2023-015300

特願２０２０－５５０７７１「シリコン時計製造用構成要素の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和１年９月２６日国際公開、ＷＯ２０１９／１８０５９６、令和３年８月２日国内公表、特表２０２１－５１８５４８〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１９年（平成３１年）３月１９日を国際出願日とする外国語特許出願であって（パリ条約による優先権主張 ２０１８年３月２０日（以下「優先日」という。） 欧州）、その手続の経緯の概略は、以下のとおりである。 令和４年 ８月１２日付け：拒絶理由通知書 同年１２月１２日 ：意見書、手続補正書の提出 同月２８日付け：拒絶理由通知書 令和５年 ４月 ５日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ５月 １日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同月１１日 ：原査定の謄本の送達） 同年 ９月１１日 ：審判請求書の提出 第２ 本願発明について １ 本願発明の認定 本願の請求項１～２１に係る発明は、令和５年４月５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～２１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の記載により特定されるとおりのものである。なお、参考図として、本願の【図１】及び【図１５】に図面の簡単な説明及び部材の名称を加筆したものを掲載する。 「【請求項１】 計時器構成要素を製造する方法であって、以下の順番で、 ａ）第１のシリコン層（２）、第２のシリコン層（３）、およびその間の中間酸化シリコン層（４）を備える基板（１）を準備するステップと、 ｂ）前記第１のシリコン層（２）をエッチングして、内部に前記計時器構成要素を形成するステップと、 ｃ）エッチングされた前記第１のシリコン層（２）の少なくとも全てまたは一部によって形成されたウェハー（８）を前記基板（１）から離して前記計時器構成要素を構成するステップと、 ｄ）前記計時器構成要素を熱酸化し、次に脱酸するステップと、 ｅ）熱酸化または堆積によって、前記計時器構成要素上に酸化シリコン層（１０）を形成するステップと、 ｆ）前記ウェハー（８）から前記計時器構成要素を切り離すステップと、 を含む、方法。」 ＜参考図＞ 「【図１】 ［図：0001420941000001.jpg］ 【図１】本発明の特定の実施形態による方法のステップを概略的に示す。」 「【図１５】 ［図：0001420941000002.jpg］ 【図１５】エッチングされたシリコンウェハーが複合基板から切り離される、本発明の特定の実施形態による方法のステップを概略的に示す。」 ２ 作用効果等に関する明細書の発明の詳細な説明の記載 本願発明の技術上の意義の概略を理解するために、明細書の発明の詳細な説明の記載のうち本願発明の作用効果等に関連する部分の記載を抜粋すると、次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものである。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、シリコンで作られた、ひげぜんまい、アンクル、歯車、針、ロッカー、レバー、ばね、またはテンプなどの計時器構成要素を製造する方法に関する。 …（中略）… 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 本発明は、高品質のシリコン計時器構成要素を製造する方法を提案することを目的としている。」 「【発明を実施するための形態】 【０００９】 本発明の特定の実施形態による、特に腕時計用のシリコン計時器構成要素を製造するための方法は、図１～図１１に示された一連のステップを含む。 【００１０】 第１のステップ（図１）において、シリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）タイプの基板１が示される。基板１は、上部シリコン層２、下部シリコン層３、およびその間の中間酸化シリコン層４を含む。シリコンは、単結晶、多結晶、または非結晶質である。これはドープすることができ、またはドープしなくてもよい。上部シリコン層２の厚さは、製造される部品の厚さに応じて選択される。下部シリコン層３は、基板１に、その取り扱いおよび以下に説明する工程の実施を容易にするのに十分な剛性を与える機能を果たす。 【００１１】 第２のステップ（図２）において、フォトリソグラフィーによって構造化されるフォトレジスト層５を上部シリコン層２上に堆積する。正確には、フォトレジスト層５を、転写される典型的にはクロムで作られている構造体７を支持する、典型的にはガラスまたは石英で作られているマスク６を通して紫外線に露光させる。次に、フォトレジスト層５を成長させて硬化させる（図３）。これらの工程の終了時、フォトレジスト層５は、構造体７と同じ形状を有し、結果としてマスクを構成し、この形状は、製造される計時器構成要素群の形状に対応する。 【００１２】 次のステップ（図４）において、上部シリコン層２は、この層２内に計時器構成要素を形成するために、深反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）によってフォトレジストマスク５を通してエッチングされる。エッチングは、中間の酸化シリコン層４によって停止するので、計時器構成要素の正確な厚さを定めることができる。エッチングパラメータは、例えば、粗さまたはフランク角に関して特定の特性を得るために、構成要素に照らして調整をすることができる。上部シリコン層２内に形成された計時器構成要素は好ましくは同一であるが、代替的に、各々が構成要素の１つに対応する複数のグループに分けることができる。例えば、計時器構成要素は、以下のタイプの構成要素、すなわち、ひげぜんまい、アンクル、歯車、詳細にはガンギ車、針、ロッカー、レバー、ばね、テンプ、またはそのような構成要素の一部のうちの少なくとも１つを含む。本発明による方法は、特に有機的構成要素を調整するのに適しており、より一般的には、低質量および／または低慣性を必要とする計時器動作構成要素に適している。 【００１３】 次に、フォトレジストマスク５を化学エッチングまたはプラズマエッチングで除去する（図５）。 【００１４】 次のステップ（図６）において、エッチングされた上部シリコン層２の少なくとも全て又は一部によって形成されたウェハー８を、後述する方法で基板１から離す。このウェハー８は、基本的構造体と、該基本的構造体にエッチング中に残されたが材料ブリッジによって取り付けられた計時器構成要素とを含む。 【００１５】 次に、ウェハー８を、酸化炉に入れて、通常６００℃から１３００℃で熱処理して計時器構成要素の外面全体を酸化させる（図７）。次に、ウェハー８、詳細には計時器構成要素を覆うシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）層９を、ウェハー８からシリコンを消費することで形成し、これはシリコンとシリコン酸化膜との間の境界面がシリコンの表面欠陥を弱めて軽減するようにさせる。続いて、シリコン酸化膜を除去して（図８）、ウェットエッチング、蒸気エッチング、またはドライエッチングすることで、良好な表面仕上げを有する計時器構成要素を得る。特に、ＤＲＩＥエッチングによる側面粗さおよび表面結晶欠陥が大幅に減少する。 【００１６】 本方法のこの段階では、計時器構成要素またはそれらの一部の物理的特性、特にそれらの寸法を測定することが可能である。前の酸化－脱酸ステップのおかげで、これらの物理的特性は、明確に定義され、従って、表面欠陥によって妨げられないので正確に測定することができる。所定のひげぜんまいに関して、それらの剛性を決定することができる。所与のひげぜんまいに関して、剛性は、ひげぜんまいをウェハー８に取り付いた状態でまたはウェハー８から切り離した状態で所定の慣性のテンプに結合して、テンプ－ひげぜんまい組立体の周波数を測定してこの測定値から推定し、ひげぜんまいの剛性を計算することで決定することができる。より詳細には、欧州特許第３１８１９３８号に記載されている方法、すなわち、ひげぜんまいの剛性を決定し、所望の剛性を得るためにひげぜんまいから除去される材料厚さを計算し、次に所望の剛性のひげぜんまいを得るためにこの材料の厚さを除去する方法を実施することができる。この材料厚さを除去するために、図７および８を参照して上述したのと同じ方法で、ウェハー８およびその計時器構成要素を、熱酸化し（図９）、次に脱酸する（図１０）ことができる。剛性を決定し、除去する厚さを計算し、酸化－脱酸によってこの厚さを除去する工程は、必要であれば、ひげぜんまいの寸法精度を改善するために繰り返すことができる。 【００１７】 本方法のさらに他のステップにおいて（図１１）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）層１０を、例えば、熱酸化もしくは化学的または物理的気相成長（ＣＶＤ、ＰＶＤ）によって、ウェハー８およびその計時器構成要素上に形成する。計時器構成要素を被覆するこのシリコン酸化膜層１０は、これらの機械的強度を高める。ひげぜんまいの場合、シリコン酸化膜層１０は、欧州特許第１４２２４３６号および欧州特許第２２１５５３１号に記載されているようにテンプ－ひげぜんまい発振子の周波数が温度に鈍感であるように、シリコンコアの弾性率の温度依存性変動ならびにひげぜんまいを備えることが意図されたテンプの慣性モーメントの温度依存変動を補償するのを可能にする厚さを有する。 【００１８】 最後のステップにおいて、計時器構成要素をウェハー８の基本構造体から切り離す。」 第３ 原査定の概要 原査定の本願発明に係る拒絶の理由２の概要は、次のとおりである。 （進歩性の欠如）本願発明は、本願の優先日前に発行された下記の引用文献２、引用文献３、引用文献５及び引用文献６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 引用文献２．特開２０１６－１７３３５６号公報（周知技術を示す文献） 引用文献３．特開２０１７－１１１１３１号公報 引用文献５．特開２０１６－１３３４９５号公報（周知技術を示す文献） 引用文献６．