2020-009775

第１　手続の経緯

本願は，平成２８年９月２８日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。

第２　令和２年７月１３日にされた手続補正についての補正却下の決定

［補正却下の決定の結論］

令和２年７月１３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。

［理由］

１．本件補正の内容

ア　本件補正は，本件補正前の請求項１～１０を本件補正後の請求項１～６とする補正を含むものであって，具体的には，次の補正事項１を含むものである。

（補正事項１）本件補正前の請求項１～３，６を削除し，本件補正前の請求項４，５，７，８，９，１０を，それぞれ，本件補正後の請求項１，２，３，４，５，６とし，引用する請求項を補正前後で対応するものに補正すること。

イ　本件補正前の請求項４及び本件補正後の請求項１は次のとおりである。（下線は補正箇所を示す。）

（ア）本件補正前の請求項４

「【請求項４】

基板の上に，窒化物半導体により形成された第１の半導体層と，

前記第１の半導体層の上に，ＩｎとＡｌを含む窒化物半導体により形成された第２の半導体層と，

を有し，

ソース電極及びドレイン電極は，前記第２の半導体層の上に接して形成されており，

前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記第２の半導体層の上には酸化膜が形成されており，

ゲート電極は，前記酸化膜の上に形成されており，

前記酸化膜には，酸化アルミニウムが含まれており，

前記第２の半導体層における窒化物半導体は，前記第２の半導体層の前記基板側は第１のＩｎ組成比を有し，前記第２の半導体層の前記基板側の反対側の領域は前記第１のＩｎ組成比よりも小さいＩｎ組成比である第２のＩｎ組成比を有し，

前記第２のＩｎ組成比を有する領域におけるＮの組成比は，前記第１のＩｎ組成比を有する領域におけるＮの組成比よりも大きいことを特徴とする半導体装置。」

（イ）本件補正後の請求項１

「【請求項１】

基板の上に，窒化物半導体により形成された第１の半導体層と，

前記第１の半導体層の上に，ＩｎとＡｌを含む窒化物半導体により形成された第２の半導体層と，を有し，

ソース電極及びドレイン電極は，前記第２の半導体層の上に接して形成されており，

前記ソース電極の端から前記ドレイン電極の端に渡って，前記第２の半導体層の上には酸化膜が形成されており，

ゲート電極は，前記酸化膜の上に形成されており，

前記酸化膜には，酸化アルミニウムが含まれており，

前記第２の半導体層における窒化物半導体は，前記第２の半導体層の前記基板側は第１のＩｎ組成比を有し，前記第２の半導体層の前記基板側の反対側の領域は前記第１のＩｎ組成比よりも小さいＩｎ組成比である第２のＩｎ組成比を有し，

前記第２のＩｎ組成比を有する領域におけるＮの組成比は，前記第１のＩｎ組成比を有する領域におけるＮの組成比よりも大きいことを特徴とする半導体装置。」

ウ　そして，補正前の請求項４を補正後の請求項１とする本件補正は，以下の補正事項を含むものである。

（補正事項２）本件補正前の請求項４の「前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記第２の半導体層の上には酸化膜が形成されており」を，本件補正後の請求項１の「前記ソース電極の端から前記ドレイン電極の端に渡って，前記第２の半導体層の上には酸化膜が形成されており」に補正すること。

エ　また，本件補正のうち，補正前の請求項７を補正後の請求項３とする補正は，以下の補正事項を含むものである。

（補正事項３）本件補正前の請求項７の

「前記酸化膜の上に，ゲート電極を形成する工程と，

を有し，」

を，本件補正後の請求項３の

「前記酸化膜の上に，ゲート電極を形成する工程と，

を有し，

前記酸化膜は，前記ソース電極の端から前記ドレイン電極の端に渡って形成されており，」

と補正すること。

２．新規事項追加の有無及び補正目的の適否について

上記補正事項１～３について，新規事項追加の有無及び補正目的の適否を検討する。

ア　補正事項１は，補正前の請求項１～３，６の削除を目的とするものに該当する。そして，補正事項１は本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内でしたものである。

イ　補正事項２は，補正前の請求項４に対し，「酸化膜」の位置について，「前記ソース電極と前記ドレイン電極との間」との事項を「前記ソース電極の端から前記ドレイン電極の端に渡って」と限定するものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮に該当する。そして，補正事項２は当初明細書等の段落００３６及び図１０の記載に基づくものである。

