2018-012510

特願２０１５－　１８５０８「積層コンデンサ及び積層コンデンサの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　８月　８日出願公開、特開２０１６－１４３７６４〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１ 手続の経緯 本願は、平成２７年２月２日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 平成２９年１２月２７日付け：拒絶理由通知 平成３０年　３月　２日　　：意見書、手続補正書の提出 平成３０年　６月２２日付け：拒絶査定 平成３０年　９月１９日　　：審判請求書、手続補正書の提出 令和　１年　８月２０日付け：拒絶理由通知 令和　１年１０月２３日　　：意見書、手続補正書の提出 令和　１年１１月１１日付け：拒絶理由通知 令和　１年１２月２７日　　：意見書、手続補正書の提出 第２　本願発明 令和１年１２月２７日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。 「Ｎｉを主成分とし、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｄのうち少なくとも１種の金属を０．５ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下含み、厚み方向に相互に対向して配置された複数の第１内部電極層及び第２内部電極層と、誘電体材料からなり前記複数の内部電極層の間にそれぞれ配置された複数の誘電体層と、前記厚み方向と直交する方向に向き、前記複数の第１内部電極層の端部が露出する第１側面と、前記厚み方向と直交する方向であって前記第１側面と反対方向に向き、前記複数の第２内部電極層の端部が露出する第２側面と、を有する素子本体と、 前記第１側面を覆い、前記複数の第１内部電極層に接続された第１外部端子と、 前記第２側面を覆い、前記複数の第２内部電極層に接続された第２外部端子と、 を具備し、 前記複数の第１内部電極層及び第２内部電極層各々は、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である第１の厚みを有し、 前記複数の誘電体層各々は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ前記第１の厚みの１．２倍以上２倍以下である第２の厚みを有する 積層コンデンサ。」 第３　拒絶の理由 令和１年１１月１１日付けで当審が通知した拒絶理由のうちの理由１は、概略、次のとおりのものである。 この出願の請求項１－４に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された以下の引用文献１－２に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献１：特開２００６－３１９３５９号公報 引用文献２：特開２０１１－１０８８８６号公報 第４　引用文献の記載事項、引用発明等 １　引用文献１ 令和１年１１月１１日付けの当審の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００６－３１９３５９号公報）には、次の記載がある。なお、下線は当審で付与した。 （１）「【００１７】 本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、特に内部電極層の各厚みが薄層化した場合でも、焼成段階でのＮｉ粒子の粒成長を抑制し、球状化、電極途切れ、クラックの発生などを有効に防止し、静電容量の低下を効果的に抑制することができる積層セラミックコンデンサなどの電子部品およびその製造方法を提供することである。」 （２）「【００５４】 第１実施形態 まず、本発明に係る電子部品の一実施形態として、積層セラミックコンデンサの全体構成について説明する。 図１に示すように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、コンデンサ素体（素子本体）４と、第１端子電極６と、第２端子電極８とを有する。コンデンサ素体４は、誘電体層１０と、内部電極層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層してある。交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第１端部４ａの外側に形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続してある。また、交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第２端部４ｂの外側に形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続してある。 