屈折率を有し、特定の動作帯域幅において約１～約２．４の間の屈折率を有しているといえる。 ここで、ハードマスク材料が、メタサーフェス材料よりも低い屈折率を有することは、メタサーフェス材料が、ハードマスク材料のよりも高い屈折率を有していると言い換えられるから、メタサーフェス材料は、特定の動作帯域幅において約１～約２．４の間よりも高い屈折率を有しているといえる。 以上から、メタサーフェス素子の材料は、特定の動作帯域幅において約１～約２．４の間よりも高い屈折率を有し、例えば、ケイ素、様々なストイキオメトリの窒化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナなど、を含んでいるといえる。 ｇ 上記(ア)の[0184]には、「図４Ａ～４Ｃは、本発明の実施形態による様々な断面の特徴を有するメタサーフェス素子の概略図を提供する。」と記載され、同[0228]には、「図４Ａは、形状の不均一なセットがメタサーフェスにわたって分布されるメタサーフェスの例示的な部分の断面概略図を提供する。この特定の実施形態では、正方形のピラーが望ましい。しかし、製造後、所与のメタサーフェス内で実際に形成されるものは、辺長（例えば、ｓ１）が変化する正方形、変化する半径ｒｅの丸い角の正方形、及び変化する半径ｒ１またはｒ２をもつ円の配列である」と記載されている。そして、同[0228]で参照される図４Ａでは、正方形の辺長がｓ１～ｓ３で変化し、変化する半径ｒｅの丸い角の正方形及び変化する半径ｒ１又はｒ２をもつ円からなる複数のピラーの配列が見て取れる。 そうすると、メタサーフェス素子は、複数のピラーからなるものであるといえる。 ｈ 上記ｅ～ｇによれば、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「センサー素子、 センサー素子上にオフセット距離を置いて配置された、メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）であって、それらの間に配置された第１の間隔層を有する、メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）、 メタサーフェス基板（４０）における外側に向いた面に組み込まれたバンドパスフィルタ（４４）、 メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）とＣＭＯＳセンサーとの間に配置されて、入射光の経路を角度的に分岐し、そのためＣＭＯＳセンサーへの照射光が非ゼロの主光線角度を有するように構成された、メタサーフェス素子（５０）を含み、 メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）の各々は、特定の動作帯域幅にわたって透光性を有するメタサーフェス基板（４６）及びメタサーフェス基板（４０）上に配置されたメタサーフェス特徴の配列を含み、配列は、特定の動作帯域幅内の光の波長よりも小さい特徴サイズを有する複数のメタサーフェス特徴を含み、複数のメタサーフェス特徴の平面内で照射光に位相シフトを課すように構成されており、 メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）の各々におけるメタサーフェス特徴の配列は、特定の視野にわたって特定の動作帯域幅の光を集光し、入射光をシフトさせて、それがゼロ度またはゼロ度に近い臨界光線角でセンサー素子に当たるように構成され、 センサー素子はＣＭＯＳセンサーであり、 上から、メタサーフェス素子（４２）、メタサーフェス基板（４０）、バンドパスフィルタ（４４）、メタサーフェス素子（４８）、メタサーフェス基板（４６）、メタサーフェス素子（５０）、センサー素子の順に配置されるメタサーフェス素子対応センサーであって、 基板材料は、例えば、溶融石英、サファイア、ホウケイ酸ガラス及び希土類酸化物ガラスを含み、 メタサーフェス素子の材料は、特定の動作帯域幅において約１～約２．４の間よりも高い屈折率を有し、例えば、ケイ素、様々なストイキオメトリの窒化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナなど、を含み、 メタサーフェス素子は、複数のピラーからなる、 メタサーフェス素子対応センサー。」 イ 引用文献２について （ア）原査定の拒絶理由で引用された特開２０１５－９２２３４号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。 