2018-016323

第２　平成３０年１２月６日にされた手続補正についての補正の却下の決定

［補正の却下の決定の結論］

平成３０年１２月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。

［理由］

１　本件補正について

（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載

本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。

「　　【請求項１】

チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされ、且つインジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である太陽電池セル。」

（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載

本件補正前の、平成３０年６月１２日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。

「　　【請求項１】

チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である太陽電池セル。」

２　新規事項の追加について

本件補正の補正により、請求項１において「インジウムドープ単結晶シリコンウェハ」と記載されたものが、「インジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハ」とされた。

インジウムドープ単結晶シリコンウェハに関し、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「出願当初の明細書等」という。）の明細書に、

「【０００２】

本分野は概して単結晶シリコンウェハ上に作製された太陽電池セルの製造に関し、より具体的にはチョクラルスキー成長単結晶シリコンインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハ上に作製された太陽電池セルに関する。」、

「【００２１】

チョクラルスキー法により準備されたインゴットは一般的に酸素不純物を含み、酸素不純物は周囲の雰囲気および坩堝の壁からシリコン融液に入り得る。結晶成長の間、溶融シリコンが坩堝を構成する石英をエッチングまたは溶解し、それにより酸素ドーピングを生じる。酸素は結晶全体に亘って分散し、また集まる場合があり、析出物または錯体を形成する。単結晶シリコンインゴットおよびそこからスライスされた単結晶シリコンウェハは、約３０ｐｐｍａ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ ａｔｏｍｉｃ、ＡＳＴＭ規格 Ｆ－１２１－８３、またはＳＥＭＩ規格 Ｍ４４）以下の酸素濃度を含む場合があり、一般的に約１１ｐｐｍａと約２０ｐｐｍａとの間のように約２０ｐｐｍａより小さい。

【００２２】

チョクラルスキー法により準備されたインゴットは不純物として炭素も含む場合がある。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンインゴットおよびそこからスライスされた単結晶シリコンウェハは、約２ｐｐｍａ以下の濃度で炭素を含む場合がある。

【００２３】

いくつかの実施形態において、本開示は、図６に示されるインゴットのような、インジウムでドープされ、チョクラルスキー法により準備された単結晶シリコンインゴットに関する。よりさらなる実施形態において、本開示は、そのようなインゴットを成長させる方法に関する。よりさらなる実施形態において、本開示は、そのようなインジウムドープチョクラルスキー成長インゴットからスライスされたセグメントおよびウェハに関する。いくつかの実施形態において、インジウムドープ単結晶シリコン基材は、２つの主要な略平行な面（一方が基材の前面であり、他方が基材の後面である）と、前面および後面に接続する周縁端と、前面と後面との間の中心面と、中心軸から周縁端に伸びる半径Ｒとを含むセグメント、例えばウェハを含む。いくつかの実施形態において、単結晶シリコン基材は円形状を有する単結晶シリコンウェハを含む。ウェハの直径は一般的に、当該技術分野において知られているように、均一な直径を有するインゴットを達成するために研削されるインゴットの一部を除いたチョクラルスキー成長単結晶シリコンインゴットの直径に類似する。インゴットは一般的にウェハの直径より大きい直径に成長させ、インゴットの外側の周縁端を滑らかにするために一般的に研削が行われ、成長させたばかりのインゴットと比較して直径が減少し得る。ウェハの直径は、少なくとも約１５０ｍｍ、約２００ｍｍであってよく、または２０５ｍｍ、２５０ｍｍ、３００ｍｍ若しくはさらに４５０ｍｍのように約２００ｍｍより大きくてよく、いくつかの実施形態において約１５０ｍｍと約４５０ｍｍとの間であってよい。いくつかの実施形態において、単結晶シリコンウェハは、約１２０μｍと約２４０μｍとの間のように約１００μｍと約１０００μｍとの間の厚さを有する。特定の実施形態において、厚さは約１８０μｍまたは約２００μｍであってよい。厚さは、以上に列挙した厚さより約２０μｍ薄くまたは厚く変化してよい。

