2020-005931

第２　本願発明

本願の請求項１～１２に係る発明は，令和３年１月２８日に提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１２に記載された事項により特定されるものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，以下のとおりのものと認められる。

「【請求項１】

表面に配線が形成される半導体基板の裏面に配置される受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する複数の光電変換部と，

前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して１つずつ設けられた少なくとも３色のカラーフィルタと，

前記カラーフィルタと前記光電変換部との間に，複数の前記光電変換部の境界に沿うように形成された遮光膜と，

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互いに隣接する前記カラーフィルタの間に，これらカラーフィルタと異なる色のカラーフィルタのいずれかと同色の色材を含有して形成された隔壁部と，

前記複数の光電変換部毎に配置されて前記カラーフィルタを介して入射光を前記光電変換部に集光する凸レンズ形状のマイクロレンズと，

互いに屈折率が異なる複数の膜が積層された構成からなり，反射防止膜として機能する，前記半導体基板の光電変換部が臨む裏面上に形成された層間絶縁膜と，

前記層間絶縁膜と前記遮光膜の上に形成された平坦化膜と，

を備え，

前記複数のマイクロレンズは，前記凸レンズ部分において隣接するマイクロレンズの端面同士が前記隔壁部の近傍において接する

固体撮像装置。」

第３　当審拒絶理由の概要

当審による令和２年１１月２７日付け拒絶理由通知書の拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という）は，この出願の請求項１～１２に係る発明は，本願の原出願の出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１～４に記載された発明に基づいて，その出願日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。

第４　引用例の記載と引用発明１

１．引用例１について

（１）引用例１の記載

当審拒絶理由で引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例１（特開２０１２－７４５２１号公報）には，図１２とともに次の記載がある。（下線は当審による。以下同じ。）

【００２８】

＜２．第１実施形態＞

［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（１）］

第１実施形態の製造方法を説明するに先立ち，本第１実施形態の製造方法を適用して作製されるＷ市松配列の固体撮像装置における光フィルタの配列を説明する。図２は，光フィルタのＷ市松配列の配列状態を示す平面図である。

【００２９】

以下の第１～第４実施形態の製造方法を適用して作製されるＷ市松配列の固体撮像装置は，光電変換部上の光フィルタとして，赤色領域から青色領域までの光を透過する光フィルタ，つまり無色透明な光フィルタ（白色フィルタＷと記す）を用いている。これらの白色フィルタＷは，基板の表面側に配列された複数の光電変換部のうち，行方向および列方向のそれぞれに１つ置きに配置された光電変換部上に市松配列され，それぞれが独立した島状のパターンとして設けられている。

【００３０】

市松配列された白色フィルタＷ－白色フィルタＷ間には，一行置きに緑色領域の光を透過する光フィルタ（緑色フィルタＧと記す）が配置されている。さらに残りの白色フィルタＷ－白色フィルタＷ間には，赤色領域の光を透過する光フィルタ（赤色フィルタＲと記す）と，青色領域の光を透過する光フィルタ（青色フィルタＢと記す）とが，行方向に交互に配置されている。これらの緑色フィルタＧ，赤色フィルタＲ，および青色フィルタＢは，それぞれが独立した島状のパターンとして白色フィルタＷ間に市松配列されている。」

「【００８１】

＜５．第４実施形態＞

［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（４）

第４実施形態の製造方法は，第１実施形態および第２実施形態と同様に図２を用いて説明した光フィルタがＷ市松配列である固体撮像装置の製造方法の第４例であり，以下基板側から順に製造方法を説明する。

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【００８２】

先ず第１実施形態において図３を用いて説明したと同様に，基板１１の表面側に，光電変換部２１，配線２３を含む配線層２５，層内レンズ２７，および平坦化絶縁膜２９を形成するまでを行う。

【００８３】

次に，図１０（１）に示すように，平坦化絶縁膜２９上において，各画素２の周縁に相当する位置で，光電変換部２１を囲む周囲に反射膜５１をパターン形成する。この反射膜５１は，例えばアルミニウム等の光反射性の高い材料を用いて形成すれば良い。

