2022-009533

第２ 令和４年６月２１日にされた手続補正についての補正の却下の決定

［補正の却下の決定の結論］

令和４年６月２１日にされた手続補正を却下する。

［補正の却下の決定の理由］

１ 本件補正の内容

令和４年６月２１日にされた特許請求の範囲についての補正（以下「本件補正」という。）は、次の(１)に示す本件補正前の特許請求の範囲の記載を、後記の(２)に示す本件補正後の特許請求の範囲の記載に補正することを含むものである。下線は補正箇所を示す。

(１) 本件補正前の特許請求の範囲

「【請求項１】

表示装置を形成するための表示装置形成用基板であって、

ガラス基材と、

前記ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される剥離層と、

続きを表示（全63行）

前記剥離層上に積層され、前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な金属層とを備え、

前記金属層は、応力緩和機能を有し、

前記金属層は、クロム合金、ニッケル合金、モリブデン合金、チタン合金、アルミニウム合金、銀合金、パラジウム合金、銅合金およびタングステン合金のうち少なくとも１つの合金を含み、

前記表示装置形成用基板の反り量が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする表示装置形成用基板。

【請求項２】

前記金属層は、ガスバリア機能を有し、

前記金属層は、水蒸気透過率が、４０℃、１００％Ｒｈの条件において、１．０×１０－４ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ以上１．０ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置形成用基板。

【請求項３】

前記金属層は、電磁波遮蔽機能を有し、

前記金属層は、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置形成用基板。

【請求項４】

前記金属層は、放熱機能を有し、

前記金属層は、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。

【請求項５】

前記金属層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。

【請求項６】

支持基材と、

前記支持基材上に積層された金属層と、

前記金属層上に配置された樹脂基材と、

前記樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、

前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機ＥＬ素子と、

前記有機ＥＬ素子上に配置され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止樹脂とを備え、

前記金属層は、応力緩和機能を有し、

前記金属層は、クロム合金、ニッケル合金、モリブデン合金、チタン合金、アルミニウム合金、銀合金、パラジウム合金、銅合金およびタングステン合金のうち少なくとも１つの合金を含み、

前記金属層は、ガスバリア機能を有し、

前記金属層は、水蒸気透過率が、４０℃、１００％Ｒｈの条件において、１．０×１０－４ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ以上１．０ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ以下であることを特徴とする表示装置。

【請求項７】

支持基材と、

前記支持基材上に積層された金属層と、

前記金属層上に配置された樹脂基材と、

前記樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、

前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機ＥＬ素子と、

前記有機ＥＬ素子上に配置され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止樹脂とを備え、

前記金属層は、応力緩和機能を有し、

前記金属層は、クロム合金、ニッケル合金、モリブデン合金、チタン合金、アルミニウム合金、銀合金、パラジウム合金、銅合金およびタングステン合金のうち少なくとも１つの合金を含み、

前記金属層は、電磁波遮蔽機能を有し、

前記金属層は、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下であることを特徴とする表示装置。

【請求項８】

支持基材と、

前記支持基材上に積層された金属層と、

前記金属層上に配置された樹脂基材と、

前記樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、

前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機ＥＬ素子と、

前記有機ＥＬ素子上に配置され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止樹脂とを備え、

前記金属層は、応力緩和機能を有し、

前記金属層は、クロム合金、ニッケル合金、モリブデン合金、チタン合金、アルミニウム合金、銀合金、パラジウム合金、銅合金およびタングステン合金のうち少なくとも１つの合金を含み、

前記金属層は、放熱機能を有し、

前記金属層は、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする表示装置。

【請求項９】

表示装置の製造方法であって、

請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板を準備する工程と、

前記表示装置形成用基板の前記金属層上に樹脂基材を配置する工程と、

前記樹脂基材上に薄膜トランジスタを配置する工程と、

前記樹脂基材上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される有機ＥＬ素子を配置する工程と、

前記有機ＥＬ素子を封止樹脂によって封止する工程と、

前記封止樹脂上に、前記表示装置を仮支持する仮支持基材を配置する工程と、

前記ガラス基材側から前記剥離層に向けてレーザー光を照射することにより前記ガラス基材を前記金属層から剥離する工程と、

前記ガラス基材が剥離された前記金属層上に、前記表示装置を支持する支持基材を配置する工程と、

前記仮支持基材を前記封止樹脂から剥離する工程とを備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。」

(２) 本件補正後の特許請求の範囲

「【請求項１】

表示装置を形成するための表示装置形成用基板であって、

ガラス基材と、

前記ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される剥離層と、

続きを表示（全31行）

前記剥離層上に積層され、前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な金属層とを備え、

前記金属層は、応力緩和機能を有し、

前記金属層は、クロム合金、ニッケル合金、モリブデン合金、チタン合金、アルミニウム合金、銀合金、パラジウム合金、銅合金およびタングステン合金のうち少なくとも１つの合金を含み、

前記表示装置形成用基板の反り量が０．３ｍｍ以下であり、

前記剥離層の周縁部および前記金属層の周縁部は、前記ガラス基材の周縁部よりも内側に引っ込んでいることを特徴とする表示装置形成用基板。

【請求項２】

前記金属層は、ガスバリア機能を有し、

前記金属層は、水蒸気透過率が、４０℃、１００％Ｒｈの条件において、１．０×１０－４ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ以上１．０ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置形成用基板。

【請求項３】

前記金属層は、電磁波遮蔽機能を有し、

前記金属層は、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置形成用基板。

【請求項４】

前記金属層は、放熱機能を有し、

前記金属層は、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。

【請求項５】

前記金属層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。

【請求項６】

表示装置の製造方法であって、

請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板を準備する工程と、

前記表示装置形成用基板の前記金属層上に樹脂基材を配置する工程と、

前記樹脂基材上に薄膜トランジスタを配置する工程と、

前記樹脂基材上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される有機ＥＬ素子を配置する工程と、

前記有機ＥＬ素子を封止樹脂によって封止する工程と、

前記封止樹脂上に、前記表示装置を仮支持する仮支持基材を配置する工程と、

前記ガラス基材側から前記剥離層に向けてレーザー光を照射することにより前記ガラス基材を前記金属層から剥離する工程と、

前記ガラス基材が剥離された前記金属層上に、前記表示装置を支持する支持基材を配置する工程と、

前記仮支持基材を前記封止樹脂から剥離する工程とを備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。」

２ 本件補正の目的

(１) 本件補正は、本件補正前の請求項６～８を削除しており、本件補正のうち当該補正事項は、特許法１７条の２第５項１号に規定する請求項の削除を目的とするものに該当する。

(２) 本件補正は、さらに本件補正前の請求項１～５、９の発明特定事項である「剥離層」及び「金属層」について、「前記剥離層の周縁部および前記金属層の周縁部は、前記ガラス基材の周縁部よりも内側に引っ込んでいること」を限定する補正を含んでいる。

そして、本件補正前の請求項１～５、９に記載された発明と、本件補正後の請求項１～６に記載される発明は、それぞれ産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。

よって、本件補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものも含んでいる。

３ 独立特許要件についての当審の判断

本件補正のうち請求項１及び請求項３についての補正は、特許法１７条の２第５項２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものにも該当するから、本件補正後における請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「本件補正発明１」という。）及び本件補正後における請求項１の記載を直接引用する請求項３に記載されている事項により特定される発明（以下「本件補正発明３」という。）が、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討を行う。

(１) 本件補正発明１、３

本件補正発明１及び本件補正発明３は、それぞれ前記１(２)に摘記した本件補正後の請求項１及び請求項３に記載された事項により特定されるとおりのものである。

(２) 引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定

ア 引用文献２に記載された事項及び引用発明の認定

(ア) 引用文献２に記載された事項

原査定の拒絶の理由において引用された文献である特表２０１０－５１６０２１号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。下線は合議体が付した。以下同様である。