特開２０１５－１７９０１３号公報（周知技術を示す文献） 第４ 当審の判断 １ 引用文献の記載事項及び引用発明等の認定 (１) 引用文献３の記載事項及び引用発明の認定 ア 引用文献３の記載事項 原査定の拒絶の理由において引用された特開２０１７－１１１１３１号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は合議体が付したものである。 (ア) 段落【０００１】～【０００５】 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、所定の剛性をもつひげぜんまいを製作する方法に関し、より詳細には、補償ひげぜんまいとして使用し、所定の慣性を有するてんぷと協働して所定の振動数を有する共振器を形成するひげぜんまいに関する。 【背景技術】 【０００２】 参照により本出願に組み込まれる欧州特許第１４２２４３６号では、補償ひげぜんまいの形成の仕方を説明しており、この補償ひげぜんまいは、二酸化シリコンで被覆したシリコン心部を備え、所定の慣性を有するてんぷと協働して共振器全体を熱補償する。 【０００３】 そのような補償ひげぜんまいの製作は、多くの利点をもたらすが、欠点も有する。実際、いくつかのひげぜんまいを１つのシリコン・ウエハ内でエッチングするステップは、同じウエハのひげぜんまいの間に著しい形状のばらつきをもたらし、異なる時間でエッチングした２つのウエハのひげぜんまいの間ではより大きなばらつきをもたらす。付随的に、同じエッチング・パターンでエッチングした各ひげぜんまいの剛性は変動しやすく、著しい製作のばらつきをもたらす。 …（中略）… 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 更なる修正作業を必要としないほど寸法が十分に正確であるひげぜんまいの製作方法を提案することによって、上記した欠点の全て又は一部を克服することが本発明の目的である。」 (イ) 段落【００４０】～【００６２】、【図７】、【図８】 「【００４０】 したがって、本発明は、ひげぜんまい５ｃを製作する方法３１に関する。本発明によれば、方法３１は、図８に示すように、少なくとも１つのひげぜんまい５ａの形成を目的とする第１のステップ３３を含み、ひげぜんまい５ａは、例えばシリコン製であり、所定の剛性Ｃをもつ前記ひげぜんまい５ｃを得るのに必要な寸法Ｄｂよりも大きい寸法Ｄａにある。図３からわかるように、ひげぜんまい５ａの断面は、高さＨ1及び厚さＥ1を有する。」 「【図８】 ［図：0001420941000003.jpg］ 」 「【００４１】 好ましくは、ひげぜんまい５ａの寸法Ｄａは、所定の剛性Ｃをもつ前記ひげぜんまい５ｃを得るのに必要なひげぜんまい５ｃの寸法Ｄｂよりも実質的に１％から２０％の間大きい。 【００４２】 好ましくは、本発明によれば、ステップ３３は、図７に示すように、シリコンベース材料ウエハ２３内での深掘り反応性イオン・エッチングにより達成される。対向する面Ｆ1、Ｆ2は、波形になっていることに留意されたい。というのは、ボッシュ深掘り反応性イオン・エッチングは、エッチング及び不活性化の連続ステップにより構成される、波形のエッチングをもたらすためである。」 「【図７】 ［図：0001420941000004.jpg］ 」 「【００４３】 当然、方法を特定のステップ３３に限定することはできない。例として、ステップ３３は、例えばシリコンベース材料ウエハ２３内での化学エッチングにより得ることもできる。更に、ステップ３３は、１つ又は複数のひげぜんまいを形成することを意味し、即ち、ステップ３３は、１つの材料ウエハ内で、個別のばらのひげぜんまいを形成する、又は代替的に、複数のひげぜんまいを形成することができる。 【００４４】 したがって、ステップ３３では、いくつかのひげぜんまい５ａを同じウエハ２３内に寸法Ｄａ、Ｈ1、Ｅ1で形成することができ、寸法Ｄａ、Ｈ1、Ｅ1は、所定の剛性Ｃをもついくつかのひげぜんまい５ｃ、又はいくつかの所定の剛性Ｃをもついくつかのひげぜんまい５ｃを得るのに必要な寸法Ｄｂ、Ｈ3、Ｅ3よりも大きい。 【００４５】 ステップ３３は、所定の剛性Ｃをもつひげぜんまい５ｃを得るのに必要な寸法Ｄｂ、Ｈ3、Ｅ3よりも大きい寸法Ｄａ、Ｈ1、Ｅ1で、単一材料を使用して作製するひげぜんまい５ａを形成することに限定するものでもない。したがって、ステップ３３は、所定の剛性Ｃをもつひげぜんまい５ｃを得るのに必要な寸法Ｄｂ、Ｈ3、Ｅ3よりも大きい寸法Ｄａ、Ｈ1、Ｅ1で、複合材料から作製した、即ちいくつかの個別の材料を備えるひげぜんまい５ａを形成することもできる。 【００４６】 方法３１は、ひげぜんまい５ａの剛性の決定を目的とする第２のステップ３５を含む。このステップ３５は、ウエハ２３に取り付けたままのひげぜんまい５ａ、又はウエハ２３から前もって取り外したひげぜんまい５ａ、又はウエハ２３に取り付けたままのひげぜんまいの全て若しくは１つのサンプル、又はウエハ２３から前もって取り外したひげぜんまいの１つのサンプル、に対し直接実施することができる。 【００４７】 好ましくは、本発明によれば、ひげぜんまい５ａをウエハ２３から取り外したか否かに関わらず、ステップ３５は、ひげぜんまい５ａ、及びひげぜんまい５ａに結合させた所定の慣性Ｉを有するてんぷを備える組立体の振動数ｆを測定することを目的とする第１の段階を含み、次に、第２の段階において、関係式（５）を使用して、第１の段階からひげぜんまい５ａの剛性Ｃを推測する。 【００４８】 この測定段階は、具体的には、動的なものであり、本出願内に参照により組み込まれる欧州特許第２４２３７６４号の教示に従って実施することができる。しかし、代替的に、ひげぜんまい５ａの剛性Ｃを決定するために、欧州特許第２４２３７６４号の教示に従って実施する静的な方法を実施することもできる。 【００４９】 当然、上記で説明したように、方法は、ウエハ毎に唯一のひげぜんまいをエッチングすることに限定するものではないため、ステップ３５は、代表サンプルの平均剛性、又は同じウエハ上で形成した全てのひげぜんまいの平均剛性の決定から構成してもよい。 【００５０】 有利には、本発明によれば、ひげぜんまい５ａの剛性Ｃの決定に基づき、方法３１は、ステップ３７を含み、ステップ３７は、所定の剛性Ｃをもつ前記ひげぜんまい５ｃを得るのに必要な全体寸法Ｄｂを得るために、関係式（２）を使用してひげぜんまい全体から除去すべき材料の厚さを計算すること、即ち、ひげぜんまい５ａの表面から均一又は非均一に除去すべき材料の体積を計算することを目的とする。 【００５１】 方法は、ステップ３９に続き、ステップ３９は、所定の剛性Ｃをもつ前記ひげぜんまい５ｃを得るのに必要な寸法Ｄｂを達成するために、ひげぜんまい５ａから余剰材料を除去することを目的とする。したがって、式（２）に従って、コイルの剛性を決定するのは乗積ｈ・ｅ3であることを考えると、形状変動がひげぜんまい５ａの厚さ及び／又は高さ及び／又は長さに生じていることは重要ではないことを理解されたい。 【００５２】 したがって、外表面から均一な厚さを除去する、外表面から非均一な厚さを除去する、外表面の一部のみから均一な厚さを除去する、又は外表面の一部のみから非均一な厚さを除去することができる。例として、ステップ３７は、ひげぜんまい５ａの厚さＥ1又は高さＨ1のみから材料を除去することから構成することができる。 【００５３】 シリコンベース材料に関連する第１の変形形態では、ステップ３９は、第１の段階ｄ１を含み、第１の段階ｄ１は、ひげぜんまい５ａを酸化することを目的とし、前記厚さの除去すべきシリコンベース材料を二酸化シリコンに変換し、それにより酸化ひげぜんまい５ｂを形成するようにする。この段階ｄ１は、例えば熱酸化によって得ることができる。この熱酸化は、例えば、８００から１２００℃の間の酸化雰囲気中で、水蒸気又は二酸素ガスを用いて達成し、ひげぜんまい５ａ上に酸化シリコンを形成することができる。 【００５４】 図４からわかるように、ひげぜんまい５ａの断面は、高さＨ2及び厚さＥ2を有する。ひげぜんまい５ｂは、前記所定の剛性Ｃをもつひげぜんまい５ｃに必要な全体寸法Ｄｂにある中央シリコンベース部２２、及び周辺二酸化シリコン部２４から形成されることに留意されたい。更に、波形形状が周辺部２４の一部分上には常にもたらされるが、中央部２２上にはもはや存在しない又はほとんど存在しないことがわかる。 【００５５】 ステップ３９は、図５に示すように、第２の段階ｄ２で終了し、第２の段階ｄ２は、ひげぜんまい５ｂから酸化物を除去し、シリコンベース部２２のみを有するひげぜんまい５ｃを得ることを目的とし、このひげぜんまい５ｃは、前記所定剛性Ｃを得るのに必要な全体寸法Ｄｂにあり、具体的には断面が高さＨ3及び厚さＥ3を有する。この段階ｄ２は、例えば化学エッチングによって得ることができる。化学浴は、例えばフッ化水素酸を含み、ひげぜんまい５ｂからこの酸化シリコンを除去することができる。 【００５６】 第２の変形形態では、ステップ３９は、１つの段階ｄ３のみを含み、１つの段階ｄ３は、ひげぜんまい５ａを化学エッチングし、前記所定の剛性Ｃのために必要な寸法Ｄｂ、Ｈ3、Ｅ3でシリコンベースひげぜんまい５ｃを得ることを目的とする。当然、使用する材料に応じて、レーザー・エッチング又は集束イオン・ビーム・エッチング等の他の変形形態を想定することができ、所定の剛性Ｃをもつ前記ひげぜんまい５ｃを得るのに必要な寸法Ｄｂまでひげぜんまい５ａから余分な材料を除去することを可能にする。 【００５７】 方法３１は、ステップ３９で終了することができる。しかし、ステップ３９の後、方法３１は、少なくとももう一度ステップ３５、３７及び３９を実施し、ひげぜんまいの寸法の質を更に改良することができる。ステップ３５、３７及び３９のこれらの繰返しは、例えば、ウエハ２３に取り付けたままのひげぜんまいの全て若しくは１つのサンプルに対しステップ３５、３７及び３９の第１の繰返しを実施し、次に、第２の繰返しにおいて、ウエハ２３から前もって取り外した、第１の繰返しを受けているひげぜんまいの全て若しくは１つのサンプルに対し実施すると、特に有利であり得る。 【００５８】 方法３１は、図８に示す、任意選択のステップ４１、４３及び４５を含む工程４０の全て又は一部に続くことができる。有利には、本発明によれば、方法３１は、このようにステップ４１に続くことができ、ステップ４１は、ひげぜんまいの少なくとも一部の上に、熱変動にあまり反応しないひげぜんまい５、１５を形成する一部分２８を形成することを目的とする。 【００５９】 第１の変形形態では、ステップ４１は、段階ｅ１から構成することができ、段階ｅ１は、所定の剛性Ｃをもつ前記ひげぜんまい５ｃの外表面の一部の上に層を堆積させることを目的とする。 