2022-004343

特願２０１６－２４０４１１「プリント回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年 ７月１３日出願公開、特開２０１７－１２３４５９〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１６年（平成２８年）１２月１２日（パリ条約による優先権主張２０１６年１月８日、韓国、２０１６年４月２１日、韓国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 元年１１月１８日 ：手続補正書の提出 令和 ２年 ９月１７日付け：拒絶理由通知書 令和 ２年１２月２８日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ３年 ３月２３日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書 令和 ３年 ６月２８日 ：意見書、手続補正書の提出 令和 ３年１１月１９日付け：令和３年６月２８日の手続き補正について の補正の却下の決定、拒絶査定 令和 ４年 ３月２３日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和４年３月２３日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和４年３月２３日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（請求項１に係わる補正の内容） （１）本件補正は、特許請求の範囲の請求項１の記載を次のとおり補正することを含むものである（下線部は、補正箇所である。）。 「【請求項１】 貫通ホールが形成されたコア部材と、 前記貫通ホールに配置されたサブ回路基板と、 前記コア部材及び前記サブ回路基板上に積層された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上に配置された外側回路層と、 前記サブ回路基板の回路層に電気的に接続された電子素子と、 を含み、 前記外側回路層は、第１ピッチを有し、厚さ方向に前記コア部材と重なるように配置された第１回路パターンと、第２ピッチを有し、厚さ方向に前記サブ回路基板と重なるように配置された第２回路パターンとを含み、 前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きく、 前記電子素子は、前記サブ回路基板の前記回路層の一部と前記外側回路層の一部とを電気的に接続し、 前記サブ回路基板の上部に配置されたダイをさらに有し、 前記サブ回路基板の前記ダイに対向する上面に形成されるパッドのピッチは、前記サブ回路基板の下面に形成されるパッドのピッチより小さい、プリント回路基板。」 （２）本件補正前の、令和２年１２月２８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。 「【請求項１】 貫通ホールが形成されたコア部材と、 前記貫通ホールに配置されたサブ回路基板と、 前記コア部材及び前記サブ回路基板上に積層された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上に配置された外側回路層と、 前記サブ回路基板の回路層に電気的に接続された電子素子と、 を含み、 前記外側回路層は、第１ピッチを有し、厚さ方向に前記コア部材と重なるように配置された第１回路パターンと、第２ピッチを有し、厚さ方向に前記サブ回路基板と重なるように配置された第２回路パターンとを含み、 前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大きく、 前記電子素子は、前記サブ回路基板の前記回路層の一部と前記外側回路層の一部とを電気的に接続する、プリント回路基板。」 ２ 補正の適否 請求項１に係る本件補正は、以下の補正事項を含むものである。 本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「サブ回路基板」について、「前記サブ回路基板の上部に配置されたダイをさらに有」するとの限定を付加する。 本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「サブ回路基板」について、「前記サブ回路基板の前記ダイに対向する上面に形成されるパッドのピッチは、前記サブ回路基板の下面に形成されるパッドのピッチより小さい」との限定を付加する。 