2019-010566

特願２０１７－１０１６１８「磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のためのスモールフォームファクタ磁気シールド」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　８月１７日出願公開、特開２０１７－１４３３１２〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１４年１月３１日（パリ条約による優先権主張　２０１３年２月８日、米国、２０１３年２月２６日、米国）を国際出願日とする出願である特願２０１５－５５６１７９号の一部を平成２９年５月２３日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成３０年　３月　６日付け：拒絶理由通知 平成３０年　５月１６日　　：意見書、手続補正書の提出 平成３０年　８月２９日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知 平成３０年１２月　３日　　：意見書、手続補正書の提出 平成３１年　４月１２日付け：平成３０年１２月　３日付けの手続補正についての補正の却下の決定、拒絶査定 令和　１年　８月　８日　　：審判請求書、手続補正書の提出 令和　１年１２月１７日　　：上申書の提出 第２ 令和１年８月８日付けの手続補正についての補正却下の決定 [補正却下の決定の結論] 令和１年８月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 [理由] １ 本件補正 本件補正は、特許請求の範囲の請求項１及び請求項２８について、本件補正前に、 「【請求項１】 基板と、 コンポーネントと、 前記コンポーネントを囲む少なくとも１つの金属および誘電体層と、 少なくとも部分的に前記コンポーネントの周りに配置された複数のビアとを含み、 前記複数のビアのうち少なくとも１つのビアが、強磁性材料を含む、ダイ。」 「【請求項２８】 パッケージング基板と、 前記パッケージング基板に結合されたダイと、 前記ダイを囲む金属及び誘電体層からなる型と、 少なくとも部分的に前記ダイの外周の周りに配置された複数のビアとを含み、前記複数のビアが少なくとも前記型の中に形成され、前記複数のビアのうち少なくとも１つのビアが強磁性材料を含む、ダイパッケージ。」 とあったところを、 「【請求項１】 基板と、 コンポーネントと、 前記コンポーネントを囲む少なくとも１つの金属および誘電体層と、 少なくとも部分的に前記コンポーネントの周りに配置された複数のビアとを含み、 前記複数のビアのうち少なくとも１つのビアが、強磁性材料を含み、 前記コンポーネントが、マトリックス状に配置された複数のセルのアレイを含み、 前記セルの長辺と平行な方向に配列された前記セルの中心及び、前記セルの短辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置され、 前記セルの短辺と平行な方向に配列された前記セルの前記短辺及び、前記セルの長辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置された、ダイ。」 「【請求項２８】 パッケージング基板と、 前記パッケージング基板に結合され、コンポーネントを含むダイと、 前記ダイを囲む型と、 少なくとも部分的に前記ダイの外周の周りに配置された複数のビアとを含み、前記複数のビアが少なくとも前記型の中に形成され、前記複数のビアのうち少なくとも１つのビアが強磁性材料を含み、 前記コンポーネントが、マトリックス状に配置された複数のセルのアレイを含み、 前記セルの長辺と平行な方向に配列された前記セルの中心及び、前記セルの短辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置され、 前記セルの短辺と平行な方向に配列された前記セルの前記短辺及び、前記セルの長辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置された、ダイパッケージ。」 とする補正を含むものである（下線は補正箇所を示す。）。 ２　補正の適否 （１）請求項１に係る補正について ア　請求項１についての本件補正（以下、「本件補正１」という。）は、 本件補正前の請求項１に記載した「コンポーネント」及び「ダイ」について、「前記コンポーネントが、マトリックス状に配置された複数のセルのアレイを含み、前記セルの長辺と平行な方向に配列された前記セルの中心及び、前記セルの短辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置され、前記セルの短辺と平行な方向に配列された前記セルの前記短辺及び、前記セルの長辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置された、ダイ」と補正するものである。 