2023-011644

特願２０１９－５５３６９３号「光学デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和元年５月２３日国際公開、ＷＯ２０１９／０９７７７２号〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１８年（平成３０年）８月２日（優先権主張 平成２９年１１月１５日）を国際出願日とする日本語特許出願であって、その手続の経緯の概略は以下のとおりである。 令和４年 ５月２７日付け：拒絶理由通知書 同年 ９月２８日 ：意見書の提出 同年１０月２８日付け：拒絶理由通知書 令和５年 ２月２８日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ４月１９日付け：拒絶査定 同年 ７月１１日 ：審判請求書の提出 令和６年 ８月２６日付け：拒絶理由通知書（以下、同書で通知された拒絶理由を「当審拒絶理由」という。） 同年１０月２３日 ：意見書（以下、単に「意見書」という。）の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和５年２月２８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１の記載は次のとおりのものである。 「ベースと、 可動部と、 前記ベースと前記可動部との間に接続された弾性支持部と、 前記可動部上に配置された光学機能部と、を備え、 前記ベース、前記可動部及び前記弾性支持部は、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された絶縁層を有する半導体基板によって構成されており、 前記ベースは、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記絶縁層によって構成されており、 前記可動部及び前記弾性支持部の少なくとも一方は、少なくとも前記第１半導体層によって構成されて前記第２半導体層上に配置された梁部を有し、 前記梁部を構成する前記第１半導体層は、前記ベースを構成する前記第１半導体層よりも薄い、光学デバイスの製造方法であって、 前記ベース、前記可動部及び前記弾性支持部に対応する部分を有する前記半導体基板を用意する第１ステップと、 前記第１ステップの後に、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の表面のうち、前記ベースに対応する領域に、第１レジスト層を形成する第２ステップと、 前記第２ステップの後に、前記第１レジスト層をマスクとして用いて前記第１半導体層を厚さ方向における中間部までエッチングすることにより、前記第１半導体層に凹部を形成する第３ステップと、 前記第３ステップの後に、前記凹部の底面のうち前記梁部に対応する領域、前記凹部の側面、及び、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の前記表面に、第２レジスト層を形成する第４ステップと、 前記第４ステップの後に、前記第２レジスト層をマスクとして用いて前記第１半導体層を前記絶縁層に至るまでエッチングすることにより、前記梁部を形成する第５ステップと、を備える、光学デバイスの製造方法。」 第３ 当審拒絶理由の概要 当審拒絶理由は、概略、本願発明に対する次の各理由を含むものである。 １ 理由１（委任省令要件違反） 本願の明細書の発明の詳細な説明の記載は、経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより（すなわち、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載することにより）、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないから、本願は、発明の詳細な説明の記載が、本願発明について、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 ２ 理由２（進歩性） 本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用文献一覧＞ １．特開２０１６－１５１６８１号公報 周知文献１．特開平１－２９５４８６号公報 周知文献２．特開平５－１６０５４５号公報 周知文献３．特開２００８－２８５４０９号公報 第４ 当審の判断 当審は、以下に示すとおり、意見書の内容を考慮しても、前記第３に記載した理由１及び理由２は解消していないと判断する。 第４－１ 理由１（委任省令要件違反）について １ 委任省令要件違反の概要 後記２において検討するように、本願の明細書の発明の詳細な説明の記載は、経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより（すなわち、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載することにより）、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないから、本願は、発明の詳細な説明の記載が、本願発明について、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 ２ 当審の判断の詳細な説明 （１） 本願発明が解決しようとする課題及び側面第２レジスト層形成 前記経済産業省令で定められる「当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項」として、請求項に係る発明によってどのように課題が解決されたかについて記載されていることが、通常、求められる。 そして、発明の詳細な説明の記載によれば、本願発明が解決しようとする課題は、「梁部を精度良く形成することができる光学デバイスの製造方法を提供することを目的とする。」（［０００５］）ことであるところ、本願発明においては、「前記第３ステップの後に、前記凹部の底面のうち前記梁部に対応する領域、前記凹部の側面、及び、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の前記表面に、第２レジスト層を形成する第４ステップ」（下線は当審が付した。以下同じ。）とされており、凹部の側面に第２レジスト層を形成すること（以下、「側面第２レジスト層形成」という。）が特定されている。 しかしながら、後記（３）で検討するとおり、発明の詳細な説明の記載からは、本願発明における、「側面第２レジスト層形成」がどのような技術上の意義を有するのか不明であり、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識に基づいて、「側面第２レジスト層形成」により、どのような発明が解決しようとする課題を解決できるのかを理解することができない。 （２） 発明の詳細な説明の記載 発明の詳細な説明には、本願発明で特定されている、「側面第２レジスト層形成」に関する記載として、次の記載がある。 