「【実施例６】 【００９６】 図２９は、実施例６のレンズを上方から見た平面図であり、図３０はその断面図である。この実施例６のレンズは、所定波長λ（＝１０μｍ）の光を、偏光方向に依存することなく、透過させて集光するものである。 【００９７】 図２９、３０のように、実施例６のレンズは、Ｓｉからなる基板６１の表面に、擬似周期構造層６０を設けたものである。 【００９８】 基板６１は、単結晶のＳｉからなり、厚さ６２５μｍであり、平面視で正方形である。基板６１は単結晶に限らず、アモルファスや多結晶であってもよい。また、平面視の形状は正方形に限らず、円、楕円、長方形などの任意の形状であってもよい。ただし、対称性の高い形状が好ましい。 【００９９】 疑似周期構造層６０は、基板６１の表面を所定のパターンに所定の深さエッチングして形成された構造である。図２９のように、基板６１上の直径１ｍｍの円の領域に形成されている。また、図３０のように、疑似周期構造層６０は、単結晶のＳｉからなるリッジ６２と、空間領域６３とで構成されている。エッチングされずに残された領域がリッジ６２であり、エッチングされた領域が空間領域６３である。 【０１００】 また、擬似周期構造層６０は、擬似周期構造層６０を平面視において正方格子状に区分した際に、各々の面積が等しい正方形である単位セル６５内に、リッジ６２と、空気で満たされたリッジ６２間の領域である空間領域６３とを有した構造である。単位セル６５の一辺の長さ（すなわち単位セル６５の周期長ａ）は２．８μｍである。 【０１０１】 基板６１の屈折率をｎ１、リッジ６２の屈折率をｎ２、空間領域６３の屈折率をｎ３として、ｎ１＝ｎ２＝３．４５、ｎ３はおよそ１であるから、ｎ１＝ｎ２＞ｎ３を満たしている。ただし、屈折率は実施例６のレンズにおいて集光する光の波長（１０μｍ）における値であって、複素屈折率の実部である。 【０１０２】 なお、基板６１およびリッジ６２の材料は、屈折率３以上で所定波長λに対して透過するものであればＳｉ以外を用いてもよい。たとえばＧｅ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＧａＮなどを用いることができる。また、空間領域６３は、ｎ１＝ｎ２＞ｎ３を満たす屈折率ｎ３の材料で埋められていてもよい。ただし、基板６１およびリッジ６２と、空間領域６３を埋める材料との屈折率差はなるべく大きいことが好ましく、屈折率差を１以上とすることが望ましい。 【０１０３】 リッジ６２の高さｈ、すなわち擬似周期構造層６０の厚さは１０μｍであり、どの領域においても一定である。また、リッジ６２の形状は、図３に示す実施例１のレンズのリッジ２０と同様に直方体であり、平面視においては正方形である。その正方形の一辺の長さはｒａである。ここでｒは実施例１において定義した占有率である。リッジ６２の中心と単位セル６５の中心は一致していて、平面視においてリッジ６２の各辺と単位セル６５の各辺は平行である。なお、疑似周期構造層６０の厚さは１０μｍに限らず、実施例６のレンズの作製が容易で透過率に大きな影響を与えない厚さとすればよい。」 （イ）ａ 上記（ア）の【００９７】には、「実施例６のレンズは、Ｓｉからなる基板６１の表面に、擬似周期構造層６０を設けたもの」と記載されており、当該擬似周期構造層６０はレンズを構成するものといえる。 ｂ 上記（ア）の【００９９】には、「単結晶のＳｉからなるリッジ６２」と記載されており、また、同【０１０２】には、「なお、基板６１およびリッジ６２の材料は、屈折率３以上で所定波長λに対して透過するものであればＳｉ以外を用いてもよい。」と記載されている。 そうすると、同【０１０２】における「リッジ６２の材料は」「屈折率３以上で所定波長λに対して透過するものであればＳｉ以外を用いてもよい」との記載は、リッジ６２の材料が同【００９９】に記載のＳｉに限られないこと、すなわち、リッジ６２の材料は、屈折率３以上で所定波長λに対して透過することを満たす材料を利用可能であることを示すといえる。 ｃ 上記（ア）の【０１００】には、「擬似周期構造層６０は、擬似周期構造層６０を平面視において正方格子状に区分した際に、各々の面積が等しい正方形である単位セル６５内に、リッジ６２と、空気で満たされたリッジ６２間の領域である空間領域６３とを有した構造である。単位セル６５の一辺の長さ（すなわち単位セル６５の周期長ａ）は２．８μｍである。」との記載があり、擬似周期構造層６０においては、リッジ６２を有する単位セル６５が周期長ａで設けられる、すなわち、リッジ６２を有する単位セル６５が周期長ａで周期的に設けられるから、擬似周期構造層６０においては、複数のリッジ６２が設けられるといえる。 