2019-700923

特許第６５１５８４２号発明「半導体装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６５１５８４２号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－９〕について訂正することを認める。 特許第６５１５８４２号の請求項１に係る特許を維持する。

【理　由】 理由 第１　手続の経緯 特許第６５１５８４２号の請求項１ないし９に係る特許についての出願は、平成２８年３月１０日に出願され、平成３１年４月２６日にその特許権の設定登録がされ、令和１年５月２２日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和１年１１月２０日　　：　請求項１に係る特許について、特許異議申立人伊藤泰和による特許異議の申立て 令和２年　２月１８日付け：　取消理由通知書 令和２年　４月１７日　　：　特許権者による意見書及び訂正請求書の提出（これに対する特許異議申立人伊藤泰和による意見書の提出はされなかった。） 令和２年　８月　５日付け：　訂正拒絶理由通知書 令和２年１１月３０日付け：　取消理由通知書（決定の予告） 令和３年　１月１３日　 ：　特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和３年　３月１６日　　：　特許異議申立人伊藤泰和による意見書の提出 第２　訂正の適否について １　訂正の趣旨及び訂正の内容 令和３年１月１３日付けの訂正請求書による訂正は、「特許第６５１５８４２号の明細書、特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正明細書、特許請求の範囲とおり、訂正後の請求項１～９について訂正することを求める。」というものであり、その訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は以下のとおりである（下線部は訂正箇所を示す。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１において、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上である」と記載されているのを、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」に訂正する（請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２及び請求項３から請求項９も同様に訂正する。）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、」に訂正する（請求項４の記載を直接又は間接的に引用する請求項５から請求項９も同様に訂正する。）。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１、請求項２、請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」に訂正する（請求項５の記載を直接又は間接的に引用する請求項６から請求項９も同様に訂正する。）。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項６に「請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１、請求項２、請求項４、請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」に訂正する（請求項６の記載を直接又は間接的に引用する請求項７から請求項９も同様に訂正する。）。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１、請求項２、請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」に訂正する（請求項７の記載を直接又は間接的に引用する請求項８及び請求項９も同様に訂正する。）。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項８に「請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１、請求項２、請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」に訂正する（請求項８の記載を引用する請求項９も同様に訂正する。）。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項９に「請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」と記載されているのを、「請求項１、請求項２、請求項４から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置であって、」に訂正する。 （９）訂正事項９ 明細書の段落【０００６】において、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上である」と記載されているのを、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」に訂正する。 ２　一群の請求項について 訂正前の請求項１～９について、請求項２～９はそれぞれ請求項１を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～９に対応する訂正後の請求項〔１～９〕は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ３　各訂正事項についての訂正要件の適合性の判断 （１）訂正事項１について ア　訂正の目的について 訂正前の請求項１に係る発明では、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上である」として、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差において、下限値のみを特定し、上限値については何ら特定されていない。これに対して、訂正後の請求項１は、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」との記載により、訂正後の請求項１におけるｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差の上限値を具体的に特定し、更に限定するものである。 したがって、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものに該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項１は、本件特許の願書に添付した本件特許の願書に添付した明細書（以下、本件特許の願書に添付した明細書を「本件特許明細書」という。また、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「本件特許明細書等」という。）の段落【００７０】に基づいて導き出される構成である。 また、訂正事項１は、本件特許明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものでない。 したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内における訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の請求項１について特許異議の申立てがされているので、訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。 （２）訂正事項２について ア　訂正の目的について 訂正事項２は、訂正前の請求項３を削除する訂正であり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項３に係る訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されることになる。よって、以下５で詳述する。 （３）訂正事項３について ア　訂正の目的について 訂正事項３は、訂正前の請求項４が「請求項１から請求項３のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項４において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１または請求項２を引用するものとする訂正である。 したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項４に係る訂正事項３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されることになる。よって、以下５で詳述する。 （４）訂正事項４について ア　訂正の目的について 訂正事項４は、訂正前の請求項５が「請求項１から請求項４のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項５において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４のいずれか１項を引用するものとすることを目的とするための訂正である。 したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項４は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項４は、第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項５に係る訂正事項４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。 （５）訂正事項５について ア　訂正の目的について 訂正事項５は、訂正前の請求項６が「請求項１から請求項５のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項６において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４、請求項５のいずれか１項を引用するものとするための訂正である。 