【００８４】

次に，図１０（２）に示すように，反射膜５１が形成された平坦化絶縁膜２９上を，必要に応じてさらに絶縁膜５３で覆う。この絶縁膜５３は，必要に応じて表面平坦に形成する。

【００８５】

その後，絶縁膜５３上に，それぞれ独立した島状の赤色フィルタＲ，青色フィルタＢ，およびここでの図示を省略した緑色フィルタＧを，第１パターンとして目的とする画素２上に市松配列させた状態で順次形成する。この際，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの縁部が反射膜５１上に配置されるように，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇをパターニングする。このような各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇは，各色の顔料または染料を含有するフォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い，フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。ただし，図２を参照し，平面視した状態での緑色フィルタＧの四隅と，赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢの四隅とは，これらの各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば，互いに接合されていても良い。」

「【００９６】

以上により，第４実施形態の固体撮像装置１-4が得られる。ここで得られた固体撮像装置１-4は，第１実施形態と同様に，基板１１の表面側に配列された光電変換部２１上に対応して，独立した島状の第1パターンとして色フィルタＲ，Ｂ，Ｇが市松配列されている。さらにこれらの色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に，独立した島状の第２パターンとして白色フィルタＷが配置されたものとなる。また白色フィルタＷと各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には，これらのフィルタよりも屈折率の高い材料からなる混色防止膜５５が挟持された構成となる。

【００９７】

図１２には，本第４実施形態で得られた固体撮像装置１-4の要部を拡大した断面構成図を示す。この図に示すように，固体撮像装置１-4に入射した光ｈは，オンチップレンズ５７ａで集光され，各オンチップレンズ５７ａの下方に配置された各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇに入射される。このうち，オンチップレンズ５７ａで集光されて斜め方向から光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇに入射した光ｈは，光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇ間に挟持された高屈折率の混色防止膜５５の界面において，入射角度を基板１１の面に対してより垂直な方向に変化させる。また，混色防止膜５５内に入射した光は，混色防止膜５５と光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇとの界面において反射され，混色防止膜５５内で多重反射され，さらに下層の反射膜５１で反射され，オンチップレンズ５７ａ側から放出される。これにより，例えば白色フィルタＷに対して斜め方向から入射した光ｈが，隣接して配置された青色フィルタＢの下方の光電変換部２１に入射することが防止される。したがって，例えば青色フィルタＢ下方の光電変換部２１に対して，白色フィルタＷの画素に入射した光が斜め方向から入射して，これにより青色領域を外れた波長領域の受光出力が青色フィルタＢの画素から検出される，いわゆる「裾うき」を防止することができる。以上により，本第４実施形態で得られた構成の固体撮像装置１-4は，混色が防止され画質の向上を図ることが可能になる。」

「【０１３３】

また以上の実施形態においては，光電変換部２１が設けられた基板１１の面上に，読出電極等の配線２３を設け，この上方に第１パターンおよび第２パターンとなる各色の光フィルタおよび混色防止膜を設けた固体撮像装置に本発明を適用した場合を説明した。しかしながら本発明は，光電変換部２１とは反対側の基板１１の面上に読出電極等の配線２３を設けた，いわゆる裏面照射型の固定撮像装置への適用も可能である。このような裏面照射型の固体撮像装置であれば，配線２３が形成された面とは反対側の基板１１の面が，光電変換部２１の受光面となり，この面上に第１パターンおよび第２パターンとなる各色の光フィルタおよび混色防止膜が設けられる。したがって，基板１１に光電変換部２１を形成した後であれば，読出電極等の配線２３の形成に依存せずに，上述した各実施形態の手順にしたがって第１パターンとなる光フィルタを形成，混色防止膜の形成，第２パターンとなる光フィルタの形成を行えば良い。また，第１パターン，混色防止膜，および第２パターン形成後には，これらの上部にオンチップを形成する。尚，第１パターンの形成前には，必要に応じて層内レンズの形成が行われる。」

引用例１の図１２として，以下の図面が示されている。

（３）引用発明１

上記（２）ア～ケの事項によれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。

「配線２３が形成された面とは反対側の基板１１の面を受光面とする光電変換部２１と，

光電変換部２１上に設けられた平坦化絶縁膜２９と，当該平坦化絶縁膜２９上において，各画素の周縁に相当する位置で，光電変換部２１を囲む周囲にパターン形成された反射膜５１と，