ウ　補正事項３は，補正前の請求項７に対し，「前記酸化膜は，前記ソース電極の端から前記ドレイン電極の端に渡って形成されており」との限定を付加するものであるから，特許請求の範囲の限定的減縮に該当する。そして，補正事項３は当初明細書等の段落００３６及び図１０の記載に基づくものである。

以上ア～ウのとおり，上記補正事項１～３は，特許法１７条の２第３項の規定に適合し，同法１７条の２第５項１号及び２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。

３．独立特許要件について

上記２．のとおり，補正前の請求項４を補正後の請求項１とする本件補正は，特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含んでいる。そこで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下でさらに検討する。

３．１　本件補正後の請求項１に係る発明

本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明１」という。）は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１（上記１．イの（イ））に記載されたとおりのものである。

３．２　引用例の記載

（１）引用例１の記載

ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１６－１６２８８９号公報（以下「引用例１」という。）には，図４とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加。以下同じ。）

「【００１５】

（半導体装置） 次に，本実施の形態における半導体装置について図４に基づき説明する。本実施の形態における半導体装置は，図４に示すように，基板１０の上に，不図示のバッファ層，ｉ－ＧａＮにより形成された電子走行層２１，ＡｌＮにより形成された中間層２２，ＩｎＡｌＮにより形成された電子供給層２３が積層されている。電子供給層２３の上には，ソース電極３２及びドレイン電極３３が形成されており，ゲート電極３１が形成される領域の直下における電子供給層２３の表面には，電子供給層２３を形成している材料を酸化することにより形成された酸化膜５０が形成されている。電子供給層２３及び酸化膜５０の上には，Ａｌ２Ｏ３等によりゲート絶縁膜となる絶縁膜６０が形成されており，酸化膜５０が形成されている領域の絶縁膜６０の上には，ゲート電極３１が形成されている。尚，ソース電極３２及びドレイン電極３３は，電子走行層２１の上に形成されていてもよく，中間層２２の上に形成されていてもよい。」

「【００４６】

最初に，図１２（ａ）に示すように，基板１０の上に，ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）によるエピタキシャル成長により，不図示のバッファ層，電子走行層２１，中間層２２，電子供給層２３を順次積層して形成する。尚，本実施の形態においては，不図示のバッファ層，電子走行層２１，中間層２２，電子供給層２３を窒化物半導体層と記載する場合がある。電子走行層２１は厚さが約３μｍのｉ－ＧａＮにより形成されており，中間層２２は厚さが約１ｎｍのｉ－ＡｌＮにより形成されており，電子供給層２３は厚さが約１０ｎｍのｉ－Ｉｎ０．１７Ａｌ０．８３Ｎにより形成されている。これにより，電子走行層２１と中間層２２との界面近傍における電子走行層２１には，２ＤＥＧ２１ａが生成される。尚，基板１０には，半絶縁性のＳｉＣ基板が用いられており，不図示のバッファ層は，ＧａＮやＡｌＧａＮ等により形成されている。」

「【００４８】

次に，図１２（ｃ）に示すように，電子供給層２３の上に，ソース電極３２及びドレイン電極３３が形成される領域に開口部７１ａ，７１ｂを有するレジストパターン７１を形成した後，開口部７１ａ，７１ｂにおける電子供給層２３の表面の一部を除去する。具体的には，電子供給層２３の上に，フォトレジストを塗布し，露光装置による露光，現像を行うことにより。ソース電極３２及びドレイン電極３３が形成される領域に開口部７１ａ，７１ｂを有するレジストパターン７１を形成する。この後，ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等により，レジストパターン７１が形成されていない領域，即ち，レジストパターン７１の開口部７１ａ，７１ｂにおいて露出している電子供給層２３の表面の一部を除去する。この際行われるＲＩＥにおいては，エッチングガスとして，塩素成分を含むガスが用いられる。

【００４９】

次に，図１３（ａ）に示すように，レジストパターン７１を有機溶剤等により除去した後，ソース電極３２及びドレイン電極３３が形成される領域に開口部７２ａ，７２ｂを有するレジストパターン７２を形成する。具体的には，レジストパターン７１を有機溶剤等により除去した後，電子供給層２３の上に，再度，フォトレジストを塗布し，露光装置による露光，現像を行う。これにより，ソース電極３２及びドレイン電極３３が形成される領域に開口部７２ａ，７２ｂを有するレジストパターン７２を形成する。レジストパターン７２は，図に示すように，２層のレジスト層を積層することにより形成されていてもよい。