したがって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項５は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項５は第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項６に係る訂正事項５に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。 （６）訂正事項６について ア　訂正の目的について 訂正事項６は、訂正前の請求項７が「請求項１から請求項６のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項７において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４から請求項６のいずれか１項を引用するものとするための訂正である。 したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項６は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項６は、第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項７に係る訂正事項６に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。 （７）訂正事項７について ア　訂正の目的について 訂正事項７は、訂正前の請求項８が「請求項１から請求項７のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項８において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４から請求項７のいずれか１項を引用するものとするための訂正である。 したがって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項７は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項７は、第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項８に係る訂正事項７に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。 （８）訂正事項８について ア　訂正の目的について 訂正事項８は、訂正前の請求項９が「請求項１から請求項８のいずれか１項」の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２により請求項３を削除したことに伴って、訂正後の請求項９において、請求項３を引用しないものとし、新たな請求項１、請求項２、請求項４から請求項８のいずれか１項を引用するものとするための訂正である。 したがって、訂正事項８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、ないし、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明に該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内であること及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項８は、何ら実質的な内容の変更を伴うものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 ウ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項８は、第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、訂正前の請求項９に係る訂正事項８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。よって、以下５で詳述する。 （９）訂正事項９について ア　訂正の目的について 訂正事項９は、訂正事項１により訂正前の請求項１を訂正後に新たな請求項１とする訂正に伴い、特許請求の範囲と明細書の記載との整合を図るための訂正である。よって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 イ　願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であることから、訂正事項９についても、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。したがって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合するものである。 ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項９は、訂正事項１に伴って、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るために、願書に添付した明細書の段落【０００６】の記載を、訂正後の請求項１に対応させるための訂正であり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合するものである。 エ　特許出願の際に独立して特許を受けることができること 訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であって、同第１号又は第２号に掲げる事項を目的とする訂正ではないから、訂正事項９に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ４　明細書の訂正と関係する請求項について 願書に添付した明細書の段落【０００６】は、訂正事項９によって訂正された。段落【０００６】には、請求項１に対応する形態が記載されている。ここで、請求項１～９は一群の請求項である。したがって、訂正事項９は、明細書の訂正に係る請求項を含む一群の請求項全てについて行うものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するものである。 ５　独立特許要件について 訂正事項２ないし８は、いずれも第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正を含むことから、特許異議の申立てがされていない請求項３ないし９に係る訂正事項２ないし８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件が課されることになる。 （１）本件訂正発明 本件訂正後の請求項３ないし９に係る発明（以下、それぞれ順に、「本件訂正発明３」ないし「本件訂正発明９」という。また、本件訂正後の請求項１、請求項２に係る発明をそれぞれ「本件訂正発明１」、「本件訂正発明２」という。）は、本件訂正後の請求項３ないし９に記載された、次のとおりのものである。 ア　本件訂正発明３ （削除） イ　本件訂正発明４ 「請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、 前記窒化物半導体は、アルミニウムとインジウムとの少なくとも一方を含む、半導体装置。」 ウ　本件訂正発明５ 「請求項１、請求項２、請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置であって、 前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、１．０×１０１８ｃｍ－３以上である、半導体装置。」 エ　本件訂正発明６ 「請求項１、請求項２、請求項４、請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置であって、 前記ｐ型半導体領域に含まれるｐ型不純物は、マグネシウムと亜鉛との少なくとも一方を含む、半導体装置。」 オ　本件訂正発明７ 「請求項１、請求項２、請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置であって、 前記ｎ型半導体領域に含まれるｎ型不純物は、ケイ素とゲルマニウムとの少なくとも一方を含む、半導体装置。」 カ　本件訂正発明８ 「請求項１、請求項２、請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置であって、 前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、前記第２電極と接触する面から離れるほど低くなる、半導体装置。」 キ　本件訂正発明９ 「請求項１、請求項２、請求項４から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置であって、 前記ｎ型半導体領域と前記第１電極とが接触する面と、前記ｐ型半導体領域と前記第２電極とが接する面とは、異なる平面上にある、半導体装置。」 ク　なお、本件訂正発明１及び本件訂正発明２は、以下のとおりものである。 （ア）本件訂正発明１ 「半導体装置であって、 ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、 前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、 前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、 前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、 前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、 前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり、 前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じであり、 前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である、半導体装置。」 （イ）本件訂正発明２ 「請求項１に記載の半導体装置であって、 前記第１電極と前記第２電極とは同一の電極である、半導体装置。」 （２）特許異議申立人が異議申立書に添付した証拠は、以下のとおりである。 甲第１号証：特開２００９－２８３６９２号公報 甲第２号証：特開２００９－１７７１１０号公報 甲第３号証：特開平９－２３２６３２号公報 甲第４号証：国際公開第２０１１／１０８６１５号 特許異議申立人は、本件特許の請求項１に係る発明について、甲第１号証を主引例とする進歩性の取消理由を主張している。 