2018-013428

特願２０１６－２２８８０５「高周波数領域における誘電体としてのガラスセラミック」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　４月１３日出願公開、特開２０１７－　７１５５０〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１．手続の経緯 本願は、２０１２年（平成２４年）１１月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１１年１１月２４日　ドイツ）を国際出願日とする特願２０１４－５４２８０７号の一部を平成２８年１１月２５日に新たな特許出願としたものであって、その後の手続の概要は、以下のとおりである。 平成２９年１１月１３日付け：拒絶理由通知 平成３０年　５月１６日　　：意見書の提出 ６月　４日付け：拒絶査定（以下、「原査定」という。） １０月　９日付け：審判請求及び手続補正 １１月１９日　　：手続補正（方式） 第２．本願発明の認定 本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成３０年１０月９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項及び本願明細書の記載より次のとおりのものと認める。 「周波数ｆ＞２００MHzの高周波領域において１０－２以下の誘電損失（ｔａｎδ）を有する誘電体であって、 該誘電体は、少なくとも以下の構成要素（酸化物換算のｍｏｌ％）を含むガラスセラミックからなり、 ＳｉＯ２　　　　１～５０ Ａｌ２Ｏ３　　　 ０～２０ Ｂ２Ｏ３　　　　 ０～２５ ＴｉＯ２　　　１０～７０ ＲＥ２Ｏ３　　　 ０～３５ ＢａＯ　　　　　０～３５ ここで、ＲＥは、ランタン、他のランタノイド、又はイットリウムであり、Ｔｉは部分的に、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換されていてもよく、 該ガラスセラミックの気孔率が０．５％未満であり、および該ガラスセラミックの表面は金属化を含み、および 共振周波数の温度依存性の絶対値（τｆ）が２００ｐｐｍ／Ｋ以下である、 誘電体。」 なお、共振周波数の温度依存性の絶対値（τｆ）について、請求項１には、「２００ｐｐｍ／Ｋである」と記載されているが、本願明細書には、「共振周波数の温度依存性を非常に低くすることができる。特にセラミック化の条件を最適化することにより、共振周波数の温度依存性の絶対値｜τｆ｜を２００ｐｐｍ／Ｋ以下・・・に制限することができる。」（段落【００２９】）、「ここで、共振周波数の温度依存性の絶対値｜τｆ｜は、好ましくは２００ｐｐｍ／Ｋ以下・・・である。」（段落【００３７】）」と記載されていることから、「２００ｐｐｍ／Ｋ以下である」の誤記であると認め、上記のとおり認定した。 第３．原査定の理由 原査定の理由の一つは、 特開２０１１－１９５４４０号公報（以下、「引用文献１」という。） を引用し、本願発明は、その（優先権の基礎とされた先の）出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能になった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、というものである。 第４．引用文献の記載 引用文献１には、以下の事項が記載されている。 （ア）「本発明は、高周波領域（周波数＞２００ＭＨｚ）、特にギガヘルツ領域（周波数ｆ＞１ＧＨｚ）において誘電体として使用できるガラスセラミックに関する。」（段落【０００１】） （イ）「焼結により製造する誘電体は多数の欠点を有する。すなわち、すべての焼結プロセスは必ず一定の収縮を伴い、これが不正確な寸法精度およびそれに応じた最終機械加工につながる。さらに、すべての焼結プロセスは、一定の残留多孔性をもたらし、これは表面を金属被覆するときに不都合である。金属が空隙に浸透して、誘電体の誘電損を増やす。・・・」 （段落【０００９】） （ウ）「・・・実施例１ないし実施例９のさまざまなガラスサンプルを、まず、従来の出発材料を使用した通常の方法で溶融および均質化する。ここで、白金るつぼ、Ｐｔ／Ｉｒるつぼ、Ｐｔ／Ｒｈるつぼ、溶解石英るつぼ、または酸化アルミニウムるつぼを使用できる。サンプルは、まず、１３５０℃で２時間溶融してから、１４００℃で３０分間精製（純化）し、白金スターラーで２０分間攪拌して均質化し、１０分間静置してから、例えばスチール、グラファイト、酸化アルミニウム、または溶解石英製の適切な成形型に注入し、近似成形する。」（段落【００２３】） （エ）「このサンプルの結晶相の体積比率は、およそ約５０体積％ないし７０体積％である。 サンプル１ないしサンプル９の比誘電率εを測定した。これらはすべて１５より大きく、２０ないし５０の範囲内であった。 これらのサンプルは、低い誘電損と高い品質も示している。 品質Ｑ値は、誘電損（ｔａｎδ）の逆数である。 Ｑ＝１／ｔａｎ（δ） 品質は、ハッキ・コールマン共振法により測定する。ここでは、品質係数は、品質Ｑ値と測定周波数ｆ０との積として求める。」 （段落【００２６】） （オ）「すべてのサンプル１ないし９の品質係数Ｑ・ｆ０は、２０００ＧＨｚないし３０００ＧＨｚの範囲内であった。サンプル１の場合、１０．０９ＧＨｚで、比誘電率ε２２．４、品質Ｑ値２０５が、すなわち、品質係数２０６８が測定された。 共振周波数の温度係数ｔｆは、測定したすべてのサンプルで非常に低く、－４０ｐｐｍ／Ｋ＜ｔｆ＜４０ｐｐｍ／Ｋの範囲である。」 （段落【００２７】） （カ）「サンプル番号１　含有量（モル％）　ＳｉＯ２ ２１．００、Ａｌ２Ｏ３ ６．００、Ｂ２Ｏ３ １２．６０、ＢａＯ ０．００、ＴｉＯ２ ４０．２０、Ｓｂ２Ｏ３ ０．１０、Ｌａ２Ｏ３　２０．１０」 （段落【００２９】【表１】抜粋） 第５．引用発明の認定 記載事項（ア）から、引用文献１には、誘電体として使用できるガラスセラミックの発明について記載されており、記載事項（オ）及び記載事項（カ）から、当該発明の実施例である「サンプル（番号）１」として、以下に示す誘電体特性及び成分組成を有する発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 「１０．０９ＧＨｚにおいて２０５の品質Ｑ値を有し、 成分の含有量（モル％）が、 ＳｉＯ２ 　　 ２１．００ Ａｌ２Ｏ３ 　　　６．００ Ｂ２Ｏ３ 　　　１２．６０ ＢａＯ 　　　０．００ ＴｉＯ２ 　　　４０．２０ Ｓｂ２Ｏ３ 　　０．１０ Ｌａ２Ｏ３　 ２０．１０であり、 共振周波数の温度係数ｔｆは－４０ｐｐｍ／Ｋ＜ｔｆ＜４０ｐｐｍ／Ｋである誘電体として使用できるガラスセラミック。」 第６．発明の対比 本願発明と引用発明とを対比すると、記載事項（エ）に記載されるように、「品質Ｑ値」は誘電損（ｔａｎδ）の逆数であるから、引用発明の「１０．０９ＧＨｚにおいて２０５の品質Ｑ値」は、「１０．０９ＧＨｚにおいて０．００４９の誘電損（ｔａｎδ）」を意味し、本願発明における「周波数ｆ２００MHzの高周波領域において１０－２以下の誘電損失（ｔａｎδ）」に相当する。　また、引用発明の「共振周波数の温度係数ｔｆは－４０ｐｐｍ／Ｋ＜ｔｆ＜４０ｐｐｍ／Ｋの範囲である」は、本願発明の「共振周波数の温度依存性の絶対値（τｆ）が２００ｐｐｍ／Ｋ以下である」に相当する。 したがって、本願発明のうち、 「周波数ｆ＞２００MHzの高周波領域において１０－２以下の誘電損失（ｔａｎδ）を有する誘電体であって、 該誘電体は、少なくとも以下の構成要素（酸化物換算のｍｏｌ％）を含むガラスセラミックからなり、 ＳｉＯ２　　　　１～５０ Ａｌ２Ｏ３　　　 ０～２０ Ｂ２Ｏ３　　　　 ０～２５ ＴｉＯ２　　　１０～７０ ＲＥ２Ｏ３　　　 ０～３５ ＢａＯ　　　　　０～３５ ここで、ＲＥは、ランタン、他のランタノイド、又はイットリウムであり、Ｔｉは部分的に、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換されていてもよく、 共振周波数の温度依存性の絶対値（τｆ）が２００ｐｐｍ／Ｋ以下である、 誘電体。」の点は、引用発明と一致し、両者は以下の点で相違する。 相違点１ 本願発明は、「ガラスセラミックの気孔率が０．５％未満であ」るのに対して、引用発明は気孔率が不明である点。 相違点２ 本願発明は、「ガラスセラミックの表面は金属化を含」むのに対して、引用発明はその表面処理が不明である点。 第７．相違点の判断 相違点１について ガラスセラミックの気孔率に関し、本願明細書の段落【００１８】には、「・・・溶融により製造されるガラスセラミックを用いて得られる気孔率は非常に低く、好ましくは０．１％未満（＜０．１％）、より詳細には０．０１％未満（＜０．０１％）である。」と記載され、さらに段落【００３６】には、溶融時に「気孔率が０．５％未満（＜０．５％）、好ましくは０．１％未満（＜０．１％）、より好ましくは０．０５％未満（＜０．０５％）となるように上記原料ガラスを均質化する工程」を設けたことが記載されている。そして段落【００４７】には、この溶融均質化工程について「まず１３５０℃で２時間溶融させてから、１４００℃で３０分間改質し、白金スターラーを用いて２０分間撹拌及び均質化して、１０分間保持した。」ことが記載されている。 してみると、本願発明の「０．５％未満の気孔率」とは、溶融により製造された結果得られるものであって、具体的には、原料ガラスの溶融均質化工程により得られるものと認められる。 これに対し、引用文献１の記載事項（ウ）には、引用発明もまた原料ガラスの溶融均質化工程を経て製造されたことが記載されており、しかもその製造条件が本願発明と一致している。 してみると、引用発明のガラスセラミックの気孔率は、引用文献１に具体的な記載がなくとも、本願発明と同様に０．５％未満であると認められる。 したがって、相違点１は、実質的な相違点ではない。 相違点２について 引用文献１の記載事項（イ）に、引用発明の前提となる先行技術において、誘電体がその表面を金属被覆されることが記載されていることから、引用発明もまた、その表面を金属化されて使用されるものと認められる。 したがって、相違点２も、実質的な相違点ではない。 よって、本願発明と引用発明には、実質的な差異がない。 請求人の主張について 請求人は平成３０年１１月１９日に提出された審判請求書の手続補正書で、相違点１について、本願発明と引用発明とはガラスセラミックの組成比率に関し完全に一致しているわけではないから気孔率も一致しているとはいえない旨主張している。 しかしながら、「第６．発明の対比」にて検討したとおり、引用発明は、本願発明が特定するガラスセラミックの組成比率を満足している。また、溶融均質化工程を経て製造されたガラスセラミックの気孔率が、焼結工程を経て製造された場合のように組成比率によって大きく変化するものとは認められない。 したがって、上記主張は採用できない。 第８．むすび 以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。 したがって、本願は原査定の理由により拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。