「［０１２０］ 続いて、各凹部１０５の底面１０５ａのうち梁部２２４に対応する領域、各凹部１０５の側面１０５ｂ、及び、支持層１０１の表面１０１ａに、第２レジスト層１０６を形成する（第４ステップ、図１４（ａ））。第２レジスト層１０６は、側面１０５ｂの全面、及び表面１０１ａの全面に形成される。図１４（ａ）に示されるように、第２レジスト層１０６は、底面１０５ａのうち、側面１０５ｂとの境界に沿った領域にも形成される。これは、第２レジスト層１０６のパターニングの際に、底面１０５ａにおける側面１０５ｂとの境界に沿って第２レジスト層１０６の一部が残るためである。第２レジスト層１０６は、例えば、スプレーコート法により形成されるが、ディップコート法により形成されてもよい。 ［０１２１］ 続いて、第２レジスト層１０６をマスクとして用いて支持層１０１を中間層１０３に至るまでエッチングすることにより、梁部２２４を形成する（第５ステップ）。続いて、第２レジスト層１０６を剥離した後に、露出している中間層１０３を剥離する（図１４（ｂ））。第２レジスト層１０６が凹部１０５の側面１０５ｂから底面１０５ａに至るように形成されているため、第５ステップでは、ベース２１に段差面１０７が形成される。段差面１０７は、Ｚ軸方向から見た場合に、各凹部１０５の縁に沿って延在している。図５及び図６には、段差面１０７が示されている。また、第２ステップから第５ステップでは、梁部２２４が形成されるのと並行して、上述した開口２１３及び溝部２１６（図１１）が形成される。段差面１０７は、上述した段差面２１５ｂに相当する。」 「［０１７３］ 第２実施形態の光学デバイス３０１は、上記第１実施形態に係るミラーデバイス２０の製造方法と同様の製造方法によって製造することができる。すなわち、第１及び第２レジスト層をマスクとして用いた２段階のエッチングにより、梁部（本体梁部３７５、フレーム梁部３７６、接続梁部３７７並びに第１、第２、第３及び第４梁部３２１ｃ，３２２ｃ，３２３ｃ，３２４ｃ）を形成することができる。この場合、上記第１実施形態と同様に、梁部を精度良く形成することができる。なお、図２３～図２５には、上述した段差面１０７に対応する段差面３１０７が示されている。」 図面 「【図１４】 ［図：0001419789000001.jpg］ 」 「【図２３】 ［図：0001419789000002.jpg］ 」 「【図２４】 ［図：0001419789000003.jpg］ 」 「【図２５】 ［図：0001419789000004.jpg］ 」 （３） 「側面第２レジスト層形成」が解決しようとする課題について 前記（２）で摘記した記載によれば、「側面第２レジスト層形成」に関連して、「第２レジスト層１０６が凹部１０５の側面１０５ｂから底面１０５ａに至るように形成されているため、」「ベース２１に段差面１０７が形成される」（［０１２１］）とされている。 しかしながら、まず、本願発明では、第２レジスト層が凹部の側面から底面に至るように形成されることは特定されておらず、段差面が形成されることが実質的に特定されているものとは解されない。また、仮に本願発明が段差面が形成されることを実質的に特定するものであるとしても、「ベース２１に段差面１０７が形成される」ことの技術上の意義は発明の詳細な説明には記載がなく、技術常識を踏まえてもその技術上の意義が理解できない。この結果、段差面が形成されることによりどのような発明が解決しようとする課題が解決できるのかを理解することができない。 また、発明の詳細な説明の他の記載をみても、段差面が形成されることの他に「側面第２レジスト層形成」の技術上の意義が理解できる記載は見当たらず、結局、「側面第２レジスト層形成」によりどのような発明が解決しようとする課題が解決できるのかを理解することができない。 （４）請求人の主張について 請求人は、令和６年１０月２３日に提出の意見書において、発明の詳細な説明には、本願発明が解決しようとする課題は「梁部を精度良く形成すること」（【０００５】）であること、及び「一般的な製造方法では、このような梁部を精度良く形成することは難しい」が「第１レジスト層及び第２レジスト層をマスクとして用いた２段階のエッチングにより」「梁部を精度良く形成することができる」（【０００７】）ことが記載されているから、当業者であれば、発明の詳細な説明及び図面の記載並びに出願時の技術常識に基づいて、「側面第２レジスト層形成」により前記課題である「梁部を精度良く形成すること」を解決できることを理解することができた旨主張する。 しかしながら、発明の詳細な説明に前記課題である「梁部を精度良く形成すること」を解決する手段として開示されているのは、第１レジスト層及び第２レジスト層をマスクとして用いて２段階のエッチングを行うことであって、当該２段階エッチングを行う際に、「側面第２レジスト層形成」が「梁部を精度良く形成すること」に寄与する旨の記載は見当たらないし、その旨を示唆する記載も見当たらない。したがって、請求人の主張する、「側面第２レジスト層形成」により「梁部を精度良く形成すること」を解決できることを発明の詳細な説明から読み取ることはできない。 また、請求人は、同意見書において、さらに、当業者であれば、「側面第２レジスト層形成」により前記課題である「梁部を精度良く形成すること」を解決できる理由として、第４ステップにおいて凹部の側面にレジスト層を形成しない場合、第５ステップにおける第１半導体層のエッチング時に凹部の側面もエッチングされてエッチング後の側面形状にバラツキ（以下「本件側面形状バラツキ」という。）が生じ得ること、エッチング後の凹部側面の形状が一定でなくバラツキを有する場合、エッチャントに対して露出する第１半導体層の表面積にバラツキが生じるため、結果として、梁を形成するためのエッチングレートにバラツキが生じ得ること、エッチングレートにバラツキが生じて梁を形成するためのエッチングに要する時間が異なると、形成される梁部の形状が不安定になるおそれがあること、本願発明１によれば、「側面第２レジスト層形成」により、そのようなエッチングレートのバラツキを抑制することができ、梁部を精度良く形成することができること、が推論できた旨主張する。 しかしながら、このような「側面第２レジスト層形成」を行わない場合に本件側面形状バラツキが生じ得ることについての証拠は何ら示されておらず、むしろ、同じ部材を同じ条件でエッチングした場合、同じような形状にエッチングされる（再現性がある）ことが出願時の技術常識であると認められる。したがって、請求人の前記主張の前提となる、「側面第２レジスト層形成」を行わない場合に本件側面形状バラツキが生じ得ることを、本願の出願時の技術常識に基づいて当業者が推論できるとは認められない。そして、「側面第２レジスト層形成」を行わない場合に側面形状のバラツキが生じることを前提とした、「エッチング後の凹部側面の形状が一定でなくバラツキを有する場合、エッチャントに対して露出する第１半導体層の表面積にバラツキが生じるため、結果として、梁を形成するためのエッチングレートにバラツキが生じ得る」こともまた、出願時の技術常識に基づいて当業者が推論できるとは認められない。 