また、本件特許の請求項１に係る発明について、以下の引用文献１に記載された発明及び以下の引用文献２～４に記載された周知技術に基づく、進歩性についての取消理由（決定の予告）が通知されている。 引用文献１：特開２００９－２８３６９２号公報（甲第１号証） 引用文献２：特開２０１５－５６４８６号公報（周知例として引用） 引用文献３：特開２０１４－１３８８６号公報（周知例として引用） 引用文献４：国際公開第２０１１／１０８６１５号（甲第４号証。周知例として引用。） 周知例１　：特開２００９－１７７１１０号公報（甲第２号証） また、本件特許の請求項４～９に係る発明については、取消理由（決定の予告）で、以下の引用文献５、６も引用されている。 引用文献５：特開平６－２７５８６８号公報 引用文献６：特開２０１４－１１６４８３号公報 次に、特許異議申立てがされていない請求項３ないし９に係る訂正事項２ないし８に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件について検討する。 本件訂正発明３は、訂正前の請求項３を削除するものであり、独立特許要件を満たし、本件訂正発明４ないし９は、訂正前の請求項１に記載された構成を全て含み、さらに限定した発明であることから、以下、本件訂正発明４ないし９について、進歩性に係る独立特許要件について検討する。 （３）引用文献等の記載事項及び引用発明 ア　引用文献１（特開２００９－２８３６９２号公報）の記載及び引用文献１に記載された発明 （ア）取消理由通知（決定の予告）で引用された引用文献１（特開２００９－２８３６９２号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。以下同じ。）。 「【発明を実施するための最良の形態】 【００２７】 （第１実施形態） 図１に、半導体装置１００の要部断面図を模式的に示す。図１の断面図は半導体装置１００の単位構造を示しており、この単位構造が紙面左右方向に繰り返し形成されている。 半導体装置１００は、縦型の電界効果型トランジスタである。半導体基板１の裏面には、チタンとアルミニウムを材料とするドレイン電極１８が設けられている。ドレイン電極１８の表面に、窒化ガリウム（ＧａＮ）を材料とするｎ＋型の半導体層（ドレイン層）２０が設けられている。ドレイン層２０は、ドレイン電極１８に電気的に接続している。ドレイン層２０の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ型半導体層２２が設けられている。ｎ型半導体層２２には、溝１７が分散して形成されている。後述するが、溝１７は、ｎ型半導体層２２の表面の一部をエッチングして形成される。以下の説明では、ｎ型半導体層２２のエッチングされなかった範囲を、突部１２と称することがある。突部１２上の一部に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のｎ型領域１０が設けられている。本明細書では、突部１２とｎ型領域１０を併せて、アパーチャ領域１４と称することがある。 【００２８】 窒化ガリウムを材料とするボディ領域（ｐ型窒化物半導体層）１６が、溝１７内に設けられている。なお、半導体装置１００では、ボディ領域１６が、突部１２上の一部にも設けられている。一対のボディ領域１６は、アパーチャ領域１４によって隔てられている。半導体装置１００は、ｐ型ボディ領域１６とｎ型アパーチャ領域１４が隣接する構造を有している。 【００２９】 ボディ領域１６の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４が設けられている。ソース領域４は、半導体基板１の表層部分に設けられている。ｎ＋型ソース領域４は、ｐ型ボディ領域１６によってｎ型半導体層２２とｎ型アパーチャ領域１４から隔てられている。ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられている。ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続している。半導体基板１の表面上で一対のソース電極２の間に、ゲート絶縁膜８が設けられている。ゲート絶縁膜８の表面に、ニッケルを材料とするゲート電極６が設けられている。ゲート電極６は、ゲート絶縁膜８を介して、アパーチャ領域１４と、アパーチャ領域１４とソース領域４を隔てているボディ領域１６と、ソース領域４の一部に対向している。なお、ゲート電極６は、アパーチャ領域１４とソース領域４を隔てているボディ領域１６にだけ対向していてもよい。また、ゲート電極６の材料として、ニッケルに代えて、アルミニウム、金、白金又は多結晶シリコンを使用することもできる。 【００３０】 ここで、ｎ＋型ドレイン層２０の不純物濃度はおよそ１×１０１８ｃｍ－３であり、ｎ型半導体層２２の不純物濃度はおよそ１×１０１６ｃｍ－３であり、ｎ型領域１０の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ－３であり、ｐ型ボディ領域１６の不純物濃度はおよそ１×１０１９ｃｍ－３であり、ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ－３である。すなわち、ｎ型領域１０の不純物濃度は、ｎ型半導体層２２の突部１２の不純物濃度よりも濃い。」 「【００３３】 半導体装置１００の製造方法を説明する。 まず、図２に示すように、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を利用して、ｎ＋型半導体層（ドレイン層）２０の表面に、ｎ型半導体層２２を結晶成長させる。次に、図３に示すように、ｎ型半導体層２２の表面に、開孔２４ａを有するマスク層（ＳｉＯ２膜）２４を形成し、ｎ型半導体層２２の表面からドライエッチングする（溝形成工程）。図２の矢印で示された範囲のｎ型半導体層２２がエッチングされる。マスク層２４に覆われているｎ型半導体層２２はエッチングされない。溝形成工程は、ｎ型半導体層２２の一部に、突部１２を形成する工程ということもできる。 【００３４】 次に、図４に示すように、ＭＯＣＶＤ法を利用して、ｎ型半導体層２２の表面上に、ｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる（ｐ型窒化物半導体層形成工程）。ｐ型窒化物半導体層形成工程では、溝１７内だけでなく、突部１２の表面にもｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる。ｐ型窒化物半導体層２６には、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が含まれている。次に、図５に示すように、ｐ型窒化物半導体層２６の表面に、開孔２８ａを有するマスク層２８を形成し、開孔２８ａに向けてｎ型不純物をイオン注入する（ｎ型領域形成工程）。具体的には、シリコンをドーズ量１×１０１５～１×１０１６ｃｍ－２、加速電圧１０～１０００ｋｅＶで注入する。ｎ型領域形成工程を経て、ｎ型領域１０が完成する。換言すると、ｐ型窒化物半導体層２６の一部が、ｎ型領域１０に変質する。ｎ型領域１０は、ｐ型窒化物半導体層２６の表面から突部１２にまで達している。図５では、ｐ型窒化物半導体層２６（図４を参照）のうち、シリコンがイオン注入された範囲に符号１０を付し、イオン注入されなかった範囲に符号１６を付している。符号１６は、図１のボディ領域１６に対応している。 【００３５】 ｎ型領域形成工程では、ｎ型領域１０がｐ型窒化物半導体層２６の表面からｎ型半導体層２２の突部１２に達するように、ｎ型不純物をイオン注入する。換言すると、ｎ型の半導体領域（ｎ型領域１０とｎ型の突部１２）がｐ型窒化物半導体層２６を分断するように、ｎ型不純物をｐ型窒化物半導体層２６に向けてイオン注入する。図中の矢印は、ｎ型不純物がイオン注入される範囲を示している。なお、図５では、ｎ型不純物が、突部１２の上部に位置するｐ型窒化物半導体層２６にだけイオン注入されており、溝１７内のｐ型窒化物半導体層２６にはイオン注入されていない。ｎ型不純物をｐ型窒化物半導体層２６の深部までイオン注入することなく、ｐ型窒化物半導体層２６をｎ型領域１０によって分断することができる。なお、ｎ型不純物は、主にｐ型窒化物半導体層２６にイオン注入されており、突部１２内にほとんどイオン注入されない。そのため、図１に示すように、半導体基板１の表面ではアパーチャ領域１４の不純物濃度が濃く（ｎ型領域１０）、半導体基板１の深部ではアパーチャ領域１４の不純物濃度が薄い（突部１２）関係が得られる。 【００３６】 次に、マスク層２８を除去し、ボディ領域１６の表面に開孔を有するマスク層（図示省略）を形成し、ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４（図１を参照）を形成する。このときに、ソース領域４がｎ型半導体層２２に達しないように、ボディ領域１６に向けてｎ型不純物をイオン注入する。その後、ゲート絶縁膜８、ゲート電極６、ソース電極２及びドレイン電極１８を形成する。なお、ｎ型領域１０を形成する工程に先立って、ソース領域４を形成する工程を実施してもよい。また、アパーチャ領域１４とソース領域４を隔てているボディ領域１６にだけゲート電極６を対向させる場合、ゲート絶縁膜をマスク層としてｎ型領域１０及びソース領域４を形成することもできる。すなわち、ｎ型領域１０を形成する工程と、ソース領域４を形成する工程と、ゲート絶縁膜８を形成する工程は、任意の順序で実施することができる。」 （イ）上記記載から、引用文献１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「半導体装置であって、 ドレイン層２０の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ型半導体層２２が設けられており、 ｎ型半導体層２２には、溝１７が分散して形成されており、 溝が形成されなかった突部１２上の一部に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のｎ型領域１０が設けられており、 窒化ガリウムを材料とするボディ領域（ｐ型窒化物半導体層）１６が、溝１７内に設けられており、 ボディ領域１６の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４が設けられており、 ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ、ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており、 ｐ型ボディ領域１６の不純物濃度はおよそ１×１０１９ｃｍ－３であり、ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ－３であり、 前記半導体装置の製造方法は、 ｎ型半導体層２２の表面上に、ｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる工程であって、ｐ型窒化物半導体層２６には、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が含まれている工程（ｐ型窒化物半導体層形成工程）と、 次に、ｎ型不純物をイオン注入して、ｐ型窒化物半導体層２６の一部を、ｎ型領域１０に変質させ、イオン注入させなかった範囲をボディ領域１６とする工程（ｎ型領域形成工程）と、 ボディ領域１６の表面に開孔を有するマスク層を形成し、ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程と、 その後、ゲート絶縁膜８、ゲート電極６、ソース電極２及びドレイン電極１８を形成する工程とを備える方法である、半導体装置。」 