2021-013740

特願２０１９－１８６４７５「システムインパッケージ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年 ２月 ６日出願公開、特開２０２０－ ２１９５１、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１３年（平成２５年） ２月２５日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理２０１２年 ２月２４日（ＥＰ）欧州特許庁（以下「本願の優先日」という。）、２０１３年 ２月１９日（ＵＳ）米国）を国際出願日とする特願２０１４－５５８９２８号の一部を平成３０年 ７月２０日に特願２０１８－１３６６１５号として新たな特許出願とし、更にその一部を令和元年１０月１０日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和 元年１０月２８日 ：手続補正書、上申書の提出 令和 ２年 ８月２７日付け：拒絶理由通知書 令和 ２年１０月１８日 ：意見書の提出 令和 ３年 ６月１０日付け：拒絶査定 令和 ３年１０月 ８日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２原査定の概要 原査定（令和 ３年 ６月１０日付け 拒絶査定）の概要は次のとおりである。 本願の請求項１、２、４、５に係る発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１－２に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 本願の請求項３、６、７、９に係る発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１－４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 本願の請求項８に係る発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１－５に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １．特開２０００－１５１１１２号公報 ２．米国特許出願公開第２０１１／１０８９７１号明細書 ３．特開２０１０－５０１８９号公報 ４．特開２００８－１６６０８６号公報 ５．特開２００３－１９７８４９号公報 第３ 本願発明 本願請求項１～９に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」～「本願発明９」という。）は、令和 ３年１０月 ８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１～９に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。 「【請求項１】 システムインパッケージであって、 ラミネートボディと、 前記ラミネートボディの下側表面に取り付けられる第１の基板と、 前記ラミネートボディの上側表面に取り付けられる第２の基板と、 前記ラミネートボディに埋め込まれる半導体ダイであって、その下側表面に形成される第１のコンタクト領域とその上側表面に形成される第２のコンタクト領域とを含む、前記半導体ダイと、 を含み、 前記半導体ダイの第１のコンタクト領域が第１のシンターされたボンディング層を介して前記第１の基板のコンタクトパッドにボンディングされ、前記半導体ダイの第２のコンタクト領域が第２のシンターされたボンディング層を介して前記第２の基板のコンタクトパッドにボンディングされ、 前記半導体ダイの第１及び第２のコンタクト領域が、ガルバニ系列で考えられるときに銅よりも一層貴である金属又は金属合金で作られるか又はメッキされる、システムインパッケージ。 【請求項２】 請求項１に記載のシステムインパッケージであって、 前記半導体ダイの前記第１及び第２のコンタクト領域が、銅ベースと、前記銅ベース上に配置される金属コーティングとを含む、システムインパッケージ。 【請求項３】 請求項１に記載のシステムインパッケージであって、 前記第１及び第２の基板のコンタクトパッドが、銅ベースと、前記銅ベース上に配置される金属コーティングとを含む、システムインパッケージ。 【請求項４】 請求項２に記載のシステムインパッケージであって、 前記金属コーティングが銀を含む、システムインパッケージ。 【請求項５】 請求項２に記載のシステムインパッケージであって、 前記金属コーティングが金を含む、システムインパッケージ。 【請求項６】 請求項３に記載のシステムインパッケージであって、 前記金属コーティングが銀を含む、システムインパッケージ。 【請求項７】 請求項３に記載のシステムインパッケージであって、 前記金属コーティングが金を含む、システムインパッケージ。 