また、同【０１０３】の「リッジ６２の高さｈ、すなわち擬似周期構造層６０の厚さは１０μｍであり、どの領域においても一定である」との記載及び「リッジ６２の形状は」「直方体」との記載から、リッジ６２はピラーといえる。 ｄ 上記（ア）及び上記ａ～ｃによれば、引用文献２には、以下の技術事項が記載されていると認められる。 「所定波長λの光を透過させて集光するレンズにおいて、レンズを構成する擬似周期構造層は、複数のピラーを有し、複数のピラーの材料は、屈折率３以上で所定波長λに対して透過することを満たす材料を利用可能であること。」 ウ 引用文献３について （ア）当審で新たに引用する特開２０１０－８０５９１号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。 「【００４１】 図１は、概略として、センサチップ１０とレンズチップ４０がスペーサ部１５１を介して貼り合わされている実施例のカメラモジュールの断面図である。 【００４２】 カメラモジュール１００は、レンズモジュールであるレンズチップ４０と、これにスペーサ部１５１で貼り付けられた、貫通電極６を設けた光電変換素子の受光部を含むセンサ部が形成されたシリコン基板であるセンサチップ１０とで構成される。レンズチップ４０はガラス平板４とマスク膜ＭＦとレンズ部１２１とＩＲカットフィルタ１４１とからなり、バックグラインド用固定部付きの透光性光学ウエハから、センサチップと共に個片化されたものである。ＩＲカットフィルタ１４１は、外部から赤外線が受光部１１に入射されて生じるノイズなどを防止する。 ・・・ 【００４７】 スペーサ部１５１で貼り付けられるセンサチップ１０の第１主面には、たとえば、ＣＭＯＳセンサなどの受光素子を含む受光部１１が形成されている。受光部１１上には、光電変換素子のそれぞれに搭載されるオンチップマイクロレンズを設けてもよい。センサチップ１０の受光部１１周囲の第１主面にはこれに接続された内部配線１５及び金属パッド８が受光部１１も含みセンサ部として形成されている。 ・・・ 【００５１】 最後に、レンズチップ４０側面全体及びレンズ周りに黒色などの遮光性樹脂からなるカバー５を設け、側面からの光の進入を防ぐことで、カメラモジュールができる。カバー５は、レンズ部を露出させつつ固定部１３１と固定部１３１、レンズチップ４０、センサチップ１０及びスペーサ部１５１の側面が共通な外部平坦面とを覆うので、固定部１３１により、レンズ部への障害物への衝突防止やカバー材料の節約の効果を奏する。 【００５２】 第１の実施例であるカメラモジュールの製造方法の概略プロセスフローを図に基づいて説明する。 ・・・ 【００５４】 まず、図３に示すように、センサ部１１１の各々では、半導体ウエハ１０１の第１主面上に、光電変換素子を含む受光部１１と、その周囲の金属パッド８とを形成する。受光部１１には、画素の複数をマトリクス配列（たとえば、３０万個程度）したＣＭＯＳイメージセンサを形成する。受光部１１の受光素子毎にマイクロレンズを設けることもできる。各画素には受光素子（埋込型フォトダイオード）毎に数個のＣＭＯＳ（相補性金属酸化膜半導体）トランジスタで構成したアンプを設ける。金属パッド８は、導電性の優れたたとえばアルミニウム（Ａｌ）などの金属が用いられる。 【００５５】 次に、内部配線１５を形成して、受光素子を含む受光部１１とその周囲の金属パッド８と接続する。このようにして、図２に示すように、後工程のダイシング領域となる格子状のスペースを空けて半導体ウエハ１０１の第１主面にセンサ部１１１の複数がアレイとしてマトリクス配列される。 【００５６】 ＜透光性光学ウエハ作製工程＞ 上記半導体ウエハと同じサイズ、６インチもしくは８インチの３００～５００μｍ厚のガラスウエハ（ガラス平板４）を準備する。図４はかかるガラスウエハ４の概略平面図である。以下の工程で、半導体ウエハのマトリクス状センサ部アレイと一致するように、ガラスウエハにレンズ部の複数からなるアレイを形成し、さらに、ＩＲカットフィルタ、レンズ部周りの固定部をも形成して、バックグラインド用固定部付きの透光性光学ウエハを作製する。」 （イ）ａ 上記（ア）の【００５１】には「最後に、レンズチップ４０側面全体及びレンズ周りに黒色などの遮光性樹脂からなるカバー５を設け、側面からの光の進入を防ぐことで、カメラモジュールができる。カバー５は、レンズ部を露出させつつ固定部１３１と固定部１３１、レンズチップ４０、センサチップ１０及びスペーサ部１５１の側面が共通な外部平坦面とを覆う」との記載があり、当該記載におけるレンズチップ４０は、同【００４２】において「レンズチップ４０はガラス平板４とマスク膜ＭＦとレンズ部１２１とＩＲカットフィルタ１４１とからなり」と記載されるものである。