2021-004053

特願２０１７－５１８８１０「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年 ４月１４日国際公開、ＷＯ２０１６／０５６８３７、平成２９年１０月１９日国内公表、特表２０１７－５３１３２４、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１５年（平成２７年）１０月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年１０月８日、韓国、２０１５年１月１６日、韓国（２件））を国際出願日とする特許出願であって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。 令和元年 ７月 ４日付け：拒絶理由通知書 令和元年１０月 ７日 ：意見書、手続補正書の提出 令和２年 ３月２６日付け：拒絶理由通知書（最後） 令和２年 ６月３０日 ：意見書、手続補正書の提出 令和２年１１月２６日付け：令和２年６月３０日の手続補正についての 補正の却下の決定、拒絶査定 令和３年 ３月３０日 ：審判請求書、手続補正書（以下、この手続補 正書によりなされた補正を「本件補正」とい う。）の提出 第２ 原査定の概要 原査定（令和２年１１月２６日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。 本件補正前の本願請求項１～８に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２～６に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献等一覧 １．特開２００７－１０３５１２号公報 ２．特表２００８－５０６２４６号公報 ３．特開２０１４－６０２８３号公報 ４．特開２０１１－２９４９７号公報 ５．特表２０１１－５１４６６７号公報 ６．米国特許出願公開第２０１０／００７８６６９号明細書 ７．特開２０１１－６６４６３号公報 ８．特開２０１０－１５７６０８号公報 ９．特開２０１０－１３５２７７号公報 なお、引用文献７～９は、令和２年１１月２６日付け補正の却下の決定において、追加的に引用された文献である。 第３ 本願発明 本願請求項１～８に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」～「本願発明８」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定される発明であり、そのうち、本願発明１は以下のとおりの発明である。 「 【請求項１】 内壁を有するハウジングと、 前記ハウジングのうち前記内壁より内周側の第１表面に配置される発光ダイオードチップと、 シリコン系列、エポキシ系列、ＰＭＭＡ系列、ＰＥ系列及びＰＳ系列のうちの少なくとも一つを含み、前記発光ダイオードチップ上に配置される波長変換部と、 前記波長変換部内に分布し、５００ｎｍ～５４０ｎｍの波長範囲内にピーク波長を有する光を放出する第１蛍光体と、 前記波長変換部内に分布し、６００ｎｍ～６５０ｎｍの波長範囲内にピーク波長を有する光を放出する第２蛍光体と、を含み、 前記発光ダイオードチップが放出する光のピーク波長は４１５ｎｍ～４３０ｎｍの波長範囲内に位置し、 前記波長変換部は、 前記発光ダイオードチップを覆う第１波長変換部と、 前記第１波長変換部を覆う第２波長変換部と、 を含み、 前記波長変換部は、前記内壁を露出しないように前記ハウジングの内壁に接触して配置され、前記内壁の外周側における前記ハウジングの第２表面には配置されず、前記内壁の内周側の領域において凸となる曲面形状の表面を有し、 前記内壁は、前記第１表面と前記第２表面との間において、前記第１表面および前記第２表面に対して傾斜し、 前記第１波長変換部と前記第２波長変換部との境界は、前記傾斜した前記内壁と接触し、 前記第１波長変換部は前記第２蛍光体を含有し、 前記第２波長変換部は前記第１蛍光体を含有し、 前記第１波長変換部は、前記第２波長変換部に覆われる部分において、当該第２波長変換部の側に凸となる曲面形状を有し、 前記第１波長変換部は、前記第２波長変換部よりも硬度が低い、発光装置。」 なお、本願発明２～８は、本願発明１に従属するものである。 第４ 引用文献、引用発明等 １ 引用文献１ 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１（特開２００７－１０３５１２号公報）には、図面とともに、次の記載がある。（下線は、当審で付した。以下同じ。） （１）「【技術分野】 【０００１】 本発明は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）などの発光素子から発せられる光を波長変換して外部に取り出す発光装置、特に、電子ディスプレイ用のバックライト電源、蛍光ランプ等に好適に用いられる発光装置に関する。 【背景技術】 【０００２】 半導体材料からなる発光素子（以下「ＬＥＤチップ」と言うことがある）は、小型で電力効率が良く鮮やかに発色する。ＬＥＤチップは、製品寿命が長い、オン・オフ点灯の繰り返しに強い、消費電力が低い、という優れた特徴を有するため、液晶等のバックライト光源や蛍光ランプ等の照明用光源への応用が期待されている。 【０００３】 ＬＥＤチップの発光装置への応用は、ＬＥＤチップの光の一部を蛍光体で波長変換し、当該波長変換された光と波長変換されないＬＥＤの光とを混合して放出することにより、ＬＥＤの光とは異なる色を発光する発光装置として既に製造されている。 【０００４】 具体的には、白色光を発するために、ＬＥＤチップ表面に蛍光体を含む波長変換層を設けた発光装置が提案されている。例えば、ｎＧａＮ系材料を使った青色ＬＥＤチップ上に（Ｙ，Ｇｄ）3（Ａｌ，Ｇａ）5Ｏ12の組成式で表されるＹＡＧ系蛍光体を含む波長変換層を形成した発光装置では、ＬＥＤチップから青色光が放出され、波長変換層で青色光の一部が黄色光に変化するため、青色と黄色の光が混色して白色を呈する発光装置が提案されている（特許文献１参照）。 ・・・略・・・ 【０００６】 この発光装置では、発光素子１０３から発する光が蛍光体１０５に照射されると、蛍光体１０５は励起されて可視光を発し、この可視光が出力として利用される。ところが、発光素子１０３の明るさを変えると、青色と黄色との光量比が変化するため、白色の色調が変化し、演色性に劣るといった問題があった。 【０００７】 そこで、このような課題を解決するために、図５における発光素子１０３として４００ｎｍ以下のピークを有する紫色ＬＥＤチップを用いるとともに、波長変換層１０４には３種類の蛍光体１１５、１１６および１１７を高分子樹脂中に混ぜ込んだ構造を採用し、紫色光を赤色、緑色、青色の各波長に変換して白色を発光することが提案されている（特許文献２参照）。これにより、演色性を向上することができる。 【０００８】 しかしながら、特許文献２に記載の発光装置では、励起光４００ｎｍ付近の紫外域領域に対する赤色成分の蛍光体（例えば、Ｙ2Ｏ3Ｓ：Ｅｕ等）の発光効率が、他の蛍光体よりも著しく低いために、赤、緑、青の発光バランスの良い白色光を得ることができないといった問題があった。そのため、発光効率の低い赤色蛍光体の混合量を増やすと、緑色および青色蛍光体から発せられた蛍光が赤色蛍光体に再吸収されるため、緑色および青系蛍光体の発光量が低く抑えられ、その結果白色発光装置の発光効率が向上しないという問題がある。 【０００９】 また、発光効率の高い緑色、青色蛍光体の混合量を増やすことによって効率向上は図れるが、赤、緑、青の発光バランスの良い白色光を得ることができなくなるという問題がある。」 （２）「【発明が解決しようとする課題】 【００１０】 本発明の課題は、色バランスの優れた白色光を効率良く発光させることができる発光装置を提供することにある。」 （３）「【発明を実施するための最良の形態】 【００２１】 本発明の発光装置を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の発光装置の一実施形態を示す概略断面図である。図１によれば、本発明の発光装置は、電極１が形成された基板２と、基板２上に設けられている発光素子３と、基板２上に発光素子３を覆うように形成された１層の波長変換層４と、光を反射する反射部材６とを備えている。 【００２２】 電極１は、発光素子３を電気的に接続するための導電路としての機能を有し、導電性接合材で発光素子３と接続されている。電極１としては、例えば、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ａｇ等の金属粉末を含むメタライズ層を用いることができる。電極１は、基体１がセラミックスから成る場合、その上面に配線導体がタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）－マンガン（Ｍｎ）等から成る金属ペーストを高温で焼成して形成され、基体１が樹脂から成る場合、銅（Ｃｕ）や鉄（Ｆｅ）－ニッケル（Ｎｉ）合金等から成るリード端子がモールド成型されて基体１の内部に設置固定される。 【００２３】 基板２としては、熱伝導性に優れ、かつ全反射率の大きな基板が用いられる。基板２としては、例えばアルミナ、窒素アルミニウム等のセラミック材料の他に、金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂が好適に用いられる。 【００２４】 発光素子３としては、３７０ｎｍ～４２０ｎｍ、好ましくは３８０ｎｍ～４１０ｎｍの波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。