2024-006662

特願２０２０－５５９１５３「光検出装置及び光検出装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年 ６月１８日国際公開、ＷＯ２０２０／１２１８５８〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１９年（令和元年）１１月２９日（優先権主張 平成３０年１２月１２日（以下「優先日」という。））を国際出願日とする日本語特許出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 ５年 ７月１８日付け：拒絶理由通知書 同年１１月２４日 ：手続補正書及び意見書の提出 令和 ６年 １月１８日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同月３０日 ：原査定の謄本の送達） 同年 ４月１８日 ：審判請求書の提出 同年 ５月１４日 ：審判請求書に係る手続補正書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和５年１１月２４日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１の記載は、次のとおりである。 ＜本願発明＞ 「光検出装置であって、 互いに対向する第一主面及び第二主面を有すると共に、前記第一主面に直交する方向から見て互いに離間してアバランシェフォトダイオードと温度補償用ダイオードとが形成された半導体基板を備え、 前記半導体基板は、前記第一主面に直交する方向から見て前記アバランシェフォトダイオードと前記温度補償用ダイオードとの間に、周辺に位置するキャリアを吸収する周辺キャリア吸収部を有し、 前記半導体基板は、第一導電型の半導体領域を含み、 前記アバランシェフォトダイオード及び前記温度補償用ダイオードは、それぞれ、前記第一導電型と異なる第二導電型の半導体層を含み、 前記周辺キャリア吸収部は、前記第一主面に直交する方向から見て、前記半導体領域に接していると共に前記半導体領域に囲まれている、前記第一導電型又は前記第二導電型の半導体層を含んでおり、 前記第一主面に直交する方向から見て、前記アバランシェフォトダイオードと前記温度補償用ダイオードとの間を最短距離で結ぶ線分上において、 前記アバランシェフォトダイオードと前記周辺キャリア吸収部との間の最短距離は、前記周辺キャリア吸収部の縁のうち前記アバランシェフォトダイオードに最も近い部分と、前記温度補償用ダイオードとの間の最短距離よりも小さく、 前記温度補償用ダイオードに印加されるブレークダウン電圧に応じた電圧を前記アバランシェフォトダイオードにバイアス電圧として印加することで、前記アバランシェフォトダイオードの増倍率の温度補償が行われる。」 第３ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由のうち、本願発明についての理由１（進歩性欠如）は、以下に概要を示す理由を含むものである。 本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明である下記の引用文献２に記載された発明及び引用文献３に記載された技術事項に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 ２．特開平６－２２４４６３号公報 ３．特開昭６１－２８９６７７号公報 第４ 当審の判断 １ 引用文献の記載及び引用発明等の認定 （１） 引用文献２の記載及び引用発明の認定 ア 引用文献２に記載された事項 原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に発行された引用文献２（特開平６－２２４４６３号公報）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は当合議体が付したものであり、他の引用文献についても同様である。 （ア） 【産業上の利用分野】、【従来の技術】（【０００１】～【００１４】、【図６】～【図８】） 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、半導体受光装置に関し、特に、なだれ増幅機能を有するアバランシェフォトダイオード（Avalanche Photo Diode ；ＡＰＤと略す）に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図６は、従来の受光用ＡＰＤの断面図を示すものである。図６の構造は、IEEEELECTRON DEVICE LETTERS,VOL EDL-7,No4,APRIL 1986 から引用したもので、受光領域と増倍領域とが分離された、ＳＡＭ型（Separated Absorption and Multiplication)と呼ばれるＩｎＧａＡｓＡＰＤである。 【０００３】図中、２０は本ＩｎＧａＡｓＡＰＤであり、１はｎ+ －ＩｎＰ基板、２は該ＩｎＰ基板１上にエピ成長され、キャリア濃度が１～１０×１０16cm -3 程度で、厚さが０．５～１．０μｍのｎ型ＩｎＰバッファ層、３は該バッファ層２上に連続エピ成長され、キャリア濃度が、５×１０15cm -3 程度以下に制御された、厚さが４μｍのｎ- －ＩｎＧａＡｓ光吸収層、４は該光吸収層３上に連続エピ成長され、キャリア濃度が、８×１０15cm -3 程度に制御され、厚さが０．１μｍ程度に制御されたｎ－ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層、５は該パイルアップ防止層４上に連続エピ成長され、キャリア濃度が１．０～１．３×１０16cm -3 に制御され、厚さが１．８～２．０μｍに制御されたｎ－ＩｎＰ増倍層、６は該増倍層５上に連続エピ成長され、キャリア濃度が２×１０15cm -3 に制御され、厚さが２μｍ程度のｎ- 型ＩｎＰガードリング層、７は該ガードリング層６の主面より部分的に、その拡散フロントが、前記増倍層５に接するように制御され、Ｚｎ，Ｃｄなどのアクセプタ不純物の拡散によって形成されたＰ+ －ＩｎＰ拡散領域、８は同様に該ガードリング層６の主面より、前記拡散領域７の周囲にリング状に形成され、前記拡散領域７の拡散深さよりも少なくとも深くなるように形成され、かつ、ＰＮ接合フロントが傾斜接合となるように形成された、例えばＢｅのイオン注入などの方法で形成されたＰ+ －ＩｎＰガードリング領域、９は前記ガードリング層６上に形成された、例えばＳｉＮなどの誘電体よりなる表面保護膜、１０は該表面保護膜９に形成され、前記拡散領域７が露呈されたコンタクトホール、１１は該コンタクトホール１０を介して前記拡散領域７と電気的に導通するアノード電極、１２は前記ＩｎＰ基板１に形成されたカソード電極、１３は受光領域を示す。 