反射膜５１が形成された平坦化絶縁膜２９上を覆って表面平坦に形成された絶縁膜５３と，

絶縁膜５３上に形成され，複数の光電変換部２１に対応して設けられた白色フィルタＷ及び各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂと，

白色フィルタＷと各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂとの間に挟持され，これらのフィルタよりも屈折率の高い材料から成る混色防止膜５５と，

白色フィルタＷ及び各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂの上方に設けられ，固体撮像装置に入射した光を集光して下方に配置された白色フィルタＷ及び各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂに入射させるオンチップレンズ５７ａと，

を備えた，

固体撮像装置。」

２．引用例２について

当審拒絶理由で引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例２（特開２００５－３４０２９９号公報）には，図１，３とともに，次の記載がある。

「【００１１】

本発明は，この問題に鑑み，斜め光による隣接画素からの混色を防止可能なオンチップフィルタを有する固体撮像装置を，より簡単な製造工程によって提供することを目的とする。」

「【００１５】

本発明にかかる固体撮像装置は，半導体基板と，前記半導体基板にマトリクス状に形成された受光素子と，前記受光素子の上層に形成され，３色以上のカラーフィルタから構成されるカラーフィルタ層とを有する固体撮像装置であって，前記カラーフィルタ層において，２色のカラーフィルタが隣接する画素境界部の少なくとも一部に，当該２色とは異なる色のカラーフィルタ壁を有する構成である。

【００１６】

この構成によれば，ある画素のカラーフィルタを透過した斜め光がカラーフィルタ壁に入射すると，カラーフィルタとカラーフィルタ壁の色が互いに異なるので，斜め光が打ち消される効果が生じる。これにより，斜め光による隣接画素からの混色を防止することができる。従来のような黒色の遮光膜が不要であるため，製造工程が簡略化され，より低コストな固体撮像装置を提供できる。」

「【００２５】

（実施の形態１）

本発明の一実施形態にかかる固体撮像装置について以下に説明する。なお，ここでは，一実施形態としてＣＣＤ固体撮像装置を例示するが，本発明はＣＣＤ固体撮像装置に限らず，ＭＯＳ型固体撮像装置等にも適用可能である。

【００２６】

本実施形態にかかる固体撮像装置は，図１に示すような，縦２×横２の４画素のうち対角線上の２画素にＧのカラーフィルタ４，残りの２画素のうち１画素にＲのカラーフィルタ６，さらに残りの１画素にＢのカラーフィルタ５を配置した，いわゆるベイヤ配列を基本としたカラーフィルタ層を有する。ただし，Ｇのカラーフィルタ４とＲのカラーフィルタ６との境界（画素境界領域）に，Ｂのカラーフィルタ壁５ｗを有し，Ｇのカラーフィルタ４とＢのカラーフィルタ５との境界（画素境界領域）にＲのカラーフィルタ壁６ｗを有する。」

「【００３２】

ここで，上記の構成にかかる固体撮像装置１０に斜め光が入射した場合について，図３および図４を用いて説明する。例えば，図３に示すように，Ｒのカラーフィルタ６を透過した光が，Ｇのカラーフィルタ４の直下にあるフォトダイオード２へ入射する場合を考える。この場合，Ｒのカラーフィルタ６を透過した斜め光は，このカラーフィルタ６の隣に設けられたＢのカラーフィルタ壁５ｗも透過することとなる。図４に，ＲＧＢの各色の光の透過率を示す。図４に示すように，Ｒの光は，波長５５０ｎｍ以下での透過率がほぼ０％であるのに対して，Ｂの光は，波長５５０ｎｍ以上での透過率がほぼ０％である。異色の光が混合された場合に，混合された光の分光特性は，単色の光の透過率の積となる。従って，図３に示されているような，Ｒのカラーフィルタ６とＢのカラーフィルタ壁５ｗを透過した斜め光の透過率は，全ての波長域においてほぼ０％となる。従って，Ｇのカラーフィルタ４の直下にあるフォトダイオード２において，前記の斜め光に起因する混色はほとんど生じない。」