【００６０】 部分２２がシリコンベース材料であるケースでは、段階ｅ１は、ひげぜんまい５ｃを酸化してひげぜんまい５ｃを二酸化シリコンで被覆し、温度補償ひげぜんまいを形成するようにすることから構成してもよい。この段階ｅ１は、例えば熱酸化によって得ることができる。この熱酸化は、例えば、８００から１２００℃の間の酸化雰囲気中で、水蒸気又は二酸素ガスを用いて達成し、ひげぜんまい５ｃ上に酸化シリコンを形成することができる。 【００６１】 図６に示す補償ひげぜんまい５、１５はこのように得られ、補償ひげぜんまい５、１５は、本発明によれば、有利にはシリコン心部２６及び酸化シリコン被覆部２８を備える。したがって、本発明によれば、有利には補償ひげぜんまい５、１５は、特に高さＨ4及び厚さＥ4に関して非常に高い寸法精度を有し、付随的に、共振器１全体に対し非常に優れた温度補償も有する。 【００６２】 シリコンベースひげぜんまいの場合、全体寸法Ｄｂは、欧州特許第１４２２４３６号の教示を使用して求め、上記で説明したように、共振器１の構成部品の全てを製作、即ち補償することを目的とする共振器１に適用することができる。」 イ 引用発明の認定 前記アの引用文献３の記載事項を総合すると、引用文献３には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 ［引用発明］ 「ひげぜんまい５ｃを製作する方法３１に関し、方法３１は、少なくとも１つのひげぜんまい５ａの形成を目的とする第１のステップ３３を含み、（【００４０】」 ステップ３３は、例えばシリコンベース材料ウエハ２３内での化学エッチングにより得ることもでき、ステップ３３は、１つの材料ウエハ内で、個別のばらのひげぜんまいを形成し、又は代替的に、複数のひげぜんまいを形成し、（【００４３】） 方法３１は、ひげぜんまい５ａの剛性の決定を目的とする第２のステップ３５を含み、このステップ３５は、ウエハ２３に取り付けたままのひげぜんまい５ａに対し直接実施することができ、（【００４６】） ステップ３５は、ひげぜんまい５ａ、及びひげぜんまい５ａに結合させた所定の慣性Ｉを有するてんぷを備える組立体の振動数ｆを測定することを目的とする第１の段階を含み、次に、第２の段階において、第１の段階からひげぜんまい５ａの剛性Ｃを推測し、（【００４７】） ひげぜんまい５ａの剛性Ｃの決定に基づき、方法３１は、ステップ３７を含み、ステップ３７は、所定の剛性Ｃをもつ前記ひげぜんまい５ｃを得るのに必要な全体寸法Ｄｂを得るために、ひげぜんまい全体から除去すべき材料の厚さを計算すること、即ち、ひげぜんまい５ａの表面から均一又は非均一に除去すべき材料の体積を計算し、（【００５０】） ステップ３９は、第１の段階ｄ１を含み、第１の段階ｄ１は、ひげぜんまい５ａを酸化することを目的とし、前記厚さの除去すべきシリコンベース材料を二酸化シリコンに変換し、それにより酸化ひげぜんまい５ｂを形成し、この段階ｄ１は、例えば熱酸化によって得ることができ、この熱酸化は、例えば、８００から１２００℃の間の酸化雰囲気中で、水蒸気又は二酸素ガスを用いて達成し、ひげぜんまい５ａ上に酸化シリコンを形成し、（【００５３】） ステップ３９は、第２の段階ｄ２で終了し、第２の段階ｄ２は、ひげぜんまい５ｂから酸化物を除去し、シリコンベース部２２のみを有するひげぜんまい５ｃを得ることを目的とし、このひげぜんまい５ｃは、前記所定剛性Ｃを得るのに必要な全体寸法Ｄｂにあり、具体的には断面が高さＨ3及び厚さＥ3を有し、この段階ｄ２は、例えば化学エッチングによって得ることができ、化学浴は、例えばフッ化水素酸を含み、ひげぜんまい５ｂからこの酸化シリコンを除去することができ、（【００５５】） ステップ３９の後、方法３１は、少なくとももう一度ステップ３５、３７及び３９を実施し、ひげぜんまいの寸法の質を更に改良することができ、ステップ３５、３７及び３９のこれらの繰返しは、ウエハ２３に取り付けたままのひげぜんまいに対しステップ３５、３７及び３９の第１の繰返しを実施し、次に、第２の繰返しにおいて、ウエハ２３から前もって取り外した、第１の繰返しを受けているひげぜんまいに対し実施すると、特に有利であり、（【００５７】） ステップ４１は、段階ｅ１から構成することができ、段階ｅ１は、所定の剛性Ｃをもつ前記ひげぜんまい５ｃの外表面の一部の上に層を堆積させることを目的とし、（【００５９】） 部分２２がシリコンベース材料であるケースでは、段階ｅ１は、ひげぜんまい５ｃを酸化してひげぜんまい５ｃを二酸化シリコンで被覆し、温度補償ひげぜんまいを形成するようにすることから構成してもよく、この段階ｅ１は、例えば熱酸化によって得ることができ、この熱酸化は、例えば、８００から１２００℃の間の酸化雰囲気中で、水蒸気又は二酸素ガスを用いて達成し、ひげぜんまい５ｃ上に酸化シリコンを形成することができ、（【００６０】） ひげぜんまい５ｃを製作する方法３１。（【００４０】）」 (２) 引用文献５の記載事項、引用文献６の記載事項及び技術常識１の認定 ア 引用文献５の記載事項 原査定の拒絶の理由において引用された特開２０１６－１３３４９５号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は合議体が付したものである。 (ア) 段落【０００１】～【０００９】 「【技術分野】 【０００１】 この発明は、時計における機械部品を構成する時計部品の製造方法および時計部品に関する。 【背景技術】 【０００２】 機械式時計の駆動機構は、ひげぜんまいやてん輪などによって構成される調速機構（てんぷ）や、がんぎ車およびアンクルによって構成される脱進機を備えている。ひげぜんまいは、従来、金属を加工して形成することが広くおこなわれていたが、その加工精度のばらつきや金属が有する内部応力の影響などによって、設計通りの形状が得られないことがあった。また、金属製のひげぜんまいは、長期間伸縮を繰り返すことにより変形してしまうことがあった。 【０００３】 このようなひげぜんまいを用いて構成される時計は計時の精度に劣るため、従来、金属材料に代えて、水晶やシリコンなどの結晶構造を有する材料をエッチング加工することによって、金属製のひげぜんまいよりも高精度かつばらつきを抑えたひげぜんまいを製造する技術があった。また、水晶やシリコンなどの結晶構造を有する材料は金属と比較して環境温度に対して変形が少ないため、水晶やシリコンなどの結晶構造を有する材料を用いて形成したひげぜんまいは、金属製のひげぜんまいよりも良好な温度特性を示す。 【０００４】 一方で、水晶やシリコンなどの結晶構造を有する材料は脆性材料であるため、水晶やシリコンなどの結晶構造を有する材料を用いたひげぜんまいは、金属製のひげぜんまいと比較して、耐衝撃性に劣る。 【０００５】 関連する技術として、具体的には、従来、たとえば、機械式時計の駆動機構を構成する時計部品を、シリコン製のコアと当該コアの表面に成膜した二酸化珪素などの非晶質材料とによって形成するようにした技術があった（たとえば、下記特許文献１～３を参照。）。 【先行技術文献】 【特許文献】 【０００６】 【特許文献１】実用新案登録第３１５４０９１号公報 【特許文献２】特許第５３７８６５４号公報 【特許文献３】特許第４５１５９１３号公報 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 しかしながら、上述した特許文献１～３に記載された従来の技術は、いずれも、時計部品の外表面を被覆する膜（被覆、被覆層あるいは外側層）を、当該膜によって被覆されるコアを形成した後に成膜しているため、製造される時計部品の外形寸法にばらつきが生じてしまうという問題があった。 【０００８】 そして、時計部品の外形寸法にばらつきが生じることにより、このような時計部品を、たとえば、特許文献１～３に記載された従来の技術のように、ひげぜんまいとして用いる場合には、振動数の精度が低下してしまい、当該時計部品を用いて構成される時計による計時の精度が低下してしまうという問題があった。 【０００９】 この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、温度特性に優れ、耐久性の高い時計部品を、高精度に製造することができる時計部品の製造方法および時計部品を提供することを目的とする。」 (イ) 段落【００３７】～【００６３】、【図３Ａ】～【図３Ｋ】、【図４】 「【００３７】 （実施の形態１） （時計部品の製造方法） つぎに、この発明にかかる実施の形態１の、機械式時計の駆動機構１０１を構成する時計部品の製造方法について説明する。実施の形態１においては、機械式時計の駆動機構１０１を構成する時計部品として、ひげぜんまい１０８の製造方法について説明する。 【００３８】 図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、図３Ｈ、図３Ｉ、図３Ｊ、図３Ｋおよび図４は、この発明にかかる実施の形態１の、機械式時計の駆動機構１０１を構成する時計部品（ひげぜんまい１０８）の製造方法を示す説明図である。実施の形態１の製造方法によるひげぜんまい１０８の製造に際しては、まず、支持層３１１の一面側に、酸化膜３１２（Ｂｏｘ層）を形成する（図３Ａを参照）。支持層３１１は、シリコンからなる。酸化膜３１２は、二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなる。」 「【図３Ａ】 ［図：0001420941000005.jpg］ 」 「【００３９】 この実施の形態１においては、以降、支持層３１１における酸化膜３１２が形成される一面、すなわち、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、図３Ｈ、図３Ｉ、図３Ｊおよび図３Ｋにおける支持層３１１の紙面上側の面を、支持層３１１の「おもて面」として説明する。また、この実施の形態１においては、以降、支持層３１１におけるおもて面とは反対側の面、すなわち、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、図３Ｈ、図３Ｉ、図３Ｊおよび図３Ｋにおける支持層３１１の紙面下側の面を、支持層３１１の「裏面」として説明する。 【００４０】 酸化膜３１２は、以降の工程において、深掘りＲＩＥ技術によるエッチング加工をおこなう際のストッパとして機能する。酸化膜３１２は、公知の各種の成膜技術や公知の各種の酸化技術を用いて形成することができる。酸化膜３１２の形成方法については説明を省略する。 