イ　引用文献２（特開２０１５－５６４８６号公報）の記載 「【００１８】 ｎ型のＧａＮ層１４の上に、ｐ型のＧａＮ層（第２のＧａＮ系半導体層）１６を備えている。ｐ型のＧａＮ層１６は、例えば、Ｍｇ（マグネシウム）をｐ型不純物として含有する。ｐ型のＧａＮ層１６は、エピタキシャル成長層である。 【００１９】 ｐ型のＧａＮ層１６は、ｎ型のＧａＮ層１４側の低不純物濃度領域１６ａと、ｎ型のＧａＮ層１４と反対側の高不純物濃度領域１６ｂとを備える。低不純物濃度領域１６ａは、ＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域として機能する。また、高不純物濃度領域１６ｂは、チャネル領域に接続される電極を形成するための、チャネルコンタクト領域として機能する。 【００２０】 低不純物濃度領域１６ａのｐ型不純物濃度は、例えば、５×１０１５以上５×１０１６ｃｍ－３以下である。また、高不純物濃度領域１６ｂのｐ型不純物濃度は、例えば、１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ－３以下である。 ・・・ 【００２３】 ｎ型のＧａＮ層１８は、例えば、Ｓｉ（シリコン）をｎ型不純物として含有する。ｎ型のＧａＮ層（第３のＧａＮ系半導体層）１８は、ｎ型のＧａＮ層１４よりもｎ型不純物濃度が高い。ｎ型のＧａＮ層１８のｎ型不純物濃度は、例えば、１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ－３以下である。」 「【００４５】 結果的に、ｎ型のＧａＮ層（第３のＧａＮ系半導体層）１８には、ｐ型のＧａＮ層（第２のＧａＮ系半導体層）１６、特に、高不純物濃度領域１６ｂと略同一濃度のｐ型不純物が含有されることになる。」 「【００６３】 （第２の実施形態） 本実施形態の半導体装置および半導体装置の製造方法は、第１の電極と第２の電極とが同一材料であること以外は、第１の実施形態と同様である。したがって、第１の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。 【００６４】 図７は、本実施形態の半導体装置であるＭＯＳＦＥＴの構成を示す模式断面図である。 【００６５】 ＭＯＳＦＥＴ２００は、ｎ型のＧａＮ層（第３のＧａＮ系半導体層）１８上の第１の電極（第１のソース電極）２２と、ｐ型のＧａＮ層（第２のＧａＮ系半導体層）１６の高不純物濃度領域１６ｂ上の第２の電極（第２のソース電極）２４が、同一材料である。第１の電極２２、および、第２の電極２４は、例えば、Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／Ｔｉ（チタン）の積層構造を備える。そして、第１の電極（第１のソース電極）２２と、第２の電極（第２のソース電極）２４が同一の層で形成されている。 【００６６】 本実施形態によれば、第１の電極２２と第２の電極２４とが同一材料であることで、ＭＯＳＦＥＴ２００の製造工程が簡略化できる。したがって、生産性に優れ、低コストのＭＯＳＦＥＴ２００が実現できる。」 ウ　引用文献３（特開２０１４－１３８８６号公報）の記載 「【実施例１】 【００３２】 図１は、実施例１の縦型ダイオードの構成を示した図である。実施例１の縦型ダイオードは、図１に示すように、基板１０と、基板１０上に位置するｎ層１１と、ｎ層１１上に位置するｐ層１２と、を有している。また、基板１０のｎ層１１形成側とは反対側の面には、ｎ電極１３が基板１０に接して位置し、ｐ層１２上の一部領域にはｐ電極１４が位置している。また、実施例１の縦型ダイオードは、保護膜１６、フィールドプレート電極１７によるフィールドプレート構造を有している。また、実施例１の縦型ダイオードは平面視において円形であり、その直径は２００μｍである。なお、平面視における形状は円形以外でもよく、矩形などであってもよい。矩形とする場合には、その角を丸めることが望ましい。耐圧性能を向上させることができる。・・・（略）・・・ 【００３６】 ｎ電極１３はＴｉ／Ａｌからなり、ｐ電極１４はＮｉ／Ａｕからなる。ここで「／」は積層であることを意味し、Ａ／ＢはＡ層を成膜した後Ｂ層を成膜することを意味する。以下、材料の説明において同様である。ｎ電極１３としては、ｎ型のIII 族窒化物半導体に対してオーミックコンタクトをとれる材料が好ましい。たとえば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、ＴｉＮ／Ａｌ、Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｌなども用いることができる。また、ｐ電極１４も同様に、ｐ型のIII 族窒化物半導体に対してオーミックコンタクトをとれる材料が好ましく、たとえば、Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｏ／Ａｕなども用いることができる。」 「【実施例２】 【００５７】 図７は、実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴの構成を示した図である。実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴは、基板２０と、基板２０上に位置するｎ－ＧａＮからなるｎ層２１と、ｎ層２１上に位置するｐ－ＧａＮからなるｐ層２２と、ｐ層２２上に位置するｎ－ＧａＮからなる高濃度ｎ層２３と、を有している。また、トレンチゲート構造を有している。すなわち、高濃度ｎ層２３表面（ｐ層２２側とは反対側の面）からｐ層２２を貫通してｎ層２１に至るトレンチ２４が形成されており、ｎ層２３表面のトレンチ２４の開口近傍から側面、底面にかけて連続するゲート絶縁膜２５を有し、トレンチ２４内部にゲート絶縁膜２５に接触するゲート電極２６を有している。 【００５８】 また、高濃度ｎ層２３の表面には、ｐ層２２に達する溝２７が形成され、高濃度ｎ層２３、ｐ層２２の双方に接触するソース電極２８が設けられている。これにより、ソース電極としての機能を有するとともにｐ層２２のホールを適宜排出することができ、耐圧性能を安定させることができる。また、基板２０の裏面（ｎ層２１が形成されている側とは反対側の面）には、ドレイン電極２９が設けられている。・・・（略）・・・ 【００６１】 実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴの各構成について、以下より詳しく説明する。 【００６２】 高濃度ｎ層２３は、ソース電極２８と良好なオーミック接触が得られるよう高いｎ型不純物濃度を有している。たとえば、１．０×１０18／ｃｍ3 ～１．０×１０20／ｃｍ3 である。ｐ層２２のｐ型不純物濃度は、高濃度ｎ層２３よりも低いか同等であり、たとえば１．０×１０17／ｃｍ3 ～１．０×１０20／ｃｍ3 である。ｎ層２１のｎ型不純物濃度は、ｐ層２２よりも低く、たとえば、１．０×１０15／ｃｍ3 ～１．０×１０17／ｃｍ3 である。このように高濃度ｎ層２３、ｐ層２２、ｎ層２１の不純物濃度を設計しているため、空乏層の大部分はｐ層２２とｎ層２３のｐｎ接合界面３３からｎ層２１側に広がる。このように不純物濃度を設計することで、ｎ層２３、ｐ層２２、ｎ層２１の構造が耐圧性能に与える影響を低減し、実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴの耐圧設計を容易にしている。 【００６３】 基板３０、ソース電極２８、ドレイン電極２９については、実施例１の基板１０、ｎ電極１３と同様の構成、およびその変形を採用することができる。なお、実施例２では溝２７を設けてソース電極２８が高濃度ｎ層２３とｐ層２２の双方に接触する構成としているが、高濃度ｎ層２３のみに接触するようにしてもよいし、ｐ層２２に接触するホール排出用の電極を、ソース電極２８とは別に設けてもよい。」 エ　引用文献４（国際公開第２０１１／１０８６１５号）の記載 「技術分野 [0001]　本発明は、半導体トランジスタに関し、更に詳しくは、ＧａＮ系半導体から成る活性層を有する半導体トランジスタに関する。 背景技術 [0002]　窒化ガリウム系半導体トランジスタ（以下、ＧａＮ系半導体トランジスタ）は、例えば、ＧａＮ系半導体から成る活性層と、活性層上に形成されたゲート絶縁膜とを有する。このゲート絶縁膜としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮｘ、ＧａＯｘ、ＨｆＯ２等が用いられている。」 「[0016]　以下、図面を参照し、本発明の例示的な実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体トランジスタの構成を示す断面図である。半導体トランジスタ１１は、ＧａＮ系半導体からなる活性層を有するＧａＮ系半導体トランジスタである。半導体トランジスタ１１は、基板１上に形成されたバッファ層２と、バッファ層２上にIII族窒化物半導体を用いて形成されたｐ型の活性層（ｐ－ＧａＮ）３と、活性層３上に形成された第１及び第２の絶縁膜６，７からなるゲート絶縁膜と、を有する。 [0017]　さらに、半導体トランジスタ１１は、活性層３上に上記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極８ｇと、ゲート電極８ｇに対応して形成され、ソース電極１０ｓ及びドレイン電極１０ｄにそれぞれオーミック接触するｎ＋型ソース領域５ｓ及びｎ＋型ドレイン領域５ｄとを有する。」 「[0024]　以下、半導体トランジスタ１１の製造方法について説明する。