イ　当初明細書等に記載された事項 請求人が補正の根拠とした明細書の段落【００５４】には「図５に示されるように、ビア５０８は、ＭＲＡＭセルアレイ５０６を横方向に囲む。図５の例では、ビア５０８は、ダイ５００の境界に位置する。いくつかの実装形態では、ビア５０８は、ＭＲＡＭセルアレイ５０６からの各ＭＲＡＭセル（またはＭＲＡＭセルのセット）の周りに位置し得る。いくつかの実装形態では、ビア５０８は、ダイ５００のＭＲＡＭセルアレイ５０６のための側面磁気シールドを提供する。」と記載されているが、本件補正１に係る事項は記載されていない。 また、ＭＲＡＭセルアレイは、通常、微細なＭＲＡＭセルが１個のダイの中に６４Ｍｂｉｔ（約６千４００万個）以上存在することを考慮すると（例えば、特開２０１２－１４７８７号（【００８１】）等参照）、請求人が補正の根拠とした図５は、大きく簡略化した概念図であり、ＭＲＡＭセルアレイにおける多数のＭＲＡＭセル（例えば、６４Ｍｂｉｔ以上の「ＭＲＡＭセル」。）とビアとの位置関係を正確に表したものではなく、図５の記載から、セルの配置とビアの配置との関係を特定することはできないので、本件補正１に係る事項が記載されているとはいえない。 さらに、段落【００７４】及び図９Ａに記載された、ダイ９００に強磁性ビア９１０となる空隙９０８を形成する工程において、「いくつかの空隙９０８がダイ９００に形成される。空隙９０８は、ダイ９００の金属層、誘電体層、および／または基板９０２を横断し得る。・・・いくつかの実装形態では、空隙９０８は、ダイ９００のＭＲＡＭセルアレイ９０６を囲むように形成され得る。いくつかの実装形態では、空隙９０８は、ダイ９００の境界に形成される。」と記載されているものの、セルの配置と強磁性ビア９１０となる空隙９０８の配置との関係は述べられていないので、本件補正１に係る事項が記載されているとはいえない。 そして、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）の他の部分にも、本件補正１に係る事項は記載も示唆もされていない。 ウ　したがって、本件補正１により補正された「前記コンポーネントが、マトリックス状に配置された複数のセルのアレイを含み、前記セルの長辺と平行な方向に配列された前記セルの中心及び、前記セルの短辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置され、前記セルの短辺と平行な方向に配列された前記セルの前記短辺及び、前記セルの長辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置された」は、当初明細書等には記載がなく、当初明細書等から自明でもないから、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。 よって、本件補正１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものとはいえず、特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。 （２）請求項２８に係る補正について ア　請求項２８についての本件補正（以下、「本件補正２」という。）は、 本件補正前の請求項２８に記載した「ダイ」について、「コンポーネントを含むダイ」とし、「ダイパッケージ」について、「前記コンポーネントが、マトリックス状に配置された複数のセルのアレイを含み、前記セルの長辺と平行な方向に配列された前記セルの中心及び、前記セルの短辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置され、前記セルの短辺と平行な方向に配列された前記セルの前記短辺及び、前記セルの長辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置された、ダイパッケージ」とする補正を含むものである。 イ　当初明細書等に記載された事項 明細書において「ダイパッケージ」と「ビア」について記載されている段落【００８８】には「図１１に示されるように、ビア１１０８は、ダイ１１０２を横方向に囲む。図１１の例では、ビア１１０８は、ダイパッケージ１１００の境界に位置する。しかしながら、ビア１１０８は異なる位置に位置してよい。いくつかの実装形態では、ビア１１０８は、ダイ１１０２のＭＲＡＭセルアレイ１１０４のための側面磁気シールドを提供する。」と記載されているが、本件補正２に係る事項は記載されていない。 また、図１１には、ＭＲＡＭセルが示されておらず、セルの配置とビアの配置との関係は読み取れないので、本件補正２に係る事項が記載されているとはいえない。 