よって、上記補正事項は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定する事項を限定するものであって、本件補正前の請求項１に係る発明と本件補正による請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であるから、請求項１に係る本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正発明が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項、引用発明 ア 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１（国際公開第２０１１／１０２５６１号）には、図面とともに、次の記載がある（下線は当審で付加した。）。 「技術分野 本発明は多層プリント配線基板およびその製造方法に関し、特に、コア層の上面および下面に多層の配線層を積層させた多層プリント配線基板およびその製造方法に関する。」（第１頁第６行目－第９行目） 「課題を解決するための手段 本発明の基板は、第１主面と第２主面とを備えたコア層と、前記コア層の前記第１主面に第１絶縁層を介して積層された第１配線層と、前記コア層の前記第２主面に第２絶縁層を介して積層された第２配線層と、前記コア層を部分的に貫通して設けた除去領域と、前記除去領域に配置されると共に、複数層の配線パターンを備え、前記第１配線層と前記第２配線層とを接続する経路として機能する接続基板と、を備え、前記コア層の前記第１主面側の前記接続基板の第１配線パターンは、前記第１絶縁層を貫通して設けた第１接続部を経由して前記第１配線層に接続され、前記コア層の前記第２主面側の前記接続基板の第２配線パターンは、前記第２絶縁層を貫通して設けた第２接続部を経由して前記第２配線層に接続されることを特徴とする。」（第３頁第１行目－第１１行目） 「発明の効果 ・・・（省略）・・・。 更に、接続基板に多層に設けられる配線パターンは、コア層に積層される配線層よりも微細に形成される。従って、背景技術ではコア層に積層される配線層で構成されていた電気回路の一部分を、接続基板１３に含まれる配線パターンで置き換えることが可能となる。このことにより、基板の更なる小型化が達成される。」（第３頁第２１行目－第４頁第２行目） 「図１（Ａ）を参照して、基板１０Ａは、厚いコア層１１と、コア層１１の上面に絶縁層を介して積層された配線層（第１配線層１６Ａ、第３配線層１６Ｃ）と、コア層１１の下面に絶縁層を介して積層された配線層（第２配線層１６Ｂ、第４配線層１６Ｄ）と、コア層１１の除去領域１２に埋設された接続基板１３とを具備している。」（第４頁第２６行目－第５頁第１行目） 「第１絶縁層１４Ａおよび第２絶縁層１４Ｂは、コア層１１の上面および下面を被覆している。第１絶縁層１４Ａおよび第２絶縁層１４Ｂがコア層１１を被覆する厚みは、例えば５０μｍ以上１００μｍ以下である。第１絶縁層１４Ａおよび第２絶縁層１４Ｂの材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリエチレン樹脂等の熱可塑性樹脂を採用することができる。」（第５頁第２３行目－第２７行目） 「第１配線層１６Ａは、第１絶縁層１４Ａの上面に形成された配線層であり、第１絶縁層１４Ａに貼着された導電膜またはメッキ膜を選択的にエッチングして形成される。第１配線層１６ＡのＬ／Ｓは、例えば５０μｍ／５０μｍ以上、１００μｍ／１００μｍ以下に細くすることができる。 ここで、Ｌ／Ｓとは配線の微細さを示し、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍであれば、形成される配線の幅（Ｌ：ライン）が２０μｍであり、且つ配線同士が離間する距離（Ｓ：スペース）が２０μｍであることを示している。 また、第１配線層１６Ａは、第１絶縁層１４Ａを貫通して設けた接続部３１を経由して、コア層１１と電気的に接続される。このようにすることで、コア層１１を接地電位を引き回すための層として用いることができる。」（第６頁第５行目－第１４行目） 「第２配線層１６Ｂは、第２絶縁層１４Ｂの下面に形成された配線層であり、上記した第１配線層１６Ａと同様の構成である。また、第２配線層１６Ｂは、第２絶縁層１４Ｂを貫通して設けた接続部３３を介して、コア層１１の下面と導通している。」（第６頁第１５行目－第１８行目） 「接続基板１３は、コア層１１を部分的に除去して設けた除去領域１２に収納された多層基板であり、コア層１１の上面に積層された配線層と、コア層１１の下面に積層された配線層とを接続する接続手段として機能している。」（第７頁第１９行目－第２１行目） 「接続基板１３の厚みは、コア層１１と同等であり、例えば１００μｍ以上２００μｍ以下である。また、図１（Ｂ）を参照すると、コア層１１に対して部分的なエッチングまたはプレス加工を行うことにより、平面視で四角形形状の除去領域１２が設けられており、接続基板１３は、この除去領域１２に収納されている。