ａ 段落【０００１】、【００２５】～【００３０】、【図１】

「【技術分野】

【０００１】

本発明は、フレキシブル素子の製造方法及びフレキシブル表示装置の製造方法に関し、更に詳しくは、安定したガラス基板工程技術を用いられるフレキシブル素子の製造方法及びフレキシブル表示装置の製造方法に関する。」

「【００２５】

＜第１実施の形態＞

図１は、本発明の第１実施の形態によるフレキシブル電気素子の断面図である。

【００２６】

続きを表示（全13行）

図１を参照すると、前記フレキシブル電気素子は、補助基板である金属膜３１０上に形成された絶縁層３２０及び半導体素子層３３０を含み、前記半導体素子層３３０の表面に取り付けられたフレキシブル基板３４０を更に含む。

【００２７】

半導体素子層３３０には、半導体薄膜を含む少なくとも一つの半導体素子、例えば、有機発光ダイオード、又は有機電界効果トランジスターなどが形成される。本実施の形態の半導体素子層３３０には、有機発光ダイオードがマトリックス（matrix）状に形成され、三原色の中で少なくとも一つの色を固有に発する単位画素（pixel）の役目をする。この時、有機発光ダイオードは、複数の単位画素に対応して複数に形成することが望ましいが、図１では、便宜上、一つの有機発光ダイオードのみを示す。

【００２８】

前記の有機発光ダイオード３３０は、下から順に形成された陰極（cathode）３３１、電子輸送層（electron transport layer）３３２、発光層（emisson layer）３３３、正孔輸送層（hole transport layer）３３４及び陽極（anode）３３６を含み、正孔輸送層３３４と陽極３３６との間に形成された正孔注入層３３５を更に含むことができる。このような有機発光ダイオードの二つの電極を通じて外部電流を印加すると、電子輸送層３３２から注入された電子（electron）と、正孔輸送層３３４から注入された正孔（hole）とが、発光層３３３で再結合しながら励起子（exiton）が生成される。この励起子が拡散しながら発光層３３３のエネルギーバンドギャップに該当する光が放出される。ここで、発光層３３３は、有機発光材料を含む井戸層（well layer）と障壁層（barrier layer）を相互に積層し、単一又は多重量子井戸（multiple quantum well）構造を持つ多層の半導体薄膜として形成可能である。この発光層３３３は、含まれた有機発光材料によって、出力される光の波長が変化されるので、目標とする出力波長によって、適切な有機発光材料を選択するのが望ましい。（当審注：「発光層（emisson layer）３３３」の「emisson」は、「emission」の明らかな誤記であると認められる。）

【００２９】

一方、本実施の形態の有機発光ダイオード３３０は、三原色の中で一つの光を出力して天然色を表示するが、これとは別の方式、例えば、白色光を出力する有機発光ダイオードの前面に、三原色カラーフィルターを配置して天然色を表示することもできる。また、本実施の形態の有機発光ダイオード３３０は、光が上部に出射されるトップエミッティング方式（top emitting type）に構成されるので、陽極３３６及びフレキシブル基板３４０を含む発光層３３３の上部構造物は、投光性物質で形成し、陰極３３１及び金属膜３１０を含む発光層３３３の下部構造物の少なくとも一つの層は、反射漠の役目をするように形成することが望ましい。勿論、前記の有機発光ダイオード３３０は、光が下部に出射されるボトムエミッティング方式（bottom emitting）でも構成可能である。この場合、陰極３３１及び金属膜３１０を含む発光層３３３の下部構造物は、投光性物質で形成し、陽極３３６及びフレキシブル基板３４０を含む発光層３３３の上部構造物の少なくとも一つの層は、反射漠の役目をするように形成することが望ましい。

【００３０】

このようなフレキシブル電気素子は、母体基板であるガラス基板（図示せず）上に剥離層（図示せず）、金属膜３１０、絶縁層３２０、半導体素子層３３０を含む多層の薄膜層を形成した後、多層の薄膜層上にフレキシブル基板３４０を取り付けて、剥離層と金属膜３１０との間の界面分離を行い、母体基板を取り除いて形成する。勿論、前記フレキシブル基板３４０は、母体基板の除去後に形成することもできる。」

「【図１】

［図：0001400115000001.jpg］

」

ｂ 段落【００３１】～【００３２】、【図２】

「【００３１】

このように構成された本発明の第１実施の形態によるフレキシブル有機素子の製造工程について、図２ないし図６を参照して説明する。ここで、図２ないし図６は、本発明の第１実施の形態によるフレキシブル電気素子の製造工程を表す断面図である。

【００３２】

図２を参照すると、用意された母体基板１００上に剥離層２００を形成する。前記母体基板１００は、半導体工程技術が安定化されたガラス基板を使うのが望ましく、前記剥離層は、表面エネルギーが小さな物質、例えば、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＭｏＯｙ、ＳｎＯ２、ＳｅＯｘ、ＳｉＯｘ、ＧａＯｘ、ＩｎＯ、ＴｉｘＯｙ、ＶｘＯｙ、ＺｒＯｙ、ＷＯｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＴｅｘＯｙ、ＴeＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＭＯ２Ｎ、ＶＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＣｒＮ、Ｇａの中で少なくとも一つを含んで形成するのが望ましい。このような剥離層２００は１ｎｍ以上の厚さで形成するのが望ましい。もし、剥離層２００が薄すぎると、母体基板１００とその上部に形成される金属膜との間の結合力が強くなり、母体基板１００の分離が難しくなるおそれがある。」

「【図２】

［図：0001400115000002.jpg］

」

ｃ 段落【００３３】、【図３】

「【００３３】

図３を参照すると、剥離層２００が形成された全体構造の上に金属膜３１０及び絶縁層３２０を順に積層形成する。前記金属膜３１０は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｖ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、Ｒｈの中で少なくとも一つを含んで形成可能であり、多様な金属蒸着法、例えば、電子線蒸着法、熱線蒸着法、スパッタ蒸着法、又は電気メッキ法を使うことができる。このような金属膜３１０は、母体基板１００の分離除去の時、その上部に残存する薄膜構造物を支持する補助基板として使われるので、約１μｍ以上の厚さで形成するのが望ましい。もし、金属膜３１０が薄すぎると、外部力による母体基板１００の分離除去の時に、破れるおそれがある。また、前記絶縁層３２０は、絶縁性及び付着性が優秀な酸化シリコーン（ＳｉＯ２）、窒化シリコーン（ＳｉＮｘ）などの絶縁体をＭＯＣＶＤ法などで蒸着させて形成することが可能であり、工程時間の短縮のためにフォトレジスト（photoresist）やポリイミド（polyimide）などの絶縁体をスピンコーティング（spin coating）法などで塗布して形成することも可能である。このような絶縁層３２０は、その上部に形成される半導体素子層の複数の電気素子を電気的に分離させて、相互干渉を防止する役目をする。」

「【図３】

［図：0001400115000003.jpg］

」

ｄ 段落【００３４】、【図４】

「【００３４】

図４を参照すると、絶縁層３２０が形成された全体構造の上に半導体素子層３３０を形成する。例えば、本実施の形態の半導体素子層３３０は、下からＡｌ陰極３３１、Ａｌｑ３電子輸送層３３２、発光層３３３、α-ＮＰＤ正孔輸送層３３４、ＣｕＰｃ正孔注入層３３５及びＡｕ陽極３３６を順に積層して、約５２０ｎｍの波長帯域を出力する緑光の有機発光ダイオードを形成する。勿論、前記発光層３３３に含まれた有機発光材料によって、出力される光の波長が変化されるので、目標とする出力波長によって、適切な有機発光材料を選択するのが望ましい。」

「【図４】

［図：0001400115000004.jpg］

」

ｅ 段落【００３５】、【図５】

「【００３５】

図５を参照すると、半導体素子層３３０が形成された全体構造の上にフレキシブル基板３４０を接合する。この時、フレキシブル基板３４０としては、物理的／化学的安全性が優秀で、単価が低く、柔軟性の良いプラスチックを使うのが望ましい。」