【００４１】 この実施の形態１においては、上記の支持層３１１と同様に、以降、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、図３Ｈ、図３Ｉ、図３Ｊおよび図３Ｋにおける酸化膜３１２の紙面上側の面を、酸化膜３１２の「おもて面」として説明する。また、この実施の形態１においては、以降、酸化膜３１２におけるおもて面とは反対側の面、すなわち、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、図３Ｈ、図３Ｉ、図３Ｊおよび図３Ｋにおける酸化膜３１２の紙面下側の面を、酸化膜３１２の「裏面」として説明する。 【００４２】 つぎに、酸化膜３１２のおもて面に、Ｓｉ層（活性層）３１３を形成する（図３Ａを参照）。この実施の形態１においては、上記の支持層３１１や酸化膜３１２と同様に、以降、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、図３Ｈ、図３Ｉ、図３Ｊおよび図３Ｋにおける活性層３１３の紙面上側の面を、活性層３１３の「おもて面」として説明する。また、この実施の形態１においては、以降、活性層３１３における酸化膜３１２側の面、すなわち、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ、図３Ｈ、図３Ｉ、図３Ｊおよび図３Ｋにおける活性層３１３の紙面下側の面を、活性層３１３の「裏面」として説明する。 【００４３】 活性層３１３は、公知の各種の成膜技術を用いて形成することができる。活性層３１３の形成方法については説明を省略する。この実施の形態１において、機械式時計の駆動機構１０１を構成する時計部品であるひげぜんまい１０８は、活性層３１３に形成される。ここに、支持層３１１、酸化膜３１２および活性層３１３により、積層基板（ＳＯＩ基板）３１４が実現される。 【００４４】 ＳｉＯ2のヤング率の温度特性は、Ｓｉのヤング率とは逆の温度特性を示す。ヤング定数（Ｙｏｕｎｇ’ｓ ｍｏｄｕｌｕｓ）は、フックの法則が成立する弾性範囲における同軸方向のひずみと応力との比例定数であって、物体に対して当該物体を引っ張る方向に外力を加えた場合における、当該物体の伸びと当該物体に加えられた外力との関係から求められる。ヤング定数は、縦弾性係数、曲げ剛性あるいはたわみ剛性などとも称される。具体的に、たとえば、断面積（Ｓ）の物体に力（Ｆ）が加えられることによって、当該物体の元の長さ（Ｌ）が（ΔＬ）だけ伸びた場合のヤング率（Ｅ）は、Ｅ＝（Ｆ／Ｓ）／（ΔＬ／Ｌ）であらわされる。 【００４５】 つぎに、積層基板３１４における活性層３１３のおもて面に、フォトレジストを塗布し、塗布したフォトレジストを、機械式時計の駆動機構１０１を構成する時計部品の形状に基づいたパターン状に露光する。この実施の形態１においては、機械式時計の駆動機構１０１を構成する時計部品を、たとえば、ひげぜんまい１０８によって形成する例について説明する。このため、この実施の形態１においては、活性層３１３のおもて面に塗布したフォトレジストを、ひげぜんまい１０８の形状に基づいたパターン状に露光する。 【００４６】 ひげぜんまい１０８の形状に基づいたパターンは、たとえば、ひげぜんまい１０８の形状を規定する部品パターンと、当該ひげぜんまい１０８の周囲においてひげぜんまい１０８を囲むように設けられる枠パターンと、これら２つのパターン（部品パターンと枠パターン）を接続する接続用パターンと、からなる（図４を参照）。部品パターンと枠パターンとを接続する接続用パターンは、たとえば、ひげぜんまい１０８における外周側の端部（ひげ持２０３）と、ひげぜんまい１０８の周囲に設けられる枠パターンと、を接続する。」 「【図４】 ［図：0001420941000006.jpg］ 」 「【００４７】 フォトレジストは、光（あるいは電子線など）に露光されることによって現像液に対する溶解性などの物性が変化する感光性の物質であって、たとえば、露光されることによって現像液に対して溶解性が増大するポジ型のフォトレジストを用いることができる。あるいは、ポジ型のフォトレジストに代えて、たとえば、露光されることによって現像液に対して溶解性が低下するネガ型のフォトレジストを用いてもよい。 【００４８】 その後、露光後のＳＯＩ基板を現像液によって処理することによって、活性層３１３のおもて面側に、機械式時計の駆動機構１０１を構成する時計部品であるひげぜんまい１０８の形状に基づいたマスク３２１を形成する（図３Ｂを参照）。ここに、マスク３２１を形成する工程によって、この発明にかかる時計部品の製造方法におけるマスク形成工程を実現することができる。」 「【図３Ｂ】 ［図：0001420941000007.jpg］ 」 「【００４９】 マスク３２１は、上記の露光におけるパターンにしたがって、ひげぜんまい１０８の形状を規定する部品パターンと、ひげぜんまい１０８を囲むように設けられる枠パターンと、接続用パターンと、からなる（図４を参照）。このような、フォトリソグラフィ技術を用いてマスク３２１を形成することにより、マスク３２１を、ひげぜんまい１０８の形状にしたがって高精度に形成することができる。 【００５０】 つぎに、活性層３１３に対して、マスク３２１部分を残して残余を除去するエッチング加工をおこなう（図３Ｃを参照）。ここに、活性層３１３に対するマスク３２１を用いたエッチング加工をおこなう工程によって、エッチング工程を実現することができる。活性層３１３に対するエッチング加工は、エッチングガスなどの反応性の気体、イオン、ラジカルなどによって材料をエッチングするドライエッチング加工によって実現することができる。上記のように、フォトリソグラフィ技術を用いて高精度に形成されたマスク３２１を用いてエッチング加工をおこなうことにより、活性層３１３を、ひげぜんまい１０８の形状にしたがって高精度に加工することができる。」 「【図３Ｃ】 ［図：0001420941000008.jpg］ 」 「【００５１】 活性層３１３に対するエッチング加工は、ドライエッチング加工の一つである反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）が好ましく、深掘りＲＩＥ技術によるドライエッチング加工によって実現することがより好ましい。活性層３１３に対するエッチング加工を、深掘りＲＩＥ技術によるドライエッチング加工によって実現することにより、高い精度での微細加工をおこなうことができる。具体的には、この実施の形態１の時計部品の製造方法においては、たとえば、ＳＦ6（六フッ化硫黄）とＣ4Ｆ8（八フッ化シクロブタン）との混合ガス（ＳＦ６＋Ｃ４Ｆ８）を用いて、活性層３１３を深掘りＲＩＥ技術でドライエッチングする。 【００５２】 反応性イオンエッチングは、ドライエッチングに分類される微細加工技術の一つであり、反応室内でエッチングガスに電磁波などを与えプラズマ化するとともに、試料が載置される陰極に高周波電圧を印加することにより試料とプラズマの間に自己バイアス電位を生じさせ、この自己バイアス電位によってプラズマ中のイオン種やラジカル種を試料方向に加速して衝突させ、イオンによるスパッタリングと、エッチングガスの化学反応とを同時に生じさせることによって試料の加工をおこなう。深掘りＲＩＥ（Ｄｅｅｐ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の一つであり、狭く深い範囲のエッチング加工、すなわち、アスペクト比の高いエッチング加工をおこなうことができる。 【００５３】 図４は、活性層３１３に対するエッチング加工をおこなった後の積層基板３１４を示す平面図である。図４においては、活性層３１３に対するエッチング加工をおこなった後の積層基板３１４を、当該積層基板３１４における活性層３１３側から見た状態を示している。図４において、エッチング加工をおこなうことにより、活性層３１３には、部品パターンに基づく部品部４０１と、枠パターンに基づく枠部４０２と、接続用パターンに基づく接続部４０３と、が形成される。 【００５４】 接続部４０３は、部品部４０１と枠部４０２とを接続する。接続部４０３の外形寸法（太さ）は、ひげぜんまい１０８のひげ玉２０２となる部分の外形寸法（太さ）よりも細い。活性層３１３に対するエッチング加工をおこなった後の積層基板３１４においては、枠部４０２の内側に、接続部４０３を介して接続された部品部４０１が浮いている状態とされる。 【００５５】 つぎに、活性層３１３に形成したマスク３２１を除去（剥離）した（図３Ｄを参照）後、支持層３１１の裏面にマスク３５１を形成する（図３Ｅを参照）。マスク３２１は公知の各種の方法によって容易に除去可能であるため、マスク３２１の除去方法や除去手順などについては説明を省略する。マスク３５１は、機械式時計の駆動機構１０１を構成する時計部品であるひげぜんまい１０８を構成する部分を回避した位置および形状とされる。」 「【図３Ｄ】 ［図：0001420941000009.jpg］ 」 「【図３Ｅ】 ［図：0001420941000010.jpg］ 」 「【００５６】 すなわち、マスク３５１は、支持層３１１の板厚方向に沿って支持層３１１を見た場合に、マスク３５１が、活性層３１３においてひげぜんまい１０８を構成する部分と重複しない位置に形成する。マスク３５１は、上記のマスク３２１と同様にして形成することができる。マスク３５１は、支持層３１１の板厚方向に沿って支持層３１１を見た場合に、少なくとも一部が枠パターンと重複するように設けられる。 【００５７】 つぎに、支持層３１１に対して、マスク３５１部分を残して残余を除去するエッチング加工をおこない（図３Ｆを参照）、その後、マスク３５１を除去する（図３Ｇを参照）。支持層３１１に対するエッチング加工は、上記の活性層３１３に対するエッチング加工と同様にしておこなうことができる。また、マスク３５１の除去は、上記の活性層３１３に形成したマスク３２１の除去と同様にしておこなうことができる。」 「【図３Ｆ】 ［図：0001420941000011.jpg］ 」 「【図３Ｇ】 ［図：0001420941000012.jpg］ 」 「【００５８】 つぎに、酸化膜３１２を除去（剥離）する（図３Ｈを参照）。酸化膜３１２の除去に際しては、具体的には、たとえば、フッ酸を用いて、支持層３１１および活性層３１３をマスク３２１としたウエットエッチングをおこなうことによって酸化膜３１２を除去することができる。上記のように、マスク３５１は、支持層３１１の板厚方向に沿って支持層３１１を見た場合に、活性層３１３においてひげぜんまい１０８を構成する部分と重複しない位置に形成されているため、支持層３１１に対してマスク３５１部分を残して残余を除去するエッチング加工をおこなうことにより、ひげぜんまい１０８を構成する部分のみが中空に浮いた状態とされる。