発光素子３は、中心波長３７０ｎｍ～４２０ｎｍを発するものであれば特に制限されるものではないが、発光素子３の発光素子基板表面に、半導体材料からなる発光層を備える構造（不図示）を有していることが、高い外部量子効率を有する点で好ましい。このような半導体材料としては、ＺｎＳｅや窒化物半導体（ＧａＮ等）等種々の半導体を挙げることができるが、発光波長が上記波長範囲であれば、特に半導体材料の種類は限定されない。これらの半導体材料を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシャル成長法等の結晶成長法により、半導体材料からなる発光層を有する積層構造を、発光素子基板上に形成すれば良い。なお、図１に示す発光装置では、発光素子３として、中心波長が３７０ｎｍ～４２０ｎｍの波長範囲の光を発する半導体材料を具備する発光素子を形成した。 【００２５】 波長変換層４には、４３０ｎｍから４９０ｎｍの蛍光を発する青色蛍光体５ａ、５００ｎｍから５６０ｎｍの蛍光を発する緑色蛍光体５ｂ、５４０ｎｍから６００ｎｍの蛍光を発する黄色蛍光体５ｃ、および５９０ｎｍから７００ｎｍの蛍光を発する赤色蛍光体５ｄが含有されている。また、図１に示す波長変換層４では、発光素子３に近い部分には黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄが偏在しており、黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄよりも発光素子３から遠い部分には、青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂが偏在している。 【００２６】 これに対して、蛍光体がランダムに分散されている場合、例えば、短波波長の蛍光を発する青色蛍光体及び緑色蛍光体から発せられた蛍光が、長波長蛍光を発現する黄色蛍光体及び赤色蛍光体に再吸収され、青色蛍光体及び緑色蛍光体の発光効率が低下するといったことが発生する。その結果、発光装置から出射される出力光の発光効率が低下して、発光装置全体としての発光効率が充分に高くならなかった。また、青色蛍光体及び緑色蛍光体から出射される蛍光の一部が黄色蛍光体及び赤色蛍光体に再吸収され、黄色及び赤色の蛍光を発することによって、発光装置から発せられる出力光の色バランスが大きく低下し、演色性が大きく低下する。 【００２７】 本発明では、黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄを発光素子３の近くに含有させ、それら黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄよりも発光素子３から遠くに青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂを含有させている。このように蛍光体５ａ～５ｄを１つの層中に分離して偏在させることによって、発光素子３からの励起光を、まず黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄで黄色や赤色に変換し、次に黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄの間を通り抜けた励起光を、青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂで青色や緑色に変換することができるため、蛍光体５ａ、５ｂ、５ｃおよび５ｄ間の自己吸収による発光効率低下を抑えて、効率よく励起光を変換することができる。 【００２８】 また、本発明の発光装置では、各蛍光体５ａ、５ｂ、５ｃおよび５ｄの変換効率が６０％以上で、かつ、それら変換効率の差が１５％以内であることが好ましい。このような変換効率を有する青色蛍光体５ａ、緑色蛍光体５ｂ、黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄを用いれば、バランスの取れた発光スペクトルを達成（出力光の演色性を向上）させて、非常に優れた発光効率を有する発光装置が得られる。」 （４）「【００４２】 上記波長変換層４を作製するには、まず、青色蛍光体５ａ、緑色蛍光体５ｂ、黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄをマトリックス樹脂の未硬化物に混合する。マトリックス樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂、珪素－酸素結合を主体とする高分子樹脂（シリコーン樹脂など）が透過率の点で好適である。 【００４３】 特に、珪素－酸素結合を主体とする高分子樹脂は、珪素－酸素の結合エネルギーが非常に大きいため、４００ｎｍ前後の光を吸収して劣化することがなく、すぐれた耐熱性、耐光性を有する。その結果、珪素－酸素結合を主体とする高分子樹脂中に蛍光体を分散混合することで、波長変換層の耐光性、耐熱性、透明性を高めることができ、発光装置の長寿命を確保することができる。よって、透過率と耐熱性を兼ね備える点でシリコーン樹脂が最も好ましい。また、分散剤として、マトリックス樹脂と化学的にカップリングするものを用いることが、硬化後の安定性の点で望ましい。 【００４４】 次に、青色蛍光体５ａ、緑色蛍光体５ｂ、黄色蛍光体５ｃ、赤色蛍光体５ｄおよびマトリックス樹脂の未硬化物の混合物を、シート状に成形する。成形方法としては、例えば、ドクターブレード法やダイコーター法、押し出し法、スピンコート法、ディップ法などのシート成形ができる成形法が挙げられ、特にドクターブレード法やダイコーター法を用いれば、生産性を向上することができる。次に、シート中の青色蛍光体５ａ、緑色蛍光体５ｂ、黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄを、粒子の平均粒子径によって階層的に分散させる。蛍光体を階層的に層状に分散させるためには、沈降法や遠心分離法を用いることができる。また、蛍光体の比重、マトリクス樹脂の粘度、マトリクス樹脂の硬化温度および硬化時間の最適化により、各蛍光体間の沈降速度を変えることによって、層状に分散することができる。例えば、マトリクス樹脂としてジメチルシリコーン樹脂を、青色蛍光体５ａとして〔（Ｃａ，Ｍｇ）10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ〕（平均粒子径７μｍ）を、緑色蛍光体５ｂとして〔ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ〕（平均粒子径４μｍ）を、黄色蛍光体５ｃとしてＺｎＡｇＩｎＳ2（平均粒子径２．８ｎｍ）を、赤色蛍光体５ｄとしてＺｎＡｇＩｎＳ2（平均粒子径３．８ｎｍ）を用いた場合、マトリクス樹脂の粘度を２００～１０００ｃｐｓ、マトリクス樹脂の硬化温度を１３０～１７０℃、マトリクス樹脂の硬化時間を５～２４時間（hour）とすることにより、各蛍光体間の沈降速度を変えて、層状に分散することができる。 ・・・略・・・ 【００４７】 反射部材６は、発光素子３および波長変換層４の側面に設けられており、側面に逃げる光を前方に反射し、出力光の強度を高めることができる。反射部材６の材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）およびこれらの積層構造物や合金、さらにアルミナセラミックス等のセラミックス、またはエポキシ樹脂等の樹脂を用いることができる。 【００４８】 上記発光装置は、波長変換層４からの出力光のピーク波長が４００～７５０ｎｍであることが好ましい。このようなピーク波長を有する出力光を発光することにより、さらに演色性に優れた発光装置を実現できる。」 （５）「【００４９】 図２は、本発明における発光装置の他の実施形態を示す図であって、２層構造の波長変換層４を有する発光装置の概略断面図である。なお、図２中、図１に示す発光装置と同一の部材については、図１と同じ符号を付して説明を省略する。 【００５０】 図２に示す発光装置では、波長変換層４０を、第一の変換層４１と第二の変換層４２との２層構造とし、変換層４２が発光素子３の表面に、変換層４１が変換層４２の表面に形成されている。また、変換層４１には青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂが含有され、変換層４２には黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄが含有されている。このような波長変換層４０を形成することにより、図１の発光装置と同様、蛍光体５ａ～５ｄ間の自己吸収による発光効率低下を抑えて、効率よく励起光を変換することができる。このような２層構造の波長変換層４０を形成するには、青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂを含有する樹脂と、黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄを含有する樹脂とを準備して、変換層４１および４２を形成すればよい。このように変換層４１および４２を形成すれば、図１の波長変換層４を形成する場合のように、沈降法や遠心分離法を用いなくとも、所望の位置に蛍光体を配置することができる。 【００５１】 波長変換層４０の厚みは０．１～５ｍｍ、変換層４１の厚みは０．０５～３ｍｍ、変換層４２の厚みは０．０５～３ｍｍであることが好ましい。