まず、図４Ａに示すように、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりサファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＮ等の基板１上に、ＡｌＮ又はＧａＮよりなる厚さ２０ｎｍ程度のバッファ層２と、厚さ１μｍ程度のｐ－ＧａＮ層３を順に成長する。ｐ型ドーパントとしては、例えばＭｇが用いられ、そのドーパント濃度は、例えば１×１０１６～１×１０１７／ｃｍ３とする。なお、基板１上に成長されるＧａＮ等は、ＭＯＣＶＤ法に限られるものではなく、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法等の他の成長法を用いてもよい。 [0025]　次に、図４Ｂに示すように、ｐ－ＧａＮ層３上にフォトレジスト４を塗布し、これを露光、現像してソース領域とドレイン領域に開口を形成した後に、その開口を通してｎ型ドーパント、例えばシリコンを注入してｎ＋型ソース領域５ｓ、ｎ＋型ドレイン領域５ｄを形成する。この場合、ｎ型ドーパント濃度を、例えば１×１０１８～２×１０２０／ｃｍ３とする。」 「[0033]　続いて、図６Ｃに示すように、フォトレジスト９を除去した後に、別のフォトレジスト（不図示）を用いたリフトオフ法により、図１に示すように、ソース領域５ｓ上にソース電極１０ｓを形成すると同時に、ドレイン領域５ｄ上にドレイン電極１０ｄを形成する。ソース電極１０ｓ、ドレイン電極１０ｄは、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／ＡｌＳｉ、Ｍｏ等の膜からなり、ドレイン領域５ｄ、ソース領域５ｓを構成するｎ＋－ＧａＮ層に対してオーミック接触している。以上の工程を経ることで、図１に示す半導体トランジスタ１１を製造できる。」 オ　引用文献５、６ （ア）引用文献５（特開平６－２７５８６８号公報）の記載 「【００１３】 【実施例】［実施例１］ＭＯＣＶＤ法を用い、サファイア基板の上にＧａＮよりなるバッファ層を約２００オングストロームと、その上にノンドープのＧａＮ層を２μｍの膜厚で成長させ、そのＧａＮ層の上にＭｇをドープしたＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を０．２μｍ成長させる。ＭｇドープＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層成長後、基板をアニーリング装置に入れ、窒素雰囲気中７００℃で１０分間アニーリングし、ＭｇドープＧａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層をさらに低抵抗化してｐ型とする。ホール測定の結果、このＭｇドープｐ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層の正孔キャリア濃度は１×１０17／cm3であった。」 「【００１６】 ［実施例３］実施例１のノンドープＧａＮ層の上に、Ｓｉをドープしたｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を０．２μｍ成長させた後、その上にＮｉの合金を蒸着して電極を付着する。なおこのＳｉドープＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層の電子キャリア濃度は２×１０19／cm3であった。後は実施例１と同様にアニーリングした後、電極間の電流電圧特性を測定して、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層と電極とのオーミック接触を調べたところ、図１、Ａと同一の直線が得られ、オーミック接触が確認された。」 （イ）引用文献６（特開２０１４－１１６４８３号公報）の記載 「【００１５】 Ａ．実施形態： Ａ１．半導体素子の構成： 図１は、半導体素子１０の構成を、模式的に示す断面図である。半導体素子１０は、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて形成されたＧａＮ系の半導体素子である。本実施形態では、半導体素子１０は、電力制御に用いられ、パワーデバイスとも呼ばれる。図１には、説明を容易にするために、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。以降の図３～６についても同様である。 【００１６】 半導体素子１０は、基板１１０と、第１のＮ型半導体層１２０と、Ｐ型半導体層１３０と、第２のＮ型半導体層１４０と、リセス２２０と、ゲート電極用トレンチ２５０と、絶縁膜２５５と、アイソレーション用トレンチ１７０と、ドレイン電極２１０と、Ｐボディ電極２３０と、ソース電極２４０と、ゲート電極２６０と、を備える。半導体素子１０は、ＮＰＮ型の半導体素子であり、第１のＮ型半導体層１２０と、Ｐ型半導体層１３０と、第２のＮ型半導体層１４０とが順に積層した構造を有する。半導体素子１０は、リセス２２０を中心としたＸＺ平面に対して対称な構造を有しているが、図１には、半導体素子１０の一部を簡略化して示している。 ・・・（略）・・・ 【００２１】 リセス２２０は、Ｐボディ電極２３０を形成するための、第２のＮ型半導体層１４０の表面からＰ型半導体層１３０に到達する凹部である。アイソレーション用トレンチ１７０は、半導体素子１０を他の半導体素子が形成された領域から分離するための、第２のＮ型半導体層１４０の表面から第１のＮ型半導体層１２０に到達する凹部である。ゲート電極用トレンチ２５０は、ゲート電極２６０を形成するための、第２のＮ型半導体層１４０の表面から第１のＮ型半導体層１２０に到達する凹部である。 【００２２】 なお、リセス２２０の形状は、Ｐ型半導体層１３０が第２のＮ型半導体層１４０側に露出していれば、例えば段差状の形状やＶ字型の形状等の他の形状であってもよい。また、ゲート電極用トレンチ２５０の形状は、第２のＮ型半導体層１４０の表面から第１のＮ型半導体層１２０に到達していれば、例えばＶ字型の形状等他の形状であってもよい。同様にアイソレーション用トレンチ１７０の形状は、第１のＮ型半導体層１２０が第２のＮ型半導体層１４０側に露出していれば、例えば段差状の形状やＶ字型の形状等の他の形状であってもよい。また、アイソレーション用トレンチ１７０は、例えば、半導体素子１０があらかじめ他の半導体素子と分離されていたり、イオン注入等の他の方法によって半導体素子１０が他の半導体素子から分離されるのであれば、必ずしも半導体素子１０に形成されていなくともよい。」 （４）本件訂正発明４について ア　対比 本件訂正発明１を引用する本件訂正発明４と引用発明とを対比する。 （ア）本件訂正発明４は、本件訂正発明１を引用する発明であるところ、引用発明の「窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４」は、本件訂正発明４の「ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域」に相当する。 （イ）引用発明の「窒化ガリウムを材料とするボディ領域（ｐ型窒化物半導体層）１６」は、本件訂正発明４の「前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域」に相当し、引用発明において、ソース領域４は、「ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程」によって形成されるから、当該「ボディ領域１６」は、ソース領域４に接する領域であるといえる。 したがって、本件訂正発明４と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域」を備える点で一致する。 （ウ）本件訂正発明４の「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり」と、引用発明の「ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ、ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており」とを対比する。 引用発明において、ソース電極２は、「チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続して」いるから、ソース領域４とオーミック接触する電極であるとともに、ボディ領域１６とオーミック接触する電極であり、また、当該電極は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とする、金属から主に形成されているといえる。 したがって、本件訂正発明４と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触し、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極と、を備え、前記電極は、金属から主に形成されており、前記金属は、ニッケル」である点で一致する。 （エ）引用発明の「半導体装置」は、「前記半導体装置の製造方法」が、「ｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる工程であって、ｐ型窒化物半導体層２６には、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が含まれている工程（ｐ型窒化物半導体層形成工程）と、次に、ｎ型不純物をイオン注入して、ｐ型窒化物半導体層２６の一部を、ｎ型領域１０に変質させ、イオン注入させなかった範囲をボディ領域１６とする工程（ｎ型領域形成工程）と、ボディ領域１６の表面に開孔を有するマスク層を形成し、ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程」とを備える方法であるところ、ｐ型窒化物半導体層２６に含まれているマグネシウムの濃度がボディ領域１６のマグネシウム濃度となり、また、ソース領域４は、「ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入」して形成するから、ソース領域４のマグネシウム濃度もｐ型窒化物半導体層２６の上記マグネシウム濃度と実質的に同じであることは明らかである。 したがって、本件訂正発明４と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じ」である点で一致する。 （オ）引用発明は、「ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ－３」であるところ、ｎ型半導体領域の「不純物濃度」は、通常は「ｎ型不純物濃度」を意味することが当該技術分野における技術常識である（例えば、上記（２）に記載の周知例１（特開２００９－１７７１１０号公報、後記の甲第２号証）の段落【００３５】等を参照。）