ここに、支持層３１１および酸化膜３１２をエッチングにより除去する工程によって、この発明にかかる時計部品の製造方法における除去工程を実現することができる。なお、酸化膜３１２を除去した活性層３１３の表面はフラットであり、いわゆる鏡面となっている。」 「【図３Ｈ】 ［図：0001420941000013.jpg］ 」 「【００５９】 つぎに、活性層３１３に対して酸素イオンを注入する（図３Ｉおよび矢印Ｇを参照）。酸素イオンは、たとえば、活性層３１３の全体にわたって注入する。ここに、活性層３１３に対して酸素イオンを注入することによって、この発明にかかる時計部品の製造方法におけるイオン注入工程を実現することができる。具体的には、酸素イオンは、たとえば、活性層３１３がなす表面全体にわたって注入するとともに、活性層３１３の厚み方向に沿っても全体に注入する。」 「【図３Ｉ】 ［図：0001420941000014.jpg］ 」 「【００６０】 あるいは、酸素イオンは、活性層３１３の内部に極部的に注入してもよい。この場合、具体的には、たとえば、活性層３１３の厚み方向における任意の位置において、活性層３１３の面方向の全体にわたって分布するように、酸素イオンを注入する。あるいは、この場合、具体的には、たとえば、活性層３１３の厚み方向における任意の複数箇所において、それぞれが活性層３１３の面方向の全体にわたって分布するように、酸素イオンを注入してもよい。あるいは、この場合、具体的には、たとえば、活性層３１３の内側に集中して分布するように酸素イオンを注入してもよく、活性層３１３の表面に分布するように酸素イオンを注入してもよい。酸素イオンは、一回の工程によって注入するものに限らず、注入方向や注入量などを調整しながら複数回にわたって注入してもよい。 【００６１】 つぎに、活性層３１３に酸素イオンが注入された積層基板３１４、すなわち、酸素イオンが注入された活性層３１３を加熱する（図３Ｊを参照）。この実施の形態においては、たとえば、活性層３１３に酸素イオンが注入された積層基板３１４を、１１００℃に過熱する。ここに、酸素イオンが注入された活性層３１３を加熱する工程によって、この発明にかかる時計部品の製造方法における加熱工程を実現することができる。」 「【図３Ｊ】 ［図：0001420941000015.jpg］ 」 「【００６２】 酸素イオンが注入された活性層３１３を加熱することにより、活性層３１３におけるシリコンを熱酸化させ、シリコン酸化物によって形成される領域３１０を形成することができる。以降、活性層３１３において、熱酸化によるシリコン酸化物によって形成される領域３１０をシリコン酸化物３１０とし、残余の部分であるシリコンによって形成される領域をシリコン領域として説明する（図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅおよび図５Ｆを参照）。 【００６３】 その後、シリコン酸化物３１０が形成された積層基板３１４から、ひげぜんまい１０８を構成する部分をもぎ取って、ひげぜんまい１０８を取り外す（図３Ｋを参照）。ひげぜんまい１０８は、たとえば、接続部４０３をピンセットなどによってつまみ、当該部分を折って、シリコン酸化物における枠部４０２から、当該シリコン酸化物における部品部４０１を分離して取り外すことができる。これにより、ひげぜんまい１０８が製造される。」 「【図３Ｋ】 ［図：0001420941000016.jpg］ 」 イ 引用文献６の記載事項 原査定において引用された特開２０１５－１７９０１３号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は合議体が付したものである。 (ア) 段落【０００１】～【００２３】 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、時計用のひげぜんまいに関し、特にシリコンを主成分とするひげぜんまいの製造方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 従来の機械式時計においては、機械の運転を規則正しく一定の速度に保つために、ひげぜんまいとてん輪（てん真付）とで構成される調速機（てんぷ）が使われている。等時性のあるひげぜんまいの伸縮によりてん輪が規則正しく往復回転運動を行う。 【０００３】 てんぷには、がんぎ車とアンクルとで構成される脱進機という機構が接続されており、ぜんまいからエネルギーが伝達されて、振動を持続するようになっている。 【０００４】 知られているひげぜんまいは、金属を加工して形成する場合が多い。このため、その加工精度のばらつきや金属が有する内部応力の影響などによって、設計通りの形状が得られない場合がある。 【０００５】 ひげぜんまいは規則的にてんぷを振動させる必要があるから、設計通りの形状が得られないとてん輪も等時性のある運動ができなくなり、時計の歩度ずれが生じてしまう。時計の歩度とは、一日あたりの時計の進み又は遅れの程度を示すものである。 【０００６】 ところで近年、シリコン基板をエッチング加工することによって時計部品を製造する試みがなされている。従来の金属部品を用いる時計部品の製造に比べ軽量にできるという利点と、安価で大量生産ができる利点とがあると言われている。これにより、小型軽量の時計を製造することができると期待されている。 【０００７】 シリコン基板をエッチングする際、近年ではドライエッチング技術である反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：ＲＩＥ）技術が進歩してきた。中でも、深堀りＲＩＥ（Ｄｅｅｐ ＲＩＥ）技術が開発され、アスペクト比が高いエッチングが可能になってきた。 【０００８】 この技術によると、エッチングがフォトレジストなどでマスクした部分の下に回り込まないために、垂直深さ方向にマスクパターンを忠実に再現できるようになり、シリコン基板をエッチングする際に、時計部品を設計通りの形状で精度よく製造することが可能となってきた（例えば、特許文献１参照。）。 【０００９】 そもそもシリコンは、金属よりも温度特性が良い。従来のひげぜんまいの材料として用いられる金属よりも環境温度に対して変形しにくいという特徴がある。このことから、時計の調速機構にもこの技術を応用することが考えられている。 【先行技術文献】 【特許文献】 【００１０】 【特許文献1】特表２０１１－５０５００３号公報（第６頁、図１） 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【００１１】 特許文献１に示した従来技術に代表されるような、シリコンを深堀りＲＩＥ技術を用いてエッチングし、ひげぜんまいを形成すると、形状が設計通りにならないという問題が発生することが判明した。 【００１２】 本来は、深堀りＲＩＥ技術を用いてシリコンをエッチングすると、設計通り、すなわち、マスクパターン通りにひげぜんまいができ上がるのである。 しかし、エッチングしてなる対象物がひげぜんまいの場合、そうならず、局所的なオーバーエッチングが生じてしまうのである。すなわち、マスクパターン通りにエッチングされる箇所と、マスクパターンより細くエッチングされてしまう箇所とがある。 【００１３】 その理由はひげぜんまいの形状にある。ひげぜんまいは、一端をひげ玉に接続し、他端をひげ持に接続したぜんまい腕を、ひげ玉に巻回する形状である。なお、巻回されているぜんまい腕をぜんまい部と称する。 このため、平面的にみて、隣接する部分があるところと、そうではないところとがある。このような状態を、形状の密度に粗密があると称する。 【００１４】 例えば、ぜんまい部においては、ひげ玉の近傍は形状的に間隔が空いており、形状の密度が粗い状態である。順次巻回されているぜんまい部は隣接する他のぜんまい腕との間隔が狭く、形状の密度が狭い状態、つまり密である。 【００１５】 深堀りＲＩＥでエッチング加工してなるひげぜんまいは、その形状通りのマスクパターンを用いる。ひげぜんまいの形状的な粗密は、マスクパターンの粗密でもある。 【００１６】 このため、このマスクパターンの粗密により、パターンが粗い部分にサイドエッチングが発生し、ひげぜんまいがエッチング加工し終わったときに、サイドエッチングが生じた部分のみ、マスクパターンよりも形状が細く加工されてしまうのである。 【００１７】 これは、深堀りＲＩＥでのエッチングの際に、隣接するマスクパターンとの距離が遠いと（パターンの形状の密度が粗いと）、エッチングの最中に、プラズマ環境下で発生したイオンやラジカルがマスクパターンの横方向からも到来してしまい、サイドエッチングが進行してしまうことが原因である。 【００１８】 ちなみに、隣接するマスクパターンとの距離が近いと（パターンの形状の密度が密であると）、横方向から到来するイオンやラジカルは、その隣接するパターンが妨げになり、サイドエッチングが進行してしまうことはない。 【００１９】 すでに説明したように、マスクパターンはひげぜんまいの形状に由来するものであるから、自由にマスクパターンの粗密を変えることはできない。 【００２０】 このため、特許文献１に代表される従来技術では、設計通りの形状にひげぜんまいが加工できず、これを組み込んだ機械式時計は、歩度ずれを起こしてしまうのである。 【００２１】 この問題を解決する案としては、マスクパターンの密度が粗い部分は、エッチングを２回に分けて行う方法が知られている。 すなわち、まず設計よりも細い溝幅で第１回目のエッチングを行って垂直性を出した後に、再度マスクパターンを形成し、設計通りの広い溝幅で第２回目のエッチングを行うという方法である。 【００２２】 しかしながら、この方法は、エッチングを行う作業工程が２回必要になって大変手間のかかる作業になっていた。更に、２回目のエッチング工程では、１回目で形成した形状との正確な位置合わせが必要である。このため、不良率も高く、製造コストも高かった。 【００２３】 本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、精度よくひげぜんまい製造できる製造方法を提供するものである。」 (イ) 段落【００４６】～【００６９】、【図３】、【図５】 「【００４６】 ［製造方法の説明：図２～図５］ 次に、上記の形状をなすひげぜんまい１１の製造方法を図２～図５を用いて説明する。 