これにより、各層における変換効率が高く、かつ、各層からの光が充分に透過するため、より優れた発光特性を示すことができる。蛍光体により効率良く波長変換でき、かつ、変換された光が他の蛍光体により吸収されることを抑制することができるため、高効率な発光装置が得られる。 ・・・略・・・ 【００６５】 それぞれの波長変換層からなる発光装置の発光効率は、発光装置に20ｍＡの電流を印加し、点灯させて全光束量を測定し、この全光束を注入電流で割った値を発光装置の発光効率とした。また、演色性（Ｒａ）は、大塚電子社製の発光特性評価装置により測定した。１層構造の波長変換層の結果を表１に、３層構造波長変換層の結果を表２に示した。 【００６６】 【表１】 ［図：0001382992000001.jpg］ 【００６７】 【表２】 ［図：0001382992000002.jpg］ 」 （６）図１及び図２は次のとおりである。 図１ ［図：0001382992000003.jpg］ 図２ ［図：0001382992000004.jpg］ （７）図２から、以下の点が見て取れる。 反射部材６は、波長変換層４０の側面に接する内壁と、前記内壁の外周側の表面（以下「外表面」という。）とを有しており、発光素子３は、基板２における前記内壁より内周側の表面（以下「内表面」という。）に配置されており、発光素子３及び波長変換層４０は、反射部材６の内壁及び基板２の内表面により囲まれる空間に収容されており、反射部材６の内壁は、基板２の内表面及び反射部材６の外表面との間において、基板２の内表面及び反射部材６の外表面に対して傾斜しており、第一の変換層４１と第二の変換層４２との境界は、反射部材６の内壁と接触しており、第二の変換層４２は、第一の変換層４１に覆われる部分において平面形状を有し、波長変換層４０は、反射部材６の内壁を露出しないように反射部材６の内壁に接触して配置され、反射部材６の外表面には配置されず、前記内壁の内周側の領域において平面形状の表面を有している点。 （８）上記（５）の【００４９】の「図２は、本発明における発光装置の他の実施形態を示す図であって、２層構造の波長変換層４を有する発光装置の概略断面図である。なお、図２中、図１に示す発光装置と同一の部材については、図１と同じ符号を付して説明を省略する。」との記載から、図２の実施形態における「基板２」、「発光素子３」、「青色蛍光体５ａ」、「緑色蛍光体５ｂ」、「黄色蛍光体５ｃ」、「赤色蛍光体５ｄ」、「反射部材６」は、図１の実施形態に関して上記（３）、（４）に記載されているのと同様のものであると解される。 また、上記（５）の【００４９】に記載された「青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂを含有する樹脂」及び「黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄを含有する樹脂」は、図１の実施形態と同様の蛍光体を分散混合するためのものであるから、図１の実施形態に関して上記（４）に記載されているのと同様の材料を用いているものと解される。 （９）以上から、引用文献１には、図２の実施形態に関する次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。（なお、引用発明の各構成の根拠箇所を参考として当審で付した。） 引用発明 「発光素子から発せられる光を波長変換して外部に取り出す発光装置であって（【０００１】）、 発光装置は、色バランスの優れた白色光を効率良く発光させるものであり（【００１０】）、 発光装置は、電極１が形成された基板２と、基板２上に設けられている発光素子３と、光を反射する反射部材６とを備え（【００２１】、上記（８））、 発光素子３は、発光素子基板表面に、半導体材料からなる発光層を備える構造を有しており（【００２４】、上記（８））、 波長変換層４０を、第一の変換層４１と第二の変換層４２との２層構造とし、変換層４２が発光素子３の表面に、変換層４１が変換層４２の表面に形成されており、変換層４１には青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂが含有され、変換層４２には黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄが含有されており、２層構造の波長変換層４０は、青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂを含有する樹脂と、黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄを含有する樹脂とを準備して、変換層４１および４２を形成したものであり（【００５０】）、 青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂを含有する樹脂と、黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄを含有する樹脂は、例えばエポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂、珪素－酸素結合を主体とする高分子樹脂（シリコーン樹脂など）であり（【００４２】、上記（８））、 青色蛍光体５ａは、４３０ｎｍから４９０ｎｍの蛍光を発するものであり、緑色蛍光体５ｂは、５００ｎｍから５６０ｎｍの蛍光を発するものであり、黄色蛍光体５ｃは、５４０ｎｍから６００ｎｍの蛍光を発するものであり、赤色蛍光体５ｄは、５９０ｎｍから７００ｎｍの蛍光を発するものであり（【００２５】、上記（８））、 発光素子３として、中心波長が３７０ｎｍ～４２０ｎｍの波長範囲の光を発する半導体材料を具備する発光素子を形成し（【００２４】、上記（８））、 反射部材６は、波長変換層４０の側面に接する内壁と、外表面とを有しており、発光素子３は、基板２における内表面に配置されており、発光素子３及び波長変換層４０は、反射部材６の内壁及び基板２の内表面により囲まれる空間に収容されており、反射部材６の内壁は、基板２の内表面及び反射部材６の外表面との間において、基板２の内表面及び反射部材６の外表面に対して傾斜しており、第一の変換層４１と第二の変換層４２との境界は、反射部材６の内壁と接触しており、第二の変換層４２は、第一の変換層４１に覆われる部分において平面形状を有し、波長変換層４０は、反射部材６の内壁を露出しないように反射部材６の内壁に接触して配置され、反射部材６の外表面には配置されず、前記内壁の内周側の領域において平面形状の表面を有している（上記（７））、 発光装置。」 ２ 引用文献２ 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２（特表２００８－５０６２４６号公報）には、次の記載がある。 （１）「【技術分野】 【０００１】 本発明は、発光ダイオードなどの発光素子を用いた発光装置に関する。」 （２）「【背景技術】 【０００２】 発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」と記す。）は、白熱電球、ハロゲン電球などと比べて発光効率及び寿命などの観点から優位性を有しているので、各種の表示装置、照明装置などの発光装置として用いられつつある。このＬＥＤは、基本的に発光素子と、その発光素子を封止する封止部とから成り立っている。 ・・・略・・・ 【０００５】 従来、発光素子の封止材料としては、透光性の高いエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂などの数々の材料が用いられてきているが、信頼性、コストなどを考慮すると、エポキシ樹脂が主として用いられている。 【０００６】 エポキシ樹脂は、発光素子を実装するリードフレームや基板などとの接着性が高く、また硬度が高いため外部から発光素子を保護しやすい。一方、エポキシ樹脂は、熱・光に対して特性が比較的劣化しやすい。耐熱性・耐光性のエポキシ樹脂も数々存在しているが、発光素子に直接接している限りは、光・熱の両方の影響を直接受けてしまうために、経時的にその光透過特性は劣化しやすく、特に短波長側の光を吸収するために樹脂に黄変が生じ、光の取り出し効率は低下する。このようなエポキシ樹脂の劣化は、ＬＥＤの光束低下を招来し、ＬＥＤの短寿命化につながる。 【０００７】 今後ＬＥＤを用いた照明装置などが使用されるようになると、単体のＬＥＤでは光束が小さいため、所望の光束を得るためには、多数のＬＥＤを実装する必要があり、各ＬＥＤの信頼性の向上が望まれる。また、蛍光体と発光素子とを組み合わせて白色光を放つＬＥＤ（以下、「白色ＬＥＤ」と記す。）に用いる発光素子として、青色～紫外領域の光を放つ発光素子が使用されるようになると、封止材料にはより耐光・耐熱性が求められるようになり、エポキシ樹脂のみの単一樹脂による封止では、照明光源としてのＬＥＤを用いた発光装置の寿命は極端に短くなる可能性がある。 【０００８】 一方、エポキシ樹脂と比較して、熱・光に対して特性が比較的安定している材料として、シリコーン材料がある。シリコーン材料は、経時的にもその光透過特性は劣化しにくいため、黄変などの現象が生じにくい。 【０００９】 しかし、シリコーン材料は、エポキシ樹脂ほどの剛性を有しにくく、たとえエポキシ樹脂と同等の硬度を有していてもエポキシ樹脂と比較すると成型が困難であり、発光素子の機械的保護を行いにくい。また、エポキシ樹脂と比較すると、シリコーン材料は発光素子を実装するリードフレームや基板などとの接着性が悪いことから、熱衝撃などの各部材の膨張・収縮を伴う事象に対して、剥離などの不良現象が発生しやすくなり、長期間にわたって封止を保つことは難しく、エポキシ樹脂による封止と比較すると封止部の信頼性は劣る。 