【００５５】 内部電極層１２は、合金を含んで構成される。内部電極層１２を構成する合金は、ニッケル（Ｎｉ）と、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）および白金（Ｐｔ）から選ばれる少なくとも１種の元素とを、有する。該合金中のＮｉの含有量は、８０～１００モル％（ただし、１００モル％は除く）、好ましくは８７～１００モル％（ただし、１００モル％は除く）、さらに好ましくは８７～９９．９モル％である。該合金中のＲｕ、Ｒｈ、ＲｅおよびＰｔの合計含有量は、０～２０モル％（ただし、０モル％は除く）、好ましくは０～１３モル％（ただし、０モル％は除く）、さらに好ましくは０．１～１３モル％である。なお、Ｒｕ、Ｒｈ、ＲｅおよびＰｔの各元素それぞれの比率は、任意である。Ｒｕ、Ｒｈ、ＲｅおよびＰｔの合計含有量が２０モル％を超えると、抵抗率が上昇するなどの不都合を生じる傾向にある。なお、合金中には、Ｓ、Ｐ、Ｃ等の各種微量成分が０．１モル％程度以下で含まれていてもよい。好ましい組み合わせは、Ｎｉ－Ｒｈ、Ｎｉ－Ｒｅ、Ｎｉ－Ｐｔのいずれかである。 【００５６】 内部電極層１２は、後で詳細に説明するように、図２～図３に示すように、内部電極層用膜１２ａをセラミックグリーンシート１０ａに転写して形成され、内部電極層用膜１２ａと同じ材質で構成されるが、その厚みは、焼成による水平方向の収縮分だけ内部電極層用膜１２ａよりも厚くなる。各内部電極層１２の厚みは、好ましくは０．１～１μｍである。 【００５７】 誘電体層１０の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムおよび／またはチタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される。各誘電体層１０の厚みは、特に限定されないが、数μｍ～数百μｍのものが一般的である。特に本実施形態では、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下に薄層化されている。」 （３）「【００６６】 次に、上記のキャリアシート３０とは別に、図２Ａに示すように、第１支持シートとしてのキャリアシート２０を準備し、その上に、剥離層２２を形成する。次に、剥離層２２の表面に、焼成後に内部電極層１２を構成することになる内部電極層用膜１２ａを所定パターンで形成する。 【００６７】 形成される内部電極層用膜１２ａの厚さは、好ましくは０．１～１μｍ、より好ましくは０．１～０．５μｍ程度である。内部電極層用膜１２ａは、単一の層で構成してあってもよく、あるいは２以上の組成の異なる複数の層で構成してあってもよい。」 （４）「【０１３５】 実施例１ ・・・中略・・・ 【０１４１】 次に、剥離層の表面に、内部電極のための所定パターンが形成されたマスクをセットし、スパッタリング法により、所定厚み（各表参照）の内部電極層用膜（Ｎｉ合金薄膜）を形成した。スパッタリング条件としては、到達真空度：１０－３Ｐａ以下、Ａｒガス導入圧力：０．５Ｐａ、出力：２００Ｗ、温度：室温（２０℃）とした。また、Ｎｉと各添加元素（Ｒｕ、Ｒｈ、ＲｅおよびＰｔ）とを各表に示すように所定組成に配合し、直径約４インチ、厚さ３ｍｍの形状に切り出して得られたスパッタリングターゲットを用いた。 ・・・中略・・・ 【０１５３】 このようにして得られた各サンプルのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は２１、その厚さは１μｍであり、内部電極層の厚さは０．５μｍであった。各サンプルについて、電気特性（静電容量Ｃ、抵抗率、誘電損失ｔａｎδ）の特性評価を行った。結果を各表に示す。電気特性（静電容量Ｃ、抵抗率、誘電損失ｔａｎδ）は、次のようにして評価した。」 （５）「【０１５８】 【表１】 【０１５９】 【表２】 【０１６０】 【表３】 【０１６１】 【表４】 」 （６）「【図１】 」 ・段落【００５４】の記載によれば、積層セラミックコンデンサ２は、コンデンサ素体（素子本体）４と、第１端子電極６と、第２端子電極８とを有する。 ・段落【００５７】の記載によれば、誘電体層１０は、チタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される。 段落【０１４１】及び【表１】－【表４】の記載によれば、Ｒｕを０．５～５ｍｏｌ％含むＮｉＲｕまたは、Ｒｈを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｈまたは、Ｒｅを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｅまたは、Ｐｔを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＰｔの組成に配合したスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により内部電極用膜は形成され、段落【００６６】によれば、内部電極用膜を焼成して内部電極層１２は構成される。