【請求項８】 請求項１乃至７の何れかに記載のシステムインパッケージであって、 前記第１の基板の上側又は下側表面に形成される下側コンタクトパッドと、 前記第２の基板の上側又は下側表面に形成される上側コンタクトパッドと、 前記第１の基板と前記ラミネートボディと前記第２の基板とを貫通して形成され、前記下側コンタクトパッドと前記上側コンタクトパッドとを接続する垂直接続と、 を更に含む、システムインパッケージ。 【請求項９】 システムインパッケージであって、 ラミネートボディと、 前記ラミネートボディの下側表面に取り付けられる第１の基板であって、第１のコンタクトパッドを有する、前記第１の基板と、 前記ラミネートボディの上側表面に取り付けられる第２の基板であって、第２のコンタクトパッドを有する、前記第２の基板と、 前記ラミネートボディに埋め込まれる半導体ダイであって、その下側表面に形成される第１のコンタクト領域とその上側表面に形成される第２のコンタクト領域とを有する、前記半導体ダイと、 前記半導体ダイの第１のコンタクト領域を前記第１の基板の第１のコンタクトパッドに接合する第１のシンターされたボンデンィング層と、 前記半導体ダイの第２のコンタクト領域を前記第２の基板の第２のコンタクトパッドに接合する第２のシンターされたボンディング層と、 を含み、 前記半導体ダイの第１及び第２のコンタクト領域と前記第１及び第２の基板の第１及び第２のコンタクトパッドとがバルバニ系列で考えるときに銅よりもより貴である金属又は金属合金で作られるか又はメッキされる、システムインパッケージ。」 第４ 引用文献、引用発明等 １ 引用文献１について （１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、次の記載がある。（当審注：下線は当審による。） 「【０００１】 【発明の属する技術分野】この発明は電子部品が実装される配線基板およびその製造方法に関する。」 「【００２６】 【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。 ・・・ 【００２８】上記チップ部品１としては抵抗やコンデンサなどで、通常そのサイズによって１００５（１ｍｍ×０．５ｍｍサイズ）や０６０３と（０．６ｍｍ×０．３ｍｍサイズ）呼ばれる小型のものが用いられることが多い。 ・・・ 【００３１】つぎに、図２（ａ）に示すように一対の合成樹脂シート２の外面にそれぞれ一方の板面に円錐状あるいは角錐状のバンプ３が形成された金属シート４を、そのバンプ３が形成された面を対向させて重合してから、この重合体を加熱しながら同図（ｂ）に矢印Ｘで示す方向に加圧する。 【００３２】重合体が加圧されることで、合成樹脂シート２は溶融して図２(ａ)に示すチップ部品１間の隙間に入り込んで合成樹脂とチップ部品１とが一体化されるとともに、上記金属シート４に形成されたバンプ３は上記基板本体５内に埋め込まれて上記チップ部品１の電極１ａに電気的に接続される。その結果、図２（ｂ）に示すように合成樹脂シート２と金属シート４とが一体化された基板本体５が形成される。 ・・・・ 【００３５】このようにして金属シート４を合成樹脂シート２と一体化したならば、図２（ｃ）に示すように上記金属シート４をパターニングして配線パターン６を形成する。金属シート４のパターニングは、この金属シート４にエッチングレジストを印刷してエッチング加工を行い、ついでそのレジストをアルカリ水溶液で剥離除去すれば、図２（ｃ）に示すように基板本体５の両面に配線パターン６が形成された配線基板Ａを得ることができる。 【００３６】図３（ａ）～（ｃ）は図２（ｃ）に示す配線基板Ａから多層配線基板Ｂを製造する工程を示しており、同図（ａ）は基板本体５の配線パターン６が形成された両面に絶縁層である層間合成樹脂シート１１および板面の所定の位置に層間バンプ１２が形成された上層金属シート１３を順次対向させる。 【００３７】つぎに、同図（ｂ）に示すように、基板本体５に対して上記層間合成樹脂シート１３と上層金属シート１３とを重合し、この重合体を加熱しながら同図（ｂ）に矢印Ｙで示す方向に加圧する。 【００３８】その結果、上記層間合成樹脂シート１３は溶融して基板本体５と一体化されるとともに、層間バンプ１２は層間合成樹脂シート１３内に入り込み、基板本体５の配線パターン６と電気的に接続される。 【００３９】層間バンプ１２を配線パターン６に電気的に接続したならば、上記上層金属シート１３をエッチング加工することで、上層配線パターン１４を形成するから、配線パターン６，１４が４層構造の多層配線基板Ｂを構成することができる。」 （当審注：上記【００３７】及び【００３８】の「上記層間合成樹脂シート１３」は、「上記層間合成樹脂シート１１」の誤記であるから、以下で、「上記層間合成樹脂シート１１」と記す。） 「【図２】 ［図：0001387213000001.