引用例２の図１として以下の図面が示されている。

引用例２の図３として以下の図面が示されている。

３．引用例３～４について

（１）引用例３の記載

当審拒絶理由で引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例３（特開２０１３-１１５３３５号公報）には，図１とともに次の記載がある。

「【０００６】

図１に示されるように，シリコン基板等の半導体基板１１に，フォトダイオードなどの受光領域１２が画素１（W画素１W，G画素１G）ごとに形成される。半導体基板１１上の各画素１の境界部分に遮光膜１３が形成され，その上に平坦化膜１４が形成される。そして，平坦化膜１４の上のW画素１Wの領域にはホワイトフィルタ１５Wが，G画素１Gの領域にはG（Green）のカラーフィルタ１５Gが形成される。ここで，ホワイトフィルタ１５Wは，R（Red），G（Green），またはB（Blue）のカラーフィルタ１５の色成分である顔料や染料を含まない組成の材料を用いて形成される。そして，ホワイトフィルタ１５Wおよびカラーフィルタ１５Gの上に，マイクロレンズ１６が形成される。」

引用例３の図１として以下の図面が示されている。

上記図１から，受光領域１２を有する半導体基板１１上に形成されたマイクロレンズ１６について，その端面同士が接している構成が見て取れる。

（２）引用例４の記載

当審拒絶理由で引用された，本願の原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用例４（特開２０１２-１８９５１号公報）には，図２とともに次の記載がある

「【００４５】

＜２．第１の実施の形態＞

［固体撮像装置の構成例］

図２は本発明に係る固体撮像装置の第１の実施の形態を説明するための模式図である。本実施の形態の固体撮像装置は，裏面照射型のＣＭＯＳ型固体撮像装置である。第１の実施の形態に係る固体撮像装置２１は，例えばシリコンによる半導体基板２２に複数の画素が配列された画素領域（いわゆる撮像領域）２３と，図示しないが画素領域２３の周辺に配置された周辺回路部を形成して構成されている。」

「【００５２】

更に，密着層１５及び遮光膜３９を含む酸化膜３８上に平坦化膜４１が形成され，この平坦化膜４１上に順次オンチップカラーフィルタ４２及びオンチップマイクロレンズ４３が形成されている。なお，平坦化膜４１は，例えば，樹脂等の有機材料で形成することができ，オンチップカラーフィルタ４２としては，例えば，ベイヤー配列のカラーフィルタを用いることができる。また，オンチップマイクロレンズ４３は，例えば，樹脂等の有機材料で形成することができる。」

引用例４の図２として以下の図面が示されている。

上記図２から，裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置において，オンチップマイクロレンズ４３の端面同士が接している構成が見て取れる。

第５　対比

１．本願発明１と引用発明１の対比

本願発明１と上記引用発明１とを対比する。

ア　引用発明１における「配線２３が形成された面とは反対側の基板１１の面を受光面とする光電変換部２１」は，本願発明１における「表面に配線が形成される半導体基板の裏面に配置される受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する複数の光電変換部」に相当する。

イ　引用発明１における「複数の光電変換部２１に対応して設けられた白色フィルタＷ及び各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂ」は，本願発明１における「前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して１つずつ設けられた少なくとも３色のカラーフィルタ」に相当する。

ウ　引用発明１における「各画素の周縁に相当する位置で，光電変換部２１を囲む周囲にパターン形成された反射膜５１」は，本願発明１における「複数の前記光電変換部の境界に沿うように形成された遮光膜」に相当する。

エ　引用発明１において，「反射膜５１」は，「光電変換部２１上に設けられた平坦化絶縁膜２９上に設けられ」，「白色フィルタＷ及び各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂ」は，「反射膜５１が形成された平坦化絶縁膜２９上を覆って表面平坦に形成された絶縁膜５３」の上に形成されたものであるから，本願発明１の「遮光膜」と引用発明１の「反射膜５１」は，ともに「前記カラーフィルタと前記光電変換部との間に」形成された膜である点で一致する。

オ　引用発明１の「混色防止膜５５」は，「白色フィルタＷと各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂとの間に挟持され」た膜であるから，本願発明１における「隔壁部」と引用発明１における「混色防止膜５５」は，ともに「互いに隣接する前記カラーフィルタの間に」形成された「隔壁部」である点で共通する。