また、同【００５１】に記載のカバー５は、遮光性樹脂からなり、レンズチップ４０の側面から光が進入しないようにレンズチップ４０側面全体をカバーするものであるから、封入材料といえる。 そうすると、同【００５１】に記載のカバー５は、側面からの光の進入を防ぐために、ガラス平板４及びＩＲカットフィルタ１４１を含むレンズチップ４０側面全体に設ける、黒色などの遮光性樹脂からなる封入材料といえる。 ｂ 上記（ア）の【００５６】には「ガラスウエハ（ガラス平板４）」との記載があり、ウエハは基板であるから、ガラス平板４はガラス基板といえる。 ｃ 上記（ア）の【００４２】には「ＩＲカットフィルタ１４１は、外部から赤外線が受光部１１に入射されて生じるノイズなどを防止する」との記載があり、ここで、ＩＲとは赤外線であることは技術常識である。 そうすると、同【００４２】に記載のＩＲカットフィルタ１４１は、フィルタで外部からの赤外線をカットすることにより、受光部１１に入射されて生じるノイズなどを防止するものであるから、光学フィルタといえる。 ｄ 上記（ア）及び上記ａ～ｃによれば、引用文献３には、以下の技術事項が記載されていると認められる。 「レンズモジュールであるレンズチップと、第１主面にＣＭＯＳセンサなどの受光素子を含む受光部が形成されたセンサチップと、で構成されるカメラモジュールにおいて、側面からの光の進入を防ぐために、ガラス基板及び光学フィルタを含むレンズチップ側面全体に、黒色などの遮光性樹脂からなる封入材料を設けること。」 （３）対比 本願補正発明と引用発明とを対比する。 ア 引用発明の「ＣＭＯＳセンサーであ」る「センサー素子」は、本願補正発明の「センサ」に相当する。 イ 引用発明は、「上から、メタサーフェス素子（４２）、メタサーフェス基板（４０）、バンドパスフィルタ（４４）、メタサーフェス素子（４８）、メタサーフェス基板（４６）、メタサーフェス素子（５０）、センサー素子の順に配置される」ものであるから、引用発明において、「バンドパスフィルタ（４４）」は、センサー素子上に配置され、かつ、メタサーフェス基板（４６）の上側に配置されるといえ、「メタサーフェス基板（４６）」は、センサー素子とバンドパスフィルタ（４４）との間に配置されるといえる。 また、引用発明において、「メタサーフェス基板（４６）」は、「特定の動作帯域幅にわたって透光性を有する」ものであり、「基板材料は、例えば、溶融石英、サファイア、ホウケイ酸ガラス及び希土類酸化物ガラスを含」むものであるから、メタサーフェス基板（４６）はガラス基板であるといえる。 そうすると、引用発明の「バンドパスフィルタ（４４）」は、センサー素子上に配置され、かつ、メタサーフェス基板（４６）の上側に配置されるといえるから、本願補正発明の「前記センサ上に配置され」、「ガラス基板の上側に配置され」る「第１のバンドパスフィルタ」に相当する。 また、引用発明の「メタサーフェス基板（４６）」は、センサー素子とバンドパスフィルタ（４４）との間に配置されるガラス基板であるといえるから、本願補正発明の「前記センサーと前記第１のバンドパスフィルタとの間に配置され」る「ガラス基板」に相当する。 ウ 引用発明において、「メタサーフェス素子は、複数のピラーからなる」ものである。ここで、ピラーとは柱のことであり突出部といえるから、複数のピラーは複数の突出部といえる。 また、引用発明は、「上から、メタサーフェス素子（４２）、メタサーフェス基板（４０）、バンドパスフィルタ（４４）、メタサーフェス素子（４８）、メタサーフェス基板（４６）、メタサーフェス素子（５０）、センサー素子の順に配置される」ものであるから、引用発明の「メタサーフェス素子（４２）」は、バンドパスフィルタ（４４）上に配置されるものといえる。 そうすると、引用発明の「複数のピラーからなる」「メタサーフェス素子」は、バントパスフィルタ（４４）上に配置された複数の突出部であるといえるから、本願補正発明の「前記第１のバンドパスフィルタ上に配置された複数の突出部」に相当する。 