「【図５】

［図：0001400115000005.jpg］

」

ｆ 段落【００３６】、【図６】

「【００３６】

図６を参照すると、母体基板１００の上部に、剥離層２００、金属膜３１０、絶縁層３２０、半導体素子層３３０及びフレキシブル基板３４０を含む上部構造物が形成されると、剥離層２００と金属膜３１０との界面分離を行い、母体基板１００を分離する。つまり、母体基板１００と上部構造物３１０、３２０、３３０、３４０に、それぞれ反対方向に外力、即ち、せん断応力（shear stress）を加えると、剥離層２００と金属膜３１０との間の界面で分離が起こる。この時、界面分離が容易でない場合には、母体基板１００の下部で、剥離層２００にエキシマレーザーを一定時間照射するレーザーリフトオフ工程（laser lift off process）を更に行うこともできる。以後、分離された母体基板１００をとり除くと、金属膜３１０、絶縁層３２０、半導体素子層３３０及びフレキシブル基板３４０を含む上部構造物だけが残るので、この方法を利用すれば柔軟性を持つ多様なフレキシブル電気素子を製造することができる。」

「【図６】

［図：0001400115000006.jpg］

」

(イ) 引用発明の認定

前記(ア)において摘記した事項を総合すると、引用文献２には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。

［引用発明］

「母体基板であるガラス基板上に剥離層、金属膜３１０、絶縁層３２０、半導体素子層３３０を含む多層の薄膜層を形成した後、多層の薄膜層上にフレキシブル基板３４０を取り付けて、剥離層と金属膜３１０との間の界面分離を行い、母体基板を取り除いて形成するフレキシブル電気素子を備えたフレキシブル表示装置の製造方法において、（【０００１】、【００３０】）

用意された母体基板１００は、ガラス基板が使われ、

母体基板１００上に形成された剥離層２００は、例えば、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＭｏＯｙ、ＳｎＯ２、ＳｅＯｘ、ＳｉＯｘ、ＧａＯｘ、ＩｎＯ、ＴｉｘＯｙ、ＶｘＯｙ、ＺｒＯｙ、ＷＯｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＴｅｘＯｙ、ＴeＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＭＯ２Ｎ、ＶＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＣｒＮ、Ｇａの中で少なくとも一つを含んでおり、（【００３２】）

剥離層２００が形成された全体構造の上に金属膜３１０及び絶縁層３２０が順に積層形成され、前記金属膜３１０は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｖ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｚｒ、Ｒｈの中で少なくとも一つを含んでおり、（【００３３】）

絶縁層３２０が形成された全体構造の上に半導体素子層３３０が形成され、（【００３４】）

半導体素子層３３０が形成された全体構造の上にフレキシブル基板３４０を接合し、（【００３５】）

母体基板１００の上部に、剥離層２００、金属膜３１０、絶縁層３２０、半導体素子層３３０及びフレキシブル基板３４０を含む上部構造物が形成されると、剥離層２００と金属膜３１０との界面分離を行い、母体基板１００を分離するものであり、この時、界面分離が容易でない場合には、母体基板１００の下部で、剥離層２００にエキシマレーザーを一定時間照射するレーザーリフトオフ工程を更に行うこともできる、（【００３６】）

フレキシブル表示装置の製造方法。」

イ 引用文献５に記載された事項と周知技術１、技術常識１の認定

(ア) 引用文献５に記載された事項

原査定の拒絶の理由において引用された文献である特開２０１７－５８５０９号公報（以下「引用文献５」という。）には、次の事項が記載されている。

ａ 段落【００２２】～【００２６】、【図３Ａ】、【図３Ｂ】

「【００２２】

図３Ａは、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の、プロセス用の支持基板（ガラス基板）ＳＢ１，ＳＢ２から基材樹脂層Ｂ１，Ｂ２を剥離する前の状態の断面の様子を示す模式図であり、図３Ｂは、支持基板ＳＢ１，ＳＢ２から基材樹脂層Ｂ１，Ｂ２を剥離後、最終的なフレキシブルディスプレイとなった状態を示す断面模式図である。

【００２３】

フレキシブルディスプレイにおいては、画素回路ＰＸがマトリクス状に形成された基材樹脂層Ｂ１や、カラーフィルタ層ＣＦが形成された基材樹脂層Ｂ２の剛性が小さいことから、ガラス等の材料で形成された支持基板ＳＢ１，ＳＢ２を土台として、これらの樹脂層上に機能層を形成する工程が実施される。

【００２４】

本実施形態においては、図３Ａで示されるように、第１の支持基板ＳＢ１上に、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１と、第１の金属層Ｍ１と、第１の透明金属酸化物層ＴＲ１と、画素回路ＰＸがマトリクス状に形成された第１の基材樹脂層Ｂ１が形成されて、第２の支持基板ＳＢ２上に、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２と、第２の金属層Ｍ２と、第２の透明金属酸化物層ＴＲ２と、カラーフィルタ層ＣＦやブラックマトリクスＢＭが形成された第２の基材樹脂層Ｂ２が形成され、これらが互いに貼り合わされる。また貼り合わされる際には、カラーフィルタ層ＣＦが形成された第２の支持基板ＳＢ２側には、露出領域ＥＸを設けるための切り欠き（溝）が予め形成された状態となっている。

【００２５】

カラーフィルタ層ＣＦが形成された第２の基材樹脂層Ｂ２や、複数の画素回路ＰＸを有する画素回路構成層ＣＬが形成された第１の基材樹脂層Ｂ１の表面には、第１の保護層ＰＲ１と第２の保護層ＰＲ２がそれぞれ形成されており、２つの樹脂層がシール材ＳＬおよび充填材ＦＬを介して貼り合わされるようになっている。なお図３Ａの段階では、第２の基材樹脂層Ｂ２から露出される、第１の基材樹脂層Ｂ１の一部となる露出領域ＥＸにおいて、透明導電膜ＴＲが表面に形成された端子ＴＥが第１の保護層ＰＲ１に覆われた状態で配置される。

【００２６】

また、第１の基材樹脂層Ｂ１、第２の基材樹脂層Ｂ２、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２のそれぞれは、ポリイミドを材料とする樹脂層となっている。また第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２は、融点が高いＴｉ、Ｍｏ、Ｗ（チタニウム、モリブデン、タングステン）といった金属で構成される。フレキシブルディスプレイの基材層となる第１の基材樹脂層Ｂ１、第２の基材樹脂層Ｂ２は、１０μｍ程度の厚み（具体的には５μｍ以上２０μｍ以下の厚み）で構成され、第１の金属層Ｍ１、Ｍ２は、後述のフラッシュランプによる閃光の機能層への透過を防止するべく、少なくとも１００ｎｍ程度の厚み（具体的には、７５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の厚み）を有して構成される。また第１の透明金属酸化物層ＴＲ１、第２の透明金属酸化物層ＴＲ２は、第１の金属層Ｍ１と第１の基材樹脂層Ｂ１の密着性を向上させるための層であって、５ｎｍ程度の厚み（具体的には３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚み）にて、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成される。また、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２は、１μｍ程度の厚みにて形成される。」

「【図３Ａ】

［図：0001400115000007.jpg］

」

「【図３Ｂ】

［図：0001400115000008.jpg］

」

ｂ 段落【００２８】～【００３１】、【図４】

「【００２８】

以下においては、図４～図７を用いて、本実施形態におけるフレキシブルディスプレイの基材層となる樹脂層を、支持基板から剥離する方法をさらに詳細に説明をする。

【００２９】

まず図４は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１の製造工程を説明するための図であり、支持基板ＳＢ１，ＳＢ２と、犠牲樹脂層ＳＣ１，ＳＣ２と、金属層Ｍ１，Ｍ２と、透明金属酸化物層ＴＲ１，ＴＲ２と、基材樹脂層Ｂ１，Ｂ２と、機能層（カラーフィルタ層ＣＦまたは画素回路構成層ＣＬ）を有した構造体を用意する工程の様子を説明するための図となっている。