【００２４】

いくつかの実施形態において、中心軸と、中心軸に対して略垂直である前面および後面と、前面と後面との間にあり且つそれらに平行な中心面と、周縁端と、中心軸から周縁端に伸びる半径Ｒとを有するインジウムドープ単結晶シリコンインゴット（種結晶（または、種、ｓｅｅｄ）およびエンドコーンを取り除くために切断されている場合がある）またはそこからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンセグメント（例えば、ウェハ）は、少なくとも約５×１０１４原子／ｃｍ３（約０．０１ｐｐｍａ）または少なくとも約１×１０１５原子／ｃｍ３（約０．０２ｐｐｍａである）の平均インジウム濃度を含む。いくつかの実施形態において、平均インジウム濃度は、約１×１０１５原子／ｃｍ３（約０．０２ｐｐｍａ）と約１×１０１８原子／ｃｍ３（約２０ｐｐｍａ）との間である。いくつかの実施形態において、平均インジウム濃度は、約１×１０１５原子／ｃｍ３（約０．０２ｐｐｍａ）と約１×１０１７原子／ｃｍ３（約２ｐｐｍａ）との間である。いくつかの実施形態において、平均インジウム濃度は、約１×１０１５原子／ｃｍ３（約０．０２ｐｐｍａ）と約１×１０１６原子／ｃｍ３（約０．２ｐｐｍａ）との間である。」、

と記載されている（下線は、当審で付した。以下同様。）。

また、上記明細書の段落【００８２】－【００９４】の実施例１－４のバッチチョクラルスキー法により成長させたインジウムドープ単結晶シリコンインゴットは、所定のインジウム濃度、酸素濃度、炭素濃度であり、インジウム以外にも酸素、炭素が含まれている。

まず、「ドープ」とは、上記明細書の段落【００２１】の「『チョクラルスキー法により準備されたインゴットは一般的に酸素不純物を含み、』『酸素ドーピングを生じる。』」といった記載からみても、意図的に不純物を添加することのみを意味するとはいえず、（望むか望まないにかかわらず）不純物が添加されることを意味するというべきである。

そうすると、インジウムドープ以外に酸素ドーピングなどによりドーピングされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハについては、出願当初の明細書等に記載されているものの、インジウムドープ単結晶シリコンウェハにおいて、インジウムのみでドープされたこと（つまり、酸素を含まない）に関して、出願当初の明細書等には明示的な記載はない。

そして、インジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハは、当業者にとって自明な事項とも認められず、本件補正は、出願当初の明細書等に記載した事項との関係において、インジウムドープ単結晶シリコンウェハについて、インジウムのみでドープされたという新たな技術的事項を導入するものである。

以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定する要件を満たしていないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。

３　独立特許要件について

上記２で説示したとおり、本件補正は新規事項の追加により却下すべきものであるが、仮に、「ドープ」が、意図的に不純物を添加することのみを意味し、結果として、新たな技術的事項を導入するものではなく、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるとして、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。

（１）本件補正発明

本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。

（３）対比

本件補正発明と引用発明とを対比する。

ア　引用発明の「太陽電池」は、本件補正発明の「太陽電池セル」に相当する。

イ　引用発明のＣＺ（チョクラルスキー）基板は、チョクラルスキー法で生産されるものなので、通常、酸素や炭素が不純物として含まれ、ドープされているが、引用発明は「ドーパントにボロンを使用していない基板を用い」と特定されているので、ボロンではドープされていない。

そうすると、引用発明は「『主たるドーパントが』『インジウム』『であるＰ型ＣＺ基板を有し、ドーパントにボロンを使用していない基板を用い』」は、本件補正発明の「チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされ、且つインジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み」に相当する。

ウ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。

【一致点】

「チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされ、且つインジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含む太陽電池セル。」

【相違点】

太陽電池セルの変換効率が、本件補正発明では「絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である」のに対し、引用発明ではそのようなものか明らかでない点。