カ　引用発明１の「オンチップレンズ５７ａ」は，「白色フィルタＷ及び各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂの上方に設けられ」たものであるから，「複数の光電変換部２１に対応して設けられた」ものと理解できる。また，「オンチップレンズ５７ａ」が「固体撮像装置に入射した光を集光して下方に配置された白色フィルタＷ及び各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂに入射させる」ことで，入射光が「光電変換部２１」に集光されることは明らかである。さらに，引用例１の図１２から，引用発明１の「オンチップレンズ５７ａ」が凸レンズ形状であることも明らかである。

そうすると，引用発明１の「オンチップレンズ５７ａ」は本願発明１の「マイクロレンズ」に相当し，両者はともに「前記複数の光電変換部毎に配置されて前記カラーフィルタを介して入射光を前記光電変換部に集光する凸レンズ形状のマイクロレンズ」である点で一致する。

キ　引用発明１の「絶縁膜５３」は「反射膜５１が形成された平坦化絶縁膜２９上を覆って表面平坦に形成された」膜であるから，本願発明１における「平坦化膜」に相当し，両者は「前記遮光膜の上に形成された平坦化膜」である点で共通する。

２．一致点及び相違点

上記１．ア～キの対比によれば，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は以下のとおりである。

＜一致点＞

「表面に配線が形成される半導体基板の裏面に配置される受光面にて入射光を受光して信号電荷を生成する複数の光電変換部と，

前記複数の光電変換部のそれぞれに対応して１つずつ設けられた少なくとも３色のカラーフィルタと，

前記カラーフィルタと前記光電変換部との間に，複数の前記光電変換部の境界に沿うように形成された遮光膜と，

互いに隣接する前記カラーフィルタの間に形成された隔壁部と，

前記複数の光電変換部毎に配置されて前記カラーフィルタを介して入射光を前記光電変換部に集光する凸レンズ形状のマイクロレンズと，

前記遮光膜の上に形成された平坦化膜と，

を備えた，

固体撮像装置。」である点。

＜相違点１＞

本願発明１では，「隔壁部」が「これらカラーフィルタと異なる色のカラーフィルタのいずれかと同色の色材を含有して」いるのに対し，引用発明１では，「混色防止膜５５」がそのような構成を有することは特定されていない点。

＜相違点２＞

本願発明１は「互いに屈折率が異なる複数の膜が積層された構成からなり，反射防止膜として機能する，前記半導体基板の光電変換部が臨む裏面上に形成された層間絶縁膜」を有するのに対し，引用発明１では，当該「層間絶縁膜」を有することは特定されていない点。

＜相違点３＞

本願発明１の「平坦化膜」は，「前記層間絶縁膜と前記遮光膜の上に形成」されているのに対し，引用発明１の「絶縁膜５３」は，「前記層間絶縁膜」の上には形成されていない点。

＜相違点４＞

本願発明１では，「前記複数のマイクロレンズ」が「前記凸レンズ部分において隣接するマイクロレンズの端面同士が前記隔壁部の近傍において接する」のに対し，引用発明１では，「オンチップレンズ６７ａ」がそのような構成を有することは特定されていない点。

第６　相違点についての判断

１．相違点１について

上記第４の２．に摘記した引用例２の記載によれば，固体撮像装置における３色以上のカラーフィルタから構成されるカラーフィルタ層において，２色のカラーフィルタが隣接する画素境界部の少なくとも一部に当該２色とは異なる色のカラーフィルタ壁を有する構成とすることで，斜め光に起因する隣接画素からの混色を防止する技術が公知の技術であったといえる。また，当該公知技術により，製造工程が簡略化され，より低コストな固体撮像装置を提供できることが当業者に知られていたことが理解できる。

一方，引用例１の段落００９７によれば，引用発明１における「混色防止膜５５」は，斜めから入射した光が隣接して配置された光電変換部に入射することを防止することで，混色を防止して画質の向上を図るための膜であるといえる。そうすると，引用発明１における「混色防止膜５５」の構成と引用例２の上記公知技術とは，固体撮像装置における混色防止の技術である点で共通する。加えて，引用例２の公知技術によれば，製造工程の簡略化という効果も期待できるから，当業者にとって，引用発明１において引用例２の公知技術を適用する十分な動機付けがあるといえる。