仮に、当業者が「側面第２レジスト層形成」を行わない場合に本件側面形状バラツキが生じ得ること及びこの結果エッチャントに対して露出する第１半導体層の表面積にバラツキが生じることを推論できるものとしても、「エッチャントに対して露出する第１半導体層の表面積にバラツキが生じる」と、「梁を形成するためのエッチングレートにバラツキが生じ得る」ことの機序が不明であるし、これが出願時の技術常識であることの証拠も示されていないから、このことを出願時の技術常識に基づいて当業者が推論できるとは認められない。 したがって、請求人の主張は採用できない。 （５） 小括 以上検討のとおり、本願発明の「側面第２レジスト層形成」の技術上の意義が、発明の詳細な説明の記載からは不明であり、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識に基づいて、「側面第２レジスト層形成」によりどのような発明が解決しようとする課題が解決できるのかを理解することができないから、本願の発明の詳細な説明は、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載することにより、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。 第４－２ 理由２（進歩性）について １ 本願発明の認定 本願発明の認定は、前記第２に記載したとおりである。 ２ 引用文献１の記載事項及び引用発明の認定 （１） 引用文献１の記載事項 当審拒絶理由で引用され、本願の優先日前に日本国内又は外国において発行された引用文献１（特開２０１６－１５１６８１号公報）には、次の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。 ア 発明の詳細な説明 「【００１７】 図１を用いて、実施形態のＭＥＭＳ光スキャナを説明する。図１（ａ）はＭＥＭＳ光スキャナをミラーの反射面側から見た平面図である。図１（ｂ）はＭＥＭＳ光スキャナをミラーの裏面側から見た平面図である。 【００１８】 図１（ａ），（ｂ）に示すように、ＭＥＭＳ光スキャナ１は、フレーム２と、アーム３，４，５，６と、トーションバー１３，１４，１５，１６と、圧電素子７，８と、ミラー１０と、を備えている。」 「【００２２】 ミラー１０の反射面には高反射率の金属膜が形成されている。金属膜の材料として、可視光域での反射率が高く、可視光域全域に亘って反射率が比較的一定であり、高耐蝕性に優れるＡｌやＡｌを主成分とする合金を用いることが好ましい。 【００２３】 図１（ｂ）に示すように、ミラー１０の裏面には補強リブ３０が形成されている。」 「【００２６】 アーム３は、一端側がフレーム２に固定され、他端側がトーションバー１３の一端側に接続されている。 アーム４は、一端側がフレーム２に固定され、他端側がトーションバー１４の一端側に接続されている。 アーム５は、一端側がフレーム２に固定され、他端側がトーションバー１５の一端側に接続されている。 アーム６は、一端側がフレーム２に固定され、他端側がトーションバー１６の一端側に接続されている。 【００２７】 アーム３及びアーム４は、一対のアームを構成し、ミラー１０の重心Ｃ１０を通り、ミラー１０の回動中心軸Ｂ－Ｂと直交する中心線Ａ－Ａを線対称として対向配置されている。 アーム５及びアーム６は、一対のアームを構成し、中心線Ａ－Ａを線対称として対向配置されている。 【００２８】 アーム３とアーム５は、回動中心軸Ｂ－Ｂを線対称として対向配置されている。 アーム４とアーム６は、回動中心軸Ｂ－Ｂを線対称として対向配置されている。 【００２９】 トーションバー１３は、一端側がアーム３に接続され、他端側がミラー１０に接続されている。 トーションバー１４は、一端側がアーム４に接続され、他端側がミラー１０に接続されている。 トーションバー１５は、一端側がアーム５に接続され、他端側がミラー１０に接続されている。 トーションバー１６は、一端側がアーム６に接続され、他端側がミラー１０に接続されている。」 「【００３５】 ＭＥＭＳ光スキャナ１は、シリコン層（第１のシリコン層）４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層（第２のシリコン層）４３とが積層された積層構造を有する。 【００３６】 ＭＥＭＳ光スキャナ１は、例えばＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウエハを、ボッシュプロセス（Bosch process）を用いて深掘りエッチングすることで作製することができる。 【００３７】 シリコン層４１の厚さは例えば５０μｍである。埋め込み酸化層４２の厚さは例えば２μｍである。シリコン層４３の厚さは例えば４００μｍである。 【００３８】 フレーム２は、シリコン層４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層４３との積層構造を有している。なお、図２中のハードマスク４５はＭＥＭＳ光スキャナ１の製造過程でエッチングマスクとして用いられるものである。そのため、フレーム２の構成上なくてもよい。 【００３９】 アーム３，４，５，６、トーションバー１３，１４，１５，１６、及び、ミラー１０は、フレーム２の上層と共通のシリコン層４１で形成されている。 【００４０】 補強リブ３０は、フレーム２の中間層と共通の埋め込み酸化層４２と、フレーム２の下層と共通のシリコン層４３との積層構造を有している。」 「【００４４】 アーム３，４は、圧電素子７の圧電膜の変形の影響を受け、フレーム２に固定された一端側を支点として、それぞれの他端側が図１（ａ）及び図１（ｂ）における紙面手前奥方向に振動する。 【００４５】 アーム３，４の振動がトーションバー１３，１４を介してミラー１０に伝達される。これにより、ミラー１０は回動中心軸Ｂ-Ｂまわりに往復回転駆動する。ミラー１０に形成されている補強リブ３０もミラー１０と共に往復回転駆動する。 【００４６】 圧電素子７に印加される交流電圧の周波数は、ミラー１０、トーションバー１３，１４，１５，１６、及び、アーム３，４，５，６からなる振動系の共振周波数であり、ミラー１０が共振駆動するように設定または調整される。 【００４７】 交流電圧値に応じてミラー１０の偏向角を設定または調整することができる。すなわち、交流電圧値を大きくすることでミラー１０の偏向角を大きくすることができ、交流電圧値を小さくすることでミラー１０の偏向角を小さくすることができる。」 「【００５５】 図３～図６を用いて、ＭＥＭＳ光スキャナ１の製造方法を説明する。」 【００５６】 図３（ａ）は図１（ａ）に対応する平面図である。図３（ｂ）は図３（ａ）の中心線Ａ－Ａにおける断面図であり、図２に対応する。 図４（ａ）は図３（ａ）に対応する平面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）の中心線Ａ－Ａにおける断面図であり、図３（ｂ）に対応する。 図５（ａ）は図１（ｂ）に対応する平面図である。図５（ｂ）は図５（ａ）の中心線Ａ－Ａにおける断面図であり、図４（ｂ）に対応する。 