【００１０】 ＬＥＤは、発光素子を外部から保護するために、封止部の外殻部分においては十分な剛性を必要とし、機械的強度が大きな封止材料で封止を行わなくてはならない。一方、発光素子と接する部分においては、発光素子へ機械的な応力が加わることによる損傷の防止、又は発光素子の近傍の封止材料にクラックが生じないようにするために、ある程度の弾性を有する封止材料で封止を行わなくてはならない。 【００１１】 しかし、これらの要求を同時に単一の封止材料、例えばエポキシ樹脂又はシリコーン材料で実現することは前述のように難しい。そこで、従来は、発光素子の近傍を弾性を有するシリコーン材料で覆い、その外側を機械的強度の大きな樹脂などで覆う二層構造の封止部が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。 【特許文献１】特開２００１－５７４４７号公報 【特許文献２】特開２０００－１５０９６８号公報（図２）」 （３）「【発明が解決しようとする課題】 【００１２】 しかし、発光素子の近傍を弾性を有するシリコーン材料で覆い、その外側を機械的強度の大きなエポキシ樹脂で覆う二層構造のＬＥＤであっても、発光素子から放たれる光と熱によって、エポキシ樹脂が経時的に劣化して透光性が低下し、ＬＥＤの光束が低下する問題がある。 【００１３】 即ち、ＬＥＤは、長時間使用すると発熱し、発光素子の近傍では１００℃近くまたはそれ以上の温度に達することがある。このため、発光素子の近傍を弾性を有するシリコーン材料で覆い、その外側を機械的強度の大きなエポキシ樹脂で覆う二層構造を有するＬＥＤであっても、この熱と光の影響によりエポキシ樹脂が経時的に劣化し、封止部の光透過特性が低下する。また、白色ＬＥＤを用いた発光装置では、青色?紫外領域のエネルギーの高い光を放つ発光素子を用いるため、エポキシ樹脂の劣化がより促進される。 【００１４】 また、上記二層構造のＬＥＤでは、発光素子の発熱により内層の樹脂が膨張・収縮した場合、内層の樹脂と外層の樹脂との界面に剥離が生じやすくなり、さらには外層の樹脂に応力が加わり、クラックなどが生じる場合があり、封止部の信頼性が損なわれるおそれがある。 【００１５】 特に、前述の図１２に示した表面実装型ＬＥＤ３０においては、封止部が一層構造であっても、二層構造であっても、封止樹脂３３としてシリコーン材料を使用した場合には、反射板３４との接着性が十分ではなくなり、また、シリコーン材料は熱により膨張・収縮しやすいため、封止樹脂３３と反射板３４との間に剥離が生じ、そこから水分などが侵入して発光素子３２に悪影響を与える場合がある。また、封止樹脂３３としてエポキシ樹脂を使用した場合でも、反射板３４の素材に例えばアルミニウムなどを使用すると、封止樹脂３３と反射板３４との接着性が低下し、上記と同様の問題が生じる。」 （４）「【発明を実施するための最良の形態】 【００１８】 以下、本発明の発光装置の実施の形態について説明する。本発明の発光装置の一例は、発光素子と、発光素子を覆う透光性の封止部とを備えた発光装置であり、封止部は、発光素子の外面を覆う第１の封止層と、第１の封止層を覆う第２の封止層と、第２の封止層を覆う第３の封止層とを含む。 【００１９】 上記封止部を三層構造とすることにより、各層の封止材料及び封止構造の選択の自由度が増加し、各層に最適な封止材料及び封止構造を選択することが可能となり、発光装置の光束低下の抑制と、封止部の信頼性の向上を図ることができる。 【００２０】 具体的には、例えば、第１の封止層に用いる封止材料として、発光素子から放出される光及び熱に対して光透過率の低下が少なく、かつ弾性を有する透光性材料を用いることができる。発光素子から放出される光及び熱に対して光透過率の低下が少ない封止材料を用いることにより、第１の封止層の封止材料の経時的劣化を防止して、光透過特性の低下を防止できる。また、弾性を有する封止材料を用いることにより、発光素子へ機械的な応力が加わることによる損傷の防止、又は発光素子の近傍の封止材料にクラックが発生することを防止できる。 【００２１】 上記光及び熱に対して光透過率の低下が少なく、かつ弾性を有する透光性材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーンゴムなどのシリコーン材料、水ガラスなどを用いることができる。 【００２２】 また、例えば、第２の封止層に用いる封止材料として、発光素子から放出される光及び熱に対して光透過率の低下が少ない耐熱・耐光性の透光性材料を用いることができる。これにより、第２の封止層の封止材料の経時的劣化を防止して、光透過特性の低下を防止できるとともに、第１の封止層及び第２の封止層による熱の遮蔽効果により、第３の封止層の封止材料の経時的劣化を防止して、光透過特性の低下を防止できる。 【００２３】 上記光及び熱に対して光透過率の低下が少ない耐熱・耐光性の透光性材料としては、例えば、シリコーン変性エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルを主体としたエポキシ樹脂などの耐熱性・耐光性のエポキシ材料、フッ素樹脂、フッ素ゴム、シリコーン材料、水ガラスなどを用いることができる。 【００２４】 さらに、例えば、第３の封止層に用いる封止材料として、剛性を有する透光性材料を用いることができる。これにより、発光素子を外部から保護することができる。 【００２５】 上記剛性を有する透光性材料としては、エポキシ樹脂などのエポキシ材料、ガラス、ナイロン樹脂、ポリカーボネート、アクリル樹脂などを用いることができる。 【００２６】 また、上記第２の封止層は、ガラス転移温度が１００℃以上の透光性材料から形成されていることが好ましく、ガラス転移温度が１２０℃以上の透光性材料がより好ましく、ガラス転移温度が１４０℃以上の透光性材料が最も好ましい。これにより、第２の封止層から第３の封止層への応力を緩和でき、第３の封止層による封止部の信頼性をより向上させることができる。即ち、第２の封止層をガラス転移温度が１００℃以上の透光性材料で形成することにより、使用雰囲気温度の変化が激しい状態で発光素子を連続点灯させた場合でも、第２の封止層の膨張・収縮による変形を抑制でき、第２の封止層から第３の封止層への応力を緩和できる。なお、ガラス転移温度の上限は特に制限されないが、例えば一般的にＬＥＤの封止に用いられるエポキシ材料の場合では１９０℃以下である。 【００２７】 上記第２の封止層の透光性材料のガラス転移温度は、任意に調整可能である。例えば、透光性材料の組成を変化させる、透光性材料の硬化温度を上げる、硬化剤の量を調整するなどにより、ガラス転移温度を変化させることができる。 【００２８】 また、本実施形態の発光装置は、発光素子が実装された基板と、基板の上に配置された反射部材とをさらに含み、反射部材は、発光素子の周囲を囲み、第１の封止層は発光素子の外面を覆い、第２の封止層は第１の封止層を覆い、第３の封止層は第２の封止層及び反射部材を覆い、さらに第３の封止層は基板と密着した形態とすることができる。この形態は、第３の封止層によって、基板上の発光素子、第１の封止層、第２の封止層、反射部材などの全ての部材が覆われ、かつそれらの部材の周囲において第３の封止層と基板とを密着させたものである。これにより、水分などが発光装置の内部に侵入することをより確実に防止することができ、発光装置の封止部の信頼性をより向上することができる。 【００２９】 また、上記反射部材としては、発光素子からの光を反射させる機能を有するものであれば特に限定されず、例えば、反射板、反射フィルム、プリズムなどを用いることができる。 【００３０】 さらに、第１の封止層を形成する封止材料の線膨張係数と第２の封止層を形成する封止材料の線膨張係数とをほぼ等しくする、又は第２の封止層を形成する封止材料の線膨張係数と第３の封止層を形成する封止材料の線膨張係数とをほぼ等しくすることができる。これにより、発光素子が発光している時の高温状態と、発光素子が発光していない時の低温状態とを繰り返しても、封止部の各層にクラックなどが生じにくくなり、封止部の信頼性が向上する。 【００３１】 また、第１の封止層、第２の封止層及び第３の封止層から選ばれる少なくとも１つの封止層は、上記発光素子が放つ光によって励起されて発光する蛍光材料を含むことが好ましい。これにより、発光素子が放つ光を波長変換して所望の波長の光を放つことができる。さらに、発光素子が可視光を放つ場合には、発光素子が放つ発光成分と、蛍光材料が放つ発光成分とを出力光に含む発光装置を提供できる。」 （５）「第３の封止層」をなす「剛性を有する透光性材料」であって、「エポキシ樹脂などのエポキシ材料、ガラス、ナイロン樹脂、ポリカーボネート、アクリル樹脂などを用い」たもの（【００２４】～【００２５】）は、「第１の封止層」をなす「光及び熱に対して光透過率の低下が少なく、かつ弾性を有する透光性材料」であって、「例えば、シリコーン樹脂、シリコーンゴムなどのシリコーン材料、水ガラスなどを用い」たもの（【００２０】～【００２１】）に比べて、硬度が高いことは明らかである。 また、「第２の封止層」をなす「光及び熱に対して光透過率の低下が少ない耐熱・耐光性の透光性材料としては、例えば、シリコーン変性エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルを主体としたエポキシ樹脂などの耐熱性・耐光性のエポキシ材料、フッ素樹脂、フッ素ゴム、シリコーン材料、水ガラスなどを用い」たもの（【００２２】～【００２３】）の硬度は、技術常識に照らして、「第１の封止層」の封止材料の硬度と「第３の封止層」の封止材料の硬度の中間にあるものと解される。 ３ 引用文献７ 原審の補正の却下の決定で周知例として提示された引用文献７（特開２０１１－６６４６３号公報）には、図面とともに、次の記載がある。 （１）「【００７５】 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードチップ又は発光セルがボンディングされたサブマウントを搭載し、多様な構造の発光ダイオードパッケージ又は発光ダイオードランプを提供することができる。 以下、直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ又は発光ダイオードランプについて詳述する。 図８～図１０は、本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージを示す断面図である。 【００７６】 図８を参照すると、発光ダイオードパッケージは、基板３１０と、基板３１０上に形成された電極３２０、３２５と、基板３１０上に実装された発光素子３５０と、発光素子３５０を封止するモールド部材３７０とを含む。 発光素子３５０は、図１及び図２を参照して説明したような、配線８０により直列接続された発光セルのアレイ、又は図３～図５を参照して説明したような、電極パターン２５０を有するサブマウント２０００と、サブマウント２０００の電極パターン２５０により直列接続された発光セルのアレイで構成させる。発光素子３５０は、少なくとも一つの発光セルアレイを含み、逆並列で接続された少なくとも二つの発光セルアレイ及び／又は所定の整流動作を行う別途の整流ブリッジ部を含んでもよい。 【００７７】 発光セルのそれぞれは、ｎ型半導体層とｐ型半導体層を含むが、一つの発光セルのｎ型半導体層と、一つの発光セルに隣接した他の発光セルのｐ型半導体層とが電気的に接続される。一方、直列接続された発光セルのアレイの一端と他端に、外部電源を接続するためのｎ型ボンディングパッドとｐ型ボンディングパッドが形成されてもよい。これに加えて、発光素子３５０が、別途の整流ブリッジ部を含む場合、整流ブリッジ部に電源パッドが形成されてもよい。 【００７８】 発光セルは、単一基板上に形成されるので、発光ダイオードをそれぞれ実装し、直列接続する従来技術に比べて、パッケージ製造工程を単純化することができ、パッケージの大きさを小型化することができる。 【００７９】 基板３１０は、第１のリード電極及び第２のリード電極３２０、３２５が印刷された印刷回路基板であってもよい。リード電極（３２０、３２５）は、発光素子３５０のｐ型ボンディングパッド（図１及び図２の９０、又は図３～図５の２４０）及びｎ型ボンディングパッド（図１及び図２の９５、又は図３～図５の２５０）又は電源パッドにそれぞれ電気的に接続される。 【００８０】 リード電極（３２０、３２５）は、印刷技法を用いて形成すること以外に、接着剤を用いて基板３１０上に接着してもよい。第１及び第２の電極３２０、３２５は、導電性に優れた銅又はアルミニウムを含む金属物質で形成されてもよく、電気的に互いに離隔して形成される。 リード電極（３２０、３２５）と発光素子３５０は、ボンディングワイヤ３９０を介して電気的に接続される。すなわち、第１の電極３２０と発光素子３５０の一つのパッドが、一つのボンディングワイヤ３９０を介して接続され、第２の電極３２５と発光素子３５０の他の一つのパッドが、他のボンディングワイヤ３９０を介して接続される。 【００８１】 モールド部材３７０は、熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂を硬化させて形成することができる。モールド部材３７０は、レンズ状、六面体状、平板状、半球状、円筒状等の多様な形状に形成されてもよく、その上部面に複数個の小さなレンズ形状をさらに含んでもよい。 【００８２】 一方、発光素子３５０の上部に、目標とする色の光を具現するための所定の蛍光体（図示せず）をさらに含んでもよい。蛍光体は、発光素子３５０上に塗布されて形成されてもよい。また、蛍光体と熱硬化性樹脂を混合した後、この混合物を用いてモールド部材３７０を形成することにより、蛍光体をモールド部３７０内に分散させてもよい。 【００８３】 本実施形態による発光ダイオードパッケージは、反射部をさらに含んでもよい。図９及び図１０は、このような反射部を含む発光ダイオードパッケージを示す。 図９を参照すると、発光素子３５０は、反射部３４０内に実装される。反射部３４０は、基板（図８の３１０）を機械的に加工して、所定の溝を設けることにより形成されてもよい。溝の内壁は、所定の傾きを有して形成される。その結果、発光素子３５０から放射され、反射部３４０に入射した光が、反射部３４０から外へ反射され、光の輝度を向上させることができる。溝の下部面は、発光素子３５０の実装のために平面であることが好ましい。 【００８４】 図１０を参照すると、反射部３６０が平らな基板３１０上に形成され、発光素子３５０を取り囲む。反射部３６０は、所定の傾きを有し、発光素子３５０から入射した光を外へ反射させる。反射部３６０は、熱可塑性又は熱硬化性樹脂をモールドして形成することができる。一方、モールド部材３７０は、反射部３６０の内部を満たして、発光素子３５０を封止する。 【００８５】 また、反射部３６０と基板３１０は、一体に形成されてもよい。この際、リード電極（３２０、３２５）は、リードフレームを用いて形成され、反射部３６０及び基板３１０は、リードフレームをインサート?モールディング（ｉｎｓｅｒｔ－ｍｏｌｄｉｎｇ）して形成される。」 （２）「【０１２３】 図２３を参照すると、モールド部材５２１、５２３が発光素子５１７の上部を覆い、第１のパッケージ本体５０６の溝内に成形される。モールド部材は、第１のモールド部材５２１及び第２のモールド部材５２３を含んでもよい。第１及び第２のモールド部材は、それぞれエポキシ樹脂又はシリコン樹脂等で形成されてもよく、互いに同一又は異なる物質で形成され得る。第２のモールド部材５２３は、第１のモールド部材５２１に比べて、硬度値が大きいことが好ましい。第１及び第２のモールド部材は、それぞれ段部５０７ａの近くで界面が形成されるように、第１のパッケージ本体５０６の溝を満たすことができる。 【０１２４】 一方、第１のモールド部材５２１及び／又は第２のモールド部材５２３内に、蛍光体が含有されてもよい。また、第１のモールド部材５２１及び／又は第２のモールド部材５２３内に、光を分散させる拡散剤が含有されてもよい。蛍光体は、発光素子５１７上に塗布され、第１のモールド部材５２１と発光素子５１７との間に位置してもよく、第１のモールド部材５２１又は第２のモールド部材５２３上に位置してもよい。 【０１２５】 また、モールド部材の上部にレンズ５２５が位置してもよい。レンズ５２５は、上部段部５０７ｂに固定される。レンズ５２５は、発光ダイオードチップ５１７から放射された光が一定の指向角内に出射されるように、図に示すのように、凸レンズの形状を有してもよく、その他使用目的に応じて、多様な形状を有することができる。」 （３）図８～図１０及び図２３は次のとおりである。 図８ ［図：0001382992000005.jpg］ 図９ ［図：0001382992000006.jpg］ 図１０ ［図：0001382992000007.jpg］ 図２３ ［図：0001382992000008.jpg］ ４ 引用文献８ 原審の補正の却下の決定で周知例として提示された引用文献８（特開２０１０－１５７６０８号公報）には、図面とともに、次の記載がある。 （１）「【００２０】 図４に本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図を示す。この図に示す発光装置１００は、ＳＭＤ（表面実装）型ＬＥＤであり、パッケージ１０に設けられたキャビティ（カップ状部分）の底面上にＧａＮ系発光素子２０が接着剤（図示せず）を用いて固定されている。 パッケージ１０は、セラミック（アルミナ、ＡｌＮなど）、白色樹脂などで形成されたパッケージ基板１１と、二つのパッケージ電極１２と、リフレクタ１３とから構成されている。この図ではパッケージ基板１１とリフレクタ１３とを別個の部材のように示しているが、これらは一体的に形成されていてもよい。 パッケージ基板１１上に固定されたＧａＮ系発光素子２０は４００ｎｍ付近に主発光波長を有するものである。このＧａＮ系発光素子は、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどからなる素子基板２１と、その上に形成された、ダブルヘテロＰＮ接合型のＬＥＤ構造を備えたＧａＮ系半導体膜２２とを有しており、そのＧａＮ系半導体膜２２上に、正負の電極が形成されている。正電極は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）からなる透明電極２３ａと、その一部上に形成された金属製のボンディングパッド２３ｂとから構成されている。負電極も、ＴＣＯからなる透明電極２４ａと、その一部上に形成された金属製のボンディングパッド２４ｂとから構成されている。素子基板２１の下面には金属製の反射膜２５が形成されている。 ＧａＮ系発光素子２０の正電極および負電極のそれぞれは、ＡｕまたはＣｕからなるボンディングワイヤ３０により、２つのパッケージ電極１２のそれぞれに接続されている。 ＧａＮ系発光素子２０は透光性の被覆部材４０により埋め込まれている。被覆部材４０は内層部４１と外層部４２とを有しており、２本のボンディングワイヤ３０は内層部４１に埋め込まれている。 