【０００４】図７は、従来の温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤ３０の断面図を示すものである。図７の構造は、図６の受光用ＡＰＤと本質的には変わらない。１４は、例えばＡｕ，Ｔｉ等の金属からなる、光の入射を阻止する遮光膜である。 【０００５】図８は従来の、上記遮光ＡＰＤ３０を用いた上記受光用ＡＰＤ２０のための温度補正バイアス回路の一例を示したもので、６個のトランジスタと、１４個の抵抗からなる。１０１は本温度補正バイアス回路の駆動用のバイアス入力端子で、１０２は上記受光用ＡＰＤ２０のバイアスを与える出力端子で、１０３は出力端子１０２の出力を制御する制御端子である。１０４は温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤに相当するダイオード。 【０００６】次に図６の受光用ＡＰＤ２０の動作について説明する。アノード電極１１にマイナス，カソード電極１２にプラスの逆方向バイアスを印加すると、拡散領域７と増倍層５とで形成されるＰＮ接合に逆方向バイアスが印加され、主にキャリア濃度の低い増倍層５の側に空乏層が形成され、さらにバイアスを大きくすると、空乏層はパイルアップ防止層４を通過し、光吸収層３までのびる。さらにバイアスを大きくすると、光吸収層３に形成された空乏層の長さは１～３μｍ程度に達し、増倍層５，パイルアップ防止層４，光吸収層３にそれぞれ形成された空乏層内のドナーイオンによって生じた空間電荷により電界が発生し、特に拡散領域７と増倍層５との間のＰＮ接合界面で最大電界となる。この様子を図９を用いて説明する。図９は拡散領域７と増倍層５との間のＰＮ接合界面をゼロの位置にし、ＩｎＰ基板１方向へ距離ｘを取った時に各位置に生じている電界強度Ｅ（ｘ）を示している。増倍層５のキャリヤ濃度が、パイルアップ防止層４，光吸収層３のキャリヤ濃度よりも大きいため、電界強度Ｅ（ｘ）の傾きも大きく、パイルアップ防止層４の電界強度Ｅ（ｘ）の傾きは光吸収層３のそれより若干大きい。さらにバイアスを大きくすると、最大電界強度ＥBmaxは、ついになだれ増倍を生じさせる臨界電界強度ＥBava. に達し、この増倍層５でなだれ増倍が生じる。一方、受光領域１３より入射された波長約１．３μｍの光は、バンドキャップエネルギーの大きい増倍層５，パイルアップ防止層４にはほとんど吸収されず、バンドキャップエネルギーが０．７５ｅＶの光吸収層３に達して初めて光吸収が発生し、約１．５μｍの距離を通過する間に、そのほとんどが吸収される。光吸収によって生じたキャリヤは、図９で示した内部電界で加速されて、電子と正孔はそれぞれ反対方向へ移動する。特に正孔は、パイルアップ防止層４を通り、増倍層５を通って増倍され、拡散領域７へ達し、多数キャリヤとなってアノード電極１１から信号となって観測されるため、微弱な光入力信号でも大きな光電流として観測されるといった、自己増幅機能を持った受光装置であることがこの装置の特徴である。 ・・・（中略）・・・ 【００１２】 ・・・（中略）・・・ 一般に、図６における受光用ＡＰＤ及び、図７における遮光ＡＰＤに限らず、アバランシェ増倍を生じている場合、一定のバイアス下で温度が増加すると、結晶格子の格子振動エネルギーが増加し、キャリヤの散乱確率が増加するため、キャリアの運動エネルギーが減少し、アバランシェ増倍を生じさせるイオン化率は低下する。つまり、温度が増加すると、ブレークダウン電圧が大きい方へシフトした分、一定のバイアス下で使用すると増倍率は減少する。図１０、図１１、図１２にＡＰＤの特性の一例を示す。 【００１３】図１１は、逆方向電圧Ｖｒに対する逆方向電流Ｉｒのグラフを、環境温度がＴ1 ，Ｔ2 の場合について示し、図１１はこの時の増倍率Ｍのグラフを示す。Ｔ1とＴ2 の関係は、Ｔ1 ＜Ｔ2 であって、環境温度が高いＴ2 の方が、Ｉｒ＝１００μＡで定義したブレークダウン電圧ＶB が高く（ＶB1＜ＶB2）なり、一定のバイアス電圧ＶM における増倍率Ｍが小さく（Ｍ1 ＞Ｍ2 ）なっていることがわかる。図１２には環境温度Ｔに対するブレークダウン電圧ＶB の関係を示す。このグラフの傾きβは、拡散領域７，増倍率５のキャリヤ濃度，厚さ等によって特に敏感に変化する。 【００１４】実使用に際しては、環境温度の変化に対するバイアス補正回路が必要となり、それが、図８で示したバイアス回路と、その中で使用される図７で示した遮光ＡＰＤ３０である。図８中で、遮光ＡＰＤ３０（１０４）には、制御端子１０３で制御した一定の逆方向電流が流れ、温度が変化しても逆方向電流値は一定にしてあるが、遮光ＡＰＤ３０の両極端子間の電圧は同じ理由で変化する。この電圧変化をバイアス回路内でフィードバックし、その出力端子１０２から受光用ＡＰＤ２０の印加バイアスとして出力することにより、受光用ＡＰＤ２０の入射信号強度を、独立に温度変化を補正して制御し、一定増倍率を与えることが可能となる。」（当合議体注：【００１４】の「制御端子１０２」は、【０００４】の「１０２は上記受光用ＡＰＤ２０のバイアスを与える出力端子で、１０３は出力端子１０２の出力を制御する制御端子である。」との記載からみて、「制御端子１０３」の誤記であることが明らかであるから、誤記を正して摘記した。） 「【図６】 ［図：0001427545000001.jpg］ 【図７】 ［図：0001427545000002.jpg］ 【図８】 ［図：0001427545000003.jpg］ 」 （イ） 【発明が解決しようとする課題】（【００１５】～【００１８】） 「【００１５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の受光用ＡＰＤ，遮光ＡＰＤ，及び温度補正バイアス回路は以上のように構成されているため、遮光ＡＰＤの特性、特に、ブレークダウン電圧ＶB と、ブレークダウン電圧が温度に対して変化する量である温度係数βとは、受光用ＡＰＤのそれに対し同一か、もしくは一定の比例関係のあるものの方が使いやすいが、実際は製造上のばらつき量が大きく、受光用ＡＰＤの特性に見合う特性を持つ遮光用ＡＰＤを別途準備する必要があり、その選別に手間がかかるため、歩留が低下し製造コストが上昇するなどの問題点があった。 ・・・（中略）・・・ 【００１８】この発明は、以上のような従来の問題点に鑑みてなされたもので、遮光ＡＰＤの選別を必要とすることなく、補正特性の良い温度補正機能を持つＡＰＤを有する半導体受光装置を提供することを目的としている。」 （ウ） 実施例１（【００３２】～【００３４】、【図１】） 「【００３２】 【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例１を図について説明する。図１は本発明の実施例１による半導体受光装置を示し、図において、図６、図７と同一番号は、同一もしくは相当部分を示している。２０は、図６と同じ構造を持つ受光用のＡＰＤの部分を示し、３０は、受光用ＡＰＤと同一チップ内に形成された、図７と同じ構造を持つ温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤの部分である。 【００３３】次に本実施例１の半導体受光装置の動作について説明する。本実施例のＡＰＤ部２０は、従来のものと全く同様に機能し、アノード電極１１，カソード電極１２間に逆方向バイアスを印加すれば、やがて増倍層５でなだれ増倍が生じ、受光領域１３から入射した光によって光吸収層３に生じたキャリヤが増倍され、増幅された信号となって検出される。一方、遮光ＡＰＤ部３０の遮光膜１４，カソード電極１２間にも同様に逆方向バイアスを印加すれば、同様になだれ増倍が生じるが、該遮光ＡＰＤ部には遮光膜１４によって外部からの光は全く入射せず、受光用ＡＰＤ部２０の受光領域１３に信号光が入ってきた場合にもこれと無関係に、環境温度のみで決まる電圧電流特性を与える。従って、図８で示したバイアス回路のダイオード１０４に代えて遮光ＡＰＤ３０を、端子１０２に受光用ＡＰＤ２０をそれぞれ接続すれば、従来と同様に、温度が変化しても、環境温度によって決まる電圧電流特性分が相殺されて、受光用ＡＰＤ部２０は一定の増倍率を与えることとなる。 【００３４】図１に示した本実施例１の受光装置においては、受光用ＡＰＤ２０と遮光ＡＰＤ３０を同一チップ上に形成しているため、受光用ＡＰＤ２０の特性と遮光ＡＰＤ３０の特性とは一定の関係を有しており、このため、受光用ＡＰＤ２０の特性に合致した特性を持つ遮光ＡＰＤを、特別に用意する必要はなくなるという効果が得られる。」 「【図１】 ［図：0001427545000004.jpg］ 」 イ 引用文献２の記載事項から当業者が把握できる事項 （ア） 【００３２】の「図１は本発明の実施例１による半導体受光装置を示し、図において、図６、図７と同一番号は、同一もしくは相当部分を示している。２０は、図６と同じ構造を持つ受光用のＡＰＤの部分を示し、３０は、受光用ＡＰＤと同一チップ内に形成された、図７と同じ構造を持つ温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤの部分である。」との記載及び【図１】を併せて見ると、当業者は、図１で示される実施例１に係る半導体受光装置に関して、半導体受光装置は、受光用のＡＰＤの部分２０と、受光用ＡＰＤと同一チップ内に形成された、温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤの部分３０を備えることを把握することができる。 （イ） 実施例１に係る【００３２】の「２０は、図６と同じ構造を持つ受光用のＡＰＤの部分を示し、３０は、受光用ＡＰＤと同一チップ内に形成された、図７と同じ構造を持つ温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤの部分である。」との記載から、当業者は、図６の従来の受光用ＡＰＤに係る【０００２】～【０００３】の記載及び図７の従来の温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤに係る【０００４】の記載は、実施例１に係る半導体受光装置にも該当する記載であることを把握することができる。また、実施例１に係る【００３２】の前記記載に加えて、【００３３】の「本実施例のＡＰＤ部２０は、従来のものと全く同様に機能［する］」との記載を併せて見れば、当業者は、図６の従来の受光用ＡＰＤに係る【０００６】の記載は、実施例１に係る半導体受光装置にも該当する記載であることを把握することができる。さらに、実施例１に係る【００３３】の「図８で示したバイアス回路のダイオード１０４に代えて遮光ＡＰＤ３０を、端子１０２に受光用ＡＰＤ２０をそれぞれ接続すれば、従来と同様に、温度が変化しても、環境温度によって決まる電圧電流特性分が相殺されて、受光用ＡＰＤ部２０は一定の増倍率を与えることとなる。」との記載も踏まえれば、当業者は、従来のバイアス回路に係る【００１４】の記載は、実施例１に係る半導体受光装置にも該当する記載であることを把握することができる。以下(ウ）～（エ)ではこれを踏まえて検討する。 （ウ） 【０００３】の「２０は本ＩｎＧａＡｓＡＰＤであり、１はｎ+ －ＩｎＰ基板、２は該ＩｎＰ基板１上にエピ成長され、キャリア濃度が１～１０×１０16cm -3 程度で、厚さが０．５～１．０μｍのｎ型ＩｎＰバッファ層、３は該バッファ層２上に連続エピ成長され、キャリア濃度が、５×１０15cm -3 程度以下に制御された、厚さが４μｍのｎ- －ＩｎＧａＡｓ光吸収層、４は該光吸収層３上に連続エピ成長され、キャリア濃度が、８×１０15cm -3 程度に制御され、厚さが０．１μｍ程度に制御されたｎ－ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層、５は該パイルアップ防止層４上に連続エピ成長され、キャリア濃度が１．０～１．３×１０16cm -3 に制御され、厚さが１．８～２．０μｍに制御されたｎ－ＩｎＰ増倍層、６は該増倍層５上に連続エピ成長され、キャリア濃度が２×１０15cm -3 に制御され、厚さが２μｍ程度のｎ- 型ＩｎＰガードリング層、７は該ガードリング層６の主面より部分的に、その拡散フロントが、前記増倍層５に接するように制御され、Ｚｎ，Ｃｄなどのアクセプタ不純物の拡散によって形成されたＰ+ －ＩｎＰ拡散領域、８は同様に該ガードリング層６の主面より、前記拡散領域７の周囲にリング状に形成され、前記拡散領域７の拡散深さよりも少なくとも深くなるように形成され、かつ、ＰＮ接合フロントが傾斜接合となるように形成された、例えばＢｅのイオン注入などの方法で形成されたＰ+ －ＩｎＰガードリング領域、９は前記ガードリング層６上に形成された、例えばＳｉＮなどの誘電体よりなる表面保護膜、１０は該表面保護膜９に形成され、前記拡散領域７が露呈されたコンタクトホール、１１は該コンタクトホール１０を介して前記拡散領域７と電気的に導通するアノード電極、１２は前記ＩｎＰ基板１に形成されたカソード電極、１３は受光領域を示す。」