図６（ａ）は図５（ａ）に対応する平面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）の中心線Ａ－Ａにおける断面図であり、図５（ｂ）に対応する。 なお、説明をわかりやすくするために、同じ構成部には同じ符号を付して説明する。 【００５７】 図３（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン層４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層４３とが積層された積層構造を有するＳＯＩウエハのシリコン層４１上に、圧電素子７，８、及び、引き出し電極２１，２２，２３，２４を形成する。 【００５８】 図４（ａ）に示すように、シリコン層４１を、フォトリソグラフィを用いてエッチングし、それぞれパターン化されたアーム３，４，５，６、トーションバー１３，１４，１５，１６、及び、ミラー１０を形成する。 【００５９】 図４（ｂ）に示すように、シリコン層４３の裏面側に、フォトリソグラフィを用いてハードマスク４５を形成する。ハードマスク４５はフレーム２に対応する領域に形成される。 【００６０】 ハードマスク４５をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層４３の厚さが例えば１９０μｍとなるように、シリコン層４３を裏面側からエッチングする。 なお、エッチング後にハードマスク４５を除去してもよい。 【００６１】 図５（ａ），（ｂ）に示すように、エッチング後のシリコン層４３の裏面に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化されたレジスト４６を形成する。レジスト４６は、補強リブ３０に対応する領域にパターン形成される。 なお、ハードマスク４５が除去されている場合には、ハードマスク４５を除去した領域にもレジスト４６を形成する。 【００６２】 レジスト４６をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層４３をさらにエッチングする。 【００６３】 例えば厚さが１９０μｍと厚いシリコン層４３を深掘りエッチングする場合、一般的にボッシュプロセスが用いられる。ボッシュプロセスは、エッチングとエッチング側壁保護とを繰り返しながら行うエッチング方法である。ボッシュプロセスを用いることにより、アスペクト比の高いエッチングが可能になる。 【００６４】 しかしながら、本工程ではボッシュプロセスを用いずにシリコン層４３をエッチングする。具体的には、例えばＣＦ４やＳＦ６等のフッ素系ガスを主成分とし、酸素または塩素ガスが添加された雰囲気中で反応性エッチングを行う。 【００６５】 図６（ｂ）に示すように、反応性エッチングによってシリコン層４３がエッチングされることにより、ミラー１０の裏面に、ミラー１０との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する補強リブ３０が形成される。 【００６６】 反応性エッチングの雰囲気中の酸素または塩素ガスの添加量を制御することにより、補強リブ３０の断面形状、例えば補強リブ３０の側壁の傾斜角度等を調整することができる。 【００６７】 レジスト４６をエッチングマスクとして埋め込み酸化層４２をエッチングした後、レジスト４６を除去することで、図１（ａ），（ｂ）、及び図２に示すＭＥＭＳ光スキャナ１を作製することができる。」 イ 図１～６ 「 ［図：0001419789000005.jpg］ ［図：0001419789000006.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001419789000007.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001419789000008.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001419789000009.jpg］ 」 「【図５】 ［図：0001419789000010.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001419789000011.jpg］ 」 （２） 引用発明の認定 前記（１）から、引用文献１には、図３～６に示されるＭＥＭＳ光スキャナ１の製造方法に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている（引用発明の認定に用いた段落番号等を参考までに括弧内に付してある。以下同じ。）。 ＜引用発明＞ 「ＭＥＭＳ光スキャナ１の製造方法であって、（【００５５】） ＭＥＭＳ光スキャナ１は、フレーム２と、アーム３，４，５，６と、トーションバー１３，１４，１５，１６と、圧電素子７，８と、ミラー１０と、を備えており、（【００１８】） ミラー１０の反射面には高反射率の金属膜が形成され、（【００２２】） 前記ミラー１０の裏面には補強リブ３０が形成され、（【００２３】） アーム３は、一端側が前記フレーム２に固定され、他端側がトーションバー１３の一端側に接続され、アーム４は、一端側が前記フレーム２に固定され、他端側がトーションバー１４の一端側に接続され、アーム５は、一端側が前記フレーム２に固定され、他端側がトーションバー１５の一端側に接続され、アーム６は、一端側が前記フレーム２に固定され、他端側がトーションバー１６の一端側に接続され、（【００２６】） 前記トーションバー１３は、一端側が前記アーム３に接続され、他端側が前記ミラー１０に接続され、前記トーションバー１４は、一端側が前記アーム４に接続され、他端側が前記ミラー１０に接続され、前記トーションバー１５は、一端側が前記アーム５に接続され、他端側が前記ミラー１０に接続され、前記トーションバー１６は、一端側が前記アーム６に接続され、他端側が前記ミラー１０に接続され、（【００２９】） ＭＥＭＳ光スキャナ１は、シリコン層（第１のシリコン層）４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層（第２のシリコン層）４３とが積層された積層構造を有し、（【００３５】） 前記シリコン層４１の厚さは５０μｍであり、前記埋め込み酸化層４２の厚さは２μｍであり、前記シリコン層４３の厚さは４００μｍであり、（【００３７】） フレーム２は、シリコン層４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層４３との積層構造を有し、（【００３８】） アーム３，４，５，６、トーションバー１３，１４，１５，１６、及び、ミラー１０は、フレーム２の上層と共通のシリコン層４１で形成されており、（【００３９】） 補強リブ３０は、フレーム２の中間層と共通の埋め込み酸化層４２と、フレーム２の下層と共通のシリコン層４３との積層構造を有しており、（【００４０】） 前記アーム３，４は、前記圧電素子７の圧電膜の変形の影響を受け、前記フレーム２に固定された一端側を支点として、それぞれの他端側が振動し、（【００４４】） 