2020-007342

特願２０１５－２４７９７０「ＳｉＣシード及びＳｉＣインゴット」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年 ６月２２日出願公開、特開２０１７－１０９９１２、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。

結 論 原査定を取り消す。 本願の発明は、特許すべきものとする。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成２７年１２月１８日の出願であって、平成３１年３月６日付けで拒絶理由が通知され、令和１年５月９日に意見書の提出及び手続補正がされ、同年８月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１７日に意見書の提出及び手続補正がされたが、令和２年３月６日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年５月２９日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がされたものである。 第２ 令和２年５月２９日付けの手続補正についての補正却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 令和２年５月２９日付けの手続補正を却下する。 ［理由］ （１）本件補正の内容 令和２年５月２９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、請求項１について、 「第１の螺旋転位発生ラインは、チップ化する際のダイシングラインに沿って形成されている」 という発明特定事項を付加導入する補正を含むものである。 （２）新規事項の追加の有無について チップ化する際のダイシングラインについて、本願明細書の段落【００１９】に、 「本発明者らは、ＳｉＣウェハから半導体デバイスを作製する際に、ＳｉＣウェハを分断しチップ化する点に注目した。そして、螺旋転位をチップ化する際のダイシングラインに沿って導入することで、切断後に得られる半導体デバイス内の実質的な品質を高めることができることを見出した。」 の記載がある。 この記載において、ダイシングラインに沿って螺旋転位が形成される対象は、「分断しチップ化する」ところの、「ＳｉＣウェハ」である。 一方、請求項１に記載された「ＳｉＣシード」は、ＳｉＣのバルク単結晶であるインゴットを育成する際に初晶として用いられる種結晶であり、ＳｉＣのインゴットから形成される「ＳｉＣウェハ」ではない。 そして、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面のいずれにも、「ＳｉＣシード」自体をダイシングしてチップ化することは記載されているとはいえず、そのことが自明な事項でもない。 そうすると、「ＳｉＣシード」について、「第１の螺旋転位発生ラインは、チップ化する際のダイシングラインに沿って形成されている」との発明特定事項を付加導入する上記補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものということはできない。 （３）まとめ したがって、この補正を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３ 本願発明について 第２のとおり、本件補正は却下されたから、本願の請求項１ないし１３に係る発明は、令和１年１０月１７日付けで手続補正がされた特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。 そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり審決する。