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001387213000002.jpg］ 」 （２）引用文献１の記載事項 ア 前記（１）の【０００１】の記載によれば、引用文献１の記載は、電子部品が実装される配線基板に関するものであるといえる。 イ 同【００３２】には「重合体が加圧されることで、合成樹脂シート２は溶融して図２(ａ)に示すチップ部品１間の隙間に入り込んで合成樹脂とチップ部品１とが一体化されるとともに、上記金属シート４に形成されたバンプ３は上記基板本体５内に埋め込まれて上記チップ部品１の電極１ａに電気的に接続される。その結果、図２（ｂ）に示すように合成樹脂シート２と金属シート４とが一体化された基板本体５が形成される。」と記載されており、同【図２】の（ｂ）には「基板本体５」の内部に「チップ部品１」が配置されることが見て取れ、さらに、同【００３５】には、「このようにして金属シート４を合成樹脂シート２と一体化したならば、図２（ｃ）に示すように上記金属シート４をパターニングして配線パターン６を形成する。」と記載されているから、電子部品が実装される配線基板は、「合成樹脂シート２が溶融した合成樹脂」と「配線パターン６」とが一体化し、内部に「チップ部品１」を含む「基板本体５」を含む、といえる。 ウ 同【００３６】には、「図３（ａ）～（ｃ）は図２（ｃ）に示す配線基板Ａから多層配線基板Ｂを製造する工程を示しており、同図（ａ）は基板本体５の配線パターン６が形成された両面に絶縁層である層間合成樹脂シート１１および板面の所定の位置に層間バンプ１２が形成された上層金属シート１３を順次対向させる。」と記載されており、同【００３７】には、「つぎに、同図（ｂ）に示すように、基板本体５に対して上記層間合成樹脂シート１３と上層金属シート１３とを重合し、この重合体を加熱しながら同図（ｂ）に矢印Ｙで示す方向に加圧する。」と記載されており、同【００３８】には、「その結果、上記層間合成樹脂シート１１は溶融して基板本体５と一体化されるとともに、層間バンプ１２は層間合成樹脂シート１３内に入り込み、基板本体５の配線パターン６と電気的に接続される。」と記載されており、同【００３９】には、「層間バンプ１２を配線パターン６に電気的に接続したならば、上記上層金属シート１３をエッチング加工することで、上層配線パターン１４を形成するから、配線パターン６，１４が４層構造の多層配線基板Ｂを構成することができる。」と記載されているから、電子部品が実装される配線基板は、「基板本体５」の両面に配置され「基板本体５」と一体化される「層間合成樹脂シート１１」と、「配線パターン６」と電気的に接続され「層間合成樹脂シート１１」に入り込む「層間バンプ１２」と、当該「層間バンプ１２」が形成された「配線パターン１４」と、を含むといえる。 エ 同【００３１】には、「図２（ａ）に示すように一対の合成樹脂シート２の外面にそれぞれ一方の板面に円錐状あるいは角錐状のバンプ３が形成された金属シート４を、そのバンプ３が形成された面を対向させて重合してから、この重合体を加熱しながら同図（ｂ）に矢印Ｘで示す方向に加圧する。」と記載されており、同【００３２】には「重合体が加圧されることで、合成樹脂シート２は溶融して図２(ａ)に示すチップ部品１間の隙間に入り込んで合成樹脂とチップ部品１とが一体化されるとともに、上記金属シート４に形成されたバンプ３は上記基板本体５内に埋め込まれて上記チップ部品１の電極１ａに電気的に接続される。その結果、図２（ｂ）に示すように合成樹脂シート２と金属シート４とが一体化された基板本体５が形成される。」と記載されており、同【００３５】には、「このようにして金属シート４を合成樹脂シート２と一体化したならば、図２（ｃ）に示すように上記金属シート４をパターニングして配線パターン６を形成する。」と記載されているから、電子部品が実装される配線基板の「配線パターン６」は、当該「配線パターン６」に形成され「基板本体５」に埋め込まれる「バンプ３」により、「チップ部品１」の「電極１ａ」に電気的に接続される、といえる。 オ 同【図３】によれば、「電極１ａ」は、「チップ部品１」の上面及び下面に設けられていることが見て取れる。 カ 同【００２７】には、「第１の電子部品であるチップ部品１」と記載されており、同【００２８】には、「上記チップ部品１としては抵抗やコンデンサなどで、通常そのサイズによって１００５（１ｍｍ×０．５ｍｍサイズ）や０６０３と（０．６ｍｍ×０．３ｍｍサイズ）呼ばれる小型のものが用いられることが多い。」と記載されているから、電子部品が実装される配線基板の「チップ部品１」は、「第１の電子部品であるチップ部品１」であり、抵抗やコンデンサである、といえる。 （３）引用文献１に記載された発明 前記（２）の記載事項から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 「合成樹脂シート２が溶融した合成樹脂と配線パターン６とが一体化し、内部にチップ部品１を含む基板本体５と、 前記基板本体５の両面に配置され、前記基板本体５と一体化される層間合成樹脂シート１１と、 前記配線パターン６と電気的に接続され、前記層間合成樹脂シート１１に入り込む層間バンプ１２と、 前記層間バンプ１２が形成された配線パターン１４と、 を含み、 前記配線パターン６は、当該配線パターン６に形成され前記基板本体５に埋め込まれるバンプ３により、前記チップ部品１の電極１ａに電気的に接続され、 前記電極１ａは、前記チップ部品１の上面及び下面に設けられ、 前記チップ部品１は、第１の電子部品であり、 前記チップ部品１は、抵抗やコンデンサである、 電子部品が実装される配線基板。」 ２ 引用文献２について （１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、次の記載がある。（当審注：日本語訳及び下線は当審による。） 「[0001] The invention relates to electronic devices, and more particularly to the technique of embedding semiconductor components into a laminate substrate such as e.g. into a printed circuit board.」 （[0001]本発明は、電子デバイスに関し、より詳しくは、積層基板内、例えばプリント回路基板内、に半導体部品を埋め込む技術に関するものである。） 「[0026] According to FIG. 1B, a semiconductor chip 20 is provided. The semiconductor chip 20 may be of any type as mentioned above. By way of example, as shown in FIG. 1B, the semiconductor chip 20 may be a vertical semiconductor device, having a first electrode pad 22 and a second electrode pad 24 arranged on the top surface and a continuous third electrode pad 26 arranged on the bottom surface. By way of example, the semiconductor chip 20 may be a power MOSFET, and the first, second and third electrode pads may constitute the gate, source and drain contacts, respectively, of the semiconductor chip 20. [0027] The third electrode pad 26 is coated with a bond layer 28. In one embodiment, the bond layer 28 may be made of a diffusion soldering material. In this case, the use of AuSn, AgSn, CuSn, AgIn, AuIn, CuIn, AuSi, Sn or Au solders is conceivable. The bond layer 28 may be applied to the third electrode pad 26 by physical vapor deposition (PVD) techniques such as e.g. sputtering, or by galvanic deposition. Both techniques allow for the application of a small, controllable amount of material which builds-up on the third electrode pad 26 in the shape of a smooth, flat layer. ・・・ [0031] After the application of the bond layer 28 (e.g. diffusion solder or conductive adhesive or nano paste or directly deposited particles), the bond layer 28 may be exposed to a temperature rise. If the bond layer 28 is made of diffusion solder, a temperature in the range of about 180 to 400℃. may be applied to form the intermetallic