との記載及び【図１】より、当業者は、実施例１に係る半導体受光装置に関して、受光用ＡＰＤ部２０は、ｎ+ －ＩｎＰ基板１、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、ｎ- －ＩｎＧａＡｓ光吸収層３、ｎ－ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層４、ｎ－ＩｎＰ増倍層５及びｎ- 型ＩｎＰガードリング層６の順に積層される積層構造（以下、ｎ+ －ＩｎＰ基板１～ｎ- 型ＩｎＰガードリング層６からなる積層構造を「半導体積層構造」という。）を備えており、さらに、ガードリング層６の主面より部分的にアクセプタ不純物の拡散によって形成されたＰ+ －ＩｎＰ拡散領域７と、拡散領域７と電気的に導通するアノード電極１１と、ＩｎＰ基板１に形成されたカソード電極と、受光領域１３とを備えることを把握できる。また、【０００４】の「図７は、従来の温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤ３０の断面図を示すものである。図７の構造は、図６の受光用ＡＰＤと本質的には変わらない。１４は、例えばＡｕ，Ｔｉ等の金属からなる、光の入射を阻止する遮光膜である。」との記載及び【図１】より、当業者は、実施例１に係る半導体受光装置に関して、温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤ３０の構造は、受光用ＡＰＤと本質的には変わらず、光の入射を阻止する遮光膜１４を備えることを把握できる。 （エ） 【００３２】の「２０は、図６と同じ構造を持つ受光用のＡＰＤの部分を示し、３０は、受光用ＡＰＤと同一チップ内に形成された、図７と同じ構造を持つ温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤの部分である。」との記載及び【図１】を併せて見ると、当業者は、受光用ＡＰＤ２０と遮光ＡＰＤ３０が、ガードリング層６の主面（【０００３】）に直交する断面において、互いに離間して形成されることを把握することができる。 ウ 引用発明の認定 前記アに摘記した引用文献２の記載及び前記イの当業者が把握できる事項を総合すると、引用文献２には、図１で示される実施例１に係る半導体受光装置に関して、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献２の記載等に係る段落番号等を、括弧内に付しており、他の文献からの認定についても同様である。 ＜引用発明＞ 「半導体受光装置であって（【００３３】） 半導体受光装置は、受光用のＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）の部分２０と、受光用ＡＰＤと同一チップ内に形成された、温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤの部分３０を備え、（前記イ（ア）・【０００１】） 受光用ＡＰＤ部２０は、ｎ+ －ＩｎＰ基板１、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、ｎ- －ＩｎＧａＡｓ光吸収層３、ｎ－ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層４、ｎ－ＩｎＰ増倍層５及びｎ- 型ＩｎＰガードリング層６の順に積層される半導体積層構造を備えており、さらに、ガードリング層６の主面より部分的にアクセプタ不純物の拡散によって形成されたＰ+ －ＩｎＰ拡散領域７と、拡散領域７と電気的に導通するアノード電極１１と、ＩｎＰ基板１に形成されたカソード電極１２と、受光領域１３とを備え、（前記イ（ウ）） 温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤ３０の構造は、受光用ＡＰＤと本質的には変わらず、光の入射を阻止する遮光膜１４を備え、（前記イ（ウ）） 受光用ＡＰＤ２０の動作について、アノード電極１１にマイナス、カソード電極１２にプラスの逆方向バイアスを印加すると、拡散領域７と増倍層５とで形成されるＰＮ接合に逆方向バイアスが印加され、主にキャリア濃度の低い増倍層５の側に空乏層が形成され、さらにバイアスを大きくすると、空乏層はパイルアップ防止層４を通過し、光吸収層３までのび、さらにバイアスを大きくすると、光吸収層３に形成された空乏層の長さは１～３μｍ程度に達し、増倍層５，パイルアップ防止層４，光吸収層３にそれぞれ形成された空乏層内のドナーイオンによって生じた空間電荷により電界が発生し、特に拡散領域７と増倍層５との間のＰＮ接合界面で最大電界となり、（前記イ（イ）・【０００６】） 一般に、アバランシェ増倍を生じている場合、一定のバイアス下で温度が増加すると、ブレークダウン電圧が大きい方へシフトした分、一定のバイアス下で使用すると増倍率は減少し、（【００１２】） 実使用に際しては、環境温度の変化に対するバイアス補正回路が必要であり、それが、バイアス回路と、その中で使用される遮光ＡＰＤ３０であり、遮光ＡＰＤ３０（１０４）には、制御端子１０３で制御した一定の逆方向電流が流れ、温度が変化しても逆方向電流値は一定にしてあるが、遮光ＡＰＤ３０の両極端子間の電圧は同じ理由で変化し、この電圧変化をバイアス回路内でフィードバックし、その出力端子１０２から受光用ＡＰＤ２０の印加バイアスとして出力することにより、受光用ＡＰＤ２０の入射信号強度を、独立に温度変化を補正して制御し、一定増倍率を与えることが可能となり、（前記イ（イ）・【００１４】） 受光用ＡＰＤ２０と遮光ＡＰＤ３０が、ガードリング層６の主面に直交する断面において、互いに離間して形成されており、（前記イ（エ）） ＡＰＤ部２０は、アノード電極１１，カソード電極１２間に逆方向バイアスを印加すれば、やがて増倍層５でなだれ増倍が生じ、受光領域１３から入射した光によって光吸収層３に生じたキャリヤが増倍され、増幅された信号となって検出され、一方、遮光ＡＰＤ部３０の遮光膜１４，カソード電極１２間にも同様に逆方向バイアスを印加すれば、同様になだれ増倍が生じるが、該遮光ＡＰＤ部には遮光膜１４によって外部からの光は全く入射せず、受光用ＡＰＤ部２０の受光領域１３に信号光が入ってきた場合にもこれと無関係に、環境温度のみで決まる電圧電流特性を与え、温度が変化しても、環境温度によって決まる電圧電流特性分が相殺されて、受光用ＡＰＤ部２０は一定の増倍率を与えることとなる、（【００３３】） 半導体受光装置」 （２） 引用文献３の記載及び引用文献３技術事項の認定 ア 引用文献３に記載された事項 本願の優先日前に発行された引用文献３（特開昭６１－２８９６７７号公報）には、以下の事項が記載されている。 （ア） 「第１図は本発明による半導体光検出装置の一実施例を示す平面図、第２図は第１図のＸ－Ｘ線断面図であり、第４図ないし第５図と同等部分については同一の符号を付けている。 これらの図の半導体光検出装置は、半導体基板上に通常のブレーナ・トランジスタやダイオード等を形成していく半導体素子製造手段にて形成されたものであり、高濃度のｎ＋型半導体基板１上に形成されたｎ－型エピタキシャル層２に、ｐ＋型不純物を略円形に拡散して３個のｐ＋型拡散層（拡散領域Ａ）３を形成し、所謂ＰＩＮフォトダイオードと称される受光素子Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３を形成し、それぞれのｐ＋型拡散層３の周囲に所定の間隔で、それと同一導電型の、即ちｐ＋型不純物を拡散してガードリング９を形成している。 そして、表面部は二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）等の絶縁膜で覆われ保護されている。同図中の５ａは受光素子を保護する絶縁膜、５ｂが外側の表面を保護する絶縁膜である。 絶縁膜５ａ，５ｂには、フォトエッチングによって形成された穴を通ってそれぞれのｐ＋型拡散層３の周囲にリング状にオーム接触する環状電極６ａが形成され、それぞれのＰＩＮフォトダオードの信号出力用ボンディングパッドのコンタクト部６ｂに電気的に接続している。 更に、フォトエッチングにより絶縁膜５ａ，５ｂに形成されたリング状の穴を介してｐ＋型のガードリング９に電圧を印加するための環状電極８ａが形成され、他のポンディングパッドのコンタクト部８ｂに接続し、ガードリング用電極は８ａ，８ｂとからなる。」（第３頁左上欄第２０行～左下欄第１０行） （イ） 「第３図は第１図ないし第２図の半導体光検出装置の等価回路図であり、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３はＰＩＮフォトダイオードを、Ｄはｐ＋型ガードリング９によるＰＩＮダイオードを示し、金属電極４とコンタクト部６ｂ，８ｂ間に逆バイアスの電源を接続する。 まず、コンタクト部６ｂ，８ｂにマイナス電圧を印加して、ＰＩＮフォトダイオードＸ１，Ｘ２，Ｘ３とＰＩＮダイオードＤを逆バイアスに接続しているので、第２図の点線で示すように、ｐ＋型拡散層３とｐ＋型のガードリング９よりエピタキシャル層２側に空乏層１０，１１が広がる。尚、空乏層１０，１１が共にｎ＋型基板１に達する電圧以上の逆バイアスの電圧を印加することが好ましい。この電圧は高抵抗エピタキシャル層２の厚さと不純物濃度により容易に決定できる。 ここで、半導体光検出装置に光を照射した場合、受光素子に入射した光により発生したキャリアはｐ＋拡散層３側の空乏層１０の内部電界にて集められ、受光量に比例した光電流となる。 一方、受光素子以外の部分に入射した光によりエピタキシャル層２に誘起されたキャリアは、なかには拡散して受光素子方向に向うものもあるが、受光素子空乏層１０はガードリング空乏層１１によって周囲を完全に囲まれているため、これらのキャリアはガードリンク空乏層１１中の内部電界によって集められ、ガードリングの電流成分となる。」（第３頁左下欄第１７行～第４頁左上欄第４行、当合議体注：「内部電解」（２箇所）は、技術常識からみて「内部電界」の誤記であることが明らかであるから、誤記を正して摘記した。） （ウ） 「又、ｐ＋型ガードリング９とｐ＋型拡散層３との間隔は、表面暗電流（リーク電流）を低減するために可能な限り小さくし、ｐ＋型拡散層３からの空乏層１０とガードリング９からの空乏層１１が、ちょうど該間隔の中間部分で接するように設計するのが望ましい。」（第４頁右上欄第２～７行） （エ） 「又、実施例では、複数個の受光素子が存在する場合を説明したが、受光素子が１個しかない場合でも、ガードリングを設けることにより遮光膜が不要となり、また正確に受光素子からの光電流のみが得られる。 （発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、半導体受光素子の回りにガードリングを形成したので、該ガードリングに所定の電圧を印加して空乏層を形成するように駆動して使用すれば、受光素子以外の領域に入射する光にて誘起されたキャリアの受光素子への侵入を防止することができることから、受光量に対応した精度の良い光検出を行うことができる。」（第４頁左下欄第１０～右下欄第３行） （オ） 図面 「第１図 ［図：0001427545000005.jpg］ 第２図 ［図：0001427545000006.jpg］ 第３図 ［図：0001427545000007.jpg］ 」 イ 引用文献３技術事項の認定 前記アに摘記した引用文献３の記載事項からみて、引用文献３には、実施例に係る光検出装置について、「受光素子が１個しかない場合」（第４頁左下欄第１１行）に関して、以下の技術事項（以下「引用文献３技術事項」という。）が記載されていると認められる。 ＜引用文献３技術事項＞ 「半導体光検出装置について、（第３頁左上欄第２０行） 半導体光検出装置は、高濃度のｎ＋型半導体基板１上に形成されたｎ－型エピタキシャル層２に、ｐ＋型不純物を略円形に拡散してｐ＋型拡散層（拡散領域Ａ）３を形成し、所謂ＰＩＮフォトダイオードと称される受光素子Ｘ１を形成し、ｐ＋型拡散層３の周囲に所定の間隔で、それと同一導電型の、即ちｐ＋型不純物を拡散してガードリング９を形成し、表面部は二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）等の絶縁膜で覆われ保護されており、５ａは受光素子を保護する絶縁膜、５ｂが外側の表面を保護する絶縁膜であり、絶縁膜５ａ、５ｂには、フォトエッチングによって形成された穴を通ってｐ＋拡散層３の周囲にリング状にオーム接触する環状電極６ａが形成され、ＰＩＮフォトダイオードの信号出力用ボンディングパッドのコンタクト部６ｂに電気的に接続しており、更に、フォトエッチングにより絶縁膜５ａ、５ｂに形成されたリング状の穴を介してｐ＋型のガードリング９に電圧を印加するための環状電極８ａが形成され、他のボンディングパッドのコンタクト部８ｂに接続し、ガードリング用電極は８ａ、８ｂとからなり、（第３頁右上欄第４行～左下欄第１０行） コンタクト部６ｂ，８ｂにマイナス電圧を印加して、ＰＩＮフォトダイオードＸ１とＰＩＮダイオードＤを逆バイアスに接続しているので、ｐ＋型拡散層３とｐ＋型のガードリング９よりエピタキシャル