【００５０】

次に，図１３（ｂ）に示すように，レジストパターン７２が形成されている面に，真空蒸着により，Ｔｉ／Ａｌからなる金属多層膜８１を成膜する。具体的には，レジストパターン７２が形成されている面に，真空蒸着によりＴｉ膜を成膜し，成膜されたＴｉ膜の上にＡｌ膜を成膜する。本実施の形態においては，成膜されるＴｉ膜の膜厚は約２０ｎｍであり，Ａｌ膜の膜厚は約２００ｎｍである。

【００５１】

次に，図１３（ｃ）に示すように，有機溶剤等に浸漬させることにより，レジストパターン７２の上に形成されている金属多層膜８１をレジストパターン７２とともに，リフトオフにより除去する。これにより，レジストパターン７２の開口部７２ａ，７２ｂが形成されていた領域において残存している金属多層膜８１により，ソース電極３２及びドレイン電極３３が形成される。この後，５５０℃の温度で熱処理を行うことにより，電子供給層２３とソース電極３２及びドレイン電極３３との間におけるオーミックコンタクトを確立させる。」

「【００５８】

次に，図１６（ａ）に示すように，電子供給層２３，酸化膜５０，ソース電極３２及びドレイン電極３３等の上に，ゲート絶縁膜となる絶縁膜６０を形成する。具体的には，電子供給層２３，酸化膜５０，ソース電極３２及びドレイン電極３３等の上に，ＡＬＤ（Atomic Layer. Deposition）により，膜厚が約２ｎｍのＡｌ２Ｏ３膜を成膜することにより，ゲート絶縁膜となる絶縁膜６０を形成する。絶縁膜６０をＡＬＤにより形成する際には，原料ガスとして，例えば，ＴＭＡ，Ｈ２Ｏ等が用いられ，基板温度３００℃で成膜を行う。」

引用例１の図４として以下の図面が示されている。

イ　以上の摘記を整理すると，引用例１には以下の事項が記載されているものと理解できる。

ａ　基板１０の上に，ｉ－ＧａＮにより形成された電子走行層２１，ＡｌＮにより形成された中間層２２，ＩｎＡｌＮにより形成された電子供給層２３が積層されていること。（段落００１５，図４）

・電子走行層２１，中間層２２，電子供給層２３がＭＯＶＰＥによるエピタキシャル成長により順次積層して形成されていること。（段落００４６）

ｂ　電子供給層２３の上の，表面が一部除去された領域にソース電極３２及びドレイン電極３３が形成されていること。（段落００１５，００４８～００５１，図４）

ｃ　ゲート電極３１が形成される領域の直下における電子供給層２３の表面には，電子供給層２３を形成している材料を酸化することにより形成された酸化膜５０が形成されていること。（段落００１５，図４）

ｄ　電子供給層２３，酸化膜５０，ソース電極３２及びドレイン電極３３の上にＡｌ２Ｏ３を成膜することにより，ゲート絶縁膜となる絶縁膜６０が形成されていること。（段落００１５，００５８，図４）

ｅ　酸化膜５０が形成されている領域の絶縁膜６０の上には，ゲート電極３１が形成されていること。（段落００１５，図４）

ウ　上記ａ～ｅによれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。

「基板１０の上に，ＭＯＶＰＥによるエピタキシャル成長により順次積層された，ｉ－ＧａＮにより形成された電子走行層２１，ＡｌＮにより形成された中間層２２，ＩｎＡｌＮにより形成された電子供給層２３と，

電子供給層２３の上の，表面が一部除去された領域に形成された，ソース電極３２及びドレイン電極３３と，

ゲート電極３１が形成される領域の直下における電子供給層２３の表面に，電子供給層２３を形成している材料を酸化することにより形成された酸化膜５０と，

電子供給層２３，酸化膜５０，ソース電極３２及びドレイン電極３３の上にＡｌ２Ｏ３を成膜することにより形成されたゲート絶縁膜となる絶縁膜６０と，

酸化膜５０が形成されている領域の絶縁膜６０の上に形成されたゲート電極３１と，

を有する半導体装置。」

（２）引用例２の記載

原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１６－１４３８２４号公報（以下「引用例２」という。）には，次の記載がある。