【００３０】

具体的には図４（ａ）で示されるように、まず第１の支持基板ＳＢ１上に、第１の犠牲樹脂層ＳＣ１を積層した後、当該第１の犠牲樹脂層ＳＣ１の表面にプラズマ処理を施して改質をする。その後図４（ｂ）で示されるように、プラズマ処理をされた第１の犠牲樹脂層ＳＣ１上に第１の金属層Ｍ１を形成し、さらに図４（ｃ）で示されるように、第１の透明金属酸化物層ＴＲ１、第１の基材樹脂層Ｂ１、保護膜ＰＲ１で覆われた画素回路構成層ＣＬを順番に形成して、画素回路構成層を有する画素回路構造体を形成する。

【００３１】

図４（ａ）においてプラズマ処理が施されることで、ポリイミドを材料とする第１の犠牲樹脂層ＳＣ１と第１の金属層Ｍ１との密着性が向上し、その後の製造工程を支障なくすすめることができるようになる。なお、機能層としてカラーフィルタ層ＣＦを備えた構造体についても同様に、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２の表面にプラズマ処理を施して第２の金属層Ｍ２との密着性を向上させるため、その説明は省略する。」

「【図４】

［図：0001400115000009.jpg］

」

ｃ 段落【００３４】～【００３６】、【図６】

「【００３４】

ここで特に、図６は、カラーフィルタ層ＣＦ側の、第２の支持基板ＳＢ２を第２の基材樹脂層Ｂ２から剥離する工程の様子を説明するための図である。

【００３５】

図６（ａ）で示されるように、まず、ポリイミドを材料とする第２の基材樹脂層Ｂ２から第２の支持基板ＳＢ２を剥離する工程では、まず、第２の支持基板ＳＢ２側から波長２００～１１００ｎｍのキセノンフラッシュランプのパルス光が照射される。このキセノンフラッシュランプの照射時間としては、１μｓ～数ｍｓ程度であり、強度としては数ｍＪ／ｃｍ２～数十ｍＪ／ｃｍ２とされる。この際、露出領域ＥＸに対してフラッシュランプが照射されないようにするべく遮光マスクＳＨが配置される。

【００３６】

その後、図６（ｂ）で示されるように、フラッシュランプによるパルス光が、第２の支持基材ＳＢ２と第２の犠牲樹脂層ＳＣ２を介して第２の金属層Ｍ２に到達するように照射されると、第２の金属層Ｍ２に吸収されて発熱が生じる。このパルス光による発熱は、第２の金属層Ｍ２から第２の犠牲樹脂層ＳＣ２に瞬間的に伝熱して、図６（ｃ）で示されるように、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２の界面のポリイミドに熱分解が生じ、第２の支持基板ＳＢ２と第２の犠牲樹脂層ＳＣ２が剥がされることになる。フラッシュランプの照射時間や強度は、第２の犠牲樹脂層ＳＣ２のポリイミドが熱分解される温度（６００～１２００℃程度）に熱せられるように調整される。」

「【図６】

［図：0001400115000010.jpg］

」

ｄ 段落【００４０】～【００４２】、【図７】

「【００４０】

図７（ａ）で示されるように、まず、ポリイミドを材料とする第１の基材樹脂層Ｂ１から第１の支持基板ＳＢ１を剥離する工程では、図６（ａ）の場合と同様に、キセノンフラッシュランプが照射されて、その後、図７（ｂ）及び図７（ｃ）で示されるように、第１の金属層Ｍ１から第１の犠牲樹脂層ＳＣ１に瞬間的に伝熱して界面のポリイミドが熱分解され、第１の支持基板ＳＢ１と第１の犠牲樹脂層ＳＣ１が剥がされることになる。

【００４１】

そして図７（ｃ）の工程の後、図７（ｄ）で示されるように、保護フィルムＰＴ１が第１の金属層Ｍ１の裏面に貼り付けられることとなる。

【００４２】

図７（ｄ）および図３Ｂで示されるように、画素回路構成層を備えた第１の基材樹脂層Ｂ１の裏側にて第１の金属層Ｍ１が残存することで、画素回路ＰＸを備えた機能層に影響を与えうる電磁波を遮断することができる。またこの第１の金属層Ｍ１と第１の基材樹脂層Ｂ１の間には、第１の透明金属酸化物層ＴＲ１が配置されており、ポリイミドによって形成された第１の基材樹脂層Ｂ１と第１の金属層Ｍ１との密着性を向上させている。このように第１の透明金属酸化物層ＴＲ１が形成されることで、基材樹脂層にて機能層が形成されるフレキシブルディスプレイにおいても、電磁波を遮断する構造を基材樹脂層上に安定的に形成することができるようになる。」

「【図７】

［図：0001400115000011.jpg］

」

(イ) 周知技術１の認定

前記(ア)に摘記した事項（特に【００２２】～【００２４】、【００２６】、【００３５】～【００３６】、【００４０】）に例示されるように、次の事項は当業者にとって周知技術であったと認められる（以下「周知技術１」という）。

［周知技術１］

「フレキシブルディスプレイの製造において、ガラスの支持基板上にポリイミドの犠牲樹脂層と金属層を形成し、支持基板と犠牲樹脂層を介して金属層に到達するように支持基板側から光を照射することにより、犠牲樹脂層の界面のポリイミドに熱分解が生じて、支持基板と犠牲樹脂層が剥離すること。」

(ウ) 技術常識１の認定

前記(ア)に摘記した事項（特に【００４２】を参照）に例示されるように、次の事項は当業者にとって技術常識であったと認められる（以下「技術常識１」という）。

［技術常識１］

「金属層が電磁波遮蔽機能を有すること。」

ウ 引用文献６、１１に記載された事項と周知技術２、技術常識２の認定 (ア) 引用文献６に記載された事項

原査定の拒絶の理由において引用された文献である特開２００４－５５３６５号公報（以下「引用文献６」という。）には、次の事項が記載されている。

「【０００９】

【発明の実施の形態】

次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。まず、図１を参照して本発明の基本原理について説明する。

【００１０】

続きを表示（全20行）

図１（ａ）は、従来の構造体であり、封止ガラス基板１の表面に設けられたポケット部の底面に、直接乾燥剤層２が塗布形成されている。この構造体の温度を一旦上昇させ、下降させる。すると、封止ガラス基板１、乾燥剤層２には熱収縮が起こる。一般に、乾燥剤層２の熱膨張率α２は、封止ガラス基板１の熱膨張率α１はより大きいので、この差により、乾燥剤層２の接着面に応力が加わる。この応力が乾燥剤層２と封止ガラス基板１との接着力より大きければ、乾燥剤層２は、封止ガラス基板１から剥離してしまう。

【００１１】

そこで、本発明は、図１（ｂ）に示すように、乾燥剤層２と封止ガラス基板１との間に応力緩和層３を挿入した。この応力緩和層３の熱膨張率α３は、封止ガラス基板１の熱膨張率α１より大きく、乾燥剤層２の熱膨張率α２より小さいことが好ましい（α１＜α３＜α２）。

【００１２】

このような条件下では、乾燥剤層２と応力緩和層３との間で、熱膨張率の差が小さくなる。その結果、従来よりも乾燥剤層２に加わる応力が小さくなる。これにより、乾燥剤層２は応力緩和層３から剥離しにくくなる。また、同様に、応力緩和層３と封止ガラス基板１の熱膨張率の差も小さくなるので、応力緩和層３も封止ガラス基板１から剥がれにくい。以上により、乾燥剤層２の剥離等を防止した封止構造を得ることができる。

【００１３】

次に、本発明の実施形態に係る表示装置ついて図２を参照しながら説明する。デバイスガラス基板１００は、その表面に多数の有機ＥＬ素子１０１が形成された表示領域を有している。デバイスガラス基板１００の厚みは、０．７ｍｍ程度である。また、有機ＥＬ素子１０１の構造については後述する。