phase between the electrode pad 26, the solder material of the bond layer 28 and the first structured metal layer 14. The applied temperature may be considerably lower than the melting temperature of the metal of the diffusion solder (when provided in macroscopic dimensions). The applied temperature should preferably be relatively low, e.g. 350 C. or less, in order to prevent any possible damage of the insulating layer 12 of the carrier 10.」 （[0026]図１（ｂ）によれば、半導体チップ２０が提供される。半導体チップ２０は、上述したようないずれの種類であってもよい。一例として、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ２０は、上面に配置された第１電極パッド２２及び第２の電極パッド２４と、底面に連続的に配置された第３の電極パッド２６を有する縦型の半導体装置であっても良い。一例として、半導体チップ２０は、パワーＭＯＳＦＥＴとすることができ、第１、第２及び第３の電極パッドは、半導体チップ２０のゲート、ソース及びドレインをそれぞれ構成していてもよい。 [0027]第３電極パッド２６は、接着層２８で被覆される。一実施形態では、接着層２８は、拡散はんだ材料で作ることができる。この場合、ＡｕＳｎ、ＡｇＳｎ、ＣｕＳｎ、ＡｇＩｎ、ＡｕＩｎ、ＣｕＩｎ、ＡｕＳｉ、Ｓｎ又はＡｕはんだの使用が考えられる。接着層２８は、例えばスパッタリングのような物理蒸着（ＰＶＤ）技術により、または、ガルバニック堆積によって第３電極パッド２６に適用されてもよい。これらの技術は、滑らかで平らな層の形状の第３の電極パッド２６上に蓄積する材料を少なく、そして、制御可能である量とすることを可能にする。 ・・・ [0031]接着層２８（例えば拡散はんだまたは導電性接着剤又はナノペーストまたは直接的に堆積された粒子）の適用後、接着層２８は、温度上昇に曝されてもよい。接着層２８は、拡散はんだが使用される場合、電極パッド２６と、接着層２８のはんだ材料と構造化された第１金属層１４との間に金属間化合物相を形成するために、約１８０～４００℃の範囲の温度を適用してもよい。適用される温度は、拡散はんだの金属（巨視的な寸法で提供される場合）の溶融温度よりかなり低くしてもよい。適用される温度は、例えば３５０℃以下であり、支持体１０の絶縁層１２の損傷を防止するために、比較的低い値であるのが好ましい。） ３ 引用文献３について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には、次の記載がある。 「【実施例８】 【００７０】 図13は、本発明に係る半導体装置の他の構造例を示した斜視模式図である。図13に示すように、ベース材203上にセラミックス絶縁基板202が搭載され、セラミックス絶縁基板202上に形成された配線電極202a上に半導体素子201が搭載され、半導体素子201のエミッタ電極は接続端子204を介してセラミックス絶縁基板202上に形成された配線電極202bと接続されている。ベース材203、配線電極202a，202b、および接続端子204は、それぞれCu板の表面にNiめっきを施し、その上にAgめっきを施したものである。 【００７１】 図14は、図13に示した半導体素子搭載部分の接合処理前における拡大断面模式図である。セラミックス絶縁基板202上に形成された配線電極202aと半導体素子201との間、半導体素子201のエミッタ電極と接続端子204との間、電極配線202bと接続端子204との間には、それぞれ本発明に係る接合材（８）が配置されている。なお、接合材（８）とは、個々の粒子表面がアミン類とアルコール類からなる有機物で被覆された粒径５～100 nmのAgナノ粒子と個々の粒子表面がアミン類とカルボン酸類からなる有機物で被覆された粒径30～500 nmのCuナノ粒子とを質量比「Ag：Cu ＝１：0.25」で混合し、さらに加圧成型してシート状に加工した接合材である。 【００７２】 図14のように配置・搭載した後、接合温度が約300℃、接合時間が300 s、加圧力が0.5 MPaの接合条件により接合を行った。これにより、Agマトリックス相中に分散相であるCu相が均等に分散した接続層（複合金属焼結層）が形成され接合が完了した。本実施例の半導体装置は、配線幅の大きい接続端子204を用いることで、コレクタ電極だけでなくエミッタ電極部分にも大きな電流を流すことができる。