図３は、製造工程を説明するために、図２の平面図の一部を抜き出し模式的に示した断面図であって、ひげぜんまい１１の中心部にあるひげ玉１１ａとそれに連結するゼンマイ部１１ｂの一部領域を取り出して描いた図である。 【００４７】 図３（ａ）に示すように、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を準備する。ＳＯＩ基板１は、シリコン（Ｓｉ）を主成分とする、例えば厚み４００～５００μｍのベース層２上に、厚み１～３μｍのからなるシリコン酸化膜層（ＳｉＯ２層）３を形成し、更に、シリコン酸化膜層３の上にシリコン（Ｓｉ）を主成分とする活性層４を形成してなる３層構造である。」 「【図３】 ［図：0001420941000017.jpg］ 」 「【００４８】 活性層４は、ひげぜんまい１１を構成する層であるので、その厚みは製造するひげぜんまいによって決める。なお、ひげぜんまい１１の生産性を考慮に入れれば、ひげぜんまい１１が多数個取り出せる大きさのＳＯＩ基板１である方が好ましい。 【００４９】 次に、図３（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板１の活性層４上に、所定の膜厚のレジスト膜５をスピンコート法などの公知の手法で形成する。 レジスト膜５を形成するためのレジスト液には、ポジ型とネガ型があり、用いるマスクフィルムと共に適宜に選択する。本発明の実施形態の説明においては、ポジ型のレジスト液を用いる例で説明する。 【００５０】 レジスト膜５を塗布した後は、例えば８０～１００°Ｃの温度でプリベーク処理を行ってレジスト液に含まれる有機溶剤を蒸発させ、レジスト膜５を活性層４に密着させる。 【００５１】 次に、図３（ｃ）に示すように、公知の技術を用いて第１のマスクパターン１０と第２のマスクパターン２０とを形成する。 【００５２】 レジスト膜５へのマスクパターンの形成は、例えば、次に示す手法を用いる。 まず、図示しない所定のガラス表面に、クロム（Ｃｒ）などを主成分とする第１のマスクパターンに相当する第１のクロムパターンと、第２のマスクパターンに相当する第２のクロムパターンとを有するガラスマスクを用意する。 【００５３】 次に、ガラスマスクを公知の露光装置に載置し、このガラスマスクを通してＳＯＩ基板１の表面のレジスト膜５に所定の波長の紫外線を照射してレジスト膜５を露光させる。後に露光した部分を現像して、第１のマスクパターン１０と第２のマスクパターン２０とを転写する。 【００５４】 次に、図３（ｄ）に示すように、図３（ｃ）に示す第１のマスクパターン１０及び第２のマスクパターン２０の形状通りに、活性層４をエッチングする。活性層４のエッチングは、深堀りＲＩＥ技術を用いてドライエッチングを行う。 【００５５】 深堀りＲＩＥによるエッチングの最中にあっては、第１のマスクパターン１０の横方向から侵入しようとするイオンやラジカルが、第２のマスクパターン２０により遮蔽されるので、第１のマスクパターン１０の下部の活性層にはサイドエッチングが抑制され、第１のマスクパターン１０の形状通りに活性層がエッチングされる。 【００５６】 ところで、第２のマスクパターン２０は、第１のマスクパターン１０に対するサイドエッチングの防壁となるが、第２のマスクパターン２０自体の下部の活性層は、部分的にサイドエッチングが起きてしまう。しかし、この第２のマスクパターン２０によりエッチングされる活性層は、そもそもひげぜんまいの形状に関するものではないので、問題はない。 【００５７】 ここで、エッチングされた活性層には、説明しやすいように、それぞれ名称を付与する。第１のマスクパターン１０に対応する活性層、すなわち、ひげぜんまいを構成する活性層は、第１の活性層形状１０ａ、１０ｂとする。第２のマスクパターン２０に対応する活性層、すなわち、サイドエッチングを防止するための防壁となった活性層は、第２の活性層形状２０ａ、２０ｂとする。 【００５８】 次に、図３（ｅ）に示すように、レジスト層である第１のマスクパターン１０と第２のマスクパターン２０とを、例えば、アセトンなどの有機溶剤を用いて剥離する。 これにより、第１の活性層形状１０ａ、１０ｂと第２の活性層形状２０ａ、２０ｂとが露出する。 【００５９】 次に、図３（ｆ）に示すように、第１の活性層形状１０ａ、１０ｂ及び第２の活性層形状２０ａ、２０ｂをベース層２から切り離す。この工程は、公知のリフトオフと呼ばれる技術を用いて行う。リフトオフ工程は、シリコン層には耐性がありシリコン酸化膜は溶解する薬剤、例えば、フッ酸（フッ化水素酸）を入れた液槽を用意し、これにＳＯＩ基板１を浸漬してなる。 【００６０】 このリフトオフ工程により、シリコン酸化膜層３のみが溶解するので、第１の活性層形状１０ａ、１０ｂ及び第２の活性層形状２０ａ、２０ｂは、ベース層２と分離するのである。 【００６１】 第１の活性層形状１０ａ、１０ｂ及び第２の活性層形状２０ａ、２０ｂは、リフトオフ工程で、フッ酸の液槽の底部に向かい漂いながら落下してしまうが、その液槽にシリコン製などの網形状のフィルタを設けておけば、液槽の底部までの落下を防止できる。そうすれば、第１の活性層形状１０ａ、１０ｂ、つまり、ひげぜんまいのみ掬うことができる。 【００６２】 このとき、当該フィルタは、第２の活性層形状２０ａ、２０ｂは通過させ、ひげぜんまい１１のみを通過させないような大きさの網目や穴形状にすれば、ひげぜんまい１１と第２の活性層形状２０ａ、２０ｂとを簡単に選別することができる。 【００６３】 もちろん、リフトオフ工程で、ひげぜんまい１１をフッ酸の液槽に落下させないようにすることもできる。以下、図４及び図５を用いて説明する。 【００６４】 ［第３のマスクパターンの説明：図４、図５］ 図４は、図２に対応するマスクパターンを示す平面図であり、第３のマスクパターン３０を説明する図である。 図４に示すように、第３のマスクパターン３０は、枠の形状で第１のマスクパターン１０及び第２のマスクパターン２０の周囲を囲うと共に、ひげぜんまい１１の一部、例えば、ひげ持１１ｃの端部部分と接続部３５にて接続している。なお、第３のマスクパターン３０は、第２のマスクパターン２０とは接していない。 【００６５】 第３のマスクパターン３０は、図３（ｃ）に示すように、第１のマスクパターン１０及び第２のマスクパターン２０を形成した後に、これらのマスクパターンと同様な手法を用いて第３のマスクパターン３０をレジスト膜５の上部に設ける。 【００６６】 または、すでに説明した図示しないガラスマスクに予め第３のマスクパターン３０に対応する第３のクロムパターンを形成しておいてもよい。 そうすると、第１のマスクパターン１０及び第２のマスクパターン２０のレジスト膜５へのマスクパターンの転写の際に、第３のマスクパターン３０も転写できる。レジスト膜５へのマスクパターンの転写が１度で済むので便利である。 【００６７】 このようにしてレジスト膜５を第１から第３のマスクパターンの形状に形成した後、深堀りＲＩＥ技術を用いて活性層をエッチングする。そして、レジスト膜５を剥離する。 その後、リフトオフ工程を経てベース層２から活性層を分離すると、その活性層は、図５に示すような形状となる。ここで、第３のマスクパターン３０に対応する活性層、すなわち、ひげぜんまいの周囲を囲う枠形状の活性層は、第３の活性層形状３０ａとする。」 「【図５】 ［図：0001420941000018.jpg］ 」 「【００６８】 すでに説明したように、第１のマスクパターン１０のひげ持１１ｃの一部と、第３のマスクパターン３０の接続部３５で接続しているから、第２のマスクパターン２０は、リフトオフ工程により取れ落ちてしまうが、第１のマスクパターン１０は、接続部３５に相当する第３の活性層形状３０ａの接続部３５ａの部分で接続され、そのまま残るのである。 これにより、ひげぜんまい１１に対応する第１のマスクパターン１０と第２の活性層形状である第２のマスクパターン２０とを選別することができる。 【００６９】 その後、図５に示す状態から、図１に示すひげぜんまい１１を取り出すには、接続部３ ５ａの部分を破断することでなす。 この破断は、例えば、ピンセットによる手動での破断や、ダイシングソーのような機械による破断を用いることができる。」 ウ 周知技術１の認定 前記アに摘記した引用文献５の記載事項及び前記イに摘記した引用文献６の記載事項に示されるように、次の技術事項は周知技術（以下「周知技術１」という。）である。 ［周知技術１］ 「ひげぜんまいの製造方法として、基板として、シリコン活性層とシリコン基板の間に酸化シリコン層を形成したＳＯＩ基板を準備し、シリコン活性層をエッチングしてひげぜんまいを形成し、ひげぜんまいを含む活性層からシリコン基板と酸化シリコン層を除去してひげぜんまいを含むシリコン活性層のみの部分を得ること。」 (３) 引用文献２の記載事項及び周知技術２の認定 ア 引用文献２の記載事項 原査定の拒絶の理由において引用された特開２０１６－１７３３５６号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は合議体が付したものである。 (ア) 段落【０００１】～【０００８】 「【技術分野】 【０００１】 この発明は、機械式時計用部品等のシリコン製機械部品の製造方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 機械式時計は、歩度（一日あたりの時計の進み又は遅れの程度）を一定に保つために、ひげぜんまいとテン輪等によって構成する調速機構（てんぷ）が用いられている。ひげぜんまいは、優れた等時性を有するように設計され、そのひげぜんまいのバネ力によって、てんぷは規則正しく往復運動を行う。 【０００３】 さらに、そのてんぷにはガンギ車とアンクルで構成される脱進機構が接続されており、ひげぜんまいからエネルギーが伝達されて、てんぷの往復運動が回転運動に変換される。 ひげぜんまいは、通常、金属を加工して形成されるが、加工精度のばらつきや金属が有する内部応力の影響などによって、設計通りの形状が得られない場合が多い。 【０００４】 そこで、金属材料ではなく、シリコン材料を用いて、エッチング技術によってひげぜんまいを製造する提案がなされている。エッチング加工技術は、よく知られているように、シリコン材料を高精度に加工することが可能であり、一般的な金属によるひげぜんまいよりも加工精度のばらつきが少ないので、設計どおりの形状のひげぜんまいを製造することができる。 また、シリコンは金属よりも温度特性が良好なので、金属よりも環境温度に対して変形しにくいという特徴がある。 【０００５】 しかしながら、シリコン等の結晶構造を有する材料は脆性材料であるので、それを用いたひげぜんまいは耐衝撃性や耐久性などに問題があった。 