前記アーム３，４の振動が前記トーションバー１３，１４を介して前記ミラー１０に伝達され、これにより、ミラー１０は回動中心軸Ｂ-Ｂまわりに往復回転駆動し、前記ミラー１０に形成されている前記補強リブ３０もミラー１０と共に往復回転駆動し、（【００４５】） 前記圧電素子７に印加される交流電圧の周波数は、ミラー１０、トーションバー１３，１４，１５，１６、及び、アーム３，４，５，６からなる振動系の共振周波数であり、ミラー１０が共振駆動するように設定または調整され、（【００４６】） 交流電圧値に応じてミラー１０の偏向角を設定または調整することができ、（【００４７】） シリコン層４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層４３とが積層された積層構造を有するＳＯＩウエハのシリコン層４１上に、圧電素子７，８、及び、引き出し電極２１，２２，２３，２４を形成し、（【００５７】） 前記シリコン層４１を、フォトリソグラフィを用いてエッチングし、それぞれパターン化されたアーム３，４，５，６、トーションバー１３，１４，１５，１６、及び、ミラー１０を形成し、（【００５８】） 前記シリコン層４３の裏面側に、フォトリソグラフィを用いてハードマスク４５を形成し、前記ハードマスク４５はフレーム２に対応する領域に形成され、（【００５９】） 前記ハードマスク４５をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層４３の厚さが１９０μｍとなるように、前記シリコン層４３を裏面側からエッチングし、エッチング後に前記ハードマスク４５を除去し、（【００６０】） エッチング後の前記シリコン層４３の裏面に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化されたレジスト４６を形成し、前記レジスト４６は、補強リブ３０に対応する領域にパターン形成され、ハードマスク４５を除去した領域にもレジスト４６を形成し、（【００６１】） 前記レジスト４６をエッチングマスクとして、エッチング後の前記シリコン層４３をさらにエッチングし、（【００６２】） 反応性エッチングによって前記シリコン層４３がエッチングされることにより、前記ミラー１０の裏面に、ミラー１０との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する前記補強リブ３０が形成され、（【００６５】） 前記レジスト４６をエッチングマスクとして前記埋め込み酸化層４２をエッチングした後、前記レジスト４６を除去する、（【００６７】） ＭＥＭＳ光スキャナ１の製造方法。」 ３ 対比・判断 （１） 対比 本願発明と引用発明とを対比する。 ア 本願発明の「ベース」「を備え、」との発明特定事項について 引用発明の「フレーム２」は、「アーム３，４，５，６」の一端側が固定されるものであるから、本願発明の「ベース」に相当する。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 イ 本願発明の「可動部」「を備え、」との発明特定事項について 引用発明の「ミラー１０」は、「回動中心軸Ｂ-Ｂまわりに往復回転駆動」するから、本願発明の「可動部」に相当する。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 ウ 本願発明の「前記ベースと前記可動部との間に接続された弾性支持部」「を備え、」との発明特定事項について 引用発明の「一端側が前記フレーム２に固定され、他端側がトーションバー１３の一端側に接続され［ている］」「アーム３」及び「一端側が前記アーム３に接続され、他端側が前記ミラー１０に接続され［ている］」「トーションバー１３」は、「前記アーム３」は、「前記フレーム２に固定された一端側を支点として、それぞれの他端側が振動し」、「前記アーム３，４の振動が前記トーションバー１３，１４を介して前記ミラー１０に伝達され［る］」から、本願発明の「前記ベースと前記可動部との間に接続された弾性支持部」に相当する。 同様に、「一端側が前記フレーム２に固定され、他端側がトーションバー１４の一端側に接続され［ている］」「アーム４」及び「一端側が前記アーム４に接続され、他端側が前記ミラー１０に接続され［ている］」「トーションバー１４」、「一端側が前記フレーム２に固定され、他端側がトーションバー１５の一端側に接続され［ている］」「アーム５」及び「一端側が前記アーム５に接続され、他端側が前記ミラー１０に接続され［ている］」「トーションバー１５」、並びに、「一端側が前記フレーム２に固定され、他端側がトーションバー１６の一端側に接続され［ている］」「アーム６」及び「一端側が前記アーム６に接続され、他端側が前記ミラー１０に接続されている［ている］」「トーションバー１６」も、本願発明の「前記ベースと前記可動部との間に接続された弾性支持部」に相当する。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 エ 本願発明の「前記可動部上に配置された光学機能部」「を備え、」との発明特定事項について 引用発明の「前記ミラー１０の反射面に」「形成されている」「高反射率の金属膜」は、本願発明の「前記可動部上に配置された光学機能部」に相当する。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 オ 本願発明の「前記ベース、前記可動部及び前記弾性支持部は、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された絶縁層を有する半導体基板によって構成されており、」との発明特定事項について 引用発明の「シリコン層４３」、「シリコン層４１」及び「埋め込み酸化層４２」は、本願発明の「第１半導体層」、「第２半導体層」及び「絶縁層」にそれぞれ相当する。また、引用発明の「シリコン層４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層４３とが積層された積層構造を有するＳＯＩウエハ」は、本願発明の「第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された絶縁層を有する半導体基板」に相当する。 そして、引用発明において、「フレーム２は、シリコン層４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層４３との積層構造を有し［ている］」ことは、本願発明の「ベース」「は、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された絶縁層を有する半導体基板によって構成されて［いる］」ことに相当する。 さらに、引用発明の「アーム３，４，５，６、トーションバー１３，１４，１５，１６、及び、ミラー１０」が「フレーム２の上層と共通のシリコン層４１で形成されて［いる］」ことは、本願発明の「前記可動部及び前記弾性支持部は、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された絶縁層を有する半導体基板によって構成されて［いる］」ことに相当する。