接続基板１３の平面視での大きさは、コア層１１に設けられる除去領域１２よりも小さく形成されている。そして、図１（Ａ）を参照して、接続基板１３は、除去領域１２に面するコア層１１の側面から離間している。除去領域１２に収納される接続基板１３の表面は、第１絶縁層１４Ａおよび第２絶縁層１４Ｂを構成する樹脂材料により被覆されている。更にここで、接続基板１３は基板の中心部を避けた領域に配置されても良い。このようにすることで、基板全体が湾曲した際に、湾曲部は、殆ど中心に来るので、この湾曲による応力により接続基板１３が破壊されることが抑制される。」（第７頁第２７行目－第８頁第９行目） 「更には、接続基板１３の内部で配線パターンを所定形状にすることで、コンデンサやコイルを構成しても良い。また、コイル、コンデンサ、抵抗器を接続基板１３に内蔵させても良いし、これらを接続基板１３と共に除去領域１２に埋設して各配線層と接続しても良い。この様にすることで、背景技術では基板１０Ａの上面に配置される素子が備える機能が、コア層１１の除去領域１２に内蔵されるので、基板１０Ａを含む回路装置が小型なものとなる。」（第８頁第２０行目－第２６行目） 「接続基板１３に設けられる第１配線パターン１５Ａ等は、コア層１１に積層される第１配線層１６Ａ等よりも微細に形成される。第１配線パターン１５Ａ等のＬ／Ｓは、例えば３０μｍ／３０μｍ以下である。この様に微細な導電パターンが接続基板１３に形成されることで、背景技術であればコア層に積層される配線層で構成される電気回路の一部を、接続基板１３で構成することができる。結果的に、コア層１１に積層される第１配線層１６Ａ－第４配線層１６Ｄで実現される回路部分が小さくなり、基板１０Ａ自体を小型化することが可能となる。 上記構成の接続基板１３を経由して、コア層１１に積層される第１配線層１６Ａと第２配線層１６Ｂとが電気的に接続される。具体的には、接続基板１３の上面に配置された第１配線パターン１５Ａは、第１絶縁層１４Ａを貫通して設けた接続部３１を経由して第１配線層１６Ａと接続されている。更に、接続基板１３の最下層に設けた第４配線パターン１５Ｄは、第２絶縁層１４Ｂを貫通して設けた接続部３３を経由して、第２配線層１６Ｂと接続されている。この様にすることで、コア層１１の上面に位置する第１配線層１６Ａが、コア層１１の下面に位置する第２配線層１６Ｂと、接続基板１３を経由して接続される。」（第９頁第２行目－第１６行目） 「また、接続基板１３の第１配線パターン１５Ａと第１配線層１６Ａとは、複数個の接続部３１を介して接続されている。更に、接続基板１３の第４配線パターン１５Ｄと第２配線層１６Ｂも、複数個の接続部３３を経由して接続されている。この様にすることで、コア層１１の上面に積層された配線層と、下面に積層された配線層とを接続する接続箇所を、接続基板１３に集約することができる。」（第９頁１７行目－第２１行目） 「図９は、更なる実施例である。一般に携帯電話等に採用されるモジュールは、少なくとも２層のプリント基板１０ＡにＴＲ、チップコンデンサ、チップ抵抗またはＬＳＩチップ１００が実装されている。しかしながら、このＬＳＩチップは、高機能であるため、ピン数が非常に多く、しかもそのサイズが小さくなっている。そのため、接続基板１３は、ファインパターンの基板が必要になる。例えば、このＬＳＩチップだけ、またはＬＳＩチップとその周辺回路において、微細なパターンが必要で、この接続基板１３が内蔵される基板１０Ａは、接続基板に比べてラフである場合がある。 また接続基板を高精細、高密度で実現する事で、基板１０Ａは、パターンがラフで、低密度であっても良い場合がある。よって接続基板１３の表側（または裏側）の最表面の配線パターン１０１と基板１０Ａの最表面の配線層１０２が実質同一面になるように埋め込まれても良い。」（第１９頁第１８行目－第２９行目） 「図９（Ｂ）は、ＬＳＩチップ１００がフェイスダウンで、図９（Ｃ）は、フェイスアップで、接続基板に接続されている。そして接続基板の一部から接続配線１０４が、境界から基板１０Ａに渡り設けられている。」（第２０頁第１０行目－第１２行目） ［図：0001399977000001.jpg］ ［図：0001399977000002.jpg］ イ 上記記載から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。 （ア）第１頁第６行目－第９行目、図１及び図９によれば、引用文献１には、「多層プリント配線基板」についての発明が記載されている。 （イ）第３頁第１行目－第１１行目には、「本発明の基板は、…（省略）…、前記コア層を部分的に貫通して設けた除去領域と、を備え…（省略）…ることを特徴とする。」と記載されている。