層２側に空乏層１０，１１が広がるものであり、空乏層１０，１１が共にｎ＋型基板１に達する電圧以上の逆バイアスの電圧を印加することが好ましく、半導体光検出装置に光を照射した場合、受光素子に入射した光により発生したキャリアはｐ＋拡散層３側の空乏層１０の内部電界にて集められ、受光量に比例した光電流となり、一方、受光素子以外の部分に入射した光によりエピタキシャル層２に誘起されたキャリアは、なかには拡散して受光素子方向に向うものもあるが、受光素子空乏層１０はガードリング空乏層１１によって周囲を完全に囲まれているため、これらのキャリアはガードリング空乏層１１中の内部電界によって集められ、ガードリングの電流成分となり、（第３頁右下欄第３行～第４頁左上欄第４行） ｐ＋型ガードリング９とｐ＋型拡散層３との間隔は、表面暗電流（リーク電流）を低減するために可能な限り小さくし、ｐ＋型拡散層３からの空乏層１０とガードリング９からの空乏層１１が、ちょうど該間隔の中間部分で接するように設計するのが望ましく、（第４頁右上欄第２～７行） 受光素子が１個しかない場合でも、ガードリングを設けることにより遮光膜が不要となり、また正確に受光素子からの光電流のみが得られ、（第４頁左下欄第１１～１４行） 受光素子以外の領域に入射する光にて誘起されたキャリアの受光素子への侵入を防止することができることから、受光量に対応した精度の良い光検出を行うことができること（第４頁左下欄第１９行～右下欄第３行）」 ２ 対比 （１） 対比分析 本願発明と引用発明を対比する。 ア 引用発明の「半導体受光装置」は、本願発明の「光検出装置」に相当するから、本願発明と引用発明は、「光検出装置」の発明である点で一致する。 イ（ア） 引用発明の「受光用のＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）の部分２０」は、本願発明の「アバランシェフォトダイオード」に相当する。 （イ） 引用発明の「遮光ＡＰＤの部分３０」は、「温度補正モニタ用」のものであり、「電圧変化をバイアス回路内でフィードバックし、その出力端子１０２から受光用ＡＰＤ２０の印加バイアスとして出力することにより、受光用ＡＰＤ２０の入射信号強度を、独立に温度変化を補正して制御し、一定増倍率を与える」ことも踏まえれば、本願発明の「温度補償用ダイオード」に相当する。 （ウ） 引用発明の「半導体積層構造」は、半導体材料から構成された部材であるから、本願発明の「半導体基板」に相当する。 （エ） 引用発明の「半導体積層構造」において、引用発明の「ガードリング層６の主面」及び「ＩｎＰ基板１」の「カソード電極１１」が形成される面は、それぞれ本願発明の「第一主面」及び「第二主面」に相当する。そして、「半導体積層構造」は、「ｎ+ －ＩｎＰ基板１、……及びｎ- 型ＩｎＰガードリング層６の順に積層される積層構造」であるから、「ガードリング層６の主面」と「ＩｎＰ基板１」の「カソード電極１２」が形成される面とは、互いに対向する関係にあるといえる。したがって、引用発明の「半導体積層構造」は、本願発明でいう「互いに対向する第一主面及び第二主面を有する」ものであるといえる。 （オ） 引用発明は、「受光用ＡＰＤ部２０」は「半導体積層構造を備えて［いる］」ところ、「遮光ＡＰＤ３０の構造は、受光用ＡＰＤと本質的には変わら［ない］」ことから、「遮光ＡＰＤ３０」もまた、「半導体積層構造を備えて［いる］」ことが理解できる。そして、引用発明は、「受光用のＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）の部分２０と、受光用ＡＰＤと同一チップ内に形成された、温度補正モニタ用の遮光ＡＰＤの部分３０を備え［る］」ものであることも勘案すれば、「半導体積層構造」は、当該「チップ内」において「受光用ＡＰＤ部２０」と「遮光ＡＰＤ３０」で共通して形成されているものといえる。したがって、引用発明の「半導体積層構造」は、本願発明でいう「アバランシェフォトダイオードと温度補償用ダイオードとが形成された」ものであるといえる。 （カ） 引用発明は、「受光用ＡＰＤ２０と遮光ＡＰＤ３０が、ガードリング層６の主面に直交する断面において、互いに離間して形成されて［いる］」ものであるところ、ガードリング層６の主面に直交する方向から見ても、離間していることは明らかである。したがって、前記（オ）での検討も踏まえると、引用発明の「受光用ＡＰＤ部２０」と「遮光ＡＰＤ３０」は、本願発明でいう「前記第一主面に直交する方向から見て互いに離間して」形成されたものであるといえる。 （キ） 前記（ア）～（カ）をまとめると、本願発明と引用発明は、「互いに対向する第一主面及び第二主面を有すると共に、前記第一主面に直交する方向から見て互いに離間してアバランシェフォトダイオードと温度補償用ダイオードとが形成された半導体基板を備え［る］」点で一致する。 ウ 引用発明の「半導体積層構造」を構成する「ｎ型ＩｎＰバッファ層２、ｎ- －ＩｎＧａＡｓ光吸収層３、ｎ－ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層４、ｎ－ＩｎＰ増倍層５及びｎ- 型ＩｎＰガードリング層６」は、いずれもｎ型半導体である。そうすると、引用発明の「ｎ型ＩｎＰバッファ層２、ｎ- －ＩｎＧａＡｓ光吸収層３、ｎ－ＩｎＧａＡｓＰパイルアップ防止層４、ｎ－ＩｎＰ増倍層５及びｎ- 型ＩｎＰガードリング層６」は、本願発明の「第一導電型の半導体領域」に相当する。したがって、イ（ウ）も踏まえれば、本願発明と引用発明は、「前記半導体基板は、第一導電型の半導体領域を含［む］」点で一致する。 エ（ア） 引用発明の「受光用ＡＰＤ２０」は、「ガードリング層６の主面より部分的にアクセプタ不純物の拡散によって形成されたＰ+ －ＩｎＰ拡散領域７」を備えるものであるから、前記ウも踏まえれば、本願発明でいう「前記第一導電型と異なる第二導電型の半導体層を含［む］」ものである。 （イ） 引用発明の「遮光ＡＰＤ３０」は、「構造は、受光用ＡＰＤと本質的には変わら［ない］」ものであるから「受光用ＡＰＤ２０」と同様に、「ガードリング層６の主面より部分的にアクセプタ不純物の拡散によって形成されたＰ+ －ＩｎＰ拡散領域７」を備えるものであるといえる。したがって、前記ウも踏まえれば、引用発明の「遮光ＡＰＤ３０」は、本願発明でいう「前記第一導電型と異なる第二導電型の半導体層を含［む］」ものである。 （ウ） 前記（ア）及び（イ）をまとめると、本願発明と引用発明は、「前記アバランシェフォトダイオード及び前記温度補償用ダイオードは、それぞれ、前記第一導電型と異なる第二導電型の半導体層を含［む］」点で一致する。 