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 カ 本願発明の「前記ベースは、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記絶縁層によって構成され、」との発明特定事項について 引用発明の「フレーム２は、前記シリコン層４１と前記埋め込み酸化層４２と前記シリコン層４３との積層構造を有［する」」ことは、前記オも踏まえると、本願発明の「前記ベースは、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記絶縁層によって構成されて［いる］」ことに相当する。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 キ 本願発明の「前記可動部及び前記弾性支持部の少なくとも一方は、少なくとも前記第１半導体層によって構成されて前記第２半導体層上に配置された梁部を有し、」との発明特定事項について 引用発明の「補強リブ３０」は、本願発明の「梁部」に相当する。 また、引用発明の「補強リブ３０」が「フレーム２の中間層と共通の埋め込み酸化層４２と、フレーム２の下層と共通のシリコン層４３との積層構造を有して［いる］」ことは、前記（オ）で検討したとおり、引用発明の「シリコン層４３」は、本願発明の「第１半導体層」に相当することを踏まえると、本願発明の「梁部」が「少なくとも前記第１半導体層によって構成されて［いる］」ことに相当する。 さらに、引用発明の「補強リブ３０」が「前記ミラー１０の裏面に」「形成され［る］」ことは、「ミラー１０」は、「シリコン層４１で形成されて［いる］」こと、及び、引用発明の「シリコン層４１」は、本願発明の「第２半導体層」に相当すること（前記オ）を踏まえると、本願発明の「梁部」が「前記第２半導体層上に配置された」ことに相当する。 そして、引用発明の「補強リブ３０」が「前記ミラー１０の裏面に」「形成され［る］」ことは、本願発明の「前記可動部及び前記弾性支持部の少なくとも一方は、」「梁部を有［する］」ことと、「前記可動部」「は、」「梁部を有［する］」点で一致する。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 ク 本願発明の「前記梁部を構成する前記第１半導体層は、前記ベースを構成する前記第１半導体層よりも薄い、」との発明特定事項について 引用発明の「補強リブ３０」は、「前記ハードマスク４５をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層４３の厚さが１９０μｍとなるように、前記シリコン層４３を裏面側からエッチングし、」「エッチング後の前記シリコン層４３の裏面に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化されたレジスト４６を形成し、前記レジスト４６は、補強リブ３０に対応する領域にパターン形成［して］」作成するから、もとのシリコン層４３の厚さよりも薄くなっていることは明らかである。 これに対して、引用発明の「フレーム２」は、「前記シリコン層４３の裏面側に、フォトリソグラフィを用いてハードマスク４５を形成し、前記ハードマスク４５はフレーム２に対応する領域に形成され、前記ハードマスク４５をエッチングマスクとして、」「前記シリコン層４３を裏面側からエッチングし、」「エッチングの後の前記シリコン層４３の裏面に、」「ハードマスク４５を除去した領域にもレジスト４６を形成し、前記レジスト４６をエッチングマスクとして、エッチング後の前記シリコン層４３をさらにエッチング［する］」から、もとのシリコン層４３の厚さであることは明らかである。 そうすると、引用発明の「補強リブ３０」を構成するシリコン層４３は、「フレーム２」を構成するシリコン層４３より薄いといえる。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 ケ 本願発明の「光学デバイスの製造方法」との発明特定事項について 引用発明の「ＭＥＭＳ光スキャナ１」は、本願発明の「光学デバイス」に相当する。 また、引用発明の「ＭＥＭＳ光スキャナ１の製造方法」は、本願発明の「光学デバイスの製造方法」に相当する。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 コ 本願発明の「前記ベース、前記可動部及び前記弾性支持部に対応する部分を有する前記半導体基板を用意する第１ステップ」「を備える」との発明特定事項について 引用発明の「シリコン層４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層４３とが積層された積層構造を有するＳＯＩウエハのシリコン層４１上に、圧電素子７，８、及び、引き出し電極２１，２２，２３，２４を形成［する］」ことは、「シリコン層４１と埋め込み酸化層４２とシリコン層４３とが積層された積層構造を有するＳＯＩウエハ」を用意するステップであるといえる。 したがって、前記ア～ウ及びオを踏まえると、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 サ 本願発明の「前記第１ステップの後に、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の表面のうち、前記ベースに対応する領域に、第１レジスト層を形成する第２ステップ」「を備える」との発明特定事項について 引用発明の「ハードマスク４５」は「前記シリコン層４３の裏面側に、フォトリソグラフィを用いて」「形成」されるものであるから、層状のものであることは当業者には自明のことである。また本願発明の「第１レジスト層」は、「マスクとして用い［られる］」ものであるから、本願発明の「第１レジスト層」と、引用発明の「ハードマスク４５」は、「マスク層」である点で共通する。 また、引用発明の「前記シリコン層４３の裏面側に、フォトリソグラフィを用いてハードマスク４５を形成し、前記ハードマスク４５はフレーム２に対応する領域に形成され［る］」ことは、シリコン層４３における埋め込み酸化層４２とは反対側の表面のうちフレーム２に対応する領域にハードマスク４５を形成するステップであるといえる。 さらに、当該ステップは、前記コで検討した引用発明のステップに続いて行われるステップであるといえる。 したがって、本願発明と引用発明は、「前記第１ステップの後に、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の表面のうち、前記ベースに対応する領域に、」マスク層「を形成する第２ステップ」を備える点で共通する。 シ 本願発明の「前記第２ステップの後に、前記第１レジスト層をマスクとして用いて前記第１半導体層を厚さ方向における中間部までエッチングすることにより、前記第１半導体層に凹部を形成する第３ステップ」「を備える」との発明特定事項について 引用発明が、「前記ハードマスク４５をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層４３の厚さが１９０μｍとなるように、前記シリコン層４３を裏面側からエッチング［する］」ことは、「前記シリコン層４３の厚さは４００μｍであ［る］」ことを踏まえると、ハードマスク４５をエッチングマスクとして、厚さ４００μｍのシリコン層４３を厚さが１９０μｍとなる厚さ方向における中間部までエッチングすることであるといえる。