さらに、段落【０１０３】及び図１３Ｂに記載された、型１３０８に強磁性ビア１３１２となる空隙１３１０を形成する工程において、「いくつかの空隙１３１０が型１３０８に形成される。いくつかの実装形態では、空隙１３１０は型１３１０とパッケージング基板１３００とを横断し得る。・・・いくつかの実装形態では、空隙１３１０は、ダイ１３０４のＭＲＡＭセルアレイ１３０６を囲むように形成され得る。いくつかの実装形態では、空隙１３１０は、ダイパッケージの境界（たとえば、型および／または基板の境界）に形成される。」と記載されているものの、セルの配置と強磁性ビア１３１２となる空隙１３１０の配置との関係は述べられていないので、本件補正２に係る事項が記載されているとはいえない。 そして、当初明細書等の他の部分にも、本件補正２に係る事項は記載も示唆もされていない。 ウ　したがって、本件補正２により追加された「前記コンポーネントが、マトリックス状に配置された複数のセルのアレイを含み、前記セルの長辺と平行な方向に配列された前記セルの中心及び、前記セルの短辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置され、前記セルの短辺と平行な方向に配列された前記セルの前記短辺及び、前記セルの長辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置された」は、当初明細書等には記載がなく、当初明細書等から自明でもないから、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。 よって、本件補正２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものとはいえず、特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。 なお、請求人は、審判請求書において「また、『前記コンポーネントが、マトリックス状に配置された複数のセルのアレイを含み、前記セルの長辺と平行な方向に配列された前記セルの中心及び、前記セルの短辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置され、前記セルの短辺と平行な方向に配列された前記セルの前記短辺及び、前記セルの長辺と対向する前記ビアの中心が、１つの直線上に配置された、』との補正は、請求項１の補正の根拠を援用いたします。」（〔３〕補正　（１０）請求項２８）と主張しているが、請求項１に係る発明は「ダイ」に関するものであり、請求項２８に係る発明は「ダイパッケージ」に関するものなので、請求項１の補正の根拠を援用することはできない。 （３）むすび 以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３　本願発明について １　本願発明 本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１－４７に係る発明は、平成３０年５月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１―４７に記載された事項により特定されるものであるところ、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］ １　本件補正」の本件補正前の「請求項１」として記載したもので、次のとおりである（再掲載）。 「【請求項１】 基板と、 コンポーネントと、 前記コンポーネントを囲む少なくとも１つの金属および誘電体層と、 少なくとも部分的に前記コンポーネントの周りに配置された複数のビアとを含み、 前記複数のビアのうち少なくとも１つのビアが、強磁性材料を含む、ダイ。」 ２　原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１－４７に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１－８に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 引用文献１．特開２００８－３０６０９４号公報 引用文献２．米国特許出願公開第２００６／０２２９６８３号明細書 引用文献３．国際公開第２０１２／０１１２１０号 引用文献４．米国特許出願公開第２００８／００７３７４７号明細書 引用文献５．特表２００７－５０７１０８号公報 引用文献６．特開２００４－２００１８５号公報 引用文献７．特開２０１０－２４５１０６号公報 引用文献８．米国特許第６３５０９５１号明細書 なお、請求項１に係る発明は、引用文献１及び７に基づいて容易であるとされた。 ３　引用文献の記載及び引用発明 （１）引用文献１ ア　引用文献１には、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。以下同様）。 