エ 引用発明の「メタサーフェス素子対応センサー」は、「センサー素子、センサー素子上にオフセット距離を置いて配置された、メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）であって、それらの間に配置された第１の間隔層を有する、メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）」を含み、「メタサーフェス素子（４８）及びメタサーフェス素子（４２）の各々は、特定の動作帯域幅にわたって透光性を有するメタサーフェス基板（４６）及びメタサーフェス基板（４０）上に配置されたメタサーフェス特徴の配列を含み、配列は、特定の動作帯域幅内の光の波長よりも小さい特徴サイズを有する複数のメタサーフェス特徴を含み、複数のメタサーフェス特徴の平面内で照射光に位相シフトを課すように構成されて」いるものであるから、照射光に位相シフトを課す光学構造といえる。 そうすると、引用発明の「メタサーフェス素子対応センサー」は、本願補正発明の「光学構造」に相当する。 オ 上記ア～エによれば、本願補正発明と引用発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。 ［一致点］ 「センサ、 前記センサ上に配置された第１のバンドパスフィルタ、 前記第１のバンドパスフィルタ上に配置された複数の突出部 ガラス基板、および 前記ガラス基板は、前記センサと前記第１のバンドパスフィルタとの間に配置され、 前記第１のバンドパスフィルタは、前記ガラス基板の上側に配置される 光学構造。」 ［相違点１］ 突出部について、本願補正発明は、「３．０～５．０の屈折率を有する高屈折率材料を含み、前記高屈折率材料は、ＴｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＨ、またはそれらの組み合わせを含」むのに対し、引用発明は、「特定の動作帯域幅において約１～約２．４の間の屈折率よりも高い屈折率を有し、例えば、ケイ素、様々なストイキオメトリの窒化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナなど、を含む」点。 ［相違点２］ 本願補正発明は、「前記ガラス基板及び前記第１のバンドパスフィルタを囲む」「封入材料」を備えるのに対し、引用発明は当該構成を備えていない点。 （４）相違点についての判断 ア 相違点１について （ア）引用発明の「メタサーフェス素子の材料」は、「特定の動作帯域幅において約１～約２．４の間よりも高い屈折率を有し、例えば、ケイ素、様々なストイキオメトリの窒化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、アルミナなど、を含」むものであるから、二酸化ケイ素、二酸化チタン、すなわち、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２を含むものである。 （イ）引用文献２に記載された技術事項の「レンズ」は、「光を透過させて集光する」ものであるから集光レンズであり、また、「複数のピラーを有」するもの、すなわち複数のピラーからなるものである。 一方、引用発明の「メタサーフェス素子（４２）」は、「メタサーフェス素子（４２）」「におけるメタサーフェス特徴の配列は、特定の視野にわたって特定の動作帯域幅の光を集光する」ものであるから、「メタサーフェス素子（４２）」は、集光レンズであるといえ、また、「メタサーフェス素子（４２）」は、「複数のピラーからなる」ものである。 以上から、引用発明の「メタサーフェス素子（４２）」と引用文献２に記載された技術事項の「レンズ」とは、複数のピラーからなる集光レンズである点で共通するものである。 （ウ）そうすると、引用発明において、「複数のピラーからなる」「メタサーフェス素子（４２）」の材料として、引用文献２に記載された技術事項の「屈折率３以上」である「複数のピラーの材料」を採用し、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２を含むとともに、屈折率が約１～約２．４の間よりも高い３以上である３．０～５．０の高屈折材料とすることは、当業者であれば、必要に応じて適宜なし得る設計事項である。 イ 相違点２について 引用文献３に記載された技術事項の「カメラモジュール」は、「第１主面にＣＭＯＳセンサなどの受光素子を含む受光部が形成されたセンサチップ」を有するものであるから、ＣＭＯＳセンサーを用いたセンサーであるといえる。 一方、引用発明の「メタサーフェス素子対応センサー」は、「ＣＭＯＳセンサーであ」る「センサー素子」を含むものであるから、ＣＭＯＳセンサーを用いたセンサーであるといえる。 以上から、引用発明と引用文献３に記載された技術事項とは、ＣＭＯＳセンサーを用いたセンサーであるという点で技術分野が共通するものである。 