また、第４頁第２６行目－第５頁第１行目には、「基板１０Ａは、厚いコア層１１と、コア層１１の上面に絶縁層を介して積層された配線層（第１配線層１６Ａ、第３配線層１６Ｃ）と、コア層１１の下面に絶縁層を介して積層された配線層（第２配線層１６Ｂ、第４配線層１６Ｄ）と、コア層１１の除去領域１２に埋設された接続基板１３とを具備している。」と記載されている。さらに、段落第７頁第１９行目－第２１行目には、「接続基板１３は、コア層１１を部分的に除去して設けた除去領域１２に収納された多層基板であ」ると記載されている。 そして、図１によれば、基板１０Ａは、除去領域１２が部分的に貫通して形成されたコア層１１と、前記除去領域１２に配置された接続基板１３とを含むこと、前記コア層１１は基板１０Ａの中心に位置する層であること、がそれぞれ見て取れる。 よって、コア層１１は「多層プリント配線基板」の中心に位置する層であり、除去領域１２は当該コア層を部分的に貫通して形成されたものであり、接続基板１３は当該除去領域１３に配置されるものであると、それぞれいえる。 言い換えると、引用文献１に記載された「多層プリント配線基板」は、前記多層プリント配線基板の中心に位置する層であり、除去領域１２が部分的に貫通して形成されたコア層１１と、前記除去領域１２に配置された接続基板１３とを含むといえる。 （ウ）第４頁第２６行目－第５頁第１行目には、「基板１０Ａは、…（省略）…、コア層１１の上面に絶縁層を介して積層された配線層（第１配線層１６Ａ、第３配線層１６Ｃ）と、コア層１１の下面に絶縁層を介して積層された配線層（第２配線層１６Ｂ、第４配線層１６Ｄ）と、…（省略）…を具備している。」と記載されている。また、第５頁第２３行目－第２７行目には、「第１絶縁層１４Ａおよび第２絶縁層１４Ｂは、コア層１１の上面および下面を被覆している。」と記載されている。さらに、第６頁第５行目－第１４行目には、「第１配線層１６Ａは、第１絶縁層１４Ａの上面に形成された配線層であり、第１絶縁層１４Ａに貼着された導電膜またはメッキ膜を選択的にエッチングして形成される。」と記載されている。加えて、第７頁第２７行目－第８頁第９行目には、「接続基板１３は、除去領域１２に面するコア層１１の側面から離間している。除去領域１２に収納される接続基板１３の表面は、第１絶縁層１４Ａおよび第２絶縁層１４Ｂを構成する樹脂材料により被覆されている。」と記載されている。 そして、図１によれば、基板１０Ａは、コア層１１及び接続基板１３上に積層された第１絶縁層１４Ａと、前記第１絶縁層１４Ａ上に配置された第１配線層１６Ａとを含むことが見て取れる。 よって、引用文献１に記載された「多層プリント配線基板」は、コア層１１及び接続基板１３上に積層された第１絶縁層１４Ａと、前記第１絶縁層１４Ａ上に配置された第１配線層１６Ａとを含むといえる。 （エ）第９頁第２行目－第１６行目には、「接続基板１３を経由して、コア層１１に積層される第１配線層１６Ａと第２配線層１６Ｂとが電気的に接続される。具体的には、接続基板１３の上面に配置された第１配線パターン１５Ａは、第１絶縁層１４Ａを貫通して設けた接続部３１を経由して第１配線層１６Ａと接続されている。また、接続基板１３の最下層に設けた第４配線パターン１５Ｄは、第２絶縁層１４Ｂを貫通して設けた接続部３３を経由して、第２配線層１６Ｂと接続されている。」と記載されている。 そして、図１によれば、基板１０Ａの第１配線層１６Ａ及び第２配線層１６Ｂは、厚さ方向にコア層１１と重なるように配置された部分（以下、「第１部分」という。）と、接続基板１３の上面に配置された第１配線パターン１５Ａと接続され、厚さ方向に当該接続基板１３と重なるように配置された部分（以下、「第２部分」という。）を含むことが見て取れる。 よって、引用文献１に記載された「多層プリント基板」について、第１配線層１６Ａは、厚さ方向にコア層１１と重なるように配置された第１部分と、接続基板１３の上面に配置された第１配線パターン１５Ａと接続され、厚さ方向に当該接続基板１３と重なるように配置された第２部分を含むといえる。 （オ）第３頁第２１行目－第４頁第２行目には、発明の効果として「接続基板に多層に設けられる配線パターンは、コア層に積層される配線層よりも微細に形成される。」と記載されている。また、第６頁第５行目－第１４行目には、「第１配線層１６ＡのＬ／Ｓは、例えば５０μｍ／５０μｍ以上、１００μｍ／１００μｍ以下に細くすることができる。」、「ここで、Ｌ／Ｓとは配線の微細さを示し、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍであれば、形成される配線の幅（Ｌ：ライン）が２０μｍであり、且つ配線同士が離間する距離（Ｓ：スペース）が２０μｍであることを示している。」と記載されている。さらに、第９頁第２行目－第１６行目には、「接続基板１３に設けられる第１配線パターン１５Ａ等は、コア層１１に積層される第１配線層１６Ａ等よりも微細に形成される。