「【０００１】 本発明は磁気メモリに関し、より詳細には強磁性トンネル接合や巨大磁気抵抗効果素子などの磁気抵抗効果素子を有するセルを集積したメモリにおいて、記録の書き込み動作や保持に影響を与える外部からの磁場を防ぐ磁気シールドに関する。」 「【００２３】 以下に、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明するプロセスは、ウェハで実施される。すなわち、ウェハに同一のチップが多数形成されている状態で、それぞれのチップに対して以下の実施の形態は行われる。ウェハは、本発明によるプロセスと、その他の所定のプロセスが終了した後、チップに切断される。 （第一の実施の形態） 図６、図７は、本発明の第一の実施の形態を説明するための模式図である。図６は、上面から見た図であり、図７は、断面図である。なお、説明の都合上、図面におけるメモリアレイや磁気シールドなどの寸法や大きさの比は、実際の装置とは異なる。 【００２４】 誘電体層１０３、例えば酸化シリコンや、窒化シリコンと酸化シリコンの積層膜によってウェハ１００上のメモリアレイ１０１とその他の素子１０２が被覆されている。この誘電体層１０３に磁気シールドとして、連続した強磁性体１０５が、メモリアレイ１０１の周囲を囲むように設けられている。」 「【００２６】 第一の実施の形態に示す構造は、以下の工程で形成される。まず、図８（ａ）に示すように、ウェハ１００上に形成したメモリアレイ１０１とその他の素子１０２を酸化シリコンなどの誘電体層１０３で被覆する。誘電体層１０３は、例えば化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって形成される。次に、図８（ｃ）に示すように、磁気シールドとなる強磁性体を形成するための溝１０６を、誘電体層１０３に形成する。溝１０６の形成は、例えばフォトレジストをマスクとした反応性エッチングで行う。 【００２７】 そして、次に、図８（ｃ）に示すように、前の工程で形成した溝１０６に磁気シールドとなる強磁性体１０５を埋め込む。強磁性体１０５の埋め込みは、例えば、スパッタ法などで行うことができる。Ｎｉ－Ｆｅ合金などの金属磁性体を用いる場合には、溝の埋め込みは、めっきによって行うことができる。溝の内部を埋め込まずに、溝の内壁表面に強磁性体の膜を形成することでも磁気遮蔽効果を得ることができるが、埋め込んだ方が強磁性体の体積が大きくなるので、溝の内壁表面に強磁性体膜を形成した場合と比べて、より大きな効果が期待できる。」 「【００２９】 ・・・ （第二の実施の形態） 図１０は第二の実施の形態を説明する模式図で、上方から見た図である。磁気シールドは、独立した複数の強磁性体１０５Ａから構成されている。磁気シールドを構成する強磁性体１０５Ａの各々は、上方から見たとき、メモリアレイを囲む方向の長さがメモリアレイを囲む方向と直交する方向よりも長い。」 イ　上記記載から、引用文献１には、次の事項が記載されている。 ・引用文献１記載の技術は、磁気メモリのチップに関するものである（【０００１】、【００２３】）。 ・図７より、誘電体層１０３が、メモリアレイ１０１を囲んでいることが見て取れるので、【００２３】及び【００２４】から、誘電体層１０３によって、ウェハ１００上のメモリアレイ１０１が囲むように被覆され、誘電体層１０３に強磁性体１０５が、メモリアレイ１０１の周囲を囲むように設けられたチップが読み取れる。 ・強磁性体１０５は、溝１０６を誘電体層１０３に形成し、溝１０６に磁気シールドとなる強磁性体１０５を埋め込んだものである（【００２６】、【００２７】）。 ・図１０より、強磁性体１０５は、上方から見ると複数の長方形状であることが見て取れるので、【００２９】から、強磁性体１０５は、上方から見ると独立した複数の長方形状であることが読み取れる。 したがって、第二の実施の形態に着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「誘電体層１０３によって、ウェハ１００上のメモリアレイ１０１が囲むように被覆され、 誘電体層１０３に強磁性体１０５が、メモリアレイ１０１の周囲を囲むように設けられた磁気メモリのチップであって、 強磁性体１０５は、溝１０６を誘電体層１０３に形成し、溝１０６に磁気シールドとなる強磁性体１０５を埋め込んだもので、上方から見ると独立した複数の長方形状である、 磁気メモリのチップ。」 （２）引用文献７ 引用文献７には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 本発明は、磁気記憶装置に関し、特にリードフレーム部材を有する磁気記憶装置に関する。」 「【００６０】 図１１を参照して、磁気記憶素子ＭＭがその後のプロセスによってダメージを受けないように、磁気記憶素子ＭＭを覆うように保護膜２０が形成される。その保護膜２０を覆うように層間絶縁膜１７上にたとえばＣＶＤ法によりさらに層間絶縁膜２１が形成される。