オ（ア） 引用発明は、「遮光ＡＰＤ３０の遮光膜１４，カソード電極１２間にも同様に逆方向バイアスを印加すれば、同様になだれ増倍が生じる」ものであるところ、ＡＰＤにおいてブレークダウン電圧を逆バイアスとして印加することでなだれ増倍が生じるとの技術常識を踏まえれば、「逆方向バイアス」としてブレークダウン電圧が印加されているものであるといえる。 （イ） 引用発明は、「環境温度の変化に対するバイアス補正回路が必要であり、それが、バイアス回路と、その中で使用される遮光ＡＰＤ３０であり、遮光ＡＰＤ３０（１０４）には、制御端子１０３で制御した一定の逆方向電流が流れ、温度が変化しても逆方向電流値は一定にしてあるが、遮光ＡＰＤ３０の両極端子間の電圧は同じ理由で変化し、この電圧変化をバイアス回路内でフィードバックし、その出力端子１０２から受光用ＡＰＤ２０の印加バイアスとして出力することにより、受光用ＡＰＤ２０の入射信号強度を、独立に温度変化を補正して制御し、一定増倍率を与えることが可能とな［る］」ものであるところ、引用発明の「受光用ＡＰＤ２０の印加バイアス」及び「受光用ＡＰＤ２０」の「一定増倍率」は、本願発明の「前記アバランシェフォトダイオードに」「印加する」「バイアス電圧」及び「アバランシェフォトダイオードの増倍率」に相当する。また、引用発明の「遮光ＡＰＤ３０の両極端子間の電圧」は、前記（ア）の「遮光ＡＰＤ３０」に「印加」される「逆方向バイアス」を意味することが理解できる。そうすると、前記（ア）も踏まえると、本願発明と引用発明は、「前記温度補償用ダイオードに印加されるブレークダウン電圧に応じた電圧を前記アバランシェフォトダイオードにバイアス電圧として印加することで、前記アバランシェフォトダイオードの増倍率の温度補償が行われる」点で一致する。 （２） 一致点及び相違点 前記（１）の対比分析を踏まえると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ア 一致点 「光検出装置であって、 互いに対向する第一主面及び第二主面を有すると共に、前記第一主面に直交する方向から見て互いに離間してアバランシェフォトダイオードと温度補償用ダイオードとが形成された半導体基板を備え、 前記半導体基板は、第一導電型の半導体領域を含み、 前記アバランシェフォトダイオード及び前記温度補償用ダイオードは、それぞれ、前記第一導電型と異なる第二導電型の半導体層を含み、 前記温度補償用ダイオードに印加されるブレークダウン電圧に応じた電圧を前記アバランシェフォトダイオードにバイアス電圧として印加することで、前記アバランシェフォトダイオードの増倍率の温度補償が行われる。」 イ 相違点 本願発明は、「前記半導体基板は、前記第一主面に直交する方向から見て前記アバランシェフォトダイオードと前記温度補償用ダイオードとの間に、周辺に位置するキャリアを吸収する周辺キャリア吸収部を有し、」「前記周辺キャリア吸収部は、前記第一主面に直交する方向から見て、前記半導体領域に接していると共に前記半導体領域に囲まれている、前記第一導電型又は前記第二導電型の半導体層を含んでおり、前記第一主面に直交する方向から見て、前記アバランシェフォトダイオードと前記温度補償用ダイオードとの間を最短距離で結ぶ線分上において、前記アバランシェフォトダイオードと前記周辺キャリア吸収部との間の最短距離は、前記周辺キャリア吸収部の縁のうち前記アバランシェフォトダイオードに最も近い部分と、前記温度補償用ダイオードとの間の最短距離よりも小さ［い］」という構成を有するのに対し、引用発明は当該周辺キャリア吸収部を備えない点。 ３ 判断 （１） 相違点についての検討 前記相違点について検討する。 ア 半導体を用いた受光装置の技術分野において、受光領域以外に入射した光に起因したキャリアによる検出結果のノイズを低減することは広く認識された課題であるから、引用発明の「半導体受光装置」においても、当業者は受光領域以外に入射した光に起因したキャリアによる検出結果のノイズを低減する構成を導入する動機を有する。 そして、引用文献３技術事項は、半導体を用いた光検出装置であって、引用発明と共通の技術分野に属するものであり、「受光量に対応した精度の良い光検出を行う」ために、「受光素子以外の領域に入射する光にて誘起されたキャリアの受光素子への侵入を防止する」技術に関するものであるから、引用発明から出発し前記の動機を持った当業者は、引用文献３技術事項に接することができる。 さらに、引用文献３技術事項の「受光素子Ｘ１」において「ｎ－型エピタキシャル層２に、ｐ＋型不純物を略円形に拡散してｐ＋型拡散層（拡散領域Ａ）３を形成［する］」構成は、引用発明の「受光用ＡＰＤ２０」において「ガードリング層６の主面より部分的にアクセプタ不純物の拡散によって形成されたＰ+ －ＩｎＰ拡散領域７」「を備え［る］」構成と、ｎ型半導体からなる構造にｐ型の不純物を拡散した拡散層を備える点で、素子の構造が共通するものである。 してみると、引用発明の受光用ＡＰＤ２０に対し、受光領域以外に入射した光に起因したキャリアによる検出結果のノイズを低減するために、引用文献３技術事項を適用して、Ｐ+ －ＩｎＰ拡散領域７の周囲に所定の間隔で、それと同一導電型の、すなわちｐ＋型不純物を拡散してガードリングを形成し、ｐ＋型のガードリングに電圧を印加するための環状電極を形成する構成（以下「ガードリング形成構成」という。）とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 イ このとき、ガードリング形成構成におけるガードリングは、受光素子以外の領域に入射する光にて誘起されたキャリアの受光素子への侵入を防止するものであるから、相違点に係る本願発明の「周辺に位置するキャリアを吸収する周辺キャリア吸収部」に相当し、ガードリング形成構成は、相違点に係る本願発明でいう「前記半導体基板は、」「周辺に位置するキャリアを吸収する周辺キャリア吸収部を有［する］」ものとなる。また、ガードリング形成構成におけるガードリングは、Ｐ+ －ＩｎＰ拡散領域７の周囲を囲んでいるものであるから、ガードリング層６の主面に垂直な方向から見て、受光用ＡＰＤ２０と遮光ＡＰＤ３０の間に位置することとなるのは明らかである。したがって、ガードリング形成構成におけるガードリングは、本願発明でいう「前記第一主面に直交する方向から見て前記アバランシェフォトダイオードと前記温度補償用ダイオードとの間に」位置するものとなる。 