してみると、内部電極層１２は、Ｒｕを０．５～５ｍｏｌ％含むＮｉＲｕまたは、Ｒｈを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｈまたは、Ｒｅを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｅまたは、Ｐｔを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＰｔの組成である。 また、段落【００５４】の記載によれば、コンデンサ素体４は、誘電体層１０と、内部電極層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層してある。 したがって、コンデンサ素体４は、チタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される誘電体層１０と、Ｒｕを０．５～５ｍｏｌ％含むＮｉＲｕまたは、Ｒｈを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｈまたは、Ｒｅを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｅまたは、Ｐｔを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＰｔの組成の内部電極層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層される。 ・段落【００５４】の記載によれば、交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第１端部４ａの外側に形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続され、また、交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の第２端部４ｂの外側に形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続される。 【図１】によれば、第１端部４ａは積層方向と直交する方向の側面であり、第２端部４ｂは積層方向と直交する方向であって第１端部４ａの側面と反対方向の側面である。また、【図１】によれば、第１端子電極６は第１端部４ａを覆うように形成され、第２端子電極８は第２端部４ｂを覆うように形成されている。 したがって、交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の積層方向と直交する方向の側面である第１端部４ａの外側に第１端部４ａを覆うように形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続され、また、交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の積層方向と直交する方向であって第１端部４ａの側面と反対方向の側面である第２端部４ｂの外側に第２端部４ｂを覆うように形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続される。 ・段落【０１５３】によれば、内部電極層に挟まれた誘電体層の厚さは１μｍであり、内部電極層の厚さは０．５μｍである。 以上のことより、引用文献１には、積層セラミックコンデンサとして、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 ［引用発明］ 「積層セラミックコンデンサ２は、コンデンサ素体（素子本体）４と、第１端子電極６と、第２端子電極８とを有し、 コンデンサ素体４は、チタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成される誘電体層１０と、Ｒｕを０．５～５ｍｏｌ％含むＮｉＲｕまたは、Ｒｈを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｈまたは、Ｒｅを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｅまたは、Ｐｔを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＰｔの組成の内部電極層層１２とを有し、誘電体層１０の間に、これらの内部電極層１２が交互に積層され、 交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の積層方向と直交する方向の側面である第１端部４ａの外側に第１端部４ａを覆うように形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続され、また、交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の積層方向と直交する方向であって第１端部４ａの側面と反対方向の側面である第２端部４ｂの外側に第２端部４ｂを覆うように形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続され、 内部電極層に挟まれた誘電体層の厚さは１μｍであり、内部電極層の厚さは０．