蛍光体（図示せず）は被覆部材４０中に固定化されており、とりわけ、赤色蛍光体は内層部４１に固定化されており、青色蛍光体および緑色蛍光体は外層部４２に固定化されている。黄色蛍光体を用いる場合には外層部４２に固定化することが望ましい。 【００２１】 発光装置１００において、ＧａＮ系発光素子２０から放出される波長４００ｎｍ付近の光は、被覆部材４０の内層部４１に固定化された赤色蛍光体によっては実質的に吸収されることなく外層部４２に達し、そこで青色蛍光体および緑色蛍光体を励起させる。青色蛍光体から生じる青色光は方向性を有さないので、その一部は内層部４１側に向かって進み、赤色蛍光体を励起させることになる。赤色蛍光体から生じる赤色光は直接、あるいはパッケージ基板１１、パッケージ電極１２、リフレクタ１３またはボンディングワイヤ３０の表面で反射されて、外層部４２側に向かって進み、これを透過して発光装置１００の外部に放射される。 【００２２】 発光装置１００において、被覆部材４０の内層部４１に赤色蛍光体を、外層部４２に青色蛍光体を固定化しているのは、ボンディングワイヤ３０の近傍では青色光を発生させないで、赤色光を発生させるようにするためである。その理由は、ボンディングワイヤ３０の材料であるＡｕまたはＣｕは青色光を強く吸収するのに対し、赤色光に対しては強い吸収を示さないからである。外層部４２に固定化した青色蛍光体から生じる青色光のうち、内層部４１に入射するのはその一部であり、更に内層部４１に入射すると青色光は赤色蛍光体によって赤色光に変換されるので、青色光がボンディングワイヤ３０に吸収されることによる損失が減少することになる。なお、このような損失低減効果の発生に必要な条件は、赤色蛍光体が青色蛍光体により励起され得ることである（蛍光体の種類にはよらない）。このことは、本技術分野における当業者であれば理解されよう。 【００２３】 発光装置１００において、被覆部材４０の内層部４１に赤色蛍光体を固定化するにあたっては、内層部４１の全体にわたって赤色蛍光体を分散させてもよいし、あるいは、内層部４１の中でも外層部４２に隣接する部分に、赤色蛍光体を分散させた領域を層状に形成してもよい。また、被覆部材４０の外層部４２には青色蛍光体と緑色蛍光体を混合した状態で分散させてもよいし、あるいは、青色蛍光体を分散させた層状領域と緑色蛍光体を分散させた層状領域とをそれぞれ外層部４２内に設けてもよい。」 （２）図４は次のとおりである。 図４ ［図：0001382992000009.jpg］ ５ 引用文献９ 原審の補正の却下の決定で周知例として提示された引用文献９（特開２０１０－１３５２７７号公報）には、図面とともに、次の記載がある。 （１）「【００８０】 図１４は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す平面図であり、図１５は、図１４のＢ－Ｂ線に沿って切断した断面図であり、図１６（ａ）～（ｃ）は、発光ダイオードに適用可能な多様な第１リード端子の部分を示す斜視図であり、図１７は、本発明の他の実施例に係る第１リード端子の部分を示す斜視図である。 【００８１】 図１４及び図１５を参照すると、発光ダイオードは、第１リード端子５１及び第２リード端子５３を含む。第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、図３に示すように、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる光反射層、及び金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）からなる保護層を含むようにしてもよい。 【００８２】 第１リード端子５１は、発光チップ５７が実装されるチップ実装部５１ｂ、チップ実装部５１ｂから折り曲げられて形成され、チップ実装部５１ｂの下側に配置された段差部５１ａ、及びチップ実装部５１ｂと段差部５１ａとの間に配置され光反射面を形成する第１傾斜面５１ｃを含む（図１６（ａ）参照）。第２リード端子５３は、第１リード端子５１から離隔して位置し、第１リード端子５１の段差部５１ａと同じ高さに配置される。 【００８３】 第１リード端子５１は、チップ実装部５１ｂから折り曲げられて形成され、第１傾斜面５１ｃに対向して配置されてチップ実装部５１ｂに接続される第２傾斜面５１ｄを更に含めてもよい（図１６（ｂ）参照）。又、第１リード端子５１は、第２傾斜面５１ｄから延長され、チップ実装部５１ｂと同じ高さで配置された端部５１ｅを更に含めてもよい（図１６（ｃ）参照）。 【００８４】 第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、ハウジング５５によって支持される。便宜上、ハウジング５５は、第１リード端子５１の段差部５１ａ及び第２リード端子５３の上部及び下部に配置されて、上部ハウジング５５ａと下部ハウジング５５ｂに区分される。 【００８５】 ハウジング５５は、第１リード端子５１及び第２リード端子５３の一部を露出させる開口部５６を有する。開口部５６は、第１リード端子５１のチップ実装部５１ｂと、第１及び第２傾斜面５１ｃ、５１ｄと、第２リード端子５３の一部を露出する。更に、開口部５６は、第１リード端子５１の段差部５１ａの一部を露出させてもよい。 【００８６】 第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、開口部５６内で互いに離隔して位置する。第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、外部電源に電気的に接続するためにそれぞれハウジング５５の側壁を貫通して外部に延長される。ハウジング５５の外部に延長された第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、多様な形状に折り曲げることができる。 【００８７】 第１リード端子５１のチップ実装部５１ｂは、下部ハウジング５５ｂ側に下がって配置させるため、開口部５６の底面に凹部が形成される。第１リード端子５１の第１傾斜面５１ｃは、開口部５６の主軸方向（長軸方向）を横切って、ハウジング５５の副軸方向（短軸方向）の内壁と接触するか、又は、内壁と接触する前に終端される。即ち、開口部５６によって露出した第１傾斜面５１ｃは、連続的でなく断続的である。従って、副軸方向（短軸方向）の指向性を変化させることなく、主軸方向（長軸方向）の光反射率を向上させることができ、主軸方向（長軸方向）と副軸方向（短軸方向）の光分布を個別に制御することが可能である。第１リード端子５１の第２傾斜面５１ｄも開口部５６の主軸方向（長軸方向）を横切って、ハウジング５５の副軸方向（短軸方向）の内壁と接触するか、又は、内壁と接触する前に終端される。第２傾斜面５１ｄは、第１傾斜面５１ｃと対称的に形成され、これによって対称性を有する光分布を得ることができる。 【００８８】 発光チップ５７は、チップ実装部５１ｂに実装され、導電性ワイヤ５９を介して第２リード端子５３と電気的に接続される。発光チップ５７から発生された光は、ハウジング５５の内壁５５ｗに到達する前に第１傾斜面５１ｃ及び第２傾斜面５１ｄで反射される。従って、発光チップ５７から発生された光の一部が光反射率を有する第１傾斜面５１ｃ及び第２傾斜面５１ｄで反射されるので、発光ダイオードの発光効率が向上される。又、ハウジング５５の内壁に直接入射される光量を減少させるので、ハウジング５５の内壁が変色されることを緩和させることができ、その結果、発光ダイオードの寿命を延長させることができる。 【００８９】 図１７を参照すると、副軸方向（短軸方向）の光反射率を向上させ、副軸方向（短軸方向）のハウジング５５の内壁の変色を防止するために、第１リード端子５１はチップ実装部５１ｂから開口部５６の副軸方向（短軸方向）の両側にそれぞれ沿って延長された翼部５１ｆを更に含めてもよい。チップ実装部５１ｂに接続される翼部５１ｆは、チップ実装部５１ｂから折り曲げられて第３及び第４傾斜面を形成する。又、翼部５１ｆは、第１及び第２傾斜面５１ｃ、５１ｄと離れて形成されているので、第１及び第２傾斜面５１ｃ、５１ｄの傾斜角と異なる傾斜角を有するように折り曲げることができ、副軸方向（短軸方向）の光反射特性と主軸方向（長軸方向）の光反射特性を個別に調節することができる。 【００９０】 蛍光体を含む封止剤６３は、発光チップ５７を封止するように形成される。封止剤６３は、蛍光体を含む透明樹脂をチップ実装部５１ｂの凹部内に充填してコーティングすることにより形成することができる。従って、凹部内に限定して凸形状を有する封止剤６３を形成することができる。蛍光体を含む封止剤６３のコーティングは、図２を参照して既に説明したので、その重複説明は省略する。 【００９１】 封止剤６３は、開口部５６を満たすこともでき、凹部内に封止剤６３を満たした後、開口部５６を透明なモールディング部６５で満たすこともできる。」 （２）「【０１１０】 図２３は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す斜視図であり、図２４（ａ）は、図２３に図示された発光ダイオードの断面図であり、図２４（ｂ）は、図２４（ａ）のＡ部分の拡大図である。 【０１１１】 図２３及び図２４（ａ）、（ｂ）を参照すると、本実施例の発光ダイオードは、発光チップ２、発光チップ２に電源を印加するための第１リード端子１２及び第２リード端子１４、第１リード端子１２及び第２リード端子１４を支持するハウジング２０、及び発光チップ２を保護するように形成された光透過性の封止剤３０を含む。 