そして、引用発明の「メタサーフェス素子対応センサー」において、側面から光が進入すると、ノイズとなることは自明の事項であるから、側面からの光の進入を防ぐための引用文献３に記載された技術事項を適用し、メタサーフェス基板（４６）及びバンドパスフィルタ（４４）の側面全体に黒色などの遮光性樹脂からなる封入材料を設けること、すなわち、黒色などの遮光性樹脂からなる封入材料が、メタサーフェス基板（４６）及びバンドパスフィルタ（４４）を囲むようして、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。 ウ 本願補正発明が奏する効果について 本願補正発明が奏する効果は、引用発明と引用文献２及び３に記載された技術事項が奏する効果から、当業者が予測し得る範囲内のものであって、格別なものではない。 （５）小括 以上のとおり、本願補正発明は、引用発明並びに引用文献２及び引用文献３に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 請求人の主張について 請求人は、審判請求書の「【請求の理由】（３）（３－２）本願が理由２の拒絶理由に該当しない理由」において、「引用文献１の図６には、metasurface element 40、bandpass filter 44、及びsecond metasurface substrate 46を積層させた積層体が開示されています。しかしながら、上記の図６及び引用文献１の段落0232等の記載より、metasurface element 40、bandpass filter 44、及びsecond metasurface substrate 46の積層体は封入材料に囲まれていません。よって、引用文献１には、本発明の上記相違点に係る発明特定事項が開示されていません。」と主張する。 しかしながら、上記２（４）イのとおり、相違点２に係る「前記ガラス基板及び前記第１のバンドパスフィルタを囲む」「封入材料」の構成は、引用発明及び引用文献３に記載された技術事項に基づき当業者が容易に想到し得るものであるから、請求人の主張は採用できない。 ４ 本件補正についてのむすび したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和５年１２月８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和５年４月２０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、上記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１～１０に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明、引用文献２、５、６に記載された技術及び引用文献３、４に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１．米国特許出願公開第２０１９／００６４５３２号明細書 引用文献２．特開２０１５－９２２３４号公報 引用文献３．米国特許出願公開第２０１２／０００１２８６号明細書 引用文献４．米国特許出願公開第２０１６／０２１８１２９号明細書 引用文献５．米国特許出願公開第２０２０／００９８８１４号明細書 引用文献６．特開２０１８－１５６９９９号公報 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１、２の記載、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項は、上記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、上記第２の［理由］２で検討した本願補正発明から、「ガラス基板」に係る限定事項、「第１のバンドパスフィルタ」に係る限定事項、「封入材料」に係る限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに「ガラス基板」に係る限定事項、「第１のバンドパスフィルタ」に係る限定事項、「封入材料」に係る限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用発明、引用文献２及び引用文献３に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、本願発明は「封入材料」に係る限定事項を有しないから、本願発明は、第２の２（３）、（４）アに記載したとおり、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。