そして、引用発明の当該「前記シリコン層４３を裏面側からエッチング［する］」ことは、「シリコン層４３の厚さは４００μｍであ［った］」ものを「ハードマスク４５をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層４３の厚さが１９０μｍとなるように、前記シリコン層４３を裏面側からエッチングし［ている］」から、当該ハードマスク４５が形成された領域を除いて、シリコン層４３に凹部が形成されていることが理解でき、当該凹部は、本願発明の「前記第１半導体層」に形成される「凹部」に相当する。したがって、引用発明の「前記ハードマスク４５をエッチングマスクとして、エッチング後のシリコン層４３の厚さが１９０μｍとなるように、前記シリコン層４３を裏面側からエッチング［する］」ことは、ハードマスク４５をエッチングマスクとしてシリコン層４３をエッチングすることによりシリコン層４３に凹部を形成するステップであるといえるところ、当該ステップは、前記サで検討した引用発明のステップに続いて行われるステップであるといえる。 したがって、本願発明と引用発明は「前記第２ステップの後に、」マスク層「をマスクとして用いて前記第１半導体層を厚さ方向における中間部までエッチングすることにより、前記第１半導体層に凹部を形成する第３ステップ」を備える点で共通する。 ス 本願発明の「前記第３ステップの後に、前記凹部の底面のうち前記梁部に対応する領域、前記凹部の側面、及び、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の前記表面に、第２レジスト層を形成する第４ステップ」「を備える」との発明特定事項について 引用発明の「レジスト４６」は、本願発明の「第２レジスト層」に相当する。 また、引用発明が「エッチング後の前記シリコン層４３の裏面に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化されたレジスト４６を形成し、前記レジスト４６は、補強リブ３０に対応する領域にパターン形成され［る］」ことは、本願発明の「前記凹部の底面のうち前記梁部に対応する領域」「に、第２レジスト層を形成する」ことに相当する。 さらに、引用発明が「ハードマスク４５を除去した領域にもレジスト４６を形成［する］」ことは、本願発明の「前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の前記表面に、第２レジスト層を形成する」ことに相当する。 そして、引用発明の当該「レジスト４６を形成する」ことは、レジスト４６を形成するステップであるといえるところ、当該ステップは、前記シで検討した引用発明のステップに続いて行われるステップであるといえる。 したがって、本願発明と引用発明は、「前記第３ステップの後に、前記凹部の底面のうち前記梁部に対応する領域、」「及び、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の前記表面に、第２レジスト層を形成する第４ステップ」を備える点で共通する。 セ 本願発明の「前記第４ステップの後に、前記第２レジスト層をマスクとして用いて前記第１半導体層を前記絶縁層に至るまでエッチングすることにより、前記梁部を形成する第５ステップ」「を備える」との発明特定事項について 引用発明が、「前記レジスト４６をエッチングマスクとして、エッチング後の前記シリコン層４３をさらにエッチングし、反応性エッチングによって前記シリコン層４３がエッチングされることにより、前記ミラー１０の裏面に、ミラー１０との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する前記補強リブ３０が形成される」ことは、本願発明の「前記第２レジスト層をマスクとして用いて前記第１半導体層を」「エッチングすることにより、前記梁部を形成する」ことに相当する。 また、引用発明の「補強リブ３０」が、「フレーム２の中間層と共通の埋め込み酸化層４２と、フレーム２の下層と共通のシリコン層４３との積層構造を有して［いる］」ことは、シリコン層４３を埋め込み酸化層４２に至るまでエッチングすることにより、「補強リブ３０」が得られることを意味するから、引用発明において、当該「前記シリコン層４３をさらにエッチング［する］」ことは、本願発明において、前記第１半導体層を「前記絶縁層に至るまで」エッチングすることに相当する。 そして、引用発明の当該「梁部を形成する」ことは、梁部を形成するステップであるといえるところ、当該ステップは、前記スで検討した引用発明のステップに続いて行われるステップであるといえる。 したがって、引用発明は前記発明特定事項を満たす。 ソ 以上のことから、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「ベースと、 可動部と、 前記ベースと前記可動部との間に接続された弾性支持部と、 前記可動部上に配置された光学機能部と、を備え、 前記ベース、前記可動部及び前記弾性支持部は、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された絶縁層を有する半導体基板によって構成されており、 前記ベースは、前記第１半導体層、前記第２半導体層及び前記絶縁層によって構成されており、 前記可動部及び前記弾性支持部の少なくとも一方は、少なくとも前記第１半導体層によって構成されて前記第２半導体層上に配置された梁部を有し、 前記梁部を構成する前記第１半導体層は、前記ベースを構成する前記第１半導体層よりも薄い、光学デバイスの製造方法であって、 前記ベース、前記可動部及び前記弾性支持部に対応する部分を有する前記半導体基板を用意する第１ステップと、 前記第１ステップの後に、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の表面のうち、前記ベースに対応する領域に、マスク層を形成する第２ステップと、 前記第２ステップの後に、前記マスク層をマスクとして用いて前記第１半導体層を厚さ方向における中間部までエッチングすることにより、前記第１半導体層に凹部を形成する第３ステップと、 前記第３ステップの後に、前記凹部の底面のうち前記梁部に対応する領域、及び、前記第１半導体層における前記絶縁層とは反対側の前記表面に、第２レジスト層を形成する第４ステップと、 前記第４ステップの後に、前記第２レジスト層をマスクとして用いて前記第１半導体層を前記絶縁層に至るまでエッチングすることにより、前記梁部を形成する第５ステップと、を備える、光学デバイスの製造方法。」である点。 【相違点１】 マスク層が、本願発明は「第１レジスト層」であるのに対して、引用発明は「ハードマスク４５」である点。 