このとき、本発明に係る接続層は、良好な耐熱性、高い電気伝導性、高い熱伝導性を有することから、当該半導体装置を安全かつ安定して動作させることができる。」 ４ 引用文献４について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には、次の記載がある。 「【００６８】 （実施例６） 図１０は本発明の導電性焼結層形成用組成物を用いた非絶縁型半導体装置における他の実施例の一つを示した図である。 【００６９】 半導体素子２０１およびセラミックス絶縁基板２０２は、アルコール類とカルボン酸類で被覆された粒径が１ｎｍ～３.５μｍ の銀粒子に対し酸化銀粒子が１００重量比になるように混合し、加圧することによりシート状に加工した導電性焼結層形成用組成物により接合されている。半導体素子のエミッタ電極についても、接続端子２０４を介してセラミックス絶縁基板上に形成された表面ＡｕおよびＮｉめっきを施したＣｕ配線２０２ｂが、前記導電性焼結層形成用組成物により接続されている。 【００７０】 図１１は図１０における半導体素子搭載部分の接合前の断面拡大概略図である。接続端子（Ｃｕ板）２０４，絶縁基板２０２上のＣｕ配線２０２ａ，２０２ｂはＣｕ側からそれぞれＮｉめっき，Ａｕめっきを施している。まず、絶縁基板のＣｕ配線２０２ａと半導体素子２０１間に導電性焼結層形成用組成物２０８を設置し、その後、半導体素子のエミッタ電極（上側）に導電性焼結層形成用組成物２０９を設置する。さらに、配線２０２ｂのＡｕめっき部と接続端子２０４との間に導電性焼結層形成用組成物２１０を設置する。搭載後、約２５０℃まで加熱し３００ｓ、加圧力０.５ＭＰａ の接合条件により、導電性焼結層形成用組成物２０８～２１０の接続が完了する。絶縁型半導体装置においてはコレクタ電極だけではなくエミッタ電極部分にも大きな電流が流れるため、配線幅の大きい接続端子２０４を用いることによりエミッタ電極側の接続信頼性をさらに向上させることが可能になる。」 ５ 引用文献５について 原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には、次の記載がある。 「【００５１】（実施の形態４）実施形態４では、部品内蔵モジュールの一実施形態を説明する。以下、本発明の実施の形態について図４を参照して説明する。本実施の形態における部品内蔵モジュールに関しては、両面に３層配線板４０８を用い、電子部品３０４と半導体３０６を対向して配置した以外は、上述した実施形態１～３と同様である。したがって、本実施の形態において、特に説明のない物については、実施の形態１～３と同様とし、同じ呼称の構成部材及び製造法については特に説明のない限り同様の機能を持つ。」 第５ 対比・判断 １ 本願発明１について （１）対比 ア 引用発明１の「基板本体５」は、「合成樹脂シート２が溶融した合成樹脂」と「配線パターン６」とが一体化した本体であるから、本願発明１の「ラミネートボディ」に相当する。 イ 引用発明１の「層間合成樹脂シート１１」は、「基板本体５」の両面に取り付けられるものであるから、下記の相違点を除き、ラミネートボディの上面及び下面に取り付けられる基板であるという点で、本願発明１の「第１の基板」及び「第２の基板」に対応する。 したがって、本願発明１と引用発明１とは、「ラミネートボディの下側表面に取り付けられる第１の基板」と、「ラミネートボディの上側表面に取り付けられる第２の基板」とを含む点で一致する。 ウ 引用発明１の「チップ部品１」は、「合成樹脂シート２が溶融した合成樹脂と配線パターン６とが一体化した」「基板本体５」の内部に含まれるものである。 また、前記アによれば、引用発明１の「基板本体５」は、本願発明１の「ラミネートボディ」に相当する。 さらに、引用発明１の「チップ部品１」は、「抵抗やコンデンサである」から、半導体ダイではない。 そうすると、引用発明１の「チップ部品１」は、ラミネートボディに埋め込まれる部品である点で、本願発明１の「半導体ダイ」に対応する。 また、引用発明１における「電極１ａ」は、本願発明１の「半導体ダイ」に対応する「チップ部品１」の上面及び下面に設けられていること、及び、技術常識からして電極がコンタクトを形成するものであるといえることからすれば、ラミネートボディに埋め込まれた部品の上側表面及び下側表面に形成されたコンタクト領域であるという点で、本願発明１の「第１のコンタクト領域」及び「第２のコンタクト領域」に対応する。 したがって、本願発明１と引用発明１とは、「ラミネートボディに埋め込まれる」部品であって、「その下側表面に形成される第１のコンタクト領域とその上側表面に形成される第２のコンタクト領域とを含む」、前記部品を含む点で共通する。 エ 引用発明１の「電子部品が実装される配線基板」は、技術常識からすれば、パッケージであるといえる。よって、本願発明１と引用発明１とは、「パッケージ」である点で共通する。 