【００１４】

このデバイスガラス基板１０１は、エポキシ樹脂等から成るシール樹脂１０２を用いてデバイス封止用の封止ガラス基板２００と貼り合わされている。封止ガラス基板２００には、上記表示領域に対応した領域に凹部、すなわちポケット部２０１がエッチングによって形成されている。このポケット部２０１の底部に、応力緩和層として、約４０００Åの厚さのアルミニウム層２０２が例えば蒸着法によって形成されている。そして、このアルミニウム層２０２上に

水分等の湿気を吸収するための乾燥剤層２０３が塗布形成されている。

【００１５】

乾燥剤層２０３は、例えば、粉末状の酸化カルシウムや酸化バリウム等、及び接着剤として樹脂を溶剤に溶かした状態にして、アルミニウム層２０２上に塗布し、更にＵＶ照射や加熱処理を行うことで硬化させることで接着される。乾燥剤層２０３の厚さは、例えば１００μｍである。

【００１６】

ここで、封止ガラス基板２００の熱膨張率α１は１０×１０－６以下、乾燥剤層２０３の熱膨張率α２は１００×１０－６程度、アルミニウム層２０２の熱膨張率α３は、３０×１０－６程度であり、α１＜α３＜α２の関係を満たしている。また、アルミニウム層２０２は、封止ガラス基板２００、乾燥剤層２０３との密着性に優れている。したがって、上述した本発明の原理により、乾燥剤層２０３の剥離等が防止される。

【００１７】

本実施形態では、応力緩和層としてアルミニウム層２０２を用いたが、これに限らず、８－トリス－ヒドロキシキノリン－アルミニウム（Ａｌｑ３：８－ｔｒｉｓ－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ）を用いても良い。また、α１＜α３＜α２の関係を満たしていれば、アルミニウム系に限らず、他の金属を用いても良い。」

(イ) 引用文献１１に記載された事項

当審において新たに引用される文献である特開２００９－２７２４４５号公報（以下「引用文献１１」という。）には、次の事項が記載されている。

「【００２１】

１．電子部品装置の構造

本発明の実施の形態に係る電子部品装置の構造の例として、図８に、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置の支持基板が、半田バンプを介して配線回路基板上に実装された構造を示す。

【００２２】

続きを表示（全23行）

図８に示すように、上面に半導体素子５１が実装され、電子部品として機能する支持基板（パッケージ基板）６０が、半田バンプ７５を介して、配線回路基板（マザーボード）７０上に実装されている。

【００２３】

支持基板６０は、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を基材とし、その表面に銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設された配線用基板を複数積層して形成されている。支持基板６０の上面には、半導体素子５１が実装されている。

【００２４】

また、支持基板６０のうち、半導体素子５１が実装される主面と反対側の主面上には、例えば銅（Ｃｕ）層がフォトリソグラフィー法等により形成され、当該銅（Ｃｕ）層上には、例えばニッケル（Ｎｉ）層及び金（Ａｕ）層がめっき法により積層されており、これにより電極部５２が形成されている。

【００２５】

電極部５２の上面には、塑性体材料６５が、応力に対して塑性変形を示す導電性材料を含む応力緩和層として、導電性接着剤又は半田ペースト等の導電性接着部材５３を介して設けられている。

【００２６】

塑性体材料６５は、例えば基本組成がＴｉ－２５ａｔ％（Ｔａ＋Ｎｂ＋Ｖ）－（Ｚｒ＋Ｈｆ）＋Ｏと表示されるβ系チタン（Ｔｉ）合金（α－β型合金及びβ型合金の何れも含む）を含む材料等の、塑性金属材料である。塑性体材料６５として、例えば、シート状のチタン（Ｔｉ）合金系である豊通マテリアル製のゴムメタルを用いることができる。β系チタン（Ｔｉ）合金は、約２０乃至６０ＧＰａという極めて小さい縦弾性係数（ヤング率）を有する。

【００２７】

ここで、図９及び図１０を参照して、塑性体材料６５としてのβ系チタン（Ｔｉ）合金の特質について詳述する。図９及び図１０に示すグラフおいて、縦軸は、応力を示し、横軸は伸び（ひずみ）を示す。

【００２８】

図１０に示すように、塑性体材料６５としてのβ系チタン（Ｔｉ）合金は、弾性変形能が約２．５％という超弾性的性質を有する。更に、歪みが約２．５％以上になると、１５％まで破断伸びを有する塑性的性質を示す。

【００２９】

図９に示すように、塑性体材料６５としてのβ系チタン（Ｔｉ）合金は、弾性変形域において応力―歪み線図が直線とはならず、上に凸な曲線（Ａ’－Ｂ）となり、除荷すると同曲線Ａ－Ａ’に沿って伸びが０（ゼロ）に戻ったり、曲線Ｂ－Ｂ’に沿って極僅かな約０．２％の永久伸びを生じたりする。

【００３０】

このように、β系チタン（Ｔｉ）合金において、弾性変形域（Ａ’－Ａ）においても、応力と歪みとは直線的な関係になく、応力が増加すれば、急激に歪みが増加する。また、除荷した場合も同様であり、応力と歪みとは直線的な関係になく、応力が減少すれば、急激に歪みが減少する。即ち、β系チタン（Ｔｉ）合金は、高弾性変形能と高塑性変形能を有するものである。

【００３１】

また、β系チタン（Ｔｉ）合金は、室温において、約１２０μΩ・ｃｍの電気抵抗率を有する。塑性体材料６５の形成厚さは、半田バンプ７５の機能や大きさ等に基づき様々に設定することができるが、例えば、下限として約１乃至３μｍに、上限として約２０乃至５０μｍに設定してもよい。また、半田バンプ７５にダミーバンプ等の構造的機能をもたせる場合には、上限として、約２００乃至５００μｍに設定してもよい。」

「【図８】

［図：0001400115000012.jpg］

」

(ウ) 周知技術２の認定

前記(ア)及び(イ)に摘記した事項に例示されるように、次の事項は当業者にとって周知技術であったと認められる（以下「周知技術２」という）。

［周知技術２］

「応力緩和層を金属材料から構成すること。」

(エ) 技術常識２の認定

前記(イ)に摘記した事項（特に【００２６】、【００３１】を参照）に例示されるように、次の事項は当業者にとって技術常識であったと認められる（以下「技術常識２」という）。

［技術常識２］

「β系チタン（Ｔｉ）合金は、約２０乃至６０ＧＰａという極めて小さい縦弾性係数（ヤング率）を有し、室温において、約１２０μΩ・ｃｍの電気抵抗率を有すること。」

エ 引用文献１２～１４に記載された事項と周知技術３の認定

(ア) 引用文献１２に記載された事項

当審において新たに引用する文献である特開２０１３－１７５２８５号公報（以下「引用文献１２」という。）には、次の事項が記載されている。

ａ 段落【００４８】～【０１１１】、【図１】

「【００４８】

＜作製方法例＞

以下では、本実施の形態で例示する発光装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。本作製方法例では、発光素子が形成される基板表面側に発光を取り出す上面発光型の発光装置の作製方法について説明する。

【００４９】

続きを表示（全57行）

図１（Ａ）～（Ｅ）は、発光装置の作製工程中のそれぞれの段階における上面概略図と、上面概略図中に示す切断線Ａ－Ｂで切断した断面概略図である。

【００５０】

まず、第１の基板１０１を準備する。第１の基板１０１には、可とう性を有する材料を用い、少なくとも被形成面が平坦な基板を用いる。

（中略）

【００５５】

続いて、第１の基板１０１の被形成面上に平坦化層１１３を形成する。

（中略）

【００６０】

続いて、平坦化層１１３上に、第１の電極層１０３、及び配線１１１を形成する。

（中略）

【００６３】

続いて、第１の電極層１０３及び配線１１１の端部を覆い、且つ、第１の電極層１０３及び配線１１１の一部を露出させる開口部を備える絶縁層１１５を形成する。

（中略）

【００６６】

この段階における上面概略図及び断面概略図が、図１（Ａ）に相当する。

【００６７】

続いて、あらかじめ有機物層１２３が形成された支持基板１２１に、第１の基板１０１を貼り付ける。

【００６８】

支持基板１２１は、支持する面が平坦であり、且つ、第１の基板１０１よりも剛性の高い材料を用いる。支持基板１２１は少なくとも後の工程で、第１の基板１０１が接着された状態でフェイスダウン方式を用いてＥＬ層１０５や第２の電極層１０７を形成する際に、支持基板１２１がたわんで第１の基板１０１の被形成面が成膜装置の一部と接触することがない程度の剛性を有する基板を用いる。