したがって，引用発明１に引用例２の公知技術を適用して上記相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たことである。

２．相違点２及び３について

相違点２及び３についてまとめて検討する。

下記の周知例１及び周知例２に記載されているように，受光面となる基板裏面に，互いに屈折率の異なる複数層膜で形成された反射防止膜を設け，その上に遮光膜を設け，その上に反射防止膜と遮光膜を覆う平坦化膜を設ける構成は，裏面照射型固体撮像素子における周知の構成であるといえる。

本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である上記周知例１には，次の記載がある。

「【００４６】

フォトダイオードＰＤの受光面３４となる基板裏面２２Ｂ上には，絶縁層が形成される。この絶縁層は，本例では反射防止膜３６で形成される。反射防止膜３６は，屈折率の異なる複数層膜で形成され，本例ではハフニウム酸化（ＨｆＯ２）膜３８とシリコン酸化膜３７の２層膜で形成される。

【００４７】

そして，本実施の形態においては，この反射防止膜３６上の画素境界に，すなわち画素境界に対応する部分に遮光膜３９が形成される。この遮光膜３９は，光を遮光する材料であれば良いが，遮光性が強く，かつ微細加工，例えばエッチングで精度よく加工できる材料として，金属，例えばアルミニウム（Ａｌ），あるいはタングステン（Ｗ），あるいは銅（Ｃｕ）の膜で形成することが好ましい。

【００４８】

遮光膜３９を含む反射防止膜３６上に，平坦化膜４１が形成され，この平坦化膜４１上に順次オンチップカラーフィルタ４２及びその上のオンチップマイクロレンズ４３が形成される。オンチップマイクロレンズ４３は，例えば，樹脂などの有機材料で形成される。平坦化膜４１は，例えば，樹脂などの有機材料で形成することができる。オンチップカラーフルタとしては，例えばベイヤー配列のカラーフィルタが用いられる。光Ｌは，基板裏面２２Ｂ側から入射され，オンチップマイクロレンズ４３で集光されて各フォトダイオードＰＤに受光される。」

本願の原出願の出願前に頒布された刊行物である上記周知例２には，次の記載がある。

「【００２２】

また，半導体層１０の裏面には，反射防止膜４５となる絶縁膜が形成される。この反射防止膜４５は，例えば半導体層１０側からシリコン窒化（ＳｉＮ）膜１２とシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜１３の積層膜で形成される。この反射防止膜４５上にフォトダイオード１１の受光部に対応する部分を除いて遮光膜１６が形成され，さらにパシベーション膜１７，オンチップカラーフィルタの下地密着層を兼ねる平坦化膜１８が順次形成される。パシベーション膜１７は，上記平坦化膜を構成するものであってもよい。遮光膜１６は，金属膜で形成される。さらに，平坦化膜１８上に例えば原色の赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）のオンチップカラーフィルタ１９が形成され，その上にオンチップマイクロレンズ２１が形成される。」

そうすると，引用発明１において上記周知の構成を採用し，上記相違点２及び３に係る構成とすることは，当業者が適宜なし得た設計変更であるといえる。また，その効果も当業者の予測し得る範囲内のものである。

３．相違点４について

上記第４の５．（１）（２）に示したとおり，隣接するマイクロレンズの端面同士が接する構成は，引用例３及び引用例４にも記載された周知の構成であり，マイクロレンズが複数の光電変換部毎に配置されて入射光を前記光電変換部に集光するものであることに照らせば，各光電変換部の境界近傍すなわち「前記隔壁部の近傍」において接する構成とすることは，ごく自然になし得たことである。

そうすると，引用発明１において上記相違点４に係る構成とすることは，引用例３及び引用例４に記載された周知技術に照らし，当業者が格別の困難無くなし得たことであるといえる。

４．小括

したがって，本願発明１は，引用例３～４及び周知例１～２に示される周知技術に照らし，引用発明１において引用例２に記載の公知技術を適用することにより当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

第７　結言

以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。

よって，結論のとおり審決する。