５μｍである 積層セラミックコンデンサ２。」 ２　引用文献２ 令和１年１１月１１日付けの当審の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２０１１－１０８８８６号公報）には、次の記載がある。なお、下線は当審で付与した。 （１）「【００１６】 また、薄膜コンデンサ１００は、下地電極２、誘電体層４、内部電極８、誘電体層６及び上部電極１０から構成される積層体と、一対の端子電極１２ａ、１２ｂとの間を満たす絶縁性のカバー層１４を備える。さらに、薄膜コンデンサ１００は、端子電極１２ａ，１２ｂとカバー層１４との間を覆う絶縁性保護層１８を備える。以下、薄膜コンデンサ１００を構成する各部について説明する。」 （２）「【００１９】 誘電体層４、６は、ペロブスカイト系の誘電体材料から構成される。ここで、本実施形態におけるペロブスカイト系の誘電体材料としては、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、（Ｂａ１－ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３（チタン酸バリウムストロンチウム）、（Ｂａ１－ＸＣａＸ）ＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１－Ｘ）Ｏ３等のペロブスカイト構造を持った（強）誘電体材料や、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３等に代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材料等が含まれる。ここで、上記のペロブスカイト構造、ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材料において、ＡサイトとＢサイト比は、通常整数比であるが、特性向上のために意図的に整数比からずらしても良い。なお、誘電体層４、６の特性制御のため、誘電体層４、６に適宜、副成分として添加物質が含有されていてもよい。 【００２０】 誘電体層４，６の各厚さは、５０～１０００ｎｍである。 【００２１】 また、下地電極２（下側電極）と内部電極８（上側電極）とに挟まれた誘電体層４、及び、内部電極８（下側電極）と上部電極１０（上側電極）とに挟まれた誘電体層６はそれぞれ六方晶系の結晶構造を有している。 【００２２】 次に、誘電体層４，６に挟まれて設けられる内部電極８及び上部電極１０を説明する。内部電極８及び上部電極１０は、導電性材料から形成される。具体的には、主成分としてニッケル（Ｎｉ）を含有し、さらに白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる少なくとも一種（以下、「添加元素」と記す。）を含有する合金又は金属間化合物であってよい。内部電極８及び上部電極１０に主成分としてＮｉを含有する材料を用いる場合、その含有量は、内部電極８及び上部電極１０全体に対して、５０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。内部電極８及び上部電極１０が添加元素を含有することによって、内部電極８及び上部電極１０の途切れが防止される。なお、内部電極８及び上部電極１０は複数種の添加元素を含有してもよい。また、本実施形態の薄膜コンデンサ１００では、内部電極８及び上部電極１０は同一の材料から形成されるが、互いに異なる導電性材料により形成されていてもよい。 【００２３】 内部電極８及び上部電極１０の厚さは、５０～１０００ｎｍとすることが好ましい。内部電極８及び上部電極１０の厚さが５０ｎｍより薄い場合には、後述の薄膜コンデンサ１００の製造方法において、内部電極８及び上部電極１０の積層方向下側に設けられた誘電体層４，６中の炭素の含有量が焼成において減少し、六方晶系の結晶構造を有する誘電体層４，６を製造することが困難となる。また、内部電極８及び上部電極１０の厚さが１０００ｎｍよりも厚い場合には、各層の積層方向下側に設けられた誘電体層４，６を十分に焼成することができないという問題がある。」 （３）「【００７７】 ［検討５］ 次に、内部電極及び上部電極の厚さを除いて上記検討１－２と同様な方法を用いて複数種類のコンデンサ構造物を作製し、六方晶系の結晶構造を有する誘電体層が形成される条件を検討した。 【００７８】 具体的には、検討１－２と同様に、下地電極となる金属箔を準備した後、誘電体膜の形成（Ｓ０１）、仮焼き（Ｓ０２）、電極層の形成（Ｓ０３）を２回繰り返し、カバー前駆体層の形成（Ｓ０４）を行った後、これを焼成してコンデンサ構造物を作製した。