「【００３３】

キャリア供給層を構成するＩｎＡｌＮ中のＩｎは熱の影響で離脱しやすい。そこで，本願発明者はＩｎＡｌＮからのＩｎの離脱の程度とリーク電流との関係を１次元シミュレーションにより導き出した。この１次元シミュレーションでは，厚さが１０ｎｍのＩｎ0.17Ａｌ0.83Ｎ層上に金属膜があるとし，これらの界面におけるショットキーバリア高さを２ｅＶとした。そして，厚さ方向の中心，つまり界面からの深さが５ｎｍの位置におけるＩｎ組成が０．１７に保持され，界面におけるＩｎ組成が０．１７から低下したとして，その低下量とリーク電流との関係を求めた。この結果を図１１に示す。図１１に示すように，Ｉｎ組成の低下量が大きいほど，大きなリーク電流が流れる。特に，Ｉｎ組成の低下量が２％を超えると，つまり，表面のＩｎ組成が０．１５未満となると，リーク電流が著しく増加する。このため，キャリア供給層の厚さ方向の中心におけるＩｎ組成が０．１７の場合，表面におけるＩｎ組成の低下量は２％以下，つまり表面におけるＩｎ組成は０．１５以上であることが好ましい。成膜後にキャリア供給層の表面からＩｎが離脱したとしても，厚さ方向の中心におけるＩｎ組成はキャリア供給層の成膜時からほとんど変化しない。従って，キャリア供給層の厚さ方向の中心におけるＩｎ組成が０．１７の場合に表面におけるＩｎ組成の低下量が２％以下であることが好ましいことは，表面におけるＩｎ組成が中心におけるＩｎ組成の９０％以上であることが好ましいことと実質的に同義である。」

「【００３５】

先ず，図１２（ａ）に示すように，基板１０１上に，初期層１０２，バッファ層１０３，チャネル層１０４，スペーサ層１０５及びキャリア供給層１０６を形成する。初期層１０２，バッファ層１０３，チャネル層１０４，スペーサ層１０５及びキャリア供給層１０６は，例えばＭＯＣＶＤ法又は分子線エピタキシー（molecular beam epitaxy：ＭＢＥ）法等の結晶成長法により形成することができる。原料ガスとして，例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガス，トリメチルガリウム（ＴＭＧ）ガス，トリメチルインジウム（ＴＭＩ）ガス及びアンモニア（ＮＨ3）ガスの混合ガスを用い，キャリアガスとして窒素（Ｎ2）ガスを用いる。形成しようとする化合物半導体層に応じて，ＴＭＡガス，ＴＭＧガス及びＴＭＩガスの供給の有無並びに流量を適宜設定する。ＮＨ3ガスの供給量は，例えば１００ｃｃｍ（cubic centimeter per minute）～１０Ｌｍ（liter per minute）程度とする。成長圧力は５０Ｔｏｒｒ～３００Ｔｏｒｒ程度とし，成長温度は１０００℃～１２００℃程度とする。」

「【００３９】

ここで，キャリア供給層１０６の形成する際の条件について詳細に説明する。キャリア供給層１０６を形成する際には，成長圧力は５０Ｔｏｒｒ～２００Ｔｏｒｒ（例えば５０Ｔｏｒｒ程度）とし，成長温度は６５０℃～８００℃（例えば７５０℃程度）とし，成長レートは２ｎｍ／ｍｉｎ以下（例えば１ｎｍ／ｍｉｎ程度）とする。また，キャリア供給層１０６を形成する際には，Ｖ／ＩＩＩ比を４０００～８０００（例えば６０００程度）とし，ＮＨ3ガスの供給量ＱNH3に対するＮ2ガスの供給量ＱN2の割合（ＱN2／ＱNH3）は０．１～０．３（例えば０．２程度）とする。このような条件で形成されたキャリア供給層１０６の表面の算術平均粗さＲａ及び凹凸の周期は，それぞれ０．４ｎｍ以下，５０ｎｍ以上となる。