から、当該「不純物濃度」はｎ型不純物濃度を意味すると解される。 したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度は、「およそ１×１０２０ｃｍ－３」であり、また、上記エから、ｐ型不純物濃度は、ｐ型窒化物半導体層２６のマグネシウム濃度、すなわち、ｐ型ボディ領域１７の不純物濃度の「およそ１×１０１９ｃｍ－３」である。 したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、およそ０．９×１０２０ｃｍ－３であると解される。 （カ）以上から、本件訂正発明４と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体装置であって、 ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、 前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、 前記ｎ型半導体領域とオーミック接触し、 前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極を備え、 前記電極は、金属から主に形成されており、 前記金属は、ニッケルであり、 前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じである、半導体装置。」 ＜相違点＞ ＜相違点１＞ 本件訂正発明４は、「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、ニッケルであ」るのに対し、引用発明では、「ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ」、「ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており」、本件訂正発明４のように、「第１電極」と「第２電極」とを備える上記のようなものではない点。 ＜相違点２＞ 本件訂正発明４は、「前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」のに対し、引用発明は、およそ０．９×１０２０ｃｍ－３であると解される点。 ＜相違点３＞ 本件訂正発明４は、「前記窒化物半導体は、、アルミニウムとインジウムとの少なくとも一方を含む」ものであるのに対し、引用発明の「ｎ型半導体層２２」は、そのようなものではない点。 イ　判断 （ア）相違点２について 事案に鑑み、まず相違点２について検討する。 ａ　引用発明において、「ｐ型ボディ領域１６の不純物濃度はおよそ１×１０１９ｃｍ－３であり、ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ－３であり」、上記ア（オ）で検討したとおり、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度は、「およそ１×１０２０ｃｍ－３」であり、また、上記エから、ｐ型不純物濃度は、「およそ１×１０１９ｃｍ－３」である。 したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、およそ０．９×１０２０ｃｍ－３であると解されるものの、引用文献１には、ソース領域４（ｎ型半導体領域）における、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差」に着目したとする記載も示唆もない。 ｂ　一方、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域と前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する電極と前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極とを備えるＧａＮ系半導体装置において、前記ｎ型半導体領域のｎ型不純物濃度の数値範囲として、１×１０２０ｃｍ－３程度あるいはそれ以上の数値範囲とすること、更には、１×１０２０ｃｍ－３程度あるいはそれ以上であって、４．０×１０２０ｃｍ－３以下の数値範囲とすることは周知技術であり、例えば、上記の引用文献２～４には、下記のように記載されている。 ｃ　引用文献２には、「高不純物濃度領域１６ｂのｐ型不純物濃度は、例えば、１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ－３以下である」（段落【００２０】）、「ｎ型のＧａＮ層１８のｎ型不純物濃度は、例えば、１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ－３以下である。」（【００２３】）と記載されている。 また、引用文献２には、「結果的に、ｎ型のＧａＮ層（第３のＧａＮ系半導体層）１８には、ｐ型のＧａＮ層（第２のＧａＮ系半導体層）１６、特に、高不純物濃度領域１６ｂと略同一濃度のｐ型不純物が含有されることになる。」（【００４５】）と記載されている。 更に、引用文献２には、「第１の電極２２、および、第２の電極２４は、例えば、Ｔｉ（チタン）／Ａｌ（アルミニウム）／Ｔｉ（チタン）の積層構造を備える。」（段落【００６５】）と記載されている。） ｄ　引用文献３には、「図７は、実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴの構成を示した図である。実施例２の縦型トレンチゲートＭＯＳＦＥＴは、基板２０と、基板２０上に位置するｎ－ＧａＮからなるｎ層２１と、ｎ層２１上に位置するｐ－ＧａＮからなるｐ層２２と、ｐ層２２上に位置するｎ－ＧａＮからなる高濃度ｎ層２３と、を有している。」（段落【００５７】）、「高濃度ｎ層２３は、ソース電極２８と良好なオーミック接触が得られるよう高いｎ型不純物濃度を有している。たとえば、１．０×１０18／ｃｍ3 ～１．０×１０20／ｃｍ3 である。ｐ層２２のｐ型不純物濃度は、高濃度ｎ層２３よりも低いか同等であり、たとえば１．０×１０17／ｃｍ3 ～１．０×１０20／ｃｍ3 である。」（【００６２】）と記載されている。 更に、引用文献３には、「ｎ電極１３としては、ｎ型のIII 族窒化物半導体に対してオーミックコンタクトをとれる材料が好ましい。たとえば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ、ＴｉＮ／Ａｌ、Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｌなども用いることができる。また、ｐ電極１４も同様に、ｐ型のIII 族窒化物半導体に対してオーミックコンタクトをとれる材料が好ましく、たとえば、Ｐｄ／Ａｕ、Ｃｏ／Ａｕなども用いることができる。」（段落【００３６】）と記載されている。 ｅ　引用文献４には、ＧａＮ系半導体トランジスタに関し、「ｐ型の活性層（ｐ－ＧａＮ）３」（段落[0016]）、「ソース電極１０ｓ及びドレイン電極１０ｄにそれぞれオーミック接触するｎ＋型ソース領域５ｓ及びｎ＋型ドレイン領域５ｄとを有する。」(段落[0017])、「ｐ－ＧａＮ層３を順に成長する。ｐ型ドーパントとしては、例えばＭｇが用いられ、そのドーパント濃度は、例えば１×１０１６～１×１０１７／ｃｍ３とする。」（段落[0024]）、「ｐ－ＧａＮ層３上にフォトレジスト４を塗布し、これを露光、現像してソース領域とドレイン領域に開口を形成した後に、その開口を通してｎ型ドーパント、例えばシリコンを注入してｎ＋型ソース領域５ｓ、ｎ＋型ドレイン領域５ｄを形成する。この場合、ｎ型ドーパント濃度を、例えば１×１０１８ ～２×１０ ２０／ｃｍ３ とする。」（段落[0025]）と記載されている。 更に、引用文献４には、「ソース電極１０ｓ、ドレイン電極１０ｄは、Ｔｉ／Ａｌ、Ｔｉ／ＡｌＳｉ、Ｍｏ等の膜からなり」と記載されている。 ｆ　また、上記ｃから、引用文献２に記載の技術は、ｎ型のＧａＮ層１８において、ｎ型不純物濃度の数値範囲が１×１０１８以上１×１０２２ｃｍ－３以下であるので、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、１×１０１８～１×１０２２ｃｍ－３程度のものも含むと解される。 上記ｄから、引用文献３に記載の技術は、ｎ－ＧａＮからなる高濃度ｎ層２３において、高濃度ｎ層２３の不純物濃度の上限値が１．０×１０２０／ｃｍ３であるので、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、１×１０２０／ｃｍ３程度のものも含むと解される。 上記ｅから、引用文献４には、ＧａＮ系半導体トランジスタに関し、ｎ＋型ソース領域５ｓ及びｎ＋型ドレイン領域５ｄにおいて、ｎ＋型ソース領域５ｓの不純物濃度の上限値が２×１０２０／ｃｍ３であるので、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、およそ２×１０２０ｃｍ－３程度のものも含むと解される。 しかしながら、引用文献２～４には、ｐ型半導体領域におけるｐ型不純物濃度の数値範囲と、当該ｐ型半導体領域にｎ型不純物を注入して形成したｎ型半導体領域（引用文献２、４を参照。）におけるｎ型不純物濃度の数値範囲が開示されているに過ぎず、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載も示唆もない。 また、上記（３）オ（ア）、（イ）に摘記の引用文献５、６にも、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載や示唆はない。 ｇ　一方、本件訂正発明４は、「前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」というものであり、「『ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差』の上限値を『１．０×１０２１ｃｍ－３以下』とすることにより、ｎ型半導体領域の表面の荒れを抑制できる。」（本件特許明細書の段落【０００９】）というものであり、また、「より低い接触抵抗を得る観点から、『ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差』は、『１．０×１０２０ｃｍ－３以上』であることがいっそう好ましく、イオン注入による半導体の表面の荒れを抑制する観点から、『ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差』は、『４．０×１０２０ｃｍ－３以下』であることがより好ましい。」（本件特許明細書の段落【００７０】）というものである。 