このとき、内部電極及び上部電極の厚さが、それぞれ３５，５０，１００，２００，５００，８００，１０００，１２００ｎｍとなる（内部電極と上部電極の厚さは同一とされる）８種類のコンデンサ構造物を作製した。なお、誘電体層及びカバー層の厚さが４００ｎｍとなるように、溶液の塗布を行った。また、内部電極及び上部電極の厚さ以外の製造条件は検討１－２と同様であり、仮焼きは大気中４００℃にて１０分間行い、焼成は７５０℃の真空中にて３０分間行った。 【００７９】 上記の方法により得られた内部電極及び上部電極の厚さが互いに異なる８種類のコンデンサ構造物における内部電極と上部電極との間の誘電体層の断面ＴＥＭ像を撮影し、結晶系を確認した。また、内部電極及び上部電極の途切れの有無を観察した。この結果を表４に示す。 【００８０】 【表４】 」 ・段落【００１６】の記載によれば、薄膜コンデンサ１００は、下地電極２、誘電体層４、内部電極８、誘電体層６及び上部電極１０から構成される積層体を備えるものである。 ・段落【００１９】、【００７８】の記載によれば、誘電体層４，６は、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）の誘電体材料から構成され、厚さを４００ｎｍとするものである。 ・段落【００２２】、【００７８】の記載によれば、内部電極８は、主成分としてニッケル（Ｎｉ）を含有し、さらに白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する合金で、厚さを１００ｎｍや２００ｎｍとするものである。 上記記載によれば、引用文献２には、以下の技術（以下、「引用文献２記載の技術」という。）が記載されている。 ［引用文献２記載の技術］ 「下地電極２、誘電体層４、内部電極８、誘電体層６及び上部電極１０から構成される積層体を備える薄膜コンデンサ１００において、誘電体層４，６は、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）の誘電体材料から構成され、厚さを４００ｎｍとし、内部電極８は、主成分としてニッケル（Ｎｉ）を含有し、さらに白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する合金で、厚さを１００ｎｍや２００ｎｍとする」技術。 第５　本願発明と引用発明の対比 １　本願の図１及び明細書段落【００１７】の記載によれば、本願発明の「厚み方向」は内部電極層を積層する方向といえる。 してみると、引用発明の「Ｒｕを０．５～５ｍｏｌ％含むＮｉＲｕまたは、Ｒｈを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｈまたは、Ｒｅを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＲｅまたは、Ｐｔを０．５～３ｍｏｌ％含むＮｉＰｔの組成の内部電極層層１２」は、本願発明の「Ｎｉを主成分とし、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ」「のうち少なくとも１種の金属を０．５ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下含み、厚み方向に相互に対向して配置された複数の第１内部電極層及び第２内部電極層」に相当する。 ２　引用発明の「チタン酸バリウムなどの誘電体材料で構成され」「内部電極層１２が交互に積層され」る「誘電体層１０」は、本願発明の「誘電体材料からなり前記内部電極層の間にそれぞれ配置された複数の誘電体層」に相当する。 ３　引用発明は「交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４の積層方向と直交する方向の側面である第１端部４ａの外側に第１端部４ａを覆うように形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続され」るから、「一方の内部電極層１２」の端部が「コンデンサ素体４」の「第１端部４ａ」で露出していることは明らかである。 してみると、引用発明の「一方の内部電極層１２」は本願発明の「第１内部電極層」に相当し、引用発明の「第１端部４ａ」は本願発明の「前記厚み方向と直交する方向に向き、前記複数の第１内部電極層の端部が露出する第１側面」に相当する。 同様に、引用発明の「他方の内部電極層１２」は本願発明の「第２内部電極層」に相当し、引用発明の「第２端部４ｂ」は本願発明の「前記厚み方向と直交する方向であって前記第１側面と反対方向に向き、前記複数の第２内部電極層の端部が露出する第２側面」に相当する。 ４　上記１－３によれば、引用発明の「コンデンサ素体（素子本体）４」は、本願発明でいう「第１内部電極層及び第２内部電極層」、「誘電体層」、「第１側面」、「第２側面」を有するから、本願発明の「素子本体」に相当する。 ５　引用発明の「第１端子電極６」は、「第１端部４ａを覆」い、「一方の内部電極層１２」に「電気的に接続され」たものであるから、本願発明の「前記第１側面を覆い、前記複数の第１内部電極層に接続された第１外部端子」に相当する。 同様に、引用発明の「第２端子電極８」は、「第２端部４ｂを覆」い、「他方の内部電極層１２」に「電気的に接続され」たものであるから、本願発明の「前記第２側面を覆い、前記複数の第２内部電極層に接続された第２外部端子」に相当する。 ６　本願発明は「前記複数の第１内部電極層及び第２内部電極層各々は、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である第１の厚みを有し、前記複数の誘電体層各々は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ前記第１の厚みの１．２倍以上２倍以下である第２の厚みを有する」ものであるのに対し、引用発明は誘電体層の厚さが内部電極層の厚さより厚い（２倍）ものの、「誘電体層の厚さは１μｍであり、内部電極層の厚さは０．５μｍである」点で相違する。 ７　上記１－５によれば、引用発明の「積層セラミックコンデンサ２」は、本願発明でいう「素子本体」、「第１外部端子」、「第２外部端子」を有するから、本願発明の「積層コンデンサ」に相当する。 したがって、本願発明と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。 〈一致点〉 「Ｎｉを主成分とし、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅのうち少なくとも１種の金属を０．５ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下含み、厚み方向に相互に対向して配置された複数の第１内部電極層及び第２内部電極層と、誘電体材料からなり前記複数の内部電極層の間にそれぞれ配置された複数の誘電体層と、前記厚み方向と直交する方向に向き、前記複数の第１内部電極層の端部が露出する第１側面と、前記厚み方向と直交する方向であって前記第１側面と反対方向に向き、前記複数の第２内部電極層の端部が露出する第２側面と、を有する素子本体と、 前記第１側面を覆い、前記複数の第１内部電極層に接続された第１外部端子と、 前記第２側面を覆い、前記複数の第２内部電極層に接続された第２外部端子と、 を具備する 積層コンデンサ。」 〈相違点〉 本願発明は「前記複数の第１内部電極層及び第２内部電極層各々は、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である第１の厚みを有し、前記複数の誘電体層各々は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ前記第１の厚みの１．２倍以上２倍以下である第２の厚みを有する」に固定されているのに対し、引用発明は誘電体層の厚さが内部電極層の厚さより厚い（２倍）ものの、「誘電体層の厚さは１μｍであり、内部電極層の厚さは０．５μｍである」点。 第６　判断 １〈相違点〉について 引用文献１の段落【００５７】に「各誘電体の厚みは、・・・より好ましくは３μｍ以下に薄型化されている。」と、段落【００６７】に「形成される内部電極層用膜１２ａの厚さは、・・・より好ましくは０．１～０．５μｍである。」と記載されており、引用発明の誘電体層の厚さは３μｍ以下の値に、内部電極層の厚さは０．１～０．５μｍの値に適宜変更し得るものである。 してみると、引用文献２記載の技術（誘電体層の厚さを４００ｎｍとし、内部電極の厚さを１００ｎｍや２００ｎｍとすること）は、引用発明と同様の材料から成る誘電体層と内部電極で構成される積層体を備えるコンデンサに関するものであるから、引用発明に引用文献２記載の技術を適用し、誘電体層が４００ｎｍ（０．４μｍ）の厚みを有し、内部電極層が１００ｎｍや２００ｎｍ（０．１μｍや０．２μｍ）の厚みを有するようにすることは、当業者が容易になし得たことである。 また、上記のとおり、誘電体層の厚みを４００ｎｍ（０．４μｍ）、内部電極層の厚みを２００ｎｍ（０．２μｍ）に選択できるから、「第２の厚み（誘電体層の厚み）」を「第１の厚み（内部電極層の厚み）の１．２倍以上２倍以下」の範囲とすることは、当業者が容易になし得たことである。 なお、本願明細書には、段落【００３１】に「第１の厚みと第２の厚みを上述の数値範囲とすることで、積層コンデンサを小型化することができる。」等と記載されるのみであり、第１の厚み（１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下）、第２の厚み（２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下）の範囲に臨界的意義は認められない。 また、本願明細書の段落【００３１】に「第１の厚みと第２の厚みとを上述の数値範囲とすることで、積層コンデンサを小型化することができる。