ウ また、引用文献３技術事項のガードリング９は、「ｎ－型エピタキシャル層２に、ｐ＋型不純物を略円形に拡散してｐ＋型拡散層（拡散領域Ａ）３を形成し、所謂ＰＩＮフォトダイオードと称される受光素子Ｘ１を形成し、ｐ＋型拡散層３の周囲に所定の間隔で、それと同一導電型の、即ちｐ＋型不純物を拡散して」「形成」されるものであることに鑑みれば、前記アのガードリング形成構成においては、受光用ＡＰＤ２０における拡散領域７の周囲のｎ- 型ＩｎＰガードリング層６に所定の間隔でガードリングが形成されることになる。このとき、ガードリング層６の主面に垂直な方向から見れば、ガードリングは、ｎ- 型ＩｎＰガードリング層６に接していると共に囲まれることになるから、本願発明でいう「前記第一主面に直交する方向から見て、前記半導体領域に接していると共に前記半導体領域に囲まれている」構成は満たされることになる。 エ そして、ガードリング形成構成におけるガードリングとなるｐ型拡散層は、本願発明の「第二導電型の半導体層」に相当するから、ガードリング形成構成におけるガードリングは、本願発明でいう「前記第一導電型又は前記第二導電型の半導体層を含んで［いる］」ものである。 オ さらに、前記アのガードリング形成構成においては、引用文献３技術事項は、「ｐ＋型ガードリング９とｐ＋型拡散層３との間隔は、表面暗電流（リーク電流）を低減するために可能な限り小さく［する］」ものであることに鑑みれば、当該ガードリングを受光用ＡＰＤ２０の周囲に形成する際に、受光用ＡＰＤからガードリングの最短距離を可能な限り小さくするために、ガードリングの形成位置を遮光ＡＰＤ３０よりも受光用ＡＰＤ２０に近づけることは、当業者が容易に想到し得たことである。そして、そのように構成した結果、相違点２に係る本願発明の「前記第一主面に直交する方向から見て、前記アバランシェフォトダイオードと前記温度補償用ダイオードとの間を最短距離で結ぶ線分上において、前記アバランシェフォトダイオードと前記周辺キャリア吸収部との間の最短距離は、前記周辺キャリア吸収部の縁のうち前記アバランシェフォトダイオードに最も近い部分と、前記温度補償用ダイオードとの間の最短距離よりも小さ［い］」との構成は、自ずと満たされることになる。 カ 小括 前記ア～オで検討したとおり、引用発明に引用文献３技術事項を適用してガードリング形成構成とすることにより、当業者は、相違点に係る本願発明の構成に至ることとなる。 （２） 効果についての検討 本願発明の奏する効果は、本願発明の構成が奏するものとして、引用発明及び引用文献３技術事項に基づいて当業者にとって予測可能なものであり、格別顕著な効果であるともいえない。 （３） 請求人の主張についての検討 ア 請求人は、令和６年５月１４日に提出した審判請求書に係る手続補正書において、引用文献３には、ＰＩＮフォトダイオードの周りにガードリングを設けることが開示されているに過ぎず、温度補償ダイオード及びＡＰＤについての記載がないことを主張している。 しかしながら、引用発明が温度補償ダイオード及びＡＰＤを備えていることは前記２（１）イで説示したとおりであり、引用発明の受光用ＡＰＤ２０に対し、受光領域以外に入射した光に起因したキャリアによる検出結果のノイズを低減するために、引用文献３技術事項を適用して、ガードリング形成構成とすることは当業者が容易になし得たことであることは、前記（１）アで説示したとおりである。 イ 請求人はまた、引用文献３技術事項のキャリア発生は、受光領域外に入射した光によって生じるものであって、温度補償ダイオードの発光によって生じる本願とは原因が異なるため、効果が異なることを主張している。 しかしながら、ガードリング形成構成は、その発生源によらずガードリングの外側で発生したキャリアの受光用ＡＰＤ２０への侵入を防止することができることは明らかであるから、当該効果は引用発明及び引用文献３技術事項に基づいて当業者にとって予測可能なものであり、格別顕著な効果であるともいえないことは前記（２）で説示したとおりである。 ウ 請求人は、さらに、ＡＰＤはＰＩＮフォトダイオードよりも高い電圧を動作時に付与するものであり、ＡＰＤとその周辺の部材との短絡を防ぐことは、当業者であれば最も危惧するところであるから、当業者が引用発明に引用文献３技術事項のガードリングを適用しようとすることはないと主張している。 しかしながら、ガードリング形成構成の受光用ＡＰＤ２０は、「Ｐ+ －ＩｎＰ拡散領域７」、「拡散領域７と電気的に導通するアノード電極」、「ガードリング」及び「ｐ＋型のガードリング９に電圧を印加するための環状電極８ａ」を備えるものとなるところ、Ｐ＋－ＩｎＰ拡散領域及びガードリングは、いずれもＰ＋型であるとともに空乏層を形成することから、アノード電極１１及び環状電極８ａにはいずれも逆方向バイアス電圧が印加されることになる。ここで、ＡＰＤに付与される高い電圧とは、ＡＰＤのアノード電極及びカソード電極間の電圧、すなわち、ＡＰＤのＰＮ接合に印加される逆方向バイアス電圧を意味するものであり、ＡＰＤに付与される電圧が高いことは、アノード電極１１と環状電極８ａ間の電位差が大きくなることを直ちに意味するものではない。このことは、引用文献３の「受光素子とこのガードリングに同一で、それぞれの空乏層が基板に到達する以上の逆バイアス電圧を印加すると、受光素子以外の領域に入射する光に誘起されたキャリアはガードリングの電流成分となり、受光素子側へ侵入しない。そのため、余分な光電流が流れない。」（第２頁右下欄第１２～１７行）との記載からも首肯できる。さらに、引用文献３の「逆バイアス電圧が高い場合には、それぞれ別個のプロセスにて拡散し、ｐ＋型ガードリング９をｐ＋型拡散層３に比べてエピタキシャル層２の深層部まで拡散するようにし、耐圧を向上させる事が望ましい」（第４頁左上欄第１７行～右上欄第１行）との記載に鑑みれば、引用文献３技術事項は、逆バイアス電圧が高い構成も想定されているといえる。仮に、アノード電極１１と環状電極８ａの間で短絡のおそれが生じ得るとしても、引用文献３技術事項の「ｐ＋型ガードリング９とｐ＋型拡散層３との間隔は、表面暗電流（リーク電流）を低減するために可能な限り小さく［する］」ことを踏まえれば、可能な限り、すなわち、当該間隔を短絡が生じない程度の間隔とすることで短絡を防止できるから、引用発明に引用文献３技術事項のガードリングを適用することに阻害要因はない。 エ したがって、請求人の主張はいずれも採用することはできない。 ４ 当審の判断のまとめ 以上検討のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献３技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第５ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。