【００４０】

成長圧力が５０Ｔｏｒｒ未満では，成膜チャンバ内で放電が生じることがある。成長圧力が２００Ｔｏｒｒ超では，トリメチルアルミニウムがアンモニアと反応して，所望の組成を得ることが困難である。成長温度が６５０℃未満では，算術平均粗さＲａが０．４超になったり，凹凸の周期が５０ｎｍ未満になったりする。炭素濃度が３×１０18ｃｍ-3超になることもある。成長温度が８００℃超では，十分なＩｎ組成を得ることが困難である。例えば，Ｉｎ0.17Ａｌ0.83Ｎ層を形成することが困難である。成長レートが２ｎｍ／ｍｉｎ超では，算術平均粗さＲａが０．４超になったり，凹凸の周期が５０ｎｍ未満になったりする。炭素濃度が３×１０18ｃｍ-3超になることもある。Ｖ／ＩＩＩ比が４０００未満では，炭素濃度が３×１０18ｃｍ-3超になりやすい。Ｖ／ＩＩＩ比が８０００超では，算術平均粗さＲａが０．４超になったり，凹凸の周期が５０ｎｍ未満になったりする。割合（ＱN2／ＱNH3）が０．１未満では，算術平均粗さＲａが０．４超になったり，凹凸の周期が５０ｎｍ未満になったりする。割合（ＱN2／ＱNH3）が０．３超では，炭素濃度が３×１０18ｃｍ-3超になりやすい。」

【００４１】

キャリア供給層１０６を形成してからソース電極１１０ｓ，ドレイン電極１１０ｄ及びゲート電極１１０ｇの形成が完了するまでの間，キャリア供給層１０６の温度はキャリア供給層１０６の成長温度以下に維持することが好ましい。保護膜及び配線等を形成する場合，その間もキャリア供給層１０６の温度をその成長温度以下に維持することが好ましい。例えば，特許文献１に記載された方法のようにキャリア供給層の形成後にキャリア供給層の温度を成長温度より高くすると，キャリア供給層１０６からＩｎが離脱し，リーク電流が大きくなってしまう。また，昇温に伴って凹凸の周期が消失し，原子配列が変化し，原子の再配列に伴うリークパスが生じてリーク電流が大きくなってしまう。更に，表面電子トラップの存在によりＨＥＭＴの電流が不安定になることもある。」

３．３　補正発明１と引用発明１の対比

補正発明１と引用発明１とを比較する。

ア　引用発明１の「基板１０」が補正発明１の「基板」に相当し，以下同様に，「ｉ－ＧａＮにより形成された電子走行層２１」が「窒化物半導体により形成された第１の半導体層」に，「ＩｎＡｌＮにより形成された電子供給層２３」が「ＩｎとＡｌを含む窒化物半導体により形成された第２の半導体層」に，「ソース電極３２」及び「ドレイン電極３３」が「ソース電極及びドレイン電極」に，それぞれ相当する。

イ　引用発明１における「ソース電極３２」及び「ドレイン電極３３」は，「電子供給層２３の上の，表面が一部除去された領域に形成」されているから，補正発明１と引用発明１は，ともに「ソース電極及びドレイン電極は，前記第２の半導体層の上に接して形成されて」いる点で一致する。

ウ　引用発明１の「ゲート絶縁膜となる絶縁膜６０」は「Ａｌ２Ｏ３を成膜することにより形成された」絶縁膜であるから，補正発明１の「酸化膜」に相当し，両者はともに「酸化アルミニウムが含まれている」点で一致する。

エ　引用発明１における「ゲート電極３１」は補正発明１における「ゲート電極」に相当し，両者はともに「前記酸化膜の上に形成されて」いる点で一致する。

オ　引用発明１の「ゲート絶縁膜となる絶縁膜６０」は，「電子供給層２３，酸化膜５０，ソース電極３２及びドレイン電極３３の上にＡｌ２Ｏ３を成膜することにより形成された」膜であるから，補正発明１の「酸化膜」と引用発明１の「ゲート絶縁膜となる絶縁膜６０」は，ともに「前記ソース電極の端から前記ドレイン電極の端に渡って，前記第２の半導体層の上に」形成されている点で一致する。