そのため、例えば特許文献１には、シリコン等の結晶構造を有する材料で形成したひげぜんまいの表面に、金属等の導電性材料層を成膜して機械的な強度を高めることが提案されている。 【先行技術文献】 【特許文献】 【０００６】 【特許文献１】特開２００７－２５６２９０号公報（第４頁、図２） 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 しかしながら、上述した方法でひげぜんまいの強度を高めるには、シリコン等をエッチング加工して形成したひげぜんまいの表面に、導電性材料層を均一に成膜する作業工程が不可欠となる。このような導電性材料層をひげぜんまいの表面に均一に形成することは難しく、ひげぜんまいの形状にばらつきが生じ、等時性が悪化してしまうことがある。また、ひげぜんまいの製造工程が複雑になり、量産性に大きな問題が生じる。 このような問題は、機械式時計に使用する他の部品、例えばガンギ車、アンクル、歯車等、あるいは一般の精密機器等に使用する機械部品をシリコン等で製造する場合にも、同様に生じる。 【０００８】 この発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、機械式時計用部品等のシリコン製機械部品を、精度よく且つ充分な耐衝撃性及び耐久性を有するように、効率よく製造できるようにすることを目的とする。」 (イ) 段落【００３４】～【００４５】、【図１２】 「【００３４】 〔ひげぜんまいの製造方法の実施形態〕 そこで、この発明の一実施形態として、シリコン製機械部品であるひげぜんまいの製造方法を図１２によって説明する。図１２は、そのひげぜんまいの製造方法を説明するための工程図である。 この図１２におけるひげぜんまい１０は、図１のＡ－Ａ線に沿う断面の図２に示した端面に相当するが、図示の便宜上大幅に簡略化して示している。 この実施形態のひげぜんまいの製造方法では、図１２に示す（ａ）～（ｌ）の工程を順に実行する。」 「【図１２】 ［図：0001420941000019.jpg］ 」 「【００３５】 （ａ）の工程では、シリコン基板２０としてＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板（「ＳＯＩウエハ」ともいう）を準備する。ＳＯＩ基板は、シリコンウエハによる支持層２１の上面に二酸化珪素（ＳｉＯ２）によるエッチングストップ層であるボックス層２２が、さらにそのボックス層２２の上面にシリコン（Ｓｉ）による活性層２３が、順に積層された構造になっている。活性層２３がひげぜんまいを形成するシリコン層である。 シリコン基板２０として、ＳＯＩ基板を使用せずに、単結晶シリコン基板の内部に、ＳｉＯ２の層（ボックス層に相当）を形成し、単結晶シリコンの層でこのＳｉＯ２の層を上下（上が活性層、下が支持層に相当）から挟んだような基板を使用してもよい。 【００３６】 （ｂ）の工程では、シリコン基板２０の活性層２３上にさらに、エッチングマスクを形成するための二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜３１を成膜する。 そして、（ｃ）の工程で、その二酸化珪素膜３１上の全面にフォトレジスト３２を塗布し、それをフォトリソグラフィ技術によって、製造するひげぜんまいの平面形状にパターニングする。 【００３７】 （ｄ）の工程では、そのひげぜんまいの形状にパターニングされたフォトレジスト３２をマスクとして二酸化珪素膜３１をＲＩＥ技術によってエッチングし、製造するひげぜんまいの平面形状にパターニングする。 （ｅ）の工程ではさらに、そのパターニングされた二酸化珪素膜３１をエッチングマスクとして、深掘りＲＩＥ（Deep-RIE）技術によって、活性層２３をひげぜんまい１０の平面形状に、ボックス層２２に達するまでエッチングする。 【００３８】 その深掘りＲＩＥ技術は、エッチングガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ６）や、それと八フッ化シクロブタン（Ｃ４Ｆ８）との混合ガスなどを使用する、アスペクト比が高いエッチングが可能なドライエッチングであるが、これは公知の技術である。 このとき、ひげぜんまい１０は、その一部分が図１に示した接続部１４によって、活性層２３のエッチングされなかった部分に接続した状態で支持されている。シリコン基板２０をこのように加工した状態を加工基板２０Ａとする。 【００３９】 その後、（ｆ）の工程で二酸化珪素膜３１上のフォトレジスト３２を除去する。ここまでの工程が、シリコン基板２０をエッチング加工して、機械部品であるひげぜんまい１０を形成する部品形成工程である。なお、ひげぜんまい１０は、その一部分だけがシリコン基板２０のエッチングされなかった部分に接続した状態で支持されるように、加工基板２０Ａを形成する。 ここまでは、シリコン基板をエッチング加工してひげぜんまいのような機械部品を製造する際の従来の工程と同様である。 【００４０】 次の（ｇ）の工程からがこの実施形態に特有の工程である。 （ｇ）の工程では、加工基板２０Ａの支持層２１の下面の全面にフォトレジスト３３を塗布し、それをフォトリソグラフィ技術によって、少なくともひげぜんまい１０に対応する全領域を含む大きさの開口３３ａを形成するようにパターニングする。 そして、（ｈ）の工程で、開口３３ａを形成したフォトレジスト３３をマスクとして、加工基板２０Ａの支持層２１を、ＲＩＥ技術又は深掘りＲＩＥ技術によってボックス層２２に達するまでエッチングする。それによって、フォトレジスト３３の開口３３ａと同じ大きさの開口２１ａを支持層２１に形成する。この状態のシリコン基板を加工基板２０Ｂとする。 【００４１】 その後、（ｉ）の工程でフォトレジスト３３を剥離し、（ｊ）の工程で、フッ酸によって加工基板２０Ｂのボックス層２２とマスクに使用した二酸化珪素膜３１を除去する。ボックス層２２は、支持層２１と活性層２３に挟まれた部分が、エッチングされずに僅かに残る。この状態のシリコン基板を加工基板２０Ｃとする。 【００４２】 この加工基板２０Ｃでは、ひげぜんまい１０が図１に示した接続部１４のみによって活性層２３と接続された片持ち状態で、支持層２１の開口２１ａ内にすべて露出する。そのため、ひげぜんまい１０は自重と弾性によって、ひげ玉１２を設けた中央部が最も低くなるように下がって若干傾斜するが、支持層２１の開口２１ａ内で下がるため、支持層２１に接触することはない。 上記（ｇ）～（ｊ）の工程が、機械部品であるひげぜんまい１０が加工基板２０Ｃのひげぜんまい１０以外の部分と接触しないように加工基板２０Ａを加工する工程である。 【００４３】 この状態で、次の（ｋ）の工程で、ひげぜんまい１０を保持する加工基板２０Ｃ全体を水素アニール処理用のチャンバー内に配置し、そのチャンバー内全体を高温の水素雰囲気にして水素アニール処理を行う。その処理条件として、例えば、水素（Ｈ２）ガスの流量を０．５ｓｌｍ、圧力を５０ｋＰａで、温度を８００℃で５分→１１００℃で１５分→８００℃で５分の処理を順次実施するとよい。 水素アニールの処理条件はこれに限るものではなく、求められる性能により８００℃から１２００℃程度の高温水素雰囲気中で、予め設定したガス流量、圧力、時間、例えばガス流量０．５～２ｓｌｍ、圧力５～１００ｋＰａで、１５分～９時間ほどアニール処理を行うとよい。 【００４４】 この水素アニール処理によって、ひげぜんまい１０の表面のスキャロップ等の加工荒れが除去されて表面が平滑化し、角部に丸み（Ｒ）が付く。それによって、シリコンで形成されたひげぜんまい１０の品質が向上し、耐衝撃性及び耐久性が高まる。 そして、ひげぜんまい１０は水素アニール処理中、図１に示した接続部１４以外は加工基板２０Ｃのどこにも接触していないので、その全表面に均一に水素アニール処理を施すことができる。しかも、張り付きが発生することはない。 【００４５】 そのため、（ｌ）の工程で、図１に示した接続部１４を切断すれば、加工基板２０Ｃから、ひげ玉１２を設けたひげぜんまい１０を、損傷することなく分離して容易に取り出すことができる。 この工程が、機械部品であるひげぜんまい１０を、活性層２３と接続した部分（接続部１４）を切断して加工基板２０Ｃから分離する工程である。 このようにして、水素アニール処理によって角部にＲを付けて強度を高めたシリコン製のひげぜんまいを、容易且つ確実に製造することができる。」 イ 周知技術２の認定 前記アに摘記した引用文献２の記載事項、前記(２)アで示した引用文献５の記載事項及び前記(２)イで示した引用文献６の記載事項に示されるように、次の技術事項は周知技術（以下「周知技術２」という。）である。 ［周知技術２］ 「ウェハからひげぜんまいの取り外しを、組み付け前の製造工程としては最後の工程で行うこと。」 ２ 対比 (１) 対比分析 本願発明と引用発明を対比する。 ア 「計時器構成要素を製造する方法」の観点 (ア) 本願発明の「計時器構成要素」に関して、本願明細書の段落【０００１】に「本発明は、シリコンで作られた、ひげぜんまい、アンクル、歯車、針、ロッカー、レバー、ばね、またはテンプなどの計時器構成要素」とあり、本願発明の「計時器構成要素」とはひげぜんまいを含むことから、引用発明の「ひげぜんまい５ｃを製作する方法３１」は、本願発明の「計時器構成要素を製造する方法」に相当する。 (イ) したがって、本願発明と引用発明は、「計時器構成要素を製造する方法」の発明である点において一致する。 イ 「ステップ ａ）」の観点 本願発明と引用発明は、次の点で相違する。 本願発明は「第１のシリコン層（２）、第２のシリコン層（３）、およびその間の中間酸化シリコン層（４）を備える基板（１）を準備するステップ」を有するのに対して、 引用発明は当該ステップを有しない点。 ウ 「ステップ ｂ）」の観点 (ア) 引用発明の「ステップ３３」は、「シリコンベース材料ウエハ２３内での化学エッチングにより得ることもでき」、「１つの材料ウエハ内で」「ひげぜんまいを形成して［いる］」ことから、「シリコンベース材料ウエハ２３」を「エッチング」して「ウエハ内」に「ひげぜんまいを形成して［いる］」ステップであるといえる。 (イ) 前記アを踏まえると、このステップは本願発明の「前記第１のシリコン層（２）をエッチングして、内部に前記計時器構成要素を形成するステップ」と、「シリコン層（２）をエッチングして、内部に前記計時器構成要素を形成するステップ」である点で共通し、エッチングされるシリコン層が前記「ステップ ａ）」の「第１のシリコン層」ではない点で相違する。 