第１配線パターン１５Ａ等のＬ／Ｓは、例えば３０μｍ／３０μｍ以下である。」と記載されている。 よって、引用文献１に記載された「多層プリント基板」について、コア層１１に積層される第１配線層１６Ａの配線同士の離間する距離は接続基板１３に配置された第１配線パターン１５Ａの配線同士の離間する距離よりも大きいといえる。 （カ）第１９頁第１８行目－第２９行目には、「図９は、更なる実施例である。一般に携帯電話等に採用されるモジュールは、少なくとも２層のプリント基板１０ＡにＴＲ、チップコンデンサ、チップ抵抗またはＬＳＩチップ１００が実装されている。しかしながら、このＬＳＩチップは、高機能であるため、ピン数が非常に多く、しかもそのサイズが小さくなっている。そのため、接続基板１３は、ファインパターンの基板が必要になる。例えば、このＬＳＩチップだけ、またはＬＳＩチップとその周辺回路において、微細なパターンが必要で、この接続基板１３が内蔵される基板１０Ａは、接続基板に比べてラフである場合がある。」、「また接続基板を高精細、高密度で実現する事で、基板１０Ａは、パターンがラフで、低密度であっても良い場合がある。よって接続基板１３の表側（または裏側）の最表面の配線パターン１０１と基板１０Ａの最表面の配線層１０２が実質同一面になるように埋め込まれても良い。」と記載されている。 そして、図９によれば、プリント基板１０Ａが接続基板１３を内蔵すること、接続基板１３が高密度であり、基板１０Ａは低密度であること、ＬＳＩチップ１００がプリント基板１０Ａに実装されること、ＬＳＩチップ１００は接続基板１３の表面の配線パターン１０１の上部に配置されること、ＬＳＩチップ１００は接続基板１３の下部に配置されないこと、が見て取れる。 よって、引用文献１に記載された「多層プリント基板」は、接続基板１３の上部に配置され、前記接続基板の下部に配置されないＬＳＩチップ１００をさらに有するといえる。 （キ）第６頁第５行目－第１４行目には、「第１配線層１６Ａは、第１絶縁層１４Ａの上面に形成された配線層であり、第１絶縁層１４Ａに貼着された導電膜またはメッキ膜を選択的にエッチングして形成される。」ことが記載されている。また、第６頁第１５行目－第１８行目には、「第２配線層１６Ｂは、第２絶縁層１４Ｂの下面に形成された配線層であり、上記した第１配線層１６Ａと同様の構成である。」と記載されている。さらに、第９頁第２行目－第１６行目には、「上記構成の接続基板１３を経由して、コア層１１に積層される第１配線層１６Ａと第２配線層１６Ｂとが電気的に接続される。具体的には、接続基板１３の上面に配置された第１配線パターン１５Ａは、第１絶縁層１４Ａを貫通して設けた接続部３１を経由して第１配線層１６Ａと接続されている。更に、接続基板１３の最下層に設けた第４配線パターン１５Ｄは、第２絶縁層１４Ｂを貫通して設けた接続部３３を経由して、第２配線層１６Ｂと接続されている。」ことが記載されている。 そして、図１によれば、基板１０Ａの接続基板１３について、その上面には第１配線パターン第１配線層１６Ａに接続される第１配線パターン１５Ａが形成されること、その下面には第２配線層１６Ｂに接続される第４配線パターン１５Ｄが形成されることが、それぞれ見て取れる。 加えて、上記（カ）より、ＬＳＩチップは接続基板１３の上部に配置され、当該接続基板１３の下部に配置されないものといえることから、前記接続基板１３の上面は前記ＬＳＩチップに対向し、前記接続基板の下面は前記ＬＳＩチップに対向しないものと認められる。 よって、引用文献１に記載された「多層プリント基板」について、接続基板１３のＬＳＩチップ１００に対向する上面に第１配線パターン１５Ａが形成され、接続基板１３のＬＳＩチップ１００に対向しない下面に第４配線パターン１５Ｄが形成される、といえる。 ウ 上記イから、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「 多層プリント配線基板であって、 前記多層プリント配線基板の中心に位置する層であり、除去領域が部分的に貫通して形成されたコア層と、 前記除去領域に配置された接続基板と、 前記コア層及び前記接続基板上に積層された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上に配置された第１配線層と、 を含み、 前記第１配線層は、厚さ方向にコア層と重なるように配置された第１部分と、接続基板の上面に配置された第１配線パターンと接続され、厚さ方向に当該接続基板と重なるように配置された第２部分を含み、 前記コア層に積層された第１配線層の配線同士の離間する距離は前記接続基板に配置された第１配線パターンの配線同士の離間する距離よりも大きく、 前記接続基板の上部に配置され、前記接続基板の下部に配置されないＬＳＩチップをさらに有し、 前記接続基板の前記ＬＳＩチップに対向する上面に形成される第１配線パターンと、前記接続基板の前記ＬＳＩチップに対向しない下面に形成される第４配線パターンをさらに有する、多層プリント配線基板。」 （３）引用発明との対比 ア 本件補正発明と引用発明１とを対比する。 （ア）本件補正発明の「コア部材」について、本願明細書の段落［００２２］には「コア部材１５５は、プリント回路基板の中心部層であ」ると記載されている。 よって、引用発明１の「コア層」は、「多層プリント配線基板の中心に位置する層」であるから、本件補正発明の「コア部材」に相当する。 （イ）本件補正発明の「貫通ホール」について、本願明細書の段落［００２２］には「コア部材１５５には、貫通ホールが形成されて、サブ回路基板１００を内部に配置することができる。」と、同段落［００２８］には「コア部材１５５の中心部分に形成された貫通ホールにサブ回路基板１００を配置することができる。」と、それぞれ記載されている。よって、「貫通ホール」は「コア部材」に形成されるものであり、内部に基板を配置するために利用されるものと認められる。 したがって、引用発明１の「除去領域」は、「コア層」に部分的に貫通して形成されるものであり、基板が配置されるものであるから、本件補正発明の「貫通ホール」に相当する。 よって、引用発明１の「除去領域が部分的に貫通して形成されたコア層」は、本件補正発明の「貫通ホールが形成されたコア部材」に相当するといえる。 （ウ）引用発明１の「接続基板」は、「コア部材」に形成された「除去領域に配置された」ものであるから、本件補正発明の「貫通ホールに配置されたサブ回路基板」に相当する。 （エ）引用発明１の「第１絶縁層」は、「前記コア層及び前記接続基板上に積層された」ものであるから、本件補正発明の「前記コア部材及び前記サブ回路基板上に積層された第１絶縁層」に相当する。 （オ）引用発明１の「第１配線層」は、「前記第１絶縁層上に配置された」ものであるから、本件補正発明の「前記第１絶縁層上に配置された外側回路層」に相当する。 （カ）本件補正発明は「前記サブ回路基板の回路層に電気的に接続された電子素子」を含むのに対し、引用発明１はそのような電子素子を含むか不明である点で相違する。 （キ）引用発明１の「第１配線層」は、「厚さ方向にコア層と重なるように配置された第１部分と、接続基板の上面に配置された第１配線パターンと接続され、厚さ方向に当該接続基板と重なるように配置された第２部分を含」むものであるから、本件補正発明の「外側回路層」と、「厚さ方向に前記コア部材と重なるように配置された第１回路パターン」と「厚さ方向に前記サブ回路基板と重なるように配置された第２回路パターンとを含」むものであることで共通する。 ただし、本件補正発明の「外側回路層」は、「第１回路パターン」が「第１ピッチを有し」、「第２回路パターン」が「第２ピッチを有し」、「前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大き」いとの特徴を有するのに対し、引用発明１の第１配線層の第１部分及び第２部分がそのような特徴を有するのか不明である点で相違する。 （ク）本件補正発明は「前記電子素子は、前記サブ回路基板の前記回路層の一部と前記外側回路層の一部とを電気的に接続」するのに対し、引用発明１は上記（カ）のとおり電子素子を含むか不明であり、加えて、そのような接続を行うものであるのかも不明である点で相違する。 （ケ）引用発明１の「ＬＳＩチップ」は、「前記接続基板の上部に配置された」ものであるから、本件補正発明の「前記サブ回路基板の上部に配置されたダイ」に相当する。 （コ）本件補正発明の「パッド」について、本願明細書の段落［００１３］には、「サブ回路基板１００は、ダイ１と直接接続されるように、一面にパッド１３０が形成され」ると記載されている。また、本願図１には、サブ回路基板１００のダイ１に対向する上面及び当該サブ回路基板１００のダイ１に対向しない下面にそれぞれパッドが形成されていることが見て取れる。 引用文献１の第９頁１７行目－第１９行目には、「接続基板１３の第１配線パターン１５Ａと第１配線層１６Ａとは、複数個の接続部３１を介して接続されている。」ことが記載されている。つまり、第１配線パターンはパッドを含むといえる。 また、引用文献１の第９頁１７行目－第１９行目には、「接続基板１３の第４配線パターン１５Ｄと第２配線層１６Ｂも、複数個の接続部３３を経由して接続されている。」ことも記載されている。つまり、第４配線パターンもパッドを含むといえる。 よって、引用発明１の「第１配線パターン」が含むパッドは、接続基板１３のＬＳＩチップ１００に対向する上面に形成されるものであるから、本件補正発明のサブ回路基板１００のダイ１に対向する上面に形成される「パッド」に相当し、引用発明１の「第４配線パターン」のパッドは、前記接続基板１３のＬＳＩチップ１００に対向しない下面に形成されるものであるから、本件補正発明のサブ回路基板１００のダイ１に対向しない下面に形成される「パッド」に相当する。 （サ）引用発明１の「接続基板」は、「前記接続基板の前記ＬＳＩチップに対向する上面に形成される第１配線パターンと、前記接続基板の前記ＬＳＩチップに対向しない下面に形成される第４配線パターンをさらに有する」ものであるから、本件補正発明の「サブ回路基板」と、「前記サブ回路基板の前記ダイに対向する上面に形成されるパッド」と「前記サブ回路基板の下面に形成されるパッド」を更に有するものであることで共通する。 ただし、本件補正発明の「サブ回路基板」は、「前記サブ回路基板の前記ダイに対向する上面に形成されるパッドのピッチは、前記サブ回路基板の下面に形成されるパッドのピッチより小さい」という特徴を有するのに対し、引用発明１の「接続基板」の各配線パターンがそのような特徴を有するのか不明である点で相違する。 イ 以上のことから、本件補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「 貫通ホールが形成されたコア部材と、 前記貫通ホールに配置されたサブ回路基板と、 前記コア部材及び前記サブ回路基板上に積層された第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上に配置された外側回路層と、 を含み、 前記外側回路層は、厚さ方向に前記コア部材と重なるように配置された第１回路パターンと、厚さ方向に前記サブ回路基板と重なるように配置された第２回路パターンとを含み、 前記サブ回路基板の上部に配置されたダイをさらに有し、 前記サブ回路基板の前記ダイに対向する上面に形成されるパッドと、前記サブ回路基板の下面に形成されるパッドをさらに有する、プリント回路基板。」 【相違点１】 本件補正発明は「前記サブ回路基板の回路層に電気的に接続された電子素子」を含むのに対し、引用発明１はそのような電子素子を含むか不明である点。 【相違点２】 本件補正発明の「外側回路層」は、「第１回路パターン」が「第１ピッチを有し」、「第２回路パターン」が「第２ピッチを有し」、そして「前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大き」いとの特徴を有するのに対し、引用発明１の第１配線層の第１部分及び第２部分がそのような特徴を有するのか不明である点。 【相違点３】 本件補正発明は「前記電子素子は、前記サブ回路基板の前記回路層の一部と前記外側回路層の一部とを電気的に接続」するのに対し、引用発明１はそのような接続を行うものであるのか不明である点。 【相違点４】 本件補正発明の「サブ回路基板」は、「前記サブ回路基板の前記ダイに対向する上面に形成されるパッドのピッチは、前記サブ回路基板の下面に形成されるパッドのピッチより小さい」という特徴を有するのに対し、引用発明１の「接続基板」の各配線パターンがそのような特徴を有するのか不明である点。 （４）相違点に対する判断 以下、各相違点について検討する。 ア 相違点１及び相違点３について 上記（２）アで抜粋したとおり、引用文献１の第８頁第２０行目－第２６行目には、「更には、接続基板１３の内部で配線パターンを所定形状にすることで、コンデンサやコイルを構成しても良い。また、コイル、コンデンサ、抵抗器を接続基板１３に内蔵させても良いし、これらを接続基板１３と共に除去領域１２に埋設して各配線層と接続しても良い。この様にすることで、背景技術では基板１０Ａの上面に配置される素子が備える機能が、コア層１１の除去領域１２に内蔵されるので、基板１０Ａを含む回路装置が小型なものとなる。」ことが記載されている。 してみると、引用発明１において、コイル、コンデンサ、抵抗器といった電子素子を接続基板に内蔵させ、前記接続基板の内部の配線パターンに電気的に接続し、また、前記接続基板の前記内部の配線パターンの一部と第１配線層の一部とを電気的に接続して、相違点１及び３に係る構成とすることは、当業者が容易に相当し得たことである。 イ 相違点２について 本件補正による請求項１に記載された「外側回路層は、第１ピッチを有し、厚さ方向に前記コア部材と重なるように配置された第１回路パターンと、第２ピッチを有し、厚さ方向に前記サブ回路基板と重なるように配置された第２回路パターンと含み、前記第１ピッチは前記第２ピッチよりも大き」いことは、本願明細書に明確な記載は認められない。 なお、本願図１等から、外層回路１６５について、厚さ方向にコア部材１５５と重なるように配置された回路パターンの配線同士の離間する距離が、厚さ方向にサブ回路基板１００と重なるように配置された回路パターン１２０の配線同士の離間する距離よりも大きい様子が見て取れるが、特許出願の図面は設計図面ではないことから、図面から当該図面中の各構成要素の大きさや各構成要素間の距離を正確に読み取ることはできない。 