オ 以上のア～エによれば，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，次のとおりである。 ＜一致点＞ 「パッケージであって、 ラミネートボディと、 前記ラミネートボディの下側表面に取り付けられる第１の基板と、 前記ラミネートボディの上側表面に取り付けられる第２の基板と、 前記ラミネートボディに埋め込まれる部品であって、その下側表面に形成される第１のコンタクト領域とその上側表面に形成される第２のコンタクト領域とを含む、前記部品と、 を含む、パッケージ。」 ＜相違点１＞ 本願発明１においては、ラミネートボディに埋め込まれるものが「半導体ダイ」であるのに対し、引用発明１においては、基板本体５に含まれるものが「抵抗やコンデンサである」「チップ部品１」であり、半導体ダイではない点。 ＜相違点２＞ 本願発明１においては、「前記半導体ダイの第１及び第２のコンタクト領域が、ガルバニ系列で考えられるときに銅よりも一層貴である金属又は金属合金で作られるか又はメッキされる」のに対し、引用発明１においては、「前記チップ部品１の上面及び下面に設けられ」ている電極１ａの材料が不明である点。 ＜相違点３＞ 本願発明１においては、「前記半導体ダイの第１のコンタクト領域が第１のシンターされたボンディング層を介して前記第１の基板のコンタクトパッドにボンディングされ」ているのに対し、引用発明１においては、「層間合成樹脂シート１１」にコンタクトパッドが設けられておらず、また、「第１のシンターされたボンディング層」に対応する構成もない点。 ＜相違点４＞ 本願発明１においては、「前記半導体ダイの第２のコンタクト領域が第２のシンターされたボンディング層を介して前記第２の基板のコンタクトパッドにボンディングされ」ているのに対し、引用発明１においては、「層間合成樹脂シート１１」にコンタクトパッドが設けられておらず、また、「第２のシンターされたボンディング層」に対応する構成もない点。 ＜相違点５＞ 本願発明１は、「システムインパッケージ」であるのに対し、引用発明１の「電子部品が実装される配線基板」は、「パッケージ」であるものの、「システムインパッケージ」であるか否かが不明である点。 （２）相違点についての判断 ア 相違点１について 引用発明１が解決しようとする課題は、引用文献１の【０００７】の記載によれば、「電子部品を小型化しなくとも実装密度を向上させることができるようにした配線基板及びその製造方法を提供すること」である。 そうすると、当該課題は、「電子部品」が実装されることを前提とするものであるといえる。 そして、引用文献１における「電子部品」とは、引用文献１の【０００２】の「たとえば、パソコンなどのデジタル機器には従来からノイズ対策としてコンデンサや抵抗が使用されている。近年では実装技術の発達に伴い、抵抗やコンデンサなどの電子部品はそのほとんどがチップ部品に置き換わっている。」の記載からすれば、抵抗やコンデンサのことである。 そうすると、引用発明１において、「抵抗やコンデンサ」である、「第１の電子部品であるチップ部品１」を、「半導体ダイ」に置き換えようとすることは、引用発明１が解決しようとする課題の前提となる、抵抗やコンデンサである電子部品が実装される、との事項に反することになるから、当業者といえども、そのような変更を行うことには阻害要因があるといえる。 そして、このことは、引用文献２～５の記載に左右されるものではない。 したがって、引用発明１において、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 イ よって、上記相違点２～５について判断するまでもなく、本願発明１は、引用発明１、引用文献２～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２ 本願発明２～８について 本願発明２～８も、相違点１～５に係る本願発明１の構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明１、引用文献２～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ３ 本願発明９について 本願発明９は、表現が異なるものの相違点１～５に係る本願発明１の構成と同一の構成を備えるものといえる。よって、本願発明１と同じ理由により、引用発明１、引用文献２～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第６ 原査定について 審判請求時の補正により、本願発明１～９は、いずれも相違点１～５に係る本願発明１の構成を有するものとなっており、前記第５で検討したとおり、本願発明１～９は、引用発明１、引用文献２～５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由を維持することはできない。 第７ むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。