【０１１２】 図２３に示すように、第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる反射層、及び金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）からなる保護層を含む。 【０１１３】 第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、平板状に形成される。第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、ハウジング３０によって支持された状態で互いに離隔するように形成される。第１リード端子１２及び第２リード端子１４の互いに隣接する端部には、互いに向かって開かれている同じ深さの凹部１２２、１４２が形成される。第１リード端子１２及び第２リード端子１４の凹部１２２、１４２には、その内側に発光チップ２が実装されるカップが形成される。カップの外側に配置される第１リード端子１２及び第２リード端子１４の間の第１ギャップは、第１ギャップの内側に配置される第１リード端子１２及び第２リード端子１４の間の第２ギャップより大きくすることにより、第１リード端子１２及び第２リード端子１４を支持するハウジング２０の支持強度及び耐久性を向上させる。 【０１１４】 ハウジング２０は、凹部１２２、１４２によって形成されたカップの底面を避けて第１リード端子１２及び第２リード端子１４の一部を覆うように形成される。凹部１２２、１４２の底面、又は、カップの底面１２３、１４３は外部に露出する。又、カップの底面１２３、１４３は、ハウジング２０の底面と同一平面に配置することが好ましい。この場合、カップの底面１２３、１４３は、発光チップ２に電源を印加するため、外部の回路基板に電気的に接続されることが好ましい。カップの底面１２３、１４３は、発光チップ２の熱放射を向上するために、比較的に薄い厚さで、かつ広い面積で外部に露出されているので、発光チップ２の熱を外部に放出する機能を果たすことができる。 【０１１５】 第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、それぞれハウジング２０から外部に露出するために凹部１２２、１４２から延長された翼部１２４、１４４を含む。翼部１２４、１４４は、発光チップ２から発生された熱を放出する放熱部として機能する。翼部１２４、１４４は、広い面積で外部に露出しているので、発光チップ２から発生された熱を効果的に放出させることができる。翼部１２４、１４４は、発光チップ２に電源を印加するため、外部の回路基板に電気的に接続されることが好ましい。この場合、カップの底面１２３、１４３は放熱のみを行う。 【０１１６】 発光チップ２は、第１リード端子１２の凹部１２２に実装され、第１リード端子１２と電気的に接続される。発光チップ２と第２リード端子１４の凹部１４２は導電性ワイヤを介して電気的に接続される。 【０１１７】 第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、翼部１２４、１４４に対して凹部１２２、１４２の底面（又は、カップの底面１２３、１４３）に結合される傾斜部を含む。傾斜部は、発光チップ２から放出された光の一部を反射させるための凹部１２２、１４２に関する内壁（slat）である。 【０１１８】 図２４（ｂ）の拡大図に示すように、第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、粗面Ｒを含む。粗面Ｒは、例えば、サンドブラスティング加工のような表面処理加工によって形成される。凹部１２２、１４２の粗面Ｒは、光を散乱させて光の指向角を広くし、光の効率を向上させる。第１リード端子１２及び第２リード端子１４の粗面Ｒは、ハウジング２０によって覆われた凹部１２２、１４２の外側に配置され、ハウジング２０を形成する樹脂に対して第１リード端子１２及び第２リード端子１４の接着性を向上させることができる。 【０１１９】 凹部１２２、１４２によって形成されたカップの内部には、光透過性樹脂からなる封止剤３０が満たされる。例えば、封止剤３０には、シリコン（又は、シリコン樹脂）を主成分とする第１封止部３２と、エポキシ樹脂又は硬質シリコン（又は、シリコン樹脂）を主成分とする第２封止部３４を含む。少なくとも第１封止部３２及び第２封止部３４のうちいずれか１つには分散される蛍光体が含まれる。 【０１２０】 図２５（ａ）は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す断面図であり、図２５（ｂ）は、図２５（ａ）のＡ部分の拡大図である。本発明の他の実施例に係る発光ダイオードは、縦に延長された部分を除いて図２４に示した発光ダイオードの実質的に構成要素は同じであるため、図２２（ａ）及び図２４（ｂ）に示した同一の構成要素と同一の参照符号を用いて、重複説明は省略する。 【０１２１】 図２５（ａ）、（ｂ）を参照すると、第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、凹部１２２、１４２と、（又は、カップの底面１２３、１４３）、凹部１２２、１４２から垂直に延長されカップのベース部５を形成する垂直部と、カップの上部６を形成するために垂直部から延長された傾斜部と、傾斜部から延長された翼部１２４、１４４と、を含む。 【０１２２】 このようにカップは、垂直部及び凹部１２２、１４２によって形成されたベース部５と、傾斜部により形成された上部６とを含む。ベース部５は、第１封止部３２を形成することが容易である。上部６には、光透過性樹脂からなる封止剤３０を順次形成することができる。これによって、レンズ形状をより効果的に形成することができる。」 （３）図１５、図２４及び図２５は次のとおりである。 図１５ ［図：0001382992000010.jpg］ 図２４ ［図：0001382992000011.jpg］ 図２５ ［図：0001382992000012.jpg］ 第５ 対比・判断 １ 本願発明１について （１）対比 本願発明１と引用発明とを対比する。 ア 引用発明の「波長変換層４０」、「発光装置」は、それぞれ本願発明１の「波長変換部」、「発光装置」に相当する。 また、引用発明の「発光素子３」は、「発光素子基板表面に、半導体材料からなる発光層を備える構造を有しており」、「基板２上に設けられている」ものであるから、表面実装型の発光ダイオード素子であると解され、よって、当該「発光素子３」は、本願発明１にいう「発光ダイオードチップ」に相当する。 イ 引用発明において、「反射部材６は、波長変換層４０の側面に接する内壁と、外表面とを有しており、発光素子３は、基板２における内表面に配置されており、発光素子３及び波長変換層４０は、反射部材６の内壁及び基板２の内表面により囲まれる空間に収容されて」いるところ、当該「基板２」及び「反射部材６」は、本願発明１にいう「ハウジング」をなしているといえ、引用発明の「内表面」、「外表面」、「内壁」は、それぞれ本願発明１にいう「第１表面」、「第２表面」、「内壁」に相当する。 そうすると、引用発明は、本願発明１の「内壁を有するハウジング」と、「前記ハウジングのうち前記内壁より内周側の第１表面に配置される発光ダイオードチップ」との構成を有する。 ウ 引用発明において、「波長変換層４０」は、「第一の変換層４１と第二の変換層４２との２層構造とし」たものであり、「変換層４２が発光素子３の表面に、変換層４１が変換層４２の表面に形成されて」いるから、引用発明の「第一の変換層４１」、「第二の変換層４２」は、それぞれ本願発明１の「第２波長変換部」、「第１波長変換部」に相当し、引用発明は、本願発明１の「前記発光ダイオードチップ上に配置される波長変換部」との構成を有し、「前記波長変換部は、前記発光ダイオードチップを覆う第１波長変換部と、前記第１波長変換部を覆う第２波長変換部と、を含」んでいるといえる。 エ 引用発明において、「変換層４１には青色蛍光体５ａおよび緑色蛍光体５ｂが含有され」、「緑色蛍光体５ｂは、５００ｎｍから５６０ｎｍの蛍光を発するもの」であるところ、当該蛍光は、当然、ピーク波長を有することも踏まえると、本願発明１の「前記波長変換部内に分布し、５００ｎｍ～５４０ｎｍの波長範囲内にピーク波長を有する光を放出する第１蛍光体」と引用発明の当該「緑色蛍光体５ｂ」とは、「前記波長変換部内に分布し、」所定の「波長範囲内にピーク波長を有する光を放出する第１蛍光体」である点で共通する。 オ 引用発明において、「変換層４２には黄色蛍光体５ｃおよび赤色蛍光体５ｄが含有されており」、「赤色蛍光体５ｄは、５９０ｎｍから７００ｎｍの蛍光を発するもの」であるところ、当該蛍光は、当然、ピーク波長を有することも踏まえると、本願発明１の「前記波長変換部内に分布し、６００ｎｍ～６５０ｎｍの波長範囲内にピーク波長を有する光を放出する第２蛍光体」と引用発明の当該「赤色蛍光体５ｄ」とは、「前記波長変換部内に分布し、」所定の「波長範囲に属するピーク波長を有する光を放出する第２蛍光体」である点で共通する。 カ 引用発明の「発光素子３」は、「中心波長が３７０ｎｍ～４２０ｎｍの波長範囲の光を発する半導体材料を具備する発光素子」であるところ、当該光は、当然、ピーク波長を有することを踏まえると、本願発明１の「放出する光のピーク波長は４１５ｎｍ～４３０ｎｍの波長範囲内に位置」する「発光ダイオードチップ」と引用発明の当該「発光素子」とは、「放出する光のピーク波長は」所定の「波長範囲内に位置」する点で共通する。 