以上のア～オによれば，補正発明１と引用発明１の一致点及び相違点は，以下のとおりである。

＜一致点＞

「基板の上に，窒化物半導体により形成された第１の半導体層と，

前記第１の半導体層の上に，ＩｎとＡｌを含む窒化物半導体により形成された第２の半導体層と，を有し，

ソース電極及びドレイン電極は，前記第２の半導体層の上に接して形成されており，

前記ソース電極の端から前記ドレイン電極の端に渡って，前記第２の半導体層の上には酸化膜が形成されており，

ゲート電極は，前記酸化膜の上に形成されており，

前記酸化膜には，酸化アルミニウムが含まれていることを特徴とする半導体装置」

である点。

＜相違点＞

補正発明１では

「前記第２の半導体層における窒化物半導体は，前記第２の半導体層の前記基板側は第１のＩｎ組成比を有し，前記第２の半導体層の前記基板側の反対側の領域は前記第１のＩｎ組成比よりも小さいＩｎ組成比である第２のＩｎ組成比を有し，

前記第２のＩｎ組成比を有する領域におけるＮの組成比は，前記第１のＩｎ組成比を有する領域におけるＮの組成比よりも大きい」

のに対し，引用発明１では，「ＩｎＡｌＮにより形成された電子供給層２３」の基板側及び基板側の反対側の領域におけるＩｎ組成比及びＮの組成比について特定されていない点。

３．４　相違点についての判断

ＩｎＡｌＮ半導体層のＩｎが高温により脱離しやすいことは，引用例２の段落００３３，００４１にも記載されているように，当業者の技術常識である。

また，引用例２の段落００３５，００３９～００４０にも記載されているように，ＩｎＡｌＮ半導体層のＭＯＣＶＤによる結晶成長は，６５０℃～８００℃，例えば７５０℃の成長温度で行われることが技術常識であり，この点は，「電子供給層２３は，約７５０℃の成長温度でエピタキシャル成長させることにより形成されている。」（本願明細書段落００２５）とする本願も同様である。

以上の技術常識に照らすと，「ＭＯＶＰＥによるエピタキシャル成長により順次積層された」半導体層である，引用発明１の「ＩｎＡｌＮにより形成された電子供給層２３」も，ＩｎＡｌＮの一般的な成長温度である６５０℃～８００℃，例えば７５０℃の成長温度でエピタキシャル成長された層であり，当然に，その表面近傍においてＩｎの脱離が生じている半導体層であると理解できる。そうすると，引用発明１における「ＩｎＡｌＮにより形成された電子供給層２３」は，

「前記第２の半導体層の前記基板側は第１のＩｎ組成比を有し，前記第２の半導体層の前記基板側の反対側の領域は前記第１のＩｎ組成比よりも小さいＩｎ組成比である第２のＩｎ組成比を有し，

前記第２のＩｎ組成比を有する領域におけるＮの組成比は，前記第１のＩｎ組成比を有する領域におけるＮの組成比よりも大きい」

との構成を備えるものと認められる。

したがって，上記の相違点は実質的な相違点ではなく，補正発明１と引用発明１は構成上の差異を有さないから，補正発明１は引用発明１と同一である。

３．５　独立特許要件についてのまとめ

上記３．４のとおり，補正発明１は引用例１に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

４　補正却下の決定についてのまとめ

以上のとおり，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しないものであるから，特許法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。

よって，上記補正却下の決定の結論のとおり決定する。

第３　本願発明について

１．本願発明

令和２年７月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１～１０に係る発明は，令和２年３月２３日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された事項により特定されるものであり，そのうちの請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は，上記第２，１．イの（ア）に本件補正前の請求項４として摘記したとおりのものである。

２．原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由のうち理由１は，この出願の請求項１～６，９～１０に係る発明は，下記の引用例２に示される技術常識に照らし，下記の引用例１に記載された発明と同一であるから，特許法２９条１項３号に該当し特許を受けることができない，というものである。

引用例１．特開２０１６－１６２８８９号公報

引用例２．特開２０１６－１４３８２４号公報

３．引用例の記載

原査定の拒絶の理由１で引用された引用例１～２の記載は，上記第２の３．２に記載したとおりである。

４．対比・判断

上記第２の２．で検討したように，補正発明１は，本件補正前の請求項４について，上記第２の１．ウに示した補正事項２の点を限定したものである。

そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをさらに限定したものである補正発明１が，上記第２の３．で示した理由のとおり引用発明１と同一であるから，本願発明も，同様の理由により引用発明１と同一である。

５．本願発明についての結論

したがって，本願発明は，引用例１に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができない。

第４　結言

以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。

よって，結論のとおり審決する。