しかし、本願明細書には、「サブ回路基板１００において、高密度回路１１０の幅及び回路の間の間隔は、後述する低密度回路１６０の幅及び回路の間の間隔に比べて、狭く形成される。」（段落［００１０］参照）こと、「コア部材１５５及び第１絶縁層１８０で構成された領域には、高密度回路１１０に比べて密度の低い低密度回路１６０を形成することができる。」（段落［００３３］参照）こと、「サブ回路基板１００は、低密度回路基板領域に比べて高密度の回路層を有するため、層間隔が低密度回路基板領域における層間隔よりも狭く形成される。」（段落［００３５］参照）こと、がそれぞれ記載されている。これらの記載によれば、外側回路層において、低密度回路が構成されるコア部材と重なるように配置される回路パターンの配線同士の離間する距離は、高密度回路が構成されるサブ回路基板と重なるように配置される回路パターンの配線同士の離間する距離よりも自然に大きくなるものと認められる。 他方で、引用発明１は、上記（２）ウで認定したとおり、「前記第１配線層は、厚さ方向にコア層と重なるように配置された第１部分と、接続基板の上面に配置された第１配線パターンと接続され、厚さ方向に当該接続基板と重なるように配置された第２部分を含み、前記コア層に積層された第１配線層の配線同士の離間する距離は前記接続基板の上面に配置された第１配線パターンの配線同士の離間する距離よりも大き」いものであるから、第１部分の配線同士の離間する距離は、第２部分の配線同士の離間する距離よりも大きくなるものである。 よって、相違点２に係る構成は実質的な相違点ではないといえる。 ウ 相違点４について 引用発明１は、上記（２）ウで認定したとおり、「前記接続基板の上部に配置されたＬＳＩチップをさらに有し、前記接続基板の前記ＬＳＩチップに対向する上面に形成される第１配線パターンと、前記接続基板の前記ＬＳＩチップに対向しない下面に形成される第４配線パターンをさらに有」しているものである。 引用文献１の第９頁１７行目－第２１行目には、「コア層１１の上面に積層された配線層と、下面に積層された配線層とを接続する接続箇所を、接続基板１３に集約することができる。」ことが記載されており、引用発明１の接続基板は本件補正発明の「サブ回路基板」に相当し、チップに対向する上面とチップに対向しない下面を接続するものであるところ、チップに対向する配線パターンの間隔をチップに対向しない配線パターンの間隔よりも小さくすることは普通の構成にすぎない。例えば、例えば、特開２０１４－２０７３０８号公報の段落［００１５］－［００２４］及び図１を参照されたい。 よって、相違点４に係る構成は実質的な相違点ではないといえる。 （５）まとめ したがって、本件補正発明は、引用文献１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび 以上から、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和４年３月２３日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１８に係る発明は、令和２年１２月２８日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、上記「第２［理由］１（２）」に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由の概要 本願発明についての原査定の拒絶の理由は、次のとおりのものである。 「１．（進歩性）この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。 ＜引用文献等一覧＞ １．国際公開第２０１１／１０２５６１号 ３ 引用文献、引用発明 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載された事項は、前記「第２［理由］２（２）」に記載したとおりである。 ４ 引用発明との対比 本願発明と引用発明１の相違点は、前記「第２［理由］２（３）イ」で検討した、相違点１ないし３と認められる。前記「第２［理由］２（４）アないしイ」で判断したとおり、引用発明１に引用文献１に記載された事項を採用し、該相違点１ないし３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。 ５ 判断 したがって、請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 第４ むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。