（中略）

【００７２】

本実施の形態では、支持基板１２１として厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いる。

【００７３】

支持基板１２１の被接着面に設ける有機物層１２３は、支持基板１２１と第１の基板１０１とを接着する接着層として機能する。ここで有機物層１２３としては、室温において固体で、且つ加熱することにより溶融する材料を用いる。

（中略）

【００７７】

このようにして支持基板１２１上に形成した有機物層１２３を融点以上に加熱して溶融させた状態で、第１の基板１０１を、有機物層１２３と第１の基板１０１の被形成面とは反対側の面（裏面）が接するように配置する（図１（Ｂ）参照）。

（中略）

【００８２】

このようにして、溶融状態の有機物層１２３に接して第１の基板１０１を配置した後、有機物層１２３を冷却して固化させ、有機物層１２３により支持基板１２１と第１の基板１０１とを接着する。

（中略）

【００８８】

続いて、フェイスダウン方式の成膜方法を用いて、第１の電極層１０３上にＥＬ層１０５を形成する。ＥＬ層１０５は真空蒸着法により形成する。真空蒸着法を用いることにより、第１の基板１０１として大型の基板を用いても均一な厚さに形成することができる。

（中略）

【００９０】

続いて、フェイスダウン方式の成膜装置を用いて、ＥＬ層１０５上、及び配線１１１の露出した領域上に第２の電極層１０７を形成する。第２の電極層１０７は、ＥＬ層１０５を形成した後、大気に触れさせることなく連続して形成することが好ましい。

（中略）

【００９５】

以上の工程により、第１の電極層１０３、ＥＬ層１０５、及び第２の電極層１０７が積層された発光素子１２０が形成される。この段階における上面概略図及び断面概略図が図１（Ｃ）に相当する。なお、図１（Ｃ）中の有機物層１２３は固化した状態であるため、図１（Ｂ）で示した溶融状態である有機物層１２３とはハッチングを異ならせている。

（中略）

【００９７】

続いて、第１の基板１０１と第２の基板１０２とを封止層１１９を用いて貼り合わせる（図１（Ｄ）参照）。

（中略）

【００９９】

第２の基板１０２は、少なくとも発光素子１２０からの発光に対して透光性を有する材料を用い、且つ、可とう性を有する材料を用いる。例えば、有機樹脂や可とう性を有する程度の厚さのガラス材料などを用いることができる。

（中略）

【０１０４】

この段階における上面概略図及び断面概略図が、図１（Ｄ）に相当する。

【０１０５】

続いて、有機物層１２３を加熱して溶融した状態で、第１の基板１０１を支持基板１２１から剥離する（図１（Ｅ）参照）。

（中略）

【０１１１】

以上の工程により、第１の基板１０１上に発光素子１２０が形成された、発光装置１００を作製することができる。」

「【図１】

［図：0001400115000013.jpg］

」

ｂ 段落【０１１２】～【０１１９】、【図２】

「【０１１２】

［有機物層１２３の形成について］

ここで、第１の基板１０１と支持基板１２１とを接着する有機物層１２３は、少なくともＥＬ層１０５及び第２の電極層１０７を形成する際に第１の基板１０１が支持基板１２１から剥離しないように設ければよく、様々な形態をとりうる。

【０１１３】

続きを表示（全17行）

図２（Ａ）、図２（Ｂ）、及び図２（Ｃ）はそれぞれ、支持基板１２１上に形成された有機物層１２３の上面概略図である。また、各々の図において、第１の基板１０１が配置される領域を破線で示している。

【０１１４】

図２（Ａ）では、第１の基板１０１が設けられる領域と完全に重なるように、有機物層１２３が設けられている。このように、第１の基板１０１の裏面の全面が有機物層１２３によって支持基板１２１と接着される構成とすることで、第１の基板１０１と支持基板１２１との接着強度を十分に高めることができる。

【０１１５】

また、第１の基板１０１の端部も有機物層１２３によって接着する構成とすることにより、当該端部をきっかけとして剥離してしまうことを抑制することができる。

【０１１６】

図２（Ｂ）では、有機物層１２３は一定の間隔をあけて帯状（ストライプ状）に設けられている。

【０１１７】

ここで例えば、支持基板１２１に対して第１の基板１０１の線熱膨張係数が異なる場合、処理中の温度の変化によって第１の基板１０１が伸縮することにより、支持基板１２１が大きくたわんでしまう恐れがある。

【０１１８】

そこで、図２（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１と支持基板１２１との接着部を、間隔をあけて複数設けることにより、上述した第１の基板１０１の伸縮に起因して支持基板１２１にかかる応力は、少なくとも帯状の有機物層１２３の短辺方向で緩和され、その結果、支持基板１２１のたわみ量を低減することができる。

【０１１９】

また、図２（Ｃ）に示すように、有機物層１２３を一定の間隔をあけて島状（ドット状）に設けてもよい。このような構成とすることにより、第１の基板１０１の伸縮に起因する支持基板１２１にかかる応力を２次元的に緩和することができるため、その結果、より支持基板１２１のたわみ量を低減することができる。」

「【図２】

［図：0001400115000014.jpg］

」

(イ) 引用文献１３に記載された事項

当審において新たに引用する文献である特開２０１６－２２４４３０号公報（以下「引用文献１３」という。）には、次の事項が記載されている。

「【０００４】

可撓性基板を用いた装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板などの作製基板上に薄膜トランジスタや有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）素子などの機能素子を作製したのち、可撓性基板に該機能素子を転置する技術が開発されている。この方法では、作製基板から機能素子を含む被剥離層を剥離する工程（剥離工程とも記す）が必要である。」

「【０２５７】

≪積層体の作製方法≫

以下に、積層体の作製装置１０００Ａを用いて、加工部材８０から積層体８１を作製する方法について、図１１及び図１２を参照しながら説明する。

【０２５８】

加工部材８０は、第１の基板１１、第１の基板１１上の第１の剥離層１２、第１の剥離層１２と一方の面が接する第１の被剥離層１３、第１の被剥離層１３の他方の面と一方の面が接する接合層３０、及び接合層３０の他方の面が接する基材２５を備える（図１２（Ａ））。なお、本実施の形態では、剥離の起点１３ｓがあらかじめ接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を用いる場合について説明する（図１２（Ｂ））。

（中略）

【０２６０】

＜第２のステップ＞

第１の分離ユニット３００が、加工部材８０の一方の表層８０ｂを剥離する。具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点１３ｓから、第１の基板１１を第１の剥離層１２と共に第１の被剥離層１３から分離する（図１２（Ｃ））。」

「【図１２】

［図：0001400115000015.jpg］

」

(ウ) 引用文献１４に記載された事項

当審において新たに引用する文献である特開２０１５－２２３８２３号公報（以下「引用文献１４」という。）には、次の事項が記載されている。

「【００３５】

＜積層体の製造方法＞

次に本発明の積層体の製造方法について説明するが、これに制限されるわけではない。支持基板であるガラス基板上に、少なくとも光熱変換物質、および/または、熱分解性物質と、マトリックス材、溶媒からなる犠牲層形成用組成物を、所定の厚みになるように塗布する。塗布方法としては、バーコーター、ロールコーター、ナイフコーター、スリットダイコーター、スピンコーター、インクジェット印刷、スクリーン印刷などを用いる方法が挙げられる。塗布後は８０～２００℃で乾燥し、溶媒を除去する。乾燥時間は適宜選択され、１０秒～１時間である。」