さらに、第２の厚みを第１の厚みよりも厚くすることにより、・・・クラックやデラミネーションを防止することができる。さらに、第２の厚みを第１の厚みの１．２倍以上５倍以下とすることにより、より効果的にクラックやデラミネーションを防止することができる。」と記載され、試験例１として、第２の厚みを５００ｎｍとした場合に「第２の厚み／第１の厚み」が１．２～５であればクラックとデラミネーションのいずれの発生も認められなかったこと（【表１】）、試験例２として、第２の厚みを５００ｎｍとし、第１の厚みが５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であればクラックとデラミネーションのいずれの発生も認められなかったこと（【表２】）が記載されている。これらの記載からは、クラックやデラミネーションを防止する効果は、誘電体層の厚み（第２の厚み）が内部電極層の厚み（第１の厚み）より厚ければ得られるものであり、「第２の厚み」を「第１の厚みの１．２倍以上２倍以下」の範囲とすることに臨界的意義は認められない。 以上によれば、引用発明に引用文献２記載の技術を適用して、相違点に係る本願発明の構成を得ることは当業者が容易になし得たことと認められる。 ２　令和１年１２月２７日の意見書について 審判請求人は令和１年１２月２７日の意見書において、引用文献１及び引用文献２では、課題が全く異なり、引用文献１に接した当業者が、わざわざ課題及び技術的要請の全く異なる引用文献２に記載の技術を適用するとは考えられない旨主張している。 しかしながら、引用文献２は、誘電体層と電極で構成される積層体を備えるコンデンサにおいて、誘電体と内部電極の厚さを所定の値とする技術を引用したものであるところ、引用文献１と引用文献２との解決しようとする課題はいずれも、引用発明に対する引用文献２記載の技術の適用を妨げるものであるとは認められず、引用発明に引用文献２に記載の技術を適用し得るものと認められる。 また、審判請求人は同意見書において、引用文献２の薄膜コンデンサ１００は、引用文献１に記載の内部電極層１２と同等の機能及び構成を有する内部電極を備えていないと考えられ、引用文献２の内部電極８の厚みに関する技術を、単純に引用文献１の内部電極層１２の厚みに適用することには無理がある旨主張している。 しかしながら、引用文献１と引用文献２は共に、誘電体層と複数の電極（引用文献１の内部電極層１２、引用文献２の内部電極８，上部電極１０）で構成された積層体を有するコンデンサであり、同様の構成を有する内部電極を備えたものであるから、引用文献１のコンデンサと引用文献２のコンデンサとは、同等の機能及び構成を有する内部電極を備えていないものではない。 したがって、引用文献２の内部電極８の厚みに関する技術を、引用文献１の内部電極層１２の厚みに適用することに無理があるとはいえない。 さらに、審判請求人は同意見書において、引用文献２に記載の薄膜コンデンサ１００は、引用文献１に記載の積層セラミックコンデンサ２と焼成温度が異なる、つまり、引用文献２に記載の薄膜コンデンサ１００は、引用文献１では採り得ない温度で焼成させて形成されたものであり、このような薄膜コンデンサ１００に係る技術を、引用文献１の積層セラミックコンデンサ２に適用しようとすることは、技術的に無理がある旨、さらに、引用文献１に記載の内部電極層１２は、内部電極層用膜をグリーンシートの表面に転写することで形成され、より薄膜化した際にハンドリングの問題が生じやすいため、引用文献２に記載の、内部電極の厚さを１００，２００ｎｍとする技術を単純に適用できるとは考えられない旨主張している。 ここで、上記審判請求人の主張は、引用文献１に記載された積層セラミックコンデンサと引用文献２に記載された薄膜コンデンサは互いに製法が異なるため、引用文献１に記載された積層セラミックコンデンサに引用文献２に記載された内部電極の厚さに関する技術を適用することはできないというものと解される。 しかしながら、誘電体層及び内部電極層をともに数百ｎｍ以下とすることは、内部電極層を印刷法や転写により形成したセラミックグリーンシートを積層・焼成する積層セラミックコンデンサにおいても本願出願前周知技術である（必要あれば、特開２０１４－２２７１４号公報（特に【請求項２】、【請求項１０】、【００３１】、【０１０５】の記載）、特開２０１４－８２４３５号公報（特に【請求項２】、【請求項３】、【００２２】、【００４０】、【０１３４】の記載）、特開２００３－２３４２４２号公報（【０００１】、【００５３】、【表２】の試料番号１の記載）を参照）。 したがって、引用文献１に記載されたような、グリーンシート上に内部電極を転写により形成した積層セラミックコンデンサにおいても、誘電体層及び内部電極層をともに数百ｎｍ以下とし得るから、引用文献１に記載された積層セラミックコンデンサに引用文献２に記載された内部電極の厚さに関する技術を適用し得るものと認められる。 よって、請求人の主張は採用できない。 第７　むすび 以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。