メモリセル領域ＭＲでは、その層間絶縁膜２１および保護膜２０に所定の写真製版およびエッチングを施すことにより、記録層３の表面を露出するコンタクトホール２１ａが形成される。また周辺回路領域ＲＲでは、その層間絶縁膜２１および層間絶縁膜１７に所定の写真製版およびエッチングを施すことにより、配線層１６の表面に達するコンタクトホール２１ｂが形成される。これらのコンタクトホール２１ａ、２１ｂ内を充填するように層間絶縁膜２１上にたとえば銅層（図示せず）が形成される。その銅層にたとえばＣＭＰ処理等を施すことによって層間絶縁膜２１の上面上に位置する銅層が除去され、コンタクトホール２１ａ、２１ｂ内の各々に銅層が残存されて接続部材２３が形成される。 【００６１】 その層間絶縁膜２１を覆うように層間絶縁膜２１上にたとえばＣＶＤ法によりさらに層間絶縁膜２４が形成される。その層間絶縁膜２４に所定の写真製版およびエッチングを施すことにより、メモリセル領域ＭＲでは層間絶縁膜２４にビット線を形成するための開口部が形成され、周辺回路領域ＲＲでは層間絶縁膜２４に開口部２４ａが形成される。これらの開口部内を充填するように層間絶縁膜２４上にたとえば銅層（図示せず）が形成される。その銅層に、たとえばＣＭＰ処理等を施すことによって層間絶縁膜２４の上面上に位置する銅層が除去され、ビット線用の開口部内に銅層が残存されてビット線ＢＬが形成され、開口部２４ａ内には銅層が残存されて配線層２５が形成される。」 上記より、引用文献７には「磁気記憶装置において、メモリセル領域ＭＲ及び周辺回路領域ＲＲを、層間絶縁膜及び金属配線層（ビット線ＢＬ、配線層２５）で覆う」技術が記載されている。 ４　対比 本願発明と引用発明とを対比する。 （１）引用発明の「ウェハ１００」、「誘電体層１０３」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「誘電体層」に相当する。 （２）本願の明細書に「コンポーネントは、いくつかの磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを含むＭＲＡＭセルアレイである。」（【００１５】）と記載されていることから、引用発明の「磁気メモリのチップ」における「メモリアレイ１０１」は、本願発明の「コンポーネント」に相当する。 （３）引用発明の「誘電体層１０３」は、「メモリアレイ１０１」を囲むように被覆しているので、本願発明とは「前記コンポーネントを囲む少なくとも１つの層」を含むものである点で共通する。 ただし、コンポーネントを囲む層が、本願発明は、「金属および誘電体層」であるのに対して、引用発明は、「誘電体層１０３」である点で相違する。 （４）引用発明の「強磁性体１０５」は、「溝１０６を誘電体層１０３に形成し、溝１０６に」「埋め込んだもので、上方から見ると独立した複数の長方形状である」ので柱状であり、「誘電体層１０３」に形成されたビアといえるものである。 そして、引用発明の「強磁性体１０５」は、「メモリアレイ１０１の周囲を囲むように設けられた」ものであるから、引用発明の「チップ」に「強磁性体１０５」が設けられることは、本願発明の「ダイ」が「少なくとも部分的に前記コンポーネントの周りに配置された複数のビアとを含み、前記複数のビアのうち少なくとも１つのビアが、強磁性材料を含む」ことに相当する。 （５）引用発明の「磁気メモリのチップ」は、「ウェハ１００」、「メモリアレイ１０１」、「誘電体層１０３」及び「強磁性体１０５」を含むものなので、本願発明の「ダイ」に相当する。 すると本願発明と引用発明とは、次の（一致点）及び（相違点）を有する。 （一致点） 「基板と、 コンポーネントと、 前記コンポーネントを囲む少なくとも１つの層と、 少なくとも部分的に前記コンポーネントの周りに配置された複数のビアとを含み、 前記複数のビアのうち少なくとも１つのビアが、強磁性材料を含む、ダイ。」 （相違点） コンポーネントを囲む層が、本願発明は、「金属および誘電体層」であるのに対して、引用発明は、「誘電体層１０３」である点。 ５　判断 上記相違点について検討する。 引用文献７には、磁気記憶装置において、メモリセル領域ＭＲ及び周辺回路領域ＲＲを、層間絶縁膜及び金属配線層で覆う技術が記載されている（上記「３　（２）」）。 ここで、引用発明は「磁気メモリのチップ」に関するものであるから、引用発明においても上記技術を適用し、「メモリアレイ１０１」を囲む「誘電体層１０３」に金属配線層を設けて、上記相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。 よって、本願発明は、引用発明及び引用文献７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４　むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論の通り審決する。