「【００４０】

剥離方法の詳細について説明する。本発明においては、ガラス基板である支持基板側から光照射をして耐熱性樹脂層の剥離を行い、フレキシブルデバイスを得ることができる。光照射としては、ＵＶ照射、レーザー照射が挙げられるが、本発明においてはレーザー照射による剥離が好ましい。」

「【符号の説明】

【０１２６】

１１０ 支持基板

２１０ 犠牲層

３１０ 耐熱性樹脂層

２１１ マトリックス材

２１２ 光熱変換物質

２１３ 熱分解性物質」

「【図１】

［図：0001400115000016.jpg］

」

(エ) 周知技術３の認定

前記(ア)～(ウ)に摘記した事項（特に、引用文献１２の【図２】、引用文献１３の【図１２】、引用文献１４の【図１】を参照）に例示されるように、次の事項は当業者にとって周知技術であったと認められる（以下「周知技術３」という）。

［周知技術３］

「可撓性基板に有機ＥＬ素子などの機能素子を転置するために用いられる、剥離層を有するガラス基板などの作製基板において、剥離層の周縁部が、作製基板の周縁部よりも内側に引っ込んでいること。」

(３) 本件補正発明１についての対比・判断

ア 対比

(ア) 対比分析

本件補正発明１と引用発明を対比する。

ａ(ａ) 引用発明は、「母体基板であるガラス基板上に剥離層、金属膜３１０、絶縁層３２０、半導体素子層３３０を含む多層の薄膜層を形成した後、多層の薄膜層上にフレキシブル基板３４０を取り付けて、剥離層と金属膜３１０との間の界面分離を行い、母体基板を取り除いて形成するフレキシブル電気素子を備えたフレキシブル表示装置の製造方法」の発明である。

(ｂ) ここで、引用発明においては、「フレキシブル電気素子」が形成される前段階として、「剥離層２００と金属膜３１０との界面分離」が行われて「母体基板１００を分離」しているから、「界面分離」を行う前の「母体基板１００」、「剥離層２００」及び「金属膜３１０」について着目すると、これらは、「フレキシブル電気素子を備えたフレキシブル表示装置」の製造工程において用いられる一体化された補助部材であると考えることができる。

(ｃ) そうすると、引用発明の「母体基板１００」、「剥離層２００」及び「金属膜３１０」は、これらを一体化された補助部材としてみたときは、「フレキシブル表示装置」を形成するための表示装置形成用基板であるといえるから、引用発明は、「フレキシブル表示装置」を形成するための表示装置形成用基板の発明を自明の前提として含むものである。

(ｄ) したがって、本件補正発明１と引用発明は、「表示装置を形成するための表示装置形成用基板」の発明である点で一致する。

ｂ(ａ) 引用発明の「母体基板１００」は、「ガラス基板が使われ」ているから、本件補正発明１の「ガラス基材」に相当する。

(ｂ) 引用発明の「母体基板１００上に形成された剥離層２００」は、本件補正発明１の「前記ガラス基材上に積層され」る「剥離層」に相当する。 (ｃ) 引用発明の「剥離層２００が形成された全体構造の上に」「形成」される「金属膜３１０」は、本件補正発明１の「前記剥離層上に積層され」る「金属層」に相当する。

(ｄ) したがって、本件補正発明１と引用発明は、

「ガラス基材と、

前記ガラス基材上に積層される剥離層と、

前記剥離層上に積層される金属層とを備え[る]」点で共通する。

(イ) 一致点及び相違点の認定

前記(ア）の対比分析の検討結果をまとめると、本件補正発明１と引用発明は、次の一致点において一致し、以下の相違点において相違する。

ａ 一致点

「表示装置を形成するための表示装置形成用基板であって、

ガラス基材と、

前記ガラス基材上に積層される剥離層と、

前記剥離層上に積層される金属層とを備える、

表示装置形成用基板。」である点。

ｂ 相違点

(ａ) 相違点１

本件補正発明１においては、

「前記ガラス基材上に積層される剥離層」が「レーザー光を吸収することにより分解される」ものであり、「前記剥離層上に積層される金属層」が「前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な」ものであるのに対して、

引用発明においては、

「剥離層２００は、例えば、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＭｏＯｙ、ＳｎＯ２、ＳｅＯｘ、ＳｉＯｘ、ＧａＯｘ、ＩｎＯ、ＴｉｘＯｙ、ＶｘＯｙ、ＺｒＯｙ、ＷＯｙ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＴｅｘＯｙ、ＴeＯ２、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＭＯ２Ｎ、ＶＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＣｒＮ、Ｇａの中で少なくとも一つを含んでおり」、レーザー光を吸収することにより分解されるものであるとはいえず、また、「金属膜３１０」については、剥離層２００を透過したレーザー光を反射可能なものであることは明示されていない点。

(ｂ) 相違点２

本件補正発明１においては、

「前記金属層は、応力緩和機能を有し、

前記金属層は、クロム合金、ニッケル合金、モリブデン合金、チタン合金、アルミニウム合金、銀合金、パラジウム合金、銅合金およびタングステン合金のうち少なくとも１つの合金を含み、

前記表示装置形成用基板の反り量が０．３ｍｍ以下であ［る］」のに対して、

引用発明においては、

「金属膜３１０」が応力緩和機能を有することは明示されておらず、合金ではなく、「剥離層２００」及び「金属膜３１０」が形成された「母体基板１００」の反り量についても限定されていない点。

(ｃ) 相違点３

本件補正発明１においては、

「前記剥離層の周縁部および前記金属層の周縁部は、前記ガラス基材の周縁部よりも内側に引っ込んでいる」のに対して、

引用発明においては、そのような構成を備えていない点。

イ 判断

前記相違点について検討する。

(ア) 相違点１について

ａ 「フレキシブルディスプレイの製造において、ガラスの支持基板上にポリイミドの犠牲樹脂層と金属層を形成し、支持基板と犠牲樹脂層を介して金属層に到達するように支持基板側から光を照射することにより、犠牲樹脂層の界面のポリイミドに熱分解が生じて、支持基板と犠牲樹脂層が剥離すること」は、当業者にとって周知技術であるから（前記周知技術１を参照）、引用発明の「剥離層２００」をポリイミドの犠牲樹脂層として構成し、「ガラス基板１００」と「剥離層２００」（犠牲樹脂層）を介して「金属膜３１０」に到達するように「ガラス基板１００」側から光を照射することにより、「剥離層２００」（犠牲樹脂層）の界面のポリイミドに熱分解が生じて、「ガラス基板１００」と「剥離層２００」（犠牲樹脂層）が剥離するようにすることは、当業者にとって格別の困難性はない。

ｂ その際、照射する光について、ポリイミドが吸収する波長帯のレーザー光を採用することは、当業者が適宜選択し得た設計事項にすぎない。

ｃ また、引用発明の「金属膜３１０」の膜厚を適宜設定することにより、「剥離層２００」（犠牲樹脂層）を透過した光を反射可能にできることは、当業者にとって自明である。

(イ) 相違点２について

ａ 引用発明は、「母体基板であるガラス基板上に剥離層、金属膜３１０、絶縁層３２０、半導体素子層３３０を含む多層の薄膜層を形成した後、多層の薄膜層上にフレキシブル基板３４０を取り付けて、剥離層と金属膜３１０との間の界面分離を行い、母体基板を取り除いて形成するフレキシブル電気素子を備えたフレキシブル表示装置の製造方法」であるから、「母体基板であるガラス基板」に反りがあると、その上に形成される「多層の薄膜層」や「フレキシブル基板３４０」の平坦性が失われ、最終製品である「フレキシブル電気素子」の特性に好ましくない影響を与えてしまうことは明らかであるから、引用発明の「母体基板１００」についても、できる限り反りが発生しないようにすべきことは当然の要請である。