しかも、本件訂正発明４は、「半導体装置であって」、「前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であ」るものであるが、上記ｃ～ｅのとおり、引用文献２～４に記載された半導体装置は、そのようなものではない。 そうすると、「ボディ領域１６の表面に、窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４が設けられており、ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ、ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続して」いる引用発明において、引用文献２～６に記載された技術的事項を参酌しても、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差」に着目して、その数値範囲を、「１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」と限定することは、当業者といえども容易に想到し得たことではない。そして、仮に、引用発明において、「ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」と限定することに想到し得たとしても、その結果として、より低い接触抵抗を得ることと、イオン注入による半導体の表面の荒れを抑制することという格別顕著な効果を得られることを、当業者が予測し得たとは認められない。 ｈ　したがって、引用発明において、引用文献２～６に記載された技術的事項に基づいて、相違点２に係る本件訂正発明４の構成とすることは、当業者であっても容易になし得たことではない。 （イ）よって、上記相違点１、３について判断するまでもなく、本件訂正発明４は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２～６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 （ウ）特許異議申立人伊藤泰和は、令和３年３月１６日に提出した意見書において、「ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差を「１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下」にすることは、ｎ型半導体領域に電極をオーミック接触させる場合の「普通の濃度範囲」です。」と主張する。 しかしながら、上記ａ～ｆで検討したとおり、引用文献２～６には、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載や示唆はないから、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差を所定の数値範囲とすることが、ｎ型半導体領域に電極をオーミック接触させる場合の「普通の濃度範囲」であるというかかる主張には理由がない。 （５）本件訂正発明５ないし９について 本件訂正発明５ないし９は、本件訂正発明４の「前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」と同一の構成を備えるものであるから、上記（４）に示した理由と同様の理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２～６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 （６）独立特許要件についてのまとめ 上記（１）アのとおり、本件訂正発明３は、訂正前の請求項３を削除するものであるから、独立特許要件を満たし、上記（４）、（５）のとおり、本件訂正発明４ないし９は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２～６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に違反せず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるから、本件訂正後の請求項３ないし９に係る係る訂正事項２ないし８による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合する。 ６　訂正の適否についてのまとめ 以上のとおりであり、本件訂正請求のうち、特許異議の申立てがされていない請求項３ないし９に係る訂正事項２ないし８による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合するから、明細書、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－９〕について訂正することを認める。 第３　訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１に係る発明（上記「本件訂正発明１」）は、上記「第２」「５（１）ク（ア）」に記載のとおりのものである。 第４　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について １　取消理由の概要 訂正前の請求項１に係る特許（以下「本件発明１」という。）に対して、当審が令和２年１１月３０日に特許権者に通知した取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由の要旨は、次のとおりである。 本件発明１は、上記引用文献１に記載の発明及び上記引用文献２～４に記載された周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 ２　引用文献、甲号証の記載 （１）引用文献１の記載と引用発明 ア　取消理由通知（決定の予告）において引用した引用文献１（特開２００９－２８３６９２号公報。甲第１号証）には、上記「第２」「５（３）ア（ア）」に示す事項が記載されている。 イ　したがって、引用文献１には、上記「第２」「５（３）ア（イ）」に記載の引用発明が記載されていると認められる。 （２）引用文献２の記載 取消理由通知（決定の予告）において周知例として提示した引用文献２（特開２０１５－５６４８６号公報）には、上記「第２」「５（３）イ」に示す事項が記載されている。 （３）引用文献３の記載 取消理由通知（決定の予告）において周知例として提示した引用文献３（特開２０１４－１３８８６号公報）には、上記「第２」「５（３）ウ」に示す事項が記載されている。 （４）引用文献４の記載 取消理由通知（決定の予告）において周知例として提示した引用文献４（国際公開２０１１／１０８６１５号。甲第４号証）には、上記「第２」「５（３）エ」に示す事項が記載されている。 （５）甲第２号証の記載 甲第２号証（特開２００９－１７７１１０号公報）には、以下の事項が記載されている。 「【発明を実施するための最良の形態】 【００３１】 以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。 図１は、本発明の第１の実施形態に係る窒化物半導体素子の構造を説明するための模式的な断面図である。 この窒化物半導体素子は、基板１と、基板１の一方面に形成された窒化物半導体積層構造部２とを備えている。 【００３２】 基板１としては、たとえば、サファイア基板などの絶縁性基板や、ＧａＮ基板、ＺｎＯ基板、Ｓｉ基板およびＳｉＣ基板などの導電性基板を適用することができる。この実施形態では、導電性基板が適用される。 窒化物半導体積層構造部２は、基板１に積層されたｎ-型のＧａＮ（窒化ガリウム）からなるｎ-型層３（第１層）と、ｎ-型層３に積層されたｐ型不純物を含むＧａＮからなるｐ型層４（第２層）とを備えている。 ・・・（略）・・・ 【００３４】 トレンチ５は、断面略Ｖ字形に形成されており、積層方向に直交する方向に延びるストライプ状に形成されている。また、トレンチ５は、図１では図示されていないが、そのストライプ方向と直交する幅方向（以下、この方向を単に「幅方向」ということがある。）に一定の間隔を空けて複数形成されている。 ｐ型層４において、トレンチ５の傾斜した側面（後述する壁面８）の上部から、幅方向に広がるトレンチ５の周辺領域は、ｐ型不純物よりもｎ型不純物が高濃度に含有されるｎ+型領域６（ｎ型領域）である。一方、ｐ型層４において、ｎ+型領域６以外の領域は、ｎ型不純物よりもｐ型不純物が高濃度に含有されるボディ領域７である。 【００３５】 ｎ+型領域６は、ｎ-型層３よりも高い不純物濃度でｎ型不純物がイオン注入された領域であり、その濃度は、たとえば、１×１０18～１×１０20ｃｍ-3である。一方、ｎ-型層３のｎ型不純物濃度は、たとえば、１×１０16～１×１０17ｃｍ-3である。 また、トレンチ５の傾斜した側面は、ｎ-型層３、ボディ領域７およびｎ+型領域６に跨がる壁面８を形成している。 ・・・（略）・・・ 【００４０】 ゲート絶縁膜９には、ｐ型層４の最表面２１を露出させる開口１２および開口１３が形成されている。具体的には、開口１２は、ｎ+型領域６の、積層界面に平行な最表面２２を露出させる開口である。一方、開口１３は、ボディ領域７の、積層界面に平行な最表面２３を露出させる開口である。 そして、開口１２から露出するｎ+型領域６には、開口１２を介して、ソース電極１４が形成されている。ソース電極１４は、たとえば、Ｔｉと、このＴｉに積層されたＡｌからなるＴｉ／Ａｌ合金などの金属を用いて形成することができ、ｎ+型領域６に電気的に接続されている。ソース電極１４を、Ａｌを含む金属で形成しておくことにより、ソース電極１４とｎ+型領域６との間の接合部で良好なオーミック特性を得ることができる。ソース電極１４は、その他、ＭｏもしくはＭｏ化合物（たとえば、モリブデンシリサイド）、ＴｉもしくはＴｉ化合物（たとえば、チタンシリサイド）、またはＷもしくはＷ化合物（たとえば、タングステンシリサイド）を用いて形成してもよい。 【００４１】 一方、開口１３から露出するボディ領域７には、開口１３を介して、ボディ用電極１５が形成されている。ボディ用電極１５は、たとえば、Ｎｉと、このＮｉに積層されたＡｕとからなるＮｉ／Ａｕ合金、Ｐｄ／Ａｕ合金、Ｐｄ／Ｔｉ／Ａｕ合金、Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ合金およびＰｔなどの金属を用いて形成することができ、ボディ領域７に電気的に接続されている。上記した金属は、主としてｐ型不純物を含むIII族窒化物半導体に対するコンタクト抵抗が低い。そのため、ボディ用電極１５を、上記した金属で形成しておくことにより、ボディ用電極１５とボディ領域７との間で良好なオーミック特性を得ることができる。また、ボディ用電極１５は、配線（図示せず）を介してソース電極１４と電気的に接続されている。」 （６）甲第３号証の記載 甲第３号証（特開平９－２３２６３２号公報）には、以下の事項が記載されている。 「【００２７】この半導体発光素子は、絶縁性のサファイア基板１１上に窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層１２とｐ型層１３とを積層したｐ－ｎ接合ウエハにおいて、前記ｐ型層１３及びｎ型層１２の表面上には、同一の金属からなるｐ側電極１４及びｎ側電極１５がそれぞれ形成されている。 ・・・（略）・・・ 【００２９】前記ｐ側電極１４及びｎ側電極１５の電極材料としては、ｐ側及びｎ側共に、より良好なオーミック特性を得るために、本実施形態では、Ｎｉ（ニッケル）とＴｉ（チタン）とＡｕ（金）を積層した合金を用いている。但し、この電極材料としては、Ａｕ、Ｐｄ（パラジュウム）、Ｔｉ、Ｐｔ（白金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニューム）、Ｃｏ（コバルト）、Ｒｈ（ロジューム）、Ｉｒ（イリジューム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｖ（バナジューム）、Ｓｃ（スカンジューム）、Ｍｇ（マグネシューム）、Ｚｒ（ジルコニューム）などの金属単体やこれらの金属より構成される合金、さらにはこれらの金属や合金からなる層構造としてもよい。例えば、ＮｉとＡｕを積層した合金、またはＴｉとＡｕを鏡層した合金であっても、良好なオーミック特性を得ることができる。」 ３　当審の判断 （１）対比 本件訂正発明１と引用発明とを対比する。 ア　引用発明の「窒化ガリウムを材料とするｎ＋型のソース領域（第三のｎ型領域）４」は、本件訂正発明１の「ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域」に相当する。 イ　引用発明の「窒化ガリウムを材料とするボディ領域（ｐ型窒化物半導体層）１６」は、本件訂正発明１の「前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域」に相当し、引用発明において、ソース領域４は、「ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程」によって形成されるから、当該「ボディ領域１６」は、ソース領域４に接する領域であるといえる。 したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域」を備える点で一致する。 ウ　本件訂正発明１の「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、パラジウム、ニッケル、白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属であり」と、引用発明の「ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ、ソース電極２は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており」とを対比する。 引用発明において、ソース電極２は、「チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とし、ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続して」いるから、ソース領域４とオーミック接触する電極であるとともに、ボディ領域１６とオーミック接触する電極であり、また、当該電極は、チタン、アルミニウム、ニッケル及び金を材料とする、金属から主に形成されているといえる。 したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触し、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極を備え、前記電極は、金属から主に形成されており、前記金属は、ニッケル」である点で一致する。 エ　引用発明の「半導体装置」は、「前記半導体装置の製造方法」が、「ｐ型窒化物半導層２６を結晶成長させる工程であって、ｐ型窒化物半導体層２６には、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が含まれている工程（ｐ型窒化物半導体層形成工程）と、次に、ｎ型不純物をイオン注入して、ｐ型窒化物半導体層２６の一部を、ｎ型領域１０に変質させ、イオン注入させなかった範囲をボディ領域１６とする工程（ｎ型領域形成工程）と、ボディ領域１６の表面に開孔を有するマスク層を形成し、ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入し、ソース領域（第三のｎ型領域）４を形成する工程」とを備える方法であるところ、ｐ型窒化物半導体層２６に含まれているマグネシウムの濃度がボディ領域１６のマグネシウム濃度となり、また、ソース領域４は、「ボディ領域１６の表面の一部にｎ型不純物をイオン注入」して形成するから、ソース領域４のマグネシウム濃度もｐ型窒化物半導体層２６の上記マグネシウム濃度と実質的に同じであることは明らかである。 したがって、本件訂正発明１と引用発明とは、「前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じ」である点で一致する。 オ　引用発明は、「ｎ＋型ソース領域４の不純物濃度はおよそ１×１０２０ｃｍ－３」であるところ、ｎ型半導体領域の「不純物濃度」は、通常は「ｎ型不純物濃度」を意味することが当該技術分野における技術常識である（例えば、上記「第２」「５（２）」に記載の周知例１（特開２００９－１７７７１０号公報、上記「２（５）」に摘記の甲第２号証）の段落【００３５】等を参照。）から、当該「不純物濃度」はｎ型不純物濃度を意味すると解される。 したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度は、「およそ１×１０２０ｃｍ－３」であり、また、上記エから、ｐ型不純物濃度は、ｐ型窒化物半導体層２６のマグネシウム濃度、すなわち、ｐ型ボディ領域１７の不純物濃度の「およそ１×１０１９ｃｍ－３」である。 したがって、引用発明は、ソース領域４において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差が、およそ０．９×１０２０ｃｍ－３であると解される。 カ　以上から、本件訂正発明１と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「半導体装置であって、 ガリウムを含む窒化物半導体から形成されたｎ型半導体領域と、 前記ｎ型半導体領域と接し、前記窒化物半導体から形成されたｐ型半導体領域と、 前記ｎ型半導体領域とオーミック接触し、 前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する電極を備え、 前記電極は、金属から主に形成されており、 前記金属は、ニッケルであり、 前記ｎ型半導体領域のｐ型不純物濃度と、前記ｐ型半導体領域のｐ型不純物濃度は、実質的に同じである、半導体装置。」 ＜相違点＞ ＜相違点Ａ＞ 本件訂正発明１は、「前記ｎ型半導体領域とオーミック接触する第１電極と、前記ｐ型半導体領域とオーミック接触する第２電極と、を備え、前記第１電極と、前記第２電極とは、同じ金属から主に形成されており、前記同じ金属は、ニッケルであ」るのに対し、引用発明では、「ソース領域４の一部とボディ領域１６の一部の表面上に、ソース電極２が設けられ」、「ソース領域４とボディ領域１６の双方に電気的に接続しており」、本件訂正発明１のように、「第１電極」と「第２電極」とを備える上記のようなものではない点。 ＜相違点Ｂ＞ 本件訂正発明１は、「前記ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差は、１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下である」のに対し、引用発明は、およそ０．９×１０２０ｃｍ－３であると解される点。 （２）判断 ア　相違点Ｂについて 事案に鑑み、まず相違点Ｂについて検討する。 甲第２号証、甲第３号証の記載事項は、上記「２（５）、（６）」に記載したとおりであり、甲第２号証、甲第３号証には、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載や示唆はない。 したがって、上記相違点Ｂは、上記「第２」「５（４）ア（カ）」に記載した「相違点２」と同じであるから、上記「第２」「５（４）イ（ア）」で相違点２について判断したのと同様の理由で、引用発明において、引用文献２～６、甲第２号証、甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて、相違点Ｂに係る本件訂正発明１の構成とすることは、当業者であっても容易になし得たことではない。 イ　よって、上記相違点Ａについて検討するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者であっても、引用発明並びに引用文献２～６、甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。 （３）特許異議申立人の意見について 特許異議申立人伊藤泰和は、令和３年３月１６日に提出した意見書において、「ｎ型半導体領域において、ｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差を「１．０×１０２０ｃｍ－３以上４．０×１０２０ｃｍ－３以下」にすることは、ｎ型半導体領域に電極をオーミック接触させる場合の「普通の濃度範囲」です。」と主張する。 しかしながら、上記「第２」「５（４）イ（ウ）」に記載したとおり、引用文献２～６には、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差に着目したとする記載や示唆はないから、ｎ型半導体領域におけるｎ型不純物濃度とｐ型不純物濃度の差を所定の数値範囲とすることが、ｎ型半導体領域に電極をオーミック接触させる場合の「普通の濃度範囲」であるというかかる主張には理由がない。 よって、本件訂正発明１は、引用文献１ないし引用文献４並びに甲第２号証及び甲第３号証（すなわち、甲第１号証ないし甲第４号証及び引用文献２、引用文献３）が開示する発明から、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。 第５　むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。