キ 引用発明において、「反射部材６の内壁は、基板２の内表面及び反射部材６の外表面との間において、基板２の内表面及び反射部材６の外表面に対して傾斜しており、第一の変換層４１と第二の変換層４２との境界は、反射部材６の内壁と接触しており、波長変換層４０は、反射部材６の内壁を露出しないように反射部材６の内壁に接触して配置され、反射部材６の外表面には配置され」ないから、引用発明は、本願発明１の「前記波長変換部は、前記内壁を露出しないように前記ハウジングの内壁に接触して配置され、前記内壁の外周側における前記ハウジングの第２表面には配置されず」、「前記内壁は、前記第１表面と前記第２表面との間において、前記第１表面および前記第２表面に対して傾斜し」、「前記第１波長変換部と前記第２波長変換部との境界は、前記傾斜した前記内壁と接触し」との構成を有する。 ク 以上のことから、本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 「内壁を有するハウジングと、 前記ハウジングのうち前記内壁より内周側の第１表面に配置される発光ダイオードチップと、 前記発光ダイオードチップ上に配置される波長変換部と、 前記波長変換部内に分布し、所定の波長範囲内にピーク波長を有する光を放出する第１蛍光体と、 前記波長変換部内に分布し、所定の波長範囲内にピーク波長を有する光を放出する第２蛍光体と、を含み、 前記発光ダイオードチップが放出する光のピーク波長は所定の波長範囲内に位置し、 前記波長変換部は、 前記発光ダイオードチップを覆う第１波長変換部と、 前記第１波長変換部を覆う第２波長変換部と、 を含み、 前記波長変換部は、前記内壁を露出しないように前記ハウジングの内壁に接触して配置され、前記内壁の外周側における前記ハウジングの第２表面には配置されず、 前記内壁は、前記第１表面と前記第２表面との間において、前記第１表面および前記第２表面に対して傾斜し、 前記第１波長変換部と前記第２波長変換部との境界は、前記傾斜した前記内壁と接触し、 前記第１波長変換部は前記第２蛍光体を含有し、 前記第２波長変換部は前記第１蛍光体を含有する、 発光装置。」 【相違点１】 発光ダイオードチップが放出する光のピーク波長が位置する波長範囲が、本願発明１は「４１５ｎｍ～４３０ｎｍ」であるのに対し、引用発明は、「中心波長が３７０ｎｍ～４２０ｎｍの波長範囲の光を発する」ものの、ピーク波長が位置する波長範囲は不明である点。 【相違点２】 第１蛍光体が放出する光のピーク波長が位置する波長範囲が、本願発明１は「５００ｎｍ～５４０ｎｍ」であるのに対し、引用発明は、「５００ｎｍから５６０ｎｍの蛍光を発する」ものの、ピーク波長が位置する波長範囲は不明である点。 【相違点３】 第２蛍光体が放出する光のピーク波長が位置する波長範囲が、本願発明１は「６００ｎｍ～６５０ｎｍ」であるのに対し、引用発明は、「５９０ｎｍから７００ｎｍの蛍光を発する」ものの、ピーク波長が位置する波長範囲は不明である点。 【相違点４】 「波長変換部」の形状につき、本願発明１では、「前記内壁の内周側の領域において凸となる曲面形状の表面を有し」、「前記第１波長変換部は、前記第２波長変換部に覆われる部分において、当該第２波長変換部の側に凸となる曲面形状を有し」ているのに対し、引用発明では、「前記内壁の内周側の領域において平面形状の表面を有し」、「第二の変換層４２は、第一の変換層４１に覆われる部分において平面形状を有し」ている点。 【相違点５】 「波長変換部」の材料につき、本願発明１では、「シリコン系列、エポキシ系列、ＰＭＭＡ系列、ＰＥ系列及びＰＳ系列のうちの少なくとも一つを含み」、「前記第１波長変換部は、前記第２波長変換部よりも硬度が低い」のに対し、引用発明では、「変換層４１」及び「変換層４２」をなす樹脂は、「例えばエポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂、珪素－酸素結合を主体とする高分子樹脂（シリコーン樹脂など）」である点。 （２）判断 ア 事案に鑑みて、波長変換部の形状に係る相違点４について先に検討する。 （ア）引用発明において相違点４に係る構成に至るためには、波長変換部の形状として、「前記内壁の内周側の領域において平面形状の表面を有し」、「第二の変換層４２は、第一の変換層４１に覆われる部分において平面形状を有」する構成（以下「二層平面構成」という。）に代えて、「前記内壁の内周側の領域において凸となる曲面形状の表面を有し」、「前記第１波長変換部は、前記第２波長変換部に覆われる部分において、当該第２波長変換部の側に凸となる曲面形状を有」する構成（以下「二層凸曲面構成」という。）を採用することが必要であるが、その際、本願発明１と引用発明との一致点のうち、波長変換部の形状に係る構成、つまり、「前記波長変換部」は、「前記内壁を露出しないように前記ハウジングの内壁に接触して配置され、」「前記内壁は、前記第１表面と前記第２表面との間において、前記第１表面および前記第２表面に対して傾斜し、前記第１波長変換部と前記第２波長変換部との境界は、前記傾斜した前記内壁と接触」する構成（以下「傾斜内壁非露出構成」）と「前記内壁の外周側における前記ハウジングの第２表面には配置され」ない構成（以下「第２表面非配置構成」という。）の双方を維持する必要がある。 しかしながら、引用文献１及び引用文献２には、傾斜内壁非露出構成は記載されているものの、二層凸曲面構成が記載されておらず、さらに、第２表面非配置構成は、引用文献１には記載されているものの、引用文献２には記載されていないから、これらの引用文献の記載からは、当業者が、引用発明において、二層凸曲面構成を採用しつつ、傾斜内壁非露出構成及び第２表面非配置構成を維持することに容易に至るということはできない。 （イ）上記（ア）の点に関して、原審の補正の却下の決定は、引用文献７に記載されているように、発光素子を封止するモールド部材は多様な形状に形成し得ることから、引用発明の第一の変換層４１の表面と第二の変換層４２の表面とを、引用文献８及び引用文献９（二層凸曲面構成が開示されているといえる。）に記載されているような、外側に凸の曲面形状という周知な形状に置き換えることは、当業者が適宜なし得る事項である旨判断した。 しかしながら、引用発明において、二層平面構成に代えて二層凸曲面構成を採用することができたとしても、その製造上の観点等からみて、傾斜内壁非露出構成と第２表面非配置構成の双方を維持するのが通常であるとは言い難く、むしろ、引用文献８の図４のように、傾斜内壁非露出構成とはしなかったり、引用文献９の図２４のように、第２表面非配置構成とはしなかったりする方が自然であると考えられる。 この点、引用文献９の図２５には、第２表面非配置構成を採用するとともに、内壁を露出しない構成を採用したものが示されているといえるが、当該内壁は、第１表面と第２表面との間において傾斜しているものではないから、傾斜内壁非露出構成には該当しない。さらにいえば、当該内壁の形状に関し、当該引用文献９には、「図２５（ａ）、（ｂ）を参照すると、第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、凹部１２２、１４２と、（又は、カップの底面１２３、１４３）、凹部１２２、１４２から垂直に延長されカップのベース部５を形成する垂直部と、カップの上部６を形成するために垂直部から延長された傾斜部と、傾斜部から延長された翼部１２４、１４４と、を含む。」（【０１２１】）、「このようにカップは、垂直部及び凹部１２２、１４２によって形成されたベース部５と、傾斜部により形成された上部６とを含む。ベース部５は、第１封止部３２を形成することが容易である。上部６には、光透過性樹脂からなる封止剤３０を順次形成することができる。これによって、レンズ形状をより効果的に形成することができる。」（【０１２２】）と記載されており、二層凸曲面構成が採用されているといっても、その製造上の観点等からみて、内壁の形状を垂直部と傾斜部とにより形成する点が示唆されているといえる。そうすると、当該図２５及びそれに関する記載を踏まえたとしても、引用発明において、二層平面構成に代えて二層凸曲面構成を採用する際に、傾斜内壁非露出構成を維持することが通常であるとは言い難い。 そして、引用文献７には、二層凸曲面構成すら記載されていないし、引用文献８及び９のその他の記載をみても、上記判断を左右しない。 （ウ）そうすると、引用発明において、一致点に係る構成を維持しつつ、相違点４に係る本願発明１の構成を採用することは、引用文献７～９に記載された事項を参照しても、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 イ 上記アの判断は、引用文献２～６の記載を参酌しても、左右されることはない。 したがって、本願発明１は、相違点１～３、５について検討するまでもなく、当業者であっても、引用発明及び引用文献２～９に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ２ 本願発明２～８について 本願発明２～８は、本願発明１に従属するものであるから、本願発明１と同じ理由（上記１参照）により、引用発明及び引用文献２～９に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第６ 原査定について 審判請求時の補正により、本願発明１～８は、二層凸曲面構成を有するとともに、傾斜内壁非露出構成及び第２表面非配置構成を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１～６に記載された技術的事項に基づいて、容易に発明をすることができたものとはいえない。したがって、原査定の理由を維持することはできない。 第７ むすび 以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。