したがって、引用発明においても、「剥離層２００」及び「金属膜３１０」が形成された「母体基板１００」の反り量が０．３ｍｍ以下であるように構成することは、当業者ならば当然の設計事項であるというべきであって、前記相違点２に係る「前記表示装置形成用基板の反り量が０．３ｍｍ以下であ［る］」という構成は、格別のものではない。

ｂ(ａ) 一般に、多層膜から構成されるものにおいて、熱過程における膨張や応力に起因する反りの点を考慮すべきことは、自明の設計指針にすぎず、また、例えば、引用文献１２の段落【０１１６】～【０１１９】の記載（前記(２)エ(ア)ｂ参照）からも裏付けられるように、引用発明の「母体基板１００」上に形成された「剥離層、金属膜３１０、絶縁層３２０、半導体素子層３３０を含む多層の薄膜層」からの応力が主要な原因となって引用発明の「母体基板１００」に反りが生じるおそれがあり、これを防止すべきことは、当業者には自明の課題ないし自明の設計指針である。

(ｂ) そして、「応力緩和層を金属材料から構成すること」は、当業者にとって周知技術である（前記周知技術２を参照）。

(ｃ) したがって、引用発明の「金属膜３１０」に応力緩和の機能を持たせることにより、引用発明の「母体基板１００」に反りが生じてしまうことのないように「金属膜３１０」の材料を選択することは、当業者にとっては、適宜なすべき設計上の事項にすぎない。

ｃ その際、「β系チタン（Ｔｉ）合金は、約２０乃至６０ＧＰａという極めて小さい縦弾性係数（ヤング率）を有すること」は、当業者にとって技術常識であるから（前記技術常識２を参照）、応力緩和機能を発揮させるための材料として好適なものである。

ｄ よって、引用発明において、「金属膜３１０」の材料を「チタン合金」として、応力緩和機能を有するように構成することは、技術常識２をわきまえた当業者にとってみれば、自明な材料選択にすぎない。

(ウ) 相違点３について

「可撓性基板に有機ＥＬ素子などの機能素子を転置するために用いられる、剥離層を有するガラス基板などの作製基板において、剥離層の周縁部が、作製基板の周縁部よりも内側に引っ込んでいること」は、当業者にとって周知の構造であるから（前記周知技術３を参照）、引用発明の「母体基板１００上に形成された剥離層２００」について、前記周知技術３を適用することにより、「剥離層２００」の周縁部が「母体基板１００」の周縁部よりも内側に引っ込んでいるように構成することは、当業者が適宜選択し得る設計事項にすぎない。

その際、「剥離層２００が形成された全体構造の上に」「形成」される「金属膜３１０」の周縁部についても、「剥離層２００」の周縁部と同様に、「母体基板１００」の周縁部よりも内側に引っ込んでいるように構成することは、ごく自然なことであり、当業者にとって自明のことにすぎない。

(エ) 総合評価

前記(ア)から(ウ)までの前記相違点１～３に係る検討を総合してみても、引用発明において、前記相違点１～３に係る本件補正発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。

また、本件補正発明１の奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測困難であり、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。

したがって、本件補正発明１は、引用発明、周知技術１～３及び技術常識１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。

(４) 本件補正発明３についての対比・判断

ア 対比

前記(３)において検討した、本件補正発明１と引用発明の対比結果を踏まえて、本件補正発明３と引用発明を対比すると、本件補正発明３と引用発明は、前記相違点１～３に加えて、次の相違点４において相違し、その余の点において一致する。

＜相違点４＞

本件補正発明３においては、

「前記金属層は、電磁波遮蔽機能を有し、

前記金属層は、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下である」のに対して、

引用発明においては、

「金属膜３１０」が、電磁波遮蔽機能を有することは明示されておらず、面抵抗率についても限定されていない点。

イ 判断

前記相違点１～３については、前記(３)において検討したとおりである。 次に、相違点４について検討する。

(ア) 「金属層が電磁波遮蔽機能を有すること」は、当業者にとって、技術常識であるから（前記技術常識１を参照）、引用発明において、前記相違点２に係る「金属膜３１０」の材料として「チタン合金」（β系チタン（Ｔｉ）合金）を選択した場合、「チタン合金」（β系チタン（Ｔｉ）合金）が、応力緩和機能のみならず、電磁波遮蔽機能を有することは、当業者にとって自明である。

(イ) ここで、「β系チタン（Ｔｉ）合金は、室温において、約１２０μΩ・ｃｍの電気抵抗率を有すること」は、当業者にとって技術常識であるから（前記技術常識２を参照）、引用発明の「金属膜３１０」の厚みを１μｍとすると（引用文献１の【００３３】を参照）、「金属膜３１０」の面抵抗率は約１２０μΩ・ｃｍ／１μｍ＝約１．２Ω／□となるから、本件補正発明３の「前記金属層は、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下である」との要件も満たされることになる。

(ウ) そして、前記相違点１～４に係る検討を総合してみても、引用発明において、前記相違点１～４に係る本件補正発明３の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。

また、本件補正発明３の奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測困難であり、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。

したがって、本件補正発明３は、引用発明、周知技術１～３及び技術常識１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。

(５) 請求人の主張について

ア 審判請求書の主張内容

請求人の主張は、概略次のとおりである。

本件補正発明１は、とりわけ主要な構成として、

「剥離層の周縁部および金属層の周縁部が、ガラス基材の周縁部よりも内側に引っ込んでいること」を特徴とするものであるが、引用文献２、５、６にはかかる構成が開示されていない。

前記特徴により、剥離層の平面形状及び金属層の平面形状が、全周にわたってガラス基材の平面形状より小さくなる（段落［００３９］参照）。言い換えると、ガラス基材上に、剥離層および金属層が積層されていない部分が存在するようになる。

このように、ガラス基材上に剥離層及び金属層が積層されていない部分が存在するようになるため、ガラス基材の全面に剥離層及び金属層が積層されている場合と比較して、金属層からガラス基材を剥離しやすくできる。

また、前記特徴により、表示装置の製造工程中（図４（ａ）－（ｅ））、各層間に薬液が浸透したり各層が熱収縮したりすることにより、ガラス基材から剥離層または金属層が剥離するきっかけとなる部分が生じたとしても、この部分が中間体の周縁部に露出しないようにすることができ、これにより、剥離層または金属層がガラス基材から不用意に剥離してしまうことを抑制することができる。

(６) 小括

以上検討のとおり、本件補正発明１及び本件補正発明３は、いずれも特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。

よって、本件補正は、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するから、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。

したがって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第３ 本願発明について

１ 本願発明について

本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１～９に係る発明は、令和３年１１月１５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～９に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、そのうち、請求項１及び請求項３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」及び「本願発明３」という。）は前記第２の１(１)に摘記した事項により特定されるとおりである。

２ 拒絶の理由の概要

原査定の拒絶の理由のうち、本願発明１及び本願発明３についての進歩性欠如の理由は、次のとおりである。

本願発明１、３は、下記の引用文献２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

記

３ 引用文献に記載された事項

前記引用文献２には、第２の３(２)ア(イ)において認定したとおりの引用発明が記載されていると認められる。

また、周知技術１～３は、前記第２の３(２)イ(イ)、ウ(ウ)、エ(エ)において認定したとおりである。

さらに、技術常識１、２は、前記第２の３(２)イ(ウ)、ウ(エ)において認定したとおりである。

４ 対比・判断

(１) 本願発明１は、本件補正発明１における「前記剥離層の周縁部および前記金属層の周縁部は、前記ガラス基材の周縁部よりも内側に引っ込んでいること」の限定を省いたものである（前記第２の２(１)参照）。

本願発明３についても、本件補正発明３における上記限定を省いたものである。

(２) そうすると、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明１が、前記第２の３（３）に示したとおり、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、引用発明、周知技術１、２及び技術常識１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。

本願発明３についても、同様である。

第４ むすび

以上検討のとおりであるから、本願発明１及び本願発明３は、いずれも特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。

したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。

よって、結論のとおり審決する。