（４）判断

以下、上記相違点について検討する。

ア　相違点について

（ア）引用発明の太陽電池は「同比抵抗の通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示す」と特定されている。

（イ）そして、通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池は、ＡＭ１．５の下で、光照射前１８％の変換効率を示すことが、上記技術的事項２に記載されている。

（ウ）また、引用発明の「『主たるドーパントが』『ガリウム』『であるＰ型ＣＺ基板を有し、』『同比抵抗の通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示す』」との特定に関し、高い変換効率は、具体的には、ＡＭ１．５の下で、光照射前２０％の変換効率を示すことが、上記技術的事項１に記載されている。

（エ）そうすると、引用発明の「『主たるドーパントが』『インジウム』『であるＰ型ＣＺ基板を有し、ドーパントにボロンを使用していない基板を用い、同比抵抗の通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示す、太陽電池』」においても、ＡＭ１．５の下で、光照射前１８％よりさらに高い変換効率を示すようになすことは、当業者が容易に想到し得た事項にすぎない。

イ　そして、相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献１に記載された事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

ウ　したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

（５）審判請求人の主張について

ア　本件審判請求人は、平成３０年１２月６日付けで提出された審判請求書において、

（ア）「このように、引用文献１には、ガリウム及びホウ素でドープされた基板が開示されていますが、本願の請求項１に係る発明のようにインジウムのみでドープされた基板は開示されておりません。」、

（イ）「ガリウムはインジウムと同じドーパントではなく、ガリウムをドーピングしたウェハは、インジウムをドーピングしたウェハと同じ性質を有しません。そのため、当業者であれば、引用文献１の実施例において単にドーパントをガリウムからインジウムに変更することはあり得ず、ガリウムをドーピングしたウェハがインジウムをドーピングしたウェハと同じ性質を有すると予期することはありません。」、

旨主張している。

イ　上記主張について以下検討する。

（ア）上記ア（ア）の「本願の請求項１に係る発明のようにインジウムのみでドープされた基板」について、「インジウムのみでドープされた」を文字通り解釈した場合には、上記２で検討したとおり、新たな技術的事項を導入するものである。

そして、引用文献１には「ガリウム及びホウ素でドープされた基板」以外にも、主たるドーパントがインジウムであるＰ型ＣＺ基板を有し、ドーパントにボロンを使用していない基板を用いることが開示されている（上記３（２）ア）。

（イ）引用文献１の請求項１には「主たるドーパントがアルミニウム、ガリウム、インジウムのいずれかであるＰ型半導体基板」と記載され、引用文献１は、主たるドーパントとしてインジウムを用いることを想定している。

また、引用文献１の、主たるドーパントがアルミニウム、ガリウム、インジウムのいずれかであるＰ型半導体基板を有する太陽電池が、通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示すとの効果からして、主たるドーパントがインジウムであるＰ型ＣＺ基板を有する太陽電池も、ＡＭ１．５（絶対的エアマス１．５）の下での変換効率が、上記技術的事項２に記載したように通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池の変換効率が１８％なので、少なくとも１８％であるとの効果を有することは予期することができる。

以上から、請求人の上記主張は、採用することができない。

４　本件補正についてのむすび

本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。

仮に、本件補正が、新たな技術的事項を導入するものではなく、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるとしても、「本件補正発明」が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであることは以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。

したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。

よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第３　本願発明について

１　本願発明

平成３０年１２月６日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年６月１２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２の［理由］１（２）に記載のとおりのものである。

２　原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由は、この出願の下記の請求項に係る発明は、その最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。

記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）

・請求項１－１５

・引用文献等１

＜引用文献等一覧＞

１．特開２００１－２６７６１０号公報

３　引用文献

原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］３（２）に記載したとおりである。

４　対比・判断

本願発明は、前記第２の［理由］３で検討した本件補正発明から、「且つインジウムのみでドープされた」との限定事項を省いたものである。

そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］３（３）、（４）に記載したとおり、引用発明及び引用文献１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。

第４　むすび

以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。