エ 「ステップ ｃ）」の観点 本願発明と引用発明は、次の点において相違する。 本願発明は「エッチングされたシリコン層（２）の少なくとも全てまたは一部によって形成されたウェハー（８）を前記基板（１）から離して計時器構成要素を構成するステップ」を有するのに対して、 引用発明は当該ステップを有しない点。 オ 「ステップ ｄ）」の観点 (ア) 引用発明の「ステップ３９」は、「第１の段階ｄ１」と「第２の段階ｄ２」とを含み、「第１の段階ｄ１」の「熱酸化によって得ることができ［る］」「ひげぜんまい５ａを酸化する」ことは、前記アを踏まえると、本願発明の「前記計時器構成要素を熱酸化［する］」ことに相当する。 (イ) 本願発明の「前記計時器構成要素を」、「脱酸するステップ」について、本願明細書の段落【００１６】には、「所望の剛性のひげぜんまいを得るためにこの材料の厚さを除去する方法」に関するものであることが説明されている。 そうすると、前記「第２の段階ｄ２」の「化学エッチングによって得ることができ［る］」「ひげぜんまい５ｂから酸化物を除去［する］」ことは、前記アを踏まえると、本願発明の「前記計時器構成要素を」、「脱酸する」ことに相当する。 (ウ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。 「前記計時器構成要素を熱酸化し、次に脱酸するステップ」を含む点。 カ 「ステップ ｅ）」の観点 (ア) 引用発明の「ステップ４１」は、「熱酸化によって」「ひげぜんまい５ｃを二酸化シリコンで被覆」するステップであるといえ、これは前記アを踏まえると、本願発明の「熱酸化」「によって、前記計時器構成要素上に酸化シリコン層（１０）を形成するステップ」に相当する。 (イ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。 「熱酸化または堆積によって、前記計時器構成要素上に酸化シリコン層を形成するステップ」を有する点。 キ 「ステップ ｆ）」の観点 (ア) 引用発明は「ステップ３９の後、…ステップ３５、３７及び３９のこれらの繰返しは、…第２の繰返しにおいて、ウエハ２３から前もって取り外した、第１の繰返しを受けているひげぜんまいに対し実施する」ものであり、このうち「ウエハ２３から前もって取り外［す］」工程は、前記アを踏まえると、本願発明の「前記ウェハー（８）から前記計時器構成要素を切り離すステップ」に相当する。 (イ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。 「前記ウェハーから前記計時器構成要素を切り離すステップ」を含む点。 ク 「ステップの順番」の観点 (ア) 引用発明の「ステップ３３」、「ステップ３９」、「ステップ４１」はこの順番で実施されていることは明らかであり、これは前記ウ、オ及びカを踏まえると、「ステップ ｂ）」、「ステップ ｄ）」、「ステップ ｅ）」が「以下の順番」で含まれることに相当する。 (イ) したがって、本願発明と引用発明は、「ステップ ｂ）」、「ステップ ｄ）」、「ステップ ｅ）」がこの順番で実施される点で一致し、その他のステップの順番で相違する。 (２) 一致点及び相違点の認定 上記(１)の対比分析の検討結果をまとめると、本願発明と引用発明は、次のアに示す一致点において一致し、後記イに示す相違点において相違する。 ア 一致点 「計時器構成要素を製造する方法であって、ｂ）、ｄ）、ｅ）が以下の順番で実施され、 ｂ）シリコン層をエッチングして、内部に前記計時器構成要素を形成するステップと、 ｄ）前記計時器構成要素を熱酸化し、次に脱酸するステップと、 ｅ）熱酸化または堆積によって、前記計時器構成要素上に酸化シリコン層を形成するステップと、 ｆ）前記ウェハーから前記計時器構成要素を切り離すステップと、 を含む、方法。」である点。 イ 相違点 (ア) 相違点１（「ステップ ａ）～ｃ）」及び「ステップの順番」の観点） 本願発明においては、「第１のシリコン層（２）、第２のシリコン層（３）、およびその間の中間酸化シリコン層（４）を備える基板（１）を準備するステップ」を含んでおり、ステップｂ）ｃ）で処理されるシリコン層は「前記第１のシリコン層（２）」であるのに対して、 引用発明においては、「ひげぜんまい」を構成する「シリコンベース材料ウエハ２３」として、そのような構造の基板を最初に準備するステップを有していない点。 (イ) 相違点２（「ステップ ｃ）」及び「ステップの順番」の観点） 本願発明においては、「エッチングされたシリコン層（２）の少なくとも全てまたは一部によって形成されたウェハー（８）を前記基板（１）から離して計時器構成要素を構成するステップ」を有するのに対して、 引用発明においては、ステップの順番も含め、当該構成を有しない点。 (ウ) 相違点３（「ステップ ｆ）」及び「ステップの順番」の観点） 本願発明においては、「ステップ ｅ）」「熱酸化または堆積によって、前記計時器構成要素上に酸化シリコン層を形成するステップ」の後に「ステップ ｆ）」「前記ウェハー（８）から前記計時器構成要素を切り離すステップ」が行われているのに対して、 引用発明においては、「段階ｅ１」の「ひげぜんまい５ｃを酸化してひげぜんまい５ｃを二酸化シリコンで被覆［する］」前にウエハ２３からひげぜんまいが取り外される点。 ３ 判断 (１) 相違点１及び２について 「ひげぜんまいの製造方法として、基板として、シリコン活性層とシリコン基板の間に酸化シリコン層を形成したＳＯＩ基板を準備し、シリコン活性層をエッチングしてひげぜんまいを形成し、ひげぜんまいを含む活性層からシリコン基板と酸化シリコン層を除去してひげぜんまいを含むシリコン活性層のみの部分を得ること」は本願の優先日前に周知技術である（前記１(２)ウの「周知技術１」参照）。 そして、引用発明の「ひげぜんまい」を形成する工程の一部として、前記周知技術１を採用することは、当業者が容易になし得たものである。またシリコン基板と酸化シリコン層を除去する際に、その一部を残すようにするか（引用文献５の【００５８】及び【図３Ｈ】を参照。）、全体を切り離すようにするか（引用文献６の【００５９】及び【図３】(ｆ)を参照。）は、その後の部材の取り扱いの便宜などを考慮して当業者が適宜選択すべき設計事項である。 したがって、引用発明の「ひげぜんまい」の製造方法として、本願発明のステップａ）～ｃ）の順番で製造することは、当業者が容易に想到し得たことである。 (２) 相違点３について 「ウェハからひげぜんまいの取り外しを、組み付け前の製造工程としては最後の工程で行うこと」は、本願の優先日前に周知技術であり（前記１(３)イの「周知技術２」参照。）、引用発明において、最終工程を含めたどのタイミングでひげぜんまい５ａをウエハ２３から取り外すかは、後の製造工程における部材の取り扱いの便宜などを考慮して当業者が適宜決定すべき設計事項にすぎない。 (３) 総合評価 前記(１)及び(２)において検討したとおり、相違点１～３は、引用発明及び周知技術１～２に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。 そして、相違点１～３を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する効果としては、当業者にとって予測困難であり、かつ、格別顕著なものを認めることはできない。 したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術１～２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 (４) 請求人の主張について ア 請求人の主張内容 請求人は、審判請求書において、おおよそ次の(ア)及び(イ)について主張している。 (ア) 引用発明に記載の方法は、単なるシリコンウエハをエッチングしてひげぜんまいを得るものであり、本願発明のような、第１のシリコン層、第２のシリコン層及び中間酸化シリコン層を備える基板を準備するステップａ）を備えていない。したがって当然に、引用文献３には、第１のシリコン層をエッチングして計時器構成要素を構成するステップｂ）も、第１シリコン層の少なくとも全てまたは一部によって形成されたウェハーを基板から離して計時器構成要素を構成するステップｃ）も開示されていない。 (イ) 引用発明の方法では、ウエハ２３からひげぜんまいを切り離すステップが開示されているが、このステップは、本願発明１とは異なり、ひげぜんまいをウエハから切り離すステップは、ステップ４１の前に行われる。引用文献３の段落番号００５７に記載されるように、ステップ３５，３７，３９の最後の繰り返しの際にはひげぜんまいをウエハ２３から取り外して行うので、続くステップ４１では、熱酸化によってひげぜんまいに温度補償二酸化シリコン層を形成する工程は、ウエハから取り外されたひげぜんまいに対して行われる。これに対して、本願発明では、ステップｆ）は、ステップｅ）の後に行われる。酸化工程の後に計時器構成要素を切り離すことは、方法の実施を著しく改善して容易にする。特に、各処理の間、同じ時間だけ全ての計時器構成要素を一つの支持部品で支持することができる。また、重力や熱の影響による計時器構成要素の永久変形の防止が容易になる。 引用文献１，２及び５にも、本願発明のような、ｅ）熱酸化または堆積によって、前記計時器構成要素上に酸化シリコン層（１０）を形成するステップの後に、ｆ）前記ウェハー（８）から前記計時器構成要素を切り離すステップを有する構成は開示されていない。 イ 請求人の主張についての検討 (ア) 上記１(２)イで認定したように、「ひげぜんまいの製造方法として、基板として、シリコン活性層とシリコン基板の間に酸化シリコン層を形成したＳＯＩ基板を準備し、シリコン活性層をエッチングしてひげぜんまいを形成し、ひげぜんまいを含む活性層からシリコン基板と酸化シリコン層を除去してひげぜんまいを含むシリコン活性層のみの部分を得ること」は周知技術であって、引用発明に当該周知技術を採用することに困難性は認められない。 (イ) 上記３(２)で説示したように、ウエハからひげぜんまいをどのタイミングで取り外すかは、後の製造工程における部材の取り扱いの便宜などを考慮して、当業者が適宜決定すべき設計的事項にすぎず、請求人の主張する効果も格別のものとは認められない。 よって、前記主張は認められない。 第５ むすび 以上検討のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術１～２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。