【相違点２】 第２レジスト層を形成する第４ステップにおいて、本願発明は「凹部の側面」にも第２レジスト層を形成しているのに対して、引用発明は、「エッチング後の前記シリコン層４３の裏面に、フォトリソグラフィを用いてリング状にパターン化されたレジスト４６を形成し、前記レジスト４６は、補強リブ３０に対応する領域にパターン形成され、ハードマスク４５を除去した領域にもレジスト４６を形成［する］」ものであるが、シリコン層４３に形成された凹部の側面にはレジスト４６を形成していない点。 （２） 判断 ア 相違点１について 引用発明は、一回目のエッチングの際にマスク層としてハードマスク４５を用いているが、二回目のエッチングの際にレジスト４６をマスク層として用いているように、エッチングの際にレジストをマスク層として用いることは広く知られているところ、一回目のエッチングの際にマスク層としてハードマスク４５を用いることに代えてレジストを用いることは、当業者が適宜なし得る設計変更にすぎない。 イ 相違点２について まず、エッチングに際して望ましくないサイドエッチングを防止するために側壁にレジストを形成することは本願の優先日当時に周知の技術的手段にすぎない（例えば、特開平１－２９５４８６号公報：２頁左下欄１０～１８行「すなわち本発明は、導体の厚さが増大するとともに、エッチング液によりサイドエッチングされて、第３図（ｄ）のようになることを防止するため、第１回目のエッチングを従来の１００μｍ程度の導体厚さまで行い、残留した回路形部の側壁にもレジスト膜が形成されるように、スクリーン印刷によりレジスト膜を形成した後、さらに第２回目以降のエッチングを行うようにしたものである。」、特開平５－１６０５４５号公報：【０００８】「濃硫酸等で残留レジストを完全に分解処理すれば“銅残り”の発生は見られないが、配線パターンのサイドエッチが同時に起り易く好ましくない。これは配線パターンの側面に厚膜のエッチングレジストを設けることで防止できる・・・」、特開２００８－２８５４０９号公報：【００１５】～【００１６】「第２のエッチング工程においては、第１のエッチング工程においてすでにパターニングされた第２及び第３の導電性配線層の上面及び側面を被覆するようにレジスト膜が形成される。このような工程を有する製造方法によれば、第２のエッチング工程の際に、少なくとも第３の導電性配線層の側面が露出することがないので、・・・先の工程においてパターニングされた第３の導電性配線層側面のオーバーエッチング（サイドエッチング）を防止して、パターン幅の減少・・・を抑制することができる。」参照）。 そして、引用発明において、「前記レジスト４６をエッチングマスクとして、エッチング後の前記シリコン層４３をさらにエッチング［する］」際には、「反応性エッチングによって前記シリコン層４３がエッチングされることにより、前記ミラー１０の裏面に、ミラー１０との接続部よりも先端部が細い、先細り形状を有する前記補強リブ３０が形成され［る］」ことから見て、シリコン層４３に形成された凹部の側壁がサイドエッチングされることは当業者であれば直ちに理解できることであり、加えて、理由１で指摘したとおり、相違点２に係る本願発明の発明特定事項のように凹部の側面に第２レジスト層を形成することの技術上の意義は本願の発明の詳細な説明には何ら記載されておらず、出願時の技術常識を考慮しても不明であることも勘案すれば、引用発明において、当該サイドエッチングを防止するために、シリコン層４３に形成された凹部の側壁にもレジスト４６を形成することにより相違点２に係る本願発明の構成とすることは、単に引用発明に周知の技術的手段を適用することにより当業者が容易に想到し得た設計変更にすぎないといわざるを得ない。 また、仮に請求人が前記理由１に対して主張するように、「側面第２レジスト層形成」を行わない場合に、形成される梁部の形状が不安定になることを当業者が技術常識に基づき推論できる（前記第４－１の２（４）参照）のであれば、当該技術常識に基づけば、当業者は、引用発明においても、シリコン層に形成された凹部の側面にレジスト４６を形成しない場合に、補強リブ３０の形状が不安定になることを理解できるといえる。そして、引用発明は、「補強リブ３０もミラー１０と共に往復回転駆動」するところ、「圧電素子７に印加される交流電圧の周波数」を「ミラー１０、トーションバー１３，１４，１５，１６、及び、アーム３，４，５，６からなる振動系の共振周波数」として「ミラー１０が共振駆動するように設定または調整」し、「交流電圧値に応じてミラー１０の偏向角を設定または調整することができ［る］」ものであるから、補強リブの形状が不安定になるとミラー１０の偏向角も不安定となることを当業者は理解できること踏まえると、引用発明において補強リブ３０の形状が不安定になることが望ましくないことは、当業者には自明のことであるから、引用発明において、補強リブ３０の形状が不安定になることのないように、前記技術常識に基づいて引用発明に前記周知の技術的手段を適用して、前記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことであるともいえる。 （３） 効果について 前記相違点１～２を総合的に勘案しても、本願発明の効果は、本願発明の構成が奏するものとして、当業者が引用発明及び周知の技術的手段から見て、予測困難な効果であるとはいえないし、格別顕著な効果であるともいえない。 （４） 請求人の主張について 審判請求人は、意見書において、引用文献１にはシリコン層４３に記載された凹部の側面に高い精度が要求されることを示唆等する記載は存在せず、引用文献１に接した当業者が引用発明１において凹部の側面に高い精度が必要であると認識したはずであるとはいえない旨主張している。 しかしながら、凹部の側面に第２レジスト層を形成することの技術上の意義は本願の発明の詳細な説明の記載には何ら記載されておらず、出願時の技術常識を考慮しても不明であることも勘案すれば、引用発明において、シリコン層４３に形成された凹部の側壁にもレジスト４６を形成することにより相違点２に係る本願発明の構成とすることは、単に引用発明に周知の技術的手段を適用することにより当業者が容易に想到し得た設計変更にすぎないといわざるを得ないし、また、「側面第２レジスト層形成」を行わない場合に、形成される梁部の形状が不安定になることを当業者が技術常識に基づき推論できるのであれば、引用発明において、補強リブ３０の形状が不安定になることのないように、前記技術常識に基づいて引用発明に前記周知の技術的手段を適用して、前記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことであるともいえることは、前記（２）イで説示したとおりである。。 （５） まとめ したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術的手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第５ むすび 以上のとおり、本願は、本願発明について、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。